JP2002091377A - 有機elディスプレイ装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】アクティブマトリクスの薄膜トランジスタ(T
FT)の特性ばらつきにより画素ごとに有機ELを流れ
る電流が異なることに起因して生ずる、画面の輝度むら
を低減する。 【解決手段】画素内に有機EL素子(15)の電流を検出す
る電流検出回路(17)と、該電流検出回路(17)の出力電圧
とサンプルホールド回路(18)の出力電圧の差分を増幅し
その出力電圧を電流制御回路に入力する誤差増幅回路(1
3)を設け、負帰還動作により電流検出回路(17の出力電
圧とサンプルホールド(18)回路の出力電圧が等しくなる
ように構成した。
FT)の特性ばらつきにより画素ごとに有機ELを流れ
る電流が異なることに起因して生ずる、画面の輝度むら
を低減する。 【解決手段】画素内に有機EL素子(15)の電流を検出す
る電流検出回路(17)と、該電流検出回路(17)の出力電圧
とサンプルホールド回路(18)の出力電圧の差分を増幅し
その出力電圧を電流制御回路に入力する誤差増幅回路(1
3)を設け、負帰還動作により電流検出回路(17の出力電
圧とサンプルホールド(18)回路の出力電圧が等しくなる
ように構成した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の有機エレク
トロルミネセンス(有機EL)素子をマトリクス上に配
置して構成した表示パネルを用いたディスプレイ装置に
係り、特に、その駆動回路の改良により有機EL素子間
の輝度のばらつきを低減するようにした有機ELディス
プレイ装置に関するものである。
トロルミネセンス(有機EL)素子をマトリクス上に配
置して構成した表示パネルを用いたディスプレイ装置に
係り、特に、その駆動回路の改良により有機EL素子間
の輝度のばらつきを低減するようにした有機ELディス
プレイ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】フラットパネルディスプレイとして有機
EL素子を用いたものが提案されている。有機EL素子
はたとえば陽極,正孔注入層,有機発光体層,陰極を積
層した素子であり、電気的には発光ダイオードに似た特
性を示すことから有機発光ダイオードとも呼ばれてい
る。
EL素子を用いたものが提案されている。有機EL素子
はたとえば陽極,正孔注入層,有機発光体層,陰極を積
層した素子であり、電気的には発光ダイオードに似た特
性を示すことから有機発光ダイオードとも呼ばれてい
る。
【0003】この有機EL素子をマトリクス構造に構成
し、画像信号に応じて駆動することによりディスプレイ
が実現出来る。マトリクス構造には液晶と同様にパッシ
ブ型とアクティブ型がある。アクティブ型の画素は、有
機EL素子と、液晶同様のサンプルホールド用薄膜トラ
ンジスタ(TFT)及びホールドコンデンサと、有機E
L素子に電流を流す薄膜トランジスタ(TFT)から構
成されている。薄膜トランジスタ(TFT)は低温ポリ
シリコンプロセスにて作成される。このようなアクティ
ブマトリクス型有機ELディスプレイに関する従来技術
としては、例えば、特開平8−241048号公報、特
開平9−16122号公報、特開平9−16123号公
報等に記載されたものが知られている。
し、画像信号に応じて駆動することによりディスプレイ
が実現出来る。マトリクス構造には液晶と同様にパッシ
ブ型とアクティブ型がある。アクティブ型の画素は、有
機EL素子と、液晶同様のサンプルホールド用薄膜トラ
ンジスタ(TFT)及びホールドコンデンサと、有機E
L素子に電流を流す薄膜トランジスタ(TFT)から構
成されている。薄膜トランジスタ(TFT)は低温ポリ
シリコンプロセスにて作成される。このようなアクティ
ブマトリクス型有機ELディスプレイに関する従来技術
としては、例えば、特開平8−241048号公報、特
開平9−16122号公報、特開平9−16123号公
報等に記載されたものが知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例では、アク
ティブマトリクス画素内の薄膜トランジスタ(TFT)
の特性ばらつきが考慮されておらず、画素ごとに輝度が
異なり画面内に輝度むらが発生する課題があった。すな
