JP2002033604A - Microstrip line filter, duplexer, communication unit and method for adjusting characteristic of resonator - Google Patents
Microstrip line filter, duplexer, communication unit and method for adjusting characteristic of resonatorInfo
- Publication number
- JP2002033604A JP2002033604A JP2001119831A JP2001119831A JP2002033604A JP 2002033604 A JP2002033604 A JP 2002033604A JP 2001119831 A JP2001119831 A JP 2001119831A JP 2001119831 A JP2001119831 A JP 2001119831A JP 2002033604 A JP2002033604 A JP 2002033604A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- resonator
- ground electrode
- electrodes
- microstrip line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、誘電体基板にマ
イクロストリップラインを形成してなるフィルタ、デュ
プレクサ、それらを備えた通信機、および共振器装置の
特性調整方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a filter having a microstrip line formed on a dielectric substrate, a duplexer, a communication device including the same, and a method for adjusting characteristics of a resonator device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図９に従来のマイクロストリップライン
フィルタの構成例を示す。このフィルタは誘電体基板１
の上面に共振器電極１１，１２，１３および共振器電極
１１，１３から引き出した外部引出電極２１，２３を形
成していて、下面には略全面の接地電極を形成してい
る。この構成により、上記共振器電極１１，１２，１３
が、それぞれ使用周波数帯で半波長共振するマイクロス
トリップライン共振器として作用し、外部引出電極２
１，２３が入出力用の電極（端子）として作用し、全体
が３段の共振器による帯域通過特性を有するフィルタと
して作用する。2. Description of the Related Art FIG. 9 shows a configuration example of a conventional microstrip line filter. This filter is a dielectric substrate 1
The resonator electrodes 11, 12, 13 and the external extraction electrodes 21, 23 drawn from the resonator electrodes 11, 13 are formed on the upper surface of the substrate, and the ground electrode is formed substantially entirely on the lower surface. With this configuration, the resonator electrodes 11, 12, 13
Act as microstrip line resonators that resonate at a half wavelength in the operating frequency band, and the external extraction electrode 2
Reference numerals 1 and 23 function as input / output electrodes (terminals), and the filter functions as a filter having band-pass characteristics of a three-stage resonator as a whole.
【０００３】また、マイクロ波帯などで用いる高周波回
路の特性を測定する装置として特許２６６８４２３号が
示されている。Japanese Patent No. 2668423 discloses an apparatus for measuring characteristics of a high-frequency circuit used in a microwave band or the like.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】図９に示したようなマ
イクロストリップラインフィルタの特性を測定する際に
は、測定治具の接地電極とフィルタの接地電極（誘電体
基板の裏面）とを接続し、測定治具の信号電極と外部引
出電極２１，２３とをそれぞれ接続する必要がある。そ
のため、測定治具の構成が立体的になってしまい、測定
治具の構造が煩雑となり、製作費が嵩む、という問題が
あった。また、測定治具の構成が立体的になるため、例
えば一辺５ｍｍ以下程度の小さなフィルタの特性を測定
するのには、フィルタの固定およびフィルタに対する電
極の接続自体が困難となる。When measuring the characteristics of a microstrip line filter as shown in FIG. 9, the ground electrode of the measuring jig is connected to the ground electrode of the filter (the back surface of the dielectric substrate). Then, it is necessary to connect the signal electrode of the measuring jig and the external extraction electrodes 21 and 23 respectively. Therefore, there is a problem that the configuration of the measurement jig becomes three-dimensional, the structure of the measurement jig becomes complicated, and the manufacturing cost increases. Further, since the configuration of the measuring jig becomes three-dimensional, it is difficult to fix the filter and connect the electrode to the filter itself in order to measure the characteristics of a small filter having a side of, for example, about 5 mm or less.
【０００５】また、マイクロストリップラインフィルタ
は、個々に測定治具にセットして特性を測定し、電極の
削除などによって特性調整を行なう、という方法が一般
的であるが、その方法によれば非常に多くの工数がかか
り、誘電体基板に割れや欠けなどが起こり易いという問
題があった。In general, a method of individually setting a microstrip line filter on a measuring jig to measure characteristics and adjusting characteristics by deleting electrodes or the like is generally used. Requires a lot of man-hours, and the dielectric substrate is liable to crack or chip.
【０００６】なお、上記公報に示されている高周波回路
の測定装置では、グラウンデッドコプレーナ構造の測定
基板と被測定高周波回路である部品とを接続した状態で
特性測定を行なうので、マイクロストリップラインフィ
ルタなどの被測定高周波回路を非実装状態で測定するこ
とはできず、製品製造時の特性測定および特性調整のた
めには適用できない。また、上記公報に示されている高
周波回路の測定装置でも、個々の部品毎に特性測定を行
なわなければならないため、多くの作業工数を要する問
題、および割れや欠けなどが発生し易いという問題は依
然として解消されない。In the measuring apparatus for a high-frequency circuit disclosed in the above-mentioned publication, characteristics are measured in a state where a measuring substrate having a grounded coplanar structure and a component to be measured are connected, so that a microstrip line filter or the like is used. Cannot be measured in a non-mounted state, and cannot be applied for characteristic measurement and characteristic adjustment at the time of product manufacture. Further, even in the measurement device of the high-frequency circuit disclosed in the above-mentioned publication, since the characteristic measurement must be performed for each individual component, a problem that requires a large number of work steps and a problem that cracks and chips are easily generated are not solved. Still not resolved.
