JP2002050646A - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

Manufacturing method of semiconductor device

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JP2002050646A
JP2002050646A JP2000234453A JP2000234453A JP2002050646A JP 2002050646 A JP2002050646 A JP 2002050646A JP 2000234453 A JP2000234453 A JP 2000234453A JP 2000234453 A JP2000234453 A JP 2000234453A JP 2002050646 A JP2002050646 A JP 2002050646A
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sealing
resin
die pad
semiconductor chip
mold
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Motoaki Sato
元昭 佐藤
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the conventional problem, especially regarding sealing resin thickness stability in a chip-lamination-type semiconductor device. SOLUTION: A lead fame 1 is held between upper and lower dies 7 and 8 of a sealing die. In the lead frame 1, first and second semiconductor chips 3f and 3s are mounted onto a die pad 2 for electrically connecting by first and second metal small-gauge wires 5f and 5s. When a sealing resin 6 is injected, the tip of an injector pin 11 is brought into contact with the back surface of the die pad 2, and the resin is sealed, while the die pad 2 is being lifted to fixed height in the die by the support of the injector pin 11, thus pressing the back surface of the die pad 2 to the injector pin 11 in die clamping for stabilizing the position accuracy of the die pad 2 during resin injection, and preventing die pad and chip shift, and hence securing the fixed thickness of the sealing resin.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は複数の半導体チップ
を１つのリードフレームに搭載し、１パッケージ化した
マルチチップタイプ、チップ積層タイプの半導体装置の
製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a multi-chip type, chip-stacked type semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are mounted on one lead frame and packaged.

【０００２】[0002]

【従来の技術】今や標準化した表面実装型の半導体パッ
ケージの構成としては、銅（Ｃｕ）合金または鉄−ニッ
ケル（Ｆｅ−Ｎｉ）系合金のリードフレームのダイパッ
ド部分に半導体チップがダイボンディングにより搭載さ
れ、半導体チップのボンディングパッド（電極パッド）
とリードフレームのリード部の先端とが金（Ａｕ）線等
の金属細線でワイヤーボンディングされ、所定の形状を
持った金型にて樹脂モールドされてパッケージ体が構成
されたものがある。2. Description of the Related Art A standardized surface-mount type semiconductor package has a structure in which a semiconductor chip is mounted on a die pad portion of a lead frame made of a copper (Cu) alloy or an iron-nickel (Fe-Ni) alloy by die bonding. , Bonding pads (electrode pads) for semiconductor chips
In some cases, a package body is formed by wire-bonding the tip of a lead portion of a lead frame to a thin metal wire such as a gold (Au) wire and resin-molding with a mold having a predetermined shape.

【０００３】以下、従来の表面実装型の半導体装置につ
いて図面を参照しながら説明する。図１１は従来の半導
体装置を示す主要な断面図である。A conventional surface mount type semiconductor device will be described below with reference to the drawings. FIG. 11 is a main cross-sectional view showing a conventional semiconductor device.

【０００４】図１１に示すように従来の半導体装置は、
リードフレーム１のダイパッド２の部分に半導体チップ
３が接着剤４を介したダイボンディングにより搭載さ
れ、半導体チップ３のボンディングパッド（図示せず）
とリードフレーム１のインナーリード部１ａの先端とが
金属細線５でワイヤーボンディングされて電気的接続が
なされ、所定の形状を持った金型にて封止樹脂６でモー
ルドされて半導体装置を構成したものである。またリー
ドフレーム１のアウターリード部１ｂは所定形状にフォ
ーミングされたものである。[0004] As shown in FIG.
A semiconductor chip 3 is mounted on the die pad 2 of the lead frame 1 by die bonding via an adhesive 4, and bonding pads (not shown) of the semiconductor chip 3 are provided.
The tip of the inner lead portion 1a of the lead frame 1 is wire-bonded with a thin metal wire 5 to make an electrical connection, and is molded in a mold having a predetermined shape with a sealing resin 6 to form a semiconductor device. Things. The outer lead portion 1b of the lead frame 1 is formed into a predetermined shape.

【０００５】次に従来の半導体装置の製造方法について
説明する。図１２は従来の半導体装置の製造方法を示す
主要な断面図であり、リードフレームに半導体チップを
搭載した後の樹脂封止工程を示す断面図である。Next, a conventional method for manufacturing a semiconductor device will be described. FIG. 12 is a main cross-sectional view showing a conventional method of manufacturing a semiconductor device, and is a cross-sectional view showing a resin sealing step after mounting a semiconductor chip on a lead frame.

【０００６】図１２には、ダイパッド２上に半導体チッ
プ３が搭載され、金属細線５で電気的に接続されたリー
ドフレーム１を封止金型の上金型７，下金型８で挟み、
封止樹脂６を注入する状態を示している。そして樹脂封
止し、封止樹脂の硬化後は、イジェクターピン９の突き
上げにより、封止金型（上金型７，下金型８）から取り
出された半導体装置のリードフレーム１のアウターリー
ド部をリードフォーミング金型にて所定のリード形状に
加工するものである。In FIG. 12, a semiconductor chip 3 is mounted on a die pad 2, and a lead frame 1 electrically connected by thin metal wires 5 is sandwiched between an upper die 7 and a lower die 8 of a sealing die.
This shows a state in which the sealing resin 6 is injected. After the resin is sealed and the sealing resin is hardened, the ejector pins 9 are pushed up and the outer lead portions of the lead frame 1 of the semiconductor device taken out of the sealing mold (the upper mold 7 and the lower mold 8). Is processed into a predetermined lead shape by a lead forming die.

