JP2002093803A - Film-forming material, film-forming method, film and device - Google Patents
Film-forming material, film-forming method, film and deviceInfo
- Publication number
- JP2002093803A JP2002093803A JP2000280245A JP2000280245A JP2002093803A JP 2002093803 A JP2002093803 A JP 2002093803A JP 2000280245 A JP2000280245 A JP 2000280245A JP 2000280245 A JP2000280245 A JP 2000280245A JP 2002093803 A JP2002093803 A JP 2002093803A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- zirconium
- oxide film
- group
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、特にゲート酸化膜
として好適なジルコニウム系膜に関する。The present invention relates to a zirconium-based film particularly suitable as a gate oxide film.
【０００２】[0002]
【発明が解決しようとする課題】近年、ＵＬＳＩの進展
に伴い、トランジスタのソース−ドレイン間距離は一層
短くなって来ている。同時に、ゲート酸化膜の厚さも薄
膜化の一途を辿っている。因みに、その膜厚は１０ｎｍ
以下になることが予想されている。In recent years, with the development of ULSI, the distance between the source and the drain of a transistor has been further reduced. At the same time, the thickness of the gate oxide film has been steadily reduced. By the way, the film thickness is 10 nm
It is expected that:
【０００３】ところで、現在、ゲート酸化膜はＳｉＯ２
で出来ているが、このＳｉＯ２製ゲート酸化膜の厚さが
３ｎｍ以下の厚さに至ると、ソースとドレイン間に溜め
られた電荷はゲート酸化膜を通り抜けてしまうようにな
る。At present, the gate oxide film is made of SiO 2
However, when the thickness of the SiO 2 gate oxide film reaches a thickness of 3 nm or less, charges accumulated between the source and the drain pass through the gate oxide film.
【０００４】このような問題を解決する為に金属酸化膜
が提案され始めた。[0004] In order to solve such a problem, a metal oxide film has been proposed.
【０００５】しかし、単に、金属酸化膜であれば良いと
言うものではない。[0005] However, it is not simply sufficient to use a metal oxide film.
【０００６】例えば、下層のシリコンを酸化しないこと
が必要である。For example, it is necessary not to oxidize the underlying silicon.
【０００７】そして、ジルコニウムは、シリコンとの界
面に珪酸ジルコニウム（ＺｒＳｉＯ ４）を形成すること
から、シリコンを酸化しないと言うことが報告されてい
る。[0007] Zirconium has an interface with silicon.
Zirconium silicate (ZrSiO 4Forming)
Reports that it does not oxidize silicon
You.
【０００８】従って、ジルコニウム酸化膜はゲート酸化
膜として好都合なことが判る。Therefore, it can be seen that the zirconium oxide film is favorable as a gate oxide film.
【０００９】ところで、ジルコニウム酸化膜の形成方法
はスパッタによっていた。Incidentally, the method of forming the zirconium oxide film has been by sputtering.
【００１０】しかし、スパッタ法は、一般的に、成膜に
時間が掛かり過ぎる。However, the sputtering method generally takes too much time for film formation.
【００１１】又、段差被膜性に劣る。例えば、表面が平
坦ではなく、凹凸があるような基板に膜を形成しようと
した場合、凹部の底の面には膜が形成されないようなこ
とがある。膜が形成されても、その膜は均一なものでな
く、斑状のものであったりする。Also, the step coverage is poor. For example, when an attempt is made to form a film on a substrate whose surface is not flat and has irregularities, the film may not be formed on the bottom surface of the concave portion. Even if a film is formed, the film is not uniform and may be patchy.
【００１２】従って、本発明が解決しようとする第１の
課題は、ジルコニウム系のゲート酸化膜を形成できる技
術を提供することである。Accordingly, a first object of the present invention is to provide a technique capable of forming a zirconium-based gate oxide film.
【００１３】又、本発明が解決しようとする第２の課題
は、綺麗なジルコニウム系膜を効率良く形成できる技術
を提供することである。A second object of the present invention is to provide a technique capable of efficiently forming a beautiful zirconium-based film.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】前記の課題は、ゲート酸
化膜を形成する為の材料であって、前記ゲート酸化膜形
成材料は、（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４Ｚｒ〔但し、Ｒ１，Ｒ２は
アルキル基、及びシリコン系化合物の基の群の中から選
ばれるものであり、Ｒ１とＲ２とは互いに異なっていて
も同じであってもよい。〕で表される化合物を有するこ
とを特徴とするジルコニウム系膜形成材料によって解決
される。An object of the present invention is to provide a material for forming a gate oxide film, wherein the material for forming the gate oxide film is (R 1 R 2 N) 4 Zr [where R 1 , R 2 is selected from the group consisting of an alkyl group and a group of a silicon-based compound, and R 1 and R 2 may be different or the same. And a zirconium-based film forming material characterized by having a compound represented by the following formula:
【００１５】又、酸化膜を形成する為の材料であって、
前記酸化膜形成材料は、（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４Ｚｒ〔但し、
Ｒ１，Ｒ２はアルキル基、及びシリコン系化合物の基の
群の中から選ばれるものであり、Ｒ１とＲ２とは互いに
異なっていても同じであってもよい。〕で表される化合
物を有することを特徴とするジルコニウム系膜形成材料
によって解決される。A material for forming an oxide film,
The oxide film forming material is (R 1 R 2 N) 4 Zr [provided that
R 1 and R 2 are selected from the group consisting of an alkyl group and a group of a silicon-based compound, and R 1 and R 2 may be different or the same. And a zirconium-based film forming material characterized by having a compound represented by the following formula:
【００１６】特に、上記（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４Ｚｒにおける
Ｒ１，Ｒ２がメチル基及びエチル基の群の中から選ばれ
るいずれかであることを特徴とするジルコニウム系膜形
成材料によって解決される。中でも、（Ｍｅ２Ｎ）４Ｚ
ｒ，（Ｅｔ２Ｎ）４Ｚｒ及び／又は（Ｅｔ（Ｍｅ）Ｎ）
４Ｚｒで表される化合物からなることを特徴とするジル
コニウム系膜形成材料によって解決される。In particular, the problem is solved by a zirconium-based film forming material, wherein R 1 and R 2 in the above (R 1 R 2 N) 4 Zr are selected from the group consisting of a methyl group and an ethyl group. Is done. Among them, (Me 2 N) 4 Z
r, (Et 2 N) 4 Zr and / or (Et (Me) N)
The problem is solved by a zirconium-based film forming material characterized by comprising a compound represented by 4Zr.
【００１７】上記化合物を用いることによってジルコニ
ウム系酸化膜（例えば、ゲート酸化膜）を効率良く形成
できる。By using the above compound, a zirconium-based oxide film (for example, a gate oxide film) can be efficiently formed.
