JP2002093359A - 電子ビーム画像生成装置 - Google Patents
電子ビーム画像生成装置Info
- Publication number
- JP2002093359A JP2002093359A JP2000281685A JP2000281685A JP2002093359A JP 2002093359 A JP2002093359 A JP 2002093359A JP 2000281685 A JP2000281685 A JP 2000281685A JP 2000281685 A JP2000281685 A JP 2000281685A JP 2002093359 A JP2002093359 A JP 2002093359A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- sample
- image
- scanning
- linearly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
ンサの複数素子の方向と直角方向に直線状に走査すると
共に、簡易な構造のステージなどを用いてジグザグ走査
などのない極めて高精度で直線状に走査した画像を生成
することを目的とする。 【解決手段】 レンズで結像された画像を、複数画素を
直線状に並べて検出する検出器と、サンプルを、複数画
素を直線状に並べた方向とほぼ直角方向になるように直
線状に走査する走査手段と、走査手段によって直線状に
走査されたときに、走査された方向と直角方向の移動変
動量を検出する検出手段と、検出手段で検出された移動
変動量を打ち消すように画像を偏向する偏向器に、ある
いはサンプルの移動機構に制御信号を出力する補正手段
とを備えるように構成する。
Description
高速に生成する電子ビーム画像生成装置に関するもので
ある。
欠陥の検査は、レーザ光を用いた検査装置を使って行っ
ていた。この種の装置では最小0.13μm程度が最高
の検出性能である。ウエハ上に形成されたパターンが微
細化されるに従いより小さな0.10μm以下の欠陥の
検査が必要となっている。この領域になると光を使った
装置では波長による限界によりほぼ検出不可能になる。
の短い電子線を使った電子顕微鏡の応用が適し、欠陥観
察用の走査型電子顕微鏡(以下SEMという)が商品化
されている。この種のSEMの本体は、通常のSEMの
本体と同じで、光検査装置で検査し、その位置(座標)
を使って欠陥を観察することが主目的となっている。
子線を用いた検査装置の欠陥観察への応用は、その格段
に優れた分解能に係らず、非常に限定されたものでしか
なく、光の検査装置に置き換わって使用されるに至って
いない。その理由は、検査に要する時間がかかり過ぎる
という問題である。
欠陥検査を行うとして、それに要する時間を推定してみ
る。画像(500×500画素)上で欠陥の存在を検知
できる最小画素数を3(2ピッチ分)とし、検出感度
(検出可能な最小のサイズ)を0.05μmとする。こ
のとき画像の視野サイズ12.5μm角となるから、直
径が8インチのウエハの全面(300cm2)で画像は
1.92×108枚となる。1画像の取得時間を1秒と
すると、2222日となる。実際には、この他にステー
ジ移動時間が加わるからさらに長時間がかかる。
によるウエハ上のパターンの欠陥検査の問題点は検査処
理能力(スループット)の低さにある。SEMによる検
査では光検査に比較し検査感度(分可能)が高いので同
じ面積を検査する場合の情報量が増大している。したが
って、ある程度のスループットの低下はやむをえない
が、実際には情報量の比以上の検査時間の増大があり、
これが前述の光検査との置き換えが進まない大きな理由
と推測される。
でウエハを順次走査することにある。時間短縮のために
はビーム電流を増やして高速走査する必要があるが、ウ
エハに対する損傷を避けるためにビーム電流の増強には
限界がある。
ビームをサンプルに向けて照射およびサンプルに負のバ
イアス電圧を印加してサンプル表面あるいはその直前で
反転させて結像した帯状の電子像を直線状の複数検出素
子で検出すると共に、帯状の電子ビームの直角方向に走
査を行いつつ直線状の複数検出素子を平行に並べて検出
して画像を生成し、サンプルの表面の画像の生成速度を
高速化することが考えられる。
ためにサンプルを搭載したステージを移動する。ステー
ジ移動はライン検出器のライン方向と直角に直線的に行
われるが、実際のステージ移動は機械的精度の限界のた
め常に直線からのずれを含んでいる。このような直線移
動からのずれは 移動速度の変動 移動方向と直交するずれ 移動面内での回転(Yawing) 移動面の回転(Pitching) などがある。とについては移動距離が小さい場合に
は無視できる。はライン検出器に与える同期信号によ
って自動的に補正できる。はこれら従来技術では解決
できなく、本願発明で解決する主目的である。
電子ビームをサンプルに照射しつつCCDセンサの複数
素子の方向と直角方向に直線状に走査すると共に、走査
方向と直角方向への移動変動量を検出して電子ビームを
偏向補正あるいはサンプル移動機構で補正し、電子ビー
ムに対するサンプルの走査方向を極めて正確に直線状に
移動させ、簡易な構造のステージなどを用いてジグザグ
走査などのない極めて高精度で直線状に走査した画像を
生成することを目的としている。
決するための手段を説明する。
