JP2002111420A - 弾性表面波素子用ウエハ及びその作製方法 - Google Patents
弾性表面波素子用ウエハ及びその作製方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 インゴットの状態でウエハ側面部の鏡面研磨
加工が容易かつ簡便に行え、しかも高品質なウエハ加工
を実現することができる優れた弾性表面波素子用ウエハ
及びその作製方法を提供すること。 【解決手段】 タンタル酸リチウム単結晶から成るウエ
ハの少なくとも側面が鏡面であるとともに、側面の算術
平均粗さ（Ｒａ）が１．５ｎｍ以下とする弾性表面波素
子用単結晶ウエハとする。
加工が容易かつ簡便に行え、しかも高品質なウエハ加工
を実現することができる優れた弾性表面波素子用ウエハ
及びその作製方法を提供すること。 【解決手段】 タンタル酸リチウム単結晶から成るウエ
ハの少なくとも側面が鏡面であるとともに、側面の算術
平均粗さ（Ｒａ）が１．５ｎｍ以下とする弾性表面波素
子用単結晶ウエハとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、タンタル酸リチウ
ム単結晶を基板材料として用いた弾性表面波素子用ウエ
ハ及びその作製方法に関するものである。
ム単結晶を基板材料として用いた弾性表面波素子用ウエ
ハ及びその作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、タンタル酸リチウム単結晶は表面
が研磨されたウエハを用いて弾性表面波素子の基板とし
て使用される。このウエハは単結晶育成法であるチョク
ラルスキー法等により直径８０〜１００ｍｍ程度の単結
晶が育成された後、弾性表面波素子作製時の基準面とな
るオリエンテーションフラット（以下、オリフラとい
う）の加工と、外径を整える円周研削加工が施され、必
要な結晶方位に沿って厚さ５００μｍ前後の円盤状にス
ライスされて得られる。
が研磨されたウエハを用いて弾性表面波素子の基板とし
て使用される。このウエハは単結晶育成法であるチョク
ラルスキー法等により直径８０〜１００ｍｍ程度の単結
晶が育成された後、弾性表面波素子作製時の基準面とな
るオリエンテーションフラット（以下、オリフラとい
う）の加工と、外径を整える円周研削加工が施され、必
要な結晶方位に沿って厚さ５００μｍ前後の円盤状にス
ライスされて得られる。
【０００３】その後、ウエハの表面をＧＣ＃１０００〜
ＧＣ＃２０００程度の砥粒でラップ研磨された後、ウエ
ハの裏面はバルクスプリアスを減少させるためＧＣ＃２
４０〜ＧＣ＃２０００程度の砥粒で粗された後、メタル
ボンド等を用いた＃６００〜＃１５００の砥石によって
面取り加工される。また、場合によっては鏡面の面取り
加工が施され、主面はメカノケミカル研磨によって鏡面
にされる。
ＧＣ＃２０００程度の砥粒でラップ研磨された後、ウエ
ハの裏面はバルクスプリアスを減少させるためＧＣ＃２
４０〜ＧＣ＃２０００程度の砥粒で粗された後、メタル
ボンド等を用いた＃６００〜＃１５００の砥石によって
面取り加工される。また、場合によっては鏡面の面取り
加工が施され、主面はメカノケミカル研磨によって鏡面
にされる。
【０００４】このようにして研磨されたウエハは、鏡面
側に電極材料となるＡｌなどの金属膜を被覆し、フォト
リソグラフィー等を使用した微細加工技術により、例え
ば所望形状の櫛形電極をウエハ表面上に形成した後、個
々のチップ状にダイシングされることによって弾性表面
波素子が作製される。
側に電極材料となるＡｌなどの金属膜を被覆し、フォト
リソグラフィー等を使用した微細加工技術により、例え
ば所望形状の櫛形電極をウエハ表面上に形成した後、個
々のチップ状にダイシングされることによって弾性表面
波素子が作製される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ウエハ面取り部を鏡面
加工するには、ウエハ単体で面取り部を砥石研削した
後、ウエハ面取り部の形状に対応したバフ溝形状を有す
