JP2002066912A - Processing device of semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハを加
工するための半導体ウェーハの加工装置に関するもので
あり、特に、半導体ウェーハの保持のために負圧を用い
るようにした半導体ウェーハの加工装置に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer processing apparatus for processing a semiconductor wafer, and more particularly to a semiconductor wafer processing apparatus using a negative pressure for holding a semiconductor wafer. It is.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体ウェーハの加工装置としては、回
転テーブルに半導体ウェーハー（以下、ウェーハとい
う）を保持し、回転テーブルの回転とともに、ウェーハ
の研削面に冷却水などの加工液を供給しながら研削砥石
によって研削する形式のものがある。たとえば、回転駆
動装置により駆動される回転軸の上端部にウェーハを載
置するための回転テーブルを一体に形成し、この回転テ
ーブルの上面に多孔質材よりなる吸着パッドを埋設し、
吸着パッドの下面にエジェクタの吸引負圧を作用させる
ことにより、吸着パッドにウェーハを吸着し保持するも
のが知られている。2. Description of the Related Art As an apparatus for processing a semiconductor wafer, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) is held on a rotary table, and while the rotary table is rotated, a grinding liquid such as cooling water is supplied to a grinding surface of the wafer while grinding. Some types are ground with a grindstone. For example, a rotary table for mounting a wafer is integrally formed on the upper end of a rotary shaft driven by a rotary drive device, and a suction pad made of a porous material is embedded on the upper surface of the rotary table.
It is known that a suction negative pressure of an ejector is applied to a lower surface of a suction pad to suck and hold a wafer on the suction pad.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】前記半導体の加工装置
によりウェーハを研削するときは、吸着パッドに吸着さ
れたウェーハの上方側よりウェーハの加工面に加工液を
供給しながら、回転テーブルを回転駆動することによっ
てカップ砥石等の研削砥石によりウェーハを研削するこ
とになるが、吸着パッドの外径がウェーハの外径より大
きいとき、または、吸着パッドに対してウェーハが正し
く載置されておらず、吸着パッドの上面の一部が外部に
開放されているときは、この吸着パッドの開放面から負
圧系統に加工液が吸い込まれ、結果として、エジェクタ
等の負圧源の運転能力が低下することがある。そこで、
吸着パッドの外径をウェーハの外径よりも充分に小さく
し、回転テーブルを跨ぐように吸着パッドにウェーハを
載置することにより、ウェーハによって吸着パッドの全
面を被弊することが検討されている。When the semiconductor processing apparatus grinds a wafer, the rotary table is driven to rotate while supplying a processing liquid to the processing surface of the wafer from above the wafer sucked by the suction pad. By doing so, the wafer will be ground with a grinding wheel such as a cup grinding wheel, but when the outer diameter of the suction pad is larger than the outer diameter of the wafer, or the wafer is not correctly placed on the suction pad, When a part of the upper surface of the suction pad is open to the outside, machining fluid is sucked into the negative pressure system from the open surface of the suction pad, and as a result, the operating capacity of the negative pressure source such as the ejector is reduced. There is. Therefore,
It is considered that the outer diameter of the suction pad is made sufficiently smaller than the outer diameter of the wafer, and the entire surface of the suction pad is affected by the wafer by mounting the wafer on the suction pad so as to straddle the rotary table. .
【０００４】しかし、ウェーハの研削後にウェーハの裏
面を検査すると、吸着パッドの上面が回転テーブルの上
面に対して同一平面に設定されているにもかかわらず、
ウェーハの裏面の回転テーブルとの接触面に、他部と区
別できる程度の円形模様が発見されることがある。これ
は、「転写」と呼称され、回転テーブルと吸着パッドと
の材質の相違、ウェーハに作用する圧力分布の相違に起
因して発生するとされており、程度によっては、商品価
値が喪失することがある。However, when the back surface of the wafer is inspected after the grinding of the wafer, it is found that the upper surface of the suction pad is set flush with the upper surface of the rotary table.
On the back surface of the wafer, which is in contact with the rotary table, a circular pattern may be found that can be distinguished from other portions. This is called "transfer" and is said to occur due to the difference in the material of the rotary table and the suction pad and the difference in the pressure distribution acting on the wafer, and depending on the degree, the commercial value may be lost. is there.