わち、有機EL素子の輝度は有機EL素子を流れる電流
に比例するが、有機EL素子に電流を流すTFTのゲー
ト電圧−ドレイン電流特性にばらつきが生じるため、各
画素に同じ信号電圧を入力しても有機ELを流れる電流
にもばらつきが生じ、結果として、輝度むらが発生する
という課題があった。
ティブマトリクス画素内の薄膜トランジスタ(TFT)
の特性ばらつきが考慮されておらず、画素ごとに輝度が
異なり画面内に輝度むらが発生する課題があった。すな
わち、有機EL素子の輝度は有機EL素子を流れる電流
に比例するが、有機EL素子に電流を流すTFTのゲー
ト電圧−ドレイン電流特性にばらつきが生じるため、各
画素に同じ信号電圧を入力しても有機ELを流れる電流
にもばらつきが生じ、結果として、輝度むらが発生する
という課題があった。
【0005】本発明は、上記の如く過大に鑑みて為され
たものであって、その目的は、薄膜トランジスタの特性
ばらつきによらず輝度むらの少ないアクティブマトリク
ス型有機ELディスプレイ装置を提供することにある。
たものであって、その目的は、薄膜トランジスタの特性
ばらつきによらず輝度むらの少ないアクティブマトリク
ス型有機ELディスプレイ装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の、本発明に係るアクティブマトリクス型の有機ELデ
ィスプレイ装置は、入力画像信号をサンプルしてホール
ドするサンプルホールド回路と、前記有機EL素子の電
流を検出する電流検出回路と、該電流検出回路の出力電
圧と前記サンプルホールド回路の出力電圧との差分を増
幅して出力する誤差増幅回路と、該誤差増幅回路の出力
に基づき前記有機EL素子の電流を制御する電流制御回
路とを設けたことを特徴とするものである。これにより
前記有電流制御回路を構成する薄膜トランジスタのばら
つきを低減させて輝度むらを減少させるようにした。
の、本発明に係るアクティブマトリクス型の有機ELデ
ィスプレイ装置は、入力画像信号をサンプルしてホール
ドするサンプルホールド回路と、前記有機EL素子の電
流を検出する電流検出回路と、該電流検出回路の出力電
圧と前記サンプルホールド回路の出力電圧との差分を増
幅して出力する誤差増幅回路と、該誤差増幅回路の出力
に基づき前記有機EL素子の電流を制御する電流制御回
路とを設けたことを特徴とするものである。これにより
前記有電流制御回路を構成する薄膜トランジスタのばら
つきを低減させて輝度むらを減少させるようにした。
【0007】また、画像信号に対応する電流に基づき有
機EL素子に流れる電流を制御する回路を設け、この回
路を、前記有機EL素子の電流と前記画像信号に対応す
る電流との比率がほぼ一定となるように前記有機EL素
子の電流を制御する構成としてもよい。
機EL素子に流れる電流を制御する回路を設け、この回
路を、前記有機EL素子の電流と前記画像信号に対応す
る電流との比率がほぼ一定となるように前記有機EL素
子の電流を制御する構成としてもよい。
【0008】前記回路は、前記有機EL素子の電流を制
御するための第1の薄膜トランジスタと、該第1の薄膜
トランジスタと近接して配置され、かつ前記画像信号に
対応する電流が供給される第2の薄膜トランジスタとを
含むカレントミラー回路を有するものとしてもよい。
御するための第1の薄膜トランジスタと、該第1の薄膜
トランジスタと近接して配置され、かつ前記画像信号に
対応する電流が供給される第2の薄膜トランジスタとを
含むカレントミラー回路を有するものとしてもよい。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。図1は、本発明に係る有機E
Lディスプレイ装置のブロック図である。図1におい
て、画像信号は、画像信号入力インターフェース1から
入力される。画像信号の形式により制御回路2の内部構
成は異なるが、制御回路2は入力された画像信号からX
軸同期信号,Y軸同期信号,画像信号を発生する動作を
行う。X軸同期信号はX軸駆動回路4に与えられ、X軸
方向の画素選択動作を行う。Y軸同期信号はY軸駆動回
路3に与えられ、Y軸方向の画素選択動作を行う。有機
EL素子マトリクス6は、複数の有機EL素子がマトリ
クス状に配置されて構成された画像を表示するための表
示パネルであって、電源回路5から有機EL素子を発光
させるための電源が供給されている。画像信号がX軸駆
