JP2002090708A - 回路基板および平面表示装置 - Google Patents

回路基板および平面表示装置

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JP2002090708A
JP2002090708A JP2001151065A JP2001151065A JP2002090708A JP 2002090708 A JP2002090708 A JP 2002090708A JP 2001151065 A JP2001151065 A JP 2001151065A JP 2001151065 A JP2001151065 A JP 2001151065A JP 2002090708 A JP2002090708 A JP 2002090708A
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signal
voltage
display device
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Kotaro Ando
浩太郎 安藤
Yoshiaki Aoki
良朗 青木
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】レイアウト上の制約を軽減して電源投入後の信
号配線に不所望な電荷がチャージされることを抑制す
る。 【解決手段】回路基板は走査線が容量負荷として形成さ
れたアレイ基板と、走査線を共通に駆動するために走査
線にそれぞれ接続される第1および第2走査線ドライバ
とを備える。第1および第2走査線ドライバの各々は第
1および第2電源端子YGVDD,YGVSSの電位を
制御信号として選択的に出力するよう第1および第2電
源端子YGVDD,YGVSS間に直列に接続される第
1および第2スイッチ回路S1,S2およびこの制御信
号に対応して走査線の電位を設定する出力バッファを含
み、第1および第2スイッチ回路S1,S2の駆動能力
が互いに非均等に構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の信号配線が
マトリクス状に配置された複数の画素電極に沿って形成
される平面表示装置に関し、特に平面表示装置において
容量負荷となる信号配線を駆動するために信号配線の端
部に接続される出力回路に関する。
【0002】
【従来の技術】近年では、アクティブマトリクス型液晶
表示装置が表示の美しさや、製品の信頼性の高さから、
ノートPCや携帯端末機器のモニタディスプレイとして
広く用いられるようになってきた。この液晶表示装置は
一般に複数の画素電極がマトリクス状に配置されるアレ
イ基板と、対向電極がこれら複数の画素電極に対向して
配置される対向基板と、これらアレイ基板および対向基
板間に保持される液晶層で構成される平面表示装置であ
る。アレイ基板は複数の画素電極に加えて、これら画素
電極の行に沿って配置される複数の走査線、これら画素
電極の列に沿って配置される複数の信号線、およびこれ
ら走査線および信号線の交差位置近傍に配置される複数
のスイッチ素子を備える。各スイッチ素子は対応走査線
を介して駆動されたときに対応信号線の信号電圧を対応
画素電極に印加するように接続される。このスイッチ素
子の利用により、隣接画素間のクロストークを十分低減
して高コントラストの画像を得ることができる。
【0003】スイッチ素子は一般にアモルファスシリコ
ンの半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタで構成され
る。最近では、製造技術の進歩により、アモルファスシ
リコンよりも高いキャリア移動度を持つポリシリコンの
半導体薄膜を低温でガラス基板上に形成できるようにな
った。この薄膜形成技術を利用すれば、画素用スイッチ
素子だけでなく例えば走査線ドライバおよび信号線ドラ
イバをアレイ基板に組み込むことができる。
【0004】ところで、液晶表示装置の画面サイズは現
在さらに大型化する傾向にある。従来のように12イン
チ程度であれば、単一の駆動回路で走査線または信号線
のような信号配線を十分駆動可能である。この駆動能力
が画面サイズの大型化に伴う信号配線の負荷容量の増大
によって不足する場合には、1対のドライバを信号配線
の両端に接続した両側駆動方式を採用する動きが出始め
ている。しかしながら、現在の製造技術でガラス基板上
に特性の良好なポリシリコンを均一に形成することは困
