JP2002050316A - 希ガス低圧放電ランプと、希ガス低圧放電ランプを製造する方法と、ガス放電ランプの適用法 - Google Patents
希ガス低圧放電ランプと、希ガス低圧放電ランプを製造する方法と、ガス放電ランプの適用法Info
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、あるスペクトル範囲のＵＶ光を生
成する希ガス低圧放電ランプの利点を利用することを可
能にさせるランプと、特に美容目的及び治療目的に好適
なこのようなランプを製造する方法とを提供することを
目的とする。 【解決手段】 特に美容目的又は治療目的のために紫外
線光を発生する希ガス低圧放電ランプは放電容器を有
し、この放電容器が、希ガスで充填され、ＵＶ光に少な
くとも部分的に透き通って見え、所望のスペクトル範囲
を利用するよう放電容器中で生成される励起放射線によ
って励起されることによりＵＶ光を放射する蛍光体で少
なくとも部分的にコーティングされる。
成する希ガス低圧放電ランプの利点を利用することを可
能にさせるランプと、特に美容目的及び治療目的に好適
なこのようなランプを製造する方法とを提供することを
目的とする。 【解決手段】 特に美容目的又は治療目的のために紫外
線光を発生する希ガス低圧放電ランプは放電容器を有
し、この放電容器が、希ガスで充填され、ＵＶ光に少な
くとも部分的に透き通って見え、所望のスペクトル範囲
を利用するよう放電容器中で生成される励起放射線によ
って励起されることによりＵＶ光を放射する蛍光体で少
なくとも部分的にコーティングされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、希ガス低圧放電ラ
ンプと、希ガス低圧放電ランプを製造する方法と、ガス
放電ランプの様々な適用法、特に、美容目的又は治療目
的とに関する。
ンプと、希ガス低圧放電ランプを製造する方法と、ガス
放電ランプの様々な適用法、特に、美容目的又は治療目
的とに関する。
【０００２】
【従来の技術】希ガス低圧放電ランプは公知である。こ
れら放電ランプは、例えば、ＬＣＤディスプレイのバッ
クグラウンド照明の機能を担う。更に、ＷＯ９８／１９
３２７は、ある治療目的のために厳密に制限されたスペ
クトル線で光を生成するキセノンランプを開示する。し
かしながら、このランプは、幅広い適用範囲には、特に
日光浴室中の日焼け用ランプとしては適切でない。
れら放電ランプは、例えば、ＬＣＤディスプレイのバッ
クグラウンド照明の機能を担う。更に、ＷＯ９８／１９
３２７は、ある治療目的のために厳密に制限されたスペ
クトル線で光を生成するキセノンランプを開示する。し
かしながら、このランプは、幅広い適用範囲には、特に
日光浴室中の日焼け用ランプとしては適切でない。
【０００３】公知の日焼け用ランプは、一方で１つ又は
２つの蛍光体を具備する水銀低圧ガス放電ランプであ
り、他方で蛍光体を具備しない高圧水銀蒸気ランプであ
る。夫々のタイプのランプは、主にＵＶ−Ａ範囲で出射
する。一方で蛍光体を具備するランプの場合に蛍光体の
成分を用いてＵＶ−Ａスペクトルを調節することが有利
的に可能であり、他方で各ランプは非常に毒性がある水
銀を不都合に含む、つまり、非常に注意して廃棄されな
ければならない。
２つの蛍光体を具備する水銀低圧ガス放電ランプであ
り、他方で蛍光体を具備しない高圧水銀蒸気ランプであ
る。夫々のタイプのランプは、主にＵＶ−Ａ範囲で出射
する。一方で蛍光体を具備するランプの場合に蛍光体の
成分を用いてＵＶ−Ａスペクトルを調節することが有利
的に可能であり、他方で各ランプは非常に毒性がある水
銀を不都合に含む、つまり、非常に注意して廃棄されな
ければならない。
【０００４】これらのランプで得られる日焼けの結果、
特に、皮膚の色及び日焼け効果の永続性は、皮膚が赤く
なること（紅斑）と即座の及び遅延された色素の形成と
が夫々放射されたＵＶ光の波長に強く依存することを示
すため、ＵＶ源のスペクトルの電力分配に主に依存す
る。従って、ランプのスペクトルを所望の方法で変更す
るよう追加のＵＶ−Ｂ蛍光体が幾つかのランプのタイプ
に追加される。ランプのスペクトルは、ＵＶ−Ｂ／ＵＶ
−Ａ、ＵＶ−Ａ１／ＵＶ−Ａ２、紅斑Ｂ／紅斑Ａの比を
用いて通常識別される。量は、ＵＶ−Ａ１＝３４０乃至
４００ナノメートル（ｎｍ）、ＵＶ−Ａ２＝３２０乃至
３４０ｎｍ、紅斑Ｂ＝２８０乃至３２０ｎｍ、紅斑Ａ＝
３２０乃至４００ｎｍ、ＵＶ−Ｂ＝２８０乃至３２０ｎ
ｍ内の波長範囲内で通常変化される。
特に、皮膚の色及び日焼け効果の永続性は、皮膚が赤く
なること（紅斑）と即座の及び遅延された色素の形成と
が夫々放射されたＵＶ光の波長に強く依存することを示
すため、ＵＶ源のスペクトルの電力分配に主に依存す
る。従って、ランプのスペクトルを所望の方法で変更す
るよう追加のＵＶ−Ｂ蛍光体が幾つかのランプのタイプ
に追加される。ランプのスペクトルは、ＵＶ−Ｂ／ＵＶ
−Ａ、ＵＶ−Ａ１／ＵＶ−Ａ２、紅斑Ｂ／紅斑Ａの比を
用いて通常識別される。量は、ＵＶ−Ａ１＝３４０乃至
４００ナノメートル（ｎｍ）、ＵＶ−Ａ２＝３２０乃至
３４０ｎｍ、紅斑Ｂ＝２８０乃至３２０ｎｍ、紅斑Ａ＝
３２０乃至４００ｎｍ、ＵＶ−Ｂ＝２８０乃至３２０ｎ
ｍ内の波長範囲内で通常変化される。
【０００５】蛍光体の成分がＬａＰＯ４：Ｃｅ（略して
ＬＡＰ）及びＢａＳｉ２Ｏ５（ＢＳＰ）の混合に基づく
ランプが最近開発された。これらのランプは、太陽の紅
斑効果スペクトルと非常に類似する紅斑効果スペクトル
を示す。
ＬＡＰ）及びＢａＳｉ２Ｏ５（ＢＳＰ）の混合に基づく
ランプが最近開発された。これらのランプは、太陽の紅
斑効果スペクトルと非常に類似する紅斑効果スペクトル
を示す。
【０００６】日焼け用ランプの分野において大きく前進
したが、水銀プラズマの使用と直接的に関係する不利な
点がまだ幾つかある。従って、例えば、水銀プラズマの
幾つかのスペクトル線はＵＶ範囲（２９７，３１２．
５，及び，３６５ｎｍ）にあり、幾つかは可視範囲（４
０５，４３５，５４６，及び，５７９ｎｍ）にある。こ
れら可視な水銀蒸気線の存在は、消費者によって望まれ
ない青色を帯びた現われをこれらランプの光に対して与
える。更にＵＶ範囲の水銀蒸気線は、蛍光体を手段とし
てＵＶスペクトルの自由な調節可能性と干渉し、このよ
