JP2002083690A - 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス表示素子Info
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- JP2002083690A JP2002083690A JP2000269980A JP2000269980A JP2002083690A JP 2002083690 A JP2002083690 A JP 2002083690A JP 2000269980 A JP2000269980 A JP 2000269980A JP 2000269980 A JP2000269980 A JP 2000269980A JP 2002083690 A JP2002083690 A JP 2002083690A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ホール注入電極の電気抵抗を下げて発光の均一
性を改善した有機ＥＬ表示素子を提供する。また、補助
電極により発光面が容易にパターンニングされた有機Ｅ
Ｌ表示素子を提供する。 【解決手段】透光性絶縁基板１上に少なくともホール注
入電極４、有機発光層５、電子注入電極６を、この順に
積層した有機エレクトロルミネッセンス表示素子におい
て、ホール注入電極４と透光性絶縁基板１との間に、少
なくとも光透過穴３と補助電極をかねた導電層２を有す
る。
性を改善した有機ＥＬ表示素子を提供する。また、補助
電極により発光面が容易にパターンニングされた有機Ｅ
Ｌ表示素子を提供する。 【解決手段】透光性絶縁基板１上に少なくともホール注
入電極４、有機発光層５、電子注入電極６を、この順に
積層した有機エレクトロルミネッセンス表示素子におい
て、ホール注入電極４と透光性絶縁基板１との間に、少
なくとも光透過穴３と補助電極をかねた導電層２を有す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を用い
た有機エレクトロルミネッセンス表示素子に関する。
た有機エレクトロルミネッセンス表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光層が有機化合物から構成される有機
エレクトロルミネッセンス表示素子（以下、有機ＥＬ表
示素子と言う。）は、低電圧駆動の大面積表示素子を実
現するものとして注目されている。Ｔａｎｇらは素子の
高効率化のため、キャリア輸送性の異なる有機化合物を
積層し、ホールと電子がそれぞれホール注入電極、電子
注入電極よりバランスよく注入される構造とし、しかも
有機層の膜厚を２０００Å以下とすることで、１０Ｖ以
下の印加電圧で１０００ｃｄ／ｍ2 と高輝度、高効率を
得ることに成功した（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ，５１，９１３（１９８７）．）。
エレクトロルミネッセンス表示素子（以下、有機ＥＬ表
示素子と言う。）は、低電圧駆動の大面積表示素子を実
現するものとして注目されている。Ｔａｎｇらは素子の
高効率化のため、キャリア輸送性の異なる有機化合物を
積層し、ホールと電子がそれぞれホール注入電極、電子
注入電極よりバランスよく注入される構造とし、しかも
有機層の膜厚を２０００Å以下とすることで、１０Ｖ以
下の印加電圧で１０００ｃｄ／ｍ2 と高輝度、高効率を
得ることに成功した（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ，５１，９１３（１９８７）．）。
【０００３】一般的な素子構造はガラスなどの透光性絶
縁基板上に形成したＩＴＯ（酸化インジウムスズ）など
のホール注入電極となる透明電極上に有機発光層を真空
蒸着法や溶液からの塗布により形成し、その上部に電子
注入電極を真空蒸着法等で形成する。したがって、ホー
ル注入電極あるいは電子注入電極、あるいはその両方を
パターンニングすることにより、所定の発光パターンを
得ることが可能である。
縁基板上に形成したＩＴＯ（酸化インジウムスズ）など
のホール注入電極となる透明電極上に有機発光層を真空
蒸着法や溶液からの塗布により形成し、その上部に電子
注入電極を真空蒸着法等で形成する。したがって、ホー
ル注入電極あるいは電子注入電極、あるいはその両方を
パターンニングすることにより、所定の発光パターンを
得ることが可能である。
【０００４】しかし、有機ＥＬ表示素子を大型化したと
きに、ホール注入電極に用いられる透明導電膜が、金属
に比べて抵抗率が数桁小さいため、電圧降下が生じて、
有機発光層にかかる電界が不均一になり、発光輝度にム
ラが生じるという問題がある。
きに、ホール注入電極に用いられる透明導電膜が、金属
に比べて抵抗率が数桁小さいため、電圧降下が生じて、
有機発光層にかかる電界が不均一になり、発光輝度にム
ラが生じるという問題がある。
【０００５】この問題を解決する方法として、特開平１
１−３３９９７０号公報等に記載されているように、ホ
ール注入電極より低抵抗な補助電極が、ホール注入電極
のほぼ全周を被覆することにより、ホール注入電極での
電圧降下を防止し、発光輝度ムラを改善する技術が知ら
れている。
１−３３９９７０号公報等に記載されているように、ホ
ール注入電極より低抵抗な補助電極が、ホール注入電極
のほぼ全周を被覆することにより、ホール注入電極での
電圧降下を防止し、発光輝度ムラを改善する技術が知ら
れている。
【０００６】しかし、これらは適当なキャラクターや様
々な形状を表示するときに、ホール注入電極と補助電極
