JP2002036098A - Polishing pad - Google Patents
Polishing padInfo
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、表面形状に高度な
均一性が要求される研磨対象物の研磨に用いられる研磨
パッドに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing pad used for polishing an object to be polished, which requires a highly uniform surface shape.
【０００２】[0002]
【従来の技術】表面形状に高度な均一性が要求される研
磨対象物としては、例えば半導体ウェーハやメモリディ
スク、光学部品例えばレンズ等がある。これらの研磨に
は、主に化学的機械的研磨法（ＣＭＰ法）が用いられ
る。ＣＭＰ法は、砥粒剤としてＳｉＯ2を用いたアルカ
リ溶液やＣｅＯ2を用いた中性溶液、あるいはＡｌ2Ｏ3
を用いた酸性溶液等のスラリーを用いて化学的・機械的
に研磨対象物の表面を研磨し、平坦化（または均一化）
する方法である。2. Description of the Related Art Polishing objects requiring a high degree of uniformity in surface shape include, for example, semiconductor wafers, memory disks, and optical components such as lenses. For such polishing, a chemical mechanical polishing method (CMP method) is mainly used. In the CMP method, an alkaline solution using SiO 2 as an abrasive, a neutral solution using CeO 2 , or Al 2 O 3
The surface of the object to be polished is chemically and mechanically polished using a slurry of an acidic solution or the like, and is planarized (or made uniform).
How to
【０００３】ＣＭＰ法を用いて研磨対象物を研磨する装
置としては、例えば図２の要部拡大斜視図に概略的に示
されるものが知られている。この研磨装置１は例えば半
導体ウェーハＷ（以下、単にウェーハという）を研磨す
るものであって、中心軸２に取り付けられた円板状のプ
ラテン３（研磨定盤）上に例えば硬質ウレタンからなる
研磨パッド４が設けられ、この研磨パッド４に対向して
かつ研磨パッド４に対して、プラテン３の中心軸２から
偏心した位置に、自転可能な研磨ヘッド５が配設されて
いるものである。研磨ヘッド５は、研磨パッド４よりも
小径の略円盤形状とされて、図示せぬアームによって上
端を保持された状態で、その下部すなわちヘッド先端で
ウェーハＷを保持して研磨パッド４に所定圧力で当接さ
せるものである。この研磨装置１では、ウェーハＷの研
磨に際して、例えば上述した砥粒剤が液状のスラリーＳ
として研磨パッド４上に供給されているため、このスラ
リーＳが研磨ヘッド５に保持されたウェーハＷと研磨パ
ッド４との間に流動して、研磨ヘッド５に保持されたウ
ェーハＷが自転し、同時に研磨パッド４が中心軸２を中
心として回転するために、研磨パッド４でウェーハＷの
一面が研磨される。As an apparatus for polishing an object to be polished by using the CMP method, for example, an apparatus schematically shown in an enlarged perspective view of a main part in FIG. 2 is known. This polishing apparatus 1 is for polishing, for example, a semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as a wafer), and is made of, for example, hard urethane on a disk-shaped platen 3 (polishing platen) attached to a center shaft 2. A pad 4 is provided, and a rotatable polishing head 5 is disposed at a position facing the polishing pad 4 and eccentric from the center axis 2 of the platen 3 with respect to the polishing pad 4. The polishing head 5 has a substantially disk shape smaller in diameter than the polishing pad 4, and holds the wafer W at a lower portion thereof, that is, a tip of the head while holding the upper end by an arm (not shown). Is to abut. In the polishing apparatus 1, for polishing the wafer W, for example, the above-mentioned abrasive is in a liquid slurry S
Is supplied onto the polishing pad 4, the slurry S flows between the wafer W held by the polishing head 5 and the polishing pad 4, and the wafer W held by the polishing head 5 rotates, At the same time, since the polishing pad 4 rotates about the central axis 2, one surface of the wafer W is polished by the polishing pad 4.
