JP2002105288A - エポキシ系樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】リフロー時の耐剥離性、膨れ特性などの信頼
性、および成形時の充填性がすぐれたエポキシ樹脂組成
物を提供する。 【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填
材（Ｃ）を含有するエポキシ樹脂組成物であって、前記
充填材（Ｃ）の割合が樹脂組成物全体の８８〜９６重量
％であり、それらを配合して得られる硬化物の曲げ弾性
率が２６０℃で０．７〜１．２ＧＰａであることを特徴
とするエポキシ系樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、耐リフロー信頼性
及び成形性に優れ、特に半導体封止用として好適なエポ
キシ系樹脂組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】エポキシ樹脂は耐熱性、耐湿性、電気特
性および接着性などに優れており、さらに配合処方によ
り種々の特性が付加できるため、塗料、接着剤、電気絶
縁材料など工業材料として利用されている。

【０００３】例えば、半導体装置などの電子回路部品の
封止方法として、従来より金属やセラミックスによるハ
ーメッチックシールとフェノール樹脂、シリコーン樹
脂、エポキシ樹脂などによる樹脂封止が提案されてお
り、一般にこのような封止に使用される樹脂を封止材樹
脂と呼んでいる。その中でも、経済性、生産性、物性の
バランスの点からエポキシ樹脂による樹脂封止が最も盛
んに行われている。そして、エポキシ樹脂による封止方
法は、エポキシ樹脂に硬化剤、充填材などを添加した組
成物を用い、半導体素子を金型にセットしてトランスフ
ァー成型法などにより封止する方法が一般的に行われて
いる。

【０００４】最近はプリント基板への半導体装置パッケ
ージの実装において高密度化、自動化が進められてお
り、従来のリードピンを基板の穴に挿入する“挿入実装
法式”に代わり、基板表面に半導体装置パッケージを半
田付けする“表面実装方式”が盛んになってきた。それ
に伴い、半導体装置パッケージも従来のＤＩＰ（デュア
ル・インライン・パッケージ）から、高密度実装・表面
実装に適した薄型のＦＰＰ（フラット・プラスチック・
パッケージ）に移行しつつある。その中でも最近では、
微細加工技術の進歩により、厚さ２ｍｍ以下のＴＳＯ
Ｐ、ＴＱＦＰ、ＬＱＦＰが主流となりつつある。そのた
め湿度や温度など外部からの影響をいっそう受けやすく
なり、半田耐熱性、高温信頼性、耐熱信頼性などの信頼
性が今後ますます重要となってくる。

【０００５】表面実装においては、通常半田リフローに
よる実装が行われる。この方法では、基板の上に半導体
装置パッケージを乗せ、これらを２００℃以上の高温に
さらし、基板にあらかじめつけられた半田を溶融させて
半導体装置パッケージを基板表面に接着させる。このよ
うな実装方法では半導体装置パッケージ全体が高温にさ
らされるために封止樹脂の吸湿性が高いと封止樹脂と半
導体チップ、あるいは封止樹脂とリードフレームの間の
剥がれや、吸湿した水分が半田リフロー時に爆発的に膨
張し、クラックが生じるという現象が起こる。また薄型
パッケージの場合、リフロー時にシリコンチップとリー
ドフレームの間の吸湿した銀ペースト層の剥離によりパ
ッケージ底部が押し下げられてパッケージ底部が膨らむ
現象（膨れ特性）が起こり問題になっている。更に、近
年では環境保護の点から鉛を含んでいない鉛フリー半田
の使用が進んでいる。鉛フリー半田は融点が高く、その
ためリフロー温度も上がることになりこれまで以上の耐
リフロー信頼性が求められている。

【０００６】一般的に耐リフロー信頼性を向上させるに
は封止樹脂中の充填材の割合を上げることが有効である
ことが知られている。封止樹脂中の樹脂成分を減らすこ
とにより吸湿性が低下するからである。しかしながら、
封止樹脂中の充填材の割合が９０重量％を越えると、一
般に硬化物の弾性率が増大することに起因する応力の増
大により半導体部材との密着性が悪化し、リフロー時に
剥離が発生するという問題が起こる。また充填材の割合
を増やすことにより流動性が悪化し、パッケージ未充填
やステージシフトなどの問題が起こる。