をそれぞれパターンニングする必要があり、生産性が悪
い。
々な形状を表示するときに、ホール注入電極と補助電極
をそれぞれパターンニングする必要があり、生産性が悪
い。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】本発明は、これら
の問題点を解決するためになされたものであり、ホール
注入電極の電気抵抗を下げて発光の均一性を改善すると
同時に、補助電極により発光面が容易にパターンニング
された有機ＥＬ表示素子を提供する。
の問題点を解決するためになされたものであり、ホール
注入電極の電気抵抗を下げて発光の均一性を改善すると
同時に、補助電極により発光面が容易にパターンニング
された有機ＥＬ表示素子を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明において上記の課
題を解決するために、請求項１において、透光性絶縁基
板上のホール注入電極及び電子注入電極間に少なくとも
有機発光層を有する有機ＥＬ表示素子において、ホール
注入電極と透光性絶縁基板との間に、少なくとも光透過
穴と補助電極をかねた導電層を有することを特徴とした
有機ＥＬ表示素子を提供する。また、請求項２におい
て、前記光透過穴と補助電極をかねた導電層において、
光透過穴の断面形状が逆テーパー形状であることを特徴
とする有機エレクトロルミネッセンス表示素子を提供す
る。
題を解決するために、請求項１において、透光性絶縁基
板上のホール注入電極及び電子注入電極間に少なくとも
有機発光層を有する有機ＥＬ表示素子において、ホール
注入電極と透光性絶縁基板との間に、少なくとも光透過
穴と補助電極をかねた導電層を有することを特徴とした
有機ＥＬ表示素子を提供する。また、請求項２におい
て、前記光透過穴と補助電極をかねた導電層において、
光透過穴の断面形状が逆テーパー形状であることを特徴
とする有機エレクトロルミネッセンス表示素子を提供す
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１０】まず、透光性絶縁基板上に材料に応じて、
抵抗加熱法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオン
プレーティング法、スパッタリング法等により導電層を
形成する。その後、フォトリソグラフィー法及びウェッ
トエッチング法や、ドライエッチング法などの既存の手
段で導電層をパターンニングし、光透過穴を形成する。
また光透過穴は、導電層を形成する際に、マスクを用い
ることにより形成する事もできる。なお、光透過穴の大
きさ、形状は、目視可能なものであれば特に限定される
ものではないが、径が１０ｍｍ〜１００ｍｍ程度の円
形、三角形、四角形、五角形等の多角形、星型等のキャ
ラクターが挙げられる。
抵抗加熱法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオン
プレーティング法、スパッタリング法等により導電層を
形成する。その後、フォトリソグラフィー法及びウェッ
トエッチング法や、ドライエッチング法などの既存の手
段で導電層をパターンニングし、光透過穴を形成する。
また光透過穴は、導電層を形成する際に、マスクを用い
ることにより形成する事もできる。なお、光透過穴の大
きさ、形状は、目視可能なものであれば特に限定される
ものではないが、径が１０ｍｍ〜１００ｍｍ程度の円
形、三角形、四角形、五角形等の多角形、星型等のキャ
ラクターが挙げられる。
【００１１】このとき光透過穴の断面形状がテーパー形
状や垂直形状であれば、ホール注入電極、有機発光層、
電子注入電極が不連続的に形成されてしまい、断線また
は、短絡が起こる可能性がある。
状や垂直形状であれば、ホール注入電極、有機発光層、
電子注入電極が不連続的に形成されてしまい、断線また
は、短絡が起こる可能性がある。
【００１２】そこで、光透過穴の断面形状を特開平５−
８２５０５号公報等に記載されているようなウェットエ
ッチング法や特開平５−１６００８２号公報等に記載さ
れているようなドライエッチング法を用いて、図３に示
すような逆テーパー形状にする。これにより、ホール注
入電極、有機発光層、電子注入電極を連続的に形成する
ことができ、断線または、短絡を防ぐことができる。
８２５０５号公報等に記載されているようなウェットエ
ッチング法や特開平５−１６００８２号公報等に記載さ
れているようなドライエッチング法を用いて、図３に示
すような逆テーパー形状にする。これにより、ホール注
入電極、有機発光層、電子注入電極を連続的に形成する
ことができ、断線または、短絡を防ぐことができる。
【００１３】本発明における透光性絶縁基板としては、
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレー
ト、ポリアミド、シクロオレフィンポリマー、ポリエー
テルサルフォン、エポキシ樹脂やポリプロピレン、ポリ
カーボネートなどのプラスチック基板、ガラス基板、石
英基板等が使用できる。
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレー
ト、ポリアミド、シクロオレフィンポリマー、ポリエー
テルサルフォン、エポキシ樹脂やポリプロピレン、ポリ
カーボネートなどのプラスチック基板、ガラス基板、石
英基板等が使用できる。
【００１４】本発明における導電層の材料としては、Ａ
ｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の金属、あるいはＡｌとＳｃ、
Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｔ及びＷ等の遷移元素との合
金があげられるが、中でもＡｌ及びＡｌ合金が好まし
い。
ｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の金属、あるいはＡｌとＳｃ、
Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｔ及びＷ等の遷移元素との合
金があげられるが、中でもＡｌ及びＡｌ合金が好まし
い。
【００１５】また、導電層の膜厚は、ホール注入電極に
よる電圧降下を緩和させるため、一定以上の厚さとすれ
ばよく、１０ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上とす
ればよい。またその上限には特に制限はないが、通常膜
厚は１００〜５００ｎｍ程度とすればよい。
よる電圧降下を緩和させるため、一定以上の厚さとすれ
ばよく、１０ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上とす
ればよい。またその上限には特に制限はないが、通常膜
厚は１００〜５００ｎｍ程度とすればよい。
【００１６】次に、透光性絶縁基板及び導電層上にスパ
ッタリング法等によりホール注入電極となる透明導電膜
を形成する。その後、必要に応じてフォトリソグラフィ
ー法及びウェットエッチング法などで透明導電膜をパタ
ーニングしてもよい。
ッタリング法等によりホール注入電極となる透明導電膜
を形成する。その後、必要に応じてフォトリソグラフィ
ー法及びウェットエッチング法などで透明導電膜をパタ
ーニングしてもよい。
【００１７】透明導電膜としては、ＩＴＯ（酸化インジ
ウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、ＺｎＯ、
ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 等の透明電極材が使用できる。
ウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、ＺｎＯ、
ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 等の透明電極材が使用できる。
【００１８】なお、導電層上の発光層への電圧の集中を
避ける為、光透過穴上以外のホール注入電極上に、Ｓｉ
Ｏ2 等の酸化ケイ素、窒化ケイ素やフォトレジスト、ポ
リイミド、アクリル樹脂などを絶縁層として形成するこ
とができる。
避ける為、光透過穴上以外のホール注入電極上に、Ｓｉ
Ｏ2 等の酸化ケイ素、窒化ケイ素やフォトレジスト、ポ
リイミド、アクリル樹脂などを絶縁層として形成するこ
とができる。
【００１９】本発明における有機発光層は、蛍光物質を
含む単層構造、あるいは多層構造で形成することができ
る。
含む単層構造、あるいは多層構造で形成することができ
る。
【００２０】多層構造で形成する場合の有機発光層の構
成例は、正孔注入輸送層／電子輸送性発光層または正孔
輸送性発光層／電子輸送層からなる２層構成や正孔注入
輸送層／発光層／電子輸送層からなる３層構成等があ
る。さらにより多層で形成することも可能であり、各層
を基板上に順に形成する。
成例は、正孔注入輸送層／電子輸送性発光層または正孔
輸送性発光層／電子輸送層からなる２層構成や正孔注入
輸送層／発光層／電子輸送層からなる３層構成等があ
る。さらにより多層で形成することも可能であり、各層
を基板上に順に形成する。
【００２１】正孔注入輸送層材料の例としては、銅フタ
ロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン等
の金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、
キナクリドン化合物、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリ
ルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ' −ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ' −ビス（３−メチルフェニル）−１，
１' −ビフェニル−４，４' −ジアミン、Ｎ，Ｎ' −ジ
（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ' −ジフフェニル−１，１'
−ビフェニル−４，４' −ジアミン等の芳香族アミン系
低分子正孔注入輸送層や、その他既存の正孔輸送材料の
中から選ぶことができる。
ロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン等
の金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、
キナクリドン化合物、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリ
ルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ' −ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ' −ビス（３−メチルフェニル）−１，
１' −ビフェニル−４，４' −ジアミン、Ｎ，Ｎ' −ジ
（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ' −ジフフェニル−１，１'
