JP2002111073A - 発光ダイオード - Google Patents
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Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 75
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 abstract description 24
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 13
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 36
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 12
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N quinoline yellow Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C3C(C4=CC=CC=C4C3=O)=O)=CC=C21 IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48237—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a die pad of the item
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
光を可能とし、小型かつ安価であると共に、電流消費量
の少ない発光ダイオードを提供すること。 【解決手段】 電極33,34が形成された基板32の
上面に発光素子チップ41を載置し、この発光素子チッ
プ41の上面側を樹脂材55で封止してなる発光ダイオ
ード31において、前記樹脂材55にイットリウム・ア
ルミニウム・ガーネット(YAG)からなる蛍光粒子5
2及び前記発光素子チップ41からの光および前記蛍光
粒子52によって波長変換された光の波長の一部を吸収
する染料からなる色素粒子53を含有させた。
Description
来の発光色をパステル調のやわらかな中間色の発光に変
換する発光ダイオードに関するものである。
色の異なる2種以上の発光素子チップを同時に発光さ
せ、それを多色混合することで実現させていた。この種
の発光ダイオードとしては、例えば図6に示したよう
に、2色の発光素子チップ3,4で構成された表面実装
型の発光ダイオード1が知られている。これは、台座と
なる部分にはガラスエポキシ基板2が使用され、この上
に発光色の異なる2つの発光素子チップ3,4を載置
し、その上方を樹脂封止体5によって被覆したものであ
る。前記ガラスエポキシ基板2の上面には上記2つの発
光素子チップ3,4を固定するためのカソード電極6
a,6bと、各発光素子チップ3,4をボンディングワ
イヤ7によって接続するアノード電極8a,8bが設け
られている。
発光素子チップ3,4を青色と赤色で構成した場合、両
者を同時に発光させることで混合色である紫色の発光が
得られる。
子チップを搭載して多色混合の発光色を得るようにした
発光ダイオード10も知られている。これは台座11の
上面に赤色、青色、緑色に発光する3種類の発光素子チ
ップ12,13,14を載置すると共に、この発光素子
チップ12,13,14と各電極端子15,16,17
とを接続し、これら発光素子チップ12,13,14の
上方を砲弾形の樹脂封止体18によって被覆した構造の
ものである。このような構造の発光ダイオード10にあ
っては、組み合わせによってほとんどの色発光を得るこ
とができる(電子ディスプレイ 213頁 図6・20
松本正一編著 株式会社オーム社 平成7年7月7日
発行)。
発光ダイオード1,10のいずれにおいても、中間色調
の発光を得るために、発色の異なる2種以上の発光素子
チップを備えなければならない。このため、発光ダイオ
ードのパッケージが大きくなると共に、搭載した発光素
子チップを個別に制御する制御回路も必要になり、制御
方法が複雑になるといった問題があった。また、組み合
わせる発光素子チップの種類によっては、輝度のバラン
スをうまくとれない場合がある。例えば、組み合わせる
発光素子チップの中に輝度の低いものがあれば、この低
い方の発光素子チップに合わせて調整をしなければなら
ないため、輝度の高い発光素子チップの性能が生かし切
れないといった問題もある。
っては、同時に複数の発光素子チップを発光させなけれ
ばならないために、電流消費量が大きくなってしまうと
いった問題もあった。
チップで多様な中間色調の発光を可能とし、小型かつ安
価であると共に、電流消費量の少ない発光ダイオードを
提供することにある。
に、本発明の請求項1に係る発光ダイオードは、電極が
形成された基板の上面に発光素子チップを載置し、この
発光素子チップの上面側を樹脂材で封止してなる発光ダ
イオードにおいて、前記樹脂材に蛍光粒子及び色素粒子
を含有したことを特徴とする。
の発光を得るための蛍光粒子及び任意の波長域を吸収さ
せるための色素粒子を含有させたことで、単一の発光素
子チップの発光色のみでパステル調のやわらかな中間色
を発光させることが可能となった。
イオードにおいて、前記蛍光粒子がイットリウム・アル
ミニウム・ガーネット(YAG)であることを特徴とす
る。
リウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)を用いて
いるため、この蛍光粒子を励起することで400nm〜7
00nmの広波長域の発光を安定且つ効率よく得ることが
できる。
イオードにおいて、前記色素粒子が発光素子チップから
の光および前記蛍光粒子によって波長変換された光の波
長の一部を吸収する染料であることを特徴とする。
用いることで、パステル調のやわらかな中間色を低コス
トで作り出すことができる。
イオードにおいて、前記発光素子チップが、窒化ガリウ
ム系化合物半導体によって形成された青色発光ダイオー
ド素子であることを特徴とする。
に係る発光ダイオードの実施の形態を詳細に説明する。
図1乃至図3は、表面実装型の発光ダイオードに適用し
た場合の第1実施例を示したものである。この実施例に
係る表面実装型の発光ダイオード31は、矩形状の基板
32に一対の電極(カソード電極33とアノード電極3