【００１８】しかし、（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４Ｚｒのみではな
く、（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４ＺｒとＳｉ化合物とを併用しても
膜が形成できる。すなわち、（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４ＺｒとＳ
ｉ化合物とを併用することによって、シリコンとジルコ
ニウムとを主成分として含む酸化膜を形成でき、このよ
うなジルコニウム系の膜も良好なゲート酸化膜となる。However, a film can be formed by using not only (R 1 R 2 N) 4 Zr but also (R 1 R 2 N) 4 Zr and a Si compound. That is, (R 1 R 2 N) 4 Zr and S
By using the i-compound in combination, an oxide film containing silicon and zirconium as main components can be formed, and such a zirconium-based film also becomes a favorable gate oxide film.
【００１９】従って、前記の課題は、ゲート酸化膜を形
成する為の材料であって、前記ゲート酸化膜形成材料
は、（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４Ｚｒ〔但し、Ｒ１，Ｒ２はアルキ
ル基、及びシリコン系化合物の基の群の中から選ばれる
ものであり、Ｒ１とＲ２とは互いに異なっていても同じ
であってもよい。〕で表される化合物と、Ｓｉ化合物と
を有することを特徴とするジルコニウム系膜形成材料に
よって解決される。Accordingly, an object of the present invention is to provide a material for forming a gate oxide film, wherein the material for forming the gate oxide film is (R 1 R 2 N) 4 Zr [where R 1 and R 2 are alkyl. And R 1 and R 2 may be different from each other or the same as each other. And a Si compound, and a zirconium-based film forming material.
【００２０】又、酸化膜を形成する為の材料であって、
前記酸化膜形成材料は、（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４Ｚｒ〔但し、
Ｒ１，Ｒ２はアルキル基、及びシリコン系化合物の基の
群の中から選ばれるものであり、Ｒ１とＲ２とは互いに
異なっていても同じであってもよい。〕で表される化合
物と、Ｓｉ化合物とを有することを特徴とするジルコニ
ウム系膜形成材料によって解決される。A material for forming an oxide film,
The oxide film forming material is (R 1 R 2 N) 4 Zr [provided that
R 1 and R 2 are selected from the group consisting of an alkyl group and a group of a silicon-based compound, and R 1 and R 2 may be different or the same. And a Si compound, and a zirconium-based film forming material.
【００２１】特に、上記（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４Ｚｒにおける
Ｒ１，Ｒ２がメチル基及びエチル基の群の中から選ばれ
るいずれかであることを特徴とするジルコニウム系膜形
成材料によって解決される。中でも、（Ｍｅ２Ｎ）４Ｚ
ｒ，（Ｅｔ２Ｎ）４Ｚｒ及び／又は（Ｅｔ（Ｍｅ）Ｎ）
４Ｚｒで表される化合物からなることを特徴とするジル
コニウム系膜形成材料によって解決される。In particular, the problem is solved by a zirconium-based film forming material, wherein R 1 and R 2 in the above (R 1 R 2 N) 4 Zr are selected from the group consisting of a methyl group and an ethyl group. Is done. Among them, (Me 2 N) 4 Z
r, (Et 2 N) 4 Zr and / or (Et (Me) N)
The problem is solved by a zirconium-based film forming material characterized by comprising a compound represented by 4Zr.
【００２２】上記Ｓｉ化合物としては、好ましくは（Ｒ
１Ｒ２Ｎ）ｎＳｉＨ４−ｎ〔但し、Ｒ１，Ｒ２はアルキ
ル基、及びシリコン系化合物の基の群の中から選ばれる
ものであり、Ｒ１とＲ２とは互いに異なっていても同じ
であってもよい。ｎは１〜４の整数。〕で表される化合
物である。中でも、（Ｅｔ２Ｎ）４Ｓｉ，（Ｅｔ２Ｎ）
３ＳｉＨ，（Ｅｔ２Ｎ）２ＳｉＨ２，（Ｍｅ２Ｎ）４Ｓ
ｉ，（Ｍｅ２Ｎ）３ＳｉＨ，（Ｍｅ２Ｎ）２ＳｉＨ
２〔但し、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基。〕の群の
中から選ばれるいずれかである。The Si compound is preferably (R
1 R 2 N) n SiH 4-n [where R 1 and R 2 are selected from the group consisting of an alkyl group and a group of a silicon compound, and R 1 and R 2 are different from each other. May be the same. n is an integer of 1 to 4. ] It is a compound represented by these. Among them, (Et 2 N) 4 Si, (Et 2 N)
3 SiH, (Et 2 N) 2 SiH 2 , (Me 2 N) 4 S
i, (Me 2 N) 3 SiH, (Me 2 N) 2 SiH
2 [where Me is a methyl group and Et is an ethyl group. ] Is selected from the group consisting of
【００２３】本発明において、（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４Ｚｒで
表される化合物とＳｉ化合物とが共に用いられる場合、
Ｓｉ化合物と（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４Ｚｒとの割合（重量比）
は、好ましくは、前者：後者＝１：１００〜１０００：
１である。更に好ましくは、１：５０〜１００：１であ
る。In the present invention, when a compound represented by (R 1 R 2 N) 4 Zr and a Si compound are used together,
Ratio (weight ratio) of Si compound and (R 1 R 2 N) 4 Zr
Is preferably the former: the latter = 1: 100-1000:
It is one. More preferably, the ratio is 1:50 to 100: 1.
【００２４】上記のジルコニウム系膜形成材料は、溶媒
を更に含む形態のものが好ましい。すなわち、上記のジ
ルコニウム系膜形成材料は溶媒中に溶解してなる形態の
ものが好ましい。The zirconium-based film forming material preferably has a form further containing a solvent. That is, the above zirconium-based film forming material is preferably in a form dissolved in a solvent.
【００２５】このような溶媒は、上記ジルコニウム系膜
形成材料が溶解されるものであれば良い。中でも好まし
いものとしては、溶媒が炭素数５〜４０の炭化水素系化
合物及び炭素数２〜４０のアミン系化合物の群の中から
選ばれる化合物である。Such a solvent may be any as long as the zirconium-based film forming material is dissolved. Among them, a compound whose solvent is selected from the group consisting of a hydrocarbon compound having 5 to 40 carbon atoms and an amine compound having 2 to 40 carbon atoms is preferable.
【００２６】又、前記の課題は、化学気相成長方法によ
り基板にジルコニウム系酸化膜を形成する方法であっ
て、上記のジルコニウム系膜形成材料を用いることを特
徴とする膜形成方法によって解決される。The above object is also achieved by a method for forming a zirconium-based oxide film on a substrate by a chemical vapor deposition method, characterized by using the above-mentioned zirconium-based film-forming material. You.