る装置で鏡面加工される。しかしながら、ウエハの厚み
ばらつきやウエハ固定時のセンター位置ずれにより、加
工に多大の時間を要したり、割れにより歩留りを低下さ
せるなどの問題があった。
加工するには、ウエハ単体で面取り部を砥石研削した
後、ウエハ面取り部の形状に対応したバフ溝形状を有す
る装置で鏡面加工される。しかしながら、ウエハの厚み
ばらつきやウエハ固定時のセンター位置ずれにより、加
工に多大の時間を要したり、割れにより歩留りを低下さ
せるなどの問題があった。
【０００６】また、面取り部が鏡面研磨されていないウ
エハでは、ウエハ加工工程やデバイス作製工程における
熱工程により、エッジ部からクラックが入りやすく、小
片の欠けを発生し易すい。特に、タンタル酸リチウム単
結晶ウエハの場合、｛０１２｝面にへきかい面を有する
ため、このへきかい面に沿って欠けが生じ易く、熱応力
や機械的な応力により、エッジ部の欠けが起点となって
ウエハに割れが生じ、ウエハ工程とデバイス工程におけ
る歩留りを低下させるという問題があった。特に、弾性
表面波素子の圧電基板として好適な回転角４２°以下の
回転Ｙカットウエハについては、ウエハ面の垂直方向に
近いへきかい面の影響を受けるため、この問題は深刻で
ある。
エハでは、ウエハ加工工程やデバイス作製工程における
熱工程により、エッジ部からクラックが入りやすく、小
片の欠けを発生し易すい。特に、タンタル酸リチウム単
結晶ウエハの場合、｛０１２｝面にへきかい面を有する
ため、このへきかい面に沿って欠けが生じ易く、熱応力
や機械的な応力により、エッジ部の欠けが起点となって
ウエハに割れが生じ、ウエハ工程とデバイス工程におけ
る歩留りを低下させるという問題があった。特に、弾性
表面波素子の圧電基板として好適な回転角４２°以下の
回転Ｙカットウエハについては、ウエハ面の垂直方向に
近いへきかい面の影響を受けるため、この問題は深刻で
ある。
【０００７】さらに、ウエハの側面が粗いために、パー
ティクルが側面部に入り込み、これにより品質が低下し
歩留まりが低下する。
ティクルが側面部に入り込み、これにより品質が低下し
歩留まりが低下する。
【０００８】そこで本発明では、上述の諸問題を解消
し、インゴットの状態でウエハ側面部の鏡面研磨加工が
容易かつ簡便に行え、しかも高品質なウエハ加工を実現
することができる優れた弾性表面波素子用ウエハ及びそ
の作製方法を提供することを目的とする。
し、インゴットの状態でウエハ側面部の鏡面研磨加工が
容易かつ簡便に行え、しかも高品質なウエハ加工を実現
することができる優れた弾性表面波素子用ウエハ及びそ
の作製方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の弾性表面波素子用単結晶ウエハは、タンタ
ル酸リチウム単結晶から成るウエハの少なくとも側面が
鏡面であるとともに、該側面の算術平均粗さ（Ｒａ）が
１．５ｎｍ以下であることを特徴とする。特に、ウエハ
の一主面の周縁部が斜面に形成されていることとする。
め、本発明の弾性表面波素子用単結晶ウエハは、タンタ
ル酸リチウム単結晶から成るウエハの少なくとも側面が
鏡面であるとともに、該側面の算術平均粗さ（Ｒａ）が
１．５ｎｍ以下であることを特徴とする。特に、ウエハ
の一主面の周縁部が斜面に形成されていることとする。
【００１０】また、本発明の弾性表面波素子用単結晶ウ
エハの作製方法は、タンタル酸リチウム単結晶から成る
円筒状のインゴットの側面を鏡面研磨する工程と、前記
インゴットの中心軸を横切る方向にダイシングして円盤
状のウエハに切断する工程と、該ウエハの一主面を鏡面
研磨する工程とを含む。
エハの作製方法は、タンタル酸リチウム単結晶から成る
円筒状のインゴットの側面を鏡面研磨する工程と、前記
インゴットの中心軸を横切る方向にダイシングして円盤
状のウエハに切断する工程と、該ウエハの一主面を鏡面
研磨する工程とを含む。
【００１１】また特に、ウエハの側面部の傾斜面形状は
ウエハ円周方向（Ｒ）に０．０１ｔ≦Ｒ≦１ｔ、ウエハ
厚み方向（Ｔ）に０．０１≦Ｔ≦ｔ／２（ただし、ｔは