【０００７】ここで樹脂封止して構成した半導体装置を
金型から取り出す突き上げ用のイジェクターピン９の構
成としては、図１３に示すように円筒状の棒体であり、
その先端部は平坦な形状を有しているものである。そし
て樹脂封止時はイジェクターピン９の先端はリードフレ
ームのダイパッド２底部に接触しておらず、取り出しの
突き上げ時のみ硬化した封止樹脂６の底部に接触するも
のである。なお、図１３において、図１３（ａ）は封止
金型のイジェクターピン部分を示す部分的な断面図であ
り、図１３（ｂ）はイジェクターピン部分の平面図であ
る。The ejector pin 9 for ejecting the semiconductor device formed by resin sealing from the mold is a cylindrical rod as shown in FIG.
The tip has a flat shape. When the resin is sealed, the tip of the ejector pin 9 is not in contact with the bottom of the die pad 2 of the lead frame, but is in contact with the bottom of the hardened sealing resin 6 only at the time of pushing up. In FIG. 13, FIG. 13A is a partial cross-sectional view showing an ejector pin portion of the sealing mold, and FIG. 13B is a plan view of the ejector pin portion.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】近年の軽薄短小の傾向
にあるチップ積層タイプの半導体装置構造では、複数の
半導体チップを搭載するため、より半導体装置内部が高
密度化し、信頼性低下や生産安定性の低下が懸念されて
いる。特に懸念されるのは封止樹脂厚の安定性で、薄型
のチップ積層タイプの半導体装置の製造方法では、封止
樹脂の高圧注入で半導体チップのシフトが発生しやす
く、最悪の場合は樹脂バリの発生、樹脂成形不良、エア
ーの閉じこめによるチップ割れの恐れがある。In a chip-stacked type semiconductor device structure, which has recently tended to be light, thin, and small, a plurality of semiconductor chips are mounted. Therefore, the inside of the semiconductor device has a higher density, and reliability is reduced and production stability is reduced. There is a concern that sex may decline. Of particular concern is the stability of the thickness of the sealing resin. In a method of manufacturing a thin chip stacked type semiconductor device, a semiconductor chip shift is likely to occur due to high pressure injection of the sealing resin. There is a risk of chip generation, resin molding failure, and chip breakage due to trapped air.

【０００９】したがって前記従来の半導体装置の製造方
法において、樹脂封止後の半導体装置の取り出し時の突
き上げ用のイジェクターピンおよびその使用方法では、
要望される薄型でかつチップ積層タイプの半導体装置を
樹脂厚安定で生産性よく製造できない恐れがあった。Therefore, in the above-described conventional method for manufacturing a semiconductor device, the ejector pin for pushing up when removing the semiconductor device after resin sealing and the method of using the ejector pin are as follows.
There is a possibility that the desired thin and chip-stacked type semiconductor device cannot be manufactured with a stable resin thickness and high productivity.

【００１０】本発明は前記した課題を解決するものであ
り、樹脂封止後の半導体装置の取り出し時の突き上げ用
のイジェクターピンの構成を改良し、またその使用方法
に着目することにより、樹脂バリの発生を抑え、封止樹
脂の樹脂厚を安定にし、生産性よく半導体装置を製造で
きる半導体装置の製造方法を提供するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and by improving the structure of an ejector pin for pushing up when taking out a semiconductor device after resin encapsulation, and focusing on a method of using the same, a resin burr is provided. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the occurrence of the phenomenon, stabilizing the resin thickness of the sealing resin, and manufacturing the semiconductor device with high productivity.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために本発明の半導体装置の製造方法は、ダイパッド
上に少なくとも第１の半導体チップ，第２の半導体チッ
プが搭載され、前記第１の半導体チップ，第２の半導体
チップと第１，第２の金属細線で各々電気的に接続され
たリードフレームを封止金型の上金型，下金型で挟み、
封止樹脂を注入する工程において、樹脂封止時は金型の
イジェクターピンの先端はリードフレームの前記ダイパ
ッド裏面に接触させ、前記イジェクターピンの支持によ
り前記ダイパッドを金型内の一定の高さにリフトアップ
するとともに前記ダイパッドの位置精度を安定にしてダ
イパッドシフトを防止した状態で樹脂封止する半導体装
置の製造方法である。According to the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: mounting at least a first semiconductor chip and a second semiconductor chip on a die pad; A semiconductor chip, a lead frame electrically connected to the second semiconductor chip and the first and second metal wires, respectively, are sandwiched between an upper mold and a lower mold of a sealing mold;
In the step of injecting the sealing resin, at the time of resin sealing, the tip of the ejector pin of the mold is brought into contact with the back surface of the die pad of the lead frame, and the die pad is held at a certain height in the mold by the support of the ejector pin. This is a method of manufacturing a semiconductor device in which the resin is sealed in a state where the die pad shift is prevented by stabilizing the position accuracy of the die pad while lifting up the die pad.

【００１２】また本発明は、ダイパッドの表裏面に少な
くとも第１の半導体チップ，第２の半導体チップが搭載
され、前記第１の半導体チップ，第２の半導体チップと
第１，第２の金属細線で各々電気的に接続されたリード
フレームを封止金型の上金型，下金型で挟み、封止樹脂
を注入する工程において、樹脂封止時は金型のイジェク
ターピンの先端は前記第１の半導体チップ底面に接触さ
せ、前記イジェクターピンの支持により前記第１の半導
体チップを金型内の一定の高さにリフトアップするとと
もに前記第１の半導体チップの位置精度を安定にしてチ
ップシフトを防止した状態で樹脂封止する半導体装置の
製造方法である。Further, according to the present invention, at least a first semiconductor chip and a second semiconductor chip are mounted on the front and back surfaces of a die pad, and the first semiconductor chip, the second semiconductor chip and the first and second thin metal wires are provided. In the step of sandwiching the lead frame electrically connected with each other between the upper mold and the lower mold of the sealing mold, and injecting the sealing resin, at the time of resin sealing, the tip of the ejector pin of the mold is in contact with the second mold. The first semiconductor chip is brought into contact with the bottom surface of the first semiconductor chip, the first semiconductor chip is lifted up to a certain height in the mold by the support of the ejector pins, and the position accuracy of the first semiconductor chip is stabilized, so that the chip shift is performed. This is a method for manufacturing a semiconductor device in which resin sealing is performed in a state in which is prevented.

【００１３】また、複数の半円状の突起形状を有した先
端部を有したイジェクターピンを用いる半導体装置の製
造方法である。[0013] Further, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device using an ejector pin having a tip having a plurality of semicircular projections.

【００１４】また、先端が平坦なテーパー形状を有した
先端部を有したイジェクターピンを用いる半導体装置の
製造方法である。Further, the present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device using an ejector pin having a tapered tip having a flat tip.

【００１５】また、半円状の球面形状を有した先端部を
有したイジェクターピンを用いる半導体装置の製造方法
である。Further, the present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device using an ejector pin having a tip having a semicircular spherical shape.

