JP2002059651A - 画像記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】熱感度が高く、製版材料用途のＵＶマスクフィ
ルムとして用いる場合でも十分な濃度変化を生じること
が可能で、高出力レーザーを用いた場合にも外観上の問
題点となるヘイズが低く、かつ擦り傷などが発生しにく
い取り扱い性に優れた画像記録媒体を提供すること。 【解決手段】 支持体上に、熱または酸の作用により３
６０〜９００ｎｍの吸収域に濃度変化を生じる化合物を
含有し、かつ銀塩を含まない画像記録層と、ハ゛インタ゛ー塗
布量が１m²あたり３ｇ以上保護層とを有する画像記録媒
体。とくに、画像記録層が、さらに赤外吸収物質及び／
又は光又は熱により酸を発生する物質をも含有している
画像記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は熱または酸の作用に
よる発色（または消色）反応を利用した高感度でかつ取
り扱い性の良好な画像記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】感熱記録材料は画像部と非画像部を温度
差分布として表現するもので、着色剤の溶融転写や昇華
転写、加熱溶融やカプセル破壊による２成分間の発色反
応、相転位による光学特性の変化等、多くの方式が考案
されてきた。この種の熱記録媒体においては、乾式でか
つ簡単なシステムで記録像が得られ、しかもメンテナン
スフリーという利点があるため各種プリンター、ワード
プロセッサー、ファクシミリなどの出力材料として広く
利用されている。また近年、レーザー記録装置の進歩に
伴い光ディスクや製版材料にも応用が検討されている。

【０００３】従来、製版材料としては、湿式処理を必要
とするハロゲン化銀感光材料が使用されてきたが、処理
工程の簡易化に対する要求、および処理液による環境汚
染の問題から乾式工程の開発が望まれ、近年感熱記録方
式によるいくつかの技術的な提案がなされてきた。解像
度の観点からレーザーを用いた画像記録が好ましく、例
えば、高出力レーザーを用いた色素アブレ−ションと呼
ばれる方式が開発されており、その記録材料が特開平７
ー１６４７５５号、同ー１４９０６３号、同７ー１４９
０６５号などに、画像形成装置が特開平８ー４８０５３
号、同８ー７２４００号などに開示されている。

【０００４】このシステムでは支持体上に塗布された画
像色素、レーザー波長域に吸収を有する物質（赤外吸収
物質）およびバインダ−からなる色素組成物を有する記
録材料を、色素層側からレーザー照射することによって
画像記録が行われる。レーザーによって与えられたエネ
ルギーは、レーザービームが材料に当たったスポットで
画像形成層に急激な局部変化を起こし、それによって物
質を層から追い出す。上記特許公報によれば、これは完
全に物理的な変化（例えば、溶融、蒸発または昇華）で
はなく、ある種の化学変化（例えば、結合破壊）であ
り、部分的な画像色素の除去ではなく、完全な除去であ
ると言われている。この様な色素アブレーション方式で
は、レーザー露光部位における色素の除去効率を高める
ためには高出力のレーザーが不可欠であり、また除去さ
れた色素を集めるために集塵機の併設が必要であるとい
った問題点があった。

【０００５】集塵機を必要としない方式として、レーザ
ーを熱源とするアブレーション転写式画像記録法に関す
る記載が米国特許第５，１７１，６５０号などに開示さ
れている。この方式では、アブレイティブキャリアート
ップコートを上塗りした動的剥離層を含有する色素ドナ
ーシートが用いられており、画像は、隣接して位置合わ
せをした別の受容シートへと転写される。このため画像
記録後に不用となったシートが廃材になるという問題点
があった。またこの場合も転写効率を高めるためには高
出力のレーザーが不可欠であった。このようにレーザー
によるアブレーションを利用した従来の感熱記録方式で
は高出力のレーザーが必要であり、ゴミや廃材が避けら
れないという問題点があった。

【０００６】一方レーザーを利用したアブレーションを
伴わない感熱記録方式として、「ドライシルバー」と称
されるシステムを発展させたものが特開平６−１９４７
８１号などに記載されている。このシステムでは、熱的
に還元されうる銀源、銀イオンの還元剤、および光熱変
換色素を含有する記録材料に対してレーザーで記録が行
われるが、非画像部の保存性、および熱感度の点で実用
性能には不十分であった。

【０００７】また酸の作用によって酸を増殖する化合物
としてＫ．Ｉｃｈｉｍｕｒａ著、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔ
ｔ．、５５１（１９９５）および特開平８−２４８５６
１号公報などには、酸触媒による分解で有機酸を生成す
る化合物が記載されており、該化合物を、光酸発生剤と
酸の作用によって構造変化を生じる物質との組み合わせ
からなる酸反応性高分子組成物について記載されてい
る。しかしながら、該文献では、光酸発生剤により生じ
た酸の作用により、極性溶媒やアルカリ水溶液に可溶化
または不溶化させるという構造変化を引き起こすもので
あり、いわゆるフォトレジストを意図したものであり、
吸収変化を利用した記録材料に関しては全く記載がな
い。

【０００８】特開平１１−１８００４８及び特開平１１
−１８１０３１号公報には、市村（Ｉｃｈｉｍｕｒａ）
らが開発した化合物を熱酸発生剤として用いた、光や熱
による吸収変化を利用した画像形成方法について記載さ
れている。しかしながら、該特許記載の画像形成方法を
そのままＵＶマスクフィルムとして製版材料用途に用い
ると、ＰＳ版へのマスク露光工程において搬送時の接着
（例えばフィルムと搬送ローラー、ガイド版、フイルム
同士など）に起因する搬送不良や擦り傷がつきやすいな
どの問題や、熱現像処理時に熱現像機部材（例えば搬送
ローラー、ガイド版、熱源ドラム）と接着して搬送不良
を起こしたり、擦り傷がつきやすいなどの問題があっ
た。

【０００９】本発明者は、特開平１１−１８００４８及
び特開平１１−１８１０３１号公報に記載の画像形成方
法において、感光材料に保護層を設けることによって、
ＰＳ版へのマスク露光時や熱現像処理時に生じやすい搬
送不良、擦り傷の問題を回避できることを見出している
（特願２０００−６５２３８号にて出願）。しかしなが
ら、この技術は搬送特性や画像面の物理的強度の点では
効果が大きいものの、製版材料用途に用いるＵＶマスク
フィルムに必要な発色濃度を確保するために高出力レー
ザーを用いた場合には画像層の表面が一部熱破壊（いわ
ゆるアブレーション）し、ヘイズが高くなり、外観上に
問題があった。

【００１０】本発明者は、高出力レーザーを照射しても
ヘイズが低く、高濃度の色素像を形成する画像形成方法
についてさらに技術の改善を進め、その出願も行ってい
る（特願２０００−９１９９４、特願２０００−９１９
９５）。しかしながら、それらの出願中の改良が加えら
れた画像形成方法でも、製版過程に用いるＵＶマスクフ
ィルムに応用する場合、ヘイズの発生レベルは十分なも
のではなく、かつ擦り傷が発生しやすいなどの取り扱い
上の問題点が残っている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第一の目的
は、熱感度が高く、製版材料用途に用いるＵＶマスクフ
ィルムとして応用する場合でも十分な濃度変化を生じる
ことが可能な画像記録媒体を提供することにある。本発
明の第二の目的は高出力レーザーを用いた場合にも外観
上の問題点となるヘイズが低く、かつ擦り傷などが発生
しにくい取り扱い性に優れた画像記録媒体を提供するこ
とにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、以
下に記す画像記録媒体によって達成される。 （１）支持体上に、少なくとも１層の熱または酸の作用
により３６０〜９００ｎｍの吸収域に濃度変化を生じる
化合物を含有し、かつ銀塩を含まない画像記録層と、少
なくとも１層の保護層とを有する画像記録媒体であっ
て、該保護層のハ゛インタ゛ー塗布量が１m²あたり３ｇ以上で
あることを特徴とする画像記録媒体。

【００１３】（２）少なくとも１種の赤外吸収物質を含
有しており、レーザー照射により発生した熱または酸の
作用により３６０〜９００ｎｍの吸収域に濃度変化を生
じることを特徴とする上記（１）に記載の画像記録媒
体。

【００１４】（３）少なくとも１種の赤外吸収物質を含
有しており、レーザー照射により発生した熱または酸の
作用により３６０〜９００ｎｍの吸収域の特定の波長に
おいて濃度３．０以上の濃度変化を生じることを特徴と
する上記（１）又は（２）に記載の画像記録媒体。

【００１５】（４） 支持体が透過性支持体であって、
かつ熱または酸の作用により３６０〜９００ｎｍの吸収
域に濃度変化を生じる前後とも、ヘイズ値が２０％以下
であることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれか
1項に記載の画像記録媒体。

【００１６】（５）熱または酸の作用により３６０〜９
００ｎｍの吸収域に濃度変化を生じる前後とも、保護層
表面の太針引掻き強度が３０ｇ以上であり、かつ細針引
掻き強度が１０ｇ以上であることを特徴とする上記
（１）〜（４）のいずれか1項に記載の画像記録媒体。

【００１７】（６）熱の作用により酸を発生する酸発生
剤と、酸の作用により分子内もしくは分子間反応を引き
起こして３６０〜９００ｎｍの吸収域に濃度変化を生じ
る化合物とを含有することを特徴とする（１）〜（５）
のいずれか1項に記載の画像記録媒体。

【００１８】（７）酸発生剤が下記一般式（Ｉ）で表さ
れる化合物であることを特徴とする上記（６）に記載の
画像記録媒体。

【００１９】一般式（Ｉ）

【化 ６】

【００２０】一般式（Ｉ）において、Ｒ¹ はアルキル
基、アリール基もしくはヘテロ環基を表わす。Ｒ²及び
Ｒ³はそれぞれ独立にアルキル基もしくはアリール基を
表わすが、 Ｒ²とＲ³が同時にアリール基であることは
ない。 またＲ²とＲ³が結合して環を形成しても良い。 （８）一般式（Ｉ）で表される酸発生剤が下記一般式
（II）で表される化合物であることを特徴とする上記
（７）に記載の画像記録媒体。

【００２１】一般式（II）

【化 ７】

【００２２】一般式（II）において、Ｒ³¹ はアルキル
基、アリール基もしくはヘテロ環基を表わす。Ｒ³²は置
換基を表わす。 Ｒ³³及びＲ³⁴はそれぞれ独立に水素原
子もしくは置換基を表わす。Ｘ¹は環を形成するのに必
要な原子団を表わす。 Ｒ³²、Ｒ³³もしくはＲ³⁴はＸ¹と
結合して環を形成しても良い。

【００２３】（９）酸の作用により分子内もしくは分子
間反応を引き起こして３６０〜９００ｎｍの吸収域に濃
度変化を生じる化合物が、下記一般式（III）〜（V）の
いずれかで表わされる化合物であることを特徴とする上
記（６）〜（８）のいずれか1項に記載の画像形成方
法。

【００２４】一般式（III）

【化 ８】

【００２５】一般式（III）において、X²はN（Ｒ⁵⁸）、
Ｏ、またはSを表し、Y¹は N−C−X²とともに環状構造を
形成するのに必要な原子団を表し、A¹はC（R⁵⁹）または
Nを表し、R⁵¹〜R⁵⁹は水素原子または置換基を表し、そ
れぞれ同じであっても異なっていても良く、 R⁵⁴、
R⁵⁵、R⁵⁶およびR⁵⁷は互いに結合して縮合環を形成して
も良く、 B¹はアリール基、ヘテロ環基、アルケニル
基、アルキニル基、アリールアミノ基またはヘテロ環ア
ミノ基を表す。

【００２６】一般式（IV）

【化 ９】

【００２７】一般式（IV）において、Ａｒ¹およびＡｒ²
はアリール基、ヘテロ環基、アルケニル基またはアルキ
ニル基を表し、同じであっても異なっていても良く、Ｒ
⁷¹は水素原子または置換基を表し、Ｙ²は芳香族炭化水
素環あるいはヘテロ環を表し、Ｘ³はＯ、ＳまたはＮ
（Ｒ⁷²）を表し、Ｒ⁷²は水素原子または置換基を表す。

【００２８】一般式（Ｖ）

【化 １０】

【００２９】一般式（V）において、Ａｒ³およびＡｒ⁴
はアリール基、ヘテロ環基、アルケニル基またはアルキ
ニル基を表し、同じであっても異なっていても良く、Ｚ
¹は芳香族炭化水素環あるいはヘテロ環を表し、 A²は
Ｏ、ＳまたはＮ（Ｒ⁷³）を表し、Ｒ⁷³は水素原子または
置換基を表す。

