JP2002050594A - Colloid-like silica slurry - Google Patents

Colloid-like silica slurry

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JP2002050594A
JP2002050594A JP2000236453A JP2000236453A JP2002050594A JP 2002050594 A JP2002050594 A JP 2002050594A JP 2000236453 A JP2000236453 A JP 2000236453A JP 2000236453 A JP2000236453 A JP 2000236453A JP 2002050594 A JP2002050594 A JP 2002050594A
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JP
Japan
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colloidal silica
antibacterial
biocide
silica slurry
manufactured
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Application number
JP2000236453A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigetoyo Matsumura
茂豊 松村
Yukio Okada
幸夫 岡田
Tatsuo Manaki
龍夫 馬奈木
Keiji Toyama
景司 外山
Masatoshi Sakai
正年 酒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuso Chemical Co Ltd
Original Assignee
Fuso Chemical Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a colloid-like silica slurry which will not adversely influence, such as corrosion to a silicon wafer and a wiring material on the silicon wafer, suppresses the occurrence of microbes, whose preservation stability is high, since the particle size stability of colloid particles is superior and which can be used continuously. SOLUTION: Colloid-like silica slurry which includes colloid-like silica prepared from low metal silica sol and antibacterial/biocide and whose pH is 6.0-8.0 is supplied.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、コロイド状シリカ
スラリーに関し、更に詳しくは、トランジスタ、ダイオ
ードなどの微小回路、IC等の基板となるシリコンウェ
ーハ及び配線等が施された半導体デバイスの表面を平坦
化する研磨平坦処理の際に研磨剤として好適に用いられ
るコロイド状シリカスラリーに関し、その目的は、シリ
コンウェーハやシリコンウェーハ上の配線材料に対して
腐食などの悪影響を与えることがなく、しかも、微生物
の発生を抑制するとともに、コロイド粒子の粒径安定性
に優れるために保存安定性が高く、長期間連続して使用
することが可能なコロイド状シリカスラリーを提供する
ことにある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a colloidal silica slurry, and more specifically, to flatten the surface of a semiconductor device provided with microcircuits such as transistors and diodes, a silicon wafer serving as a substrate for ICs and the like, and wirings. The purpose of the present invention is to provide a colloidal silica slurry that is preferably used as an abrasive during polishing and flattening, which has no adverse effect such as corrosion on a silicon wafer or a wiring material on the silicon wafer, and has a microbial effect. Another object of the present invention is to provide a colloidal silica slurry which has high storage stability due to excellent particle size stability of colloidal particles and which can be used continuously for a long period of time.

【0002】[0002]

