JP2002120078A - Method for laser beam machining - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池、液晶デ
ィスプレイ装置等に用いられる薄膜に線状のレーザビー
ムを照射するレーザ加工方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing method for applying a linear laser beam to a thin film used for a solar cell, a liquid crystal display device and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】薄膜のパターニング加工の際に、フォト
レジストを用いることのない光加工方法として、ＹＡＧ
レ−ザ光（波長1.06μm）を用いたレ−ザ加工技術が知
られている。ＹＡＧレ−ザ光を使用したレーザ加工方法
は、スポット状のビ−ムを被加工物に照射すると共に、
このビ−ムを加工方向に走査して、点を連続させて鎖状
に開溝を形成せんとするものである。そのため、上記レ
ーザ加工方法は、上記ビ−ムの走査スピ−ド、加工に必
要なエネルギー密度、被加工物の熱伝導度、昇華性等、
物性がきわめて微妙に相互作用する。その結果、上記レ
ーザ加工方法は、工業化に際して、生産性を向上させつ
つ、最適品質を保証するマ−ジンが少ないという欠点を
有する。2. Description of the Related Art YAG is an optical processing method that does not use a photoresist when patterning a thin film.
Laser processing technology using laser light (wavelength 1.06 μm) is known. A laser processing method using a YAG laser beam irradiates a spot beam onto a workpiece,
The beam is scanned in the processing direction to form a chain-like groove by connecting points continuously. Therefore, the above-mentioned laser processing method uses the scanning speed of the beam, the energy density required for the processing, the thermal conductivity of the workpiece, the sublimability, etc.
Physical properties interact very subtly. As a result, the above-mentioned laser processing method has a drawback that, during industrialization, there is little margin for guaranteeing optimum quality while improving productivity.
【０００３】さらに、ＹＡＧレ−ザ光の光学的エネルギ
ーは、1.23ｅＶ（1.06 μm）しかない。他方、ガラス基
板または半導体上に形成されている被加工物、たとえば
透光性導電膜（以下ＣＴＦという）は、３ｅＶないし４
ｅＶの光学的エネルギーバンド幅を有する。このため、
酸化スズ、酸化インジュ−ム（ＩＴＯを含む）、酸化亜
鉛（ＺｎＯ）等のＣＴＦは、ＹＡＧレ−ザ光に対して十
分な光吸収性を持っておらず、レーザ光を有効に使用し
ていなかった。Further, the optical energy of YAG laser light is only 1.23 eV (1.06 μm). On the other hand, a workpiece formed on a glass substrate or a semiconductor, for example, a light-transmitting conductive film (hereinafter, referred to as CTF) is 3 eV to 4 eV.
It has an optical energy bandwidth of eV. For this reason,
CTFs such as tin oxide, indium oxide (including ITO), and zinc oxide (ZnO) do not have sufficient light absorption for YAG laser light and use laser light effectively. Did not.
【０００４】また、ＹＡＧレ−ザのＱスイッチ発振を用
いるレ−ザ加工方式において、パルス光は、平均0.5Wな
いし1W（光径50μｍ、焦点距離40ｎｍ、パルス周波数3K
Hz、パルス幅60ｎ秒の場合）の強い光エネルギーを走査
スピ−ドが30ｃｍ/分ないし60ｃｍ/分で加えて加工しな
ければならない。その結果、このレ−ザ光によるＣＴＦ
の加工は行い得るが、同時にその下側に設けられた基
板、たとえばガラス基板に対して、マイクロクラックを
発生させ、損傷させてしまった。このようにＹＡＧレー
ザを使用した場合、パルス幅を非常に小さくすることが
できないため、加工面に必要以上のエネルギーが与えら
れてしまい、被加工物の下地、たとえばガラス基板を傷
つけてしまう。In a laser processing method using a Q-switch oscillation of a YAG laser, an average pulse light is 0.5 W to 1 W (optical diameter 50 μm, focal length 40 nm, pulse frequency 3K
(In the case of Hz and a pulse width of 60 ns), the scanning speed must be applied at a scanning speed of 30 cm / min to 60 cm / min. As a result, CTF by this laser light
Can be performed, but at the same time, microcracks are generated and damaged on a substrate provided thereunder, for example, a glass substrate. When a YAG laser is used in this way, the pulse width cannot be made very small, so that more energy than necessary is given to the processing surface, and the base of the workpiece, for example, a glass substrate, is damaged.
【０００５】このＹＡＧレ−ザを用いた加工方法におい
て、スポット状のビ−ムを繰り返し走査しつつ加えるた
め、下地基板に発生する微小クラックは、レ−ザ光のビ
−ムの外形と類似の形状を有し、「鱗」状に作られてし
まった。また、ＹＡＧレ−ザのＱスイッチ発振を用いる
方式は、そのレ−ザビ−ムの尖頭値の出力が長期間の使
用において、バラツキやすく、使用の度にモニタ−での
チェックを必要とした。さらに、10μｍないし50μｍ幅
の微細パタ−ンを多数同一平面に選択的に形成させるこ
とがまったく不可能であった。また、照射後、加工部の
ＣＴＦ材料が十分に絶縁物化していないため、酸溶液
（弗化水素系溶液）によりエッチングを行い、完全に絶
縁化する必要があった。In this processing method using a YAG laser, spot-shaped beams are repeatedly added while scanning, so that minute cracks generated on the underlying substrate are similar to the outer shape of the laser beam. And it was made into a "scale" shape. In the system using the Q-switch oscillation of the YAG laser, the peak value output of the laser beam tends to vary in a long-term use, and it is necessary to check the monitor each time the laser beam is used. . Furthermore, it has never been possible to selectively form many fine patterns having a width of 10 μm to 50 μm on the same plane. Further, after the irradiation, the CTF material in the processed portion is not sufficiently turned into an insulator, so that it was necessary to perform etching with an acid solution (hydrogen fluoride solution) to completely insulate the material.