【００３０】（１０）下記一般式（VI）で示されるポリ
マーを含有することを特徴とする上記（１）〜（９）の
いずれか1項に記載の画像形成方法。 一般式（VI） −（Ａ）_x−（Ｂ）_y−（Ｃ）_z− 一般式（VI）において、Ａは、酸発生剤モノマーの重合
によって得られる繰り返し単位を表し、Ｂは酸の作用に
より３６０〜９００ｎｍの吸収域に濃度変化を生じる部
分構造を有する少なくとも１種類以上のビニルモノマー
の重合によって得られる繰り返し単位を表し、ＣはＡお
よびＢと共重合可能な少なくとも１種類以上のビニルモ
ノマーの重合によって得られる繰り返し単位を表す。
ｘ、ｙおよびｚはモル％を表し、それぞれ１≦ｘ≦１０
０、０≦ｙ≦９９、０≦ｚ≦９９、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
を表す。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳しく述べ
る。本発明は熱または酸の作用により３６０〜９００ｎ
ｍの吸収域に濃度変化を生じる化合物を含有し、画像を
形成させる記録媒体に関するものである。

【００３２】本発明の画像記録媒体において、画像形成
の手段としての加熱方法としては、加熱されたブロック
やプレートと接触させる方法、熱ローラーや熱ドラムと
接触させる方法、ハロゲンランプや赤外ないし遠赤外ラ
ンプヒーターを照射させる方法、感熱プリンターの熱ヘ
ッドで画像状に加熱する方法、レーザー光を照射する方
法などがある。本発明の画像記録媒体を製版材料用途な
ど、高い解像度が要求されるものに使用する場合はレー
ザー光によって走査露光する方式が好ましい。特に、特
願平１１−２７３１６２号などに記載されている副走査
方向に略方形状の強度分布を示すように整形されたレー
ザービームを適用すれば、解像度や画像の切れが向上
し、好ましく用いることができる。また、より少ない熱
エネルギーで画像を形成させるために、予め本発明の感
熱記録材料を適当な温度に加熱しておくこともできる。
本発明ではこれらの方法で像様に加熱を行った後、場合
によって６０〜１５０℃の温度（好ましくは６０〜１２
０℃）で全面加熱することによって画像濃度変化を増加
できる場合もある。

【００３３】レーザー光を熱エネルギーに変換して画像
を形成する場合には、該レーザー光の波長の光を吸収す
る色素を存在させる必要がある。レーザー光源として
は、エキシマレーザー、アルゴンレーザー、ヘリウムネ
オンレーザー、半導体レーザー、ガラス（ＹＡＧ）レー
ザー、炭酸ガスレーザー、色素レーザーなどがあるが、
ヘリウムネオンレーザー、半導体レーザーおよびガラス
レーザーが本発明に有用なレーザー光源である。その中
でも装置が小型で安価なことから、半導体レーザーが特
に有用である。半導体レーザーの発振波長は通常、６７
０〜８３０ｎｍであり、したがって、これらのレーザー
に対して感光材料中に用いられる色素は、上記の近赤外
領域に吸収を持つ色素が好ましい。

【００３４】近赤外吸収色素としては、シアニン色素、
スクアリリウム色素、メロシアニン色素、オキソノール
色素、フタロシアニン色素などが用いられる。その具体
例としては、例えば米国特許第４，９７３，５７２号、
同第４，９４８，７７７号、同第４，９５０，６４０
号、同第４，９５０，６３９号、同第４，９４８，７７
６号、４９４８，７７８、同第４，９４２，１４１号、
同第４，９５２，５５２号、同第５，０３６，０４０号
および同第４，９１２，０８３号明細書に記載されてい
る物質が挙げられる。本発明の画像記録媒体がレーザー
露光された部分が発色する、いわゆるネガ型である場
合、未露光部の吸収が低いことが好ましい。例えばＵＶ
マスクフィルムとして用いる場合などＵＶ波長領域での
副吸収の少ない赤外吸収色素が好ましく、具体的には特
願２０００−５９００４などに記載がある。

【００３５】本発明の画像記録媒体をフォトンモード方
式（画像記録が光によって行われる方式で、光モード方
式ともいう）の画像記録媒体として利用する場合には光
の作用により酸を発生する化合物の添加が必須となる。
この場合、該光酸発生剤の吸収特性に合わせてレーザー
が選択される。この際分光増感を目的として種々の色素
を添加しても良いがその際は色素の吸収波長に合わせて
レーザーを選択する必要がある。公知の酸発生剤として
は、有機エレクトロニクス材料研究会編、”イメージン
グ用有機材料”ぶんしん出版社刊（１９９７）３７頁〜
９１頁、に記載されている化合物およびそこに記載され
ている引用文献記載の化合物などが挙げられる。また、
ここに記載されている光酸発生剤の多くは熱酸発生剤と
しても機能するものである。

【００３６】本発明の好ましい態様としては、熱の作用
により酸を発生する酸発生剤と酸の作用により分子内も
しくは分子間反応が加速され、３６０〜９００ｎｍの吸
収域に濃度変化を生じる化合物を用いた画像記録媒体が
挙げられる。

【００３７】酸発生剤としてはレーザー照射により強酸
を発生するものが好ましく、その中でもスルホン酸を発
生するものが好ましい。スルホン酸を発生する酸発生剤
としては、例えば有機エレクトロニクス材料研究会
編、”イメージング用有機材料”ぶんしん出版社刊（１
９９７）に数多く記載されている。また、特開平１１−
１８００４８号及び特開平１１−１８１０３１号公報に
記載されている酸発生剤なども好ましい化合物として挙
げられる。その中でもスルホン酸の２級アルキルエステ
ルを好ましく用いることができる。更に好ましくは一般
式（Ｉ）もしくは一般式（ＩＩ）で表わされるものであ
る。

【００３８】一般式（Ｉ）において、Ｒ¹はアルキル基
（好ましくは炭素数1から２４のアルキル基で、例えば
メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブ
チル、ｎ−オクチル、ドデシル、シクロプロピル、シク
ロペンチル、シクロヘキシルなどの各基）、アリール基
（例えば、フェニル基、ナフチル基など）もしくはヘテ
ロ環基（例えば、フリル、チエニル、ピリミジニル、ベ
ンゾチアゾリルなどの各基）を表わす。これらのうちで
好ましいのはアルキル基もしくはアリール基であり、特
に好ましくはアリール基である。

【００３９】これらの基は更に置換基を有していても良
く、置換基としては置換可能なものであれば良い。置換
基として好ましくは、ハロゲン原子（例えば、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素などの各基）、アルキル基（シクロ
アルキル基、ビシクロアルキル基を含み、具体例は前記
と同じ）、アルケニル基（例えば、ビニル、アリル、プ
レニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１
−イルなどの各基）、アルキニル基（例えば、エチニ
ル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニルなどの各
基）、アリール基（具体例は前述と同じ）、ヘテロ環基
（具体例は前述と同じ）、シアノ基、ヒドロキシル基、
ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（例えば、メ
トキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ
−オクチルオキシなどの各基）、アリールオキシ基（例
えば、フェノキシ基、ナフトキシ基など）、シリルオキ
シ基（例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシ基など）、ヘテロ環オキシ基（例
えば、ピリジルオキシ基、２−テトラヒドロピラニルオ
キシ基など）、アシルオキシ基（例えば、ホルミルオキ
シ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイル
オキシ、ベンゾイルオキシなどの各基）、カルバモイル
オキシ基（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキ
シ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オ
クチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカル
バモイルオキシなどの各基）、アルコキシカルボニルオ
キシ基（例えば、メトキシカルボニルオキシ、エトキシ
カルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ
−オクチルカルボニルオキシなどの各基）、アリールオ
キシカルボニルオキシ基（例えば、フェノキシカルボニ
ルオキシ基など）、

【００４０】アミノ基（アニリノ基を含み、例えば、ア
ミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、N-メ
チル−アニリノ、ジフェニルアミノなどの各基）、アシ
ルアミノ基（例えば、アセチルアミノ、ピバロイルアミ
ノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５
−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ
などの各基）、カルバモイルアミノ基（例えば、カルバ
モイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミ
ノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホ
リノカルボニルアミノなどの各基）、アルコキシカルボ
ニルアミノ基（例えば、メトキシカルボニルアミノ、エ
トキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミ
ノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メ
チルーメトキシカルボニルアミノなどの各基）、アリー
ルオキシカルボニルアミノ基（例えば、フェノキシカル
ボニルアミノ基など）、スルファモイルアミノ基（例え
ば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノス
ルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニル
アミノ基など）、アルキル及びアリールスルホニルアミ
ノ基（例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホ
ニルアミノ、フェニルスルホニルアミノなどの各基）、

【００４１】メルカプト基、アルキルチオ基（例えば、
メチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオなどの
各基）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオな
ど）、ヘテロ環チオ基（例えば、２−ベンゾチアゾリル
チオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基な
ど）、スルファモイル基（例えば、 Ｎ−エチルスルフ
ァモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルフ
ァモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセ
チルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、
Ｎ−（Ｎ‘−フェニルカルバモイル）スルファモイルな
どの各基）、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィ
ニル基（例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィ
ニル、フェニルスルフィニルなどの各基）、アルキル及
びアリールスルホニル基（例えば、メチルスルホニル、
エチルスルホニル、フェニルスルホニルなどの各基）、
アシル基（例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロ
アセチル、ステアロイル、ベンゾイルなどの各基）、ア
リールオキシカルボニル基（例えば、フェノキシカルボ
ニル基など）、アルコキシカルボニル基（例えば、メト
キシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカ
ルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルなどの各
基）、カルバモイル基（例えば、カルバモイル、Ｎ−メ
チルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、
Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチル
スルホニル）カルバモイルなどの各基）、イミド基（例
えば、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基な
ど）、ホスフィノ基（例えば、ジメチルホスフィノ基、
ジフェニルホスフィノ基など）、ホスフィニル基、ホス
フィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基
（例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリ
ル、フェニルジメチルシリルなどの各基）が例として挙
げられ、これら置換基は更に置換されていても良い。Ｒ
¹の置換基として最も好ましくはアルキル基である。

【００４２】Ｒ¹の具体例を以下に示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。

【００４３】

【化 １１】

【００４４】

【化 １２】

【００４５】

【化 １３】

【００４６】置換基Ｒ²及びＲ³はそれぞれ独立にアルキ
ル基もしくはアリール基を表わすが、 Ｒ²とＲ³が同時
にアリール基であることはない。アルキル基とアリール
基の例はＲ¹で挙げたものと同じであり、さらに置換基
を有していても良く、好ましい置換基はＲ¹の説明で挙
げたものである。 またＲ²とＲ³のうち少なくとも一方
は重合性の不飽和基を有しても良く、重合性不飽和基と
してはビニル基が好ましい。またＲ²とＲ³が結合して環
を形成しても良い。そのような例としては種々のものが
挙げられるが、その好ましい形態が一般式（VII）で表
わされるものである。

【００４７】

【化 １４】

【００４８】一般式（ VII ）において、 Ｒ¹は一般式
（Ｉ）と同義である。Ｘ⁴はＣとともに環を形成するの
に必要な原子団を表わす。Ｘ⁴はＣとともに環を形成
し、環の大きさとして好ましくは３〜８が好ましく、更
に好ましくは５または６であり、特に好ましくは６であ
る。Ｘ⁴は非金属原子団であることが好ましく、更に好
ましくは−Ｃ（Ｒ⁴）（Ｒ⁵）−、−Ｃ（＝Ｙ³）−、−
Ｎ（Ｒ⁶）−、−Ｏ−、−Ｓ−であり、特に好ましくは
−Ｃ（Ｒ⁴）（Ｒ⁵）−である。ここでＲ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶は
水素原子もしくは置換基を表わし、置換基としての好ま
しい例はＲ¹の説明で置換基として挙げたものと同じで
ある。 Ｒ⁴、Ｒ⁵もしくはＲ⁶が分子内に複数存在する場
合、それらは同じであっても異なっていても良く、また
いずれか２つもしくはそれ以上のものが結合して環を形
成しても良い。Ｙ³は、＝Ｏ、＝Ｓ、もしくは＝Ｎ− Ｒ
⁶を表わし、 Ｒ⁶は前述のものと同じである。また一般
式（ VII ）で表わされる化合物は、後で述べるように
ポリマー化することにより更に優れた性能を示す。その
ための重合性不飽和基を有するモノマーとして好ましく
は、下記一般式（ VIII ）で表わされる化合物である。

【００４９】

【化 １５】

【００５０】式中、Ｒ¹は一般式（Ｉ）と同義である。
Ｒ⁷は水素原子もしくはアルキル基を表わし、アルキル
基はさらに置換基を有していても良く、アルキル基およ
び置換基の具体例はＲ¹の具体例で挙げたものである。
Ｒ⁷として好ましくは水素原子もしくはメチル基であ
る。以下に一般式（Ｉ）、一般式（VII）もしくは一般
式（VIII）で表わされる化合物の具体例を示すが、本発
明はこれらに限定されるものではない。なお、化合物に
よってはcis-体とtrans-体などの異性体が存在するもの
もあるが、これらを混合物として用いる場合も本発明に
含まれる。