うなランプの特定パラメータの計算において考慮される
べきである。
したが、水銀プラズマの使用と直接的に関係する不利な
点がまだ幾つかある。従って、例えば、水銀プラズマの
幾つかのスペクトル線はＵＶ範囲（２９７，３１２．
５，及び，３６５ｎｍ）にあり、幾つかは可視範囲（４
０５，４３５，５４６，及び，５７９ｎｍ）にある。こ
れら可視な水銀蒸気線の存在は、消費者によって望まれ
ない青色を帯びた現われをこれらランプの光に対して与
える。更にＵＶ範囲の水銀蒸気線は、蛍光体を手段とし
てＵＶスペクトルの自由な調節可能性と干渉し、このよ
うなランプの特定パラメータの計算において考慮される
べきである。
【０００７】更に不都合な点は、これらランプの低い安
定性である。従って、例えば、ある蛍光体、例えば、Ｂ
ＳＰとの水銀の相互作用は、ランプの寿命の間にＵＶ効
果を強く減少させるＵＶ吸収層もたらす。更に、所望の
ＵＶ光はランプの始まり挙動のために即座に利用できな
い。最後に、ランプの幾何学は管の形状に限定され、そ
れにより、例えば、日焼け用の寝いすのようなより広い
表面積にわたって適切な光分布を得るために、互いと隣
り合わせに配置されるランプの分野が使用される。幾つ
かのランプが互いと隣り合わせに配置されるにも関わら
ず、完全に一様な光分布は決して得られない。
定性である。従って、例えば、ある蛍光体、例えば、Ｂ
ＳＰとの水銀の相互作用は、ランプの寿命の間にＵＶ効
果を強く減少させるＵＶ吸収層もたらす。更に、所望の
ＵＶ光はランプの始まり挙動のために即座に利用できな
い。最後に、ランプの幾何学は管の形状に限定され、そ
れにより、例えば、日焼け用の寝いすのようなより広い
表面積にわたって適切な光分布を得るために、互いと隣
り合わせに配置されるランプの分野が使用される。幾つ
かのランプが互いと隣り合わせに配置されるにも関わら
ず、完全に一様な光分布は決して得られない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明は、ある
スペクトル範囲のＵＶ光を生成する希ガス低圧放電ラン
プの利点を利用することを可能にさせる、冒頭段落にお
いて述べた種類のランプと、特に美容目的及び治療目的
に好適なこのようなランプを製造する方法とを提供する
ことを目的とする。
スペクトル範囲のＵＶ光を生成する希ガス低圧放電ラン
プの利点を利用することを可能にさせる、冒頭段落にお
いて述べた種類のランプと、特に美容目的及び治療目的
に好適なこのようなランプを製造する方法とを提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的は、希ガスで充
填され、ＵＶ光に対して少なくとも部分的に透き通って
見える放電容器を含む希ガス低圧放電ランプを手段とし
て実現され、この放電容器は、放電容器中で発生される
励起光によって励起されるときＵＶ光を放射する蛍光体
で少なくとも部分的にコーティングされる。
填され、ＵＶ光に対して少なくとも部分的に透き通って
見える放電容器を含む希ガス低圧放電ランプを手段とし
て実現され、この放電容器は、放電容器中で発生される
励起光によって励起されるときＵＶ光を放射する蛍光体
で少なくとも部分的にコーティングされる。
【００１０】このようなランプの主な利点は、所望のタ
イプの光が始動の直後に利用でき得る点であり、水銀蒸
気放電ランプでは水銀が最初に蒸発されるべきである。
ランプの更なる利点は、通常動作の２０，０００時間以
上といったその非常に長い使用可能な寿命である。更
に、ランプは、有毒な水銀を含まないため環境にも好意
的である。
イプの光が始動の直後に利用でき得る点であり、水銀蒸
気放電ランプでは水銀が最初に蒸発されるべきである。
ランプの更なる利点は、通常動作の２０，０００時間以
上といったその非常に長い使用可能な寿命である。更
に、ランプは、有毒な水銀を含まないため環境にも好意
的である。
【００１１】ＶＵＶ及び／又はＵＶ−Ｃ範囲においてだ
け出射するキセノン又はネオンのような希ガスは、ＵＶ
及び／又は可視範囲において更なるプラズマ輝線を有し
ない２９０乃至４００ｎｍの範囲における広帯域の出射
を含むＵＶ源が日焼け目的のために望ましいため、放電
容器中で使用され得る。これら２つのガスの混合物を使
用することも有用である。生成された短い波長は、一つ
の蛍光体又は幾つかの蛍光体の混合によって適切なＵＶ
−Ａ及び／又はＵＶ−Ｂ光に変化されてもよい。これ
は、どのプラズマ線も可視範囲中に無く、それによりラ
ンプによって放射される光がユーザによって好ましくな
いと認識されないといった利点を有する。
け出射するキセノン又はネオンのような希ガスは、ＵＶ
及び／又は可視範囲において更なるプラズマ輝線を有し
ない２９０乃至４００ｎｍの範囲における広帯域の出射
を含むＵＶ源が日焼け目的のために望ましいため、放電
容器中で使用され得る。これら２つのガスの混合物を使
用することも有用である。生成された短い波長は、一つ
の蛍光体又は幾つかの蛍光体の混合によって適切なＵＶ
−Ａ及び／又はＵＶ−Ｂ光に変化されてもよい。これ
は、どのプラズマ線も可視範囲中に無く、それによりラ
ンプによって放射される光がユーザによって好ましくな
いと認識されないといった利点を有する。
【００１２】本発明の好ましい実施例では、放電容器は
少なくとも部分的にガラス、好ましくは、３１２．６ｎ
ｍの波長の光に対して２０乃至７０％の透過率を有する
ガラスから形成される。
少なくとも部分的にガラス、好ましくは、３１２．６ｎ
ｍの波長の光に対して２０乃至７０％の透過率を有する
ガラスから形成される。
【００１３】本発明は、スペクトルの電力分配が使用さ
れる蛍光体又は蛍光体の混合物にだけ依存するランプの
製造を有利的に可能にさせる。蛍光体又は幾つかの蛍光
体の組み合わせ即ち混合物が使用されるとき特に有利で
あることが分かり、このとき、放電容器中で発生される
励起光によって励起されることにより放射される光の１
％未満が２９０ｎｍより下の波長を有し、放射された光
の１％乃至１０％が２９０乃至３２０ｎｍの波長を有
し、放射された光の５％未満が４００ｎｍより上の波長
を有する。
れる蛍光体又は蛍光体の混合物にだけ依存するランプの
製造を有利的に可能にさせる。蛍光体又は幾つかの蛍光
体の組み合わせ即ち混合物が使用されるとき特に有利で
あることが分かり、このとき、放電容器中で発生される
