JP2002033343A - Method for manufacturing electronic component - Google Patents
Method for manufacturing electronic componentInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイオード、トラ
ンジスタ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Larg
e Scale Integration）等の電子部品の製造方法に関す
るBACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a diode, a transistor, an IC (Integrated Circuit), an LSI (Larg).
e Scale Integration) and other electronic component manufacturing methods
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年における半導体素子のパッケージン
グは半導体チップの周辺を樹脂で覆ったものが一般的で
ある。半導体素子のパッケージングは、主として小型化
を図るために技術が進歩してきた側面があり、その封止
形態には、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チッ
プサイズ・パッケージ（ＣＳＰ）、チップオンボード
（ＣＯＢ）、ＴＡＢ、ＱＦＰ、ＰＬＣＣ、ＬＣＤモジュ
ール、フリップチップ、及びＬＥＤモジュール等があ
る。これらの封止形態の内、特にＢＧＡはパッケージ底
面にボールバンプを格子状に配置した表面パッケージを
総称するものであり、ＣＳＰはベアチップとほぼ同じ又
は僅かに大きい寸法のパッケージを総称するものであ
る。これらは何れも、接続用のハンダボールを使ってマ
ザーボードヘ搭載される。2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices are generally packaged by covering the periphery of a semiconductor chip with a resin. The packaging of semiconductor devices has an aspect in which the technology has been advanced mainly for miniaturization, and the sealing form includes a ball grid array (BGA), a chip size package (CSP), and a chip-on-board. (COB), TAB, QFP, PLCC, LCD module, flip chip, LED module and the like. Among these sealing forms, especially BGA is a generic name for a surface package in which ball bumps are arranged in a lattice pattern on the bottom surface of a package, and CSP is a generic name for a package having substantially the same or slightly larger dimensions as a bare chip. . All of these are mounted on a motherboard using solder balls for connection.
【０００３】このように、半導体素子のパッケージング
は外形寸法の小型化を図るという側面から進化してきた
が、半導体素子は電流を流して動作するものであるため
僅かではあるが熱を発するデバイスであり、しかも高度
に集積化されている場合には単位面積当たりの発熱量が
増大する。特に、ＣＰＵ（中央処理装置）等の半導体素
子は高速に動作することが最も重視され、動作周波数の
向上に伴って放熱量が多くなる。よって、ＣＰＵ等の半
導体素子はヒートシンクとファンとを組み合わせて用
い、発生した熱を効率良く発散させることが一般的に行
われている。As described above, the packaging of semiconductor devices has evolved from the aspect of miniaturization of external dimensions. However, since semiconductor devices operate by passing current, they are devices that generate a small amount of heat. In addition, when it is highly integrated, the amount of heat generated per unit area increases. In particular, high-speed operation of semiconductor elements such as a CPU (Central Processing Unit) is of the highest importance, and the amount of heat dissipation increases as the operating frequency increases. Therefore, it is common practice to use a semiconductor element such as a CPU in combination with a heat sink and a fan to efficiently radiate generated heat.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体チッ
プの周辺を樹脂で覆った形態のパッケージングにおいて
は、発熱対としての半導体チップの周辺が熱伝導率がさ
ほど高くない樹脂によって周辺が覆われているため、半
導体チップから発生する熱がパッケージング内部にこも
る傾向がある。パッケージング内部に熱がこもると、信
号伝達速度の遅延等による動作不良や動作の不安定が生
じたり、最悪の場合には故障するという問題がある。By the way, in packaging in which the periphery of a semiconductor chip is covered with a resin, the periphery of the semiconductor chip as a heat generating pair is covered with a resin whose thermal conductivity is not so high. Therefore, heat generated from the semiconductor chip tends to stay inside the packaging. When heat is trapped inside the packaging, there is a problem that operation failure or operation instability occurs due to a delay in signal transmission speed or the like, and in the worst case, a failure occurs.
【０００５】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、半導体チップで生じた熱を外部へ効率良く発散
させることができ、しかも効率よく生産することができ
る電子部品の製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a method of manufacturing an electronic component capable of efficiently dissipating heat generated in a semiconductor chip to the outside and efficiently producing the same. The purpose is to do.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点による電子部品の製造方法は、
表面にポストが形成され裏面にシートが貼付された半導
体基板に対し、当該ポストが形成された半導体基板の表
面から当該シートに至る溝を形成する溝形成工程と、前
記半導体基板の表面に封止樹脂を塗布する第１塗布工程
と、前記シートを前記半導体基板の裏面から除去し、当
該裏面に熱伝導性封止樹脂を塗布する第２塗布工程と、
前記熱伝導性封止樹脂に対して高い熱伝導率を有する金
属板を貼り付ける貼付工程と、前記半導体基板を前記封
止樹脂、前記熱伝導性封止樹脂、及び前記金属板ととも
に切断して個々の電子部品に分離する分離工程とを有す
ることを特徴としている。また、本発明の第２の観点に
よる電子部品の製造方法は、表面にポストが形成された
半導体基板に対し、当該ポストが形成された半導体基板
の表面から所定深さの溝を形成する溝形成工程と、前記
半導体基板の表面に封止樹脂を塗布する第１塗布工程
と、前記半導体基板の裏面を研磨して前記溝内の封止樹
脂を露出させる研磨工程と、前記研磨工程を経た半導体
基板の裏面に熱伝導性封止樹脂を塗布する第２塗布工程
と、前記熱伝導性封止樹脂に対して高い熱伝導率を有す
る金属板を貼り付ける貼付工程と、前記半導体基板を前
記封止樹脂、前記熱伝導性封止樹脂、及び前記金属板と
ともに切断して個々の電子部品に分離する分離工程とを
有することを特徴としている。また、本発明の第３の観
点による電子部品の製造方法は、表面にポストが形成さ
れた半導体基板の当該表面に封止樹脂を塗布する第１塗
布工程と、前記半導体基板の裏面から前記半導体基板の
表面に塗布された封止樹脂に至る溝を形成する溝形成工
程と、前記溝が形成された半導体基板の裏面に熱伝導性
封止樹脂を塗布する第２塗布工程と、前記熱伝導性封止
樹脂に対して高い熱伝導率を有する金属板を貼り付ける
貼付工程と、前記半導体基板を前記封止樹脂、前記熱伝
導性封止樹脂、及び前記金属板とともに切断して個々の
電子部品に分離する分離工程とを有することを特徴とし
ている。また、本発明の第４の観点による電子部品の製
造方法は、前記第１塗布工程と前記溝形成工程との間
に、前記半導体基板の裏面を研磨して前記半導体基板の
薄型化を行う薄型化工程を更に有することを特徴として
いる。また、本発明の第１の観点から第４の観点による
電子部品の製造方法は、前記第１塗布工程によって塗布
された封止樹脂を硬化させる工程を更に有することを特
徴としている。ここで、硬化した前記封止樹脂を研磨
し、前記ポストを露出させる工程を更に有することを特
徴としている。また、上記の半導体製造方法は、前記第
２塗布工程によって塗布された封止樹脂を硬化させる工
程を更に有することを特徴とし、更に前記分離工程前に
前記ポストに対して接続ボールを形成する接続ボール形
成工程を更に有することを特徴とし、更にまた前記封止
樹脂が、前記熱伝導性封止樹脂と同様に熱伝導性を有す
る樹脂であることを特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, a method for manufacturing an electronic component according to a first aspect of the present invention comprises:
A groove forming step of forming a groove extending from the surface of the semiconductor substrate on which the post is formed to the sheet on the semiconductor substrate having a post formed on the front surface and a sheet attached to the back surface, and sealing the semiconductor substrate on the surface of the semiconductor substrate A first application step of applying a resin, a second application step of removing the sheet from the back surface of the semiconductor substrate, and applying a thermally conductive sealing resin to the back surface;
An attaching step of attaching a metal plate having a high thermal conductivity to the heat conductive sealing resin, and cutting the semiconductor substrate together with the sealing resin, the heat conductive sealing resin, and the metal plate. And a separating step of separating the electronic components into individual electronic components. Further, in the method of manufacturing an electronic component according to the second aspect of the present invention, there is provided a groove forming step of forming a groove having a predetermined depth from a surface of a semiconductor substrate having a post formed on a surface of the semiconductor substrate having the post formed thereon. A first coating step of coating a sealing resin on the front surface of the semiconductor substrate, a polishing step of polishing the back surface of the semiconductor substrate to expose the sealing resin in the groove, and a semiconductor having undergone the polishing step A second application step of applying a thermally conductive sealing resin to the back surface of the substrate; an attaching step of attaching a metal plate having a high thermal conductivity to the thermally conductive sealing resin; And a separation step of cutting together with the sealing resin, the heat conductive sealing resin, and the metal plate to separate the electronic components. The method of manufacturing an electronic component according to a third aspect of the present invention includes a first application step of applying a sealing resin to the front surface of the semiconductor substrate having a post formed on the surface, and a method of manufacturing the semiconductor component from the back surface of the semiconductor substrate. A groove forming step of forming a groove reaching the sealing resin applied to the surface of the substrate, a second coating step of applying a heat conductive sealing resin to the back surface of the semiconductor substrate having the groove formed therein, An attaching step of attaching a metal plate having a high thermal conductivity to a conductive sealing resin, and cutting the semiconductor substrate together with the sealing resin, the heat conductive sealing resin, and the metal plate to obtain individual electrons. And a separating step of separating the parts. The method for manufacturing an electronic component according to a fourth aspect of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: polishing the back surface of the semiconductor substrate to reduce the thickness of the semiconductor substrate between the first coating step and the groove forming step. It is characterized by further comprising a conversion step. Further, the method for manufacturing an electronic component according to the first to fourth aspects of the present invention further includes a step of curing the sealing resin applied in the first application step. Here, the method further comprises a step of polishing the cured sealing resin to expose the post. Further, the above-mentioned semiconductor manufacturing method further comprises a step of curing the sealing resin applied in the second applying step, and further comprising a step of forming a connecting ball on the post before the separating step. A ball forming step is further provided, and the sealing resin is a resin having thermal conductivity similarly to the heat conductive sealing resin.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態による電子部品の製造方法について詳細に説明す
る。以下に説明する本発明の実施形態による電子部品の
製造方法においては、例えばマザーボード等の外部の電
気回路と電気的に接続するために設けられる電極として
のポストが表面に形成された半導体素子に対して封止樹
脂を用いてパッケージングを行い、多数の電子部品を形
成する場合について説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for manufacturing an electronic component according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the method for manufacturing an electronic component according to the embodiment of the present invention described below, for example, a semiconductor element having a surface formed with a post as an electrode provided for electrically connecting to an external electric circuit such as a motherboard. A case where packaging is performed using a sealing resin to form a large number of electronic components will be described.
