JP2002084142A - High-frequency power amplifier - Google Patents
High-frequency power amplifierInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等に用い
られる高周波電力増幅器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency power amplifier used for a portable telephone or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＧａＡｓ電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）やヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）等
の化合物デバイスによるパワーモジュールやパワーモノ
リシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）といった高周
波電力増幅器は、低消費電力、低歪みといった点でシリ
コンによるものに比較して優位であり、携帯電話等の小
型移動体無線機器に使用されている。2. Description of the Related Art GaAs field effect transistors (FE)
T) and high-frequency power amplifiers such as power monolithic microwave integrated circuits (MMICs) using compound devices such as heterojunction bipolar transistors (HBTs) are superior to silicon-based devices in terms of low power consumption and low distortion. And are used in small mobile radio equipment such as mobile phones.
【０００３】このような高周波電力増幅器で高い性能を
得るには、高周波電力増幅素子の動作点を適切に設定す
るためのバイアス電圧を与える必要がある。従来は、こ
のバイアス電圧発生には、バイアス電流がほとんど流れ
ないＧａＡｓＦＥＴでは単純な分圧抵抗で、数ｍＡから
数１０ｍＡのベース電流が流れるＨＢＴでは、電力増幅
用ＨＢＴと同一チップ上に形成したＨＢＴによるバイア
ス回路が用いられていた。To obtain high performance with such a high-frequency power amplifier, it is necessary to apply a bias voltage for appropriately setting the operating point of the high-frequency power amplifier. Conventionally, a bias voltage is generated by a simple voltage-dividing resistor in a GaAs FET in which a bias current hardly flows. In an HBT in which a base current of several mA to several tens mA flows, an HBT formed on the same chip as an HBT for power amplification is used. Has been used.
【０００４】しかしながら、最近の携帯電話用の高周波
電力増幅器には、通話時間をさらに延ばすためや、基地
局との距離変化に対応するためのパワーコントロール等
が必須となっており、上記のバイアス回路にも外部端子
からの電圧によるバイアス電圧制御やスリープモード等
の機能が必要とされている。However, recent high-frequency power amplifiers for mobile phones require power control and the like to further extend the talk time and to cope with a change in distance from the base station. In addition, functions such as a bias voltage control by a voltage from an external terminal and a sleep mode are required.
【０００５】ところが、従来のように単純な分圧抵抗や
オンチップのバイアス回路ではこのような制御機能を持
たせることは極めて困難であり、バイアス回路を電力増
幅素子とは別チップ上にシリコンバイポーラやＣＭＯＳ
デバイスにより構成した方が得策である。However, it is extremely difficult to provide such a control function with a simple voltage dividing resistor or an on-chip bias circuit as in the prior art. And CMOS
It is better to configure with devices.
【０００６】図４は、そのような２チップで構成された
従来の高周波電力増幅器の一例として、２段アンプ構成
のハイブリッドモジュールの構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a two-stage amplifier hybrid module as an example of such a conventional high-frequency power amplifier composed of two chips.
【０００７】図４において、セラミック等の基板１０１
上に、高周波電力増幅素子としてＨＢＴ１０２が形成さ
れた第１の半導体チップ１０３と、ＨＢＴ１０２の動作
点を設定するためのバイアス回路１０４が形成された第
２の半導体チップ１０５とがマウントされている。In FIG. 4, a substrate 101 made of ceramic or the like is used.
A first semiconductor chip 103 on which an HBT 102 is formed as a high-frequency power amplifying element and a second semiconductor chip 105 on which a bias circuit 104 for setting an operating point of the HBT 102 are mounted thereon.