励起光によって励起されることにより放射される光の１
％未満が２９０ｎｍより下の波長を有し、放射された光
の１％乃至１０％が２９０乃至３２０ｎｍの波長を有
し、放射された光の５％未満が４００ｎｍより上の波長
を有する。
【００１４】このような放射特性は、例えば、蛍光体又
はＢａＳｉ２Ｏ５：Ｐｂ（略してＢＳＰ）、ＣｅＭｇＡ
ｌ１１Ｏ１９（ＣＡＭ）、ＬａＰＯ４：Ｃｅ（ＬＡ
Ｐ）、ＳｒＢ４Ｏ７：Ｅｕ（ＳＢＥ）、及び、（Ｓｒ,
Ｂａ）ＭｇＳｉ２Ｏ７：Ｐｂ（ＳＭＳ）のような蛍光体
の組み合わせの使用を可能にさせる。これらの蛍光体
は、特に希ガス放電ランプが主に出射される１４０乃至
１９０ｎｍの範囲にあるＶＵＶによって励起されるとき
高い効果を有し、比較的小さい幅を夫々有する各出射帯
域はＵＶ−Ａ及び／又はＵＶ−Ｂ範囲にあり、出射は、
例えば、日焼け効果が特に高い一つの範囲に集中され得
る。ＵＶ−Ｂ蛍光体例えば、ＬＡＰとＵＶ−Ａ蛍光体、
例えば、ＢＳＰの組み合わせの使用は、所与の所望のス
ペクトルの所望の近似が実現されるようランプの特定パ
ラメータを調節することが可能となる。
はＢａＳｉ２Ｏ５：Ｐｂ（略してＢＳＰ）、ＣｅＭｇＡ
ｌ１１Ｏ１９（ＣＡＭ）、ＬａＰＯ４：Ｃｅ（ＬＡ
Ｐ）、ＳｒＢ４Ｏ７：Ｅｕ（ＳＢＥ）、及び、（Ｓｒ,
Ｂａ）ＭｇＳｉ２Ｏ７：Ｐｂ（ＳＭＳ）のような蛍光体
の組み合わせの使用を可能にさせる。これらの蛍光体
は、特に希ガス放電ランプが主に出射される１４０乃至
１９０ｎｍの範囲にあるＶＵＶによって励起されるとき
高い効果を有し、比較的小さい幅を夫々有する各出射帯
域はＵＶ−Ａ及び／又はＵＶ−Ｂ範囲にあり、出射は、
例えば、日焼け効果が特に高い一つの範囲に集中され得
る。ＵＶ−Ｂ蛍光体例えば、ＬＡＰとＵＶ−Ａ蛍光体、
例えば、ＢＳＰの組み合わせの使用は、所与の所望のス
ペクトルの所望の近似が実現されるようランプの特定パ
ラメータを調節することが可能となる。
【００１５】ランプによって生成される光が一般的に、
好ましい方向に放射されるべきであるため、放電容器中
で生成される高エネルギーＵＶ光が放電容器のある部分
にまで案内され得るようにＵＶ光反射層、特にＭｇＯ及
び／又はＡｌ２Ｏ３を有する層が、放電容器の部分上に
設けられてもよく、このある部分においてランプが非常
に高い効果、従って、高い日焼け電力を有するよう低エ
ネルギーＵＶ光に変換されるべきである。
好ましい方向に放射されるべきであるため、放電容器中
で生成される高エネルギーＵＶ光が放電容器のある部分
にまで案内され得るようにＵＶ光反射層、特にＭｇＯ及
び／又はＡｌ２Ｏ３を有する層が、放電容器の部分上に
設けられてもよく、このある部分においてランプが非常
に高い効果、従って、高い日焼け電力を有するよう低エ
ネルギーＵＶ光に変換されるべきである。
【００１６】よく知られている水銀蒸気放電ランプは常
に管の形状でなくてはならない一方で、本発明によるラ
ンプは、特に日焼け用ランプの場合に、例えば、湾曲又
は平坦でもよい、ランプの幾何学の完全に新しく、自由
な設計を有利的に可能にさせる。それにより、放電容器
をランプによって照射されるべき表面の輪郭に適合させ
ることが可能となる。
に管の形状でなくてはならない一方で、本発明によるラ
ンプは、特に日焼け用ランプの場合に、例えば、湾曲又
は平坦でもよい、ランプの幾何学の完全に新しく、自由
な設計を有利的に可能にさせる。それにより、放電容器
をランプによって照射されるべき表面の輪郭に適合させ
ることが可能となる。
【００１７】更に、本発明は、このようなランプのため
の対応する製造工程を提案する。本願では、特に、適用
されるべき蛍光体の懸濁液が用意され、放電容器の内側
に設けられてもよい。これに対する適切な工程は、２乃
至６ｍｇ／ｃｍ２の範囲内にあるコーティングの重さが
有利とされるフラッシュ又はシールコーティング工程で
あることが好ましい。その後、例えば、バインダの焼出
し又はベーキングアウトを通じて懸濁液が固定され、放
電容器が密閉され給気される。
の対応する製造工程を提案する。本願では、特に、適用
されるべき蛍光体の懸濁液が用意され、放電容器の内側
に設けられてもよい。これに対する適切な工程は、２乃
至６ｍｇ／ｃｍ２の範囲内にあるコーティングの重さが
有利とされるフラッシュ又はシールコーティング工程で
あることが好ましい。その後、例えば、バインダの焼出
し又はベーキングアウトを通じて懸濁液が固定され、放
電容器が密閉され給気される。
【００１８】従って、本発明は、このために適切な放電
容器並びにこのような放電容器のための製造方法を提案
する。
容器並びにこのような放電容器のための製造方法を提案
する。
【００１９】このような放電ランプは、皮膚色素沈着を
促進させる又は美容目的若しくは治療目的のためのＵＶ
光照射装置において特に適用されてもよい。本発明は、
蛍光体が２００ｎｍより下の波長を有する光によって励
起される日焼け用ランプとしてガス放電ランプを使用す
ることに関わる。それ自体が日焼け目的に適切でなく、
皮膚と直接的に接触すると実際に有害な放射線の使用
は、驚くことに蛍光体によって放射される光におけるよ
り柔軟な選択、それにより放射線スペクトルの適切且つ
最適な適合を可能にさせる。
促進させる又は美容目的若しくは治療目的のためのＵＶ
光照射装置において特に適用されてもよい。本発明は、
蛍光体が２００ｎｍより下の波長を有する光によって励
起される日焼け用ランプとしてガス放電ランプを使用す
ることに関わる。それ自体が日焼け目的に適切でなく、
皮膚と直接的に接触すると実際に有害な放射線の使用
は、驚くことに蛍光体によって放射される光におけるよ
り柔軟な選択、それにより放射線スペクトルの適切且つ
最適な適合を可能にさせる。
【００２０】本発明の更なる事項、目的、及び、利点
は、本発明を制限しない単なる例としてだけ全て提供さ
れ、添付の図面を参照して本発明によるランプの幾つか
の実施例及び本発明による方法の以下の実施例の説明か
ら明らかとなる。
は、本発明を制限しない単なる例としてだけ全て提供さ
れ、添付の図面を参照して本発明によるランプの幾つか
の実施例及び本発明による方法の以下の実施例の説明か
ら明らかとなる。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１において、希ガス低圧放電ラ