【０００５】そこで、負圧により回転テーブルにウェー
ハを吸引保持するように構成された半導体ウェーハの加
工装置において、ウェーハを吸着するための負圧系統へ
の加工液の吸入を規制するために解決すべき技術的課題
が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決するこ
とを目的とする。Therefore, in a semiconductor wafer processing apparatus configured to suction-hold a wafer on a rotary table by a negative pressure, the problem is solved in order to restrict suction of a processing liquid into a negative pressure system for sucking the wafer. A technical problem to be solved arises, and an object of the present invention is to solve this problem.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は前
記目的を達成するために、回転テーブルの上面部に同心
かつ回転テーブルの上面が構成されるように多孔質材か
ら構成された吸着パッドを埋設し、前記回転テーブル内
に前記吸着パッドの下面全面に及んで吸引負圧を作用さ
せるための負圧通路を設け、前記吸着パッドに吸着され
た半導体ウェーハの加工面に加工液を供給するように構
成された半導体ウェーハの加工装置において、前記吸着
パッドが各種半導体ウェーハの全面を吸着すべく各種半
導体ウェーハの外径よりも大径に形成され、前記回転テ
ーブルの内部に前記ウェーハより開放された吸着パッド
の上面より外部に加圧空気を噴出するための空気噴出部
が設けられ、該空気噴出部に加圧空気を供給する加圧空
気供給通路が接続された半導体ウェーハの加工装置を提
供するものである。According to a first aspect of the present invention, in order to achieve the above object, an adsorbent formed of a porous material so that the upper surface of the rotary table is concentric with the upper surface of the rotary table. A pad is embedded, and a negative pressure passage for applying a suction negative pressure to the entire lower surface of the suction pad is provided in the rotary table, and a processing liquid is supplied to a processing surface of the semiconductor wafer sucked by the suction pad. In the semiconductor wafer processing apparatus, the suction pad is formed to have a larger diameter than the outer diameter of the various semiconductor wafers so as to suck the entire surface of the various semiconductor wafers, and is opened from the wafer inside the rotary table. An air ejection portion for ejecting pressurized air from the upper surface of the suction pad to the outside, and a pressurized air supply passage for supplying pressurized air to the air ejection portion is connected. The there is provided a processing apparatus for semiconductor wafers.
【０００７】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の発明において、前記空気噴出部が各種半導体ウェー
ハの外径にそれぞれ対応して前記回転テーブルに複数形
成され、前記加圧空気供給通路が前記複数の空気噴出部
に対応して複数形成され、この複数の加圧空気供給通路
が前記半導体ウェーハの外径に対応して切り換え自在に
構成された半導体ウェーハの加工装置を提供するもので
ある。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, a plurality of the air ejection portions are formed on the rotary table corresponding to the outer diameters of various semiconductor wafers, respectively, and the compressed air supply is provided. Provided is a semiconductor wafer processing apparatus in which a plurality of passages are formed corresponding to the plurality of air ejection portions, and the plurality of pressurized air supply passages are configured to be switchable according to the outer diameter of the semiconductor wafer. It is.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
半導体ウェーハの研削装置を図１ないし図４を参照して
説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor wafer grinding apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【０００９】（第１実施の形態）図１及び図２は半導体
ウェーハの研削装置の構造を示し、１はウェーハ、２は
回転テーブル、３は冷却水などの加工液を供給するため
のノズルを示す。図示されるように回転テーブル２は上
部回転テーブル２ａと、下部回転テーブル２ｂとに分割
して形成してあり、ボルト（図示せず）によって一体化
してある。上部回転テーブル２ａの上面には上方より見
て円形の凹部４が同心に形成してあり、上部回転テーブ
ル２ａの上面を形成するように吸着パッド５が一体に嵌
合される。前記吸着パッド５は、ウェーハ１の全面の均
等吸着のため、多孔質セラミックスより構成されてお
り、上部回転テーブル２ａならびに吸着パッド５の外径
は、吸着パッド５の上面にサイズの異なる各種のウェー
ハ１の全面を載置できるように定められる。(First Embodiment) FIGS. 1 and 2 show the structure of a semiconductor wafer grinding apparatus, wherein 1 is a wafer, 2 is a rotary table, and 3 is a nozzle for supplying a processing liquid such as cooling water. Show. As shown in the figure, the turntable 2 is divided into an upper turntable 2a and a lower turntable 2b, and is integrated by bolts (not shown). A circular concave portion 4 is formed concentrically on the upper surface of the upper turntable 2a when viewed from above, and the suction pad 5 is fitted integrally so as to form the upper surface of the upper turntable 2a. The suction pad 5 is made of porous ceramics for uniform suction over the entire surface of the wafer 1. The outer diameter of the upper turntable 2a and the suction pad 5 is different from those of various wafers having different sizes on the upper surface of the suction pad 5. 1 so that it can be placed on the entire surface.
