JP2002111026A - 薄膜太陽電池モジュール - Google Patents

薄膜太陽電池モジュール

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JP2002111026A
JP2002111026A JP2000299525A JP2000299525A JP2002111026A JP 2002111026 A JP2002111026 A JP 2002111026A JP 2000299525 A JP2000299525 A JP 2000299525A JP 2000299525 A JP2000299525 A JP 2000299525A JP 2002111026 A JP2002111026 A JP 2002111026A
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solar cell
thin
vacuum
light
film
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Katsushi Kishimoto
克史 岸本
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Sharp Corp
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    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548Amorphous silicon PV cells

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Abstract

(57)【要約】 【課題】非晶質シリコン系半導体層を形成した太陽電池
素子の光劣化を低く抑えて高い出力を得る。 【解決手段】非晶質シリコン系半導体層2を形成した太
陽電池素子10の受光面側または非受光面側のいずれか
一方もしくは双方に内圧が1torr以下の真空層(真
空断熱層2)を設けて、高い断熱効果を確保すること
で、太陽光による太陽電池素子の温度上昇を高めてアニ
ール効果を促進する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜太陽電池モジ
ュールに関し、さらに詳しくは非晶質シリコン系半導体
層を形成した太陽電池素子からなる薄膜太陽電池モジュ
ールに関する。
【0002】
【従来の技術】薄膜太陽電池は、結晶ウエハーを用いる
太陽電池モジュールと比較して、半導体材料の使用量が
少なくて済むこと、及びガラスや金属等の安価な基板上
に低温プロセスで形成できることから低価格化が期待さ
れている。
【0003】薄膜太陽電池の中でも非晶質シリコン系太
陽電池は、材料であるシリコンが非常に豊富である点、
及びCdやSeを使用する化合物系太陽電池に比して材
料が無害で環境への影響がない点で優れており、開発が
進められている。
【0004】このような非晶質シリコン太陽電池におい
ては、まず、ガラス等の透光性基板上にSnO2 やZn
O等の透明導電膜/p−i−n非晶質シリコン系半導体
層/金属表面電極層を順次積層して太陽電池素子を形成
し、レーザビーム等で分割・接続して集積構造とする。
次に、太陽電池素子の裏面側をエチレンビニルアセテー
ト(以下、EVAと言う)やポリビニルブチラール(以
下、PVBと言う)等の充填材、またはPET/アルミ
ニウムフィルム/PET積層シートやテドラー等のバッ
クシートで封止してスーパーストレート型の太陽電池パ
ネルを構成し、これにアルミニウム等のフレームを取り
付けて屋外で設置使用することが一般的である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、非晶質シリ
コン系太陽電池には、ステブラー・ロンスキー効果とよ
ばれる光照射による変換効率の初期劣化現象(以下、光
劣化と言う)があり、このことが、電力用モジュールに
非晶質シリコン系太陽電池を用いる場合の課題となって
いる。
【0006】このような非晶質シリコン系太陽電池の光
劣化を完全になくすことはできないが、光劣化を低減す
る方法としては、従来、単位セルを2層、3層積層した
タンデム、トリプル構造として光電変換を行う非晶質シ
リコン系半導体層の膜厚を薄くする方法等が知られてい
る。
【0007】また、光劣化によって低下した変換効率
は、太陽電池を高温にすることによって回復することが
知られている。回復効果は40℃程度の温度でも見られ
るが、温度が高いほうが効果が大きく、70℃以上の高
温にすることで大幅に特性が回復するようになる。
【0008】非晶質シリコン系太陽電池の出力の温度依
存性は、結晶系シリコン太陽電池に比べると非常に少な
く、1℃の温度上昇による出力低下は0.1〜0.2%
であるため、太陽電池を高温に保ち、光劣化を回復させ
ながら使用することで光劣化を低減し、高い出力を得る
ことができる。
【0009】従来、このような非晶質シリコン系太陽電
池の温度特性を生かし、温度を高めて光劣化を低減する
