JP2002076058A - 半導体チップ、半導体装置、実装用基板、電気機器および半導体装置の製造方法、ならびに半導体チップの取付構造 - Google Patents
半導体チップ、半導体装置、実装用基板、電気機器および半導体装置の製造方法、ならびに半導体チップの取付構造Info
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- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 実装用基板との間に歪みが生じても、この歪
みを吸収し電気的導通を確実にすることができる半導体
チップ、半導体装置、実装用基板、電気機器および半導
体装置の製造方法、ならびに半導体チップの取付構造を
提供する。 【解決手段】 半導体チップ１２の接続用バンプ１６に
キャピラリ２８を押し付け、ボンディングワイヤ１８を
接続用バンプ１６から立ち上がらせる。次いで、ボンデ
ィングワイヤ１８を樹脂で封止し、樹脂表面への研磨に
よりボンディングワイヤ１８の先端の高さを揃えた後、
樹脂の除去しボンディングワイヤ１８の先端を突出させ
る。そしてこのボンディングワイヤ１８の先端に半田ボ
ールや半田ペーストを取り付け、リフローにより半田部
２２を形成すれば、実装用基板２４との熱膨張の差によ
るストレスが生じても、このストレスを吸収し電気的導
通を確実にし、信頼性を向上させることが可能になる。
みを吸収し電気的導通を確実にすることができる半導体
チップ、半導体装置、実装用基板、電気機器および半導
体装置の製造方法、ならびに半導体チップの取付構造を
提供する。 【解決手段】 半導体チップ１２の接続用バンプ１６に
キャピラリ２８を押し付け、ボンディングワイヤ１８を
接続用バンプ１６から立ち上がらせる。次いで、ボンデ
ィングワイヤ１８を樹脂で封止し、樹脂表面への研磨に
よりボンディングワイヤ１８の先端の高さを揃えた後、
樹脂の除去しボンディングワイヤ１８の先端を突出させ
る。そしてこのボンディングワイヤ１８の先端に半田ボ
ールや半田ペーストを取り付け、リフローにより半田部
２２を形成すれば、実装用基板２４との熱膨張の差によ
るストレスが生じても、このストレスを吸収し電気的導
通を確実にし、信頼性を向上させることが可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ、半
導体装置、実装用基板、電気機器および半導体装置の製
造方法、ならびに半導体チップの取付構造に係り、特に
半導体チップサイズに形成された半導体装置の実装に好
適な、半導体チップ、半導体装置、実装用基板、電気機
器および半導体装置の製造方法、ならびに半導体チップ
の取付構造に関する。
導体装置、実装用基板、電気機器および半導体装置の製
造方法、ならびに半導体チップの取付構造に係り、特に
半導体チップサイズに形成された半導体装置の実装に好
適な、半導体チップ、半導体装置、実装用基板、電気機
器および半導体装置の製造方法、ならびに半導体チップ
の取付構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェハからダイシング（ペ
レタイズ）によって切り出される半導体チップと同様の
サイズからなる半導体装置が知られている。そしてこの
半導体装置は、一般にＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケ
ージ、あるいはチップ・スケール・パッケージ）と呼ば
れ、実装面積の少なさが特徴となっている。このためＣ
ＳＰは、本特徴を有効に生かすことのできる小型電子機
器に多数使用されている。
レタイズ）によって切り出される半導体チップと同様の
サイズからなる半導体装置が知られている。そしてこの
半導体装置は、一般にＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケ
ージ、あるいはチップ・スケール・パッケージ）と呼ば
れ、実装面積の少なさが特徴となっている。このためＣ
ＳＰは、本特徴を有効に生かすことのできる小型電子機
器に多数使用されている。
【０００３】図６は、従来の半導体装置における構造を
示した断面図である。同図に示すように半導体装置１に
用いられる半導体チップ２では、その底面側に信号の入
出力をなす接続用バンプ３が複数設けられている。そし
て半導体チップ２の下側には絶縁膜４が設けられ、更に
絶縁層４の下側には実装用基板との導通をなすための半
田ボール５が設けられている。なお接続用バンプ３と半
田ボール５との間には配線層６が設けられ、当該配線層
６によって接続用バンプ３と半田ボール５との間の電気
的導通を図るようにしている。
示した断面図である。同図に示すように半導体装置１に
用いられる半導体チップ２では、その底面側に信号の入
出力をなす接続用バンプ３が複数設けられている。そし
て半導体チップ２の下側には絶縁膜４が設けられ、更に
絶縁層４の下側には実装用基板との導通をなすための半
田ボール５が設けられている。なお接続用バンプ３と半
田ボール５との間には配線層６が設けられ、当該配線層
６によって接続用バンプ３と半田ボール５との間の電気
的導通を図るようにしている。
【０００４】一方、図７は、従来の半導体装置における
他の構造を示した断面図である。なお前述した半導体装
置１と共通の部分に関しては同一の番号を付与して説明
を行うものとする。同図に示すように、半導体装置７に
おいては、半導体チップ２の接続用バンプ３に接するよ
うに配線層６が形成されている。そして当該配線層６を
挟んで接続用バンプ３の反対側にはメタルポスト８が設
けられ、当該メタルポスト８の先端には半田ボール５が
取り付けられ、当該半田ボール５側から入力された信号
は、メタルポスト８、配線層６、接続用バンプ３を経由
して半導体チップ２へと伝達される。
他の構造を示した断面図である。なお前述した半導体装
置１と共通の部分に関しては同一の番号を付与して説明
を行うものとする。同図に示すように、半導体装置７に
おいては、半導体チップ２の接続用バンプ３に接するよ
うに配線層６が形成されている。そして当該配線層６を
挟んで接続用バンプ３の反対側にはメタルポスト８が設
けられ、当該メタルポスト８の先端には半田ボール５が
取り付けられ、当該半田ボール５側から入力された信号
は、メタルポスト８、配線層６、接続用バンプ３を経由
して半導体チップ２へと伝達される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし上述した半導体