発生するものである。
電子ビームを集束するものである。
あって、ここでは、電子ビームを透過させてその拡大し
た透過像を形成する対象である。尚、サンプル(マス
ク)4に負電圧を印加し、上方あるいは斜め上方向から
電子ビームをサンプル4に照射して当該サンプル4の表
面の近傍で反射(反転)して当該サンプル4の表面の画
像を生成するようにしてもよい。
動させるものである。
たりなどするものである。
ン状に1列あるいは複数列並べて画像を検出するもので
ある。
されて集束された電子ビームをサンプル(マスク)4に
照射し、透過した電子ビームあるいは図示外の負電圧を
印加したサンプル(マスク)4の表面で反射(反転)し
た電子ビームを対物レンズ6で結像し、結像した電子像
を直接あるいは蛍光スクリーン10で光に変換した後の
光画像をCCDセンサ14で検出する状態で、ここで
は、ステージ5をCCDセンサ14の複数素子の方向と
ほぼ直角方向に直線状に走査すると共に走査方向と直角
方向の移動変動量を検出し、移動変動量を打ち消すよう
に偏向器8あるいはサンプル4の移動機構に制御信号を
出力するようにしている。
れた画像に対して直線状の複数画素を配置し、直線状の
複数画素と隣接する直角方向に電荷を電子ビームの走査
に同期して転送して蓄積する、1列あるいは複数列の直
線状の複数画素を設けた検出器とするようにしている。
する直線状の複数検出素子からなるCCDセンサ、ある
いは電子像を光像に変換した後の光像を結像して検出す
る直線状の複数検出素子からなるCCDセンサとするよ
うにしている。
直角方向に、走査方向をほぼ一致させる回転装置を備え
るようにしている。
てマスク(サンプル)4の不要な部分への電子ビームの
照射を無くすようにしている。
つつCCDセンサの複数素子の方向と直角方向に直線状
にサンプル4を走査すると共に、走査方向と直角方向へ
の移動変動量を検出して電子ビームを偏向補正あるいは
サンプル移動機構で移動補正することにより、電子ビー
ムに対するサンプル4の走査方向を極めて正確に直線状
に移動させ、簡易な構造のステージなどを用いてジグザ
グ走査などのない極めて高精度で直線状に走査した画像
を生成することが可能となる。
明の実施の形態および動作を順次詳細に説明する。
ら放出された電子ビームを加速して放射するものであ
る。尚、帯状の電子ビームを形成するために、・エミッ
タ2の先端の電子ビームを放出する部分の形状を帯状に
形成して帯状の電子ビームを放射させたり、・エミッタ
2の先端部分に電子ビームの放出し易い物質を帯状に形
成して取り付けて帯状の電子ビームを放射させたり、・
電子銃1より放出された円形状の電子ビームから集束レ
ンズ3をビーム焦点面をつくり成形絞りで切り出して帯
状の電子ビームを形成したり、・4極子レンズあるいは
多極子レンズを用いて円形状の電子ビームを帯状(楕円
状)に形成したり、などの手法がある。いずれにしてマ
スク(サンプル)4を透過あるいは図示外の負の電圧を
印加したマスク(サンプル)4の表面近傍で反射する際
に、帯状の電子ビームとなればよく、帯状の電子ビーム
の形成の仕方は上記仕方に限られるものではない。
検出器(CCDセンサ14)の形状で決まるので、電子
ビームの外形の形状は本願発明の原理上、重要なもので
はない。電子ビームを帯状とする主目的は無駄な電子ビ
ームをサンプル(マスク)4に照射することによる熱の
発生や電子ビームによる周辺の汚染を防ぐためである。
ッタ2から放出された電子ビームを集束するものであ
る。
を形成する対象のサンプル(マスク)である。図示の状
態では、透過型のマスク(サンプル)4を示す。この他
に、図示しないが、反射型のサンプル4があり、この反
射型の場合には、負の電圧をサンプル4に印加し、図示
の上方あるいは斜め上方から帯状の電子ビームを照射し
て当該サンプル4に印加された負の電圧により表面の近
傍で反射(反転)して上方に戻り、対物レンズ6によっ
てサンプル4の表面の凹凸の形状に対応した電子像が結
像されるものである。
載してX方向、Y方向に移動させるものである。この
際、後述する図2に示すように、レーザ計測器23によ
ってX方向、Y方向の移動量が正確に計測される。
反射した帯状の電子ビームを結像させて電子像を形成す
るものである。尚、反射した帯状の電子ビームを結像さ
れる場合には、対物レンズ6の図示外の後焦点面の近傍
にあるスリットを通過した部分の電子ビームが帯状の電
子像の形成に寄与し、遮断された部分が帯状の電子像に
寄与しなくなり、結果として、サンプル4の表面の凹凸
に対応したコントラストを持つ帯状の電子像が形成され
る。
などを真空中に配置して電子ビームが空気によって散乱
したり、減衰したりすることを防ぐための真空部屋であ
る。
偏向(補正)したりなどするものである。
た電子像を蛍光スクリーン10上に任意の倍率で投影し
たりなどするものである。
換するものである。
に設けて当該蛍光スクリーン10上に形成された光像を
真空外に取り出し、ここでは、CCDセンサ14に投影
するためのものである。
上に形成された光像をCCD素子で検出するものであっ
て、ここでは、レンズ13、CCDセンサ14、信号処
理装置15などから構成されるものである。CCDカメ
ラ12には蛍光スクリーン10に対して回転可能にする
機構が設けられており、CCDセンサ14の複数素子の
直線状の方向に対して、画像がほぼ直角方向に移動(走
査)するように、回転角度を任意に調整する。