ウエハ厚み）の大きさとする。
ウエハ円周方向（Ｒ）に０．０１ｔ≦Ｒ≦１ｔ、ウエハ
厚み方向（Ｔ）に０．０１≦Ｔ≦ｔ／２（ただし、ｔは
ウエハ厚み）の大きさとする。
【００１２】また、硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）１００以下
の不織布を用いて加工圧０．０２ＧＰａ以上の条件で研
磨することを特徴とする。
の不織布を用いて加工圧０．０２ＧＰａ以上の条件で研
磨することを特徴とする。
【００１３】また、鏡面部の保護に、ワックス・ピッチ
・レジスト・フイルム状のものを使用することを特徴と
する。
・レジスト・フイルム状のものを使用することを特徴と
する。
【００１４】上記構成によれば、簡便かつ容易に高効率
に面取り加工することができ、熱工程でのクラックや欠
けの発生がなく、しかも面取り加工部からの欠けによる
パーティクル汚染がなくなり、歩留り低下を防止するこ
とができる。
に面取り加工することができ、熱工程でのクラックや欠
けの発生がなく、しかも面取り加工部からの欠けによる
パーティクル汚染がなくなり、歩留り低下を防止するこ
とができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態につい
て模式的に図示した図面に基づき詳細に説明する。
て模式的に図示した図面に基づき詳細に説明する。
【００１６】弾性表面波素子として好適に使用できる圧
電基板を切り出すために、３６°〜４６°回転Ｙカット
のタンタル酸リチウム単結晶ウエハを得なければならな
いが、まず、高周波加熱方式の単結晶育成炉内におい
て、坩堝を所定温度に加熱して原料を溶融し、この融液
に種結晶を浸し、所定の回転数及び引き上げ速度で、育
成軸３６°〜４６°回転Ｙ軸での結晶育成を行い、円筒
形状の単結晶インゴットを得る。
電基板を切り出すために、３６°〜４６°回転Ｙカット
のタンタル酸リチウム単結晶ウエハを得なければならな
いが、まず、高周波加熱方式の単結晶育成炉内におい
て、坩堝を所定温度に加熱して原料を溶融し、この融液
に種結晶を浸し、所定の回転数及び引き上げ速度で、育
成軸３６°〜４６°回転Ｙ軸での結晶育成を行い、円筒
形状の単結晶インゴットを得る。
【００１７】次に、得られた結晶インゴットの両端面を
切断するか研削加工をした後、図１及び図２に示すよう
に、結晶インゴット１の両端面のセンター部を中心出し
治具５及び円筒センター治具３を用いＶブロック２等に
配設することにより、結晶インゴット１の芯出しを行っ
た後、後記する円筒研削装置に固定する。なお、図中、
４はテーパー芯出し溝である。
切断するか研削加工をした後、図１及び図２に示すよう
に、結晶インゴット１の両端面のセンター部を中心出し
治具５及び円筒センター治具３を用いＶブロック２等に
配設することにより、結晶インゴット１の芯出しを行っ
た後、後記する円筒研削装置に固定する。なお、図中、
４はテーパー芯出し溝である。
【００１８】ここで、円筒研削は例えば＃２００〜＃１
０００のメタルボンドを用いた砥石を用いて、弾性表面
波素子の基準方向となるオリフラと外径を整える研削加
工によってなされる。結晶インゴット１の側面部におけ
る粗研削加工後、図３に示す鏡面円筒研削装置と、図４
（ａ）〜（ｃ）に示すような溝形状を有する不織布砥石
１１を用いて鏡面の円筒加工を行う。これにより、イン
ゴットの側面を算術平均粗さ（Ｒａ）が１．５ｎｍ以下
にする。すなわち、円筒研削後、図３に示すテーパー芯
出し溝４に、鏡面円筒研削装置円筒テーパー芯押し治具
１２で両端から押さえることにより、前工程の円筒研削
時の芯が確保出来る。その後、インゴット１を回転させ
ながら、また図４に示す不織布砥石１１を回転させなが
ら左右方向に不織布砥石１１を送ることで鏡面円筒加工
が行われ、表面粗さ１．５ｎｍ以下の鏡面インゴットの
加工がなされる。
０００のメタルボンドを用いた砥石を用いて、弾性表面
波素子の基準方向となるオリフラと外径を整える研削加
工によってなされる。結晶インゴット１の側面部におけ