【０００７】この発明の目的は、上述の課題を解消し
て、部品が小型であっても平面的な測定治具を用いて確
実に測定できるようにし、また個別の部品状態でなくて
も特性測定を行なえるようにしたマイクロストリップラ
インフィルタ、マイクロストリップラインデュプレク
サ、それらを備えた通信機、および共振器装置の特性調
整方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, to enable reliable measurement using a planar measuring jig even if a component is small, and to obtain a characteristic even if it is not an individual component. It is an object of the present invention to provide a microstrip line filter, a microstrip line duplexer, a communication device including the same, and a method for adjusting characteristics of a resonator device capable of performing measurement.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】この発明は、誘電体基板
の下面に接地電極を形成し、上面に複数の共振器電極を
配置するとともに、所定の共振器電極に外部引出電極を
接続するが、誘電体基板の上面で、且つ外部引出電極の
少なくとも一方の側部に上記下面の接地電極に導通する
上面接地電極を配置してマイクロストリップラインによ
るフィルタまたはデュプレクサを構成する。According to the present invention, a ground electrode is formed on a lower surface of a dielectric substrate, a plurality of resonator electrodes are arranged on an upper surface, and an external lead electrode is connected to a predetermined resonator electrode. On the upper surface of the dielectric substrate and on at least one side of the external lead-out electrode, an upper surface ground electrode that is electrically connected to the ground electrode on the lower surface is arranged to constitute a filter or duplexer using a microstrip line.
【０００９】このように誘電体基板上面の外部引出電極
側部に接地電極を配置することによってグラウンデッド
コプレーナ構造とし、誘電体基板の上面に測定装置のプ
ローブの中心電極と接地電極を当接させるだけで測定を
可能とする。As described above, the ground electrode is arranged on the side of the external lead electrode on the upper surface of the dielectric substrate to form a grounded coplanar structure, and the center electrode of the probe of the measuring device and the ground electrode are brought into contact with the upper surface of the dielectric substrate. Enables measurement.
【００１０】また、この発明は、上記マイクロストリッ
プラインフィルタまたはマイクロストリップラインデュ
プレクサを、例えば通信信号を扱う高周波回路部に設け
て通信機を構成する。Further, according to the present invention, a communication device is provided by providing the microstrip line filter or the microstrip line duplexer in, for example, a high-frequency circuit for handling a communication signal.
【００１１】また、この発明は、上記フィルタまたはデ
ュプレクサの誘電体基板が分離前の複数個連続したウェ
ハーの状態で、外部引出電極および上面接地電極にプロ
ーブを接触させて電気的特性を測定し、共振器電極また
はウェハーの誘電体部分を切削することによって電気的
特性を調整する。このように、複数の誘電体基板が連続
したウェハーの状態であっても、その上面に外部引出電
極と共に上面接地電極を設けたことにより、ウエハーの
上面に測定器のプローブを接続可能とし、ウェハーの状
態で各共振器装置の特性調整を可能とする。Further, according to the present invention, in a state where a plurality of dielectric substrates of the above-mentioned filter or duplexer are in a continuous wafer state before separation, a probe is brought into contact with an external extraction electrode and an upper surface ground electrode to measure electric characteristics, The electrical properties are adjusted by cutting the resonator electrode or the dielectric portion of the wafer. In this way, even in the case of a wafer in which a plurality of dielectric substrates are continuous, by providing the upper surface ground electrode together with the external extraction electrode on the upper surface, the probe of the measuring instrument can be connected to the upper surface of the wafer, and the wafer In this state, the characteristics of each resonator device can be adjusted.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】第１の実施形態に係るマイクロス
トリップラインフィルタの構成と、その特性調整方法を
図１〜図４を参照して説明する。図１はフィルタの平面
図である。ここで１は、誘電体基板であり、その上面に
３つの共振器電極１１，１２，１３および外部引出電極
２１，２３を形成している。これらの共振器電極１１，
１２，１３は電極長をＬ１，Ｌ２，Ｌ３とし、電極幅を
Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３としている。これらの共振器電極１
１，１２，１３は、それぞれ使用周波数帯で半波長共振
するマイクロストリップライン共振器として作用する。
また、これらの共振器電極１１，１２，１３は、電極の
長さ方向を平行にして、図中１点鎖線で示すように、そ
れぞれの共振器電極の電極長の中心が略直線状に並ぶよ
うに配置している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The configuration of a microstrip line filter according to a first embodiment and a method for adjusting its characteristics will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view of the filter. Here, reference numeral 1 denotes a dielectric substrate on which three resonator electrodes 11, 12, 13 and external extraction electrodes 21, 23 are formed. These resonator electrodes 11,
The electrodes 12 and 13 have electrode lengths L1, L2 and L3 and electrode widths W1, W2 and W3. These resonator electrodes 1
Reference numerals 1, 12, and 13 each function as a microstrip line resonator that resonates at a half wavelength in a used frequency band.
The resonator electrodes 11, 12, and 13 have their electrode length directions parallel to each other, and the center of the electrode length of each resonator electrode is substantially linear as shown by a dashed line in the figure. Are arranged as follows.
【００１３】共振器電極１１，１３には、共振器電極の
長さ方向の中央から長さ方向に沿って所定寸法だけ離れ
た位置に外部引出電極２１，２３をそれぞれ接続してい
る。すなわち、共振器電極１１，１３の所定位置から外
部引出電極２１，２３が延び出た電極パターンとしてい
る。誘電体基板１の下面には略全面に接地電極を形成し
ている。External extraction electrodes 21 and 23 are connected to the resonator electrodes 11 and 13 at positions separated from the center of the resonator electrode in the length direction by a predetermined dimension along the length direction, respectively. That is, the electrode patterns are formed such that the external extraction electrodes 21 and 23 extend from predetermined positions of the resonator electrodes 11 and 13. A ground electrode is formed on substantially the entire lower surface of the dielectric substrate 1.
【００１４】また、外部引出電極２１，２３のそれぞれ
の両側部には、スルーホールを介して下面の接地電極に
導通する上面接地電極５１をそれぞれ形成している。こ
れにより、入出力部をグラウンデッドコプレーナ構造と
している。On both sides of each of the external extraction electrodes 21 and 23, an upper surface ground electrode 51 that is electrically connected to a lower surface ground electrode via a through hole is formed. Thus, the input / output unit has a grounded coplanar structure.
