JP2002075772A - Member for forming metal film, its manufacturing method, method for transferring metal film and method for manufacturing laminated ceramic electronic component - Google Patents
Member for forming metal film, its manufacturing method, method for transferring metal film and method for manufacturing laminated ceramic electronic componentInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、主として、金属内
部電極を持つ各種積層セラミック電子部品の製造に好適
に用いることができる金属膜形成用部材、金属膜形成用
部材の製造方法、金属膜転写方法および積層セラミック
電子部品の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention mainly relates to a member for forming a metal film, a method for manufacturing a member for forming a metal film, and a method for transferring a metal film, which can be suitably used for the production of various multilayer ceramic electronic components having metal internal electrodes. The present invention relates to a method and a method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器の小型化や省資源の観点
から、積層セラミック電子部品の小型化、特に積層セラ
ミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデン
サにおいては、薄層・多層化による大容量化が急速に進
展しており、内部電極についても、より薄く均一で欠陥
の少ないものが必要とされている。2. Description of the Related Art In recent years, from the viewpoint of miniaturization of electronic equipment and resource saving, miniaturization of multilayer ceramic electronic components, particularly multilayer ceramic capacitors as an example of multilayer ceramic electronic components, have a large capacity by thinning and multilayering. As internal electrodes are rapidly progressing, thinner, uniform and less defective electrodes are also required.
【０００３】積層セラミック電子部品の内部電極の形成
方法は、金属粉末と有機結合剤からなる金属ペーストを
スクリーン印刷によりセラミックグリーンシートに印刷
する方法によるのが一般的である。The method of forming the internal electrodes of the multilayer ceramic electronic component is generally a method of printing a metal paste comprising a metal powder and an organic binder on a ceramic green sheet by screen printing.
【０００４】しかしながら、従来のスクリーン印刷法で
は、原料金属粒子の粒子サイズまたはスクリーンの厚さ
などにより薄層化に限界があり、また電極が粒子の焼結
によって形成されることから、薄層化するほど電極が不
連続となりやすいという問題がある。[0004] However, in the conventional screen printing method, there is a limit to the thickness reduction due to the particle size of the raw metal particles or the thickness of the screen, and the electrode is formed by sintering the particles. There is a problem that the electrodes tend to be discontinuous as the distance between the electrodes increases.
【０００５】そこで、各種薄膜形成法により形成された
金属膜を用いて内部電極を構成するセラミック積層電子
部品の製造方法が提案されている。[0005] Therefore, there has been proposed a method of manufacturing a ceramic laminated electronic component in which an internal electrode is formed using a metal film formed by various thin film forming methods.
【０００６】たとえば、特公平７−５４７８０号公報、
特開平４−３１４８７６号公報、特開平８−１１５８４
７号公報では、シリコーンコートなどの剥離処理を施し
た合成樹脂よりなるキャリアフィルム上に、真空製膜法
または、真空製膜法と湿式めっき法とにより作成した金
属膜を、熱圧着によりセラミックグリーンシートへ転写
する方法が開示してある。For example, Japanese Patent Publication No. 7-54780,
JP-A-4-314876, JP-A-8-11584
In JP-A-7-212, a metal film formed by a vacuum film forming method or a vacuum film forming method and a wet plating method is coated on a carrier film made of a synthetic resin subjected to a release treatment such as a silicone coat by thermocompression bonding. A method for transferring to a sheet is disclosed.
【０００７】また、特開平６−２３１９９９号公報、特
開平１０−１２５５５６号公報、特開平１０−２０８９
８０号公報では、合成樹脂よりなるキャリアフィルム上
に、無電解めっき法により作成した金属膜を、熱圧着ま
たは熱転写法により、セラミックグリーンシートへ転写
する方法が開示してある。Further, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 6-231999, 10-125556, 10-2089
No. 80 discloses a method of transferring a metal film formed by an electroless plating method on a carrier film made of a synthetic resin to a ceramic green sheet by a thermocompression bonding or a thermal transfer method.
【０００８】一方で、積層セラミック電子部品において
は、連続的な金属膜ではなく、一定のパターン形状を持
つ金属膜が必要とされる。On the other hand, in a multilayer ceramic electronic component, a metal film having a certain pattern shape is required instead of a continuous metal film.
【０００９】上述した各種公報では、製膜時点でパター
ン化する方法として、（１）メタルマスクを介した蒸着
またはスパッタリングなどにより製膜する方法、（２）
めっきレジストによりマスクを形成してめっきによって
製膜する方法、（３）パターン形状に無電解めっき用触
媒を印刷して無電解めっきによって製膜する方法などが
開示してある。In the various publications described above, as a method of patterning at the time of film formation, (1) a method of forming a film by vapor deposition or sputtering through a metal mask, and (2)
A method of forming a mask with a plating resist and forming a film by plating, and (3) a method of printing a catalyst for electroless plating in a pattern shape and forming a film by electroless plating, and the like are disclosed.
【００１０】また、連続膜を形成した後にパターン化す
る方法として、（１）エッチングレジストによりマスク
を形成し、エッチングによってパターン化する方法、
（２）パターン形状に接着層を形成して転写する方法、
（３）パターン形状の凸部を持った金型で押圧して転写
する方法などが開示してある。Further, as a method of patterning after forming a continuous film, (1) a method of forming a mask with an etching resist and patterning by etching;
(2) a method of forming and transferring an adhesive layer in a pattern shape,
(3) A method of transferring by pressing with a mold having a pattern-shaped projection is disclosed.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のパターン化法には、それぞれ問題点が存在する。However, each of these patterning methods has its own problems.
【００１２】まず、メタルマスクを使用した気相法製膜
では、連続的な製膜が困難で、また定期的にメタルマス
ク上に堆積した金属を除去する必要がある。First, it is difficult to form a film continuously by a vapor phase method using a metal mask, and it is necessary to periodically remove the metal deposited on the metal mask.
【００１３】次に、めっきレジスト、エッチングレジス
ト、無電解めっき用触媒、接着層などでパターン化する
場合は、１パターンの形成に対応して１回の印刷操作が
必要となり、またレジストの場合は、さらに加えて剥離
操作が必要となり、多数のパターンを形成する必要があ
る積層セラミック電子部品の電極製造用としては、非効
率で高コストである。Next, in the case of patterning with a plating resist, an etching resist, a catalyst for electroless plating, an adhesive layer, etc., one printing operation is required to form one pattern. In addition, a peeling operation is required, and it is inefficient and costly for manufacturing electrodes of a multilayer ceramic electronic component in which a large number of patterns need to be formed.
【００１４】また、連続膜からパターン形状の凸部を持
った金型で押圧して転写する方法では、パターンエッジ
が不鮮明となりやすい。Further, in the method of transferring a continuous film by pressing with a mold having a pattern-shaped convex portion, the pattern edge tends to be unclear.
【００１５】めっきレジストを使用するパターン化の場
合には、一般に永久レジストまたはパーマネントレジス
トと言われる耐熱・耐薬品性に優れたマスク用薬品も利
用できるが、剥離して転写することを前提とした、積層
セラミック電子部品用の金属薄膜に適用する場合、転写
を妨害しないようにするためには極めて薄く形成する必
要があることから耐久性が低くなり、繰り返し使用する
ことは困難である。In the case of patterning using a plating resist, a masking agent having excellent heat and chemical resistance, which is generally called a permanent resist or a permanent resist, can be used, but it is assumed that the resist is peeled and transferred. When applied to a metal thin film for a multilayer ceramic electronic component, it is necessary to form it extremely thin so as not to hinder transfer, so that its durability is low and it is difficult to use it repeatedly.
【００１６】これに対し、パターン化金属薄膜の転写を
妨害しないほど薄く、かつ繰り返し使用しても破壊され
ないような、めっきマスクを形成した金属膜形成用部材
が実現できれば、一般に装置コストおよびランニングコ
ストが低廉な湿式めっき法で、パターン化金属薄膜を安
価に製造することが可能となる。On the other hand, if a member for forming a metal film on which a plating mask is formed can be realized so as to be thin enough not to disturb the transfer of the patterned metal thin film and not to be destroyed even when used repeatedly, the cost of the apparatus and the running cost are generally increased. However, it is possible to manufacture a patterned metal thin film at a low cost by an inexpensive wet plating method.
【００１７】本発明の目的は、パターン化金属薄膜の転
写を妨害しない程度に薄く、繰り返し使用可能なマスク
部を有する金属膜形成用部材を提供することである。ま
た本発明の目的は、このような金属膜形成用部材を容易
かつ安価に製造できる金属膜形成用部材の製造方法を提
供することである。さらに本発明の目的は、厚みが極め
て薄くかつ均一な金属膜のパターンを、グリーンシート
などの壊れやすい転写対象物の表面に容易且つ確実に、
しかも破壊させることなく、安定的に転写できる金属膜
の転写方法を提供することである。さらにまた本発明の
目的は、厚みが薄く且つ均一で欠陥の少ない内部電極を
有する積層セラミック電子部品を製造する方法を提供す
ることである。An object of the present invention is to provide a metal film forming member having a mask portion which is thin enough not to hinder transfer of a patterned metal thin film and which can be used repeatedly. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a metal film forming member that can easily and inexpensively manufacture such a metal film forming member. Further, an object of the present invention is to easily and reliably form a pattern of an extremely thin and uniform metal film on the surface of a fragile transfer target such as a green sheet.
Further, it is an object of the present invention to provide a method for transferring a metal film that can be stably transferred without being destroyed. Still another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component having an internal electrode having a small thickness, uniformity and few defects.
【００１８】[0018]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明者は、電解コンデンサの製造に用いられて
いるいわゆるバルブ金属の陽極酸化処理により得られる
陽極酸化膜に着目し、これをめっきマスクとして活用で
きないかと考え、鋭意検討した結果、本発明を完成させ
るに至った。In order to achieve the above object, the present inventor has focused on an anodized film obtained by anodizing a so-called valve metal used in the production of electrolytic capacitors. As a result of intensive studies, assuming that it can be used as a plating mask, the present invention has been completed.
【００１９】金属膜形成用部材 本発明に係る金属膜形成用部材は、基体の表面に形成さ
れた所定パターンの開口部を有する陽極酸化膜からなる
マスク部と、前記開口部における基体の表面に形成され
た自然酸化膜とを有する。A member for forming a metal film according to the present invention comprises a mask portion formed of an anodic oxide film having a predetermined pattern of openings formed on the surface of a substrate, and a mask formed on the surface of the substrate at the opening. And a formed natural oxide film.
【００２０】前記開口部内の自然酸化膜の表面に電解め
っき法により形成された金属膜を、さらに有することが
好ましい。It is preferable that a metal film formed by electrolytic plating on the surface of the natural oxide film in the opening is further provided.
【００２１】前記金属膜の表面に形成された熱可塑性有
機高分子を含む接着層を、さらに有することが好まし
い。[0021] It is preferable that an adhesive layer containing a thermoplastic organic polymer formed on the surface of the metal film is further provided.
【００２２】金属膜形成用部材の製造方法 第１の観点に係る金属膜形成用部材の製造方法は、基体
の表面に所定パターンの開口部を持つレジスト層を形成
する工程と、前記開口部内の表面を陽極酸化処理して陽
極酸化膜からなるマスク部を形成する工程と、前記レジ
スト層を除去する工程とを有する。A method of manufacturing a member for forming a metal film according to a first aspect of the present invention includes a step of forming a resist layer having a predetermined pattern of openings on the surface of a base, A step of forming a mask portion made of an anodized film by anodizing the surface; and a step of removing the resist layer.
【００２３】第２の観点に係る金属膜形成用部材の製造
方法は、基体の表面を陽極酸化処理して陽極酸化膜を形
成する工程と、前記陽極酸化膜の表面に所定パターンの
開口部を持つレジスト層を形成する工程と、前記開口部
内に露出する陽極酸化膜部分を除去して陽極酸化膜から
なるマスク部を形成する工程と、前記レジスト層を除去
する工程とを有する。According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a metal film forming member, comprising the steps of: anodizing a surface of a base to form an anodized film; and forming an opening having a predetermined pattern on the surface of the anodized film. Forming a mask layer made of an anodic oxide film by removing a portion of the anodic oxide film exposed in the opening; and removing the resist layer.
【００２４】第３の観点に係る金属膜形成用部材の製造
方法は、基体の表面に所定パターンの開口部を有する陽
極酸化膜からなるマスク部と、前記開口部における基体
の表面に自然酸化膜とが形成してある金属膜形成用部材
の前記開口部内の表面に、電解めっき法により少なくと
も１層の単一金属または合金からなる金属膜を形成する
工程を有する。According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a metal film forming member, comprising: a mask portion formed of an anodic oxide film having a predetermined pattern of openings on the surface of a base; Forming a metal film made of at least one layer of a single metal or an alloy on the surface in the opening of the metal film forming member on which the metal film is formed.
