JP2002108720A - メモリカード及び不揮発性メモリのデータ書き込み方法 - Google Patents
メモリカード及び不揮発性メモリのデータ書き込み方法Info
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- Read Only Memory (AREA)
Abstract
定に対しては、管理データの書き換えを阻止し、メモリ
の寿命が短くなることを確実に防止する。 【解決手段】コントローラ12は、シングルライトを行
なう場合、ブロック使用管理テーブル142に登録され
ているブロック使用管理データを参照し書き込み可能な
領域を見つけてデータを書き込む。この際、エラーが発
生するとリトライ処理を実行して正常に書き込みができ
たか否かを判定し、正常な書き込みができた場合にブロ
ック使用管理テーブル142を更新する。すなわち、リ
トライ処理によって正常に書き込みができた場合に、前
回の書き込み時に利用したアドレスを不良ブロックとし
てブロック使用管理テーブル142を更新する。この結
果、システム的な要因によるエラーの場合には、ブロッ
ク使用管理テーブル142が更新されることはなく、不
揮発性メモリの長寿命化を図ることができる。
Description
のデータ書き込み時のエラーにより不良ブロックを判定
し、続く書き込み処理が正しく実行されたことを確認し
て先行のブロックを不良ブロックとして管理するメモリ
カード及び不揮発性メモリのデータ書き込み方法に関す
る。
れる種々のデジタル情報を保存する記憶装置として、電
源がオフされても保存情報が消失する虞のない書き換え
可能な不揮発性メモリを搭載したメモリカードが広まっ
てきている。
ものにNAND型フフラッシュメモリがある。この種の
フラッシュメモリはブロック単位で管理され、未使用の
ブロックに対しては管理データとして“1”が書き込ま
れている。そして、データの書き込みを行なった場合
に、管理データを“1”から“0”に書き換えている。
また、データの書き込みを行なった際に書き込みが正常
に行なわれたか否かを判別し、エラーが発生すると、そ
のブロックの管理データを“1”から“0”に書き換え
ている。また、書き込みエラーが発生した場合は、不揮
発性メモリの異なるブロックに対してリトライ処理を行
なう。このリトライ処理において、エラーが発生すれ
ば、そのブロックの管理データを“0”に書き換える。
が発生すると、その都度、対応するブロックの管理デー
タを“1”から“0”に書き換えている。なお、不揮発
性メモリにデータを書き込む動作として2つの状態があ
り、書き込み最小単位により完結するシングルライト
と、これを複数回実施して完結するマルチプルライトが
ある。
書き込みを行なった際には、そのブロックが不良ブロッ
クであるか否かを判定しているが、不良ブロックである
という判定は、メモリ自身の要因だけでなく、システム
的な要因に起因する場合が存在する。従って、上記従来
のようにデータ書き込みの際に不良ブロックであると判
定された場合に、対応するブロックの管理データを
“1”から“0”に書き換え、不良と判定されたブロッ
クを直ちに利用できないようにすると、メモリ自身が不
良でなくても、そのブロックは使用できないようにな
る。このため従来の不揮発性メモリのデータ書き込み方
法では、メモリカードの寿命が短くなるという問題があ
った。
れたもので、システム的な要因に起因する不良ブロック
の判定に対しては、管理データの書き換えを阻止し、メ
モリの寿命が短くなることを確実に防止し得るメモリカ
ード及び不揮発性メモリのデータ書き込み方法を提供す
ることを目的とする。
性メモリのデータ書き込み方法は、シングルライト処理
により不揮発性メモリへブロック単位でデータを書き込
む第1のステップと、データの書き込みが正常に実行さ
れたか否かを判定する第2のステップと、上記データの
書き込みが正常に実行された場合にブロック使用管理テ
ーブルを更新し、そのブロックへの再書き込みを禁止す
る第3のステップと、上記データの書き込みが正常に実
行されなかった場合に異なるブロックへリトライする第
4のステップと、上記リトライによってデータの書き込
みが正常に実行された場合に前回の書き込み時に利用し
たアドレスを不良ブロックとして上記ブロック使用管理
テーブルを更新する第5のステップとを具備することを
特徴とする。上記のようにシングルライト処理において
は、データ書き込みを行なった際にエラーが発生しても
ブロック使用管理テーブルに不良ブロックの登録は行な
わず、その後、リトライ処理によって正常に処理を終了
した場合に、前回の書き込み時に利用したアドレスを不
良ブロックとしてブロック使用管理テーブルに登録され
る。従って、システム的な要因によるエラーの場合に
は、ブロック使用管理テーブルが更新されることはな
く、不揮発性メモリの寿命が短くなることを確実に防止
することができる。
書き込み方法は、マルチプルライト処理により不揮発性
メモリへデータを書き込む第1のステップと、データの
書き込みが正常に実行されたか否かを判定する第2のス
テップと、上記データの書き込みが正常に実行された場
合にブロック使用管理テーブルを更新し、そのブロック
への再書き込みを禁止する第3のステップと、上記デー
タの書き込みが正常に実行されなかった場合にエラーデ