【００１０】図２に図１の要部拡大断面を示す。図示さ
れるように、前記凹部４の内底面４ａ及び下部回転テー
ブル２ｂの上面には、複数の環状凹部６，６，…、７，
７，…がそれぞれ径方向に間隔を隔てて形成される。隣
接する上下の環状凹部６，７同士はそれぞれ第１連通ポ
ート８ａによって互いに連通されていて、各第１連通ポ
ート８ａ，８ａ，…は、下部回転テーブル２ｂの環状凹
部７，７，…の底面からそれぞれ軸方向に沿って下方に
延びた第２連通ポート８ｂを介して下部回転テーブル２
ｂの環状凹部７，７，…の下方で下部回転テーブル２ｂ
を径方向に横断している連絡通路９に連通される。この
連絡通路９はその両端が下部回転テーブル２ｂの外周面
に開口しており、内面に一対の弁１０，１０が進退自在
に螺入されている。各弁１０の外側端面には各弁１０，
１０を回転させてねじ送りするための細径のロッド部１
０ａが一体的にかつ同軸に連結されており、各ロッド部
１０ａは、前記連絡通路９の両端部を閉止するシールリ
ング１２，１２の軸芯部を貫通して外部に突出してい
る。FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part of FIG. As shown, a plurality of annular recesses 6, 6,..., 7, on the inner bottom surface 4a of the recess 4 and the upper surface of the lower turntable 2b.
Are formed at intervals in the radial direction. Adjacent upper and lower annular recesses 6 and 7 are connected to each other by first communication ports 8a, respectively, and each of the first communication ports 8a, 8a, ... is a bottom surface of the annular recesses 7, 7, ... of the lower turntable 2b. From the lower rotary table 2 through the second communication port 8b extending downward in the axial direction from the lower rotary table 2
, the lower turntable 2b below the annular recesses 7, 7,...
Is communicated with a communication passage 9 which crosses the radial direction. Both ends of the communication passage 9 are open on the outer peripheral surface of the lower turntable 2b, and a pair of valves 10, 10 are screwed into the inner surface so as to be able to advance and retreat. On the outer end face of each valve 10, each valve 10,
Small-diameter rod part 1 for rotating and screw-feeding 10
The rods 10a are integrally and coaxially connected, and each rod portion 10a protrudes outside through the shaft cores of the seal rings 12, 12 closing both ends of the communication passage 9.
【００１１】そして、前記下部回転テーブル２ｂ内およ
びこの回転テーブル２ｂを回転駆動する回転軸１３内
に、前記吸着パッド５にウェーハ１を吸着するための負
圧通路１５と、残りの空間部を利用して吸着パッド５の
開放された上面から加圧空気を噴出させて、冷却水など
の加工液の吸い込みを防止するための加圧空気供給通路
１４とを形成している。本実施の形態では、図１および
図２に示すように、前記加圧空気供給通路１４の下流端
は下部回転テーブル２ｂの外周側で前記連絡通路９に連
通しており、上流端は回転軸１３の下端面に開口されて
加圧源としてのコンプレッサ１６に連通している。一
方、前記負圧通路１５の上流端は前記吸着パッド５の下
面軸芯部に臨んで開口し、他端は回転軸１３の下面に開
口して負圧源としてのエジェクタ１７に連通している。A negative pressure passage 15 for sucking the wafer 1 onto the suction pad 5 and a remaining space are used in the lower rotary table 2b and a rotary shaft 13 for rotating the rotary table 2b. Then, pressurized air is ejected from the open upper surface of the suction pad 5 to form a pressurized air supply passage 14 for preventing suction of a processing liquid such as cooling water. In the present embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the downstream end of the pressurized air supply passage 14 communicates with the communication passage 9 on the outer peripheral side of the lower turntable 2b, and the upstream end thereof is a rotary shaft. An opening is formed at the lower end surface of the compressor 13 and communicates with a compressor 16 as a pressure source. On the other hand, the upstream end of the negative pressure passage 15 opens toward the lower surface axis of the suction pad 5, and the other end opens to the lower surface of the rotating shaft 13 and communicates with an ejector 17 as a negative pressure source. .