動回路4を経て選択されたアクティブマトリクス画素6
1に順次入力されることにより画像が表示される。
て図面を用いて説明する。図1は、本発明に係る有機E
Lディスプレイ装置のブロック図である。図1におい
て、画像信号は、画像信号入力インターフェース1から
入力される。画像信号の形式により制御回路2の内部構
成は異なるが、制御回路2は入力された画像信号からX
軸同期信号,Y軸同期信号,画像信号を発生する動作を
行う。X軸同期信号はX軸駆動回路4に与えられ、X軸
方向の画素選択動作を行う。Y軸同期信号はY軸駆動回
路3に与えられ、Y軸方向の画素選択動作を行う。有機
EL素子マトリクス6は、複数の有機EL素子がマトリ
クス状に配置されて構成された画像を表示するための表
示パネルであって、電源回路5から有機EL素子を発光
させるための電源が供給されている。画像信号がX軸駆
動回路4を経て選択されたアクティブマトリクス画素6
1に順次入力されることにより画像が表示される。
【0010】図2は、図1の有機EL素子マトリクス6
を構成するアクティブマトリクス画素61の動作を説明
するためのブロック図である。図2において、11は電
圧信号入力端子、12はサンプルホールドパルス入力端
子、13は誤差増幅回路、14は電源端子、15は有機
EL素子、16は電流制御回路、17は電流検出回路、
18はサンプルホールド回路である。動作は次の通りで
ある。画像信号は、電圧信号入力端子11から電圧信号
の形式でサンプルホールド回路18に入力される。サン
プルホールド回路18はサンプルホールドパルス入力端
子12から入力されたサンプルホールドパルスにより電
圧信号入力端子11から入力された電圧信号を一定期間
(通常はリフレッシュ時間)保持する。保持された電圧
は誤差増幅回路13の一方の入力に入力される。電源端
子14からの電流は有機EL素子15,電流制御回路1
6,電流検出回路17を流れ、電流検出回路17にてこ
の電流を電圧として検出し誤差増幅回路13のもう一方
の入力に入力される。
を構成するアクティブマトリクス画素61の動作を説明
するためのブロック図である。図2において、11は電
圧信号入力端子、12はサンプルホールドパルス入力端
子、13は誤差増幅回路、14は電源端子、15は有機
EL素子、16は電流制御回路、17は電流検出回路、
18はサンプルホールド回路である。動作は次の通りで
ある。画像信号は、電圧信号入力端子11から電圧信号
の形式でサンプルホールド回路18に入力される。サン
プルホールド回路18はサンプルホールドパルス入力端
子12から入力されたサンプルホールドパルスにより電
圧信号入力端子11から入力された電圧信号を一定期間
(通常はリフレッシュ時間)保持する。保持された電圧
は誤差増幅回路13の一方の入力に入力される。電源端
子14からの電流は有機EL素子15,電流制御回路1
6,電流検出回路17を流れ、電流検出回路17にてこ
の電流を電圧として検出し誤差増幅回路13のもう一方
の入力に入力される。
【0011】誤差増幅回路13は電流検出回路17の出
力電圧とサンプルホールド回路18の出力電圧を比較し
てその差分を増幅し、その出力電圧を電流制御回路16
に入力することにより電流検出回路の出力電圧とサンプ
ルホールド回路の出力電圧が等しくなる負帰還動作を行
う。この結果、各画素の電圧信号入力端子11から入力
される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の有機EL
素子15に流れるので、各画素の輝度は同一となり輝度
むらが低減される。
力電圧とサンプルホールド回路18の出力電圧を比較し
てその差分を増幅し、その出力電圧を電流制御回路16
に入力することにより電流検出回路の出力電圧とサンプ
ルホールド回路の出力電圧が等しくなる負帰還動作を行
う。この結果、各画素の電圧信号入力端子11から入力
される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の有機EL
素子15に流れるので、各画素の輝度は同一となり輝度
むらが低減される。
【0012】図3は、本発明に係るアクティブマトリク
ス画素の第1の実施形態を示す回路図である。図3にお
いて、21はnチャンネル型薄膜トランジスタ(以下、
TFTと略す)、22はホールドコンデンサ、23,2
4,25はnチャンネルTFT、26,27,28は抵