【従来の技術】粗く切断されたシリコンウェーハを、ト
ランジスタ、ダイオードなどの微小回路、IC等を作り
込むための基板として用いる場合、通常、シリコンウェ
ーハの表面を微細に研磨することが必要である。また、
研磨処理されたシリコンウェーハの表面に配線処理を施
して積層化する際にも、配線された半導体デバイスの表
面を微細に研磨して平坦化する必要がある。このシリコ
ンウェーハ及び配線が施された半導体デバイスの表面の
微細な研磨の研磨剤には、従来からコロイド状シリカが
用いられている。このコロイド状シリカを、循環させて
長時間使用した場合、コロイド状シリカ中に菌類等の微
生物が成長し、着色、浮遊物の形成、発臭を起こして研
磨剤として使用できなくなる。これを防ぐため、亜塩素
酸ナトリウム、ヘキサクロロフェン、グルタルアルデヒ
ドのようなジアルデヒド、エチレンジアミン、p−ヒド
ロキシ安息香酸メチル、ナトリウムペンタクロロフェネ
ート、ホルムアルデヒド、3,5−ジメチルテトラヒド
ロ1,3,5,2−H−チアジアジン−2−チオン類等
の抗菌剤をコロイド状シリカに添加することが提案され
ている。しかしながら、これらの抗菌剤を添加したコロ
イド状シリカスラリーは、シリコンウェーハへの不純物
の拡散やシリコンウェーハ上の配線材料の腐食の一因と
なることがあり、半導体部品の電気的特性に悪影響を及
ぼすという問題点がある。また、ナトリウム等の金属が
多く含まれ、予測できない電気的特性の変化をもたらす
という問題点もある。
2. Description of the Related Art When a roughly cut silicon wafer is used as a substrate for fabricating microcircuits such as transistors and diodes, ICs, etc., it is usually necessary to finely polish the surface of the silicon wafer. Also,
When wiring is performed on the surface of a polished silicon wafer for lamination, it is necessary to finely polish and flatten the surface of the semiconductor device on which wiring is performed. Colloidal silica has been conventionally used as an abrasive for fine polishing of the surface of the silicon wafer and the semiconductor device provided with the wiring. When this colloidal silica is circulated and used for a long period of time, microorganisms such as fungi grow in the colloidal silica, causing coloration, formation of suspended matter, and odor, so that the colloidal silica cannot be used as an abrasive. To prevent this, sodium chlorite, hexachlorophene, dialdehydes such as glutaraldehyde, ethylenediamine, methyl p-hydroxybenzoate, sodium pentachlorophenate, formaldehyde, 3,5-dimethyltetrahydro 1,3,5, It has been proposed to add antimicrobial agents such as 2-H-thiadiazine-2-thiones to colloidal silica. However, the colloidal silica slurry to which these antibacterial agents are added may contribute to diffusion of impurities into the silicon wafer and corrosion of wiring materials on the silicon wafer, which adversely affects the electrical characteristics of the semiconductor component. There is a problem. In addition, there is also a problem that a large amount of metal such as sodium is contained, resulting in an unpredictable change in electrical characteristics.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
実情に鑑みてなされたものであって、コロイド状シリカ
に所定の抗菌剤を添加し、pHを中性域に維持するとと
もに、低金属を実現することによって、微生物の発生を
無くし、しかもコロイド粒子の粒径安定性に優れるため
に、長期間にわたって効果を持続することができ、シリ
コンウェーハの研磨剤として、半導体部品の電気的特性
に悪影響を与えることのないコロイド状シリカスラリー
の提供を目的としている。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and a method in which a predetermined antibacterial agent is added to colloidal silica to maintain a pH in a neutral range and to maintain a low pH. By realizing metal, the generation of microorganisms is eliminated and the colloidal particles have excellent particle size stability, so that the effect can be maintained for a long period of time. The purpose of the present invention is to provide a colloidal silica slurry that does not adversely affect the silica.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
低金属シリカゾルから調製されてなるコロイド状シリカ
と抗菌・殺生物剤を含有してなり、pHが6.0〜8.
0であることを特徴とするコロイド状シリカスラリーに
関する。請求項2に係る発明は、金属含有量が1ppm
以下であることを特徴とする請求項1に記載のコロイド
状シリカスラリーに関する。請求項3に係る発明は、前
記コロイド状シリカのpHが6.0〜8.0であること
を特徴とする請求項1又は2に記載のコロイド状シリカ
スラリーに関する。請求項4に係る発明は、前記低金属
シリカゾルが、シリケートエステルからなることを特徴
とする請求項1乃至3のいずれかに記載のコロイド状シ
リカスラリーに関する。請求項5に係る発明は、コロイ
ド状シリカと抗菌・殺生物剤を含有してなるコロイド状
シリカスラリーであって、pHが6.0〜8.0であ
り、かつ金属含有量が1ppm以下であることを特徴と
するコロイド状シリカスラリーに関する。請求項6に係
る発明は、前記抗菌・殺生物剤が、有機臭素系化合物、
有機窒素硫黄系化合物、有機ヨウ素系化合物、有機硫黄
系化合物、トリアジン系化合物のうちから選択された1
種以上からなることを特徴とする請求項1乃至5のいず
れかに記載のコロイド状シリカスラリーに関する。
The invention according to claim 1 is
It contains colloidal silica prepared from a low metal silica sol and an antibacterial / biocide, and has a pH of 6.0 to 8.0.
A colloidal silica slurry characterized by being 0. The invention according to claim 2 has a metal content of 1 ppm.
The colloidal silica slurry according to claim 1, wherein: The invention according to claim 3 relates to the colloidal silica slurry according to claim 1 or 2, wherein the pH of the colloidal silica is 6.0 to 8.0. The invention according to claim 4 relates to the colloidal silica slurry according to any one of claims 1 to 3, wherein the low metal silica sol is made of a silicate ester. The invention according to claim 5 is a colloidal silica slurry containing colloidal silica and an antibacterial / biocide, which has a pH of 6.0 to 8.0 and a metal content of 1 ppm or less. The present invention relates to a colloidal silica slurry. The invention according to claim 6, wherein the antibacterial and biocide is an organic bromine compound,
One selected from organic nitrogen sulfur compounds, organic iodine compounds, organic sulfur compounds, and triazine compounds
The colloidal silica slurry according to any one of claims 1 to 5, comprising at least one kind.

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るコロイド状シ
リカスラリーについて詳述する。本発明に係るコロイド
状シリカスラリーは、第一の必須成分であるコロイド状
シリカと、第二の必須成分である抗菌・殺生物剤からな
る。本発明に係るコロイド状シリカスラリーの第一の必
須成分であるコロイド状シリカは被研磨材の表面を研磨
するための研磨砥粒である。コロイド状シリカは、水中
又は有機溶媒中にシリカが微分散したゾルであり、その
調製方法は特に限定されず、湿式法、シリカゲル解膠
法、イオン交換法、加水分解法などを例示することがで
きる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The colloidal silica slurry according to the present invention will be described in detail below. The colloidal silica slurry according to the present invention comprises colloidal silica as a first essential component and an antibacterial / biocide as a second essential component. Colloidal silica, which is the first essential component of the colloidal silica slurry according to the present invention, is a polishing abrasive for polishing the surface of the material to be polished. Colloidal silica is a sol in which silica is finely dispersed in water or an organic solvent, and its preparation method is not particularly limited, and examples thereof include a wet method, a silica gel peptization method, an ion exchange method, and a hydrolysis method. it can.

【0006】本発明においては、コロイド状シリカのナ
トリウム等の金属含有量は少量であることが好ましく、
具体的には、ナトリウム等の金属含有量が、1ppm以
下であるとよい。これは、ナトリウム等の金属の含有量
が、1ppmを超えると、コロイド状シリカスラリーの
ナトリウム等の金属の含有量が高くなり、半導体部品の
電気的特性に悪影響を与えることがあるからである。ナ
トリウム等の金属含有量が少ないコロイド状シリカとす
るには、その調製工程中においてナトリウム等の金属含
有量を低下させてもよく、また調製後にイオン交換処理
等により金属含有量を低下させてもよい。
In the present invention, the content of metals such as sodium in the colloidal silica is preferably small,
Specifically, the content of a metal such as sodium is preferably 1 ppm or less. This is because if the content of the metal such as sodium exceeds 1 ppm, the content of the metal such as sodium in the colloidal silica slurry increases, which may adversely affect the electrical characteristics of the semiconductor component. In order to obtain colloidal silica having a low content of metal such as sodium, the content of metal such as sodium may be reduced during the preparation process, or the content of metal may be reduced by ion exchange treatment or the like after preparation. Good.