【０００８】第２の半導体チップ１０５上には、アンプ
の段数に対応した２系統のバイアス回路１０４が形成さ
れている。バイアス回路１０４としては、基準電圧発生
回路１０６、差動増幅器１０７、および分圧抵抗１０８
から構成された直列形安定化電源回路が用いられてい
る。バイアス回路１０４において、基準電圧発生回路１
０６から出力され差動増幅器１０７の正転入力端子に供
給される基準電圧と、バイアス回路１０４から出力され
分圧抵抗１０８により分圧されて差動増幅器１０７の反
転入力端子に供給される電圧とが一致するように、差動
増幅器１０７の出力電圧が制御される。On the second semiconductor chip 105, two systems of bias circuits 104 corresponding to the number of amplifier stages are formed. As the bias circuit 104, a reference voltage generating circuit 106, a differential amplifier 107, and a voltage dividing resistor 108
Is used. In the bias circuit 104, the reference voltage generation circuit 1
The reference voltage output from the input circuit 06 and supplied to the non-inverting input terminal of the differential amplifier 107 and the voltage output from the bias circuit 104 and divided by the voltage dividing resistor 108 and supplied to the inverting input terminal of the differential amplifier 107. Are controlled so that the output voltages of the differential amplifier 107 are equal to each other.
【０００９】また、基板１０１上に形成された金属膜パ
ターンとその上にマウントされたチップ部品で構成され
た入力マッチング回路１０９、段間マッチング回路１１
０、および出力マッチング回路１１１が設けられ、それ
らはＨＢＴ１０２とボンディングワイヤ等により接続さ
れている。また、ＨＢＴ１０２には、電源端子１１２か
ら段間マッチング回路１１０および出力マッチング回路
１１１を介して、直流電流が供給される。An input matching circuit 109 and an inter-stage matching circuit 11 each composed of a metal film pattern formed on a substrate 101 and chip components mounted thereon.
0, and an output matching circuit 111 are provided, which are connected to the HBT 102 by a bonding wire or the like. Further, a DC current is supplied to the HBT 102 from the power supply terminal 112 via the interstage matching circuit 110 and the output matching circuit 111.
【００１０】このような構成により、高周波入力端子１
１３に印加された高周波電力が増幅され、高周波出力端
子１１４から、そこに接続されているアンテナ等に出力
される。With such a configuration, the high-frequency input terminal 1
The high-frequency power applied to 13 is amplified and output from high-frequency output terminal 114 to an antenna or the like connected thereto.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】一般に、ＨＢＴは動作
時の発熱による温度上昇により、最適動作のためのベー
スバイアス電圧が変化する。しかし、従来の構成のよう
にバイアス回路全体が別チップ上に構成されていれば、
高周波電力増幅素子の発熱による影響は軽微であり、バ
イアス回路の出力電圧はほぼ一定に保たれる。このた
め、例えば高周波電力増幅回路の入力電力を変化させて
パワーコントロールを行うような場合、発熱量が変化
し、高周波電力増幅素子の、例えば最大効率が得られる
ような最適バイアス電圧が変化しても、実際に供給され
るバイアス電圧は一定であるので、良好な特性を得るこ
とができない。In general, the base bias voltage for optimal operation of an HBT changes due to a rise in temperature due to heat generated during operation. However, if the entire bias circuit is configured on another chip as in the conventional configuration,
The influence of the heat generated by the high-frequency power amplifier is small, and the output voltage of the bias circuit is kept almost constant. Therefore, for example, when power control is performed by changing the input power of the high-frequency power amplifier circuit, the amount of heat generated changes, and the optimal bias voltage of the high-frequency power amplifier element, for example, such that the maximum efficiency is obtained changes. However, since the actually supplied bias voltage is constant, good characteristics cannot be obtained.
【００１２】さらには、上記従来例のようにＨＢＴ等の
バイポーラデバイスの場合、自己発熱による温度上昇に
よりコレクタ電流が増大し、これがさらに温度上昇につ
ながるという、いわゆる熱暴走さえ引き起こす場合があ
り、これは高周波電力増幅器としては致命的な欠陥とな
る。Further, in the case of a bipolar device such as an HBT as in the above-described conventional example, the collector current increases due to a temperature rise due to self-heating, which may further increase the temperature, which may cause a so-called thermal runaway. Is a fatal defect as a high-frequency power amplifier.