難である。このため、ガラス基板上に配置されたこれら
ドライバの出力特性にばらつきが生じやすかった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の走査線ドライバ
は例えば図5に示すように構成される出力回路を走査線
毎に備える。この出力回路では、NOR回路1が走査信
号SELを出力制御信号SHUTの制御により選択的に
出力する。この走査信号がNOR回路1から出力される
と、レベルシフタLSでレベルシフトされ、さらにイン
バータ2および3を介して1走査線Y1に供給される。
このレベルシフタLSは高レベル電源電位YVDDおよ
び低レベル電源電位YVSS間で変化する入力信号を高
レベル電源電位YGVDDおよび低レベル電源電位YG
VSS間で変化する出力信号となるようにレベルシフト
する。このレベルシフタLSは、出力端に接続される負
荷を2個のNチャネルトランジスタの直列回路および単
一のPチャネルトランジスタの一方を介して駆動する。
ここで、Nチャネルトランジスタの直列回路とPチャネ
ルトランジスタとは互いに同じ駆動能力を持つように構
成されるため、出力端が電源投入直後に高レベル電源電
位YGVDDおよび低レベル電源電位YGVSSのどち
らに設定されるか不定である。一対の走査線ドライバが
上述のような構成で走査線Y1の両端にそれぞれ接続さ
れ、特性のバラツキに起因して電源投入直後にそれぞれ
互いに異なる高レベル電位YGVDDおよび低レベル電
位YGVSSを走査線Y1の両端に設定すると、短絡電
流がこれら走査線ドライバおよび走査線Y1を介して流
れ、電源がシャットダウンされるあるいは破壊する等し
て液晶表示装置の動作に著しい不具合をもたらすことが
ある。
【0006】この問題は例えば図6に示すPチャネルト
ランジスタ3AおよびNチャネルトランジスタ3Bで構
成される保護回路をインバータ3に付加することにより
回避できる。この場合、Pチャネルトランジスタ3Cが
電源端子YGVDDおよび走査線Y1間においてPチャ
ネルトランジスタ3Aと直列に接続され、Nチャネルト
ランジスタ3Dが走査線Y1および電源端子YGVSS
間においてPチャネルトランジスタ3Aと直列に接続さ
れる。走査信号SELはNOR回路1を介さずにレベル
シフタLSに供給され、レベルシフタLSの出力信号は
Pチャネルトランジスタ3CおよびNチャネルトランジ
スタ3Dのゲート電極にそれぞれ供給される。出力制御
信号SHUTは直接Nチャネルトランジスタ3Bのゲー
ト電極に供給されると共に、インバータINVを介して
Pチャネルトランジスタ3Aのゲート電極に供給され
る。このような構成では、保護回路のトランジスタ3A
および3Bが出力制御信号SHUTの制御により電源投
入からしばらくオフ状態に維持され、短絡電流が流れな
いよう走査線Y1を電気的なフローティング状態にす
る。しかし、保護回路のトランジスタ3Aおよび3Bは
走査線ドライバ中で最も大きな回路素子である最終イン
バータ3のトランジスタ3Cおよび3Dと同等の大きさ
であることが必要である。このため、液晶表示装置の表
示領域を取囲む額縁の幅を増大させずにレイアウトする
ことが難しい。
【0007】本発明の目的は、上述した従来の問題点に
鑑み、レイアウト上の制約を軽減して電源投入後の信号
配線に不所望な電荷がチャージされることを抑制できる
回路基板および平面表示装置提供することにある。ま
た、電源投入直後に信号配線に流れる短絡電流を防止で
きる回路基板および平面表示装置を提供することにあ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、絶縁基
板上に形成された信号配線と、前記信号配線の端部に配
置され外部電圧とタイミング信号とに基づいて前記信号
配線に第1電圧および第2電圧の一方を出力する出力回
路とを備え、前記出力回路は前記外部電圧入力時に前記
第1電圧を出力するよう駆動能力が非均等な複数の回路
素子から構成されることを特徴とする回路基板が提供さ
れる。
【0009】さらに本発明によれば、第1および第2の
基板と、これら基板間に配置される光船長層を備えた表
示装置であって、前記第1の基板は第1信号配線と、前
記第1信号線と略直交して配置される第2信号配線と、
前記第1信号配線と前記第2信号配線との交点付近に配
置される画素トランジスタと、前記画素トランジスタと
電気的に接続される画素電極と、少なくとも前記第1お
よび第2信号配線の一方の信号配線の端部に配置され、
外部電圧とタイミング信号とに基づいて前記信号配線に
第1電圧および第2電圧の一方を出力する出力回路を含
