JP2002097344A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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Abstract
内部ボイド、パッケージ表面外観)に優れる半導体封止
用エポキシ樹脂組成物を提供する。 【解決手段】エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、硬化
促進剤(C)、充填剤(D)、シリコーン化合物(E)を
必須成分として含有し、充填剤(D)の含有量が樹脂組
成物全体に対し83〜95重量%であり、シリコーン化
合物(E)が特定の構造を有する有機変性シリコーン化合
物を必須成分として含有することを特徴とするエポキシ
樹脂組成物。
Description
性(ボイド)に優れるエポキシ樹脂組成物、詳しくは半
導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置に関す
るものである。
法としては、経済性・生産性・物性等のバランスの点か
らエポキシ樹脂、硬化剤、無機質充填剤からなる封止用
樹脂を用いた樹脂封止が一般的になっている。近年の半
導体装置の多ピン化、小型・薄型化、チップの大型化に
従い、封止用樹脂に対する半田耐熱性、成形性の要求も
高まっている。
組成物中の充填剤含有量を増加させ低吸水化が図られて
きたが、その反面として、パッケージ表面やパッケージ
内部に発生するボイドが増加し問題となっていた。
し、特開平8−337635号公報に見られるように、
シリコーンオイルの添加により外部ボイドを低減するこ
とが提案されている。
外部ボイド、内部ボイドの低減効果は十分とはいえず、
さらにシリコーンオイル成分がパッケージ表面に浸み出
したり、外観不良(フローマーク発生)となる場合があ
った。
(外部ボイド、内部ボイド、パッケージ表面外観)に優
れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物の提供を課題とす
るものである。
して次の構成からなる、すなわち、「エポキシ樹脂
(A)、硬化剤(B)、硬化促進剤(C)、充填剤
(D)、シリコーン化合物(E)を必須成分として含有
し、充填剤(D)の含有量が樹脂組成物全体に対し83
〜95重量%であり、シリコーン化合物(E)が下式
(I)の構造を有する有機変性シリコーン化合物を必須
成分として含有し、さらにシリコーン化合物(E)の含
有量が樹脂組成物全体に対し0.01〜5重量%である
ことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」
である。
0、0≦x+y+z+v≦6000、1≦w≦3であ
る。R1、R2はエチル基またはメチル基であり、同一で
も異なっても良い。また、R、R’はC1〜C10のアル
キル基またはアルキレン基であって、アルキル基の水素
が水酸基、アルキル基で置換されていても良い。さら
に、0≦a、b≦50である。)
内にエポキシ基を複数個もつものならば特に限定され
ず、これらの具体例としては、たとえばクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポ
キシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェ
ノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAやレゾルシ
ンなどから合成される各種ノボラック型エポキシ樹脂、
直鎖脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環
式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂およびハロ
ゲン化エポキシ樹脂などが挙げられる。エポキシ樹脂
(A)においては2種類以上のエポキシ樹脂を併用して
含有することができる。
本発明において好ましく使用されるものは、半田耐熱性
(密着性)が優れる点で、下記式(II)で表されるビフ
ェニル骨格を有するエポキシ樹脂を含有するものであ
る。
ハロゲン原子を示し、同一であっても異なっていてもよ
い。)さらにエポキシ樹脂(A)は上記式(II)で表さ
れるビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂を50重量%
以上含有することが好ましい。
の好ましい具体例としては、 4,4'-ビス(2,3-エポキシプロポキシ)ビフェニル 4,4'-ビス(2,3-エポキシプロポキシ)-3,3',5,5'-テト
ラメチルビフェニル 4,4'-ビス(2,3-エポキシプロポキシ)-3,3',5,5'-テト
ラエチルビフェニル 4,4'-ビス(2,3-エポキシプロポキシ)-3,3',5,5'-テト
ラブチルビフェニル などが挙げられ、それぞれ単独でも、または混合系で用
いる場合でも十分に効果を発揮する。
I)で表される骨格を有するエポキシ樹脂を含有するこ
とも、成形性(内部ボイド)の観点から好ましい。
素原子、アルキル基またはハロゲン原子を示し、同一で
あっても異なっていてもよい。)さらにエポキシ樹脂
(A)は上記式(III)で表される骨格を有するエポキ
シ樹脂を15重量%以上含有することが好ましい。
で表されるビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂と一般