ータをエラー管理テーブルに登録する第4のステップ
と、ホストデバイスからの再書き込み要求により上記エ
ラー管理テーブルを参照して空きブロックを選択してリ
トライする第5のステップと、上記リトライによってデ
ータの書き込みが正常に実行された場合に上記エラー管
理テーブルに登録されているエラー管理データをクリア
する第6のステップとを具備することを特徴とする。上
記マルチプルライト処理においては、書き込みエラーが
発生した場合に、エラーデータをエラー管理テーブルに
登録し、ホストデバイスからの再書き込み要求により上
記エラー管理テーブルに登録されたエラー管理データに
基づいて空きブロックを選択してリトライ処理を行な
い、リトライ動作が正しく実施されたことでエラー管理
テーブルがクリアされる。従って、システム的な要因に
よるエラーによってブロック使用管理テーブルが更新さ
れることはなく、不揮発性メモリを効率的に使用して長
寿命化を図ることができる。
実施形態を説明する。図1は本発明の一実施形態に係る
メモリカードの全体構成を示すブロック図である。
コンピュータ、電子カメラ、ゲーム機を始めとする各種
電子機器に装着して使用されるもので、ホストインタフ
ェース11と、コントローラ12と、ROM13と、R
AM14と、書き換え可能な不揮発性メモリ、例えばフ
ラッシュメモリ15とを備えている。
カードが装着される電子機器本体(以下、ホストデバイ
スと称する)とのインタフェースをなす。コントローラ
12は、カード全体の制御を司るもので、マイクロプロ
セッサ(MPU)121と、レジスタ(REG)122
とを有している。上記マイクロプロセッサ121は、ホ
ストインタフェース11を介して受信されるコマンドを
ROM13に格納されている制御プログラム(ファーム
ウェア)に従って解釈して実行する。
モリである。ROM13は、上記制御プログラム、及び
管理用の固定データ等を予め格納するのに用いられる。
RAM14は、揮発性メモリであり、コントローラ12
の作業用領域141の他、ブロック使用管理テーブル1
42、エラー管理テーブル143、書き込みデータバッ
ファ144等が設けられる。上記ブロック使用管理テー
ブル142は、図2に示すようにフラッシュメモリ15
の各ブロックに対し、それぞれ未使用状態と使用又は不
良ブロック状態を記憶してブロックの使用状態を管理す
る。上記ブロック使用管理テーブル142は、図3
(a)に示すようにフラッシュメモリ15の各ブロック
が未使用の場合には、各ブロックに対して“1”が書き
込まれている。そして、ブロック単位でデータの書き込
みが行なわれると、図3(b)に示すように“1”が
“0”に書き換えられ、そのブロックが使用状態である
ことが示される。また、不良ブロックに対しても“0”
が書き込まれ、その後の使用が禁止される。
マルチプルライト処理の場合に使用されるもので、デー
タ書き込みの際にエラーが発生すると、不良データとし
て登録される。
定サイズの複数のセクタから構成される。セクタは、フ
ラッシュメモリ15に対するデータの書き込み/読み出
しの最小単位である。また、フラッシュメモリ15の領
域は、システム管理情報等が保存される管理領域151
と、画像データ、音楽データ等のデジタルコンテンツを
保存するデータ領域152からなっている。管理領域1
51には、データ領域152に保存されているディジタ
ルコンテンツを使用するのに必要な、コンテンツ復号キ
ー、コピー制御情報、移動制御情報等の重要な情報が保
存されている。
込み処理について説明する。最初に、シングルライト処
理について、図4に示すフローチャートを参照して説明
する。コントローラ12は、ホストデバイスからの指令
に従ってシングルライト処理を行なう場合、まず、書き
込みアドレスを計算する(ステップA1)。すなわち、
ブロック使用管理テーブル142に書き込まれているブ
ロック使用管理データを参照して書き込み可能な領域を
見つける。この場合、不良ブロックは使用済みとして管
理されているので、再度利用することはない。
ータの書き込みを行なう(ステップA2)。この場合、
ホストデバイスから送られてくるデータをRAM14の
書き込みデータバッファ144にブロック単位で保持
し、上記書き込みアドレスに対して書き込みを行なう。
その後、ライトステータス、つまり、データ書き込みの
処理ステータスが正常か否かを判別する(ステップA
3)。
つかっても不良ブロックをブロック使用管理テーブル1
42に直ちに登録することはしない。すなわち、上記ス
テップA3で、ライトステータスが異常であると判定さ
れた場合には、先行状態が異常であるとし(ステップA
4)、リトライを継続するか終了するかをリトライ回数
から判別する(ステップA5)。このステップA5で
は、予め設定されたリトライ回数に達したか否かによっ
てリトライを継続するか終了するかを判別し、リトライ
回数が設定値に達していなければ、ステップA1に戻
り、異なるブロックを見つけてデータの再書き込みを行
なう。上記ステップA5で、リトライ回数が設定値に達
したと判定された場合には、ステップA6に進んでエラ
ー終了とし、シングルライト処理を終了する。
スが正常であると判定された場合には、上記のデータ書
き込みがリトライ処理であるか否かを判別し(ステップ
A7)、リトライ処理であった場合には、先行状態、つ