【００２７】又、上記のジルコニウム系膜形成材料を基
板上に供給し、分解させることにより基板上にジルコニ
ウム系酸化膜を形成することを特徴とする膜形成方法に
よって解決される。Further, the above problem is solved by a film forming method characterized in that a zirconium-based oxide film is formed on a substrate by supplying the above-mentioned zirconium-based film-forming material onto a substrate and decomposing it.
【００２８】そして、本発明の実施によって、例えば
０．５〜１０ｎｍ（特に、５ｎｍ以下）の厚さのゲート
酸化膜が形成されたＬＳＩ等の素子が得られる。By implementing the present invention, an element such as an LSI having a gate oxide film having a thickness of, for example, 0.5 to 10 nm (particularly, 5 nm or less) can be obtained.
【００２９】[0029]
【発明の実施の形態】本発明になるジルコニウム系膜形
成材料は、ゲート酸化膜を形成する為の材料であって、
前記ゲート酸化膜形成材料は、（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４Ｚｒ
〔但し、Ｒ１，Ｒ２はアルキル基（特に、炭素数1〜１
２のアルキル基）、及びシリコン系化合物の基（特に、
Ｍｅ３Ｓｉ−，Ｍｅ２ＳｉＨ−，ＭｅＳｉＨ２−）の群
の中から選ばれるものであり、Ｒ１とＲ２とは互いに異
なっていても同じであってもよい。〕で表される化合物
を有する。又、ゲート酸化膜を形成する為の材料であっ
て、前記ゲート酸化膜形成材料は、（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４Ｚ
ｒ〔但し、前記に同じ。〕で表される化合物と、Ｓｉ化
合物とを有する。又、酸化膜を形成する為の材料であっ
て、前記酸化膜形成材料は、（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４Ｚｒ〔但
し、前記に同じ。〕で表される化合物を有する。又、酸
化膜を形成する為の材料であって、前記酸化膜形成材料
は、（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４Ｚｒ〔但し、前記に同じ。〕で表
される化合物と、Ｓｉ化合物とを有する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The zirconium-based film forming material according to the present invention is a material for forming a gate oxide film,
The gate oxide film forming material is (R 1 R 2 N) 4 Zr
[However, R 1 and R 2 are alkyl groups (particularly, C 1 to C 1
2) and a group of a silicon-based compound (particularly,
Me 3 Si-, Me 2 SiH-, MeSiH 2 -) are those chosen from the group of, may be the same or different from each other R 1 and R 2. ] It has the compound represented by these. Further, the material for forming the gate oxide film, wherein the material for forming the gate oxide film is (R 1 R 2 N) 4 Z
r [same as above. And a Si compound. In addition, a material for forming an oxide film, wherein the oxide film forming material is (R 1 R 2 N) 4 Zr [however, the same as above. ] It has the compound represented by these. In addition, a material for forming an oxide film, wherein the oxide film forming material is (R 1 R 2 N) 4 Zr [however, the same as above. And a Si compound.
【００３０】特に、上記（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４Ｚｒにおける
Ｒ１，Ｒ２はメチル基及びエチル基の群の中から選ばれ
るいずれかである。中でも、（Ｍｅ２Ｎ）４Ｚｒ，（Ｅ
ｔ２Ｎ）４Ｚｒ及び／又は（Ｅｔ（Ｍｅ）Ｎ）４Ｚｒで
表される化合物である。[0030] In particular, R 1, R 2 in the above (R 1 R 2 N) 4 Zr is any one selected from the group of methyl and ethyl. Among them, (Me 2 N) 4 Zr, (E
It is a compound represented by t 2 N) 4 Zr and / or (Et (Me) N) 4 Zr.
【００３１】上記Ｓｉ化合物は、好ましくは、（Ｒ１Ｒ
２Ｎ）ｎＳｉＨ４−ｎ〔但し、Ｒ１，Ｒ２はアルキル
基、及びシリコン系化合物の基の群の中から選ばれるも
のであり、Ｒ１とＲ２とは互いに異なっていても同じで
あってもよい。ｎは１〜４の整数。〕で表される化合物
である。中でも、（Ｅｔ２Ｎ）４Ｓｉ，（Ｅｔ２Ｎ）３
ＳｉＨ，（Ｅｔ２Ｎ）２ＳｉＨ２，（Ｍｅ２Ｎ）４Ｓ
ｉ，（Ｍｅ２Ｎ）３ＳｉＨ，（Ｍｅ２Ｎ）２ＳｉＨ
２〔但し、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基。〕の群の
中から選ばれるいずれかである。The above-mentioned Si compound is preferably (R 1 R
2 N) n SiH 4-n [where R 1 and R 2 are selected from the group consisting of an alkyl group and a group of a silicon compound, and R 1 and R 2 are the same even if they are different from each other It may be. n is an integer of 1 to 4. ] It is a compound represented by these. Among them, (Et 2 N) 4 Si, (Et 2 N) 3
SiH, (Et 2 N) 2 SiH 2 , (Me 2 N) 4 S
i, (Me 2 N) 3 SiH, (Me 2 N) 2 SiH
2 [where Me is a methyl group and Et is an ethyl group. ] Is selected from the group consisting of
【００３２】（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４Ｚｒで表される化合物と
Ｓｉ化合物とが共に用いられる場合、Ｓｉ化合物と（Ｒ
１Ｒ２Ｎ）４Ｚｒとの割合（重量比）は、好ましくは、
前者：後者＝１：１００〜１０００：１である。更に好
ましくは、１：５０〜１００：１である。When the compound represented by (R 1 R 2 N) 4 Zr and the Si compound are used together, the Si compound and (R
The ratio (weight ratio) to 1 R 2 N) 4 Zr is preferably
The former: the latter = 1: 100 to 1000: 1. More preferably, the ratio is 1:50 to 100: 1.
【００３３】本発明のジルコニウム系膜形成材料は、必
要に応じて、溶媒を更に含む。すなわち、上記のジルコ
ニウム系膜形成材料は溶媒中に溶解してなる形態のもの
が好ましい。このような溶媒は、上記ジルコニウム系膜
形成材料が溶解されるものであれば良い。中でも好まし
いものとしては、溶媒が炭素数５〜４０の炭化水素系化
合物及び炭素数２〜４０のアミン系化合物の群の中から
選ばれる化合物である。具体的に挙げると、炭化水素系
の溶媒としては、例えばノルマルデカン、ノルマルヘプ
タン、テトラデカン、キシレン、トルエンが挙げられ
る。アミン系の溶媒としては、例えばトリエチルアミ
ン、ビス（トリメチルシリル）アミン、ジエチルアミ
ン、ピリジンが挙げられる。溶媒の量は、上記ジルコニ
ウム系膜形成材料１００重量部に対して溶媒が１〜１０
０００重量部、特に１００〜２０００重量部であるのが
好ましい。The zirconium-based film forming material of the present invention further contains a solvent, if necessary. That is, the above zirconium-based film forming material is preferably in a form dissolved in a solvent. Such a solvent may be any as long as the zirconium-based film forming material is dissolved. Among them, a compound whose solvent is selected from the group consisting of a hydrocarbon compound having 5 to 40 carbon atoms and an amine compound having 2 to 40 carbon atoms is preferable. Specifically, examples of the hydrocarbon-based solvent include normal decane, normal heptane, tetradecane, xylene, and toluene. Examples of the amine-based solvent include triethylamine, bis (trimethylsilyl) amine, diethylamine, and pyridine. The amount of the solvent is 1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the zirconium-based film forming material.