4)をパターン形成し、この電極33,34の下面側を
マザーボード37上のプリント配線38,39に半田4
0で固定することによって表面実装を実現するものであ
る。
チップ41が載置され、その下面側に塗布された接着剤
51によって基板32に固定されている。この発光素子
チップ41は窒化ガリウム系化合物半導体からなる青色
発光素子であり、図3に示すように、サファイアガラス
からなる素子基板43の上面にn型半導体44とp型半
導体45を拡散成長させた構造からなる。前記n型半導
体44及びp型半導体45はそれぞれn型電極46,p
型電極47を備えており、前記基板32に設けられたカ
ソード電極33及びアノード電極34にボンディングワ
イヤ48,49によって接続され、一定の電流を流すこ
とで発光素子チップ41が青色に発光する。
1は、その上方から蛍光粒子52及び色素粒子53を分
散させた樹脂材55で覆われて基板32面に封止保護さ
れる。樹脂材55は、エポキシ樹脂あるいはシリコン樹
脂基材に、蛍光粒子52の原料となるイットリウム・ア
ルミニウム・ガーネット(以下、略してYAGという)
と、色素粒子53の原料となる染料をそれぞれ適量混入
し、これらを均一に分散させたものである。このように
して構成された樹脂材55は、前記カソード電極33及
びアノード電極34のスルーホール部35を残して基板
32の上面に直方体形状に形成される。
えば、フタロシアニン系化合物、アントラキノン系化合
物、アゾ系化合物、キノフタロン系化合物の4種類であ
り、これら4種類をベースとして適量に混合し、青、
緑、黄、橙、赤、紫の6色を予め作る。この場合、青色
はフタロシアニン系化合物が用いられ、緑色はフタロシ
アニン系化合物とアントラキノン系化合物を混合して作
られる。また、黄色はキノフタロン系化合物が用いら
れ、橙色と赤色はアントラキノン系化合物とアゾ系化合
物を混合して作られる。さらに、紫色はアントラキノン
系化合物が用いられるか、又はフタロシアニン系化合
物、アントラキノン系化合物及びアゾ系化合物を適量混
合して作られる。本実施形態ではこのようにして予め作
られた6色をさらに混色させることで所望の色度を出す
ようにしている。なお、色素粒子53としては、上記の
ような染料に限られることなく顔料を利用することも可
能である。
ード31にあっては、発光素子チップ41に電流が流れ
ると、n型半導体44とp型半導体45との境界面で青
色発光し、この青色発光が上方、側方及び下方へ青色光
56として発光する。特に上方側へ発光した青色光56
は、樹脂材55の中に分散されている蛍光粒子52を励
起することで、波長変換された広波長の黄色光57が樹
脂材55の中を四方八方に発光する。また、同時に前記
黄色光57及び青色光56が樹脂材55に分散された色
素粒子53を透過する際、この黄色光57及び青色光5
6の波長の一部を色素粒子53が吸収するため多様な中
間色光58が得られる。この中間色光58は、樹脂材5
5中に含有させる色素粒子53の原料である染料の種類
や混入量によってすべての中間色をカバーすることがで
きる。また、発光素子チップ41に流す電流値を制御す
ることによって、中間色調の輝度を調整することもでき
る。
種々の中間色光58を得た時の色度測定の結果をCIE
色度図で示したものである。これによれば、使用する色
素粒子53の種類によって発光色は異なってくるが、多
くが白色の周りの中間色帯で発光しており、赤色LE
D、青色LED及び緑色LEDを結ぶ線上付近での原色
に近い所での発光は少ないことが分かる。
ードを示したものである。この実施形態では、上記基板
32と発光素子チップ41とを接着固定する接着剤51
の中にも蛍光粒子52を混入させて蛍光接着層60を形
成し、発光素子チップ41の下方側での発光を有効に波
長変換することで、より明るい中間色光を得るようにし
たものである。なお、他の構成要素は上記図1〜図3に
示した第1実施形態と同様であるので詳細な説明は省略
する。この実施形態においては、蛍光粒子52が接着剤
51に混入されているので、発光素子チップ41から下
方向に発した青色光56は前記蛍光接着層60内に含有
された蛍光粒子52を励起する一方、発光素子チップ4
1の上方向に発した青色光56が樹脂材55に混入され
ている蛍光粒子52を励起することで、より明るい黄色
光57が得られる。また、色素粒子53を透過し得られ
る中間色光58も増加するため、より明るい中間色発光
を得ることができる。
1における発光の特徴を図5に基づいて説明する。発光
素子チップ41に電流が流れると、n型半導体44とp
型半導体45との境界面で青色発光し、この青色発光が
上方、側方及び下方へ青色光56として発光する。特に
下方側へ発光した青色光56は蛍光接着層60の中に分
散されている蛍光粒子52を励起し、それによって波長
変換を受けて四方八方に黄色光57として発光する。そ
して、この黄色光57および青色光56が、樹脂材55
に分散されている色素粒子53によって吸収され、所望
の中間色光58が得られる。この中間色光58は、上記
第1実施例と同様に、樹脂材55中に含有させる色素粒
子53の原料である染料の種類や量によって所望の色度
を得ることができる。また、発光素子チップ41に流す
電流値を制御することによって、発光の輝度を調整する
こともできる。
たように、マザーボード37上のプリント配線38,3
9に直接表面実装されるチップ型の発光ダイオードにつ
いて説明したものであるが、この発明の発光ダイオード
は、リードフレーム型のものにも適用することができ
る。即ち、発光素子チップが載置される台座の上に窒化
ガリウム系化合物半導体からなる青色の発光素子チップ
を固着した後、砲弾形の樹脂封止体の中に蛍光粒子52
や色素粒子53を適量分散させることで中間色光の発光
を得ることができる。
プと電極をボンディングワイヤによって接続した場合に
ついて説明したが、この発明はこれに限定されるもので
はなく、例えば半田バンプを用いたフリップチップ実装
などの接続方法も含まれるものである。
ダイオードによれば、発光素子チップを封止する樹脂材
に蛍光粒子や色素粒子を適量分散して形成しているた
め、これらの蛍光粒子や色素粒子の配分量を調整するこ
とで、吸収波長域および吸収量を変化させることがで
き、多様な中間色調の発光色を出すことができる。この
ため、単一の発光素子チップで中間色発光することので
きる発光ダイオードの製造が容易になった。
以上の発光素子チップを組み込む必要がないため、発光
