JP2002025495A - Electron shower device for ion-implantation apparatus - Google Patents
Electron shower device for ion-implantation apparatusInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スにおいて半導体ウエハに不純物層を形成する際に用い
られるイオン注入装置に関するもので、特に、イオンに
より帯電した半導体ウエハを中和するためのイオン注入
装置用エレクトロンシャワー装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implantation apparatus used for forming an impurity layer on a semiconductor wafer in a semiconductor manufacturing process, and more particularly to an ion implantation apparatus for neutralizing a semiconductor wafer charged by ions. The present invention relates to an electron shower device for a device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体ウエハに不純物層を形成す
る方法として、例えばイオン注入方法が用いられてい
る。この方法は、イオン注入装置を用いてイオン源から
引き出されたイオンビームを半導体ウエハに照射し、所
定の質量と電荷を持つイオンを半導体ウエハに注入する
方法である。2. Description of the Related Art Conventionally, for example, an ion implantation method has been used as a method of forming an impurity layer on a semiconductor wafer. In this method, a semiconductor wafer is irradiated with an ion beam extracted from an ion source using an ion implantation apparatus, and ions having a predetermined mass and charge are implanted into the semiconductor wafer.
【０００３】通常、イオン注入を行なう際には、パター
ンが形成されている半導体ウエハを使用する。そのた
め、ＣＭＯＳトランジスタの場合には、半導体ウエハ面
はフィールド絶縁膜、ゲート絶縁膜、フォトレジスト膜
などで覆われた状態となっており、この状態でイオンビ
ームを打ち込みイオン注入を行なっている。Normally, when performing ion implantation, a semiconductor wafer on which a pattern is formed is used. Therefore, in the case of a CMOS transistor, the surface of the semiconductor wafer is covered with a field insulating film, a gate insulating film, a photoresist film, and the like, and an ion beam is implanted in this state to perform ion implantation.
【０００４】ここでは、イオンビームとして、例えば、
燐、砒素などのプラスのイオンビームを半導体ウエハに
注入するイオン注入装置を用いる場合について説明す
る。[0004] Here, as an ion beam, for example,
A case will be described in which an ion implantation apparatus for implanting a positive ion beam of phosphorus, arsenic, or the like into a semiconductor wafer is used.
【０００５】上記のイオン注入装置を使用して、絶縁膜
やフォトレジスト膜が形成されていない半導体ウエハへ
イオン注入を行なう場合には、半導体ウエハを載置する
ディスクがＧＮＤ電位となっているため、半導体ウエハ
がプラスに帯電することはない。しかし、絶縁膜やフォ
トレジスト膜が形成されている半導体ウエハへイオン注
入を行なう場合には、絶縁膜やフォトレジスト膜によっ
て半導体ウエハの表面がディスクと絶縁された状態とな
るため、注入されるプラスのイオンビームによって半導
体ウエハはプラスに帯電（チャージアップ）されること
になる。[0005] When ion implantation is performed on a semiconductor wafer on which an insulating film or a photoresist film is not formed by using the above-described ion implantation apparatus, the disk on which the semiconductor wafer is mounted has a GND potential. In addition, the semiconductor wafer is not positively charged. However, when ion implantation is performed on a semiconductor wafer on which an insulating film or a photoresist film is formed, the surface of the semiconductor wafer is insulated from the disk by the insulating film or the photoresist film. The semiconductor wafer is positively charged (charged up) by the ion beam.
【０００６】その後、イオン注入を続けることによっ
て、半導体ウエハにはさらにプラスの電荷が蓄積され、
ついには絶縁膜の破壊を引き起こし、半導体製品の劣化
を招く原因となる。そのため、従来のイオン注入装置で
は、イオンビーム発生装置と半導体ウエハを載置するデ
ィスクとの間にエレクトロンシャワー装置を設置し、半
導体ウエハにエレクトロンシャワーを供給することによ
って、プラスに帯電した半導体ウエハを中和し、チャー
ジアップを抑制する構造となっている。Thereafter, by continuing the ion implantation, further positive charges are accumulated on the semiconductor wafer,
Eventually, it causes breakdown of the insulating film and causes deterioration of the semiconductor product. Therefore, in a conventional ion implantation apparatus, an electron shower device is installed between an ion beam generator and a disk on which a semiconductor wafer is placed, and an electron shower is supplied to the semiconductor wafer, so that a positively charged semiconductor wafer is removed. It has a structure that neutralizes and suppresses charge-up.