【0007】また、コロイド状シリカのpHは6.0〜
8.0、好ましくは6.5〜7.5の中性域となるよう
に調製することが好ましい。これは、中性域から外れた
コロイド状シリカ、即ち、pH6.0未満の酸性域及び
pH8.0を超えるアルカリ性域のコロイド状シリカを
用いて、コロイド状シリカスラリーを調製した場合、シ
リコンウェーハの腐食の一因となり、半導体部品の電気
的特性に悪影響を及ぼすことがあるからである。
The pH of colloidal silica is 6.0 to 6.0.
It is preferable to adjust the pH to a neutral range of 8.0, preferably 6.5 to 7.5. This is because when a colloidal silica slurry is prepared using colloidal silica deviating from the neutral region, that is, colloidal silica in an acidic region having a pH of less than 6.0 and an alkaline region having a pH exceeding 8.0, a silicon wafer is prepared. This is because it causes corrosion and may adversely affect the electrical characteristics of the semiconductor component.

【0008】特に本発明においては、シリケートエステ
ル等の高純度シリカ源のうちの少なくとも1つの化合物
から製造された低金属シリカゾルからなるコロイド状シ
リカを用いることが好ましい。これは、これらの化合物
から製造されたコロイド状シリカのナトリウム等の金属
含有量は、1ppm以下であるとともに、そのpHは約
6.0〜8.0の中性域だからである。
In particular, in the present invention, it is preferable to use colloidal silica comprising a low metal silica sol produced from at least one compound of a high purity silica source such as a silicate ester. This is because the colloidal silica produced from these compounds has a metal content such as sodium of 1 ppm or less and a pH of about 6.0 to 8.0 in a neutral range.

【0009】コロイド状シリカの粒径は特に限定されな
いが、平均粒子径として、5〜300nm、より好まし
くは10〜250nmとなるように調整することが好ま
しい。これは、平均粒子径が5nm未満の場合、十分な
研磨速度を得ることができず、また300nmより大き
いと、被研磨面の表面の粗さが目立つようになり、滑ら
かな研磨面が得られず、いずれの場合も好ましくないか
らである。
The particle size of the colloidal silica is not particularly limited, but is preferably adjusted so as to have an average particle size of 5 to 300 nm, more preferably 10 to 250 nm. When the average particle diameter is less than 5 nm, a sufficient polishing rate cannot be obtained, and when the average particle diameter is larger than 300 nm, the roughness of the surface to be polished becomes conspicuous, and a smooth polished surface is obtained. This is because both cases are not preferred.

【0010】本発明において、コロイド状シリカの配合
量は、コロイド状シリカスラリー全量に対して、0.0
5〜50重量%、好ましくは0.1〜30重量%に調整
することが好ましい。これは、含有量が0.05重量%
未満の場合は、研磨砥粒であるコロイド状シリカの含有
量が少なすぎるために、実用的な研磨速度が得られず、
また50重量%を超えて配合した場合は、均一な分散性
が保てず、また高粘度となるために、いずれの場合も好
ましくないからである。
In the present invention, the blending amount of the colloidal silica is 0.0% based on the total amount of the colloidal silica slurry.
It is preferably adjusted to 5 to 50% by weight, preferably 0.1 to 30% by weight. This means that the content is 0.05% by weight
If less than, a practical polishing rate cannot be obtained because the content of the colloidal silica that is the abrasive grain is too small,
Also, if it is more than 50% by weight, uniform dispersibility cannot be maintained and the viscosity becomes high.

【0011】本発明に係るコロイド状シリカスラリーの
第二の必須成分である抗菌・殺生物剤は、コロイド状シ
リカスラリー中における細菌類やカビ類の繁殖を防止す
るために配合される。本発明において用いられる抗菌・
殺生物剤は特に限定されないが、抗菌・殺生物剤を所要
量配合したコロイド状シリカスラリーのナトリウム等の
金属の含有量が、1ppm以下に維持されるような抗菌
・殺生物剤を用いることが好ましい。これは、コロイド
状シリカスラリーのナトリウム等の金属の含有量が1p
pmを超えると、半導体部品の電気特性に悪影響を与え
ることがあるからである。
The antibacterial and biocide, which is the second essential component of the colloidal silica slurry according to the present invention, is blended to prevent the growth of bacteria and fungi in the colloidal silica slurry. Antibacterial used in the present invention
The biocide is not particularly limited, but an antibacterial / biocide that can maintain the content of metals such as sodium in the colloidal silica slurry containing a required amount of the antibacterial / biocide at 1 ppm or less is used. preferable. This is because the content of metals such as sodium in the colloidal silica slurry is 1 p.
This is because if it exceeds pm, the electrical characteristics of the semiconductor component may be adversely affected.

【0012】また、抗菌・殺生物剤を所要量配合したコ
ロイド状シリカスラリーのpHが、中性域、即ちpH
6.0〜8.0、好ましくはpH6.5〜7.5に維持
されるような抗菌・殺生物剤を用いることが好ましい。
尚、用いられる抗菌・殺生物剤としては、抗菌・殺生物
剤を配合した後のコロイド状シリカスラリーが研磨剤と
して使用できるために、コロイド状シリカに溶解すると
ともに、コロイド状シリカに溶解後もコロイド状シリカ
がゲル化などを起こさない性質を有することは言うまで
もない。
The pH of a colloidal silica slurry containing a required amount of an antibacterial and biocide is in a neutral region, ie, pH range.
It is preferable to use an antibacterial / biocide that is maintained at 6.0 to 8.0, preferably at pH 6.5 to 7.5.
As the antibacterial / biocide used, the colloidal silica slurry containing the antibacterial / biocide can be used as an abrasive, so that it dissolves in colloidal silica and also dissolves in colloidal silica. It goes without saying that the colloidal silica has a property of not causing gelation or the like.