【００１３】本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされ
たものであり、その目的は、高周波電力増幅素子の発熱
による特性劣化および熱暴走を防止し、より高性能な高
周波電力増幅器を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and has as its object to provide a high-performance high-frequency power amplifier which prevents deterioration of characteristics and thermal runaway due to heat generation of a high-frequency power amplifier. It is in.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係る高周波電力増幅器は、少なくとも２つ
の半導体チップにより構成された高周波電力増幅器であ
って、一つの半導体チップ上に形成され、入力された高
周波電力を増幅する高周波電力増幅素子と、この高周波
電力増幅素子の動作点を設定するために、少なくとも一
部が高周波電力増幅素子と同一の半導体チップ上に形成
され、高周波電力増幅素子と同一の温度特性を持つ基準
電圧発生部を有するバイアス回路とを備えたことを特徴
とする。In order to achieve the above object, a high frequency power amplifier according to the present invention is a high frequency power amplifier comprising at least two semiconductor chips, and is formed on one semiconductor chip. A high-frequency power amplifying element for amplifying an input high-frequency power, and at least a part formed on the same semiconductor chip as the high-frequency power amplifying element for setting an operating point of the high-frequency power amplifying element; A bias circuit having a reference voltage generator having the same temperature characteristics as the element.
【００１５】この高周波電力増幅器において、高周波電
力増幅素子はバイポーラトランジスタであり、基準電圧
発生部は、前記高周波電力増幅素子と同一の半導体チッ
プ上に形成され、前記高周波電力増幅素子と同一の構成
を有してダイオード接続されたバイポーラトランジスタ
と、高周波電力増幅素子とは異なる半導体チップ上に形
成され、ダイオード接続されたバイポーラトランジスタ
に電流を供給する電流源とからなることが好ましい。こ
の場合、電流源は、外部から印加される電圧により電流
値が制御される電圧制御型電流源であることが好まし
い。In this high-frequency power amplifier, the high-frequency power amplifier is a bipolar transistor, and the reference voltage generator is formed on the same semiconductor chip as the high-frequency power amplifier, and has the same configuration as the high-frequency power amplifier. It is preferable to include a bipolar transistor that has a diode connection and a current source that is formed on a semiconductor chip different from the high-frequency power amplifier and supplies current to the diode-connected bipolar transistor. In this case, the current source is preferably a voltage-controlled current source whose current value is controlled by a voltage applied from the outside.
【００１６】上記の構成によれば、高周波電力増幅素子
の発熱による特性劣化および熱暴走を防止し、より高性
能な高周波電力増幅器を実現することができる。また、
高周波電力増幅素子へのバイアス電圧を外部から高精度
に制御することで、パワーコントロールに応じた最適な
バイアス電圧に設定することができる。According to the above configuration, it is possible to prevent the characteristic deterioration and the thermal runaway due to the heat generation of the high frequency power amplifier, and to realize a higher performance high frequency power amplifier. Also,
By controlling the bias voltage to the high-frequency power amplifying element from the outside with high precision, it is possible to set an optimum bias voltage according to the power control.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１８】（第１実施形態）図１は、本発明の第１実
施形態による高周波電力増幅器の構成図である。(First Embodiment) FIG. 1 is a configuration diagram of a high-frequency power amplifier according to a first embodiment of the present invention.
【００１９】図１において、セラミック等の基板１上
に、高周波電力増幅素子としてのＨＢＴ２、およびＨＢ
Ｔ２の動作点を設定するバイアス回路４の一部分を構成
する基準電圧発生回路５が形成された第１の半導体チッ
プ３と、バイアス回路４の他の部分を構成する差動増幅
器６および分圧抵抗８が形成された第２の半導体チップ
７とがマウントされている。Referring to FIG. 1, an HBT 2 and an HB 2
A first semiconductor chip 3 on which a reference voltage generating circuit 5 forming a part of a bias circuit 4 for setting an operating point of T2 is formed, a differential amplifier 6 and a voltage dividing resistor forming another part of the bias circuit 4 The second semiconductor chip 7 formed with 8 is mounted.