【０００４】研磨パッドとしては、図３の縦断面図に示
すように、ウェーハＷを受ける上層６と、上層６の裏面
に設けられてプラテン３に貼り付けられる粘着層７とを
有する研磨パッド８がある（このような研磨パッドを単
層パッドという）。ここで、研磨パッドには、研磨対象
物の表面を平面に近付けるために、研磨対象物を当接さ
せてもたわむなどの変形を抑制するためにある程度の硬
度が要求され、また研磨対象物の全面にわたって当接し
て一様な研磨を行うためにはある程度の柔軟性が要求さ
れる。このような理由から、図４の縦断面図に示すよう
に、研磨に寄与する側（ウェーハを受ける側）に硬質の
素材からなる硬質層９を設け、プラテン３に貼り付けら
れる側には軟質の素材からなる軟質層１０を設けた研磨
パッド１１も用いられる（このような研磨パッドを複層
パッドという）。この研磨パッド１１は、硬質層９の裏
面に第一の粘着層１２を設けて、この第一の粘着層１２
によって硬質層９と軟質層１０とを貼り付けたものであ
る。そして、軟質層１０の裏面には第二の粘着層１３を
設けられており、この第二の粘着層１３によってプラテ
ン３に貼り付けられるようになっている。As a polishing pad, as shown in a vertical sectional view of FIG. 3, a polishing pad 8 having an upper layer 6 for receiving a wafer W and an adhesive layer 7 provided on the back surface of the upper layer 6 and adhered to the platen 3. (Such a polishing pad is called a single-layer pad). Here, the polishing pad is required to have a certain degree of hardness in order to suppress deformation such as bending even when the polishing object is brought into contact in order to bring the surface of the polishing object close to a plane, A certain degree of flexibility is required in order to perform uniform polishing by abutting over the entire surface. For this reason, as shown in the longitudinal sectional view of FIG. 4, a hard layer 9 made of a hard material is provided on a side contributing to polishing (a side receiving a wafer), and a soft layer 9 A polishing pad 11 provided with a soft layer 10 made of the above material is also used (such a polishing pad is referred to as a multilayer pad). This polishing pad 11 is provided with a first adhesive layer 12 on the back surface of the hard layer 9,
And a hard layer 9 and a soft layer 10 are adhered together. A second adhesive layer 13 is provided on the back surface of the soft layer 10, and is attached to the platen 3 by the second adhesive layer 13.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】研磨パッドは、研磨に
使用されることで、研磨対象物の研磨に作用する面に次
第に目詰まり、目つぶれが生じて研磨精度、研磨能率な
どの研磨性能が低下する。このため、研磨パッドは、目
詰まり、目つぶれが生じる前に、例えばその表面を薄く
削り取るなどしてドレッシング（目立て）を行い、研磨
性能を回復させている。そして、ドレッシングしても研
磨性能が回復しなくなった場合には新品の研磨パッドと
交換される。ここで、従来の研磨パッドにおいて、プラ
テン３に貼り付けるための粘着層（粘着層７、第二の粘
着層１３）は、例えば接着剤を層状に形成したものや、
両面テープ等によって構成されている。このような粘着
層は粘着力が強いので、プラテン３からはがしにくく、
また貼り直しが困難であるために新品の研磨パッドを貼
り付ける際には作業を慎重に行う必要があり、研磨パッ
ド交換時の作業性が悪かった。When the polishing pad is used for polishing, the surface acting on the object to be polished gradually becomes clogged and the surface of the polishing pad is blinded, resulting in poor polishing performance such as polishing accuracy and polishing efficiency. descend. For this reason, the polishing pad performs dressing (sharpening) by, for example, shaving its surface thinly before clogging or blinding occurs, thereby recovering polishing performance. When the polishing performance does not recover even after dressing, the polishing pad is replaced with a new polishing pad. Here, in the conventional polishing pad, the adhesive layer (the adhesive layer 7 and the second adhesive layer 13) to be attached to the platen 3 is, for example, a layer in which an adhesive is formed,
It is composed of a double-sided tape or the like. Since such an adhesive layer has a strong adhesive force, it is difficult to peel off from the platen 3,
In addition, since it is difficult to re-attach the polishing pad, it is necessary to carefully work when attaching a new polishing pad, and the workability when replacing the polishing pad is poor.
