JP2002043762A - Multilayer wiring board - Google Patents

Multilayer wiring board

Info

Publication number
JP2002043762A
JP2002043762A JP2000227825A JP2000227825A JP2002043762A JP 2002043762 A JP2002043762 A JP 2002043762A JP 2000227825 A JP2000227825 A JP 2000227825A JP 2000227825 A JP2000227825 A JP 2000227825A JP 2002043762 A JP2002043762 A JP 2002043762A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
layer
parallel
insulating layer
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000227825A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideo Kawatsu
秀夫 川津
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2000227825A priority Critical patent/JP2002043762A/en
Publication of JP2002043762A publication Critical patent/JP2002043762A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve reliability of a multilayer wiring board by reducing disconnection of wires connected at the boundary of divided areas due to thermal stress, in the multilayer wiring board consisting of laminated insulation layers which have parallel wiring groups formed in each divided area. SOLUTION: This multilayer wiring board has a laminated wiring electrically connecting first wiring layer L1 which is formed on a first insulation layer I1 and consists of a parallel wiring groups extending to the centering side in a predetermined each divided area with a second wiring layer L2 which is laminated on the first wiring layer L1 and comprising parallel wiring groups individually orthogonal to the first wiring layer L1 in each divided area due to a group of penetration conductors T. The parallel wiring groups of the first and second wiring layers L1, L2 are the multilayer wiring boards that have thicker connecting conductors at boundary of adjacent divided areas. This multilayer wiring board can almost eliminate disconnection at the boundary of the divided areas.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は電子回路基板等に使
用される多層配線基板に関し、より詳細には高速で作動
する半導体素子を搭載する多層配線基板における配線構
造に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer wiring board used for an electronic circuit board or the like, and more particularly to a wiring structure in a multilayer wiring board on which a semiconductor element operating at a high speed is mounted.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体集積回路素子等の半導体素
子をはじめとする電子部品が搭載され、電子回路基板等
に使用される多層配線基板においては、内部配線用の配
線導体の形成にあたって、アルミナ等のセラミックスか
らなる絶縁層とタングステン等の高融点金属からなる配
線導体とを交互に積層して多層配線基板を形成してい
た。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a multilayer wiring board used for an electronic circuit board or the like on which electronic components including a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element are mounted, when forming a wiring conductor for internal wiring, alumina is used. Insulating layers made of ceramics and the like and wiring conductors made of a high melting point metal such as tungsten are alternately laminated to form a multilayer wiring board.

【0003】また、内部配線用配線導体のうち信号配線
は通常ストリップ配線構造とされており、信号配線とし
て形成された配線導体の上下に絶縁層を介していわゆる
べタパターン形状の広面積の接地(グランド)層または
電源層が形成されていた。
The signal wirings of the internal wiring wiring conductors usually have a strip wiring structure, and a so-called solid pattern wide grounding is provided above and below wiring conductors formed as signal wirings via insulating layers. A (ground) layer or a power supply layer was formed.

【0004】しかしながら、更なる半導体素子の高速化
と接続端子数の増大に対応するため、多層配線基板の内
部配線の配線構造として、配線のインピーダンスの低減
や信号配線間のクロストークノイズの低減等を図り、し
かも高密度配線を実現するために、各絶縁層の上面に平
行配線群を形成し、これを多層化して各層の配線群のう
ち所定の配線同士をビア導体やスルーホール導体等の貫
通導体を介して電気的に接続する構造が提案されてい
る。
However, in order to cope with a further increase in the speed of the semiconductor element and an increase in the number of connection terminals, the wiring structure of the internal wiring of the multilayer wiring board is required to reduce wiring impedance, reduce crosstalk noise between signal wirings, and the like. In order to achieve high-density wiring, parallel wiring groups are formed on the upper surface of each insulating layer, and this is multi-layered, and predetermined wirings among the wiring groups in each layer are connected to via conductors, through-hole conductors, etc. There has been proposed a structure for electrically connecting via a through conductor.

【0005】一方、多層配線基板が取り扱う電気信号の
高速化に伴い、絶縁層を比誘電率が10程度であるアルミ
ナセラミックスに代えて比誘電率が3.5〜5と比較的小
さいガラスエポキシ基材やポリイミド樹脂・エポキシ樹
脂等の有機系材料を用いて形成し、この絶縁層上にメッ
キ法や蒸着法・スパッタリング法等による薄膜導体形成
技術を用いて銅からなる内部配線用導体層を形成し、フ
ォトリソグラフィ法やエッチング法により微細なパター
ンの配線導体を形成して、この絶縁層と配線導体層とを
多層化することによって、高密度・高機能でかつ半導体
素子の高速作動が可能な多層配線基板を作製することも
行なわれている。
On the other hand, with the increase in the speed of electric signals handled by the multilayer wiring board, the insulating layer is replaced with alumina ceramics having a relative dielectric constant of about 10, and a glass epoxy base material having a relatively small relative dielectric constant of 3.5 to 5 is used. It is formed using an organic material such as a polyimide resin or an epoxy resin, and a conductive layer for internal wiring made of copper is formed on the insulating layer by using a thin film conductor forming technique such as a plating method, an evaporation method, a sputtering method, By forming a fine pattern of wiring conductors by photolithography or etching and then multiplying this insulating layer and wiring conductor layer, multi-layer wiring with high density, high functionality and high-speed operation of semiconductor elements is possible. Fabrication of substrates has also been performed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来から多層配線基板
においては、絶縁層を構成する材料自身の熱膨張率が配
線導体の熱膨張率よりも大きいことから、多層配線基板
の内部配線導体に熱応力が発生し、その応力によって絶
縁層や配線導体が切断され易いという問題があることが
知られている。中でも、矩形状の多層配線基板の対角線
上や基板外周部に位置する内部配線導体、ならびに内部
配線導体が例えばほぼ直角に引き回されたような場合の
コーナー部分には応力集中が起こり易く、このような位
置は絶縁層や配線導体の切断が特に発生し易い箇所とな
っている。
Conventionally, in a multilayer wiring board, the thermal expansion coefficient of the material constituting the insulating layer itself is larger than the thermal expansion coefficient of the wiring conductor. It is known that stress is generated, and the insulating layer and the wiring conductor are easily cut by the stress. Among them, stress concentration is likely to occur at corners where the internal wiring conductors located on the diagonal line of the rectangular multilayer wiring board or on the outer peripheral portion of the substrate, and where the internal wiring conductors are routed, for example, at substantially right angles, Such a position is a position where cutting of the insulating layer and the wiring conductor is particularly likely to occur.

【0007】とりわけ、各絶縁層の上面にいくつかの区
分領域を設定してそれぞれの領域で平行配線群を形成
し、これを多層化して各層の配線群のうち所定の配線同
士を貫通導体を介して電気的に接続し、さらに同一面上
の隣接する区分領域間で所定の平行配線群を接続して、
配線中に例えばほぼ直角の屈曲部を設けて引き回した
り、あるいは全ての区分領域で所定の配線を連続させて
接続して環状配線構造を構成した多層配線基板において
は、矩形状の多層配線基板の対角線上に内部の環状配線
のコーナー部分が位置することとなり、この内部配線の
コーナー部分に特に応力が集中し易くなって、絶縁層や
内部配線がより一層切断され易くなるという問題を生じ
ていた。この問題は、特に絶縁層に有機系材料を用いた
場合において発生し易いものであった。
In particular, several divided regions are set on the upper surface of each insulating layer, parallel wiring groups are formed in each region, and the parallel wiring groups are multi-layered so that predetermined wirings of the wiring groups in each layer are formed with through conductors. Electrically connected via a predetermined parallel wiring group between adjacent divided regions on the same surface,
For example, in a multilayer wiring board in which an annular wiring structure is formed by providing a bent portion having a substantially right angle in the wiring and running around or connecting predetermined wirings continuously in all the divided regions to form a ring-shaped wiring structure, The corner portion of the internal annular wiring is located on the diagonal line, and stress is particularly likely to concentrate on the corner portion of the internal wiring, causing a problem that the insulating layer and the internal wiring are more easily cut. . This problem tends to occur particularly when an organic material is used for the insulating layer.