【００１２】従って、前記各ロッド部１０ａの回転によ
って一対の弁１０，１０を回転軸１３の軸芯側にそれぞ
れ移動すると、第２連通ポート８ｂは、径方向外方側よ
り内方側を臨んで順次負圧通路１４に連通することにな
る。このため、前記各ロッド１０ａの回転により、加圧
空気供給通路１４に連通する第２連通ポート８ｂの数を
調節し、研削すべきウェーハ１の外周より外側の吸着パ
ッド４の開放された上面から加圧空気が噴出されるよう
に設定し、この状態で前記ノズル３、回転軸１３、コン
プレッサ１６、エジェクタ１７、ならびに、研削砥石
（カップ砥石）１９を作動すると、ウェーハ１の外周よ
り径方向外方の吸着パッド３の開放面から上方に向かっ
て噴出する加圧空気によって加工液が上方側へ吹き飛ば
されることになり、エジェクタ１７に対する加工液の吸
い込みが防止されることになる。もちろん、このとき
は、残りの第２連通ポート８ｂの全てが連絡通路９を通
じて負圧通路１５に連通されるため、ウェーハ１は全面
が吸着パッド５に吸着された状態で研削圧力を受けるこ
とになる。このため前記回転テーブル２と吸着パッド５
との材質の相違、加圧力の分布等に起因した「転写」の
発生が抑制される。Therefore, when the pair of valves 10 and 10 are moved toward the axis of the rotary shaft 13 by the rotation of the rods 10a, the second communication port 8b faces the inner side from the radially outer side. To sequentially communicate with the negative pressure passage 14. For this reason, the number of the second communication ports 8b communicating with the pressurized air supply passage 14 is adjusted by the rotation of the rods 10a, so that the suction pads 4 outside the outer periphery of the wafer 1 to be ground are opened. When the nozzle 3, the rotating shaft 13, the compressor 16, the ejector 17, and the grinding wheel (cup wheel) 19 are operated in this state so that the pressurized air is blown out, the outside of the wafer 1 in the radial direction is activated. The working fluid is blown upward by the pressurized air that is ejected upward from the open surface of the suction pad 3, and the suction of the working fluid into the ejector 17 is prevented. Of course, at this time, since all of the remaining second communication ports 8b are connected to the negative pressure passage 15 through the communication passage 9, the wafer 1 is subjected to the grinding pressure in a state where the entire surface of the wafer 1 is sucked by the suction pad 5. Become. Therefore, the rotary table 2 and the suction pad 5
The occurrence of "transfer" due to the difference in material from the above, the distribution of the pressing force, and the like is suppressed.
【００１３】なお、本実施の形態においては、上部回転
テーブル２ａに形成された環状凹部のうち、加圧空気供
給通路１４に接続される環状凹部７と吸着パッド５に区
画される環状凹部６、第１連通ポート８ａ、及び第２連
通ポート８ｂが加圧空気を噴出する空気噴出部を構成す
るが、回転テーブル２を上部回転テーブル２ａと下部回
転テーブル２ｂとに分割せず一体に形成するときは、下
部回転テーブル２ｂに形成されている環状凹部７及び第
２連通ポート８ｂを廃止し、前記環状凹部６及び第１連
通ポート８ａが空気噴出部を構成することになる。この
場合、第１連通ポート８ａ，８ａ，…は連絡通路９に直
接連通されるものとする。In the present embodiment, among the annular recesses formed in the upper turntable 2a, an annular recess 7 connected to the pressurized air supply passage 14 and an annular recess 6 partitioned into the suction pad 5 are provided. When the first communication port 8a and the second communication port 8b constitute an air ejection unit that ejects pressurized air, but when the rotary table 2 is integrally formed without being divided into the upper rotary table 2a and the lower rotary table 2b. In this configuration, the annular recess 7 and the second communication port 8b formed in the lower turntable 2b are eliminated, and the annular recess 6 and the first communication port 8a constitute an air ejection portion. In this case, the first communication ports 8a, 8a,... Are directly connected to the communication passage 9.
【００１４】（第２実施の形態）図３は一つの弁により
加圧空気の噴出位置を切り替えるようにした本発明の他
の実施の形態を示している。なお、図３において、第１
実施の形態と同一構成部については同一符号を付しその
説明は省略するものとする。(Second Embodiment) FIG. 3 shows another embodiment of the present invention in which the position at which the compressed air is jetted is switched by one valve. Note that, in FIG.
The same components as those of the embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【００１５】図３に示す半導体ウェーハの研削装置は、
前記弁１０，１０およびこれら弁１０，１０を螺入する
構造を廃止しており、その代わりに、連絡通路９にプラ
ンジャ状のロータリ弁２０を設置し、このロータリ弁２
０の切り換えによってウェーハ１に対する空気の噴出位
置とウェーハ１に対する負圧作用面積を切り換えるよう
にしている。The semiconductor wafer grinding apparatus shown in FIG.
The valves 10 and 10 and the structure for screwing the valves 10 and 10 are eliminated, and a plunger-like rotary valve 20 is installed in the communication passage 9 instead.
By switching 0, the position at which air is ejected to the wafer 1 and the area of negative pressure acting on the wafer 1 are switched.
【００１６】この場合、前記ロータリ弁２０には、その
一方側と他方側とに、負圧通路１５を挟んで一方側に形
成された５本の第２連通ポート８ｂを加圧空気を噴出す
るための通路として接続するための第１接続ポート２０
ａと（負圧通路１５を挟んで設けられた２本の第２連通
ポート８ｂは常時、吸着に用いられるため除外され
る）、負圧通路１５を挟んで他方側に形成されている４
本の第２ポート８ｂ（この場合、最も外側に配置されて
いる第２連通ポート８ｂは、加圧空気を噴出するための
空気噴出部として用いられるため除外される）を負圧を
作用させるための通路として接続するための第１接続ポ
ート２０ａとが設けられ、前記回転軸１３および下部回
転テーブル２ｂ内には、前記第１接続ポート２０ａによ
り選択的に接続される第２加圧空気供給通路１４ａと、
前記第２ポート２０ｂにより選択的に接続される第２負
圧通路１５ａとが形成される。In this case, pressurized air is ejected from the five second communication ports 8b formed on one side of the rotary valve 20 on one side and the other side with the negative pressure passage 15 therebetween. Connection port 20 for connecting as a passage for
a (the two second communication ports 8b provided with the negative pressure passage 15 interposed therebetween are always excluded because they are used for suction), and are formed on the other side with the negative pressure passage 15 interposed therebetween.
To apply a negative pressure to the second port 8b (in this case, the second communication port 8b disposed on the outermost side is excluded because it is used as an air ejection unit for ejecting pressurized air). A first connection port 20a for connection as a passage is provided, and a second pressurized air supply passage selectively connected by the first connection port 20a in the rotating shaft 13 and the lower turntable 2b. 14a,
A second negative pressure passage 15a selectively formed by the second port 20b is formed.
【００１７】前記ロータリ弁２０に形成する第２接続ポ
ート２０ｂは、このロータリ弁２０の回転によって位置
が切り換えられ、互いに連通すべき一組の第２連通ポー
ト８ｂと加圧空気供給通路１４ａを連通したときは、こ
の一組の第２連通ポート８ｂと加圧空気供給通路１４ａ
より径方向内側に配置された残りの第２連通ポート８ｂ
と加圧空気供給通路１４ａの各組とを連通するように穿
設されている。The position of a second connection port 20b formed in the rotary valve 20 is switched by the rotation of the rotary valve 20, and a pair of second communication ports 8b to be communicated with each other and a pressurized air supply passage 14a. When this is done, the set of the second communication port 8b and the pressurized air supply passage 14a
Remaining second communication port 8b disposed radially inward
And a pair of pressurized air supply passages 14a.