【０００７】一方、リフロー時の密着性を向上するため
の低応力化の手段として硬化物のリフロー温度（２６０
℃）での曲げ弾性率を低くする方法が提案されている
（特開平７−３１２４０１号公報）が曲げ弾性率を低下
させすぎると膨れ特性が低下する問題が発生する。また
従来の技術ではリフロー温度（２６０℃）での曲げ弾性
率を適正な範囲に保ち、かつ充填材の割合を９０重量％
を越えるまで高めるのは困難であった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
のような事情に鑑みてなされたものであり、より高温の
リフロー温度において、耐リフロー信頼性に優れ、成型
時の充填性に優れるエポキシ系樹脂組成物、及び該エポ
キシ系樹脂組成物で封止してなる半導体装置の提供を目
的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために鋭意検討した結果、本発明に到達し
た。 すなわち本発明は、主として次の構成を有する。
すなわち、「エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填
材（Ｃ）を含有するエポキシ樹脂組成物であって、前記
充填材（Ｃ）の割合が樹脂組成物全体の９０〜９６重量
％であり、それらを配合して得られる硬化物の曲げ弾性
率が２６０℃で０．７〜１．２ＧＰａであることを特徴
とするエポキシ系樹脂組成物。」である。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。

【００１１】一般的には、半田耐熱性を向上させるには
封止樹脂中の充填材の割合を上げ封止樹脂中の樹脂成分
を減らすことにより、吸湿性を低下させる方法が有効で
ある。しかしながら単純な充填材の割合の割合増加では
硬化物の弾性率が増大し、それに伴う応力の増大により
半導体部材との密着性が悪化し、リフロー時の剥離発生
につながるため、充填材の割合を９０重量％を以上と
し、なおかつ同時に接着性を向上するための低応力化の
手段として硬化物のリフロー温度（２６０℃）での曲げ
弾性率を０．７〜１．２ＧＰａとするのが重要である。
２６０℃での曲げ弾性率が１．２ＧＰａを越えると半導
体部材との密着性が悪化しリフロー時に剥離が発生す
る。また、２６０℃での曲げ弾性率が０．７ＧＰａ未満
であると膨れ特性が低下する。

【００１２】またパッケージの充填性を確保するため溶
融粘度は低い方が望ましく、リフロー信頼性とパッケー
ジの充填性とを同時に満足するため、充填材の割合を９
０重量％を以上としつつ、同時に最低溶融粘度は２０Ｐ
ａ・ｓｅｃ以下とすることが望ましい。

【００１３】本発明において、上記の性能を得るため以
下に示す組成とするのが好ましい。

【００１４】充填材（Ｃ）の割合が樹脂組成物全体の９
０〜９６重量％で２６０℃での曲げ弾性率が０．７〜
１．２ＧＰａのものを得る手法としては特に限定はされ
ないが、例えば低応力化剤を添加する方法、エポキシ樹
脂と硬化剤の配合比を調整する方法、エポキシ樹脂、硬
化剤それぞれ低弾性となるものを選択する方法などが挙
げられる。

【００１５】低応力化剤の種類は特に限定されないが、
たとえばシリコーンゴム、オレフィン系共重合体、スチ
レン系共重合体、変成ニトリルゴム、変成ポリブタジエ
ンゴム、ウレタン系エラストマーなどの熱可塑性エラス
トマー、ポリエチレン、シリコーンオイル、長鎖脂肪酸
のエステル、長鎖脂肪酸のアミドなどが挙げられる。ま
た、後述するカップリング剤に低応力化剤としての役割
を期待し、その種類、量を最適化する方法も挙げられ
る。

【００１６】エポキシ樹脂と硬化剤の配合比の調整によ
り低弾性化する場合、エポキシ樹脂（Ａ）のエポキシ基
量に対する硬化剤（Ｂ）の水酸基の当量比は０．６〜
１．３の範囲が好ましい。