【０００６】また、研磨性能を向上させる観点からは複
層パッドを使用することが望ましいが、複層パッドは製
造コストが高いという問題がある。ＣＭＰ装置のランニ
ングコストのうち、消耗品である研磨パッドにかかる費
用の占める割合が高いので、研磨パッドにかかるコスト
を低減することが望まれている。さらに、近年は環境問
題及び廃棄物処理にかかるコスト低減の観点から、廃棄
物を減量することが要求されている。また、複層パッド
を用いても、研磨ヘッド５やプラテン３や、ウェーハＷ
自体に振動が生じた場合には、この振動が減衰しにく
く、研磨精度や研磨能率に悪影響が生じてしまう。そし
て、複層パッドは単層パッドよりも熱伝導率が低くなる
ので、ウェーハＷの研磨時に生じる加工熱がこもりやす
く、この熱によってスラリーが変質したり、スラリーの
化学的研磨作用が大きくなるなどして、ウェーハＷの表
面が荒れてしまう場合があった。Further, from the viewpoint of improving the polishing performance, it is desirable to use a multilayer pad, but there is a problem that the multilayer pad has a high manufacturing cost. Since the cost of the polishing pad, which is a consumable product, accounts for a large portion of the running cost of the CMP apparatus, it is desired to reduce the cost of the polishing pad. Furthermore, in recent years, it has been required to reduce the amount of waste from the viewpoint of environmental problems and cost reduction of waste treatment. Further, the polishing head 5, platen 3, wafer W
When the vibration itself occurs, the vibration is hardly attenuated, and the polishing accuracy and the polishing efficiency are adversely affected. Since the multi-layer pad has a lower thermal conductivity than the single-layer pad, processing heat generated during polishing of the wafer W is likely to be trapped, and the heat may change the quality of the slurry or increase the chemical polishing action of the slurry. As a result, the surface of the wafer W may be roughened.
【０００７】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、交換が容易で、コストの低減及び廃棄物の減
量が可能で、かつ研磨性能を安定させることができる研
磨パッドを提供することを目的とする。[0007] The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a polishing pad that can be easily replaced, can reduce costs and reduce waste, and can stabilize polishing performance. The purpose is to:
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明にかかる研磨パッドは、研磨定盤の表面に貼
り付けられて、表面に研磨対象物を当接させた状態で該
研磨対象物に対して相対移動させられることで該研磨対
象物の研磨を行う研磨パッドであって、前記研磨対象物
を受ける上層と、シリコーンを主剤としたゲル状物質か
らなり、前記研磨定盤に貼り付けられる粘着層とを有し
ていることを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, a polishing pad according to the present invention is attached to a surface of a polishing platen, and the polishing pad is brought into contact with an object to be polished on the surface. A polishing pad for polishing the object to be polished by being relatively moved with respect to the object, an upper layer for receiving the object to be polished, and a gel-like material containing silicone as a main component, the polishing platen And an adhesive layer to be attached.
【０００９】シリコーンを主剤としたゲル状物質は、表
面が乾燥した状態では強い粘着力を有しており、研磨パ
ッドは、粘着槽の粘着力によって研磨定盤に貼り付けら
れる。また、シリコーンを主剤としたゲル状物質は、表
面を水等で濡らすことで粘着力が著しく低下する。この
ため、本発明の研磨パッドでは、研磨定盤に貼り付けら
れた研磨パッドを剥がす場合には、粘着層の外周部の一
部を研磨定盤から剥がし、この部分から粘着層と研磨定
盤との間に水等を送り込むことで研磨パッドを容易に研
磨定盤から剥がすことができる。そして、粘着層の表面
を乾燥させることで再び粘着力が回復するので、何度で
も貼り直しが可能となる。さらに、同様の方法で、上層
を粘着層に対して着脱することができるので、研磨作業
を繰り返して上層が消耗してきた場合には、研磨パッド
全体ではなく、上層のみを新品と交換することができ、
粘着層を繰り返し使用することができる。また、シリコ
ーンを主剤としたゲル状物質は柔軟性も優れているの
で、粘着層は複層パッドにおける軟質層の役割を果た
す。さらに、このゲル状物質は、振動吸収性が高いの
で、研磨ヘッドや研磨定盤や、研磨対象物自体に振動が
生じた場合にも、その振動を効果的に減衰させることが
できる。そして、シリコーンはそれ自体が高い熱伝導率
を有しているので、上層に生じた加工熱は、ゲル状物質
を介して速やかに研磨定盤等に伝達され、上層に加工熱