−ビフェニル−４，４' −ジアミン等の芳香族アミン系
低分子正孔注入輸送層や、その他既存の正孔輸送材料の
中から選ぶことができる。
【００２２】発光材料の例としては、９，１０−ジアリ
ールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレ
ン、ルブレン、１，１，４，４−テトラフェニルブタジ
エン、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯
体、トリス（４−メチル−８キノリノラート）アルミニ
ウム錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリ
ス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリ
ノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５
−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビ
ス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリ
ノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラー
ト］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ
−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）
フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−キノリ
ノラート）スカンジウム錯体、ビス〔８−（パラ−トシ
ル）アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、
１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、
ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，５−ジ
ヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン
系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンス
ロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系
蛍光体、Ｎ，Ｎ' −ジアルキル置換キナクリドン系蛍光
体、ナフタルイミド系蛍光体、Ｎ，Ｎ' −ジアリール置
換ピロロピロール系蛍光体等が挙げられ、これらを単
独、または他の低分子材料や高分子材料と混合して用い
ることができる。
ールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレ
ン、ルブレン、１，１，４，４−テトラフェニルブタジ
エン、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯
体、トリス（４−メチル−８キノリノラート）アルミニ
ウム錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリ
ス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリ
ノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５
−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビ
ス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリ
ノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラー
ト］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ
−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）
フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−キノリ
ノラート）スカンジウム錯体、ビス〔８−（パラ−トシ
ル）アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、
１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、
ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，５−ジ
ヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン
系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンス
ロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系
蛍光体、Ｎ，Ｎ' −ジアルキル置換キナクリドン系蛍光
体、ナフタルイミド系蛍光体、Ｎ，Ｎ' −ジアリール置
換ピロロピロール系蛍光体等が挙げられ、これらを単
独、または他の低分子材料や高分子材料と混合して用い
ることができる。
【００２３】電子輸送材料の例としては、２−（４−ビ
フィニルイル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−