It is preferred that the amount be 000 parts by weight, especially 100 to 2000 parts by weight.
【００３４】本発明のジルコニウム系膜形成材料は、化
学気相成長方法によりジルコニウム系膜を形成する為の
ものである。The zirconium-based film forming material of the present invention is for forming a zirconium-based film by a chemical vapor deposition method.
【００３５】本発明になる膜形成方法は、化学気相成長
方法により基板にジルコニウム系酸化膜を形成する方法
であって、上記のジルコニウム系膜形成材料を用いる。
又、上記のジルコニウム系膜形成材料を基板上に供給
し、分解させることにより基板上にジルコニウム系酸化
膜を形成する。The film forming method according to the present invention is a method for forming a zirconium-based oxide film on a substrate by a chemical vapor deposition method, and uses the above-mentioned zirconium-based film forming material.
Further, the above-mentioned zirconium-based film forming material is supplied onto a substrate and decomposed to form a zirconium-based oxide film on the substrate.
【００３６】そして、本発明の実施によって、例えば
０．５〜１０ｎｍ（特に、５ｎｍ以下）の厚さのゲート
酸化膜が形成されたＬＳＩ等の素子が得られる。By implementing the present invention, an element such as an LSI having a gate oxide film having a thickness of, for example, 0.5 to 10 nm (particularly, 5 nm or less) can be obtained.
【００３７】以下、具体的な実施例を挙げて説明する。Hereinafter, a specific embodiment will be described.
【００３８】[0038]
【実施例１】図１は、本発明になる化学気相成長方法が
実施される装置の概略図である。Embodiment 1 FIG. 1 is a schematic view of an apparatus for carrying out a chemical vapor deposition method according to the present invention.
【００３９】尚、図１中、１ａ，１ｂは容器、３は加熱
器、４は分解反応炉、５はＳｉ基板、６はガス流量制御
器である。In FIG. 1, 1a and 1b are containers, 3 is a heater, 4 is a decomposition reactor, 5 is a Si substrate, and 6 is a gas flow controller.
【００４０】そして、図１の装置を用いてＳｉ基板５上
にＺｒ酸化膜を作製した。Then, a Zr oxide film was formed on the Si substrate 5 using the apparatus shown in FIG.
【００４１】すなわち、容器１ａ内に（Ｅｔ２Ｎ）４Ｚ
ｒを入れて１００℃に加熱すると共に、窒素ガス（キャ
リアーガス）を３０ｍｌ／分の割合で供給した。そし
て、気化された（Ｅｔ２Ｎ）４Ｚｒはキャリアーガスと
共に配管を経て分解反応炉４に導かれた。又、同時に、
反応ガスとして酸素が導入された。尚、この時、系内は
真空に排気されている。又、Ｓｉ基板５は５００℃に加
熱されている。That is, (Et 2 N) 4 Z is contained in the container 1a.
r and heated to 100 ° C., and nitrogen gas (carrier gas) was supplied at a rate of 30 ml / min. Then, the vaporized (Et 2 N) 4 Zr was led to the decomposition reaction furnace 4 via a pipe together with the carrier gas. Also, at the same time,
Oxygen was introduced as a reaction gas. At this time, the system is evacuated to a vacuum. The Si substrate 5 is heated to 500 ° C.
【００４２】その結果、Ｓｉ基板５上に膜が設けられ
た。As a result, a film was provided on the Si substrate 5.
【００４３】この膜を元素分析により調べた処、Ｚｒを
主成分とするものであることが判った。又、X線回折に
よればＺｒの酸化膜であることが判った。When this film was examined by elemental analysis, it was found that the film was mainly composed of Zr. X-ray diffraction revealed that the film was an oxide film of Zr.
【００４４】尚、形成された膜厚は分解堆積時間に比例
していた。そして、数ｎｍの厚さのものも簡単に作成で
きた。Incidentally, the formed film thickness was proportional to the decomposition deposition time. And a thing with a thickness of several nm was easily created.
【００４５】[0045]
【実施例２】実施例１において、（Ｅｔ２Ｎ）４Ｚｒの
代わりに（Ｍｅ２Ｎ）４Ｚｒを用いた以外は同様に行
い、Ｓｉ基板５上にＺｒの酸化膜を形成した。Example 2 An oxide film of Zr was formed on a Si substrate 5 in the same manner as in Example 1, except that (Me 2 N) 4 Zr was used instead of (Et 2 N) 4 Zr.
【００４６】[0046]
【実施例３】実施例１において、（Ｅｔ２Ｎ）４Ｚｒの
代わりに（Ｅｔ（Ｍｅ）Ｎ）４Ｚｒを用いた以外は同様
に行い、Ｓｉ基板５上にＺｒの酸化膜を形成した。Example 3 An oxide film of Zr was formed on a Si substrate 5 in the same manner as in Example 1, except that (Et (Me) N) 4 Zr was used instead of (Et 2 N) 4 Zr. .
【００４７】[0047]
【実施例４】図１の装置を用いてＳｉ基板５上にＺｒ系
酸化膜を作製した。Embodiment 4 A Zr-based oxide film was formed on a Si substrate 5 using the apparatus shown in FIG.
【００４８】すなわち、容器１ａ内に（Ｅｔ２Ｎ）４Ｚ
ｒを入れて１００℃に加熱すると共に、窒素ガス（キャ
リアーガス）を３０ｍｌ／分の割合で供給した。That is, (Et 2 N) 4 Z is contained in the container 1a.
r and heated to 100 ° C., and nitrogen gas (carrier gas) was supplied at a rate of 30 ml / min.
【００４９】又、容器１ｂ内に（Ｅｔ２Ｎ）３ＳｉＨを
入れて８０℃に加熱すると共に、窒素ガス（キャリアー
ガス）を３０ｍｌ／分の割合で供給した。Further, (Et 2 N) 3 SiH was placed in the vessel 1b, heated to 80 ° C., and nitrogen gas (carrier gas) was supplied at a rate of 30 ml / min.