がこもりにくい。A gel-like substance containing silicone as a main component has a strong adhesive force when the surface is dry, and the polishing pad is attached to the polishing platen by the adhesive force of the adhesive tank. Further, the gel-like substance containing silicone as a main component has a significantly reduced adhesive strength when its surface is wetted with water or the like. For this reason, in the polishing pad of the present invention, when peeling off the polishing pad attached to the polishing platen, a part of the outer peripheral portion of the adhesive layer is peeled off from the polishing platen, and the adhesive layer and the polishing platen are removed from this portion. The polishing pad can be easily peeled from the polishing platen by sending water or the like between the polishing pad and the polishing pad. Then, by drying the surface of the adhesive layer, the adhesive strength is restored again, so that the adhesive layer can be attached again and again. Furthermore, since the upper layer can be attached to and detached from the adhesive layer in the same manner, when the polishing operation is repeated and the upper layer is consumed, it is possible to replace only the upper layer with a new one, not the entire polishing pad. Can,
The adhesive layer can be used repeatedly. In addition, since the gel-like substance mainly composed of silicone has excellent flexibility, the adhesive layer plays a role of a soft layer in the multilayer pad. Further, since the gel-like substance has a high vibration absorbing property, even when a vibration occurs in the polishing head, the polishing platen, or the polishing target itself, the vibration can be effectively attenuated. Since the silicone itself has a high thermal conductivity, the processing heat generated in the upper layer is quickly transmitted to the polishing platen or the like via the gel-like substance, and the processing heat is less likely to remain in the upper layer.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
研磨パッドについて図面を参照して説明する。本実施の
形態の研磨パッドは、大略円形をなすシート状のもので
あって、従来の研磨パッド４と同様に、例えば図２に示
す研磨装置１においてプラテン３（研磨定盤）の表面に
貼り付けられて用いられるものである。図１は本実施の
形態の研磨パッドの形状を示す縦断面図である。本発明
の研磨パッド２１は、ウェーハＷ（研磨対象物）を受け
る上層２２と、シリコーンを主剤としたゲル状物質から
なり、プラテン３に貼り付けられる粘着層２３とを有し
ている。上層２２は、例えば硬質ウレタンなど、従来の
研磨パッドに用いられているものと同様の素材を用いる
ことができる。本実施の形態では、上層２２は、複層パ
ッドの硬質層に用いられるものと同程度の硬さを持つも
のを用いている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a polishing pad according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The polishing pad of the present embodiment is in the form of a sheet having a substantially circular shape, and is attached to the surface of a platen 3 (polishing platen) in the polishing apparatus 1 shown in FIG. It is used by being attached. FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing the shape of the polishing pad of the present embodiment. The polishing pad 21 of the present invention has an upper layer 22 for receiving a wafer W (object to be polished), and an adhesive layer 23 made of a gel substance mainly composed of silicone and attached to the platen 3. The upper layer 22 can be made of the same material as that used for a conventional polishing pad, such as hard urethane. In the present embodiment, the upper layer 22 has the same hardness as that used for the hard layer of the multilayer pad.
【００１１】シリコーンを主剤としたゲル状物質は、表
面が乾燥した状態では強い粘着力を有しており、表面を
水等で濡らすことで粘着力が著しく低下し、表面を乾燥
させることで再び粘着力が回復するものである。そし
て、上層２２と粘着層２３とは、粘着層２３の粘着力に
よって接着されている。そして、シリコーンを主剤とし
たゲル状物質は、柔軟性も優れており、また振動吸収性
も高い。さらに、シリコーンはそれ自体が高い熱伝導率
を有している。A gel-like substance containing silicone as a main component has a strong adhesive force when the surface is dry, and the adhesive force is remarkably reduced when the surface is wetted with water or the like, and again when the surface is dried. The adhesive strength is restored. The upper layer 22 and the adhesive layer 23 are adhered by the adhesive force of the adhesive layer 23. The gel-like substance containing silicone as a main component has excellent flexibility and high vibration absorption. In addition, silicones themselves have high thermal conductivity.
【００１２】このように構成される研磨パッド２１は、
従来の研磨パッド４と同様、研磨装置１のプラテン３に
対して、研磨パッド２１の粘着層２３によって接着され
る。ここで、研磨パッド２１をプラテン３に貼り付けた
状態では、上層２２と粘着層２３、及び粘着層２３とプ
ラテン３とは密着しており、これらの間にスラリーＳ等
が進入しにくくなっている。そして、研磨パッド２１を
プラテン３から剥がす際には、粘着層２３の外周部の一
部をプラテン３から剥がし、この部分から粘着層２３と
プラテン３との間に水等を送り込んで粘着層２３の下面
を湿らせて、粘着層２３の粘着力を低下させてから剥が
す。ここで、上層２２は、通常の研磨パッドと同様、プ
ラテン３への位置決めのためのマージンをとるために、
粘着層２３及びプラテン３よりも外径が大きくとられて
いて、研磨パッド２１の外周では上層２２が粘着層２３
及びプラテン３よりも外周側に外周部が張り出す形とな
る。このため、研磨パッド２１の外周部における上層２
２と粘着層２３及び粘着層２３とプラテン３との境界部
分にはスラリーＳ等が進入しにくくなっている。なお、
上層２２を粘着層２３を同径としても、上述したように
上層２２と粘着層２３、及び粘着層２３とプラテン３と
は密着しており、また、粘着層２３の研磨作業中は、研
磨パッド２１の上面は研磨ヘッド５によってプラテン３
に向けて押圧されているので、これらの間にスラリーＳ
等が進入しにくくなっている。そして、研磨作業を繰り
返して上層２２が消耗してきた場合には、上記のように
研磨パッド２１全体を交換してもよいが、通常は上層２
２を粘着層２３から剥がして上層２２のみを新品と交換
し、粘着層２３は再利用する。The polishing pad 21 thus configured is
Like the conventional polishing pad 4, it is bonded to the platen 3 of the polishing apparatus 1 by the adhesive layer 23 of the polishing pad 21. Here, when the polishing pad 21 is attached to the platen 3, the upper layer 22 and the adhesive layer 23 are in close contact with each other, and the adhesive layer 23 and the platen 3 are in close contact with each other. I have. When the polishing pad 21 is peeled off from the platen 3, a part of the outer peripheral portion of the adhesive layer 23 is peeled off from the platen 3, and water or the like is fed between the adhesive layer 23 and the platen 3 from this part to remove the adhesive layer 23. Of the adhesive layer 23 to reduce the adhesive strength of the adhesive layer 23 and then peel it off. Here, like the normal polishing pad, the upper layer 22 has a margin for positioning on the platen 3.
The outer diameter of the polishing pad 21 is larger than that of the adhesive layer 23 and the platen 3.
In addition, the outer peripheral portion protrudes toward the outer peripheral side of the platen 3. Therefore, the upper layer 2 in the outer peripheral portion of the polishing pad 21
The slurry S and the like hardly enter the boundary between the adhesive layer 2 and the adhesive layer 23 and between the adhesive layer 23 and the platen 3. In addition,
Even if the upper layer 22 has the same diameter as the adhesive layer 23, the upper layer 22 and the adhesive layer 23, and the adhesive layer 23 and the platen 3 are in close contact as described above. The upper surface of the platen 21 is
, The slurry S
Etc. are difficult to enter. When the polishing operation is repeated and the upper layer 22 is consumed, the entire polishing pad 21 may be replaced as described above.
2 is removed from the adhesive layer 23 and only the upper layer 22 is replaced with a new one, and the adhesive layer 23 is reused.
【００１３】このように構成される研磨パッド２１によ
れば、容易にプラテン３から剥がすことができ、何度で
も貼り直しが可能となるので、研磨パッドの交換作業が
容易になる。さらに、研磨パッド２１が消耗してきた場
合には、研磨パッド全体ではなく上層２２のみを新品と
交換し、粘着層２３を再利用することができるので、研
磨パッドにかかるコストが低減されるとともに廃棄物の
量を減量することができる。また、粘着層２３が優れた
柔軟性を有しており、複層パッドにおける軟質層の役割
を果たすので、研磨パッド２１を単層パッドとしつつ、
複層パッドと同様の効果を得ることができ、研磨性能を
確保することができる。そして、粘着層２３は振動吸収
性が高く、研磨ヘッド５やプラテン３やウェーハＷ自体
に振動が生じた場合にもその振動を効果的に減衰させる
ことができる。また、粘着層２３が高い熱伝導率を有し
ているので、上層２２に生じた加工熱は、粘着層２３を
介して速やかにプラテン３等に伝達され、上層２２に加
工熱がこもりにくい。これによって振動や加工熱による
悪影響を低減させて、研磨性能を安定させることができ
る。According to the polishing pad 21 configured as described above, the polishing pad can be easily peeled off from the platen 3 and can be re-attached any number of times. Further, when the polishing pad 21 is worn out, only the upper layer 22 is replaced with a new one instead of the entire polishing pad, and the adhesive layer 23 can be reused, so that the cost of the polishing pad is reduced and the polishing pad is discarded. The amount of things can be reduced. In addition, since the adhesive layer 23 has excellent flexibility and plays a role of a soft layer in the multi-layer pad, the polishing pad 21 is formed as a single-layer pad,
The same effect as that of the multilayer pad can be obtained, and the polishing performance can be secured. The adhesive layer 23 has high vibration absorption, and can effectively attenuate the vibration even when the polishing head 5, the platen 3, or the wafer W itself generates vibration. Further, since the adhesive layer 23 has a high thermal conductivity, the processing heat generated in the upper layer 22 is quickly transmitted to the platen 3 and the like via the adhesive layer 23, and the processing heat is less likely to remain in the upper layer 22. As a result, adverse effects due to vibration and processing heat can be reduced, and polishing performance can be stabilized.
【００１４】[0014]
【発明の効果】本発明の研磨パッドによれば、容易に研
磨定盤から剥がすことができ、何度でも貼り直しが可能
となるので、研磨パッドの交換作業が容易になる。さら
に、研磨パッドが消耗してきた場合には、研磨パッド全
体ではなく、上層のみを交換して、粘着層を再利用する
ことができるので、研磨パッドにかかるコストが低減さ
れるとともに、廃棄物の量を減量することができる。ま
た、粘着層が優れた柔軟性を有しているので、研磨パッ
ドを単層パッドとしつつ、複層パッドと同様の効果を得
ることができ、研磨性能を確保することができる。そし
て、粘着層は振動吸収性が高く、研磨ヘッドや研磨定盤
や、研磨対象物自体に振動が生じた場合にも、その振動
を効果的に減衰させることができる。また、粘着層が高
い熱伝導率を有しているので、上層に生じた加工熱は、
粘着層を介して速やかに研磨定盤に伝達され、上層に加
工熱がこもりにくい。これによって振動や加工熱による
悪影響を低減させて、研磨性能を安定させることができ
る。According to the polishing pad of the present invention, the polishing pad can be easily peeled off from the polishing table and can be re-attached any number of times, so that the operation of replacing the polishing pad becomes easy. Further, when the polishing pad is worn out, not only the entire polishing pad but also the upper layer can be replaced and the adhesive layer can be reused, so that the cost of the polishing pad is reduced and waste is reduced. The amount can be reduced. Further, since the adhesive layer has excellent flexibility, the same effect as that of the multi-layer pad can be obtained while the polishing pad is a single-layer pad, and the polishing performance can be secured. The adhesive layer has high vibration absorption, and can effectively attenuate the vibration even when the polishing head, the polishing platen, or the polishing object itself generates vibration. Also, since the adhesive layer has a high thermal conductivity, the processing heat generated in the upper layer,
The heat is quickly transmitted to the polishing platen via the adhesive layer, and the processing heat is unlikely to remain in the upper layer. As a result, adverse effects due to vibration and processing heat can be reduced, and polishing performance can be stabilized.
【図１】 本発明の一実施の形態にかかる研磨パッドの
形状を示す縦断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a shape of a polishing pad according to an embodiment of the present invention.
【図２】 従来の研磨装置の構造を概略的に示す要部拡
大斜視図である。FIG. 2 is an enlarged perspective view of a main part schematically showing the structure of a conventional polishing apparatus.
【図３】 従来の研磨パッドの形状の一例を示す縦断面
図である。FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing an example of the shape of a conventional polishing pad.
【図４】 従来の研磨パッドの形状の他の例を示す縦断
面図である。FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing another example of the shape of a conventional polishing pad.
３ プラテン（研磨定盤） ２１ 研磨パッド ２２ 上層 ２３ 粘着層 Ｗ ウェーハ（研磨対象物） 3 Platen (polishing surface plate) 21 Polishing pad 22 Upper layer 23 Adhesive layer W Wafer (object to be polished)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金剛寺 豊久 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社知能機器・システム開 発センター内 Ｆターム(参考） 3C058 AA09 CA01 CB04 CB05 CB06 DA12 DA17 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Toyohisa Kongoji, 1-297 Kitabukuro-cho, Omiya-shi, Saitama Mitsubishi Materials Corporation Intelligent Equipment and Systems Development Center F-term (reference) 3C058 AA09 CA01 CB04 CB05 CB06 DA12 DA17
Claims (1)
に研磨対象物を当接させた状態で該研磨対象物に対して
相対移動させられることで該研磨対象物の研磨を行う研
磨パッドであって、 前記研磨対象物を受ける上層と、 シリコーンを主剤としたゲル状物質からなり、前記研磨
定盤に貼り付けられる粘着層とを有していることを特徴
とする研磨パッド。1. A polishing method in which an object to be polished is affixed to a surface of a polishing platen and is relatively moved with respect to the object to be polished while the object is in contact with the surface. A polishing pad, comprising: an upper layer that receives the object to be polished; and an adhesive layer made of a gel-like substance containing silicone as a main component and attached to the polishing platen.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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