ンプ１０は、全体として誘電型障壁層を有して示され、
ランプの出射最大値がＵＶ−Ａ範囲にある。ランプは、
本実施例では管状でありキセノンで充填される気密性の
放電容器１２を有する。放電容器１２は、その内側全体
にわたり発光層１４を具備し、この発光層はＵＶ−Ａ範
囲（３２０−４００ｎｍ）において出射する少なくとも
１つの発光材料を有する。ＵＶ−Ｂ範囲（２８０−３２
０ｎｍ）において出射する追加の発光材料がＵＢ−Ｂ／
ＵＶ−Ａ比を調節するために加えられてもよい。
ンプ１０は、全体として誘電型障壁層を有して示され、
ランプの出射最大値がＵＶ−Ａ範囲にある。ランプは、
本実施例では管状でありキセノンで充填される気密性の
放電容器１２を有する。放電容器１２は、その内側全体
にわたり発光層１４を具備し、この発光層はＵＶ−Ａ範
囲（３２０−４００ｎｍ）において出射する少なくとも
１つの発光材料を有する。ＵＶ−Ｂ範囲（２８０−３２
０ｎｍ）において出射する追加の発光材料がＵＢ−Ｂ／
ＵＶ−Ａ比を調節するために加えられてもよい。
【００２２】２つの電極１６、例えば、Ａｌ電極又はい
わゆるＩＴＯ電極（ＩＴＯ＝インジウム酸化スズ＝Ｓｎ
Ｏ２：Ｉｎ）が放電容器１２の外側上に設けられ、上記
ＩＴＯ電極は透き通って見えるといった利点を有する。
従って構成されるいわゆるＤＢＤ（誘電型障壁放電）ラ
ンプは、高い電力密度及び２０，０００時間でもよい長
い動作寿命を有する。
わゆるＩＴＯ電極（ＩＴＯ＝インジウム酸化スズ＝Ｓｎ
Ｏ２：Ｉｎ）が放電容器１２の外側上に設けられ、上記
ＩＴＯ電極は透き通って見えるといった利点を有する。
従って構成されるいわゆるＤＢＤ（誘電型障壁放電）ラ
ンプは、高い電力密度及び２０，０００時間でもよい長
い動作寿命を有する。
【００２３】このランプのプラズマ発光スペクトルは、
キセノンで充填されるとき中心が１７２ｎｍにある狭い
発光帯域を覆い、低輝度な幾つかの線だけが約８２８ｎ
ｍにおける赤外線領域において出射される。ランプのＵ
Ｖ発光スペクトルはＵＶ−Ａ及びＵＶ−Ｂ蛍光体の選択
に有利的に依存する。更に、このようなランプは数ミリ
秒内でＶＵＶ範囲（１４０乃至１９０ｎｍ）における１
００％の電力出力を提供する。
キセノンで充填されるとき中心が１７２ｎｍにある狭い
発光帯域を覆い、低輝度な幾つかの線だけが約８２８ｎ
ｍにおける赤外線領域において出射される。ランプのＵ
Ｖ発光スペクトルはＵＶ−Ａ及びＵＶ−Ｂ蛍光体の選択
に有利的に依存する。更に、このようなランプは数ミリ
秒内でＶＵＶ範囲（１４０乃至１９０ｎｍ）における１
００％の電力出力を提供する。
【００２４】ランプのタイプは、所与の形状特に管状に
限定されないため、図２及び図３に示されるように平坦
な又は湾曲した幾何学を有するランプを製造することも
可能である。従ってこのランプのタイプは例えば、非常
に一様な光分布を有する例えば、日焼けの寝椅子を製造
することを可能にさせる。
限定されないため、図２及び図３に示されるように平坦
な又は湾曲した幾何学を有するランプを製造することも
可能である。従ってこのランプのタイプは例えば、非常
に一様な光分布を有する例えば、日焼けの寝椅子を製造
することを可能にさせる。
【００２５】図２及び図３は、平坦なＤＢＤ２０（図
２）、及び、湾曲したＤＢＤランプ３０（図３）を夫々
示す。２つのランプ夫々は、希ガスで充填され内側、即
ち、所望の放射線方向の領域において、所望であればラ
ンプの動作中に放電容器中で生成される高エネルギーＵ
Ｖ光を低エエルギーＵＶ光に変換するために蛍光体又は
蛍光体の組み合わせ２４及び３４で部分的にコーティン
グされる対応する放電容器２２及び３２を有する。
２）、及び、湾曲したＤＢＤランプ３０（図３）を夫々
示す。２つのランプ夫々は、希ガスで充填され内側、即
ち、所望の放射線方向の領域において、所望であればラ
ンプの動作中に放電容器中で生成される高エネルギーＵ
Ｖ光を低エエルギーＵＶ光に変換するために蛍光体又は
蛍光体の組み合わせ２４及び３４で部分的にコーティン
グされる対応する放電容器２２及び３２を有する。
【００２６】細片形状の電極２６及び３６が対応する放
電容器の外側に設けられる。
電容器の外側に設けられる。
【００２７】ランプの効率を増加させるためにはＵＶ反
射器２８及び３８が所望の放射線方向に対向する放電容
器の側上で２つのランプ夫々に設けられる。このような
ＵＶ反射器は、様々な方法で実現されてもよく、対応す
る適用法に適すように、例えば、放電容器上をコーティ
ングすることを通じて又は別のＵＶ反射鏡の形態で最適
化されてもよい。
射器２８及び３８が所望の放射線方向に対向する放電容
器の側上で２つのランプ夫々に設けられる。このような
ＵＶ反射器は、様々な方法で実現されてもよく、対応す
る適用法に適すように、例えば、放電容器上をコーティ
ングすることを通じて又は別のＵＶ反射鏡の形態で最適
化されてもよい。
【００２８】３１２．６ｎｍの波長の光に対して３５％
の透過率Ｔ３１２．６ｎｍを有する標準ガラスにＢＳＰ
蛍光体を含む単一コンポーネントのＤＢＤランプの製造
の例を以下に示す。
の透過率Ｔ３１２．６ｎｍを有する標準ガラスにＢＳＰ
蛍光体を含む単一コンポーネントのＤＢＤランプの製造
の例を以下に示す。
【００２９】ニトロセルローズをバインダとして酢酸ブ
チルの懸濁液が用意される。懸濁液は、シールコーティ
ング工程において１ミリメートルの厚さの標準ガラスの
ランプ管の形態で放電容器の内側上に設けられ、２乃至
６ｍｇ／ｃｍ２の蛍光体層の典型的なコーディングの重
さに対して３１２．６ｎｍの波長を有する光の３５％の
光透過率をもたらす。
チルの懸濁液が用意される。懸濁液は、シールコーティ
ング工程において１ミリメートルの厚さの標準ガラスの
ランプ管の形態で放電容器の内側上に設けられ、２乃至
６ｍｇ／ｃｍ２の蛍光体層の典型的なコーディングの重
さに対して３１２．６ｎｍの波長を有する光の３５％の
光透過率をもたらす。
【００３０】バインダは、５００℃乃至６００℃を上の
温度とする加熱サイクルで焼出される。ガラス管は、密
閉されキセノンで充填される。キセノンのガス圧力は２
００乃至３００ミリバーの間にあるべきである。Ａｌ電
極は、接着又は浸漬を通じてランプの外側に設けられ
る。
温度とする加熱サイクルで焼出される。ガラス管は、密
閉されキセノンで充填される。キセノンのガス圧力は２