る粗研削加工後、図３に示す鏡面円筒研削装置と、図４
（ａ）〜（ｃ）に示すような溝形状を有する不織布砥石
１１を用いて鏡面の円筒加工を行う。これにより、イン
ゴットの側面を算術平均粗さ（Ｒａ）が１．５ｎｍ以下
にする。すなわち、円筒研削後、図３に示すテーパー芯
出し溝４に、鏡面円筒研削装置円筒テーパー芯押し治具
１２で両端から押さえることにより、前工程の円筒研削
時の芯が確保出来る。その後、インゴット１を回転させ
ながら、また図４に示す不織布砥石１１を回転させなが
ら左右方向に不織布砥石１１を送ることで鏡面円筒加工
が行われ、表面粗さ１．５ｎｍ以下の鏡面インゴットの
加工がなされる。
【００１９】次に、円筒状の結晶インゴット１を取り外
して側面の鏡面部保護に、例えばワックス、ピッチ、レ
ジスト、またはフィルムを貼り付けるか塗布する。次
に、所定の結晶面に沿って厚さ５００μｍ前後にスライ
スを行い、ウエハをラッピングする。
して側面の鏡面部保護に、例えばワックス、ピッチ、レ
ジスト、またはフィルムを貼り付けるか塗布する。次
に、所定の結晶面に沿って厚さ５００μｍ前後にスライ
スを行い、ウエハをラッピングする。
【００２０】その後、さらに図５に示すように、裏面部
の傾斜部の加工、例えばメタルボンドを用い＃１０００
でウエハ１０の円周方向（Ｒ）に０．０１ｔ≦Ｒ≦１
ｔ、ウエハ１０の厚み方向（Ｔ）に０．０１≦Ｔ≦ｔ／
２（ｔはウエハ１０の厚み）の傾斜面１０ａの加工を行
う。
の傾斜部の加工、例えばメタルボンドを用い＃１０００
でウエハ１０の円周方向（Ｒ）に０．０１ｔ≦Ｒ≦１
ｔ、ウエハ１０の厚み方向（Ｔ）に０．０１≦Ｔ≦ｔ／
２（ｔはウエハ１０の厚み）の傾斜面１０ａの加工を行
う。
【００２１】特に、回転角４２°以下の回転Ｙカットウ
エハについては、ウエハ面の垂直方向に近いへきかい面
の影響を受けるため、円周方向（Ｒ）は２７μｍ以上
（０．０３ＧＰａ以上の加工圧）が望ましい。また、Ｒ
が１ｔ以上ではウエハ有効面積が狭くなり、０．０１ｔ
以下では面取りの効果が得られない。インゴット側面鏡
面部の保護にフィルムを使用した場合は主面の鏡面研磨
加工を行う前に取り除き、保護膜を使用した場合は主面
の鏡面研磨加工の後に剥離する。
エハについては、ウエハ面の垂直方向に近いへきかい面
の影響を受けるため、円周方向（Ｒ）は２７μｍ以上
（０．０３ＧＰａ以上の加工圧）が望ましい。また、Ｒ
が１ｔ以上ではウエハ有効面積が狭くなり、０．０１ｔ
以下では面取りの効果が得られない。インゴット側面鏡
面部の保護にフィルムを使用した場合は主面の鏡面研磨
加工を行う前に取り除き、保護膜を使用した場合は主面
の鏡面研磨加工の後に剥離する。
【００２２】主面の鏡面研磨加工は、布織布タイプで硬
さ（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）１００以下のものを用い、加工圧
０．０２ＧＰａ以上の条件で研磨を行うことにより、ウ
エハ主面の周縁部における傾斜面の研磨加工を、円周方
向（Ｒ）に０．０１ｔ≦Ｒ≦１ｔ、ウエハ厚み方向
（Ｔ）に０．０１≦Ｔ≦ｔ／２（ｔはウエハ厚み）の寸
法で主面の鏡面研磨加工と同一の工程で作製することが
できる。これにより作製された斜面１０ａにより欠けの
心配のないウエハとすることができる。
さ（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）１００以下のものを用い、加工圧
０．０２ＧＰａ以上の条件で研磨を行うことにより、ウ
エハ主面の周縁部における傾斜面の研磨加工を、円周方
向（Ｒ）に０．０１ｔ≦Ｒ≦１ｔ、ウエハ厚み方向
（Ｔ）に０．０１≦Ｔ≦ｔ／２（ｔはウエハ厚み）の寸
法で主面の鏡面研磨加工と同一の工程で作製することが
できる。これにより作製された斜面１０ａにより欠けの
心配のないウエハとすることができる。
【００２３】その後、洗浄により保護膜を剥離した後、
デバイス作製工程では、熱工程によるクラック、欠けの
発生がなくなり歩留り低下が全く生じない基板が作製出
来る。また、側面部の鏡面によりパーティクル等のデバ
