JP2002050713A

JP2002050713A - 半導体装置及び電力変換装置

Info

Publication number: JP2002050713A
Application number: JP2000231777A
Authority: JP
Inventors: Yoshitaka Uchino; 禎敬内野; Yasushi Sasaki; 康佐々木; Yutaka Maeno; 豊前野; Hiroshi Fujii; 洋藤井; Kinya Nakatsu; 欣也中津; Toshio Ogawa; 敏夫小川
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2000-07-31
Filing date: 2000-07-31
Publication date: 2002-02-15

Abstract

(57)【要約】【課題】良好な耐電圧特性のもとで低い熱抵抗が安定
して得られるようにした高品質の半導体装置を提供する
こと。【解決手段】半導体素子２を搭載したリードフレーム
１を、樹脂製の絶縁層９を介して放熱用のベース基板４
に接着し、樹脂モールド３により封止した半導体装置に
おいて、絶縁層９を第１の絶縁層９１と、第２の絶縁層
９２の２層構成にし、第１の絶縁層９１の半硬化状態で
の硬度Ａと、第２の絶縁層９２の半硬化状態での硬度Ｂ
について、硬度Ａ＞硬度Ｂの関係が成立するようにした
もの。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームを
回路導体として用いた半導体装置に係り、特に、熱伝導
性基板の一方の面に樹脂絶縁層を介してリードフレーム
が固着された半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】比較的大きな電力を扱うパワー半導体装
置などとして知られている半導体装置では、半導体素子
から発生される熱を、充分な耐圧性能のもとで、いかに
効率的に放散させるかが重要な課題である。

【０００３】そこで、従来から、リードフレームを回路
導体として用い、このリードフレームの一方の面に半導
体素子を搭載した上で、このリードフレームの他方の面
に樹脂絶縁層を介して熱伝導性基板を接合させることに
より、高耐圧性と低熱抵抗性の両立が図れるようにした
半導体装置が知られている。

【０００４】図７は、このような半導体装置の一例で、
図示のように、比較的厚みのあるリードフレーム１を用
い、このリードフレーム１の一方の面(図では上側の面)
に半導体素子(パワー半導体素子)２を接合し、全体を樹
脂モールド３により封止した上で、リードフレーム１の
他方の面(図では下側の面)に向かい合うようにして、放
熱用の熱伝導性基板となるベース基板４を接合させたも
のである。

【０００５】この半導体装置は、例えば特公平３−６３
８２２号と特公平３−８０７４８号の公報に開示されて
いるもので、この図７において、５はハンダなどを用い
た接合層、６はボンディングワイヤである。なお、７は
接続端子部であるが、これはリードフレーム１の一部で
構成されている。

【０００６】また、例えば、特開平１０−１２５８２６
号公報では、図８に示す構成の半導体装置について開示
している。この図８の半導体装置も、リードフレーム１
に半導体素子２を搭載し、全体を樹脂モールド３に埋め
込んで封止した点は、図７の従来技術と同じであるが、
この場合は、まず樹脂製の絶縁層８により、リードフレ
ーム１をベース基板４に接着した上で、これに半導体素
子２を搭載し、この後、樹脂モールド３により封止する
のである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、熱抵
抗の均一化と熱抵抗性能の向上について配慮がされてい
るとはいえず、性能向上と品質の安定化に問題があっ
た。まず、図７に示した従来技術では、リードフレーム
１とベース基板４の間の絶縁層がモールド用の樹脂の充
填により形成しているので、この部分での厚み寸法の制
御が難しい。

【０００８】しかも、このモールド用の樹脂は比較的熱
伝導率が低いので、この部分での厚み寸法の誤差は、そ
れがたとえ僅かでも熱抵抗には大きなバラツキとなって
現れてしまうことになり、従って、安定した品質の保持
が困難になってしまうのである。

【０００９】また、この従来技術では、リードフレーム
とベース基板の間の樹脂絶縁層がモールド成形されるの
で、その厚さの低減が困難で、このため、例えば１００
μｍなどの極めて薄い層にして熱抵抗を低減するなどの
方法をとるのが難しく、従って、上記の問題が生じてし
まうのである。