ダイオードの小型化が可能となる。
混入させる蛍光粒子や色素粒子によって決まるため、発
光素子チップに流す電流値を制御するといった操作も不
要で、多様な中間色調の発光が得られる。
面実装タイプのチップ型発光ダイオードとして最適であ
り、量産性にも優れた構造である。
す斜視図である。
時の上記図1におけるA−A線に沿った断面図である。
の波長変換の原理を示す図である。
光を得た時の色度測定結果を示すCIE色度図である。
す図である。
の一例を示す斜視図である。
オードの一例を示す斜視図である。
に、本発明の請求項1に係る発光ダイオードは、電極が
形成された基板の上面に青色発光する発光素子チップを
接着剤によって固定し、この発光素子チップの上面側を
樹脂材で封止してなる発光ダイオードにおいて、前記樹
脂材の中に前記発光素子チップからの光を受けて該光の
波長を変換する蛍光粒子と、前記発光素子チップ及び前
記蛍光粒子からの光を受けて該光の波長の一部を吸収す
る色素粒子とを分散させたことを特徴とする。
の上面に青色発光する発光素子チップを接着剤によって
固定し、この発光素子チップの上面側を樹脂材で封止し
てなる発光ダイオードにおいて、前記接着剤及び樹脂材
の中に前記発光素子チップからの光を受けて該光の波長
を変換する蛍光粒子を分散させると共に、前記樹脂材の
中に前記発光素子チップ及び前記蛍光粒子からの光を受
けて該光の波長の一部を吸収する色素粒子とを分散させ
たことを特徴とする。
ップを固定する接着剤の中にも混入されているので、発
光素子チップから下方向に発した青色光は接着剤内に含
有された蛍光粒子を励起して、より明るい黄色光が得ら
れる。また、色素粒子を透過し得られる中間色光も増加
するため、より明るい中間色発光を得ることができる。
発光ダイオードにおいて、前記蛍光粒子がイットリウム
・アルミニウム・ガーネット(YAG)であることを特
徴とする。
リウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)を用いて
いるため、この蛍光粒子を励起することで400nm〜7
00nmの広波長域の発光を安定且つ効率よく得ることが
できる。
発光ダイオードにおいて、前記色素粒子が、フタロシア
ニン系化合物、アントラキノン系化合物、アゾ系化合
物、キノフタロン系化合物から選ばれた1又は2以上の
染料であることを特徴とする。
イオードを示したものである。この実施形態では、上記
基板32と発光素子チップ41とを接着固定する接着剤
51の中にも蛍光粒子52を混入させて蛍光接着層60
を形成し、発光素子チップ41の下方側での発光を有効
に波長変換することで、より明るい中間色光を得るよう
にしたものである。なお、他の構成要素は上記図1〜図
3に示した第1実施形態と同様であるので詳細な説明は
省略する。この実施形態においては、蛍光粒子52が接
着剤51に混入されているので、発光素子チップ41か
ら下方向に発した青色光56は前記蛍光接着層60内に
含有された蛍光粒子52を励起する一方、発光素子チッ
プ41の上方向に発した青色光56が樹脂材55に混入
されている蛍光粒子52を励起することで、より明るい
黄色光57が得られる。また、色素粒子53を透過し得
られる中間色光58も増加するため、より明るい中間色
発光を得ることができる。 ─────────────────────────────────────────────────────
14)
に、本発明の請求項1に係る発光ダイオードは、電極が
形成された基板の上面に青色発光する発光素子チップを
接着剤によって固定し、この発光素子チップの上面側を
樹脂材で封止してなる発光ダイオードにおいて、前記樹
脂材の中に前記発光素子チップからの光を受けて該光の
波長を変換する蛍光粒子と、前記発光素子チップ及び前
記蛍光粒子からの光を受けて該光の波長の一部を吸収す
る色素粒子とを分散させ、該色素粒子がフタロシアニン
系化合物、アントラキノン系化合物、アゾ系化合物、キ
ノフタロン系化合物から選ばれた1又は2以上の染料で
あることを特徴とする。
の発光を得るための蛍光粒子及び任意の波長域を吸収さ
せるための色素粒子を含有させたことで、単一の発光素
子チップの発光色のみでパステル調のやわらかな中間色
調の発光色を得ることが可能となった。特に、色素粒子
をフタロシアニン系化合物、アントラキノン系化合物、
アゾ系化合物、キノフタロン系化合物の中から選択し、
且つこれら化合物を組み合わせることで所望の発光色を
容易に表示することができる。
の上面に青色発光する発光素子チップを接着剤によって
固定し、この発光素子チップの上面側を樹脂材で封止し
てなる発光ダイオードにおいて、前記接着剤及び樹脂材
の中に前記発光素子チップからの光を受けて該光の波長
を変換する蛍光粒子を分散させると共に、前記樹脂材の
中に前記発光素子チップ及び前記蛍光粒子からの光を受
けて該光の波長の一部を吸収する色素粒子とを分散さ
せ、該色素粒子がフタロシアニン系化合物、アントラキ
ノン系化合物、アゾ系化合物、キノフタロン系化合物か
ら選ばれた1又は2以上の染料であることを特徴とす
る。
Claims (4)
- 【請求項1】 電極が形成された基板の上面に発光素子
チップを載置し、この発光素子チップの上面側を樹脂材
で封止してなる発光ダイオードにおいて、 前記樹脂材に蛍光粒子及び色素粒子を含有したことを特
徴とする発光ダイオード。 - 【請求項2】 前記蛍光粒子がイットリウム・アルミニ
ウム・ガーネット(YAG)であることを特徴とする請
求項1記載の発光ダイオード。 - 【請求項3】 前記色素粒子が発光素子チップからの光
および前記蛍光粒子によって波長変換された光の波長の
一部を吸収する染料であることを特徴とする請求項1記
載の発光ダイオード。 - 【請求項4】 前記発光素子チップが、窒化ガリウム系
化合物半導体によって形成された青色発光ダイオード素
子であることを特徴とする請求項1記載の発光ダイオー
ド。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000298579A JP3609709B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 発光ダイオード |
TW090122637A TWI257712B (en) | 2000-09-29 | 2001-09-12 | Luminous diode |