【００５０】気化された（Ｅｔ２Ｎ）４Ｚｒと（Ｅｔ２
Ｎ）３ＳｉＨとはキャリアーガスと共に配管を経て分解
反応炉４に導かれた。又、同時に、反応ガスとして酸素
が導入された。尚、この時、系内は真空に排気されてい
る。又、Ｓｉ基板５は５００℃に加熱されている。The vaporized (Et 2 N) 4 Zr and (Et 2
N) 3 SiH was introduced into the decomposition reaction furnace 4 via a pipe together with a carrier gas. At the same time, oxygen was introduced as a reaction gas. At this time, the system is evacuated to a vacuum. The Si substrate 5 is heated to 500 ° C.
【００５１】その結果、Ｓｉ基板５上に膜が設けられ
た。As a result, a film was provided on the Si substrate 5.
【００５２】この膜を元素分析により調べた結果、Ｚｒ
とＳｉとを主成分とするものであることが判った。又、
X線回折によれば酸化膜であることが判った。The film was analyzed by elemental analysis to find that Zr
And Si as a main component. or,
X-ray diffraction revealed that the film was an oxide film.
【００５３】上記ＺｒとＳｉとを主成分とする酸化膜を
有する基板に対して、（Ｅｔ２Ｎ） ４Ｚｒを用いて実施
例１と同様に行い、膜を形成した。An oxide film containing Zr and Si as main components is
(Et)2N) 4Implemented using Zr
A film was formed in the same manner as in Example 1.
【００５４】この膜を元素分析により調べた結果、Ｚｒ
を主成分とするものであることが判った。又、X線回折
によれば酸化膜であることが判った。The film was analyzed by elemental analysis to find that Zr
Was found to be a main component. X-ray diffraction revealed that the film was an oxide film.
【００５５】すなわち、二段階のＣＶＤにより、Ｓｉ基
板上に珪酸ジルコニウム膜が、その上に酸化ジルコニウ
ム膜が形成されていることが判った。That is, it was found that the zirconium silicate film was formed on the Si substrate and the zirconium oxide film was formed thereon by the two-step CVD.
【００５６】[0056]
【実施例５】図２の装置を用いてＳｉ基板５上にＺｒ系
酸化膜を作製した。Embodiment 5 A Zr-based oxide film was formed on a Si substrate 5 using the apparatus shown in FIG.
【００５７】すなわち、（Ｅｔ２Ｎ）４Ｚｒと（Ｅｔ２
Ｎ）３ＳｉＨとの等量混合物を容器１ａ内に入れ、液体
流量制御器７を通して気化器２に送った。尚、この気化
器２では１５０℃にして気化させている。That is, (Et 2 N) 4 Zr and (Et 2
An equivalent mixture with N) 3 SiH was placed in the container 1 a and sent to the vaporizer 2 through the liquid flow controller 7. The vaporizer 2 vaporizes at 150 ° C.
【００５８】気化された（Ｅｔ２Ｎ）４Ｚｒと（Ｅｔ２
Ｎ）３ＳｉＨとはキャリアーガスと共に配管を経て分解
反応炉４に導かれた。又、同時に、反応ガスとして酸素
が導入された。尚、この時、系内は真空に排気されてい
る。又、Ｓｉ基板５は５００℃に加熱されている。Evaporated (Et 2 N) 4 Zr and (Et 2
N) 3 SiH was introduced into the decomposition reaction furnace 4 via a pipe together with a carrier gas. At the same time, oxygen was introduced as a reaction gas. At this time, the system is evacuated to a vacuum. The Si substrate 5 is heated to 500 ° C.
【００５９】その結果、Ｓｉ基板５上に膜が設けられ
た。As a result, a film was provided on the Si substrate 5.
【００６０】この膜を元素分析により調べた処、Ｚｒと
Ｓｉとを主成分とするものであることが判った。又、X
線回折によれば酸化膜であることが判った。When this film was examined by elemental analysis, it was found that Zr and Si were the main components. Also X
Line diffraction revealed that the film was an oxide film.
【００６１】上記ＺｒとＳｉとを主成分とする酸化膜を
有する基板に対して、（Ｅｔ２Ｎ） ４Ｚｒを用いて実施
例１と同様に行い、膜を形成した。An oxide film containing Zr and Si as main components is
(Et)2N) 4Implemented using Zr
A film was formed in the same manner as in Example 1.
【００６２】この膜を元素分析により調べた結果、Ｚｒ
を主成分とするものであることが判った。又、X線回折
によれば酸化膜であることが判った。The film was analyzed by elemental analysis to find that Zr
Was found to be a main component. X-ray diffraction revealed that the film was an oxide film.
【００６３】すなわち、二段階のＣＶＤにより、Ｓｉ基
板上に珪酸ジルコニウム膜が、その上に酸化ジルコニウ
ム膜が形成されていることが判った。That is, it was found that the zirconium silicate film was formed on the Si substrate and the zirconium oxide film was formed thereon by the two-step CVD.
【００６４】[0064]
【実施例６〜１０】実施例５において、（Ｅｔ２Ｎ）３
ＳｉＨの代わりに、（Ｅｔ２Ｎ）４Ｓｉ，（Ｅｔ２Ｎ）
２ＳｉＨ２，（Ｍｅ２Ｎ）４Ｓｉ，（Ｍｅ２Ｎ）３Ｓｉ
Ｈ，（Ｍｅ ２Ｎ）２ＳｉＨ２を用いた以外は同様に行
い、Ｓｉ基板５上にＺｒとＳｉとの酸化膜を形成した。Embodiments 6 to 10 In Embodiment 5, (Et2N)3
Instead of SiH, (Et2N)4Si, (Et2N)
2SiH2, (Me2N)4Si, (Me2N)3Si
H, (Me 2N)2SiH2Except that
First, an oxide film of Zr and Si was formed on the Si substrate 5.
【００６５】[0065]
【実施例１１】図２の装置を用いてＳｉ基板５上にＺｒ
酸化膜を作製した。Embodiment 11 Using the apparatus shown in FIG.
An oxide film was formed.
【００６６】すなわち、（Ｍｅ２Ｎ）４Ｚｒとノルマル
デカンとの混合物（前者：後者＝１：５）を容器１ａ内
に入れ、液体流量制御器７を通して気化器２に送った。
尚、この気化器２では１５０℃にして気化させている。That is, a mixture of (Me 2 N) 4 Zr and normal decane (the former: the latter = 1: 5) was placed in the container 1 a and sent to the vaporizer 2 through the liquid flow controller 7.
The vaporizer 2 vaporizes at 150 ° C.