成された光像をCCDセンサ14上に焦点合わせ(結
像)するものである。
ン状に配列および直角方向に並列に設けて電荷を転送し
ていわゆる蓄積型ラインセンサである。
制御して取り出した信号を処理して外部に出力したりな
どするものである。
ージ5を移動させるのに同期して、CCDセンサ14上
に蓄積した信号を隣接する他のライン上の素子に転送
し、蓄積型の検出を行うための制御装置である。
モータである。
ら放出された電子ビームを集束レンズ3で集束してマス
ク(サンプル)4に照射して透過した電子ビームを発生
させる。尚、反射型の場合には、図示しないが、上方向
あるいは斜上方向から、電子銃1を構成するエミッタ2
から放出された電子ビームを集束レンズ3で集束して負
電圧の印加されたマスク(サンプル)4に照射して当該
マスク(サンプル)4の表面近傍で反射(反転)して元
の方向に電子ビームが戻る。
透過した電子ビームあるいはマスク(サンプル)4の表
面近傍で反射した電子ビームは、対物レンズ6で結像さ
れる。そして、投影レンズ8で任意の倍率にして、ここ
では、蛍光スクリーン10に投影する。
影された電子像が光像に変換され、レンズ13でCCD
センサ14に結像され、電気信号に変換された画像信号
を出力する。この際、CCDセンサ14は、複数素子を
直線状に配列してあり、当該直線状に配列した複数素子
によって、光像が切り出され、結果として、切り出され
たライン状の部分(帯状の部分)に対応するマスク(サ
ンプル)4上の画像のみが抽出・拡大して検出されるこ
ととなる。
素子を直線状に配列した部分で検出したマスク(サンプ
ル)4の対応する直線状の部分(帯状の部分)と直角方
向にステージ5を直線状に連続に移動すると共に、当該
移動に同期してCCDセンサ14の直線状に配列した複
数素子列で検出した信号を隣接する次の列の直線上に配
列した複数素子列に電荷を転送することを繰り返し、遅
延積分型の増幅を行う。
素子を直線状に配列した方向と直角方向にマスク(サン
プル)4を直線状に連続走査するときに、当該直線状の
連続走査の方向と直角方向への移動変動量をレーザ計測
器で精密に測定し、測定した移動変動量をもとに、マス
ク(サンプル)4を補正移動させたり、あるいは偏向器
8に信号を出力して補正移動させたりし、CCDセンサ
14の複数素子の直線状に配列した方向に対して、直角
方向でかつジグザグのない正確に直線状に走査すること
が可能となる。
プル)4に照射して透過あるいは反射した電子ビームを
結像し、結像した電子像(あるいは更に光に変換した光
像)をCCDセンサ14に投影して当該CCDセンサ1
4の複数素子を直線状に配列した部分でライン状の部分
のみを検出すると共に、複数素子の直線状の方向とほぼ
直角方向にマスク(サンプル)4を直線状に走査すると
共に走査方向と直角方向の移動変動量をレーザ計測器で
精密に測定してマスク(サンプル)4の移動を補正ある
いは偏向器8に信号を出力して補正し、電子ビームに対
するマスク(サンプル)4の走査方向を極めて正確に直
線状に移動させ、簡易な構造のステージなどを用いてジ
グザグ走査などのない極めて高精度で直線状に走査した
画像を生成することが可能となる。
レンズ9と一体となって2段レンズを構成し、蛍光スク
リーン10上に、対物レンズ6で結像された電子像を任
意倍率で投影するためのものである。
いは偏向電流を供給し、既述した走査方向と直角方向の
移動変動量を補正するためのものである。
およびY方向のそれぞれの移動量を正確に測定するもの
である(図示しないがX方向用と、Y方向用との2組を
設けている)。
計測した走査方向と直角方向のマスク(サンプル)4の
移動変動量をもとに、偏向電源22を介して偏向器8に
電圧あるいは電流を供給し。当該移動変動量を補正し、
極めて正確に直線状に走査制御するものである。
向、Y方向に移動させるモータに電源を供給するもので
ある。
器23によって計測し、位置制御装置24がCCDセン
サ14のライン方向に対応する移動方向Y、およびライ
ン方向と直角方向に対応する移動方向Xを求める。
もとにCCDカメラ12のCCDセンサ14の直線状の
複数素子の列で検出した各素子で蓄積した電荷(信号)
を隣接する直線状の複数素子に順次転送することを繰り
返す。
もとに走査方向が直線からずれた移動変動量に相当する
分だけ補正するように、偏向器8に電圧あるいは電流を
供給する。これにより、電子像がCCDセンサ14の直
線状の複数素子の方向とほぼ直角方向に、ジグザグする
ことなく直線状に正確に走査されることとなる。
をCCDカメラ12のCCDセンサ14の複数素子の直
線状の方向とほぼ直角方向に走査し、そのときの走査量
をレーザ計測器23で計測し、マスク(サンプル)4の
移動量と同期してその画像を検出するCCDセンサ14
の複数素子の隣接する列の複数素子に電荷を転送するこ
とを繰り返して遅延型積分を行って高画質の画像を生成
すると共に、マスク(サンプル)4の走査方向と直角方
向の移動変動量をレーザ計測器23で計測して偏向器8
に補正電圧あるいは補正電流を供給して補正し、簡易な
構造のステージなどを用いてもジグザグ走査などのない
極めて高精度で直線状に走査した画像を生成することが
可能となる。
横軸は図1,2のステージ5の送り方向(走査方向)を
示し、縦軸はステージを走査したときの直角方向へのず
れ量(移動変動量)を示す。
子の直線状とほぼ直角方向に、マスク(サンプル)4を