抗器である。この実施形態では、サンプルホールド回路
18はnチャンネルTFT21とホールドコンデンサ2
2から構成されていて、ホールドコンデンサ22の両端
電圧として画像信号電圧が保持される。 誤差増幅回路
13はnチャンネルTFT23,24と抵抗器26,2
7からなる差動増幅回路で構成されている。電流検出回
路17は抵抗器28で、電圧制御回路16はnチャンネ
ルTFT25で構成されている。回路動作は図2で説明
した通りであり、各画素の電圧信号入力端子11から入
力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の有機E
L素子15に流れるので、各画素の輝度は同一となり輝
度むらが低減される。
ス画素の第1の実施形態を示す回路図である。図3にお
いて、21はnチャンネル型薄膜トランジスタ(以下、
TFTと略す)、22はホールドコンデンサ、23,2
4,25はnチャンネルTFT、26,27,28は抵
抗器である。この実施形態では、サンプルホールド回路
18はnチャンネルTFT21とホールドコンデンサ2
2から構成されていて、ホールドコンデンサ22の両端
電圧として画像信号電圧が保持される。 誤差増幅回路
13はnチャンネルTFT23,24と抵抗器26,2
7からなる差動増幅回路で構成されている。電流検出回
路17は抵抗器28で、電圧制御回路16はnチャンネ
ルTFT25で構成されている。回路動作は図2で説明
した通りであり、各画素の電圧信号入力端子11から入
力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の有機E
L素子15に流れるので、各画素の輝度は同一となり輝
度むらが低減される。
【0013】図4は、本発明に係るアクティブマトリク
ス画素の第2の実施形態を示す回路図である。図4にお
いて、29は抵抗器、30はpチャンネルTFT、15
1は有機EL素子である。この実施形態では、誤差増幅
回路13はnチャンネルTFT23,24と抵抗器2
6,29からなる差動増幅回路で構成されている点と、
電圧制御回路16がpチャンネルTFT30で構成され
ていて有機EL素子151の接続位置が変更にされてい
る点が図3の第1の実施例と異なる。回路動作は図2で
説明した通りであり、各画素の電圧信号入力端子11か
ら入力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の有
機EL素子151に流れるので、各画素の輝度は同一と
なり輝度むらが低減される。
ス画素の第2の実施形態を示す回路図である。図4にお
いて、29は抵抗器、30はpチャンネルTFT、15
1は有機EL素子である。この実施形態では、誤差増幅
回路13はnチャンネルTFT23,24と抵抗器2
6,29からなる差動増幅回路で構成されている点と、
電圧制御回路16がpチャンネルTFT30で構成され
ていて有機EL素子151の接続位置が変更にされてい
る点が図3の第1の実施例と異なる。回路動作は図2で
説明した通りであり、各画素の電圧信号入力端子11か
ら入力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の有
機EL素子151に流れるので、各画素の輝度は同一と
なり輝度むらが低減される。
【0014】図5は、本発明に係るアクティブマトリク
ス画素の第3の実施形態を示す回路図である。図5にお
いて、31はホールドコンデンサ、32,33,34は
pチャンネルTFT、35はnチャンネルTFT、3
6,37,38は抵抗器である。この実施形態ではサン
プルホールド回路18はpチャンネルTFT32とホー
ルドコンデンサ31から構成されていて、ホールドコン
デンサ31の両端電圧として画像信号電圧が保持され
る。 誤差増幅回路13はpチャンネルTFT33,3
4と抵抗器36,37からなる差動増幅回路で構成され
ている。電流検出回路17は抵抗器38で、電圧制御回
路16はnチャンネルTFT35で構成されている。回
路動作は図2で説明した通りであり、各画素の電圧信号
入力端子11から入力される同じ電圧信号に対し同じ電
流が各画素の有機EL素子151に流れるので、各画素
の輝度は同一となり輝度むらが低減される。
ス画素の第3の実施形態を示す回路図である。図5にお
いて、31はホールドコンデンサ、32,33,34は
pチャンネルTFT、35はnチャンネルTFT、3