【００１０】次に、図８の従来技術の場合、熱抵抗の低
減には、絶縁層８の厚みをいかに薄くし、いかに良好な
密着が得られるようにするかが重要なポイントになる。
ところで、この絶縁層８は、半硬化状態の樹脂シートを
リードフレーム１とベース基板４の間に挾み、圧着して
形成したものであるが、このとき用いられる樹脂シート
は、ガラス転移温度が１００℃以上のエポキシ樹脂など
の熱硬化性の樹脂のシートである。

【００１１】従って、その密着性を良好にするため、半
硬化樹脂シートの硬度を低くしたとすると、リードフレ
ーム１を圧着したとき、リードフレーム１が絶縁層８の
中に入り込んでしまうので、絶縁層８の厚みが減って耐
電圧が下がってしまう。一方、絶縁層８の硬度を上げた
とすると、今度は密着性が悪くなり、空隙が生じて熱抵
抗が高くなってしまうので、やはり、上記の問題が生じ
てしまうのである。

【００１２】本発明の目的は、良好な耐電圧特性のもと
で低い熱抵抗が安定して得られるようにした高品質の半
導体装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的は、樹脂絶縁層
を介して熱伝導性基板に接合させたリードフレームに半
導体素子を搭載して樹脂モールドする方式の半導体装置
において、前記樹脂絶縁層を、前記熱伝導性基板側にな
る第１の層と、前記リードフレーム側になる第２の層で
形成し、前記第１の層の半硬化状態での硬度Ａと、前記
第２の層の半硬化状態での硬度Ｂについて、硬度Ａ＞硬
度Ｂの関係が成立するようにして達成される。

【００１４】また、上記目的は、樹脂絶縁層を介して熱
伝導性基板に接合させたリードフレームに半導体素子を
搭載して樹脂モールドする方式の半導体装置において、
前記樹脂絶縁層を、前記熱伝導性基板側になる第１の層
と、前記リードフレーム側になる第２の層で形成し、前
記第１の層の硬化処理後の厚さのうち、前記リードフレ
ームが積層されていない部分の厚さをｄ₃、前記リード
フレームが積層されている部分の厚さをｄ₄ とし、前記
第２の層の硬化処理後の厚さのうち、前記リードフレー
ムが積層されていない部分の厚さをｄ₁、前記リードフ
レームが積層されている部分の厚さをｄ₂ としたとき、
各厚さの比(ｄ₁／ｄ₂)と(ｄ₃／ｄ₄)について、(ｄ₁／
ｄ₂)＞(ｄ₃／ｄ₄)の関係が成立するようにして達成され
る。

【００１５】このとき、前記樹脂絶縁層が、第１の半硬
化樹脂シートと第２の半硬化樹脂シートを重ね合わせて
から硬化処理して形成されているようにしても良く、こ
の場合、前記第１の半硬化樹脂シートと前記第２の半硬
化樹脂シートが同時に硬化処理されることにより相互に
接合され、前記リードフレームが前記熱伝導性基板に接
合されているようにしても良い。

【００１６】また、ここで、前記リードフレームと前記
熱伝導性基板を加熱圧着させる際、リードフレームと前
記第２の半硬化樹脂シートの間に界面活性剤が介在され
ているようにしても良く、前記第１の絶縁層に対する前
記リードフレームの沈み込み量が少なくとも１０μｍに
なるようにしても良い。更に、これらの半導体装置を用
いて電力変換装置を構成しても良い。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体装置に
ついて、図示の実施形態により、詳細に説明する。図１
は、本発明の第１の実施形態で、図において、リードフ
レーム１、半導体素子２、樹脂モールド３、ベース基板
４、接合層５、ボンディングワイヤ６、端子部７は、図
７と図８に示した従来技術と同じである。

【００１８】ここで、９は絶縁層(樹脂絶縁層)で、その
役目は、リードフレーム１とベース基板４の間を電気的
に隔離し、必要な耐電圧が得られるようにすると共に、
半導体素子２で発生した熱をリードフレーム１から放熱
用のベース基板４に効率よく伝達させるようにすること
である。

【００１９】従って、この絶縁層９は、機能的には、一
応、図８の従来技術における絶縁層８と同じであるが、
この絶縁層９の場合は、図示のように、第１の絶縁層９
１と第２の絶縁層９２からなる２層構造をもっていて、
第１の絶縁層９１はベース基板４側に位置し、第２の絶
縁層９２はリードフレーム１側にある。