【００５１】

【化 １６】

【００５２】

【化 １７】

【００５３】

【化 １８】

【００５４】

【化 １９】

【００５５】

【化 ２０】

【００５６】一般式（II）において、Ｒ³¹は一般式
（Ｉ）のＲ¹と同義である。一般式（II）において置換
基Ｒ³²は置換基を表わし、置換基としてはＲ¹の説明で
置換基として記したものが挙げられる。 Ｒ³²として好
ましくはアルキル基、ハロゲン原子もしくはアルコキシ
基であり、さらに好ましくはアルキル基である。 Ｒ³³
およびＲ³⁴はそれぞれ独立に水素原子もしくは置換基を
表わし、置換基としてはＲ¹の説明で置換基として記し
たものが挙げられる。 Ｒ³³およびＲ³⁴として好ましく
は水素原子、アルキル基、ハロゲン原子もしくはアルコ
キシ基であり、さらに好ましくは水素原子もしくはアル
キル基である。またＲ³³とＲ³⁴のうちの少なくとも１つ
は置換基であることが好ましい。

【００５７】Ｘ¹は環を形成するのに必要な原子団を表
わす。環の大きさとして好ましくは３〜８が好ましく、
更に好ましくは５または６であり、特に好ましくは６で
ある。Ｘ¹は非金属原子団であることが好ましく、更に
好ましくは−Ｃ（Ｒ³⁵）（Ｒ^{3 6}）−、−Ｃ（＝Ｙ⁴）
−、−Ｎ（Ｒ³⁷）−、−Ｏ−、−Ｓ−であり、特に好ま
しくは−Ｃ（Ｒ³⁵）（Ｒ³⁶）−である。ここでＲ³⁵、Ｒ
³⁶、Ｒ³⁷は水素原子もしくは置換基を表わし、置換基と
しての好ましい例はＲ¹の説明で挙げたものと同じであ
る。 Ｒ³⁵、Ｒ³⁶もしくはＲ³⁷が分子内に複数存在する
場合、それらは同じであっても異なっていても良く、ま
たいずれか２つもしくはそれ以上のものが結合して環を
形成しても良い。Ｙは、＝Ｏ、＝Ｓ、もしくは＝Ｎ−
Ｒ³⁷を表わし、Ｒ³⁷は前述のものと同じである。
Ｒ³²、Ｒ³³もしくはＲ³⁴は、Ｘ¹と結合して環を形成し
ても良い。またＲ³¹〜Ｒ³⁴のうち少なくとも一つが重合
性の不飽和基を有していることが好ましく、重合性不飽
和基としてはビニル基が好ましい。また一般式（ＩＩ）
で表わされる化合物の中でさらに好ましくは、下記一般
式（IX）で表わされる化合物である。

【００５８】

【化 ２１】

【００５９】式中、Ｒ³¹〜Ｒ³⁴は一般式（II）に示した
Ｒ³¹〜Ｒ³⁴と同義である。Ｒ³⁸およびＲ⁴⁰は水素原子も
しくは置換基（具体例はＲ¹の説明で置換基として挙げ
たもの）を表わし、好ましくは水素原子もしくはアルキ
ル基であり、さらに好ましくは水素原子である。Ｒ³⁹は
水素原子もしくは置換基（具体例はＲ¹の説明で挙げた
もの）を表わし、好ましくはハメットのσｍ値が０以上
のものであり、さらに好ましくは水素原子もしくはアシ
ルオキシ基である。さらに一般式（ IX ）で表わされる
化合物はいずれかの部位に重合性の不飽和基を有してい
ることが好ましく、重合性基としてはビニル基が好まし
い。

【００６０】以下に一般式（II）および（ IX ）で表わ
される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定
されるものではない。また化合物によってはcis-体とtr
ans-体などの異性体が存在するものもあるが、以下の記
載はそれら異性体の構造を特定するものではなく、また
異性体の混合物として利用する場合も含まれる。

【００６１】

【化 ２２】

【００６２】

【化 ２３】

【００６３】

【化 ２４】

【００６４】

【化 ２５】

【００６５】

【化 ２６】

【００６６】またこれらの酸発生剤の添加量は吸収変化
を伴う化合物の種類によっても異なるが、一般に後述す
る酸の作用により３６０nm〜９００nmの波長域に吸収変
化を伴う化合物に対して０．００１〜２０当量の範囲で
あることが好ましく、特に好ましくは０．０１〜５当量
の場合である。

【００６７】本発明において、熱または酸の作用による
分子内もしくは分子間反応により３６０〜９００ｎｍの
吸収域に変化を生じる化合物とは、室温、中性条件下で
保存する限りにおいては安定であるが、熱または酸が作
用すると分子内、もしくは分子間反応が進行して前記範
囲における吸収に変化を生じる化合物のことである。

【００６８】この様な吸収変化を伴う化合物は単一の化
合物であってもよいし、２成分以上で構成されていても
よい。例えば、ディールスアルダー反応によって前記領
域に消色画像を形成する化合物（例えば、９，１０−ジ
スチリルアントラセンと無水マレイン酸、テトラフェニ
ルシクロペンタジエンとアクリル酸エステルなど）、レ
トロディールスアルダー反応によって前記領域に発色画
像を形成する化合物（例えば９，１０−ジスチリルアン
トラセンと無水マレイン酸の付加体、ジフェニルイソベ
ンゾフランとアクリルアミドの付加体など）、βー水素
離脱によって共役系が拡張され前記領域に発色画像を形
成する化合物（例えば１ーアセトキシー１，２−ジアリ
−ルエタン、１ースルホキシー１，２−ジアリ−ルエタ
ンなど）、脱水縮合によって前記領域に発色画像を形成
するアルデヒドと活性メチレン化合物の組み合わせ（例
えば写真用４等量マゼンタカプラーとｐーメトキシシン
ナムアルデヒドなど）あるいは酸の作用で分解または離
脱が促進される置換基によって置換されたアミノ基もし
くは水酸基を分子内に有し、該置換基が外れることによ
って前記波長域における吸収が変化する化合物などが挙
げられる。

【００６９】アミノ基の置換基が酸の作用によって分解
もしくは離脱することにより吸収が変化する化合物にお
けるアミノ基の置換基としてはアルコキシカルボニル基
（例えばｔーブトキシカルボニル基、シクロヘキシルオ
キシカルボニル基、２ー（２ーメチル）ブトキシカルボ
ニル基、２ー（２ーフェニル）プロピルオキシカルボニ
ル基、２ークロロエトキシカルボニル基など）、アシル
基（例えばアセチル基、ベンゾイル基、２ーニトロベン
ゾイル基、４ークロロベンゾイル基、１ーナフトイル基
など）もしくはホルミル基などが好ましい例として挙げ
られるが、本発明では保存安定性と熱感度の観点からβ
位に水素原子を有するアルコキシカルボニル基が特に有
用である。このような化合物としては、例えば米国特許
第４，６０２，２６３号、第４，８２６，９７６号など
に記載例があり、本発明の熱酸発生剤と組み合わせるこ
とにより、より高感度で保存性に優れた感熱記録媒体を
提供することができる。

【００７０】水酸基の置換基が酸の作用によって分解も
しくは離脱することにより吸収が変化する化合物におけ
る水酸基の置換基としては、β位に水素原子を有する２
級もしくは３級のアルコキシカルボニル基（例えばｔー
ブトキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル
基、１ーフェニルエトキシカルボニル基、１，１ージフ
ェニルエトキシカルボニル基、２ーシクロヘキセンオキ
シカルボニル基など）、シリル基（例えばトリメチルシ
リル基、トリエチルシリル基、ｔーブチルジメチルシリ
ル基、ｔーブチルジフェニルシリル基、フェニルジメチ
ルシリル基など）、アルコキシメチル基（例えばメトキ
シメチル基、エトキシメチル基、１ーメトキシエチル
基、１ーフェノキシエチル基、２ー（２ーメトキシプロ
ピル）基など）およびβ位に水素原子を有する２級もし
くは３級のアルキル基（例えばテトラヒドロピラニル
基、テトラヒドロフラニル基、４，５−ジヒドロ−２−
メチルフラン−５−イル基、ｔーブチル基、２ーシクロ
ヘキセニル基など）が好ましい例として挙げられるが、
本発明では特にβ位に水素原子を有する２級もしくは３
級のアルコキシカルボニル基が好ましい。水酸基の置換
基の分解によって吸収が変化する化合物としては米国特
許第５，２４３，０５２号、特開平９−２５３６０号な
どに記載例がある。

【００７１】また、酸との接触により瞬時に発色する塩
基性のロイコ染料なども該画像形成材料において使用す
ることができる。そのような化合物の例としては有機エ
レクトロニクス材料研究会編、”イメージング用有機材
料”ぶんしん出版社刊（１９９７）、に記載されている
化合物およびそこに記載されている引用文献記載の化合
物などが挙げられる。本発明において、３６０〜９００
ｎｍの吸収域に濃度変化を生じる化合物は単独で用いて
もよいし、２種以上を併用しても良い。

【００７２】本発明で用いる好ましい化合物としては、
一般式（III)〜（V）で表わされるものである。本発明
の一般式（III）で表わされるロイコ色素においてR⁵¹
〜R⁵⁷は水素原子または置換基を表し、これらはそれぞ
れ同じであっても異なっていても良い。置換基の例とし
ては、一般式（Ｉ）のＲ¹で示した置換基が挙げられ
る。一般式（III）において、R⁵¹およびR⁵²は、好まし
くはアルキル基である。

【００７３】R⁵⁴、R⁵⁵、R⁵⁶またはR⁵⁷が置換基を表す場
合、隣接する2つの基は互いに結合して縮合環を形成し
ても良い。縮合環を形成する場合の例としては、ナフタ
レン環、アントラセン環、べンゾフラン環、べンゾチオ
フェン環などが例として挙げられる。

【００７４】一般式（III）において，X²はN（R⁵⁸）、
ＯまたはSを表し、R⁵⁸は水素原子または置換基を表し、
R⁵⁸が置換基を表す場合の例としてはR⁵¹〜R⁵⁷が置換基
を表す場合の例として前記したものが挙げられる。X²と
して特に好ましくはＯである。

【００７５】一般式（III）においてY¹はN−C−X²とと
もに環状構造を形成するのに必要な原子団を表し、好ま
しくは5員または6員環を形成するのに必要な原子団であ
る。環骨格を構成するのに必要なY¹の構成原子の例とし
ては、炭素原子、窒素原子、硫黄原子、珪素原子あるい
はリン原子が挙げられ、これらの原子は水素原子または
必要な置換基を有していてもよく、複数の置換が可能な
場合はそれぞれの置換基は異なっていても同一であって
も良く、置換基同士が互いに結合してさらに環を形成し
ても良い。

【００７６】またY¹を構成する原子が置換基を有する場
合の置換基の例としては、＝Ｏ（Y¹の骨格原子とともに
カルボニル基、スルホニル基などを形成する）、＝S（Y
¹の骨格原子とともにチオカルボニル基などを形成す
る）、＝N−R⁶⁰（ R⁶⁰は水素原子または置換基を表す。
置換基の例としてはR⁵¹〜R⁵⁷が置換基を表す場合の例と
して前記したものが挙げられる。

【００７７】Y¹の好ましい形態は、−C（R⁶¹）（R⁶²）
−あるいは−Ｃ（＝Ｏ）−で表される2価の基が任意の
組み合わせで連結して形成される2価の連結基である（R
⁶¹、R⁶²は水素原子または置換基を表し、同じであって
も異なっていてもよく、 R⁶¹とR⁶²もしくは分子内に複
数存在する R⁶¹とR⁶²が互いに結合して環を形成しても
良く、 R⁶¹、 R⁶²の例としてはR⁵¹〜R⁵⁷が置換基を表す
場合の例として前記したものが挙げられる）。 これら
の中でもY¹の好ましい形態は−［C（R⁶¹）（R⁶²）］₂−
である。Ｙ¹のとくに好ましい形は、例えば−CH₂ CH
₂−、− CH₂ CH₂ CH₂−、−CH（CH ₃）CH₂−、 −CH₂C
（＝Ｏ）−、−C（＝Ｏ） CH₂−、−CH₂ CH₂C（＝Ｏ）
−、−C（＝Ｏ） CH₂CH₂−、−ＣH＝CH−などが例とし
て挙げられる。

【００７８】一般式（III）において、A¹はC（R⁵⁹）ま
たはNを表し、R⁵⁹は水素原子または置換基を表す。 R⁵⁹
が置換基を表す場合、置換基の例としてはR⁵¹〜R⁵⁷が置
換基を表す場合の例として前記したものが挙げられる。
A¹として特に好ましい形態はCHである。

【００７９】B¹はアリール基、ヘテロ環基、アルケニル
基、アルキニル基、アリ−ルアミノ基またはヘテロ環ア
ミノ基を表す。これらの例としてはR¹〜R⁷が置換基を表
す場合の例として前記したものが挙げられる。またこれ
らの基は置換可能な位置に置換基を有していても良く、
置換基の例としてはR⁵¹〜R⁵⁷が置換基を表す場合の例と
して前記したものが挙げられる。またこれらの置換基
は、異なる2つの基が互いに結合して縮合環を形成して
いても良く、またR⁵⁹とともに環を形成していても良
い。B¹として好ましい形態はアリール基またはヘテロ環
基である。