6,37,38は抵抗器である。この実施形態ではサン
プルホールド回路18はpチャンネルTFT32とホー
ルドコンデンサ31から構成されていて、ホールドコン
デンサ31の両端電圧として画像信号電圧が保持され
る。 誤差増幅回路13はpチャンネルTFT33,3
4と抵抗器36,37からなる差動増幅回路で構成され
ている。電流検出回路17は抵抗器38で、電圧制御回
路16はnチャンネルTFT35で構成されている。回
路動作は図2で説明した通りであり、各画素の電圧信号
入力端子11から入力される同じ電圧信号に対し同じ電
流が各画素の有機EL素子151に流れるので、各画素
の輝度は同一となり輝度むらが低減される。
【0015】図6は、本発明に係るアクティブマトリク
ス画素の第4の実施形態を示す回路図である。図6にお
いて、39は抵抗器、40はpチャンネルTFT、15
2は有機EL素子である。この実施形態では、誤差増幅
回路13はpチャンネルTFT33,34と抵抗器3
7,39からなる差動増幅回路で構成されている点と、
電圧制御回路16がpチャンネルTFT40で構成され
ていて有機EL素子152の接続位置が変更になってい
る点が図5の第3の実施例と異なる。回路動作は図2で
説明した通りであり、各画素の電圧信号入力端子11か
ら入力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の有
機EL素子152に流れるので、各画素の輝度は同一と
なり輝度むらが低減される。
ス画素の第4の実施形態を示す回路図である。図6にお
いて、39は抵抗器、40はpチャンネルTFT、15
2は有機EL素子である。この実施形態では、誤差増幅
回路13はpチャンネルTFT33,34と抵抗器3
7,39からなる差動増幅回路で構成されている点と、
電圧制御回路16がpチャンネルTFT40で構成され
ていて有機EL素子152の接続位置が変更になってい
る点が図5の第3の実施例と異なる。回路動作は図2で
説明した通りであり、各画素の電圧信号入力端子11か
ら入力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の有
機EL素子152に流れるので、各画素の輝度は同一と
なり輝度むらが低減される。
【0016】図7は、本発明に係るアクティブマトリク
ス画素の第5の実施形態を示す回路図である。図7にお
いて、41はnチャンネルTFT、42は抵抗器であ
る。この実施形態は図3の第1の実施形態を簡易化した
ものであり、誤差増幅回路13がnチャンネルTFT4
1と抵抗器27で、電流検出回路17が抵抗28,42
から構成されている点が異なっている。回路動作は図2
で説明した通りであり、各画素の電圧信号入力端子11
から入力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の
有機EL素子15に流れるので、各画素の輝度は同一と
なり輝度むらが低減される。
ス画素の第5の実施形態を示す回路図である。図7にお
いて、41はnチャンネルTFT、42は抵抗器であ
る。この実施形態は図3の第1の実施形態を簡易化した
ものであり、誤差増幅回路13がnチャンネルTFT4
1と抵抗器27で、電流検出回路17が抵抗28,42
から構成されている点が異なっている。回路動作は図2
で説明した通りであり、各画素の電圧信号入力端子11
から入力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の
有機EL素子15に流れるので、各画素の輝度は同一と
なり輝度むらが低減される。
【0017】図8は、本発明に係るアクティブマトリク
ス画素の第6の実施形態を示す回路図である。図8にお
いて、43はpチャンネルTFT、44は抵抗器であ
る。この実施形態は図6の第4の実施形態を簡易化した
ものであり、誤差増幅回路13がpチャンネルTFT4
3と抵抗器39で、電流検出回路17が抵抗38,44
から構成されている点が異なっている。回路動作は図2
で説明した通りであり、各画素の電圧信号入力端子11
から入力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の
有機EL素子152に流れるので、各画素の輝度は同一
となり輝度むらが低減される。
ス画素の第6の実施形態を示す回路図である。図8にお