【００２０】この図１に示した半導体装置は、以下に説
明するようにして作成される。まず、所定の厚さの銅の
板材を必要なパターン形状にした上で、ニッケルめっき
してリードフレーム１とする。

【００２１】次に、所定の成分のエポキシ樹脂からなる
第１の半硬化樹脂シートと、同じく所定の成分のエポキ
シ樹脂からなる第２の半硬化樹脂シートを用意した上
で、第１の半硬化樹脂シートがベース基板４側(図では
下側)になり、第２の半硬化樹脂シートはリードフレー
ム１側(図では上側)になるようにして、これらを重ねて
ベース基板４の上に置き、その上にリードフレーム１を
重ねることにより、これらの間に挿入された状態にす
る。

【００２２】このとき、第１の半硬化樹脂シートの硬度
をＡとし、第２の半硬化樹脂シートの硬度をＢとしたと
き、硬度Ａ＞硬度Ｂの関係が成り立つようにしておく。
具体的には、第２の半硬化樹脂シートについては、第１
の半硬化樹脂シートよりも低い温度で作成するのであ
る。

【００２３】ここで、絶縁層９として用いられるエポキ
シ樹脂には、アルミナ粉末がフィラーとして混入される
のが通例なので、このときのフィラーの混入比率を変え
ることにより、硬度Ａ＞硬度Ｂの関係が得られるように
してもよく、この場合は、第１の半硬化樹脂シートに対
するフィラーの混入比率を大にし、第２の半硬化樹脂シ
ートについては小さな混入比率になるようにしてやれば
よい。

【００２４】こうして、リードフレーム１とベース基板
４の間に第１と第２の半硬化樹脂シートを重ねて挿入し
たら、これらを加熱圧着して一体化し、第１の絶縁層９
１と第２の絶縁層９２からなる２層構造の絶縁層９とす
る。

【００２５】このあと、リードフレーム１の一方の面
(図では上側の面)に、ハンダの接合層５によりパワー半
導体素子２を搭載し、ボンディングワイヤ６による接続
を行なって半導体回路を形成させた後、所定の金型を用
い、所定の条件により樹脂モールド３を施してパワー半
導体装置を得るのである。

【００２６】このときのリードフレーム１と絶縁層９の
状態について、図２により更に詳しく説明すると、この
実施形態では、硬化処理後の絶縁層９の状態が、リード
フレーム１とベース基板４により挟持されている部分
と、そうでない部分で異なっている。

【００２７】ここで、まず、硬化処理後の第２の絶縁層
９２において、リードフレーム１とベース基板４により
挟持されていない部分での厚さをｄ₁、挟持されている
部分での厚さはｄ₂ とし、次に、硬化処理後の第１の絶
縁層９１においては、リードフレーム１とベース基板４
により挟持されていない部分での厚さをｄ₃、挟持され
ている部分での厚さはｄ₄ とする。

【００２８】そうすると、この実施形態では、硬化処理
後の絶縁層９において、第２の絶縁層９２での厚さの比
(ｄ₁／ｄ₂)と、第１の絶縁層９１での厚さの比(ｄ₃／ｄ
₄)について、Ｒ₁＞Ｒ₂ の関係が成立するようにして作
成されていることになる。

【００２９】従って、この実施形態によれば、硬度が高
い第１の半硬化樹脂シートが存在しているため、絶縁層
９を挾んでリードフレーム１とベース基板４を加熱圧着
する際、絶縁層９の厚みの値は、この高い硬度の第１の
半硬化樹脂シートの厚みで決まる所定値に容易に確保で
きるので、安定した絶縁耐圧を容易に得ることができ
る。

【００３０】また、この結果、この実施形態によれば、
絶縁層９をかなり薄くしても、厚さの精度が低下する虞
れがないので、絶縁層９の厚みを、例えば１００μｍ程
度まで薄くすることができ、これによる熱抵抗の低減を
充分に得ることができる。