【００８０】本発明の一般式（III）で表される化合物
の中でも特に好ましい形態は一般式（X）で表されるも
のである。

【００８１】

【化 ２７】

【００８２】一般式（X）においてＲ⁵¹〜R⁵⁷は一般式
（III）における場合と同じ意味を表し、D¹はアリール
基またはヘテロ環基を表す。D¹で表されるアリール基ま
たはヘテロ環基の例としてはＲ⁵¹〜R⁵⁷が置換基を表す
場合の例の中で前記したものが挙げられる。一般式（II
I）または（X）で表される化合物は、前記 Ｒ⁵¹〜R⁶²の
内置換可能な位置に導入された重合性基（アクリル基、
メタクリル基、４−ビニルフェニル基など）が複数連結
して形成されるポリマーであってもよい。以下に本発明
で有用な一般式（III）または（X）で表される化合物の
具体例を示すが本発明はこれらに限定されるものではな
い。なおこれらの化合物は、特開昭51−34885号、同51
−44127号、同56−149489号などの各公報に記載の方法
に準じて、例えば、芳香族あるいは複素環アルデヒド化
合物のアルデヒド基、ニトロソ化合物のニトロソ基とイ
ンドレニン核の2位の活性メチル基またはメチレン基と
の脱水縮合反応により合成することができる。なお、以
下の本発明のポリマー材料においてｎまたはｍで表され
る値はポリマー組成のモル百分率を表す。

【００８３】

【化 ２８】

【００８４】

【化 ２９】

【００８５】

【化 ３０】

【００８６】

【化 ３１】

【００８７】

【化 ３２】

【００８８】

【化 ３３】

【００８９】

【化 ３４】

【００９０】

【化 ３５】

【００９１】

【化 ３６】

【００９２】本発明の一般式（IV）で表されるロイコ色
素において、Ｒ⁷¹は水素原子または置換基を表す。置換
基の例としては、一般式（Ｉ）のＲ¹の説明において置
換基として前記した置換基が挙げられる。置換基の中で
好ましいものは、アルキル基、アリール基、ヘテロ環
基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ
基、ヘテロ環オキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコ
キシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオ
キシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ
基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニル
アミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、アルキ
ルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基またはシリ
ル基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、
ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ
環オキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルア
ミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボ
ニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基であ
る。上記の置換基の中で、水素原子を有するものは、こ
れを取り去り更に上記の基で置換されていても良い。

【００９３】一般式（IV）において、Ａｒ¹およびＡｒ²
はアリール基、ヘテロ環基、アルケニル基またはアルキ
ニル基を表し、同じであっても異なっていても良い。ア
リール基としては、フェニル基、ナフチル基など、ヘテ
ロ環基としては、フリル，チエニル、ピリミジル、ベン
ゾチアゾリルなどの各基、アルケニル基としては、ビニ
ル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シク
ロペンテンー１−イルなどの各基、アルキニル基として
は、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニ
ルなどの各基を挙げることができる。また、これらの基
は，置換可能な位置にさらに置換基を有していてもよ
く、その置換基の例は、Ｒ７１が置換基を表す場合の例
として上記したものが挙げられる。

【００９４】Ａｒ¹およびＡｒ²が複数の置換基を有する
場合、これらは互いに結合して縮合環を形成しても良
く、 Ａｒ¹およびＡｒ²が連結して環を形成しても良
い。 Ａｒ ¹に導入された置換基同士またはＡｒ²に導入
された置換基同士が互いに結合して縮合環を形成する場
合の例としては、ジュロリジン環、ナフタレン環、アン
トラセン環、べンゾフラン環、べンゾチオフェン環など
が挙げられ、 Ａｒ¹およびＡｒ²が連結して環を形成す
る場合の例としては、９H−キサンテン環、１０−アル
キルー９，１０−ジヒドロアクリジン環、９H−チオキ
サンテン環、１−アルキル−４H−クロメノ［２，３−
Ｃ］ピラゾール環、１１H−ベンゾ［ｂ］チエノ［２，
３−ｂ］クロメン環、６−アルキル−５−オキソ−５，
６−ジヒドロ−１２Ｈ−クロメノ［２，３−Ｃ］イソキ
ノリン環、４Ｈ−クロメン環、２Ｈ−クロメン環または
フルオレン環などが挙げられる。

【００９５】Ａｒ¹およびＡｒ²は、好ましくは、アリー
ル基またはヘテロ環基であり、特に好ましい場合として
は、 Ａｒ¹およびＡｒ²のうち少なくとも一方が電子供
与性のアリール基（例えば、ｐ−ジメチルアミノフェニ
ル基、ｐ−ジュロリジル基、ｐ−メトキシフェニル基な
ど）または１，２，３，４−テトラヒドロキノリン−６
−イル基、３，３−ジメチルインドリン−５−イル基、
３，４−メチレンジオキシフェニル基、１，２−ジメチ
ル−５−ベンゾイミダゾリル基、１０−エチルフェノキ
サジンー３−イル基、９−エチルカルバゾール−３−イ
ル基、ジベンゾフラン−３−イル基、ジベンゾチオフェ
ン−３−イル基、キノリン−８−イル基、１，２−ジメ
チルインドール−３−イル基、エチルインダゾールー３
−イル基、ベンゾ［b］−フラン−３−イル基、ベンゾ
［b］−チオフェン−３−イル基、１−エチルピロール
−３−イル基、３−フリル基、３−チエニル基、２−チ
アゾリル基、２−ベンゾオキサゾリル基、２−ピリジル
基または４−キノリル基から選ばれるヘテロ環基の場
合、あるいはＡｒ¹およびＡｒ²の少なくとも一方が電子
供与性基を置換基として有し、Ａｒ¹およびＡｒ²が連結
して上記した縮合環を形成する場合である。

【００９６】Ｙ²は、芳香族炭化水素環（例えばベンゼ
ン環、ナフタレン環、アントラセン環など）あるいはヘ
テロ環（例えば、ピリジン環、ピリミジン環、インドー
ル環、フラン環、チアジン環など）を表し、これらの環
は置換可能な位置が、置換基によって置換されていても
良く、例としては上記Ｒ¹が置換基を表す場合の例とし
て説明したものを挙げることができる。Ｙ²の好ましい
形態は芳香族炭化水素環であり、特に好ましくはベンゼ
ン環である。

【００９７】Ｘ³はＯ、ＳまたはＮ（Ｒ⁷²）を表し、 Ｒ
⁷²は水素原子または置換基を表し、Ｒ⁷²が置換基を表す
場合の例としては上記Ｒ⁷¹が置換基を表す場合の例とし
て説明したものを挙げることができる。Ｘ³として好ま
しくはＯまたはＳである。

【００９８】一般式（IV）および以下に説明する一般式
（V）で表される化合物は、置換可能な位置に導入され
た重合性基（アクリル基、メタクリル基、４−ビニルフ
ェニル基など）が複数連結して形成されるポリマーであ
ってもよい。この際ポリマーの分子量は千〜１００万の
範囲にあることが好ましく、特に好ましくは２千〜３０
万の範囲にある場合である。この場合単独重合体であっ
てもよいし、他のモノマーとの共重合体であっても良
い。

【００９９】一般式（IV）で表される化合物は、例えば
ミヒラーヒドロール類とアリールアミン類とから合成さ
れる、オルト位にアミノ基を有するトリアリールメタン
誘導体に対して、酸ハライド類あるいはイソシアナート
類などを作用させた後、二酸化鉛、二酸化マンガンある
いはクロラニルなどの酸化剤を用いて酸化することによ
り合成することができ、その合成方法は、特開昭57−47
697号、同61-17573号、同63−251278号などの各公報に
詳しく記載されている。

【０１００】以下に本発明で有用な一般式（IV）で表さ
れる化合物の具体例を示すが本発明はこれらに限定され
るものではない。なお以下、本発明のポリマー材料にお
いてｎまたはｍで表される値はポリマー組成のモル百分
率を表す。

【０１０１】

【化 ３７】

【０１０２】

【化 ３８】

【０１０３】

【化 ３９】

【０１０４】

【化 ４０】

【０１０５】

【化 ４１】

【０１０６】

【化 ４２】

【０１０７】

【化 ４３】

【０１０８】

【化 ４４】

【０１０９】

【化 ４５】

【０１１０】

【化 ４６】

【０１１１】

【化 ４７】

【０１１２】

【化 ４８】

【０１１３】

【化 ４９】

【０１１４】

【化 ５０】

【０１１５】

【化 ５１】

【０１１６】次に一般式（V）について説明する。Ａｒ³
およびＡｒ⁴はアリール基、ヘテロ環基、アルケニル基
またはアルキニル基を表し、同じであっても異なってい
ても良く、これらは前述した一般式（IV）におけるＡｒ
¹およびＡｒ²と同じ意味を表す。

【０１１７】Ｚ¹は芳香族炭化水素環あるいはヘテロ環
を表し、これらは前述した一般式（IV）におけるY²と同
じ意味を表す。A²はＯ、ＳまたはＮ（Ｒ⁷³）を表し、Ｒ
⁷³は水素原子または置換基を表し、Ｒ⁷³が置換基を表す
場合の例としてはＲ⁷¹が置換基を表す場合の例として説
明したものが挙げられる。A²の好ましい例はSである。
本発明の一般式（V）で表される化合物は特開昭58−170
36号に記載の方法によって合成することができる。以下
に本発明で有用な一般式（V）で表される化合物の具体
例を示すが本発明はこれらに限定されるものではない。

【０１１８】

【化 ５２】

【０１１９】

【化 ５３】

【０１２０】

【化 ５４】

【０１２１】

【化 ５５】

【０１２２】

【化 ５６】

【０１２３】

【化 ５７】

【０１２４】本発明の画像形成材料は一般的に前記酸発
生剤および酸の作用により３６０〜９００ｎｍの波長域
に変化を生じる化合物を支持体上に塗布して作製され
る。この際、これらのいずれかがポリマーである場合、
あるいは塗布性の良いアモルファスである場合を除き、
通常はバインダ−を共存させる。バインダーを使用しな
くてもよい場合は、膜厚を薄くし易く、切れの良い画像
が得られるという利点がある。またバインダーを用いる
場合には、ゼラチン、カゼイン、デンプン類、ヒドロキ
シエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ポ
リビニルアルコール、ポリアクリルアミド、エチレン−
無水マレイン酸コポリマーなどの水溶性バインダー、お
よびポリビニルブチラール、トリアセチルセルロース、
ポリスチレン、アクリル酸メチル−ブタジエンコポリマ
ー、アクリロニトリル−ブタジエンコポリマーなどの水
不溶性バインダーのいずれも用いることができる。

【０１２５】一方、酸発生剤もしくは酸の作用により３
６０〜９００ｎｍの波長域に変化を生じる化合物のいず
れかもしくは双方（共重合を含む）がポリマーである場
合にはバインダーを添加する必要は特に無い。その場合
には色相が変化する該化合物のごく近傍に酸が発生する
という意味で高感度化が期待できる。またポリマー化に
より分子の拡散を制御することにより画像の切れ、保存
性を改良できる可能性がある。これらの特性は、特にグ
ラフィックアーツフィルムのような高画質が要求される
用途に好ましい。そのような化合物として好ましい形態
は一般式（VI）で表わされるものである。

【０１２６】一般式（VI）について説明する。一般式
（VI）においてAは酸発生剤モノマーの重合によって得
られる繰り返し単位を表し、好ましい例としては一般式
（I）、（II）、もしくは（VII）〜（IX）で表わされる
化合物の中で重合性の不飽和基を有するものを挙げられ
る。その具体例は一般式（I）、（II）、もしくは（VI
I）〜（IX）の化合物例として挙げた中で重合性の不飽
和基を有するものが該当する。

【０１２７】一般式（VI）においてＢは酸の作用により
３６０〜９００ｎｍの吸収域で濃度変化を生じる部分構
造を有する少なくとも１種類以上のビニルモノマーの重
合によって得られる繰り返し単位を表わし、好ましい例
としては一般式（III）〜（Ｖ）、（Ｘ）で表わされる
化合物の中で重合性の不飽和基を有するものである。そ
の具体例は一般式（III）〜（Ｖ）、（Ｘ）の化合物例
として挙げた中で重合性の不飽和基を有するものが該当
する。なお、Ｂは単独の化合物に誘導される1種類の繰
り返し単位であってもよいし、2種以上の併用でもよ
い。さらにポリマー中の発色部位であるＢと、別途画像
記録層中に添加した他の発色剤との併用でも良い。

【０１２８】一般式（ＶＩ）におけるＣは、ＡおよびＢ
とともに共重合体を形成することが可能な少なくとも１
種類以上のビニルモノマーの重合によって得られる繰り
返し単位を表し、極性、ガラス転位温度などを調節する
ことにより保存安定性、発色活性などをコントロールす
ることができる。このようなビニルモノマーは２種類以
上を組み合わせても良い。好ましい例としては、アクリ
ル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリルアミ
ド、スチレン、ビニルエーテルなどが挙げられる。以下
にＣを形成するモノマーの具体例を示すが本発明はこれ
らに限定されるものではない。