【０００８】〔第１実施形態〕図１は、本発明の第１実
施形態による電子部品の製造方法の工程順を示すフロー
チャートであり、図２及び図３は、本発明の第１実施形
態による電子部品の製造方法を用いて電子部品を製造す
る様子を説明するための図である。尚、以下の説明にお
いては図１に示した工程手順について適宜図２及び図３
を用いて説明する。[First Embodiment] FIG. 1 is a flow chart showing the sequence of steps in a method of manufacturing an electronic component according to a first embodiment of the present invention. FIGS. 2 and 3 are diagrams showing a first embodiment of the present invention. It is a figure for explaining signs that an electronic part is manufactured using a manufacturing method of an electronic part. In the following description, the process steps shown in FIG.
This will be described with reference to FIG.
【０００９】まず、本実施形態においては、図２
（ａ），（ｂ）に示すように、表面に多数のポスト１２
が形成された半導体基板１０の裏面にシート１４を貼付
したものを用いる。このシート１４は、詳細は後述する
が半導体基板１０に溝を形成した際に半導体基板１０が
個々に離散するのを防止するとともに、半導体基板１０
の表面に封止樹脂を印刷する際に、印刷した封止樹脂の
漏れを防ぐために半導体基板１０の裏面に貼付される。
尚、シート１４は印刷した封止樹脂を高温下で硬化させ
る場合には、樹脂硬化温度に耐え得るものが用いられ
る。First, in this embodiment, FIG.
As shown in (a) and (b), a large number of posts 12 are provided on the surface.
The semiconductor substrate 10 on which the sheet 14 is attached on the back surface is used. The sheet 14 prevents the semiconductor substrates 10 from being individually separated when grooves are formed in the semiconductor substrate 10, as will be described in detail later.
When the sealing resin is printed on the front surface of the semiconductor substrate 10, the sealing resin is attached to the back surface of the semiconductor substrate 10 in order to prevent leakage of the printed sealing resin.
When the printed sealing resin is cured at a high temperature, a sheet that can withstand the resin curing temperature is used as the sheet 14.
【００１０】処理が開始すると、表面にポスト１２が形
成され、裏面にシート１４が貼付された半導体基板１０
に対し、切断機１６を用いて表面側から裏面に貼付され
たシート１４に至る溝１８を形成する工程が行われる
（工程Ｓ１０）。図２（ａ）は、半導体基板１０の表面
から裏面に至る溝を形成する様子を示す断面図である。
切断機１６は、例えば０．０５〜０．４ｍｍの幅を有す
る溝を形成するものが用いられる。半導体基板１０の表
面には、多数の半導体チップが格子状に形成されている
ため、溝１８は個々の半導体チップの周囲を取り囲むよ
うに形成される。When the process is started, the semiconductor substrate 10 having the post 12 formed on the front surface and the sheet 14 adhered to the back surface is formed.
Then, a step of forming a groove 18 from the front side to the sheet 14 attached to the back side using the cutting machine 16 is performed (step S10). FIG. 2A is a cross-sectional view illustrating a state in which a groove from the front surface to the back surface of the semiconductor substrate 10 is formed.
As the cutting machine 16, for example, a machine that forms a groove having a width of 0.05 to 0.4 mm is used. Since a large number of semiconductor chips are formed in a grid on the surface of the semiconductor substrate 10, the grooves 18 are formed so as to surround the individual semiconductor chips.
【００１１】半導体基板１０に溝１８が形成されると、
溝１８が形成された半導体基板１０を図示しない樹脂印
刷機に設けられたチャンバ内に配置し、真空下において
ポスト１２及び溝１８が形成された半導体基板１０表面
に対して封止樹脂２０を印刷する工程が行われる（工程
Ｓ１２）。図２（ｂ）は、ポスト１２及び溝１８が形成
された半導体基板１０表面に対して封止樹脂２０を印刷
する様子を示す断面図である。When the groove 18 is formed in the semiconductor substrate 10,
The semiconductor substrate 10 in which the groove 18 is formed is placed in a chamber provided in a resin printing machine (not shown), and the sealing resin 20 is printed on the surface of the semiconductor substrate 10 in which the post 12 and the groove 18 are formed under vacuum. Is performed (step S12). FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating a state in which the sealing resin 20 is printed on the surface of the semiconductor substrate 10 on which the posts 12 and the grooves 18 are formed.
【００１２】封止樹脂２０の印刷は、半導体基板１０の
直径よりも僅かに小さい径の孔が形成された図示しない
印刷用の孔版と孔版上を摺動するスキージとを用いて行
われる。尚、封止樹脂２０は液状のものであり、硬化後
に半導体基板１０の反りが極めて少なくなるよう抑えら
れるものが好ましい。例えば、直径が８インチであり、
厚さが４００μｍの半導体基板の表面に封止樹脂を印刷
し、この封止樹脂を硬化させたときに、半導体基板１０
の反りが１ｍｍ以下であることが好ましい。封止樹脂２
０としては、熱伝導性の高いものを用いることが効率よ
い熱発散の観点からは好ましい。Printing of the sealing resin 20 is performed by using a printing stencil (not shown) having a hole slightly smaller in diameter than the diameter of the semiconductor substrate 10 and a squeegee sliding on the stencil. Note that the sealing resin 20 is in a liquid state, and is preferably one that can suppress the warpage of the semiconductor substrate 10 after curing to be extremely small. For example, if the diameter is 8 inches,
When a sealing resin is printed on the surface of a semiconductor substrate having a thickness of 400 μm and the sealing resin is cured, the semiconductor substrate 10
Is preferably 1 mm or less. Sealing resin 2
As 0, it is preferable to use a material having high thermal conductivity from the viewpoint of efficient heat dissipation.
【００１３】印刷を行う際には、まず、半導体基板１０
の上面に孔版を接触させて配置する。このとき、孔版に
形成された孔が半導体素子１０表面に形成された半導体
チップの上方に位置するよう孔版を配置する。つまり、
孔版が半導体チップを覆わないよう孔版を配置する。次
に、孔版上に封止樹脂２０を滴下し、スキージを孔版の
面に沿って摺動させる。スキージを摺動させることによ
り、封止樹脂２０が孔版に形成された孔内に流入すると
ともに、孔内に流入した封止樹脂２０の上面が孔版と同
一の高さになり、且つ上面が平坦となる。このとき、半
導体基板１０に形成された溝１８内部に封止樹脂が充填
される。When printing, first, the semiconductor substrate 10
The stencil is placed in contact with the upper surface of. At this time, the stencil is arranged so that the hole formed in the stencil is located above the semiconductor chip formed on the surface of the semiconductor element 10. That is,
The stencil is arranged so that the stencil does not cover the semiconductor chip. Next, the sealing resin 20 is dropped on the stencil, and the squeegee is slid along the surface of the stencil. By sliding the squeegee, the sealing resin 20 flows into the holes formed in the stencil, the upper surface of the sealing resin 20 flowing into the holes becomes the same height as the stencil, and the upper surface is flat. Becomes At this time, the sealing resin fills the inside of the groove 18 formed in the semiconductor substrate 10.
