JP2002050597A - Apparatus grinding rear side of substrate - Google Patents
Apparatus grinding rear side of substrateInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、１台のウエハ（基
板）裏面研削装置を用いて厚みの異なったウエハを研削
加工する際、厚いウエハと薄いウエハが別々の室内のウ
エハアンロ−ディングカセットに収納されることを可能
とした裏面研削装置に関する。本発明の裏面研削装置
は、第１室内の研削機構で研削加工されたウエハを第２
室内に配置されたエッチング機構や研磨機構に搬入させ
るにも有効である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of grinding wafers having different thicknesses by using a single wafer (substrate) back surface grinding apparatus. The present invention relates to a backside grinding device capable of being stored. The backside grinding apparatus of the present invention is configured to convert the wafer ground by the grinding mechanism in the first chamber into a second wafer.
It is also effective to carry into an etching mechanism or a polishing mechanism arranged in the room.
【０００２】[0002]
【従来の技術】デバイスウエハの裏面研削装置は、一般
にウエハロ−ディングカセット、搬送ロボット、ウエハ
チャック機構、研削砥石機構、ウエハ洗浄機構およびウ
エハアンロ−ディングカセットを備える。また、ウエハ
の研削時間を短縮するために複数のスピンドル軸に軸承
された複数の砥石を用い、粗研削、仕上研削をインデッ
クステ−ブルに割り振って研削装置内のウエハのスル−
プット時間を短縮させる裏面研削装置も提案されている
（特開平１１−３０７４８９号）。2. Description of the Related Art A device wafer backside grinding apparatus generally includes a wafer loading cassette, a transfer robot, a wafer chuck mechanism, a grinding wheel mechanism, a wafer cleaning mechanism, and a wafer unloading cassette. Also, in order to reduce the grinding time of the wafer, a plurality of grindstones supported on a plurality of spindle shafts are used.
A backside grinding device for shortening the put time has also been proposed (JP-A-11-307489).
【０００３】デバイスウエハの裏面研削装置は、同径の
ウエハであっても異なった厚みのウエハを得るために裏
面研削加工、例えば厚み７００μｍのデバイスウエハを
２００μｍのＲＡＭ用ウエハと１００μｍのフラッシュ
メモリ−用ウエハに裏面研削加工することがある。ま
た、エッチング機構を付属させた裏面研削装置（特願平
１１−１８７９９９号）を用い、裏面研削、エッチング
して３０〜８０μｍのスマ−トカ−ド用ウエハを製造す
ることもあれば、エッチング機構は利用せず、裏面研削
加工のみ行い、厚み２５０μｍのＲＡＭ用ウエハのみを
製造することもある。更に、径の異なるデバイスウエハ
を裏面研削することも行われる。[0003] A device wafer back surface grinding apparatus is used to grind a back surface, for example, a device wafer having a thickness of 700 µm into a 200 µm RAM wafer and a 100 µm flash memory in order to obtain wafers having different thicknesses even if the wafers have the same diameter. Back grinding may be applied to the wafer for use. Also, using a backside grinding device (Japanese Patent Application No. 11-187999) to which an etching mechanism is attached, a backside grinding and etching may be performed to produce a smart card wafer of 30 to 80 μm. In some cases, only backside grinding is performed, and only a 250 μm-thick RAM wafer is manufactured. Further, back grinding of device wafers having different diameters is also performed.
【０００４】裏面研削された厚みが１２５〜５００μｍ
のＲＡＭ用の肉厚デバイスウエハのアンロ−ディングカ
セットは図２に示すようにカセット側壁に棚部を設けた
カセット１２０でよいが、厚みが３０〜１２０μｍの薄
厚で可撓性のメモリ−フラッシュやスマ−トカ−ド用の
デバイスウエハのアンロ−ディングカセットは、図２に
示すカセットではウエハ中央が撓んで棚部１２０ａより
滑り落ちるため、図１６のａに示す立側壁爪４組よりな
る略円筒状側壁２４ａと底部２４ｂを有する容器２４内
にウエハｗを無塵紙ｐと交互に積み重ねて収納する（図
１６ｃ参照）上部開放型カセット２４が用いられ、所定
枚数のウエハが収納されると図１６ｂに示す蓋２４ｃを
被せ、室外へ搬送される。図１６ｃ中、２４ｄはクッシ
ョン材、２４ｅはデ−タフロッピィである。かかる薄い
ウエハ搬送カセットは例えばアキレス株式会社よりプロ
トスキャリアの商品名で市販されている。The back-ground thickness is 125 to 500 μm
As shown in FIG. 2, the unloading cassette for the thick device wafer for RAM may be a cassette 120 provided with a shelf on the side wall of the cassette, and a thin and flexible memory flash having a thickness of 30 to 120 .mu.m or the like. In the unloading cassette for a smart card device wafer, the cassette shown in FIG. 2 has a substantially cylindrical shape comprising four sets of upright side wall claws shown in FIG. An open-top cassette 24 is used in which a wafer w is alternately stacked and stored with dust-free paper p in a container 24 having a side wall 24a and a bottom portion 24b (see FIG. 16C). When a predetermined number of wafers are stored, FIG. It is transported outside the room with the cover 24c shown. In FIG. 16c, 24d is a cushion material, and 24e is a data floppy. Such a thin wafer transfer cassette is commercially available, for example, from Achilles Corporation under the trade name of Protos Carrier.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】一般にウエハロ−ディ
ングカセット１２０には２５枚のデバイスウエハが収納
されている。裏面研削前のデバイスウエハ１枚の値段は
５００万円前後している。それ故、カセット１基が収納
しているデバイスウエハ２５枚の総額は１億２５００万
円前後となる。よって、作業者が誤ってウエハの研削量
を制御装置に入力し、裏面研削が実施され、別のウエハ
アンロ−ディングカセットに収納され、これに気付かず
に次ぎの加工工程（例えばマウンタ、ダイシング）に搬
送し、この加工が施され、作業者が厚みの異なるデバイ
スウエハを加工してしまった誤りを遅まきながら気付い
たとするとカセット１基分でも１億２５００万円前後の
損害となる。Generally, the wafer loading cassette 120 contains 25 device wafers. The price of one device wafer before back grinding is about 5 million yen. Therefore, the total amount of 25 device wafers stored in one cassette is about 125 million yen. Therefore, the operator erroneously inputs the grinding amount of the wafer to the control device, the back surface grinding is performed, the wafer is loaded in another wafer unloading cassette, and the next processing step (for example, mounter, dicing) is performed without noticing the fact. If the operator conveys the wafer and performs this processing, and notices an error while processing the device wafers having different thicknesses slowly, even a single cassette costs about 125 million yen.
【０００６】また、作業者が裏面研削加工する取り代ろ
量を誤って入力し、厚み２００μｍのＲＡＭ用デバイス
ウエハを得るつもりがフラッシュメモリ−用ウエハの厚
み１００μｍまで裏面研削され、図２に示す棚部を有す
るウエハアンロ−ディングカセット１２０に搬入した場
合、ウエハ中央が撓んで落下し、ウエハが破損してしま
うことがある。本発明は、作業者のかかる思い込みによ
る誤りが生じない裏面研削装置の提供を目的とする。In addition, the operator mistakenly inputs a margin for back grinding, and intends to obtain a RAM device wafer having a thickness of 200 μm, and the back surface is ground to a thickness of 100 μm for a flash memory wafer, as shown in FIG. When the wafer is loaded into the wafer unloading cassette 120 having a shelf, the center of the wafer may be bent and fall, and the wafer may be damaged. An object of the present invention is to provide a backside grinding apparatus in which an error caused by such an assumption of an operator does not occur.
【 ０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１は、全
体を仕切壁により囲まれた研削室（Ａ）内に配置された
ウエハロ−ディングカセット、第１搬送ロボット、ウエ
ハチャック機構、研削砥石機構、ウエハ洗浄機構および
第１ウエハアンロ−ディングカセットを備える研削装
置、全体を仕切壁により囲まれた搬送室（Ｂ）内に配置
された第２搬送用ロボットおよび第２ウエハアンロ−デ
ィングカセット、研削室（Ａ）の仕切壁と搬送室（Ｂ）
の仕切壁を共有している仕切壁には、搬送室（Ｂ）内の
第２搬送ロボットのア−ムに備えられた吸着パッドが研
削装置の洗浄機構に載っているウエハを吸着して搬送室
（Ｂ）に搬入できるように出入り可能な開口部が設けら
れ、該開口部を開閉可能とするシャッタ−機構、ウエハ
ロ−ディングカセットに収納されているウエハの種類に
より研削室（Ａ）のウエハ洗浄機構上に有る洗浄された
ウエハが第１搬送ロボットにより第１ウエハアンロ−デ
ィングカセットに搬入されるか、第２搬送ロボットによ
り第２ウエハアンロ−ディングカセットに搬入されるか
制御機構に指示する指示機構、および、指示機構の指示
に基づいて第１搬送ロボットまたは第２搬送ロボットの
動作を制御する制御機構、とを備える裏面研削装置を提
供するものである。A first aspect of the present invention is a wafer loading cassette, a first transfer robot, a wafer chuck mechanism, and a grinding machine disposed in a grinding chamber (A) entirely surrounded by a partition wall. A grinding device including a grinding wheel mechanism, a wafer cleaning mechanism, and a first wafer unloading cassette; a second transfer robot and a second wafer unloading cassette disposed in a transfer chamber (B) entirely surrounded by a partition wall; Partition wall of chamber (A) and transfer chamber (B)
The suction pad provided in the arm of the second transfer robot in the transfer chamber (B) sucks and transfers the wafer mounted on the cleaning mechanism of the grinding device to the partition wall sharing the above partition wall. An opening which can be moved in and out of the chamber (B) is provided, a shutter mechanism for opening and closing the opening, and a wafer in the grinding chamber (A) depending on the type of wafer stored in the wafer loading cassette. Instruction mechanism for instructing the control mechanism whether the washed wafer on the cleaning mechanism is loaded into the first wafer unloading cassette by the first transfer robot or loaded into the second wafer unloading cassette by the second transfer robot. And a control mechanism that controls the operation of the first transfer robot or the second transfer robot based on an instruction from the instruction mechanism.