【００１６】前記構成の通り、本発明の半導体装置の製
造方法は、下金型面に近接したダイパッド、または半導
体チップの底面に対して、金型に設けた取り出し時の突
き上げ用のイジェクターピンを接触させた状態で樹脂封
止することにより、ダイパッド、または半導体チップを
リフトアップさせた状態で樹脂封止できるとともに、樹
脂注入中のダイパッド、半導体チップの位置精度を安定
にし、ダイパッドシフト、チップシフトを防止し、一定
の封止樹脂厚を確保できるものである。そのため複数の
半導体チップを信頼性よく積層してリードフレームに搭
載し、薄型の半導体装置を高生産汎用性、高信頼性、高
密度実装性のもとで製造できるものである。As described above, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the ejector pins provided in the mold for ejecting and ejecting the die pad are provided on the die pad or the bottom surface of the semiconductor chip close to the lower mold surface. By sealing the resin while in contact, the die pad or the semiconductor chip can be sealed with the resin lifted, and the positional accuracy of the die pad and the semiconductor chip during resin injection can be stabilized, and die pad shift and chip shift can be performed. Is prevented, and a certain sealing resin thickness can be ensured. Therefore, a plurality of semiconductor chips are stacked with high reliability and mounted on a lead frame, and a thin semiconductor device can be manufactured with high versatility, high reliability, and high-density mounting.

【００１７】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【００１８】図１は本実施形態の半導体装置の製造方法
で製造されるチップ積層型の半導体装置を示す断面図で
ある。FIG. 1 is a sectional view showing a chip-stacked semiconductor device manufactured by the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.

【００１９】図１に示すように本実施形態の半導体装置
は、リードフレーム１のダイパッド２の上面部分に第１
の半導体チップ３ｆが接着剤４を介したダイボンディン
グにより搭載され、その第１の半導体チップ３ｆ上に熱
可塑性シート１０を介して第２の半導体チップ３ｓが積
層搭載され、各半導体チップ３ｆ，３ｓのボンディング
パッド（図示せず）とリードフレーム１のインナーリー
ド部１ａの先端とが各々第１の金属細線５ｆ，第２の金
属細線５ｓでワイヤーボンディングされて電気的接続が
なされ、所定の形状を持った金型にて封止樹脂６でモー
ルドされて２チップ以上を１パッケージ化して半導体装
置を構成したものである。またリードフレーム１のアウ
ターリード部１ｂは所定形状にフォーミングされたもの
である。なお、本実施形態では半導体装置底面のダイパ
ッド裏面の露出部分は省略している。As shown in FIG. 1, the semiconductor device according to the present embodiment has a first frame on a top surface of a die pad 2 of a lead frame 1.
Semiconductor chip 3f is mounted by die bonding via an adhesive 4, a second semiconductor chip 3s is stacked and mounted on the first semiconductor chip 3f via a thermoplastic sheet 10, and each semiconductor chip 3f, 3s The bonding pad (not shown) and the tip of the inner lead portion 1a of the lead frame 1 are wire-bonded with the first thin metal wire 5f and the second thin metal wire 5s, respectively, and are electrically connected to each other. A semiconductor device is formed by molding two or more chips into one package by molding with a sealing resin 6 using a mold having the same. The outer lead portion 1b of the lead frame 1 is formed into a predetermined shape. In this embodiment, the exposed portion of the back surface of the die pad on the bottom surface of the semiconductor device is omitted.

【００２０】次に本実施形態の半導体装置の製造方法に
ついて説明する。図２は本実施形態の半導体装置の製造
方法を示す主要な断面図であり、リードフレームに半導
体チップを搭載した後の樹脂封止工程を示す断面図であ
る。Next, a method of manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment will be described. FIG. 2 is a main cross-sectional view illustrating the method for manufacturing a semiconductor device of the present embodiment, and is a cross-sectional view illustrating a resin sealing step after mounting a semiconductor chip on a lead frame.

【００２１】図２には、ダイパッド２上に第１の半導体
チップ３ｆ，第２の半導体チップ３ｓが搭載され、第
１，第２の金属細線５ｆ，５ｓで電気的に接続されたリ
ードフレーム１を封止金型の上金型７，下金型８で挟
み、封止樹脂６を注入する状態を示している。そして樹
脂封止し、封止樹脂の硬化後は、イジェクターピン１１
の突き上げにより、封止金型（上金型７，下金型８）か
ら取り出された半導体装置のリードフレーム１のアウタ
ーリード部をリードフォーミング金型にて所定のリード
形状に加工するものである。FIG. 2 shows a lead frame 1 in which a first semiconductor chip 3f and a second semiconductor chip 3s are mounted on a die pad 2 and are electrically connected by first and second thin metal wires 5f and 5s. Is sandwiched between the upper mold 7 and the lower mold 8 of the sealing mold, and the sealing resin 6 is injected. After the resin is sealed and the sealing resin is cured, the ejector pins 11
The outer lead portion of the lead frame 1 of the semiconductor device taken out of the sealing mold (the upper mold 7, the lower mold 8) is processed into a predetermined lead shape by a lead forming mold. .

【００２２】本実施形態では、樹脂封止時はイジェクタ
ーピン１１の先端はリードフレームのダイパッド２裏面
に接触しており、イジェクターピン１１をダイパッド２
裏面に接触させて金型内の一定の高さにリフトアップし
た状態で樹脂封止するものである。そのため封止金型の
固定（クランプ）時、ダイパッド２の裏面がイジェクタ
ーピン１１に押しつけられることで樹脂注入中もダイパ
ッド２の位置精度が安定し、ダイパッドシフト、チップ
シフトを防止し、一定の封止樹脂厚を確保できるもので
ある。In this embodiment, the tip of the ejector pin 11 is in contact with the back surface of the die pad 2 of the lead frame during resin sealing, and the ejector pin 11 is
Resin sealing is performed in a state where the resin is brought into contact with the back surface and lifted up to a certain height in the mold. Therefore, when the sealing die is fixed (clamped), the back surface of the die pad 2 is pressed against the ejector pins 11 so that the positional accuracy of the die pad 2 is stabilized even during resin injection, die pad shift and chip shift are prevented, and a certain sealing is performed. The thickness of the resin can be secured.

【００２３】なお、通常の封止設備ではリフトアップと
金型固定（クランプ）とを同時に行うため、イジェクタ
ーピン１１の長さを所定のリフトアップ高さに合わせて
長く設計する。In the ordinary sealing equipment, since the lift-up and the mold fixing (clamping) are performed simultaneously, the length of the ejector pin 11 is designed to be long according to a predetermined lift-up height.