まり、前回の書き込みが正常か否かを判別する(ステッ
プA8)。書き込み異常の場合には、不良データと判断
し、前回のライト時に利用したアドレスを不良ブロック
とし(ステップA9)、ステップA10で先行状態を正
常にした後、ブロック使用管理テーブル142を更新す
る(ステップA11)。例えば図3(a)に示すように
ブロック使用管理テーブル142が全て未使用状態とな
っているとき、最初のデータ書き込みがエラーとなって
リトライ処理を行ない、その結果、データを正しく書け
た場合には、図3(b)に示すように、そのブロックに
対する管理データを“0”に書き換えて使用状態とする
と共に、その1つ前に書き込みを行なったブロックを不
良ブロックとして“0”に書き換える。
データの書き込みが正常に行なわれた場合において、図
3(c)に示すように1つ前のブロックが既に使用状態
となっており、その前のブロックが前回書き込みを行な
ったブロックであった場合には、図3(d)に示すよう
に正常に書き込みができた今回のブロックに“0”を書
き込むと共に、前回書き込みを行なった2つ前のブロッ
クを不良ブロックとして“0”を書き込む。
はないと判定された場合、あるいはステップA8で先行
状態が正常であると判定された場合には、ステップA1
0で先行状態を正常にした後、ブロック使用管理テーブ
ル142を更新する(ステップA11)。この場合に
は、データの書き込みが正常に行なわれたブロックに対
して“0”を書き込んで使用状態とする。
てシングルライト処理を終了する。
データ書き込みを行なった際にエラーが発生してもブロ
ック使用管理テーブル142に不良ブロックの登録は行
なわず、その後、リトライ処理によって正常に処理を終
了した場合に、前回の書き込み時に利用したアドレスを
不良ブロックとしてブロック使用管理テーブル142を
更新するようにしているので、メモリ自身の要因によっ
てエラーが発生した場合のみブロック使用管理テーブル
142が更新される。従って、システム的な要因による
エラーの場合には、ブロック使用管理テーブル142が
更新されることはなく、リトライを繰り返して実施した
場合においても、再書き込み実施試行分の不良ブロック
判定を回避することが可能であり、不揮発性メモリの寿
命が短くなることを確実に防止することができる。
込み処理について図5に示すフローチャートを参照して
説明する。
る書き込みが指示されると、コントローラ12は、ま
ず、ブロック使用管理テーブル142に書き込まれてい
る管理データを利用して、フラッシュメモリ15の書き
込み可能な空きブロックを選択し(ステップB1)、こ
の空きブロックに対してデータの書き込みを行なう(ス
テップB2)。この場合、ホストデバイスから送られて
くるデータがRAM14の書き込みデータバッファ14
4に順次書き込まれ、このデータが上記空きブロックに
書き込まれる。その後、ライトステータス、つまり、デ
ータ書き込みの処理ステータスが正常か否かを判別する
(ステップB3)。
異常であると判定された場合には、先行状態が異常であ
るとし、エラーデータをRAM14のエラー管理テーブ
ル143に登録する(ステップB4)。書き込みエラー
が発生した場合、コントローラ12からホストインタフ
ェース11を介してホストデバイスに書き込みエラーの
発生を示すデータが送られる。これによりホストデバイ
スから再書き込み要求が指示される(ステップB5)。
り、エラー管理テーブル143を参照して他の空きブロ
ックの選択動作を行ない(ステップB6)、その空きブ
ロックに対してリトライ処理を行なう(ステップB
7)。すなわち、ホストデバイスから送られてくるデー
タを書き込みデータバッファ144に順次保持し、上空
きブロックへの書き込みを行なう。
の書き込みが正常に行なわれたか否かを判別し(ステッ
プB8)、書き込み異常が発生した場合にはステップB
5に戻り、上記した処理を繰り返して実行する。
処理を終了したと判定された場合には、上記エラー管理
テーブル143に登録されているエラー管理データをク
リアすると共にブロック使用管理テーブル142を更新
し(ステップB9)、正常終了(ステップB10)とし
てマルチプルライト処理を終了する。
合、RAM14の書き込みデータバッファ144には書
き込みデータの一部しか保持されていない。このため書
き込みデータバッファ144の保持データに基づくリト
ライを実施することができず、上記シングルライトの場
合のようにリトライによって正常に書き込みができたと
いう行為によって1つ前に書き込みを行なったブロック
を不良ブロックであると判断することはできない。ま
た、ホストデバイスからの書き込み再要求によって再度
不良ブロック化できない事態が考えられる。
理においては、上記したように書き込みエラーを発生し
たブロックについてエラー管理テーブル143に登録
し、ブロック使用管理テーブル142とは別管理にす
る。その後、ホストデバイスからの再書き込み要求によ
り、上記エラー管理テーブル143に登録されたエラー
管理データに基づいて空きブロックを選択することでリ
トライ動作を可能としている。そして、リトライ動作が
正しく実施されたことで上記エラー管理テーブル143
に登録されているエラー管理データをクリアする。
が発生した場合、そのエラーがメモリ自身の要因である
か、システム的な要因に起因するものか判断できないの