【００１４】尚、工程Ｓ１２においてなされる印刷は、
１回の印刷のみに制限される訳ではなく、１枚の半導体
基板１０に対して複数回行っても良い。また、封止樹脂
２０の印刷は、真空下において行うことが好ましいが、
大気圧下で行うことが不可能な訳ではない。大気圧下で
印刷を行う場合には、加熱しながら印刷を行うことが好
ましい。なぜならば、印刷を行う際に封止樹脂２０に巻
き込まれる気泡が抜け易くなるからである。また、封止
樹脂２０の印刷を行う際には、圧力差を用いて封止樹脂
２０を溝１８内に充填することができる真空印刷機を用
いるのが好ましい。The printing performed in step S12 is as follows.
The printing is not limited to only one printing, but may be performed a plurality of times for one semiconductor substrate 10. The printing of the sealing resin 20 is preferably performed under vacuum,
It is not impossible to do it at atmospheric pressure. When printing is performed under atmospheric pressure, it is preferable to perform printing while heating. This is because air bubbles that are caught in the sealing resin 20 during printing are easily released. When printing the sealing resin 20, it is preferable to use a vacuum printer that can fill the groove 18 with the sealing resin 20 using a pressure difference.
【００１５】封止樹脂２０の印刷が終了すると、印刷し
た封止樹脂２０を硬化させ、硬化後にポスト１２が露出
するまで封止樹脂２０を研磨する工程が行われる（工程
Ｓ１４）。図２（ｃ）は、封止樹脂２０を研磨してポス
ト１２が露出した様子を示す断面図である。封止樹脂２
０がポスト１２を覆っていると、半導体チップとマザー
ボード等の外部の回路とを電気的に接続することができ
ないため、電極としてのポスト１２を露出させる目的で
この工程が設けられる。When printing of the sealing resin 20 is completed, a step of curing the printed sealing resin 20 and polishing the sealing resin 20 until the post 12 is exposed after the curing is performed (step S14). FIG. 2C is a cross-sectional view showing a state where the post 12 is exposed by polishing the sealing resin 20. Sealing resin 2
If 0 covers the post 12, the semiconductor chip cannot be electrically connected to an external circuit such as a motherboard. Therefore, this step is provided for the purpose of exposing the post 12 as an electrode.
【００１６】尚、印刷した封止樹脂２０を硬化するに
は、例えば熱風乾燥機（図示省略）を用いて封止樹脂２
０を乾燥することにより行う。封止樹脂２０を硬化させ
る場合には、熱風乾燥機の温度を１００〜１５０℃に設
定するとともに、乾燥時間を１〜３時間に設定して開始
するが、乾燥を開始する際に、加える圧力を５×１０5
〜２×１０6ｐａに設定して少なくとも封止樹脂２０が
ゲル化するまでの間加圧硬化を行う。更に、溝１８内に
おける封止樹脂２０の充填性をより高いものとするため
に、印刷後に行われるこの工程において、大気圧よりも
高い圧力をかけて封止樹脂２０を硬化させる、いわゆる
加圧硬化を行うことが好ましい。In order to cure the printed sealing resin 20, for example, a hot air drier (not shown) is used to seal the sealing resin 2.
0 by drying. When the sealing resin 20 is cured, the temperature of the hot air dryer is set to 100 to 150 ° C., and the drying time is set to 1 to 3 hours. To 5 × 10 5
The pressure is set to about 2 × 10 6 pa and pressure curing is performed at least until the sealing resin 20 is gelled. Further, in order to further enhance the filling property of the sealing resin 20 in the groove 18, in this step performed after printing, a pressure higher than the atmospheric pressure is applied to cure the sealing resin 20, that is, a so-called pressurization. Preferably, curing is performed.
【００１７】以上の工程が終了して印刷した封止樹脂２
０が硬化すると、半導体基板１０の裏面に貼付されたシ
ート１４は不要なものとなるため、シート１４を除去す
る工程が行われる（工程Ｓ１６）。シート１４が除去さ
れると、半導体基板１０の裏面に熱伝導性の高い封止樹
脂２２を塗布する工程が行われる（工程Ｓ１８）。図２
（ｄ）は、半導体基板１０の裏面に熱伝導性の高い封止
樹脂２２を塗布した状態を示す断面図である。The printed sealing resin 2 after the above steps are completed
When 0 is cured, the sheet 14 attached to the back surface of the semiconductor substrate 10 becomes unnecessary, so that a step of removing the sheet 14 is performed (step S16). When the sheet 14 is removed, a step of applying a sealing resin 22 having high thermal conductivity to the back surface of the semiconductor substrate 10 is performed (Step S18). FIG.
FIG. 4D is a cross-sectional view illustrating a state where the sealing resin 22 having high thermal conductivity is applied to the back surface of the semiconductor substrate 10.
【００１８】封止樹脂２２は、液状のエポキシ樹脂と硬
化剤とを組み合わせたものに対して、フィラーとして熱
伝送率の高い材料、例えばアルミナ、酸化チタン、窒化
アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素等を３０〜９０
ｗｔ％程度配合したものである。熱伝導率の高い封止樹
脂という観点からは、上記のフィラーが配合されたもの
を用いれば良いが、更に封止樹脂の硬化収縮や熱膨張を
抑えるために、シリカを併用することが好ましい。この
場合、樹脂成分に対してフィラーを５０〜９５ｗｔ％程
度配合し、このフィラー中のシリカの割合を３０〜８０
％とするのが好ましい。尚、封止樹脂２０及び封止樹脂
２２の何れもが高い熱伝導率を有することが熱を効率よ
く発散させるという観点からは好ましいが、少なくとも
封止樹脂２２が高い熱伝導率を有すれば良い。The sealing resin 22 is made of a material having a high heat transfer coefficient, such as alumina, titanium oxide, aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, etc., as a filler with respect to a combination of a liquid epoxy resin and a curing agent. 30-90
It is blended at about wt%. From the viewpoint of a sealing resin having a high thermal conductivity, a resin containing the above filler may be used. However, in order to further suppress curing shrinkage and thermal expansion of the sealing resin, it is preferable to use silica in combination. In this case, a filler is blended in an amount of about 50 to 95 wt% with respect to the resin component, and the proportion of silica in the filler is 30 to 80%
% Is preferable. Note that it is preferable that both the sealing resin 20 and the sealing resin 22 have high thermal conductivity from the viewpoint of efficiently dissipating heat, but if at least the sealing resin 22 has high thermal conductivity, good.
【００１９】封止樹脂２２の塗布が完了すると、封止樹
脂２２が硬化する前に封止樹脂２２に対して金属板２４
を載置してから封止樹脂２２を硬化させて張り合わせる
工程が行われる（工程Ｓ２０）。図３（ａ）は、封止樹
脂２２に金属板２４を張り合わせる工程を説明する断面
図である。この金属板２４は、熱の発散効率を高めるた
めに設けられ、アルミ、銅、ステンレス、鉄等が用いら
れる。尚、軽量であって耐食性があり、しかも安価であ
り、更に加工が容易であって封止樹脂２２との接着性が
高い等の観点から金属板２４としてアルミを用いるのが
好ましい。When the application of the sealing resin 22 is completed, the metal plate 24 is applied to the sealing resin 22 before the sealing resin 22 is cured.
Is placed, and then a step of curing the sealing resin 22 and bonding the pieces together is performed (step S20). FIG. 3A is a cross-sectional view illustrating a step of attaching the metal plate 24 to the sealing resin 22. The metal plate 24 is provided to increase the heat dissipation efficiency, and is made of aluminum, copper, stainless steel, iron, or the like. It is preferable to use aluminum as the metal plate 24 from the viewpoints of being lightweight, having corrosion resistance, being inexpensive, being easy to process, and having high adhesion to the sealing resin 22.