む駆動回路とを備え、前記出力回路は前記外部電圧入力
時に前記第1電圧を出力するよう駆動能力が非均等な複
数の回路素子から構成されることを特徴とする平面表示
装置が提供される。
【0010】さらに本発明によれば、絶縁基板上に形成
された信号配線と、前記信号配線の端部に配置され外部
電圧とタイミング信号とに基づいて前記信号配線に第1
電圧および第2電圧の一方を出力する出力回路とを備
え、前記出力回路は前記外部電圧入力時に前記第1電圧
を出力するよう抵抗値の異なる複数の回路素子から構成
されることを特徴とする回路基板が提供される。
【0011】さらに本発明によれば、絶縁基板上に形成
された信号配線と、前記信号配線の端部に配置され外部
電圧とタイミング信号とに基づいて前記信号配線に出力
出力する電圧を設定する出力回路とを備え、前記出力回
路は駆動能力が非均等な複数の回路素子から構成され、
各回路素子の出力を前記信号配線に出力することを特徴
とする回路基板が提供される。
【0012】これら回路基板および平面表示装置では、
複数の回路素子の駆動能力が互いに非均等に構成され
る。この構成では、出力回路の前段の特性がばらついた
場合でも、信号配線へ所望電圧の出力が可能となる。ま
た、信号配線の両側に出力回路を設置する場合には、短
絡電流による誤動作や歩留りの低下を防止できる高い信
頼性が得られる。さらに、大きな回路素子を必要とせず
に構成できるため、レイアウト上の制約を軽減できる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
液晶表示装置を、図面を参照して説明する。図1はこの
液晶表示装置の構成を概略的に示す。液晶表示装置は複
数の画素電極ELが例えば対角15インチの表示領域に
マトリクス状に配置される絶縁性アレイ基板10と、対
向電極がこれら複数の画素電極ELに対向して配置され
る絶縁性対向基板20と、これらアレイ基板10および
対向基板20間に挟持される液晶層30を備える平面表
示装置である。液晶層30はアレイ基板10および対向
基板20の間隙をシール材で囲んだセルに液晶組成物を
注入し封止することにより得られ、各画素電極ELと対
向電極間の電位差に応じて透過光を変調する光変調層を
構成する。
【0014】アレイ基板10は複数の画素電極ELに加
えて、これら画素電極ELの行に沿って配置される複数
の走査線Y、これら画素電極ELの列に沿って配置され
る複数の信号線X、これら走査線Yおよび信号線Xの交
差位置近傍に配置される複数の画素用スイッチ素子S
W、および各々複数の走査線Yを駆動する第1および第
2走査線ドライバ40、複数の信号線Xを駆動する信号
線ドライバ50を備える。各スイッチ素子SWは対応走
査線Yを介して駆動されたときに対応信号線Xの電位を
対応画素電極ELに印加するように接続される。第1お
よび第2走査線ドライバ40並びに信号線ドライバ50
はアレイ基板10の端部に隣接して複数の画素電極EL
の外側領域に配置される。第1および第2走査線ドライ
バ40並びに信号線ドライバ50はスイッチ素子SWと
同様にポリシリコンの半導体薄膜を用い基板上に一体的
に構成される。
【0015】図2は各走査線ドライバ40の構成を示
す。この走査線ドライバ40はシフトレジスタSR、m
個のレベルシフタLS、m個の2入力NOR回路41、
m個のインバータ42、およびm個のインバータ43を
備える。このシフトレジスタSRはカスケード接続され
たm個のフリップフロップFF1〜FFmにより構成さ
れ、垂直走査開始パルスSTVをクロック信号に同期し
て順次シフトする。これらフリップフロップFF1〜F
Fmはそれぞれ垂直走査開始パルスSTVをラッチした
時に出力端から走査信号SELを発生する。各走査信号
SELはレベルシフタLS、NOR回路41、インバー
タ42、インバータ43を介して対応走査線Yに供給さ
れる。レベルシフタLSは図5に示すような従来と同様
の構造を有し、高レベル電源電位YVDDおよび低レベ
ル電源電位YVSS間で変化する走査信号SELを高レ
ベル電源電位YGVDDおよび低レベル電源電位YGV
SS間で変化する走査信号となるようにレベルシフトす
る。NOR回路41はレベルシフタLSから供給される
走査信号SELを出力制御信号SHUTに基づいて選択
的に出力する。この出力制御信号SHUTは垂直走査開
始信号STVの入力前に走査線ドライバ40の回路素子
をリセットするために用いられる信号である。
【0016】図3はNOR回路41の構成を示す。この
NOR回路41は高レベル電源端子YGVDDおよび出