【００２５】第４の観点に係る金属膜形成用部材の製造
方法は、基体の表面に所定パターンの開口部を有する陽
極酸化膜からなるマスク部と、前記開口部における基体
の表面に自然酸化膜とが形成してある金属膜形成用部材
の前記開口部内の表面に、電解めっき法により第一の単
一金属または合金からなる第１金属膜を形成する工程
と、前記第１金属膜の表面に、無電解めっき法により第
二の単一金属または合金からなる第２金属膜を形成する
工程とを有する。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a metal film forming member, comprising: a mask portion formed of an anodic oxide film having a predetermined pattern of openings on a surface of a base; Forming a first metal film made of a first single metal or alloy by electrolytic plating on a surface in the opening of the metal film forming member on which the first metal film is formed; Forming a second metal film made of a second single metal or alloy by an electroless plating method.
【００２６】第５の観点に係る金属膜形成用部材の製造
方法は、基体の表面に所定パターンの開口部を有する陽
極酸化膜からなるマスク部と、前記開口部における基体
の表面に自然酸化膜とが形成してある金属膜形成用部材
の前記開口部内の表面に、少なくとも１層の単一金属ま
たは合金からなる金属膜を形成する工程と、前記金属膜
の表面に、電着塗装法により熱可塑性有機高分子を含む
接着層を形成する工程とを有する。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a metal film forming member, comprising: a mask portion formed of an anodic oxide film having a predetermined pattern of openings on a surface of a base; Forming a metal film made of at least one layer of a single metal or an alloy on the surface in the opening of the metal film forming member on which the metal film is formed, and applying an electrodeposition coating method on the surface of the metal film. Forming an adhesive layer containing a thermoplastic organic polymer.
【００２７】金属膜の転写方法 本発明に係る金属膜の転写方法は、基体の表面に所定パ
ターンの開口部を有する陽極酸化膜からなるマスク部
と、前記開口部における基体の表面に電解めっき法によ
る金属膜とが形成された金属膜形成用部材の金属膜側を
被転写部材に接触させる工程と、前記被転写部材から前
記基体を引き離し、前記被転写部材の表面に所定パター
ンの金属膜を転写する工程とを有する。The method of transferring a metal film according to the present invention is a method of transferring a metal film, comprising: a mask portion made of an anodic oxide film having a predetermined pattern of openings on the surface of a substrate; Contacting the metal film side of the metal film forming member with the metal film formed with the transferred member, separating the base from the transferred member, and forming a metal film of a predetermined pattern on the surface of the transferred member. Transferring.
【００２８】積層セラミック電子部品の製造方法 本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、基
体の表面に所定パターンの開口部を有する陽極酸化膜か
らなるマスク部と、前記開口部における基体の表面に電
解めっき法による金属膜とが形成された金属膜形成用部
材から、焼成後にセラミック焼結体となるグリーンシー
トの表面に所定パターンの金属膜を転写する工程と、前
記所定パターンの金属膜が転写されたグリーンシート
を、他のグリーンシートと共に積層する工程と、積層さ
れたグリーンシートを焼成する工程とを有する。The method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component according to the present invention is directed to a method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component, comprising: a mask portion made of an anodic oxide film having a predetermined pattern of openings on the surface of the base; Transferring a metal film of a predetermined pattern to a surface of a green sheet to be a ceramic sintered body after firing from a member for forming a metal film on which a metal film is formed by an electrolytic plating method; The method includes a step of laminating the transferred green sheet together with another green sheet, and a step of firing the laminated green sheet.
【００２９】前記焼成工程前に、積層されたグリーンシ
ートを切断する工程を有することが好ましい。Preferably, before the firing step, a step of cutting the laminated green sheets is provided.
【００３０】共通事項 前記基体は、陽極酸化処理に使用できる処理液や電解め
っき処理液の選択の自由度が大きいこと、冷間圧延によ
って長尺の薄い箔が得られることなどから、金属タンタ
ルまたはタンタルを主成分とする合金で構成してあるこ
とが好ましい。前記基体をタンタルを主成分とする合金
で構成する場合におけるタンタルの含有割合は、特に限
定されず、ＮｂやＨｆなどの不純物が微量含有してあっ
てもよい。 Common Items The substrate has a high degree of freedom in selecting a treatment solution or an electrolytic plating solution which can be used for anodizing treatment, and a long thin foil can be obtained by cold rolling. It is preferable that it is composed of an alloy mainly containing tantalum. When the base is made of an alloy containing tantalum as a main component, the content ratio of tantalum is not particularly limited, and a small amount of impurities such as Nb and Hf may be contained.
【００３１】前記基体の具体的形状は、特に限定されな
いが、シート状であることが好ましい。また、基体の表
面は平滑であることが好ましい。The specific shape of the substrate is not particularly limited, but is preferably a sheet. The surface of the substrate is preferably smooth.
【００３２】前記基体は、可撓性支持体上に保持されて
いてもよい。また前記基体は、可撓性支持体上に接着層
を介して接着されてものであってもよい。さらに前記基
体は、可撓性支持体上に薄膜形成法によって形成された
ものであってもよい。[0032] The substrate may be held on a flexible support. Further, the substrate may be bonded to a flexible support via an adhesive layer. Further, the substrate may be formed on a flexible support by a thin film forming method.
【００３３】前記陽極酸化膜からなるマスク部の厚み
は、好ましくは１μｍ未満である。The thickness of the mask portion made of the anodic oxide film is preferably less than 1 μm.
【００３４】[0034]
【作用】電気化学便覧（丸善）によれば、Ａｌ、Ｔｉ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆなどの金属は、バルブ金属ある
いは弁金属と呼ばれている。この名は、特定の処理液中
でこれらの金属を陽極として電解することにより生成さ
れるバリヤー型陽極酸化膜が、カソード電流は流すが、
アノード電流は通さない、すなわちバルブ（弁）作用を
示すことに由来する。すなわち、これらバルブ金属のバ
リヤー型陽極酸化膜は、基体を陽極として処理を行うア
ニオン電着塗装に対してはレジスト作用を示すことにな
るが、基体を陰極として処理（カソード電解）を行う電
解めっきに対してはレジスト作用を示さず、陽極酸化膜
上に金属膜が析出する。したがって、このような陽極酸
化膜を、電解めっき法により金属膜を形成する際のマス
クとして用いることは困難ではないかと考えられた。[Action] According to the Electrochemical Handbook (Maruzen), Al, Ti,
Metals such as Nb, Ta, Zr, and Hf are called valve metals or valve metals. This name is a barrier type anodic oxide film generated by electrolysis of these metals in a specific processing solution as an anode, but the cathode current flows,
The anodic current is not passed, that is, it is derived from the fact that it exhibits a valve action. That is, the barrier metal anodic oxide films of these valve metals have a resist effect on anion electrodeposition coating in which the substrate is treated as an anode, but electrolytic plating in which the substrate is treated as a cathode (cathodic electrolysis). Does not exhibit a resist effect, and a metal film is deposited on the anodic oxide film. Therefore, it was considered that it was difficult to use such an anodized film as a mask when forming a metal film by an electrolytic plating method.
【００３５】しかしながら、鋭意検討した結果、本発明
者は、基体上に陽極処理によって形成された陽極酸化膜
に覆われた部位と、自然酸化膜のみに覆われた部位とが
存在する場合、陽極酸化膜と比較的厚さの薄い自然酸化
膜との抵抗値の差から、自然酸化膜のみに覆われた部位
に優先的に金属膜を析出させられることを見出した。す
なわち、陽極酸化膜をめっきマスクとして作用させるこ
とが可能であることを確認した。However, as a result of intensive studies, the present inventor has found that when there is a portion covered with an anodic oxide film formed on a substrate by anodic treatment and a portion covered only with a natural oxide film, From the difference in resistance between the oxide film and the natural oxide film having a relatively small thickness, it has been found that a metal film can be preferentially deposited on a portion covered with only the natural oxide film. That is, it was confirmed that the anodic oxide film could be used as a plating mask.
【００３６】なお、バルブ金属の中で、アルミニウム
は、自然酸化膜が強固で抵抗が高いためにめっきが困難
であり、しかも金属自体が耐酸性、耐アルカリ性に劣る
ために陽極酸化膜が破壊されやすい傾向にある。チタン
は、その酸化膜が酸またはアルカリに対して溶解性が高
いため、生成される陽極酸化膜の耐めっき液性が低く、
めっきマスクとしては十分な作用を示さない傾向があ
る。ニオブの陽極酸化膜は主成分が酸化ニオブ（Ｖ）で
あり、これ自体はフッ酸以外の酸・アルカリに対しては
溶解しないが、めっき処理における電圧の印加によっ
て、酸化度が低く、耐酸・耐アルカリ性の低い酸化物、
たとえば酸化ニオブ（ＩＩ）にまで還元されてしまうた
め、めっきマスクとしての作用が十分ではない傾向があ
る。Of the valve metals, aluminum is difficult to plate because of its strong natural oxide film and high resistance, and the anodic oxide film is destroyed because the metal itself is poor in acid resistance and alkali resistance. Tends to be easy. Since the oxide film of titanium has high solubility in acid or alkali, the resulting anodic oxide film has low plating solution resistance,
There is a tendency that the plating mask does not show a sufficient effect. The niobium anodic oxide film is mainly composed of niobium oxide (V), and does not dissolve itself in acids and alkalis other than hydrofluoric acid. Oxides with low alkali resistance,
For example, since it is reduced to niobium (II) oxide, the function as a plating mask tends to be insufficient.
【００３７】これらに対し、タンタルの陽極酸化膜は、
主成分が酸化タンタル（Ｖ）であって、フッ酸以外の酸
・アルカリに対して溶解せず、固体状態からは電気化学
的に還元されず、めっきマスクとして最も好ましい。ま
たタンタルの陽極酸化膜は、１μｍ未満と非常に薄く形
成できるため、自然酸化膜のみが存在する部位に形成さ
れる極めて薄い所定パターンの金属膜の転写を妨害しな
い。On the other hand, the anodic oxide film of tantalum is
The main component is tantalum oxide (V), which does not dissolve in acids or alkalis other than hydrofluoric acid, is not electrochemically reduced from a solid state, and is most preferable as a plating mask. In addition, since the anodic oxide film of tantalum can be formed as very thin as less than 1 μm, it does not hinder transfer of an extremely thin metal film having a predetermined pattern formed at a portion where only a natural oxide film exists.
【００３８】すなわち、本発明に係る金属膜形成用部材
によれば、マスク部を構成する陽極酸化膜と、所定パタ
ーンの開口部内に露出する自然酸化膜部分との間に生じ
る抵抗差により、優先的に前記開口部内の自然酸化膜表
面部分に金属膜を析出できる。陽極酸化膜からなるマス
ク部は、有機高分子を主成分とする通常のめっきマスク
用レジスト材より強度が高いので、繰り返し使用しても
破壊されにくく、その結果、繰り返し使用可能である。
また、マスク部の厚みを極めて薄く形成できるため、マ
スク開口部に形成される金属膜の転写を妨害せず、これ
を用いた金属膜転写用部材の金属膜転写工程前にマスク
パターンを除去する工程が不要となり、取り扱い性が顕
著に向上する。したがって、本発明の金属膜形成用部材
を用いれば、１回の所定パターンの金属膜形成に対して
１回のマスクパターン形成工程、場合によってはさらに
マスクパターン除去工程が必要である有機高分子レジス
ト膜を用いた従来技術に比較して、安価に所定パターン
の金属膜を得ることができる。That is, according to the metal film forming member according to the present invention, priority is given to resistance difference between the anodic oxide film forming the mask portion and the natural oxide film portion exposed in the opening of the predetermined pattern. A metal film can be deposited on the surface of the natural oxide film in the opening. Since the mask portion made of the anodic oxide film has higher strength than the ordinary resist material for plating masks containing an organic polymer as a main component, it is hard to be broken even when used repeatedly, and as a result, it can be used repeatedly.
Further, since the thickness of the mask portion can be made extremely thin, the transfer of the metal film formed in the mask opening is not hindered, and the mask pattern is removed before the metal film transfer step of the metal film transfer member using the same. A step is not required, and handling is remarkably improved. Therefore, if the metal film forming member of the present invention is used, an organic polymer resist that requires one mask pattern forming step and, in some cases, a further mask pattern removing step for one predetermined pattern metal film formation A metal film having a predetermined pattern can be obtained at a lower cost than in a conventional technique using a film.
【００３９】本発明に係る金属膜形成用部材は、主とし
て、積層セラミック電子部品の内部電極の形成に用いる
ことができるが、特にこれに限定されるものではなく、
それ以外の所定パターンの金属膜を転写する工程を含む
用途、たとえば積層セラミック電子部品の外部電極の形
成や、非接触ＩＣカード用のアンテナパターンの形成、
軟磁性金属膜を積層した磁気コアの製造などに用いても
よい。The member for forming a metal film according to the present invention can be mainly used for forming internal electrodes of a multilayer ceramic electronic component, but is not particularly limited thereto.
Other applications including a step of transferring a metal film having a predetermined pattern, for example, forming external electrodes of a multilayer ceramic electronic component, forming an antenna pattern for a non-contact IC card,
It may be used for manufacturing a magnetic core having a laminated soft magnetic metal film.
【００４０】本発明に係る金属膜形成用部材の製造方法
によれば、容易かつ安価に金属膜転写用部材を製造でき
る。特に第３〜５の観点に係る金属膜形成用部材の製造
方法によれば、装置コストおよびランニングコストが低
廉な湿式めっき法により容易かつ安価に金属膜形成用部
材を製造できる。しかも金属膜の形成を電解めっき法と
無電解めっき法とを併用することにより、金属膜の厚み
をより均一に形成できる。According to the method for manufacturing a member for forming a metal film according to the present invention, a member for transferring a metal film can be manufactured easily and inexpensively. In particular, according to the method for manufacturing a metal film forming member according to the third to fifth aspects, a metal film forming member can be manufactured easily and inexpensively by a wet plating method in which equipment cost and running cost are low. Moreover, by using the electrolytic plating method and the electroless plating method together for forming the metal film, the thickness of the metal film can be formed more uniformly.
【００４１】本発明に係る金属膜の転写方法によれば、
厚みが極めて薄くかつ均一な金属膜のパターンを、グリ
ーンシートなどの壊れやすい転写対象物の表面に容易且
つ確実に、しかも破壊させることなく、安定的に当該転
写対象物の表面に転写できる。According to the method for transferring a metal film according to the present invention,
An extremely thin and uniform metal film pattern can be easily and reliably transferred to the surface of a fragile transfer target such as a green sheet without being destroyed, and stably transferred to the surface of the transfer target.
【００４２】本発明に係る積層セラミック電子部品の製
造方法によれば、上述した構成の金属膜転写用部材を用
いるので、厚みが薄く且つ均一で欠陥の少ない内部電極
を有する積層セラミック電子部品を、きわめて容易且つ
低コストで製造できる。According to the method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component of the present invention, since the metal film transfer member having the above-described structure is used, a multilayer ceramic electronic component having a thin and uniform internal electrode with few defects can be obtained. It can be manufactured very easily and at low cost.
【００４３】積層セラミック電子部品としては、特に限
定されないが、積層セラミックコンデンサ、圧電素子、
チップインダクタ、チップバリスタ、チップサーミス
タ、チップ抵抗、その他の表面実装（ＳＭＤ）チップ型
電子部品が例示される。The multilayer ceramic electronic component is not particularly limited, but may be a multilayer ceramic capacitor, a piezoelectric element,
Examples include chip inductors, chip varistors, chip thermistors, chip resistors, and other surface mount (SMD) chip-type electronic components.
【００４４】[0044]
【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面に示す実施
形態に基づき説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on embodiments shown in the drawings.
【００４５】図１は本発明の一実施形態に係る積層セラ
ミックコンデンサの一部破断断面図、図２は積層セラミ
ックコンデンサの平面図、図３は図１および図２に示す
コンデンサの製造過程に用いるグリーンシートの斜視
図、図４は金属膜形成用部材の一例を示す斜視図、図５
は図４に示すV−V線に沿う断面図、図６および図７は本
発明に係る金属膜形成用部材の製造方法の一例を説明す
るための工程図、図８は金属膜形成用部材の一例を示す
斜視図、図９は図８に示すIX−IX線に沿う断面図であ
る。FIG. 1 is a partially cutaway cross-sectional view of a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of the multilayer ceramic capacitor, and FIG. 3 is used in the process of manufacturing the capacitors shown in FIGS. FIG. 4 is a perspective view of a green sheet. FIG. 4 is a perspective view showing an example of a metal film forming member.
6 is a sectional view taken along the line VV shown in FIG. 4, FIGS. 6 and 7 are process diagrams for explaining an example of a method for manufacturing a metal film forming member according to the present invention, and FIG. 8 is a metal film forming member. FIG. 9 is a sectional view taken along line IX-IX shown in FIG.
【００４６】本実施形態では、積層セラミック電子部品
として、図１および図２に示す積層セラミックコンデン
サ２を例示し、その構造および製造方法について説明す
る。In this embodiment, the multilayer ceramic capacitor 2 shown in FIGS. 1 and 2 will be exemplified as a multilayer ceramic electronic component, and the structure and manufacturing method thereof will be described.
【００４７】積層セラミックコンデンサ まず、積層セラミックコンデンサの構造を説明する。The multilayer ceramic capacitor First, the structure of a multilayer ceramic capacitor.
【００４８】図１および図２に示されるように、本実施
形態に係る積層セラミック電子部品としての積層セラミ
ックコンデンサ２は、コンデンサ素体４と、第１端子電
極６と第２端子電極８とを有する。コンデンサ素体４
は、誘電体層１０と、第１内部電極層１２と、第２内部
電極層１４とを有し、誘電体層１０の間に、第１内部電
極層１２と第２内部電極層１４とが交互に積層してある
多層構造を持つ。各第１内部電極層１２の一端は、コン
デンサ素体４の第１端部４ａの外側に形成してある第１
端子電極６の内側に対して電気的に接続してある。ま
た、各第２内部電極層１４の一端は、コンデンサ素体４
の第２端部４ｂの外側に形成してある第２端子電極８の
内側に対して電気的に接続してある。As shown in FIGS. 1 and 2, a multilayer ceramic capacitor 2 as a multilayer ceramic electronic component according to the present embodiment comprises a capacitor body 4, a first terminal electrode 6, and a second terminal electrode 8. Have. Capacitor body 4
Has a dielectric layer 10, a first internal electrode layer 12, and a second internal electrode layer 14, and the first internal electrode layer 12 and the second internal electrode layer 14 are provided between the dielectric layers 10. It has a multilayer structure that is alternately stacked. One end of each first internal electrode layer 12 is formed outside a first end 4 a of the capacitor body 4.
It is electrically connected to the inside of the terminal electrode 6. One end of each second internal electrode layer 14 is connected to the capacitor element 4
Is electrically connected to the inside of the second terminal electrode 8 formed outside the second end 4b.
【００４９】本実施形態では、内部電極層１２および１
４は、後述する金属膜２２（図８参照）を誘電体グリー
ンシートに転写して形成され、金属膜２２と同じ材質で
構成されるが、その厚みは、焼成による水平方向の収縮
分だけ金属膜２２よりも厚くなる。In this embodiment, the internal electrode layers 12 and 1
4 is formed by transferring a metal film 22 (see FIG. 8) to be described later to a dielectric green sheet, and is formed of the same material as the metal film 22. It is thicker than the film 22.
【００５０】誘電体層１０の材質は、特に限定されず、
たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム
および／またはチタン酸バリウムなどの誘電体材料で構
成される。各誘電体層１０の厚みは、特に限定されない
が、数μｍ〜数百μｍのものが一般的である。The material of the dielectric layer 10 is not particularly limited.
For example, it is composed of a dielectric material such as calcium titanate, strontium titanate and / or barium titanate. The thickness of each dielectric layer 10 is not particularly limited, but is generally several μm to several hundred μm.
【００５１】端子電極６および８の材質も特に限定され
ないが、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金な
どが用いられるが、銀や銀とパラジウムの合金なども使
用することができる。端子電極６および８の厚みも特に
限定されないが、通常１０〜５０μｍ程度である。Although the material of the terminal electrodes 6 and 8 is not particularly limited, copper, a copper alloy, nickel, a nickel alloy or the like is usually used, but silver or an alloy of silver and palladium can also be used. The thickness of the terminal electrodes 6 and 8 is not particularly limited, but is usually about 10 to 50 μm.
【００５２】このような積層型セラミックコンデンサ２
の形状やサイズは目的や用途に応じて適宜決定すればよ
い。積層セラミックコンデンサ２が直方体形状の場合
は、通常、０．６〜３．２ｍｍ×０．３〜１．６ｍｍ×
０．１〜１．２ｍｍ程度である。Such a multilayer ceramic capacitor 2
The shape and size of may be determined appropriately according to the purpose and use. When the multilayer ceramic capacitor 2 has a rectangular parallelepiped shape, it is usually 0.6 to 3.2 mm × 0.3 to 1.6 mm ×
It is about 0.1 to 1.2 mm.
【００５３】金属膜形成用部材 次に、積層セラミックコンデンサの製造に用いる金属膜
形成用部材について説明する。[0053] Metal layer forming member will be described metal film forming member for use in the manufacture of multilayer ceramic capacitors.
【００５４】図４および図５に示すように、本実施形態
に係る金属膜形成用部材３０ａは、シート状基体２０の
表面に、所定パターンの開口部２０ｂを有し、陽極酸化
処理によるバルブ性の陽極酸化膜からなるマスク部２０
ａが形成してある。開口部２０ｂ内の基体表面には、自
然酸化膜２１が形成してある。As shown in FIGS. 4 and 5, the metal film forming member 30a according to the present embodiment has openings 20b of a predetermined pattern on the surface of the sheet-like substrate 20, and has a valve property by anodizing. Mask portion 20 made of an anodic oxide film
a is formed. A natural oxide film 21 is formed on the surface of the substrate in the opening 20b.
【００５５】本実施形態では、基体２０として、Ｔａま
たはＴａを主成分とする合金からなる板を用いている
が、ブロック、シート、箔などの何れの形態であっても
よい。基体２０は、ポリエステルなどの可撓性支持体上
に、必要に応じて接着層を介して貼り合わせたものであ
ってもよく、さらには可撓性支持体上に、蒸着法やスパ
ッタリング法などの各種薄膜形成法によって形成したも
のであってもよい。ＴａまたはＴａを主成分とする合金
は、フッ素化合物の溶液以外には溶解しないため、陽極
酸化および電解めっきの処理液として種々のものを選択
できるとともに、冷間圧延による加工が可能なため、長
尺の箔状基体を用意することができる。なお、基体２０
の表面粗さは、形成する金属膜の厚さと比較して充分に
小さいことが望ましい。基体２０の厚みは、１０〜１０
０μｍ程度とすればよい。In this embodiment, a plate made of Ta or an alloy containing Ta as a main component is used as the base 20, but any form such as a block, a sheet, and a foil may be used. The substrate 20 may be a flexible support made of polyester or the like, which is attached via an adhesive layer as necessary. Further, the base 20 may be formed on the flexible support by an evaporation method, a sputtering method, or the like. It may be formed by any of the various thin film forming methods. Since Ta or an alloy containing Ta as a main component does not dissolve except for a solution of a fluorine compound, various treatment solutions for anodic oxidation and electrolytic plating can be selected, and processing by cold rolling is possible. A scale-shaped foil-like substrate can be prepared. The base 20
Is desirably sufficiently small in comparison with the thickness of the metal film to be formed. The thickness of the substrate 20 is 10 to 10
It may be about 0 μm.
【００５６】自然酸化膜２１は、一般には機械研磨、化
学研磨、電解研磨などによって露出された活性な金属表
面に、空気中で自然に形成される酸化膜を意味するが、
本発明ではこれに加えて、通常の乾燥操作などによる温
度２００℃未満での加熱操作により形成される酸化膜も
含む。このような自然酸化膜２１の厚さＤ４は、通常１
〜２ｎｍ程度である。The natural oxide film 21 generally means an oxide film naturally formed in air on an active metal surface exposed by mechanical polishing, chemical polishing, electrolytic polishing, or the like.
In addition, the present invention also includes an oxide film formed by a heating operation at a temperature lower than 200 ° C. by a normal drying operation or the like. The thickness D4 of the natural oxide film 21 is usually 1
About 2 nm.
【００５７】マスク部２０ａを構成する陽極酸化膜は、
基体２０の表面の金属が酸化して形成されるので、基体
２０の表面方向のみに成長するのではなく、基体２０の
内部方向にも成長して形成されている。このようなマス
ク部２０ａの厚さＤ３は、通常１μｍ未満であり、好ま
しくは５０〜８００ｎｍ、さらに好ましくは１００〜４
００ｎｍである。陽極酸化膜からなるマスク部２０ａの
厚さがあまりに薄いと、マスク効果が十分でなく、マス
ク部２０ａの表面にも後述する金属膜２２が形成される
おそれがある。また、マスク部２０ａの厚さを必要以上
に厚くするのは、高い電解電圧と長い電解処理時間が要
求されるため、望ましくない傾向がある。The anodic oxide film constituting the mask portion 20a is
Since the metal on the surface of the base 20 is formed by oxidation, the metal is grown not only in the surface direction of the base 20 but also in the inner direction of the base 20. The thickness D3 of such a mask portion 20a is usually less than 1 μm, preferably 50 to 800 nm, more preferably 100 to 4 nm.
00 nm. If the thickness of the mask portion 20a made of an anodic oxide film is too small, the mask effect is not sufficient, and a metal film 22 described later may be formed on the surface of the mask portion 20a. Making the mask portion 20a unnecessarily thick tends to be undesirable because a high electrolysis voltage and a long electrolysis treatment time are required.
【００５８】基体２０の表面に所定パターンの開口部２
０ｂを有する陽極酸化膜からなるマスク部２０ａを形成
する方法としては、たとえば図６（Ａ）〜（Ｂ）に示す
ように、まず所望のパターン形状の開口部２０ｃを有す
るめっきレジスト層３２を、基体２０の自然酸化膜２１
の表面に形成する。An opening 2 having a predetermined pattern is formed on the surface of the base 20.
As a method of forming the mask portion 20a made of an anodic oxide film having 0b, for example, as shown in FIGS. 6A and 6B, first, a plating resist layer 32 having an opening portion 20c having a desired pattern shape is formed. Natural oxide film 21 of substrate 20
Formed on the surface of
【００５９】図６（Ｂ）に示すめっきレジスト層３２
は、本実施形態では、スクリーン印刷法などの印刷法を
用いて形成してあるが、その他に感光性ドライフィルム
を基体２０の自然酸化膜２１の表面に貼付して、金属マ
スクを介して露光した後に現像するフォトリソグラフ法
を用いて形成してもよく、形成方法は特に限定されな
い。めっきレジスト層３２の材質は、後述する陽極酸化
膜からなるマスク部２０ａを形成するのに用いられる任
意の酸・アルカリ・塩水溶液の種類に応じて適宜選択す
れば良い。めっきレジスト層３２の厚さは、１〜３０μ
ｍ程度とすれば良い。The plating resist layer 32 shown in FIG.
In the present embodiment, is formed by using a printing method such as a screen printing method. In addition, a photosensitive dry film is attached to the surface of the natural oxide film 21 of the base 20 and exposed through a metal mask. The film may be formed by using a photolithographic method of developing after the formation, and the forming method is not particularly limited. The material of the plating resist layer 32 may be appropriately selected depending on the type of an arbitrary acid, alkali, or salt aqueous solution used to form a mask portion 20a made of an anodic oxide film described later. The thickness of the plating resist layer 32 is 1 to 30 μm.
m.
【００６０】次いで、図６（Ｃ）に示すように、めっき
レジスト層３２の開口部２０ｃ内の自然酸化膜表面部分
を陽極酸化処理して陽極酸化膜からなるマスク部２０ａ
を形成する。めっきレジスト層３２の開口部２０ｃ内の
自然酸化膜表面部分に、陽極酸化膜からなるマスク部２
０ａを形成する陽極酸化処理は、フッ化水素酸またはフ
ッ化水素酸塩水溶液以外の任意の酸・アルカリ・塩、た
とえば、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸などの無機酸あるい
は水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの無機アルカ
リ、あるいはこれらの塩の水溶液の中で、めっきレジス
ト層３２の開口部２０ｃ内の自然酸化膜表面を陽極にし
て電解処理することによって行うことができる。これら
の水溶液の中でも、電解中の有害ガスやミストの発生が
少なく、処理後の洗浄性が良好で、廃水処理が容易な硫
酸または硫酸塩の水溶液が特に好適である。電解処理
は、電解電流がほぼ流れなくなるまで行えば良く、処理
時間は１〜５分間程度である。処理後の開口部２０ｃ内
の自然酸化膜表面は、処理電圧に依存して特有の色を呈
し、たとえばＴａ金属板を３０Ｖで処理した場合には、
均一な紫色の干渉色となる。Next, as shown in FIG. 6C, the surface portion of the natural oxide film in the opening 20c of the plating resist layer 32 is subjected to anodizing treatment to form a mask portion 20a made of an anodized film.
To form A mask portion 2 made of an anodic oxide film is formed on the surface of the natural oxide film in the opening 20c of the plating resist layer 32.
The anodizing treatment for forming Oa is carried out using any acid, alkali, or salt other than aqueous hydrofluoric acid or hydrofluoric acid, for example, an inorganic acid such as sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, phosphoric acid, or sodium hydroxide or water. This can be performed by performing an electrolytic treatment in an aqueous solution of an inorganic alkali such as potassium oxide or a salt thereof with the surface of the natural oxide film in the opening 20c of the plating resist layer 32 as an anode. Among these aqueous solutions, an aqueous solution of sulfuric acid or sulfate, which generates little harmful gas or mist during electrolysis, has good cleaning properties after treatment, and is easy to treat wastewater, is particularly preferable. The electrolytic treatment may be performed until almost no electrolytic current flows, and the treatment time is about 1 to 5 minutes. The surface of the natural oxide film in the opening 20c after the treatment exhibits a specific color depending on the treatment voltage. For example, when a Ta metal plate is treated at 30V,
A uniform purple interference color results.
【００６１】次いで、図６（Ｄ）に示すように、めっき
レジスト層３２を、たとえば有機溶剤またはアルカリ溶
液などを用いて除去することにより、基体２０の表面に
所定パターンの開口部２０ｂを有する陽極酸化膜からな
るマスク部２０ａを形成することができる。Next, as shown in FIG. 6D, the plating resist layer 32 is removed using, for example, an organic solvent or an alkaline solution to form an anode having a predetermined pattern of openings 20 b on the surface of the substrate 20. A mask portion 20a made of an oxide film can be formed.
【００６２】また、以下に示すような方法で、陽極酸化
膜からなるマスク部２０ａを形成してもよい。たとえば
図７（Ａ）〜（Ｂ）に示すように、まず陽極酸化処理に
よる陽極酸化膜２０ｄを、基体２０の表面に形成する。The mask portion 20a made of an anodic oxide film may be formed by the following method. For example, as shown in FIGS. 7A and 7B, first, an anodized film 20d is formed on the surface of the base 20 by anodizing.
【００６３】次いで、図７（Ｃ）に示すように、所望の
パターン形状の開口部２０ｃを有するエッチングレジス
ト層３２ａを、陽極酸化膜２０ｄの表面に形成する。エ
ッチングレジスト層３２ａは、上述しためっきレジスト
層３２と同様の方法で形成すればよい。エッチングレジ
スト層３２ａの材質は、酸化膜のエッチングに対してレ
ジスト作用を有するように決定される。エッチングレジ
スト層３２ａの厚さは、１〜３０μｍ程度とすれば良
い。Next, as shown in FIG. 7C, an etching resist layer 32a having an opening 20c having a desired pattern is formed on the surface of the anodic oxide film 20d. The etching resist layer 32a may be formed by the same method as the plating resist layer 32 described above. The material of the etching resist layer 32a is determined so as to have a resist effect on the etching of the oxide film. The thickness of the etching resist layer 32a may be about 1 to 30 μm.
【００６４】次いで、図７（Ｄ）に示すように、エッチ
ングレジスト層３２ａの開口部２０ｃ内に露出する陽極
酸化膜部分を、たとえばフッ化水素酸またはフッ化水素
酸塩水溶液を用いて溶解除去し、陽極酸化膜からなるマ
スク部２０ａを形成する。Next, as shown in FIG. 7D, the anodic oxide film portion exposed in the opening 20c of the etching resist layer 32a is dissolved and removed using, for example, an aqueous solution of hydrofluoric acid or hydrofluoric acid. Then, a mask portion 20a made of an anodic oxide film is formed.
【００６５】次いで、図７（Ｅ）に示すように、エッチ
ングレジスト層３２ａを、たとえば有機溶剤またはアル
カリ溶液などを用いて除去することにより、所定パター
ンの開口部２０ｂを有する陽極酸化膜からなるマスク部
２０ａを形成することができる。開口部２０ｂの表面に
は、空気中に放置することで、自然酸化膜２１が形成さ
れる。Next, as shown in FIG. 7E, the etching resist layer 32a is removed by using, for example, an organic solvent or an alkaline solution or the like, thereby forming a mask made of an anodic oxide film having an opening 20b of a predetermined pattern. The part 20a can be formed. The natural oxide film 21 is formed on the surface of the opening 20b by being left in the air.
【００６６】本実施形態に係る金属膜形成用部材３０ａ
では、マスク部２０ａを構成する陽極酸化膜が、カソー
ド電解によって行われる電解めっき法に対してレジスト
作用を示す。このため、本実施形態に係る金属膜形成用
部材３０ａを用いて、電解めっき法により金属膜２２を
形成した場合には、マスク部２０ａを構成する陽極酸化
膜と、開口部２０ｂ内に露出する自然酸化膜部分との間
の抵抗差により、優先的に前記開口部２０ｂ内に金属膜
２２を析出できる。The metal film forming member 30a according to the present embodiment
In the embodiment, the anodic oxide film forming the mask portion 20a shows a resist effect on the electrolytic plating method performed by the cathodic electrolysis. Therefore, when the metal film 22 is formed by electrolytic plating using the metal film forming member 30a according to the present embodiment, the metal film 22 is exposed in the anodic oxide film forming the mask portion 20a and in the opening 20b. The metal film 22 can be preferentially deposited in the opening 20b due to the resistance difference between the natural oxide film portion.
【００６７】また、金属膜形成用部材３０ａのマスク部
２０ａを構成する陽極酸化膜は、有機高分子を主成分と
する通常のめっきマスク用レジスト材より強度が高いた
め、繰り返し使用しても破壊されにくい。The anodic oxide film constituting the mask portion 20a of the metal film forming member 30a has higher strength than a normal plating mask resist material containing an organic polymer as a main component. It is hard to be done.
【００６８】さらに、本実施形態では、マスク部２０ａ
の厚みを１μｍ未満と極めて薄く形成しているので、開
口部２０ｂに形成される金属膜２２の転写を妨害するお
それは少ない。Further, in the present embodiment, the mask portion 20a
Is very thin, less than 1 μm, so that there is little risk of obstructing the transfer of the metal film 22 formed in the opening 20b.
【００６９】以上のような金属膜形成用部材３０ａを用
い、その開口部２０ｂ内に金属膜が形成された図８およ
び図９に示す金属膜形成用部材３０ｂを得ることができ
る。Using the metal film forming member 30a as described above, a metal film forming member 30b shown in FIGS. 8 and 9 in which a metal film is formed in the opening 20b can be obtained.
【００７０】図８および図９に示すように、金属膜形成
用部材３０ｂは、金属膜形成用部材３０ａ（図４および
図５参照）の開口部２０ｂ内に露出する自然酸化膜表面
に、剥離可能なように金属膜２２が形成してあり、金属
膜２２の表面には、熱可塑性有機高分子を含む接着層２
４が積層してある。As shown in FIGS. 8 and 9, the metal film forming member 30b is separated from the surface of the natural oxide film exposed in the opening 20b of the metal film forming member 30a (see FIGS. 4 and 5). A metal film 22 is formed as possible, and an adhesive layer 2 containing a thermoplastic organic polymer is formed on the surface of the metal film 22.
4 are stacked.
【００７１】金属膜２２の厚みＤ１（図９参照）は、用
途に応じて適宜設定できるが、たとえば薄層化が要求さ
れる積層セラミック電子部品の内部電極用としては、好
ましくは０．１〜３０μｍ、さらに好ましくは０．１〜
１．５μｍ程度とすればよい。The thickness D1 (see FIG. 9) of the metal film 22 can be appropriately set according to the application. For example, the thickness D1 of the metal film 22 is preferably 0.1 to 0.1% for an internal electrode of a multilayer ceramic electronic component required to be thinner. 30 μm, more preferably 0.1 to
It may be about 1.5 μm.
【００７２】金属膜２２の組成は、用途に応じて適宜設
定できるが、たとえば薄層化が要求される積層セラミッ
ク電子部品の内部電極用としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、
Ｎｉなどの金属またはこれらの合金などが挙げられ、さ
らに、表面性／結晶性／内部応力の調整などの目的で添
加されるＰ、Ｂ、Ｓ、Ｃなどのいわゆるメタロイド元素
を含有してあってもよい。The composition of the metal film 22 can be appropriately set according to the intended use. For example, Ag, Cu, Pd,
Metals such as Ni and alloys thereof, and the like, and further contain so-called metalloid elements such as P, B, S, and C added for the purpose of adjusting surface properties / crystallinity / internal stress. Is also good.
【００７３】金属膜２２は、単一の層で構成してあって
もよく、あるいは複数の層（たとえば第１金属膜と第２
金属膜）で構成してあってもよい。The metal film 22 may be composed of a single layer, or a plurality of layers (for example, the first metal film and the second
(Metal film).
【００７４】金属膜２２は、本実施形態では、電解めっ
き法を用いて形成する。金属膜２２を電解めっき法で形
成することにより、基体２０の自然酸化膜２１の表面に
形成した陽極酸化膜からなるマスク部２０ａと自然酸化
膜２１との間の電気抵抗差を利用して、所定パターンの
金属膜を得ることができる。その一方で、こうした電解
めっき法のみを用いて金属膜２２を形成すると、その膜
厚が場所によって不均一になる場合がある。このため、
より好ましくは、電解めっき法によって下地となる第１
金属膜を形成した後、無電解めっき法によって第２以降
の金属膜を形成し、これら複数の層により金属膜２２を
構成する。第２以降の金属膜を無電解めっき法で形成す
るには、下地となる第１金属膜が無電解めっき浴に対し
て触媒活性である必要があり、もし触媒活性でなけれ
ば、第２以降の金属膜も第１金属膜と同様に電解めっき
法により形成してもよい。In the present embodiment, the metal film 22 is formed by using an electrolytic plating method. By forming the metal film 22 by the electrolytic plating method, utilizing the difference in electric resistance between the mask portion 20 a formed of the anodic oxide film formed on the surface of the natural oxide film 21 of the base 20 and the natural oxide film 21, A metal film having a predetermined pattern can be obtained. On the other hand, if the metal film 22 is formed using only such an electrolytic plating method, the thickness of the metal film 22 may be non-uniform depending on places. For this reason,
More preferably, the first base to be a base by electrolytic plating is used.
After the formation of the metal film, the second and subsequent metal films are formed by an electroless plating method, and the metal film 22 is constituted by the plurality of layers. In order to form the second and subsequent metal films by the electroless plating method, the first metal film serving as a base must be catalytically active with respect to the electroless plating bath. The metal film may be formed by the electrolytic plating method similarly to the first metal film.
【００７５】金属膜２２を形成する際の電解めっき浴と
しては、たとえばニッケル金属膜を製膜する場合は、硫
酸ニッケル、塩化ニッケル、硼酸を主成分とするいわゆ
るワット浴；スルファミン酸ニッケル、臭化ニッケル、
硼酸を主成分とするスルファミン酸浴などが挙げられ
る。また、銅金属膜を製膜する場合は、ピロリン酸銅、
ピロリン酸カリウムを主成分とするいわゆるピロ銅浴な
どの広く利用されているめっき浴を使用できる。電解め
っき浴には、前記主成分以外にも、たとえば応力調整
剤、界面活性剤、レベリング剤などの種々の添加剤を含
んでいてもよい。As the electrolytic plating bath for forming the metal film 22, for example, when a nickel metal film is formed, a so-called watt bath containing nickel sulfate, nickel chloride and boric acid as main components; nickel sulfamate, bromide nickel,
A sulfamic acid bath containing boric acid as a main component is exemplified. When forming a copper metal film, copper pyrophosphate,
A widely used plating bath such as a so-called pyro copper bath containing potassium pyrophosphate as a main component can be used. The electrolytic plating bath may contain, in addition to the main components, various additives such as a stress adjuster, a surfactant, and a leveling agent.
【００７６】必要に応じて、第１金属膜上に第２以降の
金属膜を無電解めっき法により形成する場合の無電解め
っき浴としては、たとえば、ニッケル合金膜を製膜する
場合は、ホスフィン酸ナトリウムを還元剤としたニッケ
ル−リンタイプの浴；水素化硼素ナトリウム、ジメチル
アミンボランなどを還元剤としたニッケル−硼素タイプ
の浴などが使用できる。If necessary, an electroless plating bath for forming the second and subsequent metal films on the first metal film by an electroless plating method includes, for example, phosphine for forming a nickel alloy film. Nickel-phosphorus type baths using sodium acid as a reducing agent; nickel-boron type baths using sodium borohydride, dimethylamine borane or the like as a reducing agent can be used.
【００７７】なお、金属膜２２を、積層セラミック電子
部品の内部電極用として用いる場合には、焼結時のセラ
ミックとの反応を考慮して、電解めっき浴、無電解めっ
き浴とも、Ｐ、Ｂ、Ｓ、Ｃなどのいわゆるメタロイド元
素の共析量が少ない浴を選択することが好ましい。When the metal film 22 is used for an internal electrode of a multilayer ceramic electronic component, both the electrolytic plating bath and the electroless plating bath are made of P and B in consideration of the reaction with the ceramic during sintering. It is preferable to select a bath having a small eutectoid amount of so-called metalloid elements such as S, C, and the like.
【００７８】接着層２４の厚さＤ２（図９参照）は、金
属膜２２の厚さＤ１（図９参照）と同等以下とするのが
望ましく、具体的には、好ましくは０．１〜１０μｍ、
さらに好ましくは０．１〜１μｍであるが、これは電着
電圧の設定により制御できる。電着塗装では、印加電圧
に応じた厚みの絶縁膜が金属の表面に形成された段階
で、絶縁膜の成長が停止するからである。金属膜２２の
厚さＤ１（図９参照）と同等以下の薄さの厚みＤ２（図
９参照）を持つ接着層２４を形成するためには、エマル
ジョンの粒径または分子量が十分小さいものを選択する
ことが好ましい。The thickness D2 (see FIG. 9) of the adhesive layer 24 is desirably equal to or less than the thickness D1 (see FIG. 9) of the metal film 22, and specifically, preferably 0.1 to 10 μm. ,
More preferably, the thickness is 0.1 to 1 μm, but this can be controlled by setting the electrodeposition voltage. This is because in the electrodeposition coating, the growth of the insulating film is stopped when the insulating film having a thickness corresponding to the applied voltage is formed on the surface of the metal. In order to form the adhesive layer 24 having a thickness D2 (see FIG. 9) less than or equal to the thickness D1 of the metal film 22 (see FIG. 9), an emulsion having a sufficiently small particle size or molecular weight is selected. Is preferred.
【００７９】金属膜２２の表面に、熱可塑性有機高分子
を含む接着層２４を形成するには、有機高分子エマルジ
ョンまたは溶液中に浸漬し、金属膜２２を陰極または陽
極として電解処理（アニオンまたはカチオン電着塗装
法）することにより行うことができる。In order to form an adhesive layer 24 containing a thermoplastic organic polymer on the surface of the metal film 22, the adhesive layer 24 is immersed in an organic polymer emulsion or solution, and the metal film 22 is subjected to electrolytic treatment (anion or (Cationic electrodeposition coating method).
【００８０】有機高分子エマルジョンまたは溶液として
は、エポキシ系、アクリル系、酢酸ビニル系、アクリル
共重合系等が利用可能であるが、セラミック積層体を焼
成する際の熱分解性も考慮すると、アクリル系樹脂また
はアクリル共重合系樹脂の中から、陰極電解または陽極
電解によって析出可能なものを選択するのが好ましい。As the organic polymer emulsion or solution, epoxy type, acrylic type, vinyl acetate type, acrylic copolymer type and the like can be used. However, considering the thermal decomposition property when firing the ceramic laminate, acrylic It is preferable to select a resin that can be deposited by cathodic electrolysis or anodic electrolysis from among the system resins or the acrylic copolymer resins.
【００８１】前記有機高分子エマルジョンまたは溶液に
は、通常の電着塗装法と同様に、必要に応じて有機／無
機の顔料などを添加することもでき、接着層２４の着
色、あるいは図１および図２に示される積層セラミック
電子部品としての積層セラミックコンデンサ２における
誘電体層１０と内部電極層１２，１４（＝金属膜２２）
との密着性改善、内部電極層１２，１４（＝金属膜２
２）の酸化防止等の効果を持たせることも可能である。An organic / inorganic pigment or the like can be added to the organic polymer emulsion or solution, if necessary, as in the ordinary electrodeposition coating method. The dielectric layer 10 and the internal electrode layers 12, 14 (= metal film 22) in the multilayer ceramic capacitor 2 as the multilayer ceramic electronic component shown in FIG.
To the internal electrode layers 12, 14 (= metal film 2)
It is also possible to provide the effect of 2) such as oxidation prevention.
【００８２】積層セラミックコンデンサの製造方法 次に、積層セラミックコンデンサ２の製造方法を説明す
る。Next, a method of manufacturing the multilayer ceramic capacitor 2 will be described.
【００８３】積層型セラミックコンデンサ２は、たとえ
ば上述した金属膜２２が形成された金属膜形成用部材３
０ｂなどを用いて、以下のようにして製造することがで
きる。The multilayer ceramic capacitor 2 includes, for example, a metal film forming member 3 on which the above-described metal film 22 is formed.
It can be manufactured as follows using Ob or the like.
【００８４】まず、誘電体層用ペーストを準備する。誘
電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混
練して得られた有機溶剤系ペースト、または水溶性溶剤
系ペーストで構成される。誘電体原料としては、複合酸
化物や酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸
塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択され、
混合して用いることができる。First, a dielectric layer paste is prepared. The dielectric layer paste is composed of an organic solvent-based paste obtained by kneading a dielectric material and an organic vehicle, or a water-soluble solvent-based paste. The dielectric material is appropriately selected from various compounds to be complex oxides and oxides, such as carbonates, nitrates, hydroxides, and organometallic compounds.
They can be used in combination.
【００８５】有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中
に溶解したものであり、有機ビヒクルに用いられるバイ
ンダとしては、特に限定されず、エチルセルロース、ポ
リビニルブチラール、アクリル樹脂などの通常の各種バ
インダが用いられる。また、有機溶剤も特に限定され
ず、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、
トルエンなどの有機溶剤が用いられる。The organic vehicle is obtained by dissolving a binder in an organic solvent. The binder used for the organic vehicle is not particularly limited, and various ordinary binders such as ethyl cellulose, polyvinyl butyral, and acrylic resin are used. . Further, the organic solvent is not particularly limited, terpineol, butyl carbitol, acetone,
An organic solvent such as toluene is used.
【００８６】また、水溶性溶剤系ペーストに用いられる
水溶性溶剤としては、水に水溶性バインダ、分散剤など
を溶解させた溶剤が用いられる。水溶系バインダとして
は特に限定されず、ポリビニルアルコール、メチルセル
ロース、ヒドロキシエチルセルロース、水溶性アクリル
樹脂、エマルジョンなどが用いられる。As the water-soluble solvent used in the water-soluble solvent-based paste, a solvent obtained by dissolving a water-soluble binder, a dispersant, and the like in water is used. The water-soluble binder is not particularly limited, and polyvinyl alcohol, methyl cellulose, hydroxyethyl cellulose, water-soluble acrylic resin, emulsion, and the like are used.
【００８７】上述した各ペーストの有機ビヒクルの含有
量は特に限定されず、通常の含有量、たとえばバインダ
は１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度とす
ればよい。また、各ペースト中には必要に応じて各種分
散剤、可塑剤、ガラスフリット、絶縁体などから選択さ
れる添加物が含有されても良い。The content of the organic vehicle in each of the above-mentioned pastes is not particularly limited, and may be a usual content, for example, about 1 to 5% by weight of a binder and about 10 to 50% by weight of a solvent. Each paste may contain additives selected from various dispersants, plasticizers, glass frits, insulators, and the like, if necessary.
【００８８】次に、この誘電体層用ペーストを用いて、
ドクターブレード法などにより、図３に示すグリーンシ
ート１０ａを形成する。次に、グリーンシート１０ａの
表面に、図１に示す内部電極１２となる金属膜のパター
ン１２ａを、転写法により形成する。また、別のグリー
ンシート１０ａの表面には、図１に示す内部電極１４と
なる金属膜のパターン１４ａを、転写法により形成す
る。Next, using this dielectric layer paste,
The green sheet 10a shown in FIG. 3 is formed by a doctor blade method or the like. Next, a metal film pattern 12a to be the internal electrode 12 shown in FIG. 1 is formed on the surface of the green sheet 10a by a transfer method. On the surface of another green sheet 10a, a metal film pattern 14a to be the internal electrode 14 shown in FIG. 1 is formed by a transfer method.
【００８９】金属膜のパターン１２ａおよび１４ａは、
同様な転写法によりグリーンシート１０ａの表面に形成
することができる。以下の説明では、グリーンシート１
０ａの表面に電極のパターン１２ａを直接転写法により
形成する方法について説明する。The patterns 12a and 14a of the metal film are
It can be formed on the surface of the green sheet 10a by a similar transfer method. In the following description, green sheet 1
A method for forming the electrode pattern 12a on the surface of the substrate 0a by the direct transfer method will be described.
【００９０】ドクターブレード法などで形成した直後の
グリーンシート１０ａは、通常、基材シート上に剥離可
能に積層してある。そのグリーンシート１０ａの表面
に、図８および図９に示す金属膜形成用部材３０ｂを、
接着層２４がグリーンシート１０ａの表面に接触するよ
うに積層させ、両者を、常温にて、好ましくは０．０１
〜５ＭＰａ、より好ましくは０．０５〜２ＭＰａ、さら
に好ましくは０．０５〜１ＭＰａの圧力にて加圧する。The green sheet 10a immediately after being formed by the doctor blade method or the like is usually releasably laminated on a base sheet. On the surface of the green sheet 10a, a metal film forming member 30b shown in FIGS.
The adhesive layer 24 is laminated so as to be in contact with the surface of the green sheet 10a.
-5 MPa, more preferably 0.05-2 MPa, even more preferably 0.05-1 MPa.
【００９１】その結果、金属膜形成用部材３０ｂの表面
に形成してある接着層２４の作用により、所定パターン
の金属膜２２は、グリーンシート１０ａ側に良好に接着
し、基体２０をグリーンシート１０ａ側から剥がすこと
で金属膜が転写され、図３に示す金属膜のパターン１２
ａが得られる。その他の金属膜のパターン１４ａも、同
様にして転写法により形成することができる。As a result, by the action of the adhesive layer 24 formed on the surface of the metal film forming member 30b, the metal film 22 having a predetermined pattern adheres well to the green sheet 10a, and the base 20 is bonded to the green sheet 10a. The metal film is transferred by peeling from the side, and the metal film pattern 12 shown in FIG.
a is obtained. The other metal film patterns 14a can be formed by a transfer method in the same manner.
【００９２】本実施形態に係る金属膜形成用部材３０ｂ
を用いることにより、グリーンシート１０ａなどの壊れ
やすい被転写部材の表面に、極めて薄くかつ均一な金属
膜のパターン１２ａまたは１４ａを、常温および低圧で
転写することができる。[0092] The metal film forming member 30b according to the present embodiment.
By using, a very thin and uniform metal film pattern 12a or 14a can be transferred onto the surface of a fragile transfer receiving member such as the green sheet 10a at normal temperature and low pressure.
【００９３】その後、これらパターン１２ａおよび１４
ａが形成されたグリーンシート１０ａを、必要に応じて
何らパターンが形成されていないグリーンシート１０ａ
と共に複数枚積層し、切断線１６に沿って切断すること
で焼成前グリーンチップを得る。Thereafter, these patterns 12a and 14a
a is formed on the green sheet 10a on which no pattern is formed as necessary.
And a plurality of the green chips are cut and cut along the cutting line 16 to obtain a green chip before firing.
【００９４】次に、このグリーンチップに対して脱バイ
ンダ処理および焼成処理を行う。脱バインダ処理は焼成
前に行われ、通常の条件で行えばよいが、特に内部電極
層の導電材としてニッケルやニッケル合金などの卑金属
を用いる場合には、空気雰囲気において、昇温速度を５
〜３００°Ｃ／時間、より好ましくは１０〜１００°Ｃ
／時間、保持温度を１８０〜４００°Ｃ、より好ましく
は２００〜３００°Ｃ、温度保持時間を０．５〜２４時
間、より好ましくは５〜２０時間とする。Next, binder removal processing and firing processing are performed on the green chip. The binder removal treatment is performed before firing, and may be performed under normal conditions. In particular, when a base metal such as nickel or a nickel alloy is used as the conductive material of the internal electrode layer, the heating rate is set to 5 in an air atmosphere.
~ 300 ° C / hour, more preferably 10 ~ 100 ° C
/ Hour, a holding temperature of 180 to 400 ° C., more preferably 200 to 300 ° C., and a temperature holding time of 0.5 to 24 hours, more preferably 5 to 20 hours.
【００９５】グリーンチップの焼成雰囲気は、金属膜の
種類に応じて適宜決定すればよいが、導電材としてニッ
ケルやニッケル合金などの卑金属を用いる場合には、焼
成雰囲気の酸素分圧を１×１０−８〜１×１０−１２
気圧とすることが好ましい。酸素分圧が低すぎると内部
電極の導電材が異常焼結を起こして途切れてしまい、酸
素分圧が高すぎると内部電極が酸化される傾向にある。
また、焼成時の保持温度は１１００〜１４００°Ｃ、よ
り好ましくは１２００〜１３８０°Ｃである。この保持
温度が低すぎると緻密化が不充分となり、保持温度が高
すぎると内部電極の異常焼結による電極の途切れまたは
内部電極材質の拡散により容量温度特性が悪化する傾向
にある。The firing atmosphere of the green chip may be appropriately determined according to the type of the metal film. When a base metal such as nickel or a nickel alloy is used as the conductive material, the oxygen partial pressure of the firing atmosphere is reduced to 1 × 10 5 −8 to 1 × 10 −12
Preferably, the pressure is atmospheric pressure. If the oxygen partial pressure is too low, the conductive material of the internal electrode will undergo abnormal sintering and break, and if the oxygen partial pressure is too high, the internal electrode tends to be oxidized.
The holding temperature during firing is 1100 to 1400 ° C, more preferably 1200 to 1380 ° C. If the holding temperature is too low, densification becomes insufficient, and if the holding temperature is too high, the capacitance-temperature characteristics tend to deteriorate due to breakage of the electrodes due to abnormal sintering of the internal electrodes or diffusion of the internal electrode material.
【００９６】これ以外の焼成条件としては、昇温速度を
５０〜５００°Ｃ／時間、より好ましくは２００〜３０
０°Ｃ／時間、温度保持時間を０．５〜８時間、より好
ましくは１〜３時間、冷却速度を５０〜５００°Ｃ／時
間、より好ましくは２００〜３００°Ｃ／時間とし、焼
成雰囲気は還元性雰囲気とすることが望ましく、雰囲気
ガスとしてはたとえば窒素ガスと水素ガスとの混合ガス
を加湿して用いることが望ましい。Other firing conditions include a heating rate of 50 to 500 ° C./hour, more preferably 200 to 30 ° C.
0 ° C./hour, a temperature holding time of 0.5 to 8 hours, more preferably 1 to 3 hours, a cooling rate of 50 to 500 ° C./hour, more preferably 200 to 300 ° C./hour, and a firing atmosphere Is desirably a reducing atmosphere. As the atmosphere gas, for example, a mixed gas of nitrogen gas and hydrogen gas is desirably used after being humidified.
【００９７】還元性雰囲気で焼成した場合は、コンデン
サチップの焼結体にアニールを施すことが望ましい。上
述した脱バインダ処理、焼成およびアニール工程におい
て、窒素ガスや混合ガスを加湿するためには、たとえば
ウェッターなどを用いることができる。この場合の水温
は５〜７５°Ｃとすることが望ましい。When firing in a reducing atmosphere, it is desirable to anneal the sintered body of the capacitor chip. In the above-described binder removal processing, firing and annealing steps, for example, a wetter or the like can be used to humidify the nitrogen gas or the mixed gas. In this case, the water temperature is desirably 5 to 75 ° C.
【００９８】以上のようにして、図１および図２に示す
コンデンサ素体４が得られる。この得られたコンデンサ
素体４の両端部に、端子電極６および８を形成すれば、
積層セラミックコンデンサ２が得られる。As described above, the capacitor body 4 shown in FIGS. 1 and 2 is obtained. By forming terminal electrodes 6 and 8 at both ends of the obtained capacitor body 4,
The multilayer ceramic capacitor 2 is obtained.
【００９９】本実施形態に係る積層セラミックコンデン
サ２の製造方法では、上述した構成の金属膜形成用部材
３０ｂを用いるので、厚みが薄く且つ均一で欠陥の少な
い内部電極を持つ積層セラミックコンデンサ２を、極め
て容易且つ低コストで製造することができる。In the manufacturing method of the multilayer ceramic capacitor 2 according to the present embodiment, since the metal film forming member 30b having the above-described structure is used, the multilayer ceramic capacitor 2 having a thin and uniform internal electrode with few defects can be used. It can be manufactured very easily and at low cost.
【０１００】以上、本発明の実施形態について説明して
きたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において
種々なる態様で実施し得ることは勿論である。The embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to these embodiments at all, and may be implemented in various modes without departing from the gist of the present invention. Of course.
【０１０１】たとえば、上述した実施形態では、グリー
ンシート１０ａの表面に電極のパターン１２ａを形成す
る方法として直接転写法を採用しているが、これに限定
されず、１種以上の中間媒体を介して間接的に電極パタ
ーン１２ａを形成する間接転写法を採用してもよい。電
極パターン１２ａをグリーンシート１０ａの表面に直接
転写せず、一旦、紙などの高い強度を持つ中間媒体（図
示省略）に転写しておき、これを用いてグリーンシート
１０ａの表面に前記電極パターン１２ａを転写させる間
接転写法を用いることにより、電極パターン１２ａのよ
り完全な転写が可能となる。For example, in the above-described embodiment, the direct transfer method is employed as a method of forming the electrode pattern 12a on the surface of the green sheet 10a. However, the present invention is not limited to this. Indirect transfer method for indirectly forming the electrode pattern 12a may be employed. The electrode pattern 12a is not directly transferred to the surface of the green sheet 10a, but is once transferred to a high-strength intermediate medium (not shown) such as paper, and is used to transfer the electrode pattern 12a to the surface of the green sheet 10a. By using the indirect transfer method for transferring the electrode pattern, more complete transfer of the electrode pattern 12a becomes possible.
【０１０２】また、本発明では、長尺の基体を用いて金
属膜形成用部材を作製し、同じく長尺で作製したセラミ
ックグリーンシートと重ね合わせ、搬送過程において加
圧ロールでニップするような連続加工法の適用も可能で
ある。この場合には、積層セラミック電子部品の生産性
をさらに向上できる。Also, in the present invention, a metal film forming member is manufactured using a long substrate, and the member is superimposed on a ceramic green sheet similarly manufactured in a long length, and is continuously nipped by a pressure roll in a conveying process. Processing methods can also be applied. In this case, the productivity of the multilayer ceramic electronic component can be further improved.
【０１０３】また、本発明の金属膜形成用部材の主たる
用途は、積層セラミックコンデンサなどの積層セラミッ
ク電子部品の金属内部電極の形成であるが、薄膜形成法
で形成されたパターン化された金属膜を転写する工程を
含む他の用途にも適用することができる。たとえば、積
層セラミック電子部品の外部電極の形成や、非接触ＩＣ
カード用のアンテナパターンの形成などにも、本発明に
係る金属膜形成用部材を用いることができる。The main application of the member for forming a metal film of the present invention is to form a metal internal electrode of a multilayer ceramic electronic component such as a multilayer ceramic capacitor. However, a patterned metal film formed by a thin film forming method is used. It can be applied to other uses including the step of transferring the same. For example, formation of external electrodes of multilayer ceramic electronic components, non-contact IC
The member for forming a metal film according to the present invention can also be used for forming an antenna pattern for a card.
【０１０４】[0104]
【実施例】以下、本発明をさらに詳細な実施例に基づき
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described based on more detailed examples, but the present invention is not limited to these examples.
【０１０５】実施例１ タンタル金属板（厚さ１００μｍ）を基体として準備し
た。次いで、この基体の片面を鏡面研磨した後、レジス
ト（レジストインキＮｅｗ−Ｅ、シミズ社製）をスクリ
ーン印刷し、乾燥・硬化させて開口部を有する所定形状
のパターンを形成した。 Example 1 A tantalum metal plate (thickness: 100 μm) was prepared as a substrate. Next, after one surface of the substrate was mirror-polished, a resist (resist ink New-E, manufactured by Shimizu Co., Ltd.) was screen-printed, dried and cured to form a pattern having a predetermined shape having an opening.
【０１０６】次いで、この所定パターンのレジストが片
面に形成された基体を、濃度３０ｇ／Ｌの硼酸アンモニ
ウム溶液に浸漬し、ＳＵＳ３０４製の板を対極として、
電解電圧３０Ｖにて２分間の陽極電解処理を行って、前
記開口部内の基体露出部分に陽極酸化膜を形成した。電
解終了時点での電流密度は、０．５ｍＡ／ｄｍ２ 以下
であった。Next, the substrate on which the resist having the predetermined pattern is formed on one surface is immersed in a 30 g / L ammonium borate solution, and a SUS304 plate is used as a counter electrode.
An anodic electrolysis treatment was performed at an electrolysis voltage of 30 V for 2 minutes to form an anodic oxide film on the exposed portion of the substrate in the opening. The current density at the end of the electrolysis was 0.5 mA / dm 2 or less.