【００１５】上記共振器電極１１，１２，１３、外部引
出電極２１，２３、上面接地電極５１および下面の接地
電極は、誘電体基板１の表面に対して厚膜印刷法によ
り、または薄膜導電体膜のパターンニングにより形成す
る。また、スルーホール部分については、誘電体基板１
に孔を形成し、その内面に電極膜を形成する従来と同様
の方法により形成すればよい。The above-mentioned resonator electrodes 11, 12, 13, external lead-out electrodes 21, 23, upper ground electrode 51 and lower ground electrode are formed on the surface of the dielectric substrate 1 by a thick film printing method or a thin film conductor. It is formed by patterning a film. In addition, the through-hole portion corresponds to the dielectric substrate 1
A hole may be formed in the hole, and an electrode film may be formed on the inner surface of the hole by a method similar to the conventional method.
【００１６】従来のマイクロストリップラインフィルタ
においては、フィルタの入出力部は通常５０Ωに設定さ
れるので、誘電体基板の厚みと誘電率とによって外部引
出電極の線路幅が決定され、設計上の自由度が殆どな
い。それに対して、図１に示したようにグラウンデッド
コプレーナ構造では、その中心電極と上面接地電極との
間隙によって線路インピーダンスが変更できるため、設
計上の自由度が大幅に向上にする。In the conventional microstrip line filter, since the input / output portion of the filter is usually set to 50Ω, the line width of the external lead electrode is determined by the thickness and the dielectric constant of the dielectric substrate, and the design is free. There is almost no degree. On the other hand, as shown in FIG. 1, in the grounded coplanar structure, the line impedance can be changed by the gap between the center electrode and the top ground electrode, so that the degree of freedom in design is greatly improved.
【００１７】ここで、線路インピーダンスを５０Ωとす
るための、外部引出電極（中心電極）と上面接地電極と
の間隙Ｓおよび外部引出電極の幅ＷＣの関係を図２に示
す。この例では、誘電体基板の厚みを０．３８ｍｍ、比
誘電体率を９．６、周波数を２５ＧＨｚとしている。こ
のように、誘電体基板の厚みおよび誘電率が一定であっ
ても、ＷＣとＳを広範囲にわたって設定することがで
き、所定の線路インピーダンスを得るための設計上の自
由度が高くなる。FIG. 2 shows the relationship between the gap S between the external extraction electrode (center electrode) and the top ground electrode and the width WC of the external extraction electrode for setting the line impedance to 50Ω. In this example, the thickness of the dielectric substrate is 0.38 mm, the relative dielectric constant is 9.6, and the frequency is 25 GHz. As described above, even when the thickness and the dielectric constant of the dielectric substrate are constant, WC and S can be set over a wide range, and the degree of freedom in designing to obtain a predetermined line impedance is increased.
【００１８】なお、この第１の実施形態では、各共振器
電極の電極長Ｌと電極幅Ｗの比（Ｗ／Ｌ）を１．０より
小さい１．０に近い値とし、且つ初段および終段の共振
器電極の長さ方向の中央から見た外部引出電極の引出位
置を、初段の共振器電極１１と終段の共振器電極１３と
で同じ方向にずれた位置としている。この構成により、
通過帯域の高域側に減衰極が生じることを、発明らは実
験により見いだしている。これは、初段および終段の共
振器電極１１，１３の電極長と電極幅が近い値である
時、共振器電極１１，１３の主たる共振モードに直交す
る方向の共振モード、すなわちＷで示す幅を共振器長、
Ｌで示す長さを電極幅とする副次的な共振モードが現
れ、この副次的な共振モードの共振周波数が主たる共振
モードの共振周波数に近づいて両者が結合することによ
るものと考えられる。In the first embodiment, the ratio (W / L) between the electrode length L and the electrode width W of each resonator electrode is set to a value smaller than 1.0 and close to 1.0, and the first stage and the final The extraction position of the external extraction electrode as viewed from the center in the longitudinal direction of the resonator electrode of the stage is a position shifted in the same direction between the resonator electrode 11 of the first stage and the resonator electrode 13 of the last stage. With this configuration,
The inventors have experimentally found that an attenuation pole is generated on the higher side of the pass band. This is because when the electrode lengths and the electrode widths of the first-stage and last-stage resonator electrodes 11 and 13 are close to each other, the resonance mode in the direction orthogonal to the main resonance mode of the resonator electrodes 11 and 13, that is, the width indicated by W The resonator length,
It is considered that a secondary resonance mode having an electrode width equal to the length indicated by L appears, and the resonance frequency of the secondary resonance mode approaches the resonance frequency of the main resonance mode, and the two are coupled.
【００１９】図３は上記フィルタの特性測定方法を示す
図であり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は正面図である。こ
の図３において、外部引出電極２１，２３の両側部に配
置した上面接地電極５１は、誘電体基板１の下面に形成
した接地電極５に導通している。６，７はそれぞれ測定
器のプローブであり、中心電極６０，７０および接地電
極６１，６２，７１，７２をそれぞれ突出させている。
これらの電極をフィルタの外部引出電極２１，２３およ
び上面接地電極５１にそれぞれ接触させることによって
電気的導通をとる。FIGS. 3A and 3B are diagrams showing a method for measuring the characteristics of the filter, wherein FIG. 3A is a top view and FIG. 3B is a front view. In FIG. 3, the upper surface ground electrodes 51 arranged on both sides of the external extraction electrodes 21 and 23 are electrically connected to the ground electrode 5 formed on the lower surface of the dielectric substrate 1. Reference numerals 6 and 7 denote probes of the measuring device, respectively, and protrude the center electrodes 60 and 70 and the ground electrodes 61, 62, 71 and 72, respectively.
These electrodes are brought into contact with the external extraction electrodes 21 and 23 of the filter and the upper surface ground electrode 51, respectively, thereby establishing electrical continuity.