【０１２９】

【化 ５８】

【０１３０】

【化 ５９】

【０１３１】

【化６０】

【０１３２】

【化６１】

【０１３３】一般式（ＶＩ）におけるｘ、ｙ、ｚは各組
成のモル％を表す。ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ１≦ｘ≦１０
０、０≦ｙ≦９９、０≦ｚ≦９９でありｘ＋ｙ＋ｚ＝１
００である。一般式（ＶＩ）で表されるポリマーの分子
量は千〜１００万の範囲にあることが好ましく、特に好
ましくは２千〜５０万の範囲にある場合である。また該
ポリマーはホモポリマー、ランダム共重合体、交互共重
合体、ブロック共重合体などいずれの形態であってもか
まわないが、合成的に容易なホモポリマー、ランダム共
重合体が一般的である。以下に一般式（ＶＩ）で表され
るポリマーにおけるＡ、Ｂ、Ｃを形成するモノマーおよ
びｘ、ｙ、ｚの好ましい組み合わせを示すが本発明はこ
れらに限定されるものではない。

【０１３４】

【表1】

【０１３５】本発明に用いる上記ポリマーの合成は種々
の重合方法、例えば溶液重合、沈澱重合、懸濁重合、塊
状重合、乳化重合によって行なうことができる。また、
重合の開始方法はラジカル開始剤を用いる方法、光また
は放射線を照射する方法などがある。これらの重合方
法、重合の開始方法は、例えば鶴田禎二「高分子合成方
法」改定版（日刊工業新聞社刊、１９７１）や大津隆
行、木下雅悦共著「高分子合成の実験法」化学同人、昭
和４７年刊、１２４〜１５４頁に記載されている。

【０１３６】上記重合方法のうち、特にラジカル開始剤
を用いた溶液重合法が好ましい。溶液重合法で用いられ
る溶剤は、例えば酢酸エチル、メタノール、エタノー
ル、１ープロパノール、２ープロパノール、１ーブタノ
ール、アセトン、ジオキサン、Ｎ，Ｎージメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ベンゼン、ト
ルエン、アセトニトリル、塩化メチレン、クロロホル
ム、ジクロロエタンのような種々の有機溶剤を単独ある
いは２種以上の混合物でも良いし、水との混合溶媒とし
ても良い。重合温度は生成するポリマーの分子量、開始
剤の種類などと関連して設定する必要があり、種々の温
度で重合可能であるが、通常３０〜１００℃の範囲で重
合を行なう。本発明では３０〜９０℃の温度範囲で重合
を行なうことが好ましい。

【０１３７】重合に用いられるラジカル開始剤として
は、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、
２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリ
ル）、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）ジ
ハイドロクロライド、４，４’−アゾビス（４−シアノ
ペンタノイックアシッド）のようなアゾ系開始剤や、ベ
ンゾイルパーオキサイド、ｔーブチルハイドロパーオキ
サイド、過硫酸カリウム（例えば、亜硫酸水素ナトリウ
ムと組み合わせてレドックス開始剤として用いても良
い）のようなペルオキシド系開始剤が好ましい。本発明
では半減期が１０時間になる温度が７０℃以下の開始剤
（例えば２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロ
ニトリル）、２，２’−アゾビス（４−メトキシ−２，
４−ジメチルバレロニトリル）、ジメチル２，２’−ア
ゾビス（２−メチルプロピオネ−ト）、２，２’−アゾ
ビス［２−（３，４，５，６−テトラヒドロプロパン）
ジハイドロクロライド］などが特に好ましい。重合開始
剤の使用量はモノマーの重合性や必要とする重合体の分
子量に応じて調節することが可能であるが、単量体に対
して０．０１〜５．０ｍｏｌ％の範囲が好ましい。

【０１３８】一般式（ＶＩ）で表わされるポリマーの合
成においてはＡ、ＢおよびＣを形成するモノマーを混合
して最初に反応容器に入れておき、開始剤を投入しても
よいし、これらのモノマーを重合溶媒に滴下する過程を
経て重合を行なってもよい。

【０１３９】本発明の一般式（ＶＩ）で表わされるポリ
マーは、熱もしくは酸の作用により酸を発生する機能を
有する部分構造と、酸の作用により３６０〜９００ｎｍ
の波長域に変化を生じる部分構造を合わせ持つポリマー
である。このようなポリマーとしては、両者の機能を合
わせ持つ単一モノマーの重合体もありうるが、合成的な
観点から前記一般式（ＶＩ）で示される構造が一般的で
ある。本発明の画像形成材料は一般的に一般式（ＶＩ）
で表されるポリマーを支持体上に塗布して作製される。
本発明のポリマ−が熱によって酸を発生する機能も合わ
せ持つ場合は、熱の作用のみで単独で吸収に変化が生じ
るため、感熱形成材料として使用した場合に、感度や画
像の切れが優れている。また本発明の一般式（ＶＩ）で
表されるポリマーではいわゆるバインダーを使用しなく
ても良いため、膜厚を薄くすることができ、切れの良い
像が得られ、またアブレーションが起こりにくいという
利点がある。ただし一般式（ＶＩ）で表わされるポリマ
ーを用いる際、必要であるならばバインダーを併用して
も良く、その具体例としては前述のものが挙げられる。

【０１４０】本発明における画像記録層と保護層に用い
るバインダーは、一般に無色であり、透明または半透明
の被膜を形成する媒体であれば特に制限はなく、例えば
ゼラチン、カゼイン、デンプン類、ヒドロキシエチルセ
ルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリビニルア
ルコール、ポリアクリルアミド、エチレン−無水マレイ
ン酸コポリマーなどの水溶性バインダー、およびポリビ
ニルブチラール、トリアセチルセルロース、セルロース
アセテートブチレート、ポリエステル類、ポリカーボネ
ート類、ポリビニルエステル類（ポリビニルアセテート
など）、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、アクリル酸エ
ステルおよびメタクリル酸エステルポリマーまたはコポ
リマー（例えばメチルメタクリレート−ヒドロキシメチ
ルメタクリレートコポリマー、アクリル酸メチル−ブタ
ジエンコポリマー、ポリメチルメタクリレート、ポリｔ
−ブチルメタクリレート、アクリロニトリル−ブタジエ
ンコポリマーなど）の水不溶性バインダーのいずれも用
いることができる。

【０１４１】これらのバインダーのうち水不溶性バイン
ダーが好ましく用いられる。水不溶性バインダーは有機
溶媒から被膜形成しても良いし、水分散物の形態で被膜
形成してもよい。ここでいう水分散物とは水不溶な疎水
性ポリマーが微細な粒子として水溶性の分散媒中に分散
したものである。分散状態としてはポリマーが分散媒中
に乳化されているもの、乳化重合されたもの、ミセル分
散されたもの、あるいはポリマー分子中に部分的に親水
的な構造を持ち分子鎖自身が分子状分散したものなどい
ずれでもよい。それらの例としては「合成樹脂エマルジ
ョン(奥田平、稲垣寛編集、高 分子刊行会発行(197
8))」、「合成ラテックスの応用(杉村孝明、片岡靖男、
鈴木聡一、笠原啓司編集、高分子刊行会発行(199
3))」、「高分子ラテックスの化学(室井宗一著、高分子
刊行会発行(1970))」などに記載されている。分散粒子
の平均 粒径は1〜50000nm、より好ましくは5〜1000nm程
度の範囲が好ましい。分散粒子 の粒径分布に関しては
特に制限はなく、広い粒径分布を持つものでも単分散の
粒径分布を持つものでもよい。

【０１４２】これら画像記録層および保護層に用いるポ
リマーの分子量は重量平均分子量で１０００〜１０００
０００、好ましくは２００００〜５０００００程度が好
ましい。またポリマーは単独で用いてもよいし、必要に
応じて二種以上ブレンドして用いても良い。

【０１４３】また、これら画像記録層および保護層に用
いるポリマーのＴｇを調節することで画像記録媒体の低
湿度下でのヒビワレを改良することができる場合があ
る。ポリマーのＴｇを下げることで低湿度下でのヒビワ
レは改良できるが、下げすぎることで画像記録媒体の接
着性が問題となることがあるため、ポリマーのＴｇには
最適値がある。好ましいポリマーのＴｇは併用する低分
子化合物などにもよるが、一般に１５℃〜１２０℃さら
に好ましくは、２０℃〜８０℃である。

【０１４４】また、ヒビワレの発生は低湿度下で顕著で
あり、一般に２５℃、相対湿度１０％ＲＨで画像記録媒
体を筒状に丸めたときのヒビワレが発生しはじめる曲率
半径で評価する場合が多く、この評価方法による場合の
好ましい値は０〜50mmである。なお、曲率半径が０ｍｍ
とは、与えられた条件においては過酷な曲げ応力を加え
てもヒビワレを起こさないことを意味する。

【０１４５】本発明の画像記録媒体の保護層は必要に応
じて２層以上設けられる場合があるが、保護層の全バイ
ンダー量は３．０〜５０．０g／m²、より好ましくは
５．０〜３０．０g／m²、さらに好ましくは ７．０〜２
０．０g／m²の範囲が好ましい。

【０１４６】本発明の画像記録媒体は保護層のバインダ
ー量を上記の量とすることでヘイズの低減と擦り傷耐性
の改良が可能となる。ヘイズは、画像記録媒体に入射し
た光線が拡散する度合いで表され、その値は拡散透過光
量と全透過光量の比を百分率で示される。ヘイズの測定
にはNIPPON DENSHOKU(株)製ヘイズ測定装置MODEL 100
1DPを用いた。本発明において好ましいヘイズの値は、
入射光のアパーチャが１０ｍｍのもとで０〜２０％であ
り、さらに好ましくは０〜１５％、特に好ましくは０〜
１０％である。

【０１４７】本発明の画像記録媒体は、様々の画像記録
用途に応用できるが、印刷製版分野における好ましい用
途としては、製版過程においてＵＶマスクフィルムとし
て用いられる。その場合には、取り扱い上、擦り傷に対
する耐性が必要とされる。擦り傷耐性の評価尺度として
は、通常引掻き強度が用いられており、本明細書におい
てもこれを用いている。本発明でいう太針引掻き強度と
は、円錐頂角が90度で、先端の直径が0.1mmのサファイ
ヤ針を用いて保護層の表面を引掻き、画像記録層の傷跡
が、目視で連続して認められた時の荷重（ｇ）を意味す
る。同様に本発明でいう細針引掻き強度は、円錐頂角が
90度で、先端の直径が0.01mmのダイヤ針を用いて保護層
の表面を引掻き、画像記録層の傷跡が、目視で連続して
認められた時の荷重（ｇ）を意味する。

【０１４８】本発明の好ましい引掻き強度は太針、細針
それぞれ３０〜７００ｇ、１０〜３００ｇであり、さら
に好ましくは５０〜５００ｇ、１５〜２００ｇであり、
特に好ましくは７０〜３００ｇ、２０〜１００ｇであ
る。

【０１４９】本発明の画像記録媒体を製版過程に用いる
ＵＶマスクフィルムなどに応用する場合には、ＵＶ波長
領域で大きな画像濃度変化が必要とされる。この目的の
画像記録媒体としては、光照射による濃度変化が大きい
ものが好ましく、好ましい濃度変化は、３．０〜２０．
０、より好ましくは３．５から１５．０、特に好ましく
は４．０から１０．０である。

【０１５０】本発明の画像記録媒体には、保護層のほか
に支持体の裏面にバック層を設けてもよいし、画像記録
層と支持体との間に単層あるいは複数層の顔料あるいは
樹脂からなる下塗り層を設けることもできる。支持体に
隣接するバック層又は下塗り層中には、ゴミ付着を減少
させるために金属酸化物を含有させることが好ましく、
バック層及び下塗り層（支持体の両面に設けられるも
の）のうちの少なくとも１層を導電性とすることが好ま
しい。ここで用いられる金属酸化物は、特開昭６１−２
００３３号及び同６−８２５０４号公報に記されている
ものがとくに好ましい。

【０１５１】これらの導電性金属酸化物の使用量は、画
像記録材料１m²当たり０．０５〜２０ｇが好ましく、特
に０．１〜１０ｇが好ましい。金属酸化物含有層の表面
抵抗率は２５℃２５％ＲＨの雰囲気下で１０¹²Ω以下
で、好ましくは１０¹¹Ω以下がよい。これにより良好な
帯電防止性が得られる。このときの表面抵抗率の下限は
特に制限されないが、通常１０⁷Ω程度である。

【０１５２】それぞれの層は擦り傷耐性などを改良する
目的で架橋を行うことができる。架橋方式としては従来
公知の方法を使用することができるが、画像形成反応に
影響を与えない方法として特願平２０００−６５２０９
号記載の方法が好ましく使用できる。

【０１５３】本発明の画像記録媒体は支持体上に画像記
録層塗布液および保護層塗布液を塗布して製造すること
が好ましい。塗布方法としては、カーテンコーティン
グ、ロールコーティング、ディップコーティング、スピ
ンコーティング、印刷コーティング、スプレーコーティ
ング、スライドコーティング、ブレードコーティングお
よびスロットコーティングをあげることができる。本発
明の画像記録層がすべて低分子化合物である場合、蒸着
法も使用することができる。本発明では連続塗布が好ま
しく、従ってカーテンコーティング、スロットコーティ
ング、ロールコーティングおよびスライドコーティング
が好ましい塗布方法として挙げられる。