【0008】本発明は上記問題を解決すべく案出された
ものであり、その目的は、平行配線群を直交させて多層
化して構成した配線構造を有する多層配線基板におい
て、その優れた電気特性を劣化させることなく、熱膨張
による絶縁層または内部配線導体の切断の発生を低減し
た、信頼性を向上させた多層配線基板を提供することに
ある。
The present invention has been devised to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a multi-layer wiring board having a wiring structure in which parallel wiring groups are formed by making the wiring layers orthogonal to each other. It is an object of the present invention to provide a multilayer wiring board with improved reliability, in which the occurrence of disconnection of the insulating layer or the internal wiring conductor due to thermal expansion is reduced without deteriorating the performance.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の多層配線基板
は、第1の絶縁層に形成され、該第1の絶縁層の中央部
に交点を有する2〜4本の直線で中心角が略等しくなる
ように区分された各区分領域においてそれぞれ前記交点
側に向かう平行配線群から成る第1の配線層と、前記第
1の絶縁層に積層された第2の絶縁層に形成され、前記
各区分領域においてそれぞれ前記第1の配線層と直交す
る平行配線群から成る第2の配線層とを貫通導体群で電
気的に接続して成る積層配線体を具備して成り、前記第
1および第2の配線層の平行配線群は、隣接する前記区
分領域の境界部で配線導体の厚みを厚くして接続された
配線を有することを特徴とするものである。
A multilayer wiring board according to the present invention is formed on a first insulating layer, and has two to four straight lines having an intersection at a central portion of the first insulating layer and having a center angle substantially equal to that of the first insulating layer. In each of the divided areas divided so as to be equal, a first wiring layer formed of a parallel wiring group heading toward the intersection point side and a second insulating layer laminated on the first insulating layer are formed. In the divided region, the first and second wiring layers are formed by electrically connecting the first wiring layer and a second wiring layer formed of a group of parallel wirings orthogonal to each other by a through conductor group. The parallel wiring group of the second wiring layer is characterized by having wirings which are connected by increasing the thickness of the wiring conductor at the boundary between the adjacent divided regions.

【0010】また、本発明の多層配線基板は、上記構成
において、前記区分領域の境界部で接続された配線の配
線導体の厚みを前記区分領域の平行配線の厚みに対して
1.2倍以上としたことを特徴とするものである。
Further, in the multilayer wiring board according to the present invention, in the above structure, the thickness of the wiring conductor of the wiring connected at the boundary portion of the divided region is made larger than the thickness of the parallel wiring of the divided region.
It is characterized by being 1.2 times or more.

【0011】また、本発明の多層配線基板は、上記構成
において、前記第1および第2の配線層の平行配線群
は、それぞれ複数の信号配線と、各信号配線に隣接する
電源配線または接地配線とを有することを特徴とするも
のである。
Further, in the multi-layer wiring board according to the present invention, the parallel wiring group of the first and second wiring layers includes a plurality of signal wirings and a power supply wiring or a ground wiring adjacent to each signal wiring. And characterized in that:

【0012】本発明の多層配線基板によれば、平行配線
群を直交させて積層して成る多層配線構造として、絶縁
層の中央部に交点を有する2〜4本の直線で中心角が略
等間隔となるように区分された各区分領域を設定し、第
1の配線層をその区分領域のそれぞれにおいて交点側す
なわち絶縁層の中央部側に向かう方向に略平行に配設さ
れた平行配線群で構成するとともに、第2の配線層を各
区分領域においてそれぞれ第1の配線層の平行配線群と
直交する方向に略平行に配設された平行配線群で構成
し、これら第1および第2の配線層を貫通導体群で電気
的に接続した積層配線体を具備する構造としたことか
ら、第2の配線層を構成する平行配線群の配線は絶縁層
の中央部を取り囲むようにほぼ環状の配線構造をとるこ
ととなり、これにより、外部からのEMI(Electro Ma
gnetic Interference:電磁波妨害)ノイズの侵入や外
部への不要な電磁波ノイズの放射をシールドする効果を
有するものとなり、配線間のクロストークノイズを低減
させることができるとともに、EMI対策としても効果
を有するものとなる。
According to the multilayer wiring board of the present invention, as a multilayer wiring structure in which parallel wiring groups are stacked at right angles, two to four straight lines having an intersection at the center of the insulating layer have substantially the same central angle. A group of parallel wirings, each of which is defined so as to be spaced apart from each other, and in which the first wiring layer is arranged substantially parallel to the intersection side, that is, the direction toward the center of the insulating layer in each of the divided areas. And the second wiring layer is formed of a parallel wiring group disposed substantially parallel to a direction orthogonal to the parallel wiring group of the first wiring layer in each of the divided regions. The wiring of the parallel wiring group constituting the second wiring layer has a substantially annular shape so as to surround the center of the insulating layer. Wiring structure. EMI from the outside (Electro Ma
gnetic Interference: This has the effect of shielding the intrusion of noise and the emission of unnecessary electromagnetic noise to the outside, which can reduce crosstalk noise between wiring and also has an effect as an EMI measure. Becomes

【0013】また、各区分領域を第1の絶縁層の中央部
に交点を有する2〜4本の直線でその中心角が略等しく
なるように区分していることから、配線の自由度を高
め、配線長を短くすることができ、抵抗やインダクタン
ス・キャパシタンスを減少させることができる。
Further, since each of the divided regions is divided by two to four straight lines having an intersection at the center of the first insulating layer so that their central angles are substantially equal, the degree of freedom of wiring is increased. In addition, the wiring length can be shortened, and the resistance, inductance, and capacitance can be reduced.

【0014】また、本発明の多層配線基板によれば、絶
縁層に形成された第1および第2の配線層の平行配線群
が、隣接する区分領域の境界部で配線導体の厚みを厚く
して接続された配線を有するものとしているため、絶縁
層の熱膨張によりこの区分領域の境界部で屈曲させて接
続されている配線のコーナー部分への応力集中が起こっ
ても、配線導体の厚みを厚くしていることからこの応力
が配線導体内部に分散してその集中が緩和・吸収される
こととなり、その結果、絶縁層や内部配線が切断される
という不具合の発生を低減させてほとんどなくすことが
できる。
Further, according to the multilayer wiring board of the present invention, the parallel wiring group of the first and second wiring layers formed on the insulating layer increases the thickness of the wiring conductor at the boundary between adjacent divided regions. Even if stress is concentrated on the corners of the connected wiring that is bent at the boundary of this divided area due to thermal expansion of the insulating layer, the thickness of the wiring conductor is reduced. Due to the thickness, this stress is dispersed inside the wiring conductor, and the concentration is relaxed and absorbed. As a result, the occurrence of the problem of cutting the insulating layer and the internal wiring is reduced and almost eliminated. Can be.

【0015】さらに、第1および第2の配線層の各平行
配線群において、それぞれ複数の信号配線に隣接する配
線を電源配線または接地配線とすることで、同じ配線層
内における信号配線間の電気的な結合(キャパシタンス
およびインダクタンス)を十分に低減することができ、
その結果、信号配線間のクロストークノイズをほとんど
問題ないレベルに低減させることができ、また、EMI
ノイズに対してもノイズ低減効果が得られるものとな
る。
Further, in each of the parallel wiring groups of the first and second wiring layers, the wiring adjacent to each of the plurality of signal wirings is set as a power supply wiring or a ground wiring, so that the electrical connection between the signal wirings in the same wiring layer is achieved. Dynamic coupling (capacitance and inductance) can be sufficiently reduced,
As a result, crosstalk noise between signal wirings can be reduced to a level that hardly causes a problem.
A noise reduction effect can be obtained for noise.

【0016】これにより、本発明の多層配線基板によれ
ば、平行配線群を直交させて多層化して構成した配線構
造を有する多層配線基板において、その優れた電気特性
を劣化させることなく、熱膨張による絶縁層または内部
配線導体の切断の発生を低減して、信頼性を向上させる
ことができる。
Thus, according to the multilayer wiring board of the present invention, in a multilayer wiring board having a wiring structure in which parallel wiring groups are orthogonally layered to form a multilayer structure, it is possible to achieve excellent thermal expansion without deteriorating its excellent electrical characteristics. This can reduce the occurrence of disconnection of the insulating layer or the internal wiring conductor, and can improve the reliability.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の多層配線基板につ
いて添付図面に示す実施例に基づき詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a multilayer wiring board according to the present invention will be described in detail based on an embodiment shown in the accompanying drawings.

【0018】図1は本発明の多層配線基板の実施の形態
の一例を示す平面図であり、同図(a)は第1の絶縁層
の、(b)は第2の絶縁層の平面図をそれぞれ示してい
る。また、図2はこれらを積層して成る本発明の多層配
線基板の実施の形態の一例を示す、図1のA−A’線に
相当する断面図である。
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a multilayer wiring board according to the present invention. FIG. 1 (a) is a plan view of a first insulating layer, and FIG. 1 (b) is a plan view of a second insulating layer. Are respectively shown. FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of an embodiment of a multilayer wiring board according to the present invention formed by laminating them and corresponding to the line AA 'in FIG.

【0019】これらの図において、I1およびI2はそ
れぞれ第1および第2の絶縁層であり、L1およびL2
はそれぞれ第1および第2の絶縁層I1・I2の上面に
形成された第1および第2の配線層である。また、P1
およびP2はそれぞれ第1および第2の配線層L1・L
2中の電源配線、G1およびG2はそれぞれ第1および
第2配線層L1・L2中の接地配線、S1およびS2は
それぞれ第1および第2の配線層L1・L2中の信号配
線を示している。
In these figures, I1 and I2 are first and second insulating layers, respectively, and L1 and L2
Are first and second wiring layers formed on the upper surfaces of the first and second insulating layers I1 and I2, respectively. Also, P1
And P2 are the first and second wiring layers L1 and L, respectively.
2, G1 and G2 denote ground wirings in the first and second wiring layers L1 and L2, respectively, and S1 and S2 denote signal wirings in the first and second wiring layers L1 and L2, respectively. .

【0020】なお、同じ平面に配設された複数の信号配
線S1・S2はそれぞれ異なる信号を伝送するものとし
てもよく、同じ平面に配設された複数の電源配線P1・
P2はそれぞれ異なる電源を供給するものとしてもよ
い。また、外部電気回路との接続部ならびに基板の中央
部に搭載される半導体素子等の電子部品との接続部の図
示は省略している。
The plurality of signal lines S1 and S2 arranged on the same plane may transmit different signals, respectively, and the plurality of power lines P1 and S1 arranged on the same plane may be used.
P2 may supply different powers. In addition, illustration of a connection portion with an external electric circuit and a connection portion with an electronic component such as a semiconductor element mounted on a central portion of the substrate is omitted.

【0021】第1の絶縁層I1上に形成された第1の配
線層L1は、第1の絶縁層I1の中央部に交点を有す
る、図1中に破線で示した2本の直線で中心角が略等し
くなるように区分された各区分領域において、それぞれ
交点側すなわち第1の絶縁層I1の中央部に向かう平行
配線群で構成されている。ここでは、略正方形状の第1
の絶縁層I1の対角線に沿った2本の直線で中心角が約
90度になるように区分された4つの区分領域を設定した
場合の例を示している。
The first wiring layer L1 formed on the first insulating layer I1 is centered by two straight lines indicated by broken lines in FIG. 1 and having an intersection at the center of the first insulating layer I1. In each of the divided regions that are divided so that the corners are substantially equal, each of the divided regions is formed of a group of parallel wirings that are directed toward the intersection, that is, toward the center of the first insulating layer I1. Here, the substantially square first
The center angle of the two straight lines along the diagonal line of the insulating layer I1 is about
An example is shown in which four divided areas are set so as to be 90 degrees.

【0022】また、第2の絶縁層I2上の第2の配線層
L2は、この各区分領域においてそれぞれ第1の配線層
L1の平行配線群と直交する平行配線群で構成されてい
る。ここでは、第1の配線層L1の平行配線群の配線の
うち電源配線P1・接地配線G1および信号配線S1の
いくつかが隣接する区分領域にわたるようにほぼ90度の
角度で接続されており、また、第2の配線層L2の平行
配線群の配線のうち電源配線P2および接地配線G2が
隣接する各区分領域間でそれぞれ接続されて略正方形状
の第2の絶縁層I2の各辺に平行な配線を有する略正方
形状の環状配線を形成し、信号配線S2のうちのいくつ
かが隣接する区分領域にわたるようにほぼ90度の角度で
接続されている場合の例を示している。すなわち、この
例では、第1の配線層L1および第2の配線層L2にお
いては、図中に破線で示した基板の対角線上すなわち区
分領域の境界部には、ほぼ90度の角度をもって隣接する
区分領域間の配線導体が電気的に接続された、配線のコ
ーナー部が位置することになる。
Further, the second wiring layer L2 on the second insulating layer I2 is formed of a parallel wiring group orthogonal to the parallel wiring group of the first wiring layer L1 in each of the divided regions. Here, among the wirings of the parallel wiring group of the first wiring layer L1, some of the power supply wiring P1, the ground wiring G1, and some of the signal wirings S1 are connected at an angle of about 90 degrees so as to extend over the adjacent divided regions. In addition, the power supply wiring P2 and the ground wiring G2 among the wirings of the parallel wiring group of the second wiring layer L2 are connected between the adjacent divided regions, respectively, and are parallel to each side of the substantially square second insulating layer I2. An example is shown in which a substantially square ring-shaped wiring having various wirings is formed, and some of the signal wirings S2 are connected at an angle of substantially 90 degrees so as to extend over adjacent divided regions. That is, in this example, the first wiring layer L1 and the second wiring layer L2 are adjacent to each other on the diagonal line of the substrate indicated by the broken line in the drawing, that is, at the boundary of the divided regions at an angle of about 90 degrees. The corners of the wiring where the wiring conductors between the divided regions are electrically connected are located.

【0023】このような第1の絶縁層I1と第2の絶縁
層I2とが積層され、これら第1の配線層L1の平行配
線群と第2の配線層L2の平行配線群とは、信号・電源
・接地の各配線導体がそれぞれファンクション毎に直交
する部分において、例えば第1の絶縁層I1に形成され
たビア導体やスルーホール導体等の貫通導体群T(ここ
では信号配線S1・S2に対応するもののみを示す)に
よって対応する配線同士が適当な箇所において電気的に
接続されて、これにより各区分領域毎に直交する平行配
線群が形成された積層配線体を構成している。
The first insulating layer I1 and the second insulating layer I2 are stacked, and the parallel wiring group of the first wiring layer L1 and the parallel wiring group of the second wiring layer L2 are In a portion where the power supply and ground wiring conductors are orthogonal to each other for each function, for example, a through conductor group T such as a via conductor or a through-hole conductor formed in the first insulating layer I1 (here, the signal wiring S1 Corresponding wirings are electrically connected at appropriate places by only the corresponding wirings), thereby forming a stacked wiring body in which parallel wiring groups orthogonal to each of the divided regions are formed.

【0024】なお、図1に示した例では、絶縁層I1の
中央部に、多層配線基板の表面の中央部に設けた半導体
素子等を第1の配線層L1の信号配線S1に電気的に接
続するための例えばストリップ線路構造の多数の配線導
体が配線された信号配線展開部を設けており、これら配
線導体はそれぞれ一端が貫通導体T’を介して半導体素
子等の電極に電気的に接続されるとともに、他端が平行
配線部に適した広ピッチの配線に展開され第1の配線層
L1の信号配線S1に接続されることにより、この多層
配線基板に搭載される半導体素子等を第1の配線層L1
の信号配線S1に効率よく電気的に接続するための再配
列を可能にしている。
In the example shown in FIG. 1, a semiconductor element or the like provided at the center of the insulating layer I1 at the center of the surface of the multilayer wiring board is electrically connected to the signal wiring S1 of the first wiring layer L1. For example, a signal wiring development section is provided in which a large number of wiring conductors of a strip line structure are wired for connection, and one end of each of these wiring conductors is electrically connected to an electrode of a semiconductor element or the like via a through conductor T ′. At the same time, the other end is developed into a wide-pitch wiring suitable for the parallel wiring portion and connected to the signal wiring S1 of the first wiring layer L1, so that the semiconductor element and the like mounted on the multilayer wiring board can be removed. 1 wiring layer L1
For efficient electrical connection to the signal wiring S1.

【0025】また、この例では第1および第2の配線層
L1・L2は、信号配線S1・S2に電源配線P1・P
2または接地配線G1・G2がそれぞれ隣接するように
配設されている。これにより、同じ絶縁層I1・I2上
の信号配線S1・S2間を電磁的に遮断して、同じ平面
上の左右の信号配線S1・S2間のクロストークノイズ
を良好に低減することができる。さらに、信号配線S1
・S2に必ず電源配線P1・P2または接地配線G1・
G2を隣接させることで、同じ平面上の電源配線P1・
P2と信号配線S1・S2および接地配線G1・G2と
信号配線S1・S2との相互作用が最大となり、電源配
線P1・P2および接地配線G1・G2のインダクタン
スを減少させることができる。このインダクタンスの減
少により、電源ノイズおよび接地ノイズを効果的に低減
することができる。
In this example, the first and second wiring layers L1 and L2 are connected to the signal wirings S1 and S2 by the power supply wirings P1 and P2.
2 or ground wirings G1 and G2 are arranged adjacent to each other. Accordingly, the signal wirings S1 and S2 on the same insulating layer I1 and I2 are electromagnetically cut off, and crosstalk noise between the left and right signal wirings S1 and S2 on the same plane can be reduced favorably. Further, the signal wiring S1
・ Be sure to connect power supply lines P1 and P2 or ground lines G1
By making G2 adjacent, power supply wiring P1
The interaction between P2 and the signal lines S1 and S2 and between the ground lines G1 and G2 and the signal lines S1 and S2 are maximized, and the inductance of the power lines P1 and P2 and the ground lines G1 and G2 can be reduced. Due to this reduction in inductance, power supply noise and ground noise can be effectively reduced.

【0026】本発明の多層配線基板によれば、このよう
に区分領域を設定し、各区分領域においてそれぞれ互い
に直交する平行配線群が形成された積層配線体を具備し
たことにより、第2の配線層L2を構成する平行配線群
の配線は第2の絶縁層I2の中央部を取り囲むようにほ
ぼ環状の配線構造をとることとなり、これにより、外部
からのEMIノイズの侵入や外部への不要な電磁波ノイ
ズの放射をシールドする効果を有するものとなり、配線
間のクロストークノイズを低減させることができるとと
もに、EMI対策としても効果を有するものとなる。
According to the multilayer wiring board of the present invention, the divided regions are set as described above, and the laminated wiring body in which parallel wiring groups orthogonal to each other are formed in each of the divided regions is provided. The wiring of the parallel wiring group forming the layer L2 has a substantially annular wiring structure so as to surround the center of the second insulating layer I2, whereby EMI noise from the outside and unnecessary unnecessary outside can be obtained. This has the effect of shielding the emission of electromagnetic wave noise, so that the crosstalk noise between the wirings can be reduced, and also has the effect as a measure against EMI.

【0027】また、この第2の配線層L2は、各区分領
域の平行配線群の配線を接続して形成した環状配線を有
するものであることから、その環状配線によってEMI
対策の効果を高めることができ、より有効なEMI対策
を施すことができる。
Further, since the second wiring layer L2 has an annular wiring formed by connecting the wirings of the parallel wiring groups in each divided area, the EMI is formed by the annular wiring.
The effect of the measures can be enhanced, and more effective EMI measures can be taken.

【0028】さらに、この第2の配線層L2は、その配
線層中の最外周側の環状配線を接地配線G2としたとき
には、この環状の接地配線G2により非常に効果的にE
MIノイズに対してシールド効果を有するものとなり、
さらに有効なEMI対策を施すことができる。
Further, when the outermost peripheral ring in the second wiring layer L2 is the ground wiring G2, the second wiring layer L2 is very effectively E-shaped by the annular ground wiring G2.
It has a shielding effect against MI noise,
Further effective EMI measures can be taken.

【0029】これにより、本発明の多層配線基板によれ
ば、直交させて積層した平行配線群で構成され、配線間
のクロストークノイズを低減させることができる配線構
造を有し、しかもその電気特性を劣化させることなく第
2の配線層によりEMIノイズに対してシールド効果を
持たせてEMI対策を施すことができ、高速で作動する
半導体素子等の電子部品を誤動作させることなく正確か
つ安定に動作させることができる。
Thus, according to the multilayer wiring board of the present invention, the multilayer wiring board is constituted by a group of parallel wirings stacked orthogonally, and has a wiring structure capable of reducing crosstalk noise between the wirings, and furthermore, its electric characteristics. EMI countermeasures can be taken by providing a shielding effect against EMI noise by the second wiring layer without deteriorating the operation, and accurately and stably operating electronic components such as semiconductor elements operating at high speed without malfunctioning. Can be done.

【0030】そして、図1に示す実施例では、隣接する
区分領域間で接続された信号配線S2、接地配線G1・
G2および電源配線P1・P2について、隣接する区分
領域の境界部で配線導体の厚みを厚くして接続された部
分を有するものとしている。なお、第1の配線層L1の
信号配線S1についても、同様に隣接する区分領域間で
接続して、この接続部における配線導体の厚みを厚くし
てもよいことは言うまでもない。
In the embodiment shown in FIG. 1, the signal wiring S2 and the ground wiring G1.
The G2 and the power supply wirings P1 and P2 have a portion where the thickness of the wiring conductor is increased and connected at the boundary between adjacent divided regions. Note that it is needless to say that the signal wiring S1 of the first wiring layer L1 may be similarly connected between the adjacent divided regions to increase the thickness of the wiring conductor at this connection portion.

【0031】このような構成の本発明の多層配線基板に
よれば、その優れた電気特性を劣化させることなく、隣
接する区分領域間で接続された各配線の接続部への熱応
力の集中を分散させて緩和・吸収させることができ、熱
膨張による隣接する区分領域間で接続された配線または
これらに対応する絶縁層I1・I2の切断の発生を効果
的に低減することができるものとなる。
According to the multilayer wiring board of the present invention having such a configuration, the concentration of thermal stress on the connection portion of each wiring connected between adjacent divided regions can be reduced without deteriorating its excellent electric characteristics. Dispersion can be alleviated and absorbed, and it is possible to effectively reduce the occurrence of disconnection of wiring connected between adjacent divided regions due to thermal expansion or the corresponding insulating layers I1 and I2. .

【0032】なお、図1および図2に示した例では接地
配線G1・G2および電源配線P1・P2について区分
領域の境界部の全ての接続部で配線導体の厚みを厚くし
て接続したものとしたが、これら接地配線G1・G2お
よび電源配線P1・P2についてはそれぞれ複数の電流
経路が存在するため、隣接する区分領域の境界部で接続
された配線導体のうちいくつかに断線が発生しても、そ
れによる電気的な特性の低下は実用上問題ないものであ
る場合が多いので、特に切断の発生が懸念される箇所の
みで配線導体の厚みを厚くして接続しておいてもよい。
In the examples shown in FIGS. 1 and 2, the ground wirings G1 and G2 and the power supply wirings P1 and P2 are connected by increasing the thickness of the wiring conductors at all the connection portions at the boundaries of the divided areas. However, since each of the ground wirings G1 and G2 and the power supply wirings P1 and P2 has a plurality of current paths, some of the wiring conductors connected at the boundary between the adjacent divided regions are disconnected. However, in many cases, there is no problem in terms of electrical characteristics due to the reduction in electrical characteristics. Therefore, the wiring conductors may be thickened and connected only at locations where cutting is particularly likely to occur.

【0033】また、図1および図2に示した例では区分
領域の境界部における接続部で配線導体の厚みを厚くす
るのに配線導体の幅全体において厚くした例を示してい
るが、このように区分領域の境界部で配線導体の厚みを
厚くした配線を接続する場合、少なくともそのコーナー
部の内側で直交する2つの内辺を含む部分で厚みを厚く
することによって、境界部における配線同士の接続部へ
の応力の集中を効果的に分散させて緩和・吸収させるこ
とができるとともに、絶縁層の収縮による配線の伸び縮
みに対しても耐久性の高い配線構造となり、上記の作用
効果が効果的に発揮されるものとなる。そのように配線
導体の一部において厚みを厚くして接続した本発明の多
層配線基板の実施の形態の他の例を、図3に図1と同様
の平面図で、また図4に図2と同様の断面図(図3のB
−B’線に相当する断面図)で示す。
Further, in the examples shown in FIGS. 1 and 2, an example is shown in which the thickness of the wiring conductor is increased over the entire width of the wiring conductor at the connection portion at the boundary of the segmented region. In the case of connecting a wiring whose thickness of the wiring conductor is increased at the boundary of the divided region, the thickness of the wiring at the boundary is increased by increasing the thickness at least at a portion including two inner sides orthogonal to each other inside the corner. The concentration of stress on the connection part can be effectively dispersed and alleviated / absorbed, and the wiring structure has high durability against expansion and contraction of wiring due to contraction of the insulating layer. It will be exhibited in a typical way. FIG. 3 is a plan view similar to FIG. 1 and FIG. 4 is a plan view similar to FIG. 2 showing another example of the embodiment of the multilayer wiring board of the present invention in which a part of the wiring conductor is connected by increasing the thickness. 3 (B in FIG. 3).
(A cross-sectional view corresponding to line −B ′).

【0034】これらの図において図1および図2と同様
の個所には同じ符号を付してある。図3および図4に示
す例では、隣接する区分領域間で接続された電源配線P
1・P2、接地配線G1・G2および信号配線S2のそ
れぞれに対して、隣接する区分領域の境界部で接続され
た配線について、その接続部のコーナー部の内側で直交
する2つの内辺を含む部分で厚みを厚くしたものとして
いる。すなわち、第1の配線層L1の配線P1・G1に
対しては第1の絶縁層I1の外周側に、第2の配線層L
2の配線P2・G2・S2に対しては第2の絶縁層I2
の中央側に、それぞれ部分的に配線導体の厚みを厚くし
たものとしている。なお、多層配線基板の中央部には図
1および図2の例と同様に信号配線展開部を設けてい
る。
In these figures, the same parts as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals. In the example shown in FIG. 3 and FIG. 4, the power supply wiring P
1 · P2, the ground wirings G1 · G2, and the signal wiring S2 each include two inner sides that are orthogonal to the inside of the corner of the connection part for the wiring connected at the boundary of the adjacent divided area. It is assumed that the thickness is increased in some parts. That is, for the wirings P1 and G1 of the first wiring layer L1, the second wiring layer L1 is provided on the outer peripheral side of the first insulating layer I1.
The second insulating layer I2 for the second wiring P2 • G2 • S2
, The thickness of the wiring conductor is partially increased. Note that a signal wiring development section is provided at the center of the multilayer wiring board, as in the examples of FIGS.

【0035】以上のような構成の本発明の多層配線基板
によれば、その優れた電気特性を劣化させることなく、
各配線層L1・L2の電源配線P1・P2、接地配線G
1・G2および信号配線S1・S2のそれぞれについ
て、隣接する区分領域間での接続部への熱応力の集中を
効果的に分散させて緩和・吸収させることができ、熱膨
張による各配線またはこれらに対応する絶縁層I1・I
2の切断の発生をより効果的に低減することができるも
のとなる。
According to the multilayer wiring board of the present invention having the above-described structure, excellent electrical characteristics are not deteriorated.
Power lines P1 and P2 of each wiring layer L1 and L2, ground line G
1 · G2 and the signal wires S1 · S2 can effectively reduce and absorb the concentration of the thermal stress at the connecting portion between the adjacent divided regions, and reduce or absorb each of the wires due to thermal expansion. Insulating layers I1 and I corresponding to
2 can be more effectively reduced.

【0036】なお、以上の各例においては、区分領域の
境界部において接続された配線導体の厚みは、各区分領
域における平行配線の部分の配線導体の厚みに対して1.
2倍以上とすることで、より確実に上記の作用効果が得
られるものとなる。また、接続部において厚みを厚くし
た配線導体の厚みは、30μm以下としておくことが好ま
しく、これを超えてあまり厚くすると、配線導体自身の
内部応力が大きくなって導体クラックが発生し易くなる
傾向がある。
In each of the above-described examples, the thickness of the wiring conductor connected at the boundary between the divided areas is 1.10 times the thickness of the wiring conductor of the parallel wiring portion in each divided area.
By setting it to twice or more, the above-mentioned effects can be obtained more reliably. Further, the thickness of the wiring conductor whose thickness is increased at the connection portion is preferably set to 30 μm or less, and if it is too thick, the internal stress of the wiring conductor itself increases and conductor cracks tend to occur. is there.

【0037】本発明の多層配線基板においては、平行配
線部を構成する各区分領域の設定として、上述の例の他
にも、第1の絶縁層I1の中央部に交点を有する、略正
方形状の第1の絶縁層I1の辺のほぼ中央を通る辺に平
行な直線に沿った2本の直線で中心角が約90度になるよ
うに区分された4つの区分領域を設定してもよく、3本
の直線で中心角が約60度と略等しくなるように区分され
た6つの区分領域を設定してもよく、さらに、4本の直
線で中心角が約45度と略等しくなるように区分された8
つの区分領域を設定してもよい。
In the multilayer wiring board of the present invention, in addition to the above-described example, the setting of each of the divided regions constituting the parallel wiring portion may be substantially square shape having an intersection at the center of the first insulating layer I1. May be set as four divided regions that are divided by two straight lines parallel to a side passing substantially through the center of the side of the first insulating layer I1 so that the central angle is about 90 degrees. Six divided regions may be set so that the center angle is substantially equal to about 60 degrees by three straight lines, and the center angle is substantially equal to about 45 degrees by four straight lines. 8 divided into
One divided area may be set.

【0038】これらいずれの場合であっても、上述の例
と同様に、同じ平面上の左右の信号配線S1・S2間の
クロストークノイズを良好に低減することができ、電源
配線P1・P2および接地配線G1・G2のインダクタ
ンスを減少させることができて、電源ノイズおよび接地
ノイズを効果的に低減することができるとともに、隣接
する区分領域の境界部で配線導体の厚みを厚くして接続
することにより、絶縁層I1・I2や各配線P1・P2
・G1・G2・S1・S2の切断の発生を低減して信頼
性を向上させることができる。
In any of these cases, the crosstalk noise between the left and right signal lines S1 and S2 on the same plane can be satisfactorily reduced as in the above-described example, and the power supply lines P1 and P2 and It is possible to reduce the inductance of the ground wirings G1 and G2, effectively reduce the power supply noise and the ground noise, and increase the thickness of the wiring conductor at the boundary between adjacent divided regions for connection. With this, the insulating layers I1 and I2 and each wiring P1 and
The occurrence of disconnection of G1, G2, S1, and S2 can be reduced to improve reliability.

【0039】本発明の多層配線基板においては、同様の
配線構造をさらに多層に積層して多層配線基板を構成し
てもよいことはもちろんであるが、その平行配線部や信
号配線展開部の上側または下側にさらに種々の配線構造
の多層配線部を積層して、これらを一体として多層配線
基板を構成することもできる。例えば、平行配線群を交
互に直交させて積層した構成の配線構造、あるいはスト
リップ線路構造の配線構造、その他、マイクロストリッ
プ線路構造・コプレーナ線路構造等を、多層配線基板に
要求される仕様等に応じて適宜選択して用いることがで
きる。
In the multilayer wiring board according to the present invention, it is needless to say that the same wiring structure may be further laminated to form a multilayer wiring board. Alternatively, multilayer wiring portions having various wiring structures may be further laminated on the lower side, and these may be integrated to form a multilayer wiring board. For example, a wiring structure having a configuration in which parallel wiring groups are alternately stacked at right angles, a wiring structure having a strip line structure, and a microstrip line structure, a coplanar line structure, and the like, may be used in accordance with specifications required for a multilayer wiring board. Can be appropriately selected and used.

【0040】また、例えば、ポリイミド絶縁層と銅蒸着
による導体層といったものを積層して、電子回路を構成
してもよい。また、チップ抵抗・薄膜抵抗・コイルイン
ダクタ・クロスインダクタ・チップコンデンサ・電解コ
ンデンサといったものを取着して半導体素子収納用パッ
ケージを構成してもよい。
For example, an electronic circuit may be formed by laminating a polyimide insulating layer and a conductor layer formed by copper deposition. Further, a package for semiconductor element accommodation may be configured by attaching a chip resistor, a thin film resistor, a coil inductor, a cross inductor, a chip capacitor, and an electrolytic capacitor.

【0041】また、第1および第2の絶縁層I1・I2
を始めとする各絶縁層の形状は、図示したような略正方
形状のものに限られるものではなく、長方形状や菱形状
・六角形状・八角形状等の形状であってもよい。
The first and second insulating layers I1 and I2
The shape of each insulating layer is not limited to a substantially square shape as shown, but may be a rectangular shape, a rhombic shape, a hexagonal shape, an octagonal shape, or the like.

【0042】なお、第1および第2の配線層L1・L2
は、第1および第2の絶縁層I1・I2の表面に形成す
るものに限られず、各絶縁層I1・I2の内部に形成し
たものであってもよい。図2および図4に示す例に対し
て、第1の配線層L1を第1の絶縁層I1の内部に形成
した場合には、第1の配線層L1は表面に露出しないた
め、第3の絶縁層I3は必ずしも必要ではない。
The first and second wiring layers L1 and L2
Is not limited to those formed on the surfaces of the first and second insulating layers I1 and I2, but may be formed inside each of the insulating layers I1 and I2. 2 and 4, when the first wiring layer L1 is formed inside the first insulating layer I1, the first wiring layer L1 is not exposed on the surface, so that the third wiring layer L1 is not exposed to the surface. The insulating layer I3 is not always necessary.

【0043】そして、このような本発明の多層配線基板
には、例えばその表面にMPU・ASIC(Applicatio
n Specific Integrated Circuit)・DSP(Digital S
ignal Processor)のような半導体素子が搭載される。
そして、半導体素子収納用パッケージ等の電子部品収納
用パッケージや電子部品搭載用基板、多数の半導体集積
回路素子が搭載されるいわゆるマルチチップモジュール
やマルチチップパッケージ、あるいはマザーボード等と
して使用される。これらの半導体素子あるいは電子部品
は、例えばいわゆるバンプ電極によりこの多層配線基板
の表面の搭載領域のフリップチップパッドに実装され
て、あるいは接着剤・ろう材等により搭載部に取着され
るとともにボンディングワイヤ等により、貫通導体等を
介して信号配線展開部の配線導体と電気的に接続され
る。
The multilayer wiring board of the present invention has, for example, an MPU-ASIC (Applicatio
n Specific Integrated Circuit) · DSP (Digital S)
A semiconductor element such as an ignal processor is mounted.
It is used as a package for storing electronic components such as a package for storing semiconductor devices, a substrate for mounting electronic components, a so-called multi-chip module or multi-chip package on which a large number of semiconductor integrated circuit devices are mounted, or a motherboard. These semiconductor elements or electronic components are mounted on flip chip pads in the mounting area on the surface of the multilayer wiring board by, for example, so-called bump electrodes, or are attached to the mounting portion by an adhesive, brazing material, etc. Thus, it is electrically connected to the wiring conductor of the signal wiring development part via the through conductor or the like.

【0044】本発明の多層配線基板において、第1およ
び第2の絶縁層I1・I2を始めとする各絶縁層は、例
えばセラミックグリーンシート積層法によって、酸化ア
ルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・炭化
珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ムライト質焼結体・
ガラスセラミックス等の無機絶縁材料を使用して、ある
いはポリイミド・エポキシ樹脂・フッ素樹脂・ポリノル
ボルネン・ベンゾシクロブテン等の有機絶縁材料を使用
して、あるいはセラミックス粉末等の無機絶縁物粉末を
エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂で結合して成る複合絶
縁材料などの電気絶縁材料を使用して形成される。
In the multilayer wiring board of the present invention, each of the insulating layers including the first and second insulating layers I1 and I2 is formed by, for example, a ceramic green sheet laminating method using a sintered body of aluminum oxide or aluminum nitride. Sintered body, silicon carbide sintered body, silicon nitride sintered body, mullite sintered body,
Use an inorganic insulating material such as glass ceramics, or use an organic insulating material such as polyimide, epoxy resin, fluorine resin, polynorbornene, benzocyclobutene, or use an inorganic resin such as ceramic powder as an epoxy resin. It is formed using an electrical insulating material such as a composite insulating material formed by bonding with a thermosetting resin.

【0045】これら絶縁層は、例えば酸化アルミニウム
質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・酸
化珪素・酸化カルシウム・酸化マグネシウム等の原料粉
末に適当な有機バインダ・溶剤等を添加混合して泥漿状
となすとともに、これを従来周知のドクターブレード法
を採用してシート状となすことによってセラミックグリ
ーンシートを得て、しかる後、これらのセラミックグリ
ーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに各平行
配線群および各貫通導体群ならびに導体層となる金属ペ
ーストを所定のパターンに印刷塗布して上下に積層し、
最後にこの積層体を還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼
成することによって製作される。
If these insulating layers are made of, for example, an aluminum oxide sintered body, a suitable organic binder, a solvent and the like are added to and mixed with raw material powders of aluminum oxide, silicon oxide, calcium oxide, magnesium oxide and the like. A ceramic green sheet was obtained by forming the sheet into a sheet shape by employing a well-known doctor blade method, and thereafter, the ceramic green sheet was subjected to an appropriate punching process and each parallel wiring was formed. The group and each through conductor group and the metal paste to be the conductor layer are printed and applied in a predetermined pattern and laminated vertically,
Finally, the laminate is manufactured by firing at a temperature of about 1600 ° C. in a reducing atmosphere.

【0046】また、例えばエポキシ樹脂から成る場合で
あれば、一般に酸化アルミニウム質焼結体から成るセラ
ミックスや、ガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂
を含浸させて形成されるガラスエポキシ樹脂等から成る
基板の上面に、有機樹脂前駆体をスピンコート法もしく
はカーテンコート法等の塗布技術により被着させ、これ
を熱硬化処理することによって形成されるエポキシ樹脂
等の有機樹脂から成る絶縁層と、銅を無電解めっき法や
蒸着法等の薄膜形成技術およびフォトリソグラフィ技術
を採用することによって形成される薄膜配線導体層とを
交互に積層させた構造を有している。
For example, if it is made of an epoxy resin, a substrate made of ceramics generally made of a sintered body of aluminum oxide or glass epoxy resin formed by impregnating a cloth woven with glass fibers with an epoxy resin is used. An insulating layer made of an organic resin such as an epoxy resin formed by applying an organic resin precursor by a coating technique such as a spin coating method or a curtain coating method and performing a thermosetting treatment on the upper surface thereof, and copper. It has a structure in which thin film wiring conductor layers formed by employing thin film forming techniques such as electroless plating and vapor deposition and photolithography are alternately laminated.

【0047】さらに、積層された各有機樹脂絶縁層間に
配設されている薄膜配線導体層が、有機樹脂絶縁層に形
成したスルーホールの内壁に被着されているスルーホー
ル導体等の貫通導体を介して電気的に接続されている。
各有機樹脂絶縁層へのスルーホールの形成は、例えばま
ず各有機樹脂絶縁層上にレジスト材を塗布するとともに
これに露光・現像を施すことによって所定位置に所定形
状の窓部を形成し、次にこのレジスト材の窓部にエッチ
ング液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶
縁層を除去して有機樹脂絶縁層に穴(スルーホール)を
形成し、次いでレジスト材を有機樹脂絶縁層上より剥離
させ除去することによって行なうフォトリソグラフィ技
術や、レーザ光によって各有機樹脂絶縁層の有機樹脂を
除去することによって所定位置に所定形状の窓部を形成
するレーザ技術によって穴(スルーホール)を形成し、
最後に銅を無電解めっき法等の導体形成技術によって穴
(スルーホール)内壁に被着させ、スルーホール導体を
形成することによって製作される。
Further, the thin-film wiring conductor layer provided between the laminated organic resin insulating layers is formed of a through conductor such as a through-hole conductor attached to the inner wall of the through-hole formed in the organic resin insulating layer. Are electrically connected via
The formation of through holes in each organic resin insulating layer is performed, for example, by first applying a resist material on each organic resin insulating layer, and exposing and developing the resist material to form a window of a predetermined shape at a predetermined position. An etchant is disposed on the window of the resist material, the organic resin insulating layer located on the window of the resist material is removed to form a hole (through hole) in the organic resin insulating layer, and then the resist material is removed from the organic resin. Holes (through holes) are formed by a photolithography technique that is performed by peeling and removing the insulating layer from the insulating layer, or a laser technique that forms a window of a predetermined shape at a predetermined position by removing the organic resin of each organic resin insulating layer by using a laser beam. ) To form
Finally, copper is applied to the inner wall of the hole (through hole) by a conductor forming technique such as electroless plating to form a through hole conductor.

【0048】これら絶縁層の厚みとしては、使用する材
料の特性に応じて、要求される仕様に対応する機械的強
度や電気的特性・貫通導体群の形成の容易さ等の条件を
満たすように適宜設定される。
The thickness of these insulating layers is determined in accordance with the characteristics of the material to be used so as to satisfy the conditions such as mechanical strength and electrical characteristics corresponding to the required specifications and the ease of forming the through conductor group. It is set appropriately.

【0049】また、第1および第2の配線層L1・L2
を構成する平行配線群やその他の配線層ならびに貫通導
体群Tは、例えばタングステンやモリブデン・モリブデ
ン−マンガン・銅・銀・銀−パラジウム等の金属粉末メ
タライズ、あるいは銅・銀・ニッケル・クロム・チタン
・金・ニオブやそれらの合金等の金属材料の薄膜等によ
り形成すればよい。
Further, the first and second wiring layers L1 and L2
Of the parallel wiring group and other wiring layers and the through conductor group T are metallized metal powders such as tungsten or molybdenum / molybdenum-manganese / copper / silver / silver / palladium, or copper / silver / nickel / chrome / titanium. -It may be formed of a thin film of a metal material such as gold, niobium, or an alloy thereof.

【0050】例えば、タングステンの金属粉末メタライ
ズから成る場合であれば、タングステン粉末に適当な有
機バインダ・溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを
絶縁層となるセラミックグリーンシートに所定のパター
ンに印刷塗布し、これをセラミックグリーンシートの積
層体とともに焼成することによって、各絶縁層の上面に
配設される。
For example, in the case of metallization of metal powder of tungsten, a metal paste obtained by adding and mixing an appropriate organic binder and solvent to the tungsten powder is printed in a predetermined pattern on a ceramic green sheet to be an insulating layer. By applying and firing this together with the ceramic green sheet laminate, it is disposed on the upper surface of each insulating layer.

【0051】また,金属材料の薄膜から成る場合であれ
ば、例えばスパッタリング法・真空蒸着法またはメッキ
法により金属層を形成した後、フォトリソグラフィ法に
より所定の配線パターンに形成される。
In the case of a thin film of a metal material, a metal layer is formed by, for example, a sputtering method, a vacuum evaporation method, or a plating method, and then a predetermined wiring pattern is formed by a photolithography method.

【0052】第1および第2の配線層L1・L2の平行
配線群を構成する各配線の幅および配線間の間隔は、使
用する材料の特性に応じて、要求される仕様に対応する
電気的特性や絶縁層I1・I2への配設の容易さ等の条
件を満たすように適宜設定される。
The width of each wiring and the distance between the wirings constituting the parallel wiring group of the first and second wiring layers L1 and L2 are determined according to the characteristics of the material to be used. It is set appropriately so as to satisfy conditions such as characteristics and ease of disposition on the insulating layers I1 and I2.

【0053】なお、各配線層L1・L2ならびに信号配
線展開部の配線導体の厚みは1〜20μm程度とすること
が好ましい。この厚みが1μm未満となると配線の抵抗
が大きくなるため、配線群による半導体素子への良好な
電源供給や安定したグランドの確保・良好な信号の伝搬
が困難となる傾向が見られる。他方、20μmを超えると
その上に積層される絶縁層による被覆が不十分となって
絶縁不良となる場合がある。
It is preferable that the thickness of each of the wiring layers L1 and L2 and the wiring conductors of the signal wiring development portion is about 1 to 20 μm. If the thickness is less than 1 μm, the resistance of the wiring increases, and it tends to be difficult to supply a good power supply to the semiconductor element, secure a stable ground, and propagate a good signal to the semiconductor element by the wiring group. On the other hand, if it exceeds 20 μm, the insulation layer laminated thereon may be insufficiently covered, resulting in poor insulation.

【0054】貫通導体群Tの各貫通導体は、横断面形状
が円形のものの他にも楕円形や正方形・長方形等の矩
形、その他の異形状のものを用いてもよい。その位置や
大きさは、使用する材料の特性に応じて、要求される仕
様に対応する電気的特性や絶縁層への形成・配設の容易
さ等の条件を満たすように適宜設定される。
Each of the through conductors of the through conductor group T may have a rectangular cross section other than a circular cross section, or may have a rectangular shape such as an elliptical shape, a square or a rectangular shape, or any other shape. The position and size are appropriately set according to the characteristics of the material to be used so as to satisfy conditions such as electrical characteristics corresponding to required specifications and easiness of formation and arrangement on the insulating layer.

【0055】例えば、絶縁層に酸化アルミニウム質焼結
体を用い、平行配線群にタングステンの金属メタライズ
を用いた場合であれば、絶縁層の厚みを200μmとし、
配線の線幅を100μm、配線間の間隔を150μm、貫通導
体の大きさを100μmとすることによって、信号配線の
インピーダンスを50Ωとし、上下の平行配線群間を高周
波信号の反射を抑えつつ電気的に接続することができ
る。
For example, when the aluminum oxide sintered body is used for the insulating layer and the metallization of tungsten is used for the parallel wiring group, the thickness of the insulating layer is set to 200 μm.
By setting the line width of the wiring to 100 μm, the spacing between the wirings to 150 μm, and the size of the through conductor to 100 μm, the impedance of the signal wiring is set to 50Ω, and the electrical connection between the upper and lower parallel wiring groups is suppressed while suppressing the reflection of high-frequency signals. Can be connected to

【0056】また、信号配線展開部を構成する接地導体
層および電源導体層の厚みや形成範囲、ならびに配線導
体の厚みや幅および配線間の間隔は、例えば上記と同様
に、配線導体の線幅を100μm、配線導体間ならびに配
線導体−導体層間の間隔を400μm、配線導体ならびに
導体層の厚みを20μmとし、貫通導体T’の大きさを10
0μmとすることによって、配線導体による信号配線の
インピーダンスを50Ωとすることができる。
The thickness and the formation range of the ground conductor layer and the power supply conductor layer constituting the signal wiring development section, the thickness and the width of the wiring conductor, and the interval between the wirings are, for example, the line width of the wiring conductor in the same manner as described above. 100 μm, the distance between the wiring conductors and the distance between the wiring conductor and the conductor layer is 400 μm, the thickness of the wiring conductor and the conductor layer is 20 μm, and the size of the through conductor T ′ is 10 μm.
By setting the thickness to 0 μm, the impedance of the signal wiring by the wiring conductor can be set to 50Ω.

【0057】なお、本発明は以上の実施の形態の例に限
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々の変更を加えることは何ら差し支えない。例え
ば、絶縁層を、放熱を考慮した窒化アルミニウム質焼結
体・炭化珪素質焼結体や、低誘電率を考慮したガラスセ
ラミックス質焼結体を用いたものとしてもよい。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and that various changes can be made without departing from the scope of the present invention. For example, the insulating layer may be made of an aluminum nitride-based sintered body / silicon carbide-based sintered body in consideration of heat radiation, or a glass-ceramic-based sintered body in consideration of a low dielectric constant.

【0058】[0058]

【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、平行配
線群を直交させて積層して成る多層配線構造として、絶
縁層の中央部に交点を有する2〜4本の直線で中心角が
略等間隔となるように区分された各区分領域を設定し、
第1の配線層をその区分領域のそれぞれにおいて交点側
すなわち絶縁層の中央部側に向かう方向に略平行に配設
された平行配線群で構成するとともに、第2の配線層を
各区分領域においてそれぞれ第1の配線層の平行配線群
と直交する方向に略平行に配設された平行配線群で構成
し、これら第1および第2の配線層を貫通導体群で電気
的に接続した積層配線体を具備する構造としたことか
ら、第2の配線層を構成する平行配線群の配線は絶縁層
の中央部を取り囲むようにほぼ環状の配線構造をとるこ
ととなり、これにより、外部からのEMIノイズの侵入
や外部への不要な電磁波ノイズの放射をシールドする効
果を有するものとなり、配線間のクロストークノイズを
低減させることができるとともに、EMI対策としても
効果を有するものとなる。
According to the multilayer wiring board of the present invention, as a multilayer wiring structure in which parallel wiring groups are orthogonally stacked, a central angle of 2 to 4 straight lines having an intersection at the center of the insulating layer is obtained. Set each divided area so as to be approximately equally spaced,
The first wiring layer is composed of a group of parallel wirings arranged substantially parallel to the intersection side, that is, the direction toward the center of the insulating layer in each of the divided regions, and the second wiring layer is formed in each of the divided regions. Stacked wiring in which parallel wiring groups arranged substantially parallel to a direction orthogonal to the parallel wiring group of the first wiring layer, and the first and second wiring layers are electrically connected by a through conductor group The wiring of the parallel wiring group forming the second wiring layer has a substantially annular wiring structure surrounding the central portion of the insulating layer, thereby providing EMI from the outside. It has the effect of shielding the intrusion of noise and the emission of unnecessary electromagnetic noise to the outside, which can reduce crosstalk noise between wirings and also has the effect as an EMI measure. That.

【0059】また、各区分領域を第1の絶縁層の中央部
に交点を有する2〜4本の直線でその中心角が略等しく
なるように区分していることから、配線の自由度を高
め、配線長を短くすることができ、抵抗やインダクタン
ス・キャパシタンスを減少させることができる。
Further, since each of the divided regions is divided by two to four straight lines having an intersection at the center of the first insulating layer so that the center angles thereof are substantially equal, the degree of freedom of wiring is increased. In addition, the wiring length can be shortened, and the resistance, inductance, and capacitance can be reduced.

【0060】また、絶縁層に形成された第1および第2
の配線層の平行配線群が、隣接する区分領域の境界部で
配線導体の厚みを厚くして接続された配線を有するもの
としているため、絶縁層の熱膨張によりこの区分領域の
境界部で屈曲させて接続されている配線のコーナー部分
へ応力を効果的に分散させて緩和・吸収させることがで
き、その結果、熱応力により絶縁層や内部配線が切断さ
れるという不具合の発生をほとんどなくすことができ
る。
The first and second layers formed on the insulating layer
The parallel wiring group of the wiring layer has the wiring connected by increasing the thickness of the wiring conductor at the boundary of the adjacent divided region, and is bent at the boundary of this divided region due to the thermal expansion of the insulating layer. The stress can be effectively distributed to the corners of the interconnects connected to alleviate the stress, and the stress can be relaxed and absorbed. As a result, the problem that the insulating layer and the internal interconnects are cut by the thermal stress is almost eliminated. Can be.

【0061】また、区分領域の境界部で配線導体の厚み
を厚くする場合に、その厚みを区分領域の平行配線の厚
みに対して1.2倍以上とすることによって、上記の作用
効果がより効果的に発揮されるものとなる。
In the case where the thickness of the wiring conductor is increased at the boundary between the divided regions, the above operation and effect can be more effectively achieved by making the thickness 1.2 times or more the thickness of the parallel wiring in the divided region. Will be exhibited.

【0062】さらに、第1および第2の配線層の各平行
配線群において、それぞれ複数の信号配線に隣接する配
線を電源配線または接地配線とすることで、同じ配線層
内における信号配線間の電気的な結合を十分に低減して
信号配線間のクロストークノイズをほとんど問題ないレ
ベルに低減させることができ、EMIノイズに対しても
ノイズ低減効果が得られるものとなる。
Further, in each of the parallel wiring groups of the first and second wiring layers, the wiring adjacent to each of the plurality of signal wirings is set as the power supply wiring or the ground wiring, so that the electric connection between the signal wirings in the same wiring layer is achieved. Cross-talk noise between signal wirings can be reduced to a level that causes almost no problem, and a noise reduction effect can be obtained even for EMI noise.

【0063】以上により、本発明によれば、平行配線群
を直交させて多層化して構成した配線構造を有する多層
配線基板において、その優れた電気特性を劣化させるこ
となく、熱膨張による絶縁層または内部配線導体の切断
の発生を低減した、信頼性を向上させた多層配線基板を
提供することができた。
As described above, according to the present invention, in a multilayer wiring board having a wiring structure in which parallel wiring groups are orthogonally multilayered, the insulating layer or the insulating layer formed by thermal expansion can be used without deteriorating its excellent electrical characteristics. It is possible to provide a multilayer wiring board in which the occurrence of cutting of the internal wiring conductor is reduced and the reliability is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)および(b)は、それぞれ本発明の多層
配線基板の実施の形態の一例を示す第1および第2の絶
縁層の平面図である。
FIGS. 1A and 1B are plan views of first and second insulating layers, respectively, showing an example of an embodiment of a multilayer wiring board of the present invention.

【図2】図1の各絶縁層を積層して成る本発明の多層配
線基板の実施の形態の一例を示す、図1のA−A’線に
相当する断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view corresponding to the line AA ′ of FIG. 1, showing an example of the embodiment of the multilayer wiring board of the present invention formed by laminating the respective insulating layers of FIG.

【図3】(a)および(b)は、それぞれ本発明の多層
配線基板の実施の形態の他の例を示す第1および第2の
絶縁層の平面図である。
FIGS. 3A and 3B are plan views of first and second insulating layers, respectively, showing another example of the embodiment of the multilayer wiring board of the present invention.

【図4】図3の各絶縁層を積層して成る本発明の多層配
線基板の実施の形態の一例を示す、図3のB−B’線に
相当する断面図である。
4 is a cross-sectional view corresponding to the line BB 'of FIG. 3, showing an example of the embodiment of the multilayer wiring board of the present invention formed by laminating the respective insulating layers of FIG. 3;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

I1、I2・・・・第1、第2の絶縁層 L1、L2・・・・第1、第2の配線層 P1、P2・・・・第1、第2の電源配線 G1、G2・・・・第1、第2の接地配線 S1、S2・・・・第1、第2の信号配線 T・・・・・・・・貫通導体群 .. I1, I2... First and second insulating layers L1, L2... First and second wiring layers P1, P2... First and second power supply wirings G1, G2. ..First and second ground wires S1, S2... First and second signal wires T....

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の絶縁層に形成され、該第1の絶縁
層の中央部に交点を有する2〜4本の直線で中心角が略
等しくなるように区分された各区分領域においてそれぞ
れ前記交点側に向かう平行配線群から成る第1の配線層
と、前記第1の絶縁層に積層された第2の絶縁層に形成
され、前記各区分領域においてそれぞれ前記第1の配線
層と直交する平行配線群から成る第2の配線層とを貫通
導体群で電気的に接続して成る積層配線体を具備して成
り、前記第1および第2の配線層の平行配線群は、隣接
する前記区分領域の境界部で配線導体の厚みを厚くして
接続された配線を有することを特徴とする多層配線基
板。
1. A method according to claim 1, wherein each of the first and second insulating layers is formed by dividing two to four straight lines having an intersection at the center of the first insulating layer so that the center angles are substantially equal. A first wiring layer formed of a group of parallel wirings toward the intersection and a second insulating layer laminated on the first insulating layer, and each of the divided regions is orthogonal to the first wiring layer; And a second wiring layer composed of a group of parallel wirings, and a laminated wiring body electrically connected to the second wiring layer by a through conductor group. The parallel wiring group of the first and second wiring layers is adjacent to each other. A multilayer wiring board comprising a wiring connected by increasing the thickness of a wiring conductor at a boundary between the divided regions.
【請求項2】 前記区分領域の境界部で接続された配線
の配線導体の厚みを前記区分領域の平行配線の厚みに対
して1.2倍以上としたことを特徴とする請求項1記載
の多層配線基板。
2. The method according to claim 1, wherein the thickness of the wiring conductor of the wiring connected at the boundary of the divided area is at least 1.2 times the thickness of the parallel wiring in the divided area. Multilayer wiring board.
【請求項3】 前記第1および第2の配線層の平行配線
群は、それぞれ複数の信号配線と、各信号配線に隣接す
る電源配線または接地配線とを有することを特徴とする
請求項1記載の多層配線基板。
3. The parallel wiring group of the first and second wiring layers includes a plurality of signal wirings and a power supply wiring or a ground wiring adjacent to each signal wiring. Multilayer wiring board.
JP2000227825A 2000-07-27 2000-07-27 Multilayer wiring board Pending JP2002043762A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000227825A JP2002043762A (en) 2000-07-27 2000-07-27 Multilayer wiring board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000227825A JP2002043762A (en) 2000-07-27 2000-07-27 Multilayer wiring board

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002043762A true JP2002043762A (en) 2002-02-08

Family

ID=18721222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000227825A Pending JP2002043762A (en) 2000-07-27 2000-07-27 Multilayer wiring board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002043762A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101114633B (en) * 2006-07-27 2011-04-20 三星电子株式会社 Interconnection substrate, semiconductor chip package including the same, and display system including the same
JP2013058710A (en) * 2011-09-09 2013-03-28 Shinko Electric Ind Co Ltd Wiring board and semiconductor package
WO2013057867A1 (en) * 2011-10-21 2013-04-25 パナソニック株式会社 Semiconductor device
CN109698185A (en) * 2017-10-20 2019-04-30 智原科技股份有限公司 The distribution network of integrated circuit

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101114633B (en) * 2006-07-27 2011-04-20 三星电子株式会社 Interconnection substrate, semiconductor chip package including the same, and display system including the same
US8106425B2 (en) 2006-07-27 2012-01-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Interconnection substrate, semiconductor chip package including the same, and display system including the same
JP2013058710A (en) * 2011-09-09 2013-03-28 Shinko Electric Ind Co Ltd Wiring board and semiconductor package
WO2013057867A1 (en) * 2011-10-21 2013-04-25 パナソニック株式会社 Semiconductor device
CN103620762A (en) * 2011-10-21 2014-03-05 松下电器产业株式会社 Semiconductor device
US9117770B2 (en) 2011-10-21 2015-08-25 Panasonic Corporation Semiconductor device
CN103620762B (en) * 2011-10-21 2016-08-17 松下电器产业株式会社 Semiconductor device
CN109698185A (en) * 2017-10-20 2019-04-30 智原科技股份有限公司 The distribution network of integrated circuit
CN109698185B (en) * 2017-10-20 2020-09-01 智原科技股份有限公司 Power distribution network for integrated circuits

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3878795B2 (en) Multilayer wiring board
JP2002043762A (en) Multilayer wiring board
JP3798978B2 (en) Multilayer wiring board
JP3935638B2 (en) Multilayer wiring board
JP4373752B2 (en) Wiring board
JP3796104B2 (en) Multilayer wiring board
JP3792472B2 (en) Multilayer wiring board
JP3798919B2 (en) Multilayer wiring board
JP4601369B2 (en) Wiring board
JP3754863B2 (en) Multilayer wiring board
JP3754865B2 (en) Multilayer wiring board
JP2001217345A (en) Multilayer interconnection board
JP2002043763A (en) Multilayer wiring board
JP2001313351A (en) Multilayered wiring board
JP3784244B2 (en) Multilayer wiring board
JP2001313473A (en) Multilayer wiring board
JP3754864B2 (en) Multilayer wiring board
JP3754866B2 (en) Multilayer wiring board
JP3792482B2 (en) Multilayer wiring board
JP2001217348A (en) Multilayer interconnection board
JP2000323600A (en) Multilayer wiring board
JP2001077541A (en) Multilayer wiring board
JP2001127385A (en) Multilayer wiring board
JP2001085848A (en) Multilayer interconnection substrate
JP2001077542A (en) Multilayer wiring board