いて、43はpチャンネルTFT、44は抵抗器であ
る。この実施形態は図6の第4の実施形態を簡易化した
ものであり、誤差増幅回路13がpチャンネルTFT4
3と抵抗器39で、電流検出回路17が抵抗38,44
から構成されている点が異なっている。回路動作は図2
で説明した通りであり、各画素の電圧信号入力端子11
から入力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の
有機EL素子152に流れるので、各画素の輝度は同一
となり輝度むらが低減される。
【0018】尚、図3から図8の実施形態において、各
抵抗器は適当なバイアスを与えた薄膜トランジスタで構
成してもよい。
抵抗器は適当なバイアスを与えた薄膜トランジスタで構
成してもよい。
【0019】図9は、本発明に係るアクティブマトリク
ス画素の第7の実施形態を示す回路図である。図9にお
いて、50,51,52,53はnチャンネルTFT、
54はホールドコンデンサ、111は電流信号入力端
子、121は第2のサンプルホールドパルス入力端子で
ある。この実施形態では、画像信号は電流信号入力端子
111から電流信号の形式で入力される。第2のサンプ
ルホールドパルス入力端子121には、第1のサンプル
ホールドパルス入力端子12に入力されるパルスより遅
延したパルスを使用する。すなわちTFT50のオンオ
フはTFT51のオンオフより遅れる様に構成する。よ
って、第1のサンプルホールドパルス入力端子12に入
力されるサンプルホールドパルスの位相と、第2のサン
プルホールドパルス入力端子121に入力されるサンプ
ルホールドパルスの位相とは、互いに異なっている。
ス画素の第7の実施形態を示す回路図である。図9にお
いて、50,51,52,53はnチャンネルTFT、
54はホールドコンデンサ、111は電流信号入力端
子、121は第2のサンプルホールドパルス入力端子で
ある。この実施形態では、画像信号は電流信号入力端子
111から電流信号の形式で入力される。第2のサンプ
ルホールドパルス入力端子121には、第1のサンプル
ホールドパルス入力端子12に入力されるパルスより遅
延したパルスを使用する。すなわちTFT50のオンオ
フはTFT51のオンオフより遅れる様に構成する。よ
って、第1のサンプルホールドパルス入力端子12に入
力されるサンプルホールドパルスの位相と、第2のサン
プルホールドパルス入力端子121に入力されるサンプ
ルホールドパルスの位相とは、互いに異なっている。
【0020】この結果TFT51がオンした後、TFT
50がオンするとTFT52に入力電流が流れ、ホール
ドコンデンサ54にはTFT52のドレイン電流に対応
するゲート−ソース電圧が充電され、有機EL素子15
に流れる電流を制御するためのTFT53のゲートに印
加される。この電圧は、TFT51がオフすると一定時
間保持される。この結果、TFT52とTFT53を近
接して設けると製造条件がほぼ等しいため二つのTFT
の特性は似たものになるから、TFT53のドレイン電
流すなわち有機EL素子の電流は入力した電流信号と一
定の比率になる。すなわち、TFT52とTFT53
は、カレントミラー回路を構成している。各画素の電流
信号入力端子111から入力される同じ電流信号に対し
同じ電流が各画素の有機EL素子15に流れるので、各
画素の輝度は同一となり輝度むらが低減される。この実
施例では、サンプルホールドパルスとして互いに位相が
異なる2種類のパルスを使用しているが、TFT51と
TFT52の特性を異ならしめることにより1種類のパ
ルスでも動作可能である。
50がオンするとTFT52に入力電流が流れ、ホール
ドコンデンサ54にはTFT52のドレイン電流に対応
するゲート−ソース電圧が充電され、有機EL素子15
に流れる電流を制御するためのTFT53のゲートに印
加される。この電圧は、TFT51がオフすると一定時
間保持される。この結果、TFT52とTFT53を近
接して設けると製造条件がほぼ等しいため二つのTFT
の特性は似たものになるから、TFT53のドレイン電
流すなわち有機EL素子の電流は入力した電流信号と一
定の比率になる。すなわち、TFT52とTFT53
は、カレントミラー回路を構成している。各画素の電流
信号入力端子111から入力される同じ電流信号に対し
同じ電流が各画素の有機EL素子15に流れるので、各