【００２０】封止樹脂２２が硬化して封止樹脂２２と金
属板２４とが張り合わさると、次に工程Ｓ１４において
封止樹脂２０上に露出されたポスト１２上に接続用のハ
ンダボール２６を形成する工程が行われる（工程Ｓ２
２）。図３（ｂ）はポスト１２上にハンダボール２６を
形成する様子を示す断面図である。ハンダボール２６
は、例えばポスト１２が配置されたピッチに応じた径を
有し、図示しないボールマウンタ（図示省略）を用いて
搭載される。When the sealing resin 22 is cured and the sealing resin 22 and the metal plate 24 are bonded to each other, a solder ball 26 for connection is placed on the post 12 exposed on the sealing resin 20 in step S14. The step of forming is performed (step S2).
2). FIG. 3B is a cross-sectional view showing a state where the solder ball 26 is formed on the post 12. Solder ball 26
Has a diameter corresponding to, for example, the pitch at which the posts 12 are arranged, and is mounted using a ball mounter (not shown) (not shown).
【００２１】しかしながら、ポスト１２の配置されたピ
ッチが０．５ｍｍ以下になった場合、径が０．３ｍｍよ
り小さいボールが必要となる。従って、この程度にピッ
チが狭くなった場合には、ボールマウンタを用いてハン
ダボールを搭載するよりも、所定量のハンダペーストを
精度良くポスト１２上に積載し、リフロー（図示省略）
を通してハンダボール２６を形成させた方がより好まし
い。この場合、ハンダペーストをポスト１２上に搭載す
るには、所定の孔版及びスキージを用いて印刷により搭
載することが好ましい。However, when the pitch at which the posts 12 are arranged becomes 0.5 mm or less, a ball having a diameter smaller than 0.3 mm is required. Therefore, when the pitch becomes narrow to this extent, a predetermined amount of solder paste is loaded on the post 12 with higher precision than when solder balls are mounted using a ball mounter, and reflow (not shown).
It is more preferable to form the solder balls 26 through the holes. In this case, in order to mount the solder paste on the post 12, it is preferable to mount the solder paste by printing using a predetermined stencil and a squeegee.
【００２２】最後に、電子半導体素子１０を切断するこ
とにより半導体チップを個々に分離して電子部品２８を
形成する工程が行われる（工程Ｓ２４）。図３（ｃ）
は、半導体チップを個々に分離して電子部品２８を形成
する様子を示す断面図である。半導体チップの分離は、
図示しないダイシング装置によって行う。ダイシング装
置によって切断を行う際には、工程Ｓ１０において形成
した溝１８のほぼ中央部を切断する。このようにして得
られた電子部品は、上下及び４側面が全て封止樹脂２
０，２２によって封止され、封止樹脂２２に金属板２４
が張り合わされた者となる。尚、切断は通常のダイシン
グ装置を用いることができるが、レーザを用いたレーザ
切断装置を用いても良い。また、ダイシング装置の切断
刃の厚みは５〜２００μｍ程度であって、溝の幅より薄
いものである。Finally, a step of cutting the electronic semiconductor element 10 to separate the semiconductor chips individually to form an electronic component 28 is performed (step S24). FIG. 3 (c)
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which a semiconductor chip is individually separated to form an electronic component 28. Separation of semiconductor chips
This is performed by a dicing device (not shown). When cutting is performed by a dicing device, a substantially central portion of the groove 18 formed in step S10 is cut. In the electronic component thus obtained, the top, bottom, and four sides are all sealed resin 2
0, 22 and a metal plate 24
Will be the ones that are stuck. Note that a normal dicing device can be used for cutting, but a laser cutting device using a laser may be used. The thickness of the cutting blade of the dicing device is about 5 to 200 μm, which is smaller than the width of the groove.
【００２３】以上、本発明の第１実施形態による電子部
品の製造方法について説明したが、工程Ｓ１２において
は封止樹脂２０の印刷を行い、工程Ｓ１８においては、
封止樹脂２２を塗布しているが、これらの工程の後に封
止樹脂２０及び封止樹脂２２に混入している気泡を除去
する工程を設けることが好ましい。更に、工程Ｓ１８に
おける封止樹脂２２を塗布する工程においては、工程Ｓ
１２と同様に印刷によって封止樹脂２２を印刷するよう
にすることが好ましい。The method for manufacturing an electronic component according to the first embodiment of the present invention has been described above. In step S12, printing of the sealing resin 20 is performed, and in step S18,
Although the sealing resin 22 is applied, it is preferable to provide a step of removing air bubbles mixed in the sealing resin 20 and the sealing resin 22 after these steps. Further, in the step of applying the sealing resin 22 in step S18,
It is preferable to print the sealing resin 22 by printing in the same manner as in step 12.
【００２４】以上説明した実施形態によれば、半導体チ
ップの周囲に熱伝導率の高い封止樹脂２２を少なくとも
設け、好ましくは封止樹脂２０として高い熱伝導率を有
するものを用い、更に、封止樹脂２２に極めて熱伝導率
の高い金属板２４が張り合わされているので半導体チッ
プで生じた熱を外部へ効率良く発散させることができ
る。更に、半導体チップの周囲全体が封止樹脂２０，２
２によって囲まれるとともに、封止樹脂２２に金属板２
４が貼り付けられた電子部品を安価な設備を用いて簡素
な工程によって製造することができるため、生産効率が
極めて高い。According to the embodiment described above, at least the sealing resin 22 having a high thermal conductivity is provided around the semiconductor chip, preferably, a sealing resin 20 having a high thermal conductivity is used. Since the metal plate 24 having extremely high thermal conductivity is bonded to the resin 22, heat generated in the semiconductor chip can be efficiently radiated to the outside. Further, the entire periphery of the semiconductor chip is sealed with the sealing resin 20,2.
2 and the metal plate 2
Since the electronic component to which 4 is attached can be manufactured by a simple process using inexpensive equipment, the production efficiency is extremely high.
【００２５】〔第２実施形態〕次に、本発明の第２実施
形態による電子部品の製造方法について説明する。図４
は、本発明の第２実施形態による電子部品の製造方法の
工程順を示すフローチャートであり、図５は、本発明の
第２実施形態による電子部品の製造方法を用いて電子部
品を製造する様子を説明するための図である。尚、以下
の説明においては図４に示した工程手順について適宜図
５を用いて説明する。[Second Embodiment] Next, a method of manufacturing an electronic component according to a second embodiment of the present invention will be described. FIG.
FIG. 5 is a flowchart showing a process sequence of a method for manufacturing an electronic component according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a view showing how an electronic component is manufactured using the method for manufacturing an electronic component according to the second embodiment of the present invention. FIG. In the following description, the process procedure shown in FIG. 4 will be described with reference to FIG.
【００２６】図４に示した本発明の第２実施形態による
電子部品の製造方法が、図１に示した本発明の第１実施
形態による電子部品の製造方法と異なる点は、主に半導
体基板１０の裏面に貼付されたシート１４を用いずに電
子部品を製造する点である。尚、以下の説明において
は、図１に示した処理と重複する部分については説明を
省略する。本実施形態においては、図５（ａ）に示すよ
うに、表面に多数のポスト１２が形成された半導体基板
１０を用いる。即ち、半導体基板１０の裏面には図２
（ａ）、（ｂ）に示したシート１４が貼付されていな
い。The method of manufacturing the electronic component according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 4 is different from the method of manufacturing the electronic component according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. The point is that an electronic component is manufactured without using the sheet 14 attached to the back surface of the electronic component 10. In the following description, the description of the same parts as those shown in FIG. 1 will be omitted. In this embodiment, as shown in FIG. 5A, a semiconductor substrate 10 having a large number of posts 12 formed on the surface is used. That is, on the back surface of the semiconductor substrate 10, FIG.
The sheet 14 shown in (a) and (b) is not attached.
【００２７】処理が開始すると、表面にポスト１２が形
成された半導体基板１０に対し、切断機１６を用いて表
面側から所定の深さを有する溝３０を形成する工程が行
われる（工程Ｓ３０）。この溝３０の深さは処理対象の
半導体基板１０によって異なるが、例えば半導体基板１
０の厚みの２分の１〜５分の４程度の深さである。半導
体基板１０に溝３０が形成されると、溝３０が形成され
た半導体基板１０を図示しない樹脂印刷機に設けられた
チャンバ内に配置し、真空下においてポスト１２及び溝
３０が形成された半導体基板１０表面に対して封止樹脂
２０を印刷する工程が行われる（工程Ｓ１２）。図５
（ｂ）は、ポスト１２及び溝３０が形成された半導体基
板１０表面に対して封止樹脂２０を印刷する様子を示す
断面図である。この工程Ｓ１２は図１に示した工程Ｓ１
２と同様の工程である。When the process is started, a step of forming a groove 30 having a predetermined depth from the front side using the cutting machine 16 is performed on the semiconductor substrate 10 having the post 12 formed on the surface (step S30). . The depth of the groove 30 varies depending on the semiconductor substrate 10 to be processed.