【0013】このような抗菌・殺生物剤としては、有効
成分として有機臭素系化合物、有機窒素硫黄系化合物、
有機ヨウ素系化合物、有機硫黄系化合物、トリアジン系
化合物のうちの一種又は二種以上からなるものを例示す
ることができる。
[0013] Such antibacterial and biocide include organic bromine compounds, organic nitrogen sulfur compounds, and organic nitrogen compounds as active ingredients.
Examples thereof include one or more of an organic iodine-based compound, an organic sulfur-based compound, and a triazine-based compound.

【0014】具体的には、抗菌・殺生物剤として、有機
臭素系化合物を含む抗菌・殺生物剤であるスタニットS
1(商品名:ナガセ化成工業社製)、有機硫黄系、有機
ヨウ素系化合物を含む抗菌・殺生物剤であるデニサイド
NS100(商品名:ナガセ化成工業社製)、有機窒素
硫黄系及び有機臭素系化合物を含む抗菌・殺生物剤であ
るサニセット161(商品名:ナガセ化成工業社製)、
有機窒素硫黄系、有機臭素系化合物を含む抗菌・殺生物
剤であるバイオホープL(商品名:ケイ・アイ化成社
製)、有機窒素硫黄系化合物を含む抗菌・殺生物剤であ
るC−3500(商品名:東京ファインケミカル社
製)、有機窒素硫黄系化合物を含む抗菌・殺生物剤であ
るデルトップ100(商品名:武田薬品工業社製)、有
機窒素硫黄系化合物を含む抗菌・殺生物剤であるミクロ
スタットS520(商品名:ナガセ化成工業社製)、有
機ヨウ素系化合物を含む抗菌・殺生物剤であるデニサイ
ドC3(商品名:ナガセ化成工業社製)、有機硫黄系化
合物を含む抗菌・殺生物剤であるデニサイドBIT−2
0N(商品名:ナガセ化成工業社製)、トリアジン系化
合物を含む抗菌・殺生物剤であるヘキサミン(商品名:
和光純薬社製)などを例示することができる。これらの
うち、特にスタニットS1、バイオホープLが好まし
い。
Specifically, Stanit S, an antibacterial and biocide containing an organic bromine compound, is used as the antibacterial and biocide.
1 (trade name: Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd.), Denicide NS100 (trade name: Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd.), which is an antibacterial and biocide containing organic sulfur-based and organic iodine-based compounds, organic nitrogen sulfur-based and organic bromine-based Saniset 161 (trade name: Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd.), which is an antibacterial and biocide containing compounds,
Biohope L (trade name: K-I Kasei Co., Ltd.) which is an antibacterial and biocide containing organic nitrogen sulfur and organic bromine compounds, and C-3500 which is an antibacterial and biocide containing organic nitrogen sulfur compound (Trade name: manufactured by Tokyo Fine Chemical Co., Ltd.), Deltop 100 (trade name: manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.), an antibacterial / biocide containing organic nitrogen-sulfur compounds, antibacterial / biocide containing organic nitrogen-sulfur compounds Microstat S520 (trade name: manufactured by Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd.), Denicide C3 (trade name: manufactured by Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd.), which is an antibacterial and biocide containing organic iodine-based compound, Denicide BIT-2, a biocide
0N (trade name: manufactured by Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd.) and hexamine (trade name: antibacterial and biocide containing triazine compound)
Manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Of these, Stanit S1 and Biohope L are particularly preferred.

【0015】抗菌・殺生物剤の配合量は特に限定されな
いが、確実に細菌類やカビ類などの繁殖を抑制すること
ができる濃度であればよく、具体的には、コロイド状シ
リカスラリー全量に対して10〜500ppm、より好
ましくは50〜200ppmに調整することが好まし
い。これは、抗菌・殺生物剤の配合量が10ppm未満
では、確実に細菌類やカビ類などの繁殖を抑制すること
ができず、また500ppmを超えて配合したとして
も、それ以上の効果が望めず、いずれも場合も好ましく
ないからである。
The amount of the antibacterial and biocide is not particularly limited, but may be any concentration as long as it can surely suppress the growth of bacteria and fungi. Specifically, the total amount of the colloidal silica slurry is not limited. On the other hand, it is preferably adjusted to 10 to 500 ppm, more preferably 50 to 200 ppm. This means that if the amount of the antibacterial and biocide is less than 10 ppm, the growth of bacteria and fungi cannot be suppressed without fail, and even if the amount exceeds 500 ppm, more effects can be expected. This is because neither is preferable.

【0016】以上説明した各成分を所望の濃度となるよ
うに水に混合又は溶解若しくは分散させることにより本
発明に係るコロイド状シリカスラリーを調製することが
できる。尚、水としては、イオン交換水などの精製水、
好ましくは純水を用いるとよい。
The colloidal silica slurry according to the present invention can be prepared by mixing, dissolving or dispersing the above-described components in water so as to have a desired concentration. In addition, as water, purified water such as ion-exchanged water,
Preferably, pure water is used.

【0017】このようにして調製した本発明に係るコロ
イド状シリカスラリーは、そのナトリウム等の金属の含
有量は、1ppm以下であるとともに、そのpHは6.
0〜8.0、好ましくは6.5〜7.5の中性域に維持
されることになる。このために、本発明に係るコロイド
状シリカスラリーは、微生物の発生を無くし、かつシリ
コンウェーハの研磨剤として、半導体部品の電気的特性
に悪影響を与えることがない。
The thus prepared colloidal silica slurry according to the present invention has a metal content such as sodium of 1 ppm or less and a pH of 6.
It will be maintained in the neutral range of 0-8.0, preferably 6.5-7.5. For this reason, the colloidal silica slurry according to the present invention eliminates the generation of microorganisms and does not adversely affect the electrical characteristics of semiconductor components as a polishing agent for silicon wafers.