【００３１】また、この実施形態による半導体装置は、
硬度が低い第２の絶縁シートがリードフレーム１側にあ
るので、加熱圧着に際して、この絶縁シートがリードフ
レーム１に良く回り込めるようになり、この結果、リー
ドフレーム１と絶縁層９の間の空隙が埋められ、熱伝導
性が良くなるので、更に大きな熱抵抗の低減が得られる
ことになる。

【００３２】ここで、絶縁層や絶縁シートでの硬度と
は、例えばバーコール硬度などの指標で表わされる樹脂
粘性に関連する状態量のことで、この硬度が低い樹脂ほ
ど応力による塑性変形量が多くなり、従って、リードフ
レームなどが圧着されたときの沈み込みが大きくなる。

【００３３】図３は、このときの絶縁層に対するリード
フレームの沈み込み量と、絶縁層がリードフレームに接
している部分での空隙の面積率、すなわちボイド率の関
係についての測定結果の一例を示したもので、図示のよ
うに、ボイド率は、沈み込み量の増加により急激に低下
する。

【００３４】そして、この図３によれば、樹脂がリード
フレームに良く回り込んで空隙を無くし、熱抵抗を充分
に小さくすることができるようにするためには、リード
フレーム１が絶縁層９に１０μｍ以上沈み込む必要があ
ることが判り、従って、本発明の実施形態としては、こ
の沈み込み量が１０μｍ以上になるようにするのが望ま
しい。

【００３５】従って、上記実施形態によれば、耐電圧特
性を充分に維持しながら、低い熱抵抗を安定して得るこ
とができ、この結果、高品質の半導体装置を容易に提供
することができる。また、上記実施形態によれば、リー
ドフレーム１とベース基板４の加熱圧着が一工程で強固
に得られるので、コストを充分に抑えることができる。

【００３６】ところで、上記実施形態では、硬度の異な
る半硬化樹脂シートの作成を、半硬化処理での温度を変
える方法と、半硬化樹脂シートの原料に対するフィラー
の混入比率を変える方法について説明したが、樹脂原料
となる架橋剤や硬化剤の組成や配合比率を変える方法を
採用しても良く、この場合でもリードフレーム１とベー
ス基板４の加熱圧着は一工程で済む。

【００３７】更に他の方法としては、同じ硬度の半硬化
樹脂シートを２枚用意し、まず一方の半硬化樹脂シート
をベース基板４に重ねた上で加熱硬化処理して絶縁層９
１を形成させ、次に残りの半硬化樹脂シートを重ねてか
ら、更にリードフレーム１を重ね、加熱圧着する方法
や、１枚の樹脂シートの一方の面と他方の面での半硬化
処理温度を変えて、各面で硬度が異なっている半硬化樹
脂シートを用いて樹脂層９を作成する方法などがある。

【００３８】ここで、上記実施形態において、リードフ
レーム１とベース基板４を加熱圧着させる際、リードフ
レーム１と第２の半硬化樹脂シートの間に表面活性剤
(界面活性剤)が介在していると、リードフレーム１に対
する樹脂の回り込みが更に良くなり、空隙の発生が更に
抑えられる。従って、上記実施形態の場合、更にリード
フレーム１と第２の半硬化樹脂シートの一方、又は双方
に界面活性剤を塗布してやるようにしてもよい。

【００３９】次に、本発明の第２の実施形態について、
図４により説明する。ここで、まず、この図４の実施形
態が、図１で説明した実施形態と異なっている点は、外
装樹脂モールドケース１０を用いて、この中に樹脂モー
ルド３が充填されるようにした点にある。

【００４０】従って、この図４の実施形態によれば、樹
脂モールド３の形成が、外装樹脂モールドケース１０に
樹脂を流し込むだけで済むので、リードフレーム１の一
部である端子部７を外部に導出させた状態で全体をモー
ルドするための複雑な構成の金型が不要にできるため、
製造コストを大幅に抑えることができる。

【００４１】更に、この実施形態によれば、図示のよう
に、端子部７をベース基板４に対して垂直に導出できる
ので、ベース基板４と端子部７の間の絶縁距離及び、こ
のベース基板４に取付けられる放熱フィンと端子部７の
間の絶縁距離の確保が容易になり、信頼性を増すことが
できる。