イス特性歩留りも向上する優れた弾性表面波特性を得ら
れる。
デバイス作製工程では、熱工程によるクラック、欠けの
発生がなくなり歩留り低下が全く生じない基板が作製出
来る。また、側面部の鏡面によりパーティクル等のデバ
イス特性歩留りも向上する優れた弾性表面波特性を得ら
れる。
【００２４】以上のように、本発明の弾性表面波素子用
ウエハは、タンタル酸リチウム単結晶から成るウエハの
一主面及び側面が鏡面であるとともに、側面の算術平均
粗さ（Ｒａ）が１．５ｎｍ以下である。また、ウエハの
一主面の周縁部が斜面に形成されていることを特徴とす
る。また、本発明の作製方法は、タンタル酸リチウム単
結晶から成る円筒状のインゴットの側面を鏡面研磨する
工程と、インゴットの中心軸を横切る方向にダイシング
して円盤状のウエハに切断する工程と、ウエハの一主面
を鏡面研磨する工程とを含むので、インゴットの状態で
ウエハ側面部の鏡面研磨加工が一度に多量に研磨加工が
可能となり、低コスト、欠け等の生じない高品質なウエ
ハ加工が可能となる。
ウエハは、タンタル酸リチウム単結晶から成るウエハの
一主面及び側面が鏡面であるとともに、側面の算術平均
粗さ（Ｒａ）が１．５ｎｍ以下である。また、ウエハの
一主面の周縁部が斜面に形成されていることを特徴とす
る。また、本発明の作製方法は、タンタル酸リチウム単
結晶から成る円筒状のインゴットの側面を鏡面研磨する
工程と、インゴットの中心軸を横切る方向にダイシング
して円盤状のウエハに切断する工程と、ウエハの一主面
を鏡面研磨する工程とを含むので、インゴットの状態で
ウエハ側面部の鏡面研磨加工が一度に多量に研磨加工が
可能となり、低コスト、欠け等の生じない高品質なウエ
ハ加工が可能となる。
【００２５】
【実施例】高周波加熱炉でｒｏｔ３６°Ｙ軸に育成され
たタンタル酸リチウム単結晶をダイヤモンドカッターで
両端面を切断し、Ｖブロック等を利用して両端面を円筒
センター研削治具にワックス固定した。円筒研削にイン
ゴットを装着し円筒研削・オリフラ研削をメタルボンド
を用いた＃３２５で円筒加工とオリフラ加工を施したし
た。
たタンタル酸リチウム単結晶をダイヤモンドカッターで
両端面を切断し、Ｖブロック等を利用して両端面を円筒
センター研削治具にワックス固定した。円筒研削にイン
ゴットを装着し円筒研削・オリフラ研削をメタルボンド
を用いた＃３２５で円筒加工とオリフラ加工を施したし
た。
【００２６】次に、不織布タイプの研磨パッドにコロイ
ダルシリカの砥粒を用いて鏡面円筒加工・オリフラ鏡面
加工を行なった。この鏡面円筒インゴットの算術表面粗
さ（Ｒａ）を測定したところ算術平均粗さ（Ｒａ）は
１．５ｎｍであった。
ダルシリカの砥粒を用いて鏡面円筒加工・オリフラ鏡面
加工を行なった。この鏡面円筒インゴットの算術表面粗
さ（Ｒａ）を測定したところ算術平均粗さ（Ｒａ）は
１．５ｎｍであった。
【００２７】次にインゴットを装置から取り外し、円筒
鏡面部とオリフラ鏡面部に例えばレジストを塗布して保
護膜とした。
鏡面部とオリフラ鏡面部に例えばレジストを塗布して保
護膜とした。
【００２８】次に、Ｘ線回折により３６°回転Ｙ面に
０．１°以内の方位修正をしてマルチワイヤーソーにセ
ットした後、厚さ５００μｍ前後に遊離砥粒を用いてス
ライス加工を行った。切断後のウエハはＧＣ＃１０００
の砥粒で３６５μｍの厚さまで両面ラッピング研磨加工
を施した。さらに、裏面傾斜部の加工は、例えばメタル
ボンドを用いた＃１０００の砥石を用いて円周方向
（Ｒ）に３６μｍ、ウエハ厚み方向（Ｔ）に３６μｍ施
した。
０．１°以内の方位修正をしてマルチワイヤーソーにセ
ットした後、厚さ５００μｍ前後に遊離砥粒を用いてス
ライス加工を行った。切断後のウエハはＧＣ＃１０００
の砥粒で３６５μｍの厚さまで両面ラッピング研磨加工
を施した。さらに、裏面傾斜部の加工は、例えばメタル
ボンドを用いた＃１０００の砥石を用いて円周方向
（Ｒ）に３６μｍ、ウエハ厚み方向（Ｔ）に３６μｍ施
した。
【００２９】次に、主面の鏡面研磨加工は、例えば不織
