JP2002096012A - Device for treating substrate - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、処理槽内の処理液
に、半導体ウエハ、液晶表示用ガラス基板等の基板を浸
漬して基板に対して、洗浄処理、剥離処理等の所定の処
理を行う基板処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of immersing a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display in a processing solution in a processing tank to perform a predetermined process such as a cleaning process or a peeling process. The present invention relates to an apparatus for performing a substrate processing.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置として、例
えば、図４に示す構成の基板処理装置が挙げられる。図
４に示す基板処理装置は、処理液を貯溜し、この処理液
に浸漬されたウエハＷに対して、洗浄処理、剥離処理等
の所定の処理を行うための処理槽１００と、この処理槽
１００に隣接して配備され、処理槽から溢れ出た処理液
を回収する外槽１１０と、この外槽１１０と処理槽１０
０とに連通接続され、外槽１１０に溢れ出た処理液を再
び処理槽１００に戻す循環路１２０とを備えている。2. Description of the Related Art As a conventional substrate processing apparatus of this type, there is, for example, a substrate processing apparatus having a configuration shown in FIG. The substrate processing apparatus shown in FIG. 4 stores a processing liquid, and performs a predetermined processing such as a cleaning processing and a peeling processing on the wafer W immersed in the processing liquid, and a processing tank 100 for performing the predetermined processing. 100, an outer tank 110 for collecting the processing solution overflowing from the processing tank, and an outer tank 110 and a processing tank 10
0, and a circulation path 120 for returning the processing liquid overflowing to the outer tank 110 to the processing tank 100 again.
【０００３】処理槽１１０の底部には、２本の処理液供
給ノズル１３０が互いに平行に配置されているととも
に、処理槽１００内においてウエハＷを下部を保持する
ためのウエハガイド１０５が設けられている。また、こ
の循環路１２０の途中には、上流側から下流側へわたっ
て、循環路１２０に処理液を循環させるための循環ポン
プ１２１と、循環路１２０の処理液の温度を調整するヒ
ータ１２２と、０．０５μｍ〜０．１μｍの循環フィル
タ１２３と、ミキシングバルブ１２４とが、それぞれ設
けられている。At the bottom of the processing tank 110, two processing liquid supply nozzles 130 are arranged in parallel with each other, and a wafer guide 105 for holding the lower part of the wafer W in the processing tank 100 is provided. I have. Further, in the middle of the circulation path 120, a circulation pump 121 for circulating the processing liquid through the circulation path 120 from the upstream side to the downstream side, and a heater 122 for adjusting the temperature of the processing liquid in the circulation path 120. , A 0.05 μm to 0.1 μm circulation filter 123 and a mixing valve 124.
【０００４】処理槽１００内でウエハＷに対する処理に
使用され、処理槽１００から外槽１１０へ溢れ出た処理
液は、循環ポンプ１２０を作動させると、外槽１１０に
形成された排出口１１０ａから排出され、排出された処
理液は、循環路１２０内を循環して、再度、２本の処理
液供給ノズル１３０から処理槽１００内へ供給されるこ
とになる。また、ミキシングバルブ１２４において、複
数種類の薬液を注入して、ウエハＷを処理するための処
理液が生成される。The processing liquid used for processing the wafer W in the processing bath 100 and overflowing from the processing bath 100 to the outer bath 110 is discharged from a discharge port 110 a formed in the outer bath 110 when the circulating pump 120 is operated. The discharged processing liquid is circulated in the circulation path 120, and is again supplied from the two processing liquid supply nozzles 130 into the processing tank 100. In the mixing valve 124, a plurality of types of chemicals are injected to generate a processing liquid for processing the wafer W.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の基板処理装置では、処理槽１００内において、
レジストが塗布されたウエハＷの剥離処理等を行った場
合、大きなレジスト片をろ過するフィルターが無く、容
易に循環フィルタ１２３が目詰まりを起こし、循環路１
２０を流れている処理液の流量の低下や、循環フィルタ
１２３の交換が必要であった。However, in the conventional substrate processing apparatus described above, in the processing tank 100,
When the wafer W coated with the resist is subjected to a peeling process or the like, there is no filter for filtering a large resist piece, and the circulation filter 123 is easily clogged, and the circulation path 1
It is necessary to reduce the flow rate of the processing liquid flowing through the filter 20 and to replace the circulation filter 123.