DE20122795U DE20122795U1 (de) | 2000-09-29 | 2001-09-12 | Lichtemittierende Diode mit Materialien zur Wellenlängenumwandlung und Absorption |
EP01307756A EP1193772A3 (en) | 2000-09-29 | 2001-09-12 | Light emitting diode with wavelength conversion and absorbing material |
US09/953,302 US6744194B2 (en) | 2000-09-29 | 2001-09-17 | Light emitting diode |
KR10-2001-0057106A KR100448416B1 (ko) | 2000-09-29 | 2001-09-17 | 발광 다이오드 |
CNB011412135A CN1202577C (zh) | 2000-09-29 | 2001-09-28 | 发光二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000298579A JP3609709B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 発光ダイオード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002111073A true JP2002111073A (ja) | 2002-04-12 |
JP3609709B2 JP3609709B2 (ja) | 2005-01-12 |
Family
ID=18780519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000298579A Expired - Lifetime JP3609709B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 発光ダイオード |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6744194B2 (ja) |
EP (1) | EP1193772A3 (ja) |
JP (1) | JP3609709B2 (ja) |
KR (1) | KR100448416B1 (ja) |
CN (1) | CN1202577C (ja) |
DE (1) | DE20122795U1 (ja) |
TW (1) | TWI257712B (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004088003A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-18 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2004172578A (ja) * | 2002-09-02 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
US7078737B2 (en) | 2002-09-02 | 2006-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2007173673A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Okaya Electric Ind Co Ltd | カラー発光ダイオード |
KR100748239B1 (ko) | 2006-02-06 | 2007-08-09 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
JP2009510741A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス構成素子を製造する方法及び電磁ビームを放出するオプトエレクトロニクス構成素子 |
JP2009239116A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Sharp Corp | 発光装置 |
JP2010245481A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-10-28 | Sharp Corp | 発光装置 |
JP2011181910A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 発光ダイオード収納用パッケージ及びその製造方法 |
WO2013179624A1 (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | パナソニック株式会社 | Ledモジュール、照明器具及びランプ |
JP2017045773A (ja) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
US10886443B2 (en) | 2017-08-11 | 2021-01-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device package and light emitting device package module |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002190622A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-05 | Sanken Electric Co Ltd | 発光ダイオード用透光性蛍光カバー |
KR20030060281A (ko) * | 2002-01-08 | 2003-07-16 | 주식회사 이츠웰 | 발광 다이오드 장치 및 이를 이용한 디스플레이 |
KR100567548B1 (ko) * | 2002-04-22 | 2006-04-05 | 서울반도체 주식회사 | 백색 칩 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
JP4185352B2 (ja) * | 2002-11-13 | 2008-11-26 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