００乃至３００ミリバーの間にあるべきである。Ａｌ電
極は、接着又は浸漬を通じてランプの外側に設けられ
る。
【００３１】このようなランプは、６キロボルト（ｋ
Ｖ）及び２５キロヘルツ（ｋＨｚ）の方形波ＡＣ電圧で
動作され得る。このようなランプの発光スペクトルが図
４に示される一方で、図５、図６、及び、図７は、標準
ガラスにＳＢＥ蛍光体を含む単一コンポーネントのＤＢ
Ｄランプの発光スペクトル（図５）、ＳＭＳ蛍光体を含
むキセノンガス放電ランプ（図６）、放電容器上に４０
％のＬＡＰ及び６０％のＢＳＰ蛍光体が設けられるキセ
ノンガス放電ランプ（図７）を示す。これらのランプを
製造する方法は、上述の方法に全て対応する。
Ｖ）及び２５キロヘルツ（ｋＨｚ）の方形波ＡＣ電圧で
動作され得る。このようなランプの発光スペクトルが図
４に示される一方で、図５、図６、及び、図７は、標準
ガラスにＳＢＥ蛍光体を含む単一コンポーネントのＤＢ
Ｄランプの発光スペクトル（図５）、ＳＭＳ蛍光体を含
むキセノンガス放電ランプ（図６）、放電容器上に４０
％のＬＡＰ及び６０％のＢＳＰ蛍光体が設けられるキセ
ノンガス放電ランプ（図７）を示す。これらのランプを
製造する方法は、上述の方法に全て対応する。
【図１】外部の、細片型の電極を含み、日焼け目的のた
めの本発明による管状のＤＢＤ（誘電型障壁放電）ラン
プの実施例の断面図である。
めの本発明による管状のＤＢＤ（誘電型障壁放電）ラン
プの実施例の断面図である。
【図２】外部の細片型の電極を含み、日焼け目的のため
の平坦なＤＢＤランプの断面図である。
の平坦なＤＢＤランプの断面図である。
【図３】外部の細片型の電極を含み、日焼け目的のため
の湾曲したＤＢＤランプの断面図である。
の湾曲したＤＢＤランプの断面図である。
【図４】ＢＳＰ蛍光体を標準ガラス中にして、単一コン
ポーネントのＤＢＤランプの発光スペクトルを示す図で
ある。
ポーネントのＤＢＤランプの発光スペクトルを示す図で
ある。
【図５】ＳＢＥ蛍光体を標準ガラス中にして、単一コン
ポーネントのＤＢＤランプの発光スペクトルを示す図で
ある。
ポーネントのＤＢＤランプの発光スペクトルを示す図で
ある。
【図６】ＳＭＳ蛍光体を含む、キセノンガス放電ランプ
の発光スペクトルを示す図である。
の発光スペクトルを示す図である。
【図７】４０％のＬＡＰと６０％のＢＳＰの蛍光体の混
合物を含むキセノンガス放電ランプの発光スペクトルを
示す図である。
合物を含むキセノンガス放電ランプの発光スペクトルを
示す図である。
１０ 希ガス低圧放電ランプ １２ 放電容器 １４ 発光層 １６ 電極 ２０ 平坦なＤＢＤランプ ２２、３２ 放電ランプ ２４、３４ 蛍光体又は蛍光体の組み合わせ ２６、３６ 細片状の電極 ２８、３８ ＵＶ反射器 ３０ 湾曲したＤＢＤランプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 9/395 Ｈ０１Ｊ 9/395 Ｃ 61/35 61/35 Ｆ 65/00 65/00 Ｂ (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (72)発明者 ハンス ニコル ドイツ連邦共和国，52070 アーヘン，ル イーゼンシュトラーセ 26 (72)発明者 コルネリス ヨアキム ヤリンク オランダ国，5656 アーアー アインドー フェン，プロフ・ホルストラーン ６ Ｆターム(参考） 5C012 AA08 5C028 EE01 EE15 EE17 5C043 BB01 CC16 CD01 CD08 DD28 DD31 EA14 EB01
Claims (14)
- 【請求項１】 希ガスで充填され少なくとも部分的にＵ
Ｖ光に透き通って見える放電容器を有し、特に美容目的
又は治療目的のために、紫外線を発生する希ガス低圧放
電ランプであって、 上記放電容器は、上記放電容器中で生成されるＵＶ励起
放射線によって励起されるとき上記ＵＶ光を放射する蛍
光体で少なくとも部分的にコーティングされることを特
徴とするランプ。 - 【請求項２】 上記放電容器中で生成される上記励起放
射線は、ＶＵＶ範囲に波長を有することを特徴とする請
求項１記載のランプ。 - 【請求項３】 上記放電容器は、キセノン又はネオンで
充填されることを特徴とする請求項１又は２記載のラン
プ。 - 【請求項４】 上記放電容器は、少なくとも部分的にガ
ラス、好ましくは、３１２．６ナノメートルの光に対し
て２０乃至７０％の透過率を有するガラスから成ること
を特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の
ランプ。 - 【請求項５】 上記蛍光体は、上記放電容器中で生成さ
れる励起放射線の励起の下で放射される上記光の１％未
満が２９０ナノメートルより下の波長を有することを特
徴とする請求項１乃至４のうちいずれか一項記載のラン
プ。 - 【請求項６】 上記蛍光体は、上記放電容器中で生成さ
れる励起放射線を用いて励起されることにより放射され
る上記光の１％乃至１０％が２９０乃至３２０ナノメー
トルの波長を有するように形成されることを特徴とする
請求項１乃至５のうちいずれか一項記載のランプ。 - 【請求項７】 上記蛍光体は、上記放電容器中で生成さ
れる励起放射線によって励起されることにより放射され
る上記光の５％未満が４００ナノメートルより上の波長
を有するように形成されることを特徴とする請求項１乃
至６のうちいずれか一項記載のランプ。 - 【請求項８】 上記蛍光体は、ＢａＳｉ２Ｏ５：Ｐｂ
（ＢＳＰ）、ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９（ＣＡＭ）、Ｌａ
ＰＯ４：Ｃｅ（ＬＡＰ）、ＳｒＢ４Ｏ７：Ｅｕ（ＳＢ
Ｅ）、及び、（Ｓｒ,Ｂａ）ＭｇＳｉ２Ｏ７：Ｐｂ（Ｓ
ＭＳ）の発光材料の群から選択される、少なくとも一つ
の発光材料、好ましくは発光材料の組み合わせを有する
ことを特徴とする請求項１乃至７のうちずれか一項記載
のランプ。 - 【請求項９】 ＵＶ光反射層、好ましくはＭｇＯ及び／
又はＡｌ２Ｏ３を有する層が上記放電容器の一部に設け
られることを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか
一項記載のランプ。 - 【請求項１０】 上記放電容器は管形状でないことを特