【００２０】バイアス回路４において、第１の半導体チ
ップ３上に形成された基準電圧発生回路５から出力さ
れ、第２の半導体チップ７上に形成された差動増幅器６
の正転入力端子に供給される基準電圧と、差動増幅器６
から出力され分圧抵抗１０８により分圧されて差動増幅
器６の反転入力端子に供給される電圧とが一致するよう
に、差動増幅器６の出力電圧が制御される。In a bias circuit 4, a differential amplifier 6 output from a reference voltage generating circuit 5 formed on a first semiconductor chip 3 and formed on a second semiconductor chip 7
Reference voltage supplied to the non-inverting input terminal of the
The output voltage of the differential amplifier 6 is controlled so that the voltage output from the differential amplifier 6 is divided by the voltage dividing resistor 108 and supplied to the inverting input terminal of the differential amplifier 6.
【００２１】また、基板１上に形成された金属膜パター
ンとその上にマウントされたチップ部品で構成された、
入力マッチング回路９、段間マッチング回路１０、およ
び出力マッチング回路１１が設けられ、それらはＨＢＴ
２とボンディングワイヤ等により接続されている。ま
た、ＨＢＴ２には、電源端子１２から段間マッチング回
路１０および出力マッチング回路１１を介して、直流電
流が供給される。この構成により、高周波入力端子１３
に入力された高周波信号が増幅され、高周波出力端子１
４から、それに接続されたアンテナ等に出力される。Further, it is composed of a metal film pattern formed on the substrate 1 and a chip component mounted thereon.
An input matching circuit 9, an interstage matching circuit 10, and an output matching circuit 11 are provided.
2 and a bonding wire. Further, a DC current is supplied to the HBT 2 from the power supply terminal 12 via the interstage matching circuit 10 and the output matching circuit 11. With this configuration, the high frequency input terminal 13
The high-frequency signal input to the amplifier is amplified and the high-frequency output terminal 1
4 to an antenna or the like connected thereto.
【００２２】次に、本実施形態による高周波電力増幅器
の動作について説明する。Next, the operation of the high-frequency power amplifier according to the present embodiment will be described.
【００２３】ＨＢＴ２の発熱による第１の半導体チップ
３の温度上昇により、第１の半導体チップ３上に形成さ
れている基準電圧発生回路５の温度も上昇する。この基
準電圧発生回路５の温度特性を、ＨＢＴ２の最適バイア
ス電圧と同じ温度特性を持つように構成することによっ
て、温度上昇による高周波電力増幅器の特性劣化を避け
ることができる。As the temperature of the first semiconductor chip 3 rises due to the heat generated by the HBT 2, the temperature of the reference voltage generating circuit 5 formed on the first semiconductor chip 3 also rises. By configuring the temperature characteristics of the reference voltage generation circuit 5 to have the same temperature characteristics as the optimum bias voltage of the HBT 2, it is possible to avoid deterioration of the characteristics of the high-frequency power amplifier due to temperature rise.
【００２４】（第２実施形態）図２は、本発明の第２実
施形態による高周波電力増幅器の構成図である。なお、
第１実施形態と同一の構成要素については同一の符号を
付して説明を省略する。(Second Embodiment) FIG. 2 is a configuration diagram of a high-frequency power amplifier according to a second embodiment of the present invention. In addition,
The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
【００２５】図２において、第１の半導体チップ３上に
は、高周波電力増幅素子としてＨＢＴ２、およびバイア
ス回路４の一部分を構成するダイオード接続されたＨＢ
Ｔ１５が形成されている。第２の半導体チップ７上に
は、バイアス回路４の他の部分を構成し、電圧バッファ
として機能する差動増幅器６とＨＢＴ１５のコレクタ・
ベース共通接続部に電流を供給する電流源１６とが形成
されている。In FIG. 2, an HBT 2 as a high-frequency power amplifier and a diode-connected HB constituting a part of a bias circuit 4 are provided on a first semiconductor chip 3.
T15 is formed. On the second semiconductor chip 7, another part of the bias circuit 4 is formed, and the differential amplifier 6 functioning as a voltage buffer and the collector of the HBT 15 are used.
A current source 16 for supplying a current to the common base connection portion is formed.