【０００７】このチャージアップを抑制するためのエレ
クトロンシャワー装置について、図面を用いて説明す
る。図３は、従来のエレクトロンシャワー装置の概略構
成図である。An electron shower device for suppressing the charge-up will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a conventional electron shower device.
【０００８】図３に示されるエレクトロンシャワー装置
は、イオンビーム発生装置（図示せず）と半導体ウエハ
７を載置するディスク６との間に設置され、ディスク６
に向けて照射されるイオンビーム１１に対し直角方向に
一次電子８を発生させるフィラメントアッセンブリー１
と、イオンビーム１１の通路を包囲するとともに内壁に
一次電子８を衝突させて二次電子９を発生させるターゲ
ット２と、二次電子９を半導体ウエハ７側に到達し易く
するために−１３００Ｖが印加されたバイアスアパチャ
ー５と、ターゲット２を包囲するチルトベローズ３と、
二次電子９を検出する二次電子検出部１０とを含んで構
成されている。そして、ターゲット２から放出された二
次電子９を半導体ウエハ７に供給してチャージアップの
抑制を行なっている。The electron shower device shown in FIG. 3 is installed between an ion beam generator (not shown) and a disk 6 on which a semiconductor wafer 7 is mounted.
Assembly 1 for generating primary electrons 8 in a direction perpendicular to the ion beam 11 irradiated toward the
And the target 2 that surrounds the path of the ion beam 11 and collides the primary electrons 8 against the inner wall to generate secondary electrons 9, and −1300 V is applied to make the secondary electrons 9 easily reach the semiconductor wafer 7 side. An applied bias aperture 5, a tilt bellows 3 surrounding the target 2,
And a secondary electron detector 10 for detecting the secondary electrons 9. Then, the secondary electrons 9 emitted from the target 2 are supplied to the semiconductor wafer 7 to suppress charge-up.
【０００９】しかし、図３に示すように、ターゲット２
から放出された二次電子９は、その一部が半導体ウエハ
７以外のところでＧＮＤ電位に落ちたとしても、二次電
子検出部１０によって全て二次電子９として計測されて
しまうため、実際には、計測されている二次電子９の全
てが半導体ウエハ７に到達しているとは限らない。However, as shown in FIG.
The secondary electrons 9 emitted from are measured as the secondary electrons 9 by the secondary electron detection unit 10 even if a part of the secondary electrons 9 drops to the GND potential in places other than the semiconductor wafer 7. However, not all of the measured secondary electrons 9 reach the semiconductor wafer 7.
【００１０】半導体ウエハ７に到達すべき二次電子９が
変動する主な要因としては、ターゲット２の周辺に設け
られているチルトベローズ３から二次電子９の一部がＧ
ＮＤに落ちることが上げられる。すなわち、イオンビー
ムが照射されたフォトレジストからのアウトガスがチル
トベローズ３の内側に付着し、この付着物が多く存在し
ているところではＧＮＤに落ちる二次電子が少なくな
り、逆に、付着物が少ないところではＧＮＤに落ちる二
次電子が多くなるといった現象が生じるため、このチル
トベローズ３の汚れ状態によって、半導体ウエハ７に到
達する二次電子９が変動することは避けられない問題と
なっていた。The main cause of the fluctuation of the secondary electrons 9 that should reach the semiconductor wafer 7 is that a part of the secondary electrons 9 is generated by the tilt bellows 3 provided around the target 2.
Falling to ND is raised. In other words, the outgas from the photoresist irradiated with the ion beam adheres to the inside of the tilt bellows 3, and in a place where a large amount of this deposit exists, the number of secondary electrons falling to GND decreases, and conversely, the deposit becomes Since a phenomenon occurs in which the number of secondary electrons falling to GND increases in a small number, the secondary electrons 9 reaching the semiconductor wafer 7 fluctuate due to the contamination state of the tilt bellows 3, which has been an unavoidable problem. .