力端OUT間において互いに直列に接続されるPチャネ
ルトランジスタ41Aおよび41Bで構成されるスイッ
チ回路S1と、出力端OUTおよび低レベル電源端子Y
GVSS間において互いに並列に接続されるNチャネル
トランジスタ41Cおよび41Dで構成されるスイッチ
回路S2を有する。Pチャネルトランジスタ41Aおよ
びNチャネルトランジスタ41Cのゲート電極は走査信
号SELを受取る入力端IN1に接続され、Pチャネル
トランジスタ41BおよびNチャネルトランジスタ41
Dのゲート電極は出力制御信号SHUTを受取る入力端
IN2に接続される。これらトランジスタ41A〜41
Dの各々は図4に示すように2本のゲート電極Gがポリ
シリコン半導体薄膜PSに直交するように金属層EGか
ら延出しこの半導体薄膜PSにゲート絶縁膜を介して重
なるデュアルゲート構造を持つ。各ゲート電極Gのゲー
ト幅Wは例えば9μmに設定され、ゲート長Lは例えば
6μmに設定される。トランジスタ41A〜41Dが上
述のように接続された場合、Nチャネルトランジスタ4
1Cおよび41DのW/L比はPチャネルトランジスタ
41Aおよび41BのW/L比の4倍となる。いいかえ
ると、2つのトランジスタを直列に接続したスイッチ回
路S1と2つのトランジスタを並列に接続したスイッチ
回路S2において、各スイッチ回路S1,S2を構成す
る個々のトランジスタのW/L比が同一の場合には、ス
イッチ回路S1のオン抵抗はスイッチ回路S2のオン抵
抗の4倍となる。
【0017】すなわち、スイッチ回路S1の駆動能力が
スイッチ回路S2の駆動能力の1/4倍となるため、入
力端IN1およびIN2の電位が不安定な電源投入直後
においてNOR回路41の出力端が低レベル電源電位Y
GVSSになり易くなっている。NOR回路41および
走査線Y間には、出力バッファとなるインバータ42お
よび43しか介在しないため、走査線Yの両端電位は電
源投入直後において第1および第2走査線ドライバ40
によって共通に低レベル電位YGVSSに設定され、短
絡電流が流れることなく安定に立ち上がることになる。
【0018】この液晶表示装置では、第1および第2走
査線ドライバ40が信号配線の両端にそれぞれ接続され
る両側駆動方式であり、スイッチ回路S1およびS2の
駆動能力が互いに非均等に構成される。この構成では、
第1および第2走査線ドライバ40の特性がばらついた
場合でも、信号配線となる走査線Yの両端が電源投入直
後に異なる電位に設定されないため、短絡電流がこれら
第1および第2走査線ドライバ40並びに走査線Yを介
して流れない。従って、このような短絡電流による誤動
作や歩留りの低下を防止できる高い信頼性が得られる。
さらに、スイッチ回路S1およびS2はインバータ42
および43で構成される出力バッファの前段に配置され
るため、大きな回路素子を必要とせずに構成することが
できる。このため、レイアウト上の制約を軽減できる。
【0019】図5に示す従来例では、レベルシフタLS
が2入力NOR回路1の後段に接続される。このレベル
シフタLSは本実施形態の2入力NOR回路41とは異
なり、出力電位が電源投入直後において高レベル電源電
位YGVDDおよび低レベル電源電位YGVSSの特定
の一方に設定され易い構造になっていない。このため、
電源投入直後に走査線の両端電位が特性のばらついた一
対の走査線ドライバによって互いに異なる電位に設定さ
れて短絡電流が流れる可能性がある。また、2入力NO
R回路41の各トランジスタ41A〜41Dは先に図3
に示す従来例の最終インバータ3に設けられる保護回路
の3Aおよび3Bと比較しておよそ1/10程度の大き
さであり、容易に回路レイアウトをすることができ、表
示領域の外側となる額縁の幅を増大する必要がない。走
査線ドライバ40の出力バッファは液晶表示装置がより
高精細になるほど、またより大型化するほど大きくする
必要がある。このため、図3に示す保護回路のトランジ
スタ3Aおよび3Bもこれに伴って大きくなってしま
う。本実施形態の液晶表示装置では、このような場合に
NOR回路41のトランジスタ41A〜41Dを大きく
する必要がない。
【0020】尚、本実施形態では、Nチャネルトランジ
スタ41Cおよび41DのW/L比はPチャネルトラン
ジスタ41Aおよび41BのW/L比の4倍に設定され
たが、液晶表示装置をより安定に立ち上げるためにこの
4倍よりもさらに大きい値にしてもよい。
【0021】本実施形態ではスイッチ回路S1、S2を構成
する各トランジスタのW/L比が同一の場合について説明