布タイプで硬さ（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）１００で、この不織
布に加工圧０．０３ＧＰａでウエハの片面（一主面）を
メカノケミカル研磨し、例えばコロイダルシリカと不織
布で３５０μｍまでメカノケミカル研磨を行った。加工
圧と平坦傾斜部との関係は、表１に示すような結果とな
った。
布タイプで硬さ（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）１００で、この不織
布に加工圧０．０３ＧＰａでウエハの片面（一主面）を
メカノケミカル研磨し、例えばコロイダルシリカと不織
布で３５０μｍまでメカノケミカル研磨を行った。加工
圧と平坦傾斜部との関係は、表１に示すような結果とな
った。
【００３０】
【表１】
【００３１】このウエハ基板５０枚と側面部メタルボン
ドを用いた＃１２００迄の砥石による研磨で得られたウ
エハ５０枚と、面取り加工を施さない円筒研削後のウエ
ハ５０枚を洗浄し、Ａｌ成膜した後、常温（２５℃）か
ら８３℃のＩＰＡ（イソプロピルアルコール）にウエハ
基板を投入し取り出したところ、ウエハ側面部を円筒研
削後のウエハ、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．６μｍのウ
エハは全て熱ショックで割れた。
ドを用いた＃１２００迄の砥石による研磨で得られたウ
エハ５０枚と、面取り加工を施さない円筒研削後のウエ
ハ５０枚を洗浄し、Ａｌ成膜した後、常温（２５℃）か
ら８３℃のＩＰＡ（イソプロピルアルコール）にウエハ
基板を投入し取り出したところ、ウエハ側面部を円筒研
削後のウエハ、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．６μｍのウ
エハは全て熱ショックで割れた。
【００３２】また、ウエハ側面部にメタルボンド１２０
０番の砥石で研磨を行い、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．
１３μｍのウエハは、５０枚中１０枚が熱ショックで割
れた。
０番の砥石で研磨を行い、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．
１３μｍのウエハは、５０枚中１０枚が熱ショックで割
れた。
【００３３】また、ウエハ側面部をメカノケミカルポリ
ッシュを行い、算術平均粗さ（Ｒａ）が１．５ｎｍのウ
エハ基板は全く熱ショックで割れ無かった。その後、ウ
エハ鏡面側にＡｌからなる膜を被覆した後、フォトリソ
グラフィー等を使用した微細加工技術により所望形状、
例えば櫛形電極をウエハ表面状に形成した後チップ状に
ダイシングされることによって弾性表面波装置が作製し
たところ、残りのウエハ基板は全く割れなく良好な特性
が得られた。
ッシュを行い、算術平均粗さ（Ｒａ）が１．５ｎｍのウ
エハ基板は全く熱ショックで割れ無かった。その後、ウ
エハ鏡面側にＡｌからなる膜を被覆した後、フォトリソ
グラフィー等を使用した微細加工技術により所望形状、
例えば櫛形電極をウエハ表面状に形成した後チップ状に
ダイシングされることによって弾性表面波装置が作製し
たところ、残りのウエハ基板は全く割れなく良好な特性
が得られた。
【００３４】また、ウエハ側面部をメタルボンド１２０
０番の砥石で研磨し、平均粗さ（Ｒａ）が０．１３μｍ
のウエハ基板は、側面部のパーティクル等によりデバイ
ス歩留り９６％であった。しかしながら、ウエハ側面部
をメカノケミカルポリッシュを施し、算術平均粗さ（Ｒ
ａ）が１．５ｎｍのウエハ基板は、デバイス特性歩留り
１００％と良好な結果が得られた。
０番の砥石で研磨し、平均粗さ（Ｒａ）が０．１３μｍ
のウエハ基板は、側面部のパーティクル等によりデバイ
ス歩留り９６％であった。しかしながら、ウエハ側面部
をメカノケミカルポリッシュを施し、算術平均粗さ（Ｒ
ａ）が１．５ｎｍのウエハ基板は、デバイス特性歩留り
１００％と良好な結果が得られた。
【００３５】
【発明の効果】本発明により、インゴットの状態でウエ