【００１７】本発明におけるエポキシ樹脂（Ａ）は１分
子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物であれば特
に限定されず、モノマー、オリゴマー、ポリマー全般で
ある。例えばクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、４，４´−ビス
（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェニル、 ４，４
´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３´，
５，５´−テトラメチルビフェニル、４，４´−ビス
（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３´，５，５´
−テトラエチルビフェニル、４，４´−ビス（２，３−
エポキシプロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラブ
チルビフェニルなどのビフェニル型エポキシ樹脂、フェ
ノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ
型エポキシ樹脂、トリフェノール型エポキシ樹脂、ジシ
クロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェニル
メタン型エポキシ樹脂、およびハロゲン化エポキシ樹脂
などが挙げられ、これらを単独で用いても２種類以上併
用してもよい。

【００１８】エポキシ樹脂（Ａ）の配合量はエポキシ樹
脂組成物全体に対して通常２〜２５重量％、特に２〜１
０重量％が好ましい。

【００１９】エポキシ樹脂（Ａ） として、好ましくは
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、より好ましくは下記
化学式（Ｉ）で示されるテトラメチルビスフェノールＦ
型エポキシ樹脂（ａ）が使用される。本エポキシ樹脂の
使用により封止樹脂組成物の粘度が下がり、成形性が向
上する上、吸湿性が下がることにより膨れ特性も向上す
る。テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
（ａ）の含有量はエポキシ樹脂（Ａ）に対して５０〜１
００重量％が好ましい。

【００２０】

【化２】

【００２１】本発明における硬化剤（Ｂ）は、エポキシ
樹脂（Ａ）と反応して硬化させるものであれば特に限定
されず、それらの具体例としては、例えばフェノールノ
ボラック、クレゾールノボラック、ナフトールノボラッ
クなどのノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹
脂、、ビフェニル骨格含有フェノールアラルキル樹脂、
ジシクロペンタジエン骨格含有フェノール樹脂、、ナフ
トールアラルキル樹脂、ビスフェノールＡなどのビスフ
ェノール化合物、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水
ピロメリット酸などの酸無水物およびメタフェニレンジ
アミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニ
ルスルホンなどの芳香族アミンなどがあげられこれらを
単独で用いても、２種以上の硬化剤を併用しても良い。

【００２２】また、本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）
と硬化剤（Ｂ）の硬化反応を促進するため硬化触媒を用
いても良い。硬化触媒は硬化反応を促進するものであれ
ば特に限定されず、たとえば２−メチルイミダゾール、
２，４−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチ
ルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェ
ニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミ
ダゾールなどのイミダゾール化合物、トリエチルアミ
ン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルメチ
ルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、
２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノー
ル、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン
−７などの３級アミン化合物、ジルコニウムテトラメト
キシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラキス
（アセチルアセトナト）ジルコニウム、トリ（アセチル
アセトナト）アルミニウムなどの有機金属化合物および
トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ
エチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−
メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）
ホスフィンなどの有機ホスフィン化合物があげられる。
なかでも信頼性および成形性の点から有機ホスフィン化
合物が好ましく、トリフェニルホスフィンが特に好まし
く用いられる。

【００２３】これらの硬化触媒は、用途によっては二種
以上を併用してもよく、その添加量はエポキシ樹脂
（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部の範囲
が望ましい。

【００２４】本発明における充填材（Ｃ）としては、無
機充填材が好ましく、具体的には溶融シリカ、結晶性シ
リカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、
マグネシア、クレー、タルク、ケイ酸カルシウム、酸化
チタン、酸化アンチモンなどの金属酸化物、アスベス
ト、ガラス繊維およびガラス球などが挙げられるが、中
でも非晶性シリカは線膨脹係数を低下させる効果が大き
く、低応力化に有効ななため好ましく用いられる。非晶
性シリカの例としては、石英を溶融して製造した非晶性
シリカがあげられ、形状としては、破砕状のものや球状
のものが用いられ、流動性の点から球状のものが好まし
く使用される。

【００２５】ここでいう非晶性シリカは、一般的には真
比重が２．３以下のものを意味する。この非晶性シリカ
の製造においては必ずしも溶融状態を経る必要はなく、
任意の製造方法を用いることができ、例えば結晶性シリ
カを溶融する方法および金属ケイ素の酸化による方法、
アルコキシシランの加水分解など、各種原料からの合成
方法が使用できる。