装置においては、以下に示すような問題点があった。
装置においては、以下に示すような問題点があった。
【０００６】すなわち半導体装置１においては、実装用
基板となるガラスエポキシ基板などに実装した場合、半
導体装置１の稼働により発熱が生じたり、周囲の環境温
度が大きく変動すると、半導体チップ２の材料となる単
結晶シリコンとガラスエポキシ基板との熱膨張係数が大
きく異なるので、双方の間せん断方向のストレスが発生
し、実装用基板から半導体装置１が離反し電気的導通が
図れなくなったり、あるいは半導体チップ２自体に損傷
が生じるおそれがあった。
基板となるガラスエポキシ基板などに実装した場合、半
導体装置１の稼働により発熱が生じたり、周囲の環境温
度が大きく変動すると、半導体チップ２の材料となる単
結晶シリコンとガラスエポキシ基板との熱膨張係数が大
きく異なるので、双方の間せん断方向のストレスが発生
し、実装用基板から半導体装置１が離反し電気的導通が
図れなくなったり、あるいは半導体チップ２自体に損傷
が生じるおそれがあった。
【０００７】一方、半導体装置７においては、前記スト
レスが生じるとメタルポスト８がたわみこのストレスを
吸収するものの、メタルポスト８の形成には特殊な技術
を要し、一般的な製造技術で製作できるものではなかっ
た。またメタルポスト８の周囲に絶縁層４となるモール
ド樹脂を射出するには高度な技術が必要であった。
レスが生じるとメタルポスト８がたわみこのストレスを
吸収するものの、メタルポスト８の形成には特殊な技術
を要し、一般的な製造技術で製作できるものではなかっ
た。またメタルポスト８の周囲に絶縁層４となるモール
ド樹脂を射出するには高度な技術が必要であった。
【０００８】本発明は上記従来の問題点に着目し、汎用
の製造技術を用い、且つ実装用基板との熱膨張の差によ
るストレスが生じても、このストレスを吸収し電気的導
通を確実にすることができる半導体チップ、半導体装
置、実装用基板、電気機器および半導体装置の製造方
法、ならびに半導体チップの取付構造を提供することを
目的とする。
の製造技術を用い、且つ実装用基板との熱膨張の差によ
るストレスが生じても、このストレスを吸収し電気的導
通を確実にすることができる半導体チップ、半導体装
置、実装用基板、電気機器および半導体装置の製造方
法、ならびに半導体チップの取付構造を提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置の
製造に用いられるワイヤーボンディングの技術を用い、
接続用バンプから引き出されるボンディングワイヤの先
端を実装用基板との接続用端子として用いるようにすれ
ば、半導体装置と実装用基板との間に生じる歪みをボン
ディングワイヤにて吸収することができるという知見に
基づいてなされたものである。
製造に用いられるワイヤーボンディングの技術を用い、
接続用バンプから引き出されるボンディングワイヤの先
端を実装用基板との接続用端子として用いるようにすれ
ば、半導体装置と実装用基板との間に生じる歪みをボン
ディングワイヤにて吸収することができるという知見に
基づいてなされたものである。
【００１０】すなわち請求項１に記載の半導体チップ
は、チップ本体の接続用バンプにボンディングワイヤを
取り付け、このボンディングワイヤを実装用基板への接
続をなす接続用端子としたことを特徴としている。
は、チップ本体の接続用バンプにボンディングワイヤを
取り付け、このボンディングワイヤを実装用基板への接
続をなす接続用端子としたことを特徴としている。
【００１１】請求項１に記載の半導体チップによれば、
当該半導体チップを実装用基板に実装した後、熱膨張係
数の違いによるストレスが半導体チップに加わっても、
ボンディングワイヤがたわんで前記ストレスによる歪み
を吸収するので、前記ストレスによって接続用端子が実
装用基板から外れたり、あるいはストレスが半導体チッ
プ自体に加わるのを防止することができる。このため半
導体チップおよび実装用基板の周囲に温度変化があって
も、また半導体チップの自己発熱があっても、半導体チ
ップと実装用基板との電気的導通の確保と、半導体チッ
プの信頼性の向上を達成することができる。またボンデ
ィングワイヤ技術を用いるようにしたことから、メッキ
やエッチングによる工程と比較して、一層の狭いピッチ
でボンディングワイヤ高さを十分確保できるようになっ
たことはいうまでもない。このため半導体チップの接続
用バンプのピン数が増加しても、ボンディングワイヤを
増加させることで容易に対応できる。
当該半導体チップを実装用基板に実装した後、熱膨張係
数の違いによるストレスが半導体チップに加わっても、
ボンディングワイヤがたわんで前記ストレスによる歪み
を吸収するので、前記ストレスによって接続用端子が実
装用基板から外れたり、あるいはストレスが半導体チッ
プ自体に加わるのを防止することができる。このため半
導体チップおよび実装用基板の周囲に温度変化があって
も、また半導体チップの自己発熱があっても、半導体チ
ップと実装用基板との電気的導通の確保と、半導体チッ
プの信頼性の向上を達成することができる。またボンデ
ィングワイヤ技術を用いるようにしたことから、メッキ
やエッチングによる工程と比較して、一層の狭いピッチ
でボンディングワイヤ高さを十分確保できるようになっ
たことはいうまでもない。このため半導体チップの接続
用バンプのピン数が増加しても、ボンディングワイヤを
増加させることで容易に対応できる。
【００１２】請求項２に記載の半導体チップは、前記接
続用バンプ側に樹脂層を設け、この樹脂層にて前記ボン
ディングワイヤの保護をなすことを特徴としている。請
求項２に記載の半導体チップによれば、樹脂層がボンデ
ィングワイヤを保持しているので、当該ボンディングワ
イヤに外力が加わっても接続用端子からボンディングワ
イヤが脱落するのを防止することができる。
続用バンプ側に樹脂層を設け、この樹脂層にて前記ボン
ディングワイヤの保護をなすことを特徴としている。請
求項２に記載の半導体チップによれば、樹脂層がボンデ
ィングワイヤを保持しているので、当該ボンディングワ
イヤに外力が加わっても接続用端子からボンディングワ
イヤが脱落するのを防止することができる。
【００１３】請求項３に記載の半導体チップは、前記ボ
ンディングワイヤの先端に半田部を設け、これを前記接
続用端子としたことを特徴としている。請求項３に記載
の半導体チップによれば、リフローを通すことで半田部