【０００６】この問題については、硫酸過水（Ｈ２ＳＯ
４／Ｈ２Ｏ２）が処理液として使用されている場合に
は、硫酸の濃度が低下してくると、例えば、１０回に１
回は処理液を交換しなければならないので、このような
問題は生じなかった。しかし、近年、長期間使える処理
液が開発されることによって、こういった開発された処
理液を使用した場合、かえって循環フィルタの目詰まり
が起こるようになるという問題がある。[0006] Regarding this problem, sulfuric acid and hydrogen peroxide (H 2 SO
4 / H 2 O 2 ) is used as the processing liquid, and when the concentration of sulfuric acid decreases, for example, 1 out of 10 times
Such a problem did not occur because the processing solution had to be replaced at each time. However, in recent years, with the development of processing solutions that can be used for a long period of time, there is a problem that when such a developed processing solution is used, the circulation filter is rather clogged.
【０００７】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、循環フィルタの目詰まり等を防止し、循環
路における処理液の流量の低下を抑制する基板処理装置
を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide a substrate processing apparatus which prevents clogging of a circulation filter and suppresses a decrease in the flow rate of a processing solution in a circulation path. And
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１に記載の基板処理装置は、処理槽内の
処理液に基板を浸漬して基板に所定の処理を行う基板処
理装置において、前記処理槽の外側に配置され、かつ前
記処理槽から溢れた処理液を回収する外槽と、前記外槽
内に設けられ、複数の微細孔を有するとともに、前記外
槽内の領域を２つに区分するフィルタ部材と、前記フィ
ルター部材で区分された下流側の領域側の前記外槽に形
成され、処理液を前記外槽から排出する排出口と、前記
フィルター部材で区分された上流側の領域側の前記外槽
内に設けられ、前記外槽内の処理液の液面を検出する液
面検出手段と、を備えたことを特徴とするものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate by immersing the substrate in a processing solution in a processing bath. In the apparatus, an outer tank disposed outside the processing tank and collecting a processing liquid overflowing from the processing tank, and provided in the outer tank, having a plurality of micropores, and an area in the outer tank. And a discharge port formed in the outer tank on the downstream region side divided by the filter member and discharging the processing liquid from the outer tank, and the filter member is divided by the filter member. And a liquid level detection means provided in the outer tank on the upstream region side for detecting a liquid level of the processing liquid in the outer tank.
【０００９】また、請求項２に記載の基板処理装置は、
請求項１に記載の基板処理装置において、前記処理槽へ
処理液を供給する処理液供給手段と、一方側が前記排出
口に連通されれているとともに、他方側が前記処理液供
給手段に連通され、前記排出口から排出された処理液を
再度前記処理液供給手段へ供給させるための循環路と、
前記循環路の途中に設けられた循環フィルタと、をさら
に備えたことを特徴とするものである。なお、ここでい
う循環フィルタの微細孔は、０．０５μｍ〜０．１μｍ
である。Further, the substrate processing apparatus according to claim 2 is
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid to the processing tank, and one side is connected to the discharge port, and the other side is connected to the processing liquid supply unit, A circulation path for supplying the processing liquid discharged from the discharge port to the processing liquid supply unit again,
A circulation filter provided in the middle of the circulation path. In addition, the micropores of the circulation filter here are 0.05 μm to 0.1 μm.
It is.
【００１０】また、請求項３に記載の基板処理装置は、
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置におい
て、前記フィルタ部材の微細孔は、５０μｍ〜１００μ
ｍであることを特徴とするものである。Further, the substrate processing apparatus according to claim 3 is
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the fine hole of the filter member is 50 μm to 100 μm. 4.
m.
