JP2002033498A - Manufacturing method for integrated thin-film solar cell and patterning apparatus - Google Patents
Manufacturing method for integrated thin-film solar cell and patterning apparatusInfo
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Abstract
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、集積型薄膜太陽電
池の製造方法およびパターニング装置に関する。The present invention relates to a method of manufacturing an integrated thin-film solar cell and a patterning apparatus.
【従来の技術】従来、Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素およびV
Iｂ族元素からなる化合物半導体膜（カルコパイライト
構造半導体膜）であるＣｕＩｎＳｅ2（ＣＩＳ）または
Ｇａを固溶したＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2（ＣＩＧ
Ｓ）、あるいはＣｕＩｎＳ2を光吸収層に用いた薄膜太
陽電池モジュールの構造および製造方法については報告
がなされている（たとえば、１３ＴＨ ＥＵＲＯＰＥＡ
Ｎ ＰＨＯＴＯＶＯＬＴＡＩＣＳＯＬＡＲ ＣＯＮＦＥ
ＲＥＮＣＥ １９９５ Ｐ．１４５１−１４５５）。こ
のようなＣＩＳ薄膜太陽電池においては、基板上に複数
のユニットセルを直列接続した集積型構造が一般的であ
る。従来の集積型薄膜太陽電池の製造方法について、図
１０を参照しながら一例を説明する。従来の製造方法で
は、まず、図１０（ａ）に示すように、絶縁性基板１上
に下部電極膜２となるＭｏ膜などをスパッタリング法に
よって形成した後、連続発振のレーザビームＬ１を照射
することによって、上記Ｍｏ膜等をストライプ状に除去
して短冊状の下部電極膜２を形成する。その後、図１０
（ｂ）に示すように、蒸着法、スパッタリング法または
化学浴析出法などによってｐ形ＣｕＩｎＳｅ2薄膜とｎ
形ＣｄＳ薄膜との積層膜からなる半導体膜３を形成す
る。その後、図１０（ｃ）に示すように、メカニカルス
クライブ法によって半導体膜３を短冊状に分割する。そ
の後、図１０（ｄ）に示すように、上部電極膜４として
透明導電膜、たとえばＺｎＯ膜やＩＴＯ膜を形成する。
そして、図１０（ｅ）に示すように、メカニカルスクラ
イブ法によって、上部電極膜４を短冊状に分割する。図
１０（ｅ）の集積型薄膜太陽電池では、各ユニットセル
５の上部電極膜４が、隣接するユニットセル５の下部電
極膜２と接続することによって、各ユニットセル５が直
列接続している。図１０（ｃ）および図１０（ｅ）の工
程において、メカニカルスクライブ法による薄膜の分割
は、カッターナイフや図１１（ａ）に示すような針のよ
うなもので、薄膜の一部を除去することによって行われ
る。2. Description of the Related Art Conventionally, group Ib elements, group IIIb elements and V
CuInSe 2 (CIS) which is a compound semiconductor film (chalcopyrite structure semiconductor film) composed of an Ib group element or Cu (In, Ga) Se 2 (CIG
S) or the structure and manufacturing method of a thin-film solar cell module using CuInS 2 for the light absorbing layer (for example, 13TH EUROPEA).
N PHOTOVOLTAIC SOLAR CONFE
RANCE 1995 P.E. 1451-1455). In such a CIS thin-film solar cell, an integrated structure in which a plurality of unit cells are connected in series on a substrate is generally used. An example of a conventional method for manufacturing an integrated thin-film solar cell will be described with reference to FIG. In the conventional manufacturing method, first, as shown in FIG. 10A, a Mo film or the like serving as a lower electrode film 2 is formed on an insulating substrate 1 by a sputtering method, and then a continuous oscillation laser beam L1 is irradiated. As a result, the Mo film or the like is removed in a stripe shape, thereby forming a strip-shaped lower electrode film 2. Then, FIG.
As shown in (b), a p-type CuInSe 2 thin film and n are deposited by vapor deposition, sputtering, or chemical bath deposition.
A semiconductor film 3 composed of a laminated film with a CdS thin film is formed. Thereafter, as shown in FIG. 10C, the semiconductor film 3 is divided into strips by a mechanical scribe method. Thereafter, as shown in FIG. 10D, a transparent conductive film, for example, a ZnO film or an ITO film is formed as the upper electrode film 4.
Then, as shown in FIG. 10E, the upper electrode film 4 is divided into strips by a mechanical scribe method. In the integrated thin-film solar cell of FIG. 10E, the unit cell 5 is connected in series by connecting the upper electrode film 4 of each unit cell 5 to the lower electrode film 2 of the adjacent unit cell 5. . In the steps of FIG. 10C and FIG. 10E, the thin film is divided by a mechanical scribe method using a cutter knife or a needle as shown in FIG. 11A to remove a part of the thin film. This is done by:
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
メカニカルスクライブ法では、図１１（ａ）に示す針や
カッター等で半導体膜等を除去するため、図１１（ｂ）
に示すように、薄膜を除去した後の加工溝の幅が一定し
なかった。また、下部電極膜２と半導体膜３との密着性
が悪い場合は図１１（ｃ）に示すように、半導体膜３が
大きくはがれてしまい、不必要な部分まで除去してしま
うことがあった。そのため、上記従来の製造方法では、
集積型薄膜太陽電池の特性および歩留まりが低下すると
いう問題があった。本発明は、上記問題を解決するた
め、特性が高い集積型薄膜太陽電池を歩留まりよく製造
できる集積型薄膜太陽電池の製造方法およびこれに用い
ることができるパターニング装置を提供することを目的
とする。However, in the conventional mechanical scribe method, since the semiconductor film and the like are removed with a needle or a cutter shown in FIG.
As shown in the figure, the width of the processed groove after removing the thin film was not constant. When the adhesion between the lower electrode film 2 and the semiconductor film 3 is poor, as shown in FIG. 11C, the semiconductor film 3 is largely peeled off, and unnecessary portions may be removed. . Therefore, in the above conventional manufacturing method,
There is a problem that characteristics and yield of the integrated thin-film solar cell are reduced. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an integrated thin-film solar cell capable of manufacturing an integrated thin-film solar cell having high characteristics with high yield, and a patterning apparatus that can be used for the method.