で、ブロック使用管理テーブル142の更新は行なわな
い。このようにエラーが発生したと判断されたブロック
をそのまま未使用領域として残しておいても、その後、
図5で説明したシングルライト処理において、そのエラ
ーがメモリ自身の要因であるか、システム的な要因に起
因するものかを判断できるので問題はない。上記したよ
うにマルチプルライト処理の場合には、エラーが発生し
てもブロック使用管理テーブル142が更新されること
はなく、不揮発性メモリの寿命が短くなることを確実に
防止することができる。
を備えたメモリカードに実施した場合について説明した
が、その他、例えばコンピュータが内蔵する不揮発性メ
モリに対しても、上記実施形態と同様にして実施し得る
ものである。
ングルライト処理により不揮発性メモリへデータ書き込
みを行なった際にエラーが発生しても不良ブロックを直
ちにブロック使用管理テーブルに登録することはせず、
その後、リトライ処理によって正常に書き込みができた
場合に、前回の書き込み時に利用したアドレスを不良ブ
ロックとしてブロック使用管理テーブルを更新するよう
にしているので、メモリ自身の要因によってエラーが発
生した場合のみブロック使用管理テーブルが更新され
る。従って、システム的な要因によるエラーの場合に
は、ブロック使用管理テーブルが更新されることはな
く、不揮発性メモリの寿命が短くなることを確実に防止
することができる。また、マルチプルライト処理におい
ては、書き込みエラーが発生した場合に、エラーデータ
をエラー管理テーブルに登録し、ホストデバイスからの
再書き込み要求により上記エラー管理テーブルに登録さ
れたエラー管理データに基づいて空きブロックを選択し
てリトライ処理を行ない、リトライ動作が正しく実施さ
れたことでエラー管理テーブルをクリアするようにした
ので、システム的な要因によるエラーによってブロック
使用管理テーブルが更新されることはなく、不揮発性メ
モリを効率的に使用して長寿命化を図ることができる。
構成を示すブロック図。
の構成例を示す図。
の管理データ例を示す図。
を示すフローチャート。
作を示すフローチャート。
Claims (4)
- 【請求項1】 書き換え可能な不揮発性メモリを搭載し
たメモリカードにおいて、 上記不揮発性メモリのデータ書き込み状態を管理するブ
ロック使用管理テーブルと、シングルライト処理により
上記不揮発性メモリへブロック単位でデータを書き込む
手段と、上記データの書き込みが正常に実行されたか否
かを判定し、データの書き込みが正常に実行された場合
に上記ブロック使用管理テーブルを更新し、対応するブ
ロックへの再書き込みを禁止する手段と、上記データの
書き込みが正常に実行されなかった場合に上記不揮発性
メモリの異なるブロックへデータの書き込みをリトライ
する手段と、上記リトライによってデータの書き込みが
正常に実行された場合に前回の書き込み時に利用したア
ドレスを不良ブロックとして上記ブロック使用管理テー
ブルを更新する手段とを具備することを特徴とするメモ
リカード。 - 【請求項2】 書き換え可能な不揮発性メモリを搭載し
たメモリカードにおいて、 上記不揮発性メモリのデータ書き込み状態を管理するブ
ロック使用管理テーブルと、マルチプルライト処理によ
り上記不揮発性メモリへブロック単位でデータを書き込
む手段と、上記データの書き込みが正常に実行されたか
否かを判定し、データの書き込みが正常に実行された場
合に上記ブロック使用管理テーブルを更新し、対応する
ブロックへの再書き込みを禁止する手段と、上記データ
の書き込みが正常に実行されなかった場合にエラーデー
タが登録されるエラー管理テーブルと、ホストデバイス
からの再書き込み要求により上記エラー管理テーブルを
参照して空きブロックを選択しデータの書き込みをリト
ライする手段と、上記リトライによってデータの書き込
みが正常に実行された場合に上記エラー管理テーブルに
登録されているエラー管理データをクリアする手段とを
具備することを特徴とするメモリカード。 - 【請求項3】 シングルライト処理により不揮発性メモ
リへブロック単位でデータを書き込む第1のステップ
と、データの書き込みが正常に実行されたか否かを判定
する第2のステップと、上記データの書き込みが正常に
実行された場合にブロック使用管理テーブルを更新し、
そのブロックへの再書き込みを禁止する第3のステップ
と、上記データの書き込みが正常に実行されなかった場
合に異なるブロックへリトライする第4のステップと、
上記リトライによってデータの書き込みが正常に実行さ
れた場合に前回の書き込み時に利用したアドレスを不良
ブロックとして上記ブロック使用管理テーブルを更新す
る第5のステップとを具備することを特徴とする不揮発
性メモリのデータ書き込み方法。 - 【請求項4】 マルチプルライト処理により不揮発性メ
モリへデータを書き込む第1のステップと、データの書
き込みが正常に実行されたか否かを判定する第2のステ
ップと、上記データの書き込みが正常に実行された場合
にブロック使用管理テーブルを更新し、そのブロックへ
の再書き込みを禁止する第3のステップと、上記データ
の書き込みが正常に実行されなかった場合にエラーデー
タをエラー管理テーブルに登録する第4のステップと、
ホストデバイスからの再書き込み要求により上記エラー
