JP2002075856A - Load-lock chamber and aligner using the same - Google Patents
Load-lock chamber and aligner using the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、露光光として紫外
光を用い、装置内を不活性ガスで置換し、マスクのパタ
ーンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置
に好ましく適用され連続操作が可能なロードロックチャ
ンバに関する。また、該ロードロックチャンバを備えた
露光装置、及び連続操作を可能とする露光方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is preferably applied to an exposure apparatus that uses ultraviolet light as exposure light, replaces the interior of the apparatus with an inert gas, and irradiates a mask pattern onto a photosensitive substrate via a projection optical system. The present invention relates to a load lock chamber capable of continuous operation. In addition, the present invention relates to an exposure apparatus having the load lock chamber and an exposure method that enables continuous operation.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、ＬＳＩあるいは超ＬＳＩなどの極
微細パターンから形成される半導体素子の製造工程にお
いて、マスクに描かれた回路パターンを感光剤が塗布さ
れた基板上に縮小投影して焼き付け形成する縮小型投影
露光装置が使用されている。半導体素子の実装密度の向
上に伴いパターンのより一層の微細化が要求され、レジ
ストプロセスの発展と同時に露光装置の微細化への対応
がなされてきた。2. Description of the Related Art Conventionally, in the process of manufacturing a semiconductor device formed from an ultra-fine pattern such as an LSI or a super LSI, a circuit pattern drawn on a mask is reduced and projected onto a substrate coated with a photosensitive agent and printed. A reduction type projection exposure apparatus is used. As the mounting density of semiconductor elements has increased, further miniaturization of patterns has been demanded, and the development of resist processes has responded to the miniaturization of exposure apparatuses.
【０００３】露光装置の解像力を向上させる手段として
は、露光波長をより短波長に変えていく方法と、投影光
学系の開口数（ＮＡ）を大きくしていく方法とがある。As means for improving the resolving power of the exposure apparatus, there are a method of changing the exposure wavelength to a shorter wavelength and a method of increasing the numerical aperture (NA) of the projection optical system.
【０００４】露光波長については、３６５ｎｍのｉ線か
ら最近では２４８ｎｍ付近の発振波長を有するＫｒＦエ
キシマレーザ、１９３ｎｍ付近の発振波長を有するＡｒ
Ｆエキシマレーザの開発が行なわれている。更に、１５
７ｎｍ付近の発振波長を有するフッ素（Ｆ2 ）エキシマ
レーザの開発が行なわれている。With respect to the exposure wavelength, a KrF excimer laser having an oscillation wavelength of about 248 nm from an i-line of 365 nm and an Ar having an oscillation wavelength of about 193 nm have recently been used.
An F excimer laser is being developed. In addition, 15
A fluorine (F 2 ) excimer laser having an oscillation wavelength of about 7 nm has been developed.
【０００５】遠紫外線とりわけ１９３ｎｍ付近の波長を
有するＡｒＦエキシマレーザや、１５７ｎｍ付近の発振
波長を有するフッ素（Ｆ2 ）エキシマレーザにおいて
は、これら波長付近の帯域には酸素（Ｏ2 ）の吸収帯が
複数存在することが知られている。[0005] In a deep ultraviolet ray, especially in an ArF excimer laser having a wavelength of about 193 nm or a fluorine (F 2 ) excimer laser having an oscillation wavelength of about 157 nm, an absorption band of oxygen (O 2 ) is present in a band near these wavelengths. It is known that there are a plurality.
【０００６】例えば、フッ素エキシマレーザーは波長が
１５７ｎｍと短いため、露光装置への応用が進められて
いるが、１５７ｎｍという波長は一般に真空紫外と呼ば
れる波長領域にある。この波長領域では酸素分子による
光の吸収が大きいため、大気はほとんど光を透過せず、
真空に近くまで気圧を下げ、酸素濃度を充分下げた環境
でしか応用ができないためである。文献、「Ｐｈｏｔｏ
ｃｈｅｍｉｓｔｒｙｏｆ Ｓｍａｌｌ Ｍｏｌｅｃｕｌ
ｅｓ」（Ｈｉｄｅｏ Ｏｋａｂｅ著、Ａ Ｗｉｌｅｙ−
Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ、
１９７８年、１７８頁）によると波長１５７ｎｍの光に
対する酸素の吸収係数は約１９０ａｔｍ-1ｃｍ-1であ
る。これは１気圧中で１％の酸素濃度の気体中を波長１
５７ｎｍの光が通過すると１ｃｍあたりの透過率Ｔは Ｔ＝ｅｘｐ（−１９０×１ｃｍ×０．０１ａｔｍ）＝
０．１５０ しかないことを示す。For example, since a fluorine excimer laser has a short wavelength of 157 nm, it is being applied to an exposure apparatus, but the wavelength of 157 nm is in a wavelength region generally called vacuum ultraviolet. In this wavelength range, light is absorbed by oxygen molecules, so the atmosphere hardly transmits light,
This is because it can be applied only in an environment in which the oxygen concentration is sufficiently reduced by reducing the pressure to a level close to vacuum. Literature, "Photo
chemistryof Small Molecul
es "(Hideo Okabe, A Wiley-
Interscience Publication,
According to 1978, p. 178), the absorption coefficient of oxygen for light having a wavelength of 157 nm is about 190 atm -1 cm -1 . This means that a gas with a 1% oxygen concentration at 1 atm.
When light of 57 nm passes, the transmittance T per cm is T = exp (−190 × 1 cm × 0.01 atm) =
0.150.
【０００７】また、酸素が上記光を吸収することにより
オゾン（Ｏ3 ）が生成され、このオゾンが光の吸収をよ
り増加させ、透過率を著しく低下させることに加え、オ
ゾンに起因する各種生成物が光学素子表面に付着し、光
学系の効率を低下させる。従って、ＡｒＦエキシマレー
ザ、フッ素（Ｆ2 ）エキシマレーザ等の遠紫外線を光源
とする投影露光装置の露光光学系の光路においては、窒
素等の不活性ガスによるパージ手段によって、光路中に
存在する酸素濃度を数ｐｐｍオーダー以下の低レベルに
おさえる方法がとられている。Oxygen (O 3 ) is generated when oxygen absorbs the light, and the ozone further increases the absorption of light and remarkably lowers the transmittance. Objects adhere to the surface of the optical element and reduce the efficiency of the optical system. Therefore, in the optical path of the exposure optical system of a projection exposure apparatus using far ultraviolet rays as a light source such as an ArF excimer laser or a fluorine (F 2 ) excimer laser, oxygen present in the optical path is purged by an inert gas such as nitrogen. A method of keeping the concentration at a low level of several ppm or less has been adopted.
【０００８】このように、遠紫外線とりわけ１９３ｎｍ
付近の波長を有するＡｒＦエキシマレーザや、１５７ｎ
ｍ付近の波長を有するフッ素（Ｆ2 ）エキシマレーザ光
を利用した露光装置においては、ＡｒＦエキシマレーザ
光や、フッ素（Ｆ2 ）エキシマレーザ光が非常に物質に
吸収されやすいため、光路内を数ｐｐｍオーダー以下で
パージする必要がある。また水（Ｈ2 Ｏ）に対しても同
様のことが言え、やはり、ｐｐｍオーダー以下までの除
去が必要である。As described above, far ultraviolet rays, especially 193 nm
ArF excimer laser having a wavelength around 157n
In an exposure apparatus using a fluorine (F 2 ) excimer laser beam having a wavelength near m, the ArF excimer laser beam and the fluorine (F 2 ) excimer laser beam are very easily absorbed by a substance. It is necessary to purge in the order of ppm or less. The same can be said for water (H 2 O), and it is necessary to remove water to the order of ppm or less.
【０００９】このため露光装置内、とりわけ紫外光の光
路となる部分に対しては不活性ガスでパージすることが
行われている。また、露光装置内部と外部を連絡する部
分には、ロードロック機構が設けられ、外部からレチク
ルやウエハを搬入する場合には、一旦外気と遮断し、ロ
ードロック機構内の不純物を不活性ガスでパージした
後、露光装置内部に搬入していた。For this reason, purging with an inert gas is performed in the exposure apparatus, particularly in a portion that becomes an optical path of ultraviolet light. A load lock mechanism is provided at a portion connecting the inside and the outside of the exposure apparatus. When a reticle or a wafer is carried in from outside, the load lock mechanism is temporarily shut off from the outside air, and impurities in the load lock mechanism are purged with an inert gas. After purging, it was carried into the exposure apparatus.
【００１０】図１はフッ素（Ｆ2 ）エキシマレーザを光
源とし、ロードロック機構を有する半導体露光装置の一
例を示す断面模式図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of a semiconductor exposure apparatus using a fluorine (F 2 ) excimer laser as a light source and having a load lock mechanism.
【００１１】図１において、１はパターンの描画された
レチクルを搭載するレチクルステージ、２はレチクル上
のパターンをウエハに投影する投影光学系、３はウエハ
を搭載しＸ、Ｙ、Ｚ、θおよびチルト方向に駆動するウ
エハステージ、４は照明光をレチクル上に照射するため
の照明光学系、５は光源からの光を照明光学系４に導光
する引き回し光学系、６は光源であるフッ素（Ｆ2 ）エ
キシマレーザ部、７はレチクル上のパターン領域以外が
照明されないように露光光を遮光するマスキングブレー
ド、８および９は各々レチクルステージ１およびウエハ
ステージ３周囲の露光光軸を覆う筐体、１０は投影光学
系２および照明光学系４の内部を所定のＨｅ雰囲気に調
節するＨｅ空調機、１１および１２は筐体８および９の
各々の内部を所定のＮ2 雰囲気に調節するＮ2 空調機、
１３および１４はレチクルおよびウエハを各々筐体８お
よび９内に搬入する時に使用するレチクルロードロック
およびウエハロードロック、１５および１６は各々レチ
クルおよびウエハを搬送するためのレチクルハンドおよ
びウエハハンド、１７はレチクルの位置調節に用いるレ
チクルアライメントマーク、１８は複数のレチクルを筐
体８内で保管するレチクル保管庫、１９はウエハのプリ
アライメントを行うプリアライメント部である。In FIG. 1, 1 is a reticle stage on which a reticle on which a pattern is drawn is mounted, 2 is a projection optical system for projecting a pattern on the reticle onto a wafer, 3 is a wafer mounted, and X, Y, Z, θ and The wafer stage 4 is driven in the tilt direction, 4 is an illumination optical system for irradiating illumination light onto the reticle, 5 is a routing optical system for guiding light from a light source to the illumination optical system 4, and 6 is a light source fluorine ( F 2 ) an excimer laser unit, 7 is a masking blade that blocks exposure light so as not to illuminate areas other than the pattern area on the reticle, 8 and 9 are housings that cover the exposure optical axis around the reticle stage 1 and wafer stage 3, respectively. Reference numeral 10 denotes a He air conditioner for adjusting the inside of the projection optical system 2 and the illumination optical system 4 to a predetermined He atmosphere. Reference numerals 11 and 12 denote the insides of the housings 8 and 9 respectively. N 2 air conditioner for adjusting the N 2 atmosphere,
Reference numerals 13 and 14 denote reticle load locks and wafer load locks used when loading the reticle and wafer into the housings 8 and 9, respectively. Reference numerals 15 and 16 denote reticle hands and wafer hands for transferring the reticle and wafer, respectively. A reticle alignment mark used for adjusting the position of the reticle, 18 is a reticle storage for storing a plurality of reticles in the housing 8, and 19 is a pre-alignment unit for performing pre-alignment of wafers.