US7005679B2 (en) | 2003-05-01 | 2006-02-28 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
TWI275189B (en) | 2003-12-30 | 2007-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor component and method for producing such component |
DE10361801A1 (de) * | 2003-12-30 | 2005-08-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2005353802A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
US20060006366A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Vladimir Abramov | Wave length shifting compositions for white emitting diode systems |
US20060044806A1 (en) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | Abramov Vladimir S | Light emitting diode system packages |
JP2006073950A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 高耐熱半導体装置 |
KR20060023443A (ko) * | 2004-09-09 | 2006-03-14 | 이희목 | 발광 장치 |
CN101040397B (zh) * | 2004-10-12 | 2010-12-08 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电致发光光源 |
US8125137B2 (en) | 2005-01-10 | 2012-02-28 | Cree, Inc. | Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same |
US7564180B2 (en) * | 2005-01-10 | 2009-07-21 | Cree, Inc. | Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors |
EP2372224A3 (en) | 2005-12-21 | 2012-08-01 | Cree, Inc. | Lighting Device and Lighting Method |
WO2007075742A2 (en) | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Lighting device |
KR20090009772A (ko) | 2005-12-22 | 2009-01-23 | 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. | 조명 장치 |
US7821194B2 (en) | 2006-04-18 | 2010-10-26 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices including light mixtures |
US9084328B2 (en) | 2006-12-01 | 2015-07-14 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
US7828460B2 (en) | 2006-04-18 | 2010-11-09 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
US8513875B2 (en) | 2006-04-18 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
US8998444B2 (en) | 2006-04-18 | 2015-04-07 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices including light mixtures |
CN101449099A (zh) | 2006-04-20 | 2009-06-03 | 科锐Led照明科技公司 | 照明装置及照明方法 |
KR20090019871A (ko) | 2006-05-31 | 2009-02-25 | 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. | 조명 장치 및 조명 방법 |
US8029155B2 (en) | 2006-11-07 | 2011-10-04 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
JP5367218B2 (ja) | 2006-11-24 | 2013-12-11 | シャープ株式会社 | 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法 |
US9441793B2 (en) | 2006-12-01 | 2016-09-13 | Cree, Inc. | High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting |
JP5153783B2 (ja) | 2006-12-07 | 2013-02-27 | クリー インコーポレイテッド | 照明デバイスおよび照明方法 |
EP2122231B1 (en) * | 2007-02-22 | 2014-10-01 | Cree, Inc. | Lighting devices, methods of lighting, light filters and methods of filtering light |