【００２６】充填材の粒径および組成については、特に
限定はないが、流動性、成形時のバリ低減の点から、平
均粒径（メディアン径を意味する。以下同じ。）が５〜
３０μｍの範囲にあることが特に好ましい。また、平均
粒径または粒度分布の異なる充填材を２種以上組み合わ
せることもできる。

【００２７】本発明において、充填材（Ｃ）の割合が全
樹脂組成物に対して９０〜９６重量％であることが必要
である。充填剤（Ｃ）の含有量が９０重量％未満である
と封止樹脂の吸湿性が増加する傾向があり、また良好な
半田耐熱性が得られない。また９６重量％を超えると接
着性やパッケージ充填性が低下してしまう。

【００２８】更に封止材全体における無機物の割合が高
いため、難燃性が高くなり、従来使用されていた難燃剤
を使用しなくても難燃性を維持することができる。この
ことにより、従来から難燃剤として使用してきたハロゲ
ン成分を封止材成分に添加する必要がなくなり、環境保
護の点で好ましい。

【００２９】また得られる半導体装置のソフトエラーの
問題を回避するために、ウラン、トリウムなどα線放出
物質の濃度を、組成物中極めて少なくすることが好まし
い。

【００３０】本発明では、シランカップリング剤、チタ
ンカップリング剤などのカップリング剤を配合すること
ができる。これらのカップリング剤で充填材を他の構成
成分とブレンドする以前に処理しておくことがより好ま
しい。カップリング剤としては好ましくは、シランカッ
プリング剤が好ましく使用され、シランカップリング剤
としては、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基など
の加水分解性基および有機基がケイ素原子に直結したも
の、およびその部分加水分解縮合物が一般的に用いられ
る。シランカップリング剤中の有機基としては、窒素原
子、酸素原子、ハロゲン原子、硫黄原子などによって置
換された炭化水素基のものが使用される。 シランカッ
プリング剤の具体的な例としては、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピル
メチルジメトキシシシラン、γ−（２，３−エポキシシ
クロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ
−フェニルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、γ−
（Ｎ−フェニルアミノ）プロピルメチルジメトキシシラ
ン、γ−（Ｎ−メチルアミノ）プロピルトリメトキシシ
ラン、γ−（Ｎ−メチルアミノプロピル）メチルジメト
キシシラン、γ−（Ｎ−エチルアミノ）プロピルトリメ
トキシシラン、γ−（Ｎ−エチルアミノ）プロピルメチ
ルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−（Ｎ−エチルアミノ）プロピルメチ
ルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチル
ジメトキシシラン、γ−メルカトプロピルトリメトキシ
シラン、γ−メルカトプロピルメチルジメトキシシラ
ン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルト
リメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−ア
ミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（アミ
ノエチル）−γ−アミノプロピルトリエチルシラン、γ
−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルトリ
メトキシシランなどが挙げられる。

【００３１】カップリング剤の配合割合としては組成物
全量に対して０．１〜２重量％添加することが流動性及
び充填性の点で好ましい。

【００３２】本発明の組成物では、前述のように無機物
の割合が高いため、難燃性が高くなり、従来使用されて
いた難燃剤を使用しなくても難燃性を維持することがで
きる。しかし、必須成分ではないが難燃性をさらに向上
させる目的でブロム化合物を配合できる。ブロム化合物
は、通常、樹脂組成物に難燃剤として添加されるもので
あれば、特に限定されない。 ブロム化合物の好ましい
具体例としては、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂、ブロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂な
どのブロム化エポキシ樹脂、ブロム化ポリカーボネート
樹脂、ブロム化ポリスチレン樹脂、ブロム化ポリフェニ
レンオキサイド樹脂、テトラブロモビスフェノールＡ、
デカブロモジフェニルエーテルなどがあげられ、なかで
も、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム
化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化
エポキシ樹脂が、成形性の点から特に好ましい。