【００２０】この図３に示した方法によれば、誘電体基
板の上面に平面状に露出する電極に測定器のプローブを
当接させるだけであるので、小型のフィルタであっても
測定が可能となる。また、プローブ端子面でいわゆるＳ
ＯＬＴ法などによって測定校正を容易に行なうことがで
きる。According to the method shown in FIG. 3, only the probe of the measuring instrument is brought into contact with the electrode exposed in a plane on the upper surface of the dielectric substrate, so that the measurement can be performed even with a small filter. Becomes In addition, the so-called S
Measurement calibration can be easily performed by the OLT method or the like.
【００２１】図４はウエハー状態で上記フィルタの特性
測定および特性調整を行なう状態を示す図である。図４
において１′は図３に示した誘電体基板１の分離前の複
数個連続した状態のウエハーである。このウエハー１′
はＸ−Ｙテーブルに載置していて、プローブ６，７およ
びレーザ装置８に対して平面上の任意の位置に相対移動
可能なように構成している。また６，７はネットワーク
アナライザ９に接続したプローブであり、その先端をウ
エハー１′の所定の１つの区画であるフィルタ部分の入
出力部にそれぞれ接触させるようにしている。この区画
に対するプローブの接触状態は図３に示したものと同様
である。また、図４において８はレーザ装置であり、ウ
エハー上の所定の共振器電極部分または誘電体部分をト
リミングする。このように、誘電体基板がウエハー状態
で各フィルタの電気的特性を測定し、且つ所定の電気的
特性が得られるようにレーザトリミングを行なうことに
よって、個々のフィルタを測定治具に着脱する工数を大
幅に減らすことができる。また、個別の誘電体基板を治
具に着脱するのではないので、誘電体基板の割れや欠け
などが起こりにくい。さらに、フィルタの電気的特性を
測定した結果、トリミングによって、所定の特性範囲内
に収めることができないことが明らかであれば、該当フ
ィルタの区画にインクなどでマーキングすることによっ
て、後の工程で、その不良となる部品について行う無駄
な工数を省くことができる。FIG. 4 is a diagram showing a state in which the characteristics of the filter are measured and the characteristics are adjusted in a wafer state. FIG.
In the figure, reference numeral 1 'denotes a plurality of continuous wafers before separation of the dielectric substrate 1 shown in FIG. This wafer 1 '
Is mounted on an XY table, and is configured to be able to move relative to the probes 6, 7 and the laser device 8 to an arbitrary position on a plane. Reference numerals 6 and 7 denote probes connected to the network analyzer 9, the tips of which are brought into contact with the input / output portions of the filter portion, which is a predetermined section of the wafer 1 '. The contact state of the probe with this section is the same as that shown in FIG. In FIG. 4, reference numeral 8 denotes a laser device for trimming a predetermined resonator electrode portion or a dielectric portion on the wafer. As described above, the electric characteristics of each filter are measured while the dielectric substrate is in a wafer state, and the laser trimming is performed so as to obtain predetermined electric characteristics. Can be greatly reduced. Further, since the individual dielectric substrates are not attached to and detached from the jig, the dielectric substrates are less likely to crack or chip. Furthermore, as a result of measuring the electrical characteristics of the filter, if it is clear that the filter cannot be kept within a predetermined characteristic range due to trimming, by marking the section of the filter with ink or the like, in a later step, Useless man-hours to be performed for the defective component can be omitted.
【００２２】なお、レーザトリミング法以外に、リュー
タやサンドブラスなどを用いて電極部分または誘電体部
分の削除を行なうようにしてもよい。In addition to the laser trimming method, the electrode portion or the dielectric portion may be deleted using a router or a sand blast.
【００２３】次に、第２の実施形態に係るフィルタの構
成を図５に示す。図５はフィルタの平面図である。誘電
体基板１の上面に３つの共振器電極１１，１２，１３お
よび外部引出電極２１，２３を形成している。この外部
引出電極２１，２３の両側に上面接地電極５１を配置し
ている。この例では、上面接地電極５１は、誘電体基板
１の端面の電極を経由して下面の接地電極に導通させて
いる。具体的には、ウエハー状態から誘電体基板を切り
出す際の切断線が通る位置に、上面接地電極５１と下面
の接地電極とを導通させるスルーホールを形成してお
き、その切断線で、すなわちスルーホールが通るライン
でウエハを切断することによって上面接地電極と下面の
接地電極との接続部を形成する。Next, the configuration of a filter according to a second embodiment is shown in FIG. FIG. 5 is a plan view of the filter. On the upper surface of the dielectric substrate 1, three resonator electrodes 11, 12, 13 and external extraction electrodes 21, 23 are formed. Top ground electrodes 51 are arranged on both sides of the external extraction electrodes 21 and 23. In this example, the upper surface ground electrode 51 is electrically connected to the lower surface ground electrode via the electrode on the end surface of the dielectric substrate 1. Specifically, a through-hole for conducting the upper ground electrode 51 and the ground electrode on the lower surface is formed at a position where a cutting line for cutting the dielectric substrate from the wafer state passes, and the cutting line, that is, a through hole is formed. The connection between the upper ground electrode and the lower ground electrode is formed by cutting the wafer along the line through which the hole passes.
【００２４】上記共振器電極１１，１２，１３も、それ
ぞれ使用周波数帯で半波長共振するマイクロストリップ
ライン共振器として作用するが、各共振器電極１１，１
２，１３の電極幅Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３を図１に示した例と
は異なったものとしている。また、外部引出電極２１，
２３の共振器電極の長さ方向の中央から見た外部引出電
極の引出位置を、初段の共振器電極１１と終段の共振器
電極１３とで異なった方向にずれた位置としている。Each of the resonator electrodes 11, 12, and 13 also functions as a microstrip line resonator that resonates at a half wavelength in the used frequency band.