【００１２】図２はフッ素（Ｆ2 ）エキシマレーザを光
源とし、ロードロック機構を有する半導体露光装置の他
の例を示す断面模式図である。FIG. 2 is a schematic sectional view showing another example of a semiconductor exposure apparatus having a load lock mechanism using a fluorine (F 2 ) excimer laser as a light source.
【００１３】図２の露光装置では、露光装置全体が筐体
２０で覆われており、その内部のＯ 2 およびＨ2 ＯがＮ
2 ガスによりパージされている。２１は、筐体２０全体
をＮ 2 雰囲気にするための空調機である。本露光装置で
は、鏡筒２と照明光学系４の内部空間は各々筐体２０の
内部空間（駆動系空間）と隔離されており、独立にＨｅ
雰囲気に調節されている。１３および１４はレチクルお
よびウエハを各々筐体８および９内に搬入する時に使用
するレチクルロードロックおよびウエハロードロックで
ある。In the exposure apparatus shown in FIG. 2, the entire exposure apparatus is a housing.
20 and the O inside Two And HTwo O is N
Two Purged by gas. 21 is the entire housing 20
To N Two It is an air conditioner for creating an atmosphere. With this exposure equipment
The inner space of the lens barrel 2 and the illumination optical system 4 is
It is isolated from the internal space (drive system space) and is independent of He
The atmosphere is adjusted. 13 and 14 are reticle
And when loading wafers into cases 8 and 9 respectively
Reticle load lock and wafer load lock
is there.
【００１４】図３は、図１及び２に示した露光装置と、
コート・ディベロップ装置とを含む半導体製造システム
の一例を示す模式図である。図３において、２２はウエ
ハにレジストを塗布するコータと露光後のウエハを現像
するディベロッパを有するコート・ディベロップ装置、
２３は露光装置、２４はコート・ディベロップ装置２２
と露光装置２３の間でウエハの受け渡しを行うインタフ
ェース部である。また、２５および２６はインラインポ
ート部、２８および２９は手動搬入搬出ポート部であ
り、これらの各ポート部にもロードロック機構およびＮ
2 ガスを導入する機能を備えている。プリアライメント
部１９においてはウエハの伸縮による測定不良を予防す
るため、所定温度のウエハに対してプリアライメントを
行う。２７は、プリアライメントの前にウエハを上記所
定温度に調節するためのウエハ温調部である。FIG. 3 shows the exposure apparatus shown in FIGS.
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of a semiconductor manufacturing system including a coat developing device. In FIG. 3, reference numeral 22 denotes a coat developing apparatus having a coater for applying a resist to a wafer and a developer for developing the exposed wafer;
23 is an exposure device, 24 is a coat development device 22
And an exposure unit for transferring a wafer between the exposure apparatus 23 and the exposure apparatus 23. Reference numerals 25 and 26 denote in-line ports, reference numerals 28 and 29 denote manual carry-in / out ports, and a load lock mechanism and an N
It has a function to introduce two gases. The pre-alignment unit 19 performs pre-alignment on a wafer at a predetermined temperature in order to prevent measurement failure due to expansion and contraction of the wafer. Reference numeral 27 denotes a wafer temperature control section for adjusting the wafer to the predetermined temperature before the pre-alignment.
【００１５】[0015]
【発明が解決しようとする課題】上記の通り、紫外線と
りわけＡｒＦエキシマレーザ光やフッ素（Ｆ2 ）エキシ
マレーザ光を利用した露光装置においては、ＡｒＦエキ
シマレーザ光や、フッ素（Ｆ2 ）エキシマレーザ光の発
振波長付近における酸素及び水による吸収が大きいた
め、充分な透過率と安定性を得るためには酸素及び水の
濃度を低減し、これらの濃度を厳密に制御するため、露
光装置内部と外部を連絡する部分には、ロードロック機
構が設けられ、外部からレチクルやウエハを搬入する場
合には、一旦外気と遮断し、ロードロック機構内の不純
物を不活性ガスでパージした後、露光装置内部に搬入し
ていた。As described above, in an exposure apparatus utilizing ultraviolet light, especially ArF excimer laser light or fluorine (F 2 ) excimer laser light, ArF excimer laser light or fluorine (F 2 ) excimer laser light Since the absorption by oxygen and water near the oscillation wavelength is large, the concentrations of oxygen and water are reduced to obtain sufficient transmittance and stability, and these concentrations are strictly controlled. A load lock mechanism is provided at the part where the load lock mechanism is connected. When a reticle or wafer is carried in from the outside, the load lock mechanism is temporarily shut off from the outside air, impurities in the load lock mechanism are purged with an inert gas, and then the inside of the exposure apparatus is removed. Had been brought in.
【００１６】このように、フッ素（Ｆ2 ）エキシマレー
ザ光の透過率やその安定性を確保するために、投影レン
ズ端面や測長用干渉光学系を含むウエハステージ（レチ
クルステージ）全体を気密チャンバ内に配置し、この中
全体を高純度不活性ガスでパージするだけでなく、さら
に内部の不活性ガス濃度や気圧を一定に保ったまま、こ
の気密チャンバ内にウエハやレチクルを搬入出するため
に、ロードロック室を気密チャンバに隣接して配置して
いる。しかしながら、ロードロック室はウエハが十数枚
から二十数枚程度収納できる容積を持ち、複数枚のウエ
ハを収納した上で、不活性ガスでパージするため、所定
の不活性ガス濃度となるのに多くの時間を要し、露光装
置の生産性を落とす原因となっていた。As described above, in order to secure the transmittance of fluorine (F 2 ) excimer laser light and its stability, the entire wafer stage (reticle stage) including the end surface of the projection lens and the interference optical system for length measurement is sealed in an airtight chamber. Not only for purging the whole with high-purity inert gas, but also for loading and unloading wafers and reticles into and from this hermetic chamber while maintaining the inert gas concentration and pressure inside. In addition, a load lock chamber is arranged adjacent to the airtight chamber. However, the load lock chamber has a volume that can accommodate about ten to twenty and several wafers, and after purging with an inert gas after storing a plurality of wafers, a predetermined inert gas concentration may be obtained. It takes a lot of time to reduce the productivity of the exposure apparatus.
【００１７】また、ロードロック室には厳密に外気と遮
断するために扉が必要であり、その開閉動作に時間を要
していた。更に開閉扉のスペースのため装置全体の大型
化を招いていた。Further, a door is required in the load lock chamber to strictly shut off the outside air, and it takes time to open and close the door. In addition, the space for the opening / closing door has led to an increase in the size of the entire apparatus.
【００１８】そこで、ウエハを収納するための空間容積
を非常に小さくでき、所定の不活性ガス雰囲気に到達さ
せるためのパージ時間を少なくでき、ロードロック室の
不活性ガス濃度を劣化させないようにし、装置の生産性
を向上させることが可能なロードロック機構の開発が求
められていた。Therefore, the space volume for accommodating the wafer can be made very small, the purge time for reaching a predetermined inert gas atmosphere can be shortened, and the inert gas concentration in the load lock chamber is prevented from deteriorating. There has been a demand for the development of a load lock mechanism capable of improving the productivity of the device.
【００１９】本発明は、上述の問題点に鑑みてなされた
もので、露光光として紫外光を用い、装置内を不活性ガ
スで置換し、マスクのパターンを投影光学系を介して感
光基板に照射する露光装置に好ましく用いられる連続ロ
ードロックチャンバを開発することを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and uses ultraviolet light as exposure light, replaces the inside of the apparatus with an inert gas, and transfers a mask pattern onto a photosensitive substrate via a projection optical system. An object of the present invention is to develop a continuous load lock chamber preferably used for an exposure apparatus for irradiation.
【００２０】[0020]
【課題を解決するための手段および作用】上記の目的を
達成するために、本発明のロードロックチャンバは、露
光装置にレチクル及び／またはウエハを搬入・搬出する
連続ロードロックチャンバであって、一枚または複数枚
のレチクルまたはウエハを載置する切り込み平面を有す
るレチクルまたはウエハ搭載台と、前記搭載台を昇降さ
せる昇降軸及び昇降駆動部と、前記搭載台の側壁と微小
な隙間を有するはめ合い穴と、前記はめ合い穴内に前記
搭載台を移動させて、前記レチクルまたはウエハを載置
した搭載台を収納・排出するロードロックチャンバ本体
とを備える。In order to achieve the above object, a load lock chamber of the present invention is a continuous load lock chamber for loading and unloading a reticle and / or a wafer into and from an exposure apparatus. A reticle or wafer mounting table having a cut plane for mounting one or more reticles or wafers, an elevating shaft and an elevating drive unit for elevating and lowering the mounting table, and a fit having a minute gap with a side wall of the mounting table A hole, and a load lock chamber main body that moves the mounting table into the fitting hole and stores and discharges the mounting table on which the reticle or wafer is mounted.
【００２１】また、本発明のロードロックチャンバは、
前記ロードロックチャンバ本体のはめ合い穴の前記搭載
台と面する側面に一個または複数個のパージ用不活性ガ
ス流通路を設け、前記レチクルまたはウエハを載置する
切り込み平面へ不活性ガスを供給することができる。こ
こで、前記一個または複数個のパージ用不活性ガス流通
路は、前記ロードロックチャンバ本体のはめ合い穴の周
囲に放射状に配置することができる。また、前記複数個
のパージ用不活性ガス流通路が、パージ用不活性ガス供
給口を有するとともに、パージ用不活性ガス排出口を有
するものであることができる。更に、前記搭載台の前記
ロードロックチャンバ本体のはめ合い穴と面する側壁に
一個または複数個のパージ用不活性ガス流通路を設け、
前記レチクルまたはウエハを載置する切り込み平面へ不
活性ガスを供給することができる。Further, the load lock chamber of the present invention comprises:
One or a plurality of purging inert gas passages are provided on the side of the fitting hole of the load lock chamber body facing the mounting table, and the inert gas is supplied to a cutting plane on which the reticle or wafer is mounted. be able to. Here, the one or more inert gas passages for purging may be radially arranged around a fitting hole of the load lock chamber body. Further, the plurality of inert gas flow passages for purging may have an inert gas supply port for purging and an outlet for inert gas for purging. Further, one or a plurality of purging inert gas flow passages are provided on a side wall facing the fitting hole of the load lock chamber body of the mounting table,
An inert gas can be supplied to a cutting plane on which the reticle or wafer is placed.