式(III)で表される骨格を有するエポキシ樹脂を両方
含有することがさらに好ましい。この場合、一般式(I
I)で表されるビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂と
一般式(III)で表される骨格を有するエポキシ樹脂の
合計が、エポキシ樹脂中80重量%以上であることが好
ましい本発明において、エポキシ樹脂(A)の配合量
は、成形性および密着性の観点から、エポキシ樹脂組成
物全体に対して、通常0.5〜15重量%、さらに好ま
しくは2〜10重量%である。エポキシ樹脂(A)の配
合量が0.5重量%以上であれば成形性や密着性が不十
分になったりすることがなく、15重量%以下であれば
硬化物の線膨張係数が大きくなり、硬化物の低応力化が
困難となることもない。
樹脂(A)と反応して硬化させるものであれば特に限定
されない。通常はフェノール性水酸基を有する化合物、
酸無水物を有する化合物、アミン類が使用される。これ
らのうち、フェノール系硬化剤、すなわちフェノール性
水酸基を2個以上分子内に有する化合物の具体例として
は、たとえばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノ
ボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビスフェノ
ールAやレゾルシンなどから合成される各種ノボラック
樹脂、トリス(ヒドロキシフェニル)メタン、ジヒドロ
ビフェニルなどの多種多価フェノール化合物、ポリビニ
ルフェノールが例示される。
水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット酸など
が例示される。
ミン、ジ(アミノフェニル)メタン(通称ジアミノジフ
ェニルメタン)、ジアミノジフェニルスルホンなどの芳
香族アミンなどが例示される。半導体封止用としては耐
熱性、耐湿性および保存性の点から、フェノール系硬化
剤が好ましく用いられ、用途によっては2種類以上の硬
化剤を併用してもよい。
は、エポキシ樹脂組成物全体に対して通常0.5〜15
重量%、好ましくは1〜10重量%である。さらに、エ
ポキシ樹脂(A)と硬化剤(B)の配合比は、機械的性
質および耐湿信頼性の点から(A)に対する(B)の化
学当量比が0.5〜1.5、特に0.7〜1.2の範囲
にあることが好ましい。
硬化剤(B)の硬化反応を促進するために硬化促進剤
(C)を用いる。硬化促進剤(C)はエポキシ樹脂
(A)と硬化剤(B)の硬化反応を促進するものならば
特に限定されず、例えば、2−メチルイミダゾール、
2,4−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチ
ルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェ
ニル−4−メチルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミ
ダゾールなどのイミダゾール化合物、トリエチルアミ
ン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメ
チルアミン、2−(ジメチルアミノメチル)フェノー
ル、2,4,6−トリス(ジメチルアミノメチル)フェ
ノール、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデ
セン−7などの三級アミン化合物、ジルコニウムテトラ
メトキシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラ
キス(アセチルアセト)ジルコニウム、トリ(アセチル
アセト)アルミニウムなどの有機金属化合物およびトリ
フェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチ
ルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ(p−メチ
ルフェニル)ホスフィン、トリ(ノニルフェニル)ホス
フィンなどの有機ホスフィン化合物があげられる。なか
でも耐湿性の点から、有機ホスフィン化合物が好ましく
用いられる。これらの硬化促進剤(C)は、用途によっ
ては2種類以上を併用してもよく、その添加量は、エポ
キシ樹脂(A)100重量部に対して0.1〜10重量
部の範囲が好ましい。
発明において好ましく使用されるものは、成形性(外部
ボイド)が優れる点で、下記式(IV)で表されるテトラ
フェニルホスフォニウムテトラフェニルボレートであ
る。
晶性シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグ
ネシウム、アルミナ、マグネシア、クレー、タルク、ケ
イ酸カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、アスベ
スト、ガラス繊維などがあげられるが、なかでも非晶性
シリカが線膨張係数を低下させる効果が大きく、低応力
化に有効なために本発明の充填剤として配合される。
と異なり、シリカの構成元素であるケイ素原子と酸素原
子が規則正しく配列されておらず、結晶状態となってい
ないアモルファス状態のシリカである。非晶性シリカ
は、例えば結晶性シリカを一旦熔融した後、急冷するこ
とによって得ることが出来る(熔融シリカ)。非晶性シ
リカは結晶性シリカと比較して、線膨張率が小さく低応