ハ側面部の鏡面研磨加工が一度に多量に研磨加工が可能
となり、低コスト、高品質なウエハ加工が可能となる。
ハ側面部の鏡面研磨加工が一度に多量に研磨加工が可能
となり、低コスト、高品質なウエハ加工が可能となる。
【００３６】また、ウエハの側面部の算術平均粗さ（Ｒ
ａ）を１．５ｎｍ以下にすることにより、熱工程での割
れ、欠けを少なくすることができ、更にパーティクル等
の除去が簡便にでき、デバイス工程で高歩留まりに製造
することができ安価なデバイスを提供することができ
る。
ａ）を１．５ｎｍ以下にすることにより、熱工程での割
れ、欠けを少なくすることができ、更にパーティクル等
の除去が簡便にでき、デバイス工程で高歩留まりに製造
することができ安価なデバイスを提供することができ
る。
【図１】本発明に係る円筒センター接着方法を模式的に
説明する側面図である。
説明する側面図である。
【図２】本発明に係る円筒芯だし治具の側面図である。
【図３】本発明に係る円筒鏡面研磨装置の側面図であ
る。
る。
【図４】本発明に係る円筒鏡面バフ砥石の溝面を説明す
る平面図である。
る平面図である。
【図５】本発明の実施形態を模式的に説明するウエハの
断面図である。
断面図である。
１：インゴット ２：Ｖブロック ３：円筒センター治具 ４：テーパー芯出し溝 ５：中心芯出し治具 １０：ウエハ １０ａ：傾斜面 １１：不織布砥石 １２：円筒テーパー芯押し治具
Claims (3)
- 【請求項１】 タンタル酸リチウム単結晶から成るウエ
ハの少なくとも側面が鏡面であるとともに、該側面の算
術平均粗さ（Ｒａ）が１．５ｎｍ以下であることを特徴
とする弾性表面波素子用ウエハ。 - 【請求項２】 前記ウエハの一主面の周縁部が斜面に形
成されていることを特徴とする請求項１に記載の弾性表
面波素子用単結晶ウエハ。 - 【請求項３】 タンタル酸リチウム単結晶から成る円筒
状のインゴットの側面を鏡面研磨する工程と、前記イン
ゴットの中心軸を横切る方向にダイシングして円盤状の
ウエハに切断する工程と、該ウエハの一主面を鏡面研磨
する工程とを含む請求項１に記載の弾性表面波素子用ウ
エハの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000296025A JP2002111420A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 弾性表面波素子用ウエハ及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000296025A JP2002111420A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 弾性表面波素子用ウエハ及びその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002111420A true JP2002111420A (ja) | 2002-04-12 |
Family
ID=18778363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000296025A Pending JP2002111420A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 弾性表面波素子用ウエハ及びその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002111420A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005060156A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Tdk Corp | 単結晶基板及びその製造方法 |