【００２２】また、本発明のロードロックチャンバは、
前記ロードロックチャンバ本体のはめ合い穴と面する前
記搭載台の側面に一個または複数個の静圧軸受け用不活
性ガス溝を設け、不活性ガスパージ中の切り込み平面内
の空間への外気の流入を防止しつつ、かつ、前記搭載台
の移動を非接触にすることができる。ここで、前記一個
または複数個の静圧軸受け用不活性ガス溝が、前記ロー
ドロックチャンバ本体の搭載台の周囲に配置された環状
溝であることができる。Also, the load lock chamber of the present invention
One or a plurality of inert gas grooves for static pressure bearings are provided on the side of the mounting table facing the fitting holes of the load lock chamber main body to prevent outside air from flowing into the space within the cut plane during inert gas purging. It is possible to prevent the mounting table from moving while preventing it. Here, the one or more inert gas grooves for static pressure bearings may be annular grooves arranged around a mount of the load lock chamber main body.
【００２３】また、本発明のロードロックチャンバは、
前記ロードロックチャンバ本体のはめ合い穴の前記搭載
台と面する側面に一個または複数個の静圧軸受け用不活
性ガス溝を設け、不活性ガスパージ中の切り込み平面内
の空間への外気の流入を防止しつつ、かつ、前記搭載台
の移動を非接触にすることができる。ここで、前記一個
または複数個の静圧軸受け用不活性ガス溝が、前記ロー
ドロックチャンバ本体のはめ合い穴の周囲に配置された
環状溝であることができる。Further, the load lock chamber of the present invention comprises:
One or a plurality of inert gas grooves for static pressure bearings are provided on the side of the fitting hole of the load lock chamber body facing the mounting table to prevent outside air from flowing into the space within the cut plane during inert gas purging. It is possible to prevent the mounting table from moving while preventing it. Here, the one or more inert gas grooves for static pressure bearings may be annular grooves disposed around fitting holes of the load lock chamber body.
【００２４】また、静圧軸受け用ガス溝を設けず、前記
はめ合い穴と前記搭載台との微少なスキマは、別に設け
た軸受け構造で保証し、はめ合い穴と搭載台の相対する
側面の何れか一方あるいは両方にラビリンスシール溝を
設け、不活性ガスパージ中の切り込み平面内の空間への
外気の流入を防止しつつ、かつ、前記搭載台の移動を非
接触にすることができる。Further, without providing a gas groove for a static pressure bearing, a minute clearance between the fitting hole and the mounting table is ensured by a separately provided bearing structure. A labyrinth seal groove is provided on one or both of the grooves to prevent outside air from flowing into a space within the cut plane during inert gas purging, and to make the movement of the mounting table non-contact.
【００２５】また、本発明のロードロックチャンバは、
前記ロードロックチャンバ本体が円筒形状であることが
好ましい。ここで、前記昇降軸が回転可能であることが
できる。Also, the load lock chamber of the present invention
It is preferable that the load lock chamber body has a cylindrical shape. Here, the elevating shaft may be rotatable.
【００２６】また、本発明の露光装置は、露光光として
紫外光を用い、装置内を不活性ガスで置換し、レチクル
のパターンを投影光学系を介してウエハに照射する露光
装置において、レチクル及び／またはウエハを搬入・搬
出するロードロックチャンバとして前記のロードロック
チャンバを備えている。ここで、前記ロードロックチャ
ンバが一基であり、露光装置内へのレチクル及び／また
はウエハの搬入と搬出を兼ねるものである場合と、前記
ロードロックチャンバが二基以上であり、露光装置内へ
のレチクル及び／またはウエハの搬入と搬出を兼ねるも
のであるか、あるいは露光装置内へのレチクル及び／ま
たはウエハの搬入用と露光装置外へのレチクル及び／ま
たはウエハの搬出を行うものに分ける場合が含まれる。The exposure apparatus of the present invention uses ultraviolet light as exposure light, replaces the inside of the apparatus with an inert gas, and irradiates a wafer with a reticle pattern via a projection optical system. The load lock chamber is provided as a load lock chamber for loading / unloading a wafer. Here, the case where the number of the load lock chambers is one and the function is to load and unload the reticle and / or the wafer into the exposure apparatus, and the case where the number of the load lock chambers is two or more and When the reticle and / or wafer is loaded and unloaded at the same time, or when the reticle and / or wafer is loaded into the exposure apparatus and the reticle and / or wafer is unloaded outside the exposure apparatus. Is included.
【００２７】また、本発明の露光装置は、前記紫外光が
レーザを光源とするレーザ光とであることができ、例え
ば、前記レーザ光はフッ素エキシマレーザやＡｒＦエキ
シマレーザが挙げられる。In the exposure apparatus of the present invention, the ultraviolet light may be laser light using a laser as a light source. Examples of the laser light include a fluorine excimer laser and an ArF excimer laser.
【００２８】また、本発明の露光装置は、前記露光光の
光路内を置換する前記不活性ガスが、窒素、ヘリウム、
アルゴンから選ばれる１種であることができる。Further, in the exposure apparatus of the present invention, the inert gas for replacing the inside of the optical path of the exposure light may be nitrogen, helium,
It can be one selected from argon.
【００２９】また、本発明の露光装置は、前記露光装置
内を不活性ガスで充填させるパージ手段を備えることが
できる。Further, the exposure apparatus of the present invention can be provided with a purge means for filling the inside of the exposure apparatus with an inert gas.
【００３０】また、本発明の露光方法は、露光光として
紫外光を用い、装置内を不活性ガスで置換し、レチクル
のパターンを投影光学系を介してウエハに照射する露光
方法において、レチクル及び／またはウエハを搬入・搬
出するロードロックチャンバとして前記のロードロック
チャンバを用いる。ここで、前記ロードロックチャンバ
を一基または複数基用い、これらのロードロックチャン
バを搬入ポート兼搬出ポートとして併用することができ
る。更にここで、前記搬入ポート兼搬出ポートして併用
する連続ロードロックチャンバを複数基用いるととも
に、これらの連続ロードロックチャンバを搬入及び搬出
の各ステップ毎にずらせて用いることにより、露光を連
続化することができる。あるいは、前記連続ロードロッ
クチャンバを複数基用い、これらの連続ロードロックチ
ャンバを搬入専用ポートと搬出専用ポートして分けて用
いることができる。ここで、前記搬入専用ポートである
複数基の前記連続ロードロックチャンバが複数のスロッ
トを有し、各スロットをステップ毎にずらせて用いると
ともに、前記搬出専用ポートである複数基の前記連続ロ
ードロックチャンバが複数のスロットを有し、各スロッ
トをステップ毎にずらせて用いることにより、露光を連
続化することができる。また、上記の各ステップとして
は、少なくとも、基板（レチクルまたはウエハ）のロ
ードロックチャンバへの搬入、搭載台の上昇（下
降）、ロードロックチャンバ内のパージ、基板（レ
チクルまたはウエハ）の露光装置内への搬出、の各ステ
ップを含むことができる。Further, according to the exposure method of the present invention, an ultraviolet light is used as exposure light, the inside of the apparatus is replaced with an inert gas, and a reticle pattern is irradiated on a wafer via a projection optical system. The load lock chamber is used as a load lock chamber for loading / unloading a wafer. Here, one or a plurality of the load lock chambers can be used, and these load lock chambers can be used in combination as a carry-in port and a carry-out port. Further, here, a plurality of continuous load-lock chambers used in combination as the carry-in port and the carry-out port are used, and the continuous load-lock chambers are used by being shifted for each step of carry-in and carry-out, thereby making exposure continuous. be able to. Alternatively, a plurality of the continuous load lock chambers may be used, and these continuous load lock chambers may be separately used as a carry-in port and a carry-out port. Here, the plurality of continuous load lock chambers, which are the carry-in only ports, have a plurality of slots, and the slots are used by being shifted for each step, and the plurality of continuous load lock chambers, which are the carry-out only ports, are provided. Has a plurality of slots, and the slots can be shifted for each step so that exposure can be continuous. In addition, the above steps include, at least, loading a substrate (reticle or wafer) into the load lock chamber, raising (lowering) the mounting table, purging the load lock chamber, and exposing the substrate (reticle or wafer) to the exposure apparatus. To each other.
【００３１】また、本発明は、上記の露光装置を含む各
種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する
工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって
半導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴と
する半導体デバイス製造方法、前記製造装置群をローカ
ルエリアネットワークで接続する工程と、前記ローカル
エリアネットワークと前記半導体製造工場外の外部ネッ
トワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも１台に
関する情報をデータ通信する工程とをさらに有する方
法、及び前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが提
供するデータベースに前記外部ネットワークを介してア
クセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守情報
を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導体製
造工場との間で前記外部ネットワークを介してデータ通
信して生産管理を行う方法である。Further, the present invention provides a step of installing a manufacturing apparatus group for various processes including the above-described exposure apparatus in a semiconductor manufacturing factory, and a step of manufacturing a semiconductor device by a plurality of processes using the manufacturing apparatus group. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: connecting the group of manufacturing apparatuses via a local area network; and between the local area network and an external network outside the semiconductor manufacturing plant, at least the manufacturing apparatus group. Data communication of information about one apparatus, and a database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus is accessed via the external network to obtain maintenance information of the manufacturing apparatus by data communication; or Between the semiconductor manufacturing plant and another semiconductor manufacturing plant A method of performing production management by data communication via the part network.
【００３２】また、本発明は、上記の露光装置を含む各
種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続する
ローカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネッ
トワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能
にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくと
も１台に関する情報をデータ通信することを可能にした
半導体製造工場である。Further, the present invention provides a manufacturing apparatus group for various processes including the above-described exposure apparatus, a local area network connecting the manufacturing apparatus group, and an external network outside the factory from the local area network. A semiconductor manufacturing plant having a gateway to perform data communication of information on at least one of the manufacturing equipment groups.