【０００６】また、前記レーザ以外にその照射光とし
て、400 ｎｍ以下（エネルギー的には3.1 ｅＶ以上）の
波長のパルスレ−ザを照射し、20μφないし50μφのビ
−ムスポットではなく、20μｍないし200μｍの幅（た
とえば150μｍ）、長さ10ｃｍないし60ｃｍ、たとえば3
0ｃｍの線状のパタ−ンに同ー箇所に一つまたは数回の
パルスを照射し、線状のパタ−ンに加工する方法も知ら
れている。かくの如く、400ｎｍ以下の波長のパルス光
（パルス幅50ｎ秒以下）を線状に照射することにより、
ＣＴＦ等透明な物質での光エネルギーの吸収効率をＹＡ
Ｇレ−ザ（1.06 μm)を用いた場合の100 倍以上に高
め、結果として加工速度を10倍以上に速くしたものであ
る。In addition to the above-mentioned laser, a pulse laser having a wavelength of 400 nm or less (energy of 3.1 eV or more) is irradiated as the irradiation light, and a beam spot of 20 μm to 200 μm is used instead of a beam spot of 20 μφ to 50 μφ. Width (eg 150 μm), length 10 cm to 60 cm, eg 3
There is also known a method of irradiating a linear pattern of 0 cm with one or several pulses to the same spot and processing it into a linear pattern. As described above, by linearly irradiating pulse light (pulse width: 50 ns or less) having a wavelength of 400 nm or less,
Light energy absorption efficiency of transparent materials such as CTF
This is 100 times or more as high as that when a G laser (1.06 μm) is used, and as a result, the processing speed is increased to 10 times or more.
【０００７】さらに、この場合、初期の光として、円状
でかつ光強度がガウス分布をするＹＡＧレ−ザではな
く、一般的にはエキシマレ−ザ光を用いる。このため、
初期の光の照射面は矩形を有し、また、その強さも照射
面内で概略均一である。このため、光の幅を広げるいわ
ゆるビ−ムエキスパンダで長方形に大面積化する。その
後、その一方のＸ方向またはＹ方向にそって筒状の棒状
レンズ、すなわち、シリンドリカルレンズにてスリット
状にレ−ザ光を集光する。Further, in this case, as the initial light, excimer laser light is generally used instead of a YAG laser having a circular shape and a Gaussian light intensity distribution. For this reason,
The initial light irradiation surface has a rectangular shape, and its intensity is substantially uniform within the irradiation surface. For this reason, a rectangular area is increased by a so-called beam expander for expanding the width of light. Thereafter, laser light is condensed in a slit shape by a cylindrical rod-shaped lens, that is, a cylindrical lens, along one of the X and Y directions.
【０００８】しかし、この集光された光の幅を50μｍ以
下にするには、このシリンドリカルレンズ（棒状集光レ
ンズ）の球面収差が無視できなくなる。このため、集光
された光の周辺部にガウス分布に従った強度の弱くなる
領域が発生する。そのため、線の端部のきれが明確でな
くなる。加えて10μｍないし30μｍ、たとえば20μｍの
幅の線状の開溝を作ることはさらに不可能になる。この
ため、端部のきれを明確にする手段として、シリンドリ
カルレンズにレ−ザ光を入射する前にスリットを通し、
シリンドリカルレンズの球面収差が無視できる幅に入射
光をしぼった後シリンドリカルレンズにて集光し、10μ
ｍないし30μｍ幅でかつ端部のきれの明確なレ−ザビ−
ムを照射できるようにする等の方法がある。However, in order to reduce the width of the condensed light to 50 μm or less, the spherical aberration of the cylindrical lens (rod-shaped condensing lens) cannot be ignored. For this reason, an area where the intensity according to the Gaussian distribution is weakened is generated around the condensed light. Therefore, the end of the line is not clear. In addition, it becomes even more impossible to make a linear groove having a width of 10 μm to 30 μm, for example, 20 μm. For this reason, as a means for clarifying the edge cut, a laser beam is passed through a slit before being incident on the cylindrical lens.
After squeezing the incident light to a width where the spherical aberration of the cylindrical lens can be ignored, the light is condensed by the cylindrical lens and
A laser with a width of m to 30 μm and a clear edge
For example, there is a method of enabling irradiation of the system.
【０００９】このように、すぐれた特徴を持つエキシマ
レーザを用いたレーザ加工においても、加工対象物の持
つ物性のちがいによって、被加工部の状態が明らかにち
がってくる。これは、特に、透光性の物質を加工する際
に顕著であり、被加工部両端付近が荒らされ、激しい凹
凸が形成される。図１は従来法の光加工方法において、
透光性被膜を加工した結果を説明するための図である。
図１は下地基板として青板硝子（21）を用い、その上に
基板よりのアルカリ元素の拡散を防止するためのリンド
ープのＳｉＯ2（22）が設けられ、その上面にＩＴＯ（2
3）が形成された被加工物に対してエキシマレーザ（Ｋ
ｒＦ)を照射した後の被加工部付近の断面の様子を示し
ている。As described above, even in laser processing using an excimer laser having excellent characteristics, the state of the processed portion is clearly different due to the difference in the physical properties of the object to be processed. This is particularly remarkable when processing a translucent substance, and the vicinity of both ends of the processed portion is roughened, and severe irregularities are formed. FIG. 1 shows a conventional optical processing method.
It is a figure for explaining the result of having processed a translucent coat.
In FIG. 1, a blue plate glass (21) is used as a base substrate, on which phosphorus-doped SiO 2 (22) for preventing diffusion of an alkali element from the substrate is provided, and an ITO (2
3) Excimer laser (K
3 shows a cross-sectional state near a processed portion after irradiation with rF).
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】図１（1）の部分がエ
キシマレーザによって直線状に加工された溝であり、下
地基板が露出している。この溝の両端付近（3）には、
ＩＴＯとアルカリブロッキング層であるリンドープＳｉ
Ｏ2との混合物が溶融後に盛り上がって残っている。こ
の混合物による盛り上がりの高さは、0.5 μｍないし１
μｍもあった。このような状態の基板を用いて太陽電
池、液晶表示装置その他の電子部品を作製すると、この
凹凸に起因する電極間のショート、断線、色ムラ等が発
生し、電子部品の製造歩留りの低下を招いていた。The portion shown in FIG. 1A is a groove which is linearly processed by an excimer laser, exposing the underlying substrate. Near both ends of this groove (3)
ITO and phosphorus-doped Si as alkali blocking layer
The mixture with O 2 remains raised after melting. The height of the swelling of this mixture is between 0.5 μm and 1 μm.