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の集積型薄膜太陽電池の製造方法は、直列接
続された２以上の太陽電池ユニットセルを基板上に形成
する集積型薄膜太陽電池の製造方法であって、前記基板
上に下部電極膜を形成したのち、前記下部電極膜を短冊
状に分割する第１の工程と、前記下部電極膜上に、接合
を含む半導体膜を形成する第２の工程と、前記半導体膜
の一部をストライプ状に除去することによって前記半導
体膜を短冊状に分割する第３の工程と、前記半導体膜お
よび前記半導体膜が除去されて露出した前記下部電極膜
上に上部電極膜を形成する第４の工程と、前記半導体膜
および前記上部電極膜の一部を共にストライプ状に除去
することによって前記上部電極膜を短冊状に分割する第
５の工程とを含み、前記第３および第５の工程から選ば
れる少なくとも一つの工程は、除去すべき部分の長手方
向の２つの外縁部に溝を形成する溝形成工程と、前記除
去すべき部分の膜を剥離する剥離工程とを含むことを特
徴とする。上記集積型薄膜太陽電池の製造方法によれ
ば、正確かつ信頼性よくパターニングを行うことができ
るため、特性が高い集積型薄膜太陽電池を歩留まりよく
製造できる。上記製造方法では、前記溝形成工程と前記
剥離工程とが同時に行われてもよい。上記構成によれ
ば、集積型薄膜太陽電池を生産性よく製造できる。上記
製造方法では、前記半導体膜が、Ｉ族元素とIII族元素
とVI族元素とを含む化合物半導体膜と、II族元素とVI族
元素とを含む化合物膜とを備えてもよい。上記構成によ
れば、特に特性が高い集積型薄膜太陽電池が得られる。
また、本発明のパターニング装置は、基板上に形成され
た薄膜の一部を機械的に除去してパターニングを行うパ
ターニング装置であって、前記基板を保持する基板ステ
ージと、前記薄膜に２つの溝を同時に形成するための溝
形成工具と、前記２つの溝の間の前記薄膜を剥離するた
めの剥離工具とを備えることを特徴とする。上記本発明
のパターニング装置によれば、正確かつ信頼性よくパタ
ーニングを行うことができる。上記パターニング装置で
は、前記剥離工具は、前記溝を形成する際の前記溝形成
工具の進行方向に対して前記溝形成工具よりも後方でか
つ同一線上に配置されてもよい。上記構成によれば、溝
形成工具と剥離工具とを同時に移動させることによって
一度に溝形成工程と剥離工程とを行うことができ、効率
よくパターニングを行うことができる。上記パターニン
グ装置では、前記溝形成工具が、前記２つの溝を同時に
形成するための２つの凸部を備え、前記２つの凸部が除
去すべき薄膜の幅に対応する距離だけ離れていてもよ
い。上記構成によれば、特に効率よくパターニングを行
うことができる。In order to achieve the above object, an integrated thin-film solar cell manufacturing method according to the present invention comprises an integrated thin-film solar cell in which two or more solar cell units connected in series are formed on a substrate. A method of manufacturing a solar cell, comprising: forming a lower electrode film on the substrate, dividing the lower electrode film into strips, and forming a semiconductor film including a junction on the lower electrode film. A second step of forming; a third step of dividing the semiconductor film into strips by removing a part of the semiconductor film in a stripe shape; and a step in which the semiconductor film and the semiconductor film are removed and exposed. A fourth step of forming an upper electrode film on the lower electrode film; and a fifth step of dividing the upper electrode film into strips by removing both the semiconductor film and part of the upper electrode film in a stripe shape. And the process At least one step selected from the third and fifth steps is a groove forming step of forming grooves at two outer edges in a longitudinal direction of a part to be removed, and a peeling step of peeling a film of the part to be removed. And a step. According to the method of manufacturing an integrated thin-film solar cell, since patterning can be performed accurately and reliably, an integrated thin-film solar cell having high characteristics can be manufactured with high yield. In the above manufacturing method, the groove forming step and the peeling step may be performed simultaneously. According to the above configuration, an integrated thin-film solar cell can be manufactured with high productivity. In the above manufacturing method, the semiconductor film may include a compound semiconductor film containing a group I element, a group III element, and a group VI element, and a compound film containing a group II element and a group VI element. According to the above configuration, an integrated thin-film solar cell with particularly high characteristics can be obtained.
Further, the patterning apparatus of the present invention is a patterning apparatus for mechanically removing a part of a thin film formed on a substrate to perform patterning, the substrate stage holding the substrate, and two grooves formed in the thin film. And a peeling tool for peeling the thin film between the two grooves. According to the patterning device of the present invention, patterning can be performed accurately and reliably. In the above patterning apparatus, the peeling tool may be arranged behind the groove forming tool and on the same line with respect to a traveling direction of the groove forming tool when forming the groove. According to the above configuration, by simultaneously moving the groove forming tool and the peeling tool, the groove forming step and the peeling step can be performed at once, and the patterning can be performed efficiently. In the patterning apparatus, the groove forming tool may include two protrusions for simultaneously forming the two grooves, and the two protrusions may be separated by a distance corresponding to a width of a thin film to be removed. . According to the above configuration, patterning can be performed particularly efficiently.