The depth is about 1/2 to 4/5 of the thickness of 0. When the groove 30 is formed in the semiconductor substrate 10, the semiconductor substrate 10 in which the groove 30 is formed is placed in a chamber provided in a resin printing machine (not shown), and the semiconductor in which the post 12 and the groove 30 are formed under vacuum. A step of printing the sealing resin 20 on the surface of the substrate 10 is performed (Step S12). FIG.
FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating a state in which the sealing resin 20 is printed on the surface of the semiconductor substrate 10 on which the posts 12 and the grooves 30 are formed. This step S12 is the same as step S1 shown in FIG.
This is the same step as Step 2.
【００２８】封止樹脂２０の印刷が終了すると、印刷し
た封止樹脂２０を硬化させ、硬化後にポスト１２が露出
するまで封止樹脂２０を研磨する工程が行われる（工程
Ｓ１４）。図５（ｃ）は、封止樹脂２０を研磨してポス
ト１２が露出した様子を示す断面図である。この工程Ｓ
１２は図１に示した工程Ｓ１２と同様の工程である。工
程Ｓ１２の処理が終了すると、溝３０内に充填された封
止樹脂２０が露出するまで、半導体基板１０の裏面を研
磨する工程が行われる（工程Ｓ３２）。この工程Ｓ３２
は、図１中のシート１４を除去する工程Ｓ１６に相当す
る工程である。When the printing of the sealing resin 20 is completed, a step of curing the printed sealing resin 20 and polishing the sealing resin 20 until the post 12 is exposed after the curing is performed (step S14). FIG. 5C is a cross-sectional view illustrating a state in which the post 12 is exposed by polishing the sealing resin 20. This step S
Step 12 is similar to step S12 shown in FIG. When the processing in step S12 is completed, a step of polishing the back surface of the semiconductor substrate 10 is performed until the sealing resin 20 filled in the groove 30 is exposed (step S32). This step S32
Is a step corresponding to step S16 of removing the sheet 14 in FIG.
【００２９】工程Ｓ３２が終了すると、以下図１に示し
た半導体基板１０の裏面に熱伝導性の高い封止樹脂２２
を塗布する工程Ｓ１８、金属板２４を封止樹脂２２に貼
り付ける工程Ｓ２０、ハンダボール２６を形成する工程
Ｓ２２、及び半導体チップを個々に分離する工程Ｓ２４
が順に行われ、電子部品２８が形成される。以上説明し
たように、本発明の第２実施形態は第１実施形態で形成
した電子部品２８と同様な電子部品を形成することがで
きる。When the step S32 is completed, the sealing resin 22 having high heat conductivity is formed on the back surface of the semiconductor substrate 10 shown in FIG.
, A step S20 of attaching the metal plate 24 to the sealing resin 22, a step S22 of forming the solder balls 26, and a step S24 of individually separating the semiconductor chips.
Are performed in order, and the electronic component 28 is formed. As described above, in the second embodiment of the present invention, an electronic component similar to the electronic component 28 formed in the first embodiment can be formed.
【００３０】よって、第１実施形態と同様に、半導体チ
ップの周囲に熱伝導率の高い封止樹脂２２を少なくとも
設け、好ましくは封止樹脂２０として高い熱伝導率を有
するものを用い、更に、封止樹脂２２に極めて熱伝導率
の高い金属板２４が張り合わされているので半導体チッ
プで生じた熱を外部へ効率良く発散させることができ
る。また、半導体チップの周囲全体が封止樹脂２０，２
２によって囲まれるとともに、封止樹脂２２に金属板２
４が貼り付けられた電子部品を安価な設備を用いて簡素
な工程によって製造することができるため、生産効率が
極めて高い。更に、第１実施形態で必須であったシート
１４を用いることなく電子部品２８を製造することがで
きるため、シート１４を用いることができない制限があ
る製造ラインおいても、熱を外部へ効率良く発散させる
ことができる電子部品を効率良く製造することができ
る。Therefore, similarly to the first embodiment, at least the sealing resin 22 having a high thermal conductivity is provided around the semiconductor chip, and preferably, a sealing resin having a high thermal conductivity is used as the sealing resin 20. Since the metal plate 24 having extremely high thermal conductivity is bonded to the sealing resin 22, heat generated in the semiconductor chip can be efficiently radiated to the outside. Further, the entire periphery of the semiconductor chip is formed of the sealing resin 20 or 2.
2 and the metal plate 2
Since the electronic component to which 4 is attached can be manufactured by a simple process using inexpensive equipment, the production efficiency is extremely high. Further, since the electronic component 28 can be manufactured without using the sheet 14 which is indispensable in the first embodiment, heat can be efficiently transferred to the outside even in a production line where there is a limitation that the sheet 14 cannot be used. Electronic components that can be diverged can be efficiently manufactured.
【００３１】〔第３実施形態〕次に、本発明の第３実施
形態による電子部品の製造方法について説明する。図６
は、本発明の第３実施形態による電子部品の製造方法の
工程順を示すフローチャートであり、図７及び図８は、
本発明の第３実施形態による電子部品の製造方法を用い
て電子部品を製造する様子を説明するための図である。
尚、以下の説明においては図６に示した工程手順につい
て適宜図７及び図８を用いて説明する。[Third Embodiment] Next, a method for manufacturing an electronic component according to a third embodiment of the present invention will be described. FIG.
FIG. 7 is a flowchart showing a process sequence of a method of manufacturing an electronic component according to a third embodiment of the present invention.
It is a figure for explaining signs that an electronic part is manufactured using an electronic part manufacturing method by a 3rd embodiment of the present invention.
In the following description, the process procedure shown in FIG. 6 will be described with reference to FIGS.
【００３２】図６に示した本発明の第３実施形態による
電子部品の製造方法が、図１に示した本発明の第１実施
形態による電子部品の製造方法及び図４に示した本発明
の第２実施形態による電子部品の製造方法と根本的に異
なる点は、第１実施形態及び第２実施形態の何れもポス
ト１２が形成された半導体基板１０の表面から溝を形成
していたが、本発明の第３実施形態においては半導体基
板１０の裏面から溝を形成する点である。本実施形態に
おいては、半導体基板１０の裏面から溝を形成するた
め、第１実施形態で用いたシート１４は必要とせずに第
２実施形態と同様に、ポスト１２が形成された半導体基
板１０を用意する。The method of manufacturing an electronic component according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. 6 is different from the method of manufacturing an electronic component according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1 and the present invention shown in FIG. The fundamental difference from the electronic component manufacturing method according to the second embodiment is that in both the first embodiment and the second embodiment, grooves are formed from the surface of the semiconductor substrate 10 on which the posts 12 are formed. The third embodiment of the present invention is that a groove is formed from the back surface of the semiconductor substrate 10. In the present embodiment, since the groove is formed from the back surface of the semiconductor substrate 10, the sheet 14 used in the first embodiment is not required, and the semiconductor substrate 10 on which the post 12 is formed is used similarly to the second embodiment. prepare.
【００３３】処理が開始すると、表面にポスト１２が形
成された半導体基板１０に対して、表面側から封止樹脂
２０を塗布する工程が行われる（工程Ｓ４０）。図７
（ａ）は、半導体基板１０の表面に対して封止樹脂２０
を塗布した状態を示す断面図である。この工程では、図
１に示した工程Ｓ１２と同様に、半導体基板１０を図示
しない樹脂印刷機に設けられたチャンバ内に配置し、真
空下においてポスト１２が形成された半導体基板１０表
面に対して封止樹脂２０を印刷して塗布することが好ま
しい。When the process is started, a step of applying a sealing resin 20 from the front side to the semiconductor substrate 10 having the posts 12 formed on the front side is performed (step S40). FIG.
(A) shows a state in which the sealing resin 20 is applied to the surface of the semiconductor substrate 10.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state where the coating is applied. In this step, as in step S12 shown in FIG. 1, the semiconductor substrate 10 is placed in a chamber provided in a resin printing machine (not shown), and the surface of the semiconductor substrate 10 on which the post 12 is formed is placed under vacuum. Preferably, the sealing resin 20 is printed and applied.