搭載したステージ5を図示のステージ送り方向として移
動させる。このとき、時刻t=0、t1、t2における
ずれ量がそれぞれS(t=0)、S(t=t1),S
(t=t2)と、図2のレーザ計測器23で計測された
とすると、このずれ量S(t=0)、S(t=t1),
S(t=t2)を補正するために、偏向器8に対応する
電圧あるいは電流を供給し、結果としてずれ量がCCD
センサ14の複数素子上で無いようにすることができ
る。これにより、ステージ5の構造を簡単にして走査方
向が若干ジグザグとなったとしてもレーザ計測器23で
そのジグザグ(図3のずれ量)を計測して偏向器8で補
正し、結果として精密に直線状に走査した画像を生成で
きる。
テージ5上に置かれて、電子ビームの照射を受けつつC
CDセンサ14の複数素子の方向に対してほぼ直角方向
にステージ5で移動される。CCDセンサ14は、2次
元配列型CCDとして各素子は配列の縦横のいずれの方
向にも同期信号に同期させて電荷の転送が可能なもので
ある。ステージ5の移動に対応してマスク(サンプル)
4を透過あるいは反射して結像された画像が、CCDセ
ンサ14上を移動する。この画像の移動に追従させてC
CDセンサ14の各素子の電荷を移動方向に転送する
(時間遅延積分を行う)。電子像の1点がCCDセンサ
14の検出素子に入ってきたときから電荷の蓄積が開始
され、その点が検出素子を外れるときまで続く。この結
果、ステージ5を停止することなく連続にマスク(サン
プル)4を移動させながら検出信号強度を上げることが
できる。更に、検出は、CCDセンサ14の配列の各素
子で同時に同様に行われるから配列の素子の個数(例え
ば1列の4096個)だけの並列検出ができ、画像の検
出の高速化が可能となる。
電子ビームをサンプル(マスク)に照射しつつCCDセ
ンサの複数素子の方向と直角方向に直線状にサンプルを
走査すると共に、走査方向と直角方向への移動変動量を
検出して電子ビームを偏向補正あるいはサンプル移動機
構で移動補正する構成を採用しているため、電子ビーム
に対するサンプル(マスク)の走査方向を極めて正確に
直線状に移動させ、簡易な構造のステージなどを用いて
もジグザグ走査などのない極めて高精度で直線状に走査
した画像を生成することが可能となる。これらにより、
(1)ステージ送りと直角方向のずれは画像を記録した
後に、画像を補正するという複雑で時間のかかる処理を
不要とし、迅速に高精度の画像を生成することが可能と
なる。
ージのずれ量を小さくすることも考えられるが、この場
合にはステージの再設計が必要となると共にコスト高と
なる。
必要がなく、これらデータ処理を含めたスループットを
改善でき、しかも、コストの低減を図ることができる。
Claims (5)
- 【請求項1】サンプルの画像を高速に生成する電子ビー
ム画像生成装置において、 電子ビームを発生する電子ビーム発生手段と、 上記発生された電子ビームをサンプルに照射するレンズ
と、 上記電子ビームの照射されたサンプルを透過した電子ビ
ーム、あるいは負電圧の印加されたサンプル面の近傍で
反転した電子ビームを結像するレンズと、 上記レンズで結像された画像を、複数画素を直線状に並
べて検出する検出器と、 上記サンプルを、上記複数画素を直線状に並べた方向と
ほぼ直角方向になるように直線状に走査する走査手段
と、 上記走査手段によって直線状に走査されたときに、当該
走査された方向と直角方向の移動変動量を検出する検出
手段と、 上記検出手段で検出された移動変動量を打ち消すように
画像を偏向する偏向器に、あるいはサンプルの移動機構
に制御信号を出力する補正手段とを備えたことを特徴と
する画像生成装置。 - 【請求項2】上記検出器として、上記結像された画像に
対して直線状の複数画素を配置し、当該直線状の複数画
素と隣接する直角方向に電荷を上記電子ビームの走査に
同期して転送して蓄積する、1列あるいは複数列の直線
状の複数画素を設けた検出器としたことを特徴とする請
求項1記載の電子ビーム画像生成装置。 - 【請求項3】上記検出器として、電子像を直接に検出す
る直線状の複数検出素子からなる検出器、あるいは電子
像を光像に変換した後の光像を結像して検出する直線状
の複数検出素子からなる検出器としたことを特徴とする
請求項1あるいは請求項2記載の電子ビーム画像生成装
置。 - 【請求項4】上記検出器の直線状の複数画素と直角方向
に、上記走査方向をほぼ一致させる回転装置を備えたこ
とを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載
の電子ビーム画像生成装置。 - 【請求項5】上記電子ビームを帯状の電子ビームとして
サンプルの不要な部分への電子ビームの照射を無くした
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記
載の電子ビーム画像生成装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000281685A JP2002093359A (ja) | 2000-09-18 | 2000-09-18 | 電子ビーム画像生成装置 |
US10/048,430 US6686591B2 (en) | 2000-09-18 | 2001-02-13 | Apparatus for inspecting mask |