【００１１】また、請求項４に記載の基板処理装置は、
処理槽内の処理液に基板を浸漬して基板に所定の処理を
行う基板処理装置において、前記処理槽の外側に配置さ
れ、かつ前記処理槽から溢れた処理液を回収する外槽
と、前記外槽に形成されており、処理液を前記外槽から
排出する排出口と、前記処理槽へ処理液を供給する処理
液供給手段と、一方側が前記排出口に連通されれている
とともに、他方側が前記処理液供給手段に連通され、前
記排出口から排出された処理液を再度前記処理液供給手
段へ供給させるための循環路と、前記循環路の途中に設
けらている網フィルタと、前記網フィルタの上流と下流
とで、前記循環路を流れる処理液の圧力差を検出する差
圧検出手段と、を備えたことを特徴とするものである。Further, the substrate processing apparatus according to claim 4 is
In a substrate processing apparatus that performs predetermined processing on a substrate by immersing the substrate in a processing liquid in a processing tank, an outer tank that is disposed outside the processing tank and collects a processing liquid that overflows from the processing tank, A discharge port formed in the outer tank, for discharging the processing liquid from the outer tank, a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the processing tank, and one side connected to the discharge port, and A side connected to the processing liquid supply means, a circulation path for supplying the processing liquid discharged from the discharge port to the processing liquid supply means again, a mesh filter provided in the middle of the circulation path, A differential pressure detecting means for detecting a pressure difference between the processing liquid flowing through the circulation path upstream and downstream of the mesh filter.
【００１２】また、請求項５に記載の基板処理装置は、
請求項４に記載の基板処理装置において、前記循環路の
途中の前記網フィルタより下流側に設けられた循環フィ
ルタをさらに備えたことを特徴とするものである。な
お、ここでいう循環フィルタの微細孔は、０．０５μｍ
〜０．１μｍである。Further, the substrate processing apparatus according to claim 5 is
The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising a circulation filter provided downstream of the mesh filter in the middle of the circulation path. Here, the micropores of the circulation filter are 0.05 μm
０．１0.1 μm.
【００１３】さらに、請求項６に記載の基板処理装置
は、請求項４または請求項５に記載の基板処理装置にお
いて、前記網フィルタの微細孔が、５０μｍ〜１００μ
ｍであることを特徴とする。Further, according to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the fourth or fifth aspect, the fine holes of the mesh filter have a size of 50 μm to 100 μm.
m.
【００１４】なお、請求項１乃至請求項６でいう「所定
の処理」には、基板に対する洗浄処理、剥離処理等の処
理が考えられる。It is to be noted that the "predetermined processing" referred to in claims 1 to 6 includes processing such as cleaning processing and peeling processing for the substrate.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】＜第１の実施の形態＞以下、図面
に基づいて、本発明に係る基板処理装置の第１の実施の
形態について説明する。図１は、第１の実施の形態に係
る基板処理装置の概略構成を示す縦断面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS <First Embodiment> A first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a longitudinal sectional view illustrating a schematic configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
【００１６】この基板処理装置は、処理槽１を備えてい
る。この処理槽１では、処理液を貯溜し、処理液に浸漬
されたウエハＷに対して、剥離処理、洗浄処理等の所定
の処理が行われる。この処理槽１内においてウエハＷを
処理液に浸漬させた状態で、ウエハＷを保持するため
に、３つのウエハガイド２が設けられている。This substrate processing apparatus has a processing tank 1. In the processing tank 1, a processing liquid is stored, and a predetermined processing such as a peeling processing and a cleaning processing is performed on the wafer W immersed in the processing liquid. Three wafer guides 2 are provided to hold the wafer W in a state where the wafer W is immersed in the processing liquid in the processing tank 1.
【００１７】また、処理槽１の外周には外槽３が隣接し
て配置されており、処理槽１から溢れた処理液が、この
外槽３で回収される。この外槽３の底部には、処理液を
外槽３から排出するための排出口３ａが形成されてい
る。外槽３に回収された処理液は、排出口３ａを介し
て、循環路９に配設された循環ポンプ１１によって外槽
３から吸い出され、処理槽１の底部に互いに平行に設け
られた２本の処理液供給ノズル１３から処理槽１内へ供
給されることになる。An outer tank 3 is arranged adjacent to the outer periphery of the processing tank 1, and the processing liquid overflowing from the processing tank 1 is collected in the outer tank 3. A discharge port 3 a for discharging the processing liquid from the outer tank 3 is formed at the bottom of the outer tank 3. The processing liquid collected in the outer tank 3 is sucked out of the outer tank 3 by the circulation pump 11 arranged in the circulation path 9 through the outlet 3a, and provided at the bottom of the processing tank 1 in parallel with each other. The processing liquid is supplied from the two processing liquid supply nozzles 13 into the processing tank 1.