【００３３】同様に、本発明の組成物では、必須成分で
はないがアンチモン化合物を配合できる。これは通常半
導体封止用エポキシ樹脂組成物に難燃助剤として添加さ
れるもので、特に限定されず、公知のものが使用でき
る。アンチモン化合物の好ましい具体例としては、三酸
化アンチモン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモンが
あげられる。

【００３４】これら難燃剤、難燃助剤は、樹脂組成物か
ら発生する不要物の廃棄の容易さ、および半導体装置の
信頼性の観点からハロゲン原子およびアンチモン原子そ
れぞれが、樹脂組成物に対して０．２重量％以下、さら
には実質的に配合されていないことが好ましい。

【００３５】本発明のエポキシ樹脂組成物は、さらに次
に挙げる各種添加剤を任意に含有することができる。カ
ーボンブラックおよび酸化鉄などの各種着色剤や各種顔
料、シリコーンゴム、オレフィン系共重合体、変性ニト
リルゴム、変性ポリブタジエンゴムなどの各種エラスト
マー、シリコーンオイル、ポリエチレンなどの各種熱可
塑性樹脂、フッ素系、シリコーン系などの界面活性剤、
長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステ
ル、長鎖脂肪酸のアミドおよびパラフィンワックスなど
の各種離型剤およびハイドロタルサイト類などのイオン
捕捉剤、有機過酸化物などの架橋剤。

【００３６】本発明のエポキシ系樹脂組成物は上記各成
分を溶融混練によって製造することが好ましい。たとえ
ばバンバリーミキサー、ニーダー、ロール、単軸もしく
は二軸の押出機およびコニーダーなどの公知の混練方法
を用いて溶融混練することにより、製造される溶融混練
の温度としては、通常７０〜１５０℃の範囲が使用され
る。

【００３７】本発明のエポキシ樹脂組成物は、加熱混練
で溶融し、冷却さらに粉砕した粉末の形状、粉末を打錠
して得られるタブレットの形状、加熱混練で溶融し、型
内で冷却固化したタブレットの形状、加熱混練で溶融
し、押し出ししてさらに切断したペレットの形状などの
状態で使用できる。

【００３８】そしてこれらの形状から半導体素子の封止
に供され半導体装置の製造が行われる。半導体を基板に
固定した部材に対して、本発明のエポキシ樹脂組成物
を、例えば１２０〜２５０℃、好ましくは１５０〜２０
０℃の温度で、トランスファ成形、インジェクション成
形、注型法などの方法で成形して、エポキシ樹脂の硬化
物によって封止された半導体装置が製造される。また必
要に応じて追加熱処理（例えば、１５０〜２００℃、２
〜１６時間）を行うことができる。

【００３９】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。なお、本発明はここに掲げた実施例によって限定さ
れるものではない。実施例中の％は重量％を示す。

【００４０】表１に示した成分を表２〜３に示す組成比
で、ミキサーによりドライブレンドした後、ロール表面
温度９０℃のミキシングロールを用いて５分間加熱混練
後、冷却、粉砕して半導体封止用のエポキシ樹脂組成物
を得た。

【００４１】

【表１】

【００４２】

【化３】

【００４３】

【化４】

【００４４】

【化５】

【００４５】＜２６０℃曲げ弾性率評価＞樹脂組成物の
硬化物についてＪＩＳ−Ｋ−６９１１、５．１７に準じ
て２６０℃での曲げ弾性率を測定した。なお、キュアタ
イム175℃90秒の成形条件で１２８ｍｍ×１２．８ｍｍ
×６．４ｍｍの試験片を作成し、これを１７５℃、１２
時間の条件でポストキュアしたものを試験に用いた。曲
げ測定はオリエンテックコーポレーション社製テンシロ
ンを用い、ひずみ速度３ｍｍ／ｍｉｎ、支点間距離は１
０ｍｍにて行った。