μm. When a solar cell, a liquid crystal display device, and other electronic components are manufactured using the substrate in such a state, short-circuiting between the electrodes, disconnection, color unevenness, and the like due to the unevenness occur, and the production yield of the electronic components is reduced. I was invited.
【００１１】このような盛り上がりを緩和する手段とし
ては、酸溶液によるエッチング、超音波照射等が考えら
れるが、いずれの場合も完全に盛り上がりを取り除くこ
とはできず、不完全であった。特に、酸溶液によるエッ
チングを行う場合、盛り上がりの中には、リンドープＳ
ｉＯ2も溶融した状態で混在しているので、ＨＦ溶液を
使用するが、それにより正常な（レーザ光による影響を
受けていない）リンドープＳｉＯ2もエッチングされて
しまうため、そのリンドープＳｉＯ2上の、レーザ光に
よって影響を受けなかったＣＴＦまでもが剥離してしま
うという問題点もあった。As a means for alleviating such swelling, etching with an acid solution, ultrasonic irradiation, and the like can be considered. However, in any case, the swell cannot be completely removed, and it is incomplete. In particular, when performing etching with an acid solution, phosphorus-doped S
Since iO 2 is also mixed in a molten state, an HF solution is used. However, normal (non-affected by laser light) phosphorus-doped SiO 2 is also etched, so that the phosphorus-doped SiO 2 In addition, there is a problem that even CTFs which are not affected by the laser beam are peeled off.
【００１２】本発明は、 照射面を線状又はスリット状
に成形したレーザビームを走査しながら被加工薄膜に照
射して、当該薄膜を溶融するレーザ加工方法であって、
被加工薄膜の下地に熱的ダメージを与えず、かつ加工効
率の高いレーザ加工方法を提供することを目的とする。
前記レーザ光を照射する際に、被加工部付近に残渣のな
い良好な被加工面を実現することを目的とする。本発明
は、半導体層或いは液晶層を薄膜パターン上に形成する
場合に生ずる問題、すなわち下地のガラス基板に含まれ
るアルカリイオンがこれら半導体層或いは液晶層へ侵入
し、その性能を劣化させてしまうことを効果的に防止し
た薄膜パターンの形成方法を提案することである。The present invention relates to a laser processing method for irradiating a thin film to be processed while scanning a laser beam whose irradiation surface is formed into a linear or slit shape and melting the thin film,
It is an object of the present invention to provide a laser processing method that does not thermally damage a base of a thin film to be processed and has high processing efficiency.
It is an object of the present invention to realize a good processed surface without residue near the processed portion when irradiating the laser beam. The present invention has a problem that occurs when a semiconductor layer or a liquid crystal layer is formed on a thin film pattern, that is, alkali ions contained in an underlying glass substrate penetrate into these semiconductor layers or a liquid crystal layer, thereby deteriorating its performance. It is an object of the present invention to propose a method of forming a thin film pattern that effectively prevents the above.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のレーザ加工方法は、被加工薄膜を前記被加
工薄膜よりも融点が高く、かつ熱伝導率が低い絶縁膜上
に密着して設ける。また、レ−ザ光のビ−ム形状を光学
系にて長方形に変化した後、さらに、光学系にて前記レ
−ザ光を集光する。集光されたレーザビームを走査しな
がら照射することで、被加工薄膜を溶融する。また、本
発明は、例えば被加工薄膜が３ｅＶないし４ｅＶのエネ
ルギーバンドギャップを有する場合、上記線状レーザビ
ームの波長を400ｎｍ以下とし、かつ下地の絶縁膜を７
ｅＶないし８ｅＶのエネルギーバンドギャップを有する
ものとする。例えば、本発明では、絶縁膜として不純物
が添加されていない酸化珪素膜や窒化珪素を設ける。ま
たレーザビームとして、波長が400ｎｍ以下であるパル
スレーザ光のビームを照射する。In order to achieve the above object, a laser processing method according to the present invention provides a method in which a thin film to be processed is adhered to an insulating film having a higher melting point and a lower thermal conductivity than the thin film to be processed. Provided. After the beam shape of the laser light is changed to a rectangle by the optical system, the laser light is further condensed by the optical system. By irradiating the focused laser beam while scanning, the thin film to be processed is melted. In addition, the present invention provides, for example, when the thin film to be processed has an energy band gap of 3 eV to 4 eV, the wavelength of the linear laser beam is set to 400 nm or less, and the thickness of the underlying insulating film is set to 7 nm.
It has an energy band gap of eV to 8 eV. For example, in the present invention, a silicon oxide film or a silicon nitride to which an impurity is not added is provided as an insulating film. As a laser beam, a pulsed laser beam having a wavelength of 400 nm or less is irradiated.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】本発明は、被加工物である薄膜を
当該加工薄膜よりも融点が高く、かつ熱伝導率が低い絶
縁膜上に密着して設ける。そして、シリンドリカルレン
ズ及びビームエキスパンダを有する光学系によりレーザ
ビームを線状に成形し、線状のレーザビームを走査しな
がら、被加工薄膜に照射して溶融する。さらに、本発明
は、例えば被加工薄膜が３ｅＶないし４ｅＶのエネルギ
ーバンドギャップを有する場合、上記線状レーザビーム
の波長を400ｎｍ以下とし、かつ下地の絶縁膜を７ｅＶ
ないし８ｅＶのエネルギーバンドギャップを有するもの
とする。これにより基板に熱的ダメージを与えることな
く、被加工薄膜を溶融できる。例えば、被加工薄膜を透
光性導電膜とし、その被加工薄膜との間に不純物が全く
ドーピングされていないＳｉＯ2層や窒化珪素層を設
け、これに対して、400ｎｍ以下の波長を持つレーザ光
を照射することによって、透光性導電膜の加工溝端部に
被加工物残渣による盛り上がりをなくすものである。本
発明において、ＳｉＯ2膜は、下地、たとえば、基板の
保護が重要な目的であるから基板として用いられるソー
ダガラスや被加工物、たとえば透明導電膜よりも十分融
点が高く、かつ熱伝導率の小さいものであることが必要
であり、さらに加工した基板を太陽電池や液晶表示装置
に用いる場合、特に、Naに対するブロッキング性が必要
である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, a thin film to be processed is provided in close contact with an insulating film having a higher melting point and a lower thermal conductivity than the processed thin film. Then, the laser beam is formed into a linear shape by an optical system having a cylindrical lens and a beam expander, and the thin film to be processed is irradiated and melted while scanning the linear laser beam. Further, in the present invention, for example, when the thin film to be processed has an energy band gap of 3 eV to 4 eV, the wavelength of the linear laser beam is set to 400 nm or less, and the thickness of the underlying insulating film is set to 7 eV.