【００３４】封止樹脂２０の塗布が終了すると、塗布し
た封止樹脂２０を硬化させ、硬化後にポスト１２が露出
するまで封止樹脂２０を研磨する工程が行われる（工程
Ｓ４２）。図７（ｂ）は、封止樹脂２０を研磨してポス
ト１２が露出した様子を示す断面図である。尚、この工
程Ｓ４２は、図１に示した工程Ｓ１４と同様の処理を行
う工程である。以上の工程が終了すると、切断機１６を
用いて半導体基板１０の裏面から半導体基板１０の表面
側に塗布した封止樹脂２０に至る溝４０を形成する工程
が行われる（工程Ｓ４４）。図７（ｃ）は、半導体基板
１０の裏面から半導体基板１０の表面側に塗布した封止
樹脂２０に至る溝４０を形成する様子を示す断面図であ
る。When the application of the sealing resin 20 is completed, a step of curing the applied sealing resin 20 and polishing the sealing resin 20 until the post 12 is exposed after the curing is performed (step S42). FIG. 7B is a cross-sectional view illustrating a state in which the post 12 is exposed by polishing the sealing resin 20. Step S42 is a step of performing the same processing as step S14 shown in FIG. When the above steps are completed, a step of forming a groove 40 from the back surface of the semiconductor substrate 10 to the sealing resin 20 applied to the front surface side of the semiconductor substrate 10 using the cutting machine 16 is performed (step S44). FIG. 7C is a cross-sectional view illustrating a state in which a groove 40 extending from the back surface of the semiconductor substrate 10 to the sealing resin 20 applied to the front surface side of the semiconductor substrate 10 is formed.
【００３５】半導体基板１０の裏面から溝４０が形成さ
れると、次に溝４０を形成した半導体基板１０の裏面に
対して熱伝導率が高い封止樹脂２２を塗布する工程が行
われる（工程Ｓ４６）。図８（ａ）は、溝４０を形成し
た半導体基板１０の裏面に対して熱伝導率が高い封止樹
脂２２を塗布する様子を示す断面図である。図８（ａ）
に示したように、塗布された封止樹脂２２は溝４０内に
充填され、溝４０内に充填された封止樹脂２２は半導体
基板１０の表面に塗布された封止樹脂２０に接触すした
状態となる。After the groove 40 is formed from the back surface of the semiconductor substrate 10, a step of applying a sealing resin 22 having high thermal conductivity to the back surface of the semiconductor substrate 10 on which the groove 40 has been formed is performed (step). S46). FIG. 8A is a cross-sectional view showing a state in which the sealing resin 22 having high thermal conductivity is applied to the back surface of the semiconductor substrate 10 in which the groove 40 has been formed. FIG. 8 (a)
As shown in (2), the applied sealing resin 22 is filled in the groove 40, and the sealing resin 22 filled in the groove 40 is in contact with the sealing resin 20 applied on the surface of the semiconductor substrate 10. State.
【００３６】封止樹脂２２の塗布が完了すると、封止樹
脂２２が硬化する前に封止樹脂２２に対して金属板２４
を載置してから封止樹脂２２を硬化させて張り合わせる
工程が行われる（工程Ｓ２０）。この工程は、図１に示
した工程Ｓ２０と同様の処理を行う工程である。図８
（ｂ）は、封止樹脂２２に金属板２４を張り合わせる工
程を説明する断面図である。When the application of the sealing resin 22 is completed, the metal plate 24 is applied to the sealing resin 22 before the sealing resin 22 is cured.
Is placed, and then a step of curing the sealing resin 22 and bonding the pieces together is performed (step S20). This step is a step of performing the same processing as the step S20 shown in FIG. FIG.
FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating a step of attaching a metal plate 24 to the sealing resin 22.
【００３７】以上の工程Ｓ３２が終了すると、ハンダボ
ール２６を形成する工程Ｓ２２、及び半導体チップを個
々に分離する工程Ｓ２４が順に行われ、電子部品２８が
形成される。以上説明したように、本発明の第３実施形
態は第１実施形態及び第２実施形態で形成した電子部品
２８と同様な電子部品を形成することができる。When the above step S32 is completed, a step S22 of forming the solder balls 26 and a step S24 of individually separating the semiconductor chips are sequentially performed, and the electronic component 28 is formed. As described above, the third embodiment of the present invention can form an electronic component similar to the electronic component 28 formed in the first and second embodiments.
【００３８】よって、本発明の第３実施形態によれば、
第１実施形態及び第２実施形態と同様に、半導体チップ
の周囲に熱伝導率の高い封止樹脂２２を少なくとも設
け、好ましくは封止樹脂２０として高い熱伝導率を有す
るものを用い、更に、封止樹脂２２に極めて熱伝導率の
高い金属板２４が張り合わされているので半導体チップ
で生じた熱を外部へ効率良く発散させることができる。
また、半導体チップの周囲全体が封止樹脂２０，２２に
よって囲まれるとともに、封止樹脂２２に金属板２４が
貼り付けられた電子部品を安価な設備を用いて簡素な工
程によって製造することができるため、生産効率が極め
て高い。更に、第１実施形態で必須であったシート１４
を用いることなく電子部品２８を製造することができる
ため、シート１４を用いることができない制限がある製
造ラインおいても、熱を外部へ効率良く発散させること
ができる電子部品を効率良く製造することができる。Therefore, according to the third embodiment of the present invention,
As in the first and second embodiments, at least a sealing resin 22 having a high thermal conductivity is provided around the semiconductor chip, and a sealing resin 20 having a high thermal conductivity is preferably used. Since the metal plate 24 having extremely high thermal conductivity is bonded to the sealing resin 22, heat generated in the semiconductor chip can be efficiently radiated to the outside.
Further, the entire periphery of the semiconductor chip is surrounded by the sealing resins 20 and 22, and the electronic component in which the metal plate 24 is attached to the sealing resin 22 can be manufactured by simple processes using inexpensive equipment. Therefore, the production efficiency is extremely high. Further, the sheet 14 essential in the first embodiment is used.
It is possible to efficiently manufacture electronic components that can efficiently radiate heat to the outside even on a production line where there is a limitation that the sheet 14 cannot be used because the electronic component 28 can be manufactured without using the sheet 14. Can be.
【００３９】〔第４実施形態〕次に、本発明の第４実施
形態による電子部品の製造方法について説明する。図９
は、本発明の第４実施形態による電子部品の製造方法の
工程順を示すフローチャートであり、図１０及び図１１
は、本発明の第４実施形態による電子部品の製造方法を
用いて電子部品を製造する様子を説明するための図であ
る。尚、以下の説明においては図９に示した工程手順に
ついて適宜図１０及び図１１を用いて説明する。[Fourth Embodiment] Next, a method of manufacturing an electronic component according to a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG.
10 is a flowchart showing a process sequence of a method for manufacturing an electronic component according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a diagram for explaining how to manufacture an electronic component using the method for manufacturing an electronic component according to the fourth embodiment of the present invention. In the following description, the process procedure shown in FIG. 9 will be described with reference to FIGS. 10 and 11 as appropriate.
【００４０】図９に示した本発明の第４実施形態による
電子部品の製造方法は、図６に示した本発明の第３実施
形態による電子部品の製造方法と基本的には同一の工程
を有しているが、図９に示したように、工程Ｓ４２と工
程Ｓ４４との間に半導体基板１０の裏面を研磨する工程
を設けている点が異なる。本実施形態においては第３実
施形態と同様に、シート１４は必要とせずにポスト１２
が形成された半導体基板１０を用意する。The method of manufacturing an electronic component according to the fourth embodiment of the present invention shown in FIG. 9 basically includes the same steps as the method of manufacturing an electronic component according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. However, as shown in FIG. 9, the difference is that a step of polishing the back surface of the semiconductor substrate 10 is provided between step S42 and step S44. In the present embodiment, similarly to the third embodiment, the post 14 is not necessary and the post 12 is required.
The semiconductor substrate 10 on which is formed is prepared.
【００４１】処理が開始すると、表面にポスト１２が形
成された半導体基板１０に対して、表面側から封止樹脂
２０を塗布する工程が行われる（工程Ｓ４０）。図１０
（ａ）は、半導体基板１０の表面に対して封止樹脂２０
を塗布した状態を示す断面図である。この工程では、図
１に示した工程Ｓ１２と同様に、半導体基板１０を図示
しない樹脂印刷機に設けられたチャンバ内に配置し、真
空下においてポスト１２が形成された半導体基板１０表
面に対して封止樹脂２０を印刷して塗布することが好ま
しい。When the processing is started, a step of applying a sealing resin 20 from the front side to the semiconductor substrate 10 having the posts 12 formed on the front side is performed (step S40). FIG.
(A) shows a state in which a sealing resin 20
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state where the coating is applied. In this step, as in step S12 shown in FIG. 1, the semiconductor substrate 10 is placed in a chamber provided in a resin printing machine (not shown), and the surface of the semiconductor substrate 10 on which the post 12 is formed is placed under vacuum. Preferably, the sealing resin 20 is printed and applied.