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のエ
レクトロンシャワー装置では、二次電子が全て半導体ウ
エハに到達していないにもかかわらず、全てが到達した
かのように計測されてしまうため、実際の到達量は計測
値よりも少なくなっており、そのため、半導体ウエハの
帯電量を中和し、チャージアップを防止することが充分
になされていなかった。As described above, in the conventional electron shower apparatus, although all secondary electrons have not reached the semiconductor wafer, they are measured as if they had all reached. However, the actual arrival amount is smaller than the measured value, and therefore, it has not been sufficiently performed to neutralize the charge amount of the semiconductor wafer and prevent charge-up.
【００１２】本発明は、この従来の問題点を解決するた
めになされたもので、半導体ウエハに到達する二次電子
の変動をなくし、イオン注入時における半導体ウエハの
帯電を確実に中和し、チャージアップを防止することに
よって信頼性の高い半導体製品を製造することができる
イオン注入装置用エレクトロンシャワー装置を提供する
ものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve this conventional problem, and eliminates fluctuation of secondary electrons reaching a semiconductor wafer, reliably neutralizes the charge of the semiconductor wafer during ion implantation, It is an object of the present invention to provide an electron shower device for an ion implantation device that can manufacture a highly reliable semiconductor product by preventing charge-up.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明のイオン注入装置
用エレクトロンシャワー装置は、半導体ウエハを載置す
るディスクと、ディスクに向けて照射されるイオンビー
ムと直角方向に一次電子を発生させるフィラメントアッ
センブリーと、イオンビームの通路を包囲するとともに
内壁に一次電子を衝突させて二次電子を発生させるター
ゲットと、二次電子を半導体ウエハ側に到達し易くする
ために所定のマイナス電圧が印加されたバイアスアパチ
ャーと、ターゲットを包囲するチルトベローズと、二次
電子を検出する二次電子検出部とを含んで構成されるイ
オン注入装置用エレクトロンシャワー装置において、チ
ルトベローズの内側でターゲットの周囲に、設定通りの
二次電子を半導体ウエハへ供給するためのマイナス電圧
が印加された二次電子輸送用サプレッサーを設けたこと
を特徴とする。According to the present invention, there is provided an electron shower apparatus for an ion implantation apparatus, comprising: a disk on which a semiconductor wafer is mounted; and a filament assembly for generating primary electrons in a direction perpendicular to an ion beam irradiated toward the disk. And a target that surrounds the ion beam path and collides primary electrons with the inner wall to generate secondary electrons, and a bias to which a predetermined negative voltage is applied to make the secondary electrons easily reach the semiconductor wafer side. An aperture, a tilt bellows surrounding the target, and an electron shower device for an ion implanter configured to include a secondary electron detection unit for detecting secondary electrons, around the target inside the tilt bellows, as set. To which a negative voltage is applied to supply secondary electrons to the semiconductor wafer Characterized in that a child transport suppressor.
【００１４】また、前記二次電子輸送用サプレッサー
は、円筒状の筒から構成されていることを特徴とすると
ともに、前記二次電子輸送用サプレッサーは、ＧＮＤと
は絶縁されて設置されていることを特徴とする。Further, the suppressor for transporting secondary electrons is constituted by a cylindrical tube, and the suppressor for transporting secondary electrons is installed so as to be insulated from GND. It is characterized by.
【００１５】また、前記二次電子輸送用サプレッサーに
印加するマイナス電圧値は、二次電子のエネルギーより
も若干大きい電圧値に設定することを特徴とするととも
に、前記二次電子輸送用サプレッサーに印加するマイナ
ス電圧値を可変とすることを特徴とし、前記イオンビー
ムの種類に対応した各イオンビーム電流値に対し、前記
二次電子輸送用サプレッサーに印加するマイナス電圧値
を可変させてそれぞれ最適の二次電子を設定することを
特徴とする。Further, the negative voltage value applied to the secondary electron transport suppressor is set to a voltage value slightly larger than the energy of the secondary electrons, and the negative voltage value applied to the secondary electron transport suppressor is set. The negative voltage value to be applied to the secondary electron transport suppressor is varied for each ion beam current value corresponding to the type of the ion beam. It is characterized in that the next electron is set.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、図面を参照して説明する。図１は本発明のエレク
トロンシャワー装置における第１の実施の形態を示す概
略構成図であり、図２は図１の拡大図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of the electron shower device of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged view of FIG.