画素の輝度は同一となり輝度むらが低減される。この実
施例では、サンプルホールドパルスとして互いに位相が
異なる2種類のパルスを使用しているが、TFT51と
TFT52の特性を異ならしめることにより1種類のパ
ルスでも動作可能である。
【0021】図10は、本発明に係るアクティブマトリ
クス画素の第8の実施形態を示す回路図である。図10
において、55,56,57,58はpチャンネルTF
T、59はホールドコンデンサである。図10の実施形
態は、図9の第7の実施形態のTFTをpチャンネルで
構成し、ホールドコンデンサ59,有機EL素子の接続
位置が変更になっている点が異なるが、基本的な動作及
び効果は図9の第7の実施例と同様である。
クス画素の第8の実施形態を示す回路図である。図10
において、55,56,57,58はpチャンネルTF
T、59はホールドコンデンサである。図10の実施形
態は、図9の第7の実施形態のTFTをpチャンネルで
構成し、ホールドコンデンサ59,有機EL素子の接続
位置が変更になっている点が異なるが、基本的な動作及
び効果は図9の第7の実施例と同様である。
【0022】以上の実施形態で説明した通り、本発明に
より画素内の薄膜トランジスタの特性ばらつきによらず
輝度むらの少ない有機ELディスプレイを提供出来る効
果がある。
より画素内の薄膜トランジスタの特性ばらつきによらず
輝度むらの少ない有機ELディスプレイを提供出来る効
果がある。
【0023】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、画素内
の薄膜トランジスタの特性ばらつきによらず輝度むらの
少ない有機ELディスプレイを提供出来る効果がある。
の薄膜トランジスタの特性ばらつきによらず輝度むらの
少ない有機ELディスプレイを提供出来る効果がある。
【図1】本発明の有機ELディスプレイのブロック図
【図2】本発明のアクティブマトリクス画素の動作を説
明するためのブロック図
明するためのブロック図
【図3】本発明に係るアクティブマトリクス画素の第1
の実施形態を示す回路図
の実施形態を示す回路図
【図4】本発明に係るアクティブマトリクス画素の第2
の実施形態を示す回路図
の実施形態を示す回路図
【図5】本発明に係るアクティブマトリクス画素の第3
の実施形態を示す回路図
の実施形態を示す回路図
【図6】本発明に係るアクティブマトリクス画素の第4
の実施形態を示す回路図
の実施形態を示す回路図
【図7】本発明に係るアクティブマトリクス画素の第5
の実施形態を示す回路図
の実施形態を示す回路図
【図8】本発明に係るアクティブマトリクス画素の第6
の実施形態を示す回路図
の実施形態を示す回路図
【図9】本発明に係るアクティブマトリクス画素の第7
の実施形態を示す回路図
の実施形態を示す回路図
【図10】本発明に係るアクティブマトリクス画素の第
8の実施形態を示す回路図
8の実施形態を示す回路図
1…画像信号入力インターフェース、2…制御回路、3
…Y軸駆動回路、4…X軸駆動回路、5…電源回路、6
…有機EL素子マトリクス、11…電圧信号入力端子、
12…サンプルホールドパルス入力端子、13…誤差増
幅回路、14…電源端子、15,151,152…有機
EL素子、16…電流制御回路、17…電流検出回路、
18…サンプルホールド回路。
…Y軸駆動回路、4…X軸駆動回路、5…電源回路、6
…有機EL素子マトリクス、11…電圧信号入力端子、
12…サンプルホールドパルス入力端子、13…誤差増
幅回路、14…電源端子、15,151,152…有機
EL素子、16…電流制御回路、17…電流検出回路、
18…サンプルホールド回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // H05B 33/14 H05B 33/14 A Fターム(参考) 3K007 AB02 AB17 BA06 DA01 DB03 EB00 GA04 5C080 AA06 BB05 DD05 DD28 EE29 FF11 JJ02 JJ03 5C094 AA03 AA07 AA56 BA03 BA27 CA19 DA09 DB01 DB02 DB04 EA04 EA10 FA01 FB12 FB14 FB15 GA10
Claims (7)
- 【請求項1】複数の有機EL素子をマトリクス上に配置
して構成された表示パネルを用いて、入力された画像信