【００４２】このとき、モールド樹脂流し込み工程の前
と流し込み中にリードフレーム１がベース基板４から剥
離したとすると、熱抵抗が大きく増加してしまうので、
これを防ぐためには、モールド樹脂流し込み工程の前の
段階で、リードフレーム１がベース基板４に対して充分
な強度で固着し、自立していることが条件になる。

【００４３】ここで、この実施形態の場合、硬化処理前
の硬度を小さくしてある第２の絶縁層９２が設けてある
ので、これにより充分な接着強度が確保でき、従って、
この実施形態によれば、外装樹脂モールドケース１０を
用いたことによる利点を充分に活かすことができる。

【００４４】そこで、次に、本発明の第３の実施形態に
ついて説明する。上記実施形態では、１個の半導体素子
２を搭載した場合を挙げて説明したが、本発明は、複数
個の半導体素子を搭載して、これらを組合わせて、例え
ばインバータ用パワー半導体モジュールを構成した半導
体装置としても実施することができる。

【００４５】ここで、図５は本発明の第３の実施形態
で、これは、本発明をインバータ等の電力変換装置に適
用した場合の一実施形態であり、この図は、装置の一側
面からみた一部断面図を示したもので、斜視図について
は図６に示してある。

【００４６】なお、電力変換装置としては、全体を覆う
カバーなども必要であるが、これらの図では省略してあ
る。そして、図５と図６では、作図の都合上、端子台４
１とコンデンサ４２の位置が異なって描かれているが、
実際には同じ位置にある。

【００４７】図５において、この実施形態でも、リード
フレーム１、パワー半導体素子２、樹脂モールド３、ベ
ース基板４、接合層５、ボンディングワイヤ６、それに
垂直に導出された端子部７を備え、このとき外装樹脂モ
ールドケース１０を用いて樹脂モールド３が充填されて
いる点は、図４で説明した実施形態と同じである。

【００４８】ここで、この図５の実施形態では、外装樹
脂モールドケース１０に更に箱形をした部分１０Ａが設
けてあるが、この部分１０Ａは、ベース基板４と並んで
外に延長されていて、その中に制御回路用の樹脂基板１
４が収容できるように作られている。

【００４９】そして、この樹脂基板１４には、制御用の
マイクロプロセッサやパワー半導体素子２を駆動するた
めのドライバ回路などの集積回路(ＩＣ)１９と、その他
の周辺回路用部品２３が搭載され、部分１０Ａ内に収容
された上で、ボンディングワイヤ６によりリードフレー
ム１の所定の部分に接続される。

【００５０】外装樹脂モールドケース１０に中に樹脂を
充填して樹脂モールド３とし、配線基板４０を取付け
る。この配線基板４０には外部回路からの配線を接続す
るための端子台４１と平滑用の電解コンデンサ４２、そ
の他、図示してない制御用電源回路、絶縁トランスなど
が搭載してあり、回路導体に端子部７とリードピン２５
を接続する。

【００５１】この図５の実施形態の場合、外装樹脂モー
ルドケース１０を利用して配線基板４０が一体になって
いるので、この配線基板４０を外付けした場合に比較し
て、ボンディングワイヤ６と端子部７、それにリードピ
ン２５により内部で直接接続できる分、ベース基板４と
配線基板４０のサイズが小さくでき、コンパクト化を図
ることができる。

【００５２】ここで、ベース基板４のサイズを小さくす
ると、放熱性能が低下する虞れがあるが、この実施形態
では、絶縁層９を充分に薄くすることができることか
ら、この点で熱抵抗の低減が図れるので、全体としては
装置の小型化が図れることになる。

【００５３】なお、この図５の実施形態は、電力変換装
置に必要な最小限の構成についてしめしたもので、本発
明の実施形態としては、更に外部インターフェースなど
の回路も含めることにより、電力変換装置として更なる
上位システムを構成することも可能なことはいうまでも
ない。

【００５４】

【発明の効果】本発明によれば、以下に列挙する効果が
ある。１．リードフレーム側に硬化前硬度が低い層を配置し、
ベース基板側には硬化前硬度が高い層を配置したので、
硬化前硬度が低い層による高い接着強度を保ったまま
で、硬化前硬度が高い層による絶縁厚さの確保が得られ
る。