力化に有効である。
ことができる。たとえば結晶性シリカを溶融する方法、
各種原料から合成する方法などがあげられる。
粒径は特に限定されないが、平均粒径3μm以上40μ
m以下の球状粒子を充填剤(D)中に50重量%以上含
有することが流動性の点から好ましい。
なる粒径(メジアン径)を意味する。本発明において無
機質充填剤の(D)の割合は難燃性、流動性、低応力性
および密着性の点から樹脂組成物全体の83〜95重量
%であることが必要であり、好ましくは85〜93重量
%である。
ング剤、チタネートカップリング剤、アルミネートカッ
プリング剤などのカップリング剤とシリコーン化合物
(E)の混合物であらかじめ表面処理することが信頼性
および樹脂と無機充填剤の相溶性を向上させる点で好ま
しい。
は、ポリオルガノシロキサンであり、一般的にはジメチ
ルシロキサン単位、メチルフェニルシロキサン単位、ジ
フェニルシロキサン単位などの重合体であり、なかでも
ジメチルシロキサン単位を主成分(好ましくは60モル
%以上、さらに好ましくは80モル%以上)とするもの
が好ましく用いられる。また水素、エチル基、水酸基、
その他の有機基で側鎖または末端が置換されたものも任
意に使用できる。シリコーン化合物(E)の性状として
は、液状、ガム状、架橋ゴム状のものが任意に用いられ
るが、分散性の観点から液状のものが好ましく用いられ
る。シリコーン化合物(E)の分子量としては、ジシロ
キサン構造のものから架橋により無限大となっているも
のまで任意である。なかでも数平均重合度として、シロ
キサンの繰り返し単位が2以上、一方、10000以
下、さらに5000以下、さらに2000以下のものが
好ましく用いられる。
合物(E)のうち下式(I)の構造を有する有機変性シ
リコーン化合物を必須成分として含有することが、成形
性(外部ボイド、内部ボイド、パッケージ表面外観)の
観点から必要である。
0、0≦x+y+z+v≦6000、1≦w≦3であ
る。R1、R2はエチル基またはメチル基であり、同一で
も異なっても良い。また、R、R’はC1〜C10のアル
キル基またはアルキレン基であって、アルキル基の水素
が水酸基、アルキル基で置換されていても良い。さら
に、0≦a、b≦50である。)
コーン化合物のなかでも、ポリエーテル側鎖および、ア
ルコキシシリル側鎖を持つ有機変性シリコーン化合物が
エポキシ樹脂と無機充填剤の相溶性を向上させることか
ら好ましく用いられる。
配合量は、樹脂組成物全体に対して好ましくは0.01
〜5重量%、さらに好ましくは0.03〜3重量%の範
囲である。配合量が0.01重量%以上であれば、外部
ボイド、内部ボイドの低減効果が十分発揮され、また5
重量%以下であれば、密着性、成形性(パッケージ表面
外観)が低下することもない。
ン化エポキシ樹脂などのハロゲン化合物などの難燃剤、
三酸化アンチモンなどの各種難燃助剤、カーボンブラッ
クなどの着色剤、ハイドロタルサイトなどのイオン捕捉
材、オレフィン系共重合体、変性ニトリルゴム、変性ポ
リブタジエンゴムなどのエラストマー、ポリエチレンな
どの熱可塑性樹脂、長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、
長鎖脂肪酸のエステル、長鎖脂肪酸のアミド、パラフィ
ンワックスなどの離型剤および有機過酸化物などの架橋
剤を任意に添加することができる。
製造することが好ましく、たとえばバンバリーミキサ
ー、ニーダー、ロール、単軸もしくは二軸の押出機およ
びコニーダーなどの公知の混練方法を用いて溶融混練す
ることにより製造される。
イオード、抵抗、コンデンサーなどを半導体チップや基
板の上に集積し配線して作った電子回路(集積回路)の
ことを指し、広くは本発明のエポキシ樹脂組成物により
封止した電子部品を指す。そして本発明のエポキシ樹脂
組成物を用いて半導体チップからなる半導体素子を封止
することによって半導体装置を得ることができる。
半導体素子をリードフレームに固定した状態で、本発明
のエポキシ樹脂組成物を、例えば120〜250℃、好
ましくは150〜200℃の温度で、トランスファ成
形、インジェクション成形、注型法などの方法で成形す
ることによりエポキシ樹脂の硬化物によって封止された
半導体装置が製造される。また必要に応じて追加熱処理
(例えば、150〜200℃、2〜16時間)を行うこ
とができる。
る。なお、実施例中の%は重量%を示す。
を、表2に示した組成比でミキサーによりドライブレン
ドした。これを、ロール表面温度90℃のミキシングロ
ールを用いて5分間加熱混練後、冷却・粉砕して半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を製造した。
でコーティングしたシリコンチップ(サイズ10mm×
10mm)を搭載した、160pinQFP(Quad
Flat Package)を低圧トランスファー成
形法により175℃、硬化時間2分間の条件で成形し、
下記の特性評価法により各樹脂組成物の特性を評価し
た。
を上記条件で成形し、175℃で4時間後硬化した後、
85℃/85%RHで4日間加湿し、チップ表面に剥離
が発生したパッケージ数を調べた。
6個を上記条件で成形し、パッケージ表面にある外部ボ
イドの数を顕微鏡観察した。観察された外部ボイドの合
計数(16個のパッケージでの合計数)により、次の5
段階で評価した。 A:0〜1(個/16パッケージ) B:2〜5(個/16パッケージ) C:6〜10(個/16パッケージ) D:11〜15(個/16パッケージ) E:16以上(個/16パッケージ)