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て具体的に説明する。 （実施形態１）実施形態１では、本発明のパターニング
装置について一例を説明する。実施形態１のパターニン
グ装置１０の斜視図を図１に示す。図１を参照して、パ
ターニング装置１０は、架台１１と、架台１１上に設置
された基板ステージ１２およびＺテーブル支持台１３
と、Ｚテーブル支持台１３に設置されたＺテーブル１４
と、Ｚテーブル１４に設置された溝形成工具１５および
剥離工具１６と、コントローラ１７とを備える。溝形成
工具１５は、加工負荷調整機構１８を介してＺテーブル
１４に設置されている。また、剥離工具１６は、加工負
荷調整機構１９を介してＺテーブル１４に設置されてい
る。基板ステージ１２は、真空吸着機能を有し、被加工
物である薄膜２０が形成された基板２１を真空吸着保持
する。基板ステージ１２はコントローラ１７からの指令
によりＸＹ平面（基板２１の主面と平行な面）内を移動
する。Ｚテーブル１４は、図１中のＺ軸方向に移動可能
であり、コントローラ１７からの指令によって移動す
る。溝形成工具１５は、薄膜２０に２つの溝を同時に形
成するための工具である。溝形成工具１５によって形成
される溝は、たとえば、断面略Ｖ字状の溝（以下、Ｖ字
溝という場合がある）である。剥離工具１６は、溝形成
工具１５によって形成された２つの溝の間の薄膜を剥離
するための工具である。剥離工具１６には、たとえば、
平板状の板からなるスクレイパーを用いることができ
る。溝形成工具１５および剥離工具１６は、Ｚテーブル
１４をＺ軸方向に移動させることによって高さを調整す
ることができる。コントローラ１７は、基板ステージ１
２、Ｚテーブル１４、ならびに加工負荷調整手段１８お
よび１９の動作をコントロールするためのコントロール
手段であり、所定のプログラムが入力されたコンピュー
タなどを用いることができる。加工負荷調整手段１８お
よび１９は、たとえば、板バネおよび荷重計を含み、溝
形成工具１５および剥離工具１６の加工負荷を調整する
ために用いられる。なお、加工負荷調整手段１８および
１９は、空気圧などの他の方法を用いて加工負荷を調整
するものでもよい。図２および図３を参照して、溝形成
工具１５の一例を説明する。溝形成工具１５について、
斜視図を図２（ａ）に、加工時の進行方向に対して側面
側から見た側面図を図２（ｂ）に、加工時の進行方向に
対して正面側から見た正面図を図３（ａ）に、加工時の
進行方向に対して後方から見た背面図を図３（ｂ）にそ
れぞれ示す。図２および図３に示すように、溝形成工具
１５は、薄膜２０に形成する２つの溝に対応する位置
に、２つの三角錘状の凸部１５ａおよび１５ｂを備え
る。凸部１５ａと凸部１５ｂとの間には、円弧状の凹部
１５ｃが形成されている。凸部１５ａと凸部１５ｂとの
間隔は、除去すべき部分の幅（除去すべき部分の長手方
向の２つの外縁部間の距離）に対応している（必要に応
じて加工のマージンを考慮してもよい）。溝形成工具１
５によれば、凸部１５ａおよび１５ｂで薄膜２０をスク
ライブすることによって、２つの断面略Ｖ字状の溝を薄
膜２０に同時に形成できる。溝形成工具１５で薄膜２０
をスクライブする際には、凸部１５ａまたは１５ｂを形
成する面のうち進行方向側の面１５ｓと、薄膜２０とが
なす角度α（図２（ｂ）参照）は、３０゜以下であるこ
とが好ましい。角度αを３０゜以下とすることによっ
て、スクライブによるＶ字溝形成の歩留まりが向上し、
また、除去すべき部分以外の薄膜が剥離することを防止
できる。また、凹部１５ｃの深さＤ（図３（ａ）参照。
凸部１５ａと凸部１５ｂとをつなぐ直線と凹部１５ｃの
最も深い部分との最短距離である。）は、１０μｍ以下
であることが望ましい。深さＤを１０μｍ以下とするこ
とによって、Ｖ字溝形成の際に、除去すべき部分以外の
薄膜が剥離することを防止できる。図４に、基板２１上
の薄膜２０を所望の幅でパターニングするときの加工方
法の一例を示す。最初に、図４（ａ）に示すように、パ
ターニング装置１０の溝形成工具１５によって、２つの
Ｖ字溝を形成する。Ｖ字溝は、剥離予定の領域のうち、
長手方向の２つの外縁部（外周部）に形成される。その
後、図４（ｂ）に示すように、２つのＶ字溝の間に残っ
た薄膜を剥離工具１６で除去する。剥離工具１６には、
弾性を持った鋼材等を用いることができる。剥離工具１
６の幅は、薄膜２０の除去幅よりも数μｍ小さく設定す
ることが好ましい。除去される薄膜の中央に剥離工具１
６を位置決めし、剥離工具１６自体の弾性変形も利用し
ながら均一に押し付け、基板２１上を移動させることに
よって、基板２１と薄膜２０の界面で確実に薄膜を剥離
させてパターニングすることができる。剥離工具１６の
中心線（図４（ｃ）の点線参照。剥離工具１６の進行方
向前方の面と後方の面との中間の線。）と除去される薄
膜２０ａの表面とがなす角度β（図４（ｃ）参照。な
お、図４（ｃ）中、一部のハッチングを省略する。）は
９０゜以上であることが好ましく、１２０゜〜１５０゜
程度が特に好ましい。また、溝形成工具１５は工具自身
に弾性を持たせるために、板バネを備えてもよい。板バ
ネを備える場合の一例として、溝形成工具５１の斜視図
を図５（ａ）に、側面図を図５（ｂ）に、正面図を図５
（ｃ）に示す。溝形成工具５１は、板バネ５２を備える
ほかは、溝形成工具１５と同様である。剥離工具１６
は、薄膜２０に溝を形成する際の溝形成工具１５の進行
方向に対して、溝形成工具１５よりも後方でかつ同一線
上に配置されていることが好ましい。この場合の溝形成
工具１５と剥離工具１６との位置関係を、図６に模式的
に示す。上記構成によれば、溝形成工具１５と剥離工具
１６とを同時に移動させて薄膜２０を加工することによ
って、基板ステージ１２を一方向に一度移動させるだけ
で薄膜２０を線状に剥離することができる。また、図６
に示す配置になるように、溝形成工具１５と剥離工具１
６とを一体化した工具を用いてもよい。また、溝形成工
具１５および剥離工具１６は、回転自在な工具支持台に
設置されてもよい。上記構成によれば、基板ステージ１
２を往復運動させてパターニングを行う際に、基板ステ
ージ１２の移動方向が変わるごとに溝形成工具１５と剥
離工具１６とを１８０゜回転させることによって、１回
の往復運動で２箇所のパターニングを行うことができ
る。上記実施形態１のパターニング装置１０によれば、
たとえば、集積型薄膜太陽電池を製造する場合におい
て、特性および歩留まりが高い集積型薄膜太陽を容易に
製造できる。なお、上記実施形態１では、基板ステージ
１２がＸＹ平面方向に可動である場合を示したが、溝形
成工具１５および剥離工具１６がＸＹ平面方向に可動で
ある場合でもよい。また、実施形態１では、溝形成工具