１，３，４−オキサジアゾール、及びオキサジアゾール
誘導体やビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリノ
ラート）ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等が挙げ
られる。
フィニルイル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−
１，３，４−オキサジアゾール、及びオキサジアゾール
誘導体やビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリノ
ラート）ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等が挙げ
られる。
【００２４】低分子系の有機発光層は真空蒸着法により
形成することができる。低分子系の有機発光層の膜厚
は、単層または積層により形成する場合においても１μ
ｍ以下であり、好ましくは５０〜１５０ｎｍである。
形成することができる。低分子系の有機発光層の膜厚
は、単層または積層により形成する場合においても１μ
ｍ以下であり、好ましくは５０〜１５０ｎｍである。
【００２５】また有機発光層には、ポリパラフェニレン
ビニレン、ポリ（２−メトキシー５―（２' エチルエキ
ソキシ）―１、４−パラフェニレンビニレン、ポリ（３
−アルキルチオフェン）、ポリ（９，９−ジアルキシル
フルオレン）、ポリ（パラフェニレン）などの共役高分
子系やポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、２，５−ビス
（５−ｔ−ブチル−２，５−ベンゾオキサゾイル）チオ
フェン、ジンク ビス−ベンゾチアゾール フェノレイ
トなどの高分子分散系など公知の高分子材料を使用でき
る。高分子系の有機発光層は、真空蒸着法または上記高
分子材料をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン、ジメチルスルホキシド、プロピレンカーボ
ネート、γ−ブチロラクトンなどの有機溶媒や水に溶か
した後、スピンコート法、キャスティング法、ディッピ
ング法、バーコート法、ロールコート法、グラビアコー
ト法、マイクログラビア法などの塗布法によって形成す
ることができる。高分子系の有機発光層の膜厚は、１ｎ
ｍ〜１０μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜１μｍである。
ビニレン、ポリ（２−メトキシー５―（２' エチルエキ
ソキシ）―１、４−パラフェニレンビニレン、ポリ（３
−アルキルチオフェン）、ポリ（９，９−ジアルキシル
フルオレン）、ポリ（パラフェニレン）などの共役高分
子系やポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、２，５−ビス
（５−ｔ−ブチル−２，５−ベンゾオキサゾイル）チオ
フェン、ジンク ビス−ベンゾチアゾール フェノレイ
トなどの高分子分散系など公知の高分子材料を使用でき
る。高分子系の有機発光層は、真空蒸着法または上記高
分子材料をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン、ジメチルスルホキシド、プロピレンカーボ
ネート、γ−ブチロラクトンなどの有機溶媒や水に溶か
した後、スピンコート法、キャスティング法、ディッピ
ング法、バーコート法、ロールコート法、グラビアコー
ト法、マイクログラビア法などの塗布法によって形成す
ることができる。高分子系の有機発光層の膜厚は、１ｎ
ｍ〜１０μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜１μｍである。
【００２６】電子注入電極の材料としては電子注入効率
の高い物質を用いる。具体的にはＢａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａ
ｌ、Ｙｂ等の金属単体を用いたり、有機発光層と接する
界面にＬｉや酸化Ｌｉ、ＬｉＦ等の化合物を１ｎｍ程度
挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層して用
いる。
の高い物質を用いる。具体的にはＢａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａ
ｌ、Ｙｂ等の金属単体を用いたり、有機発光層と接する
界面にＬｉや酸化Ｌｉ、ＬｉＦ等の化合物を１ｎｍ程度
挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層して用
いる。
【００２７】または電子注入効率と安定性を両立させる
ため、低仕事関数であるＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ等の金属１種以
上と、安定なＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属元素との合金系
が用いられる。具体的にはＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬ
ｉ等の合金が使用できる。
ため、低仕事関数であるＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ等の金属１種以
上と、安定なＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属元素との合金系