個を上記条件で成形し、パッケージ内部にある内部ボイ
ドを超音波探傷機により観察した。各パッケージで観察
された内部ボイドの数(個/パッケージ)の平均値によ
り、次の5段階で評価した。 A:0〜10(個/パッケージ) B:11〜20個/パッケージ) C:21〜30(個/パッケージ) D:31〜40(個/パッケージ) E:41以上(個/パッケージ)
FPを8個を上記条件で成形し、パッケージ表面にフロ
ーマーク、浸み出しなどの不良がないかを目視で確認し
た。なお、評価は次の3段階で行った。 ○:良好 △:フローマーク、浸み出し軽微 ×:不良(フローマーク、浸み出し多数)
1.05g/cm2、屈折率:1.45、アルコキシ当量:
1230、エポキシ当量:1230である。)
1.03g/cm2、屈折率:1.441、エポキシ含有
量:0.5wt%)
0.97g/cm2、屈折率:1.403)
樹脂組成物(実施例1〜8)は、密着性、外部ボイド、
内部ボイド、パッケージ表面外観に優れている。これに
対して、シリコーン化合物としてジメチルポリシロキサ
ンのみを含有する比較例1は密着性、パッケージ表面外
観に劣る。シリコーン化合物を全く含有しない比較例2
は、外部ボイド、内部ボイドに劣り、多量に含有する比
較例3は、密着性、パッケージ表面外観に劣る。充填剤
量が83重量%未満の比較例4は、密着性に劣り、95
重量%より過剰の比較例5は内部ボイド、外部ボイドに
劣る。
性)、成形性(外部ボイド、内部ボイド、パッケージ表
面外観)に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得
られる。
Claims (5)
- 【請求項1】 エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、硬
化促進剤(C)、充填剤(D)、シリコーン化合物(E)
を必須成分として含有し、充填剤(D)の含有量が樹脂
組成物全体に対し83〜95重量%であり、シリコーン
化合物(E)が下記式(I)の構造を有する有機変性シリ
コーン化合物を必須成分として含有し、さらにシリコー
ン化合物(E)の含有量が樹脂組成物全体に対し0.0
1〜5重量%であることを特徴とする半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物。 【化1】 (式中、0≦x≦2000、0≦y、z、v≦100
0、0≦x+y+z+v≦6000、1≦w≦3であ
る。R1、R2はエチル基またはメチル基であり、同一で
も異なっても良い。また、R、R’はC1〜C10のアル
キル基またはアルキレン基であって、アルキル基の水素
が水酸基、アルキル基で置換されていても良い。さら
に、0≦a、b≦50である。) - 【請求項2】 エポキシ樹脂(A)が下記式(II)の構
造を有するビフェニル型エポキシ樹脂を必須成分とする
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物。 【化2】 (ただし、式中のR1は、水素原子、アルキル基または
ハロゲン原子を示し、同一であっても異なっていてもよ
い。) - 【請求項3】 エポキシ樹脂(A)が下記式(III)の
構造を有するエポキシ樹脂を必須成分とすることを特徴
とする請求項1または2いずれかに記載の半導体封止用
エポキシ樹脂組成物。 【化3】 (ただし、式中のnは0〜5の整数であり、R2は、水
素原子、アルキル基またはハロゲン原子を示し、同一で
あっても異なっていてもよい。) - 【請求項4】 硬化促進剤(D)として下記式(IV)の
構造を有するテトラフェニルホスフォニウムテトラフェ
ニルボレートを必須成分として含有することを特徴とす
る請求項1〜3いずれかに記載の半導体封止用エポキシ
樹脂組成物。 【化4】 - 【請求項5】 請求項1〜4に記載のエポキシ樹脂組成
物で半導体素子が封止された半導体装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000291190A JP2002097344A (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003105068A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Toray Ind Inc | エポキシ系樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2003105057A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Toray Ind Inc | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2004289102A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-10-14 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 発光素子封止用熱硬化性組成物および発光ダイオード |
US7629398B2 (en) | 2005-03-16 | 2009-12-08 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Composition of epoxy resin, phenol resin and (epoxy resin-) CTBN |