【００６７】気化された（Ｍｅ２Ｎ）４Ｚｒとノルマル
デカンとはキャリアーガスと共に配管を経て分解反応炉
４に導かれた。又、同時に、反応ガスとして酸素が導入
された。尚、Ｓｉ基板５は５００℃に加熱されている。The vaporized (Me 2 N) 4 Zr and normal decane were introduced into the decomposition reaction furnace 4 via a pipe together with the carrier gas. At the same time, oxygen was introduced as a reaction gas. Note that the Si substrate 5 is heated to 500 ° C.
【００６８】その結果、Ｓｉ基板５上に膜が設けられ
た。As a result, a film was provided on the Si substrate 5.
【００６９】この膜を元素分析により調べた処、Ｚｒを
主成分とするものであることが判った。又、X線回折に
よれば酸化膜であることが判った。When this film was examined by elemental analysis, it was found that the film was mainly composed of Zr. X-ray diffraction revealed that the film was an oxide film.
【００７０】[0070]
【実施例１２】図２の装置を用いてＳｉ基板５上にＺｒ
系酸化膜を作製した。Embodiment 12 Using the apparatus shown in FIG.
A system oxide film was formed.
【００７１】すなわち、（Ｍｅ２Ｎ）４Ｚｒとノルマル
デカンとの混合物（前者：後者＝１：５）を容器１ａ内
に入れ、液体流量制御器７を通して気化器２に送った。
尚、この気化器２では１５０℃にして気化させている。That is, a mixture of (Me 2 N) 4 Zr and normal decane (the former: the latter = 1: 5) was placed in the container 1 a and sent to the vaporizer 2 through the liquid flow controller 7.
The vaporizer 2 vaporizes at 150 ° C.
【００７２】又、（Ｍｅ２Ｎ）３ＳｉＨとノルマルヘプ
タンとの混合物（前者：後者＝１：５）を容器１ｂ内に
入れ、液体流量制御器７を通して気化器２に送った。
尚、この気化器２では１３０℃にして気化させている。A mixture of (Me 2 N) 3 SiH and normal heptane (the former: the latter = 1: 5) was placed in the vessel 1 b and sent to the vaporizer 2 through the liquid flow controller 7.
The vaporizer 2 vaporizes at 130 ° C.
【００７３】気化された（Ｍｅ２Ｎ）４Ｚｒ及びノルマ
ルデカン、（Ｍｅ２Ｎ）３ＳｉＨ及びノルマルヘプタン
は、キャリアーガスと共に配管を経て分解反応炉４に導
かれた。又、同時に、反応ガスとして酸素が導入され
た。尚、Ｓｉ基板５は５００℃に加熱されている。The vaporized (Me 2 N) 4 Zr and normal decane, (Me 2 N) 3 SiH and normal heptane were introduced into the decomposition reactor 4 via a pipe together with a carrier gas. At the same time, oxygen was introduced as a reaction gas. Note that the Si substrate 5 is heated to 500 ° C.
【００７４】その結果、Ｓｉ基板５上に膜が設けられ
た。As a result, a film was provided on the Si substrate 5.
【００７５】この膜を元素分析により調べた処、Ｚｒと
Ｓｉを主成分とするものであることが判った。又、X線
回折によれば酸化膜であることが判った。When this film was examined by elemental analysis, it was found that the film was mainly composed of Zr and Si. X-ray diffraction revealed that the film was an oxide film.
【００７６】[0076]
【実施例１３】図２の装置を用いてＳｉ基板５上にＺｒ
酸化膜を作製した。Embodiment 13 Using the apparatus shown in FIG.
An oxide film was formed.
【００７７】すなわち、（Ｍｅ２Ｎ）４Ｚｒと５％のジ
エチルアミンを含むノルマルデカンとの混合物（前者：
後者＝１：６）を容器１ａ内に入れ、液体流量制御器７
を通して気化器２に送った。尚、この気化器２では１５
０℃にして気化させている。That is, a mixture of (Me 2 N) 4 Zr and normal decane containing 5% of diethylamine (the former:
The latter = 1: 6) is placed in the container 1a and the liquid flow controller 7
And sent to vaporizer 2. In this vaporizer 2, 15
It is vaporized at 0 ° C.
【００７８】気化された（Ｍｅ２Ｎ）４Ｚｒ等はキャリ
アーガスと共に配管を経て分解反応炉４に導かれた。
又、同時に、反応ガスとして酸素が導入された。尚、Ｓ
ｉ基板５は５００℃に加熱されている。The vaporized (Me 2 N) 4 Zr and the like were led to the decomposition reaction furnace 4 via a pipe together with the carrier gas.
At the same time, oxygen was introduced as a reaction gas. Note that S
The i-substrate 5 is heated to 500 ° C.
【００７９】その結果、Ｓｉ基板５上に膜が設けられ
た。As a result, a film was provided on the Si substrate 5.
【００８０】この膜を元素分析により調べた処、Ｚｒを
主成分とするものであることが判った。又、X線回折に
よれば酸化膜であることが判った。When this film was examined by elemental analysis, it was found that the film was mainly composed of Zr. X-ray diffraction revealed that the film was an oxide film.
【００８１】[0081]
【発明の効果】ゲート酸化膜として好適なジルコニウム
系酸化膜が効率良く、かつ、綺麗に出来る。As described above, a zirconium-based oxide film suitable as a gate oxide film can be efficiently and beautifully formed.
【図１】ＣＶＤ装置の概略図FIG. 1 is a schematic view of a CVD apparatus.
【図２】ＣＶＤ装置の概略図FIG. 2 is a schematic view of a CVD apparatus.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野津 定央 山梨県北都留郡上野原町上野原8154−217 株式会社トリケミカル研究所内 (72)発明者 森田 良子 山梨県北都留郡上野原町上野原8154−217 株式会社トリケミカル研究所内 (72)発明者 野田 直人 山梨県北都留郡上野原町上野原8154−217 株式会社トリケミカル研究所内 (72)発明者 安原 重雄 山梨県北都留郡上野原町上野原8154−217 株式会社トリケミカル研究所内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA09 AA11 AA14 AA18 BA22 BA29 BA42 CA04 CA12 FA10 5F058 BC03 BF02 BF27 BJ01 BJ10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Sadao Nozu 8154-217 Uenohara, Uenohara-cho, Kitatsuru-gun, Yamanashi Prefecture Inside Trichemical Research Laboratories Co., Ltd. Inside the Trichemical Laboratory (72) Inventor Naoto Noda 8154-217 Uenohara Uenohara-cho, Kitatsuru-gun, Yamanashi Prefecture Inside Trichemical Laboratory Co., Ltd. F term (reference) 4K030 AA06 AA09 AA11 AA14 AA18 BA22 BA29 BA42 CA04 CA12 FA10 5F058 BC03 BF02 BF27 BJ01 BJ10
Claims (13)
て、 前記ゲート酸化膜形成材料は、（Ｒ１Ｒ２Ｎ）４Ｚｒ
〔但し、Ｒ１，Ｒ２はアルキル基、及びシリコン系化合
物の基の群の中から選ばれるものであり、Ｒ１とＲ２と
は互いに異なっていても同じであってもよい。〕で表さ
れる化合物を有することを特徴とするジルコニウム系膜
形成材料。1. A material for forming a gate oxide film, wherein the material for forming a gate oxide film is (R 1 R 2 N) 4 Zr.