【００３３】また、本発明は、半導体製造工場に設置さ
れた上記の露光装置の保守方法であって、前記露光装置
のベンダーもしくはユーザーが、半導体製造工場の外部
ネットワークに接続された保守データベースを提供する
工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワー
クを介して前記保守データベースへのアクセスを許可す
る工程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報
を前記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送
信する工程とを有することを特徴とする。The present invention also relates to a method for maintaining an exposure apparatus installed in a semiconductor manufacturing plant, wherein a vendor or a user of the exposure apparatus provides a maintenance database connected to an external network of the semiconductor manufacturing factory. And allowing the access to the maintenance database from within the semiconductor manufacturing plant via the external network, and transmitting maintenance information stored in the maintenance database to the semiconductor manufacturing plant side via the external network. And a step of performing
【００３４】また、本発明は、上記の露光装置におい
て、ディスプレイと、ネットワークインターフェース
と、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュー
タとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュータ
ネットワークを介してデータ通信することを可能にす
る。ここで、前記ネットワーク用ソフトウェアは、前記
露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接続さ
れ前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが提供する
保守データベースにアクセスするためのユーザーインタ
ーフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネ
ットワークを介して該データベースから情報を得ること
を可能にする。According to the present invention, there is provided the above-mentioned exposure apparatus, further comprising a display, a network interface, and a computer for executing network software, and performing data communication of maintenance information of the exposure apparatus via a computer network. Enable. Here, the network software provides a user interface on the display for accessing a maintenance database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus connected to an external network of a factory where the exposure apparatus is installed, It allows information to be obtained from the database via the external network.
【００３５】[0035]
【発明の実施の形態】本発明の連続ロードロックチャン
バが適用される露光装置は制限されず、露光光として紫
外光を用い、装置内を不活性ガスで置換し、マスクのパ
ターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装
置であれば公知のものに適用される。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An exposure apparatus to which the continuous load lock chamber of the present invention is applied is not limited. Ultraviolet light is used as exposure light, the inside of the apparatus is replaced with an inert gas, and a mask pattern is projected onto a projection optical system. Any known exposure apparatus that irradiates a photosensitive substrate through the above-described method can be used.
【００３６】また、本発明の露光装置に用いる露光光と
しての紫外光は制限されないが、従来技術で述べたよう
に、遠紫外線とりわけ１９３ｎｍ付近の波長を有するＡ
ｒＦエキシマレーザや、１５７ｎｍ付近の波長を有する
フッ素（Ｆ2 ）エキシマレーザ光に対して有効である。The ultraviolet light used as the exposure light used in the exposure apparatus of the present invention is not limited. However, as described in the prior art, far ultraviolet rays, especially A having a wavelength around 193 nm, are used.
It is effective for rF excimer laser and fluorine (F 2 ) excimer laser light having a wavelength around 157 nm.
【００３７】[0037]
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００３８】（実施例１）図４は、本発明の一実施例に
係る連続ロードロックチャンバの概略斜視図である。Embodiment 1 FIG. 4 is a schematic perspective view of a continuous load lock chamber according to one embodiment of the present invention.
【００３９】図４において、連続ロードロックチャンバ
３１は、露光装置本体３２に内部で接続して設けられて
いる。搭載台３３は円筒状の形状をしており、ロードロ
ックチャンバ本体３４にはめ込み可能となっている。搭
載台３３には、レチクル及び／またはウエハ３５を載置
する切り込み平面３６を複数有している。レチクルまた
はウエハ３５を載置する搭載台３３は、昇降軸３７及び
昇降駆動部３８によって、露光装置本体３２に収納され
たり、排出されたりする。また、搭載台３３は、回転す
る昇降軸３７によって、切り込み平面３６の向きを自由
に変えることができ、例えばある方向から受けたレチク
ルまたはウエハ３５をロードロックチャンバ本体３４内
で向きを変え、露光装置本体３２の所望の方向へ移動さ
せることができる。ロードロックチャンバ本体３４内に
は、円筒状の搭載台３３を静圧軸受けのわずかの隙間で
収納できるように、はめ合い穴３９を有している。この
ようにして、前記はめ合い穴３９内に前記搭載台３３を
移動させて、前記レチクルまたはウエハ３５をロードロ
ックチャンバ本体３４内に収納・排出する。In FIG. 4, a continuous load lock chamber 31 is provided so as to be internally connected to an exposure apparatus main body 32. The mounting table 33 has a cylindrical shape, and can be fitted into the load lock chamber main body 34. The mounting table 33 has a plurality of cut planes 36 on which the reticle and / or the wafer 35 are mounted. The mounting table 33 on which the reticle or the wafer 35 is mounted is housed in the exposure apparatus main body 32 or ejected by the elevating shaft 37 and the elevating drive unit 38. In addition, the mounting table 33 can freely change the direction of the cut plane 36 by a rotating elevating shaft 37. For example, the reticle or wafer 35 received from a certain direction is changed in the load lock chamber main body 34, and the exposure is performed. The device main body 32 can be moved in a desired direction. In the load lock chamber main body 34, a fitting hole 39 is provided so that the cylindrical mounting table 33 can be accommodated with a small gap between the static pressure bearings. Thus, the mounting table 33 is moved into the fitting hole 39, and the reticle or the wafer 35 is stored and discharged into the load lock chamber main body 34.
【００４０】図５は、図４の内部断面図である。ロード
ロックチャンバ本体３４内のはめ合い穴３９には静圧軸
受用不活性ガス供給口４０及び静圧軸受用不活性ガス排
出口４１が設けられ、搭載台３３との隙間を静圧軸受と
している。搭載台３３にはレチクルまたはウエハ３５が
載置され、搭載台３３は昇降軸３７及び昇降駆動部３８
により回転自由であり、また昇降する。ロードロックチ
ャンバ本体３４内は不活性ガスにより不純物がパージさ
れている。搭載台３３はロードロックチャンバ本体３４
内に完全に収納される前に、はめ合い穴３９に設けられ
たパージ用不活性ガス供給口４３とパージ用不活性ガス
排出口４４、及び搭載台３３の壁面に設けられたパージ
ガス通過口４２により、不活性ガスで十分にパージされ
る。FIG. 5 is an internal sectional view of FIG. A fitting hole 39 in the load lock chamber main body 34 is provided with an inert gas supply port 40 for a static pressure bearing and an inert gas discharge port 41 for a static pressure bearing, and a gap with the mounting table 33 is used as a static pressure bearing. . A reticle or a wafer 35 is mounted on the mounting table 33, and the mounting table 33 includes an elevating shaft 37 and an elevating drive unit 38.
To rotate freely and move up and down. The load lock chamber main body 34 is purged with impurities by an inert gas. The mounting table 33 is a load lock chamber main body 34.
Before being completely housed in the inside, a purge inert gas supply port 43 and a purge inert gas discharge port 44 provided in the fitting hole 39 and a purge gas passage port 42 provided in the wall surface of the mounting table 33. Is sufficiently purged with an inert gas.
【００４１】また、はめ合い穴３９と搭載台３３との微
少なスキマを静圧軸受け構造とすることで、少なくとも
下記に示す２つの利点が得られる。 外部空気の切り込み平面３６内への流入が防止できる
ため、より高純度の不活性ガスパージを切り込み平面３
６内に対して行うことが可能となる。 はめ合い穴３９と搭載台３３の両者が非接触で相対運
動を行うため、摩擦による発熱や発塵を未然に防止で
き、その結果ウエハの温度が一定に管理でき、さらにウ
エハに付着する塵埃を少なくすることが可能となる。Further, at least the following two advantages can be obtained by forming the minute gap between the fitting hole 39 and the mounting table 33 into a static pressure bearing structure. Since the inflow of the external air into the cut plane 36 can be prevented, a higher purity inert gas purge is cut into the cut plane 3.
6 can be performed. Since the fitting hole 39 and the mounting table 33 perform relative movement in a non-contact manner, heat generation and dust generation due to friction can be prevented beforehand, and as a result, the temperature of the wafer can be controlled to be constant, and dust adhering to the wafer can be reduced. It is possible to reduce it.
【００４２】また前記静圧軸受け構造の代わりに、はめ
合い穴３９と搭載台３３との微少なスキマは、別に設け
た軸受け構造で保証し、はめ合い穴と搭載台の相対する
側面の何れか一方あるいは両方に復数の環状溝で構成さ
れたラビリンスシール溝を設けても良く、これによって
も不活性ガスパージ中の切り込み平面内の空間への外気
の流入を防止しつつ、かつ、前記搭載台の移動を非接触
にすることが可能である。In place of the above-mentioned static pressure bearing structure, a minute clearance between the fitting hole 39 and the mounting table 33 is ensured by a separately provided bearing structure, and any one of the fitting hole and the side surface of the mounting table opposite to each other is ensured. A labyrinth seal groove composed of a number of annular grooves may be provided on one or both sides, which also prevents outside air from flowing into a space in the cut plane during inert gas purging, and Can be made non-contact.
【００４３】図４及び図５によって示される連続ロード
ロックチャンバを用い、基板（レチクルまたはウエ
ハ）のロードロックチャンバへの搬入、搭載台の下降
（上昇）、ロードロックチャンバ内のパージ、基板
（レチクルまたはウエハ）の露光装置内への搬出、の各
ステップを順次行うことができる。該連続ロードロック
チャンバは露光装置に１基用いて、搬入と搬出の両用と
してもよいが、２基以上用いて、搬入と搬出の専用とし
た方が効率が良い。更に、後述するように搬入と搬出に
各々２基以上用いて、連続化を徹底することができる。Using the continuous load lock chamber shown in FIGS. 4 and 5, loading a substrate (reticle or wafer) into the load lock chamber, lowering (raising) the mounting table, purging the load lock chamber, and removing the substrate (reticle). Alternatively, each step of unloading a wafer) into an exposure apparatus can be sequentially performed. One continuous load lock chamber may be used for the exposure apparatus and used for both loading and unloading. However, it is more efficient to use two or more continuous loading lock chambers and to use them exclusively for loading and unloading. Further, as described later, two or more units can be used for loading and unloading, respectively, so that continuity can be ensured.
【００４４】図４及び図５によって示される連続ロード
ロックチャンバを用いることにより、筒状のウエハ搭載
台と、このウエハ搭載台の外形と微少な隙間を介しては
め合わされたはめ合い穴の側壁またはウエハ搭載台の側
壁外周の何れかまたは両方には複数の環状溝とこの溝内
に不活性ガスを供給する供給口を有し、また不活性ガス
供給口を有する環状溝に隣接してこの供給された不活性
ガスを排出する排出口を持つ環状溝を有することで、摺
動時の発塵はない。By using the continuous load lock chamber shown in FIGS. 4 and 5, a cylindrical wafer mounting table and a side wall or a side wall of a fitting hole fitted through a small gap with the outer shape of the wafer mounting table. One or both of the outer periphery of the side wall of the wafer mounting table has a plurality of annular grooves and a supply port for supplying an inert gas into the grooves, and the supply port is provided adjacent to the annular groove having an inert gas supply port. By having the annular groove having an outlet for discharging the inert gas, no dust is generated at the time of sliding.