が溶融し、容易に半導体チップを実装用基板に実装させ
ることができる。また半田ボールの接続強度を向上させ
ることができる（半導体チップ側の、半田ボールと半導
体チップ間のクラックによる剥離防止）。
ンディングワイヤの先端に半田部を設け、これを前記接
続用端子としたことを特徴としている。請求項３に記載
の半導体チップによれば、リフローを通すことで半田部
が溶融し、容易に半導体チップを実装用基板に実装させ
ることができる。また半田ボールの接続強度を向上させ
ることができる（半導体チップ側の、半田ボールと半導
体チップ間のクラックによる剥離防止）。
【００１４】請求項４に記載の半導体装置は、半導体チ
ップの接続用バンプから接続用端子を引き出し、この接
続用端子にて実装用基板への実装をなす半導体装置であ
って、前記接続用バンプにボンディングワイヤを取り付
け、このボンディングワイヤを前記接続用端子としたこ
とを特徴としている。
ップの接続用バンプから接続用端子を引き出し、この接
続用端子にて実装用基板への実装をなす半導体装置であ
って、前記接続用バンプにボンディングワイヤを取り付
け、このボンディングワイヤを前記接続用端子としたこ
とを特徴としている。
【００１５】請求項４に記載の半導体装置によれば、当
該半導体装置を実装用基板に実装した後、熱膨張係数の
違いによるストレスが半導体装置に加わっても、接続用
端子と接続用バンプとを結ぶボンディングワイヤがたわ
んで前記ストレスによる歪みを吸収するので、前記スト
レスによって接続用端子が実装用基板から外れたり、あ
るいはストレスが半導体チップ自体に加わるのを防止す
ることができる。このため半導体装置および実装用基板
の周囲に温度変化があっても、また半導体装置の自己発
熱があっても、半導体装置と実装用基板との電気的導通
の確保と、半導体装置の信頼性の向上を達成することが
できる。またボンディングワイヤ技術を用いるようにし
たことから、メッキやエッチングによる工程と比較し
て、一層の狭いピッチでボンディングワイヤ高さを十分
確保できるようになったことはいうまでもない。
該半導体装置を実装用基板に実装した後、熱膨張係数の
違いによるストレスが半導体装置に加わっても、接続用
端子と接続用バンプとを結ぶボンディングワイヤがたわ
んで前記ストレスによる歪みを吸収するので、前記スト
レスによって接続用端子が実装用基板から外れたり、あ
るいはストレスが半導体チップ自体に加わるのを防止す
ることができる。このため半導体装置および実装用基板
の周囲に温度変化があっても、また半導体装置の自己発
熱があっても、半導体装置と実装用基板との電気的導通
の確保と、半導体装置の信頼性の向上を達成することが
できる。またボンディングワイヤ技術を用いるようにし
たことから、メッキやエッチングによる工程と比較し
て、一層の狭いピッチでボンディングワイヤ高さを十分
確保できるようになったことはいうまでもない。
【００１６】請求項５に記載の半導体装置は、前記接続
用バンプと前記接続用端子との間に樹脂層を設け、この
樹脂層にて前記ボンディングワイヤの保護をなすことを
特徴としている。請求項５に記載の半導体装置によれ
ば、樹脂層がボンディングワイヤを保持しているので、
当該ボンディングワイヤに外力が加わっても接続用端子
からボンディングワイヤが脱落するのを防止することが
できる。
用バンプと前記接続用端子との間に樹脂層を設け、この
樹脂層にて前記ボンディングワイヤの保護をなすことを
特徴としている。請求項５に記載の半導体装置によれ
ば、樹脂層がボンディングワイヤを保持しているので、
当該ボンディングワイヤに外力が加わっても接続用端子
からボンディングワイヤが脱落するのを防止することが
できる。
【００１７】請求項６に記載の半導体装置は、前記ボン
ディングワイヤの先端に半田部を設け、これを前記接続
用端子としたことを特徴としている。請求項６に記載の
半導体装置によれば、リフローを通すことで半田部が溶
融し、容易に半導体装置を実装用基板に実装させること
ができる。
ディングワイヤの先端に半田部を設け、これを前記接続
用端子としたことを特徴としている。請求項６に記載の
半導体装置によれば、リフローを通すことで半田部が溶
融し、容易に半導体装置を実装用基板に実装させること
ができる。
【００１８】請求項７に記載の実装用基板は、請求項１
に記載の半導体装置を用いたことを特徴としている。請
求項７に記載の実装用基板によれば、当該実装用基板の
周囲に温度変化があったり、あるいは実装された半導体
装置の自己発熱があっても半導体装置は、実装用基板に
対し離反することなく電気的導通が確実に得られる。ま
た半導体装置自体が破損することがないので実装用基板
自体の信頼性の向上を図ることができる。
に記載の半導体装置を用いたことを特徴としている。請
求項７に記載の実装用基板によれば、当該実装用基板の
周囲に温度変化があったり、あるいは実装された半導体
装置の自己発熱があっても半導体装置は、実装用基板に
対し離反することなく電気的導通が確実に得られる。ま
た半導体装置自体が破損することがないので実装用基板
自体の信頼性の向上を図ることができる。
【００１９】請求項８に記載の電子機器は、請求項４に
記載の実装用基板を用いたことを特徴としている。請求
項８に記載の電子機器によれば、温度変化が生じても確
実に動作する実装用基板を用いているので、これに伴い
当該実装用基板を使用している電子機器についても信頼
性の向上を図ることができる。
記載の実装用基板を用いたことを特徴としている。請求
項８に記載の電子機器によれば、温度変化が生じても確
実に動作する実装用基板を用いているので、これに伴い
当該実装用基板を使用している電子機器についても信頼
性の向上を図ることができる。
【００２０】請求項９に記載の半導体装置の製造方法
は、半導体チップに設けられた接続用バンプにキャピラ
リを押し付けた後、これを引き上げることで、ボンディ
ングワイヤを前記接続用バンプから立ち上がらせ、前記
ボンディングワイヤの先端を実装用基板への実装をなす
接続用端子としたことを特徴としている。請求項９に記
載の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップの表
面に形成された接続用バンプにキャピラリを押し付け、
このキャピラリを半導体チップの上方に引き上げるとと
もに、前記キャピラリからボンディングワイヤを繰り出
し、一定の高さで前記ボンディングワイヤを切断するよ
うにすれば、実装用基板への実装をなす接続用端子を容