[However, R 1 and R 2 are selected from the group consisting of an alkyl group and a group of a silicon-based compound, and R 1 and R 2 may be different or the same. ] A zirconium-based film-forming material comprising a compound represented by the formula:
Ｒ１，Ｒ２はアルキル基、及びシリコン系化合物の基の
群の中から選ばれるものであり、Ｒ１とＲ２とは互いに
異なっていても同じであってもよい。〕で表される化合
物を有することを特徴とするジルコニウム系膜形成材
料。2. A material for forming an oxide film, wherein the oxide film forming material is (R 1 R 2 N) 4 Zr [provided that
R 1 and R 2 are selected from the group consisting of an alkyl group and a group of a silicon-based compound, and R 1 and R 2 may be different or the same. ] A zirconium-based film-forming material comprising a compound represented by the formula:
の中から選ばれるいずれかであることを特徴とする請求
項１又は請求項２のジルコニウム系膜形成材料。3. The zirconium-based film forming material according to claim 1 , wherein R 1 and R 2 are any one selected from the group consisting of a methyl group and an ethyl group.
る請求項１〜請求項３いずれかのジルコニウム系膜形成
材料。4. The zirconium-based film forming material according to claim 1, further comprising a Si compound.
割合（重量比）が、前者：後者＝１：１００〜１００
０：１であることを特徴とする請求項４のジルコニウム
系膜形成材料。5. The ratio (weight ratio) of a Si compound to (R 1 R 2 N) 4 Zr is the former: the latter = 1: 100 to 100
The zirconium-based film forming material according to claim 4, wherein the ratio is 0: 1.
４−ｎ〔但し、Ｒ１，Ｒ２はアルキル基、及びシリコン
系化合物の基の群の中から選ばれるものであり、Ｒ１と
Ｒ２とは互いに異なっていても同じであってもよい。ｎ
は１〜４の整数。〕で表される化合物からなることを特
徴とする請求項４又は請求項５のジルコニウム系膜形成
材料。6. The method according to claim 1, wherein the Si compound is (R 1 R 2 N) n SiH
4-n [where R 1 and R 2 are selected from the group consisting of an alkyl group and a group of a silicon-based compound, and R 1 and R 2 may be different from each other or may be the same. . n
Is an integer of 1 to 4. 6. The zirconium-based film forming material according to claim 4, wherein the material is a compound represented by the following formula:
ｔ２Ｎ）３ＳｉＨ，（Ｅｔ２Ｎ）２ＳｉＨ２，（Ｍｅ２
Ｎ）４Ｓｉ，（Ｍｅ２Ｎ）３ＳｉＨ，（Ｍｅ ２Ｎ）２Ｓ
ｉＨ２〔但し、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基。〕の
群の中から選ばれるいずれかであることを特徴とする請
求項４〜請求項６いずれかのジルコニウム系膜形成材
料。7. The method according to claim 1, wherein the Si compound is (Et)2N)4Si, (E
t2N)3SiH, (Et2N)2SiH2, (Me2
N)4Si, (Me2N)3SiH, (Me 2N)2S
iH2[However, Me is a methyl group and Et is an ethyl group. 〕of
A signature selected from the group consisting of:
The zirconium-based film forming material according to any one of claims 4 to 6.
Fees.
請求項１〜請求項７いずれかのジルコニウム系膜形成材
料。8. The zirconium-based film forming material according to claim 1, wherein the material is dissolved in a solvent.
物及び炭素数２〜４０のアミン系化合物の群の中から選
ばれる一つ又は二つ以上の化合物であることを特徴とす
る請求項８のジルコニウム系膜形成材料。9. The method according to claim 1, wherein the solvent is one or more compounds selected from the group consisting of hydrocarbon compounds having 5 to 40 carbon atoms and amine compounds having 2 to 40 carbon atoms. Item 8. The zirconium-based film forming material according to Item 8.
ニウム系酸化膜を形成する方法であって、 請求項１〜請求項９いずれかのジルコニウム系膜形成材
料を用いることを特徴とする膜形成方法。10. A method for forming a zirconium-based oxide film on a substrate by a chemical vapor deposition method, wherein the zirconium-based film-forming material according to any one of claims 1 to 9 is used. .
ニウム系膜形成材料を基板上に供給し、分解させること
により基板上にジルコニウム系酸化膜を形成することを
特徴とする膜形成方法。11. A film forming method, comprising supplying a zirconium-based film forming material according to any one of claims 1 to 9 onto a substrate and decomposing the material to form a zirconium-based oxide film on the substrate.
法により形成された膜であって、 前記膜はゲート酸化膜であることを特徴とする膜。12. A film formed by the film forming method according to claim 10 or 11, wherein the film is a gate oxide film.