が用いられる。具体的にはＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬ
ｉ等の合金が使用できる。
【００２８】電子注入電極の形成方法は、材料に応じ
て、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法
などを用いることができる。電子注入電極の厚さは、１
０ｎｍ〜１μｍ程度が望ましい。
て、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法
などを用いることができる。電子注入電極の厚さは、１
０ｎｍ〜１μｍ程度が望ましい。
【００２９】最後に、有機発光層及び電子注入電極の大
気中の水分、酸素による劣化を抑制するため、有機ＥＬ
表示素子を封止する必要がある。このため、ガラスや石
英または、金属等からなる封止ケース等を、Ａｒ、Ｈ
ｅ、Ｎ2 等の不活性ガスからなる封止ガス及びゼオライ
ト、活性アルミ、シリカゲル、水素化カルシウム、水素
化アルミニウムリチウム等の乾燥剤を封入した後に、透
光性絶縁基板上に密着固定して外部と遮断することがで
きる。
気中の水分、酸素による劣化を抑制するため、有機ＥＬ
表示素子を封止する必要がある。このため、ガラスや石
英または、金属等からなる封止ケース等を、Ａｒ、Ｈ
ｅ、Ｎ2 等の不活性ガスからなる封止ガス及びゼオライ
ト、活性アルミ、シリカゲル、水素化カルシウム、水素
化アルミニウムリチウム等の乾燥剤を封入した後に、透
光性絶縁基板上に密着固定して外部と遮断することがで
きる。
【００３０】
【実施例】まず、本発明の有機ＥＬ表示素子の一実施例
を図１、図２に示す。
を図１、図２に示す。
【００３１】［実施例１］本発明の実施例を図１、図２
に従って説明する。まず、ガラスからなる透光性絶縁基
板１上に導電層２としてＡｌ膜を、５００ｎｍの膜厚で
真空蒸着した。
に従って説明する。まず、ガラスからなる透光性絶縁基
板１上に導電層２としてＡｌ膜を、５００ｎｍの膜厚で
真空蒸着した。
【００３２】次に、フォトリソグラフィー法及びウェッ
トエッチング法によってＡｌ膜をパターンニングし、断
面形状が逆テーパー形状である星形状の光透過穴３を形
成した。
トエッチング法によってＡｌ膜をパターンニングし、断
面形状が逆テーパー形状である星形状の光透過穴３を形
成した。
【００３３】次に、ガラスからなる透光性絶縁基板１及
び光透過穴３を有した導電層２上にスパッタリング法で
ホール注入電極４としてＩＴＯ膜を形成した。さらに、
透明性と導電性を向上させるために、空気中２３０℃で
１時間加熱処理を行い、ＩＴＯ膜を結晶化した。
び光透過穴３を有した導電層２上にスパッタリング法で
ホール注入電極４としてＩＴＯ膜を形成した。さらに、
透明性と導電性を向上させるために、空気中２３０℃で
１時間加熱処理を行い、ＩＴＯ膜を結晶化した。
【００３４】次に有機発光層５として銅フタロシアニ
ン、Ｎ，Ｎ' −ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ' −ジフェ
ニル−１，１' −ビフェニル−４，４' −ジアミン、ト
リス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体を順に、
１０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍの膜厚で真空蒸着し、次
に電子注入電極６としてＭｇＡｇを基板回転しながら二
元共蒸着した。
ン、Ｎ，Ｎ' −ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ' −ジフェ
ニル−１，１' −ビフェニル−４，４' −ジアミン、ト
リス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体を順に、
１０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍの膜厚で真空蒸着し、次
に電子注入電極６としてＭｇＡｇを基板回転しながら二
元共蒸着した。
【００３５】この有機発光層５と電子注入電極６が積層
された透光性絶縁基板１を、Ｎ2 ガスを流通させたグロ
ーブボックスに移した。そして、乾燥剤７してＣａＨ2
粒子をネットに入れて配置固定し、透光性絶縁基板１上
に、紫外線硬化型エポキシ樹脂からなる接着剤８を未硬
化の状態で塗布した。そして、ガラスからなる封止ケー
ス９を透光性絶縁基板１に張り合わせながら加圧し、接
着剤の薄層を形成した。そしてＵＶ光を照射し、接着剤
を硬化させた。
された透光性絶縁基板１を、Ｎ2 ガスを流通させたグロ
ーブボックスに移した。そして、乾燥剤７してＣａＨ2
粒子をネットに入れて配置固定し、透光性絶縁基板１上
に、紫外線硬化型エポキシ樹脂からなる接着剤８を未硬
化の状態で塗布した。そして、ガラスからなる封止ケー
ス９を透光性絶縁基板１に張り合わせながら加圧し、接
着剤の薄層を形成した。そしてＵＶ光を照射し、接着剤
を硬化させた。
【００３６】得られた有機ＥＬ表示素子は、ホール注入
電極の電圧降下による輝度むらがほとんどなく、星形状
の光透過穴により発光面が星形状にパターンニングされ
ていることを確認した。
電極の電圧降下による輝度むらがほとんどなく、星形状
の光透過穴により発光面が星形状にパターンニングされ
ていることを確認した。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、ホール注入電極と透光
性絶縁基板との間に、光透過穴と補助電極をかねた導電