【０００８】異なった部室Ａ，Ｂの各々にウエハアンロ
−ディングカセットを配置し、かつ、複数の搬送ロボッ
トを用い、部室毎にこれらウエハアンロ−ディングカセ
ットに裏面研削加工されたウエハを搬入する搬送ロボッ
トを指名することにより、誤った厚みのウエハが他のウ
エハアンロ−ディングカセットに収納されることがなく
なる。A transfer robot for arranging a wafer unloading cassette in each of the different compartments A and B, and using a plurality of transfer robots for loading wafers back-ground into these wafer unloading cassettes for each compartment. The designation prevents the wafer having the wrong thickness from being stored in another wafer unloading cassette.
【０００９】本発明の請求項２は、上記裏面研削装置に
おいて、指示機構は、ウエハロ−ディングカセットの底
部右端または左端の一部に設けられた切り欠きの存在を
センサで確認し、その左右端の切り欠き位置により第１
搬送ロボットにより第１ウエハアンロ−ディングカセッ
トに搬入されるか、第２搬送ロボットにより第２ウエハ
アンロ−ディングカセットに搬入されるか制御機構に指
示することを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the back grinding apparatus, the indicating mechanism confirms the presence of a notch provided at a part of the bottom right end or the left end of the wafer loading cassette with a sensor, and detects the left and right ends thereof. 1st depending on the notch position
It is characterized in that a control mechanism is instructed whether the transfer robot carries the wafer into the first wafer unloading cassette or the second transfer robot carries the wafer into the second wafer unloading cassette.
【００１０】裏面研削加工工程前で、所望する厚みの分
だけ裏面研削加工するウエハ１群を底部に切り欠きを設
けたウエハロ−ディングカセットに収納することによ
り、このウエハロ−ディングカセットが研削機構が配置
されている室Ａに搬入されてセンサによりカセット底部
に設けた切り欠きの位置が右端か左端か検出され、裏面
研削されたデバイスウエハのおおよその厚みＴiが制御
機構に伝達される。裏面研削されたウエハの厚みＴeを
裏面研削後、または洗浄工程後に２探針式厚み測定機器
で測定し、その値Ｔeが制御機構に伝達され、その差｜
Ｔi−Ｔe｜の絶対値が許容される厚みｔ内であれば指示
された搬送ロボットにより指示されたウエハアンロ−デ
ィングカセット内にウエハを収納する。その差の絶対値
が許容外であれば、警告信号が発せられ、裏面研削装置
の稼動が中断、または搬送ロボットによる裏面研削され
たウエハの搬送が中断される。Before the back grinding step, a group of wafers to be back-ground by a desired thickness is housed in a wafer loading cassette provided with a notch at the bottom, so that the wafer loading cassette has a grinding mechanism. is carried to the arrangement has been that the chamber a position of the notches provided in the cassette bottom by a sensor is detected or the right end or the left end, approximate thickness T i of the back surface grinding devices wafers is transmitted to the control mechanism. The thickness Te of the back-ground wafer is measured by a two-probe thickness measuring device after the back grinding or after the cleaning step, and the value Te is transmitted to the control mechanism, and the difference |
If the absolute value of T i -T e | is within the allowable thickness t, the wafer is stored in the specified wafer unloading cassette by the specified transfer robot. If the absolute value of the difference is out of tolerance, a warning signal is issued and the operation of the backside grinding device is interrupted, or the transfer of the backside ground wafer by the transfer robot is interrupted.
【００１１】本発明の請求項３は、上記裏面研削装置に
おいて、搬送室（Ｂ）内の第２搬送ロボットのア−ムに
備え付けられた吸着パッドの径は、吸着されるウエハ径
と同径であり、搬送室（Ｂ）内には吸着パッドに吸着さ
れたウエハ外周の少なくとも４点の位置を同時に確認す
る複数のセンサを備えた位置決め機構を備えることを特
徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the back grinding apparatus, the diameter of the suction pad provided on the arm of the second transfer robot in the transfer chamber (B) is the same as the diameter of the wafer to be suctioned. In the transfer chamber (B), there is provided a positioning mechanism including a plurality of sensors for simultaneously checking at least four positions on the outer periphery of the wafer sucked by the suction pad.
【００１２】搬送室（Ｂ）内に搬入される裏面研削され
たウエハが、厚み３０〜１２０μｍと薄い場合、ウエハ
が撓みやすい。第２搬送ロボットによるウエハ吸着時、
位置ずれを起こす虞があるので、位置決め機構上でセン
サによりウエハ外周の少なくとも３点が確認される位置
に位置補正する。センサが３基ではウエハのオリフラ部
を読み取らぬので、４基以上のセンサを用い、３点以上
の外周を確認してウエハアンロ−ディングカセット内に
正確に収納されるようにする。円筒状側壁の内径は、ウ
エハ外径より２〜４ｍｍ大きい程度であるので、ウエハ
の位置合わせが必要とされる。When the back-ground wafer loaded into the transfer chamber (B) is as thin as 30 to 120 μm, the wafer is easily bent. At the time of wafer suction by the second transfer robot,
Since there is a possibility that the position may shift, the position is corrected to a position where at least three points on the outer periphery of the wafer are confirmed by the sensor on the positioning mechanism. Since three sensors do not read the orientation flat portion of the wafer, four or more sensors are used to confirm the outer circumference of three or more points so that the wafer can be accurately stored in the wafer unloading cassette. Since the inner diameter of the cylindrical side wall is about 2 to 4 mm larger than the outer diameter of the wafer, alignment of the wafer is required.
【００１３】本発明の請求項４は、前記裏面研削装置に
おいて、搬送室（Ｂ）内の第２ウエハアンロ−ディング
カセットに搬入されるウエハは、研削室（Ａ）内に配置
された第１ウエハアンロ−ディングカセットに搬入され
るウエハよりも厚みが薄いものであり、第２ウエハアン
ロ−ディングカセットは、略円筒状側壁と底部を有する
容器内にウエハを無塵紙と交互に積み重ねて収納する上
部開放型カセットである。According to a fourth aspect of the present invention, in the back surface grinding apparatus, the wafer loaded into the second wafer unloading cassette in the transfer chamber (B) is a first wafer unloader disposed in the grinding chamber (A). A second wafer unloading cassette, which is thinner than a wafer carried into a loading cassette, and has a top open type in which wafers are alternately stacked and stored with dust-free paper in a container having a substantially cylindrical side wall and a bottom. It is a cassette.
【００１４】図２に示すような棚部を有するカセット１
２０であると厚みが３０〜１２０μｍの薄いウエハでは
中央部が撓んで棚より落下し破損し易いので、図１６に
示すような上部開放型カセットを用いる。Cassette 1 having a shelf as shown in FIG.
If the thickness is 20, a thin wafer having a thickness of 30 to 120 [mu] m is bent at the center portion and falls easily from the shelf to be easily damaged. Therefore, an open-top cassette as shown in FIG. 16 is used.
【００１５】本発明の請求項５は、前記裏面研削装置に
おいて、研削室（Ａ）内に配置されたウエハ洗浄機構
は、ウエハ位置合わせ機構を備えていることを特徴とす
る。According to a fifth aspect of the present invention, in the back grinding apparatus, the wafer cleaning mechanism disposed in the grinding chamber (A) includes a wafer positioning mechanism.
【００１６】第１ウエハアンロ−ディングカセットへの
裏面研削ウエハの搬入前の位置合わせはウエハ洗浄機構
で行う。Positioning of the backside ground wafer before loading into the first wafer unloading cassette is performed by a wafer cleaning mechanism.
【００１７】本発明の請求項６は、前記裏面研削装置に
おいて、搬送室（Ｂ）内には、ウエハエッチング機構ま
たはウエハ研磨機構が設けられ、第２搬送ロボットとウ
エハエッチング機構またはウエハ研磨機構との間に該機
構を囲繞する第２壁を有し、かつこの第２壁は第２搬送
ロボットのア−ムが該機構に可能な開口部を有し、該開
口部はシャッタ−により開閉可能な構造となっているこ
とを特徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, in the back grinding apparatus, a wafer etching mechanism or a wafer polishing mechanism is provided in the transfer chamber (B), and the second transfer robot and the wafer etching mechanism or the wafer polishing mechanism are provided. A second wall surrounding the mechanism, and the second wall has an opening through which the arm of the second transfer robot can be opened and closed by the shutter. It is characterized by having a simple structure.