易に形成することができる。そしてボンディングワイヤ
技術を用いるようにしたことから、メッキやエッチング
による工程と比較して、一層の狭いピッチでボンディン
グワイヤ高さを十分確保できるようになったことはいう
までもない。
は、半導体チップに設けられた接続用バンプにキャピラ
リを押し付けた後、これを引き上げることで、ボンディ
ングワイヤを前記接続用バンプから立ち上がらせ、前記
ボンディングワイヤの先端を実装用基板への実装をなす
接続用端子としたことを特徴としている。請求項９に記
載の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップの表
面に形成された接続用バンプにキャピラリを押し付け、
このキャピラリを半導体チップの上方に引き上げるとと
もに、前記キャピラリからボンディングワイヤを繰り出
し、一定の高さで前記ボンディングワイヤを切断するよ
うにすれば、実装用基板への実装をなす接続用端子を容
易に形成することができる。そしてボンディングワイヤ
技術を用いるようにしたことから、メッキやエッチング
による工程と比較して、一層の狭いピッチでボンディン
グワイヤ高さを十分確保できるようになったことはいう
までもない。
【００２１】請求項１０に記載の半導体装置の製造方法
は、ボンディングワイヤを前記接続用バンプから立ち上
がらせた後、前記ボンディングワイヤを樹脂で封止し、
当該樹脂表面への研磨により前記ボンディングワイヤの
先端の高さを揃えた後、前記樹脂の除去により前記ボン
ディングワイヤを突出させ、これを前記接続用端子とし
たことを特徴としている。請求項１０に記載の半導体装
置の製造方法によれば、樹脂で一旦ボンディングワイヤ
を封止し、その後樹脂の表面を研磨すれば、ボンディン
グワイヤの高さを揃えることが可能となり、これにより
実装用基板への接続をより確実なものにすることができ
る。
は、ボンディングワイヤを前記接続用バンプから立ち上
がらせた後、前記ボンディングワイヤを樹脂で封止し、
当該樹脂表面への研磨により前記ボンディングワイヤの
先端の高さを揃えた後、前記樹脂の除去により前記ボン
ディングワイヤを突出させ、これを前記接続用端子とし
たことを特徴としている。請求項１０に記載の半導体装
置の製造方法によれば、樹脂で一旦ボンディングワイヤ
を封止し、その後樹脂の表面を研磨すれば、ボンディン
グワイヤの高さを揃えることが可能となり、これにより
実装用基板への接続をより確実なものにすることができ
る。
【００２２】請求項１１に記載の半導体装置の製造方法
は、前記ボンディングワイヤの先端に半田部を取り付
け、これを前記接続用端子としたことを特徴としてい
る。請求項１１に記載の半導体装置の製造方法によれ
ば、リフローを通すことで半田部が溶融し、容易に半導
体装置を実装用基板に実装させることが可能になる。
は、前記ボンディングワイヤの先端に半田部を取り付
け、これを前記接続用端子としたことを特徴としてい
る。請求項１１に記載の半導体装置の製造方法によれ
ば、リフローを通すことで半田部が溶融し、容易に半導
体装置を実装用基板に実装させることが可能になる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係る半導体チッ
プ、半導体装置、実装用基板、電気機器および半導体装
置の製造方法、ならびに半導体チップの取付構造に好適
な具体的実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
プ、半導体装置、実装用基板、電気機器および半導体装
置の製造方法、ならびに半導体チップの取付構造に好適
な具体的実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【００２４】図１は、本実施の形態に係る半導体装置の
構成を示す断面図である。同図に示すように、本実施の
形態に係る半導体装置１０では、その最上部に半導体チ
ップ１２が配置されている。そして当該半導体チップ１
２は、その底面１４側に複数の接続用バンプ１６が設け
られており、この接続用バンプ１６に配線を接続するこ
とで、半導体チップ１２の駆動を行うようにしている。
なお半導体チップ１２は、半導体ウェハからダイシング
された個々の個片となっており、その基材は単結晶ウェ
ハからなっている。
構成を示す断面図である。同図に示すように、本実施の
形態に係る半導体装置１０では、その最上部に半導体チ
ップ１２が配置されている。そして当該半導体チップ１
２は、その底面１４側に複数の接続用バンプ１６が設け
られており、この接続用バンプ１６に配線を接続するこ
とで、半導体チップ１２の駆動を行うようにしている。
なお半導体チップ１２は、半導体ウェハからダイシング
された個々の個片となっており、その基材は単結晶ウェ
ハからなっている。
【００２５】半導体チップ１２の下方、すなわち前記半
導体チップ１２における接続用バンプ１６からは、更に
下方に向かってボンディングワイヤ１８が引き出されて
いる。当該ボンディングワイヤ１８は、金やアルミ線か
らなり、その引き出し高さは０．２ｍｍ程度となってお
り、緩衝層として十分な高さに設定されている（なお前
記ボンディングワイヤ１８間のピッチは０．３ｍｍ以
下）。さらに半導体チップ１２の底面１４から下方側に
は、ボンディングワイヤ１８の先端が僅かに露出するま
で樹脂となる樹脂層２０が形成されている。
導体チップ１２における接続用バンプ１６からは、更に
下方に向かってボンディングワイヤ１８が引き出されて
いる。当該ボンディングワイヤ１８は、金やアルミ線か
らなり、その引き出し高さは０．２ｍｍ程度となってお
り、緩衝層として十分な高さに設定されている（なお前
記ボンディングワイヤ１８間のピッチは０．３ｍｍ以
下）。さらに半導体チップ１２の底面１４から下方側に
は、ボンディングワイヤ１８の先端が僅かに露出するま
で樹脂となる樹脂層２０が形成されている。
【００２６】そしてエポキシ系樹脂からなる絶縁性を有
した前記樹脂層２０により、ボンディングワイヤ１８の
倒れ込みを防止し、当該ボンディングワイヤ１８間で短
絡が生じるのを防止することができるようにしている。
なお本実施の形態においては、絶縁性を有した樹脂とし
てエポキシ系の樹脂を用いることとしたが、この形態に
限定されることもなく絶縁性を有した他の樹脂を用いる
ようにしてもよい。
した前記樹脂層２０により、ボンディングワイヤ１８の
倒れ込みを防止し、当該ボンディングワイヤ１８間で短
絡が生じるのを防止することができるようにしている。