【００２４】ここで樹脂封止して構成した半導体装置を
金型から取り出す突き上げ用のイジェクターピン１１の
構成としては、図３に示すように円筒状の棒体であり、
その先端部は複数の半円状の突起部１１ａを有している
ものである。そして樹脂封止時はイジェクターピン１１
の先端部の突起部１１ａはダイパッド２底部に接触し、
ダイパッド２の位置を安定に保つとともに、先端部の突
起部１１ａの形状により封止樹脂６の外観上の樹脂バリ
などを最小限にすることができる。また図３に示すイジ
ェクターピン１１の先端部の形状は力学的に最も安定な
３点支持形状であり、最小凹凸数となり封止樹脂６によ
るバリ発生を低減し、接触面の封止樹脂からの露出も少
ないものである。なお、図３において、図３（ａ）は封
止金型のイジェクターピン部分を示す部分的な断面図で
あり、図３（ｂ）はイジェクターピン部分の平面図であ
る。The ejector pin 11 for ejecting the semiconductor device formed by resin sealing from the mold has a cylindrical rod shape as shown in FIG.
The tip has a plurality of semicircular protrusions 11a. When resin is sealed, the ejector pins 11
The protruding portion 11a at the end of the die pad contacts the bottom of the die pad 2,
The position of the die pad 2 can be kept stable, and the shape of the protruding portion 11a at the tip can minimize resin burrs and the like on the appearance of the sealing resin 6. The shape of the distal end of the ejector pin 11 shown in FIG. 3 is a three-point support shape that is the most mechanically stable, and has the minimum number of irregularities, reduces the occurrence of burrs due to the sealing resin 6, There is little exposure. In FIG. 3, FIG. 3A is a partial cross-sectional view showing an ejector pin portion of the sealing mold, and FIG. 3B is a plan view of the ejector pin portion.

【００２５】次に本実施形態のイジェクターピンの別形
態について説明する。図４は封止金型のイジェクターピ
ン部分を示す図であり、図４（ａ）は封止金型のイジェ
クターピン部分を示す部分的な断面図、図４（ｂ）はイ
ジェクターピン部分の平面図である。Next, another embodiment of the ejector pin of the present embodiment will be described. FIG. 4 is a view showing an ejector pin portion of the sealing mold. FIG. 4 (a) is a partial cross-sectional view showing an ejector pin portion of the sealing mold, and FIG. 4 (b) is a plan view of the ejector pin portion. FIG.

【００２６】図４に示すようにイジェクターピン１２は
円筒状の棒体であり、その先端部は平坦部を有してテー
パー形状（通称、Ｃ面）を有しているものである。そし
て樹脂封止時はイジェクターピン１２の先端部のＣ面部
１２ａはダイパッド２底部に接触し、ダイパッド２の位
置を安定に保つとともに、先端部のＣ面部１２ａの形状
により封止樹脂６の外観上の樹脂バリなどを最小限にす
ることができる。またＣ面部１２ａの大きさによりダイ
パッド２の裏面に対する接触面積が変えられ、接触面を
意図的に封止樹脂６から露出することができるものであ
る。As shown in FIG. 4, the ejector pin 12 is a cylindrical rod, and its tip has a flat portion and a tapered shape (commonly referred to as a C surface). At the time of resin sealing, the C surface 12a at the tip of the ejector pin 12 contacts the bottom of the die pad 2 to keep the position of the die pad 2 stable, and due to the shape of the C surface 12a at the tip, the appearance of the sealing resin 6 is reduced. Resin burrs and the like can be minimized. Further, the contact area with the back surface of the die pad 2 is changed depending on the size of the C surface portion 12a, and the contact surface can be intentionally exposed from the sealing resin 6.

【００２７】次に本実施形態のイジェクターピンの別形
態について説明する。図５は封止金型のイジェクターピ
ン部分を示す図であり、図５（ａ）は封止金型のイジェ
クターピン部分を示す部分的な断面図、図５（ｂ）はイ
ジェクターピン部分の平面図である。Next, another embodiment of the ejector pin of this embodiment will be described. 5A and 5B are views showing an ejector pin portion of the sealing mold, FIG. 5A is a partial cross-sectional view showing an ejector pin portion of the sealing mold, and FIG. 5B is a plan view of the ejector pin portion. FIG.

【００２８】図５に示すようにイジェクターピン１３は
円筒状の棒体であり、その先端部は曲面を有した半円状
の球面部１３ａを有しているものである。そして樹脂封
止時はイジェクターピン１３の先端部の球面部１３ａは
ダイパッド２底部に接触し、ダイパッド２の位置を安定
に保つとともに、先端部の球面部１３ａの形状により封
止樹脂６の外観上の樹脂バリなどを最小限にすることが
できる。すなわち球面部１３ａにより１点接触が可能と
なり、樹脂注入バランスが安定ならば接触面の露出や薄
バリの発生が低減できるものである。As shown in FIG. 5, the ejector pin 13 is a cylindrical rod, and its tip has a semicircular spherical portion 13a having a curved surface. When the resin is sealed, the spherical portion 13a at the tip of the ejector pin 13 comes into contact with the bottom of the die pad 2 to keep the position of the die pad 2 stable, and due to the shape of the spherical portion 13a at the tip, the appearance of the sealing resin 6 is reduced. Resin burrs and the like can be minimized. That is, the spherical portion 13a enables one-point contact, and if the resin injection balance is stable, exposure of the contact surface and generation of thin burrs can be reduced.