【００１８】この循環路９は、一方側が外槽３の排出口
３ａに連通されているとともに、他方側が処理槽１内の
２本の処理液供給ノズル１３に連通されている。この循
環路９には、上流側から下流側にわたって、上述した循
環ポンプ１１、ヒータ１５、循環フィルタ１７、及びミ
キシングバルブ１９が、それぞれ順に設けられている。The circulation path 9 has one side communicating with the discharge port 3 a of the outer tank 3 and the other side communicating with two processing liquid supply nozzles 13 in the processing tank 1. The circulation pump 9, the heater 15, the circulation filter 17, and the mixing valve 19 are provided in this circulation path 9 in order from the upstream side to the downstream side.
【００１９】ヒータ１５は、循環路９内を流れる処理液
を加熱するためのものである。また、循環フィルタ１７
は、循環路９内を流れるパーティクルを除去するための
ものである。この循環フィルタ１７の微細孔は、０．０
５μｍ〜０．１μｍである。さらに、ミキシングバルブ
１９は、複数種類の薬液を循環路９に注入して処理液を
生成するためのものである。ミキシングバルブ１９で生
成された新たな処理液は、循環路９におけるミキシング
バルブ１９より下流側の部分を流れて２本の処理液供給
ノズル１３へ供給される。The heater 15 is for heating the processing liquid flowing in the circulation path 9. The circulation filter 17
Is for removing particles flowing in the circulation path 9. The fine pores of the circulation filter 17 are 0.0
It is 5 μm to 0.1 μm. Further, the mixing valve 19 is for injecting a plurality of types of chemicals into the circulation path 9 to generate a processing liquid. The new processing liquid generated by the mixing valve 19 flows through a portion of the circulation path 9 downstream of the mixing valve 19 and is supplied to the two processing liquid supply nozzles 13.
【００２０】図２（ａ）に示すように、外槽３の内部に
は、外槽３内の領域を、処理液が流入される側（上流
側）の第１の領域２１ａと排出口３ａ側（下流側）の第
２の領域２１ｂとの２つの領域に区分するフィルタ部材
２０が設けられている。このフィルタ部材２０は、液面
と水平で、かつ網状のものであり、その微細孔は、５０
μｍ〜１００μｍのものである。そして、第１の領域２
１ａに、外槽３内の処理液の液面を検出するための液面
検出センサ２３が設けられている。As shown in FIG. 2A, inside the outer tub 3, a region in the outer tub 3 is defined by a first region 21 a on the side (upstream side) into which the processing liquid flows and an outlet 3 a. A filter member 20 is provided which is divided into two regions, that is, a second region 21b on the side (downstream side). The filter member 20 is horizontal to the liquid surface and has a net shape.
μm to 100 μm. And the first area 2
A liquid level detection sensor 23 for detecting the liquid level of the processing liquid in the outer tank 3 is provided in 1a.
【００２１】処理槽１内において、レジストの塗布され
たウエハＷに対する剥離処理、洗浄処理等の所定の処理
が行われた後、処理槽１から溢れ出た処理液は、外槽３
へ溢れ出る。このとき、ウエハＷの表面から剥離したレ
ジスト片は、フィルタ部材２０の上面にため込まれる。
レジスト片がフィルタ部材２０の上面にため込まれる
と、外槽３内の処理液の液面が上昇してくる。処理液の
液面の上昇に伴い液面検出センサ２３が処理液の液面を
検出する。After the wafer W coated with the resist is subjected to a predetermined process such as a peeling process or a cleaning process in the processing bath 1, the processing liquid overflowing from the processing bath 1 is removed from the outer bath 3.
Overflowing to At this time, the resist pieces separated from the surface of the wafer W are accumulated on the upper surface of the filter member 20.
When the resist pieces are accumulated on the upper surface of the filter member 20, the liquid level of the processing liquid in the outer tank 3 rises. As the liquid level of the processing liquid rises, the liquid level detection sensor 23 detects the liquid level of the processing liquid.
【００２２】この液面検出センサ２３による検出に伴っ
て、フィルタ部材２０の上面にため込まれたレジスト片
を図示しないフィルム部材巻き取り装置等によって系外
へ廃棄する。これにより、レジスト片が循環路９へ流れ
なくなり、循環フィルタ１７での目詰まりを防止でき
る。また、循環路９内における処理液の流量の低下も抑
制できる。With the detection by the liquid level detecting sensor 23, the resist pieces accumulated on the upper surface of the filter member 20 are discarded out of the system by a film member winding device (not shown) or the like. As a result, the resist pieces do not flow to the circulation path 9 and clogging of the circulation filter 17 can be prevented. In addition, a decrease in the flow rate of the processing liquid in the circulation path 9 can be suppressed.