なお本実施の形態においては、絶縁性を有した樹脂とし
てエポキシ系の樹脂を用いることとしたが、この形態に
限定されることもなく絶縁性を有した他の樹脂を用いる
ようにしてもよい。
【００２７】樹脂層２０の表面から突出するボンディン
グワイヤ１８の先端には、接続用端子となる半田部２２
が設けられている。そしてこの半田部２２を溶融させた
後、再度凝固させることでボンディングワイヤ１８と、
実装用基板２４の表面に設けられた端子パッド２６との
接続をなすようにしている（実装をなすようにしてい
る）。
グワイヤ１８の先端には、接続用端子となる半田部２２
が設けられている。そしてこの半田部２２を溶融させた
後、再度凝固させることでボンディングワイヤ１８と、
実装用基板２４の表面に設けられた端子パッド２６との
接続をなすようにしている（実装をなすようにしてい
る）。
【００２８】このように実装用基板２４に実装された半
導体装置１０では、実装用基板２４側より端子パッド２
６を経由して信号が送出されると、半田部２２、ボンデ
ィングワイヤ１８、接続用バンプ１６を介して、前記信
号は半導体チップ１２へと伝達されるようになってい
る。
導体装置１０では、実装用基板２４側より端子パッド２
６を経由して信号が送出されると、半田部２２、ボンデ
ィングワイヤ１８、接続用バンプ１６を介して、前記信
号は半導体チップ１２へと伝達されるようになってい
る。
【００２９】ここで上述した半導体装置１０の周囲に熱
的変化が生じた場合の状態を説明する。
的変化が生じた場合の状態を説明する。
【００３０】図２は、半導体装置および実装用基板の周
囲が高温であるときの断面状態図である。同図に示すよ
うに、半導体装置１０および実装用基板２４の周囲が実
装された部品からの発熱やその他の要因で高温になる
と、ガラスエポキシ樹脂からなる実装用基板２４は、単
結晶シリコンからなる半導体チップ１２に対して熱膨張
係数が大きいことから、端子用パッド２６の間のピッチ
（Ｐ１）が、接続用バンプ１６の間のピッチ（Ｐ２）に
対して広がろうとする。
囲が高温であるときの断面状態図である。同図に示すよ
うに、半導体装置１０および実装用基板２４の周囲が実
装された部品からの発熱やその他の要因で高温になる
と、ガラスエポキシ樹脂からなる実装用基板２４は、単
結晶シリコンからなる半導体チップ１２に対して熱膨張
係数が大きいことから、端子用パッド２６の間のピッチ
（Ｐ１）が、接続用バンプ１６の間のピッチ（Ｐ２）に
対して広がろうとする。
【００３１】すなわち
【００３２】
【数１】 そしてこのような歪みが接続用基板２４に生じると、端
子パッド２６を介して半田部２２側へと前記歪みが伝達
される。
子パッド２６を介して半田部２２側へと前記歪みが伝達
される。
【００３３】しかし半導体装置１０において、半導体チ
ップ１２の下方には前述のとおりエポキシ系の樹脂層２
０が設けられている。このため樹脂層２０に、実装用基
板２４から力が加わっても、当該樹脂層２０が変形する
ことでこの力を吸収するので、実装用基板２４からの力
が、半田部２２に及んだり、あるいは半導体チップ１２
におよぶのを防止することができる。
ップ１２の下方には前述のとおりエポキシ系の樹脂層２
０が設けられている。このため樹脂層２０に、実装用基
板２４から力が加わっても、当該樹脂層２０が変形する
ことでこの力を吸収するので、実装用基板２４からの力
が、半田部２２に及んだり、あるいは半導体チップ１２
におよぶのを防止することができる。
【００３４】そして樹脂層２０の内部には、ボンディン
グワイヤ１８が挿通されているが、当該ボンディングワ
イヤ１８も、可撓性を有しており外力に対して撓むこと
が可能となっているので、樹脂層２０の変形とともにボ
ンディングワイヤ１８も実装基板２４からの力によって
変形することができる。このようにボンディングワイヤ
１８が外力によって変形することから、半導体チップ１
２の接続用バンプ１６と半田部２２との間の電気的導通
を確実に確保することが可能になり、半導体装置１０の
信頼性向上を図ることができる。
グワイヤ１８が挿通されているが、当該ボンディングワ
イヤ１８も、可撓性を有しており外力に対して撓むこと
が可能となっているので、樹脂層２０の変形とともにボ
ンディングワイヤ１８も実装基板２４からの力によって
変形することができる。このようにボンディングワイヤ
１８が外力によって変形することから、半導体チップ１
２の接続用バンプ１６と半田部２２との間の電気的導通
を確実に確保することが可能になり、半導体装置１０の
信頼性向上を図ることができる。
【００３５】なお上述した形態は、半導体装置１０およ
び実装用基板２４を高温下に設置した場合について説明
を行ったが、これら半導体装置１０および実装用基板２
４を低温下の環境に設置しても同様の作用効果を得るこ
とができる。、図３は、半導体装置および実装用基板の
周囲が低温時であるときの断面状態図である。同図に示
すように、半導体装置１０および実装用基板２４を低温
下の環境に設置すると、熱膨張係数の違いから、端子用
パッド２６の間のピッチ（Ｐ１）が、接続用バンプ１６
の間のピッチ（Ｐ２）に対して狭まろうとする。
び実装用基板２４を高温下に設置した場合について説明
を行ったが、これら半導体装置１０および実装用基板２
４を低温下の環境に設置しても同様の作用効果を得るこ
とができる。、図３は、半導体装置および実装用基板の
周囲が低温時であるときの断面状態図である。同図に示
すように、半導体装置１０および実装用基板２４を低温
下の環境に設置すると、熱膨張係数の違いから、端子用
パッド２６の間のピッチ（Ｐ１）が、接続用バンプ１６
の間のピッチ（Ｐ２）に対して狭まろうとする。
【００３６】すなわち
【００３７】
【数２】 そしてこのような歪みが接続用基板２４に生じると、端
子パッド２６を介して半田部２２側へと前記歪みが伝達
される。
子パッド２６を介して半田部２２側へと前記歪みが伝達
される。
【００３８】このような場合でも樹脂層２０が、この歪
みを吸収し、当該歪みを半田部２２および半導体チップ
１２に及ぶのを防止するため、端子パッド２６から半田
部２２が離反したり、あるいは歪みにより半導体チップ
１２に損傷が発生するのを防止することができる。ゆえ
に本実施の形態に係る半導体装置１０は、実装用基板２
４に実装された状態で高温側から低温側まで温度変化が
あっても、これら温度変化による歪みを吸収することが
できるので、装置自体の信頼性向上を図ることができる
のである。なお本実施の形態においては、熱的歪みを吸