【００５５】２．リードフレームと樹脂シート間の剥離
の発生及び圧着時のリードフレームと樹脂シート間の空
隙の発生が防げるので、信頼性を低下させることなく、
圧着後の絶縁層の層厚を薄くすることができ、半導体素
子からベース基板までの熱抵抗を低減できる。

【００５６】３．リードフレームとベース基板の間に硬
度の異なる複数の半硬化樹脂シートを配置圧着すること
により、複数層からなる絶縁層が１工程で形成できるの
で、低コストで強固な接着が容易に得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体装置の第１の実施形態を示
す断面図である。

【図２】本発明による半導体装置の第１の実施形態にお
ける絶縁層の説明図である。

【図３】ボイド率と沈み込み量の関係を示す特性図であ
る。

【図４】本発明による半導体装置の第２の実施形態を示
す断面図である。

【図５】本発明による半導体装置の第３の実施形態を示
す断面図である。

【図６】本発明による半導体装置の第３の実施形態を示
す斜視図である。

【図７】従来技術による半導体装置の一例を示す断面図
である。

【図８】従来技術による半導体装置の他の一例を示す断
面図である。

【符号の説明】

１リードフレーム２半導体素子(パワー半導体素子) ３樹脂モールド４ベース基板(熱伝導性基板) ５接合層６ボンディングワイヤ７端子部９絶縁層９１第１の絶縁層９２第２の絶縁層１０外装樹脂モールドケース

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者前野豊千葉県習志野市東習志野７丁目１番１号株式会社日立製作所産業機器グループ内 (72)発明者藤井洋千葉県習志野市東習志野７丁目１番１号株式会社日立製作所産業機器グループ内 (72)発明者中津欣也茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者小川敏夫茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内Ｆターム(参考） 5F036 AA01 BB21 BC23 BD22 BE01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂絶縁層を介して熱伝導性基板に接合
させたリードフレームに半導体素子を搭載して樹脂モー
ルドする方式の半導体装置において、前記樹脂絶縁層を、前記熱伝導性基板側になる第１の層
と、前記リードフレーム側になる第２の層で形成し、前記第１の層の半硬化状態での硬度Ａと、前記第２の層
の半硬化状態での硬度Ｂについて、硬度Ａ＞硬度Ｂの関
係が成立するようにして作成されていることを特徴とす
る半導体装置。
【請求項２】樹脂絶縁層を介して熱伝導性基板に接合
させたリードフレームに半導体素子を搭載して樹脂モー
ルドする方式の半導体装置において、前記樹脂絶縁層を、前記熱伝導性基板側になる第１の層
と、前記リードフレーム側になる第２の層で形成し、前記第１の層の硬化処理後の厚さのうち、前記リードフ
レームが積層されていない部分の厚さをｄ₃、前記リー
ドフレームが積層されている部分の厚さをｄ₄とし、前記第２の層の硬化処理後の厚さのうち、前記リードフ
レームが積層されていない部分の厚さをｄ₁、前記リー
ドフレームが積層されている部分の厚さをｄ₂としたと
き、各厚さの比(ｄ₁／ｄ₂)と(ｄ₃／ｄ₄)について、(ｄ₁／ｄ
₂)＞(ｄ₃／ｄ₄)の関係が成立するようにして作成されて
いることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】請求項１又は請求項２に記載の発明にお
いて、前記樹脂絶縁層が、第１の半硬化樹脂シートと第２の半
硬化樹脂シートを重ね合わせてから硬化処理して形成さ
れていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】請求項３に記載の発明において、前記第１の半硬化樹脂シートと前記第２の半硬化樹脂シ
ートが同時に硬化処理されることにより相互に接合さ
れ、前記リードフレームが前記熱伝導性基板に接合され
ていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】請求項３又は請求項４に記載の発明にお
いて、前記リードフレームと前記熱伝導性基板を加熱圧着させ
る際、リードフレームと前記第２の半硬化樹脂シートの
間に界面活性剤が介在されていることを特徴とする半導
体装置。
【請求項６】請求項１又は請求項２に記載の発明にお
いて、前記第１の絶縁層に対する前記リードフレームの沈み込
み量が少なくとも１０μｍであることを特徴とする半導
体装置。
【請求項７】請求項１乃至請求項６の何れかの半導体
装置を用いて構成した電力変換装置。