KR100945635B1 (ko) * | 2007-12-18 | 2010-03-04 | 제일모직주식회사 | 반도체 조립용 접착 필름 조성물, 이에 의한 접착 필름 및이를 포함하는 다이싱 다이본드 필름 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08111469A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-04-30 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
JPH08217850A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-27 | Toshiba Chem Corp | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
JPH0940749A (ja) * | 1995-07-25 | 1997-02-10 | Toshiba Chem Corp | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
JP2000256438A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-19 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
JP2000327883A (ja) * | 1999-05-20 | 2000-11-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
2000
- 2000-09-25 JP JP2000291190A patent/JP2002097344A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08111469A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-04-30 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
JPH08217850A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-27 | Toshiba Chem Corp | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
JPH0940749A (ja) * | 1995-07-25 | 1997-02-10 | Toshiba Chem Corp | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
JP2000256438A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-19 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
JP2000327883A (ja) * | 1999-05-20 | 2000-11-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003105068A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Toray Ind Inc | エポキシ系樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2003105057A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Toray Ind Inc | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2004289102A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-10-14 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 発光素子封止用熱硬化性組成物および発光ダイオード |
US7629398B2 (en) | 2005-03-16 | 2009-12-08 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Composition of epoxy resin, phenol resin and (epoxy resin-) CTBN |
US7977412B2 (en) | 2005-03-16 | 2011-07-12 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Epoxy resin composition and semiconductor device |
KR100945635B1 (ko) * | 2007-12-18 | 2010-03-04 | 제일모직주식회사 | 반도체 조립용 접착 필름 조성물, 이에 의한 접착 필름 및이를 포함하는 다이싱 다이본드 필름 |
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