法により形成された酸化膜を有する素子であって、 前記酸化膜はゲート酸化膜であることを特徴とする素
子。13. An element having an oxide film formed by the film forming method according to claim 10 or 11, wherein the oxide film is a gate oxide film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000280245A JP4693970B2 (en) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | Method for forming gate oxide film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000280245A JP4693970B2 (en) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | Method for forming gate oxide film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002093803A true JP2002093803A (en) | 2002-03-29 |
| JP4693970B2 JP4693970B2 (en) | 2011-06-01 |
Family
ID=18765123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000280245A Expired - Fee Related JP4693970B2 (en) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | Method for forming gate oxide film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4693970B2 (en) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003124460A (en) * | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Atsushi Ogura | Gate oxide film, element, and method and material for forming gate oxide film |
| US6969539B2 (en) | 2000-09-28 | 2005-11-29 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor deposition of metal oxides, silicates and phosphates, and silicon dioxide |
| WO2006136584A1 (en) * | 2005-06-21 | 2006-12-28 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method of forming a high dielectric constant film and method of forming a semiconductor device |
| US8003814B2 (en) | 2006-09-15 | 2011-08-23 | Adeka Corporation | Metal alkoxide compound, material for forming thin film, and method for producing thin film |
| US8008743B2 (en) | 2002-03-28 | 2011-08-30 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor deposition of silicon dioxide nanolaminates |
| US8227032B2 (en) | 2005-03-17 | 2012-07-24 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method of forming silicon oxide containing films |
| US8399056B2 (en) | 2006-06-02 | 2013-03-19 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing |
| US8853075B2 (en) | 2008-02-27 | 2014-10-07 | L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method for forming a titanium-containing layer on a substrate using an atomic layer deposition (ALD) process |
| US9499571B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Germanium- and zirconium-containing compositions for vapor deposition of zirconium-containing films |
| US9663547B2 (en) | 2014-12-23 | 2017-05-30 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Silicon- and Zirconium-containing compositions for vapor deposition of Zirconium-containing films |
| US10106568B2 (en) | 2016-10-28 | 2018-10-23 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Hafnium-containing film forming compositions for vapor deposition of hafnium-containing films |
| KR20240031321A (en) | 2021-07-07 | 2024-03-07 | 가부시키가이샤 아데카 | Compounds, raw materials for forming thin films, thin films and methods for producing thin films |
-
2000
- 2000-09-14 JP JP2000280245A patent/JP4693970B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8334016B2 (en) | 2000-09-28 | 2012-12-18 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor deposition of metal oxides, silicates and phosphates, and silicon dioxide |
| US6969539B2 (en) | 2000-09-28 | 2005-11-29 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor deposition of metal oxides, silicates and phosphates, and silicon dioxide |
| US9905414B2 (en) | 2000-09-28 | 2018-02-27 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor deposition of metal oxides, silicates and phosphates, and silicon dioxide |
| US7507848B2 (en) | 2000-09-28 | 2009-03-24 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor deposition of metal oxides, silicates and phosphates, and silicon dioxide |
| JP2003124460A (en) * | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Atsushi Ogura | Gate oxide film, element, and method and material for forming gate oxide film |
| US8536070B2 (en) | 2002-03-28 | 2013-09-17 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor deposition of silicon dioxide nanolaminates |
| US8008743B2 (en) | 2002-03-28 | 2011-08-30 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor deposition of silicon dioxide nanolaminates |
| US8227032B2 (en) | 2005-03-17 | 2012-07-24 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method of forming silicon oxide containing films |
| US8613976B2 (en) | 2005-03-17 | 2013-12-24 | L'Air Liquide, SociétéAnonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method of forming silicon oxide containing films |
| WO2006136584A1 (en) * | 2005-06-21 | 2006-12-28 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method of forming a high dielectric constant film and method of forming a semiconductor device |
| US8399056B2 (en) | 2006-06-02 | 2013-03-19 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method of forming high-k dielectric films based on novel titanium, zirconium, and hafnium precursors and their use for semiconductor manufacturing |
| US8470402B2 (en) | 2006-06-02 | 2013-06-25 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method of depositing a metal-containing dielectric film |
| US8668957B2 (en) | 2006-06-02 | 2014-03-11 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method of forming dielectric films, new precursors and their use in semiconductor manufacturing |
| US10217629B2 (en) | 2006-06-02 | 2019-02-26 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method of forming dielectric films, new precursors and their use in semiconductor manufacturing |
| US9911590B2 (en) | 2006-06-02 | 2018-03-06 | L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Methods of forming dielectric films, new precursors and their use in semiconductor manufacturing |
| US9583335B2 (en) | 2006-06-02 | 2017-02-28 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method of forming dielectric films, new precursors and their use in semiconductor manufacturing |
| US8003814B2 (en) | 2006-09-15 | 2011-08-23 | Adeka Corporation | Metal alkoxide compound, material for forming thin film, and method for producing thin film |
| US8853075B2 (en) | 2008-02-27 | 2014-10-07 | L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method for forming a titanium-containing layer on a substrate using an atomic layer deposition (ALD) process |
| US9868753B2 (en) | 2014-12-23 | 2018-01-16 | L'Air Liquide, Société Anonyme our l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Germanium- and zirconium-containing composition for vapor deposition of zirconium-containing films |
| US9663547B2 (en) | 2014-12-23 | 2017-05-30 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Silicon- and Zirconium-containing compositions for vapor deposition of Zirconium-containing films |
| US9499571B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Germanium- and zirconium-containing compositions for vapor deposition of zirconium-containing films |
| US10106568B2 (en) | 2016-10-28 | 2018-10-23 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Hafnium-containing film forming compositions for vapor deposition of hafnium-containing films |
| KR20240031321A (en) | 2021-07-07 | 2024-03-07 | 가부시키가이샤 아데카 | Compounds, raw materials for forming thin films, thin films and methods for producing thin films |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4693970B2 (en) | 2011-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3409290B2 (en) | Gate oxide film forming material | |
| US11725111B2 (en) | Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films | |
| JP2002093803A (en) | Film-forming material, film-forming method, film and device | |
| EP2182088B1 (en) | Atomic layer deposition using metal amidinates | |
| EP2574611B1 (en) | Halogenated Organoaminosilane Precursors and Methods for Depositing Films Comprising Same | |
| CN101423929B (en) | Amorphous ge/te deposition process | |
| US8853075B2 (en) | Method for forming a titanium-containing layer on a substrate using an atomic layer deposition (ALD) process | |
| EP2944608B1 (en) | Organoaminodisilane precursors and methods for depositing films comprising same | |
| KR101820397B1 (en) | Alkoxyaminosilane compounds and applications thereof | |
| CN102177163B (en) | Niobium and vanadium organometallic precursors for thin film deposition | |
| KR101367827B1 (en) | Hafnium compound, hafnium thin film-forming material and method for forming hafnium thin film | |
| JP2017171664A (en) | Organoaminosilane precursors and methods for making and using the same | |
| US20050214458A1 (en) | Low zirconium hafnium halide compositions | |
| JP2007051327A (en) | Film deposition method | |
| US20120321817A1 (en) | Bis-ketoiminate copper precursors for deposition of copper-containing films | |
| WO2011095849A1 (en) | Chalcogenide-containing precursors, methods of making, and methods of using the same for thin film deposition | |
| KR20160130219A (en) | Atomic layer deposition of germanium or germanium oxide | |
| JP4463403B2 (en) | Gate oxide film forming material and gate oxide film forming method | |
| US20160083847A1 (en) | Alkoxyaminosilane compounds and applications thereof | |
| US20240158915A1 (en) | Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films | |
| TWI771864B (en) | Precursor compound for atomic layer deposition (ald) and chemical vapor deposition (cvd) and ald/cvd process using same | |
| Schulz | CVD Deposition of Binary AlSb and GaSb Material Films--a Single-Source Approach | |
| CN116234940A8 (en) | Silicon carbide film and vapor deposition method thereof | |
| CN114269761A (en) | Novel silylcyclodisilazane compound and method for manufacturing silicon-containing film using the same | |
| JP2005072354A (en) | Film forming material, film forming method, film and semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070710 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080903 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080922 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081119 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090204 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110125 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110223 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4693970 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |