JP2002045772A - Coating apparatus and coating method - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a coating apparatus and a coating method capable of conserving a resist liquid and uniformizing the thickness of a coating film. SOLUTION: A treatment liquid with predetermined viscosity P2 lower than viscosity P1 is discharged after the elapse of time t1 from the start of discharge and a treatment liquid with predetermined viscosity P3 lower than the viscosity P2 is discharged after the elapse of time t2 after the start of the discharge of the treatment liquid and, after the elapse of time tf from the start of discharge, the supply of the treatment liquid to a glass substrate G is stopped. By this constitution, the viscosity of the treatment liquid can be changed corresponding to the region on the glass substrate and the resist liquid consumption can be saved and the thickness of the coating film can be uniformized.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディス
プレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）に使われる
ガラス基板上にレジスト液を塗布する塗布装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating apparatus for applying a resist solution on a glass substrate used for, for example, a liquid crystal display (LCD).

【０００２】[0002]

【従来の技術】ＬＣＤの製造工程においては、被処理体
であるＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin O
xide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体
デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグ
ラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術で
は、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光
し、さらに現像する。レジスト液の塗布方法としては、
現在のところ、ガラス基板を回転させながらその中心に
レジスト液を滴下し、遠心力を利用してレジスト液を拡
散して塗布するスピンコーティング法が主流である。2. Description of the Related Art In a manufacturing process of an LCD, an ITO (Indium Tin Oxide) is formed on a glass substrate for an LCD to be processed.
In order to form a thin film and an electrode pattern of xide), a photolithography technique similar to that used for manufacturing a semiconductor device is used. In the photolithography technique, a photoresist is applied to a glass substrate, exposed, and further developed. As a method of applying the resist solution,
At present, a spin coating method in which a resist liquid is dropped on the center of a glass substrate while rotating the glass substrate, and the resist liquid is diffused and applied using centrifugal force is mainly used.

【０００３】ところでこのスピンコーティング法は、レ
ジスト液がガラス基板Ｇの外方に飛散し、かなりの量が
無駄になるという問題があった。この問題を解決するた
めに従来では、レジスト液がガラス基板の中心から周縁
部に向かって拡散していく際に、ガラス基板の回転数を
小さくしたりあるいは吐出されるレジスト液の吐出量を
減少させ若しくは吐出を停止させたりして、ガラス基板
周縁部から遠心力により飛散して無駄になるレジスト液
の量を減少させてレジスト液の節約を図っていた。However, the spin coating method has a problem in that the resist liquid scatters outside the glass substrate G, and a considerable amount of the resist liquid is wasted. Conventionally, in order to solve this problem, when the resist liquid diffuses from the center of the glass substrate toward the peripheral edge, the rotation speed of the glass substrate is reduced or the discharge amount of the discharged resist liquid is reduced. By stopping or stopping the discharge, the amount of the resist liquid scattered from the peripheral portion of the glass substrate by centrifugal force and wasted is reduced, thereby saving the resist liquid.

【０００４】また一方、レジスト液の塗布処理工程にお
いて、例えば塗布されたレジスト液が基板周縁部で表面
張力により盛り上がる現象が起きたり、あるいは逆に、
レジスト液の種類によっては基板中心部から周縁部に向
うに従って塗膜厚が小さくなる現象が起きたりする。こ
れにより、精密な電極パターンを形成することができな
くなるおそれがある。従ってレジスト液の塗膜圧の均一
性を確保しなければならず、この制御方法として、底面
に通気孔を有する円筒状の回転カップ内にガラス基板を
配置して、基板中心にレジスト液を供給し、通気孔を有
する蓋体を回転カップに被せ、ガラス基板及び回転カッ
プを一体に回転させてレジスト液を拡散させ、かつ回転
中に上記通気孔を通る気流により基板周縁部上のレジス
ト液を乾燥させるという方法がこれまで行われてきた。
これにより通気孔の径や位置等に応じて、レジスト液の
乾燥度やガラス基板上の乾燥位置を調整して塗膜圧の制
御を行うようにしていた。On the other hand, in the resist solution coating process, for example, a phenomenon occurs in which the applied resist solution rises due to surface tension at the peripheral edge of the substrate, or conversely,
Depending on the type of the resist solution, a phenomenon may occur in which the thickness of the coating film decreases from the central portion of the substrate toward the peripheral portion. This may make it impossible to form a precise electrode pattern. Therefore, it is necessary to ensure the uniformity of the coating pressure of the resist liquid. As a control method, a glass substrate is placed in a cylindrical rotating cup having a vent on the bottom surface, and the resist liquid is supplied to the center of the substrate. Then, the lid having an air hole is covered on the rotating cup, the glass substrate and the rotating cup are rotated together to diffuse the resist liquid, and the resist liquid on the peripheral edge of the substrate is rotated by the airflow passing through the air hole. The method of drying has been performed so far.
Thus, the coating pressure is controlled by adjusting the degree of drying of the resist solution and the drying position on the glass substrate according to the diameter and position of the ventilation holes.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た方法によりレジスト液の節約を行い、かつ上記の塗膜
圧制御を行う場合、塗膜圧の制御に使用される蓋体等の
装置類の点数や通気孔等の加工数が多くなる。更には、
所望の上記乾燥度や乾燥位置を得るためには、それに応
じて通気孔の径や位置が異なる回転カップや蓋体を用意
しなければならないためコストが高くなってしまう。However, when the above method is used to save the resist solution and control the coating film pressure, the number of devices such as a lid used for controlling the coating film pressure is reduced. And the number of processes for vents and the like increase. Furthermore,
In order to obtain the desired degree of drying and the desired drying position, it is necessary to prepare rotating cups and lids having different diameters and positions of the ventilation holes, which increases costs.

【０００６】本発明は上記した事情に鑑みてなされたも
ので、レジスト液の塗布途中にガラス基板の回転数を制
御することなく、装置類の点数や加工数を少なくして、
レジスト液の節約かつ塗膜圧を均一にすることができる
塗布装置及び塗布方法を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and reduces the number of devices and the number of processes without controlling the rotation speed of a glass substrate during application of a resist solution.
An object of the present invention is to provide a coating apparatus and a coating method that can save a resist solution and make the coating pressure uniform.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の観点によれば、被処理体を保持する
保持部材と、前記被処理体を回転駆動する回転手段と、
前記被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段
と、前記処理液の粘度を可変する粘度可変手段と、を具
備する。According to a first aspect of the present invention, there is provided a holding member for holding an object to be processed, a rotating means for driving the object to be rotated,
A processing liquid supply unit configured to supply a processing liquid to the surface of the processing target; and a viscosity changing unit configured to change a viscosity of the processing liquid.

【０００８】本発明の第２の観点によれば、保持部に被
処理体を保持する工程と、前記被処理体を回転させなが
ら前記被処理体に処理液を供給する工程と、前記処理液
を供給している際に前記処理液の粘度を変化させる工程
と、を具備する。According to a second aspect of the present invention, a step of holding an object to be processed in a holding section, a step of supplying a processing liquid to the object to be processed while rotating the object to be processed, Changing the viscosity of the treatment liquid when the liquid is supplied.

【０００９】上記本発明の第１の観点及び第２の観点に
よれば、被処理体上の位置に応じて被処理体に塗布する
処理液の粘度を変化させることができるので、例えば塗
膜圧の均一性を保つ制御が困難な被処理体の周縁部にお
いても、処理液の粘度を変化させることにより被処理体
に対する処理液の濡れ性を変化させて塗膜圧の均一性を
確保することができ、かつ、装置類の点数を少なくして
塗膜圧の制御を行うことができる。また、粘度を処理液
の供給途中において変化させることにより、例えば処理
液供給開始時点の粘度を処理液供給途中の粘度よりも高
く制御することにより、被処理体の回転により被処理体
の周縁部に最初に行きわたる処理液の粘度を高くし、飛
散して無駄になるレジスト液の量を減少させてレジスト
液の節約を図ることができる。According to the first and second aspects of the present invention, the viscosity of the processing liquid applied to the object to be processed can be changed according to the position on the object to be processed. The uniformity of the coating pressure is ensured by changing the viscosity of the processing liquid to change the wettability of the processing liquid to the processing object even at the peripheral portion of the processing object where it is difficult to control to maintain the uniformity of the pressure. The coating pressure can be controlled by reducing the number of devices. In addition, by changing the viscosity during the supply of the processing liquid, for example, by controlling the viscosity at the start of the processing liquid supply to be higher than the viscosity during the supply of the processing liquid, the peripheral portion of the processing object is rotated by the rotation of the processing object. Thus, the viscosity of the processing liquid which is firstly distributed can be increased, and the amount of scattered and wasted resist liquid can be reduced, thereby saving the resist liquid.

【００１０】本発明の第３の観点によれば、保持部に被
処理体を保持する工程と、前記被処理体の表面に前記処
理液を供給する処理液供給手段を前記被処理体の中心部
上方に位置させて、前記被処理体を回転させながら前記
被処理体の中心部に処理液を供給する工程と、前記処理
液供給手段を前記被処理体の周縁部上方に位置させて、
前記被処理体を回転させながら前記被処理体の周縁部に
前記中心部に供給した処理液の粘度と異なる粘度の処理
液を供給する工程と、を具備する。According to a third aspect of the present invention, a step of holding an object to be processed by a holding portion and a processing liquid supply means for supplying the processing liquid to the surface of the object to be processed are provided at the center of the object to be processed. A step of supplying a processing liquid to a central portion of the processing target while rotating the processing target, and positioning the processing liquid supply unit above a peripheral edge of the processing target,
Supplying a processing liquid having a viscosity different from that of the processing liquid supplied to the central portion to a peripheral portion of the processing object while rotating the processing object.

【００１１】この本発明の第３の観点により、被処理体
の中心部に処理液を供給して、かつ被処理体の周縁部の
みに、中心部に供給した処理液の粘度と異なる粘度の処
理液を供給することができるので、塗膜圧の均一性を確
保する制御を確実に行うことができる。According to the third aspect of the present invention, the processing liquid is supplied to the central portion of the object to be processed, and only the peripheral portion of the object has a viscosity different from that of the processing liquid supplied to the central portion. Since the processing liquid can be supplied, control for ensuring uniformity of the coating film pressure can be reliably performed.

【００１２】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【００１３】図１は、本発明が適用されるＬＣＤ基板の
レジスト塗布・現像処理システムを示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a resist coating and developing system for an LCD substrate to which the present invention is applied.

【００１４】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡し
を行うためのインターフェイス部３とを備えており、処
理部２の両端にそれぞれカセットステーション１および
インターフェイス部３が配置されている。This coating / developing processing system includes a cassette station 1 on which a cassette C accommodating a plurality of substrates G is placed, and a plurality of processing units for performing a series of processes including resist coating and developing on the substrates G. The processing unit 2 includes an interface unit 3 for transferring a substrate G between the exposure unit (not shown) and a cassette station 1 and an interface unit 3 at both ends of the processing unit 2. Are located.

【００１５】カセットステーション１は、カセットＣと
処理部２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機
構１０を備えている。そして、カセットステーション１
においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機
構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路
１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送
アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇ
の搬送が行われる。The cassette station 1 has a transport mechanism 10 for transporting an LCD substrate between the cassette C and the processing section 2. And cassette station 1
, A cassette C is loaded and unloaded. The transport mechanism 10 includes a transport arm 11 that can move on a transport path 10 a provided along the direction in which the cassettes are arranged. The transport arm 11 allows the substrate G to be moved between the cassette C and the processing unit 2.
Is carried out.

【００１６】処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後
段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１
２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部１５、１６が設けられている。The processing section 2 is divided into a front section 2a, a middle section 2b, and a rear section 2c.
2, 13 and 14, and each processing unit is disposed on both sides of these transport paths. Then, relay portions 15 and 16 are provided between them.

【００１７】前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には、２つの洗浄装置（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが配置
されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射装置
（ＵＶ）および冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられて
なる紫外線照射／冷却ユニット２５、２つの加熱処理装
置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット２
６、および２つの冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられ
てなる冷却ユニット２７が配置されている。The front section 2a includes a main transfer device 17 movable along the transfer path 12. On one side of the transfer path 12, two cleaning devices (SCR) 21a and 21b are disposed. On the other side of the transport path 12, an ultraviolet irradiation / cooling unit 25 in which an ultraviolet irradiation device (UV) and a cooling device (COL) are vertically stacked, and two heat treatment devices (HP) are vertically stacked. Heating unit 2
6, and a cooling unit 27 in which two cooling devices (COL) are vertically stacked.

【００１８】また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側には、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２、減圧乾燥
装置（ＶＤ）４０および基板Ｇの周縁部のレジストを除
去するエッジリムーバ（ＥＲ）２３が一体的に設けられ
て配置され、塗布系処理ユニット群５０を構成してい
る。この塗布系処理ユニット群５０では、レジスト塗布
装置（ＣＴ）で基板Ｇにレジストが塗布された後、基板
Ｇが減圧乾燥装置（ＶＤ）４０に搬送されて乾燥処理さ
れ、その後、エッジリムーバ（ＥＲ）２３により基板Ｇ
のエッジ部分や基板Ｇの裏側周縁部に回り込んで付着し
たレジストの除去処理が行われるようになっている。搬
送路１３の他方側には、２つの加熱装置（ＨＰ）が上下
に重ねられてなる加熱処理ユニット２８、加熱処理装置
（ＨＰ）と冷却処理装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられて
なる加熱処理／冷却ユニット２９、およびアドヒージョ
ン処理装置（ＡＤ）と冷却装置（ＣＯＬ）とが上下に積
層されてなるアドヒージョン処理／冷却ユニット３０が
配置されている。The middle section 2b is provided with a main transfer device 18 movable along the transfer path 13. On one side of the transfer path 13, a resist coating device (CT) 22 and a reduced-pressure drying device (VD ) 40 and an edge remover (ER) 23 for removing the resist at the periphery of the substrate G are integrally provided and arranged, and constitute a coating system processing unit group 50. In this coating system processing unit group 50, after the resist is applied to the substrate G by the resist coating device (CT), the substrate G is transported to the reduced-pressure drying device (VD) 40 and dried, and thereafter, the edge remover (ER) ) 23 for substrate G
The edge of the substrate G and the peripheral edge of the back side of the substrate G are removed to remove the attached resist. On the other side of the transport path 13, a heat treatment unit 28 in which two heating devices (HP) are vertically stacked, and a heat treatment in which a heat treatment device (HP) and a cooling treatment device (COL) are vertically stacked. / Cooling unit 29, and an adhesion processing / cooling unit 30 in which an adhesion processing device (AD) and a cooling device (COL) are vertically stacked.

【００１９】さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿っ
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には、３つの現像処理装置（ＤＥＶ）２４ａ、
２４ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側
には２つの加熱処理装置（ＨＰ）が上下に重ねられてな
る加熱処理ユニット３１、および加熱処理装置（ＨＰ）
と冷却装置（ＣＯＬ）が上下に積層されてなる２つの加
熱処理／冷却ユニット３２、３３が配置されている。Further, the rear section 2c is provided with a main transport device 19 which can move along the transport path 14.
On one side, three developing devices (DEV) 24a,
24b and 24c are arranged, and a heat treatment unit 31 in which two heat treatment devices (HP) are vertically stacked on the other side of the transport path 14, and a heat treatment device (HP)
And a cooling device (COL) are vertically stacked, and two heat treatment / cooling units 32 and 33 are arranged.

【００２０】上記主搬送装置１７，１８，１９は、それ
ぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、
および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ
軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞ
れ基板Ｇを支持するアーム１７ａ，１８ａ，１９ａを有
している。The main transporting devices 17, 18, and 19 respectively include an X-axis driving mechanism, a Y-axis driving mechanism in two directions in a horizontal plane,
And a vertical Z-axis drive mechanism.
A rotation drive mechanism that rotates about an axis is provided, and has arms 17a, 18a, and 19a that support the substrate G, respectively.

【００２１】なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理装置２１ａ、２１ｂ、レジスト塗布装置
（ＣＴ）２２、現像処理装置２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、
のようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方
の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処
理ユニットのみを配置する構造となっている。The processing unit 2 includes cleaning devices 21a and 21b, a resist coating device (CT) 22, developing devices 24a, 24b, and 24c on one side of the transport path.
, And only the heat processing units such as the heating processing unit and the cooling processing unit are disposed on the other side.

【００２２】また、中継部１５、１６のスピナー系ユニ
ット配置側の部分には、薬液供給装置３４が配置されて
おり、さらにメンテナンスが可能なスペース３５が設け
られている。A chemical solution supply device 34 is provided at a portion of the relay units 15 and 16 on the side of the spinner unit, and a space 35 for maintenance is provided.

【００２３】インターフェイス部３は、処理部２との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファカセットを配置する２つのバッファステージ３７
と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬
入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８
はエクステンション３６およびバッファステージ３７の
配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能
な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処
理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。The interface unit 3 includes an extension 36 for temporarily holding the substrate when transferring the substrate to and from the processing unit 2, and two buffer stages 37 provided on both sides thereof for disposing a buffer cassette.
And a transport mechanism 38 for loading and unloading the substrate G between these and an exposure apparatus (not shown). Transport mechanism 38
Is provided with a transfer arm 39 movable along a transfer path 38a provided along the direction in which the extension 36 and the buffer stage 37 are arranged. The transfer arm 39 allows the transfer of the substrate G between the processing unit 2 and the exposure apparatus. Done.

【００２４】図２及び図３は本発明に係るレジスト塗布
装置（ＣＴ）２２を示す図である。これらの図に示すよ
うに、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２のほぼ中央には、
有底円筒状のカップ７１が配置され、このカップ７１内
にはガラス基板Ｇを固定保持するための保持部であっ
て、ロッド７５の長手方向を軸として回転可能な基板吸
着テーブル５８が配置されている。カップ７１の上部に
は、ガラス基板Ｇを出し入れするための開口部７１ａが
設けられている。FIGS. 2 and 3 are views showing a resist coating apparatus (CT) 22 according to the present invention. As shown in these figures, almost at the center of the resist coating device (CT) 22,
A cylindrical cup 71 having a bottom is disposed therein, and a substrate suction table 58 which is a holding unit for fixing and holding the glass substrate G and is rotatable around the longitudinal direction of the rod 75 is disposed in the cup 71. ing. An opening 71a for taking in and out the glass substrate G is provided at an upper portion of the cup 71.

【００２５】基板吸着テーブル５８には、ガラス基板Ｇ
を真空吸着保持するための真空吸着装置７２が接続され
ている。また、この基板吸着テーブル５８は、ロッド７
５を介して昇降シリンダ７３によって上下方向に昇降可
能になっている。なお、この昇降シリンダ７３は、ＣＰ
Ｕ７４によって、その動作が制御される。具体的には、
ロッド７５の下部側が図示しない筒体内に配設されてお
り、この筒体内においてロッド７５はバキュームシール
部７６を介して昇降シリンダ７３の駆動によって上下方
向に移動し得るようになっている。The substrate suction table 58 has a glass substrate G
Is connected to a vacuum suction device 72 for holding the vacuum suction. Further, this substrate suction table 58 is
The lifting cylinder 73 allows the lifting cylinder 73 to move up and down. The lifting cylinder 73 has a CP
The operation is controlled by U74. In particular,
The lower side of the rod 75 is disposed in a cylindrical body (not shown), in which the rod 75 can be moved in the vertical direction by driving the elevating cylinder 73 via a vacuum seal 76.

【００２６】カップ７１の側上方には、ノズルスキャン
機構６９が配置されている。このノズルスキャン機構６
９は、ノズルスキャンアーム６７が図２に示すようにカ
ップ７１の側方に配置されたレール５５に沿ってＹ方向
に移動可能に設けられ、このノズルスキャンアーム６７
には、吐出口をガラス基板Ｇに向けて処理液供給手段と
しての処理液供給ノズル４６がノズルスキャンアーム６
７の長手方向に沿ってＸ方向に移動可能に設けられてい
る。A nozzle scan mechanism 69 is disposed above the cup 71. This nozzle scan mechanism 6
The nozzle scan arm 67 is provided so that the nozzle scan arm 67 can move in the Y direction along a rail 55 arranged on the side of the cup 71 as shown in FIG.
The processing liquid supply nozzle 46 serving as a processing liquid supply unit has a discharge port facing the glass substrate G and a nozzle scan arm 6.
7 are provided so as to be movable in the X direction along the longitudinal direction.

【００２７】また図２において、カップ７１とレール５
５との間には、処理液供給ノズル４６が待機する位置と
なるノズル待機位置５７と処理液供給ノズル４６の洗浄
を行うための洗浄液が貯留されたノズル洗浄部５６が設
けられている。In FIG. 2, the cup 71 and the rail 5
5, a nozzle standby position 57 where the processing liquid supply nozzle 46 is on standby and a nozzle cleaning unit 56 in which a cleaning liquid for cleaning the processing liquid supply nozzle 46 is stored.

【００２８】また、このレジスト塗布装置（ＣＴ）２２
を含む塗布系処理ユニット群５０には、レジスト塗布装
置（ＣＴ）２２からエッジリムーバ（ＥＲ）２３まで搬
送レール４２が延設され、この塗布系処理ユニット群５
０内でガラス基板Ｇを搬送するためのアーム４１が搬送
レール４２に沿って移動可能に設けられている。The resist coating device (CT) 22
A transfer rail 42 extends from the resist coating device (CT) 22 to the edge remover (ER) 23 in the coating system processing unit group 50 including
An arm 41 for transporting the glass substrate G within 0 is provided movably along a transport rail 42.

【００２９】図４に、レジスト液と、このレジスト液の
粘度と異なる粘度の液体、例えばシンナとを混合するこ
とにより、ガラス基板Ｇ上に塗布するレジスト液の粘度
を可変する、粘度可変手段としてのレジスト／シンナ混
合装置を示す。レジスト／シンナ混合装置７０は、レジ
スト液を貯溜したレジストタンク８１と、溶剤として例
えばシンナを貯溜したシンナタンク８２と、レジスト液
とシンナとの混合液を処理液供給ノズル４６へ供給する
混合液供給管８８と、混合液供給管８８へレジスト液を
供給するレジスト液供給管８９と、混合液供給管８８へ
シンナを供給する溶剤供給管であるシンナ供給管９０
と、レジストタンク８１内のレジスト液を吸上げレジス
ト液供給管８９に導入するレジスト用ベローズポンプ８
４と、シンナタンク８２内のシンナを吸上げシンナ供給
管９０に導入するシンナ用ベローズポンプ８５と、レジ
スト液とシンナとの混合液を更に撹拌混合する混合手段
としてのミキサ８７とを備え、更に混合液供給管８８を
通過する混合液の濃度を測定するセンサ９９と、混合液
の濃度が所定の濃度となるように制御する制御手段とし
てのＣＰＵ７４が設けられている。FIG. 4 shows a viscosity varying means for mixing a resist liquid and a liquid having a viscosity different from that of the resist liquid, for example, thinner, to vary the viscosity of the resist liquid applied on the glass substrate G. 1 shows a resist / thinner mixing apparatus. The resist / thinner mixing apparatus 70 includes a resist tank 81 storing a resist liquid, a thinner tank 82 storing a thinner as a solvent, for example, and a mixed liquid supply pipe for supplying a mixed liquid of the resist liquid and the thinner to the processing liquid supply nozzle 46. 88, a resist liquid supply pipe 89 for supplying a resist liquid to the mixed liquid supply pipe 88, and a thinner supply pipe 90 as a solvent supply pipe for supplying a thinner to the mixed liquid supply pipe 88
And a resist bellows pump 8 for sucking up the resist solution in the resist tank 81 and introducing it into the resist solution supply pipe 89.
4, a thinner bellows pump 85 for sucking up the thinner in the thinner tank 82 and introducing it into the thinner supply pipe 90, and a mixer 87 as mixing means for further stirring and mixing the mixed liquid of the resist liquid and the thinner. A sensor 99 for measuring the concentration of the mixed solution passing through the liquid supply pipe 88 and a CPU 74 as control means for controlling the concentration of the mixed solution to a predetermined concentration are provided.

【００３０】このＣＰＵ７４は、得たい混合液の濃度、
すなわち所望の粘度に従ってベローズポンプ８４，８５
から吐出されるレジスト液及びシンナの吐出量を制御す
る働きと、処理液供給ノズル４６に供給される混合液の
濃度を測定し、その測定結果に基づき、ベローズポンプ
８４及び８５からそれぞれ吐出されるレジスト液及びシ
ンナの吐出量を制御する働きを持つ。The CPU 74 determines the concentration of the mixture to be obtained,
That is, the bellows pumps 84, 85 according to the desired viscosity.
And the concentration of the mixed solution supplied to the processing solution supply nozzle 46 is measured, and the bellows pumps 84 and 85 discharge the mixed solution based on the measurement result. It has a function of controlling the discharge amounts of the resist liquid and the thinner.

【００３１】以上のように構成されるレジスト塗布・現
像処理システムの作用を説明する。The operation of the resist coating / developing system configured as described above will be described.

【００３２】図１を参照して、カセットＣ内の基板Ｇ
が、処理部２に搬送され、処理部２では、まず、前段部
２ａの紫外線照射／冷却ユニット２５の紫外線照射装置
（ＵＶ）で表面改質・洗浄処理が行われ、その後そのユ
ニットの冷却装置（ＣＯＬ）で冷却された後、洗浄ユニ
ット（ＳＣＲ）２１ａ，２１ｂでスクラバー洗浄が施さ
れ、前段部２ａに配置された加熱処理装置（ＨＰ）の一
つで加熱乾燥された後、冷却ユニット２７のいずれかの
冷却装置（ＣＯＬ）で冷却される。Referring to FIG. 1, substrates G in cassette C
Is transported to the processing unit 2, where the surface modification / cleaning process is first performed by the ultraviolet irradiation device (UV) of the ultraviolet irradiation / cooling unit 25 in the former stage 2a, and then the cooling device of the unit After cooling in (COL), scrubber cleaning is performed in the cleaning units (SCR) 21a and 21b, and heating and drying is performed in one of the heat treatment devices (HP) disposed in the former stage 2a. Is cooled by any one of the cooling devices (COL).

【００３３】その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、ユニット３０の上段
のアドヒージョン処理装置（ＡＤ）にて疎水化処理（Ｈ
ＭＤＳ処理）され、下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷却
後、塗布系処理ユニット群５０に搬入される。Thereafter, the substrate G is transported to the middle section 2b,
In order to improve the fixability of the resist, a hydrophobic treatment (H) is performed by an adhesion treatment device (AD) in the upper stage of the unit 30.
After being cooled by the lower cooling device (COL), it is carried into the coating system processing unit group 50.

【００３４】そしてこの塗布系処理ユニット群５０で
は、まず、基板吸着テーブル５８がカップ７１の開口部
７１ａより上方に上昇している状態で、主搬送装置１８
によりこの基板吸着テーブル５８上にガラス基板Ｇが移
載され、真空吸着保持される。続いて昇降シリンダ７３
の駆動により基板吸着テーブル５８が下降され、ガラス
基板Ｇが開口部７１ａを通過してカップ７１内に搬入さ
れる。このとき処理液供給ノズル４６はノズル待機位置
５７に待機している。In the coating system processing unit group 50, first, in a state where the substrate suction table 58 is elevated above the opening 71 a of the cup 71,
Thus, the glass substrate G is transferred onto the substrate suction table 58, and is held by vacuum suction. Subsequently, the lifting cylinder 73
The substrate suction table 58 is lowered by the driving of the glass substrate G, and the glass substrate G is carried into the cup 71 through the opening 71a. At this time, the processing liquid supply nozzle 46 is waiting at the nozzle standby position 57.

【００３５】次に、ノズル待機位置５７に待機していた
処理液供給ノズル４６がノズルスキャン機構６９により
図２及び図３に示す位置、すなわちガラス基板Ｇ上の中
心位置まで移動し、ガラス基板Ｇは回転駆動を開始し、
回転数が一定になると処理液供給ノズル４６から、図５
に示すレジスト／シンナ混合装置７０により所定の粘度
にされた処理液が吐出される。ここで一定の回転数とは
例えば５０ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍである。Next, the processing liquid supply nozzle 46 waiting at the nozzle standby position 57 is moved by the nozzle scanning mechanism 69 to the position shown in FIGS. Starts rotation drive,
When the number of rotations becomes constant, the processing liquid
The processing liquid having a predetermined viscosity is discharged by the resist / thinner mixing device 70 shown in FIG. Here, the constant rotation speed is, for example, 50 rpm to 1000 rpm.

【００３６】そして図５（ａ）に示すように、ガラス基
板Ｇは矢印８０の方向に回転しているので、処理液Ｒ１
（粘度Ｐ１）はガラス基板の中心部Ｇ０から遠心力によ
り拡散する。ここで、処理液の吐出時間ｔと処理液の粘
度Ｐとの関係を図６に示しており、吐出開始からｔ１の
時間経過後に、レジスト／シンナ混合装置７０によりシ
ンナタンク８２からのシンナの供給量を増加させてレジ
スト液に混合し、粘度Ｐ１よりも低い所定の粘度Ｐ２の
処理液Ｒ２を吐出する。図５(ｂ)に示すようにこの処理
液Ｒ２が遠心力により拡散すると、更に処理液の吐出開
始からｔ２の時間経過後に同様にレジスト／シンナ混合
装置７０によりシンナタンク８２からのシンナの供給量
を増加させて粘度Ｐ２よりも更に低い所定の粘度Ｐ３の
処理液Ｒ３を吐出する。そしてこの処理液Ｒ３が拡散し
て、吐出開始からｔｆの時間後にガラス基板Ｇ上への処
理液の供給を停止する。ここで、最初の粘度Ｐ１の処理
液Ｒ１が基板Ｇ周縁部に行きわたる前に、最後の粘度Ｐ
３の処理液Ｒ３の供給が終了するようなタイミングで各
粘度変化を行う。これらのタイミングｔ１、ｔ２、ｔｆ
はガラス基板Ｇの回転数及び処理液の各段階の設定粘度
に基づいて予め計算されている。Then, as shown in FIG. 5A, since the glass substrate G is rotating in the direction of arrow 80, the processing liquid R1
(Viscosity P1) is diffused from the center G0 of the glass substrate by centrifugal force. FIG. 6 shows the relationship between the processing liquid discharge time t and the processing liquid viscosity P, and the amount of thinner supplied from the thinner tank 82 by the resist / thinner mixing device 70 after the lapse of time t1 from the start of discharge. Is increased and mixed with the resist liquid, and the processing liquid R2 having a predetermined viscosity P2 lower than the viscosity P1 is discharged. As shown in FIG. 5B, when the processing liquid R2 is diffused by centrifugal force, the resist / thinner mixing device 70 similarly reduces the supply amount of thinner from the thinner tank 82 after a lapse of time t2 from the start of discharge of the processing liquid. The processing liquid R3 having a predetermined viscosity P3 lower than the viscosity P2 is discharged by increasing the processing liquid R3. Then, the processing liquid R3 is diffused, and supply of the processing liquid onto the glass substrate G is stopped after a time tf from the start of the discharge. Here, before the processing liquid R1 having the first viscosity P1 reaches the periphery of the substrate G, the final viscosity P1
The respective viscosity changes are performed at such a timing that the supply of the processing liquid R3 of No. 3 ends. These timings t1, t2, tf
Is calculated in advance based on the rotation speed of the glass substrate G and the set viscosity of each stage of the processing liquid.