【００４２】封止樹脂２０の塗布が終了すると、塗布し
た封止樹脂２０を硬化させ、硬化後にポスト１２が露出
するまで封止樹脂２０を研磨する工程が行われる（工程
Ｓ４２）。図１０（ｂ）は、封止樹脂２０を研磨してポ
スト１２が露出した様子を示す断面図である。尚、この
工程Ｓ４２は、図１に示した工程Ｓ１４と同様の処理を
行う工程である。以上の工程が終了すると、半導体基板
１０の裏面を研磨して半導体基板１０そのものを薄くす
る工程が行われる（工程Ｓ５０）。この工程は電子部品
の小型化（薄型化）のために設けられる工程であって、
製造される電子部品をマザーボード等の基板上に実装し
た際に高さの制限が要求される電子部品を製造する際に
行われる工程である。図１０（ｃ）は、半導体基板１０
の裏面を研磨した状態を示す断面図である。When the application of the sealing resin 20 is completed, a step of curing the applied sealing resin 20 and polishing the sealing resin 20 until the post 12 is exposed after the curing is performed (step S42). FIG. 10B is a cross-sectional view illustrating a state in which the post 12 is exposed by polishing the sealing resin 20. Step S42 is a step of performing the same processing as step S14 shown in FIG. When the above steps are completed, a step of polishing the back surface of the semiconductor substrate 10 to make the semiconductor substrate 10 thinner is performed (step S50). This step is a step provided for downsizing (thinning) electronic components.
This is a process that is performed when an electronic component to be manufactured is mounted on a substrate such as a motherboard, and is required to have a height restriction. FIG. 10C shows the semiconductor substrate 10.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which the back surface of FIG.
【００４３】次に、切断機１６を用いて半導体基板１０
の裏面から半導体基板１０の表面側に塗布した封止樹脂
２０に至る溝４０を形成する工程が行われる（工程Ｓ４
４）。図１１（ｃ）は、半導体基板１０の裏面から半導
体基板１０の表面側に塗布した封止樹脂２０に至る溝４
０を形成する様子を示す断面図である。半導体基板１０
の裏面から溝４０が形成されると、次に溝４０を形成し
た半導体基板１０の裏面に対して熱伝導率が高い封止樹
脂２２を塗布する工程が行われる（工程Ｓ４６）。図１
１（ａ）は、溝４０を形成した半導体基板１０の裏面に
対して熱伝導率が高い封止樹脂２２を塗布する様子を示
す断面図である。以上の工程が終了すると、金属板２４
を封止樹脂２２に張り合わせる工程Ｓ２０。ハンダボー
ル２６を形成する工程Ｓ２２、及び半導体チップを個々
に分離する工程Ｓ２４が順に行われ、電子部品２８が形
成される。以上説明したように、本発明の第４実施形態
は第１実施形態〜第３実施形態で形成した電子部品２８
と同様な電子部品を形成することができる。Next, the semiconductor substrate 10 is
Forming a groove 40 extending from the back surface to the sealing resin 20 applied to the front surface side of the semiconductor substrate 10 is performed.
4). FIG. 11C shows a groove 4 extending from the back surface of the semiconductor substrate 10 to the sealing resin 20 applied on the front surface side of the semiconductor substrate 10.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state of forming 0. Semiconductor substrate 10
After the groove 40 is formed from the back surface of the semiconductor substrate 10, a step of applying the sealing resin 22 having high thermal conductivity to the back surface of the semiconductor substrate 10 on which the groove 40 has been formed is performed (step S46). Figure 1
FIG. 1A is a cross-sectional view showing a state in which a sealing resin 22 having high thermal conductivity is applied to the back surface of the semiconductor substrate 10 in which the groove 40 is formed. When the above steps are completed, the metal plate 24
Step S20 of bonding to the sealing resin 22. The step S22 of forming the solder balls 26 and the step S24 of individually separating the semiconductor chips are sequentially performed, and the electronic component 28 is formed. As described above, the fourth embodiment of the present invention relates to the electronic component 28 formed in the first to third embodiments.
An electronic component similar to the above can be formed.
【００４４】よって、本発明の第４実施形態によれば、
第１実施形態〜第３実施形態と同様に、半導体チップの
周囲に熱伝導率の高い封止樹脂２２を少なくとも設け、
好ましくは封止樹脂２０として高い熱伝導率を有するも
のを用い、更に、封止樹脂２２に極めて熱伝導率の高い
金属板２４が張り合わされているので半導体チップで生
じた熱を外部へ効率良く発散させることができる。ま
た、半導体チップの周囲全体が封止樹脂２０，２２によ
って囲まれるとともに、封止樹脂２２に金属板２４が貼
り付けられた電子部品を安価な設備を用いて簡素な工程
によって製造することができるため、生産効率が極めて
高い。更に、第１実施形態で必須であったシート１４を
用いることなく電子部品２８を製造することができるた
め、シート１４を用いることができない制限がある製造
ラインおいても、熱を外部へ効率良く発散させることが
できる電子部品を効率良く製造することができる。更
に、第４実施形態によれば、製造される電子部品の薄型
化を図ることができるため、高さ制限が要求される電子
部品を製造する際には、好適である。Therefore, according to the fourth embodiment of the present invention,
As in the first to third embodiments, at least the sealing resin 22 having high thermal conductivity is provided around the semiconductor chip,
Preferably, a resin having a high thermal conductivity is used as the sealing resin 20. Further, since a metal plate 24 having a very high thermal conductivity is bonded to the sealing resin 22, heat generated in the semiconductor chip can be efficiently transferred to the outside. Can diverge. Further, the entire periphery of the semiconductor chip is surrounded by the sealing resins 20 and 22, and the electronic component in which the metal plate 24 is attached to the sealing resin 22 can be manufactured by simple processes using inexpensive equipment. Therefore, the production efficiency is extremely high. Further, since the electronic component 28 can be manufactured without using the sheet 14 which is indispensable in the first embodiment, heat can be efficiently transferred to the outside even in a production line where there is a limitation that the sheet 14 cannot be used. Electronic components that can be diverged can be efficiently manufactured. Furthermore, according to the fourth embodiment, it is possible to reduce the thickness of an electronic component to be manufactured, which is suitable for manufacturing an electronic component that requires a height restriction.
【００４５】[0045]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
周囲を封止樹脂で封止した電子部品を製造する際に、一
部を熱伝導性を有する封止樹脂を用いて封止しており、
好ましくは全体を熱伝導性を有する封止樹脂を用いて封
止し、更に熱伝導性封止樹脂に対して高い熱伝導率を有
する金属板を張り合わせているので、内部で生じた熱を
外部へ効率良く発散させることができるという効果があ
る。また、かかる優れた熱発散特性を有する電子部品を
安価な設備を用いて簡素な工程によって製造することが
できるため、生産効率が極めて高いという効果がある。
更に、製造される電子部品の薄型化を図ることができる
ため、優れた熱発散特性を有し、更に高さ制限が要求さ
れる電子部品を製造する際には極めて好適であるという
効果がある。As described above, according to the present invention,
When manufacturing an electronic component whose periphery is sealed with a sealing resin, a part is sealed using a sealing resin having thermal conductivity,
Preferably, the entire structure is sealed using a heat-conductive sealing resin, and a metal plate having a high thermal conductivity is bonded to the heat-conductive sealing resin. There is an effect that the divergence can be efficiently radiated. In addition, since an electronic component having such excellent heat dissipation characteristics can be manufactured by a simple process using inexpensive equipment, there is an effect that production efficiency is extremely high.
Furthermore, since the electronic component to be manufactured can be made thinner, it has an excellent heat dissipation characteristic and is extremely suitable for manufacturing an electronic component that requires a height restriction. .
【図１】 本発明の第１実施形態による電子部品の製造
方法の工程順を示すフローチャートである。FIG. 1 is a flowchart showing a process order of a method for manufacturing an electronic component according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の第１実施形態による電子部品の製造
方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための
図である。FIG. 2 is a diagram for explaining how to manufacture an electronic component using the method for manufacturing an electronic component according to the first embodiment of the present invention.
【図３】 本発明の第１実施形態による電子部品の製造
方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための
図である。FIG. 3 is a diagram for explaining how to manufacture an electronic component using the method for manufacturing an electronic component according to the first embodiment of the present invention.
【図４】 本発明の第２実施形態による電子部品の製造
方法の工程順を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart illustrating a process order of a method for manufacturing an electronic component according to a second embodiment of the present invention.