【００４５】外部よりウエハがウエハ搭載台に搬入され
るまで、この搭載台の一方の側壁はロードロック室穴に
はめ合わされた状態でかつ搭載台のウエハ搭載部は環状
溝からは常に不活性ガスがパージされている。ウエハが
搬入される時、搭載台のウエハ搭載部および他方の側壁
は外部に出ている。ウエハが搬入された後、搭載台は外
部に出ている側壁がロードロック室穴にはめ合わされる
まで移動する。このとき搭載されたウエハは表裏の隣接
する側壁と穴によって略閉空間となり、環状溝から供給
される不活性ガスによって内部の気密が保たれる。この
状態でウエハが入った閉空間は不活性ガスによってパー
ジされる。ロードロック室と略同一の不活性ガス濃度に
この閉空間がなったときに、ウエハがロードロック室内
部空間に出るよう、さらにウエハ搭載台を移動し、ウエ
ハはロードロック室に搬入される。Until the wafer is loaded into the wafer mounting table from the outside, one side wall of the mounting table is fitted into the hole of the load lock chamber, and the wafer mounting portion of the mounting table is always inert gas from the annular groove. Has been purged. When a wafer is loaded, the wafer mounting portion of the mounting table and the other side wall are exposed to the outside. After the wafer has been loaded, the mounting table moves until the side wall projecting outside fits into the hole of the load lock chamber. At this time, the mounted wafer becomes a substantially closed space by the adjacent side walls and holes on the front and back sides, and the inside airtightness is maintained by the inert gas supplied from the annular groove. In this state, the closed space containing the wafer is purged by the inert gas. When the closed space has an inert gas concentration substantially equal to that of the load lock chamber, the wafer mounting table is further moved so that the wafer comes out of the space inside the load lock chamber, and the wafer is carried into the load lock chamber.
【００４６】このときウエハ搭載台にある他方の側壁は
ロードロック室穴とはめ合わされており、環状溝から供
給される不活性ガスによって内部の気密は保たれてい
る。At this time, the other side wall of the wafer mounting table is fitted with the hole of the load lock chamber, and the airtightness of the inside is maintained by the inert gas supplied from the annular groove.
【００４７】本実施例により、別体としてのロードロッ
ク室をなくし、直接気密チャンバに穴を構成して適用す
ることもでき、装置の小型化とコストダウンが図れる。
また、ウエハ搭載台は複数枚のウエハに対しても適用可
能であり、ウエハ搭載台を更に複数基配置することで、
処理能力をさらに向上させることができる。例えばウエ
ハを複数Ａ枚搭載可能な搭載台を２基設け、一方は搬入
用、他方は搬出用とすることで、コート・ディベロップ
等とのインライン稼働においても複数Ａ枚の搭載枚数全
数をほぼ連続処理可能となる。According to the present embodiment, the load lock chamber as a separate body can be eliminated, and a hole can be directly formed in the airtight chamber to be applied, so that the size and cost of the apparatus can be reduced.
Also, the wafer mounting table can be applied to a plurality of wafers, and by further arranging a plurality of wafer mounting tables,
The processing capacity can be further improved. For example, two mounting tables capable of mounting a plurality of A wafers are provided, one for loading and the other for unloading, so that the total number of mounted A sheets is almost continuous even in in-line operation with coat development, etc. It can be processed.
【００４８】さらに、本実施例では、ウエハ搭載台を円
筒形とし、回転駆動機構を設けることによりロードロッ
ク室外とこのウエハ搭載台間でウエハを搬入出させる方
向と、ウエハ搭載台と気密空間でウエハを搬入出させる
方向を自由に設定することが可能となり、気密室やロー
ドロック室を持つ装置本体と本体外のウエハ搬送装置の
レイアウトの自由度が大きく、従って装置全体のコンパ
クト化が可能である。この回転駆動機構は複数のスロッ
トを持つウエハ搭載台全体を回転させるように構成して
も良いが、複数のスロットの個々を独立して回転させる
ように構成すれば回転時にも他スロットのウエハとの並
行動作が可能となり、処理時間を増やさなくてすむ。Further, in this embodiment, the wafer mounting table is formed in a cylindrical shape, and by providing a rotation drive mechanism, the direction in which the wafer is loaded and unloaded between the outside of the load lock chamber and the wafer mounting table, and the wafer mounting table and the airtight space. It is possible to freely set the direction in which wafers are loaded and unloaded, and the degree of freedom in the layout of the apparatus main body having an airtight chamber or a load lock chamber and the wafer transfer apparatus outside the main body is large, so that the entire apparatus can be made compact. is there. This rotation drive mechanism may be configured to rotate the entire wafer mounting table having a plurality of slots. However, if the plurality of slots are configured to rotate independently of each other, the rotation drive mechanism may rotate with the wafers in other slots during rotation. Can be performed in parallel, and the processing time does not need to be increased.
【００４９】また、ロードロック室にウエハを搬入出さ
せる搬送機構に昇降駆動機構を設けたので、複数のウエ
ハ搭載台に予め所定の枚数のウエハを搭載することがで
き、一度に複数枚のウエハに不活性ガスパージすること
も可能である。Further, since the lifting mechanism is provided in the transfer mechanism for loading / unloading the wafers into / from the load lock chamber, a predetermined number of wafers can be loaded on a plurality of wafer mounting tables in advance, and a plurality of wafers can be loaded at one time. It is also possible to purge with inert gas.
【００５０】（実施例２）図４及び図５に示される連続
ロードロックチャンバを図１〜図３に示される露光装置
に適用することによって、フッ素ガスレーザによる露光
を露光光の十分な透過率と安定性を確保して行うことが
できた。(Embodiment 2) By applying the continuous load lock chamber shown in FIGS. 4 and 5 to the exposure apparatus shown in FIGS. 1 to 3, the exposure by the fluorine gas laser can be performed with a sufficient transmittance of the exposure light. It was possible to ensure stability.
【００５１】本実施例によってもたらされる効果は、第
１に、扉が不要なため開閉動作時間がなく、またウエハ
一枚ずつを閉空間に収納するため空間容積を非常に小さ
くでき、所定の不活性ガス雰囲気に到達させるためのパ
ージ時間を少なくでき、さらにロードロック室の不活性
ガス濃度を劣化させないため、装置の生産性を向上させ
ることが可能となった。また複数のスロット（ウエハ搭
載台）をまた扉がないため、扉の開閉スペースが不要と
なり装置の小型化が可能になった。第２に、気密チャン
バを構成する壁に直接穴を設けて、その穴をロードロッ
ク室とする事も可能でそうすればより一層装置の小型化
ができる。第３に、穴およびウエハ搭載台を略円筒形と
することで、さらにロードロック室としての空間容積を
小さくでき、従ってパージ時間をさらに短縮させ、処理
能力の向上が可能となった。第４に、ウエハ搭載台に回
転駆動機構を設けることにより、装置本体に対するウエ
ハ搬送装置のレイアウトの自由度が広がり、装置全体の
小型化が可能となった。The first advantage of the present embodiment is that, since a door is not required, there is no opening / closing operation time, and since the wafers are accommodated one by one in a closed space, the volume of space can be made very small. The purge time for reaching the active gas atmosphere can be reduced, and the inert gas concentration in the load lock chamber is not deteriorated, so that the productivity of the apparatus can be improved. In addition, since there is no door with a plurality of slots (wafer mounting tables), the space for opening and closing the door is not required, and the size of the apparatus can be reduced. Secondly, it is possible to provide a hole directly in a wall constituting the airtight chamber and use the hole as a load lock chamber, so that the size of the apparatus can be further reduced. Third, by making the holes and the wafer mounting table substantially cylindrical, the volume of space as the load lock chamber can be further reduced, so that the purging time can be further reduced and the processing capacity can be improved. Fourth, by providing a rotation drive mechanism on the wafer mounting table, the degree of freedom in the layout of the wafer transfer apparatus with respect to the apparatus main body is widened, and the entire apparatus can be reduced in size.
【００５２】更に、本発明の連続ロードロックチャンバ
を図３に示されるコート・ディベロップ装置をインライ
ンで備える露光装置に適用することによって、コート・
ディベロップ装置でウエハにレジストを塗布してから露
光装置本体で露光するまでの時間を短縮することがで
き、また、露光装置本体で露光後のウエハをコート・デ
ィベロップ装置で現像するまでの時間を短縮することが
でき、その結果高性能なコート及びディベロップを実行
することができた。Further, by applying the continuous load lock chamber of the present invention to an exposure apparatus having the in-line coat developing apparatus shown in FIG.
The time from applying resist to a wafer with a development device to exposing it with the exposure device itself can be shortened, and the time from developing the exposed wafer with the exposure device body to using the coat / development device can be shortened As a result, a high-performance coat and development could be performed.
【００５３】（実施例３）次に、本発明の露光方法の手
順を具体的に説明する。(Embodiment 3) Next, the procedure of the exposure method of the present invention will be specifically described.
【００５４】図６は、従来の２基のロードロックチャン
バを用いて、露光装置へレチクル及び／またはウエハ等
の基板の搬入・搬出を行う場合のステップを示す。FIG. 6 shows steps for loading and unloading a reticle and / or a substrate such as a wafer to and from an exposure apparatus using two conventional load lock chambers.
【００５５】図６から明らかなように、搬入出ポート１
が、基板の搬入、前扉閉じる、パージ、後扉開く、露光
装置内へ基板を搬出、・・・を行う時、もう１基のロー
ドロックチャンバである搬入出ポート１は、１ステップ
遅れて基板の搬入、前扉閉じる、パージ、後扉開く、露
光装置内へ基板を搬出、・・・を行う。露光装置本体が
行う露光は限られたタイミングでのみ行われており、非
連続的であり、効率が悪い。As is clear from FIG. 6, the loading / unloading port 1
However, when carrying in the substrate, closing the front door, purging, opening the rear door, unloading the substrate into the exposure apparatus,..., The loading / unloading port 1, which is another load lock chamber, is delayed by one step. Carrying in the substrate, closing the front door, purging, opening the rear door, carrying out the substrate into the exposure apparatus, and so on. The exposure performed by the exposure apparatus body is performed only at a limited timing, is discontinuous, and is inefficient.
【００５６】これに対して、本実施例を示す図７では、
２基の本発明の連続ロードロックチャンバを用いて、露
光装置へレチクル及び／またはウエハ等の基板の搬入・
搬出を行う場合のステップを示す。２基の連続ロードロ
ックチャンバの内、各基は基板を載置するスロットを４
段有しており、１基を搬入ポートに専用に用い、１基を
搬出ポートに専用に用いている。これによれば、搬入ポ
ート１が有する４個のスロット１〜４は、基板の搬入、
下降、パージ、下降、露光装置内へ基板を搬出、・・・
を２〜３ステップ遅延して行っており、その結果、露光
装置本体が行う露光は定常的かつ連続的なタイミングで
行われている。搬出ポート１が有する４個のスロット１
〜４が行う作業も同様に、基板の搬入、上昇、搬出を３
ステップ遅延して行っている。On the other hand, in FIG. 7 showing the present embodiment,
Using two continuous load-lock chambers of the present invention, a reticle and / or a substrate such as a wafer is loaded into an exposure apparatus.
The steps when carrying out are shown. Of the two continuous load lock chambers, each has four slots for mounting substrates.