収する場合を説明したが、この場合に限定されることも
なく、例えば、実装用基板２４自体の反りによって生じ
る外力に対しても対応することができるのはいうまでも
ない。
みを吸収し、当該歪みを半田部２２および半導体チップ
１２に及ぶのを防止するため、端子パッド２６から半田
部２２が離反したり、あるいは歪みにより半導体チップ
１２に損傷が発生するのを防止することができる。ゆえ
に本実施の形態に係る半導体装置１０は、実装用基板２
４に実装された状態で高温側から低温側まで温度変化が
あっても、これら温度変化による歪みを吸収することが
できるので、装置自体の信頼性向上を図ることができる
のである。なお本実施の形態においては、熱的歪みを吸
収する場合を説明したが、この場合に限定されることも
なく、例えば、実装用基板２４自体の反りによって生じ
る外力に対しても対応することができるのはいうまでも
ない。
【００３９】以下に、本実施の形態に係る半導体装置１
０の製造手順を説明する。
０の製造手順を説明する。
【００４０】図４と図５は、半導体装置の製造手順を示
した製造工程図である。
した製造工程図である。
【００４１】図４（１）に示すように、半導体チップ１
２の底面１４が表側になるよう、前記半導体チップ１２
を設置する。なお本半導体装置１０の製造工程において
は、半導体チップ１２は、半導体ウェハから切り出され
る前後のどちらであってもよい。そして同図（２）に示
すように、接続用バンプ１６を表面になるよう半導体チ
ップ１２を配置した後は、当該半導体チップ１２の上方
からワイヤボンディングに用いられるキャピラリ２８を
下降させ、ボンディングワイヤ１８の先端を接続用バン
プ１６に取り付けた後、キャピラリ２８を上方に引き上
げ、前記ボンディングワイヤ１８を繰り出すとともに、
これを一定の高さにて切断する。
２の底面１４が表側になるよう、前記半導体チップ１２
を設置する。なお本半導体装置１０の製造工程において
は、半導体チップ１２は、半導体ウェハから切り出され
る前後のどちらであってもよい。そして同図（２）に示
すように、接続用バンプ１６を表面になるよう半導体チ
ップ１２を配置した後は、当該半導体チップ１２の上方
からワイヤボンディングに用いられるキャピラリ２８を
下降させ、ボンディングワイヤ１８の先端を接続用バン
プ１６に取り付けた後、キャピラリ２８を上方に引き上
げ、前記ボンディングワイヤ１８を繰り出すとともに、
これを一定の高さにて切断する。
【００４２】このように鉛直方向にボンディングワイヤ
１８を引き出すことにより、狭い接続用バンプ１６間の
ピッチでもボンディングワイヤ１８の高さを十分に確保
することができる。なお任意の接続用バンプ１６からボ
ンディングワイヤ１８と引き出した後は、隣接する接続
用バンプ１６上にキャピラリ２８を移動させ、同様の作
業を繰り返し行えばよい。
１８を引き出すことにより、狭い接続用バンプ１６間の
ピッチでもボンディングワイヤ１８の高さを十分に確保
することができる。なお任意の接続用バンプ１６からボ
ンディングワイヤ１８と引き出した後は、隣接する接続
用バンプ１６上にキャピラリ２８を移動させ、同様の作
業を繰り返し行えばよい。
【００４３】そして同図（３）に示すように、ワイヤー
ボンディングを用いてボンディングワイヤ１８を接続用
バンプ１６上に形成した後、樹脂を用いて、前記ボンデ
ィングワイヤ１８を封止する。なお樹脂の材質は特に限
定されるものはなく、本実施の形態ではエポキシ系の樹
脂が用いられている。そして樹脂層２０にてボンディン
グワイヤ１８を封止した後は、同図（４）に示すように
その表面をボンディングワイヤ１８の先端が削れるまで
研磨を行う。なお研磨の手段は、バフ研磨やその他研磨
方法（ＣＭＰ等）を用いるようにしてもよく、具体的に
は、研磨速度や研磨面の粗さをもとにその方法を選定す
ればよい。
ボンディングを用いてボンディングワイヤ１８を接続用
バンプ１６上に形成した後、樹脂を用いて、前記ボンデ
ィングワイヤ１８を封止する。なお樹脂の材質は特に限
定されるものはなく、本実施の形態ではエポキシ系の樹
脂が用いられている。そして樹脂層２０にてボンディン
グワイヤ１８を封止した後は、同図（４）に示すように
その表面をボンディングワイヤ１８の先端が削れるまで
研磨を行う。なお研磨の手段は、バフ研磨やその他研磨
方法（ＣＭＰ等）を用いるようにしてもよく、具体的に
は、研磨速度や研磨面の粗さをもとにその方法を選定す
ればよい。
【００４４】こうしてボンディングワイヤ１８の先端ま
で樹脂層２０を研磨した後は、図５（１）に示すように
樹脂層２０の表面に溶剤を塗布し、前記樹脂層２の表面
の一部を取り除く。このように樹脂層２０の取り除きを
行えば溶剤に溶けないボンディングワイヤ１８の先端が
突出し、均一な高さを有したボンディングワイヤ１８を
得ることができる。また当該ボンディングワイヤ１８
は、その大部分が樹脂層２０によって固定されているの
で、外力等がボンディングワイヤ１８に加わっても、当
該ボンディングワイヤ１８が接続用バンプから脱落する
のを防止することができる。
で樹脂層２０を研磨した後は、図５（１）に示すように
樹脂層２０の表面に溶剤を塗布し、前記樹脂層２の表面
の一部を取り除く。このように樹脂層２０の取り除きを
行えば溶剤に溶けないボンディングワイヤ１８の先端が
突出し、均一な高さを有したボンディングワイヤ１８を
得ることができる。また当該ボンディングワイヤ１８
は、その大部分が樹脂層２０によって固定されているの
で、外力等がボンディングワイヤ１８に加わっても、当
該ボンディングワイヤ１８が接続用バンプから脱落する
のを防止することができる。
【００４５】樹脂層２０の表面からボンディングワイヤ
１８の先端を突出させた後は、同図（２）に示すよう
に、前記ボンディングワイヤ１８の先端に半田ボール３
０を搭載したり、あるいは同図（３）に示すようにボン
ディングワイヤ１８の先端に半田ペースト３２の塗布を
行う。このようにボンディングワイヤ１８の先端に半田
ボール３０あるいは半田ペースト３２を搭載した後は、
本半導体装置１０をリフロー炉に投入し、半田ボール３
０あるいは半田ペースト３２を溶融させ、同図（４）に
示すように半田部２２を形成する。
１８の先端を突出させた後は、同図（２）に示すよう
に、前記ボンディングワイヤ１８の先端に半田ボール３
０を搭載したり、あるいは同図（３）に示すようにボン
ディングワイヤ１８の先端に半田ペースト３２の塗布を
行う。このようにボンディングワイヤ１８の先端に半田
ボール３０あるいは半田ペースト３２を搭載した後は、