したが、各スイッチ回路S1,S2の駆動能力が非均等とな
る範囲で適宜設定することができる。また、スイッチ回
路S1とスイッチ回路S2のオン抵抗の比率も適宜設定する
ことができ、ポリシリコン半導体薄膜によるトランジス
タ特性のバラツキ(約30%)を考慮し、スイッチ回路
S1のオン抵抗がスイッチ回路S2のオン抵抗に対して3
倍以上とすることが望ましく、また、隣接する走査線間
での走査信号の出力タイミングを考慮してスイッチ回路
S1のオン抵抗がスイッチ回路S2のオン抵抗に対して1
0倍以下に設定することが望ましい。
【0022】また、本実施形態では、第1および第2走
査線ドライバ40が信号配線の両端にそれぞれ接続され
る両側駆動方式について説明したが、本発明は第1およ
び第2信号線ドライバが信号線Xの両端に接続される両
側駆動方式にも適用できる。
【0023】また、本実施形態では、信号配線の両側か
ら信号を入力する場合について説明したが、信号配線の
端部の一方から信号を入力する場合にも本発明を適用す
ることができる。このような構造とすることで、レイア
ウト上の制約を軽減して、信号配線に不所望な電位が設
定されることを防止することができる。
【0024】また、本実施形態では液晶表示装置を用い
て説明したが、対向する電極間に光変調層として光発光
層を備えた自己発光型表示装置等の表示装置全般に本発
明を適用することができ、例えば、有機エレクトロルミ
ネセンス表示装置に適用することができる。
【0025】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、レイアウ
ト上の制約を軽減して電源投入直後の信号配線に不所望
な電荷がチャージされることを抑制することができ、ま
た、信号配線の両側から同時に電圧を出力する場合に電
源投入後に信号線に流れる短絡電流を防止できる回路基
板および平面表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の構成
を概略的に示す平面図である。
【図2】図1に示す各走査線ドライバの構成を示す回路
図である。
【図3】図2に示すNOR回路の構成を示す回路図であ
る。
【図4】図3に示すトランジスタのデュアルゲート構造
を示す平面図である。
【図5】従来の走査線ドライバの出力回路の構成を概略
的に示す回路図である。
【図6】図5に示す最終インバータに付加された保護回
路を示す回路図である。
【符号の説明】
10…アレイ基板 20…対向基板 30…液晶層 40…走査線ドライバ 41…2入力NOR回路 42,43…インバータ EL…画素電極 SW…画素用スイッチ素子 X…信号線 SR…シフトレジスタ LS…レベルシフタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 611 G09G 3/20 611H 5G435 622 622G 680 680G 3/36 3/36 Fターム(参考) 2H092 GA59 JA24 NA05 NA24 NA30 2H093 NC09 NC22 NC34 ND04 ND42 ND43 5C006 AF67 BB16 BC03 BC06 BC20 BF34 FA20 FA36 5C080 AA10 BB10 DD09 JJ02 JJ03 JJ06 5C094 AA21 AA53 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 5G435 AA16 AA18 BB12 CC09 EE40 KK05 KK09

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁基板上に形成された信号配線と、前
    記信号配線の端部に配置され外部電圧とタイミング信号
    とに基づいて前記信号配線に第1電圧および第2電圧の
    一方を出力する出力回路とを備え、前記出力回路は前記
    外部電圧入力時に前記第1電圧を出力するよう駆動能力
    が非均等な複数の回路素子から構成されることを特徴と
    する回路基板。
  2. 【請求項2】 前記出力回路は前記信号配線の両端部に
    配置されることを特徴とする請求項1に記載の回路基
    板。
  3. 【請求項3】 前記出力回路は2電源端子間に直列に接
    続される第1回路素子および第2回路素子を備えること
    を特徴とする請求項1に記載の回路基板。
  4. 【請求項4】 前記出力回路の前記第1回路素子は直列
    に接続された複数のトランジスタで構成され、前記第2