【００１８】本実施の形態にあっては、４”，５”，
６”および８”のウェーハ１の外径にそれぞれ対応して
おり、ロータリ弁２０が第１切り換え位置に切り換えら
れ、その結果として、径方向において最も外側の一組の
第２連通ポート８ｂと加圧空気供給通路１４ａが連通さ
れたときは、これより内側の四組の第２連通ポート８ｂ
と第２負圧通路１５ａとが連通するように構成され（ウ
ェーハの径が８”のとき）、また、ロータリ弁２０が、
第２切り換え位置に切り換られ、径方向外方側からニ組
目の第２連通ポート８ｂと加圧空気供給通路１４ａとが
連通されたときは、これより内側の三組の第２連通ポー
ト８ｂと第２負圧通路１５ａとが連通するように構成さ
れており（ウェーハの径が６”のとき）、さらに、ロー
タリ弁２０が、第３切り換え位置に切り換えられ、径方
向外方側より三組目の第２連通ポート８ｂと加圧空気供
給通路１４ａとが連通されたときは、これより内側のニ
組の第２連通ポート８ｂと第２負圧通路１５ａとが連通
するように構成され（ウェーハの径が５”のとき）、そ
して、第４切り換え位置に切り換えられ、径方向外方側
から四組目の第２連通ポート８ｂと加圧空気供給通路１
４ａとが連通されたときは、これより内側の一組の第２
連通ポート８ｂと第２負圧通路１５ａとが連通されるよ
うに構成される（ウェーハの径が４”のとき）。よっ
て、研削されるウェーハ１の外径に対応してその外周を
含む近傍から加圧空気が噴出されることになり、ウェー
ハ１は、全面を吸着パッド５に吸着した状態で研削圧力
を受けることになる。従って、この実施の形態にあって
も第１実施の形態と同様、研削圧力、及び、前記テーブ
ル２と吸着パッド５との材質の相違に起因する「転写」
が防止される。In this embodiment, 4 ", 5",
The rotary valves 20 correspond to the outer diameters of the 6 ″ and 8 ″ wafers 1 respectively, and the rotary valve 20 is switched to the first switching position. As a result, the radially outermost set of the second communication ports 8b is connected to the outermost pair. When the compressed air supply passage 14a is communicated, four sets of the second communication ports 8b inside the compressed air supply passage 14a
And the second negative pressure passage 15a are communicated with each other (when the diameter of the wafer is 8 ″).
When the switch is switched to the second switching position and the second set of second communication ports 8b and the pressurized air supply passage 14a are communicated from the radially outer side, three sets of second communication ports inside the second set of second communication ports 8b are provided. 8b and the second negative pressure passage 15a are configured to communicate with each other (when the diameter of the wafer is 6 ″), and further, the rotary valve 20 is switched to the third switching position, from the radially outer side. When the third communication port 8b and the pressurized air supply passage 14a are communicated with each other, the second communication port 8b and the second negative pressure passage 15a on the inner side of the third communication port 8b communicate with each other. (When the diameter of the wafer is 5 ″), and is switched to the fourth switching position, and the fourth communication port 8b and the pressurized air supply passage 1 of the fourth set from the radially outer side are set.
4a is communicated with the second set of second
The communication port 8b and the second negative pressure passage 15a are configured to communicate with each other (when the diameter of the wafer is 4 ″). Therefore, the vicinity including the outer circumference corresponding to the outer diameter of the wafer 1 to be ground. Pressurized air is ejected from the wafer 1, and the wafer 1 is subjected to a grinding pressure in a state where the entire surface of the wafer 1 is sucked by the suction pad 5. Therefore, even in this embodiment, the same as in the first embodiment. Similarly, “transfer” caused by the difference in grinding pressure and the material of the table 2 and the suction pad 5
Is prevented.