| US7544247B2 (en) * | 2003-04-08 | 2009-06-09 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Lithium tantalate substrate and method of manufacturing same |
| JP2011124628A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 複合圧電チップ及び複合圧電チップの製造方法 |
| WO2020040203A1 (ja) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子用基板及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-09-28 JP JP2000296025A patent/JP2002111420A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7544247B2 (en) * | 2003-04-08 | 2009-06-09 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Lithium tantalate substrate and method of manufacturing same |
| US7544248B2 (en) * | 2003-04-08 | 2009-06-09 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Lithium tantalate substrate and method of manufacturing same |
| US7544246B2 (en) * | 2003-04-08 | 2009-06-09 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Lithium tantalate substrate and method of manufacturing same |
| JP2005060156A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Tdk Corp | 単結晶基板及びその製造方法 |
| JP4539053B2 (ja) * | 2003-08-11 | 2010-09-08 | Ｔｄｋ株式会社 | 単結晶基板及びその製造方法 |
| JP2011124628A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 複合圧電チップ及び複合圧電チップの製造方法 |
| WO2020040203A1 (ja) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子用基板及びその製造方法 |
| KR20210028672A (ko) * | 2018-08-21 | 2021-03-12 | 교세라 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 소자용 기판 및 그 제조 방법 |
| JPWO2020040203A1 (ja) * | 2018-08-21 | 2021-09-02 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子用基板及びその製造方法 |
| JP7019052B2 (ja) | 2018-08-21 | 2022-02-14 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子用基板及びその製造方法 |
| KR102508006B1 (ko) * | 2018-08-21 | 2023-03-09 | 교세라 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 소자용 기판 및 그 제조 방법 |
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