It has an energy band gap of な い し 8 eV. Thus, the thin film to be processed can be melted without thermally damaging the substrate. For example, a thin film to be processed is a light-transmitting conductive film, and an SiO 2 layer or a silicon nitride layer without any impurity doping is provided between the thin film to be processed and a laser having a wavelength of 400 nm or less. By irradiating the light, swelling due to the residue of the workpiece is eliminated at the end of the processing groove of the translucent conductive film. In the present invention, the SiO 2 film has a melting point sufficiently higher than that of soda glass or a workpiece to be processed as a substrate, for example, a transparent conductive film, because the protection of the substrate, for example, the substrate is an important purpose, and has a low thermal conductivity. It is necessary that the substrate be small, and when the processed substrate is used for a solar cell or a liquid crystal display device, in particular, a blocking property against Na is required.
【００１５】従って、ＳｉＯ2中には、リンやボロン等
の融点を下げるための不純物が添加されていないことが
重要である。たとえば、透明導電膜であるＩＴＯの融点
は、約900℃であるのに対し、ＳｉＯ2の融点は約1700℃
であり、ＳｉＯ2はＩＴＯに比較して、熱伝導率が格段
に小さいので、レーザ光によってＩＴＯを溶融せしめて
も、ＳｉＯ2や基板にダメージが加わらず、従ってレー
ザ光のエネルギー面におけるマージンが非常に大きいと
言える。さらに、ＣＴＦのエネルギーバンド幅が３ｅＶ
ないし４ｅＶであるのに対し、ＳｉＯ2のそれは７ｅＶ
ないし８ｅＶであるので波長が400 ｎｍ以下の光は、Ｃ
ＴＦに吸収されＳｉＯ2が損傷されない。Therefore, it is important that impurities for lowering the melting point, such as phosphorus and boron, are not added to SiO 2 . For example, the melting point of ITO, which is a transparent conductive film, is about 900 ° C., while the melting point of SiO 2 is about 1700 ° C.
Since SiO 2 has a much lower thermal conductivity than ITO, even if the ITO is melted by the laser light, the SiO 2 and the substrate are not damaged, so that the margin in the energy surface of the laser light is reduced. It can be said that it is very large. Furthermore, the energy bandwidth of CTF is 3 eV
To 4 eV, whereas that of SiO 2 is 7 eV
Light having a wavelength of 400 nm or less is
It is absorbed by TF and does not damage SiO 2 .
【００１６】従って、レーザ光照射後の盛り上がりはＣ
ＴＦ成分のみによって構成されるので、盛り上がりを緩
和するための手段としての酸エッチングにおいて、ＨＦ
を使用する必要がなくＨＣｌで十分であるため、エッチ
ング時にＳｉＯ2がエッチングされず、従って、ＣＴＦ
の剥離現象も起こらない。そのうえ、本発明で述べてい
るようなノンドープＳｉＯ2をＣＴＦの下地に使用した
場合には、レーザ光照射によって生ずる盛り上がりが多
孔質の構造を呈するためにエッチング、或いは超音波の
印加によって非常に剥離しやすいものである。Therefore, the swell after laser beam irradiation is C
Since it is constituted only by the TF component, HF is used in acid etching as a means for alleviating swelling.
Need not be used and HCl is sufficient, so that the SiO 2 is not etched during the etching,
No peeling phenomenon occurs. In addition, when non-doped SiO 2 as described in the present invention is used as a CTF underlayer, the swelling caused by laser light irradiation exhibits a porous structure, so that it is very peeled off by etching or application of ultrasonic waves. It is easy to do.
【００１７】また、ＳｉＯ2膜の作製方法に特に指定は
ないが、たとえばガラスを高周波スパッタリングする方
法、ＣＶＤ法による方法、またはアルコキシシランのア
ルコール溶液、或いはシラザンを基板上にスピンコート
した後アニールする方法などがある。このように液状物
質をスピンコートする方法は、基板表面の平坦度を高く
するため、特に、基板表面の平坦度が要求される、たと
えば強誘電性液晶ディスプレイ用基板等に最適である。
また本発明においては、ＳｉＯ2膜だけでなく窒化珪素
膜も有効であることがわかった。The method of forming the SiO 2 film is not particularly specified. For example, a method of high frequency sputtering of glass, a method of CVD, or an alcohol solution of alkoxysilane or silazane is spin-coated on a substrate and then annealed. There are methods. The method of spin-coating a liquid material in this manner increases the flatness of the substrate surface, and is particularly suitable for a substrate for a ferroelectric liquid crystal display or the like that requires flatness of the substrate surface.
Further, in the present invention, it has been found that not only a SiO 2 film but also a silicon nitride film is effective.
【００１８】窒化珪素膜の作製方法としては、たとえば
ＣＶＤ法がある。以上のような方法にて形成されたＳｉ
Ｏ2、或いは窒化珪素膜を用いた場合、特に加工溝端部
の盛り上がりが少なく良好な加工後の表面が得られる。
以下に実施例を示す。As a method of forming the silicon nitride film, for example, there is a CVD method. Si formed by the above method
In the case of using an O 2 or silicon nitride film, a good processed surface can be obtained with less swelling especially at the end of the processing groove.
Examples will be described below.