【0018】尚、本発明に係るコロイド状シリカスラリ
ーにおいては、上述の二つの必須成分の他に、研磨促進
剤等を本発明の効果が損なわれない範囲内において適宜
任意に配合することができる。
In addition, in the colloidal silica slurry according to the present invention, in addition to the above-mentioned two essential components, a polishing accelerator and the like can be optionally arbitrarily blended as long as the effects of the present invention are not impaired. .

【0019】[0019]

【実施例】以下、実施例を示すことにより本発明を詳細
に説明する、尚、本発明は以下の実施例により何ら限定
されるものではない。 (試験例1;抗菌・殺生物剤添加によるコロイド状シリ
カの性状試験)高純度コロイド状シリカ(商品名:PL
−10,扶桑化学工業社製)に、その濃度が1000p
pmとなるように表1及び表2に示される各抗菌・殺生
物剤を添加した際のコロイド状シリカの液性及び臭気の
有無を判定した。尚、刺激性及び臭気は以下の評価基準
に従った。<刺激性判定基準> −・・・・全くない +・・・・ある ++・・・強い刺激性を有する<臭気判定基準> −・・・・・・全くない +・・・・・・やや弱い臭気を有する。 ++・・・・・弱い臭気を有する +++・・・・強い臭気を有する ++++・・・かなり強い臭気を有する
EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples. (Test Example 1: Property test of colloidal silica by adding antibacterial and biocide) High-purity colloidal silica (trade name: PL
-10, manufactured by Fuso Chemical Co., Ltd.)
The liquid properties and the presence or absence of odor of the colloidal silica when each of the antibacterial and biocide agents shown in Tables 1 and 2 were added so as to obtain pm were determined. The irritation and odor were based on the following evaluation criteria. <Irritation criteria> -None at all + + ... Some ++ ... Strong irritability <Odor criteria> -... None at all + Somewhat Has a weak odor. ++ ... has a weak odor +++ ... has a strong odor ++++ ... has a very strong odor

【0020】[0020]

【表1】 [Table 1]

【0021】[0021]

【表2】 [Table 2]

【0022】尚、表1及び表2中の各抗菌・殺生物剤は
いずれも商品名であり、C−3500は東京ファインケ
ミカル社製、デルトップ100は武田薬品工業社製、ミ
クロスタットS520はナガセ化成工業社製、スタニッ
トS1はナガセ化成工業製、デニサイドNS100はナ
ガセ化成工業製、サニセット161はナガセ化成工業
製、デニサイドC3はナガセ化成工業社製、デニサイド
BIT−20Nはナガセ化成工業社製、バイオホープL
はケイ・アイ化成製、ヘキサミンは和光純薬社製、デニ
サイドS504はナガセ化成工業社製、PROTECT
OL HTはBASF社製、C−6000は東京ファイ
ンケミカル社製、BESTCIDE−900は大日本イ
ンキ化学工業社製、レボンLAG−40は三洋化学工業
社製、モルデナイズN760はナガセ化成工業社製、カ
チオンDDC−50は三洋化学工業社製、サニゾールB
−50は花王社製、ベシドシルIBは花王社製、マスキ
ン液(グルコン酸クロルヘキシジン)は、丸石製薬社
製、イソプロピルメチルフェノールは和光純薬社製、P
CMXはナガセ化成工業社製、ジクロロイソシアヌール
酸は和光純薬社製、ポリビニルピロリドンK90は和光
純薬社製、トリクロロカルバニリドはNIPA社製、デ
ュロデックス5000はMorton社製、ヒノキチオ
ールは小川香料社製、Tiabendazoleは和光
純薬社製である。
Each of the antibacterial and biocide agents in Tables 1 and 2 is a trade name. C-3500 is manufactured by Tokyo Fine Chemical Company, Deltop 100 is manufactured by Takeda Pharmaceutical Company, and Microstat S520 is Nagase. Made by Kasei Kogyo, Stanit S1 made by Nagase Kasei Kogyo, Denicide NS100 made by Nagase Kasei Kogyo, Saniset 161 made by Nagase Kasei Kogyo, Denicide C3 made by Nagase Kasei Kogyo, Denicide BIT-20N manufactured by Nagase Kasei Kogyo, Bio Hope L
Is manufactured by Keiei Kasei, hexamine is manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Denicide S504 is manufactured by Nagase Kasei Kogyo, PROTECT
OL HT is manufactured by BASF, C-6000 is manufactured by Tokyo Fine Chemical Co., BESTCIDE-900 is manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Levon LAG-40 is manufactured by Sanyo Chemical Industry, Moldenize N760 is manufactured by Nagase Kasei Kogyo, Cation DDC -50 is manufactured by Sanyo Chemical Industry Co., Sanizol B
-50 is manufactured by Kao Corporation, Besidosyl IB is manufactured by Kao Corporation, Muskin solution (chlorhexidine gluconate) is manufactured by Maruishi Pharmaceutical Co., Ltd., and isopropylmethylphenol is manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
CMX is manufactured by Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd., dichloroisocyanuric acid is manufactured by Wako Pure Chemical Co., Ltd., polyvinylpyrrolidone K90 is manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Trichlorocarbanilide is manufactured by NIPA, Durodex 5000 is manufactured by Morton, and hinokitiol is Ogawa Perfume And Tiabendazole are manufactured by Wako Pure Chemical Industries.