方法として、特開平4−71276号公報に、モジュー
ルの裏面側(非受光面側)に断熱手段を設け、太陽光に
よる熱が裏面から伝導することを抑制する方法が開示さ
れている。
【0010】また、特開平11−103086号公報に
は、フレームを有するモジュールにおいて、太陽電池と
フレームとの間に断熱材を設けてフレームへの熱の伝導
を抑制する方法が開示されている。
【0011】しかしながら、これらの従来の技術では以
下のような問題がある。
【0012】(1)モジュール裏面に断熱手段を設ける
ことで、モジュールの最高到達温度は夏季の日中で気温
+40℃程度まで上昇するが、他の季節ではモジュール
温度が70℃を超えることは困難である。
【0013】(2)使用する断熱材が、公害の原因とな
るポリスチレン、あるいは通常の焼却処理ではダイオキ
シン発生の危険が伴うポリウレタン、ポリエチレン等、
屋根の上などの大面積に敷設する太陽電池モジュールに
は不適な材料が多い。一方、断熱材として、公害が発生
する可能性の少ないPETやフェノール系樹脂を使用し
た場合、断熱係数が0.3程度であるため、大面積のモ
ジュールを保温するには20mm以上の厚みが必要であ
り、モジュール処分時の断熱材の大量廃棄やモジュール
そのものの大型化という弊害も大きい。
【0014】(3)モジュールの裏面に断熱手段を設置
する場合、断熱材をモジュール裏面に接着剤等で貼り付
けるという方法が採られるが、この方法ではモジュール
完成後の工数が増加する。しかも、断熱材とモジュール
との密着性が十分でないため、長期の屋外暴露中に水分
の浸入等で接着剤の劣化が起こり機能低下が見られるよ
うになる。このような劣化を抑えるには、防水シートを
もう一層設けなければならず、コスト増加に繋がる。
【0015】本発明は、そのような実情に鑑みてなされ
たもので、光劣化を抑制して高い出力を得ることのでき
る薄膜太陽電池モジュールの提供を目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は、非晶質シリコ
ン系半導体層を形成した太陽電池素子からなる薄膜太陽
電池モジュールにおいて、太陽電池素子の受光面側また
は非受光面側のいずれか一方もしくは双方に真空層が形
成されていることによって特徴づけられる。
【0017】このように薄膜太陽電池モジュールに真空
層を設けておくことで、高い断熱効果を得ることができ
る。例えば真空層の真空度を1torr以下とすると、
断熱係数が0.1以下の断熱効果を得ることができる。
【0018】本発明の薄膜太陽電池モジュールにおい
て、芯材を真空封止用の樹脂フィルムにて包装した構造
で、内圧が1torr以下に保持される真空層を、太陽
電池素子の非受光面側に設けておいてもよい。この場
合、太陽電池素子の非受光面側の断熱係数を0.1以下
とすることができ、一般的な断熱材の1/3程度とする
ことができる。これにより、太陽電池素子の非受光面側
の真空層の寸法(厚み)を小さくしても、目的とする断
熱効果を得ることができ、光劣化の影響を抑えることが
できる。また、真空層の寸法を小さくすることができる
ことから、モジュールの小型化及び製品部材の省資源化
も達成できる。
【0019】なお、真空層内に芯材を入れる場合、25
〜70℃でのシクロペンタン及び炭酸ガスの吸着量が大
きくて、真空度を1torr以下に保てるような化学吸
着材を充填しておけば、芯材から放出されるシクロペン
タン等のガスが吸着されるので、長期間にわたって内圧
を1torr以下に抑えることができる。
【0020】ここで、太陽電池素子の裏面を樹脂フィル
ムで封止する際のラミネートは、バックフィルムと樹脂
フィルムとの間の脱泡を行うため、通常1torr以下
の負圧で130℃に昇温して封止するという方法で行わ
れる。また、ラミネート工程に用いるラミネート装置
は、バックフィルムを袋状にし、真空状態で開口部を熱
融着する機構を備えている。従ってラミネート工程にお
いて、前記した真空層を形成する際の真空封止用の樹脂
フィルムの真空封止をラミネートと同時に実施すること
が可能であり、ラミネートと真空封止とを同時に行うこ
とにより、工数を大幅に削減することができる。しか
も、ラミネートのフィルムと真空層を形成するフィルム
とが一体成形される上、その両者のフィルムが樹脂にて
減圧融着されるので、モジュールと真空層との密着性も
良好となる。
【0021】真空封止用の樹脂フィルムとしては、PE
T上にアルミニウムが蒸着され、かつ袋状に成形された
樹脂フィルムを用いることが好ましい。このような樹脂
フィルムを使用すると、ラミネートと真空層の同時形成
が可能となるばかりでなく、アルミニウムの蒸着によっ
て圧力上昇の経時変化を大幅に抑えることができる。
【0022】また、真空封止用の樹脂フィルムは、太陽
電池素子の非受光面側に透明樹脂によって接着されるこ
とが好ましい。接着剤に透明樹脂を用いると、太陽電池
素子の裏面充填材としてEVA樹脂を用いることが可能
となり、モジュールの長期信頼性を確保することができ
る。
【0023】本発明の薄膜太陽電池モジュールにおい
て、太陽電池素子の受光面側の透光性基板を複数層のガ