本半導体装置１０をリフロー炉に投入し、半田ボール３
０あるいは半田ペースト３２を溶融させ、同図（４）に
示すように半田部２２を形成する。
【００４６】そしてこのような工程を経て形成された半
導体装置１０は、すでに個片の状態であるならば、後段
の工程（洗浄工程や検査工程など）に投入すればよく、
また半導体装置１０がダイシング前のウェハ形状である
ならば、本製造工程の後にダイヤモンドカッタ等を用い
て個片の状態にカットし、前述した後段の工程（洗浄工
程や検査工程など）に投入すればよい。
導体装置１０は、すでに個片の状態であるならば、後段
の工程（洗浄工程や検査工程など）に投入すればよく、
また半導体装置１０がダイシング前のウェハ形状である
ならば、本製造工程の後にダイヤモンドカッタ等を用い
て個片の状態にカットし、前述した後段の工程（洗浄工
程や検査工程など）に投入すればよい。
【００４７】なお本実施の形態においては、半田部２２
を接続用端子として説明を行うようにしたが、この形態
に限定されることもなく、例えば、ボンディングワイヤ
１８の先端に半田部２２を設けず、ボンディングワイヤ
１８の先端を接続用端子として用いるようにしてもよ
い。このようにボンディングワイヤ１８の先端を接続用
端子とすれば、ボンディングワイヤのピッチ間をより一
層狭めることが可能になるので、半導体チップの一層の
多ピン化にも対応することが可能になる。
を接続用端子として説明を行うようにしたが、この形態
に限定されることもなく、例えば、ボンディングワイヤ
１８の先端に半田部２２を設けず、ボンディングワイヤ
１８の先端を接続用端子として用いるようにしてもよ
い。このようにボンディングワイヤ１８の先端を接続用
端子とすれば、ボンディングワイヤのピッチ間をより一
層狭めることが可能になるので、半導体チップの一層の
多ピン化にも対応することが可能になる。
【００４８】さらに本実施の形態においては、種々の例
を出して説明を行うこととしたが、これら実施例以外に
も、本発明に係る思想に含まれるものであれば本発明に
適用可能であることはいうまでもない。
を出して説明を行うこととしたが、これら実施例以外に
も、本発明に係る思想に含まれるものであれば本発明に
適用可能であることはいうまでもない。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
半導体チップによれば、チップ本体の接続用バンプにボ
ンディングワイヤを取り付け、このボンディングワイヤ
を実装用基板への接続をなす接続用端子としたことか
ら、実装用基板との熱膨張の差によるストレスが生じて
も、このストレスを吸収し電気的導通を確実にし、信頼
性を向上させることができる。
半導体チップによれば、チップ本体の接続用バンプにボ
ンディングワイヤを取り付け、このボンディングワイヤ
を実装用基板への接続をなす接続用端子としたことか
ら、実装用基板との熱膨張の差によるストレスが生じて
も、このストレスを吸収し電気的導通を確実にし、信頼
性を向上させることができる。
【００５０】また請求項４に記載の半導体装置によれ
ば、半導体チップの接続用バンプから接続用端子を引き
出し、この接続用端子にて実装用基板への実装をなす半
導体装置であって、前記接続用バンプにボンディングワ
イヤを取り付け、このボンディングワイヤを前記接続用
端子としたことから、実装用基板との熱膨張の差による
ストレスが生じても、このストレスを吸収し電気的導通
を確実にし、信頼性を向上させることができる。
ば、半導体チップの接続用バンプから接続用端子を引き
出し、この接続用端子にて実装用基板への実装をなす半
導体装置であって、前記接続用バンプにボンディングワ
イヤを取り付け、このボンディングワイヤを前記接続用
端子としたことから、実装用基板との熱膨張の差による
ストレスが生じても、このストレスを吸収し電気的導通
を確実にし、信頼性を向上させることができる。
【００５１】また請求項７に記載の実装用基板によれ
ば、請求項１に記載の半導体装置を用いたことから、周
囲温度が変化しても前記実装用基板は、確実に動作をす
ることが可能となり、信頼性の向上を図ることができ
る。
ば、請求項１に記載の半導体装置を用いたことから、周
囲温度が変化しても前記実装用基板は、確実に動作をす
ることが可能となり、信頼性の向上を図ることができ
る。
【００５２】そして請求項８に記載の電子機器によれ
ば、請求項４に記載の実装用基板を用いたことから、周
囲温度が変化しても前記電子機器は、上述の実装用基板
を搭載しているので、確実に動作をすることが可能とな
り、信頼性の向上を図ることができる。
ば、請求項４に記載の実装用基板を用いたことから、周
囲温度が変化しても前記電子機器は、上述の実装用基板
を搭載しているので、確実に動作をすることが可能とな
り、信頼性の向上を図ることができる。
【００５３】また請求項９に記載の半導体装置の製造方
法によれば、半導体チップに設けられた接続用バンプに
キャピラリを押し付けた後、これを引き上げることで、
ボンディングワイヤを前記接続用バンプから立ち上がら
せ、前記ボンディングワイヤの先端を実装用基板への実
装をなす接続用端子としたことから、ストレスが加わっ
ても、このストレスを吸収し電気的導通を確実にするこ
とができる半導体装置を汎用の製造技術を用いて製造す
ることができる。
法によれば、半導体チップに設けられた接続用バンプに
キャピラリを押し付けた後、これを引き上げることで、
ボンディングワイヤを前記接続用バンプから立ち上がら
せ、前記ボンディングワイヤの先端を実装用基板への実
装をなす接続用端子としたことから、ストレスが加わっ
ても、このストレスを吸収し電気的導通を確実にするこ
とができる半導体装置を汎用の製造技術を用いて製造す
ることができる。
【００５４】さらに請求項１２に記載の半導体チップの
取付方法によれば、半導体チップの接続用バンプと、実
装用基板とをボンディングワイヤで接続したことから、
実装用基板との熱膨張の差によるストレスが生じても、
このストレスを吸収し電気的導通を確実にし、信頼性を
向上させることができる。
取付方法によれば、半導体チップの接続用バンプと、実
装用基板とをボンディングワイヤで接続したことから、
実装用基板との熱膨張の差によるストレスが生じても、
このストレスを吸収し電気的導通を確実にし、信頼性を
向上させることができる。
【図１】本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】半導体装置および実装用基板の周囲が高温であ