【００２６】この構成により、ダイオード接続されたＨ
ＢＴ１５のベース・エミッタ間電圧が、基準電圧として
差動増幅器６の正転入力端子に供給される。差動増幅器
６の出力端子はそれ自身の反転入力端子とＨＢＴ２のベ
ースに接続されており、これにより、ＨＢＴ２のベース
には、ＨＢＴ１５のベース・エミッタ間電圧が供給され
る。With this configuration, the diode-connected H
The base-emitter voltage of the BT 15 is supplied to the non-inverting input terminal of the differential amplifier 6 as a reference voltage. The output terminal of the differential amplifier 6 is connected to its own inverting input terminal and the base of the HBT 2, whereby a base-emitter voltage of the HBT 15 is supplied to the base of the HBT 2.
【００２７】次に、本実施形態による高周波電力増幅器
の動作について説明する。Next, the operation of the high-frequency power amplifier according to the present embodiment will be described.
【００２８】第１の半導体チップ上に共に形成されたＨ
ＢＴ２とＨＢＴ１５は同じ温度特性を持ち、ＨＢＴ２の
ベースに供給される電圧、すなわちＨＢＴ１５のベース
・エミッタ間電圧の温度特性は１℃の温度上昇に対して
数ｍＶで負の値となる。従って、ＨＢＴ２のベース電圧
は温度上昇とともに低下する。このベース電圧の低下に
よって、温度上昇によるコレクタ電流の増大が相殺さ
れ、ＨＢＴ２のコレクタ電流は常に一定に保たれる。こ
れにより、高周波電力増幅器の温度特性が改善され熱暴
走が防止される。H formed together on the first semiconductor chip
The BT2 and the HBT 15 have the same temperature characteristic, and the temperature characteristic of the voltage supplied to the base of the HBT 2, that is, the temperature characteristic of the base-emitter voltage of the HBT 15 becomes a negative value at several mV with respect to a temperature rise of 1 ° C. Therefore, the base voltage of the HBT 2 decreases as the temperature rises. The decrease in the base voltage cancels the increase in the collector current due to the temperature rise, and the collector current of the HBT 2 is always kept constant. As a result, the temperature characteristics of the high-frequency power amplifier are improved, and thermal runaway is prevented.
【００２９】（第３実施形態）図３は、本発明の第３実
施形態による高周波電力増幅器の構成図である。本実施
形態は、第２実施形態における電流源１６を電圧制御型
電流源１７とし、制御端子１８に印加された外部電圧に
より制御できるようにしている。(Third Embodiment) FIG. 3 is a configuration diagram of a high frequency power amplifier according to a third embodiment of the present invention. In the present embodiment, the current source 16 in the second embodiment is a voltage-controlled current source 17, and can be controlled by an external voltage applied to a control terminal 18.
【００３０】本実施形態の構成によれば、第２実施形態
と同様に、温度特性が改善され熱暴走が防止されるとと
もに、ダイオード接続されたＨＢＴ１５の立ち上がり付
近の極めて狭い範囲のベース・エミッタ間電圧を電圧制
御型電流源１７により高精度に可変することができるの
で、制御端子１８に印加した外部電圧により、ＨＢＴ２
のベースバイアス電圧を高精度に制御することができ
る。According to the configuration of the present embodiment, as in the second embodiment, the temperature characteristics are improved, thermal runaway is prevented, and a very narrow range between the base and the emitter near the rising of the diode-connected HBT 15 is achieved. Since the voltage can be varied with high accuracy by the voltage control type current source 17, the HBT 2 is controlled by the external voltage applied to the control terminal 18.
Can be controlled with high precision.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高周波電力増幅素子の発熱による特性劣化および熱暴走
を防止し、より高性能な高周波電力増幅器を実現するこ
とができるという格別の効果を奏する。As described above, according to the present invention,
It is possible to prevent characteristic deterioration and thermal runaway due to heat generation of the high-frequency power amplifying element, and to achieve a particularly high-performance high-frequency power amplifier.
【図１】 本発明の第１実施形態による高周波電力増幅
器の構成図FIG. 1 is a configuration diagram of a high-frequency power amplifier according to a first embodiment of the present invention;
【図２】 本発明の第２実施形態による高周波電力増幅
器の構成図FIG. 2 is a configuration diagram of a high-frequency power amplifier according to a second embodiment of the present invention;
【図３】 本発明の第３実施形態による高周波電力増幅
器の構成図FIG. 3 is a configuration diagram of a high-frequency power amplifier according to a third embodiment of the present invention;
【図４】 従来の高周波電力増幅器の構成図FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional high-frequency power amplifier.