【０１５４】本発明の画像記録層塗布液は、酸発生剤、
３００〜９００ｎｍの吸収域に濃度変化を生じる化合
物、バインダーなどを所望の化合物を塗布溶媒に溶解ま
たは分散して作製される。塗布溶媒としては水系もしく
は有機溶媒のいずれも好ましく選択できる。ここでいう
水系溶媒とは、水単独もしくは水混和性有機溶媒と水と
の混合物のいずれでもよい。本発明の画像記録層に使用
される化合物は水不溶性の場合が多く、それらを水分散
物として用いる場合以外は、塗布溶媒としては有機溶媒
が好ましく用いられる。有機溶媒としては、例えば酢酸
エチル、メタノール、エタノール、１ープロパノール、
２ープロパノール、１ーブタノール、アセトン、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジオキサン、
Ｎ，Ｎージメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、ベンゼン、トルエン、アセトニトリル、塩化
メチレン、クロロホルム、ジクロロエタンのような種々
の有機溶剤を単独あるいは２種以上の混合物として用い
ることができる。

【０１５５】本発明の保護層塗布液はバインダー、マッ
ト剤、スベリ剤など所望の化合物を塗布溶媒に溶解また
は分散して作成される。保護層塗布液の塗布溶媒として
は水系および有機溶媒のいずれも使用できるが、本発明
の画像記録媒体に使用される３６０〜９００ｎｍの吸収
域に濃度変化を生じる化合物が低分子化合物である場合
や赤外吸収色素などの低分子化合物を画像記録層に用い
る場合、それらの低分子化合物の保護層塗布液に対する
溶解性が高いと保護層へ拡散し、結果として画像記録媒
体の感度が低下する場合があり、注意が必要である。こ
の場合の保護層塗布液は、低分子化合物の溶解性の低い
溶媒が選択されることが好ましい。本発明の画像記録媒
体に使用される３６０〜９００ｎｍの吸収域に濃度変化
を生じる低分子化合物や赤外吸収色素などの低分子化合
物は水難溶性の化合物が多く、この場合の保護層塗布液
としては水系溶媒、アルコール系溶媒が好ましく用いら
れる。ここでいう水系溶媒とは、水単独もしくは水混和
性有機溶媒と水との混合物のいずれかを表し、アルコー
ル系溶媒は、メタノール、エタノール、１ープロパノー
ル、２ープロパノール、１ーブタノールなどのアルコー
ル単独もしくは２種以上のアルコールの混合物もしくは
他の有機溶媒との混合物を表す。

【０１５６】また、本発明の画像記録層、保護層塗布液
は塗布性改良のために界面活性剤などを添加してもよ
い。その他、感熱記録材料における種々の公知技術を用
いることもできる。

【０１５７】本発明においては画像記録媒体の搬送時、
巻き取り時、巻き取り後の保存時などの耐接着性を改良
する目的でマット剤を使用することができる。マット剤
を使用することで画像記録媒体の表面平滑性を調節する
ことが可能であり、該表面平滑性はベック平滑度で定義
される場合がある。ベック平滑度は、日本工業規格（Ｊ
ＩＳ）Ｐ８１１９「紙および板紙のベック試験器による
平滑度試験方法」およびＴＡＰＰＩ標準法Ｔ４７９に規
定された試験器と試験方法より容易に求めることができ
る。

【０１５８】本発明の画像記録媒体の画像記録層を有す
る面およびその反対面の最外層表面の少なくとも一方、
好ましくは両方のベック平滑度は0〜４０００秒であ
り、より好ましくは０〜２０００秒である。

【０１５９】画像記録媒体の画像記録層を有する面およ
びその反対面の最外層表面のベック平滑度は、添加する
マット剤の平均粒径および添加量を種々変化させること
によって調節することができる。本発明に用いられるマ
ット剤は、画像形成媒体の諸特性に悪影響を及ぼさない
固体微粒子であれば、どのようなものでもよい。無機系
のマット剤としては、二酸化ケイ素、チタンおよびアル
ミニウムの酸化物、亜鉛およびカルシウムの炭酸塩、バ
リウムおよびカルシウムの硫酸塩、カルシウムおよびア
ルミニウムのケイ酸塩など、有機系のマット剤として
は、セルロースエステル類、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリスチレンまたはポリジビニルベンゼンおよびこ
れらのコポリマーなどの有機重合体のマット剤が挙げら
れる。マット剤は画像形成層を有する面においては支持
体から最も離れた最外層となる保護層に含有させること
が好ましく、その反対側においては最外層でないバック
層に含有させることが好ましい。

【０１６０】本発明において好ましいマット剤の平均粒
径は、１〜２０μm の範囲である。本発明において好ま
しいマット剤の添加量は、５〜４００mg／m2、特に１０
〜２００mg／m2の範囲である。

【０１６１】本発明では、特開平3-109542号公報２頁左
下欄８行目〜３頁右上欄４行目に記載された多孔性のマ
ット剤、特開平4-127142号公報３頁右上欄７行目〜５頁
右下欄４行に記載されたアルカリで表面修飾したマット
剤、特開平6-118542号公報の段落番号「０００５」〜
「００２６」に記載された有機重合体のマット剤を用い
ることがより好ましい。

【０１６２】また、これらのマット剤を２種以上併用し
てもよい。例えば、無機系のマット剤と有機系のマット
剤の併用、多孔性のマット剤と非多孔性のマット剤の併
用、不定形のマット剤と球形のマット剤の併用、平均粒
径の異なるマット剤の併用（例えば特開平6-118542号に
記載されている平均粒径が１．５μm 以上のマット剤と
平均粒径が１μm 以下のマット剤の併用）などがある。

【０１６３】また本発明では粒径分布の狭い、いわゆる
単分散マット剤も好ましく使用できる。このような単分
散マット剤は耐接着性改良効果の少ない微細粒子と画像
濃度低下などの問題の原因となる粗大粒子の含量が低
く、耐接着性と透明性を両立するのに有利である。本発
明に使用できる好ましい単分散マット剤の例としてはリ
サーチディスクロージャー２１６１７号、Ｎｏ．２１６
（１９８２）、特公平５−５９９２４号、英国特許８１
３５２６２号、特開昭６１−２３０１４１号、欧州特許
６１０，５２２号、欧州特許６１８，４９０号、特開平
８−２７８５８７号などに記載されている。

【０１６４】本発明においては画像記録層を有する面お
よび／またはその反対面の最表面層に滑り剤を含有させ
ることが好ましい。

【０１６５】本発明における滑り剤には、特に制限はな
く物体表面に存在させた時に、存在させない場合に比べ
て物体表面の摩擦係数を減少させる化合物であればいず
れでもよい。

【０１６６】本発明に用いられる滑り剤の代表的なもの
としては、例えば米国特許第3,042,522号、英国特許第9
55,061号、米国特許第3,080,317号、同第4,004,927号、
同第4,047,958号、同第3,489,567号、英国特許第1,143,
118号などの各公報に記載のシリコーン系滑り剤、米国
特許2,454,043号、同第2,732,305号、同第2,976,148
号、同第3,206,311号、独国特許第1,284,295号、同第1,
284,294号などの各公報に記載の高級脂肪酸系、アルコ
ール系、酸アミド系の各滑り剤、英国特許第1,263,722
号、米国特許第3,933,516号などの公報に記載の金属石
けん、米国特許第2,588,765号、同第3,121,060号、英国
特許第1,198,387号などの各公報に記載のエステル系及
びエーテル系の滑り剤、米国特許第3,502,473号及び同
第3,042,222号に記載のタウリン系滑り剤などがある。

【０１６７】好ましく用いられる滑り剤の具体例として
は、セロゾール５２４（主成分カルナバワックス）、ポ
リロンＡ−３９３，Ｈ−４８１（主成分ポリエチレンワ
ックス）、ハイミクロンＧ−１１０（主成分エチレンビ
スステアリン酸アマイド）、ハイミクロンＧ−２７０
（主成分ステアリン酸アマイド）（以上、中京油脂
（株）製）などがある。また、高級脂肪酸およびその誘
導体、高級アルコールおよびその誘導体も好ましく、具
体的には特開平８−２７２０３９記載の化合物を好まし
く使用できる。

【０１６８】滑り剤の使用量は特に限定はないが１〜５
００ｍｇ／ｍ²が好ましく、より好ましくは１０〜３０
０ｍｇ／ｍ²である。

【０１６９】本発明においては必要に応じて、画像記録
層を有する面および／またはその反対面のいずれの層に
も可塑剤を添加することができる。

【０１７０】本発明に使用できる可塑剤には、特に制限
はなく、添加した層の膜の脆化温度を低下させることが
できるものであればいずれでもよく、一般的には常圧で
の沸点が１９０℃以上となるような高沸点有機溶剤が好
ましく用いられる。そのような化合物としてはカルボン
酸エステル類、リン酸エステル類、カルボン酸アミド
類、エーテル類、フェノール類、アルコール類、置換炭
化水素類などが挙げられ、「高分子ラテックスの化学
(室井宗一著、高分子刊行会発行(1970))」などに記載さ
れている可塑剤も好ましく用いることができる。

【０１７１】好ましく用いられる可塑剤の具体例として
は、フタル酸ジ−ｎ−ブチル、フタル酸ジイソオクチ
ル、フタル酸ジシクロヘキシル、フタル酸ジメトキシエ
チル、アジピン酸ジ−ｎ−ブチル、クエン酸トリ−ｎ−
ブチル、セバシン酸ジ−ｎ−ブチル、リン酸トリシクロ
ヘキシル、リン酸トリクレジル、リン酸トリ−ｎ−ブチ
ル、リン酸トリイソオクチル、Ｎ，Ｎ−ジエチルカプリ
ル酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルパルミチン酸アミド、ｎ
−ブチルー（ｍ−ペンタデシル）フェニルエーテル、エ
チルー（２，４−ジーｔｅｒｔ−ブチル）フェニルエー
テル、２，５−ジーｔｅｒｔ−アミルフェノール、トリ
エチレングリコールジー２−エチルブチレート、ＣＳ−
１２（チッソ(株)製）などが挙げられる。

【０１７２】可塑剤の好ましい使用量は添加層のバイン
ダー量の０．１〜５０質量％であり、より好ましくは
０．５〜３０質量％である。

【０１７３】本発明では、該画像記録媒体の保存安定性
を高める目的で少量の塩基を添加したり、感度を高める
目的で光または熱の作用によって酸を発生する化合物を
別途添加したり、必要に応じて顔料、酸化防止剤、ステ
ィッキング防止剤など種々の添加剤を添加することもで
きる。その他、感熱記録材料における種々の公知技術を
用いることもできる。

【０１７４】塩基を添加する場合には、有機塩基が好ま
しく、例えばグアニジン誘導体（例えば１，３−ジフェ
ニルグアニジン、１，３−ジメチルグアニジン、１，３
−ジブチルグアニジン、１ーベンジルグアニジン、１，
１，３，３−テトラメチルグアニジンなど）、アニリン
誘導体（例えばアニリン、ｐ−ｔ−ブチルアニリン、
Ｎ，Ｎ’−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ’−ジブチルアニ
リン、トリフェニルアミンなど）、アルキルアミン誘導
体（例えばトリブチルアミン、オクチルアミン、ラウリ
ルアミン、ベンジルアミン、ジベンジルアミンなど）、
およびヘテロ環化合物（例えばＮ，Ｎ’−ジメチルアミ
ノピリジン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−
７−ウンデセン、トリフェニルイミダゾール、ルチジ
ン、２ーピコリンなど）が好ましい例として挙げられ
る。これらの塩基は、酸発生に対して１〜５０ｍｏｌ％
添加することが好ましく、特に好ましくは５〜２０ｍｏ
ｌ％添加される。

【０１７５】顔料を添加する場合には、ケイソウ土、タ
ルク、カオリン、焼成カオリン、酸化チタン、酸化ケイ
素、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化アルミ
ニウム、尿素ーホルマリン樹脂などが例として挙げられ
る。

【０１７６】その他の添加剤としては、ベンゾフェノン
構造、ベンゾトリアゾール構造などを分子中に含む紫外
線吸収剤、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム
などの高級脂肪酸金属塩からなるヘッド摩耗およびステ
ィッキング防止剤、パラフィン、酸化パラフィン、ポリ
エチレン、酸化ポリエチレン、カスターワックスなどの
ワックス類などが挙げられ、必要に応じて添加すること
ができる。

【０１７７】本発明の画像記録媒体に用いられる支持体
としては、上質紙、バライタ紙、コート紙、キャストコ
ート紙、合成紙などの紙類、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−
２，６−ナフチレンジカルボキシレ−ト、ポリアリーレ
ン、ポリイミド、ポリカーボネート、トリアセチルセル
ロースなどのポリマーフィルム、ガラス、金属箔、不織
布などを挙げることができる。本発明の画像記録媒体を
利用して透過型の画像、例えばＯＨＰ用フィルムや製版
用フィルムなどの用途に供する場合には、透明な支持体
が用いられる。また、製版フィルム用には、熱膨張率が
小さく寸度安定性が良好で、かつ、ＰＳ版の感光域に吸
収を持たない支持体が選ばれる。このような支持体とし
て二軸延伸したポリエステル、特にポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）は強度、寸法安定性、耐薬品性など
の観点から好ましい。支持体の厚みには特に制限はない
が、製版材料用ＵＶマスクフィルムとして用いる場合、
８０〜１８０μmが好ましい。