One stage is dedicated to the loading port and one is dedicated to the unloading port. According to this, the four slots 1 to 4 of the carry-in port 1 are used for carrying in the substrate,
Lowering, purging, lowering, unloading the substrate into the exposure device, ...
Is performed with a delay of two to three steps. As a result, the exposure performed by the exposure apparatus main body is performed at a steady and continuous timing. Four slots 1 of the carry-out port 1
In the same manner, the operations carried out by (4) to (3) are performed for loading, lifting, and unloading substrates.
The steps have been delayed.
【００５７】このため、本実施例では、露光操作を極め
て効率よく行うことができた。For this reason, in this embodiment, the exposure operation could be performed extremely efficiently.
【００５８】図８は、第１の連続ロードロックチャンバ
が露光装置内部へ基板を搬入する際の、各スロット相互
の動きを示すものであり、各スロットの動作は定常的に
繰り返されることが分る。同様に、図９は、第２の連続
ロードロックチャンバが露光装置内部から基板を搬出す
る際の、各スロット相互の動きを示すものであり、各ス
ロットの動作は定常的に繰り返されることが分る。FIG. 8 shows the movement of each slot when the first continuous load lock chamber carries the substrate into the exposure apparatus. It can be seen that the operation of each slot is constantly repeated. You. Similarly, FIG. 9 shows the movement of each slot when the second continuous load lock chamber unloads the substrate from the inside of the exposure apparatus. It can be seen that the operation of each slot is constantly repeated. You.
【００５９】（実施例４）図１０は、本発明の３基のロ
ードロックチャンバを搬入・搬出兼用ポートとして用い
て、露光装置へレチクル及び／またはウエハ等の基板の
搬入・搬出を行う場合のステップを示す。(Embodiment 4) FIG. 10 shows a case in which three load lock chambers of the present invention are used as loading / unloading ports for loading / unloading a reticle and / or a substrate such as a wafer into / from an exposure apparatus. Here are the steps.
【００６０】図１０から明らかなように、搬入出ポート
１が、基板の搬入、下降、パージ、下降、露光装置内へ
基板を搬出、・・・を行う時、もう２基のロードロック
チャンバである搬入出ポート２及び３も、１ステップ遅
れて基板の搬入、下降、パージ、下降、露光装置内へ基
板を搬出、・・・を繰り返し行う。このため、露光装置
本体が行う露光は極めて連続的かつ定常的なタイミング
で行うことができた。As is apparent from FIG. 10, when the loading / unloading port 1 performs loading, lowering, purging, lowering, unloading the substrate into the exposure apparatus,..., The two load lock chambers are used. Some of the carry-in / out ports 2 and 3 also repeatedly carry in the substrate, descend, purge, descend, carry out the substrate into the exposure apparatus, etc. one step later. Therefore, the exposure performed by the exposure apparatus main body could be performed at a very continuous and steady timing.
【００６１】＜半導体生産システムの実施例＞次に、半
導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パ
ネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の
生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に
設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナン
ス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、
製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行う
ものである。<Example of Semiconductor Production System> Next, an example of a production system for semiconductor devices (semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads, micromachines, etc.) will be described. This includes maintenance services such as troubleshooting and periodic maintenance of manufacturing equipment installed in semiconductor manufacturing plants, and software provision.
This is performed using a computer network outside the manufacturing factory.
【００６２】図１１は全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカ
ー）の事業所である。製造装置の実例として、半導体製
造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例
えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エ
ッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜
装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検
査装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造
装置の保守データベースを提供するホスト管理システム
１０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを
結んでイントラネットを構築するローカルエリアネット
ワーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム
１０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークで
あるインターネット１０５に接続するためのゲートウェ
イと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能
を備える。FIG. 11 shows the entire system cut out from a certain angle. In the figure, reference numeral 101 denotes a business office of a vendor (equipment supplier) that provides a semiconductor device manufacturing apparatus. Examples of manufacturing equipment include semiconductor manufacturing equipment for various processes used in semiconductor manufacturing factories, for example, pre-processing equipment (lithography equipment such as exposure equipment, resist processing equipment, etching equipment, heat treatment equipment, film formation equipment, planarization). Equipment) and post-process equipment (assembly equipment, inspection equipment, etc.). The business office 101 includes a host management system 108 for providing a maintenance database for manufacturing equipment, a plurality of operation terminal computers 110, and a local area network (LAN) 109 for connecting these to construct an intranet. The host management system 108 has a gateway for connecting the LAN 109 to the Internet 105, which is an external network of the office, and a security function for restricting external access.
【００６３】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザーとしての半導体製造メーカーの製造工場である。製
造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカーに属す
る工場であっても良いし、同一のメーカーに属する工場
（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっ
ても良い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の
製造装置１０６と、それらを結んでイントラネットを構
築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１
と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置と
してホスト管理システム１０７とが設けられている。各
工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１
０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワ
ークであるインターネット１０５に接続するためのゲー
トウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１か
らインターネット１０５を介してベンダー１０１側のホ
スト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホス
ト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限ら
れたユーザーだけがアクセスが許可となっている。具体
的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１
０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブ
ルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダー側
に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、
トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソ
フトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ
情報などの保守情報をベンダー側から受け取ることがで
きる。各工場１０２〜１０４とベンダー１０１との間の
データ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通
信には、インターネットで一般的に使用されている通信
プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場
外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する
代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリテ
ィの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用す
ることもできる。また、ホスト管理システムはベンダー
が提供するものに限らずユーザーがデータベースを構築
して外部ネットワーク上に置き、ユーザーの複数の工場
から該データベースへのアクセスを許可するようにして
もよい。On the other hand, reference numerals 102 to 104 denote manufacturing factories of a semiconductor manufacturer as a user of the manufacturing apparatus. The manufacturing factories 102 to 104 may be factories belonging to different manufacturers or factories belonging to the same manufacturer (for example, a factory for a pre-process, a factory for a post-process, etc.). In each of the factories 102 to 104, a plurality of manufacturing apparatuses 106 and a local area network (LAN) 111 connecting them to construct an intranet are provided.
And a host management system 107 as a monitoring device for monitoring the operation status of each manufacturing apparatus 106. Host management system 1 provided in each factory 102 to 104
Reference numeral 07 includes a gateway for connecting the LAN 111 in each factory to the Internet 105 which is an external network of the factory. As a result, access to the host management system 108 on the vendor 101 side from the LAN 111 of each factory via the Internet 105 is possible, and only a limited user is permitted access by the security function of the host management system 108. Specifically, each manufacturing apparatus 1 is connected via the Internet 105.
In addition to notifying the vendor of the status information (for example, the symptom of the manufacturing apparatus in which the trouble has occurred) indicating the operation status of No. 06, the response information (for example,
(Information instructing how to cope with a trouble, software and data for coping), and maintenance information such as the latest software and help information can be received from the vendor side. A communication protocol (TCP / IP) generally used on the Internet is used for data communication between each of the factories 102 to 104 and the vendor 101 and data communication with the LAN 111 in each of the factories. Instead of using the Internet as an external network outside the factory, it is also possible to use a dedicated line network (such as ISDN) that cannot be accessed by a third party and has high security. Further, the host management system is not limited to the one provided by the vendor, and a user may construct a database and place it on an external network, and permit access to the database from a plurality of factories of the user.
【００６４】さて、図１２は本実施形態の全体システム
を図１１とは別の角度から切り出して表現した概念図で
ある。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムと
を外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを
介して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の
情報をデータ通信するものであった。これに対し本例
は、複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数
の製造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工
場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守
情報をデータ通信するものである。図中、２０１は製造
装置ユーザー（半導体デバイス製造メーカー）の製造工
場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製
造装置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処
理装置２０３、成膜処理装置２０４が導入されている。
なお図１２では製造工場２０１は１つだけ描いている
が、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されてい
る。工場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイント
ラネットを構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラ
インの稼動管理がされている。一方、露光装置メーカー
２１０、レジスト処理装置メーカー２２０、成膜装置メ
ーカー２３０などベンダー（装置供給メーカー）の各事
業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行なうた
めのホスト管理システム２１１，２２１，２３１を備
え、これらは上述したように保守データベースと外部ネ
ットワークのゲートウェイを備える。ユーザーの製造工
場内の各装置を管理するホスト管理システム２０５と、
各装置のベンダーの管理システム２１１，２２１，２３
１とは、外部ネットワーク２００であるインターネット
もしくは専用線ネットワークによって接続されている。
このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の
中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が
休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダーか
らインターネット２００を介した遠隔保守を受けること
で迅速な対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑
えることができる。FIG. 12 is a conceptual diagram showing the entire system according to the present embodiment cut out from a different angle from FIG. In the above example, a plurality of user factories each having a manufacturing device and a management system of a vendor of the manufacturing device are connected via an external network, and the production management of each factory and at least one device are connected via the external network. The data of the manufacturing apparatus was communicated. On the other hand, in this example, a factory equipped with manufacturing equipment of a plurality of vendors and a management system of each vendor of the plurality of manufacturing apparatuses are connected via an external network outside the factory, and maintenance information of each manufacturing equipment is stored. It is for data communication. In the figure, reference numeral 201 denotes a manufacturing plant of a manufacturing device user (semiconductor device manufacturer), and a manufacturing line for performing various processes, for example, an exposure device 202, a resist processing device 203, and a film forming device 204 have been introduced.
Although only one manufacturing factory 201 is illustrated in FIG. 12, a plurality of factories are actually networked similarly. Each device in the factory is connected by a LAN 206 to form an intranet, and the host management system 205 manages the operation of the production line. On the other hand, each business establishment of a vendor (apparatus supplier) such as an exposure apparatus maker 210, a resist processing apparatus maker 220, and a film forming apparatus maker 230 has a host management system 211, 221 for remote maintenance of supplied equipment. 231 which comprise a maintenance database and an external network gateway as described above. A host management system 205 that manages each device in the user's manufacturing plant;
Management system 211, 221, 23 of the vendor of each device
1 is connected to the external network 200 via the Internet or a dedicated line network.
In this system, if a trouble occurs in any of a series of manufacturing equipment in the manufacturing line, the operation of the manufacturing line is stopped, but remote maintenance is performed from the vendor of the troubled equipment via the Internet 200. As a result, quick response is possible, and downtime of the production line can be minimized.