【００２９】以上、本実施形態の半導体装置の製造方法
では、特にダイパッド上に第１の半導体チップ，第２の
半導体チップなどの複数の半導体チップが搭載され、第
１，第２の金属細線で電気的に接続されたリードフレー
ムを封止金型の上金型，下金型で挟み、封止樹脂を注入
する工程において、樹脂封止時は金型のイジェクターピ
ンの先端はリードフレームのダイパッド裏面に接触さ
せ、イジェクターピンの支持によりダイパッドを金型内
の一定の高さにリフトアップした状態で樹脂封止するも
のである。そのため封止金型の固定（クランプ）時、ダ
イパッド裏面がイジェクターピンに押しつけられること
で樹脂注入中もダイパッドの位置精度が安定し、ダイパ
ッドシフト、チップシフトを防止し、一定の封止樹脂厚
を確保できるものである。さらに、ダイパッド裏面に接
触させるイジェクターピンの先端形状を複数の突起形
状、Ｃ面形状、球面形状とすることで、封止樹脂の外観
上の樹脂バリなどを最小限にすることができるものであ
る。As described above, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, a plurality of semiconductor chips such as a first semiconductor chip and a second semiconductor chip are mounted on a die pad, and the first and second thin metal wires are used. In the process of sandwiching the electrically connected lead frame between the upper mold and the lower mold of the sealing mold and injecting the sealing resin, the tip of the ejector pin of the mold is a die pad of the lead frame during resin sealing. The die pad is brought into contact with the back surface, and is sealed with a resin in a state where the die pad is lifted up to a predetermined height in the mold by supporting the ejector pins. Therefore, when fixing (clamping) the sealing die, the back surface of the die pad is pressed against the ejector pins, so that the position accuracy of the die pad is stabilized even during resin injection, die pad shift and chip shift are prevented, and a constant sealing resin thickness is maintained. It can be secured. Further, by forming the tip of the ejector pin to be in contact with the back surface of the die pad into a plurality of protrusions, a C-shaped surface, and a spherical surface, resin burrs and the like on the appearance of the sealing resin can be minimized. .

【００３０】次に本発明の半導体装置の製造方法の別の
実施形態について説明する。Next, another embodiment of the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described.

【００３１】図６は本実施形態の半導体装置の製造方法
で製造されるチップ積層型の半導体装置を示す断面図で
ある。FIG. 6 is a sectional view showing a chip-stacked type semiconductor device manufactured by the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.

【００３２】図６に示すように本実施形態の半導体装置
は、リードフレーム１のダイパッド２の裏面部分に第１
の半導体チップ３ｆが熱可塑性シート１０を介したダイ
ボンディングにより接着され、その第１の半導体チップ
３ｆ上のダイパッド２の上面に接着剤４を介して第２の
半導体チップ３ｓが積層搭載され、各半導体チップ３
ｆ，３ｓのボンディングパッド（図示せず）とリードフ
レーム１のインナーリード部１ａの先端とが各々第１の
金属細線５ｆ，第２の金属細線５ｓでワイヤーボンディ
ングされて電気的接続がなされ、所定の形状を持った金
型にて封止樹脂６でモールドされて２チップ以上を１パ
ッケージ化して半導体装置を構成したものである。また
リードフレーム１のアウターリード部１ｂは所定形状に
フォーミングされたものである。すなわち本実施形態で
の半導体装置はダイパッド２の表裏面に対して半導体チ
ップが接着搭載され、積層タイプの半導体装置を構成し
ているものである。なお、本実施形態では半導体装置底
面のダイパッド裏面の露出部分は省略している。As shown in FIG. 6, the semiconductor device of this embodiment has a first
Semiconductor chip 3f is bonded by die bonding via a thermoplastic sheet 10, and the second semiconductor chip 3s is stacked and mounted on the upper surface of the die pad 2 on the first semiconductor chip 3f via an adhesive 4. Semiconductor chip 3
f, 3s and the tip of the inner lead portion 1a of the lead frame 1 are wire-bonded with the first thin metal wire 5f and the second thin metal wire 5s, respectively, and are electrically connected. A semiconductor device is formed by molding two or more chips into one package by molding with a sealing resin 6 in a mold having the shape described above. The outer lead portion 1b of the lead frame 1 is formed into a predetermined shape. That is, in the semiconductor device according to the present embodiment, a semiconductor chip is bonded and mounted on the front and back surfaces of the die pad 2 to constitute a stacked semiconductor device. In this embodiment, the exposed portion of the back surface of the die pad on the bottom surface of the semiconductor device is omitted.

【００３３】次に本実施形態の半導体装置の製造方法に
ついて説明する。図７は本実施形態の半導体装置の製造
方法を示す主要な断面図であり、リードフレームに半導
体チップを搭載した後の樹脂封止工程を示す断面図であ
る。Next, a method of manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment will be described. FIG. 7 is a main cross-sectional view illustrating the method for manufacturing a semiconductor device of the present embodiment, and is a cross-sectional view illustrating a resin sealing step after mounting a semiconductor chip on a lead frame.

【００３４】図７には、ダイパッド２の表裏面上に各々
第１の半導体チップ３ｆ，第２の半導体チップ３ｓが搭
載され、第１，第２の金属細線５ｆ，５ｓで電気的に接
続されたリードフレーム１を封止金型の上金型７，下金
型８で挟み、封止樹脂６を注入する状態を示している。
そして樹脂封止し、封止樹脂の硬化後は、イジェクター
ピン１１の突き上げにより、封止金型（上金型７，下金
型８）から取り出された半導体装置のリードフレーム１
のアウターリード部をリードフォーミング金型にて所定
のリード形状に加工するものである。In FIG. 7, a first semiconductor chip 3f and a second semiconductor chip 3s are mounted on the front and back surfaces of the die pad 2, respectively, and are electrically connected by first and second thin metal wires 5f and 5s. This shows a state in which the lead frame 1 is sandwiched between an upper mold 7 and a lower mold 8 of a sealing die, and a sealing resin 6 is injected.
After the resin is sealed and the sealing resin is cured, the lead frame 1 of the semiconductor device taken out of the sealing mold (the upper mold 7 and the lower mold 8) by pushing up the ejector pins 11.
Is processed into a predetermined lead shape using a lead forming die.

【００３５】本実施形態では、樹脂封止時はイジェクタ
ーピン１１の先端はリードフレームの第１の半導体チッ
プ３ｆ裏面に接触しており、イジェクターピン１１を第
１の半導体チップ３ｆ裏面に接触させて金型内の一定の
高さにリフトアップした状態で樹脂封止するものであ
る。そのため封止金型の固定（クランプ）時、第１の半
導体チップ３ｆの裏面がイジェクターピン１１に押しつ
けられることで樹脂注入中も第１の半導体チップ３ｆの
位置精度が安定し、ダイパッドシフト、チップシフトを
防止し、一定の封止樹脂厚を確保できるものである。In the present embodiment, the tip of the ejector pin 11 is in contact with the back surface of the first semiconductor chip 3f of the lead frame during resin sealing, and the ejector pin 11 is brought into contact with the back surface of the first semiconductor chip 3f. Resin sealing is performed in a state where the resin is lifted up to a certain height in the mold. Therefore, when the sealing die is fixed (clamped), the back surface of the first semiconductor chip 3f is pressed against the ejector pins 11, so that the positional accuracy of the first semiconductor chip 3f is stabilized even during the resin injection, and the die pad shift and the chip The shift can be prevented and a certain sealing resin thickness can be secured.

【００３６】なお、通常の封止設備ではリフトアップと
金型固定（クランプ）とを同時に行うため、イジェクタ
ーピン１１の長さを所定のリフトアップ高さに合わせて
長く設計する。In the ordinary sealing equipment, since the lift-up and the mold fixing (clamping) are performed simultaneously, the length of the ejector pin 11 is designed to be long according to a predetermined lift-up height.

【００３７】ここで樹脂封止して構成した半導体装置を
金型から取り出す突き上げ用のイジェクターピン１１の
構成としては、図８に示すように円筒状の棒体であり、
その先端部は複数の半円状の突起部１１ａを有している
ものである。そして樹脂封止時はイジェクターピン１１
の先端部の突起部１１ａは第１の半導体チップ３ｆ底部
に接触し、第１の半導体チップ３ｆの位置を安定に保つ
とともに、先端部の突起部１１ａの形状により封止樹脂
６の外観上の樹脂バリなどを最小限にすることができ
る。また図８に示すイジェクターピン１１の先端部の形
状は力学的に最も安定な３点支持形状であり、最小凹凸
数となり封止樹脂６によるバリ発生を低減し、接触面の
封止樹脂からの露出も少ないものである。なお、図８に
おいて、図８（ａ）は封止金型のイジェクターピン部分
を示す部分的な断面図であり、図８（ｂ）はイジェクタ
ーピン部分の平面図である。The ejector pin 11 for ejecting the semiconductor device formed by resin sealing from the mold is a cylindrical rod as shown in FIG.
The tip has a plurality of semicircular protrusions 11a. When resin is sealed, the ejector pins 11
The projection 11a at the tip of the first semiconductor chip 3f contacts the bottom of the first semiconductor chip 3f to keep the position of the first semiconductor chip 3f stable, and the shape of the projection 11a at the tip makes it possible to improve the appearance of the sealing resin 6. Resin burrs and the like can be minimized. The shape of the tip of the ejector pin 11 shown in FIG. 8 is a three-point support shape that is the most mechanically stable, has the minimum number of irregularities, reduces the occurrence of burrs due to the sealing resin 6, There is little exposure. In FIG. 8, FIG. 8A is a partial sectional view showing an ejector pin portion of the sealing mold, and FIG. 8B is a plan view of the ejector pin portion.

【００３８】次に本実施形態のイジェクターピンの別形
態について説明する。図９は封止金型のイジェクターピ
ン部分を示す図であり、図９（ａ）は封止金型のイジェ
クターピン部分を示す部分的な断面図、図９（ｂ）はイ
ジェクターピン部分の平面図である。Next, another embodiment of the ejector pin of the present embodiment will be described. 9A and 9B are views showing an ejector pin portion of the sealing mold, FIG. 9A is a partial cross-sectional view showing an ejector pin portion of the sealing mold, and FIG. 9B is a plan view of the ejector pin portion. FIG.

【００３９】図９に示すようにイジェクターピン１２は
円筒状の棒体であり、その先端部は平坦部を有してテー
パー形状（通称、Ｃ面）を有しているものである。そし
て樹脂封止時はイジェクターピン１２の先端部のＣ面部
１２ａは第１の半導体チップ３ｆ底部に接触し、第１の
半導体チップ３ｆの位置を安定に保つとともに、先端部
のＣ面部１２ａの形状により封止樹脂６の外観上の樹脂
バリなどを最小限にすることができる。またＣ面部１２
ａの大きさにより第１の半導体チップ３ｆの裏面に対す
る接触面積が変えられ、接触面を意図的に封止樹脂６か
ら露出することができるものである。As shown in FIG. 9, the ejector pin 12 is a cylindrical rod, and its tip has a flat portion and a tapered shape (commonly referred to as a C surface). At the time of resin sealing, the C surface 12a at the tip of the ejector pin 12 comes into contact with the bottom of the first semiconductor chip 3f to keep the position of the first semiconductor chip 3f stable and the shape of the C surface 12a at the tip. Accordingly, resin burrs on the appearance of the sealing resin 6 can be minimized. Also, the C surface 12
The area of contact with the back surface of the first semiconductor chip 3f is changed depending on the size of a, and the contact surface can be intentionally exposed from the sealing resin 6.

【００４０】次に本実施形態のイジェクターピンの別形
態について説明する。図１０は封止金型のイジェクター
ピン部分を示す図であり、図１０（ａ）は封止金型のイ
ジェクターピン部分を示す部分的な断面図、図１０
（ｂ）はイジェクターピン部分の平面図である。Next, another embodiment of the ejector pin of this embodiment will be described. FIG. 10 is a view showing an ejector pin portion of the sealing mold. FIG. 10A is a partial cross-sectional view showing an ejector pin portion of the sealing mold.
(B) is a plan view of an ejector pin portion.

【００４１】図１０に示すようにイジェクターピン１３
は円筒状の棒体であり、その先端部は曲面を有した半円
状の球面部１３ａを有しているものである。そして樹脂
封止時はイジェクターピン１３の先端部の球面部１３ａ
は第１の半導体チップ３ｆ底部に接触し、第１の半導体
チップ３ｆの位置を安定に保つとともに、先端部の球面
部１３ａの形状により封止樹脂６の外観上の樹脂バリな
どを最小限にすることができる。すなわち球面部１３ａ
により１点接触が可能となり、樹脂注入バランスが安定
ならば接触面の露出や薄バリの発生が低減できるもので
ある。As shown in FIG. 10, the ejector pins 13
Is a cylindrical rod having a semicircular spherical portion 13a having a curved surface at the tip. At the time of resin sealing, the spherical portion 13a at the tip of the ejector pin 13 is used.
Makes contact with the bottom of the first semiconductor chip 3f to keep the position of the first semiconductor chip 3f stable, and minimize the resin burrs on the appearance of the sealing resin 6 by the shape of the spherical portion 13a at the tip. can do. That is, the spherical portion 13a
As a result, one-point contact is possible, and if the resin injection balance is stable, exposure of the contact surface and generation of thin burrs can be reduced.

【００４２】以上、本実施形態の半導体装置の製造方法
では、特にダイパッドの表裏面上に第１の半導体チッ
プ，第２の半導体チップなどの複数の半導体チップが搭
載され、第１，第２の金属細線で各々電気的に接続され
たリードフレームを封止金型の上金型，下金型で挟み、
封止樹脂を注入する工程において、樹脂封止時は金型の
イジェクターピンの先端は第１の半導体チップの底面に
接触させ、イジェクターピンの支持により第１の半導体
チップを金型内の一定の高さにリフトアップした状態で
樹脂封止するものである。そのため封止金型の固定（ク
ランプ）時、第１の半導体チップの裏面がイジェクター
ピンに押しつけられることで樹脂注入中も第１の半導体
チップの位置精度が安定し、ダイパッドシフト、チップ
シフトを防止し、一定の封止樹脂厚を確保できるもので
ある。さらに、半導体チップ裏面に接触させるイジェク
ターピンの先端形状を複数の突起形状、Ｃ面形状、球面
形状とすることで、封止樹脂の外観上の樹脂バリなどを
最小限にすることができるものである。As described above, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, a plurality of semiconductor chips such as a first semiconductor chip and a second semiconductor chip are mounted on the front and back surfaces of the die pad. The lead frames electrically connected by thin metal wires are sandwiched between the upper and lower molds of the sealing mold,
In the step of injecting the sealing resin, the tip of the ejector pin of the mold is brought into contact with the bottom surface of the first semiconductor chip at the time of resin sealing, and the first semiconductor chip is fixed within the mold by the support of the ejector pin. Resin sealing is performed in a state of being lifted up to the height. Therefore, when the sealing mold is fixed (clamped), the back surface of the first semiconductor chip is pressed against the ejector pins, thereby stabilizing the position accuracy of the first semiconductor chip even during the resin injection and preventing die pad shift and chip shift. In addition, a certain sealing resin thickness can be secured. Further, by forming the tip shape of the ejector pin to be in contact with the back surface of the semiconductor chip into a plurality of protrusions, a C-plane shape, and a spherical shape, resin burrs on the appearance of the sealing resin can be minimized. is there.

【００４３】以上、本発明の半導体装置の製造方法につ
いて、各実施形態で示した通り、リードフレームに対す
る樹脂封止工程で下金型面に近接したダイパッド、また
は半導体チップの底面に対して、金型に設けた取り出し
時の突き上げ用のイジェクターピンを接触させた状態で
樹脂封止することにより、ダイパッド、または半導体チ
ップをリフトアップさせた状態で樹脂封止できるととも
に、樹脂注入中のダイパッド、半導体チップの位置精度
を安定にし、ダイパッドシフト、チップシフトを防止
し、一定の封止樹脂厚を確保できるものである。その結
果、２チップ以上の複数の半導体チップを信頼性よく積
層してリードフレームに搭載し、薄型の半導体装置を高
生産汎用性、高信頼性、高密度実装性のもとで製造でき
るものである。As described above, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, as described in each embodiment, the die pad close to the lower mold surface or the bottom surface of the semiconductor chip in the resin sealing step for the lead frame is The die pad or the semiconductor chip can be sealed with the resin lifted up by sealing the resin with the ejector pins for ejection at the time of removal provided in the mold, and the die pad and the semiconductor during resin injection It is intended to stabilize the positional accuracy of the chip, prevent die pad shift and chip shift, and secure a constant sealing resin thickness. As a result, two or more semiconductor chips can be stacked with high reliability on a lead frame and thin semiconductor devices can be manufactured with high production versatility, high reliability, and high-density mounting. is there.

【００４４】[0044]

【発明の効果】本発明の半導体装置の製造方法は、少な
くとも第１の半導体チップ，第２の半導体チップが搭載
され、第１，第２の金属細線で電気的に接続されたリー
ドフレームを封止金型の上金型，下金型で挟み、封止樹
脂を注入する樹脂封止工程において、下金型面に近接し
たダイパッド、または半導体チップの底面に対して、金
型に設けた取り出し時の突き上げ用のイジェクターピン
を接触させた状態で樹脂封止することにより、ダイパッ
ド、または半導体チップをリフトアップさせた状態で樹
脂封止できるとともに、樹脂注入中のダイパッド、半導
体チップの位置精度を安定にし、ダイパッドシフト、チ
ップシフトを防止し、一定の封止樹脂厚を確保できるも
のである。そのため複数の半導体チップを信頼性よく積
層してリードフレームに搭載し、薄型の半導体装置を高
生産汎用性、高信頼性、高密度実装性のもとで製造でき
るものである。According to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, at least a first semiconductor chip and a second semiconductor chip are mounted, and a lead frame electrically connected by first and second thin metal wires is sealed. In the resin sealing step of sandwiching the stopper mold between the upper mold and the lower mold and injecting the sealing resin, removing the die pad or the bottom surface of the semiconductor chip from the mold with respect to the bottom surface of the semiconductor chip in the resin sealing step. When the resin is sealed with the ejector pins for pushing up when the resin is in contact, the die pad or the semiconductor chip can be sealed with the resin lifted up, and the positional accuracy of the die pad and the semiconductor chip during resin injection can be improved. It can stabilize, prevent die pad shift and chip shift, and can secure a certain sealing resin thickness. Therefore, a plurality of semiconductor chips are stacked with high reliability and mounted on a lead frame, and a thin semiconductor device can be manufactured with high versatility, high reliability, and high-density mounting.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の一実施形態の半導体装置を示す断面図FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図２】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図FIG. 2 is a sectional view showing the method for manufacturing the semiconductor device according to the embodiment of the present invention;

【図３】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法の
封止金型のイジェクターピン部分を示す図FIG. 3 is a view showing an ejector pin portion of a sealing mold in a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図４】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法の
封止金型のイジェクターピン部分を示す図FIG. 4 is a diagram showing an ejector pin portion of a sealing mold in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図５】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法の
封止金型のイジェクターピン部分を示す図FIG. 5 is a view showing an ejector pin portion of a sealing mold in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図６】本発明の一実施形態の半導体装置を示す断面図FIG. 6 is a sectional view showing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図７】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図FIG. 7 is a sectional view showing the method of manufacturing the semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図８】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法の
封止金型のイジェクターピン部分を示す図FIG. 8 is a view showing an ejector pin portion of a sealing mold in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図９】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法の
封止金型のイジェクターピン部分を示す図FIG. 9 is a view showing an ejector pin portion of a sealing mold in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図１０】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法
の封止金型のイジェクターピン部分を示す図FIG. 10 is a diagram showing an ejector pin portion of a sealing mold in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図１１】従来の半導体装置を示す断面図FIG. 11 is a sectional view showing a conventional semiconductor device.

【図１２】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図FIG. 12 is a sectional view showing a conventional method for manufacturing a semiconductor device.

【図１３】従来の半導体装置の製造方法の封止金型のイ
ジェクターピン部分を示す図FIG. 13 is a view showing an ejector pin portion of a sealing mold in a conventional method for manufacturing a semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ リードフレーム １ａ インナーリード部 １ｂ アウターリード部 ２ ダイパッド ３ 半導体チップ ３ｆ 第１の半導体チップ ３ｓ 第２の半導体チップ ４ 接着剤 ５ 金属細線 ５ｆ 第１の金属細線 ５ｓ 第２の金属細線 ６ 封止樹脂 ７ 上金型 ８ 下金型 ９ イジェクターピン １０ 熱可塑性シート １１ イジェクターピン １１ａ 突起部 １２ イジェクターピン １２ａ Ｃ面部 １３ イジェクターピン １３ａ 球面部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 1a Inner lead part 1b Outer lead part 2 Die pad 3 Semiconductor chip 3f First semiconductor chip 3s Second semiconductor chip 4 Adhesive 5 Thin metal wire 5f First thin metal wire 5s Second thin metal wire 6 Sealing resin 7 Upper die 8 Lower die 9 Ejector pin 10 Thermoplastic sheet 11 Ejector pin 11a Projection 12 Ejector pin 12a C surface part 13 Ejector pin 13a Spherical part

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 ダイパッド上に少なくとも第１の半導体
チップ，第２の半導体チップが搭載され、前記第１の半
導体チップ，第２の半導体チップと第１，第２の金属細
線で各々電気的に接続されたリードフレームを封止金型
の上金型，下金型で挟み、封止樹脂を注入する工程にお
いて、樹脂封止時は金型のイジェクターピンの先端はリ
ードフレームの前記ダイパッド裏面に接触させ、前記イ
ジェクターピンの支持により前記ダイパッドを金型内の
一定の高さにリフトアップするとともに前記ダイパッド
の位置精度を安定にしてダイパッドシフトを防止した状
態で樹脂封止することを特徴とする半導体装置の製造方
法。At least a first semiconductor chip and a second semiconductor chip are mounted on a die pad, and are electrically connected to the first semiconductor chip, the second semiconductor chip, and first and second thin metal wires, respectively. In the step of sandwiching the connected lead frame between the upper mold and the lower mold of the sealing mold and injecting the sealing resin, the tip of the ejector pin of the mold is attached to the back surface of the die pad of the lead frame during resin sealing. The die pad is lifted up to a certain height in a mold by contacting and supporting the ejector pin, and the position of the die pad is stabilized and resin sealing is performed in a state where die pad shift is prevented. A method for manufacturing a semiconductor device. 【請求項２】 ダイパッドの表裏面に少なくとも第１の
半導体チップ，第２の半導体チップが搭載され、前記第
１の半導体チップ，第２の半導体チップと第１，第２の
金属細線で各々電気的に接続されたリードフレームを封
止金型の上金型，下金型で挟み、封止樹脂を注入する工
程において、樹脂封止時は金型のイジェクターピンの先
端は前記第１の半導体チップ底面に接触させ、前記イジ
ェクターピンの支持により前記第１の半導体チップを金
型内の一定の高さにリフトアップするとともに前記第１
の半導体チップの位置精度を安定にしてチップシフトを
防止した状態で樹脂封止することを特徴とする半導体装
置の製造方法。2. At least a first semiconductor chip and a second semiconductor chip are mounted on the front and back surfaces of a die pad. Each of the first semiconductor chip, the second semiconductor chip and the first and second thin metal wires are electrically connected to each other. In the step of sandwiching the electrically connected lead frame between the upper mold and the lower mold of the sealing mold and injecting the sealing resin, the tip of the ejector pin of the mold is sealed with the first semiconductor during resin sealing. The first semiconductor chip is lifted up to a certain height in a mold by supporting the ejector pins while contacting the bottom surface of the chip.
A method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that the semiconductor chip is sealed with a resin in a state where the chip shift is prevented by stabilizing the positional accuracy of the semiconductor chip. 【請求項３】 複数の半円状の突起形状を有した先端部
を有したイジェクターピンを用いることを特徴とする請
求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein an ejector pin having a tip having a plurality of semicircular protrusions is used. 【請求項４】 先端が平坦なテーパー形状を有した先端
部を有したイジェクターピンを用いることを特徴とする
請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方
法。4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein an ejector pin having a tip portion having a flat tapered tip is used. 【請求項５】 半円状の球面形状を有した先端部を有し
たイジェクターピンを用いることを特徴とする請求項１
または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。5. An ejector pin having an end portion having a semicircular spherical shape is used.
A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7745945B2 (en) 2005-10-14 2010-06-29 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. Semiconductor package with position member
JP2013125834A (en) * 2011-12-14 2013-06-24 Apic Yamada Corp Mold, semiconductor device and resin molding
JP2019125796A (en) * 2019-02-27 2019-07-25 ラピスセミコンダクタ株式会社 Method of manufacturing semiconductor device
US10622944B2 (en) 2012-04-27 2020-04-14 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device and measurement device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7745945B2 (en) 2005-10-14 2010-06-29 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. Semiconductor package with position member
US7919361B2 (en) 2005-10-14 2011-04-05 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. Semiconductor package with position member
JP2013125834A (en) * 2011-12-14 2013-06-24 Apic Yamada Corp Mold, semiconductor device and resin molding
US10622944B2 (en) 2012-04-27 2020-04-14 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device and measurement device
JP2019125796A (en) * 2019-02-27 2019-07-25 ラピスセミコンダクタ株式会社 Method of manufacturing semiconductor device

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