The electrode widths W1, W2, W3 of 2, 13 are different from the example shown in FIG. In addition, the external extraction electrode 21,
The extraction positions of the external extraction electrodes as viewed from the center in the length direction of the 23 resonator electrodes are shifted in different directions between the first-stage resonator electrode 11 and the last-stage resonator electrode 13.
【００２５】このように、誘電体基板上にそれぞれ半波
長共振器を構成する複数の共振器電極を略平行に配置
し、初段および終段の共振器電極に外部引出電極を接続
して成るストリップ線路フィルタにおいて、通過帯域の
中心周波数が所望の使用周波数帯になるように、各共振
器電極１１，１２，１３の電極長Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３を定
めるとともに、電極長Ｌと電極幅Ｗの比（Ｗ／Ｌ）を
１．０より大きい１．０に近い値とし、且つ初段および
終段の共振器電極の長さ方向の中央から見た引出位置
を、初段の共振器電極１１と終段の共振器電極１３とで
異なった方向にずれた位置としている。この構成によ
り、通過帯域の低域に減衰極が生じることを、発明らは
実験により見いだしている。これも、初段および終段の
共振器電極１１，１３の電極長と電極幅が近い値である
時、共振器電極１１，１３の主たる共振モードに直交す
る方向の副次的な共振モードが現れ、両者が結合するこ
とによるものと考えられる。As described above, a strip formed by arranging a plurality of resonator electrodes constituting a half-wavelength resonator on a dielectric substrate substantially in parallel, and connecting an external extraction electrode to the first and last resonator electrodes. In the line filter, the electrode lengths L1, L2, and L3 of the resonator electrodes 11, 12, and 13 are determined so that the center frequency of the pass band becomes a desired use frequency band, and the ratio of the electrode length L to the electrode width W is determined. (W / L) is set to a value greater than 1.0 and close to 1.0, and the leading positions of the first-stage and last-stage resonator electrodes as viewed from the center in the longitudinal direction are defined as the first-stage resonator electrode 11 and the last-stage resonator electrode. Are shifted in different directions with respect to the resonator electrode 13. The present inventors have experimentally found that this configuration causes an attenuation pole in the lower band of the pass band. Also, when the electrode lengths and electrode widths of the first and last resonator electrodes 11 and 13 are close to each other, a secondary resonance mode in a direction orthogonal to the main resonance mode of the resonator electrodes 11 and 13 appears. It is considered that both are combined.
【００２６】この図５に示した例では、初段の共振器電
極１１の電極幅Ｗ１と終段の共振器電極１３の電極幅Ｗ
３が等しくないので、結果的に共振器間の間隔Ｄ１，Ｄ
２も異なった値としている。In the example shown in FIG. 5, the electrode width W1 of the first-stage resonator electrode 11 and the electrode width W of the last-stage resonator electrode 13 are set.
3 are not equal, resulting in spacings D1 and D
2 is also a different value.
【００２７】なお、図５において３１，３２，３３は、
それぞれの共振器電極１１，１２，１３から長さ方向に
突出させた周波数調整用電極である。この部分を図４に
示したようにレーザトリミングなどによって必要量削除
することにより、各段の共振器の共振周波数を調整す
る。In FIG. 5, 31, 32 and 33 are:
These are frequency adjusting electrodes protruding in the length direction from the respective resonator electrodes 11, 12, and 13. As shown in FIG. 4, a necessary amount of this portion is deleted by laser trimming or the like to adjust the resonance frequency of the resonator in each stage.
【００２８】図６は第３の実施形態に係るフィルタの上
面図である。この例では、誘電体基板１上にそれぞれ半
波長共振器を構成する４つの共振器電極１１〜１４を略
平行に配置し、初段および終段の共振器電極に外部引出
電極２１，２４を接続している。また、外部引出電極２
１，２４の両側部に、下面の接地電極に導通する上面接
地電極５１を配置している。このような構造は、誘電体
基板をウエハーから切り出した後、誘電体基板の端面
に、上面接地電極５１と下面接地電極間を導通させる電
極を形成することによって得る。FIG. 6 is a top view of a filter according to the third embodiment. In this example, four resonator electrodes 11 to 14 each constituting a half-wavelength resonator are arranged substantially in parallel on a dielectric substrate 1, and external lead electrodes 21 and 24 are connected to the first and last resonator electrodes. are doing. In addition, the external extraction electrode 2
An upper surface ground electrode 51 that is electrically connected to the lower surface ground electrode is disposed on both sides of the first and second electrodes 24. Such a structure is obtained by cutting the dielectric substrate from the wafer and then forming an electrode on the end face of the dielectric substrate, which conducts between the upper ground electrode 51 and the lower ground electrode.
【００２９】次に、デュプレクサの構成例を図７を参照
して説明する。図７において、１は誘電体基板であり、
その上面に６つの共振器電極１１ＴＸ，１２ＴＸ，１３
ＴＸ，１１ＲＸ，１２ＲＸ，１３ＲＸをそれぞれ形成し
ている。これらの共振器電極のうち、１１ＴＸ，１２Ｔ
Ｘ，１３ＴＸによる３つの共振器は送信フィルタを構成
し、１１ＲＸ，１２ＲＸ，１３ＲＸによる３つの共振器
は受信フィルタを構成する。また、誘電体基板１の上面
には、送信フィルタの初段の共振器電極１１ＴＸに外部
引出電極２１ＴＸを接続し、終段の共振器電極１３ＴＸ
に外部引出電極２３ＴＸを接続している。また、受信フ
ィルタの初段の共振器電極１１ＲＸに外部引出電極２１
ＲＸを接続し、終段の共振器電極１３ＲＸに外部引出電
極２３ＲＸを接続している。外部引出電極２３ＴＸと２
１ＲＸはアンテナ用の外部引出電極４１の所定位置に接
続している。誘電体基板１の下面には略全面に接地電極
を形成している。外部引出電極２３ＲＸ，２１ＴＸ，４
１のそれぞれの両側部には、下面の接地電極と導通する
上面接地電極５１を配置している。Next, a configuration example of the duplexer will be described with reference to FIG. In FIG. 7, 1 is a dielectric substrate,
Six resonator electrodes 11TX, 12TX, 13
TX, 11RX, 12RX, and 13RX are formed, respectively. Of these resonator electrodes, 11TX, 12T
Three resonators composed of X and 13TX constitute a transmission filter, and three resonators composed of 11RX, 12RX and 13RX constitute a reception filter. On the upper surface of the dielectric substrate 1, an external extraction electrode 21TX is connected to the first-stage resonator electrode 11TX of the transmission filter, and the last-stage resonator electrode 13TX is connected.
Is connected to the external extraction electrode 23TX. Further, the external extraction electrode 21 is connected to the first-stage resonator electrode 11RX of the reception filter.
RX, and an external lead-out electrode 23RX is connected to the final-stage resonator electrode 13RX. External extraction electrodes 23TX and 2
1RX is connected to a predetermined position of the external extraction electrode 41 for the antenna. A ground electrode is formed on substantially the entire lower surface of the dielectric substrate 1. External extraction electrodes 23RX, 21TX, 4
An upper surface ground electrode 51 that is electrically connected to the lower surface ground electrode is disposed on both sides of each of the first electrodes 1.
【００３０】なお、アンテナ用外部引出電極４１に対す
る外部引出電極２３ＴＸおよび２１ＲＸの接続点から先
にさらにインピーダンスマッチング用電極４１′を延ば
すことによって、このアンテナ用外部引出電極４１と２
つの外部引出電極２３ＴＸおよび２１ＲＸとのインピー
ダンス整合をとっている。By extending the impedance matching electrode 41 'further from the connection point of the external extraction electrodes 23TX and 21RX with respect to the antenna external extraction electrode 41, the antenna external extraction electrodes 41 and 2 are connected.
Impedance matching with the two external extraction electrodes 23TX and 21RX is achieved.
【００３１】以上ようにして、送信端である外部引出電
極２１ＴＸ部分、受信端である外部引出電極２３ＲＸ部
分、アンテナ端であるアンテナ用外部引出電極４１部分
をそれぞれグラウンデッドコプレーナ構造とする、アン
テナ共用器としてのデュプレクサを構成する。As described above, the antenna duplexer has a grounded coplanar structure in which the external lead-out electrode 21TX as a transmitting end, the external lead-out electrode 23RX as a receiving end, and the antenna external lead-out electrode 41 as an antenna end are provided. As a duplexer.
【００３２】図７に示した共振器電極１１ＴＸ，１２Ｔ
Ｘ，１３ＴＸによる送信フィルタは、図５に示したフィ
ルタと基本的に同様であり、その通過帯域である送信周
波数帯域の低域側に減衰極が生じる。また共振器電極１
１ＲＸ，１２ＲＸ，１３ＲＸによる受信フィルタは、図
１に示したフィルタと同様であり、通過帯域である受信
周波数帯域の高域側に減衰極が生じる。送信周波数帯域
の下側に隣接して受信周波数帯域を設定した通信システ
ムにおいて、このデュプレクサを用いれば、送信フィル
タと受信フィルタのそれぞれの減衰極による減衰特性に
より、送信信号の受信回路への回り込みが確実に防止で
きる。The resonator electrodes 11TX and 12T shown in FIG.
The transmission filter using X and 13TX is basically the same as the filter shown in FIG. 5, and an attenuation pole is generated on the lower side of the transmission frequency band that is the pass band. Resonator electrode 1
The reception filters of 1RX, 12RX, and 13RX are the same as the filters shown in FIG. 1, and an attenuation pole is generated on the high frequency side of the reception frequency band that is a pass band. If this duplexer is used in a communication system in which the reception frequency band is set adjacent to the lower side of the transmission frequency band, the transmission signal may enter the reception circuit due to the attenuation characteristics of the transmission filter and the reception filter due to the respective attenuation poles. It can be reliably prevented.
【００３３】なお、各実施形態では、外部引出端子の両
側部に上面接地電極を設けた例を示したが、外部引出電
極の両側部のうちいずれか一方の側部にのみ上面接地電
極を配置してもよい。In each of the embodiments, an example is shown in which top ground electrodes are provided on both sides of the external lead terminals. However, top ground electrodes are arranged only on one of the two sides of the external lead electrodes. May be.
【００３４】また、各実施形態では、すべての入出力部
をグラウンデッドコプレーナ構造としたが、このフィル
タやデュプレクサの用い方によっては、複数の入出力部
のうち所定の入出力部のみをグラウンデッドコプレーナ
構造としてもよい。In each embodiment, all the input / output units have the grounded coplanar structure. However, depending on the use of the filter or the duplexer, only a predetermined input / output unit of the plurality of input / output units is provided with the grounded coplanar structure. It may be.
【００３５】次に、通信機の構成例を図８を参照して説
明する。図８においてＡＮＴは送受信アンテナ、ＤＰＸ
はデュプレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦｂはそれぞれ帯域通
過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂはそれぞれ増幅回路、
ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣはオシレ
ータ、ＳＹＮは周波数シンセサイザである。Next, a configuration example of the communication device will be described with reference to FIG. In FIG. 8, ANT is a transmitting / receiving antenna, DPX
Is a duplexer, BPFa and BPFb are bandpass filters, AMPa and AMPb are amplifier circuits, respectively.
MIXa and MIXb are mixers, OSC is an oscillator, and SYN is a frequency synthesizer.
【００３６】ＭＩＸａはＩＦ信号と、ＳＹＮから出力さ
れた信号とを混合し、ＢＰＦａはＭＩＸａからの混合出
力信号のうち送信周波数帯域のみを通過させ、ＡＭＰａ
はこれを電力増幅してＤＰＸを介しＡＮＴより送信す
る。ＡＭＰｂはＤＰＸから出力される受信信号を増幅す
る。ＢＰＦｂはＡＭＰｂの出力信号のうち受信周波数帯
域のみを通過させる。ＭＩＸｂは、ＳＹＮから出力され
た周波数信号と受信信号とをミキシングして中間周波信
号ＩＦを出力する。MIXa mixes the IF signal with the signal output from the SYN, and BPa allows only the transmission frequency band of the mixed output signal from MIXa to pass,
Amplifies this and transmits it from ANT via DPX. AMPb amplifies the received signal output from DPX. BPFb allows only the reception frequency band of the output signal of AMPb to pass. The MIXb mixes the frequency signal output from the SYN with the received signal and outputs an intermediate frequency signal IF.
【００３７】上記ＢＰＦａ，ＢＰＦｂとして上記各実施
形態で示したマイクロストリップラインフィルタを用
い、また、ＤＰＸとして図７に示したマイクロストリッ
プラインデュプレクサを用いればよい。The microstrip line filters shown in the above embodiments may be used as the BPFa and BPFb, and the microstrip line duplexer shown in FIG. 7 may be used as the DPX.
【００３８】[0038]
【発明の効果】この発明によれば、外部引出電極部分が
グラウンデッドコプレーナ構造となり、誘電体基板の上
面に測定装置のプローブの中心電極と接地電極を当接さ
せるだけで測定可能となる。そのため、部品が小型であ
っても平面的な測定治具を用いて確実に測定できるよう
になる。According to the present invention, the external extraction electrode portion has a grounded coplanar structure, and measurement can be performed only by bringing the center electrode and the ground electrode of the probe of the measuring device into contact with the upper surface of the dielectric substrate. Therefore, even if the component is small, the measurement can be reliably performed using a planar measuring jig.
【００３９】また、フィルタまたはデュプレクサの誘電
体基板が分離前の複数個連続したウェハーの状態で、外
部引出電極および上面接地電極にプローブを接触させて
電気的特性を測定し、共振器電極またはウェハーを切削
することによって電気的特性を調整するようにしたた
め、全体の工数が極めて削減でき、治具に対する誘電体
基板の着脱時の欠けや割れをも防止して、生産性を向上
させることができる。Further, in a state where a plurality of dielectric substrates of a filter or a duplexer are in a continuous wafer state before separation, a probe is brought into contact with an external extraction electrode and an upper surface ground electrode to measure electrical characteristics, and a resonator electrode or a wafer is measured. Since the electrical characteristics are adjusted by cutting, the overall man-hour can be extremely reduced, and chipping and cracking when attaching and detaching the dielectric substrate to and from the jig can be prevented, and productivity can be improved. .
【図１】第１の実施形態に係るフィルタの主要部の平面
図FIG. 1 is a plan view of a main part of a filter according to a first embodiment.
【図２】同フィルタの入出力部の線路インピーダンスを
一定とした時の中心電極幅と中心電極−上面接地電極間
の間隙との関係を示す図FIG. 2 is a diagram showing a relationship between a center electrode width and a gap between a center electrode and a ground electrode when a line impedance of an input / output unit of the filter is constant.
【図３】同フィルタの特性測定状態を示す図FIG. 3 is a diagram showing a characteristic measurement state of the filter.
【図４】同フィルタの特性測定および特性調整の状態を
示す図FIG. 4 is a diagram showing a state of characteristic measurement and characteristic adjustment of the filter.
【図５】第２の実施形態に係るフィルタの上面図FIG. 5 is a top view of a filter according to a second embodiment.
【図６】第３の実施形態に係るフィルタの上面図FIG. 6 is a top view of a filter according to a third embodiment.
【図７】第４の実施形態に係るデュプレクサの上面図FIG. 7 is a top view of a duplexer according to a fourth embodiment.
【図８】第５の実施形態に係る通信機の構成を示す図FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a communication device according to a fifth embodiment.
【図９】従来のフィルタの構成を示す上面図FIG. 9 is a top view showing the configuration of a conventional filter.
１−誘電体基板 １′−ウエハー １１〜１４−共振器電極 ２１，２３，２４，４１−外部引出電極 ３１〜３３−周波数調整用電極 ５−接地電極 ５１−上面接地電極 ６，７−プローブ ６０，７０−中心電極 ６１，６２，７１，７２−接地電極 ８−レーザ装置 ９−ネットワークアナライザ 1-Dielectric substrate 1'-Wafer 11-14-Resonator electrode 21,23,24,41-External extraction electrode 31-33 Frequency adjustment electrode 5-Ground electrode 51-Top ground electrode 6,7-Probe 60 , 70-center electrode 61, 62, 71, 72-ground electrode 8-laser device 9-network analyzer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｐ 5/08 Ｈ０１Ｐ 5/08 Ｈ Ｈ０１Ｒ 13/24 Ｈ０１Ｒ 13/24 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01P 5/08 H01P 5/08 H H01R 13/24 H01R 13/24
Claims (4)
上面に複数の共振器電極を配置してなるマイクロストリ
ップラインフィルタにおいて、 前記誘電体基板の上面で、且つ初段または終段の少なく
とも一方の共振器電極に外部引出電極を接続し、当該外
部引出電極の両側部のうち少なくとも一方の側部に、前
記接地電極に導通する上面接地電極を配置したマイクロ
ストリップラインフィルタ。A ground electrode is formed on a lower surface of a dielectric substrate,
In a microstrip line filter having a plurality of resonator electrodes arranged on an upper surface, an external extraction electrode is connected to the upper surface of the dielectric substrate and at least one of the first stage and the last stage resonator electrodes, A microstrip line filter in which an upper surface ground electrode that is electrically connected to the ground electrode is disposed on at least one of the two side portions of the microstrip line filter.
上面に複数の共振器電極を配置してなるマイクロストリ
ップラインデュプレクサにおいて、 前記誘電体基板の上面で、且つ所定の複数の共振器電極
のうち少なくとも１つの共振器電極に外部引出電極を接
続し、当該外部引出電極の両側部のうち少なくとも一方
の側部に、前記接地電極に導通する上面接地電極を配置
したマイクロストリップラインデュプレクサ。2. A ground electrode is formed on a lower surface of a dielectric substrate,
In a microstrip line duplexer having a plurality of resonator electrodes arranged on an upper surface, an external extraction electrode is connected to at least one of the plurality of predetermined resonator electrodes on the upper surface of the dielectric substrate, A microstrip line duplexer in which an upper surface ground electrode that is electrically connected to the ground electrode is arranged on at least one side of both sides of the external extraction electrode.
インフィルタまたは請求項２に記載のマイクロストリッ
プラインデュプレクサを備えた通信機。3. A communication device comprising the microstrip line filter according to claim 1 or the microstrip line duplexer according to claim 2.
分離前の複数個連続したウエハーの状態で、前記外部引
出電極および上面接地電極に測定器のプローブを接触さ
せて電気的特性を測定し、前記共振器電極または前記ウ
エハーを削除することによって電気的特性を調整する共
振器装置の特性調整方法。4. A probe of a measuring instrument is brought into contact with said external lead-out electrode and upper surface ground electrode in a state of a plurality of continuous wafers of the dielectric substrate according to claim 1 before separation, thereby obtaining electrical characteristics. A characteristic adjusting method of a resonator device that measures and adjusts an electrical characteristic by removing the resonator electrode or the wafer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001119831A JP2002033604A (en) | 2000-05-11 | 2001-04-18 | Microstrip line filter, duplexer, communication unit and method for adjusting characteristic of resonator |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000138253 | 2000-05-11 | ||
| JP2000-138253 | 2000-05-11 | ||
| JP2001119831A JP2002033604A (en) | 2000-05-11 | 2001-04-18 | Microstrip line filter, duplexer, communication unit and method for adjusting characteristic of resonator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002033604A true JP2002033604A (en) | 2002-01-31 |
Family
ID=26591660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001119831A Pending JP2002033604A (en) | 2000-05-11 | 2001-04-18 | Microstrip line filter, duplexer, communication unit and method for adjusting characteristic of resonator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002033604A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019102875A1 (en) * | 2017-11-24 | 2019-05-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | Wafer inspection method and wafer |
| CN111406228A (en) * | 2017-11-24 | 2020-07-10 | 浜松光子学株式会社 | Electrical inspection method |
-
2001
- 2001-04-18 JP JP2001119831A patent/JP2002033604A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019102875A1 (en) * | 2017-11-24 | 2019-05-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | Wafer inspection method and wafer |
| JP2019095669A (en) * | 2017-11-24 | 2019-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | Method for inspecting wafer and wafer |
| CN111406228A (en) * | 2017-11-24 | 2020-07-10 | 浜松光子学株式会社 | Electrical inspection method |
| CN111480105A (en) * | 2017-11-24 | 2020-07-31 | 浜松光子学株式会社 | Wafer inspection method and wafer |
| TWI791683B (en) * | 2017-11-24 | 2023-02-11 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | Wafer inspection method and wafer |
| US11624902B2 (en) | 2017-11-24 | 2023-04-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Wafer inspection method and wafer |
| TWI799470B (en) * | 2017-11-24 | 2023-04-21 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | Electrical inspection method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7095292B2 (en) | High-frequency line transducer, having an electrode opening surrounded by inner and outer vias | |
| JP2004023567A (en) | Mounting structure for dielectric filter, dielectric filter device, and mounting structure for dielectric duplexer and communication equipment system | |
| CA2030136C (en) | Ceramic block filter with co-fired coupling pins | |
| US7477118B2 (en) | High frequency device mounting substrate and communications apparatus | |
| EP0874414B1 (en) | Dielectric filter, transmitting/receiving duplexer, and communication apparatus | |
| US6603373B2 (en) | Adjusting method for electrical characteristics of microstrip line filter, duplexer, communication device, and microstrip line type resonator | |
| JP3598959B2 (en) | Stripline filter, duplexer, filter device, communication device, and method of adjusting characteristics of stripline filter | |
| JP2002033604A (en) | Microstrip line filter, duplexer, communication unit and method for adjusting characteristic of resonator | |
| JP7358371B2 (en) | Thin film surface mountable high frequency coupler | |
| US6538526B2 (en) | Transmission line connection structure, high frequency module, and communication device | |
| JPS6053962B2 (en) | Aerial duplexer | |
| US6498542B1 (en) | Dielectric resonant device, dielectric filter, dielectric duplexer, communication apparatus including the same, and method for forming input-output electrode of the dielectric resonant device | |
| EP1098384B1 (en) | Dielectric filter, dielectric duplexer, and communication apparatus | |
| CN111641012B (en) | Substrate integrated type dielectric resonator filter | |
| US6232854B1 (en) | Dielectric resonator device, dielectric filter, oscillator, sharing device, and electronic apparatus | |
| JPH0946008A (en) | Wiring board for high frequency | |
| US7233216B2 (en) | Line transition having a notch in the dielectric substrate adjacent the coupling line pattern | |
| JP2002057507A (en) | Dielectric filter, dielectric duplexer and communication equipment | |
| US6580339B2 (en) | Dielectric duplexer and communication apparatus | |
| CN115343812B (en) | Input/output component, preparation method, package base and optical device | |
| JPS6345901A (en) | Directiional coupler | |
| JP2002299782A (en) | Circuit board | |
| JP2002009514A (en) | High frequency filter | |
| JP2003224405A (en) | Dielectric filter | |
| JPH10126107A (en) | Dielectric filter |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040611 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040622 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040819 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041026 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041208 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051025 |