【0023】表1及び表2の結果から、C−3500、
デルトップ100、ミクロスタットS520、スタニッ
トS1、デニサイドNS100、サニセット161、デ
ニサイドC3、デニサイドBIT−20N、バイオホー
プL、ヘキサミンは、添加した後も、コロイド状シリカ
のpHが中性域に維持され、しかも、ゲル状や固体状と
ならず液状のままである。また、これらの抗菌・殺生物
剤の有効成分は、有機臭素系化合物、有機窒素硫黄系化
合物、有機ヨウ素系化合物、有機硫黄系化合物、トリア
ジン系化合物であった。
From the results in Tables 1 and 2, C-3500,
Deltop 100, Microstat S520, Stanit S1, Denicide NS100, Saniset 161, Denicide C3, Denicide BIT-20N, BioHope L, Hexamine, even after addition, the pH of the colloidal silica is maintained in the neutral range, Moreover, it does not become a gel or a solid but remains in a liquid state. The effective components of these antibacterial and biocide agents were organic bromine compounds, organic nitrogen sulfur compounds, organic iodine compounds, organic sulfur compounds, and triazine compounds.

【0024】(試験例2;コロイド状シリカ中の不純物
の測定)試験例1において、良好な結果が得られた、C
−3500、デルトップ100、ミクロスタットS52
0、スタニットS1、デニサイドNS100、サニセッ
ト161、デニサイドC3、デニサイドBIT−20
N、バイオホープLについて、試験例1と同様の高純度
コロイド状シリカに、バイオホープLについては100
ppm、その他は200ppm添加した場合の、コロイ
ド状シリカ中のナトリウム等の金属の濃度を原子吸光分
析法により測定した。尚、ブランクとしては、試験例1
と同様の高純度コロイド状シリカを用いた。測定した結
果を、表3に示す。尚、表中の単位はppmである。
Test Example 2 Measurement of Impurities in Colloidal Silica In Test Example 1, good results were obtained.
-3500, Dell Top 100, Microstat S52
0, Stanit S1, Denicide NS100, Saniset 161, Denicide C3, Denicide BIT-20
N, Biohope L, high purity colloidal silica as in Test Example 1, and Biohope L, 100
The concentration of metals such as sodium in colloidal silica when ppm and others were added at 200 ppm was measured by atomic absorption spectrometry. As a blank, Test Example 1 was used.
The same high-purity colloidal silica as in Example 1 was used. Table 3 shows the measurement results. The unit in the table is ppm.

【0025】[0025]

【表3】 [Table 3]

【0026】表3の結果のから、いずれの抗菌・殺生物
剤においても、コロイド状シリカに添加した後のナトリ
ウム等の金属の濃度が極めて低いことが分かる。
From the results shown in Table 3, it can be seen that the concentrations of metals such as sodium after addition to the colloidal silica are extremely low in any of the antibacterial and biocide agents.

【0027】(試験例3;抗菌・殺生物剤の抗菌性試験
1)試験例2において、ナトリウム等の金属の含有量が
特に少なかったスタニットS1、デニサイドNS10
0、サニセット161、バイオホープLを用いて、抗菌
性試験を行った。試験方法は、まず、試験例1と同様の
高純度コロイド状シリカに1000ppm、100pp
m、10ppmになるように添加した試験区を試験管に
10mlずつ調整した。次に、それぞれの試験管に対し
て、ブレインハートインヒュージョン培地で培養した、
コロイド状シリカの汚染原因菌の培養液(菌数:2.6
×106 個/g)を滅菌水で10000倍希釈したもの
を1ml添加した。37℃で7日間放置後、標準寒天平
板希釈法にて、コロイド状シリカ中の菌数を測定した。
測定結果を表4に示す。
(Test Example 3; Antibacterial Test of Antibacterial and Biocide 1) In Test Example 2, Stannit S1 and Denicide NS10 each containing a particularly small amount of metal such as sodium were used.
0, Saniset 161 and Biohope L were used to conduct an antibacterial test. The test method was as follows: First, 1000 ppm, 100 pp was added to the same high-purity colloidal silica as in Test Example 1.
The test group added so as to have a concentration of 10 ppm was adjusted to 10 ml for each test tube. Next, for each test tube, cultured in brain heart infusion medium,
Culture solution of bacteria causing contamination of colloidal silica (number of bacteria: 2.6)
1 × 10 6 / g) diluted 10,000 times with sterile water was added. After standing at 37 ° C. for 7 days, the number of bacteria in the colloidal silica was measured by a standard agar plate dilution method.
Table 4 shows the measurement results.

【0028】[0028]

【表4】 [Table 4]