管理テーブルを参照して空きブロックを選択してリトラ
イする第5のステップと、上記リトライによってデータ
の書き込みが正常に実行された場合に上記エラー管理テ
ーブルに登録されているエラー管理データをクリアする
第6のステップとを具備することを特徴とする不揮発性
メモリのデータ書き込み方法。
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Related Child Applications (1)
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Country | Link |
---|---|
US (1) | US6601132B2 (ja) |
JP (1) | JP4031190B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007519996A (ja) * | 2003-12-30 | 2007-07-19 | サンディスク コーポレイション | 不揮発性メモリおよびフェーズ化されたプログラム障害処理を伴う方法 |
JP2008119341A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Daiman:Kk | 遊技機 |
US7472331B2 (en) | 2004-07-16 | 2008-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory systems including defective block management and related methods |
US7624298B2 (en) | 2004-02-03 | 2009-11-24 | Panasonic Corporation | Memory card, data processor, memory card control method and memory card setting |
US7849382B2 (en) | 2004-05-19 | 2010-12-07 | Panasonic Corporation | Memory control circuit, nonvolatile storage apparatus, and memory control method |
KR20120005838A (ko) * | 2010-07-09 | 2012-01-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
JP2012130785A (ja) * | 2012-04-09 | 2012-07-12 | Daiichi Shokai Co Ltd | 遊技機 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030056141A1 (en) * | 2001-09-18 | 2003-03-20 | Lai Chen Nan | Control method used in and-gate type system to increase efficiency and lengthen lifetime of use |
US20030217210A1 (en) * | 2002-05-15 | 2003-11-20 | Carau Frank P. | Memory card having an integral battery that powers an electronic device |
US7299314B2 (en) * | 2003-12-31 | 2007-11-20 | Sandisk Corporation | Flash storage system with write/erase abort detection mechanism |
US7464306B1 (en) | 2004-08-27 | 2008-12-09 | Lexar Media, Inc. | Status of overall health of nonvolatile memory |
JP2006139556A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Toshiba Corp | メモリカード及びそのカードコントローラ |
US8041879B2 (en) * | 2005-02-18 | 2011-10-18 | Sandisk Il Ltd | Flash memory backup system and method |
JP2006309829A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Nec Electronics Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法 |
JP4933861B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2012-05-16 | 株式会社日立製作所 | ストレージ制御装置、データ管理システムおよびデータ管理方法 |