号に基づき画像の表示を行うアクティブマトリクス型の
有機ELディスプレイ装置において、前記画像信号をサ
ンプルしてホールドするサンプルホールド回路と、前記
有機EL素子の電流を検出する電流検出回路と、該電流
検出回路の出力電圧と前記サンプルホールド回路の出力
電圧との差分を増幅して出力する誤差増幅回路と、該誤
差増幅回路の出力に基づき前記有機EL素子の電流を制
御する電流制御回路とを有することを特徴とする有機E
Lディスプレイ装置。 - 【請求項2】前記誤差増幅回路は、差動増幅回路を構成
する2個の薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請
求項1記載の有機ELディスプレイ。 - 【請求項3】前記誤差増幅回路は、ゲートが前記サンプ
ルホールド回路に接続され、ソースが前記電流検出回路
に接続された薄膜トランジスタを含むことを特徴とする
請求項1記載の有機ELディスプレイ。 - 【請求項4】複数の有機EL素子をマトリクス上に配置
して構成された表示パネルを用いて、入力された画像信
号に基づき画像の表示を行うアクティブマトリクス型の
有機ELディスプレイ装置において、前記画像信号に対
応する電流に基づき前記有機EL素子に流れる電流を制
御する回路を有し、該回路は、前記有機EL素子の電流
と前記画像信号に対応する電流との比率がほぼ一定とな
るように前記有機EL素子の電流を制御することを特徴
とする有機ELディスプレイ装置。 - 【請求項5】前記回路は、前記有機EL素子の電流を制
御するための第1の薄膜トランジスタと、該第1の薄膜
トランジスタと近接して配置され、かつ前記画像信号に
対応する電流が供給される第2の薄膜トランジスタとを
含むカレントミラー回路を有することを特徴とする請求
項4記載の有機ELディスプレイ装置。 - 【請求項6】前記回路は、第1の薄膜トランジスタと、
該第1の薄膜トランジスタのドレインとそのソースが接
続される第2の薄膜トランジスタと、前記第1と第2の
薄膜トランジスタの接続部にそのゲート及びドレインが
接続される第3の薄膜トランジスタと、該第3の薄膜ト
ランジスタのゲート−ソース間電圧が充電されるホール
ドコンデンサと、前記有機EL素子に流れる電流を制御
するためのものであって、前記第3の薄膜トランジスタ
に近接して配置され、かつ前記ホールドコンデンサの両
端電圧がそのゲートに印加される第4の薄膜トランジス
タとを含むことを特徴とする有機ELディスプレイ装
置。 - 【請求項7】前記第1及び第2の薄膜トランジスタのゲ
ートには、それぞれ前記画像信号をサンプリングするた
めの、互いに位相が異なるパルス信号が供給されること
を特徴とする請求項6に記載の有機ELディスプレイ装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000280115A JP2002091377A (ja) | 2000-09-11 | 2000-09-11 | 有機elディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000280115A JP2002091377A (ja) | 2000-09-11 | 2000-09-11 | 有機elディスプレイ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002091377A true JP2002091377A (ja) | 2002-03-27 |
Family
ID=18765013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000280115A Pending JP2002091377A (ja) | 2000-09-11 | 2000-09-11 | 有機elディスプレイ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002091377A (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2000
- 2000-09-11 JP JP2000280115A patent/JP2002091377A/ja active Pending
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