ラスで構成し、その複数層のガラスの隙間に1torr
以下の真空層を形成しておけば、受光面側の透光性基板
表面からの放熱を抑えることができる。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。
【0025】図1は本発明の実施形態の構造を模式的に
示す断面図である。
【0026】図1の薄膜太陽電池モジュールは、透光性
基板1に非晶質シリコン系半導体層2を形成した太陽電
池素子10と、太陽電池素子10の裏面(非受光面)を
封止する裏面封止樹脂フィルム(両面白色)3と、太陽
電池素子10の非受光面側に設けられた真空断熱層4か
らなる太陽電池パネル11を、ブチルゴムを用いて、ア
ルミニウム製のフレーム5に嵌入接着した構造となって
いる。
【0027】太陽電池素子10は、透光性基板1に、透
明導電膜(図示せず)/p−i−n(またはn−i−
p)の非晶質シリコン系半導体層2/金属電極層(図示
せず)を順次堆積した積層体からなる光電変換膜を形成
し、その裏面側(非受光面側)をEVA、PVB、ポリ
イソブチレン系樹脂等の充填材(図示せず)によって封
止した構造となっている。太陽電池素子10の裏面は、
PET、テドラー等の裏面封止樹脂フィルム3にて保護
されている。なお、裏面封止樹脂フィルム3には必要に
応じてアルミニウム箔等が挟み込まれる。
【0028】ここで、透光性基板1としては、強化ガラ
スや貼り合わせガラス、またはその他の一般的な透光性
基板が用いられる。
【0029】透明導電膜には、従来の太陽電池素子と同
様に酸化錫や酸化インジウムが用いられる。
【0030】非晶質シリコン系半導体層2としては、ア
モルファスシリコン、アモルファスシリコンカーバイ
ト、アモルファスシリコンゲルマニウム等が用いられ
る。
【0031】金属電極層としては、クロム、アルミニウ
ム、銀などの一般的な金属材料が用いられる。これらの
うち、入射光の閉じ込め効果及び反射率の点を考慮する
と、銀を用いることが好ましい。
【0032】なお、太陽電池素子10は、素子温度が高
温になることから、非晶質シリコン系半導体層2と金属
電極層との間での金属成分の拡散が問題となる。これを
防止することを目的として、非晶質シリコン系半導体層
2と金属電極層との間に、酸化亜鉛等の透明導電膜を介
在させることが好ましい。
【0033】また、非晶質シリコン系半導体層2の裏面
封止用の充填材としてEVA、PVB等を用いる場合、
裏面封止樹脂フィルム3は真空ラミネート法にて接着す
ることが好ましい。
【0034】真空断熱層4は、芯材を、PET等の樹脂
製の袋、好ましくはPET/アルミニウム/PETの袋
に入れて内圧が1torr以下になるようにロータリー
ポンプ等で吸引することによって形成する。この真空断
熱層4の形成工程は、前記した裏面封止樹脂フィルム3
の真空ラミネート工程と同時に行うことが、工数削減の
上で好ましい。なお、真空断熱層4の真空度を1tor
r以下にすると、断熱効果が特に大きくなる(断熱係数
0.1%以下)。
【0035】また、真空断熱層4には、25〜70℃で
のシクロペンタンや炭酸ガスの吸着量が大きくて、真空
度を1torr以下に保てるような化学吸着材を充填し
ておくことが好ましい。その化学吸着材としては、例え
ばBa−Li合金系ゲッター材等を挙げることができ
る。
【0036】真空断熱層4の芯材には、断熱性、保温性
及び畜熱性に優れた材料を用いる。具体的には、ポリス
チレンフォーム、ポリエチレンフォーム、硬質ポリウレ
タンフォーム、フェノールフォーム、シリコンラバーフ
ォーム、ポリプロピレン、イソシアヌレートなどの発泡
材料、ロックウール、グラスウール、セラミックファイ
バー、動植物繊維などの繊維材料、ケイ酸カルシウム、
けいそう土、コルクなどの粒・紛状材料、軽量気泡コン
クリートなどを用いることが可能である。
【0037】ここで、真空断熱層4は高温になるため、
断熱性と高温・光照射状態での耐候性に優れることが好
ましい。また、燃焼時にダイオキシン等の公害物質を発
生しないことが望ましい。
【0038】
【実施例】<実施例1>図1に示すように、表面に透明
導電膜を形成した透光性基板1上に非晶質シリコン系半
導体層2を形成した太陽電池素子10の非受光面側に、
裏面封止樹脂フィルム3及び真空断熱層4をEVAによ
り接着してなる太陽電池パネル11を、ブチルゴムを用
いてアルミニウム製のフレーム5に嵌入接着して薄膜太
陽電池モジュールを作製した。ただし、真空断熱層4
は、ポリウレタンフォームを芯材としてPET上にアル
ミニウムが蒸着された樹脂フィルムで包装し、1tor
r以下に真空排気後、封止したものを用いた。
【0039】以上の薄膜太陽電池モジュールを屋外に設
置し、その温度と光電変換効率の変化を調べたところ、
従来では太陽電池パネルの気温に対する温度上昇が、夏
期において最高でもモジュール中央部で約40℃に止ま
っていたものが、この実施例1の薄膜太陽電池モジュー
ルでは、気温に対してモジュール全面で50℃〜60℃
の上昇となり、夏期において80℃〜90℃となってい
た。また、従来、年平均で約24%の光劣化があったも