【０１７８】本発明の画像記録媒体に用いる支持体は、
二軸延伸時にフィルム中に残存する内部歪みを緩和さ
せ、熱収縮歪みを無くすために、１３０〜２１０℃の温
度範囲で熱処理を必要に応じて施すことができる。この
場合、ポリエステル、特にポリエチレンテレフタレート
が好ましく用いられる。このような熱緩和処理は、上記
温度範囲内の一定温度で実施してもよく、昇温しながら
実施してもよい。

【０１７９】支持体の熱処理はロール状で実施してもよ
く、ウエッブ状で搬送しながら実施してもよい。ウエッ
ブ状で搬送しながら実施する場合、熱処理時の支持体の
搬送張力を７kg／cm2以下、特に４．２kg／cm2以下にす
ることが好ましい。このときの搬送張力の下限には特に
制限はないが０．５kg／cm2程度である。

【０１８０】このような熱処理は、支持体に対する画像
形成層やバック層の接着性を向上させるための処理、例
えば下塗り層の設層などを施した後に行うことが好まし
い。

【０１８１】このような熱処理後における支持体の１２
０℃３０秒加熱による熱収縮率は縦方向（ＭＤ）が−
０．０３％〜＋０．０１％、横方向（ＴＤ）が０〜０．
０４％であることが好ましい。

【０１８２】支持体は画像記録層の各構成層とよく接着
させるために表面処理を施したり、下塗り層を設けたり
することができる。表面処理の方法としては、薬品処
理、機械的処理、コロナ放電処理、火焔処理、紫外線処
理、高周波処理、グロー放電処理、活性プラズマ処理、
レーザー処理、混酸処理、オゾン酸化処理、などの表面
活性化処理が挙げられる。表面処理の中でも好ましいの
は、紫外線照射処理、火焔処理、コロナ処理、グロー処
理である。下塗り層としては、特に制限はないがＳＢ
Ｒ、塩化ビニリデン、ポリエステル、ゼラチンなどをバ
インダーとする下塗り層を好ましく用いることができ
る。下塗り層は多層構成としてもよく、また支持体に対
して片面または両面に設けてもよく、これら下塗り層の
少なくとも一層を導電層とすることができる。下塗り層
の一般的厚みは０．０１〜５μm 、より好ましくは０．
０５〜１μm であってよく、導電層とするときの厚みは
０．０１〜１μm 、より好ましくは０．０３〜０．８μ
m である。

【０１８３】以下に本発明の化合物の合成法を示すが、
本発明はこれらに限定されるものではない。 （合成例1） 例示化合物（Ａ−１）の合成

【０１８４】

【化 ６２】

【０１８５】１ｂ（１００mmol）をＮ、N−ジメチルア
セトアミド（５０ｍｌ）中に溶かし、反応器を７℃に冷
却した。そこに１ａ（１００mmol）を１０分かけて滴下
し、その後６時間反応させた。酢酸エチル（２００ｍ
ｌ）と水（２００ｍｌ）を加えて攪拌した後、水層を分
離した。更に有機層を１mol／ｌの塩酸水（１００ｍ
ｌ）で３回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥、濃縮し
た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／４→１／
１）にて精製し、１ｃを６１％の収率で得た。次に１ｄ
（５０mmol）をピリジン（３０ｍｌ）に溶かし、７℃に
冷却した。そこに１ｃ（５０mmol）を加え、８時間攪拌
した。その後、水（３ｍｌ）を加え３０分攪拌した後、
酢酸エチル（１００ｍｌ）と水（２００ｍｌ）を加えて
攪拌、水層を分離した。更に有機層を１mol／ｌの塩酸
水（１００ｍｌ）で３回洗浄し、硫酸マグネシウム上で
乾燥、濃縮した。得られた油状物をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１
／４→１／１）にて精製し、例示化合物（Ａ−１）をci
s体とtrans体の混合物として７２％の収率で得た。また
cis体とtrans体はシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／４→１／１）で
分離可能であり、それらを分離して各々の分解温度を調
べたところ、cis体は１９２℃、trans体は１８４℃であ
った。

【０１８６】（合成例２） 例示化合物（Ａ−２）の合
成

【０１８７】

【化 ６３】

【０１８８】２ａ（１００mmol）をピリジン（４０ｍ
ｌ）中に溶かし、反応器を７℃に冷却した。そこに２ｂ
（１００mmol）を１０分かけて滴下し、その後２時間反
応させ、その後室温で更に５時間反応させた。その後、
水（４ｍｌ）を加え３０分攪拌した後、酢酸エチル（１
５０ｍｌ）と水（２００ｍｌ）を加えて攪拌、水層を分
離した。更に有機層を１mol／ｌの塩酸水（１００ｍ
ｌ）で３回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥、濃縮し
た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶出液：酢酸エチル／クロロホルム＝１／８→１
／１）にて精製し、２ｃを７６％の収率で得た。

【０１８９】次に２ｃ（５０mmol）をＮ、N−ジメチル
アセトアミド（６０ｍｌ）中に溶かし、反応器を７℃に
冷却した。そこに２ｄ（５０mmol）を１０分かけて滴下
し、その後室温で８時間反応させた。酢酸エチル（２０
０ｍｌ）と水（２００ｍｌ）を加えて攪拌した後、水層
を分離した。更に有機層を１mol／ｌの塩酸水（１００
ｍｌ）で３回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥、濃縮
した。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／４→１／
１）にて精製し、例示化合物（Ａ−２）をcis体とtrans
体の混合物として７８％の収率で得た。該化合物のtran
s体の分解温度は１８９℃であった。

【０１９０】（合成例３） 例示化合物（Ａ−３）の合
成 例示化合物（Ａ−２）と同様の反応にて合成し、cis体
とtrans体の混合物として得た。混合物の分解温度は１
８１℃であった。

【０１９１】（合成例４） 例示化合物（Ａ−２２）の
合成 例示化合物（Ａ−２）と同様の反応にて合成し、cis体
とtrans体の混合物として得た。 cis体の分解温度は１
８２℃、 trans体の分解温度は１７３℃であった。

【０１９２】（合成例５） 例示化合物（Ａ−１３）の
合成 例示化合物（Ａ−２）と同様の反応にて合成し、cis体
とtrans体の混合物として得た。混合物の分解温度を測
定したが、きれいな分解ピークは得られなかった。

【０１９３】（合成例６） 例示化合物（Ａ−２９）の
合成

【０１９４】

【化６４】

【０１９５】２９ａ（１００mmol）をピリジン（５０ｍ
ｌ）中に溶かし、反応器を７℃に冷却した。そこに２９
ｂ（１００mmol）を１０分間かけて添加し、更に室温で
６時間反応させた。その後、水（３ｍｌ）を加え３０分
攪拌した後、酢酸エチル（１００ｍｌ）と水（２００ｍ
ｌ）を加えて攪拌、水層を分離した。更に有機層を１mo
l／ｌの塩酸水（１００ｍｌ）で３回洗浄し、硫酸マグ
ネシウム上で乾燥、濃縮した。得られた油状物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／
ヘキサン＝１／５）にて精製し、例示化合物（ Ａ−２
９）を異性体の混合物として７８％の収率で得た。この
ものの分解温度は１４５℃であった。

【０１９６】（合成例７） 例示化合物（Ａ−３５）の
合成 例示化合物（ Ａ−２９）と同様の反応にて例示化合物
（ Ａ−３５）を合成した。該化合物の分解温度は１４
２℃であった。

【０１９７】（合成例８） 例示化合物（Ｐ−１）の合
成 例示化合物（Ａ−１）（５０mmol）をトルエン（２２ｍ
ｌ）に溶かし、窒素雰囲気下４０℃に加熱した。そこに
２，２’−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチル
バレロニトリル）（０．１２５ｇ）のメチルエチルケト
ン（３ｍｌ）溶液を加えて２時間反応させた後、さらに
２，２’−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチル
バレロニトリル）（０．１２５ｇ）のメチルエチルケト
ン（３ｍｌ）溶液を加えた。２時間反応させた後、反応
液をヘキサン（１２００ｍｌ）中にあけ、析出したもの
を濾取、乾燥することにより例示化合物（Ｐ−１）を８
９％の収率で得た。質量平均分子量８．５万、分解温度
は１７２℃であった。

【０１９８】（合成例９） 例示化合物（Ｐ−２）の合
成 例示化合物（Ｐ−１）と同様の反応にて合成した。質量
平均分子量１２万、分解温度は１８７℃であった。

【０１９９】（合成例１０） 例示化合物（Ｐ−３）の
合成 例示化合物（Ｐ−１）と同様の反応にて合成した。質量
平均分子量１０万、分解温度は１７４℃であった。

【０２００】（合成例１１） 例示化合物（Ｐ−６）の
合成 Ａ−２（７．５mmol）とＢ−４１（２．５mmol）をトル
エン（４．４ｍｌ）とメチルエチルケトン（２ｍｌ）、
塩化メチレン（４ｍｌ）中に溶かし、窒素雰囲気下４０
℃に加熱した。そこに２，２’−アゾビス（４−メトキ
シ−２，４−ジメチルバレロニトリル）（０．０２５
ｇ）のメチルエチルケトン（０．６ｍｌ）溶液を加えて
２時間反応させた後、さらに２，２’−アゾビス（４−
メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）（０．０
２５ｇ）のメチルエチルケトン（０．６ｍｌ）溶液と塩
化メチレン（２ｍｌ）を加えた。２時間反応させた後、
反応液をヘキサン（４００ｍｌ）中にあけ、析出したも
のを濾取、乾燥することにより例示化合物（Ｐ−６）を
５３％の収率で得た。質量平均分子量４．５万であっ
た。

【０２０１】

【実施例】以下に実施例を掲げ本発明の化合物の有用性
を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定される
ものではない。 ＜画像記録層塗布液（Ｇ−１〜２）の調製＞表２に示す
組成の画像記録層塗布液（Ｇ−１〜２）を作成した。な
お、架橋剤は武田薬品工業(株)製タケネートＤ１１０Ｎ
（７５％酢酸エチル溶液）、界面活性剤は大日本インキ
化学工業製メガファックＦ１７６ＰＦ（フッ素系ポリマ
ー）を固形分質量濃度３％の２−プロパノール溶液とし
て使用した。また、赤外吸収色素としてＩＲ−１を使用
した。

【０２０２】

【化 ６５】

【０２０３】

【表２】

【０２０４】＜保護層塗布液（ＰＣ−１〜３）の調製＞
表３に示す組成の保護層塗布液（ＰＣ−１〜３）を作成
した。なお、 ＰＣ−１、２はマット剤および滑り剤を
添加したのち、高速ホモジナイザーで分散し、塗布直前
までスターラーで攪拌を継続した。マット剤は綜研化学
(株)製ＳＸ−１１０１（平均粒子径１１μm）、可塑剤
はチッソ（株）製ＣＳ−１２を使用した。界面活性剤は
大日本インキ化学工業製メガファックＦ１７６ＰＦ（フ
ッ素系ポリマー）を固形分質量濃度３％の２−プロパノ
ール溶液として使用し、滑り剤は以下に示す滑り剤Ａを
固形分質量濃度５％の２−プロパノール分散物として使
用した。

【０２０５】

【化 ６６】

【０２０６】

【化 ６７】

【０２０７】

【表３】

【０２０８】＜比較保護層塗布液（ＰＣ−４〜６）の調
製＞特願２０００−９１９９４号実施例記載の保護層塗
布液および特願２０００−６５２３８号実施例記載の保
護層塗布液ＰＣ−５を記載の方法に従い調製した。それ
ぞれを比較保護層塗布液ＰＣ−４およびＰＣ−５とし
た。（ＰＣ−４の調製：特願２０００−９１９９４）ク
ラレ株式会社製のクラレポバールＰＶＡ−１１０を４重
量％、日本エマルジョン社製のエマレックス７１０を
０．１重量％含有する水溶液を調製し、保護層の固形分
量が１．０g／ｍ２になるように塗布した。

【０２０９】（ＰＣ−５の調製：特願２０００−６５２
３８）以下に示す材料をイソプロパノール／メチルエチ
ルケトン混合溶媒（７０／３０（ｖｏｌ％））に溶解し
た後、マット剤および滑り剤を添加し、高速ホモジナイ
ザーで分散し、保護層塗布液（ＰＣ−５）を得た。マッ
ト剤は富士シリシア化学製サイシリア４３１（合成シリ
カ：平均粒子径２．５μm）、滑り剤は中京油脂製セロ
ゾール５２４（主成分：カルナバワックス）、塗布助剤
は大日本インキ化学工業製メガファックＦ１７６Ｐ（フ
ッ素系ポリマー）、可塑剤はチッソ（株）製ＣＳ−１２
を使用した。

【０２１０】 ＰＣ−５ バインダー（エチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート （６／４質量比）共重合体） １．５ｇ／ｍ^２ マット剤 ６０ｍｇ／ｍ^２ 滑り剤 ０．２ｇ／ｍ^２ 塗布助剤 ６．９ｍｇ／ｍ^２ 可塑剤 ０．３ｇ／ｍ^２