【００１９】[0019]
【実施例】『実施例１』図３はエキシマレ−ザを用いた
本発明の一実施例であるレ−ザ加工における系の概略を
説明するための図である。図４（Ａ）ないし（Ｄ）は本
発明の一実施例であるレーザ光のビーム形状を説明する
ための図である。加工用レーザとしては、エキシマレ−
ザ（4） （波長248ｎｍ、Eg＝5.0ｅＶ)を用いた。この
レーザは、図４（Ａ）のように、初期の光ビ−ム（11)
は16ｍｍ×20ｍｍを有し、効率3%であるため、350ｍＪ
を有する。さらに、このビ−ムをビ−ムエキスパンダ
（5）にて、長面積化または大面積化した。すなわち、1
6ｍｍ×300 ｍｍに拡大した（図４（12)）。この際に、
5.6 ×10-2ｍＪ/ｍｍ2 をエネルギー密度で得た。次
に、２ｍｍ×300ｍｍの間隔を有するスリット（6）にレ
−ザビ−ムを透過させて２ｍｍ×300 ｍｍのレ−ザビ−
ム（13）を得る。（図４（Ｃ））[Embodiment 1] FIG. 3 is a view for explaining an outline of a laser processing system according to an embodiment of the present invention using an excimer laser. FIGS. 4A to 4D are diagrams for explaining a beam shape of laser light according to an embodiment of the present invention. Excimer laser is used as a processing laser.
The (4) (wavelength 248 nm, Eg = 5.0 eV) was used. This laser has an initial light beam (11) as shown in FIG.
Has a size of 16 mm x 20 mm and an efficiency of 3%.
Having. Further, the area of the beam was increased or increased by a beam expander (5). That is, 1
It was enlarged to 6 mm x 300 mm (Fig. 4 (12)). At this time,
5.6 × 10 -2 mJ / mm 2 was obtained at the energy density. Next, the laser beam is transmitted through a slit (6) having an interval of 2 mm × 300 mm to make a laser beam of 2 mm × 300 mm.
(13). (FIG. 4 (C))
【００２０】さらに、合成石英製のシリンドリカルレン
ズ（7）にて、加工面での開溝幅が20μｍとなるべく集
光した。（図４（Ｄ）） この時、使用するスリットの幅は、特に決まっていない
が、シリンドリカルレンズの球面収差が影響しない程度
にレ−ザビ−ムを絞る必要がある。また、被加工物の開
溝幅は、シリンドリカルレンズの性能により任意に選択
可能である。図５は本発明の第１実施例において、基板
上に開溝を形成する工程を説明するための図である。図
５に示すように、長さ30ｃｍ、幅20μｍのスリット状に
集光されたレーザビ−ム（14）を基板（9）上の被加工
物（2）に線状に照射し、加工を行い、開溝（15）を形
成した。本実施例の場合、被加工面として、青板ガラス
（8）上にスパッタ法によって形成したノンドープのＳ
ｉＯ2膜（11）厚さ約200Åを設け、このＳｉＯ2上にＩ
ＴＯ（酸化インジュームスズ）透明導電膜（2）が形成
されたものを用いた。Further, the light was condensed by a synthetic quartz cylindrical lens (7) so that the groove width on the processed surface became 20 μm. (FIG. 4D) At this time, the width of the slit to be used is not particularly determined, but it is necessary to narrow the laser beam to such an extent that the spherical aberration of the cylindrical lens does not influence. The groove width of the workpiece can be arbitrarily selected depending on the performance of the cylindrical lens. FIG. 5 is a view for explaining a step of forming a groove on a substrate in the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, a laser beam (14) condensed in a slit shape having a length of 30 cm and a width of 20 μm is linearly irradiated on a workpiece (2) on a substrate (9) to perform processing. The groove (15) was formed. In the case of this embodiment, the non-doped S formed by sputtering on a blue sheet glass (8) was used as the surface to be processed.
The iO 2 film (11) having a thickness of about 200Å provided, I on this SiO 2
The one on which a transparent conductive film (2) of TO (indium tin oxide) was formed was used.
【００２１】パルス光は、ＫｒＦエキシマレ−ザによる
248 ｎｍの光とした。なぜなら、その光の光学的エネル
ギーバンド幅が5.0ｅＶであるため、被加工物が十分光
を吸収し、透明導電膜のみを選択的に加工し得るからで
ある。パルス幅20ｎ秒、繰り返し周波数１ないし100Hz
、たとえば10Hzで光照射を行った。この被膜に加工を
行うと、１回のみの線状のパルス光の照射で開溝（5つ
のＣＴＦ)が白濁化され微粉末になった。これをアセト
ン水溶液にての超音波洗浄 （周波数29KHz)を約1 ない
し10分行いこのＣＴＦを除去した。下地のソ−ダガラス
は、まったく損傷を受けていなかった。The pulse light is generated by a KrF excimer laser.
248 nm light was used. This is because the optical energy bandwidth of the light is 5.0 eV, so that the workpiece absorbs the light sufficiently, and only the transparent conductive film can be selectively processed. Pulse width 20 ns, repetition frequency 1 to 100 Hz
For example, light irradiation was performed at 10 Hz. When this coating was processed, the groove (5 CTFs) became cloudy and became a fine powder by irradiation of linear pulse light only once. This was subjected to ultrasonic cleaning (29 KHz) with an aqueous acetone solution for about 1 to 10 minutes to remove the CTF. The underlying soda glass was not damaged at all.
【００２２】図５は、基板上にスリット状のパルス光を
照射し開溝（15，16，17・・・n)を複数個形成したもの
である。かくの如く、１回のパルスを照射するのみで１
本の開溝を形成する。その後、Ｙテ−ブル（図３（1
0)）をたとえば15ｍｍ移動し、次のパルスを照射し溝
（16)を形成する。更に15ｍｍ移動し、次のパルスを照
射し、溝（17)を形成する。かくして、ｎ回のパルスを
加えることにより、大面積に複数の開溝を設け、n+1個
に分割することができた。図２は本発明の光加工方法の
加工結果を説明するための図である。図２において、明
らかなように、溝（1）の両端付近には、図１に見られ
たような溶融物の残渣が見られず、盛り上がりのないキ
レイな表面が得られている。FIG. 5 shows that a plurality of grooves (15, 16, 17,... N) are formed on a substrate by irradiating a slit-like pulse light. As described above, one pulse irradiation only requires one pulse.
Form a book slot. Thereafter, the Y table (FIG. 3 (1)
0)) is moved by, for example, 15 mm, and the next pulse is irradiated to form a groove (16). The laser beam is further moved by 15 mm, and the next pulse is irradiated to form a groove (17). Thus, by applying n pulses, a plurality of grooves could be provided in a large area and divided into n + 1 pieces. FIG. 2 is a diagram for explaining a processing result of the optical processing method of the present invention. As is clear from FIG. 2, no residue of the melt as shown in FIG. 1 is observed near both ends of the groove (1), and a clean surface without swelling is obtained.