【００３７】図７及び図８はそれぞれ本実施形態の変形
例を示しており、図７に示す例では、処理液の吐出開始
からｔ１の時間経過後に所定の処理液の粘度Ｐ１をそれ
よりも低い所定の粘度Ｐ２に変化させて、時間ｔｆ経過
後に吐出を停止する。ここで、最初の粘度Ｐ１の処理液
Ｒ１が基板Ｇ周縁部に行きわたる前に、次の粘度Ｐ２の
処理液Ｒ２の供給が終了するようなタイミングで各粘度
変化を行う。これらのタイミングｔ１、ｔｆ、はガラス
基板Ｇの回転数及び処理液の各段階の設定粘度に基づい
て予め計算されている。FIGS. 7 and 8 show modified examples of the present embodiment. In the example shown in FIG. 7, the viscosity P1 of the predetermined processing liquid is set to be lower than the time t1 after the start of the discharge of the processing liquid. The discharge is stopped after a lapse of time tf by changing the viscosity to a low predetermined value P2. Here, before the processing liquid R1 having the first viscosity P1 reaches the peripheral portion of the substrate G, each viscosity change is performed at a timing such that the supply of the processing liquid R2 having the next viscosity P2 ends. These timings t1 and tf are calculated in advance based on the rotation speed of the glass substrate G and the set viscosity of each stage of the processing liquid.

【００３８】図８に示す例では、吐出開始時の処理液の
粘度Ｐ１を、序々にシンナタンク８２からのシンナの供
給を減少させて粘度Ｐ２まで低くして、時間ｔｆで吐出
を停止する。In the example shown in FIG. 8, the viscosity P1 of the processing liquid at the start of the discharge is reduced to the viscosity P2 by gradually decreasing the supply of the thinner from the thinner tank 82, and the discharge is stopped at time tf.

【００３９】従って以上説明したように、吐出時間ｔの
経過に従って処理液の粘度を低くすることにより、すな
わちガラス基板Ｇの周縁部に最初に行きわたる処理液の
粘度を相対的に高くすることにより、基板Ｇの回転数を
制御することなく、飛散して無駄になる処理液の量を減
少させて処理液の節約を図ることができる。Accordingly, as described above, by decreasing the viscosity of the processing liquid as the discharge time t elapses, that is, by increasing the viscosity of the processing liquid that first reaches the peripheral portion of the glass substrate G relatively. In addition, without controlling the number of rotations of the substrate G, it is possible to reduce the amount of the processing liquid that is scattered and wasted, thereby saving the processing liquid.

【００４０】また、ガラス基板Ｇの周縁部に最初に行き
わたる処理液の粘度を相対的に高くして、基板Ｇ周縁部
に対する処理液の接触角を大きくできることにより、上
述した基板中心部から周縁部に向うに従って塗膜圧が小
さくなる現象を防止して、塗膜圧の均一性を確保するこ
とができる。なおかつ、通気孔を有する蓋体を用いるこ
となく装置類の点数や加工数を少なくして塗膜圧の制御
を行うことができる。Further, by increasing the viscosity of the processing liquid that first reaches the peripheral portion of the glass substrate G and increasing the contact angle of the processing liquid with the peripheral portion of the substrate G, the above-described peripheral portion from the substrate central portion to the peripheral portion can be obtained. It is possible to prevent a phenomenon in which the coating film pressure decreases toward the portion, and to ensure uniformity of the coating film pressure. In addition, the coating film pressure can be controlled by reducing the number of devices and the number of processes without using a lid having a vent.

【００４１】レジスト塗布装置（ＣＴ）２２で処理液が
塗布された後は、処理液供給ノズル４６はノズルスキャ
ン機構６９によりノズル待機位置５７に移動し、必要が
あればノズル洗浄部５６において処理液供給ノズルの洗
浄が行われる。そしてロッド７５が上昇し、ガラス基板
Ｇは真空吸着が解除されてアーム４１により次工程であ
る減圧乾燥装置（ＶＤ）４０まで搬送されて乾燥処理さ
れる。続いて、エッジリムーバ（ＥＲ）により基板Ｇの
エッジ部分や基板Ｇの裏側周縁部に回り込んで付着した
レジストの除去処理が行われる。After the processing liquid is applied by the resist coating device (CT) 22, the processing liquid supply nozzle 46 is moved to the nozzle standby position 57 by the nozzle scan mechanism 69, and if necessary, the processing liquid is supplied to the nozzle cleaning unit 56. The supply nozzle is cleaned. Then, the rod 75 is lifted, the vacuum suction of the glass substrate G is released, and the glass substrate G is transported by the arm 41 to the next step, a vacuum drying device (VD) 40, where the glass substrate G is dried. Subsequently, the edge remover (ER) removes the resist that has wrapped around and adhered to the edge portion of the substrate G and the back edge of the substrate G.

【００４２】その後、ガラス基板Ｇは、中段部２ｂに配
置された加熱処理装置（ＨＰ）の一つでプリベーク処理
され、ユニット２９または３０の下段の冷却装置（ＣＯ
Ｌ）で冷却され、中継部１６から主搬送装置１９により
インターフェイス部３を介して図示しない露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、
必要に応じて後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置（Ｈ
Ｐ）でポストエクスポージャベーク処理を行った後、現
像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのい
ずれかで現像処理される。Thereafter, the glass substrate G is pre-baked in one of the heat treatment apparatuses (HP) arranged in the middle section 2b, and the lower cooling apparatus (CO) of the unit 29 or 30 is provided.
L), the wafer is conveyed from the relay unit 16 by the main carrier unit 19 via the interface unit 3 to an exposure device (not shown), where a predetermined pattern is exposed. And
The substrate G is carried in again via the interface unit 3,
If necessary, any one of the heat treatment devices (H
After performing the post-exposure bake processing in P), the development processing is performed in any of the development processing units (DEV) 24a, 24b, and 24c.

【００４３】現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４
ｂ，２４ｃのいずれかで現像処理が行われた後、処理さ
れた基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置
（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、冷却装置
（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１９，１８，１７
及び搬送機構１０によってカセットステーション１上の
所定のカセットに収容される。Developing units (DEV) 24a, 24
b and 24c, the processed substrate G is subjected to post-baking in one of the heat treatment devices (HP) in the subsequent stage 2c, and then subjected to a cooling device (COL). ), And is cooled by the main transfer devices 19, 18, 17
Then, the sheet is stored in a predetermined cassette on the cassette station 1 by the transport mechanism 10.

【００４４】図９は本発明の第２の実施形態を示してお
り、上記第１の実施形態と同様にガラス基板Ｇを回転さ
せながら処理液を基板中心部に塗布して拡散させ、処理
液の吐出開始時間からｔ１の時間経過後にレジスト／シ
ンナ混合装置７０によりシンナタンク８２からのシンナ
の供給量を減少させてレジスト液に混合し、粘度Ｐ１よ
りも高い所定の粘度Ｐ２の処理液を吐出する。この粘度
Ｐ２の処理液が遠心力により拡散すると、更に処理液の
吐出開始からｔ２の時間経過後に同様にレジスト／シン
ナ混合装置７０によりシンナタンク８２からのシンナの
供給量を減少させて粘度Ｐ２よりも更に高い所定の粘度
Ｐ３の処理液を吐出する。そしてこの粘度Ｐ３の処理液
が拡散して、吐出開始からｔｆの時間後にガラス基板Ｇ
上への処理液の供給を停止する。ここで、最初の粘度Ｐ
１の処理液Ｒ１が基板Ｇ周縁部に行きわたる前に、最後
の粘度Ｐ３の処理液Ｒ３の供給が終了するようなタイミ
ングで各粘度変化を行う。これらのタイミングｔ１、ｔ
２、ｔｆはガラス基板Ｇの回転数及び処理液の各段階の
設定粘度に基づいて予め計算されている。FIG. 9 shows a second embodiment of the present invention. As in the first embodiment, the processing liquid is applied to the center of the substrate while the glass substrate G is being rotated and diffused. After the elapse of the time t1 from the discharge start time, the supply amount of the thinner from the thinner tank 82 is reduced by the resist / thinner mixing device 70 to mix the thinner with the resist liquid, and the processing liquid having a predetermined viscosity P2 higher than the viscosity P1 is discharged. . When the processing liquid having the viscosity P2 is diffused by centrifugal force, the supply amount of the thinner from the thinner tank 82 is similarly reduced by the resist / thinner mixing device 70 after the elapse of the time t2 from the start of the discharge of the processing liquid, so that the viscosity P2 is reduced. A processing liquid having a higher predetermined viscosity P3 is discharged. Then, the processing liquid having the viscosity P3 is diffused, and after a time tf from the start of the discharge, the glass substrate G
The supply of the processing liquid to the upper part is stopped. Here, the initial viscosity P
Before the first processing liquid R1 reaches the periphery of the substrate G, the respective viscosity changes are performed at such a timing that the supply of the processing liquid R3 having the last viscosity P3 ends. These timings t1, t
2, tf is calculated in advance based on the rotation speed of the glass substrate G and the set viscosity of each stage of the processing liquid.