１ 基板 ２ 高周波電力増幅素子としてのＨＢＴ ３ 第１の半導体チップ ４ バイアス回路 ５ 基準電圧発生回路 ６ 差動増幅器 ７ 第２の半導体チップ ８ 分圧抵抗 ９ 入力マッチング回路 １０ 段間マッチング回路 １１ 出力マッチング回路 １２ 電源端子 １３ 高周波入力端子 １４ 高周波出力端子 １５ ダイオード接続されたＨＢＴ １６ 電流源 １７ 電圧制御型電流源 １８ 制御端子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 HBT as high frequency power amplification element 3 First semiconductor chip 4 Bias circuit 5 Reference voltage generation circuit 6 Differential amplifier 7 Second semiconductor chip 8 Voltage dividing resistor 9 Input matching circuit 10 Interstage matching circuit 11 Output matching Circuit 12 Power supply terminal 13 High-frequency input terminal 14 High-frequency output terminal 15 Diode-connected HBT 16 Current source 17 Voltage-controlled current source 18 Control terminal
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J090 AA01 AA41 CA02 CA56 CN03 FA10 FA16 FN06 FN14 HA06 HA19 HA25 KA00 KA02 KA05 KA07 KA11 KA12 KA29 KA66 MA21 SA13 5J091 AA01 AA41 CA02 CA56 FA10 FA16 HA06 HA19 HA25 KA00 KA02 KA05 KA07 KA11 KA12 KA29 KA66 MA21 SA13 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5J090 AA01 AA41 CA02 CA56 CN03 FA10 FA16 FN06 FN14 HA06 HA19 HA25 KA00 KA02 KA05 KA07 KA11 KA12 KA29 KA66 MA21 SA13 5J091 AA01 AA41 CA02 CA56 FA10 FA16 HA06 KA07 KA05 KA05 KA12 KA29 KA66 MA21 SA13
Claims (3)
成された高周波電力増幅器であって、 一つの半導体チップ上に形成され、入力された高周波電
力を増幅する高周波電力増幅素子と、 前記高周波電力増幅素子の動作点を設定するために、少
なくとも一部が前記高周波電力増幅素子と同一の半導体
チップ上に形成され、前記高周波電力増幅素子と同一の
温度特性を持つ基準電圧発生部を有するバイアス回路と
を備えたことを特徴とする高周波電力増幅器。1. A high-frequency power amplifier comprising at least two semiconductor chips, wherein the high-frequency power amplifier is formed on one semiconductor chip and amplifies an input high-frequency power; A bias circuit having a reference voltage generator having at least a part formed on the same semiconductor chip as the high-frequency power amplifier and having the same temperature characteristics as the high-frequency power amplifier to set an operating point. A high-frequency power amplifier.
ランジスタであり、 前記基準電圧発生部は、 前記高周波電力増幅素子と同一の半導体チップ上に形成
され、前記高周波電力増幅素子と同一の構成を有してダ
イオード接続されたバイポーラトランジスタと、 前記高周波電力増幅素子とは異なる半導体チップ上に形
成され、前記ダイオード接続されたバイポーラトランジ
スタに電流を供給する電流源とからなることを特徴とす
る請求項１記載の高周波電力増幅器。2. The high-frequency power amplifier is a bipolar transistor, and the reference voltage generator is formed on the same semiconductor chip as the high-frequency power amplifier, and has the same configuration as the high-frequency power amplifier. 2. A bipolar transistor, which is diode-connected to the diode-connected bipolar transistor, and a current source which is formed on a semiconductor chip different from the high-frequency power amplifier and supplies a current to the diode-connected bipolar transistor. High frequency power amplifier.
により電流値が制御される電圧制御型電流源であること
を特徴とする請求項２記載の高周波電力増幅器。3. The high-frequency power amplifier according to claim 2, wherein said current source is a voltage-controlled current source whose current value is controlled by an externally applied voltage.
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