【００１９】このように、前記各実施の形態は、外径の
異なるウェーハ１を吸着する多孔質材、具体的には多孔
質セラミックスから構成された吸着パッド５を、回転テ
ーブル２の上面部に対して同心にかつ、回転テーブル２
の上面を構成するように埋設し、前記回転テーブル２と
前記吸着パッド５との間に、径方向に間隔を隔ててかつ
回転テーブル２の軸芯線を中心として多重円状に複数の
環状凹部７を区画形成し、前記吸着パッド５に載置され
たウェーハ１下の各空間にはそれぞれ吸引負圧を供給す
る負圧通路１５（第２負圧通路１５ａ）を連通し、残り
の環状凹部７の少なくともウェーハ１の外周との境界及
びその近傍の環状凹部７には加圧空気を供給する加圧空
気供給通路１４（第２加圧空気供給通路１４ａ）を連通
するように構成することによって、ウェーハ１の載置面
の転写を防止し、負圧供給源としてのエジェクタ１７に
対する加工液の吸込みを防止する。従って、ウェーハ１
の加工品質は従来と比較して大幅に向上する。なお、本
発明はその技術思想の範囲内で種々の改変が可能であ
り、本発明はこの改変された発明に及ぶことは当然であ
る。As described above, in each of the above-described embodiments, the suction pad 5 made of a porous material for adhering the wafers 1 having different outer diameters, specifically, the porous ceramic is attached to the upper surface of the turntable 2. Concentric and rotating table 2
And a plurality of annular recesses 7 are formed between the rotary table 2 and the suction pad 5 at intervals in the radial direction and in a multiplex circular shape around the axis of the rotary table 2. Each of the spaces under the wafer 1 placed on the suction pad 5 communicates with a negative pressure passage 15 (second negative pressure passage 15a) for supplying a suction negative pressure, and the remaining annular recess 7 is formed. The pressurized air supply passage 14 (second pressurized air supply passage 14a) for supplying pressurized air is communicated with at least the boundary with the outer periphery of the wafer 1 and the annular concave portion 7 in the vicinity thereof. The transfer of the mounting surface of the wafer 1 is prevented, and the suction of the working fluid into the ejector 17 as a negative pressure supply source is prevented. Therefore, wafer 1
Processing quality is greatly improved as compared with the conventional one. Note that the present invention can be variously modified within the scope of the technical idea, and the present invention naturally extends to the modified invention.
【００２０】[0020]
【発明の効果】請求項１記載の発明は前記一実施の形態
に詳述したように、負圧により回転テーブルにウェーハ
を吸引保持するように構成された半導体ウェーハの加工
装置において、ウェーハを吸着するための負圧系統への
加工液の吸入を防止することができる等、正に、著大な
る効果を奏する発明である。また、請求項２記載の発明
は各種半導体ウェーハの外径に対応して加圧空気を噴出
するので、負圧系統に対する加工液の吸入防止を効率的
に行うことができる等、正に、著大なる効果を奏する発
明である。さらに、請求項１及び２記載の発明を半導体
ウェーハの研削装置に適用したときは、半導体ウェーハ
裏面の転写防止が可能となり、半導体ウェーハの加工品
質を大幅に向上することができる。According to the first aspect of the present invention, as described in detail in the first embodiment, in a semiconductor wafer processing apparatus configured to suction-hold a wafer on a rotary table by negative pressure, the wafer is sucked. This is an invention that has a very great effect, for example, it is possible to prevent the working fluid from being sucked into the negative pressure system. In addition, since the invention according to claim 2 blows out pressurized air corresponding to the outer diameter of various semiconductor wafers, it is possible to efficiently prevent the suction of the working fluid into the negative pressure system. This is an invention having a great effect. Further, when the invention according to claims 1 and 2 is applied to a semiconductor wafer grinding apparatus, transfer of the back surface of the semiconductor wafer can be prevented, and the processing quality of the semiconductor wafer can be greatly improved.
【図１】本発明に係る半導体ウェーハの加工装置の一実
施の形態を示し、半導体ウェーハの研削装置の全体構成
を示す断面図ある。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an embodiment of a semiconductor wafer processing apparatus according to the present invention, showing an entire configuration of a semiconductor wafer grinding apparatus.
【図２】図１の要部を示す拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view showing a main part of FIG.
【図３】本発明に係る半導体ウェーハの加工装置の他の
実施の形態を示し、半導体ウェーハの研削装置の他の実
施の形態を示す要部拡大断面である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of another embodiment of the semiconductor wafer processing apparatus according to the present invention, showing another embodiment of the semiconductor wafer grinding apparatus.