【００１７】図１に示すように、本発明のエレクトロン
シャワー装置は、イオンビーム発生装置（図示せず）と
半導体ウエハ７を載置するディスク６との間に設置さ
れ、ディスク６に向けて照射されるイオンビーム１１と
直角方向に一次電子８を発生させるフィラメントアッセ
ンブリー１と、イオンビーム１１の通路を包囲するとと
もに内壁に一次電子８を衝突させて二次電子９を発生さ
せるターゲット２と、二次電子９を半導体ウエハ７側に
到達し易くするために−１３００Ｖの電圧が印加された
バイアスアパチャー５と、ターゲット２を包囲するチル
トベローズ３と、二次電子９を検出する二次電子検出部
（図示せず）とを有し、さらに、チルトベローズ３の内
側でターゲット２の周囲に、設定通りの二次電子９を半
導体ウエハ７へ供給するためのマイナス電圧が印加され
た二次電子輸送用サプレッサー４を設けている。As shown in FIG. 1, the electron shower apparatus of the present invention is installed between an ion beam generator (not shown) and a disk 6 on which a semiconductor wafer 7 is mounted, and irradiates the disk 6. A filament assembly 1 that generates primary electrons 8 in a direction perpendicular to the ion beam 11 to be irradiated; a target 2 that surrounds the path of the ion beam 11 and collides the primary electrons 8 with the inner wall to generate secondary electrons 9; A bias aperture 5 to which a voltage of -1300 V is applied in order to make the secondary electrons 9 easily reach the semiconductor wafer 7 side, a tilt bellows 3 surrounding the target 2, and a secondary electron detector for detecting the secondary electrons 9 (Not shown), and the secondary electrons 9 are supplied to the semiconductor wafer 7 as set up around the target 2 inside the tilt bellows 3. Because the negative voltage is provided secondary electron transport suppressor 4 applied.
【００１８】この二次電子輸送用サプレッサー４は、タ
ーゲット２の周囲に設置された円筒状の筒体で構成さ
れ、二次電子９のエネルギーより若干大きいマイナスの
電圧が印加されている。そして、チルトベローズ３およ
びディスク６の電位がＧＮＤに落ちているのに対し、二
次電子輸送用サプレッサー４はＧＮＤとは絶縁されてい
る。The suppressor 4 for transporting secondary electrons is constituted by a cylindrical body placed around the target 2, and a negative voltage slightly larger than the energy of the secondary electrons 9 is applied. The potential of the tilt bellows 3 and the potential of the disk 6 drop to GND, whereas the suppressor 4 for transporting secondary electrons is insulated from GND.
【００１９】次に、図２を参照して本実施の形態の動作
について説明する。なお、本実施の形態では、燐や砒素
などのプラスのイオンビームを半導体ウエハに注入する
イオン注入装置を用いた場合について説明する。Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIG. In this embodiment mode, a case is described in which an ion implantation apparatus for implanting a positive ion beam of phosphorus, arsenic, or the like into a semiconductor wafer is used.
【００２０】イオンビーム発生装置（図示せず）で発生
させたイオンビーム１１は、ディスク６に搭載された半
導体ウエハ７に向けて照射される。このイオンビーム１
１に対し直角方向に、フィラメントアッセンブリー１か
ら熱電子（一次電子８）を放出し、ターゲット２に衝突
させる。一次電子８の衝突によってターゲット２から電
子（二次電子９）が放出される。この二次電子９は、バ
イアスアパチャー５に−１３００Ｖの電圧が印加されて
いるため、ターゲット２から放出された後、ディスク６
側に到達し易くなっている。An ion beam 11 generated by an ion beam generator (not shown) is applied to a semiconductor wafer 7 mounted on a disk 6. This ion beam 1
Thermionic electrons (primary electrons 8) are emitted from the filament assembly 1 in a direction perpendicular to the direction 1 and collide with the target 2. Electrons (secondary electrons 9) are emitted from the target 2 by the collision of the primary electrons 8. Since the secondary electrons 9 are emitted from the target 2 because a voltage of -1300 V is applied to the bias aperture 5, the secondary electrons 9
It is easier to reach the side.