【００１８】エッチング機構または研磨機構を付属させ
た裏面研削装置を提供するものである。An object of the present invention is to provide a backside grinding apparatus to which an etching mechanism or a polishing mechanism is attached.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明をさら
に詳細に説明する。図１は本発明の一実施例を示すエッ
チング機構付属裏面研削装置の平面図、図２は研削機構
部分の斜視図、図３は研削装置の洗浄機構の斜視図、図
４はエッチング機構の図１におけるＡ−Ａ断面図、図５
はエッチング機構のスピナ−部の断面図、図６は図５に
おけるＢ−Ｂ面より見た上面図、図７は研削機構が配置
された室とエッチング機構が配置された室の仕切壁を図
１のＣ−Ｃ面より見た平面図、図８は研削機構を配置し
た室とエッチング機構を配置した室の仕切壁を図１のＤ
−Ｄ面より見た断面図、図９は図７におけるＥ−Ｅ矢視
図、図１０はロボットア−ムを下から見た平面図、図１
１はウエハロ−ディングカセットの底部取付板の平面
図、図１２は図１１におけるウエハロ−ディングカセッ
トの底部取付板のＩ−Ｉから見た側面図で、ロ−ディン
グカセットは上方部を切り欠いて仮想線で示してある。
図１３は本発明の別の態様を示す裏面研削装置の平面
図、図１４はその裏面研削装置の搬送室Ｂの一部を切り
欠いた側面図、図１５は室Ａ内に設置されたロ−ディン
グカセットより搬送ロボットがウエハを搬送する状態を
示す斜視図、図１６は円筒状側壁を有する薄いウエハ収
納用アンロ−ディングカセットの斜視図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a backside grinding device with an etching mechanism showing one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of a grinding mechanism portion, FIG. 3 is a perspective view of a cleaning mechanism of the grinding device, and FIG. AA sectional view in FIG. 1, FIG.
6 is a cross-sectional view of a spinner portion of the etching mechanism, FIG. 6 is a top view as viewed from plane BB in FIG. 5, and FIG. 7 is a diagram showing a chamber in which a grinding mechanism is disposed and a partition wall in a chamber in which the etching mechanism is disposed. 1 is a plan view as viewed from the CC plane. FIG. 8 is a plan view of a partition wall of a chamber in which a grinding mechanism is disposed and a chamber in which an etching mechanism is disposed.
FIG. 9 is a cross-sectional view as viewed from the plane D, FIG. 9 is a view as seen from the direction of arrows EE in FIG. 7, FIG. 10 is a plan view of the robot arm as viewed from below, FIG.
1 is a plan view of a bottom mounting plate of the wafer loading cassette, FIG. 12 is a side view of the bottom mounting plate of the wafer loading cassette in FIG. 11 taken along the line II, and the loading cassette has a cutaway upper portion. This is indicated by a virtual line.
FIG. 13 is a plan view of a backside grinding device showing another embodiment of the present invention, FIG. 14 is a side view of a part of a transfer chamber B of the backside grinding device, and FIG. FIG. 16 is a perspective view showing a state in which a transfer robot transfers a wafer from a loading cassette, and FIG. 16 is a perspective view of a thin wafer storage unloading cassette having a cylindrical side wall.
【００２０】図１と図２に示すエッチング機構付属研削
装置１の研削機構１０１は、左にウエハロ−ディング用
カセット１１７を、右にウエハアンロ−ディング用カセ
ット１２０を対として前列に配置し、基台の上に左側の
ウエハロ−ディング用カセットの後部にウエハ仮置台１
０６を、右側のカセットの後部にウエハ洗浄機構１１３
を対として次列に配置し、仮置台と洗浄機構の後部の基
台の中央部を刳り抜いた箇所にインデックスタ−ンテ−
ブル１０８を設け、かつこのインデックスタ−ンテ−ブ
ル１０８に該テ−ブルの軸心を中心に３個のウエハチャ
ック機構１０７，１０７，１０７を等間隔に回転自在に
設けるとともにウエハロ−ディング／ウエハアンロ−デ
ィングゾ−ンｓ１および粗研削ゾ−ンｓ２、仕上研削ゾ
−ンｓ３にテ−ブルを区域分けし、インデックスタ−ン
テ−ブルの後列には基台より起立させた枠体１１１に各
研削ゾ−ンに適した砥石１１１ｂ，１１１ｄをスピンド
ル軸１１１ａ，１１１ｃに軸承させた研削手段を各研削
ゾ−ンに位置するウエハチャック機構に対応して設け、
前記一対のカセットの前列と前記仮置台とウエハ洗浄機
構の次列の間の基台の略中央に昇降機構１０３、回転駆
動機構、ウエハアライメント測定機構と各ア−ム１１５
ａ，１１５ｂ，１１５ｃ駆動の制御機構を備えた多関節
型の第一搬送ロボット１１５を立設し、前記仮置台上の
ウエハをインデックスタ−ンテ−ブルのウエハロ−ディ
ング／ウエハアンロ−ディングゾ−ンｓ１のチャック機
構に移送可能で、かつ、洗浄機構１１３上のウエハをウ
エハアンロ−ディング用カセットに搬送可能とした多関
節型第一搬送ロボット１１５、インデックスタ−ンステ
−ブルを設けた基台の略中央部の左右に設けた一対の軸
を軸心として回動自在に備えられたウエハ吸着パッド１
１２ａを有する仮置台からウエハをウエハロ−ディング
／ウエハアンロ−ディングゾ−ンのチャック機構に搬送
する搬送パッド１１２と、ウエハロ−ディング／ウエハ
アンロ−ディングゾ−ンのチャック機構上のウエハを洗
浄機構に搬送する搬送パッド１１２’、基台より立設し
た枠体１１０に設けたネジ棒上を左右方向に移動可能な
チャック機構の洗浄機構１０９ｂとチャック機構のドレ
ッサ−１０９ａの対を備える、研削機構１０１である。The grinding mechanism 101 of the grinding apparatus 1 with the etching mechanism shown in FIGS. 1 and 2 has a wafer loading cassette 117 on the left and a wafer unloading cassette 120 on the right as a pair in the front row. On the rear of the left wafer loading cassette
06 at the rear of the right cassette.
Are arranged in the next row as a pair, and an index turn is made at a location where the center of the temporary mounting table and the base at the back of the cleaning mechanism are hollowed out.
A table 108 is provided, and three wafer chuck mechanisms 107, 107, 107 are rotatably provided at equal intervals around the axis of the table on the index turntable 108, and the wafer loading / wafer unloading is performed. -The table is divided into a ding zone s1, a coarse grinding zone s2, and a finish grinding zone s3, and each of the grinding is performed on a frame 111 standing upright from a base in the rear row of the index table. Grinding means in which grindstones 111b and 111d suitable for the zones are supported on spindle shafts 111a and 111c are provided corresponding to the wafer chuck mechanisms located in each grinding zone.
At the approximate center of the base between the front row of the pair of cassettes and the next row of the temporary mounting table and the wafer cleaning mechanism, an elevation mechanism 103, a rotation drive mechanism, a wafer alignment measurement mechanism, and respective arms 115 are provided.
a, a multi-joint type first transfer robot 115 having a control mechanism for driving a, 115b, and 115c is set up, and the wafer on the temporary table is indexed into a wafer loading / wafer unloading zone s1. Multi-joint type first transfer robot 115 capable of transferring the wafer on the cleaning mechanism 113 to the wafer unloading cassette, and the center provided with an index turntable. Wafer suction pad 1 rotatably provided around a pair of shafts provided on the left and right sides of the unit.
A transport pad 112 for transporting a wafer from the temporary mounting table having the wafer loading / wafer unloading zone chuck mechanism to a wafer loading / wafer unloading zone chuck mechanism; The grinding mechanism 101 includes a pad 112 ′ and a pair of a cleaning mechanism 109 b of a chuck mechanism and a dresser 109 a of a chuck mechanism that can move in the left-right direction on a screw bar provided on a frame 110 erected from a base.
【００２１】第１研削ゾ−ンｓ２と第２研削ゾ−ンｓ３
のチャック機構近傍には図示されていないが、基台上に
２探触針厚み測定機器が設けられている（図１３の１２
１，１２１参照）。この研削機構１０１は壁１１８と、
観音式扉１１９により囲繞された室Ａに配置された構造
となっている。The first grinding zone s2 and the second grinding zone s3
Although not shown in the vicinity of the chuck mechanism, two probe thickness measuring devices are provided on the base (12 in FIG. 13).
1, 121). The grinding mechanism 101 includes a wall 118,
It has a structure arranged in the room A surrounded by the double door 119.