【0029】(試験例4;抗菌・殺生物剤の抗菌性試験
2)試験例2においてナトリウム等の金属の含有量が少
なかったスタニットS1、デニサイドNS100、サニ
セット161、バイオホープLを用いて、抗菌性試験を
行った。試験方法は、まず、試験例1と同様の高純度コ
ロイド状シリカに100ppm、50ppm、20pp
m、10ppmになるように添加した試験区を試験管に
10mlずつ調整した。次に、それぞれの試験管に対し
て、ブレインハートインヒュージョン培地で培養した、
コロイド状シリカの汚染原因菌の培養液(菌数:5.5
×107 個/g)を滅菌水で10000倍希釈したもの
を1ml添加した。また、胞子形成培地で培養した、コ
ロイド状シリカの汚染原因菌の培養液(菌数:1.0×
103 個/g)を滅菌水で10000倍希釈したものを
1ml添加した。37℃で7日間放置後、標準寒天平板
希釈法にて、コロイド状シリカ中の菌数を測定した。測
定結果を表5、表6に示す。
(Test Example 4; Antibacterial Activity Test 2 of Antibacterial and Biocide) In Test Example 2, the antibacterial activity was measured using Stannit S1, Denicide NS100, Saniset 161 and Biohope L, which had a low content of metals such as sodium. A sex test was performed. First, 100 ppm, 50 ppm, and 20 pp were added to the high-purity colloidal silica as in Test Example 1.
The test group added so as to have a concentration of 10 ppm was adjusted to 10 ml for each test tube. Next, for each test tube, cultured in brain heart infusion medium,
Culture solution of bacteria causing contamination of colloidal silica (number of bacteria: 5.5)
1 × 10 7 cells / g) diluted 10,000 times with sterile water was added. In addition, a culture solution of the causative bacteria of the colloidal silica (culture number: 1.0 ×
10 3 / g) was diluted 10000-fold with sterile water, and 1 ml was added. After standing at 37 ° C. for 7 days, the number of bacteria in the colloidal silica was measured by a standard agar plate dilution method. Tables 5 and 6 show the measurement results.

【0030】[0030]

【表5】 [Table 5]

【0031】[0031]

【表6】 表4,5,6の結果の通り、本発明において用いられる
抗菌・殺生物剤はコロイド状シリカ中において、コロイ
ド状シリカの汚染原因菌に対する高い抗菌・殺生物作用
を有することが分かる。
[Table 6] As can be seen from the results in Tables 4, 5, and 6, the antibacterial / biocide used in the present invention has a high antibacterial / biocide action against colloidal silica-causing bacteria in colloidal silica.

【0032】(試験例5;抗菌・殺生物剤を添加したコ
ロイド状シリカの平均粒子径測定)試験例1と同様の高
純度コロイド状シリカに、後記表7に記載した抗菌・殺
生物剤を1000ppm添加したのちに、2週間経過後
の平均粒子径をコールター社製造のコールターN4計
(商品名)を用いて計測した。尚、抗菌剤を添加しない
高純度コロイド状シリカをブランクとして測定した。結
果を表7に示す。
(Test Example 5; Measurement of average particle size of colloidal silica to which antibacterial and biocide was added) The same high purity colloidal silica as in Test Example 1 was treated with the antibacterial and biocide described in Table 7 below. After the addition of 1000 ppm, the average particle diameter after 2 weeks was measured using a Coulter N4 meter (trade name) manufactured by Coulter Corporation. The measurement was performed using high-purity colloidal silica to which no antibacterial agent was added as a blank. Table 7 shows the results.

【0033】[0033]

【表7】 [Table 7]

【0034】表7の結果の通り、1000ppmという
非常に高濃度の添加であっても、本発明において用いら
れる抗菌・殺生物剤は、コロイド粒子の粒子径に与える
影響が低いことが分かる。
As can be seen from the results in Table 7, the antibacterial / biocide used in the present invention has a small influence on the particle size of the colloid particles even when the concentration is as high as 1000 ppm.

【0035】(試験例6;抗菌・殺生物剤を添加したコ
ロイド状シリカの保存試験)後記表8に記載した抗菌・
殺生物剤を表8中の濃度となるように試験例1と同様の
高純度コロイド状シリカに添加した後、密閉容器内にお
いて25℃の条件下で保存した。添加24時間経過後
と、6ヶ月経過後の平均粒子径とpH値を測定した。
尚、抗菌剤を添加しない高純度コロイド状シリカをブラ
ンクとして測定した。結果を表8に示す。
(Test Example 6: Storage test of colloidal silica added with antibacterial and biocide)
The biocide was added to the same high-purity colloidal silica as in Test Example 1 so as to have the concentration shown in Table 8, and then stored in a closed container at 25 ° C. The average particle diameter and the pH value after 24 hours and 6 months after the addition were measured.
The measurement was performed using high-purity colloidal silica to which no antibacterial agent was added as a blank. Table 8 shows the results.

【0036】[0036]

【表8】 [Table 8]

【0037】表8の結果の通り、本発明において用いら
れる抗菌・殺生物剤は、長期保存した場合であっても、
最も影響を受けやすい平均粒子径とpH値に対しても、
殆ど影響を与えることなく、保存安定性に優れることが
分かる。
As shown in Table 8, the antibacterial and biocide used in the present invention can be stored for a long period of time,
Even for the most sensitive average particle size and pH value,
It can be seen that storage stability is excellent with almost no effect.

【0038】(試験例7;抗菌・殺生物剤を添加したコ
ロイド状シリカの物性試験)後記表9に記載した抗菌・
殺生物剤を表9に記載した濃度となるように試験例1と
同様の高純度コロイド状シリカに添加した後に、臭気の
有無、及び発泡性について調べた。また、バイオホープ
L、スタニットS1については、さらに詳細な物性を測
定した。尚、抗菌剤を添加しない高純度コロイド状シリ
カをブランクとして測定した。結果を表9及び表10に
記載する。
(Test Example 7: Physical property test of colloidal silica to which an antibacterial / biocide was added)
After adding the biocide to the same high-purity colloidal silica as in Test Example 1 so as to have the concentration shown in Table 9, the presence or absence of odor and the foaming property were examined. Further, with respect to Biohope L and Stanit S1, more detailed physical properties were measured. The measurement was performed using high-purity colloidal silica to which no antibacterial agent was added as a blank. The results are shown in Tables 9 and 10.