DE10193433T DE10193433T1 (de) | 2000-09-18 | 2001-02-13 | Maskeninspektionsgerät |
PCT/JP2001/000979 WO2002023581A1 (fr) | 2000-09-18 | 2001-02-13 | Appareil pour inspection de masque |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000281685A JP2002093359A (ja) | 2000-09-18 | 2000-09-18 | 電子ビーム画像生成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002093359A true JP2002093359A (ja) | 2002-03-29 |
Family
ID=18766304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000281685A Pending JP2002093359A (ja) | 2000-09-18 | 2000-09-18 | 電子ビーム画像生成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002093359A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7022986B2 (en) | 2002-01-09 | 2006-04-04 | Hitachi High-Technologies Corporation | Apparatus and method for wafer pattern inspection |
JP2007192741A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Sharp Corp | 元素分析方法及び元素分析装置 |
JP2008130361A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置の撮像方法 |
JP2009295429A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Jeol Ltd | 像観察用カメラを備える電子顕微鏡 |
JP2017126498A (ja) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 株式会社荏原製作所 | 検査装置及び検査方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10197463A (ja) * | 1997-01-08 | 1998-07-31 | Nikon Corp | パターン検査装置 |
JPH10255709A (ja) * | 1997-01-08 | 1998-09-25 | Nikon Corp | 画像検査装置 |
JPH10253337A (ja) * | 1997-01-07 | 1998-09-25 | Toshiba Corp | パターン転写用マスク、マスク検査方法、及びマスク検査装置 |
JPH11108864A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査方法および検査装置 |
JPH11195602A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-07-21 | Nikon Corp | 投影露光方法及び装置 |
JPH11345585A (ja) * | 1998-06-03 | 1999-12-14 | Nikon Corp | 電子ビームによる検査装置および検査方法 |
JP2000252192A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Nikon Corp | 投影露光方法および投影露光装置 |
-
2000
- 2000-09-18 JP JP2000281685A patent/JP2002093359A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10253337A (ja) * | 1997-01-07 | 1998-09-25 | Toshiba Corp | パターン転写用マスク、マスク検査方法、及びマスク検査装置 |
JPH10197463A (ja) * | 1997-01-08 | 1998-07-31 | Nikon Corp | パターン検査装置 |
JPH10255709A (ja) * | 1997-01-08 | 1998-09-25 | Nikon Corp | 画像検査装置 |
JPH11108864A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査方法および検査装置 |
JPH11195602A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-07-21 | Nikon Corp | 投影露光方法及び装置 |
JPH11345585A (ja) * | 1998-06-03 | 1999-12-14 | Nikon Corp | 電子ビームによる検査装置および検査方法 |
