JP2002100558A - 厚膜レジスト塗布方法 - Google Patents
厚膜レジスト塗布方法Info
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- JP2002100558A JP2002100558A JP2000291621A JP2000291621A JP2002100558A JP 2002100558 A JP2002100558 A JP 2002100558A JP 2000291621 A JP2000291621 A JP 2000291621A JP 2000291621 A JP2000291621 A JP 2000291621A JP 2002100558 A JP2002100558 A JP 2002100558A
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコン基板からの厚膜レジストの剥離を抑
制することができる厚膜レジストの塗布方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 シリコン基板上へ厚膜レジストを塗布す
る方法であって、塗布するシリコン基板面と厚膜レジス
トとの間に中間層を設ける工程を有するようにした。こ
の中間層は、シリコン基板と厚膜レジストとの密着性を
高めることができる層であり、例えばシリコン基板面に
酸素イオン又は酸素ラジカル等を照射して得られるシリ
コン酸化膜層およびヘキサメチルジシラザンから成る層
である。
制することができる厚膜レジストの塗布方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 シリコン基板上へ厚膜レジストを塗布す
る方法であって、塗布するシリコン基板面と厚膜レジス
トとの間に中間層を設ける工程を有するようにした。こ
の中間層は、シリコン基板と厚膜レジストとの密着性を
高めることができる層であり、例えばシリコン基板面に
酸素イオン又は酸素ラジカル等を照射して得られるシリ
コン酸化膜層およびヘキサメチルジシラザンから成る層
である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば微細パター
ンのメッキや深いエッチング用のマスクとして用いられ
る厚膜レジストを基板に塗布する際に好適な方法である
厚膜レジスト塗布方法に関する。
ンのメッキや深いエッチング用のマスクとして用いられ
る厚膜レジストを基板に塗布する際に好適な方法である
厚膜レジスト塗布方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路素子の微細化に伴
い、光の回折限界によって制限される光学系の解像度を
向上させるために、X線、電子線やイオンビーム等の荷
電粒子線(以下、単に荷電粒子線という)を使用した露
光方式(リソグラフィー技術)が開発されている。その
中でも、電子線を利用してパターンを形成する電子線露
光は、電子線自体を数Å(オングストローム)にまで絞
ることが出来るため、1μm又はそれ以下の微細パター
ンを形成できる点に大きな特徴がある。
い、光の回折限界によって制限される光学系の解像度を
向上させるために、X線、電子線やイオンビーム等の荷
電粒子線(以下、単に荷電粒子線という)を使用した露
光方式(リソグラフィー技術)が開発されている。その
中でも、電子線を利用してパターンを形成する電子線露
光は、電子線自体を数Å(オングストローム)にまで絞
ることが出来るため、1μm又はそれ以下の微細パター
ンを形成できる点に大きな特徴がある。
【0003】しかし、従来の電子線露光方式は、一筆書
きの方式であったため、微細パターンになればなるほ
ど、絞った電子線で描画せねばならず、描画時間が長
く、デバイス生産コストの観点から量産用ウエハの露光
には用いられなかった。そこで、所定のパターンを有す
る転写マスクに荷電粒子線を照射し、その照射範囲にあ
るパターンを投影レンズによりウエハに縮小転写する荷
電粒子線縮小転写装置が提案されている。
きの方式であったため、微細パターンになればなるほ
ど、絞った電子線で描画せねばならず、描画時間が長
く、デバイス生産コストの観点から量産用ウエハの露光
には用いられなかった。そこで、所定のパターンを有す
る転写マスクに荷電粒子線を照射し、その照射範囲にあ
るパターンを投影レンズによりウエハに縮小転写する荷
電粒子線縮小転写装置が提案されている。
【0004】回路パターンを投影するためにはその回路
パターンが描かれた転写マスクが必要である。転写マス
クとして、図3(a)に示すように、貫通孔が存在せ
ず、メンブレン32a上に散乱体パターン34aが形成
された散乱透過転写マスク31aと、図3(b)に示す
ように、荷電粒子線を散乱する程度の厚さを有するメン
ブレン32bに貫通孔パターン34bが形成された散乱
ステンシル転写マスク31bが知られている。
パターンが描かれた転写マスクが必要である。転写マス
クとして、図3(a)に示すように、貫通孔が存在せ
ず、メンブレン32a上に散乱体パターン34aが形成
された散乱透過転写マスク31aと、図3(b)に示す
ように、荷電粒子線を散乱する程度の厚さを有するメン
ブレン32bに貫通孔パターン34bが形成された散乱
ステンシル転写マスク31bが知られている。
【0005】これらは、感応基板に転写すべきパターン
をメンブレン32a、32b上にそれぞれ備えた多数の
小領域33a、33bがパターンの存在しない境界領域
により区分され、境界領域に対応する部分に支柱35
a、35bが設けられている。散乱ステンシル転写マス
クでは、メンブレンは厚さ約2μm程度のシリコンメン
ブレンからなり、メンブレンには荷電粒子線が透過する
開口部(感応基板に転写すべきパターンに相当)が設け
られている。
をメンブレン32a、32b上にそれぞれ備えた多数の
小領域33a、33bがパターンの存在しない境界領域
により区分され、境界領域に対応する部分に支柱35
a、35bが設けられている。散乱ステンシル転写マス
クでは、メンブレンは厚さ約2μm程度のシリコンメン
ブレンからなり、メンブレンには荷電粒子線が透過する
開口部(感応基板に転写すべきパターンに相当)が設け
られている。
【0006】従って、荷電粒子線を用いたパターン転写
方法は、図3(c)に示すように、各小領域33a、3
3bが荷電粒子線にてステップ的に走査され、各小領域
の開口部又は散乱体の配置に応じたパターンが不図示の
光学系で感応基板36に縮小転写される方法であり、転
写マスクの小領域33a、33b毎のパターンを感応基
板36上でつなぎ合わせる方法である。
方法は、図3(c)に示すように、各小領域33a、3
3bが荷電粒子線にてステップ的に走査され、各小領域
の開口部又は散乱体の配置に応じたパターンが不図示の
光学系で感応基板36に縮小転写される方法であり、転
写マスクの小領域33a、33b毎のパターンを感応基
板36上でつなぎ合わせる方法である。
【0007】転写マスクの製作は、レジスト塗布、露
光、現像、ベーク、エッチングといった既知の方法によ
ってマスクにパターンを形成することからなる。この転
写マスクの製作方法の一例として次に示すプロセスが挙
げられる。まず、一般的な製造方法により作製した支持
シリコン基板41、酸化シリコン層42、シリコン活性
層43からなるSOI(Silicon on Insulator)基板を
用意する(図4a)。
光、現像、ベーク、エッチングといった既知の方法によ
ってマスクにパターンを形成することからなる。この転
写マスクの製作方法の一例として次に示すプロセスが挙
げられる。まず、一般的な製造方法により作製した支持
シリコン基板41、酸化シリコン層42、シリコン活性
層43からなるSOI(Silicon on Insulator)基板を
用意する(図4a)。
【0008】支持シリコン基板41上に厚膜レジスト4
4を塗布し(図4b)、その厚膜レジスト層44の一部
(支柱形成位置に対応する位置)に電子線描画装置等を
用いて窓(開口)パターン形状45を形成し、ドライエ
ッチング用マスク46を形成する(図4c)。また、支
持シリコン基板と厚膜レジストとの接着力や厚膜レジス
ト自体の強度を向上させるためにベークする。
4を塗布し(図4b)、その厚膜レジスト層44の一部
(支柱形成位置に対応する位置)に電子線描画装置等を
用いて窓(開口)パターン形状45を形成し、ドライエ
ッチング用マスク46を形成する(図4c)。また、支
持シリコン基板と厚膜レジストとの接着力や厚膜レジス
ト自体の強度を向上させるためにベークする。
【0009】次に、支持シリコン基板41をドライエッ
チング用マスク46に形成された開口パターン45に合
わせてドライエッチングする。支持シリコン基板41の
エッチングはストッパー層としての役割を果たす酸化シ
リコン層42まで行われ、酸化シリコン層42及びシリ
コン活性層43がシリコン製の外周枠41bとシリコン
製の支柱41a(幅は約数百μm)により支持され、外
周枠41bと支柱41a間及び支柱41a間に開口を有
する構造体が形成される(図4d)。
チング用マスク46に形成された開口パターン45に合
わせてドライエッチングする。支持シリコン基板41の
エッチングはストッパー層としての役割を果たす酸化シ
リコン層42まで行われ、酸化シリコン層42及びシリ
コン活性層43がシリコン製の外周枠41bとシリコン
製の支柱41a(幅は約数百μm)により支持され、外
周枠41bと支柱41a間及び支柱41a間に開口を有
する構造体が形成される(図4d)。
【0010】次に、開口において露出した酸化シリコン
層42をHF+NH3F混合溶液により除去するとシリ
コン活性層43がシリコンメンブレン43aとなり、転
写マスク用ブランクスが完成する(図4e)。さらに、
シリコンメンブレン43a上にレジストを塗布し、所定
の微細パターンを電子線描画装置などを用いて焼き付
け、転写し、所定のパターンが転写されたレジストをマ
スクとしてシリコンメンブレン43aをエッチングし、
転写マスクを完成させる。
層42をHF+NH3F混合溶液により除去するとシリ
コン活性層43がシリコンメンブレン43aとなり、転
写マスク用ブランクスが完成する(図4e)。さらに、
シリコンメンブレン43a上にレジストを塗布し、所定
の微細パターンを電子線描画装置などを用いて焼き付
け、転写し、所定のパターンが転写されたレジストをマ
スクとしてシリコンメンブレン43aをエッチングし、
転写マスクを完成させる。
【0011】このプロセスの中で支持シリコン基板をド
ライエッチングするプロセスは、SOI基板の支持シリ
コン基板の厚さに相当する深さ分行わなくてはならず、
例えば、3インチSOI基板の場合は、300μm以
上、8インチSOI基板の場合は、700μm以上のド
ライエッチングが必要となる。
ライエッチングするプロセスは、SOI基板の支持シリ
コン基板の厚さに相当する深さ分行わなくてはならず、
例えば、3インチSOI基板の場合は、300μm以
上、8インチSOI基板の場合は、700μm以上のド
ライエッチングが必要となる。
【0012】そのため、ドライエッチング用マスクとし
てレジストを用いる場合は、10μm〜500μm以上
の厚膜レジストを塗布する必要があり、集積回路作製の
レジストプロセスで使われるレジスト(厚さ1μm以
下)に比べて非常に膜厚が厚くなる。
てレジストを用いる場合は、10μm〜500μm以上
の厚膜レジストを塗布する必要があり、集積回路作製の
レジストプロセスで使われるレジスト(厚さ1μm以
下)に比べて非常に膜厚が厚くなる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
上記の様にシリコン基板に厚膜レジストを塗布して転写
マスクを作製したところ、感応基板に転写すべき微細パ
ターンを再現性良く転写マスクに形成することができな
かった。製作プロセス中にシリコン基板から厚膜レジス
トが剥離してしまうため、このような転写マスクの欠陥
が発生するという問題があった。
上記の様にシリコン基板に厚膜レジストを塗布して転写
マスクを作製したところ、感応基板に転写すべき微細パ
ターンを再現性良く転写マスクに形成することができな
かった。製作プロセス中にシリコン基板から厚膜レジス
トが剥離してしまうため、このような転写マスクの欠陥
が発生するという問題があった。
【0014】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、シリコン基板からの厚膜レジストの剥離を
抑制することができる厚膜レジストの塗布方法を提供す
ることを目的としている。
ものであり、シリコン基板からの厚膜レジストの剥離を
抑制することができる厚膜レジストの塗布方法を提供す
ることを目的としている。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は第一に「シリコ
ン基板上へ厚膜レジストを塗布する方法であって、塗布
するシリコン基板面と厚膜レジストとの間に中間層を設
ける工程を有することを特徴とする厚膜レジスト塗布方
法(請求項1)」を提供する。これにより、シリコン基
板と厚膜レジストとの密着性が向上し、基板からレジス
トが剥離し難いようにすることができる。
ン基板上へ厚膜レジストを塗布する方法であって、塗布
するシリコン基板面と厚膜レジストとの間に中間層を設
ける工程を有することを特徴とする厚膜レジスト塗布方
法(請求項1)」を提供する。これにより、シリコン基
板と厚膜レジストとの密着性が向上し、基板からレジス
トが剥離し難いようにすることができる。
【0016】また、本発明は第二に「前記中間層が酸化
膜層であることを特徴とする請求項1に記載の厚膜レジ
スト塗布方法(請求項2)」を提供する。これにより、
シリコン基板からレジストがほとんど剥離しないように
できる。また、本発明は第三に「前記中間層を設ける工
程が厚膜レジストを塗布するシリコン基板面に酸素イオ
ン、酸素ラジカル等を照射する工程であることを特徴と
する請求項1又は2に記載の厚膜レジスト塗布方法(請
求項3)」を提供する。これにより、簡単に酸化膜の中
間層を形成することができ、基板からのレジストの剥離
を抑制することができる。
膜層であることを特徴とする請求項1に記載の厚膜レジ
スト塗布方法(請求項2)」を提供する。これにより、
シリコン基板からレジストがほとんど剥離しないように
できる。また、本発明は第三に「前記中間層を設ける工
程が厚膜レジストを塗布するシリコン基板面に酸素イオ
ン、酸素ラジカル等を照射する工程であることを特徴と
する請求項1又は2に記載の厚膜レジスト塗布方法(請
求項3)」を提供する。これにより、簡単に酸化膜の中
間層を形成することができ、基板からのレジストの剥離
を抑制することができる。
【0017】また、本発明は第四に「前記中間層を設け
る工程が厚膜レジストを塗布するシリコン基板面を水浸
させる工程であることを特徴とする請求項1又は2に記
載の厚膜レジスト塗布方法(請求項4)」を提供する。
これにより、簡単に酸化膜の中間層を形成することがで
きる。
る工程が厚膜レジストを塗布するシリコン基板面を水浸
させる工程であることを特徴とする請求項1又は2に記
載の厚膜レジスト塗布方法(請求項4)」を提供する。
これにより、簡単に酸化膜の中間層を形成することがで
きる。
【0018】また、本発明は第五に「前記中間層を設け
る工程後、ヘキサメチルジシラザンを塗布する工程を有
することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載
の厚膜レジスト塗布方法(請求項5)」を提供する。こ
れにより、シリコン基板と厚膜レジストとの密着性が飛
躍的に向上し、基板からレジストがほとんど剥離しない
ようにできる。
る工程後、ヘキサメチルジシラザンを塗布する工程を有
することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載
の厚膜レジスト塗布方法(請求項5)」を提供する。こ
れにより、シリコン基板と厚膜レジストとの密着性が飛
躍的に向上し、基板からレジストがほとんど剥離しない
ようにできる。
【0019】また、本発明は第六に「前記厚膜レジスト
が半導体製造に用いられる粘性200mPa・s以上の
レジスト材料であることを特徴とする請求項1乃至5の
いずれかに記載の厚膜レジスト塗布方法(請求項6)」
を提供する。また、本発明は第七に「厚膜レジストを塗
布したシリコン基板であって、請求項1乃至6のいずれ
かに記載の厚膜レジスト塗布方法を用いて製造された厚
膜レジストを塗布したシリコン基板(請求項7)」を提
供する。これにより、膜厚の厚いレジストであっても、
基板からレジストが剥離し難い厚膜レジストを塗布した
シリコン基板が得られる。
が半導体製造に用いられる粘性200mPa・s以上の
レジスト材料であることを特徴とする請求項1乃至5の
いずれかに記載の厚膜レジスト塗布方法(請求項6)」
を提供する。また、本発明は第七に「厚膜レジストを塗
布したシリコン基板であって、請求項1乃至6のいずれ
かに記載の厚膜レジスト塗布方法を用いて製造された厚
膜レジストを塗布したシリコン基板(請求項7)」を提
供する。これにより、膜厚の厚いレジストであっても、
基板からレジストが剥離し難い厚膜レジストを塗布した
シリコン基板が得られる。
【0020】
【発明の実施の形態】本願発明は問題点を検討した結果
得られた、膜厚が数十μm以上の厚膜レジストでは、組
成の違いやベーク時の溶媒の除去の困難さから、シリコ
ン基板と厚膜レジストとの密着性がとても低くなってし
まうという知見に基づくものである。以下、本発明にか
かる実施の形態の厚膜レジスト塗布方法について図面を
参照しながら説明する。
得られた、膜厚が数十μm以上の厚膜レジストでは、組
成の違いやベーク時の溶媒の除去の困難さから、シリコ
ン基板と厚膜レジストとの密着性がとても低くなってし
まうという知見に基づくものである。以下、本発明にか
かる実施の形態の厚膜レジスト塗布方法について図面を
参照しながら説明する。
【0021】図1は、本発明の膜厚レジスト塗布方法に
より作製した膜厚レジストを塗布したシリコン基板の概
略断面図である。図1において、11は厚膜レジスト、
12はシリコン基板、13は中間層である。厚さ約50
0μmのシリコン基板12の上に中間層13が形成さ
れ、さらにその上に厚さ約20μmの厚膜レジスト11
が塗布された構成となっている。中間層13は例えばS
iO2およびヘキサメチルジシラザンから成る層であ
り、シリコン基板と厚膜レジストとの密着性を高めるこ
とができる層であれば何でも良い。
より作製した膜厚レジストを塗布したシリコン基板の概
略断面図である。図1において、11は厚膜レジスト、
12はシリコン基板、13は中間層である。厚さ約50
0μmのシリコン基板12の上に中間層13が形成さ
れ、さらにその上に厚さ約20μmの厚膜レジスト11
が塗布された構成となっている。中間層13は例えばS
iO2およびヘキサメチルジシラザンから成る層であ
り、シリコン基板と厚膜レジストとの密着性を高めるこ
とができる層であれば何でも良い。
【0022】本発明にかかる厚膜レジストを塗布したシ
リコン基板は、図1に示すように非常に薄い中間層13
を積極的に設けている点が従来のものと異なる。このよ
うな構成にすることにより、シリコン基板から厚膜レジ
ストが剥離し難いようにすることができる。
リコン基板は、図1に示すように非常に薄い中間層13
を積極的に設けている点が従来のものと異なる。このよ
うな構成にすることにより、シリコン基板から厚膜レジ
ストが剥離し難いようにすることができる。
【0023】また、図2は本発明による厚膜レジスト塗
布方法の実施例の工程を示す概略図である。図2におい
て、21は平行平板型プラズマ発生装置、22は酸素プ
ラズマ、23はシリコン基板、24は中間層、25は厚
膜レジストである。まず、厚膜レジストを塗布すべきシ
リコン基板23を平行平板型プラズマ発生装置21に設
置する。平行平板型プラズマ発生装置21の中に酸素を
50sccm導入し、15Pa、50Wで酸素プラズマ
22を発生させ、シリコン基板上に約30分間照射する
(図2a)。この酸素プラズマ22の照射により、シリ
コン基板上にSiO2層を形成する。酸素プラズマを照
射する代わりに、シリコン基板を水に浸けることによっ
てSiO2層を形成することもできる。
布方法の実施例の工程を示す概略図である。図2におい
て、21は平行平板型プラズマ発生装置、22は酸素プ
ラズマ、23はシリコン基板、24は中間層、25は厚
膜レジストである。まず、厚膜レジストを塗布すべきシ
リコン基板23を平行平板型プラズマ発生装置21に設
置する。平行平板型プラズマ発生装置21の中に酸素を
50sccm導入し、15Pa、50Wで酸素プラズマ
22を発生させ、シリコン基板上に約30分間照射する
(図2a)。この酸素プラズマ22の照射により、シリ
コン基板上にSiO2層を形成する。酸素プラズマを照
射する代わりに、シリコン基板を水に浸けることによっ
てSiO2層を形成することもできる。
【0024】次に、回転塗布法によりヘキサメチルジシ
ラザンを塗布し、SiO2およびヘキサメチルジシラザ
ンから成る中間層24を形成する(図2b)。続いてレ
ジスト(粘性800mPa・s)を主回転800rpm
で塗布して約20μmの厚膜レジスト25を形成する
(図2c)。厚膜レジストを形成する際、一度に約20
μm塗布するのではなく、比較的膜厚の薄いレジストを
数回に分けて塗布することも可能である。
ラザンを塗布し、SiO2およびヘキサメチルジシラザ
ンから成る中間層24を形成する(図2b)。続いてレ
ジスト(粘性800mPa・s)を主回転800rpm
で塗布して約20μmの厚膜レジスト25を形成する
(図2c)。厚膜レジストを形成する際、一度に約20
μm塗布するのではなく、比較的膜厚の薄いレジストを
数回に分けて塗布することも可能である。
【0025】本発明にかかる厚膜レジスト塗布方法は、
図2に示すように中間層24を積極的に設ける工程を有
している点が従来方法と異なる。この方法により作製さ
れた厚膜レジストを塗布したシリコン基板は密着性を高
める中間層を有しているので、シリコン基板からの厚膜
レジストの剥離を抑制することができる。
図2に示すように中間層24を積極的に設ける工程を有
している点が従来方法と異なる。この方法により作製さ
れた厚膜レジストを塗布したシリコン基板は密着性を高
める中間層を有しているので、シリコン基板からの厚膜
レジストの剥離を抑制することができる。
【0026】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明にかかる厚
膜レジスト塗布方法によれば、膜厚の厚いレジストをシ
リコン基板上に塗布する場合であっても、厚膜レジスト
がシリコン基板から剥がれ難くすることができる。この
ようにして作製した厚膜レジストを塗布したシリコン基
板を用いて、例えば欠陥の少ない荷電粒子線投影露光用
転写マスクを作ることができる。
膜レジスト塗布方法によれば、膜厚の厚いレジストをシ
リコン基板上に塗布する場合であっても、厚膜レジスト
がシリコン基板から剥がれ難くすることができる。この
ようにして作製した厚膜レジストを塗布したシリコン基
板を用いて、例えば欠陥の少ない荷電粒子線投影露光用
転写マスクを作ることができる。
【図1】本発明にかかる厚膜レジストを塗布したシリコ
ン基板の概略断面図である。
ン基板の概略断面図である。
【図2】本発明にかかる厚膜レジスト塗布方法の工程図
である。
である。
【図3】電子線縮小転写装置で用いられる転写マスクの
うち(a)は散乱透過マスク、(b)は散乱ステンシル
マスクの概略図であり、(c)は電子線を用いたパター
ン転写方法を示す概略斜視図である。
うち(a)は散乱透過マスク、(b)は散乱ステンシル
マスクの概略図であり、(c)は電子線を用いたパター
ン転写方法を示す概略斜視図である。
【図4】従来の荷電粒子線露光用転写マスクブランクス
の製作工程を示す図である。
の製作工程を示す図である。
11・・・厚膜レジスト 12・・・シリコン基板 13・・・中間層 21・・・平行平板型プラズマ発生装置 22・・・酸素プラズマ 23・・・シリコン基板 24・・・中間層 25・・・厚膜レジスト 31a・・・散乱透過転写マスク 31b・・・散乱ステンシル転写マスク 32a、32b・・・メンブレン 33a、33b・・・小領域 34a・・・散乱体パターン 34b・・・貫通孔パターン 35a、35b・・・支柱 36・・・感光基板 41・・・支持シリコン基板 41a・・・支柱 41b・・・外周枠 42・・・酸化シリコン層 43・・・シリコン活性層 43a・・・シリコンメンブレン 44・・・厚膜レジスト 45・・・窓(開口)パターン形状 46・・・ドライエッチング用マスク
Claims (7)
- 【請求項1】 シリコン基板上へ厚膜レジストを塗布す
る方法であって、塗布するシリコン基板面と厚膜レジス
トとの間に中間層を設ける工程を有することを特徴とす
る厚膜レジスト塗布方法。 - 【請求項2】 前記中間層がシリコン酸化膜層であるこ
とを特徴とする請求項1に記載の厚膜レジスト塗布方
法。 - 【請求項3】 前記中間層を設ける工程が厚膜レジスト
を塗布するシリコン基板面に酸素イオン、酸素ラジカル
等を照射する工程であることを特徴とする請求項1又は
2に記載の厚膜レジスト塗布方法。 - 【請求項4】 前記中間層を設ける工程が厚膜レジスト
を塗布するシリコン基板面を水浸させる工程であること
を特徴とする請求項1又は2に記載の厚膜レジスト塗布
方法。 - 【請求項5】 前記中間層を設ける工程後、ヘキサメチ
ルジシラザンを塗布する工程を有することを特徴とする
請求項1乃至4のいずれかに記載の厚膜レジスト塗布方
法。 - 【請求項6】 前記厚膜レジストが半導体製造に用いら
れる粘性200mPa・s以上のレジスト材料であるこ
とを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の厚膜
レジスト塗布方法。 - 【請求項7】 厚膜レジストを塗布したシリコン基板で
あって、 請求項1乃至6のいずれかに記載の厚膜レジスト塗布方
法を用いて製造された厚膜レジストを塗布したシリコン
基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000291621A JP2002100558A (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 厚膜レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000291621A JP2002100558A (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 厚膜レジスト塗布方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2002100558A true JP2002100558A (ja) | 2002-04-05 |
Family
ID=18774671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2000291621A Pending JP2002100558A (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 厚膜レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2002100558A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023093567A (ja) * | 2020-07-07 | 2023-07-04 | ラム リサーチ コーポレーション | 照射フォトレジストパターニングのための統合乾式プロセス |
US11921427B2 (en) | 2018-11-14 | 2024-03-05 | Lam Research Corporation | Methods for making hard masks useful in next-generation lithography |
US11988965B2 (en) | 2020-01-15 | 2024-05-21 | Lam Research Corporation | Underlayer for photoresist adhesion and dose reduction |
-
2000
- 2000-09-26 JP JP2000291621A patent/JP2002100558A/ja active Pending
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US11921427B2 (en) | 2018-11-14 | 2024-03-05 | Lam Research Corporation | Methods for making hard masks useful in next-generation lithography |
US11988965B2 (en) | 2020-01-15 | 2024-05-21 | Lam Research Corporation | Underlayer for photoresist adhesion and dose reduction |
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