【００２１】しかし、−１３００Ｖが印加されたバイア
スアパチャー５だけでは、全ての二次電子９を半導体ウ
エハ７に到達させることができず、従来技術の所で述べ
たように、半導体ウエハ７に到達した二次電子９および
チルトベローズ３からＧＮＤに落ちた二次電子９が、と
もに二次電子検出部１０で計測されてしまうのを避ける
ために、本発明では二次電子輸送用サプレッサー４を設
置している。However, all the secondary electrons 9 cannot reach the semiconductor wafer 7 by only the bias aperture 5 to which -1300 V is applied, but reach the semiconductor wafer 7 as described in the prior art. In order to avoid that both the secondary electrons 9 and the secondary electrons 9 dropped from the tilt bellows 3 to GND are measured by the secondary electron detection unit 10, the secondary electron transport suppressor 4 is installed in the present invention. are doing.
【００２２】この二次電子輸送用サプレッサー４に、二
次電子９のエネルギーよりも若干大きいマイナスの電圧
を印加することによって、二次電子９がチルトベローズ
３からＧＮＤに落ちるのを防止することができる。By applying a negative voltage slightly larger than the energy of the secondary electrons 9 to the secondary electron transport suppressor 4, it is possible to prevent the secondary electrons 9 from falling from the tilt bellows 3 to GND. it can.
【００２３】次に、本発明における第２の実施の形態に
ついて、図２を参照して説明する。エレクトロンシャワ
ー装置の構成は、第１の実施の形態と同様であるので説
明は省略する。すなわち、第１の実施の形態におけるエ
レクトロンシャワー装置は、二次電子輸送用サプレッサ
ー４に一定のマイナス電圧を印加してイオン注入を行な
うものであったが、本実施の形態では、二次電子輸送用
サプレッサー４に電圧制御装置（図示せず）を接続し、
二次電子輸送用サプレッサー４に印加するマイナス電圧
値を可変できるようにしたものである。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The configuration of the electron shower device is the same as that of the first embodiment, and a description thereof will be omitted. That is, the electron shower device according to the first embodiment performs ion implantation by applying a constant negative voltage to the suppressor 4 for secondary electron transport. In the present embodiment, however, the electron shower device according to the second embodiment performs secondary ion transport. A voltage controller (not shown) is connected to the suppressor 4 for
The negative voltage value applied to the secondary electron transport suppressor 4 can be changed.
【００２４】こうすることによって、各イオンビーム電
流値に対し、最もチャージアップを抑制できる二次電子
９をそれぞれ設定することが可能となり、チャージアッ
プに対して厳しい製品にもチャージアップの抑制が可能
となる。By doing so, it is possible to set the secondary electrons 9 which can minimize the charge-up for each ion beam current value, and it is possible to suppress the charge-up even for a product which is strict against the charge-up. Becomes
【００２５】[0025]
【発明の効果】本発明のイオン注入装置用エレクトロン
シャワー装置によれば、ターゲットの周囲に円筒状の二
次電子輸送用サプレッサーを設置したことによって、二
次電子がチルトベローズからＧＮＤに落ちるのを防止で
きるようになったので、全ての二次電子を半導体ウエハ
に供給することができる。According to the electron shower device for an ion implanter of the present invention, the cylindrical secondary electron transport suppressor is installed around the target, so that secondary electrons fall from the tilt bellows to GND. As a result, all secondary electrons can be supplied to the semiconductor wafer.
【００２６】これにより、計測した二次電子は全て半導
体ウエハに到達した二次電子であるため、設定通りの二
次電子を半導体ウエハに供給することが可能となり、イ
オン注入時における半導体ウエハの帯電が確実に中和さ
れ、チャージアップを防止できることによって信頼性の
高い半導体製品の製造が可能となる。Thus, since the measured secondary electrons are all secondary electrons that have reached the semiconductor wafer, it is possible to supply the secondary electrons as set to the semiconductor wafer, and to charge the semiconductor wafer during ion implantation. Is reliably neutralized and charge-up can be prevented, so that a highly reliable semiconductor product can be manufactured.