【００６５】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインターフェ
ースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス
用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実
行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メ
モリやハードディスク、あるいはネットワークファイル
サーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフ
トウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例
えば図１３に一例を示す様な画面のユーザーインターフ
ェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置
を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装
置の機種（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、ト
ラブルの件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度
（４０５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過
（４０８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入
力された情報はインターネットを介して保守データベー
スに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データ
ベースから返信されディスプレイ上に提示される。また
ウェブブラウザが提供するユーザーインターフェースは
さらに図示のごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１
２）を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報に
アクセスしたり、ベンダーが提供するソフトウェアライ
ブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフト
ウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する
操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明の特徴に関する情報も含まれ、
また前記ソフトウェアライブラリは本発明の特徴を実現
するための最新のソフトウェアも提供する。Each of the manufacturing apparatuses installed in the semiconductor manufacturing factory has a display, a network interface, and a computer that executes network access software and apparatus operation software stored in a storage device. The storage device is a built-in memory, a hard disk, a network file server, or the like. The network access software includes a dedicated or general-purpose web browser, and provides, for example, a user interface having a screen as shown in FIG. 13 on a display. The operator who manages the manufacturing apparatus in each factory refers to the screen and refers to the manufacturing apparatus model (401), serial number (402), trouble subject (403), date of occurrence (404), urgency (405), Information such as a symptom (406), a coping method (407), and a progress (408) is input to input items on the screen. The input information is transmitted to the maintenance database via the Internet, and the resulting appropriate maintenance information is returned from the maintenance database and presented on the display. The user interface provided by the web browser further includes a hyperlink function (410 to 41) as shown in the figure.
2), the operator can access more detailed information of each item, pull out the latest version of software used for manufacturing equipment from the software library provided by the vendor, and operate the operation guide ( Help information). Here, the maintenance information provided by the maintenance database includes information on the features of the present invention described above,
The software library also provides the latest software for realizing the features of the present invention.
【００６６】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１４は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路
パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ
３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ
を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と
呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグ
ラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステッ
プ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボン
ディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組
立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で
作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テ
スト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバ
イスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程
と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工
場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
される。また前工程工場と後工程工場との間でも、イン
ターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理
や装置保守のための情報がデータ通信される。Next, a manufacturing process of a semiconductor device using the above-described production system will be described. FIG. 14 shows a flow of the entire semiconductor device manufacturing process.
In step 1 (circuit design), the circuit of the semiconductor device is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the circuit pattern design. On the other hand, in step 3 (wafer manufacturing), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer.
The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and assembly such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). Process. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7). The pre-process and the post-process are performed in separate dedicated factories, and maintenance is performed for each of these factories by the above-described remote maintenance system. Further, information for production management and apparatus maintenance is also communicated between the pre-process factory and the post-process factory via the Internet or a dedicated line network.
【００６７】図１５は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製
造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守が
なされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もし
トラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べ
て半導体デバイスの生産性を向上させることができる。FIG. 15 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 1
In 5 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the above-described exposure apparatus to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. Since the manufacturing equipment used in each process is maintained by the remote maintenance system described above, troubles can be prevented beforehand, and if troubles occur, quick recovery is possible. Productivity can be improved.
【００６８】[0068]
【発明の効果】本発明によれば、フッ素エキシマレーザ
などの紫外光を光源とする投影露光装置において、装置
内へ基板を搬入・搬出するためのロードロックチャンバ
を小型化できるとともに、連続化を可能とする。これに
より、高精度な露光が可能になり、微細な回路パターン
が良好に投影できる。According to the present invention, in a projection exposure apparatus using ultraviolet light such as a fluorine excimer laser as a light source, a load lock chamber for loading and unloading a substrate into and out of the apparatus can be miniaturized and continuous. Make it possible. Thereby, high-precision exposure becomes possible, and a fine circuit pattern can be projected well.
【図１】 本発明のロードロックチャンバが好ましく適
用される投影露光装置の概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a projection exposure apparatus to which a load lock chamber of the present invention is preferably applied.
【図２】 本発明のロードロックチャンバが好ましく適
用される他の投影露光装置の概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of another projection exposure apparatus to which the load lock chamber of the present invention is preferably applied.
【図３】 本発明のロードロックチャンバが好ましく適
用される投影露光装置とコート・ディベロップ装置の概
略構成図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a projection exposure apparatus and a coat development apparatus to which the load lock chamber of the present invention is preferably applied.
【図４】 本発明のロードロックチャンバの一例を示す
斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing an example of a load lock chamber of the present invention.
【図５】 図４のロードロックチャンバの断面図であ
る。FIG. 5 is a sectional view of the load lock chamber of FIG. 4;
【図６】 従来の２基のロードロックチャンバを用いた
搬入・搬出ステップである。FIG. 6 shows a loading / unloading step using two conventional load lock chambers.
【図７】 本発明の２基のロードロックチャンバを用い
た搬入・搬出ステップである。FIG. 7 is a loading / unloading step using two load lock chambers of the present invention.
【図８】 本発明のロードロックチャンバへの基板搬入
シーケンスである。FIG. 8 is a sequence for carrying a substrate into a load lock chamber according to the present invention.
【図９】 本発明のロードロックチャンバからの基板搬
出シーケンスである。FIG. 9 is a sequence for unloading a substrate from a load lock chamber according to the present invention.
【図１０】 本発明の３基のロードロックチャンバを用
いた搬入・搬出ステップであるFIG. 10 is a loading / unloading step using three load lock chambers of the present invention.
【図１１】 半導体デバイスの生産システムをある角度
から見た概念図である。FIG. 11 is a conceptual view of a semiconductor device production system viewed from a certain angle.
【図１２】 半導体デバイスの生産システムを別の角度
から見た概念図である。FIG. 12 is a conceptual diagram of a semiconductor device production system viewed from another angle.
【図１３】 ユーザーインターフェースの具体例であ
る。FIG. 13 is a specific example of a user interface.
【図１４】 デバイスの製造プロセスのフローを説明す
る図である。FIG. 14 is a diagram illustrating a flow of a device manufacturing process.
【図１５】 ウエハプロセスを説明する図である。FIG. 15 is a diagram illustrating a wafer process.
１：レチクルステージ、２：鏡筒、３：ウエハステー
ジ、４：照明光学系、５：引き回し光学系、６：Ｆ2 レ
ーザ部、７：マスキングブレード、８，９，２０：筐
体、１０，１１，１２，２１：空調機、１３：レチクル
ロードロック、１４：ウエハロードロック、１５：レチ
クルハンド、１６：ウエハハンド、１７：レチクルアラ
イメントマーク、１８：レチクル保管庫、１９：プリア
ライメント部、２２：コート・ディベロップ装置、２
３：露光装置、２４：インタフェース部、２５，２６：
インラインポート部、２７：ウエハ温調部、２８，２
９：手動搬入搬出ポート部、３１：連続ロードロックチ
ャンバ、３２：露光装置本体、３３：搭載台、３４：ロ
ードロックチャンバ本体、３５：レチクルまたはウエ
ハ、３６：切り込み平面、３７：昇降軸、３８：昇降駆
動部、３９：はめ合い穴、４０：静圧軸受用不活性ガス
供給口、４１：静圧軸受用不活性ガス排出口、４２：パ
ージガス通過口、４３：パージ用不活性ガス供給口、４
４：パージ用不活性ガス排出口。1: a reticle stage, 2: barrel, 3: the wafer stage, 4: the illumination optical system, 5: extension optical system, 6: F 2 laser unit, 7: masking blade, 8,9,20: housing, 10, 11, 12, 21: air conditioner, 13: reticle load lock, 14: wafer load lock, 15: reticle hand, 16: wafer hand, 17: reticle alignment mark, 18: reticle storage, 19: pre-alignment unit, 22 ： Coat development equipment, 2
3: exposure apparatus, 24: interface unit, 25, 26:
In-line port part, 27: wafer temperature control part, 28, 2
9: manual loading / unloading port section, 31: continuous load lock chamber, 32: exposure apparatus main body, 33: mounting table, 34: load lock chamber main body, 35: reticle or wafer, 36: cut plane, 37: elevating shaft, 38 : Elevating drive unit, 39: fitting hole, 40: inert gas supply port for static pressure bearing, 41: inert gas discharge port for static pressure bearing, 42: purge gas passage port, 43: inert gas supply port for purge , 4
4: Inert gas outlet for purging.
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１４Ｄ ５１６Ｆ Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) H01L 21/30 514D 516F
Claims (34)
を搬入・搬出するロードロックチャンバであって、一枚
または複数枚のレチクルまたはウエハを載置する切り込
み平面を有するレチクルまたはウエハ搭載台と、前記搭
載台を昇降させる昇降軸及び昇降駆動部と、前記搭載台
の側壁と微小な隙間を有するはめ合い穴と、前記はめ合
い穴内に前記搭載台を移動させて、前記レチクルまたは
ウエハを載置した搭載台を収納・排出するロードロック
チャンバ本体とを備えたことを特徴とするロードロック
チャンバ。1. A load lock chamber for loading and unloading a reticle and / or a wafer into and out of an exposure apparatus, the reticle or wafer mounting table having a cut plane for mounting one or more reticles or wafers, An elevating shaft and an elevating drive unit for elevating and lowering the mounting table, a fitting hole having a minute gap with the side wall of the mounting table, and moving the mounting table in the fitting hole to mount the reticle or wafer. A load lock chamber comprising a load lock chamber main body for storing and discharging a mounting table.
い穴の前記搭載台と面する側面に一個または複数個のパ
ージ用不活性ガス流通路を設け、前記レチクルまたはウ
エハを載置する切り込み平面へ不活性ガスを供給できる
ことを特徴とする請求項１に記載のロードロックチャン
バ。2. A purging inert gas flow path is provided on a side of the fitting hole of the load lock chamber main body facing the mounting table, and an inert gas flow path for mounting the reticle or wafer is formed. The load lock chamber according to claim 1, wherein an active gas can be supplied.
ガス流通路が、前記ロードロックチャンバ本体のはめ合
い穴の周囲に放射状に配置されたことを特徴とする請求
項２に記載のロードロックチャンバ。3. The load lock according to claim 2, wherein the one or more inert gas flow passages for purging are radially arranged around a fitting hole of the load lock chamber body. Chamber.
が、パージ用不活性ガス供給口を有するとともに、パー
ジ用不活性ガス排出口を有するものであることを特徴と
する請求項２または３に記載の連続ロードロックチャン
バ。4. The purging inert gas flow path has a purging inert gas supply port and a purging inert gas discharge port. 4. A continuous load lock chamber according to 3.
本体のはめ合い穴と面する側壁に一個または複数個のパ
ージ用不活性ガス流通路を設け、前記レチクルまたはウ
エハを載置する切り込み平面へ不活性ガスを供給できる
ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載のロ
ードロックチャンバ。5. A purging inert gas flow path is provided on a side wall of the mounting table facing the fitting hole of the load lock chamber main body, and an inert gas flow path for purging the reticle or wafer is formed in a cut plane. The load lock chamber according to any one of claims 2 to 4, wherein an active gas can be supplied.