【００２２】図３は、前記研削機構１０１の洗浄機構１
１３を示すもので、図中、２は上下方向に昇降可能でか
つ、回転可能な中空軸に軸承されているポ−ラスセラミ
ック製ウエハ仮置台、３はポ−ラスセラミック製板４を
複数敷設したウエハサポ−ト補助板、５，５はウエハ位
置合わせのピン、６は外套、７はリンス（純水）供給ノ
ズル、８は空気供給ノズルである（特開平１１−３３０
０３６号参照）。パッド１１２により洗浄機構１１３の
ウエハ仮置台２に搬送されたウエハはピン５，５により
ウエハ軸心がウエハ仮置台２の軸心と一致するように中
央に幅寄せられ、中空軸を減圧することにより位置決め
される。ついで仮置台２を軸承する中空軸を回転させる
ことによりウエハを回転させ、ウエハ表面にノズル７よ
り純水を吹きつけ、ウエハ表面を洗浄する。洗浄終了
後、ウエハサポ−ト補助板４，４より水を滲み出させウ
エハを浮かせるとともに仮置台２を上昇させ、ついでウ
エハを回転させながら噴出ノズル８より空気を吹きつけ
てウエハの乾燥を行なう。FIG. 3 shows a cleaning mechanism 1 of the grinding mechanism 101.
In the drawing, reference numeral 2 denotes a porous ceramic wafer temporary mounting table which is vertically movable and rotatably supported on a hollow shaft, and 3 denotes a plurality of porous ceramic plates 4. The auxiliary wafer support plate, 5 and 5 are pins for aligning the wafer, 6 is a jacket, 7 is a rinse (pure water) supply nozzle, and 8 is an air supply nozzle (JP-A-11-330).
No. 036). The wafer conveyed to the wafer mounting table 2 of the cleaning mechanism 113 by the pad 112 is moved to the center by the pins 5 and 5 so that the axis of the wafer coincides with the axis of the wafer mounting table 2, and the hollow shaft is decompressed. Is positioned. Next, the wafer is rotated by rotating a hollow shaft that supports the temporary table 2, and pure water is sprayed from a nozzle 7 on the wafer surface to clean the wafer surface. After the cleaning is completed, water is oozed out from the wafer support auxiliary plates 4 and 4 to float the wafer and the temporary mounting table 2 is raised, and then the wafer is dried by blowing air from the jet nozzle 8 while rotating the wafer.
【００２３】ウエハロ−ディング用カセット１１７を基
台上に載せる底部取付板１１７ａは、図１２および図１
３に示すように基台にボルト１１７ｂ留めされ、この底
部取付板に仮想線で示される８インチまたは６インチウ
エハロ−ディング用カセット１１７が載せられる。The bottom mounting plate 117a for mounting the wafer loading cassette 117 on the base is shown in FIGS.
As shown in FIG. 3, bolts 117b are fixed to the base, and an 8-inch or 6-inch wafer loading cassette 117 indicated by an imaginary line is placed on the bottom mounting plate.
【００２４】底部取付板１１７ａの中央、右端、および
左端には孔がそれぞれ設けられ、キ−エンス株式会社の
ファイバ−センサＦＳ０１（商品名）Ｓc、ＳrおよびＳ
lが基台の凹部１１７ｂを利用して中央センサＳcの発光
部は上方に発光するように、右端センサＳrおよび左端
センサＳlの発光部は底部取付板の中央ラインＬに向っ
て横方向に発光するように備えられ、中央部センサＳc
より発光されたＬＥＤ赤光がカセット１１７の底部に当
って反射光を受けてカセットの存在が確認されるとカセ
ット１１７が研削機構に設置されていることを制御機構
に伝達する信号ｏｎが発信される。The bottom mounting plate 117a middle, rightmost, and the left end hole is provided respectively, key - Enns Ltd. Fiber - sensor FS01 (trade name) S c, S r and S
emitting portion of the center sensor S c l is using the base of the recess 117b is to emit light upward, the light emitting portion of the right end sensor S r and the left end sensor S l is toward the center line L of the bottom mounting plate lateral And a central sensor S c
When the emitted LED red light hits the bottom of the cassette 117 and receives the reflected light, and the presence of the cassette is confirmed, a signal on is transmitted to notify the control mechanism that the cassette 117 is installed in the grinding mechanism. You.
【００２５】右端センサＳrより発光されたＬＥＤ赤光
がウエハロ−ディング用カセット１１７の底部右端に設
けられたスリット１１７ｃを通過し、反射光量が少なく
右端スリットの存在を確認したときは、カセット底部右
端スリットの存在を伝達する信号ｏｎが制御機構に伝達
され、制御機構は裏面研削され、洗浄機構上のウエハは
エッチング機構のあるＢ室側に第２搬送ロボットにより
搬入されることを認識し、洗浄機構上のウエハを搬送す
るロボットは第２搬送ロボッドであるプログラムを選択
し、第２搬送ロボット２５にその一連の動作を指示す
る。右端スリットの存在を確認しないときはｏｆｆとな
る。The LED red light emitted from the right end sensor S r is Ueharo - when passed through the slit 117c provided at the bottom right end of the loading cassette 117, to confirm the presence of the reflected light amount is small right edge slit, the cassette bottom A signal on for transmitting the presence of the right end slit is transmitted to the control mechanism, and the control mechanism recognizes that the back surface is ground, and that the wafer on the cleaning mechanism is carried into the chamber B side having the etching mechanism by the second transfer robot, The robot that transports the wafer on the cleaning mechanism selects the program that is the second transport robot, and instructs the second transport robot 25 to perform a series of operations. When the existence of the right end slit is not confirmed, it becomes off.
【００２６】同様に、左端センサＳlより発光されたＬ
ＥＤ赤光がウエハロ−ディング用カセット１１７の底部
左端に設けられたスリット１１７ｃを通過し、反射光量
が少なく左端スリットの存在を確認したときは、カセッ
ト底部左端スリットの存在を伝達する信号ｏｎが制御機
構に伝達され、制御機構は裏面研削され、洗浄機構上の
ウエハを研削機構１０１のあるＡ室側に第１搬送ロボッ
トにより搬入されることを認識し、洗浄機構上のウエハ
を搬送するロボットは第１搬送ロボットであるプログラ
ムを選択し、第１搬送ロボット１１５にその一連の動作
を指示する。左端スリットの存在を確認しないときはｏ
ｆｆとなる。Similarly, L emitted from the left end sensor Sl is
When the ED red light passes through the slit 117c provided at the bottom left end of the wafer loading cassette 117 and the amount of reflected light is small and the existence of the left end slit is confirmed, the signal on for transmitting the presence of the cassette bottom left end slit is controlled. The robot which transfers the wafer on the cleaning mechanism recognizes that the wafer on the cleaning mechanism is to be loaded into the side of the room A where the grinding mechanism 101 is located by the first transfer robot. A program as the first transfer robot is selected, and a series of operations is instructed to the first transfer robot 115. O when not confirming the existence of the left end slit
ff.
【００２７】図１および図４から図７に示すエッチング
機構２０において、２１はエッチング機構全体を囲繞す
る第１壁、２２はエッチング機構のスピナ−２３部を囲
繞する第２壁、２４は第２ウエハアンロ−ディングカセ
ット、２４’は無塵紙収納カセット、２５は多関節型第
２搬送ロボット、２５ａ，２５ｂ，２５ｃはア−ム、２
５ｄは軸、２５ｅは吸着パッド、２５ｆは回転軸、２５
ｇは空気通路で、吸着パッドのウエハ吸着面には図１０
には示されていないが孔径０．３〜１ｍｍの孔が多数穿
たれている。吸着パッドの径は、ウエハ径の８／９〜１
／１、好ましくは略同径である。In the etching mechanism 20 shown in FIGS. 1 and 4 to 7, reference numeral 21 denotes a first wall surrounding the entire etching mechanism, 22 denotes a second wall surrounding a spinner 23 of the etching mechanism, and 24 denotes a second wall. Wafer unloading cassette, 24 'is a dust-free paper storage cassette, 25 is an articulated second transfer robot, 25a, 25b, 25c are arms, 2
5d is a shaft, 25e is a suction pad, 25f is a rotation shaft, 25
g is an air passage, and FIG.
Although not shown, many holes having a hole diameter of 0.3 to 1 mm are drilled. The diameter of the suction pad is 8/9 to 1 of the wafer diameter.
/ 1, preferably approximately the same diameter.
【００２８】２６はウエハ載置板、２７は回転駆動軸、
２８は回動駆動軸２８ａに備え付けられたエッチング液
供給ノズル、２９は回動駆動軸２９ａに備え付けられた
リンス液および空気供給兼用ノズル、３０は外套、３１
はフ−ド、３２は昇降機構、３３および３５はゲ−トバ
ルブ、３４および３６はロボット２５のア−ムが出入り
可能なゲ−ト（開口部）である。26 is a wafer mounting plate, 27 is a rotary drive shaft,
Reference numeral 28 denotes an etching solution supply nozzle provided on the rotation drive shaft 28a, 29 denotes a rinse liquid and air supply nozzle provided on the rotation drive shaft 29a, 30 denotes a jacket, 31
Is a hood, 32 is an elevating mechanism, 33 and 35 are gate valves, and 34 and 36 are gates (openings) through which the arm of the robot 25 can enter and exit.
【００２９】ゲ−ト３４，３６の開閉は、例えば図７か
ら図９に示すようにシャフト３７，３８に蝶番３９，４
０を介してプレ−ト４１，４２を取り付け、シャフト３
７，３８およびシャフト４３、アイドルロ−ル４４を駆
け巡らせたプ−リ−４５と、歯車４６、シャフト３８の
端に取り付けられた歯車４７およびプ−リ−駆動機構
（図示していない）を用い、プレ−ト４１，４２を取り
付けているシャフト３７，３８の回動により行なう。ゲ
−ト３４，３６の開閉は上記のようなシャタ−が回動式
のものに限らず、シャタ−プレ−トを上下に油圧もしく
は空気シリンダ−で昇降させる型のものでも使用可能で
ある。Opening and closing of the gates 34, 36 is performed, for example, by hinges 39, 4 on shafts 37, 38 as shown in FIGS.
0 and plates 41 and 42
7, 38, a shaft 43, a pulley 45 running around an idle roll 44, a gear 46, a gear 47 attached to an end of the shaft 38, and a pulley drive mechanism (not shown). It is performed by rotating shafts 37, 38 on which plates 41, 42 are mounted. The opening and closing of the gates 34 and 36 is not limited to the above-mentioned type in which the shutter is rotatable, and a type in which the shutter plate is vertically moved up and down by a hydraulic or pneumatic cylinder can also be used.
【００３０】このようなエッチング機構２０が付属され
た裏面研削装置１（ただし、インデックスタ−ンテ−ブ
ルに設けたチャック機構はａ，ｂ，ｃのｍ＝３基であ
る。）を用い、ウエハを裏面研削およびエッチングする
には次の工程による。なお、このデバイスウエハはエッ
チングも施されるので、ウエハロ−ディング用カセット
１１７の底部の右端に切り欠きが設けられ、デバイスウ
エハ２５枚を収納したウエハロ−ディング用カセットが
研削機構の基台上に搬入、置かれると中央のセンサはｏ
ｎとなり、カセットが研削機構内に配置されたことを制
御機構に伝達し、右端のセンサはｏｎ、左端のセンサは
ｏｆｆなる。The wafer is used by using the backside grinding apparatus 1 provided with such an etching mechanism 20 (however, the number of chuck mechanisms provided on the index table is a = 3, m = 3). Is ground and etched by the following steps. Since this device wafer is also subjected to etching, a notch is provided at the right end of the bottom of the wafer loading cassette 117, and the wafer loading cassette containing 25 device wafers is placed on the base of the grinding mechanism. When it is loaded and placed, the central sensor is o
n is transmitted to the control mechanism that the cassette has been placed in the grinding mechanism, and the sensor at the right end is turned on and the sensor at the left end is turned off.
【００３１】右端センサのｏｎの信号を制御機構が受け
て制御機構は、この裏面研削され、洗浄機構上にあるウ
エハはＢ室側に第２搬送ロボットにより搬入されるとい
うプログラムを選択し、第２搬送ロボットにその一連の
動作を指示する。The control mechanism receives the ON signal of the right end sensor, and the control mechanism selects a program in which the back surface is ground, and the wafer on the cleaning mechanism is carried into the chamber B by the second transfer robot. The series of operations are instructed to the two-transport robot.
【００３２】制御機構の指示を研削機構およびエッチン
グ機構が受け、以下の工程で裏面研削、エッチング加工
が行われる。 （１）ウエハロ−ディング用カセット１１７に収納され
ているウエハｗを多関節型第１搬送ロボット１１５の吸
着ア−ム１１５ｅに吸着させ、吸着ア−ムを移動させて
ウエハを仮置台１０６上に載せる。The grinding mechanism and the etching mechanism receive instructions from the control mechanism, and the back surface is ground and etched in the following steps. (1) The wafer w stored in the wafer loading cassette 117 is sucked by the suction arm 115e of the articulated first transfer robot 115, and the suction arm is moved to place the wafer on the temporary mounting table 106. Put on.
【００３３】（２）インデックスタ−ンテ−ブル１０
８を１２０度回転させ、ついで仮置台上のウエハを搬
送パッド１１２に吸着させ、搬送パッドを回動させてウ
エハをインデックスタ−ンテ−ブルのウエハロ−ディン
グ／ウエハアンロ−ディングゾ−ンｓ１のチャック機構
ａ（１０７）に移送する。その間に前記多関節型第１
搬送ロボット１１５の吸着ア−ムにウエハロ−ディング
用カセットよりウエハを吸着させ、これを仮置台上に載
せる。(2) Index turntable 10
8 is rotated by 120 degrees, then the wafer on the temporary table is attracted to the transfer pad 112, and the transfer pad is turned to chuck the wafer in a wafer loading / wafer unloading zone s1 of an index turntable. a (107). Meanwhile, the articulated type 1
The wafer is sucked from the wafer loading cassette to the suction arm of the transfer robot 115, and the wafer is placed on the temporary table.
【００３４】（３）インデックスタ−ンテ−ブル１０
８を１２０度回転させてチャック機構ａを粗研削ゾ−ン
ｓ２に移動、チャック機構ｂをウエハロ−ディング／ウ
エハアンロ−ディングゾ−ンｓ１に移動させた後、第
１番目のスピンドル軸１１０ａを下降させて砥石１１０
ｂをウエハに押圧し、チャック機構ａおよび第１スピン
ドル軸を回転させてウエハの粗研削を行い、ついで、第
１番目のスピンドル軸を上昇させ、この間に仮置台１
０６上のウエハを搬送パッド１０６でインデックスタ−
ンテ−ブル１０８のウエハロ−ディング／ウエハアンロ
−ディングゾ−ンｓ１のチャック機構ｂに移送するとと
もに、多関節型第１搬送ロボット１１５を用いてウエ
ハロ−ディング用カセット１１７内のウエハを仮置台１
０６の上に載せる。(3) Index turntable 10
After rotating the chuck mechanism a to the coarse grinding zone s2 and the chuck mechanism b to the wafer loading / wafer unloading zone s1, the first spindle shaft 110a is lowered. Whetstone 110
b is pressed against the wafer, and the chuck mechanism a and the first spindle shaft are rotated to roughly grind the wafer, and then the first spindle shaft is raised.
06 on the transfer pad 106
The wafer is transferred to the chuck mechanism b of the wafer loading / wafer unloading zone s1 of the table 108, and the wafer in the wafer loading cassette 117 is temporarily stored on the temporary mounting table 1 using the articulated first transfer robot 115.
Place on top of 06.
【００３５】（４）インデックスタ−ンテ−ブル１０
８を１２０度回転させて仕上研削ゾ−ンｓ３にチャック
機構ａを移動、チャック機構ｂを粗研削ゾ−ンｓ２に移
動、チャック機構ｃをウエハロ−ディング／ウエハアン
ロ−ディングゾ−ンｓ１に移動させた後、第２番目の
スピンドル軸１１１ｃを下降させて砥石１１１ｄをウエ
ハに押圧し、チャック機構ａおよびスピンドル軸を回転
させてウエハの仕上研削を行い、ついで、第２番目のス
ピンドル軸を上昇させる。この間に第１番目のスピン
ドル軸１１０ａを下降させて砥石１１０ｂをウエハに押
圧し、チャック機構ｂおよびスピンドル軸を回転させて
ウエハの粗研削を行い、ついで、第１番目のスピンドル
軸を上昇させ、一方仮置台１０６上のウエハを左側の
搬送パッド１１２でインデックスタ−ンテ−ブルのウエ
ハロ−ディング／ウエハアンロ−ディングゾ−ンｓ１の
チャック機構ｃに移送するとともに、多関節型第１搬
送ロボット１１５を用いてウエハロ−ディング用カセッ
ト１１７内のウエハを仮置台１０６の上に載せる。(4) Index turntable 10
8 is rotated 120 degrees to move the chuck mechanism a to the finishing grinding zone s3, move the chuck mechanism b to the coarse grinding zone s2, and move the chuck mechanism c to the wafer loading / wafer unloading zone s1. After that, the second spindle shaft 111c is lowered to press the grindstone 111d against the wafer, the chuck mechanism a and the spindle shaft are rotated to finish grind the wafer, and then the second spindle shaft is raised. . During this time, the first spindle 110a is lowered to press the grindstone 110b against the wafer, and the chuck mechanism b and the spindle are rotated to roughly grind the wafer, and then the first spindle is raised, On the other hand, the wafer on the temporary mounting table 106 is transferred to the chuck mechanism c of the wafer loading / unloading zone s1 of the index table by the transfer pad 112 on the left side, and the multi-joint type first transfer robot 115 is used. Then, the wafer in the wafer loading cassette 117 is placed on the temporary table 106.
【００３６】（５）インデックスタ−ンテ−ブル１０
８を１２０度回転させてチャック機構ａをウエハロ−デ
ィング／ウエハアンロ−ディングゾ−ンｓ１に、チャッ
ク機構ｂを仕上研削ゾ−ンｓ３ならびにチャック機構ｃ
を粗研削ゾ−ンｓ２に移動し、右側の搬送パッド１１
２で仕上研削されたウエハを洗浄機構１１３に移送し、
該ウエハを洗浄した後、ゲ−ト３４を開き、エッチング
機構２０側の多関節型第１ロボット２５のア−ムをゲ−
ト３４を通って研削装置側の洗浄機構１１３上に移動さ
せ、仕上研削および洗浄されたウエハを吸着させ、つい
でこれをエッチング機構２０のゲ−ト３６を通ってスピ
ナ−２３のウエハ載置板２６上に移送し、ロボットをゲ
−ト３６より後退させ、ゲ−ト３６を閉め、ウエハ表面
にエッチングの薬剤をノズル２８より供給し、スピンエ
ッチングし、ついでエッチング液の供給を中止し、純水
をノズル２９より供給し、ウエハを洗浄し、さらに純水
を空気に切り換えてウエハの乾燥を行ない、ゲ−ト３６
を開き、多関節型第２搬送ロボッド２５でウエハを第２
アンロ−ディングカセット２４内へ移送し、ついで、多
関節型第２搬送ロボッド２５は無塵紙収納カセット２
４’前へ移動し、無塵紙を吸着し、無塵紙を第２アンロ
−ディングカセット２４内へ移送し、裏面研削されたウ
エハ上に載せる。(5) Index turntable 10
8, the chuck mechanism a is turned into the wafer loading / wafer unloading zone s1, and the chuck mechanism b is turned into the finish grinding zone s3 and the chuck mechanism c.
Is moved to the coarse grinding zone s2, and the transport pad 11 on the right side is moved.
The wafer finished and ground in step 2 is transferred to the cleaning mechanism 113,
After cleaning the wafer, the gate 34 is opened, and the arm of the multi-joint type first robot 25 on the etching mechanism 20 side is game-played.
The wafer is moved onto the cleaning mechanism 113 on the grinding device side through the gate 34 to adsorb the finished ground and cleaned wafer, and then is passed through the gate 36 of the etching mechanism 20 to the wafer mounting plate of the spinner 23. 26, the robot is retracted from the gate 36, the gate 36 is closed, an etching agent is supplied to the wafer surface from the nozzle 28, spin etching is performed, and then the supply of the etching solution is stopped. Water is supplied from the nozzle 29 to clean the wafer, and the pure water is changed to air to dry the wafer.
, And the second wafer is transferred by the multi-joint type second transfer robot 25.
After being transferred into the unloading cassette 24, the articulated second transfer robot 25 is moved to the dust-free paper storage cassette 2.
4 ', the dust-free paper is sucked, the dust-free paper is transferred into the second unloading cassette 24, and is placed on the back-ground wafer.
【００３７】一方で、左側の搬送パッド１１２を回動さ
せて仮置台１０６上のウエハをインデックスタ−ンテ−
ブルのウエハロ−ディング／ウエハアンロ−ディングゾ
−ンのチャック機構ａに移送し、ついで、多関節型第１
搬送ロボット１１５の吸着ア−ムにウエハロ−ディング
用カセット１１７よりウエハを吸着させ、これを仮置台
１０６上に載せる。その間に第２番目のスピンドル軸
を下降させて砥石をウエハに押圧し、チャック機構ｂお
よびスピンドル軸を回転させてウエハの仕上研削を行
い、ついで、第２番目のスピンドル軸を上昇させ、ま
た、第１番目のスピンドル軸を下降させて砥石をウエ
ハに押圧し、チャック機構ｃおよびスピンドル軸を回転
させてウエハの粗研削を行い、ついで、第１番目のスピ
ンドル軸を上昇させる。On the other hand, by rotating the transfer pad 112 on the left side, the wafer on the temporary mounting table 106 is index-turned.
To the chuck mechanism a of the wafer loading / wafer unloading zone.
The wafer is sucked from the wafer loading cassette 117 to the suction arm of the transfer robot 115 and is placed on the temporary mounting table 106. Meanwhile, the second spindle shaft is lowered to press the grindstone against the wafer, the chuck mechanism b and the spindle shaft are rotated to perform finish grinding of the wafer, and then the second spindle shaft is raised, The first spindle is lowered to press the grindstone against the wafer, and the chuck mechanism c and the spindle are rotated to roughly grind the wafer, and then the first spindle is raised.
【００３８】（６）以下、同様に前記（５）工程のイン
デックスタ−ンテ−ブルを１２０度回動、ウエハロ−デ
ィング／ウエハアンロ−ディングゾ−ンｓ１からの仕上
研削されたウエハの裏面洗浄、エッチング処理、第２ア
ンロ−ディングカセット２５内に収納、新しいウエハの
仮置台上への移送、ウエハの仕上研削、ウエハの粗研削
を繰り返す。(6) Similarly, the index table in the step (5) is rotated by 120 degrees to clean and etch the back surface of the finish-ground wafer from the wafer loading / wafer unloading zone s1. The processing, accommodation in the second unloading cassette 25, transfer of a new wafer to the temporary mounting table, finish grinding of the wafer, and rough grinding of the wafer are repeated.
【００３９】エッチングの薬剤は、ふっ化水素水、ふっ
化水素・硝酸混合液、ふっ化水素・硝酸・酢酸混合液、
弗化水素・塩酸混合液、水酸化カリウム水溶液等、通常
のエッチングに使用される薬剤が使用される。The etching chemicals are hydrogen fluoride water, a mixed solution of hydrogen fluoride and nitric acid, a mixed solution of hydrogen fluoride, nitric acid and acetic acid,
Chemicals used in ordinary etching, such as a mixed solution of hydrogen fluoride and hydrochloric acid, and an aqueous solution of potassium hydroxide, are used.
【００４０】上記例は、エッチング機構付属裏面研削装
置１で裏面研削およびエッチング加工を施す例を示した
が、エッチング工程を行わず、裏面研削工程のみ行う場
合は、底部左端に切り欠きを設けたウエハロ−ディング
用カセット１１７を用いれば、センサＳlがカセット底
部左端スリットの存在を制御機構に伝達し、制御機構は
裏面研削され、洗浄機構上のウエハを研削機構１０１の
あるＡ室側に第１搬送ロボッドにより搬入されることを
認識し、洗浄機構上のウエハを搬送するロボットは第１
搬送ロボッドであるプログラムを選択し、第１搬送ロボ
ッド１１５にその一連の動作を指示する。The above example shows an example in which the back surface grinding and etching processes are performed by the back surface grinding apparatus 1 with the etching mechanism. However, when only the back surface grinding process is performed without performing the etching process, a notch is provided at the bottom left end. Ueharo - with the loading cassette 117, the sensor S l is transmitted for the presence of the cassette bottom left slit control mechanism, the control mechanism is back grinding, the wafer on the cleaning mechanism a chamber side with a grinding mechanism 101 The robot that transports the wafer on the cleaning mechanism recognizes that it is loaded by
A program which is a transfer robot is selected, and a series of operations is instructed to the first transfer robot 115.
【００４１】図１３と図１４に示す裏面研削装置１は、
室Ａ内に２探触針厚み測定機器１２１，１２１を設置し
た研削機構１０１と、搬送室Ｂに円筒状側壁を有する第
二アンロ−ディングカセット２４、無塵紙保管カセット
２４'、第２搬送ロボット２５およびエッチング機構に
代えて第２搬送ロボット２５のパッド洗浄用のエア−ブ
ロ−機器１２２と４つの光学センサＳ，Ｓ，Ｓ，Ｓを基
台に備えたウエハｗの位置合わせ機器１２３を備えた搬
送室Ｂと一体化した裏面研削装置である。４つの光学セ
ンサは研削されたウエハの外周円と一致する円周上に設
けられる。The back grinding apparatus 1 shown in FIGS.
A grinding mechanism 101 having two probe thickness measuring devices 121, 121 installed in a chamber A, a second unloading cassette 24 having a cylindrical side wall in a transfer chamber B, a dust-free paper storage cassette 24 ', and a second transfer robot In place of the etching mechanism 25 and the etching mechanism, an air-blowing device 122 for cleaning the pad of the second transfer robot 25 and a positioning device 123 for a wafer w having four optical sensors S, S, S, S on a base are provided. This is a back grinding device integrated with the transfer chamber B. The four optical sensors are provided on a circumference that matches the outer circumference of the ground wafer.
【００４２】この図１３に示す裏面研削装置１で厚み３
０〜１２０μｍのメモリ−フラッシュ用、またはスマ−
トカ−ド用デバイスウエハの厚みまで研削するときは、
ウエハロ−ディング用カセット１１７として底部右端に
スリットが設けられたカセット１１７を用い、センサＳ
rから発光されたＬＥＤ赤光がスリットを通過し、反射
光量が少なくセンサＳrがウエハロ−ディング用カセッ
ト底部右端スリットの存在を確認し、カセット底部右端
スリットの存在を伝達する信号ｏｎが制御機構に伝達さ
れ、制御機構は裏面研削され、洗浄機構上のウエハを研
削機構１０１のあるＢ室側に第２搬送ロボッドにより搬
入されることを認識し、洗浄機構上のウエハを搬送する
ロボットは第２搬送ロボットであるプログラムを選択
し、第２搬送ロボット２５にその一連の動作を指示す
る。The back grinding device 1 shown in FIG.
0-120 μm memory flash or smart
When grinding to the thickness of the device wafer for card,
As the wafer loading cassette 117, a cassette 117 provided with a slit at the bottom right end is used.
LED red light emitted from r passes through the slit, the reflected light amount is small and the sensor S r Ueharo - to confirm the presence of the cassette bottom right edge slit for loading, signal on a control mechanism for transmitting the presence of the cassette bottom right edge slit And the control mechanism recognizes that the wafer on the cleaning mechanism is to be loaded into the chamber B side of the grinding mechanism 101 by the second transport robot. A program which is a two-transport robot is selected, and a series of operations is instructed to the second transport robot 25.
【００４３】研削機構の洗浄機構１１３より裏面研削さ
れ、洗浄された可撓性ウエハｗは、第二搬送ロボット２
５の吸着パッド２５ｅに吸着され、開口部３４，３６を
通って位置合わせ機器１２３上に運ばれ、４基のセンサ
のうち少なくとも３基のセンサがウエハの外周位置を確
認する位置に調整され、ついで第二アンロ−ディングカ
セット２４上に搬送され、吸着パッド２５ｅの吸引を開
放することによりウエハを第二アンロ−ディングカセッ
ト２４内に収納する。ついで、吸着パッド２５ｅを後退
させ、無塵紙保管カセット２４'上に移動させ、無塵紙
を吸着し、再び、第二アンロ−ディングカセット２４上
に移動し、吸着パッド２５ｅの吸引を開放することによ
り無塵紙を第二アンロ−ディングカセット２４内に収納
する。The flexible wafer w whose back surface has been ground and cleaned by the cleaning mechanism 113 of the grinding mechanism is transferred to the second transfer robot 2.
5, and is carried to the positioning device 123 through the openings 34 and 36, and at least three of the four sensors are adjusted to positions for confirming the outer peripheral position of the wafer. Then, the wafer is conveyed onto the second unloading cassette 24, and the wafer is stored in the second unloading cassette 24 by releasing the suction of the suction pad 25e. Then, the suction pad 25e is retracted, moved to the dust-free paper storage cassette 24 ', sucked the dust-free paper, moved to the second unloading cassette 24 again, and the suction of the suction pad 25e is released. The dust-free paper is stored in the second unloading cassette 24.
【００４４】無塵紙保管カセット２４'の底板は吸着パ
ッドにより無塵紙１枚が取り除かれる度にボ−ルネジ
（図示されてない）が無塵紙１枚分の厚み分だけ回転し
て無塵紙を押し上げ、決まった高さ位置で無塵紙が吸着
パッドにより吸着される構造となっている。裏面研削さ
れたウエハは２探触針厚み測定機器１２１で厚みＴeが
測定されるので、予め制御機構に入力された裏面研削さ
れた所望のデバイスウエハのおおよその厚みＴiと、２
探触針厚み測定機器より制御機構に伝達された実際の裏
面研削されたウエハの値Ｔeが制御機構の演算部で比較
され、その差｜Ｔi−Ｔe｜の絶対値が許容される厚みｔ
（例えば２μｍ）内であれば指示された搬送ロボット
（ここでは第二搬送ロボット）により指示されたウエハ
アンロ−ディングカセット（ここでは第二ウエハアンロ
−ディングカセット）内にウエハを収納する。その差の
絶対値が許容外であれば、警告信号が発せられ、裏面研
削装置の稼動が中断、または搬送ロボットによる裏面研
削されたウエハの搬送が中断される。Each time one dust-free paper is removed by the suction pad, the bottom plate of the dust-free paper storage cassette 24 'rotates a ball screw (not shown) by the thickness of one dust-free paper to push up the dust-free paper. The dust-free paper is sucked by the suction pad at a predetermined height. Since the back surface grinding wafers thickness T e by 2 probe stylus thickness measuring instrument 121 is measured, and the approximate thickness T i of the desired device wafer is back grinding entered in advance in the control mechanism, 2
The value T e of the actual back surface grinding wafers that are transmitted to the control mechanism from the probe stylus thickness measuring device is compared in the calculating portion of the control mechanism, the difference | T i -T e | absolute value of is permitted Thickness t
If it is within (for example, 2 μm), the wafer is stored in a designated wafer unloading cassette (here, a second wafer unloading cassette) by a designated transfer robot (here, a second transfer robot). If the absolute value of the difference is out of tolerance, a warning signal is issued and the operation of the backside grinding device is interrupted, or the transfer of the backside ground wafer by the transfer robot is interrupted.
【００４５】この図１３に示す裏面研削装置１で厚み１
２０〜５００μｍのデバイスウエハまで研削するとき
は、ウエハロ−ディング用カセット１１７として底部左
端にスリットが設けられたカセット１１７を用い、セン
サＳlから発光されたＬＥＤ赤光がスリットを通過し、
反射光量が少なくセンサＳlがウエハロ−ディング用カ
セット底部左端スリットの存在を確認し、カセット底部
左端スリットの存在を伝達する信号ｏｎが制御機構に伝
達され、制御機構は裏面研削され、洗浄機構上のウエハ
を研削機構１０１のあるＡ室側に第１搬送ロボットによ
り搬入されることを認識し、洗浄機構上のウエハを搬送
するロボットは第１搬送ロボットであるプログラムを選
択し、第１搬送ロボッド１１５にその一連の動作を指示
する。With the back surface grinding apparatus 1 shown in FIG.
When ground to the device wafer of 20~500μm is Ueharo - the bottom cassette 117 in which the slit is provided at the left used as loading cassette 117, LED red light emitted from the sensor S l is passed through the slit,
The amount of reflected light is small and the sensor S l Ueharo - to confirm the presence of the cassette bottom left slit for loading, signal on to transmit the presence of the cassette bottom left slits are transmitted to the control mechanism, the control mechanism is back grinding, the cleaning mechanism Recognizes that the first wafer is to be carried into the room A of the grinding mechanism 101 by the first transfer robot, and selects a program that is the first transfer robot as the first transfer robot to transfer the wafer on the cleaning mechanism. 115 is instructed.
【００４６】洗浄機構１１３上の裏面研削・洗浄された
デバイスウエハは、第１搬送ロボット１１５のパッド１
１５ｅに吸着され、ウエハアンロ−ディング用カセット
１２０内に収納される。The device wafer whose back surface has been ground and cleaned on the cleaning mechanism 113 is supplied to the pad 1 of the first transfer robot 115.
The wafer is unloaded into the wafer unloading cassette 120.
【００４７】本発明の別の態様として、図１に示すエッ
チング機構の代わりにウエハキャリアとプラテンよりな
る研磨機構と洗浄機構を備えた研磨装置に置き換えた研
磨装置付属裏面研削装置としてもよい。また、図１３に
示す裏面研削装置の搬送室Ｂ側に図１で示すエッチング
機構を隔壁で仕切って配置してもよい。As another embodiment of the present invention, a back grinding apparatus attached to a polishing apparatus may be used instead of the etching mechanism shown in FIG. 1 and a polishing apparatus having a polishing mechanism including a wafer carrier and a platen and a cleaning mechanism. Further, the etching mechanism shown in FIG. 1 may be arranged on the side of the transfer chamber B of the back surface grinding apparatus shown in FIG.
【００４８】[0048]
【発明の効果】本発明の裏面研削装置は、１台の裏面研
削装置を用い、異なった厚みのデバイスウエハに研削す
る際に、目的とするウエハ厚みによって異なった部室に
裏面研削されたウエハが搬送されるように、しかも、異
なった搬送ロボットで搬送されるようにしたので、人為
的な誤りを防ぐことができる。According to the backside grinding apparatus of the present invention, when one backside grinding apparatus is used to grind device wafers having different thicknesses, wafers whose backsides have been ground into different chambers depending on the target wafer thickness are obtained. Since they are transported by different transport robots, human errors can be prevented.
【図１】 本発明のエッチング機構付属裏面研削装置
の上面図である。FIG. 1 is a top view of a back grinding device with an etching mechanism according to the present invention.
【図２】 本発明に用いる研削機構の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a grinding mechanism used in the present invention.
【図３】 研削機構の洗浄機構の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a cleaning mechanism of the grinding mechanism.
【図４】 エッチング機構の側面からの断面図であ
る。FIG. 4 is a sectional view from the side of the etching mechanism.
【図５】 エッチング機構のスピナ−部の断面図であ
る。FIG. 5 is a sectional view of a spinner portion of the etching mechanism.
【図６】 スピナ−部の中央から見た上面図である。FIG. 6 is a top view as viewed from the center of the spinner portion.
【図７】 エッチング機構と研削機構の間に設けられ
た仕切壁のゲ−ト部を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a gate portion of a partition wall provided between an etching mechanism and a grinding mechanism.
【図８】 エッチング機構と研削機構の間に設けられ
た仕切壁のゲ−ト部を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a gate portion of a partition wall provided between an etching mechanism and a grinding mechanism.
【図９】 ゲ−トの開閉機構を示す断面図である。FIG. 9 is a sectional view showing a gate opening / closing mechanism.
【図１０】 多関節型ロボットの部分断面図である。FIG. 10 is a partial cross-sectional view of the articulated robot.
【図１１】 ロ−ディングカセット取付底板の平面図で
ある。FIG. 11 is a plan view of a loading cassette mounting bottom plate.
【図１２】 ロ−ディングカセット取付底板の側面図で
ある。FIG. 12 is a side view of a loading cassette mounting bottom plate.
【図１３】 別の態様を示す裏面研削装置の平面図であ
る。FIG. 13 is a plan view of a back surface grinding apparatus showing another embodiment.
【図１４】 別の態様を示す裏面研削装置の側面図であ
る。FIG. 14 is a side view of a back surface grinding apparatus showing another embodiment.
【図１５】 底部左端に切り欠きを有するロ−ディング
カセットの斜視図である。FIG. 15 is a perspective view of a loading cassette having a notch at the bottom left end.
【図１６】 円筒状側壁部を有する上部解放型アンロ−
ディングカセットの斜視である。FIG. 16 is an upper open type unlocking device having a cylindrical side wall portion.
It is a perspective view of a loading cassette.
１ 裏面研削装置 １０１ 研削機構 ２４ 第二アンロ−ディングカセット ２５ 第二搬送ロボット ３４，３６ ゲ−ト １０８ インデックスタ−ンテ−ブル ｗ ウエハ Ａ 裏面研削機構室 Ｂ 搬送室 Ｓl，Ｓr，Ｓc センサ １１３ 洗浄機構 １１５ 第一搬送ロボット １１７ ロ−ディングカセット １１７ａ 底部取付板 １１７ｃ 切り欠き １２０ 第一アンロ−ディングカセット1 backside grinding apparatus 101 Grinding mechanism 24 second unload - loading cassette 25 second transfer robot 34 and 36 gates - DOO 108 index data - integrators - Bull w wafer A back grinding mechanism chamber B transfer chamber S l, S r, S c Sensor 113 Cleaning mechanism 115 First transfer robot 117 Loading cassette 117a Bottom mounting plate 117c Notch 120 First unloading cassette
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ２４Ｂ 7/06 Ｂ６５Ｄ 85/38 Ｊ Ｆターム(参考） 3C043 BA09 BA17 DD11 3E096 AA06 BA16 BB04 CA02 CC02 DA01 DA17 DB08 DC02 EA01Y EA02X FA01 FA27 GA03 GA07 GA09 5F031 CA02 DA08 DA17 FA01 FA09 FA11 FA12 FA15 GA08 GA43 GA50 GA54 JA02 JA22 KA02 KA03 KA20 MA06 MA09 MA13 MA22 MA23 MA24 PA03 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat II (reference) // B24B 7/06 B65D 85/38 J F term (reference) 3C043 BA09 BA17 DD11 3E096 AA06 BA16 BB04 CA02 CC02 DA01 DA17 DB08 DC02 EA01Y EA02X FA01 FA27 GA03 GA07 GA09 5F031 CA02 DA08 DA17 FA01 FA09 FA11 FA12 FA15 GA08 GA43 GA50 GA54 JA02 JA22 KA02 KA03 KA20 MA06 MA09 MA13 MA22 MA23 MA24 PA03
Claims (6)
（Ａ）内に配置されたウエハロ−ディングカセット、第
１搬送ロボット、ウエハチャック機構、研削砥石機構、
ウエハ洗浄機構および第１ウエハアンロ−ディングカセ
ットを備える研削装置、 全体を仕切壁により囲まれた搬送室（Ｂ）内に配置され
た第２搬送用ロボットおよび第２ウエハアンロ−ディン
グカセット、 研削室（Ａ）の仕切壁と搬送室（Ｂ）の仕切壁を共有し
ている仕切壁には、搬送室（Ｂ）内の第２搬送ロボット
のア−ムに備えられた吸着パッドが研削装置の洗浄機構
に載っているウエハを吸着して搬送室（Ｂ）に搬入でき
るように出入り可能な開口部が設けられ、該開口部を開
閉可能とするシャッタ−機構、 ウエハロ−ディングカセットに収納されているウエハの
種類により研削室（Ａ）のウエハ洗浄機構上に有る洗浄
されたウエハが第１搬送ロボットにより第１ウエハアン
ロ−ディングカセットに搬入されるか、第２搬送ロボッ
トにより第２ウエハアンロ−ディングカセットに搬入さ
れるか制御機構に指示する指示機構、および、 指示機構の指示に基づいて第１搬送ロボットまたは第２
搬送ロボットの動作を制御する制御機構、とを備える裏
面研削装置。1. A wafer loading cassette, a first transfer robot, a wafer chuck mechanism, a grinding wheel mechanism disposed in a grinding chamber (A) entirely surrounded by a partition wall,
A grinding apparatus including a wafer cleaning mechanism and a first wafer unloading cassette; a second transfer robot and a second wafer unloading cassette disposed in a transfer chamber (B) entirely surrounded by a partition wall; The suction wall provided in the arm of the second transfer robot in the transfer chamber (B) has a cleaning mechanism of the grinding device on the partition wall which shares the partition wall of the transfer chamber (B) with the partition wall of (1). A shutter mechanism for opening / closing the opening so that the wafer placed on the wafer can be suctioned and carried into the transfer chamber (B), and a wafer housed in a wafer loading cassette. Depending on the type of the wafer, the cleaned wafer on the wafer cleaning mechanism in the grinding chamber (A) is loaded into the first wafer unloading cassette by the first transfer robot or the second transfer robot. Than the second Uehaanro - instruction mechanism for instructing on whether the control mechanism is carried into loading cassette, and the first transfer robot according to an instruction instructing mechanism or the second
And a control mechanism for controlling the operation of the transfer robot.
トの底部右端または左端の一部に設けられた切り欠きの
存在をセンサで確認し、その左右端の切り欠き位置によ
り第１搬送ロボットにより第１ウエハアンロ−ディング
カセットに搬入されるか、第２搬送ロボットにより第２
ウエハアンロ−ディングカセットに搬入されるか制御機
構に指示することを特徴とする、請求項１に記載の裏面
研削装置。2. A pointing mechanism for detecting the presence of a notch provided at a part of the bottom right or left end of the wafer loading cassette with a sensor, and a first transfer robot by a first transfer robot according to the notch positions at the left and right ends thereof. The wafer is loaded into the wafer unloading cassette or the second by the second transfer robot.
2. The backside grinding apparatus according to claim 1, wherein an instruction is given to a control mechanism as to whether the wafer is to be loaded into a wafer unloading cassette.
−ムに備え付けられた吸着パッドの径は、吸着されるウ
エハ径と同径であり、搬送室（Ｂ）内には吸着パッドに
吸着されたウエハ外周の少なくとも４点の位置を同時に
確認する複数のセンサを備えた位置決め機構を備えるこ
とを特徴とする、請求項１に記載の裏面研削装置。3. The suction pad provided on the arm of the second transfer robot in the transfer chamber (B) has the same diameter as the diameter of a wafer to be sucked, and is sucked in the transfer chamber (B). 2. The backside grinding apparatus according to claim 1, further comprising a positioning mechanism including a plurality of sensors for simultaneously checking at least four points on the outer periphery of the wafer adsorbed on the pad.
ィングカセットに搬入されるウエハは、研削室（Ａ）内
に配置された第１ウエハアンロ−ディングカセットに搬
入されるウエハよりも厚みが薄いものであり、第２ウエ
ハアンロ−ディングカセットは、略円筒状側壁と底部を
有する容器内にウエハを無塵紙と交互に積み重ねて収納
する上部開放型カセットであることを特徴とする、請求
項３に記載の裏面研削装置。4. The wafer loaded into the second wafer unloading cassette in the transfer chamber (B) is thicker than the wafer loaded into the first wafer unloading cassette disposed in the grinding chamber (A). 4. The thin wafer unloading cassette, wherein the second wafer unloading cassette is an open top cassette in which wafers are stacked alternately with dust-free paper in a container having a substantially cylindrical side wall and a bottom. Backside grinding device according to 1.
機構は、ウエハ位置合わせ機構を備えていることを特徴
とする、請求項１に記載の裏面研削装置。5. The back grinding apparatus according to claim 1, wherein the wafer cleaning mechanism disposed in the grinding chamber (A) includes a wafer positioning mechanism.
機構またはウエハ研磨機構が設けられ、第２搬送ロボッ
トとウエハエッチング機構またはウエハ研磨機構との間
に該機構を囲繞する第２壁を有し、かつこの第２壁は第
２搬送ロボットのア−ムが該機構に可能な開口部を有
し、該開口部はシャッタ−により開閉可能な構造となっ
ていることを特徴とする、請求項１に記載の裏面研削装
置。6. A wafer etching mechanism or a wafer polishing mechanism is provided in the transfer chamber (B), and a second wall surrounding the mechanism is provided between the second transfer robot and the wafer etching mechanism or the wafer polishing mechanism. And the second wall has an opening through which the arm of the second transfer robot can be opened by the mechanism, and the opening has a structure that can be opened and closed by a shutter. The back grinding apparatus according to claim 1.
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2000
- 2000-08-03 JP JP2000235064A patent/JP2002050597A/en active Pending
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