【0039】[0039]

【表9】 [Table 9]

【0040】[0040]

【表10】 [Table 10]

【0041】表9の結果の通り、本発明において用いら
れる抗菌・殺生物剤は、臭気も殆ど無く、しかも無発泡
或いは低発泡性であることが分かる。また、表10の結
果の通り、本発明に係るコロイド状シリカの金属不純物
の含有量は極めて低く、またその他の特性もシリコンウ
ェーハの研磨剤として好適に用いることができるもので
ある。
As can be seen from the results in Table 9, the antibacterial and biocide used in the present invention has almost no odor and has no or low foaming properties. Further, as shown in the results of Table 10, the content of metal impurities in the colloidal silica according to the present invention is extremely low, and other characteristics can be suitably used as a polishing agent for silicon wafers.

【0042】[0042]

【発明の効果】本発明に係るコロイド状シリカスラリー
は、低金属シリカゾルから調製されてなるコロイド状シ
リカと抗菌・殺生物剤を含有してなり、pHが6.0〜
8.0であるから、菌類等の微生物の発生を抑制すると
ともに、保存安定性に優れ、しかも中性域の維持、およ
び低金属を達成でき、電気的特性に悪影響を与えること
なく、シリコンウェーハの循環系研磨剤として、好適な
コロイド状シリカスラリーを得ることができる。
The colloidal silica slurry according to the present invention contains colloidal silica prepared from a low metal silica sol and an antibacterial and biocide, and has a pH of 6.0 to 6.0.
Since it is 8.0, the generation of microorganisms such as fungi can be suppressed, the storage stability is excellent, the neutral region can be maintained, and a low metal content can be achieved. A suitable colloidal silica slurry can be obtained as the circulating abrasive of the above.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) A01N 35/06 A01N 35/06 43/36 43/36 C 43/64 104 43/64 104 43/78 43/78 Z 43/80 102 43/80 102 47/44 47/44 B24B 37/00 B24B 37/00 H C09K 3/14 550 C09K 3/14 550D 550Z (72)発明者 馬奈木 龍夫 大阪市淀川区新高2丁目6番6号 扶桑化 学工業株式会社神崎川事業所内 (72)発明者 外山 景司 京都府福知山市長田野町1丁目5番地 扶 桑化学工業株式会社福知山事業所内 (72)発明者 酒井 正年 京都府福知山市長田野町1丁目5番地 扶 桑化学工業株式会社福知山事業所内 Fターム(参考) 3C058 CB06 CB10 DA02 DA12 DA17 4H011 AA02 BA01 BB03 BB04 BB09 BB10 BC11 BC18 DA17 DD07──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) A01N 35/06 A01N 35/06 43/36 43/36 C 43/64 104 43/64 104 43/78 43 / 78 Z 43/80 102 43/80 102 47/44 47/44 B24B 37/00 B24B 37/00 H C09K 3/14 550 C09K 3/14 550D 550Z (72) Inventor Tatsuo Manaki 2 Shintaka, Yodogawa-ku, Osaka-shi 6-6-6 Fuso Kagaku Kogyo Co., Ltd.Kanzakigawa Works (72) Inventor Keiji Toyama 1-5-5 Nagatanocho, Fukuchiyama-shi, Kyoto Fuso Chemical Industry Co., Ltd.Fukuchiyama Works (72) Inventor Masatoshi Sakai 1-5-5 Nagatanocho, Fukuchiyama-shi, Kyoto F-Shi Chemical Industry Co., Ltd. Fukuchiyama Works F-term (reference) 3C058 CB06 CB10 DA02 DA12 DA17 4H011 AA02 BA01 BB03 BB04 BB09 BB1 0 BC11 BC18 DA17 DD07

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 低金属シリカゾルから調製されてなるコ
ロイド状シリカと抗菌・殺生物剤を含有してなり、pH
が6.0〜8.0であることを特徴とするコロイド状シ
リカスラリー。
Claims: 1. A composition comprising colloidal silica prepared from a low metal silica sol and an antibacterial and biocide,
Is 6.0 to 8.0.
【請求項2】 金属含有量が1ppm以下であることを
特徴とする請求項1に記載のコロイド状シリカスラリ
ー。
2. The colloidal silica slurry according to claim 1, wherein the metal content is 1 ppm or less.
【請求項3】 前記コロイド状シリカのpHが6.0〜
8.0であることを特徴とする請求項1又は2に記載の
コロイド状シリカスラリー。
3. The colloidal silica has a pH of 6.0 to 3.
The colloidal silica slurry according to claim 1 or 2, wherein the slurry is 8.0.
【請求項4】 前記低金属シリカゾルが、シリケートエ
ステルからなることを特徴とする請求項1乃至3のいず
れかに記載のコロイド状シリカスラリー。
4. The colloidal silica slurry according to claim 1, wherein the low metal silica sol comprises a silicate ester.
【請求項5】 コロイド状シリカと抗菌・殺生物剤を含
有してなるコロイド状シリカスラリーであって、pHが
6.0〜8.0であり、かつ金属含有量が1ppm以下
であることを特徴とするコロイド状シリカスラリー。
5. A colloidal silica slurry containing colloidal silica and an antibacterial / biocide, wherein the slurry has a pH of 6.0 to 8.0 and a metal content of 1 ppm or less. Characterized colloidal silica slurry.
【請求項6】 前記抗菌・殺生物剤が、有機臭素系化合
物、有機窒素硫黄系化合物、有機ヨウ素系化合物、有機
硫黄系化合物、トリアジン系化合物のうちから選択され
た1種以上からなることを特徴とする請求項1乃至5の
いずれかに記載のコロイド状シリカスラリー。
6. The method according to claim 1, wherein the antibacterial / biocide comprises at least one selected from an organic bromine compound, an organic nitrogen sulfur compound, an organic iodine compound, an organic sulfur compound, and a triazine compound. The colloidal silica slurry according to any one of claims 1 to 5, wherein:
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