    回路素子は並列に接続された複数のトランジスタで構成
    されることを特徴とする請求項3に記載の回路基板。
  5. 【請求項5】 前記複数のトランジスタは駆動能力が互
    いに等しいことを特徴とする請求項4に記載の回路基
    板。
  6. 【請求項6】 前記出力回路の前記第1回路素子を構成
    するトランジスタと前記第2回路素子を構成するトラン
    ジスタとは、導電型が異なることを特徴とする請求項4
    に記載の回路基板。
  7. 【請求項7】 前記トランジスタの半導体膜は、ポリシ
    リコン半導体薄膜であって、前記トランジスタは前記絶
    縁基板と一体的に形成されることを特徴とする請求項4
    に記載の回路基板。
  8. 【請求項8】 前記出力回路の前記第1回路素子のオン
    抵抗は、前記第2回路素子のオン抵抗の3〜10倍とな
    るよう設定されることを特徴とする請求項4に記載の回
    路基板。
  9. 【請求項9】 第1および第2の基板と、これら基板間
    に配置される光変調層を備えた表示装置であって、前記
    第1の基板は第1信号配線と、前記第1信号線と略直交
    して配置される第2信号配線と、前記第1信号配線と前
    記第2信号配線との交点付近に配置される画素トランジ
    スタと、前記画素トランジスタと電気的に接続される画
    素電極と、少なくとも前記第1および第2信号配線の一
    方の信号配線の端部に配置され、外部電圧とタイミング
    信号とに基づいて前記信号配線に第1電圧および第2電
    圧の一方を出力する出力回路を含む駆動回路とを備え、
    前記出力回路は前記外部電圧入力時に前記第1電圧を出
    力するよう駆動能力が非均等な複数の回路素子から構成
    されることを特徴とする平面表示装置。
  10. 【請求項10】 前記出力回路は前記第1および第2信
    号配線の少なくとも一方の前記信号配線の両側端部に配
    置されることを特徴とする請求項9に記載の平面表示装
    置。
  11. 【請求項11】 前記駆動回路は、前記第1および第2
    信号配線の少なくとも一方の前記信号配線の両側に設け
    られ、基板と一体的に形成されたことを特徴とする請求
    項10に記載の平面表示装置。
  12. 【請求項12】 前記出力回路は2電源端子間に直列に
    接続される第1回路素子および第2回路素子を備えるこ
    とを特徴とする請求項9に記載の平面表示装置。
  13. 【請求項13】 前記出力回路の前記第1回路素子は直
    列に接続された複数のトランジスタで構成され、前記第
    2回路素子は並列に接続された複数のトランジスタで構
    成されることを特徴とする請求項12に記載の平面表示
    装置。
  14. 【請求項14】 前記複数のトランジスタは駆動能力が
    互いに等しいことを特徴とする請求項13に記載の平面
    表示装置。
  15. 【請求項15】 前記出力回路の前記第1回路素子を構
    成するトランジスタと前記第2回路素子を構成するトラ
    ンジスタとは、導電型が異なることを特徴とする請求項
    14に記載の平面表示装置。
  16. 【請求項16】 絶縁基板上に形成された信号配線と、
    前記信号配線の端部に配置され外部電圧とタイミング信
    号とに基づいて前記信号配線に第1電圧および第2電圧
    の一方を出力する出力回路とを備え、前記出力回路は前
    記外部電圧入力時に前記第1電圧を出力するよう抵抗値
    の異なる複数の回路素子から構成されることを特徴とす
    る回路基板。
  17. 【請求項17】 前記出力回路は前記信号配線の両端部
    に配置されることを特徴とする請求項16に記載の回路
    基板。
  18. 【請求項18】 絶縁基板上に形成された信号配線と、
    前記信号配線の端部に配置され外部電圧とタイミング信
    号とに基づいて前記信号配線に出力出力する電圧を設定
    する出力回路とを備え、前記出力回路は駆動能力が非均
    等な複数の回路素子から構成され、各回路素子の出力を
    前記信号配線に出力することを特徴とする回路基板。
  19. 【請求項19】 前記出力回路は前記信号配線の両端部
    に配置されることを特徴とする請求項18に記載の回路
    基板。
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