【０２１１】（ＰＣ−６の調製：特願２０００−６５２
３８）以下に示す材料を水分散液として調製後、３０分
攪拌し、保護層塗布液（ＰＣ−６）を得た。ラテックス
はダイセル化学工業（株）製ＡＳ５６３Ａ、含フッ素界
面活性剤は、大日本インキ化学工業製メガファックＦ１
２０、マット剤は綜研化学（株）製ＳＸ−７１３、滑り
剤は中京油脂製セロゾール５２４（主成分：カルナバワ
ックス）、ポリビニルアルコールは、クラレ（株）製ク
ラレポバールＰＶＡ−２３５を使用した。

【０２１２】 ＰＣ−６ ラテックス ２．５ｇ／ｍ^２ マット剤 ６０ｍｇ／ｍ^２ 滑り剤 ０．２ｇ／ｍ^２ 含フッ素界面活性剤 ６．９ｍｇ／ｍ^２ ポリビニルアルコール ０．３ｇ／ｍ^２

【０２１３】＜画像記録媒体１〜４の作製＞上記で調製
した画像記録層塗布液（Ｇ−１〜２）を表２中記載の塗
布量となるように厚み１００μｍの２軸延伸ＰＥＴ上に
スロットコーティング法により塗布した。これを３０
℃、３０分乾燥後、上記で調製した保護層塗布液（ＰＣ
−１〜２）を表４中の組み合わせで画像記録層上に同じ
くスロットコーティング法にて表３に記載の塗布量とな
るように塗布し、４０℃で３０分乾燥後、画像記録媒体
１〜４を得た。

【０２１４】＜画像記録媒体５〜６の作製＞上記で調製
した画像記録層塗布液（Ｇ−１〜２）を表２に記載の塗
布量となるように厚み１００μｍの２軸延伸ＰＥＴ上に
スロットコーティング法により塗布した。これを３０
℃、３０分乾燥後、上記で調製した保護層塗布液（ＰＣ
−３）を第一保護層としてそれぞれの画像記録層上にス
ロットコーティング法にて表３中記載の塗布量となるよ
うに塗布した。４０℃で３０分乾燥後、さらに第二保護
層として保護層塗布液（ＰＣ−２）を第一保護層上にス
ロットコーティング法にて表３中記載の塗布量となるよ
うに塗布し、４０℃で３０分乾燥した。これを画像記録
媒体５、６とした。

【０２１５】＜画像記録媒体７〜８の作製＞上記で調製
した画像記録層塗布液（Ｇ−１〜２）を表２に記載の塗
布量となるように厚み１００μｍの２軸延伸ＰＥＴ上に
スロットコーティング法により塗布した。これを３０
℃、３０分乾燥後、上記で調製した保護層塗布液（ＰＣ
−２）を表４に記載の組み合わせで画像記録層上にスロ
ットコーティング法にて、表４に記載のバインダー塗布
量となるように塗布した後、４０℃で３０分乾燥を行っ
て、画像記録媒体７〜８を得た。

【０２１６】＜比較画像記録媒体９〜１１の作製＞上記
で調製した画像記録層塗布液（Ｇ−１）を表２に記載の
塗布量となるように厚み１００μｍの２軸延伸ＰＥＴ上
にスロットコーティング法により塗布した。これを３０
℃、３０分乾燥後、上記で調製した比較保護層塗布液
（ＰＣ−４〜６）を表４に記載の組み合わせで画像記録
層上にスロットコーティング法にて、表４に記載のバイ
ンダー塗布量となるように塗布し、４０℃で３０分乾燥
を行って、比較画像記録媒体９〜１１を得た。

【０２１７】

【表４】

【０２１８】＜画像記録方法＞半導体レーザー（Spectr
a Diode Labs No.SDL-2430、波長範囲：８００〜８３０
ｎｍ）を２本合波して、１４０ｍＷの出力にして、画像
書き込み用レーザーとした。このレーザーを用いて、ビ
ーム系２０μｍ、試料上のレーザーエネルギー密度は５
５０ｍＪ／ｃｍ²に設定した。作成した画像記録媒体に
対して前記レーザー露光条件で保護層側から走査露光を
行なった。

【０２１９】＜発色濃度測定＞画像記録媒体１〜１１に
対してレーザー露光を行い、４１０ｎｍ、６００ｎｍに
おける発色濃度の測定を行った。なお、濃度の測定は島
津製作所製のUV-2500PCにより行った。未露光部の吸収
濃度とともに結果を表４に示す。

【０２２０】＜保存性評価条件＞画像記録媒体１〜１１
のフレッシュサンプルを４５℃、相対湿度４０％ＲＨの
条件下、３日間放置し、各サンプルの４１０nmでのかぶ
り濃度の変化（発色濃度の測定と同じ波長で測定）を調
べた。結果を表４に示す。

【０２２１】＜ヘイズ評価条件＞画像記録媒体１〜１１
に対してレーザー露光を行い、未露光サンプルとともに
NIPPON DENSHOKU(株)製ヘイズ測定装置MODEL 1001DP
を用いてヘイズの測定を行った。得られた結果を表４に
示す。なお、ヘイズ値は拡散透過光量と全透過光量の比
を百分率でしめしている。

【０２２２】＜引掻き強度評価条件＞画像記録媒体１〜
８に対してレーザー露光を行い、未露光サンプルととも
に引掻き強度の測定を行った。装置として表面性測定器
Ｔｙｐｅ−ＨＥＩＤＯＮ１４（新東科学株式会社製）を
使用し、太針（円錐頂角90度で先端直径が0.1mmのサフ
ァイヤ針）および細針（円錐頂角90度で先端直径が0.01
mmのダイヤ針）を用いて行った引掻き強度の結果を表４
に示す。なお、引掻き強度の値は、引っ掻き速度１０ｍ
ｍ／秒で移動しながら、針の荷重を連続的に変化させて
（太針：０〜２００ｇ、細針：０〜５０ｇ）保護層の表
面を引掻き、画像記録層の傷跡が、目視で連続して認め
られた時の荷重（ｇ）を示している。測定方法の詳細
は、ＡＮＳＩ ＳＡＥ Ｊ１８４７に準拠した。

【０２２３】表４より明らかなように本発明の画像記録
媒体はいずれも未露光部の濃度が低く保存性に優れてい
るとともに発色濃度も高い。更に比較サンプル９〜１１
はヘイズ、引掻き強度ともに不十分なレベルであるのに
対し、本発明の画像記録媒体はいずれも十分なレベルの
ヘイズ値、引掻き強度を示し、本発明の有用性は明らか
であった。

【０２２４】

【発明の効果】本発明によれば、未露光部の濃度が低く
保存性に優れているとともに発色濃度も高い画像記録媒
体が得られ、更に高出力レーザー露光によってもヘイズ
の発生レベルが低く、耐傷性に優れた画像記録媒体が得
られる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ４１Ｍ 5/18 １０８ 5/26 Ｓ (72)発明者 大川 敦裕 神奈川県南足柄市中沼210番地 富士写真 フイルム株式会社内 Ｆターム(参考） 2H026 AA07 AA24 BB02 BB24 BB48 DD02 DD31 EE05 FF01 FF11 GG10 2H111 HA14 HA23 HA35

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体上に、少なくとも１層の熱または
   酸の作用により３６０〜９００ｎｍの吸収域に濃度変化
   を生じる化合物を含有し、かつ銀塩を含まない画像記録
   層と、少なくとも１層の保護層とを有する画像記録媒体
   であって、該保護層のハ゛インタ゛ー塗布量が１m²あたり３ｇ
   以上であることを特徴とする画像記録媒体。
2. 【請求項２】 少なくとも１種の赤外吸収物質を含有し
   ており、レーザー照射により発生した熱または酸の作用
   により３６０〜９００ｎｍの吸収域に濃度変化を生じる
   ことを特徴とする請求項１に記載の画像記録媒体。
3. 【請求項３】 少なくとも１種の赤外吸収物質を含有し
   ており、レーザー照射光によって発生した熱または酸の
   作用により３６０〜９００ｎｍの吸収域の特定の波長で
   濃度３．０以上の濃度変化を生じることを特徴とする請
   求項１又は２に記載の画像記録媒体。
4. 【請求項４】 支持体が透過性支持体であって、かつ熱
   または酸の作用により３６０〜９００ｎｍの吸収域に濃
   度変化を生じる前後とも、ヘイズ値が２０％以下である
   ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか1項に記載の
   画像記録媒体。
5. 【請求項５】 熱または酸の作用により３６０〜９００
   ｎｍの吸収域に濃度変化を生じる前後とも、保護層表面
   の太針引掻き強度が３０ｇ以上であり、かつ細針引掻き
   強度が１０ｇ以上であることを特徴とする請求項１〜４
   のいずれか1項に記載の画像記録媒体。
6. 【請求項６】 熱の作用により酸を発生する酸発生剤
   と、酸の作用により分子内もしくは分子間反応を引き起
   こして３６０〜９００ｎｍの吸収域に濃度変化を生じる
   化合物とを含有することを特徴とする請求項１〜５のい
   ずれか1項に記載の画像記録媒体。
7. 【請求項７】 酸発生剤が下記一般式（Ｉ）で表される
   化合物であることを特徴とする請求項６に記載の画像記
   録媒体。 一般式（I） 【化 1】 （式中、Ｒ¹ はアルキル基、アリール基もしくはヘテロ
   環基を表わす。Ｒ²及びＲ³はそれぞれ独立にアルキル基
   もしくはアリール基を表わすが、 Ｒ²とＲ³が同時にア
   リール基であることはない。 またＲ²とＲ³が結合して
   環を形成しても良い。）
8. 【請求項８】 一般式（I）で表される酸発生剤が下記
   一般式（II）で表される化合物であることを特徴とする
   請求項７に記載の画像記録媒体。 一般式（II） 【化 ２】 （式中、Ｒ³¹ はアルキル基、アリール基もしくはヘテ
   ロ環基を表わす。Ｒ³²は置換基を表わす。 Ｒ³³及びＲ
   ³⁴はそれぞれ独立に水素原子もしくは置換基を表わす。
   Ｘ¹は環を形成するのに必要な原子団を表わす。 Ｒ³²、
   Ｒ³³もしくはＲ ³⁴はＸ¹と結合して環を形成しても良
   い。）
9. 【請求項９】 酸の作用により分子内もしくは分子間反
   応を引き起こして３６０〜９００ｎｍの吸収域に濃度変
   化を生じる化合物が、下記一般式（III）〜（Ｖ）の少
   なくともいずれか一つにより表わされる化合物であるこ
   とを特徴とする請求項６〜８のいずれか1項に記載の画
   像形成方法。 一般式（III） 【化 ３】 （式中、X²はN（Ｒ⁵⁸）、Ｏ、またはSを表し、Y¹は N−
   C−X²とともに環状構造を形成するのに必要な原子団を
   表し、A¹はC（R⁵⁹）またはNを表し、R⁵¹〜R⁵⁹は水素原
   子または置換基を表し、それぞれ同じであっても異なっ
   ていても良く、R⁵⁴、R⁵⁵、R⁵⁶およびR⁵⁷は互いに結合し
   て縮合環を形成しても良く、 B¹はアリール基、ヘテロ
   環基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアミノ基
   またはヘテロ環アミノ基を表す。） 一般式（IV） 【化 ４】 （式中、Ａｒ¹およびＡｒ²はアリール基、ヘテロ環基、
   アルケニル基またはアルキニル基を表し、同じであって
   も異なっていても良く、Ｒ⁷¹は水素原子または置換基を
   表し、Ｙ²は芳香族炭化水素環あるいはヘテロ環を表
   し、Ｘ³はＯ、ＳまたはＮ（Ｒ⁷²）を表し、Ｒ⁷²は水素
   原子または置換基を表す。） 一般式（Ｖ） 【化 ５】 （ 式中、Ａｒ³およびＡｒ⁴はアリール基、ヘテロ環
   基、アルケニル基またはアルキニル基を表し、同じであ
   っても異なっていても良く、Ｚ¹は芳香族炭化水素環あ
   るいはヘテロ環を表し、 A²はＯ、ＳまたはＮ（Ｒ⁷³）
   を表し、Ｒ⁷³は水素原子または置換基を表す。）
10. 【請求項１０】 下記一般式（VI）で示されるポリマー
    を含有することを特徴とする請求項１〜９記載の画像形
    成方法。 一般式（VI） −（Ａ）_x−（Ｂ）_y−（Ｃ）_z− （式中、Ａは、酸発生剤モノマーの重合によって得られ
    る繰り返し単位を表し、Ｂは酸の作用により３６０〜９
    ００ｎｍの吸収域に濃度変化を生じる部分構造を有する
    少なくとも１種類以上のビニルモノマーの重合によって
    得られる繰り返し単位を表し、ＣはＡおよびＢと共重合
    可能な少なくとも１種類以上のビニルモノマーの重合に
    よって得られる繰り返し単位を表す。ｘ、ｙおよびｚは
    モル％を表し、それぞれ１≦ｘ≦１００、０≦ｙ≦９
    ９、０≦ｚ≦９９、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を表す。）