【０１０７】次いで、洗浄・乾燥後、トルエンを用いて
レジストを溶解除去し、乾燥して、所定パターンの開口
部を有する陽極酸化膜からなるマスク部を形成した。マ
スク部（陽極酸化処理部分）は、紫色の干渉色を呈して
おり、表面粗さ計によって測定した、開口部（非処理部
分）との間の段差は、０．２μｍ以下であった。Next, after washing and drying, the resist was dissolved and removed using toluene, and dried to form a mask portion made of an anodic oxide film having openings of a predetermined pattern. The mask portion (anodized portion) exhibited a purple interference color, and the step between the mask portion and the opening portion (non-processed portion) measured by a surface roughness meter was 0.2 μm or less.
【０１０８】次いで、所定パターンの開口部を有する陽
極酸化膜からなるマスク部が片面に形成された基体を、
硫酸ニッケル・６水塩２５０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル・６
水塩４０ｇ／Ｌ、および硼酸４０ｇ／Ｌからなるニッケ
ル電解めっき浴に浸浸し、ニッケル板を陽極として陰極
電流密度１Ａ／ｄｍ２ にて３分間、電解めっき処理を
行い、ニッケル膜を析出させた。ニッケル膜は、陽極酸
化膜の存在しない部位、すなわち前記開口部（非処理部
分）内の基体露出部分にのみ析出していた。蛍光Ｘ線膜
厚計によって、ニッケル膜の厚さを求めたところ、平均
０．６μｍであった。Next, a substrate having a mask portion made of an anodic oxide film having openings of a predetermined pattern formed on one side is removed.
Nickel sulfate-6 hydrate 250g / L, Nickel chloride / 6
It was immersed in a nickel electrolytic plating bath composed of 40 g / L of water salt and 40 g / L of boric acid, and subjected to electrolytic plating at a cathode current density of 1 A / dm 2 for 3 minutes using a nickel plate as an anode to deposit a nickel film. . The nickel film was deposited only on the portion where the anodic oxide film was not present, that is, only on the exposed portion of the substrate in the opening (unprocessed portion). When the thickness of the nickel film was determined using a fluorescent X-ray film thickness meter, it was 0.6 μm on average.
【０１０９】次いで、不揮発分濃度３０ｇ／Ｌ、ｐＨを
７．０に調製したアクリル酸共重合樹脂エマルジョン中
に浸漬し、１５Ｖの電圧で１５秒間のアニオン電着処理
を行なってアクリル酸共重合樹脂からなる接着層を形成
し、金属膜形成用部材を得た。接着層の外観は、透明
で、僅かに干渉色を呈していた。また、ニッケル膜が形
成されている部分以外には、接着層は析出しておらず、
質量増加量からその厚さを求めところ０．５μｍであっ
た。Next, the acrylic acid copolymer resin was immersed in an acrylic acid copolymer resin emulsion having a nonvolatile content of 30 g / L and the pH adjusted to 7.0, and subjected to an anion electrodeposition treatment at a voltage of 15 V for 15 seconds to obtain an acrylic acid copolymer resin. Was formed to obtain a metal film forming member. The adhesive layer was transparent and exhibited a slight interference color. Also, except for the portion where the nickel film is formed, no adhesive layer is deposited,
The thickness was determined from the increase in mass to be 0.5 μm.
【０１１０】次いで、得られた金属膜形成用部材の接着
層側を、ポリエチレン製不織布に重ね、２ＭＰａの圧力
で押圧した後、不織布を引き剥がして、ニッケル膜と接
着層とを転写した。Next, the adhesive layer side of the obtained member for forming a metal film was placed on a polyethylene non-woven fabric, pressed under a pressure of 2 MPa, and then the non-woven fabric was peeled off to transfer the nickel film and the adhesive layer.
【０１１１】以後、同一の金属膜形成用部材を使用し
て、ニッケルめっき、接着層電着、転写の一連の操作を
３０回繰り返したが、めっきパターンの広がりや、不要
部分へのめっき付着などは認められなかった。Thereafter, a series of operations of nickel plating, electrodeposition of an adhesive layer, and transfer was repeated 30 times using the same member for forming a metal film. Was not found.
【０１１２】参考例１ １重量％のジルコニウムを含むニオブ金属板（厚さ１０
０μｍ）を基体として用いた以外は、実施例１と同様に
して、所定パターンの開口部を残した陽極酸化膜（マス
ク部）を形成した。電解終了時点での電流密度は、実施
例１と同じく、０．５ｍＡ／ｄｍ２ 以下であった。マ
スク部は、淡青色の干渉色を呈しており、表面粗さ計に
よって測定した、開口部（非処理部分）との間の段差
は、０．２μｍ以下であった。 Reference Example 1 A niobium metal plate containing 1% by weight of zirconium (having a thickness of 10%) was used.
An anodic oxide film (mask portion) was formed in the same manner as in Example 1 except that 0 μm) was used as the substrate. The current density at the end of the electrolysis was 0.5 mA / dm 2 or less, as in Example 1. The mask portion exhibited a light blue interference color, and the step between the mask portion and the opening (unprocessed portion) measured by a surface roughness meter was 0.2 μm or less.
【０１１３】次いで、実施例１と同様にして電解めっき
処理を行った。ニッケルめっき膜は、基体の全面に析出
してしまい、所定パターンのニッケル膜を得ることはで
きなかった。Next, electrolytic plating was performed in the same manner as in Example 1. The nickel plating film was deposited on the entire surface of the substrate, and a nickel film having a predetermined pattern could not be obtained.
【０１１４】参考例２ 片面を絶縁したチタン金属板（厚さ２ｍｍ）を基体とし
て用いた以外は、実施例１と同様にして、所定パターン
の開口部を残した陽極酸化膜（マスク部）を形成した。
ただし、２分間の陽極電解処理では、電解電流密度がほ
とんど減少しなかったため、さらに３０分間処理を継続
したが、やはり減少しなかった。マスク部は、黄金色の
干渉色を呈していた。 Reference Example 2 An anodic oxide film (mask portion) having an opening of a predetermined pattern was formed in the same manner as in Example 1 except that a titanium metal plate (thickness: 2 mm) having one surface insulated was used as a base. Formed.
However, in the anodic electrolysis treatment for 2 minutes, since the electrolysis current density hardly decreased, the treatment was continued for another 30 minutes, but again did not decrease. The mask portion had a golden interference color.
【０１１５】次いで、得られた金属膜形成用部材に対
し、実施例１と同様にして電解めっき処理を行った。ニ
ッケルめっき膜は、参考例１と同様に、基体の全面に析
出してしまい、所定パターンのニッケル膜を得ることは
できなかった。Next, the obtained metal film forming member was subjected to electrolytic plating in the same manner as in Example 1. The nickel plating film was deposited on the entire surface of the substrate as in Reference Example 1, and a nickel film having a predetermined pattern could not be obtained.
【０１１６】参考例３ ＰＥＴフィルムにラミネートされたアルミニウム金属箔
（厚さ２０μｍ）を基体として用いた以外は、実施例１
と同様にして、所定パターンの開口部を残した陽極酸化
膜（マスク部）を形成した。マスク部は、虹色の干渉色
を呈していた。 Reference Example 3 Example 1 was repeated except that an aluminum metal foil (thickness: 20 μm) laminated on a PET film was used as a substrate.
In the same manner as in the above, an anodic oxide film (mask portion) leaving an opening of a predetermined pattern was formed. The mask portion exhibited a rainbow interference color.
【０１１７】次いで、実施例１と同様にして電解めっき
処理を行った。ニッケルめっき膜は、全く析出せず、水
素の発生のみが認められた。Next, electrolytic plating was performed in the same manner as in Example 1. The nickel plating film did not precipitate at all, and only generation of hydrogen was recognized.
【０１１８】実施例２ ＰＥＴフィルムにラミネートされたタンタル金属箔（厚
さ２０μｍ）を基体として準備した。 Example 2 A tantalum metal foil (thickness: 20 μm) laminated on a PET film was prepared as a substrate.
【０１１９】次いで、この基体の金属箔面を鏡面研磨し
た後、濃度５０ｇ／Ｌの硫酸溶液に浸漬し、ＳＵＳ３０
４製の板を対極として、電解電圧３０Ｖにて２分間の陽
極電解処理を行って、基体の全面に陽極酸化膜を形成し
た。Next, the metal foil surface of the substrate was mirror-polished and then immersed in a sulfuric acid solution having a concentration of 50 g / L.
An anodic oxide film was formed on the entire surface of the substrate by performing anodic electrolysis for 2 minutes at an electrolytic voltage of 30 V using the plate made of No. 4 as a counter electrode.
【０１２０】次いで、この全面に陽極酸化膜が形成され
た基体に、エッチングレジストをスクリーン印刷し、乾
燥・硬化させて所定形状の開口部を有するパターンを形
成した。Next, an etching resist was screen-printed on the substrate having the anodic oxide film formed on the entire surface, and dried and cured to form a pattern having openings of a predetermined shape.
【０１２１】次いで、この所定パターンのエッチングレ
ジストが片面に形成された基体を、濃度１００ｇ／Ｌの
フッ酸溶液に３０分間浸漬し、前記開口部内の陽極酸化
膜露出部分を溶解・除去した。Next, the substrate on which the etching resist having the predetermined pattern was formed on one side was immersed in a hydrofluoric acid solution having a concentration of 100 g / L for 30 minutes to dissolve and remove the exposed portions of the anodic oxide film in the openings.
【０１２２】次いで、洗浄・乾燥後、トルエンを用いて
エッチングレジストを溶解除去し、乾燥して、所定パタ
ーンの開口部を有する陽極酸化膜からなるマスク部を形
成した。Next, after washing and drying, the etching resist was dissolved and removed using toluene, and dried to form a mask portion made of an anodic oxide film having openings of a predetermined pattern.
【０１２３】次いで、所定パターンの開口部を有する陽
極酸化膜からなるマスク部が片面に形成された基体を、
実施例１と同様のニッケル電解めっき浴に浸浸し、ニッ
ケル板を陽極として陰極電流密度１Ａ／ｄｍ２ にて３
０秒間、電解めっき処理を行い、ニッケル膜（第１金属
膜）を析出させた。Next, a substrate having a mask portion made of an anodic oxide film having openings of a predetermined pattern formed on one side is removed.
It was immersed in the same nickel electrolytic plating bath as in Example 1, and the nickel plate was used as an anode at a cathode current density of 1 A / dm 2 for 3 hours.
Electroplating treatment was performed for 0 second to deposit a nickel film (first metal film).
【０１２４】次いで、６０℃に加温したニッケル−硼素
タイプの無電解めっき浴に１０分間浸漬し、無電解めっ
き処理を行い、ニッケル−硼素合金めっき膜（第２金属
膜）を析出させた。ニッケル−硼素合金めっき膜は、陽
極酸化膜の存在しない部位、すなわち前記開口部（非処
理部分）内の基体露出部分にのみ析出していた。蛍光Ｘ
線膜厚計によって、その厚さを求めたところ、平均０．
６μｍであった。Next, the film was immersed in a nickel-boron type electroless plating bath heated to 60 ° C. for 10 minutes, and subjected to electroless plating to deposit a nickel-boron alloy plating film (second metal film). The nickel-boron alloy plating film was deposited only on the portion where the anodic oxide film did not exist, that is, only on the exposed portion of the substrate in the opening (unprocessed portion). Fluorescent X
When the thickness was determined by a line thickness meter, the average value was 0.
It was 6 μm.
【０１２５】次いで、実施例１と同様にして、ニッケル
−硼素合金めっき膜上に、アクリル酸共重合樹脂からな
る接着層を形成し、金属膜形成用部材を得た。ニッケル
−硼素合金めっき膜が形成されている部分以外には、接
着層は析出しておらず、質量増加量からその厚さを求め
ところ０．５μｍであった。Next, in the same manner as in Example 1, an adhesive layer made of an acrylic acid copolymer resin was formed on the nickel-boron alloy plating film to obtain a member for forming a metal film. Except for the portion where the nickel-boron alloy plating film was formed, no adhesive layer was deposited, and the thickness was determined from the increase in mass to be 0.5 μm.
【０１２６】次いで、得られた金属膜形成用部材の接着
層側を、実施例１と同様に、ポリエチレン製不織布に重
ね、２ＭＰａの圧力で押圧した後、不織布を引き剥がし
て、ニッケル膜と接着層とを転写した。Next, the adhesive layer side of the obtained metal film forming member was overlaid on a polyethylene nonwoven fabric in the same manner as in Example 1, pressed under a pressure of 2 MPa, peeled off, and adhered to the nickel film. The layers were transferred.
【０１２７】以後、同一の金属膜形成用部材を使用し
て、ニッケル電解めっき、ニッケル−硼素無電解めっ
き、接着層電着、転写の一連の操作を３０回繰り返した
が、めっきパターンの広がりや、不要部分へのめっき付
着などは認められなかった。Thereafter, a series of operations of nickel electrolytic plating, nickel-boron electroless plating, adhesive layer electrodeposition, and transfer was repeated 30 times using the same metal film forming member. No plating was adhered to unnecessary portions.