【００４６】＜最低溶融粘度評価＞島津製作所製高化式
フローテスターを用い、１７５℃、荷重１０ｋｇで溶融
粘度測定し、その最低値を最低溶融粘度とした。

【００４７】＜耐剥離性（耐リフロー信頼性）評価＞得
られた樹脂組成物について１７６ｐｉｎＬＱＦＰ（外
形：２４×２４×１．４ｍｍ、フレーム材料：銅）用金
型を用いて、低圧トランスファー成形機で金型温度１７
５℃、キュアータイム１分間の条件でパッケージを成形
した。なお評価用のチップとしては表面に窒化珪素膜を
被覆した模擬素子を搭載した、チップサイズ１０×１０
ｍｍのものを用いた。上記成形により得られた１７６ｐ
ｉｎＬＱＦＰのパッケージ１０個を１８０℃、６時間の
条件でポストキュアーした後、８５℃／６０％ＲＨで２
４時間加湿した。これを温度２６０℃のＩＲリフロー炉
で１０秒間加熱処理した後、サンプルを超音波探傷機を
用いて、チップ表面からの剥離を観察した。剥離が発生
した不良パッケージを除く、良好に得られたパッケージ
数を求めた。

【００４８】＜耐膨れ特性（耐リフロー信頼性）評価＞
上記成形により得られた１７６ｐｉｎＬＱＦＰのパッケ
ージ１０個を１８０℃、６時間の条件でポストキュアー
した後、マイクロメーターにてパッケージ中央部のの厚
みを計測した（厚みＩ）。なお、パッケージ１個につき
３回測定しその平均値を算出した。これを８５℃／６０
％ＲＨで２４時間加湿後、最高温度２６０℃のＩＲリフ
ロー炉で１０秒間加熱処理した後再びパッケージの中央
部の厚み（厚みII）を計測した。厚みIIも厚みＩ同様、
パッケージ１個につき３回測定しその平均値を算出し
た。さらに１０個それぞれのパッケージについて（厚み
II−厚みＩ）を算出し、この平均値を「膨れ」とした。
なお、膨れは小さい方が好ましい。

【００４９】＜パッケージ充填性（成形性）評価＞上記
成形により得られた１７６ｐｉｎＬＱＦＰパッケージ１
０個を成形後に目視および断面切断後、２０倍の顕微鏡
を用いて観察し、ステージ変位・未充填の有無を調べ
た。ステージ変位・未充填が発生した不良パッケージを
除く、良好に得られたパッケージ数を求めた。

【００５０】

【表２】

【００５１】

【表３】

【００５２】表２〜３に評価結果を示す。表に見られる
ように本発明のエポキシ樹脂組成物はリフロー時の耐剥
離性、膨れ特性、パッケージ充填性に優れている。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によればリ
フロー時の耐剥離性、膨れ特性などの耐リフロー信頼
性、および成形時の充填性がすぐれた半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物及び該エポキシ系樹脂組成物によって封
止してなる半導体装置を得ることができる。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J002 CC032 CC052 CD021 CD031 CD051 CD061 DE077 DE097 DE137 DE147 DE237 DJ007 DJ017 DJ027 DJ037 DJ047 DL007 EJ036 EL136 EL146 EN076 EV216 FD017 FD142 FD146 FD150 GQ05 4J036 AA01 AC02 AD04 AD07 AD08 AF06 AF08 AJ07 AJ08 AJ14 DB06 DB20 DB22 DC05 DC10 DC13 DC40 DC41 DC46 DD07 FA01 FA03 FA05 FA06 FA13 FB07 FB08 GA17 GA29 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EA03 EB02 EB04 EB11 EB12 EB19 EC05 EC20

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填
   材（Ｃ）を含有するエポキシ樹脂組成物であって、前記
   充填材（Ｃ）の割合が樹脂組成物全体の９０〜９６重量
   ％であり、該樹脂組成物の硬化物の曲げ弾性率が２６０
   ℃で０．７〜１．２ＧＰａであることを特徴とするエポ
   キシ系樹脂組成物。
2. 【請求項２】１７５℃における最低溶融粘度が２０Ｐａ
   ・ｓｅｃ以下であることを特徴とする請求項１に記載の
   エポキシ系樹脂組成物。
3. 【請求項３】エポキシ樹脂（Ａ）が下記化学式（Ｉ）で
   表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ化合
   物（ａ）を含有することを特徴とする請求項１または２
   のいずれかに記載のエポキシ系樹脂組成物。 【化１】
4. 【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載のエポキシ
   系樹脂組成物によって封止されたことを特徴とする半導
   体装置。