【００２３】また、溝（1）の部分には、ＳｉＯ2膜（2
2)が残っており、下地の青板硝子（21)まで損傷させる
ことはなかった。この後、この溝によって分離されたＩ
ＴＯ（2）間に５０Ｖの直流電圧を加えてＩＴＯ間に流
れる電流を１００個所で測定を行ったところ、全て１×
１０-9Ａないし２×１０-9Ａの範囲の値であり、同様の
条件で加工を行ったリンドープのＳｉＯ2膜が下地に設
けられた基板の場合には、加工溝周辺に残る残渣物によ
って、ＩＴＯ間が微小リークしており、十分な絶縁性を
持っていないことが判明した。The groove (1) has a SiO 2 film (2
2) remained and did not damage the underlying blue sheet glass (21). After this, the I separated by this groove
When a DC voltage of 50 V was applied between TO (2) and the current flowing between ITO was measured at 100 points, all were 1 ×
10 -9 A is to 2 × 10 -9 value in the range of A, similar to the case SiO 2 film doped with phosphorus that was processed under the condition of a substrate provided on the base, the residual remains around the processed groove渣物As a result, it was found that a small leak occurred between ITO and did not have sufficient insulating properties.
【００２４】本実施例において、下地のノンドープのＳ
ｉＯ2膜は、厚さ約２００Åとしたが、特に、この厚さ
に限定されるものではない。ただし、５０Å以下の厚さ
とした場合には、ノンドープＳｉＯ2膜の効果がさほど
大きくなく、多少溝の両端に残渣等がみられるのみで、
５０Åをこえる厚さが必要であった。また、ＳｉＯ2膜
の形成方法は、通常の方法で十分使用可能であったが、
特に、形成時の温度を高温、たとえば２００℃以上とし
た場合は、より良好な被加工面が得られた。In this embodiment, the non-doped S
Although the thickness of the iO 2 film was about 200 °, it is not particularly limited to this thickness. However, when the thickness is set to 50 ° or less, the effect of the non-doped SiO 2 film is not so large, and a residue or the like is slightly observed at both ends of the groove.
A thickness greater than 50 ° was required. In addition, the formation method of the SiO 2 film was sufficiently usable by an ordinary method.
In particular, when the temperature at the time of formation was set to a high temperature, for example, 200 ° C. or higher, a better processed surface was obtained.
【００２５】『実施例２』実施例１と同様に図３の系統
図に示すエキシマレーザ（4）を用いて液晶ディスプレ
イ用基板を加工する際の実施例を示す。200ないし300ｍ
Ｊ（本実施例では250ｍＪのエネルギー）を有する初期
の光ビーム（11)をビームエキスパンダ（5)にて長面積
化または大面積化した。すなわち、16ｍｍ×400 ｍｍに
拡大した。（図４（12)）。次に、２ｍｍ×400 ｍｍの
間隔を有するスリット（6)にレーザビームを透過させ
て、２ｍｍ×400 ｍｍのレーザビーム（13)を得る。
（図４（Ｃ）)[Embodiment 2] An embodiment in which a liquid crystal display substrate is processed using an excimer laser (4) shown in the system diagram of FIG. 200 to 300m
The initial light beam (11) having J (energy of 250 mJ in this embodiment) was extended or enlarged in area by the beam expander (5). That is, it was enlarged to 16 mm × 400 mm. (FIG. 4 (12)). Next, the laser beam is transmitted through a slit (6) having an interval of 2 mm × 400 mm to obtain a laser beam (13) of 2 mm × 400 mm.
(FIG. 4 (C))
【００２６】さらに、合成石英製のシリンドリカルレン
ズ（7)にて、加工面での開溝幅が20μｍとなるべく集光
した（図４（Ｄ））。この時、使用するスリットの幅
は、特に、決まってはいないが、シリンドリカルレンズ
の球面収差が影響しない程度にレーザビームをしぼる必
要がある。また、被加工物の開溝幅は、シリンドリカル
レンズの性能により任意に選択可能である。Further, the light was condensed by a synthetic quartz cylindrical lens (7) so that the groove width on the processed surface became 20 μm (FIG. 4D). At this time, the width of the slit to be used is not particularly determined, but it is necessary to narrow the laser beam to such an extent that the spherical aberration of the cylindrical lens does not influence. The groove width of the workpiece can be arbitrarily selected depending on the performance of the cylindrical lens.
【００２７】図６は本発明の第２実施例において、基板
上に開溝を形成する工程を説明するための図である。図
６に示すように、長さ40ｃｍ幅20μｍのスリット状のビ
ームを基板（31）上の被加工物（33）に線状に照射し、
加工を行い開溝（41）を形成した。本実施例の場合、被
加工面として青板ガラス（31）上にスパッタ法によって
形成したノンドープのＳｉＯ2膜（32）を厚さ100Åで設
け、このＳｉＯ2上にＩＴＯ（33）が形成されたものを
用いた。パルス光は、実施例１と同様にＫｒＦエキシマ
レーザによる248ｎｍの光とした。パルス幅50n秒以下、
本実施例においては、20n秒、繰り返し周波数１ないし1
00Hz、本実施例では10Hzで光照射を行った。FIG. 6 is a view for explaining a step of forming a groove on a substrate in the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, a workpiece (33) on a substrate (31) is linearly irradiated with a slit-shaped beam having a length of 40 cm and a width of 20 μm.
Processing was performed to form an open groove (41). In the case of the present embodiment, a non-doped SiO 2 film (32) formed by sputtering on a soda lime glass (31) with a thickness of 100 ° as a surface to be processed, and ITO (33) was formed on this SiO 2 . Was used. The pulse light was 248 nm light by a KrF excimer laser as in Example 1. Pulse width 50ns or less,
In this embodiment, 20 ns, repetition frequency 1 to 1
Light irradiation was performed at 00 Hz, and 10 Hz in this embodiment.
