JP2002050610A - Patterning method of organic thin film - Google Patents
Patterning method of organic thin filmInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機薄膜のパター
ニング方法に係り、特に導電部と絶縁部とが設けてある
ワークの表面を覆って設けた有機薄膜を、絶縁部にのみ
残存させるのに好適な有機薄膜のパターニング方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for patterning an organic thin film, and more particularly to a method for patterning an organic thin film over a surface of a work on which a conductive portion and an insulating portion are provided. The present invention relates to a suitable organic thin film patterning method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】表面に導電部と絶縁部とが設けられたワ
ークの絶縁部のみに薄膜を形成したい場合がある。従来
は、このような絶縁部のみに薄膜を形成したい場合、一
般に図３のようにして行なっていた。2. Description of the Related Art In some cases, it is desired to form a thin film only on an insulating portion of a work having a conductive portion and an insulating portion provided on the surface. Conventionally, when it is desired to form a thin film only on such an insulating portion, it is generally performed as shown in FIG.
【０００３】まず、図３（１）に示したように、絶縁性
基板１０の上面に導電性部材１２を形成したのち、絶縁
性基板１０の上面全体に有機薄膜１４を形成する。First, as shown in FIG. 3A, after a conductive member 12 is formed on an upper surface of an insulating substrate 10, an organic thin film 14 is formed on the entire upper surface of the insulating substrate 10.
【０００４】次に、有機薄膜１４の上にフォトレジスト
を塗布し、これをフォトリソグラフィー技術により露
光、現像してパターニングし、同図（２）に示したよう
に、導電性部材１２と対応した位置に開口１６を有する
レジスト膜１８を形成する。その後、レジスト膜１８を
マスクにして有機薄膜１４をエッチングし、図３（３）
に示したように、導電性部材１２上の有機薄膜１４を除
去する。さらに、同図（４）に示したように、残存して
いるレジスト膜１８を溶媒によって溶解したり、真空酸
素プラズマを用いたアッシング処理などによって除去す
る。Next, a photoresist is applied on the organic thin film 14, which is exposed and developed by photolithography to be patterned. As shown in FIG. A resist film 18 having an opening 16 at a position is formed. Thereafter, the organic thin film 14 is etched using the resist film 18 as a mask, and FIG.
As shown in (2), the organic thin film 14 on the conductive member 12 is removed. Further, as shown in FIG. 4D, the remaining resist film 18 is dissolved by a solvent or removed by ashing using vacuum oxygen plasma.
【０００５】これにより、有機薄膜１４はパターニング
され、導電性部材１２の表面には有機薄膜１４が存在せ
ず、絶縁性基板１０の表面にのみ選択的に有機薄膜１４
を形成することができる。As a result, the organic thin film 14 is patterned, and the organic thin film 14 does not exist on the surface of the conductive member 12, but is selectively formed only on the surface of the insulating substrate 10.
Can be formed.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
は、導電性部材１２を設けた絶縁性基板１０の絶縁部
（絶縁性基板表面）にのみ有機薄膜１４を設ける場合、
フォトレジストを塗布してこれをフォトリソグラフィー
技術によって露光、現像してレジスト膜１８を形成し、
これをマスクにして有機薄膜１４をパターニングする必
要がある。そして、フォトレジストを露光する場合、ス
テッパと称する高価な装置を必要とするばかりでなく、
レチクルと呼ばれる拡大マスクを製作しなければならな
い。また、従来の薄膜のパターニング方法においては、
有機薄膜１４をエッチングしてパターニングしたのち
に、絶縁性基板１０の上に残っているレジスト膜１８を
アッシングなどの工程によって除去する必要があり、有
機薄膜のパターン形成工程が複雑となる。このことは、
微細なパターンを形成する場合ばかりでなく、それほど
微細でない比較的粗いパターンを形成する場合にも同様
である。このため、有機薄膜をパターニングするのに多
くの時間と費用とを必要とする。As described above, conventionally, when the organic thin film 14 is provided only on the insulating portion (the surface of the insulating substrate) of the insulating substrate 10 on which the conductive member 12 is provided,
A photoresist is applied, and this is exposed and developed by a photolithography technique to form a resist film 18,
It is necessary to pattern the organic thin film 14 using this as a mask. Exposure of the photoresist not only requires an expensive device called a stepper, but also
An enlarged mask called a reticle must be made. In the conventional thin film patterning method,
After the organic thin film 14 is etched and patterned, the resist film 18 remaining on the insulating substrate 10 needs to be removed by a process such as ashing, which complicates the organic thin film pattern forming process. This means
The same applies not only when forming a fine pattern, but also when forming a relatively coarse pattern that is not very fine. Therefore, much time and cost are required to pattern the organic thin film.
【０００７】本発明は、前記従来技術の欠点を解消する
ためになされたもので、導電部と絶縁部とが設けられて
いる場合に、フォトリソグラフィー技術を用いずに絶縁
部のみに選択的に有機薄膜を残存させることを目的とし
ている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art, and when a conductive portion and an insulating portion are provided, selectively using only the insulating portion without using photolithography technology. The purpose is to leave the organic thin film.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る有機薄膜のパターニング方法は、ワ
ークの表面に設けられた導電部と絶縁部とを覆って有機
薄膜を形成したのち、前記導電部を一方の電極として電
気分解し、導電部表面の前記有機薄膜を除去して前記絶
縁部の表面に前記有機薄膜を残存させることを特徴とし
ている。In order to achieve the above object, a method for patterning an organic thin film according to the present invention comprises forming an organic thin film over a conductive portion and an insulating portion provided on the surface of a work. Then, the electrolysis is performed using the conductive portion as one electrode, the organic thin film on the surface of the conductive portion is removed, and the organic thin film remains on the surface of the insulating portion.
【０００９】よく知られているように、例えば塩化ナト
リウムや水酸化ナトリウムなどの電解質の薄い水溶液を
電解液とする電気分解においては、陰極において水素ガ
スが発生し、陽極において酸素ガスが発生して水が分解
される。したがって、導電部と絶縁部とを覆って有機薄
膜を設けたワークの導電部を一方の電極として電気分解
を行なうと、導電部の表面に水素ガスや酸素ガスの気泡
が発生し、気泡の物理的な力によって導電部に付着して
いる有機膜を剥離させる。As is well known, in an electrolysis using a thin aqueous solution of an electrolyte such as sodium chloride or sodium hydroxide as an electrolytic solution, hydrogen gas is generated at a cathode and oxygen gas is generated at an anode. Water is decomposed. Therefore, when electrolysis is performed using the conductive part of the work provided with the organic thin film covering the conductive part and the insulating part as one electrode, bubbles of hydrogen gas or oxygen gas are generated on the surface of the conductive part, and the physical The organic film adhering to the conductive portion is peeled off by a mechanical force.
【００１０】したがって、有機薄膜を設けたワークの導
電部を一方の電極として電気分解することにより、フォ
トリソグラフィー技術を用いなくとも、導電部表面の有
機薄膜を除去して絶縁部のみに有機薄膜を残存させるパ
ターニングを行なうことができ、有機薄膜のパターニン
グコストを低減することができるとともに、工程が簡略
化されてパターニングに要する時間を短縮することがで
きる。Therefore, by electrolyzing the conductive portion of the work provided with the organic thin film as one electrode, the organic thin film on the conductive portion surface can be removed and the organic thin film can be formed only on the insulating portion without using photolithography technology. The remaining patterning can be performed, the cost of patterning the organic thin film can be reduced, and the time required for patterning can be reduced by simplifying the process.
【００１１】導電部は、陰極にすることが望ましい。電
気分解における電極反応は、一般に陽極において金属の
溶解、酸素の発生などの酸化反応を生ずるため、導電部
を陽極にすると、導電部に悪影響を与えるおそれがあ
る。そして、有機薄膜は、フッ化炭素樹脂（フッ素樹
脂）などの有機樹脂膜であってよい。フッ素樹脂などの
有機樹脂膜は、レジスト膜を形成するのが容易でない
が、電気分解によってパターニングする場合、レジスト
膜を使用しないために容易にパターニングをすることが
できる。また、導電部に対向する他方の電極は、白金や
炭素などの不活性電極であることが望ましい。これらの
不活性電極は、陽極に使用したとしても電解液中にほと
んど溶け出すことがなく、ワークなどに影響を与えるこ
とがない。It is desirable that the conductive portion be a cathode. The electrode reaction in the electrolysis generally causes an oxidation reaction such as dissolution of metal and generation of oxygen at the anode. Therefore, when the conductive portion is used as the anode, the conductive portion may be adversely affected. The organic thin film may be an organic resin film such as a fluorocarbon resin (fluororesin). It is not easy to form a resist film on an organic resin film such as a fluororesin, but when patterning is performed by electrolysis, patterning can be easily performed because a resist film is not used. Further, the other electrode facing the conductive portion is desirably an inert electrode such as platinum or carbon. Even if these inert electrodes are used for the anode, they hardly dissolve in the electrolytic solution, and do not affect the work or the like.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】本発明に係る有機薄膜のパターニ
ング方法の好ましい実施の形態を、添付図面に従って詳
細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the method for patterning an organic thin film according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
【００１３】図１は、本発明の実施の形態に係る有機薄
膜のパターニング方法の説明図である。図１において、
電解槽２０には、電解液２２が貯溜してある。電解液２
２は、実施形態の場合、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）の
薄い水溶液であって、濃度が０．０１〜数ｍｏｌ／Ｌに
調整してある。しかし、電解液２２は、水酸化ナトリウ
ム（ＮａＯＨ）や水酸化カリウム（ＫＯＨ）などの水溶
液、硫酸塩や硝酸塩などの各種電解質の水溶液を用いる
ことができる。FIG. 1 is an explanatory diagram of a method for patterning an organic thin film according to an embodiment of the present invention. In FIG.
An electrolytic solution 22 is stored in the electrolytic cell 20. Electrolyte solution 2
Reference numeral 2 denotes a thin aqueous solution of sodium chloride (NaCl) in the embodiment, the concentration of which is adjusted to 0.01 to several mol / L. However, as the electrolytic solution 22, an aqueous solution of sodium hydroxide (NaOH) or potassium hydroxide (KOH), or an aqueous solution of various electrolytes such as sulfate or nitrate can be used.
【００１４】また、電解槽２０の内部には、ワークとな
るガラス基板２４が配置してある。ガラス基板２４は、
片側面に導電部となる透明電極２６がＩＴＯ薄膜などに
よって形成してある。そして、ガラス基板２４は、上端
部が電解液２２から露出させてあり、電解液２２から露
出した部分の透明電極２６に直流電源２８のマイナス側
が接続してある。さらに、ガラス基板２４の電解液２２
に浸された部分には、絶縁部となるガラス基板の露出部
と透明電極２６とを覆って有機薄膜３０が設けてある。
有機薄膜３０は、実施形態の場合、撥液性を有するフッ
化炭素樹脂（フッ素樹脂）からなっている。A glass substrate 24 serving as a work is disposed inside the electrolytic cell 20. The glass substrate 24
A transparent electrode 26 serving as a conductive portion is formed on one side surface by an ITO thin film or the like. The upper end of the glass substrate 24 is exposed from the electrolytic solution 22, and the negative side of the DC power supply 28 is connected to the transparent electrode 26 at the portion exposed from the electrolytic solution 22. Further, the electrolytic solution 22 on the glass substrate 24
An organic thin film 30 is provided in a portion immersed in the substrate so as to cover an exposed portion of the glass substrate serving as an insulating portion and the transparent electrode 26.
In the case of the embodiment, the organic thin film 30 is made of a liquid-repellent fluorocarbon resin (fluororesin).
【００１５】また、電解液２２には、透明電極２６の対
向電極として白金や炭素からなる不活性電極３２が配置
してある。この不活性電極３２は、上端部が電解液から
露出していて、この露出部が直流電源２８のプラス側に
接続してある。したがって、透明電極２６と不活性電極
３２との間に直流電圧が印加され、電解液２２の電気分
解が行われる。In addition, an inert electrode 32 made of platinum or carbon is disposed in the electrolytic solution 22 as a counter electrode of the transparent electrode 26. The inactive electrode 32 has an upper end exposed from the electrolytic solution, and the exposed part is connected to the positive side of the DC power supply 28. Therefore, a DC voltage is applied between the transparent electrode 26 and the inactive electrode 32, and the electrolytic solution 22 is electrolyzed.
【００１６】この電気分解を利用した有機薄膜３０のパ
ターニングは、次のようにして行われる。まず、図２
（１）に示したように、透明電極２６を設けたガラス基
板２４の表面に、絶縁部となるガラス基板２４の基板露
出部３４と導電部となる透明電極２６とを覆って撥液性
有機薄膜３０を成膜する。この撥液性の有機薄膜３０
は、実施形態の場合、フッ化炭素樹脂から形成してあっ
て、例えばＣ8 Ｆ18などの直鎖状パーフルオロカーボン
のガスをプラズマ重合して形成している。また、有機薄
膜３０を形成する際には、ガラス基板２４の一端部に図
示しないフィルムなどを配置し、透明電極３０の一端部
が有機薄膜３０によって覆われないようにしており、透
明電極２６の有機薄膜３０に覆われていない部分が直流
電源２８に接続される。The patterning of the organic thin film 30 using the electrolysis is performed as follows. First, FIG.
As shown in (1), a liquid-repellent organic material is formed on the surface of the glass substrate 24 on which the transparent electrode 26 is provided by covering the substrate exposed portion 34 of the glass substrate 24 as the insulating portion and the transparent electrode 26 as the conductive portion. A thin film 30 is formed. This liquid-repellent organic thin film 30
Is formed from a fluorocarbon resin in the case of the embodiment, and is formed by plasma-polymerizing a gas of a linear perfluorocarbon such as C 8 F 18 . When forming the organic thin film 30, a film or the like (not shown) is disposed at one end of the glass substrate 24 so that one end of the transparent electrode 30 is not covered with the organic thin film 30. The portion not covered by the organic thin film 30 is connected to the DC power supply 28.
【００１７】次に、図１に示したように、０．０１〜数
ｍｏｌ／Ｌの濃度に調整してある電解液（塩化ナトリウ
ム水溶液）２２に浸し、プラス側が不活性電極３２に接
続してある直流電源２８のマイナス側に透明電極２６を
接続する。そして、不活性電極３２と透明電極２６との
間に３〜２０Ｖの直流電圧が印加して水の電気分解を行
なう。Next, as shown in FIG. 1, it is immersed in an electrolytic solution (aqueous sodium chloride solution) 22 adjusted to a concentration of 0.01 to several mol / L, and the plus side is connected to the inert electrode 32. The transparent electrode 26 is connected to the negative side of a certain DC power supply 28. Then, a DC voltage of 3 to 20 V is applied between the inactive electrode 32 and the transparent electrode 26 to perform electrolysis of water.
【００１８】すなわち、陽極である不活性電極３２の表
面においては、That is, on the surface of the inert electrode 32 which is the anode,
【００１９】[0019]
【化１】 ような反応を生じ、２個の水分子が分解されて１個の酸
素分子（Ｏ2 ）と４個の水素イオン（Ｈ+ ）が生成され
るとともに、４個の電子ｅが陽極である不活性電極３２
に与えられる。そして、生成された酸素分子は、気泡と
なって不活性電極３２から離脱する。また、水素イオン
は、電解液２２中を拡散する。Embedded image Such a reaction occurs, whereby two water molecules are decomposed to generate one oxygen molecule (O 2 ) and four hydrogen ions (H + ), and the four electrons e serve as an anode. Active electrode 32
Given to. Then, the generated oxygen molecules are separated from the inert electrode 32 as bubbles. Further, the hydrogen ions diffuse in the electrolytic solution 22.
【００２０】一方、透明電極２６の表面においては、有
機薄膜３０を浸透してきた水分子が陰極である透明電極
２６から電子ｅを得、On the other hand, on the surface of the transparent electrode 26, water molecules permeating the organic thin film 30 obtain electrons e from the transparent electrode 26 serving as a cathode,
【００２１】[0021]
【化２】 の反応を生じ、２個の水分子から１個の水素分子（Ｈ
2 ）と２個の水酸イオン（ＯＨ- ）が生成される。水酸
イオンは、電解液２２中を拡散して陽極において生じた
水素イオンと結合し、水分子となる。Embedded image And the reaction of two water molecules into one hydrogen molecule (H
2 ) and two hydroxyl ions (OH − ) are generated. Hydroxide ions diffuse in the electrolytic solution 22 and combine with hydrogen ions generated at the anode to become water molecules.
【００２２】透明電極２６の表面において生成された水
素分子は、図２（２）に示したように、水素ガスの気泡
３６となる。そして、透明電極２６の表面に堆積された
有機薄膜３０は、水素ガスの気泡３６が成長するのに伴
って、気泡３６の物理的な力によって透明電極２６から
剥離される。このため、水の電気分解を継続することに
より、図２（２）に示したように、導電部である透明電
極２６の表面の有機薄膜３０が除去され、絶縁部である
基板露出部３４にのみ有機薄膜３０が残存し、有機薄膜
３０がパターニングされる。The hydrogen molecules generated on the surface of the transparent electrode 26 become hydrogen gas bubbles 36 as shown in FIG. The organic thin film 30 deposited on the surface of the transparent electrode 26 is separated from the transparent electrode 26 by the physical force of the bubble 36 as the bubble 36 of the hydrogen gas grows. For this reason, by continuing the electrolysis of water, as shown in FIG. 2B, the organic thin film 30 on the surface of the transparent electrode 26 as the conductive portion is removed, and the substrate is exposed to the substrate exposed portion 34 as the insulating portion. Only the organic thin film 30 remains, and the organic thin film 30 is patterned.
【００２３】したがって、実施形態においては、高価な
ステッパなどを用いるフォトリソグラフィー技術を使用
せずに有機薄膜３０のパターニングを行なうことがで
き、有機薄膜３０のパターニング工程を簡略化すること
ができて、有機薄膜３０のパターニングを安価に短時間
で行なうことが可能となる。しかも、フォトレジスト膜
を形成することが困難な撥液性の有機薄膜３０を容易に
パターニングすることができる。Therefore, in the embodiment, the organic thin film 30 can be patterned without using a photolithography technique using an expensive stepper or the like, and the patterning process of the organic thin film 30 can be simplified. The organic thin film 30 can be patterned inexpensively in a short time. In addition, it is possible to easily pattern the lyophobic organic thin film 30 in which it is difficult to form a photoresist film.
【００２４】なお、前記実施の形態においては、有機薄
膜３０がフッ素樹脂である場合について説明したが、有
機薄膜はポリイミドなど他の樹脂膜などであってもよ
い。また、前記実施の形態においては、導電部である透
明電極２６を直流電源２８のマイナス側に接続した場合
について説明したが、ガラス基板などの基板に形成した
導電部と電解液の種類によっては、導電部をプラス側に
接続してもよい。In the above embodiment, the case where the organic thin film 30 is made of fluororesin has been described, but the organic thin film may be another resin film such as polyimide. Further, in the above-described embodiment, the case where the transparent electrode 26 as the conductive portion is connected to the minus side of the DC power supply 28 has been described. However, depending on the type of the conductive portion and the electrolytic solution formed on a substrate such as a glass substrate, The conductive portion may be connected to the positive side.
【００２５】[0025]
【実施例】ＩＴＯ薄膜からなる複数の透明電極２６を設
けたガラス基板２４に、ガラス基板の露出面と透明電極
２６とを覆って有機薄膜であるフッ化炭素樹脂（フッ素
樹脂）薄膜を厚さ約１００ｎｍ堆積した。複数の透明電
極２６は、幅が約１ｍｍ、間隔が約１ｍｍに形成してあ
る。さらに、フッ化炭素樹脂を設けたガラス基板２４
を、温度６０℃、濃度２ｍｏｌ／Ｌに調整してある塩化
ナトリウム水溶液に浸漬し、各透明電極を並列に直流電
源２８のマイナス側に接続した。また、直流電源２８の
プラス側は、白金からなる不活性電極３２に接続した。
そして、透明電極２６と不活性電極３２との間に２０Ｖ
の直流電圧を印加して電気分解を行なったところ、約３
分間で透明電極２６の表面に堆積したフッ化炭素樹脂薄
膜を除去でき、フッ化炭素樹脂薄膜のパターニングをす
ることができた。EXAMPLE On a glass substrate 24 provided with a plurality of transparent electrodes 26 made of an ITO thin film, a fluorocarbon resin (fluorine resin) thin film as an organic thin film is formed so as to cover the exposed surface of the glass substrate and the transparent electrode 26. About 100 nm was deposited. The plurality of transparent electrodes 26 are formed to have a width of about 1 mm and an interval of about 1 mm. Further, a glass substrate 24 provided with a fluorocarbon resin
Was immersed in an aqueous sodium chloride solution adjusted to a temperature of 60 ° C. and a concentration of 2 mol / L, and the transparent electrodes were connected in parallel to the minus side of the DC power supply 28. The positive side of the DC power supply 28 was connected to an inert electrode 32 made of platinum.
A voltage of 20 V is applied between the transparent electrode 26 and the inactive electrode 32.
When the electrolysis was performed by applying a DC voltage of
Within minutes, the fluorocarbon resin thin film deposited on the surface of the transparent electrode 26 could be removed, and the fluorocarbon resin thin film could be patterned.
【００２６】なお、前記と同様の透明電極２６を有する
ガラス基板２４の表面に、厚さ約１００ｎｍのフッ化炭
素樹脂薄膜を形成し、温度６０℃、濃度２ｍｏｌ／Ｌの
水酸化ナトリウム水溶液を用い、透明電極２６を陰極と
して電気分解を行なったところ、約３分間でフッ化炭素
樹脂薄膜のパターニングをすることができた。On the surface of a glass substrate 24 having a transparent electrode 26 similar to the above, a carbon fluoride resin thin film having a thickness of about 100 nm is formed, and an aqueous solution of sodium hydroxide having a temperature of 60 ° C. and a concentration of 2 mol / L is used. When electrolysis was performed using the transparent electrode 26 as a cathode, the fluorocarbon resin thin film could be patterned in about 3 minutes.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、導電部と絶縁部とを覆って有機薄膜を設けたワーク
の導電部を一方の電極として電気分解を行なうと、導電
部の表面に水素ガスや酸素ガスの泡が発生し、この気泡
の物理的な力が導電部に堆積している有機膜を剥離して
除去するため、有機薄膜をパターニングして絶縁部のみ
に有機薄膜を残存させることができる。すなわち、フォ
トリソグラフィー技術を用いずに有機薄膜のパターニン
グが行なえ、有機薄膜のパターニングのコストを低減で
き、パターニングに要する時間を短縮することができ
る。As described above, according to the present invention, when the electrolysis is performed using the conductive part of the work provided with the organic thin film covering the conductive part and the insulating part as one electrode, the conductive part is formed. Hydrogen gas or oxygen gas bubbles are generated on the surface, and the physical force of these bubbles peels off and removes the organic film deposited on the conductive part. Can be left. That is, the patterning of the organic thin film can be performed without using the photolithography technology, the cost of patterning the organic thin film can be reduced, and the time required for patterning can be shortened.
【図１】本発明の実施の形態に係る有機薄膜のパターニ
ング方法を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a method for patterning an organic thin film according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態による有機薄膜のパターニ
ング方法の作用を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an operation of a method of patterning an organic thin film according to an embodiment of the present invention.
【図３】従来の有機薄膜のパターニング方法を説明する
図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a conventional method of patterning an organic thin film.
２０………電解槽 ２２………電解液 ２４………ワーク（ガラス基板） ２６………導電部（透明電極） ２８………直流電源 ３０………有機薄膜 ３２………不活性電極 ３４………絶縁部（基板露出部） 20 electrolytic bath 22 electrolytic solution 24 work (glass substrate) 26 conductive part (transparent electrode) 28 DC power supply 30 organic thin film 32 inert electrode 34 ........ Insulation part (substrate exposed part)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮川 拓也 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB18 BA06 CA01 CB01 FA01 5F043 AA37 BB25 DD14 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Takuya Miyagawa 3-3-5 Yamato, Suwa City, Nagano Prefecture Seiko Epson Corporation F term (reference) 3K007 AB18 BA06 CA01 CB01 FA01 5F043 AA37 BB25 DD14
Claims (4)
部とを覆って有機薄膜を形成したのち、前記導電部を一
方の電極として電気分解し、導電部表面の前記有機薄膜
を除去して前記絶縁部の表面に前記有機薄膜を残存させ
ることを特徴とする有機薄膜のパターニング方法。After forming an organic thin film covering a conductive portion and an insulating portion provided on the surface of a work, electrolysis is performed using the conductive portion as one electrode, and the organic thin film on the conductive portion surface is removed. Leaving the organic thin film on the surface of the insulating part.
にすることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜のパ
ターニング方法。2. The method according to claim 1, wherein the conductive part is used as a cathode during the electrolysis.
ことを特徴とする請求項１または２に記載の有機薄膜の
パターニング方法。3. The method according to claim 1, wherein the organic thin film is a liquid-repellent resin film.
活性電極であることを特徴とする請求項１ないし３のい
ずれかに記載の有機薄膜のパターニング方法。4. The method according to claim 1, wherein the other electrode facing the conductive portion is an inactive electrode.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|---|
| WO2003048864A1 (en) * | 2001-12-06 | 2003-06-12 | Seiko Epson Corporation | Mask forming method and removing method, and semi-conductor device, electric circuit, display module, color filter and light emitting element produced by the techniques |
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2000
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003048864A1 (en) * | 2001-12-06 | 2003-06-12 | Seiko Epson Corporation | Mask forming method and removing method, and semi-conductor device, electric circuit, display module, color filter and light emitting element produced by the techniques |
| US7148148B2 (en) | 2001-12-06 | 2006-12-12 | Seiko Epson Corporation | Mask forming and removing method, and semiconductor device, an electric circuit, a display module, a color filter and an emissive device manufactured by the same method |
| KR100801264B1 (en) | 2006-10-18 | 2008-02-04 | 한국산업기술대학교산학협력단 | Electrical lifetime improvement of al doped zno thin films by electrolysis process |
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