【００４５】図１０及び図１１はそれぞれ本実施形態の
変形例を示しており、図１０に示す例では、処理液の吐
出開始からｔ１の時間経過後に所定の処理液の粘度Ｐ１
をそれよりも高い所定の粘度Ｐ２に変化させて、時間ｔ
ｆ経過後に吐出を停止する。ここで、最初の粘度Ｐ１の
処理液Ｒ１が基板Ｇ周縁部に行きわたる前に、次の粘度
Ｐ２の処理液Ｒ２の供給が終了するようなタイミングで
各粘度変化を行う。これらのタイミングｔ１、ｔｆはガ
ラス基板Ｇの回転数及び処理液の各段階の設定粘度に基
づいて予め計算されている。FIGS. 10 and 11 show modified examples of the present embodiment. In the example shown in FIG. 10, after a lapse of time t1 from the start of the discharge of the processing liquid, the viscosity P1
Is changed to a predetermined viscosity P2 higher than that, and the time t
After the passage of f, the discharge is stopped. Here, before the processing liquid R1 having the first viscosity P1 reaches the peripheral portion of the substrate G, each viscosity change is performed at a timing such that the supply of the processing liquid R2 having the next viscosity P2 ends. These timings t1 and tf are calculated in advance based on the rotation speed of the glass substrate G and the set viscosity of each stage of the processing liquid.

【００４６】図１１に示す例では、吐出開始時の処理液
の粘度Ｐ１を、序々にシンナタンク８２からのシンナの
供給を減少させて粘度Ｐ２まで高くして、時間ｔｆで吐
出を停止する。In the example shown in FIG. 11, the viscosity P1 of the processing liquid at the start of discharge is gradually increased to P2 by decreasing the supply of thinner from the thinner tank 82, and the discharge is stopped at time tf.

【００４７】以上説明した第２の実施形態によれば、吐
出時間ｔの経過に従って処理液の粘度を高くすることに
より、すなわちガラス基板Ｇの周縁部に最初に行きわた
る処理液の粘度を相対的に低くすることにより、基板Ｇ
周縁部に対する処理液の接触角を小さくし、塗布された
処理液が基板周縁部で表面張力により盛り上がる現象を
防止して、塗膜圧の均一性を確保することができる。、
なおかつ、通気孔を有する蓋体を用いることなく装置類
の点数や加工数を少なくして塗膜圧の制御を行うことが
できる。According to the above-described second embodiment, the viscosity of the processing liquid is increased as the discharge time t elapses, that is, the viscosity of the processing liquid that first reaches the periphery of the glass substrate G is relatively reduced. The substrate G
It is possible to reduce the contact angle of the processing solution with the peripheral portion, prevent the applied processing solution from rising due to surface tension at the peripheral portion of the substrate, and ensure uniformity of the coating film pressure. ,
In addition, the coating film pressure can be controlled by reducing the number of devices and the number of processes without using a lid having a vent.

【００４８】次に本発明の第３の実施形態によるレジス
ト塗布装置を説明する。Next, a resist coating device according to a third embodiment of the present invention will be described.

【００４９】第１及び第２の実施形態と同様に、ノズル
待機位置５７に待機していた処理液供給ノズル４６がノ
ズルスキャン機構６９によりガラス基板Ｇ上の中心位置
まで移動して、ガラス基板Ｇは回転駆動を開始し、回転
数が一定になると処理液供給ノズル４６から、レジスト
／シンナ混合装置７０により所定の粘度にされた処理液
が吐出される。ここで一定の回転数とは例えば５０ｒｐ
ｍ〜１０００ｒｐｍである。As in the first and second embodiments, the processing liquid supply nozzle 46 waiting at the nozzle standby position 57 moves to the center position on the glass substrate G by the nozzle scanning mechanism 69, and the glass substrate G Starts the rotation drive, and when the number of rotations becomes constant, the processing liquid supplied to the predetermined viscosity by the resist / thinner mixing device 70 is discharged from the processing liquid supply nozzle 46. Here, the constant rotation speed is, for example, 50 rpm.
m to 1000 rpm.

【００５０】そして図１２（ａ）に示すようにガラス基
板Ｇは矢印８０の方向に回転しているので、粘度Ｐ１の
処理液Ｒ１はガラス基板Ｇの中心部Ｇ０から遠心力によ
り拡散する。そして吐出開始からｔ１の時間経過後に、
処理液供給ノズル４６をノズルスキャン機構６９によ
り、図１２（ｂ）に示すように基板Ｇの周縁部まで移動
する。この周縁部までの移動の間は処理液の吐出を停止
し、この移動の間にレジスト／シンナ混合装置７０によ
り処理液を所定の粘度Ｐ２まで低下させ、吐出開始から
ｔ２の時間経過後に、基板Ｇ周縁部に、粘度Ｐ１よりも
低い粘度Ｐ２の処理液Ｒ２の供給を開始する。このとき
の処理液の吐出時間ｔと処理液の粘度Ｐとの関係を図１
３に示す。ここで、最初の粘度Ｐ１の処理液Ｒ１が基板
Ｇ周縁部に行きわたった後に、次の粘度Ｐ２の処理液Ｒ
２の供給を開始し、処理液Ｒ１に処理液Ｒ２を上塗りす
る。これらのタイミングｔ１、ｔ２、ｔｆはガラス基板
Ｇの回転数及び処理液の各段階の設定粘度に基づいて予
め計算されている。Since the glass substrate G is rotating in the direction of arrow 80 as shown in FIG. 12A, the processing liquid R1 having the viscosity P1 is diffused from the central portion G0 of the glass substrate G by centrifugal force. Then, after a lapse of time t1 from the start of ejection,
The processing liquid supply nozzle 46 is moved to the periphery of the substrate G by the nozzle scanning mechanism 69 as shown in FIG. During the movement to the peripheral portion, the discharge of the processing liquid is stopped, and during this movement, the processing liquid is reduced to a predetermined viscosity P2 by the resist / thinner mixing device 70. The supply of the processing liquid R2 having a viscosity P2 lower than the viscosity P1 to the G peripheral portion is started. FIG. 1 shows the relationship between the processing liquid ejection time t and the processing liquid viscosity P at this time.
3 is shown. Here, after the processing liquid R1 having the first viscosity P1 reaches the peripheral portion of the substrate G, the processing liquid R having the next viscosity P2 is formed.
2 is started, and the processing liquid R1 is overcoated with the processing liquid R2. These timings t1, t2, and tf are calculated in advance based on the rotation speed of the glass substrate G and the set viscosity of each stage of the processing liquid.

【００５１】また、逆に図１４に示すように、基板周縁
部に吐出する処理液の粘度をガラス基板Ｇの中心部に吐
出する処理液の粘度よりも高く制御することも可能であ
る。Conversely, as shown in FIG. 14, it is possible to control the viscosity of the processing liquid discharged to the periphery of the substrate to be higher than the viscosity of the processing liquid discharged to the center of the glass substrate G.