【００２８】この被膜に加工を行うと１回のみの線状の
パルス光の照射で開溝部が白濁し、微粉末になった。図
６は、基板上にスリット状のパルス光を照射し、開溝を
480個形成したものである（41，42・・・520）。かくの
如く１回のパルスを照射するのみで１本の開口（41)を
形成する。その後、Ｙテーブル（図３（10)）を、たと
えば390μm移動し、次のパルスを照射し、溝（42)を形
成する。かくして、480回のパルスを加えることによ
り、481分割することができた。この段階で盛り上がり
を測定したところ、400Åないし500Åであった。これを
アセトンにて、超音波洗浄（周波数29KHz）を１分ない
し10分、本実施例では５分行い、このＣＴＦを除去し
た。下地のソーダガラスは、まったく損傷を受けていな
かった。また、この段階で、再度盛り上がりに関して測
定を行ったところ100Åまで測定可能な装置では、測定
不能であった。盛り上がりはなくなったものと思われ
る。When this coating was processed, the groove portion became cloudy and became a fine powder by irradiation of linear pulse light only once. FIG. 6 shows a case in which a slit-shaped pulse light is irradiated onto a substrate to open a groove.
480 are formed (41, 42... 520). Thus, only one irradiation (41) forms one opening (41). Thereafter, the Y table (FIG. 3 (10)) is moved, for example, 390 μm, and the next pulse is irradiated to form a groove (42). Thus, 481 divisions could be made by applying 480 pulses. At this stage, the climax was measured to be 400Å to 500Å. This was ultrasonically cleaned with acetone (frequency 29 KHz) for 1 minute to 10 minutes, in this example, 5 minutes to remove the CTF. The underlying soda glass was not damaged at all. Further, at this stage, when the measurement of the swelling was performed again, it was impossible to measure with an apparatus capable of measuring up to 100 °. It seems that the excitement has disappeared.
【００２９】『実施例３』図７は本発明の第３実施例に
おいて、基板上に開溝を形成する工程を説明するための
図である。実施例２と全く同じ条件にて作製した基板
を、実施例２と全く同じ条件でレーザ光を照射した。た
だし、本実施例においては、精密な調整の下で、図７に
示すように、各加工部に対して１回ずつの照射を３回繰
り返し行った。（図７は開溝の数が少ないが実際は480
個の開溝を形成した。）その結果、レーザ光照射直後の
盛り上がりに関する測定の結果、盛り上がりが100Å以
下となり実施例２で用いた装置では測定不能となった。
つまり、３回繰り返し照射した場合は、後工程の超音波
工程やエッチング工程なしで、１回照射の場合の超音波
工程後のものとほぼ同等になった。[Embodiment 3] FIG. 7 is a view for explaining a process of forming a groove on a substrate in a third embodiment of the present invention. A substrate manufactured under exactly the same conditions as in Example 2 was irradiated with laser light under exactly the same conditions as in Example 2. However, in this example, as shown in FIG. 7, irradiation of each processed portion was repeated three times under precise adjustment. (Fig. 7 shows a small number of grooves,
Individual grooves were formed. As a result, as a result of the measurement of the swell immediately after the irradiation of the laser beam, the swell was 100 ° or less, and the measurement was impossible with the apparatus used in Example 2.
In other words, when the irradiation was repeated three times, the irradiation was almost the same as that after the ultrasonic processing in the case of one irradiation without the ultrasonic step and the etching step in the subsequent steps.
【００３０】以上、本実施例を詳述したが、本発明は、
前記実施例に限定されるものではない。そして、特許請
求の範囲に記載された本発明を逸脱することがなけれ
ば、種々の設計変更を行うことが可能である。たとえ
ば、本実施例では、開溝と開溝間の幅（加工せずに残す
面積）が多い場合を記した。しかし、光照射を隣合わせ
て連結化することにより、逆に、たとえば、残っている
面積を20μｍ、除去する部分を400 μｍとすることも可
能である。また、本実施例の光学系において、ビ−ムエ
キスパンダと被加工面との間に光学系をより高精度とす
るため、インテグレ−タ、コンデンサレンズおよび投影
レンズを平行に挿入してもよい。As described above, the present embodiment has been described in detail.
It is not limited to the above embodiment. Various design changes can be made without departing from the present invention described in the appended claims. For example, in the present embodiment, the case where the width between the open grooves (the area left without processing) is large is described. However, by connecting the light irradiation side by side, conversely, for example, the remaining area can be 20 μm, and the portion to be removed can be 400 μm. In the optical system of this embodiment, an integrator, a condenser lens and a projection lens may be inserted in parallel between the beam expander and the surface to be processed in order to make the optical system more accurate. .
【００３１】[0031]
【発明の効果】本発明によれば、レ−ザ加工において、
下地層との選択加工における加工マ−ジンが増し、より
容易に加工できることになった。本発明によれば、従来
法では存在した加工溝の周辺に残る残渣等が発生せず良
好な被加工面が得られた。この結果、電極間のショー
ト、断線がなく、またＩＴＯ間の絶縁を十分にとること
ができた。本発明によれば、基板に含まれるアルカリイ
オンを確実にブロッキングできるため、液晶ディスプレ
イや半導体装置等に用いられる基板の加工方法として特
に適するものである。本発明によれば、ノンドープのＳ
ｉＯ2膜とは全く不純物を有さない純粋のＳｉＯ2膜のみ
をさし示すのではなく、作製者が意図的に不純物を混入
しないＳｉＯ2膜を含むものである。According to the present invention, in laser processing,
The processing margin in the selective processing with the underlayer increases, and the processing can be performed more easily. According to the present invention, a good surface to be processed was obtained without generating a residue or the like remaining around the processing groove existing in the conventional method. As a result, there was no short circuit or disconnection between the electrodes, and sufficient insulation between the ITOs could be obtained. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, since the alkali ion contained in a board | substrate can be blocked reliably, it is especially suitable as a processing method of the board | substrate used for a liquid crystal display, a semiconductor device, etc. According to the present invention, undoped S
The iO 2 film does not indicate only a pure SiO 2 film having no impurities at all, but includes an SiO 2 film in which the maker does not intentionally mix impurities.
【図１】従来法の光加工方法において、透光性被膜を加
工した結果を説明するための図である。FIG. 1 is a view for explaining a result of processing a light-transmitting film in a conventional optical processing method.
【図２】本発明の光加工方法の加工結果を説明するため
の図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a processing result of the optical processing method of the present invention.