DE102007015474A1 (de) | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
US8038317B2 (en) | 2007-05-08 | 2011-10-18 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
CN101711326B (zh) | 2007-05-08 | 2012-12-05 | 科锐公司 | 照明装置和照明方法 |
US10030824B2 (en) | 2007-05-08 | 2018-07-24 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
US8079729B2 (en) | 2007-05-08 | 2011-12-20 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
BRPI0811561A2 (pt) | 2007-05-08 | 2015-06-16 | Cree Led Lighting Solutions | Dispositivo de iluminação e método de iluminação |
JP5368985B2 (ja) | 2007-07-09 | 2013-12-18 | シャープ株式会社 | 蛍光体粒子群およびそれを用いた発光装置 |
US7863635B2 (en) | 2007-08-07 | 2011-01-04 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials |
KR101722265B1 (ko) | 2007-10-10 | 2017-03-31 | 크리, 인코포레이티드 | 조명 장치 및 그 제조 방법 |
DE102008015941A1 (de) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Beleuchtungseinrichtung |
US8350461B2 (en) | 2008-03-28 | 2013-01-08 | Cree, Inc. | Apparatus and methods for combining light emitters |
JP2009252898A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光源装置 |
US8240875B2 (en) | 2008-06-25 | 2012-08-14 | Cree, Inc. | Solid state linear array modules for general illumination |
CN101330119B (zh) * | 2008-07-22 | 2010-06-02 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种染料激活的绿色发光二极管的制备方法 |
US20100033091A1 (en) * | 2008-08-08 | 2010-02-11 | Glory Science Co., Ltd. | Light emitting unit and method of manufacturing the light emitting unit |
US8333631B2 (en) | 2009-02-19 | 2012-12-18 | Cree, Inc. | Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices |
US7967652B2 (en) | 2009-02-19 | 2011-06-28 | Cree, Inc. | Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices |
EP2418265A4 (en) * | 2009-04-06 | 2012-09-19 | Sharp Kk | PHOSPHORESCENT PARTICLE GROUP, LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME, AND LIQUID CRYSTAL TELEVISION RECEIVER |
US8921876B2 (en) | 2009-06-02 | 2014-12-30 | Cree, Inc. | Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements |
CN102630288B (zh) | 2009-09-25 | 2015-09-09 | 科锐公司 | 具有低眩光和高亮度级均匀性的照明设备 |
KR101098006B1 (ko) | 2009-09-29 | 2011-12-23 | 한국화학연구원 | (할로)실리케이트계 형광체 및 이의 제조방법 |
US9435493B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Hybrid reflector system for lighting device |
EP2468836A4 (en) | 2010-01-08 | 2014-07-30 | Sharp Kk | PHOSPHORUS, LIGHT-EMITTING DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE THEREWITH |
US9275979B2 (en) | 2010-03-03 | 2016-03-01 | Cree, Inc. | Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation |
US20110291132A1 (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | Fang-Chang Liu | Light-emiting device with improved color rendering index |
US8684559B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-04-01 | Cree, Inc. | Solid state light source emitting warm light with high CRI |