【図５】 本発明の第２実施形態による電子部品の製造
方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための
図である。FIG. 5 is a view for explaining how to manufacture an electronic component using the method for manufacturing an electronic component according to the second embodiment of the present invention.
【図６】 本発明の第３実施形態による電子部品の製造
方法の工程順を示すフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart illustrating a process sequence of a method of manufacturing an electronic component according to a third embodiment of the present invention.
【図７】 本発明の第３実施形態による電子部品の製造
方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための
図である。FIG. 7 is a view for explaining how to manufacture an electronic component using the method for manufacturing an electronic component according to the third embodiment of the present invention.
【図８】 本発明の第３実施形態による電子部品の製造
方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための
図である。FIG. 8 is a view for explaining how to manufacture an electronic component using the method for manufacturing an electronic component according to the third embodiment of the present invention.
【図９】 本発明の第４実施形態による電子部品の製造
方法の工程順を示すフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart showing a process sequence of a method of manufacturing an electronic component according to a fourth embodiment of the present invention.
【図１０】 本発明の第４実施形態による電子部品の製
造方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するため
の図である。FIG. 10 is a diagram for explaining how to manufacture an electronic component using the method for manufacturing an electronic component according to the fourth embodiment of the present invention.
【図１１】 本発明の第４実施形態による電子部品の製
造方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するため
の図である。FIG. 11 is a diagram for explaining how to manufacture an electronic component using the method for manufacturing an electronic component according to the fourth embodiment of the present invention.
１０ 半導体基板 １２ ポスト １４ シート １８，３０，４０ 溝 ２０ 封止樹脂 ２２ 封止樹脂（熱伝導性封止樹脂） ２４ 金属板 ２６ ハンダボール（接続ボール） ２８ 電子部品 REFERENCE SIGNS LIST 10 semiconductor substrate 12 post 14 sheet 18, 30, 40 groove 20 sealing resin 22 sealing resin (thermally conductive sealing resin) 24 metal plate 26 solder ball (connection ball) 28 electronic component
Claims (9)
貼付された半導体基板に対し、当該ポストが形成された
半導体基板の表面から当該シートに至る溝を形成する溝
形成工程と、 前記半導体基板の表面に封止樹脂を塗布する第１塗布工
程と、 前記シートを前記半導体基板の裏面から除去し、当該裏
面に熱伝導性封止樹脂を塗布する第２塗布工程と、 前記熱伝導性封止樹脂に対して高い熱伝導率を有する金
属板を貼り付ける貼付工程と、 前記半導体基板を前記封止樹脂、前記熱伝導性封止樹
脂、及び前記金属板とともに切断して個々の電子部品に
分離する分離工程とを有することを特徴とする電子部品
の製造方法。A groove forming step of forming a groove extending from the front surface of the semiconductor substrate on which the post is formed to the sheet on a semiconductor substrate having a post formed on the front surface and a sheet attached to the back surface; A first application step of applying a sealing resin to the surface of the semiconductor substrate; a second application step of removing the sheet from the back surface of the semiconductor substrate and applying a heat conductive sealing resin to the back surface; An attaching step of attaching a metal plate having a high thermal conductivity to the sealing resin, and cutting the semiconductor substrate together with the sealing resin, the heat conductive sealing resin, and the metal plate into individual electronic components. And a separating step of separating.
対し、当該ポストが形成された半導体基板の表面から所
定深さの溝を形成する溝形成工程と、 前記半導体基板の表面に封止樹脂を塗布する第１塗布工
程と、 前記半導体基板の裏面を研磨して前記溝内の封止樹脂を
露出させる研磨工程と、 前記研磨工程を経た半導体基板の裏面に熱伝導性封止樹
脂を塗布する第２塗布工程と、 前記熱伝導性封止樹脂に対して高い熱伝導率を有する金
属板を貼り付ける貼付工程と、 前記半導体基板を前記封止樹脂、前記熱伝導性封止樹
脂、及び前記金属板とともに切断して個々の電子部品に
分離する分離工程とを有することを特徴とする電子部品
の製造方法。2. A groove forming step of forming a groove having a predetermined depth from the surface of the semiconductor substrate on which the post is formed on the semiconductor substrate having the post formed on the surface, and a sealing resin on the surface of the semiconductor substrate. A polishing step of polishing the back surface of the semiconductor substrate to expose the sealing resin in the groove; and applying a thermally conductive sealing resin to the back surface of the semiconductor substrate after the polishing step. A second applying step, an attaching step of attaching a metal plate having a high thermal conductivity to the thermally conductive sealing resin, and the semiconductor substrate, the sealing resin, the thermally conductive sealing resin, A separating step of cutting together with the metal plate to separate into individual electronic components.
当該表面に封止樹脂を塗布する第１塗布工程と、 前記半導体基板の裏面から前記半導体基板の表面に塗布
された封止樹脂に至る溝を形成する溝形成工程と、 前記溝が形成された半導体基板の裏面に熱伝導性封止樹
脂を塗布する第２塗布工程と、 前記熱伝導性封止樹脂に対して高い熱伝導率を有する金
属板を貼り付ける貼付工程と、 前記半導体基板を前記封止樹脂、前記熱伝導性封止樹
脂、及び前記金属板とともに切断して個々の電子部品に
分離する分離工程とを有することを特徴とする電子部品
の製造方法。3. A first application step of applying a sealing resin to the front surface of the semiconductor substrate having a post formed on the front surface, and a step of extending from the back surface of the semiconductor substrate to the sealing resin applied to the front surface of the semiconductor substrate. A groove forming step of forming a groove, a second applying step of applying a thermally conductive sealing resin to the back surface of the semiconductor substrate on which the groove is formed, and a high thermal conductivity with respect to the thermally conductive sealing resin. And a separation step of cutting the semiconductor substrate together with the sealing resin, the heat conductive sealing resin, and the metal plate to separate the semiconductor substrate into individual electronic components. Manufacturing method of electronic parts.
間に、前記半導体基板の裏面を研磨して前記半導体基板
の薄型化を行う薄型化工程を更に有することを特徴とす
る請求項３記載の電子部品の製造方法。4. The method according to claim 1, further comprising, between the first coating step and the groove forming step, a step of polishing the back surface of the semiconductor substrate to reduce the thickness of the semiconductor substrate. 3. The method for manufacturing an electronic component according to 3.
止樹脂を硬化させる工程を更に有することを特徴とする
請求項１から請求項４の何れか一項に記載の電子部品の
製造方法。5. The method for manufacturing an electronic component according to claim 1, further comprising a step of curing the sealing resin applied in the first applying step.
ストを露出させる工程を更に有することを特徴とする請
求項５記載の電子部品の製造方法。6. The method for manufacturing an electronic component according to claim 5, further comprising a step of polishing the cured sealing resin to expose the post.
止樹脂を硬化させる工程を更に有することを特徴とする
請求項１から請求項６の何れか一項に記載の電子部品の
製造方法。7. The method for manufacturing an electronic component according to claim 1, further comprising a step of curing the sealing resin applied in the second application step.
続ボールを形成する接続ボール形成工程を更に有するこ
とを特徴とする請求項１から請求項７の何れか一項に記
載の電子部品の製造方法。8. The electronic component according to claim 1, further comprising a connecting ball forming step of forming a connecting ball on the post before the separating step. Production method.
と同様に熱伝導性を有する樹脂であることを特徴とする
請求項１から請求項８の何れか一項に記載の電子部品の
製造方法。9. The electronic device according to claim 1, wherein the sealing resin is a resin having thermal conductivity similarly to the thermal conductive sealing resin. The method of manufacturing the part.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2011040512A (en) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Murata Mfg Co Ltd | Method of manufacturing circuit board |
| JP2011159949A (en) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Headway Technologies Inc | Semiconductor substrate, laminated chip package, semiconductor plate, and methods of manufacturing them |
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-
2000
- 2000-07-18 JP JP2000217999A patent/JP3459622B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6975036B2 (en) | 2002-04-01 | 2005-12-13 | Nec Electronics Corporation | Flip-chip semiconductor device utilizing an elongated tip bump |
| US7579211B2 (en) | 2002-04-01 | 2009-08-25 | Nec Electronics Corporation | Flip-chip semiconductor device utilizing an elongated tip bump |
| US8736047B2 (en) | 2006-03-29 | 2014-05-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9917010B2 (en) | 2006-03-29 | 2018-03-13 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor device manufacturing method |
| JP2011040512A (en) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Murata Mfg Co Ltd | Method of manufacturing circuit board |
| JP2011159949A (en) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Headway Technologies Inc | Semiconductor substrate, laminated chip package, semiconductor plate, and methods of manufacturing them |
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