US7568075B2 (en) * | 2005-09-22 | 2009-07-28 | Hitachi, Ltd. | Apparatus, system and method for making endurance of storage media |
US7624239B2 (en) * | 2005-11-14 | 2009-11-24 | Sandisk Corporation | Methods for the management of erase operations in non-volatile memories |
US7783845B2 (en) * | 2005-11-14 | 2010-08-24 | Sandisk Corporation | Structures for the management of erase operations in non-volatile memories |
US7921340B2 (en) * | 2006-01-20 | 2011-04-05 | Panasonic Corporation | Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system, and defect management method for nonvolatile memory device |
KR100809319B1 (ko) * | 2006-09-13 | 2008-03-05 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리에서 연속한 섹터 쓰기 요청에 대해 원자성을제공하는 장치 및 방법 |
US8397015B2 (en) * | 2007-05-10 | 2013-03-12 | Panasonic Corporation | Memory controller, semiconductor recording device, and method for notifying the number of times of rewriting |
US8266391B2 (en) * | 2007-06-19 | 2012-09-11 | SanDisk Technologies, Inc. | Method for writing data of an atomic transaction to a memory device |
US20080320253A1 (en) * | 2007-06-19 | 2008-12-25 | Andrew Tomlin | Memory device with circuitry for writing data of an atomic transaction |
US8775758B2 (en) * | 2007-12-28 | 2014-07-08 | Sandisk Technologies Inc. | Memory device and method for performing a write-abort-safe firmware update |
US8694714B2 (en) * | 2008-01-18 | 2014-04-08 | Spansion Llc | Retargeting of a write operation retry in the event of a write operation failure |
US8397024B2 (en) * | 2008-10-25 | 2013-03-12 | Sandisk 3D Llc | Page buffer program command and methods to reprogram pages without re-inputting data to a memory device |
KR101543431B1 (ko) * | 2008-11-20 | 2015-08-11 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 액세스 방법 |
KR101624969B1 (ko) * | 2009-05-26 | 2016-05-31 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 배드 블록 관리 방법 |
TWI473103B (zh) * | 2011-09-14 | 2015-02-11 | 威剛科技股份有限公司 | 快閃記憶體儲存裝置及其不良儲存區域的判定方法 |
US10552043B2 (en) * | 2014-09-09 | 2020-02-04 | Toshiba Memory Corporation | Memory system |
US9442839B1 (en) | 2015-05-26 | 2016-09-13 | Sandisk Technologies Llc | Nonvolatile storage with automated response to program faults |
JP6391172B2 (ja) | 2015-09-10 | 2018-09-19 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステム |
KR102299682B1 (ko) | 2017-09-13 | 2021-09-09 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러의 동작 방법 및 그것을 포함하는 저장 장치 및 저장 장치의 동작 방법 |
US11194663B2 (en) * | 2019-09-20 | 2021-12-07 | DigitalOcean, LLC | Protocol for improving rebuild times of redundant array of independent disks |
CN111309361A (zh) * | 2020-02-13 | 2020-06-19 | 北京集创北方科技股份有限公司 | 数据读写方法及装置、电子设备、存储介质 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW261687B (ja) * | 1991-11-26 | 1995-11-01 | Hitachi Seisakusyo Kk | |
US5473753A (en) * | 1992-10-30 | 1995-12-05 | Intel Corporation | Method of managing defects in flash disk memories |
US5907856A (en) * | 1995-07-31 | 1999-05-25 | Lexar Media, Inc. | Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture |
JPH0954726A (ja) | 1995-08-18 | 1997-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 記憶装置 |
US5956473A (en) * | 1996-11-25 | 1999-09-21 | Macronix International Co., Ltd. | Method and system for managing a flash memory mass storage system |
JP3072722B2 (ja) * | 1997-06-20 | 2000-08-07 | ソニー株式会社 | フラッシュメモリを用いるデータ管理装置及びデータ管理方法並びにフラッシュメモリを用いる記憶媒体 |
JP3565687B2 (ja) * | 1997-08-06 | 2004-09-15 | 沖電気工業株式会社 | 半導体記憶装置およびその制御方法 |
-
2000
- 2000-09-29 JP JP2000301521A patent/JP4031190B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-09-12 US US09/949,796 patent/US6601132B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007519996A (ja) * | 2003-12-30 | 2007-07-19 | サンディスク コーポレイション | 不揮発性メモリおよびフェーズ化されたプログラム障害処理を伴う方法 |
US7624298B2 (en) | 2004-02-03 | 2009-11-24 | Panasonic Corporation | Memory card, data processor, memory card control method and memory card setting |
US7849382B2 (en) | 2004-05-19 | 2010-12-07 | Panasonic Corporation | Memory control circuit, nonvolatile storage apparatus, and memory control method |
US7472331B2 (en) | 2004-07-16 | 2008-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory systems including defective block management and related methods |
JP2008119341A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Daiman:Kk | 遊技機 |
KR20120005838A (ko) * | 2010-07-09 | 2012-01-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
KR101660985B1 (ko) | 2010-07-09 | 2016-10-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
JP2012130785A (ja) * | 2012-04-09 | 2012-07-12 | Daiichi Shokai Co Ltd | 遊技機 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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