US8556469B2 (en) | 2010-12-06 | 2013-10-15 | Cree, Inc. | High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires |
US11251164B2 (en) | 2011-02-16 | 2022-02-15 | Creeled, Inc. | Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting |
US9435524B2 (en) | 2011-12-30 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Liquid cooled LED systems |
US9335531B2 (en) | 2011-12-30 | 2016-05-10 | Cree, Inc. | LED lighting using spectral notching |
US9482421B2 (en) | 2011-12-30 | 2016-11-01 | Cree, Inc. | Lamp with LED array and thermal coupling medium |
CN104241262B (zh) | 2013-06-14 | 2020-11-06 | 惠州科锐半导体照明有限公司 | 发光装置以及显示装置 |
US9960322B2 (en) | 2014-04-23 | 2018-05-01 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices incorporating notch filtering materials |
CN107406766B (zh) * | 2015-03-24 | 2024-03-22 | 亮锐控股有限公司 | 具有蓝色颜料的蓝色发射磷光体转换led |
KR101639992B1 (ko) | 2015-06-04 | 2016-07-15 | 한국화학연구원 | 알칼리토금속 실리케이트를 이용한 산질화물계 형광체의 제조방법 |
US10260683B2 (en) | 2017-05-10 | 2019-04-16 | Cree, Inc. | Solid-state lamp with LED filaments having different CCT's |
KR102049524B1 (ko) | 2018-03-08 | 2020-01-08 | 주식회사 한국공업엔지니어링 | 와전류탐상검사를 이용하여 튜브 확관부의 결함 측정을 위한 대비시험편 및 이를 이용한 결함측정방법 |
CN112526784A (zh) * | 2019-09-19 | 2021-03-19 | 李崇华 | 发光二极管装置及包含其之背光模块与显示设备 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19638667C2 (de) * | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
KR100702740B1 (ko) * | 1996-06-26 | 2007-04-03 | 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 | 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자 |
TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
JP3065544B2 (ja) * | 1996-12-06 | 2000-07-17 | スタンレー電気株式会社 | 蛍光剤入りledランプ |
US5895932A (en) * | 1997-01-24 | 1999-04-20 | International Business Machines Corporation | Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes |
JP2998696B2 (ja) * | 1997-05-17 | 2000-01-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
JP3327170B2 (ja) * | 1997-05-17 | 2002-09-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
US5813753A (en) * | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light |
JP4271747B2 (ja) * | 1997-07-07 | 2009-06-03 | 株式会社朝日ラバー | 発光ダイオード用透光性被覆材及び蛍光カラー光源 |
US5847507A (en) * | 1997-07-14 | 1998-12-08 | Hewlett-Packard Company | Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens |
JPH11145519A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-05-28 | Toshiba Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置および画像表示装置 |
KR20000007067A (ko) * | 1999-11-23 | 2000-02-07 | 김창태 | 형광물질을 가진 엘이디 패키지 제조방법 |
KR200181326Y1 (ko) * | 1999-12-24 | 2000-05-15 | 서울반도체주식회사 | 색변환 발광다이오드 |
JP3809760B2 (ja) * | 2000-02-18 | 2006-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
KR200205427Y1 (ko) * | 2000-05-10 | 2000-12-01 | 이정훈 | 파장 변환 발광 다이오드 |
-
2000