【０１２８】[0128]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、パターン化金属薄膜の転写を妨害しない程度に薄
く、繰り返し使用可能なマスク部を有する金属膜形成用
部材を提供できる。本発明によれば、このような金属膜
形成用部材を容易かつ安価に製造できる金属膜形成用部
材の製造方法を提供できる。本発明によれば、厚みが極
めて薄くかつ均一な金属膜のパターンを、グリーンシー
トなどの壊れやすい転写対象物の表面に容易且つ確実
に、しかも破壊させることなく、安定的に転写できる金
属膜の転写方法を提供できる。本発明によれば、厚みが
薄く且つ均一で欠陥の少ない内部電極を有する積層セラ
ミック電子部品を製造する方法を提供できる。As described above, according to the present invention, it is possible to provide a metal film forming member having a mask portion which is thin enough not to hinder the transfer of the patterned metal thin film and which can be used repeatedly. According to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a metal film forming member capable of easily and inexpensively manufacturing such a metal film forming member. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the pattern of the metal film which can transfer stably the pattern of the metal film which is extremely thin and uniform to the surface of a fragile transfer target, such as a green sheet, easily and reliably, and without destroying it. A transfer method can be provided. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the method of manufacturing the laminated ceramic electronic component which has a thin and uniform internal electrode with few defects can be provided.
【図１】 図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミ
ックコンデンサの一部破断断面図である。FIG. 1 is a partially cutaway sectional view of a multilayer ceramic capacitor according to one embodiment of the present invention.
【図２】 図２は積層セラミックコンデンサの平面図で
ある。FIG. 2 is a plan view of the multilayer ceramic capacitor.
【図３】 図３は図１および図２に示すコンデンサの製
造過程に用いるグリーンシートの斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a green sheet used in a manufacturing process of the capacitor shown in FIGS. 1 and 2.
【図４】 図４は金属膜形成用部材の一例を示す斜視図
である。FIG. 4 is a perspective view showing an example of a member for forming a metal film.
【図５】 図５は図４に示すV−V線に沿う断面図であ
る。FIG. 5 is a sectional view taken along line VV shown in FIG.
【図６】 図６は本発明に係る金属膜形成用部材の製造
方法の一例を説明するための工程図である。FIG. 6 is a process chart for explaining an example of a method for manufacturing a metal film forming member according to the present invention.
【図７】 図７は本発明に係る金属膜形成用部材の製造
方法の一例を説明するための工程図である。FIG. 7 is a process diagram for explaining an example of a method for manufacturing a metal film forming member according to the present invention.
【図８】 図８は金属膜形成用部材の一例を示す斜視図
である。FIG. 8 is a perspective view showing an example of a metal film forming member.
【図９】 図９は図８に示すIX−IX線に沿う断面図であ
る。FIG. 9 is a sectional view taken along the line IX-IX shown in FIG.
２… 積層セラミックコンデンサ（積層セラミック電子
部品） ４… コンデンサ素体 ６… 第１端子電極 ８… 第２端子電極 １０… 誘電体層 １０ａ… グリーンシート １２… 第１内部電極層 １２ａ… パターン １４… 第２内部電極層 １４ａ… パターン ２０… 基体 ２０ａ… 陽極酸化膜（マスク部） ２０ｂ、２０ｃ… 開口部 ２０ｄ… 陽極酸化膜 ２１… 自然酸化膜 ２２… 金属膜 ２４… 接着層 ３０ａ，３０ｂ… 金属膜形成用部材 ３２… めっきレジスト層 ３２ａ… エッチングレジスト層2 Multilayer ceramic capacitor (multilayer ceramic electronic component) 4 Capacitor element 6 First terminal electrode 8 Second terminal electrode 10 Dielectric layer 10a Green sheet 12 First internal electrode layer 12a Pattern 14th 2 Internal electrode layer 14a Pattern 20 Base 20a Anodized film (mask) 20b, 20c Opening 20d Anodized film 21 Natural oxide film 22 Metal film 24 Adhesive layer 30a, 30b Metal film formation Member 32: plating resist layer 32a: etching resist layer
Claims (15)
開口部を有する陽極酸化膜からなるマスク部と、 前記開口部における基体の表面に形成された自然酸化膜
とを有する金属膜形成用部材。1. A metal film forming member comprising: a mask portion made of an anodic oxide film having an opening of a predetermined pattern formed on the surface of a base; and a natural oxide film formed on the surface of the base in the opening. .
ルを主成分とする合金で構成してあることを特徴とする
請求項１記載の金属膜形成用部材。2. The metal film forming member according to claim 1, wherein the base is made of metal tantalum or an alloy containing tantalum as a main component.
ていることを特徴とする請求項１または２記載の金属膜
形成用部材。3. The member for forming a metal film according to claim 1, wherein the base is held on a flexible support.
介して接着されてものであることを特徴とする請求項１
〜３の何れかに記載の金属膜形成用部材。4. The substrate according to claim 1, wherein the substrate is bonded to a flexible support via an adhesive layer.
4. The member for forming a metal film according to any one of items 3 to 3.
法によって形成されたものであることを特徴とする請求
項１〜４の何れかに記載の金属膜形成用部材。5. The member for forming a metal film according to claim 1, wherein said base is formed on a flexible support by a thin film forming method.
ることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の金属
膜形成用部材。6. The metal film forming member according to claim 1, wherein the thickness of the mask portion is less than 1 μm.
めっき法により形成された金属膜を、さらに有する請求
項１〜６の何れかに記載の金属膜形成用部材。7. The metal film forming member according to claim 1, further comprising a metal film formed on the surface of the natural oxide film in the opening by an electrolytic plating method.
有機高分子を含む接着層を、さらに有する請求項７記載
の金属膜形成用部材。8. The member for forming a metal film according to claim 7, further comprising an adhesive layer containing a thermoplastic organic polymer formed on a surface of the metal film.
つレジスト層を形成する工程と、 前記開口部内の表面を陽極酸化処理して陽極酸化膜から
なるマスク部を形成する工程と、 前記レジスト層を除去する工程とを有する金属膜形成用
部材の製造方法。9. A step of forming a resist layer having an opening of a predetermined pattern on the surface of the base; anodizing the surface in the opening to form a mask section made of an anodic oxide film; Removing the layer.
化膜を形成する工程と、 前記陽極酸化膜の表面に所定パターンの開口部を持つレ
ジスト層を形成する工程と、 前記開口部内に露出する陽極酸化膜部分を除去して陽極
酸化膜からなるマスク部を形成する工程と、 前記レジスト層を除去する工程とを有する金属膜形成用
部材の製造方法。10. A step of forming an anodized film by anodizing the surface of the substrate, a step of forming a resist layer having an opening of a predetermined pattern on the surface of the anodized film, and exposing the resist in the opening. A method of manufacturing a metal film forming member, comprising: a step of removing a portion of an anodic oxide film to be formed to form a mask portion made of an anodic oxide film;
有する陽極酸化膜からなるマスク部と、前記開口部にお
ける基体の表面に自然酸化膜とが形成してある金属膜形
成用部材の前記開口部内の表面に、電解めっき法により
少なくとも１層の単一金属または合金からなる金属膜を
形成する工程を有する金属膜形成用部材の製造方法。11. A metal film forming member in which a mask portion made of an anodic oxide film having a predetermined pattern of openings on the surface of a base and a natural oxide film is formed on the surface of the base in the openings. A method for manufacturing a member for forming a metal film, comprising a step of forming at least one layer of a metal film made of a single metal or an alloy on a surface in a part by an electrolytic plating method.
有する陽極酸化膜からなるマスク部と、前記開口部にお
ける基体の表面に自然酸化膜とが形成してある金属膜形
成用部材の前記開口部内の表面に、電解めっき法により
第一の単一金属または合金からなる第１金属膜を形成す
る工程と、 前記第１金属膜の表面に、無電解めっき法により第二の
単一金属または合金からなる第２金属膜を形成する工程
とを有する金属膜形成用部材の製造方法。12. A metal film forming member in which a mask portion made of an anodic oxide film having a predetermined pattern of openings on a surface of a base and a natural oxide film is formed on the surface of the base in the openings. Forming a first metal film made of a first single metal or an alloy on the surface of the portion by electrolytic plating; and forming a second single metal or electroless plating on the surface of the first metal film by electroless plating. Forming a second metal film made of an alloy.
有する陽極酸化膜からなるマスク部と、前記開口部にお
ける基体の表面に自然酸化膜とが形成してある金属膜形
成用部材の前記開口部内の表面に、少なくとも１層の単
一金属または合金からなる金属膜を形成する工程と、 前記金属膜の表面に、電着塗装法により熱可塑性有機高
分子を含む接着層を形成する工程とを有する金属膜形成
用部材の製造方法。13. A metal film forming member in which a mask portion made of an anodic oxide film having an opening of a predetermined pattern on a surface of a substrate and a natural oxide film is formed on the surface of the substrate at the opening. Forming a metal film made of at least one layer of a single metal or an alloy on a surface in the part; and forming an adhesive layer containing a thermoplastic organic polymer on the surface of the metal film by an electrodeposition coating method. A method for producing a member for forming a metal film, comprising:
有する陽極酸化膜からなるマスク部と、前記開口部にお
ける基体の表面に電解めっき法による金属膜とが形成さ
れた金属膜形成用部材の金属膜側を被転写部材に接触さ
せる工程と、 前記被転写部材から前記基体を引き離し、前記被転写部
材の表面に所定パターンの金属膜を転写する工程とを有
する金属膜の転写方法。14. A member for forming a metal film in which a mask portion made of an anodic oxide film having an opening of a predetermined pattern on the surface of a substrate and a metal film formed by electrolytic plating on the surface of the substrate in the opening are formed. A method of transferring a metal film, comprising: a step of bringing a metal film side into contact with a member to be transferred; and a step of separating the substrate from the member to be transferred and transferring a metal film having a predetermined pattern onto the surface of the member to be transferred.
有する陽極酸化膜からなるマスク部と、前記開口部にお
ける基体の表面に電解めっき法による金属膜とが形成さ
れた金属膜形成用部材から、焼成後にセラミック焼結体
となるグリーンシートの表面に所定パターンの金属膜を
転写する工程と、 前記所定パターンの金属膜が転写されたグリーンシート
を、他のグリーンシートと共に積層する工程と、 積層されたグリーンシートを焼成する工程とを有する積
層セラミック電子部品の製造方法。15. A metal film forming member in which a mask portion made of an anodic oxide film having an opening of a predetermined pattern on the surface of a substrate and a metal film formed by electrolytic plating on the surface of the substrate in the opening are formed. Transferring a metal film of a predetermined pattern onto the surface of a green sheet that becomes a ceramic sintered body after firing; and laminating the green sheet on which the metal film of the predetermined pattern has been transferred, together with another green sheet. Baking the finished green sheet.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005206933A (en) * | 2003-06-27 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | Process for producing electronic part |
| JP2005206934A (en) * | 2003-06-27 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | Method for forming metal plating film, and method for producing electronic part |
| JP2013098406A (en) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Murata Mfg Co Ltd | Capacitor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06202309A (en) * | 1992-08-27 | 1994-07-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Original plate for forming fine pattern |
| JPH10125556A (en) * | 1996-08-29 | 1998-05-15 | Nippon Chem Ind Co Ltd | Transfer sheet for internal electrode of laminated electronic parts and method for manufacturing internal electrode of laminated electronic parts |
| JPH11238646A (en) * | 1997-12-03 | 1999-08-31 | Tdk Corp | Laminated ceramic electronic part and manufacture thereof |
-
2000
- 2000-08-31 JP JP2000263912A patent/JP2002075772A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06202309A (en) * | 1992-08-27 | 1994-07-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Original plate for forming fine pattern |
| JPH10125556A (en) * | 1996-08-29 | 1998-05-15 | Nippon Chem Ind Co Ltd | Transfer sheet for internal electrode of laminated electronic parts and method for manufacturing internal electrode of laminated electronic parts |
| JPH11238646A (en) * | 1997-12-03 | 1999-08-31 | Tdk Corp | Laminated ceramic electronic part and manufacture thereof |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005206933A (en) * | 2003-06-27 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | Process for producing electronic part |
| JP2005206934A (en) * | 2003-06-27 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | Method for forming metal plating film, and method for producing electronic part |
| JP4518847B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-08-04 | 京セラ株式会社 | Manufacturing method of electronic parts |
| JP4624015B2 (en) * | 2003-06-27 | 2011-02-02 | 京セラ株式会社 | Metal plating film forming method and electronic component manufacturing method |
| JP2013098406A (en) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Murata Mfg Co Ltd | Capacitor |
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