層を形成することにより、ホール注入電極の電気抵抗の
影響を除外し、電圧降下による輝度むらがほとんどな
く、光透過穴により発光面が容易にパターニングされた
有機ＥＬ表示素子を提供することができる。
性絶縁基板との間に、光透過穴と補助電極をかねた導電
層を形成することにより、ホール注入電極の電気抵抗の
影響を除外し、電圧降下による輝度むらがほとんどな
く、光透過穴により発光面が容易にパターニングされた
有機ＥＬ表示素子を提供することができる。
【００３８】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示素子の一例を示す断面図
である。
である。
【図２】図１の有機ＥＬ表示素子の平面図である。
【図３】図１の有機ＥＬ表示素子の拡大図である。
１ 透光性絶縁基板 ２ 導電層 ３ 光透過穴 ４ ホール注入電極 ５ 有機発光層 ６ 電子注入電極 ７ 乾燥剤 ８ 接着剤 ９ 封止ケース
Claims (2)
- 【請求項１】透光性絶縁基板上に少なくともホール注入
電極、有機発光層、電子注入電極を、この順に積層した
有機エレクトロルミネッセンス表示素子において、 ホール注入電極と透光性絶縁基板との間に、少なくとも
光透過穴と補助電極をかねた導電層を有することを特徴
とした有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 - 【請求項２】前記光透過穴と補助電極をかねた導電層に
おいて、光透過穴の断面形状が逆テーパー形状であるこ
とを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッ
センス表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000269980A JP4682404B2 (ja) | 2000-09-06 | 2000-09-06 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000269980A JP4682404B2 (ja) | 2000-09-06 | 2000-09-06 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002083690A true JP2002083690A (ja) | 2002-03-22 |
| JP4682404B2 JP4682404B2 (ja) | 2011-05-11 |
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ID=18756501
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000269980A Expired - Fee Related JP4682404B2 (ja) | 2000-09-06 | 2000-09-06 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4682404B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7710020B2 (en) | 2006-07-05 | 2010-05-04 | Au Optronics Corporation | Organic electroluminescence device and method for reducing lateral current leakage thereof |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000195680A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス表示素子並びにその製造方法 |
| JP2000243579A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
| JP2000268980A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
-
2000
- 2000-09-06 JP JP2000269980A patent/JP4682404B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000195680A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス表示素子並びにその製造方法 |
| JP2000243579A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
| JP2000268980A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7710020B2 (en) | 2006-07-05 | 2010-05-04 | Au Optronics Corporation | Organic electroluminescence device and method for reducing lateral current leakage thereof |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4682404B2 (ja) | 2011-05-11 |
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