【００５２】これにより、基板Ｇ中心部に供給する処理
液の粘度と異なる粘度の処理液を基板Ｇ周縁部のみに供
給することができるので、更に精密に塗膜圧の制御が可
能となる。従って、例えば塗布された処理液が基板周縁
部で表面張力により盛り上がる現象を防止して、塗膜圧
の均一性を確保することができる。なおかつ、通気孔を
有する蓋体を用いることなく装置類の点数や加工数を少
なくして塗膜圧の制御を行うことができる。Thus, a processing liquid having a viscosity different from the viscosity of the processing liquid supplied to the central portion of the substrate G can be supplied only to the peripheral portion of the substrate G, so that the coating film pressure can be more precisely controlled. Therefore, for example, it is possible to prevent a phenomenon in which the applied processing liquid swells due to surface tension at the peripheral edge of the substrate, and to ensure uniformity of the coating film pressure. In addition, the coating film pressure can be controlled by reducing the number of devices and the number of processes without using a lid having a vent.

【００５３】図１５は本発明の第４の実施形態によるレ
ジスト塗布装置の要部である粘度可変装置を示す。FIG. 15 shows a viscosity variable device which is a main part of a resist coating device according to a fourth embodiment of the present invention.

【００５４】この粘度可変装置８３は、粘度の異なる３
種のレジスト液がそれぞれ収容されたレジストタンク５
１、５２及び５３が設けられ、これら各レジストタンク
５１、５２及び５３からレジスト液を供給するための各
供給管５１ａ、５２ａ及び５３ａがそれぞれ1つの処理
液供給ノズル４６に接続されている。各供給管５１ａ、
５２ａ及び５３ａにはそれぞれベローズポンプ９１、９
２及び９３が接続されており、これら各ベローズポンプ
９１、９２及び９３はそれぞれＣＰＵ７４の指令により
作動される。This variable viscosity device 83 is used to change the viscosity
Resist tank 5 in which each kind of resist solution is stored
1, 52, and 53 are provided, and supply pipes 51a, 52a, and 53a for supplying a resist solution from the respective resist tanks 51, 52, and 53 are connected to one processing liquid supply nozzle 46, respectively. Each supply pipe 51a,
Bellows pumps 91 and 9 are provided at 52a and 53a, respectively.
2 and 93 are connected, and these bellows pumps 91, 92 and 93 are respectively operated by instructions of the CPU 74.

【００５５】この粘度可変装置８３により、まずベロー
ズポンプ９１を作動させレジストタンク５１に収容され
たレジスト液をガラス基板Ｇに供給し、その後ベローズ
ポンプ９１の作動を停止すると同時に、ベローズポンプ
９２を作動させてレジストタンク５２に収容された粘度
の異なるレジスト液を供給し、その後ベローズポンプ９
２の作動を停止すると同時に、ベローズポンプ９３を作
動させてレジストタンク５３に収容された更に粘度の異
なるレジスト液を供給して、上記第１及び第２の実施形
態と同様なタイミングで塗布処理を行う。これにより第
1及び第2の実施形態における効果と同様の効果を得るこ
とができる。The viscosity changing device 83 first activates the bellows pump 91 to supply the resist liquid stored in the resist tank 51 to the glass substrate G. Thereafter, the operation of the bellows pump 91 is stopped, and at the same time, the bellows pump 92 is activated. Then, the resist liquids having different viscosities stored in the resist tank 52 are supplied.
At the same time as the operation of Step 2 is stopped, the bellows pump 93 is operated to supply the resist liquid having a different viscosity stored in the resist tank 53, and the coating process is performed at the same timing as in the first and second embodiments. Do. This allows
The same effects as the effects in the first and second embodiments can be obtained.

【００５６】図１６は本発明の第５の実施形態によるレ
ジスト塗布装置の要部である粘度可変装置を示す。この
粘度可変装置７８において、図４における構成要素と同
一のものについては同一の符号を付すものとし、その説
明を省略する。FIG. 16 shows a viscosity variable device which is a main part of a resist coating device according to a fifth embodiment of the present invention. In the variable viscosity device 78, the same components as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【００５７】このレジスト塗布装置７８はレジスト液供
給源（レジストタンク）から供給されるレジスト液を加
熱できる加熱装置７９（例えば電熱線等）を作動させる
ことにより粘度可変を行う。ＣＰＵ７４は、処理液供給
ノズル４６に供給される混合液の濃度をセンサ９９によ
り測定し、その測定結果に基づき、加熱装置７９の加熱
度を制御する働きを持つ。そしてレジスト液を所定の粘
度にした後は、第１及び第２の実施形態と同様に、加熱
装置７９によりレジスト液を所定の粘度に変化させなが
ら回転するガラス基板Ｇ上に供給する。この場合、レジ
スト液を加熱することで、レジスト液吐出時間の経過に
従って粘度を低くしていく。また、加熱装置７９に代え
て冷却装置を設置することによりレジスト液吐出時間の
経過に従って、冷却装置を作動させレジスト液を冷却し
て粘度を高くすることができる。The resist coating device 78 changes the viscosity by operating a heating device 79 (for example, a heating wire or the like) capable of heating a resist solution supplied from a resist solution supply source (resist tank). The CPU 74 has a function of measuring the concentration of the mixed liquid supplied to the processing liquid supply nozzle 46 by the sensor 99 and controlling the degree of heating of the heating device 79 based on the measurement result. Then, after the resist liquid has a predetermined viscosity, the resist liquid is supplied onto the rotating glass substrate G while changing the resist liquid to the predetermined viscosity by the heating device 79, as in the first and second embodiments. In this case, by heating the resist liquid, the viscosity is lowered as the resist liquid discharge time elapses. Further, by installing a cooling device in place of the heating device 79, the cooling device can be operated to cool the resist liquid and increase the viscosity as the resist liquid discharge time elapses.

【００５８】この第５の実施形態によっても第１、第２
及び第３の実施形態における効果と同様の効果を得るこ
とができる。According to the fifth embodiment, the first and second
The same effects as those in the third embodiment can be obtained.

【００５９】なお、本発明は以上説明した実施形態には
限定されない。The present invention is not limited to the embodiment described above.

【００６０】例えば、上記第１及び第２の実施形態、ま
た第４の実施形態では、処理液の粘度を２段階あるいは
３段階に変化させて供給したが、更に４段階あるいは５
段階に変化させて供給してもよい。上記第５の実施形態
においても同様である。For example, in the first and second embodiments and the fourth embodiment, the treatment liquid is supplied with the viscosity of the treatment liquid changed in two or three steps.
The supply may be performed in a stepwise manner. The same applies to the fifth embodiment.

【００６１】また、上記各実施形態では本発明をＬＣＤ
基板にレジスト液を塗布する塗布装置に適用したものに
ついて説明したが、ＬＣＤ基板以外の基板、例えば半導
体ウエハにレジスト液を塗布する塗布装置にも適用可能
である。In each of the above embodiments, the present invention is applied to an LCD.
Although the description has been given of the case where the present invention is applied to a coating apparatus for applying a resist liquid to a substrate, the present invention is also applicable to a coating apparatus for applying a resist liquid to a substrate other than an LCD substrate, for example, a semiconductor wafer.

【００６２】[0062]

【発明の効果】以上説明したように、レジスト液の塗布
途中にガラス基板の回転数を制御することなく、装置類
の点数や加工数を少なくして、レジスト液の節約かつ塗
膜圧を均一に制御することができる。As described above, the number of devices and the number of processes are reduced without controlling the number of rotations of the glass substrate during application of the resist solution, so that the resist solution can be saved and the coating film pressure can be made uniform. Can be controlled.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像
処理システムを示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an LCD substrate coating / developing processing system to which the present invention is applied.

【図２】 本発明に係るレジスト塗布装置（ＣＴ）の概
略平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of a resist coating apparatus (CT) according to the present invention.

【図３】 図２における〔３〕―〔３〕線方向断面図で
ある。FIG. 3 is a sectional view taken along line [3]-[3] in FIG.