- 2000-09-29 JP JP2000298579A patent/JP3609709B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-09-12 EP EP01307756A patent/EP1193772A3/en not_active Withdrawn
- 2001-09-12 DE DE20122795U patent/DE20122795U1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-12 TW TW090122637A patent/TWI257712B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-09-17 US US09/953,302 patent/US6744194B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-17 KR KR10-2001-0057106A patent/KR100448416B1/ko active IP Right Grant
- 2001-09-28 CN CNB011412135A patent/CN1202577C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004088003A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-18 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2004172578A (ja) * | 2002-09-02 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
US7078737B2 (en) | 2002-09-02 | 2006-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2009510741A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス構成素子を製造する方法及び電磁ビームを放出するオプトエレクトロニクス構成素子 |
JP2007173673A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Okaya Electric Ind Co Ltd | カラー発光ダイオード |
KR100748239B1 (ko) | 2006-02-06 | 2007-08-09 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
JP2009239116A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Sharp Corp | 発光装置 |
JP2010245481A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-10-28 | Sharp Corp | 発光装置 |
JP2011181910A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 発光ダイオード収納用パッケージ及びその製造方法 |
WO2013179624A1 (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | パナソニック株式会社 | Ledモジュール、照明器具及びランプ |
JPWO2013179624A1 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-01-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Ledモジュール、照明器具及びランプ |
US9685594B2 (en) | 2012-05-31 | 2017-06-20 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | LED module and method of preparing the LED module, lighting device |
JP2017045773A (ja) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
US9997679B2 (en) | 2015-08-24 | 2018-06-12 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light-emitting device |
US10886443B2 (en) | 2017-08-11 | 2021-01-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device package and light emitting device package module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1193772A3 (en) | 2006-03-29 |
US6744194B2 (en) | 2004-06-01 |
KR20020025696A (ko) | 2002-04-04 |
TWI257712B (en) | 2006-07-01 |
CN1202577C (zh) | 2005-05-18 |
JP3609709B2 (ja) | 2005-01-12 |
DE20122795U1 (de) | 2007-12-27 |
KR100448416B1 (ko) | 2004-09-13 |
CN1345098A (zh) | 2002-04-17 |
US20020039002A1 (en) | 2002-04-04 |
EP1193772A2 (en) | 2002-04-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041014 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071022 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101022 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |