JP2002100297A

JP2002100297A - イオン生成方法およびイオン生成装置

Info

Publication number: JP2002100297A
Application number: JP2000291137A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Saeki; 宏佐伯; Ken Takahashi; 高橋　　研; Yoshinori Takahashi; 善則高橋; Hidenori Goto; 秀徳後藤; Jun Ono; 純大野
Original assignee: Tsukishima Kikai Co Ltd
Current assignee: Tsukishima Kikai Co Ltd
Priority date: 2000-09-25
Filing date: 2000-09-25
Publication date: 2002-04-05

Abstract

(57)【要約】【課題】清浄なイオンを導出することができるイオン
生成装置を得る。【解決手段】イオン導出部２０が、イオン通路２１を
横切ってイオン発生室１０側から順に、前記イオン発生
室で発生したイオンと同じ極性を有する第１電極２２
と、当該イオンとは逆の極性を有する第２電極２３と、
前記第１電極と第２の極との中間の電位を有する第３電
極２４とを備え、前記第１ないし第３電極にはそれぞれ
イオン通路２１となる同軸的な開口が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、イオン生成方法お
よびイオン生成装置に関するものであり、特に清浄なイ
オンビームを導出することができるイオン生成方法およ
びイオン生成装置に関する

【０００２】

【従来の技術】高真空中でイオン源となるガスを電離し
てイオン雲すなわちプラズマを生成し、このプラズマか
らイオンをイオンビームとして処理室に導出するイオン
生成装置は、スパッタリング、イオンビーム洗浄、酸化
物や窒化物の成膜アシストなどの処理を行う際に用いら
れる。図７に、従来のイオン生成装置の一例を示す。こ
のイオン生成装置１００は、概略、イオン発生室１１０
とイオン導出部１２０とからなり、このイオン導出部１
２０がイオンを用いてスパッタリングやイオンビーム洗
浄などの処理を行う処理室１３０に連結している。

【０００３】イオン発生室１１０には、加熱装置を兼ね
た放電用陰極１１１と、その外周に対極となる放電用陽
極１１２が配設されイオン発生部１１８を構成してい
る。またイオン発生室１１０の周壁には、発生したイオ
ンを室中央に集中するための磁石１１３が装着され、イ
オン発生部１１８にイオン源のガスＧを供給するガス供
給管１１４および室内排気のための排気管１１５が設け
られている。

【０００４】イオン導出部１２０には、イオン発生室１
１０側にイオン引出し電極１２１が、また処理室１３０
側にイオン加速電極１２２が設けられている。イオン引
出し電極１２１とイオン加速電極１２２とは、いずれも
微細な口径の網目板または多孔板からなっている。

【０００５】前記イオン生成装置１００は、排気管１１
５を通してイオン発生室１１０内を高真空に排気し、放
電用陽極１１２と放電用陰極１１１との間に高電位差を
負荷すると共に放電用陰極１１１を加熱し、ガス供給管
１１４から例えばアルゴンガスなどのガスＧを導入する
と、電極間の放電によってガス分子が電離してプラズマ
を生成し、このプラズマは磁石１１３によって室中央部
に集中される。室中央部に集中したイオン発生室１１０
内のプラズマは、イオン導出部１２０のイオン引出し電
極１２１によってイオン流として引出され、イオン加速
電極１２２によって加速され、イオンビームとして処理
室１３０内に導出される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】最近は電子機器部材の
形成時における高純度化が強く求められるようになり、
前記処理室１３０に導出されるイオンビームの純度が問
題にされるようになってきた。すなわち、イオン発生室
１１０内にはプラズマ化されていない非イオン化ガス分
子や、排気しきれない残留雰囲気ガス分子（窒素分子な
ど）が不純物として存在すると共に、発生したイオンが
器壁や電極にスパッタリングして生成した他種イオンや
微粒子などの不純物も存在する。従って従来の前記イオ
ン導出部１２０によって引出されビーム化されたイオン
はこれらの不純物を随伴している。さらにイオン導出部
１２０内においてもビーム化されたイオンが電極の網目
などにスパッタリングして不純物を発生するので、処理
室１３０に導出されるイオンの純度は必要とされる程度
にまで高くなかった。

【０００７】特開平５−１５２１８２号公報には網目板
を用いないイオン導出部が記載されている。しかしこの
技術はイオンビームの絞り込みを目的とするものであ
り、この技術によって清浄なイオンを導出することはで
きない。

【０００８】本発明は前記の課題を解決するためになさ
れたものであって、従ってその目的は、清浄なイオンを
導出することができるイオン生成方法およびイオン生成
装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに本発明は、イオンを、イオン通路に沿って発生源側
から順次、当該イオンと同じ極性を有する第１の電界、
当該イオンとは逆の極性を有する第２の電界、および前
記第１の電界と第２の電界との中間の電位を有する第３
の電界を通過させて導出するイオン生成方法を提供す
る。

【００１０】このイオン生成方法によれば、イオン発生
源で生成したイオンはまず、当該イオンとは逆の極性を
有する第２の電界に吸引され、当該イオンと同じ極性を
有する第１の電界を通過する。この際、イオンは第１の
電界を形成する電極と同じ極性を有することによって当
該電極と反発し合い、電極から離れた電界の中央部を通
過するので、イオンが電極などにスパッタリングして２
次的な不純物を生成することがない。第１の電界を通過
したイオンは、当該イオンとは逆の極性を有する第２の
電界を通過する際に加速され、イオンビームとなって所
要のエネルギーで処理室側に導出される。このときイオ
ンビームは、加速されると同時に第２の電界を形成する
電極に吸引されるため拡散する。この拡散は処理室内の
ターゲットに対するイオン密度を低下させると共に、周
辺の部材をスパッタリングして処理室内における不純物
の発生源となる。第１の電界と第２の電界との中間の電
位を有する第３の電界は、このイオンビームの拡散を抑
制し、ターゲットの形状に対応した適度の拡散角を有す
るイオンビームを処理室に向けて導出する。

【００１１】前記において、第２の電界以降に第４の電
界を形成し、イオン通路の断面方向にこの第４の電界の
電位を調整して、前記イオン通路から導出されたイオン
ビームの照射パターンを制御することが好ましい。第４
の電界の電位をイオン通路の断面方向に調整すると、イ
オンビームの屈曲角を局部的に変化させることができ
る。このイオンビームの屈曲角を局部的に調整すること
によって、処理室のターゲットに照射するイオンビーム
の照射パターンを変化させることができる。前記第４の
電界は、第３の電界の中に形成することが好ましい。

【００１２】本発明はまた、イオン発生室とイオン導出
部とを有するイオン生成装置であって、前記イオン導出
部は、イオンが通過するイオン通路を横切ってイオン発
生室側から順に、前記イオン発生室で発生したイオンと
同じ極性を有する第１の電極と、当該イオンとは逆の極
性を有する第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極
との中間の電位を有する第３の電極とを備え、前記第
１、第２および第３の電極にはそれぞれイオン通路とな
る同軸的な開口が形成されたイオン生成装置を提供す
る。

【００１３】このイオン生成装置は、イオン通路を横切
って同軸的な開口が形成された第１、第２および第３の
電極を備え、第１の電極がイオンと同じ極性に、第２の
電極がイオンとは逆の極性に、また第３の電極がそれら
の中間電位に荷電調整されているので、イオン発生室で
生成したイオンが第２の電極の吸引力により第１の電極
の開口を通過するとき当該電極と反発し合って開口の中
央部に集中し、イオンが第１の電極をスパッタリングし
て不純物を生成することがない。イオンは第２の電極の
開口を通るとき処理室に向けて加速エネルギーを付与さ
れイオンビームとなる。このイオンビームは、極性が異
なる第２の電極の吸引力により拡散するが、第３の電極
の開口を通るとき、過度に拡散した拡散角をターゲット
の形状に適応するように調整される。前記第３の電極
は、グランド電位であってもよい。

【００１４】前記において第１の電極の開口は、前記イ
オン発生室側の縁部が鋭角に形成されていることが好ま
しい。この場合、第１の電極は開口のイオン発生室側縁
部がナイフエッジになっていて、この部分に電界集中が
起こり、イオン通路の入口付近の局所でイオンが開口の
中央部に集中する。このため開口に流入するイオンが電
極に衝突することがなく、スパッタリングによる不純物
の生成が起こらない。また、開口が第２の電極に向けて
拡径しているので、イオンが第２の電極に吸引されて外
側に屈曲しても開口の内壁に衝突してスパッタリングす
る可能性が低減される。

【００１５】前記において第３の電極はイオン通路に沿
って２分割され、分割された間隙に、前記イオン通路を
横切って電位を調整し得る第４の電極が挿入され、この
第４の電極に、前記第１、第２および第３の電極の開口
と同軸的な開口が形成されていることが好ましい。この
第４の電極は、負荷電位を調整することによって、第２
の電極を通過したことによって加速され第３の電極によ
って拡散角が調整されたイオンビームの拡散角を処理室
の個々のターゲットの形状に適応するように制御するこ
とができる。

【００１６】前記第４の電極は、イオン通路を中心とし
て放射状に複数の片部に分割され、それぞれの片部が独
立した電位に荷電されるようになっていることが好まし
い。分割された片部を独立した電位に荷電するとイオン
通路を横切る電界の密度が断面方向に変化するので、イ
オンビームがその場の空間電位に応じて偏倚する。これ
によって、処理室内に導出された全イオンビームの照射
方向と密度分布とを制御し、ターゲットの所望の領域に
所望の密度分布でイオンビームを照射することができる
ようになる。

【００１７】前記第２の電極以降の電極の開口は、イオ
ン発生室側からイオン通路に沿って漸次拡径するように
形成されていることが好ましい。この場合、イオン通路
は全体として処理室に向けて拡径することになる。イオ
ン発生室側からイオン導出部に進入したイオンのビーム
束は、前記のように第３の電極により抑制されるとはい
え、第２の電極の拡散力によって全体として拡散する傾
向がある。そこで、イオン通路が全体として処理室に向
けて拡径することによってイオンが各電極をスパッタリ
ングして不純物を生成する確率が低減する。

【００１８】前記各電極には、複数の前記開口が形成さ
れていることが好ましい。１つの開口は前記のように一
般に放射状のビーム束を形成するが、単一のビーム束で
は引出し電流値がターゲットのスパッタリングに充分で
ない場合がある。またターゲットの全体にイオンが均一
な密度で照射されない場合もある。この場合開口が複数
形成され、それぞれの開口を通るビーム束の照射領域を
調整すれば、広い面積または各種形状のターゲットにも
イオンを均一な密度で、または特定の密度パターンで照
射できるようになる。

【００１９】前記イオン導出部には、前記イオン通路に
通じる排気路が設けられていることが好ましい。イオン
導出部において形成されたイオンビームは、互いに反発
しあうクーロン力によって全体としてビームの進行方向
に拡散する傾向があるので、万一の場合イオンの一部は
いずれかの電極に衝突することも考慮する必要がある。
特に第２の電極には強く吸引される。この場合、イオン
通路に通じる排気路が設けられていれば、電極へのスパ
ッタリングにより不純物が生成したとしても、これらの
不純物は排気路を通して除外され、処理室への侵入を阻
止することができる。もちろんこの排気路は、イオン発
生室から第１の電極の開口を通ってイオン導出部へ侵入
した不純物や非イオン化ガスの除去にも有効である。

【００２０】前記イオン発生室は、少なくとも第１の電
極に隣接する壁面が、当該イオン発生室で発生したイオ
ンと同じ極性に荷電された補助電極で覆われていること
が好ましい。これによって、イオン発生室の少なくとも
第１の電極の近辺ではイオンが室壁をスパッタリングす
ることが防止され、イオンビームの高純度化をはかるこ
とができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
用いて説明するが、以下の実施形態は本発明を何ら制限
するものではない。図１は本実施形態のイオン生成装置
を示している。このイオン生成装置１は、概略、イオン
発生室１０とイオン導出部２０とからなり、このイオン
導出部２０が、イオンを用いてスパッタリング、イオン
ビーム洗浄、酸化物や窒化物の成膜アシストなどの処理
を行う処理室３０に連結している。

【００２２】イオン発生室１０には、マイクロ波アンテ
ナ１１と電極１２とからなるマイクロ波によるイオン発
生部１８が設けられている。イオン発生室１０の周壁に
は、発生したイオンを室中央に集中するための磁石１３
が装着されている。またイオン発生室１０の周壁には、
プラズマ源となるイオン種生成ガスＧを導入するガス供
給孔１４…と、イオン発生室内を排気するための排気孔
１５…とが形成されている。イオン発生室１０の、イオ
ン導出部２０に隣接する壁面には、環状の補助電極１６
が設けられている。本実施形態で用いるイオン種生成ガ
スＧはアルゴンガスである。

【００２３】図２は、イオン導出部２０を処理室３０側
から見た平面図である。図３はイオン導出部２０の軸心
Ｘを通る断面図である。また図４は、イオン導出部２０
における第４の電極を横断する断面図である。このイオ
ン導出部２０は全体として円盤状をなし、円盤の一方の
面がイオン発生室１０に当面し、他方の面が処理室３０
に当面している。イオン導出部２０には、軸心Ｘから等
距離等間隔で、軸心Ｘと平行な軸Ｏを有する４つのイオ
ン通路２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄが形成されてい
る。これらのイオン通路はいずれも同一構造を有してい
るので、以下の説明では断りない限り、いずれか１つの
イオン通路をイオン通路２１という。

【００２４】イオン導出部２０は、イオン通路２１を横
切ってイオン発生室１０側から順に、第１の電極（以下
「第１電極２２」という）と第２の電極（以下「第２電
極２３」という）と第３の電極（以下「第３電極２４」
という）と第４の電極（以下「第４電極２５」という）
とを備えている。この内、第３電極２４は、イオン通路
２１の軸心Ｏに沿って第３電極２４Ａと第３電極２４Ｂ
とに２分割され、この分割間隙に、イオン通路を横切る
第４電極２５が挿入されている。更にこの第４電極２５
は、イオン通路２１を中心として放射状に４つの片部２
５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ，２５Ｄに分割され、それぞれの
片部には異なる電位が負荷できるようになっている。

【００２５】第１電極２２の開口２６は、第２電極２３
に向けて拡径するテーパ状に形成され、この開口２６の
イオン発生室１０側の縁部は鋭角とされている。また、
前記第２電極２３以降の電極の開口は、イオン発生室１
０側から処理室３０に向けて、イオン通路２１に沿って
漸次拡径するように形成されている。第１電極２２と第
２電極２３との間隙には環状に排気孔２７…が設けら
れ、これらの排気孔は真空ポンプに連結されている。

【００２６】次に、本実施形態の運転方法と作用につい
て説明する。まず本実施形態のイオン生成装置１のイオ
ン発生室１０とイオン導出部２０、および処理室３０を
例えば１×１０^-4Torr以下の高真空に排気する。処理室
３０は更に高真空例えば１×１０^-5Torr以下に排気して
もよい。第１電極２２には例えば＋２KVの電位を負荷す
る。第２電極２３には例えば−２KVの電位を負荷する。
第３電極２４Ａ，２４Ｂにはいずれも例えばグランド電
位（０V）が負荷される。また第４電極２５の各片部に
は、イオンビームが好適な照射パターンを形成するよう
にそれぞれ、例えば＋４KVを平均値として微調整された
電位が負荷される。

【００２７】マイクロ波アンテナ１１と電極１２とから
なるイオン発生部１８を作動し、ガス供給孔１４…から
イオン種生成ガスＧとしてアルゴンガスを導入する。こ
れによってアルゴンガスは電離し、陽イオン（以下「Ａ
ｒ⁺」と記す）からなるプラズマＰが生成する。図５に
模式的に示すように、生成したプラズマＰはイオン発生
室１０内で磁石１３によって中央部に集中され、第１電
極２２の開口２６からイオン通路２１内に導入される。
導入されたＡｒ⁺は（−）電位の第２電極２３に吸引さ
れて加速され、イオンビームの束（以下、「ビーム束」
という）となって第２電極２３、第３電極２４Ａ、第４
電極２５、第３電極２４Ｂのそれぞれ開口を通過して処
理室３０に導出される。このときビーム束は、イオンビ
ーム相互の反発力および（−）電位の第２電極２３によ
って進行方向に拡径するが、その拡散角は、それぞれの
片部２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ，２５Ｄに平均的に＋４KV
の電位が負荷された第４電極２５によって適度に収束さ
れる。さらに、第４電極２５のそれぞれの片部２５Ａ，
２５Ｂ，２５Ｃ，２５Ｄには適度に微調整された電位が
負荷されているので、ビーム束の拡散角は片部２５Ａ，
２５Ｂ，２５Ｃ，２５Ｄにそれぞれ負荷された電位に対
応して局部的に変化する。これによって図６に示すよう
に、処理室３０内でターゲット４０に照射するイオンビ
ームの照射パターンはそれぞれ４１Ａ，４１Ｂ，４１
Ｃ，４１Ｄのように変形する。各イオン通路２１Ａ，２
１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄについてそれぞれの第４電極２５
の片部は独立に電位を変更できるので、これによってタ
ーゲット４０に照射するイオンビームのパターンは適宜
に制御することができる。

【００２８】図５において、イオン発生室１０内で、第
１電極２２およびその周辺に存在するＡｒ⁺は、第１電
極２２および補助電極１６が（＋）に荷電されているの
で反発力によりこれらに衝突することはなく、従ってス
パッタリングにより不純物を生成することがない。これ
によって開口２６近傍での不純物の生成は防止される。

【００２９】第１電極２２の開口２６付近のＡｒ⁺は、
第１電極２２と第２電極２３との大きな電位差（４KV）
によって強く吸引され、第１電極の開口２６から激しい
イオン流となってイオン導出部２０に流入する。この
際、開口２６のイオン発生室１０側の縁部はナイフエッ
ジとされているので、この部分に強い電界集中が起こ
り、Ａｒ⁺は開口２６の中央部に集中されるので開口２
６に流入するＡｒ⁺が第１電極２２に衝突してスパッタ
リングを起こすことはない。

【００３０】イオン発生室１０内に存在する非イオン化
ガス（図５において「Ａｒ」で示す）や不純物（図５に
おいて「▲」で示す）は、開口２６の縁部における電界
集中とその部分に流入するイオン流に阻まれ、開口２６
内にはほとんど流入しない。僅かに流入した非イオン化
ガスや不純物は、第１電極２２と第２電極２３との間隙
に設けられた排気孔２７から排出され、処理室３０側に
は導出されない。開口２６を通った後に第２電極２３に
強く吸引され衝突したＡｒ⁺はスパッタリングを起こし
て不純物を生成するが、この不純物も直ちに排気孔２７
から排出され、処理室３０側には導出されない。

【００３１】開口２６を通って形成されたＡｒ⁺のビー
ム束は、第２電極２３の開口を通過する際、第２電極２
３の（−）電荷によって進行方向に強く拡散する。しか
し拡散したビーム束は、第１電極と第２電極との中間の
電位を有する第３電極２４Ａ，２４Ｂ、および平均的に
高い（＋）電位を有する第４電極２５によって拡散が緩
和される。このように、最終的にイオン導出部２０から
導出されるビーム束の拡散角は、第１電極、第２電極、
第３電極、第４電極のそれぞれの負荷電位によって変化
する。この際、拡散放射されるＡｒ⁺は、第２電極２３
以降の各電極の開口が処理室３０に向けて漸次所定の拡
散角で拡径しているので、いずれかの電極に衝突してス
パッタリングを起こすことがない。

【００３２】以上詳しく説明した経過によって、イオン
発生室１０で発生したＡｒ⁺は、非イオン化ガスや不純
物を随伴しない極めて清浄なイオンビームとして本実施
形態のイオン生成装置から導出される。また導出された
イオンビームは、第４電極の各片部の電位を調整するこ
とによって、処理室３０内のターゲット４０上での照射
パターンを適宜制御することができる。

【００３３】本発明のイオン生成装置において、イオン
発生室の構成は特に限定されない。例えばイオン発生部
の形式や磁石の配置、イオン源、ガス供給管の配置、排
気管の配置や数などは、本発明の範囲内で任意に変更す
ることができる。イオン導出部２０においても、イオン
通路の数や配置、第４電極の片部の数や配置、排気孔の
配置や数などは前記実施形態に限定されるものではな
い。

【００３４】

【発明の効果】本発明のイオン生成方法は、イオンを順
次、当該イオンと同じ極性を有する第１の電界、当該イ
オンとは逆の極性を有する第２の電界、および前記第１
の電界と第２の電界との中間の電位を有する第３の電界
を通過させて導出するので、非イオンガスや不純物を随
伴しない清浄なイオンをイオンビームとして処理室に導
出することができる。第２の電界以降に第４の電界を形
成し、イオン通路の断面方向にこの第４の電界の電位を
変化させれば、イオンの進路を制御してターゲット上の
イオンの照射パターンを制御することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態を示す断面図。