【図４】 本発明の第１の実施形態によるレジスト／シ
ンナ混合装置の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a resist / thinner mixing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図５】 粘度の異なる処理液がガラス基板上で拡散し
ていく様子を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a state in which treatment liquids having different viscosities are diffused on a glass substrate.

【図６】 本発明の第１の実施形態において処理液の吐
出時間と粘度との関係を示すもので、粘度を３段階に変
化させた図である。FIG. 6 is a diagram showing a relationship between a processing liquid ejection time and a viscosity in the first embodiment of the present invention, in which the viscosity is changed in three stages.

【図７】 本発明の第１の実施形態の変形例であって、
処理液の吐出時間と粘度との関係を示すもので、粘度を
２段階に変化させた図である。FIG. 7 is a modification of the first embodiment of the present invention,
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a discharge time of a processing liquid and a viscosity, in which the viscosity is changed in two stages.

【図８】 同変形例であって、処理液の吐出時間と粘度
との関係を示すもので、粘度を序々に変化させた図であ
る。FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the ejection time of the processing liquid and the viscosity, in which the viscosity is gradually changed, in the modification.

【図９】 本発明の第２の実施形態による処理液の吐出
時間と粘度との関係を示すもので、粘度を３段階に変化
させた図である。FIG. 9 is a diagram showing a relationship between a processing liquid ejection time and a viscosity according to a second embodiment of the present invention, in which the viscosity is changed in three stages.

【図１０】 本発明の第２の実施形態の変形例であっ
て、処理液の吐出時間と粘度との関係を示すもので、粘
度を２段階に変化させた図である。FIG. 10 is a modified example of the second embodiment of the present invention, showing the relationship between the processing liquid ejection time and the viscosity, in which the viscosity is changed in two stages.

【図１１】 同変形例であって、処理液の吐出時間と粘
度との関係を示すもので、粘度を序々に変化させた図で
ある。FIG. 11 is a view showing the relationship between the ejection time of the treatment liquid and the viscosity, in which the viscosity is gradually changed in the modification.

【図１２】 本発明の第３の実施形態を示すもので、粘
度の異なる処理液がガラス基板上で拡散していく様子を
示す図である。FIG. 12 is a view illustrating a third embodiment of the present invention, and illustrates a state in which treatment liquids having different viscosities are diffused on a glass substrate.

【図１３】 本発明の第３の実施形態において処理液の
吐出時間と粘度との関係を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a relationship between a processing liquid ejection time and a viscosity in a third embodiment of the present invention.

【図１４】 本発明の第３の実施形態において処理液の
吐出時間と粘度との関係を示す図である。FIG. 14 is a diagram illustrating a relationship between a discharge time and a viscosity of a processing liquid according to a third embodiment of the present invention.

【図１５】 本発明の第４の実施形態によるレジスト塗
布装置（ＣＴ）の要部を示す図である。FIG. 15 is a view showing a main part of a resist coating apparatus (CT) according to a fourth embodiment of the present invention.

【図１６】 本発明の第５の実施形態によるレジスト塗
布装置（ＣＴ）の要部を示す図である。FIG. 16 is a view showing a main part of a resist coating apparatus (CT) according to a fifth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Ｇ…ガラス基板 ２２…レジスト塗布装置 ５８…基板吸着テーブル ６７…ノズルスキャンアーム ６９…ノズルスキャン機構 ７０…レジスト／シンナ混合装置 ７１…カップ ７２…真空吸着装置 ７４…ＣＰＵ ７８…粘度可変装置 ７９…加熱装置 ８１…レジストタンク ８２…シンナタンク ８４…レジスト用ベローズポンプ ８５…シンナ用ベローズポンプ ８７…ミキサ ８８…混合液供給管 ８９…レジスト液供給管 ９０…シンナ供給管 ９９…センサ G: Glass substrate 22: Resist coating device 58: Substrate suction table 67: Nozzle scan arm 69: Nozzle scanning mechanism 70: Resist / thinner mixing device 71: Cup 72: Vacuum suction device 74: CPU 78: Viscosity variable device 79: Heating Apparatus 81 ... Resist tank 82 ... Thinner tank 84 ... Bellows pump for resist 85 ... Thinner bellows pump 87 ... Mixer 88 ... Mixed liquid supply pipe 89 ... Resist liquid supply pipe 90 ... Thinner supply pipe 99 ... Sensor

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Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 被処理体を保持する保持部と、 前記被処理体を回転駆動する回転手段と、 前記被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段
と、 前記処理液の粘度を可変する粘度可変手段と、 を具備することを特徴とする塗布装置。A holding unit configured to hold the object; a rotating unit configured to rotate the object; a processing liquid supply unit configured to supply a processing liquid to a surface of the object; and a viscosity of the processing liquid. And a viscosity changing means for changing the viscosity. 【請求項２】 請求項１に記載の塗布装置であって、前
記粘度可変手段は、粘度の異なる２種以上の処理液を混
合して粘度を可変することを特徴とする塗布装置。2. The coating apparatus according to claim 1, wherein said viscosity changing means changes the viscosity by mixing two or more kinds of processing liquids having different viscosities. 【請求項３】 請求項１に記載の塗布装置であって、前
記粘度可変手段は、粘度の異なる２種以上の処理液を切
り替えることにより粘度可変することを特徴とする塗布
装置。3. The coating apparatus according to claim 1, wherein the viscosity changing unit changes the viscosity by switching between two or more processing liquids having different viscosities. 【請求項４】 請求項１に記載の塗布装置であって、前
記粘度可変手段は、前記処理液を加熱又は冷却して粘度
を可変することを特徴とする塗布装置。4. The coating apparatus according to claim 1, wherein the viscosity changing means changes the viscosity by heating or cooling the treatment liquid. 【請求項５】 請求項１に記載の塗布装置であって、前
記処理液供給手段を移動可能としたことを特徴とする塗
布装置。5. The coating apparatus according to claim 1, wherein said processing liquid supply means is movable. 【請求項６】 保持部に被処理体を保持する工程と、 前記被処理体を回転させながら前記被処理体に処理液を
供給する工程と、 前記処理液を供給している際に前記処理液の粘度を変化
させる工程と、 を具備することを特徴とする塗布方法。6. A step of holding a processing object in a holding unit, a step of supplying a processing liquid to the processing object while rotating the processing object, and a step of performing the processing while the processing liquid is being supplied. A step of changing the viscosity of the liquid. 【請求項７】 請求項６に記載の塗布方法であって、粘
度の異なる２種以上の処理液を混合して粘度を変化させ
ることを特徴とする塗布方法。7. The coating method according to claim 6, wherein two or more treatment liquids having different viscosities are mixed to change the viscosity. 【請求項８】 請求項６に記載の塗布方法であって、粘
度の異なる２種以上の処理液を切り替えることにより粘
度を変化させることを特徴とする塗布方法。8. The coating method according to claim 6, wherein the viscosity is changed by switching between two or more treatment liquids having different viscosities. 【請求項９】 請求項６に記載の塗布方法であって、前
記処理液を加熱又は冷却して粘度を変化させることを特
徴とする塗布方法。9. The coating method according to claim 6, wherein the treatment liquid is heated or cooled to change the viscosity. 【請求項１０】 保持部に被処理体を保持する工程と、 前記被処理体の表面に前記処理液を供給する処理液供給
手段を前記被処理体の中心部上方に位置させて、前記被
処理体を回転させながら前記被処理体の中心部に処理液
を供給する工程と、 前記処理液供給手段を前記被処理体の周縁部上方に位置
させて、前記被処理体を回転させながら前記被処理体の
周縁部に前記中心部に供給した処理液の粘度と異なる粘
度の処理液を供給する工程と、 を具備することを特徴とする塗布方法。10. A step of holding an object to be processed on a holding unit, and a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to a surface of the object to be processed is positioned above a central portion of the object to be processed, and Supplying a processing liquid to a central portion of the processing object while rotating the processing object; and positioning the processing liquid supply unit above a peripheral portion of the processing object, and rotating the processing object while rotating the processing object. Supplying a processing liquid having a viscosity different from that of the processing liquid supplied to the central portion to a peripheral portion of the object to be processed.