【００２３】なお、図２（ｂ）のように、排出口３ａを
取り囲むように、半球状のフィルタ部材２０を外槽３の
底面に取り付け、外槽３内の領域を、処理液が流入され
る側（上流側）の第１の領域２１ａと排出口３ａ側（下
流側側）の第２の領域２１ｂとの２つの領域に区分する
ようにしてもよい。As shown in FIG. 2B, a hemispherical filter member 20 is attached to the bottom surface of the outer tank 3 so as to surround the outlet 3a, and the processing solution flows into the area inside the outer tank 3. May be divided into two regions, a first region 21a on the outlet side (upstream side) and a second region 21b on the outlet 3a side (downstream side).
【００２４】＜第２の実施の形態＞以下、図面に基づい
て、本発明に係る基板処理装置の第２の実施の形態につ
いて説明する。図３は、第２の実施の形態に係る基板処
理装置の概略構成を示す縦断面図である。<Second Embodiment> Hereinafter, a second embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a longitudinal sectional view illustrating a schematic configuration of the substrate processing apparatus according to the second embodiment.
【００２５】この基板処理装置は、処理槽５１を備えて
いる。この処理槽５１では、処理液を貯溜し、処理液に
浸漬されたウエハＷに対して、剥離処理、洗浄処理等の
所定の処理が行われる。この処理槽５１内にはウエハＷ
を処理液に浸漬させた状態で、ウエハＷを保持するため
に、３つのウエハガイド５２が設けられている。This substrate processing apparatus has a processing tank 51. In the processing tank 51, a processing liquid is stored, and a predetermined processing such as a peeling processing and a cleaning processing is performed on the wafer W immersed in the processing liquid. The wafer W is stored in the processing tank 51.
Three wafer guides 52 are provided to hold the wafer W in a state where the wafer W is immersed in the processing liquid.
【００２６】また、処理槽５１の外周には外槽５３が隣
接して配置されており、処理槽５１から溢れた処理液が
外槽５３で回収される。この外槽５３の底部には、処理
液を外槽５３から排出するための排出口５３ａが形成さ
れている。外槽５３に回収された処理液は、排出口５３
ａを介して、循環路５９に配設された循環ポンプ６１に
よって外槽５３から吸い出され、処理槽５１の底部に互
いに平行に設けられた２本の処理液供給ノズル６３から
処理槽５１内へ供給されることになる。An outer tank 53 is arranged adjacent to the outer periphery of the processing tank 51, and the processing liquid overflowing from the processing tank 51 is collected in the outer tank 53. At the bottom of the outer tank 53, a discharge port 53a for discharging the processing liquid from the outer tank 53 is formed. The processing liquid collected in the outer tank 53 is
a, the liquid is sucked out of the outer tank 53 by the circulation pump 61 disposed in the circulation path 59 and is supplied from the two processing liquid supply nozzles 63 provided at the bottom of the processing tank 51 in parallel with each other. Will be supplied to
【００２７】この循環路５９は、一方側が外槽５３の排
出口５３ａに連通されているとともに、他方側が２本の
処理液供給ノズル６３に連通されている。この循環路５
９には、上流側から下流側にわたって、第１の圧力計６
５、網フィルタ６７、第２の圧力計６９、上述した循環
ポンプ６１、ヒータ７１、循環フィルタ７３、及びミキ
シングバルブ７５が、それぞれ順に設けられている。The circulation path 59 has one side communicating with the discharge port 53a of the outer tank 53 and the other side communicating with two processing liquid supply nozzles 63. This circulation path 5
9 includes a first pressure gauge 6 from the upstream side to the downstream side.
5, a mesh filter 67, a second pressure gauge 69, the above-described circulation pump 61, a heater 71, a circulation filter 73, and a mixing valve 75 are provided in this order.
【００２８】網フィルタ６７は、ウエハＷの表面から剥
離したレジスト片等を除去するもので、その微細孔は５
０μｍ〜１００μｍの粗さのものである。ヒータ７１
は、循環路５９内を流れる処理液を加熱するためのもの
である。また、循環フィルタ７３は、循環路５９内を流
れるパーティクルを除去するためのものである。この循
環フィルタ７３の微細孔は、０．０５μｍ〜０．１μｍ
である。さらに、ミキシングバルブ７５は、複数種類の
薬液を循環路５９に注入して処理液を生成するためのも
のである。ミキシングバルブ７５で生成された新たな処
理液は、循環路５９のミキシングバルブ７５より下流側
の部分を流れて２本の処理液供給ノズル６３へ供給され
る。The screen filter 67 is for removing resist pieces and the like peeled off from the surface of the wafer W.