【図４】本発明の他の実施の形態に係るロータリ弁の構
造を示す斜視面である。FIG. 4 is a perspective view showing a structure of a rotary valve according to another embodiment of the present invention.
１ 半導体ウェーハ ２ 回転テーブル ５ 吸着パッド １４ 加圧空気供給通路 １５ 負圧通路 １７ エジェクタ Reference Signs List 1 semiconductor wafer 2 rotary table 5 suction pad 14 pressurized air supply passage 15 negative pressure passage 17 ejector
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村井 史朗 神奈川県横須賀市神明町１番地 株式会社 日平トヤマ技術センター内 Ｆターム(参考） 3C016 DA05 DA08 3C058 AA07 AB04 AC04 BA02 BA05 DA17 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Shiro Murai 1 Shinmeicho, Yokosuka City, Kanagawa Prefecture F-term in Hihira Toyama Technical Center Co., Ltd. 3C016 DA05 DA08 3C058 AA07 AB04 AC04 BA02 BA05 DA17
Claims (2)
ーブルの上面が構成されるように多孔質材から構成され
た吸着パッドを埋設し、前記回転テーブル内に前記吸着
パッドの下面全面に及んで吸引負圧を作用させるための
負圧通路を設け、前記吸着パッドに吸着された半導体ウ
ェーハの加工面に加工液を供給するように構成された半
導体ウェーハの加工装置において、 前記吸着パッドが各種半導体ウェーハの全面を吸着すべ
く各種半導体ウェーハの外径よりも大径に形成され、前
記回転テーブルの内部に前記ウェーハより開放された吸
着パッドの上面より外部に加圧空気を噴出するための空
気噴出部が設けられ、該空気噴出部に加圧空気を供給す
る加圧空気供給通路が接続されたことを特徴する半導体
ウェーハの加工装置。1. A suction pad made of a porous material is embedded in an upper surface portion of a rotary table so that the upper surface of the rotary table is formed, and the entire surface of the lower surface of the suction pad is covered in the rotary table. In a semiconductor wafer processing apparatus configured to provide a negative pressure passage for applying a suction negative pressure and to supply a processing liquid to a processing surface of the semiconductor wafer sucked by the suction pad, An air jet formed to have a diameter larger than the outer diameter of various semiconductor wafers to adsorb the entire surface of the wafer, and to jet pressurized air to the outside from the upper surface of the suction pad opened from the wafer into the rotary table. And a pressurized air supply passage for supplying pressurized air to the air ejection portion.
外径にそれぞれ対応して前記回転テーブルに複数形成さ
れ、前記加圧空気供給通路が前記複数の空気噴出部に対
応して複数形成され、この複数の加圧空気供給通路が前
記半導体ウェーハの外径に対応して切り換え自在に構成
された請求項１記載の半導体ウェーハの加工装置。2. A plurality of said air ejection portions are formed on said rotary table corresponding to respective outer diameters of various semiconductor wafers, and a plurality of said pressurized air supply passages are formed corresponding to said plurality of air ejection portions. 2. The semiconductor wafer processing apparatus according to claim 1, wherein said plurality of pressurized air supply passages are configured to be switchable in accordance with an outer diameter of said semiconductor wafer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000262400A JP2002066912A (en) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | Processing device of semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000262400A JP2002066912A (en) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | Processing device of semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002066912A true JP2002066912A (en) | 2002-03-05 |
Family
ID=18750087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2000262400A Pending JP2002066912A (en) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | Processing device of semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002066912A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006231482A (en) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Kyocera Kinseki Corp | Polishing platen, and surface polishing method |
| JP2009088067A (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | Semiconductor substrate holder mechanism and method of grinding substrate using the same |
| KR101790226B1 (en) * | 2015-07-01 | 2017-10-27 | 주식회사 제이스텍 | The flexible substrate transport stage for displays |
-
2000
- 2000-08-31 JP JP2000262400A patent/JP2002066912A/en active Pending
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| KR101790226B1 (en) * | 2015-07-01 | 2017-10-27 | 주식회사 제이스텍 | The flexible substrate transport stage for displays |
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