【図３】エキシマレ−ザを用いた本発明の一実施例であ
るレ−ザ加工における系の概略を説明するための図であ
る。FIG. 3 is a view for explaining an outline of a system in laser processing which is one embodiment of the present invention using an excimer laser.
【図４】（Ａ）ないし（Ｄ）は本発明の一実施例である
レーザ光のビーム形状を説明するための図である。FIGS. 4A to 4D are diagrams for explaining a beam shape of laser light according to an embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第１実施例において、基板上に開溝を
形成する工程を説明するための図である。FIG. 5 is a view for explaining a step of forming a groove on a substrate in the first embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第２実施例において、基板上に開溝を
形成する工程を説明するための図である。FIG. 6 is a view for explaining a step of forming a groove on a substrate in a second embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第３実施例において、基板上に開溝を
形成する工程を説明するための図である。FIG. 7 is a view illustrating a step of forming a groove on a substrate in a third embodiment of the present invention.
２・・・被加工物 ４・・・エキシマレーザ ５・・・ビームエキスパンダ ６・・・スリット ７・・・シリンドリカルレンズ ８・・・青板ガラス ９・・・基板 １０・・Ｙテーブル １１・・初期ビーム １２・・拡大された初期ビーム １３・・レーザビーム １４・・集光されたレーザビーム 2 Workpiece 4 Excimer laser 5 Beam expander 6 Slit 7 Cylindrical lens 8 Blue plate 9 Substrate Y table 11 Initial beam 12 ・ ・ Expanded initial beam 13 ・ ・ Laser beam 14 ・ ・ Condensed laser beam
Claims (5)
に成形したレーザビームを走査しながら照射することに
より、前記被加工薄膜を加工するレーザ加工方法におい
て、 前記被加工薄膜よりも融点が高く、かつ熱伝導率が低い
絶縁膜上に、前記被加工薄膜は密着して設けられ、 ビームエキスパンダとシリンドリカルレンズとを有する
光学系によって、前記レーザビームを線状に成形し、 前記線状のレーザビームの照射により前記被加工薄膜を
溶融し、固化させることを特徴とするレーザ加工方法。1. A laser processing method for processing a thin film to be processed by irradiating a thin film to be processed with a laser beam having a linearly shaped beam while scanning the thin film, wherein a melting point of the thin film to be processed is lower than that of the thin film to be processed. The thin film to be processed is provided in close contact with an insulating film having a high thermal conductivity and a low thermal conductivity, and the laser beam is linearly formed by an optical system having a beam expander and a cylindrical lens. A laser processing method, wherein the thin film to be processed is melted and solidified by irradiation of a laser beam having a shape.
ギャップを有する被加工薄膜に対して、ビーム形状を線
状に成形したレーザビームを走査しながら照射すること
により、前記被加工薄膜を加工するレーザ加工方法にお
いて、 ７ｅＶないし８ｅＶのエネルギーバンドギャップを有す
る絶縁膜上に、前記被加工薄膜は密着して設けられ、 ビームエキスパンダとシリンドリカルレンズとを有する
光学系によって、前記レーザビームを線状に成形し、 前記線状のレーザビームの波長は４００ｎｍ以下であっ
て、 前記線状のレーザビームの照射により前記被加工薄膜を
溶融し、固化させることを特徴とするレーザ加工方法。2. A laser processing method for processing a thin film to be processed by irradiating a thin film to be processed having an energy band gap of 3 eV to 4 eV while scanning with a laser beam having a linearly shaped beam shape. Wherein the thin film to be processed is provided in close contact with an insulating film having an energy band gap of 7 eV to 8 eV, and the laser beam is linearly formed by an optical system having a beam expander and a cylindrical lens; A laser processing method, wherein a wavelength of the linear laser beam is 400 nm or less, and the thin film to be processed is melted and solidified by irradiation of the linear laser beam.
膜は、透光性導電膜であることを特徴とするレーザ加工
方法。3. The laser processing method according to claim 1, wherein the thin film to be processed is a light-transmitting conductive film.
て、前記光学系において、前記シリンドリカルレンズ
は、前記ビームエキスパンの出射側の光路上に配置さ
れ、前記シリンドリカルレンズの入射側の光路上には、
スリットが配置されていることを特徴とするレーザ加工
方法。4. The optical system according to claim 1, wherein in the optical system, the cylindrical lens is disposed on an optical path on an output side of the beam expander, and is disposed on an optical path on an incident side of the cylindrical lens. In
A laser processing method, wherein a slit is arranged.
て、前記光学系において、前記シリンドリカルレンズ
は、前記ビームエキスパンの出射側の光路上に配置さ
れ、前記シリンドリカルレンズの出射側の光路上には、
コンデンサレンズが配置されていることを特徴とするレ
ーザ加工方法。5. The optical system according to claim 1, wherein in the optical system, the cylindrical lens is disposed on an optical path on an output side of the beam expander, and is provided on an optical path on an output side of the cylindrical lens. In
A laser processing method, wherein a condenser lens is disposed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001212182A JP2002120078A (en) | 2001-07-12 | 2001-07-12 | Method for laser beam machining |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21907096A Division JP3374889B2 (en) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | Thin film processing method |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002120078A true JP2002120078A (en) | 2002-04-23 |
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|---|---|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112975158A (en) * | 2021-03-04 | 2021-06-18 | 武汉华工激光工程有限责任公司 | Transverse cutting method and system for transparent brittle material |
| CN117444381A (en) * | 2023-11-02 | 2024-01-26 | 深圳技术大学 | Method for preparing conductive microstructure on surface of lithium niobate crystal based on femtosecond laser direct writing technology |
-
2001
- 2001-07-12 JP JP2001212182A patent/JP2002120078A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112975158A (en) * | 2021-03-04 | 2021-06-18 | 武汉华工激光工程有限责任公司 | Transverse cutting method and system for transparent brittle material |
| CN117444381A (en) * | 2023-11-02 | 2024-01-26 | 深圳技术大学 | Method for preparing conductive microstructure on surface of lithium niobate crystal based on femtosecond laser direct writing technology |
| CN117444381B (en) * | 2023-11-02 | 2024-06-04 | 深圳技术大学 | Method for preparing conductive microstructure on surface of lithium niobate crystal based on femtosecond laser direct writing technology |
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