It has a roughness of 0 μm to 100 μm. Heater 71
Is for heating the processing liquid flowing in the circulation path 59. The circulation filter 73 is for removing particles flowing in the circulation path 59. The fine pores of the circulation filter 73 are 0.05 μm to 0.1 μm
It is. Further, the mixing valve 75 is for injecting a plurality of types of chemicals into the circulation path 59 to generate a processing liquid. The new processing liquid generated by the mixing valve 75 flows through a portion of the circulation path 59 downstream of the mixing valve 75 and is supplied to the two processing liquid supply nozzles 63.
【００２９】循環路５９の網フィルタ６７の上流側には
第１の圧力計６５、下流側には第２の圧力計６９がそれ
ぞれ設けられている。この第１の圧力計６５と第２の圧
力計６９とには、差圧検出器７７が接続されている。こ
の差圧検出器７７は、網フィルタ６７の上流と下流との
圧力差を検出する。A first pressure gauge 65 is provided on the upstream side of the mesh filter 67 in the circulation path 59, and a second pressure gauge 69 is provided on the downstream side. A differential pressure detector 77 is connected to the first pressure gauge 65 and the second pressure gauge 69. The differential pressure detector 77 detects a pressure difference between the upstream and downstream of the mesh filter 67.
【００３０】なお、網フィルタ６７にレジスト片がため
込まれだすと、第１の圧力計６５は一定のままだが、第
２の圧力計６９は負圧状態になってくる。そして、予め
設定されている、第１の圧力計６５と第２の圧力計６９
との圧力差の閾値より大きな圧力差が差圧検出器７７に
より検出された場合、アラーム７９により警告される。When the resist pieces are accumulated in the mesh filter 67, the first pressure gauge 65 is kept constant, but the second pressure gauge 69 is in a negative pressure state. Then, the first pressure gauge 65 and the second pressure gauge 69 set in advance are set.
If a pressure difference larger than the pressure difference threshold value is detected by the differential pressure detector 77, a warning is issued by an alarm 79.
【００３１】処理槽５１内において、レジストの塗布さ
れたウエハＷに対する剥離処理、洗浄処理等の所定の処
理が行われた後、処理槽５１から溢れ出た処理液は、外
槽５３へ溢れ出る。このとき、ウエハＷの表面から剥離
したレジスト片は、外槽５３から排出口５３ａを介して
循環路５９へ排出される。そして、循環路５９を流れた
レジスト片は、循環路５９に設けられた網フィルタ６７
にため込まれる。After the wafer W coated with the resist is subjected to predetermined processing such as peeling processing and cleaning processing in the processing tank 51, the processing liquid overflowing from the processing tank 51 overflows to the outer tank 53. . At this time, the resist piece peeled off from the surface of the wafer W is discharged from the outer tank 53 to the circulation path 59 via the discharge port 53a. Then, the resist pieces flowing through the circulation path 59 are separated by a net filter 67 provided in the circulation path 59.
Stored in.
【００３２】レジスト片が網フィルタ６７にため込まれ
だすと、網フィルタ６７の上流と下流とで圧力差が発生
する。そして、この差圧検出器７７が、第１の圧力計６
５及び第２の圧力計６９により検出された圧力値に基づ
いて、網フィルタ６７の上流と下流との圧力差を検出す
る。予め設定されている第１の圧力計６５と第２の圧力
計６９との圧力差の閾値より大きな圧力差をこの差圧検
出器７７が検出した場合、アラーム７９により警告され
る。When the resist pieces are accumulated in the screen filter 67, a pressure difference is generated between the upstream and downstream of the screen filter 67. The differential pressure detector 77 is connected to the first pressure gauge 6.
The pressure difference between the upstream and downstream of the mesh filter 67 is detected based on the pressure values detected by the fifth and second pressure gauges 69. When the differential pressure detector 77 detects a pressure difference greater than a preset threshold value of the pressure difference between the first pressure gauge 65 and the second pressure gauge 69, an alarm 79 warns.