JP2000252192A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Nikon Corp | 投影露光方法および投影露光装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7022986B2 (en) | 2002-01-09 | 2006-04-04 | Hitachi High-Technologies Corporation | Apparatus and method for wafer pattern inspection |
US7982188B2 (en) | 2002-01-09 | 2011-07-19 | Hitachi High-Technologies Corporation | Apparatus and method for wafer pattern inspection |
JP2007192741A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Sharp Corp | 元素分析方法及び元素分析装置 |
JP2008130361A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置の撮像方法 |
JP2009295429A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Jeol Ltd | 像観察用カメラを備える電子顕微鏡 |
JP2017126498A (ja) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 株式会社荏原製作所 | 検査装置及び検査方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6686591B2 (en) | Apparatus for inspecting mask | |
JP2007132836A (ja) | 光学的高さ検出方法、電子線測定装置および電子線検査装置 | |
US20200104980A1 (en) | Multi-electron beam image acquisition apparatus, and multi-electron beam image acquisition method | |
JP4084905B2 (ja) | パターン寸法測定装置およびパターン寸法測定方法 | |
US10768126B2 (en) | Multiple charged particle beam inspection apparatus and multiple charged particle beam inspection method | |
JP4907092B2 (ja) | 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法 | |
JP2019061928A (ja) | 電子ビーム画像取得装置および電子ビーム画像取得方法 | |
JP2020087788A (ja) | マルチ電子ビーム画像取得装置及びマルチ電子ビーム画像取得方法 | |
JP4167904B2 (ja) | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 | |
US11004193B2 (en) | Inspection method and inspection apparatus | |
JP4164470B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
JP3713457B2 (ja) | 基板検査方法及び基板検査装置 | |
JP2884830B2 (ja) | 自動焦点合せ装置 | |
JP2002093359A (ja) | 電子ビーム画像生成装置 | |
JP3601382B2 (ja) | 荷電粒子線を用いた検査装置および検査方法 | |
JP7344725B2 (ja) | アライメントマーク位置の検出方法及びアライメントマーク位置の検出装置 | |
JP7428578B2 (ja) | マルチビーム画像生成装置およびマルチビーム画像生成方法 | |
JPH08227840A (ja) | 荷電粒子線描画装置における調整方法および描画方法 | |
JP7222821B2 (ja) | マルチビーム検査装置 | |
JP2019114377A (ja) | マルチビーム画像取得装置及びマルチビーム画像取得方法 | |
JP3430788B2 (ja) | 試料像測定装置 | |
JP7477364B2 (ja) | マルチビーム画像生成装置およびマルチビーム画像生成方法 | |
JP4596351B2 (ja) | 電子ビーム画像生成装置 | |
JP2013183017A (ja) | 描画装置、基準素子、及び物品製造方法 | |
JP2006351554A (ja) | 検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101005 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110104 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110510 |