徴とする請求項１乃至９のうちいずれか一項記載のラン
プ。 - 【請求項１１】 上記放電容器の３つの寸法のうち２つ
の寸法、特に上記放電容器の長さ及び幅は、残りの１つ
の寸法、特に上記放電容器の厚さよりも実質的に大きい
ことを特徴とする請求項１０記載のランプ。 - 【請求項１２】 上記放電容器は該ランプで照射される
べき表面の輪郭に適合されることを特徴とする請求項１
０又は１１記載のランプ。 - 【請求項１３】 希ガスで充填され、少なくとも部分的
にＵＶ光に透き通って見える放電容器を有し、特に美容
目的又は治療目的のために、紫外線光を発生する希ガス
低圧放電ランプを製造する方法であって、 上記放電容器は、上記放電容器中で生成される励起放射
線によって励起されるときＵＶ光を放射する蛍光体で少
なくとも部分的にコーティングされることを特徴とする
方法。 - 【請求項１４】 供給されるべき蛍光体の懸濁液がニト
ロセルローズをバインダとして酢酸ブチルを基に用意さ
れ、 １平方センチメートル当たり２乃至６ミリグラムのコー
ティングの重さを有するようにフラッシュコーティング
工程を用いて上記放電容器の内側に上記懸濁液が設けら
れ、 上の温度が５００乃至６００℃の加熱サイクルにおいて
上記バインダが焼出され、 上記放電容器が密閉され、２００乃至３００ミリバーの
圧力で希ガス特にキセノン又はネオンで充填され、 電極が上記放電容器の外側に設けられることを特徴とす
る請求項１３記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10023504A DE10023504A1 (de) | 2000-05-13 | 2000-05-13 | Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe, Verfahren zum Herstellen einer Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe Lampe sowie Verwendung einer Gasentladungslampe |
| DE10023504.2 | 2000-05-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002050316A true JP2002050316A (ja) | 2002-02-15 |
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ID=7641933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001141726A Pending JP2002050316A (ja) | 2000-05-13 | 2001-05-11 | 希ガス低圧放電ランプと、希ガス低圧放電ランプを製造する方法と、ガス放電ランプの適用法 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP1154461B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002050316A (ja) |
| CN (1) | CN100557761C (ja) |
| DE (2) | DE10023504A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007534128A (ja) * | 2004-04-22 | 2007-11-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｕｖ−ｂ発光体を有する誘電体バリア放電ランプ |
| JP2009081076A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Ushio Inc | エキシマランプ |
| JP2012128962A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Ushio Inc | エキシマランプおよびエキシマ光照射装置 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10133411A1 (de) * | 2001-07-13 | 2003-01-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verwendung eines UVA-Leuchtstoffs |
| DE10162147B4 (de) * | 2001-12-17 | 2007-12-06 | Optomed Optomedical Systems Gmbh | UVB-Bestrahlungsanordnung |
| DE10214156A1 (de) * | 2002-03-28 | 2003-10-09 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit gewellter Deckenplattenstruktur |
| US6984931B2 (en) * | 2003-01-21 | 2006-01-10 | Osram Sylvania Inc. | UV-emitting phosphor blend and tanning lamp containing same |
| JP4266706B2 (ja) * | 2003-05-29 | 2009-05-20 | Ｎｅｃライティング株式会社 | ナローバンドｕｖ−ｂ光線治療器 |
| DE10326755A1 (de) * | 2003-06-13 | 2006-01-26 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Entladungslampe mit Zweibanden-Leuchtstoff |
| DE102004020398A1 (de) * | 2004-04-23 | 2005-11-10 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Außenelektroden und Beleuchtungssystem mit dieser Lampe |
| US7196473B2 (en) * | 2004-05-12 | 2007-03-27 | General Electric Company | Dielectric barrier discharge lamp |
| US7687997B2 (en) * | 2004-07-09 | 2010-03-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | UVC/VUV dielectric barrier discharge lamp with reflector |
| EP1859472A2 (en) | 2005-01-07 | 2007-11-28 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Segmented dielectric barrier discharge lamp |
| DE102007015738A1 (de) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Christoph Schwellenbach | Lampe zur Verwendung als Bestrahlungsphase bei einer Bestrahlungsvorrichtung zur UV-Bestrahlung der menschlichen Haut |
| DE102008017606A1 (de) * | 2008-04-08 | 2009-10-15 | Litec-Lll Gmbh | Niederdruckgasentladungslampe zur Beeinflussung des körpereigenen Melatoninhaushaltes |
| US20100107692A1 (en) * | 2008-11-04 | 2010-05-06 | Cheng-Wen Han | Manufacturing Method and Structure of Night Glow Glass |
| WO2011153388A2 (en) | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Access Business Group International Llc | Inductively coupled dielectric barrier discharge lamp |
| EP2573799A1 (en) * | 2011-09-21 | 2013-03-27 | SRLight ApS | Apparatus for promoting D-vitamin production in a living organism |
| DE102016200425B3 (de) * | 2016-01-15 | 2017-04-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Flexible, umweltfreundliche Lampenvorrichtung mit Gasentladungslampe und Verwendungen hiervon |
| KR102116867B1 (ko) | 2018-05-08 | 2020-05-29 | 주식회사 원익큐엔씨 | 임플란트 표면개질 처리장치 |
| JP7327932B2 (ja) * | 2018-12-14 | 2023-08-16 | ウシオ電機株式会社 | 紫外線照射装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000077031A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Toshiba Corp | 紫外線発生装置及び紫外線発生方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3670193A (en) * | 1970-05-14 | 1972-06-13 | Duro Test Corp | Electric lamps producing energy in the visible and ultra-violet ranges |
| NL7512188A (nl) * | 1975-10-17 | 1977-04-19 | Philips Nv | Werkwijze voor het aanbrengen van luminescerend materiaal op een glazen drager. |
| US4048537A (en) * | 1976-06-04 | 1977-09-13 | Gte Sylvania Incorporated | Protective ultraviolet-transmitting sleeve for fluorescent lamp |
| JPS57174847A (en) * | 1981-04-22 | 1982-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | Fluorescent discharge lamp |
| NL8202778A (nl) * | 1982-07-09 | 1984-02-01 | Philips Nv | Lagedrukkwikdampontladingslamp. |
| NL8303685A (nl) * | 1983-10-26 | 1985-05-17 | Philips Nv | Werkwijze voor het aanbrengen van een luminescerende laag op een drager en lagedrukkwikdampontladingslamp die een op zodanige wijze op een drager aangebrachte laag bevat. |
| DE3729711A1 (de) * | 1987-09-04 | 1989-03-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Quecksilberniederdruckentladungslampe zur uv-bestrahlung |
| DE69210113T2 (de) * | 1991-07-01 | 1996-11-21 | Philips Patentverwaltung | Hochdrucksglimmentladungslampe |
| DE4311197A1 (de) * | 1993-04-05 | 1994-10-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden Lichtquelle |
| US5557112A (en) * | 1995-07-21 | 1996-09-17 | Light Sources, Inc. | Dual radiation ultraviolet lamp |
| US5811924A (en) * | 1995-09-19 | 1998-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Fluorescent lamp |
| BE1009761A3 (nl) * | 1995-10-30 | 1997-08-05 | Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een lagedrukkwikontladingslamp en lagedrukkwikontladingslamp die met een dergelijke werkwijze is te vervaardigen. |
| DE69731136T2 (de) * | 1996-02-27 | 2005-10-13 | General Electric Co. | Quecksilberlose Ultraviolett-Entladungsquelle |
| DE19737920A1 (de) * | 1997-08-27 | 1999-03-04 | Walter Dipl Chem Dr Rer N Tews | Niederdruck-Gasentladungslampe mit erhöhter Lebensdauer |
| CN1262778A (zh) * | 1998-03-19 | 2000-08-09 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 一种制造低压汞蒸汽放电灯的方法 |
| EP1095397B1 (en) * | 1999-04-29 | 2004-07-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Low-pressure mercury vapor discharge lamp |
| JP2001081460A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-03-27 | Nec Kansai Ltd | 紫外発光物質及びこれを使用した紫外線発光蛍光ランプ、紫外発光素子 |
| DE20004732U1 (de) * | 2000-03-15 | 2000-05-18 | NARVA Brand-Erbisdorfer Lichtquellenproduktions- und Vertriebsgesellschaft mbH, 09618 Brand-Erbisdorf | Niederdruckgasentladungslampe zur Beleuchtung von Aquarien |
-
2000
- 2000-05-13 DE DE10023504A patent/DE10023504A1/de active Pending
-
2001
- 2001-05-09 US US09/852,166 patent/US6787979B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-09 CN CNB011167963A patent/CN100557761C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-11 EP EP01111543A patent/EP1154461B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-11 JP JP2001141726A patent/JP2002050316A/ja active Pending
- 2001-05-11 DE DE50109192T patent/DE50109192D1/de not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-08-09 US US10/914,437 patent/US7053542B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000077031A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Toshiba Corp | 紫外線発生装置及び紫外線発生方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007534128A (ja) * | 2004-04-22 | 2007-11-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｕｖ−ｂ発光体を有する誘電体バリア放電ランプ |
| JP2009081076A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Ushio Inc | エキシマランプ |
| JP2012128962A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Ushio Inc | エキシマランプおよびエキシマ光照射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| DE10023504A1 (de) | 2001-11-15 |
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