るときの断面状態図である。
るときの断面状態図である。
【図３】半導体装置および実装用基板の周囲が低温であ
るときの断面状態図である。
るときの断面状態図である。
【図４】半導体装置の製造手順を示した製造工程図であ
る。
る。
【図５】半導体装置の製造手順を示した製造工程図であ
る。
る。
【図６】従来の半導体装置における構造を示した断面図
である。
である。
【図７】従来の半導体装置における他の構造を示した断
面図である。
面図である。
１………半導体装置 ２………半導体チップ ３………接続用パッド ４………絶縁層 ５………半田ボール ６………配線層 ７………半導体装置 ８………メタルポスト １０………半導体装置 １２………半導体チップ １４………底面 １６………接続用バンプ １８………ボンディングワイヤ ２０………樹脂層 ２２………半田部 ２４………実装用基板 ２６………端子パッド ２８………キャピラリ ３０………半田ボール ３２………半田ペースト
Claims (13)
- 【請求項１】 チップ本体の接続用バンプにボンディン
グワイヤを取り付け、このボンディングワイヤを実装用
基板への接続をなす接続用端子としたことを特徴とする
半導体チップ。 - 【請求項２】 前記接続用バンプ側に樹脂層を設け、こ
の樹脂層にて前記ボンディングワイヤの保護をなすこと
を特徴とする請求項１に記載の半導体チップ。 - 【請求項３】 前記ボンディングワイヤの先端に半田部
を設け、これを前記接続用端子としたことを特徴とする
請求項１または請求項２に記載の半導体チップ。 - 【請求項４】 半導体チップの接続用バンプから接続用
端子を引き出し、この接続用端子にて実装用基板への実
装をなす半導体装置であって、前記接続用バンプにボン
ディングワイヤを取り付け、このボンディングワイヤを
前記接続用端子としたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 前記接続用バンプ側に樹脂層を設け、こ
の樹脂層にて前記ボンディングワイヤの保護をなすこと
を特徴とする請求項４に記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記ボンディングワイヤの先端に半田部
を設け、これを前記接続用端子としたことを特徴とする
請求項４または請求項５に記載の半導体装置。 - 【請求項７】 請求項４に記載の半導体装置を用いたこ
とを特徴とする実装用基板。 - 【請求項８】 請求項７に記載の実装用基板を用いたこ
とを特徴とする電子機器。 - 【請求項９】 半導体チップに設けられた接続用バンプ
にキャピラリを押し付けた後、これを引き上げること
で、ボンディングワイヤを前記接続用バンプから立ち上
がらせ、前記ボンディングワイヤの先端を実装用基板へ
の実装をなす接続用端子としたことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１０】 ボンディングワイヤを前記接続用バン
プから立ち上がらせた後、前記ボンディングワイヤを樹
脂で封止し、当該樹脂表面への研磨により前記ボンディ
ングワイヤの先端の高さを揃えた後、前記樹脂の除去に
より前記ボンディングワイヤを突出させ、これを前記接
続用端子としたことを特徴とする請求項９に記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記ボンディングワイヤの先端に半田
部を取り付け、これを前記接続用端子としたことを特徴
とする請求項９または請求項１０に記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項１２】 半導体チップの接続用バンプと、実装
用基板とをボンディングワイヤで接続したことを特徴と
する半導体チップの取付構造。 - 【請求項１３】 前記半導体チップと前記実装用基板と
の間に樹脂層を設け、この樹脂層にて前記ボンディング
ワイヤの保護をなすことを特徴とする請求項１２に記載
の半導体チップの取付構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000263671A JP2002076058A (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 半導体チップ、半導体装置、実装用基板、電気機器および半導体装置の製造方法、ならびに半導体チップの取付構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000263671A JP2002076058A (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 半導体チップ、半導体装置、実装用基板、電気機器および半導体装置の製造方法、ならびに半導体チップの取付構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002076058A true JP2002076058A (ja) | 2002-03-15 |
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|---|---|---|---|
| JP2000263671A Withdrawn JP2002076058A (ja) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 半導体チップ、半導体装置、実装用基板、電気機器および半導体装置の製造方法、ならびに半導体チップの取付構造 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002076058A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016086047A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-08-31 JP JP2000263671A patent/JP2002076058A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016086047A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
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