【００３３】このアラーム７９の検出により、網フィル
タ６７にため込めれたレジスト片を図示しない網フィル
タ巻き取り装置等によって廃棄するか、網フィルタ６７
を取り替える。これにより、レジスト片が循環フィルタ
７３が設けられている循環路９へ流れなくなり、循環フ
ィルタ７３への目詰まりを防止できる。また、循環路５
９内における処理液の流量の低下も抑制できる。Upon detection of the alarm 79, the resist pieces accumulated in the screen filter 67 are discarded by a screen filter winding device or the like (not shown) or the screen filter 67
Replace. Thereby, the resist pieces do not flow to the circulation path 9 provided with the circulation filter 73, and the clogging of the circulation filter 73 can be prevented. In addition, circulation circuit 5
Also, a decrease in the flow rate of the processing liquid in the nozzle 9 can be suppressed.
【００３４】なお、第１の圧力計６５及び第２の圧力計
６９の代わりに、圧力検出ラインを直接差圧検出器７７
の所に設ける差圧計兼差圧検出器に導くようにしてもよ
い。It should be noted that instead of the first pressure gauge 65 and the second pressure gauge 69, a pressure detection line is directly connected to the differential pressure detector 77.
May be led to a differential pressure gauge / differential pressure detector provided at the position (1).
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る基板処理装置によれば、外槽に設けられたフィルタ部
材によりレジスト片をため込むようになっているので、
循環フィルタの目詰まり等の排出口から排出された処理
液の悪影響を防止できるという効果がある。As described above in detail, according to the substrate processing apparatus of the present invention, the resist pieces are stored by the filter member provided in the outer tank.
This has the effect of preventing adverse effects of the processing liquid discharged from the discharge port such as clogging of the circulation filter.
【００３６】また、本発明に係る基板処理装置によれ
ば、循環路の途中に設けられた網フィルタによりレジス
ト片をため込むようになっているので、循環フィルタの
目詰まり等の排出口から排出された処理液の悪影響を防
止でき、循環路を流れる処理液の流量の低下を抑制でき
るという効果がある。Further, according to the substrate processing apparatus of the present invention, since the resist pieces are accumulated by the mesh filter provided in the middle of the circulation path, the resist pieces are discharged from the discharge port such as clogging of the circulation filter. This has the effect of preventing the adverse effect of the processed processing liquid and suppressing a decrease in the flow rate of the processing liquid flowing through the circulation path.
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の概略構
成を示す縦断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view illustrating a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment.
【図２】第１の実施の形態に係る基板処理装置の外槽の
部分拡大図である。FIG. 2 is a partially enlarged view of an outer tank of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
【図３】第２の実施の形態に係る基板処理装置の概略構
成を示す縦断面図である。FIG. 3 is a longitudinal sectional view illustrating a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment.
【図４】従来の基板処理装置の概略構成を示す縦断面図
である。FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a conventional substrate processing apparatus.
【符号の説明】 １ 処理槽 ２ ウエハガイド ３ 外槽 ３ａ 排出口 ９ 循環路 １１ 循環ポンプ １３ 処理液供給ノズル １７ 循環フィルタ ２０ フィルタ部材 ２１ａ 第１の領域 ２１ｂ 第２の領域 ２３ 液面検出センサ ５１ 処理槽 ５２ ウエハガイド ５３ 外槽 ５３ａ 排出口 ５９ 循環路 ６１ 循環ポンプ ６３ 処理液供給ノズル ６５ 第１の圧力計 ６７ 網フィルタ ６９ 第２の圧力計 ７３ 循環フィルタ ７７ 差圧検出器 ７９ アラーム Ｗ ウエハDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 processing tank 2 wafer guide 3 outer tank 3a outlet 9 circulation path 11 circulation pump 13 processing liquid supply nozzle 17 circulation filter 20 filter member 21a first area 21b second area 23 liquid level detection sensor 51 Processing tank 52 Wafer guide 53 Outer tank 53a Discharge port 59 Circulation path 61 Circulation pump 63 Processing liquid supply nozzle 65 First pressure gauge 67 Mesh filter 69 Second pressure gauge 73 Circulation filter 77 Differential pressure detector 79 Alarm W wafer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４８ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ Ｆターム(参考） 2H096 AA25 LA25 LA30 3B201 AA03 AB44 BB03 BB04 BB92 CB12 CD22 CD42 CD43 4F040 AA12 AA14 AB13 AB14 CC08 CC09 CC10 DA02 DB10 4F042 AA07 AA10 BA09 CB13 CC04 CC07 CC22 CC30 5F046 MA06 MA10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/304 648 H01L 21/30 572B F-term (Reference) 2H096 AA25 LA25 LA30 3B201 AA03 AB44 BB03 BB04 BB92 CB12 CD22 CD42 CD43 4F040 AA12 AA14 AB13 AB14 CC08 CC09 CC10 DA02 DB10 4F042 AA07 AA10 BA09 CB13 CC04 CC07 CC22 CC30 5F046 MA06 MA10