１５および剥離工具１６がＺ軸方向に可動である場合を
示したが、基板ステージ１２がＺ軸方向に可動である場
合でもよい。 （実施形態２）実施形態２では、本発明の集積型薄膜太
陽電池の製造方法について説明する。この実施形態２で
は、一例として、半導体膜が、Ｉ族元素とIII族元素とV
I族元素とを含む化合物半導体膜と、II族元素とVI族元
素とを含む化合物膜とを備える太陽電池を製造する場合
について説明する。実施形態２の太陽電池の製造方法で
は、まず、図７（ａ）に示すように、基板７０上に下部
電極膜７１を形成したのち、下部電極膜７１を短冊状に
分割する。基板７０は、下部電極膜７１が形成される面
が絶縁性であればよい。基板７０には、たとえば、ガラ
ス基板またはポリイミド膜や、ステンレス基板上に絶縁
膜を形成した絶縁性基板を用いることができる。下部電
極膜７１には、たとえばＭｏ薄膜を用いることができ、
スパッタリング法や蒸着法で形成できる。下部電極膜７
１の膜厚は、たとえば０．５μｍ〜２．０μｍである。
そして、下部電極膜７１の一部をストライプ状に除去す
る方法としては、たとえば、レーザビームＬ１を用いた
レーザスクライブ法が挙げられる。その後、下部電極膜
７１上に、接合を含む半導体膜７２を形成する。そし
て、図７（ｂ）に示すように、半導体膜７２のうち除去
すべき部分７２ａの両側（除去すべき部分７２ａの長手
方向の外縁部）にＶ字溝ａを形成する。半導体膜７２と
しては、ｐｎ接合などの接合を含む半導体膜を用いるこ
とができる。具体的には、半導体膜７２として、Ｉ族元
素とIII族元素とVI族元素とを含む化合物半導体膜（ｐ
形半導体膜）と、II族元素とVI族元素とを含む化合物膜
（ｎ形半導体膜）とからなるｐｎ接合を含む半導体膜を
用いることができる。さらに具体的には、ｐ形半導体膜
として、ＣｕＩｎＳｅ2（ＣＩＳ）膜、Ｇａを固溶した
Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2（ＣＩＧＳ）膜またはＣｕＩ
ｎＳ2などのカルコパイライト構造化合物半導体膜を用
いることができる。これらのｐ形半導体膜は、蒸着法ま
たはスパッタリング法などによって成膜できる。また、
ｎ形半導体膜としては、たとえば、ＣｄＳ、ＺｎＯ、Ｚ
ｎ（Ｏ，ＯＨ）、Ｚｎ（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）などのように、
II族元素およびVI族元素を含む化合物半導体膜を用いる
ことができる。これらのｎ形半導体膜は、化学浴析出法
またはスパッタリング法などによって成膜できる。Ｖ字
溝ａは、実施形態１で説明した溝形成工具１５を用いて
容易に形成できる。Ｖ字溝ａを形成したのちの半導体膜
７２の一部平面図を図８に示す。図８を参照して、Ｖ字
溝ａは、除去すべき部分７２ａの外周部のうち、長手方
向の２つの辺（外縁部）の部分に形成される。その後、
図７（ｃ）に示すように、半導体膜７２の一部（除去す
べき部分７２ａ）を剥離することによって、半導体膜７
２の一部をストライプ状に除去し、半導体膜７２を短冊
状に分割する。なお、Ｖ字溝ａを形成する際の加工負荷
および半導体膜を剥離する際の加工負荷は、膜へのダメ
ージがより少なくなるように調整する。図７（ｃ）の工
程は、実施形態１で説明したパターニング装置１０の剥
離工具１６を用いて容易に行うことができる。その後、
図７（ｄ）で示すように、半導体膜７２および半導体膜
７２が除去されて露出した下部電極膜７１を覆うように
上部電極膜７３を形成する。上部電極膜７３としては、
ＺｎＯ膜、ＺｎＯ：Ａｌ膜、ＩＴＯ膜等の透明導電膜を
用いることができる。上部電極膜７３は、スパッタリン
グ法またはＣＶＤ法で形成することができる。上部電極
膜７３は、半導体膜７２の分割部分を通じて下部電極膜
７１と電気的に接続する。その後、図７（ｅ）に示すよ
うに、上部電極膜７３の一部をストライプ状に除去する
ことによって、上部電極膜７３を短冊状に分割する。こ
の工程は図７（ｂ）および（ｃ）と同様に、実施形態１
で説明したパターニング装置１０を用いて容易に行うこ
とができる。このとき、半導体膜７２が下部電極膜７１
よりも軟らかいため、上部電極膜７３とともに半導体膜
７２の一部が除去される。なお、Ｖ字溝を形成する際の
加工負荷および上部電極膜を剥離する際の加工負荷は、
膜へのダメージがより少なくなるように調整する。この
ようにして、集積型薄膜太陽電池が形成される。図７
（ｅ）の集積型薄膜太陽電池では、各ユニットセル７４
の上部電極膜７３が、隣接するユニットセル７４の下部
電極膜７１と接続することによって、各ユニットセル７
４が直列接続している。図７（ｅ）の集積型薄膜太陽電
池の一部平面図を図９に示す。上記実施形態２の集積型
薄膜太陽電池の製造方法によれば、特性が高い集積型薄
膜太陽電池を歩留まりよく製造できる。なお、上記実施
形態２では、半導体膜７２の一部を除去する工程（図７
（ｃ））、および上部電極膜７３を除去する工程（図７
（ｅ））の両工程において、本発明の特徴であるパター
ニング方法を用いる場合について説明した。しかし、図
７（ｃ）または図７（ｅ）のいずれかの工程で、本発明
の特徴であるパターニング方法を用いることによって従
来の製造方法と比較して、特性が高い集積型薄膜太陽電
池を歩留まりよく製造できる以上、本発明の実施の形態
について例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の
形態に限定されず本発明の技術的思想に基づき他の実施
形態に適用することができる。たとえば、上記実施形態
では、下部電極膜７１の例として金属膜を挙げ、上部電
極膜７３の例として透明電極膜を挙げたが、これらは逆
であってもよい。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be specifically described below. (Embodiment 1) In Embodiment 1, an example of a patterning apparatus of the present invention will be described. FIG. 1 is a perspective view of the patterning apparatus 10 according to the first embodiment. Referring to FIG. 1, a patterning device 10 includes a gantry 11, a substrate stage 12 and a Z-table support 13 installed on the gantry 11.
And a Z table 14 installed on the Z table support 13
, A groove forming tool 15 and a peeling tool 16 installed on the Z table 14, and a controller 17. The groove forming tool 15 is installed on the Z table 14 via a processing load adjusting mechanism 18. Moreover, the peeling tool 16 is installed on the Z table 14 via a processing load adjusting mechanism 19. The substrate stage 12 has a vacuum suction function, and holds a substrate 21 on which a thin film 20 as a workpiece is formed by vacuum suction. The substrate stage 12 moves in an XY plane (a plane parallel to the main surface of the substrate 21) in response to a command from the controller 17. The Z table 14 is movable in the Z axis direction in FIG. 1 and moves according to a command from the controller 17. The groove forming tool 15 is a tool for forming two grooves in the thin film 20 at the same time. The groove formed by the groove forming tool 15 is, for example, a groove having a substantially V-shaped cross section (hereinafter, sometimes referred to as a V-shaped groove). The peeling tool 16 is a tool for peeling a thin film between two grooves formed by the groove forming tool 15. The peeling tool 16 includes, for example,
A scraper made of a flat plate can be used. The height of the groove forming tool 15 and the peeling tool 16 can be adjusted by moving the Z table 14 in the Z-axis direction. The controller 17 includes the substrate stage 1
2. Control means for controlling the operations of the Z table 14, and the processing load adjusting means 18 and 19, and a computer or the like in which a predetermined program is input can be used. The processing load adjusting means 18 and 19 include, for example, a leaf spring and a load meter, and are used for adjusting the processing load of the groove forming tool 15 and the peeling tool 16. The processing load adjusting means 18 and 19 may adjust the processing load by using another method such as air pressure. An example of the groove forming tool 15 will be described with reference to FIGS. Regarding the groove forming tool 15,
FIG. 2 (a) is a perspective view, FIG. 2 (b) is a side view as viewed from the side with respect to the traveling direction during processing, and FIG. 3A shows a rear view as viewed from the rear with respect to the traveling direction at the time of processing, and FIG. As shown in FIGS. 2 and 3, the groove forming tool 15 includes two triangular pyramid-shaped protrusions 15 a and 15 b at positions corresponding to the two grooves formed in the thin film 20. An arc-shaped concave portion 15c is formed between the convex portion 15a and the convex portion 15b. The distance between the projections 15a and 15b corresponds to the width of the portion to be removed (the distance between two outer edges in the longitudinal direction of the portion to be removed) (considering the processing margin as necessary). May be used). Groove forming tool 1
According to 5, by scribing the thin film 20 with the projections 15a and 15b, two grooves having a substantially V-shaped cross section can be simultaneously formed in the thin film 20. Thin film 20 with groove forming tool 15
When scribing, the angle α (see FIG. 2 (b)) formed between the surface 15s on the traveling direction side of the surface forming the protrusion 15a or 15b and the thin film 20 may be 30 ° or less. preferable. By setting the angle α to 30 ° or less, the yield of V-shaped groove formation by scribing is improved,
Further, it is possible to prevent the thin film other than the portion to be removed from peeling. Further, the depth D of the concave portion 15c (see FIG. 3A).
This is the shortest distance between the straight line connecting the convex portions 15a and 15b and the deepest portion of the concave portion 15c. ) Is desirably 10 μm or less. By setting the depth D to 10 μm or less, it is possible to prevent the thin film other than the portion to be removed from peeling off when forming the V-shaped groove. FIG. 4 shows an example of a processing method when the thin film 20 on the substrate 21 is patterned with a desired width. First, as shown in FIG. 4A, two V-shaped grooves are formed by the groove forming tool 15 of the patterning device 10. The V-shaped groove is one of the areas to be peeled.
It is formed at two outer edges (outer peripheral portions) in the longitudinal direction. Thereafter, as shown in FIG. 4B, the thin film remaining between the two V-shaped grooves is removed by the peeling tool 16. The peeling tool 16 includes
Elastic steel or the like can be used. Stripping tool 1
The width of 6 is preferably set to be smaller by several μm than the removal width of the thin film 20. Peeling tool 1 in the center of the thin film to be removed
6 is positioned, pressed uniformly while utilizing the elastic deformation of the peeling tool 16 itself, and moved on the substrate 21, whereby the thin film can be reliably peeled and patterned at the interface between the substrate 21 and the thin film 20. An angle β () formed between the center line of the peeling tool 16 (see the dotted line in FIG. 4C; a line intermediate the front surface and the rear surface in the traveling direction of the peeling tool 16) and the surface of the thin film 20a to be removed. 4 (c). In FIG. 4 (c), a part of the hatching is omitted) is preferably 90 ° or more, and particularly preferably about 120 ° to 150 °. Further, the groove forming tool 15 may include a leaf spring in order to make the tool itself elastic. As an example of a case where a plate spring is provided, a perspective view of the groove forming tool 51 is shown in FIG. 5A, a side view is shown in FIG. 5B, and a front view is shown in FIG.
It is shown in (c). The groove forming tool 51 is the same as the groove forming tool 15 except that a groove spring 51 is provided. Stripping tool 16
It is preferable that the fins are arranged behind the groove forming tool 15 and on the same line with respect to the traveling direction of the groove forming tool 15 when forming the groove in the thin film 20. FIG. 6 schematically shows the positional relationship between the groove forming tool 15 and the peeling tool 16 in this case. According to the above configuration, by simultaneously moving the groove forming tool 15 and the peeling tool 16 to process the thin film 20, the thin film 20 can be linearly peeled only by moving the substrate stage 12 once in one direction. it can. FIG.
The groove forming tool 15 and the peeling tool 1 are arranged so as to be arranged as shown in FIG.
6 may be used as a tool. The groove forming tool 15 and the peeling tool 16 may be installed on a rotatable tool support. According to the above configuration, the substrate stage 1
2 is reciprocated to perform patterning, by rotating the groove forming tool 15 and the peeling tool 16 by 180 ° each time the moving direction of the substrate stage 12 changes, thereby performing two patterning operations in one reciprocating motion. It can be carried out. According to the patterning device 10 of the first embodiment,
For example, when manufacturing an integrated thin-film solar cell, an integrated thin-film solar having high characteristics and a high yield can be easily manufactured. In the first embodiment, the case where the substrate stage 12 is movable in the XY plane direction is described. However, the case where the groove forming tool 15 and the peeling tool 16 are movable in the XY plane direction may be used. In the first embodiment, the case where the groove forming tool 15 and the peeling tool 16 are movable in the Z-axis direction has been described, but the case where the substrate stage 12 is movable in the Z-axis direction may be used. (Embodiment 2) In Embodiment 2, a method for manufacturing an integrated thin-film solar cell of the present invention will be described. In the second embodiment, as an example, the semiconductor film is made of a group I element, a group III element, and V
A case of manufacturing a solar cell including a compound semiconductor film containing a Group I element and a compound film containing a Group II element and a Group VI element will be described. In the method for manufacturing a solar cell according to the second embodiment, first, as shown in FIG. 7A, a lower electrode film 71 is formed on a substrate 70, and then the lower electrode film 71 is divided into strips. The substrate 70 only needs to have an insulating surface on which the lower electrode film 71 is formed. As the substrate 70, for example, a glass substrate, a polyimide film, or an insulating substrate having an insulating film formed on a stainless steel substrate can be used. As the lower electrode film 71, for example, a Mo thin film can be used.
It can be formed by a sputtering method or an evaporation method. Lower electrode film 7
The film thickness of 1 is, for example, 0.5 μm to 2.0 μm.
Then, as a method for removing a part of the lower electrode film 71 in a stripe shape, for example, a laser scribe method using a laser beam L1 can be mentioned. After that, a semiconductor film 72 including a junction is formed on the lower electrode film 71. Then, as shown in FIG. 7B, V-shaped grooves a are formed on both sides of the portion 72a to be removed of the semiconductor film 72 (outer edges in the longitudinal direction of the portion 72a to be removed). As the semiconductor film 72, a semiconductor film including a junction such as a pn junction can be used. Specifically, as the semiconductor film 72, a compound semiconductor film containing a group I element, a group III element, and a group VI element (p
A semiconductor film including a pn junction, which includes a semiconductor film) and a compound film (an n-type semiconductor film) containing a group II element and a group VI element can be used. More specifically, as a p-type semiconductor film, a CuInSe 2 (CIS) film, a Cu (In, Ga) Se 2 (CIGS) film in which Ga is dissolved, or a CuI
A chalcopyrite structure compound semiconductor film such as nS 2 can be used. These p-type semiconductor films can be formed by an evaporation method, a sputtering method, or the like. Also,
As the n-type semiconductor film, for example, CdS, ZnO, Z
like n (O, OH), Zn (O, OH, S)
A compound semiconductor film containing a group II element and a group VI element can be used. These n-type semiconductor films can be formed by a chemical bath deposition method, a sputtering method, or the like. The V-shaped groove a can be easily formed by using the groove forming tool 15 described in the first embodiment. FIG. 8 shows a partial plan view of the semiconductor film 72 after the V-shaped groove a has been formed. Referring to FIG. 8, V-shaped groove a is formed at two longitudinal sides (outer edges) of the outer peripheral portion of portion 72a to be removed. afterwards,
As shown in FIG. 7C, by removing a part of the semiconductor film 72 (the part 72a to be removed), the semiconductor film 7 is removed.
A part of 2 is removed in a stripe shape, and the semiconductor film 72 is divided into strip shapes. Note that the processing load when forming the V-shaped groove a and the processing load when peeling the semiconductor film are adjusted so that damage to the film is further reduced. The step of FIG. 7C can be easily performed using the peeling tool 16 of the patterning apparatus 10 described in the first embodiment. afterwards,
As shown in FIG. 7D, an upper electrode film 73 is formed so as to cover the semiconductor film 72 and the lower electrode film 71 exposed by removing the semiconductor film 72. As the upper electrode film 73,
A transparent conductive film such as a ZnO film, a ZnO: Al film, and an ITO film can be used. The upper electrode film 73 can be formed by a sputtering method or a CVD method. The upper electrode film 73 is electrically connected to the lower electrode film 71 through a divided portion of the semiconductor film 72. Thereafter, as shown in FIG. 7E, the upper electrode film 73 is divided into strips by removing a part of the upper electrode film 73 in a stripe shape. This step is performed in the same manner as in the first embodiment as in FIGS. 7B and 7C.
This can be easily performed using the patterning device 10 described in the above. At this time, the semiconductor film 72 becomes the lower electrode film 71
Since it is softer, a part of the semiconductor film 72 is removed together with the upper electrode film 73. The processing load when forming the V-shaped groove and the processing load when peeling the upper electrode film are as follows:
Adjust so that damage to the film is less. Thus, an integrated thin-film solar cell is formed. FIG.
In the integrated thin-film solar cell of (e), each unit cell 74
Is connected to the lower electrode film 71 of the adjacent unit cell 74 so that each unit cell 7
4 are connected in series. FIG. 9 shows a partial plan view of the integrated thin-film solar cell of FIG. According to the method for manufacturing an integrated thin-film solar cell of the second embodiment, an integrated thin-film solar cell having high characteristics can be manufactured with high yield. In the second embodiment, the step of removing a part of the semiconductor film 72 (FIG. 7)
(C)) and a step of removing the upper electrode film 73 (FIG. 7)
In both steps of (e), the case of using the patterning method which is a feature of the present invention has been described. However, by using the patterning method, which is a feature of the present invention, in any of the steps of FIG. 7C or FIG. As described above, the embodiments of the present invention have been described with reference to the examples. it can. For example, in the above embodiment, a metal film is given as an example of the lower electrode film 71, and a transparent electrode film is given as an example of the upper electrode film 73, but these may be reversed.
【発明の効果】以上説明したように、本発明の集積型薄
膜太陽電池の製造方法によれば、特性が高い集積型薄膜
太陽電池を歩留まりよく製造できる。また、本発明のパ
ターニング装置によれば、薄膜へのダメージが少なく、
高精度なパターニングが可能である。また、本発明のパ
ターニング装置によれば、本発明の集積型薄膜太陽電池
の製造方法を容易に実施できる。As described above, according to the method for manufacturing an integrated thin-film solar cell of the present invention, an integrated thin-film solar cell having high characteristics can be manufactured with high yield. Further, according to the patterning apparatus of the present invention, the damage to the thin film is small,
High-precision patterning is possible. Further, according to the patterning apparatus of the present invention, the method of manufacturing an integrated thin-film solar cell of the present invention can be easily implemented.
【図１】 本発明のパターニング装置について、一例を
示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a patterning device of the present invention.
【図２】 本発明のパターニング装置について、溝形成
工具の一例の（ａ）斜視図および（ｂ）側面図である。FIG. 2A is a perspective view and FIG. 2B is a side view of an example of a groove forming tool in the patterning apparatus of the present invention.
【図３】 本発明のパターニング装置について、溝形成
工具の一例の（ａ）正面図および（ｂ）背面図である。FIG. 3 is a (a) front view and (b) a rear view of an example of a groove forming tool in the patterning apparatus of the present invention.
【図４】 本発明のパターニング装置について、パター
ニング方法の一例を示す工程図である。FIG. 4 is a process chart showing an example of a patterning method for the patterning apparatus of the present invention.
【図５】 本発明のパターニング装置について、溝形成
工具の他の一例を示す（ａ）斜視図、（ｂ）側面図およ
び（ｃ）正面図である。5A is a perspective view, FIG. 5B is a side view, and FIG. 5C is a front view showing another example of the groove forming tool in the patterning apparatus of the present invention.
【図６】 本発明のパターニング装置について、溝形成
工具および剥離工具の配置の一例を示す図である。FIG. 6 is a view showing an example of the arrangement of a groove forming tool and a peeling tool in the patterning apparatus of the present invention.
【図７】 本発明の集積型薄膜太陽電池の製造方法につ
いて、一例を示す工程図である。FIG. 7 is a process chart showing an example of a method for manufacturing an integrated thin-film solar cell of the present invention.
【図８】 本発明の集積型薄膜太陽電池の製造方法につ
いて、一工程の一例を示す一部平面図である。FIG. 8 is a partial plan view showing one example of one step in the method for manufacturing an integrated thin-film solar cell of the present invention.
【図９】 本発明の集積型薄膜太陽電池の製造方法につ
いて、製造された太陽電池の一例を示す一部平面図であ
る。FIG. 9 is a partial plan view showing an example of a manufactured solar cell in the method for manufacturing an integrated thin-film solar cell of the present invention.
【図１０】 従来の集積型薄膜太陽電池の製造方法につ
いて、一例を示す工程図である。FIG. 10 is a process chart showing an example of a conventional method for manufacturing an integrated thin-film solar cell.
【図１１】 従来の集積型薄膜太陽電池の製造方法につ
いて、製造方法の課題を示す模式図である。FIG. 11 is a schematic view showing a problem of a manufacturing method of a conventional integrated thin-film solar cell manufacturing method.
１０ パターニング装置 １１ 架台 １２ 基板ステージ １３ Ｚテーブル支持台 １４ Ｚテーブル １５ 溝形成工具 １６ 剥離工具 １７ コントローラ １８、１９ 加工負荷調整機構 ２０ 薄膜 ２１ 基板 ７０ 基板 ７１ 下部電極膜 ７２ 半導体膜 ７２ａ 除去すべき部分 ７３ 上部電極膜 ７４ ユニットセル（太陽電池ユニットセル） ａ 溝 Reference Signs List 10 patterning device 11 gantry 12 substrate stage 13 Z table support 14 Z table 15 groove forming tool 16 peeling tool 17 controller 18, 19 processing load adjusting mechanism 20 thin film 21 substrate 70 substrate 71 lower electrode film 72 semiconductor film 72a portion to be removed 73 Upper electrode film 74 Unit cell (solar cell unit cell) a groove
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 根上 卓之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 高橋 正行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 北川 雅俊 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F051 AA09 AA10 CB27 EA02 EA09 EA10 EA11 EA13 ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Takuyuki Negami 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Masatoshi Kitagawa 1006 Kadoma, Kazuma, Osaka Prefecture F-term in Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (reference) 5F051 AA09 AA10 CB27 EA02 EA09 EA10 EA11 EA13
Claims (6)
トセルを基板上に形成する集積型薄膜太陽電池の製造方
法であって、 前記基板上に下部電極膜を形成したのち、前記下部電極
膜を短冊状に分割する第１の工程と、 前記下部電極膜上に、接合を含む半導体膜を形成する第
２の工程と、 前記半導体膜の一部をストライプ状に除去することによ
って前記半導体膜を短冊状に分割する第３の工程と、 前記半導体膜および前記半導体膜が除去されて露出した
前記下部電極膜上に上部電極膜を形成する第４の工程
と、 前記半導体膜および前記上部電極膜の一部を共にストラ
イプ状に除去することによって前記上部電極膜を短冊状
に分割する第５の工程とを含み、 前記第３および第５の工程から選ばれる少なくとも一つ
の工程は、除去すべき部分の長手方向の２つの外縁部に
溝を形成する溝形成工程と、前記除去すべき部分の膜を
剥離する剥離工程とを含むことを特徴とする集積型薄膜
太陽電池の製造方法。1. A method of manufacturing an integrated thin-film solar cell, comprising forming two or more solar cell unit cells connected in series on a substrate, comprising: forming a lower electrode film on the substrate; A first step of dividing the semiconductor film into strips, a second step of forming a semiconductor film including a junction on the lower electrode film, and removing the semiconductor film by stripping a part of the semiconductor film. A fourth step of dividing the semiconductor film into strips, a fourth step of forming an upper electrode film on the semiconductor film and the lower electrode film exposed by removing the semiconductor film, and a step of dividing the semiconductor film and the upper electrode. A fifth step of dividing the upper electrode film into strips by removing a part of the film together in a stripe shape, and at least one step selected from the third and fifth steps includes removing the film. Part of A method for manufacturing an integrated thin-film solar cell, comprising: a groove forming step of forming grooves at two outer edges in a longitudinal direction; and a peeling step of peeling a film of a portion to be removed.
に行われる請求項１に記載の集積型薄膜太陽電池の製造
方法。2. The method according to claim 1, wherein the groove forming step and the peeling step are performed simultaneously.
とVI族元素とを含む化合物半導体膜と、II族元素とVI族
元素とを含む化合物膜とを備える請求項１または２に記
載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor film includes a compound semiconductor film containing a group I element, a group III element, and a group VI element, and a compound film containing a group II element and a group VI element. A method for producing the integrated thin-film solar cell according to the above.
に除去してパターニングを行うパターニング装置であっ
て、 前記基板を保持する基板ステージと、前記薄膜に２つの
溝を同時に形成するための溝形成工具と、前記２つの溝
の間の前記薄膜を剥離するための剥離工具とを備えるこ
とを特徴とするパターニング装置。4. A patterning apparatus for performing patterning by mechanically removing a part of a thin film formed on a substrate, wherein a substrate stage for holding the substrate and two grooves are simultaneously formed in the thin film. A groove forming tool for peeling off the thin film between the two grooves.
前記溝形成工具の進行方向に対して前記溝形成工具より
も後方でかつ同一線上に配置されている請求項４に記載
のパターニング装置。5. The patterning device according to claim 4, wherein the peeling tool is disposed behind and on the same line as the groove forming tool with respect to a traveling direction of the groove forming tool when forming the groove. apparatus.
に形成するための２つの凸部を備え、前記２つの凸部が
除去すべき薄膜の幅に対応する距離だけ離れている請求
項４または５に記載のパターニング装置。6. The groove forming tool includes two protrusions for simultaneously forming the two grooves, and the two protrusions are separated by a distance corresponding to a width of a thin film to be removed. 6. The patterning apparatus according to 4 or 5.
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010030546A1 (en) * | 2008-09-09 | 2010-03-18 | United Solar Ovonic Llc | Monolithic photovoltaic module |
| JP2010245255A (en) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Shiraitekku:Kk | Film deposition scribing device for solar cell panel |
| EP2343172A1 (en) | 2010-01-08 | 2011-07-13 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Groove machining tool for use with a thin-film solar cell and an angle regulation structure |
| EP2343173A1 (en) | 2010-01-08 | 2011-07-13 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Groove machining tool for use with a thin-film solar cell |
| EP2352163A2 (en) | 2010-01-27 | 2011-08-03 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Scribing apparatus for thin film solar cells |
| EP2469587A2 (en) | 2010-12-21 | 2012-06-27 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Groove processing tool and groove processing device for thin-film solar cell |
| JP2012146948A (en) * | 2010-12-24 | 2012-08-02 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Patterning device |
| JP2013042153A (en) * | 2009-02-24 | 2013-02-28 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Groove processing method of integrated thin film solar cell |
| CN103029156A (en) * | 2011-09-28 | 2013-04-10 | 三星钻石工业股份有限公司 | Groove processing device for substrate |
| CN104078529A (en) * | 2013-03-26 | 2014-10-01 | 三星钻石工业股份有限公司 | Groove processing tool and groove processing apparatus using the same |
| TWI498295B (en) * | 2012-03-30 | 2015-09-01 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | A trench processing tool and a method for processing a trough of a thin-film solar cell and a trench processing apparatus |
| TWI498298B (en) * | 2012-02-17 | 2015-09-01 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | The groove of the substrate processing tools and groove processing device |
| CN107107382A (en) * | 2014-11-27 | 2017-08-29 | 三星钻石工业股份有限公司 | substrate machining tool |
-
2000
- 2000-07-17 JP JP2000215976A patent/JP2002033498A/en active Pending
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102210027A (en) * | 2008-09-09 | 2011-10-05 | 联合太阳能奥佛有限公司 | Monolithic photovoltaic module |
| WO2010030546A1 (en) * | 2008-09-09 | 2010-03-18 | United Solar Ovonic Llc | Monolithic photovoltaic module |
| JP2013049131A (en) * | 2009-02-24 | 2013-03-14 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Slotting tool, and scribing device for thin film solar cell using the same |
| JP2013056414A (en) * | 2009-02-24 | 2013-03-28 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Slotting tool and scribing device for thin film solar cell using the same |
| JP5269183B2 (en) * | 2009-02-24 | 2013-08-21 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Grooving tool and thin film solar cell scribing apparatus using the same |
| JP2013042153A (en) * | 2009-02-24 | 2013-02-28 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Groove processing method of integrated thin film solar cell |
| JP2010245255A (en) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Shiraitekku:Kk | Film deposition scribing device for solar cell panel |
| EP2343172A1 (en) | 2010-01-08 | 2011-07-13 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Groove machining tool for use with a thin-film solar cell and an angle regulation structure |
| EP2343173A1 (en) | 2010-01-08 | 2011-07-13 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Groove machining tool for use with a thin-film solar cell |
| EP2352163A2 (en) | 2010-01-27 | 2011-08-03 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Scribing apparatus for thin film solar cells |
| EP2352163B1 (en) * | 2010-01-27 | 2017-07-19 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Scribing apparatus for thin film solar cells |
| CN102544201A (en) * | 2010-12-21 | 2012-07-04 | 三星钻石工业股份有限公司 | Groove processing tool for thin-film solar cell and groove processing device using the cell |
| KR101282337B1 (en) * | 2010-12-21 | 2013-07-04 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Groove processsing tool and groove processing device for thin-film solar cell |
| TWI473772B (en) * | 2010-12-21 | 2015-02-21 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | Groove processsing tooland groove processing device for thin-film solar cell |
| EP2469587A2 (en) | 2010-12-21 | 2012-06-27 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Groove processing tool and groove processing device for thin-film solar cell |
| JP2012146948A (en) * | 2010-12-24 | 2012-08-02 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Patterning device |
| CN103029156A (en) * | 2011-09-28 | 2013-04-10 | 三星钻石工业股份有限公司 | Groove processing device for substrate |
| KR101312285B1 (en) | 2011-09-28 | 2013-09-27 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Groove processing device for substrate |
| TWI498298B (en) * | 2012-02-17 | 2015-09-01 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | The groove of the substrate processing tools and groove processing device |
| TWI498295B (en) * | 2012-03-30 | 2015-09-01 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | A trench processing tool and a method for processing a trough of a thin-film solar cell and a trench processing apparatus |
| CN104078529A (en) * | 2013-03-26 | 2014-10-01 | 三星钻石工业股份有限公司 | Groove processing tool and groove processing apparatus using the same |
| CN107107382A (en) * | 2014-11-27 | 2017-08-29 | 三星钻石工业股份有限公司 | substrate machining tool |
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