い穴と面する前記搭載台の側面に一個または複数個の静
圧軸受け用不活性ガス溝を設け、前記搭載台の移動を非
接触にできることを特徴とする請求項１乃至５のいずれ
かに記載のロードロックチャンバ。6. A method according to claim 6, wherein one or more inert gas grooves for static pressure bearings are provided on a side surface of the mounting table facing the fitting hole of the load lock chamber main body so that the mounting table can be moved in a non-contact manner. The load lock chamber according to any one of claims 1 to 5, wherein
活性ガス溝が前記ロードロックチャンバ本体の搭載台の
周囲と配置された環状溝であることを特徴とする請求項
６に記載のロードロックチャンバ。7. The load according to claim 6, wherein the one or more inert gas grooves for static pressure bearings are annular grooves arranged around a mount of the load lock chamber main body. Lock chamber.
い穴の前記搭載台と面する側面に一個または複数個の静
圧軸受け用不活性ガス溝を設け、前記搭載台の移動を非
接触にできることを特徴とする請求項１乃至５のいずれ
かに記載のロードロックチャンバ。8. One or more inert gas grooves for static pressure bearings may be provided on the side of the fitting hole of the load lock chamber body facing the mounting table so that the mounting table can be moved in a non-contact manner. The load lock chamber according to any one of claims 1 to 5, wherein
活性ガス溝が、前記ロードロックチャンバ本体のはめ合
い穴の周囲に配置された環状溝であることを特徴とする
請求項８に記載のロードロックチャンバ。9. The load lock chamber main body according to claim 8, wherein the one or more inert gas grooves for static pressure bearings are annular grooves arranged around fitting holes of the load lock chamber main body. Load lock chamber.
あい穴の側面あるいは、はめあい穴の面する前記搭載台
の側面のいずれか一方または両方にラビリンスシール溝
を設けたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに
記載のロードロックチャンバ。10. A labyrinth seal groove is provided on one or both of a side surface of a fitting hole of the load lock chamber main body and a side surface of the mounting table facing the fitting hole. The load lock chamber according to any one of the above.
溝であることを特徴とする請求項１０に記載のロードロ
ックチャンバ。11. The load lock chamber according to claim 10, wherein the labyrinth seal groove is a plurality of annular grooves.
形状であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれ
かに記載のロードロックチャンバ。12. The load lock chamber according to claim 1, wherein the load lock chamber body has a cylindrical shape.
徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載のロードロ
ックチャンバ。13. The load lock chamber according to claim 1, wherein the lifting shaft is rotatable.
不活性ガスで置換し、レチクルのパターンを投影光学系
を介してウエハに照射する露光装置において、レチクル
及び／またはウエハを搬入・搬出するロードロックチャ
ンバとして請求項１乃至１３のいずれかに記載のロード
ロックチャンバを備えたことを特徴とする露光装置。14. An exposure apparatus that uses ultraviolet light as exposure light, replaces the inside of the apparatus with an inert gas, and irradiates a reticle pattern onto a wafer via a projection optical system, and loads and unloads the reticle and / or wafer. An exposure apparatus comprising the load lock chamber according to any one of claims 1 to 13 as a load lock chamber.
り、露光装置内へのレチクル及び／またはウエハの搬入
と搬出を兼ねるものであることを特徴とする請求項１４
に記載の露光装置。15. The apparatus according to claim 14, wherein the load lock chamber is a single unit, and serves to carry in and carry out a reticle and / or a wafer into the exposure apparatus.
3. The exposure apparatus according to claim 1.
であり、露光装置内へのレチクル及び／またはウエハの
搬入と搬出を兼ねるものであるか、あるいは露光装置内
へのレチクル及び／またはウエハの搬入用と露光装置外
へのレチクル及び／またはウエハの搬出を行うものであ
ることを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。16. The apparatus according to claim 1, wherein the load lock chamber has two or more chambers, and serves to carry in and carry out the reticle and / or wafer into the exposure apparatus, or carries in the reticle and / or wafer into the exposure apparatus. The exposure apparatus according to claim 14, wherein the reticle and / or the wafer is carried out of the apparatus and outside the exposure apparatus.
ザ光とであることを特徴とする請求項１４乃至１６のい
ずれかに記載の露光装置。17. The exposure apparatus according to claim 14, wherein the ultraviolet light is laser light using a laser as a light source.
であることを特徴とする請求項１７に記載の露光装置。18. The exposure apparatus according to claim 17, wherein the laser beam is a fluorine excimer laser.
であることを特徴とする請求項１７に記載の露光装置。19. The exposure apparatus according to claim 17, wherein the laser beam is an ArF excimer laser.
活性ガスが、窒素、ヘリウム、アルゴンから選ばれる１
種であることを特徴とする請求項１４乃至１９のいずれ
かに記載の露光装置。20. The inert gas that replaces the inside of the optical path of the exposure light is selected from nitrogen, helium, and argon.
20. The exposure apparatus according to claim 14, wherein the exposure apparatus is a seed.
せるパージ手段を備えることを特徴とする請求項１４乃
至２０のいずれかに記載の露光装置。21. The exposure apparatus according to claim 14, further comprising a purge unit for filling the inside of the exposure apparatus with an inert gas.
不活性ガスで置換し、レチクルのパターンを投影光学系
を介してウエハに照射する露光方法において、レチクル
及び／またはウエハを搬入・搬出するロードロックチャ
ンバとして請求項１乃至１３のいずれかに記載のロード
ロックチャンバを用いることを特徴とする露光方法。22. An exposure method using ultraviolet light as exposure light, replacing the inside of the apparatus with an inert gas, and irradiating a wafer with a reticle pattern via a projection optical system, wherein the reticle and / or the wafer is loaded and unloaded. An exposure method using the load lock chamber according to any one of claims 1 to 13 as the load lock chamber.
は複数基用い、これらのロードロックチャンバを搬入ポ
ート兼搬出ポートとして併用することを特徴とする請求
項２２に記載の露光方法。23. The exposure method according to claim 22, wherein one or a plurality of the load lock chambers are used, and these load lock chambers are used in combination as a carry-in port and a carry-out port.
するロードロックチャンバを複数基用いるとともに、こ
れらのロードロックチャンバを搬入及び搬出の各ステッ
プ毎にずらせて用いることにより、露光を連続化するこ
とを特徴とする請求項２３に記載の露光方法。24. A continuous exposure by using a plurality of load lock chambers which are used in combination as the carry-in port and the carry-out port, and using these load-lock chambers shifted for each step of carry-in and carry-out. The exposure method according to claim 23, wherein:
い、これらのロードロックチャンバを搬入専用ポートと
搬出専用ポートして分けて用いることを特徴とする請求
項２２に記載の露光方法。25. The exposure method according to claim 22, wherein a plurality of the load lock chambers are used, and these load lock chambers are used separately for a carry-in port and a carry-out port.
記ロードロックチャンバが複数のスロットを有し、各ス
ロットをステップ毎にずらせて用いるとともに、前記搬
出専用ポートである複数基の前記ロードロックチャンバ
が複数のスロットを有し、各スロットをステップ毎にず
らせて用いることにより、露光を連続化することを特徴
とする請求項２５に記載の露光方法。26. A plurality of the load lock chambers, which are the carry-in only ports, have a plurality of slots, and the slots are used by being shifted in each step, and the plurality of the load lock chambers, which are the carry-out only ports, are provided. 26. The exposure method according to claim 25, wherein the plurality of slots have a plurality of slots, and the slots are shifted for each step so that exposure is continuous.
板（レチクルまたはウエハ）のロードロックチャンバへ
の搬入、搭載台の上昇（下降）、ロードロックチャ
ンバ内のパージ、基板（レチクルまたはウエハ）の露
光装置内への搬出、の各ステップを含むことを特徴とす
る請求項２６に記載の露光方法。27. The apparatus according to claim 27, wherein each of the steps includes at least loading of a substrate (reticle or wafer) into the load lock chamber, lifting (lowering) of the mounting table, purging of the load lock chamber, and exposure apparatus for the substrate (reticle or wafer). 27. The exposure method according to claim 26, further comprising the steps of:
の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体
製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数
のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを
有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。28. A step of installing a manufacturing apparatus group for various processes including the exposure apparatus according to claim 14 in a semiconductor manufacturing factory, and a semiconductor device by a plurality of processes using the manufacturing apparatus group. Manufacturing a semiconductor device.
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有する請求項２８記載の
方法。29. A step of connecting the group of manufacturing apparatuses via a local area network, and data communication between at least one of the group of manufacturing apparatuses between the local area network and an external network outside the semiconductor manufacturing plant. 29. The method of claim 28, further comprising the step of:
ザーが提供するデータベースに前記外部ネットワークを
介してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の
保守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の
半導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介して
データ通信して生産管理を行う請求項２７記載の方法。30. A semiconductor manufacturing factory which is different from the semiconductor manufacturing factory by accessing a database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus via the external network to obtain maintenance information of the manufacturing apparatus by data communication. 28. The method according to claim 27, wherein the production management is performed by performing data communication with the device via the external network.
の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製
造装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該
ローカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワ
ークにアクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製
造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信す
ることを可能にした半導体製造工場。31. A manufacturing apparatus group for various processes including the exposure apparatus according to claim 14, a local area network connecting the manufacturing apparatus group, and an external device outside the factory from the local area network. A semiconductor manufacturing plant having a gateway that enables access to a network and capable of performing data communication of information on at least one of the manufacturing apparatus groups.
４乃至２１のいずれかに記載の露光装置の保守方法であ
って、前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが、半
導体製造工場の外部ネットワークに接続された保守デー
タベースを提供する工程と、前記半導体製造工場内から
前記外部ネットワークを介して前記保守データベースへ
のアクセスを許可する工程と、前記保守データベースに
蓄積される保守情報を前記外部ネットワークを介して半
導体製造工場側に送信する工程とを有することを特徴と
する露光装置の保守方法。32. The semiconductor device according to claim 1, which is installed in a semiconductor manufacturing plant.
22. The maintenance method of an exposure apparatus according to any one of 4 to 21, wherein a vendor or a user of the exposure apparatus provides a maintenance database connected to an external network of the semiconductor manufacturing plant; A step of permitting access to the maintenance database via the external network, and a step of transmitting maintenance information stored in the maintenance database to the semiconductor manufacturing factory via the external network. Maintenance method of the exposure apparatus.
の露光装置において、ディスプレイと、ネットワークイ
ンターフェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行
するコンピュータとをさらに有し、露光装置の保守情報
をコンピュータネットワークを介してデータ通信するこ
とを可能にした露光装置。33. The exposure apparatus according to claim 14, further comprising a display, a network interface, and a computer that executes network software, and stores maintenance information of the exposure apparatus via a computer network. Exposure equipment that enables data communication.
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが提供
する保守データベースにアクセスするためのユーザーイ
ンターフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外
部ネットワークを介して該データベースから情報を得る
ことを可能にする請求項３３記載の装置。34. The network software,
Provide a user interface on the display for accessing a maintenance database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus connected to an external network of a factory where the exposure apparatus is installed, and from the database via the external network. 34. The device according to claim 33, which makes it possible to obtain information.
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