Claims (6)
所定の処理を行う基板処理装置において、 前記処理槽の外側に配置され、かつ前記処理槽から溢れ
た処理液を回収する外槽と、 前記外槽内に設けられ、複数の微細孔を有するととも
に、前記外槽内の領域を２つに区分するフィルタ部材
と、 前記フィルター部材で区分された下流側の領域側の前記
外槽に形成され、処理液を前記外槽から排出する排出口
と、 前記フィルター部材で区分された上流側の領域側の前記
外槽内に設けられ、前記外槽内の処理液の液面を検出す
る液面検出手段と、を備えたことを特徴とする基板処理
装置。1. A substrate processing apparatus for performing predetermined processing on a substrate by immersing the substrate in a processing liquid in a processing tank, wherein the processing liquid disposed outside the processing tank and overflowing from the processing tank is collected. An outer tub, a filter member provided in the outer tub, having a plurality of micropores, and dividing the area in the outer tub into two, and a downstream region side divided by the filter member. A discharge port formed in the outer tank and discharging the processing liquid from the outer tank; and a liquid surface of the processing liquid in the outer tank, which is provided in the outer tank on the upstream region side divided by the filter member. And a liquid level detecting means for detecting the liquid level.
側が前記処理液供給手段に連通され、前記排出口から排
出された処理液を再度前記処理液供給手段へ供給させる
ための循環路と、 前記循環路の途中に設けられた循環フィルタと、をさら
に備えたことを特徴とする基板処理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the processing tank, and one side is connected to the discharge port and the other side is a processing liquid supply means. A circulation path for communicating the processing liquid discharged from the discharge port to the processing liquid supply unit again, and a circulation filter provided in the middle of the circulation path. Substrate processing apparatus.
装置において、 前記フィルタ部材の微細孔は、５０μｍ〜１００μｍで
あることを特徴とする基板処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the fine holes of the filter member have a size of 50 μm to 100 μm.
所定の処理を行う基板処理装置において、 前記処理槽の外側に配置され、かつ前記処理槽から溢れ
た処理液を回収する外槽と、 前記外槽に形成されており、処理液を前記外槽から排出
する排出口と、 前記処理槽へ処理液を供給する処理液供給手段と、 一方側が前記排出口に連通されれているとともに、他方
側が前記処理液供給手段に連通され、前記排出口から排
出された処理液を再度前記処理液供給手段へ供給させる
ための循環路と、 前記循環路の途中に設けらている網フィルタと、 前記網フィルタの上流と下流とで、前記循環路を流れる
処理液の圧力差を検出する差圧検出手段と、を備えたこ
とを特徴とする基板処理装置。4. A substrate processing apparatus for performing predetermined processing on a substrate by immersing the substrate in a processing liquid in the processing tank, wherein the processing liquid disposed outside the processing tank and overflowing from the processing tank is collected. An outer tank, an outlet formed in the outer tank, for discharging a processing liquid from the outer tank, a processing liquid supply means for supplying the processing liquid to the processing tank, and one side communicated with the outlet. And a circulation path for communicating the processing liquid discharged from the discharge port to the processing liquid supply means again with the other side being communicated with the processing liquid supply means, and provided in the middle of the circulation path. A substrate processing apparatus, comprising: a mesh filter; and a differential pressure detecting unit configured to detect a pressure difference between a processing liquid flowing in the circulation path and a pressure difference between the upstream and downstream of the mesh filter.
れた循環フィルタをさらに備えたことを特徴とする基板
処理装置。5. The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising a circulation filter provided downstream of the mesh filter in the middle of the circulation path.
装置において、 前記網フィルタの微細孔は、５０μｍ〜１００μｍであ
ることを特徴とする基板処理装置。6. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the fine holes of the screen filter have a size of 50 μm to 100 μm.
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