のが、この実施例1の薄膜太陽電池モジュールでは約1
9%の光劣化となっており、大きな改善効果が確認され
た。
【0040】<実施例2>真空断熱層4として、ポリウ
レタンフォームを芯材としてPET上にアルミニウムが
蒸着された樹脂フィルムで包装し、1torr以下に真
空排気後封止したものにかえて、透光性ガラス基板1の
裏面に更にガラス板を設け、2枚のガラス板の間に真空
排気可能な隙間を設けて、その隙間を1torr以下に
真空排気して複層ガラスからなる真空層を形成したこと
以外は、実施例1と同様にして薄膜太陽電池モジュール
を作製した。
【0041】この薄膜太陽電池モジュールを屋外に設置
し、その温度と光電変換効率の変化を調べたところ、従
来では太陽電池パネルの気温に対する温度上昇が、夏期
において最高でもモジュール中央部で約40℃に止まっ
ていたものが、この実施例2の薄膜太陽電池モジュール
では、気温に対してモジュール全面で48℃〜58℃の
上昇となり、夏期において78℃〜88℃となってい
た。また、従来、年平均で約24%の光劣化があったも
のが、この実施例2の薄膜太陽電池モジュールでは約2
0%の光劣化となっており、大きな改善効果が確認され
た。
【0042】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜太陽
電池モジュールによれば、非晶質シリコン系半導体層を
形成した太陽電池素子の受光面側または非受光面側のい
ずれか一方もしくは双方に真空層を設けて、高い断熱効
果を確保しているので、光照射により上昇する太陽電池
素子の温度が高くなってアニール効果が高められる。こ
れにより、光劣化を抑制することができる結果、高い出
力を得ることが可能になる。しかも、真空層の寸法(厚
み)を小さくしても、目的とする断熱効果を十分に得る
ことができるので、モジュールの小型化及び省資源化を
達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態の構造を模式的に示す断面図
である。
【符号の説明】
1 透光性基板 2 非晶質シリコン系半導体層 3 裏面封止樹脂フィルム 4 真空断熱層 5 フレーム 10 太陽電池素子 11 太陽電池パネル

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 非晶質シリコン系半導体層を形成した太
    陽電池素子からなる薄膜太陽電池モジュールにおいて、 太陽電池素子の受光面側または非受光面側のいずれか一
    方もしくは双方に真空層が形成されていることを特徴と
    する薄膜太陽電池モジュール。
  2. 【請求項2】 前記真空層の内圧が1torr以下であ
    ることを特徴とする請求項1記載の薄膜太陽電池モジュ
    ール。
  3. 【請求項3】 前記真空層が太陽電池素子の非受光面側
    に設けられており、その真空層が、芯材を真空封止用の
    樹脂フィルムにて包装した構造で、内圧が1torr以
    下に保持されていることを特徴とする請求項1記載の薄
    膜太陽電池モジュール。
  4. 【請求項4】 太陽電池素子の非受光面を樹脂フィルム
    で封止するラミネート工程において、ラミネートと同時
    に前記真空封止用の樹脂フィルムを真空封止することに
    より、前記真空層が形成されていることを特徴とする請
    求項3記載の薄膜太陽電池モジュール。
  5. 【請求項5】 前記真空封止用の樹脂フィルムとして、
    PET上にアルミニウムが蒸着され、かつ袋状に成形さ
    れた樹脂フィルムが用いられていることを特徴とする請
    求項4記載の薄膜太陽電池モジュール。
  6. 【請求項6】 前記真空封止用の樹脂フィルムが、太陽
    電池素子の非受光面側に透明樹脂によって接着されてい
    ることを特徴とする請求項3記載の薄膜太陽電池モジュ
    ール。
  7. 【請求項7】 前記真空層に、25〜70℃でのシクロ
    ペンタン及び炭酸ガスの吸着量が大きくて、真空度を1
    torr以下に保てるような化学吸着材が充填されてい
    ることを特徴とする請求項3記載の薄膜太陽電池モジュ
    ール。
  8. 【請求項8】 太陽電池素子の受光面側の透光性基板が
    複数層のガラスで構成されており、その複数層のガラス
    の隙間に真空層が形成されていることを特徴とする請求
    項1、2または3記載の薄膜太陽電池モジュール。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010147129A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Gf Giken:Kk 太陽光コジェネレイションモジュール
CN110400853A (zh) * 2019-07-29 2019-11-01 上迈(镇江)新能源科技有限公司 光伏组件用轻质背板及其应用的光伏组件和其制备方法

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