【図２】前記実施形態のイオン導出部を処理室側から
見た平面図。

【図３】前記イオン導出部の軸心Ｘを通る断面図。

【図４】前記イオン導出部における第４の電極を横断
する断面図。

【図５】前記実施形態の作用を示す模式図。

【図６】ターゲットにおけるイオン密度のパターンの
一例を示す平面図。

【図７】従来のイオン生成装置の一例を示す断面図。

【符号の説明】

１：イオン生成装置１０：イオン発生室１４：ガス供給孔１５：排気孔１６：補助電極１８：イオン発生部２０：イオン導出部２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ：イオン通路２２：第１電極２３：第２電極２４，２４Ａ，２４Ｂ：第３電極２５：第４電極２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ，２５Ｄ；
片部２６：開口２７：排気孔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐伯宏兵庫県姫路市大塩町汐咲２丁目24番藤和姫路大塩ハイタウン412号室 (72)発明者高橋研宮城県仙台市太白区人来田２丁目20−２ (72)発明者高橋善則東京都中央区佃２丁目17番15号月島機械株式会社内 (72)発明者後藤秀徳東京都中央区佃２丁目17番15号月島機械株式会社内 (72)発明者大野純東京都中央区佃２丁目17番15号月島機械株式会社内Ｆターム(参考） 5C030 DD02 DE04 DG09 5F004 AA14 BA11 BB12 BB14 DA23 EA38

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】イオンを、イオン通路に沿って発生源側
から順次、当該イオンと同じ極性を有する第１の電界、
当該イオンとは逆の極性を有する第２の電界、および前
記第１の電界と第２の電界との中間の電位を有する第３
の電界を通過させて導出することを特徴とするイオン生
成方法。
【請求項２】前記第２の電界以降に第４の電界を形成
し、イオン通路の断面方向にこの第４の電界の電位を調
整して、前記イオン通路から導出されたイオンビームの
照射パターンを制御することを特徴とする請求項１に記
載のイオン生成方法。
【請求項３】イオン発生室とイオン導出部とを有する
イオン生成装置であって、前記イオン導出部は、イオンが通過するイオン通路を横
切ってイオン発生室側から順に、前記イオン発生室で発
生したイオンと同じ極性を有する第１の電極と、当該イ
オンとは逆の極性を有する第２の電極と、前記第１の電
極と第２の電極との中間の電位を有する第３の電極とを
備え、前記第１、第２および第３の電極にはそれぞれイ
オン通路となる同軸的な開口が形成されたことを特徴と
するイオン生成装置。
【請求項４】前記第１の電極の開口は、前記イオン発
生室側の縁部が鋭角に形成されたことを特徴とする請求
項３に記載のイオン生成装置。
【請求項５】前記第３の電極はイオン通路に沿って２
分割され、分割された間隙に、前記イオン通路を横切っ
て電位を調整し得る第４の電極が挿入され、この第４の
電極に、前記第１、第２および第３の電極の開口と同軸
的な開口が形成されたことを特徴とする請求項３または
請求項４に記載のイオン生成装置。
【請求項６】前記第４の電極は、イオン通路を中心と
して放射状に複数の片部に分割され、それぞれの片部が
独立した電位に荷電されるようにしたことを特徴とする
請求項５に記載のイオン生成装置。
【請求項７】前記第２の電極以降の電極の開口は、イ
オン発生室側からイオン通路に沿って漸次拡径するよう
に形成されたことを特徴とする請求項３ないし請求項６
のいずれかに記載のイオン生成装置。
【請求項８】前記各電極には、複数の前記開口が形成
されたことを特徴とする請求項３ないし請求項７のいず
れかに記載のイオン生成装置。
【請求項９】前記イオン導出部に、前記イオン通路に
通じる排気路が設けられたことを特徴とする請求項３な
いし請求項８のいずれかに記載のイオン生成装置。
【請求項１０】前記イオン発生室は、少なくとも第１
の電極に隣接する壁面が、当該イオン発生室で発生した
イオンと同じ極性に荷電された補助電極で覆われたこと
を特徴とする請求項３ないし請求項９のいずれかに記載
のイオン生成装置。