【図１】本発明のエレクトロンシャワー装置の概略構成
図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an electron shower device of the present invention.
【図２】図１の拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of FIG.
【図３】従来のエレクトロンシャワー装置の概略構成図
である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a conventional electron shower device.
１ フィラメントアッセンブリー ２ ターゲット ３ チルトベローズ ４ 二次電子輸送用サプレッサー ５ バイアスアパチャー ６ ディスク ７ 半導体ウエハ ８ 一次電子 ９ 二次電子 １０ 二次電子検出部 １１ イオンビーム DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Filament assembly 2 Target 3 Tilt bellows 4 Secondary electron transport suppressor 5 Bias aperture 6 Disk 7 Semiconductor wafer 8 Primary electron 9 Secondary electron 10 Secondary electron detector 11 Ion beam
Claims (6)
ィスクに向けて照射されるイオンビームと直角方向に一
次電子を発生させるフィラメントアッセンブリーと、イ
オンビームの通路を包囲するとともに内壁に一次電子を
衝突させて二次電子を発生させるターゲットと、二次電
子を半導体ウエハ側に到達し易くするために所定のマイ
ナス電圧が印加されたバイアスアパチャーと、ターゲッ
トを包囲するチルトベローズと、二次電子を検出する二
次電子検出部とを含んで構成されるイオン注入装置用エ
レクトロンシャワー装置において、チルトベローズの内
側でターゲットの周囲に、設定通りの二次電子を半導体
ウエハへ供給するためのマイナス電圧が印加された二次
電子輸送用サプレッサーを設けたことを特徴とするイオ
ン注入装置用エレクトロンシャワー装置。1. A disk on which a semiconductor wafer is mounted, a filament assembly for generating primary electrons in a direction perpendicular to an ion beam irradiated to the disk, and a primary electron surrounding a path of the ion beam and colliding with the inner wall. Detects a target that generates secondary electrons, a bias aperture to which a predetermined negative voltage is applied to make secondary electrons easily reach the semiconductor wafer side, a tilt bellows surrounding the target, and secondary electrons In the electron shower device for an ion implanter configured to include a secondary electron detection unit, a negative voltage for supplying secondary electrons as set to a semiconductor wafer is applied around a target inside a tilt bellows. For an ion implanter, provided with a suppressed secondary electron transport suppressor TRON shower equipment.
筒状の筒から構成されていることを特徴とする請求項１
記載のイオン注入装置用エレクトロンシャワー装置。2. The apparatus according to claim 1, wherein the secondary electron transport suppressor comprises a cylindrical tube.
An electron shower device for an ion implantation device according to the above.
ＮＤとは絶縁されて設置されていることを特徴とする請
求項１記載のイオン注入装置用エレクトロンシャワー装
置。3. The suppressor for transporting secondary electrons, wherein G
2. The electron shower device for an ion implantation device according to claim 1, wherein the electron shower device is installed insulated from the ND.
するマイナス電圧値は、二次電子のエネルギーよりも若
干大きい電圧値に設定することを特徴とする請求項１記
載のイオン注入装置用エレクトロンシャワー装置。4. The electron shower for an ion implantation apparatus according to claim 1, wherein a negative voltage value applied to said secondary electron transport suppressor is set to a voltage value slightly larger than energy of secondary electrons. apparatus.
するマイナス電圧値を可変とすることを特徴とする請求
項１記載のイオン注入装置用エレクトロンシャワー装
置。5. An electron shower apparatus for an ion implantation apparatus according to claim 1, wherein a negative voltage value applied to said secondary electron transport suppressor is variable.
オンビーム電流値に対し、前記二次電子輸送用サプレッ
サーに印加するマイナス電圧値を可変させてそれぞれ最
適の二次電子を設定することを特徴とする請求項５記載
のイオン注入装置用エレクトロンシャワー装置。6. An optimum secondary electron is set by varying a negative voltage value applied to the secondary electron transport suppressor for each ion beam current value corresponding to the type of the ion beam. The electron shower device for an ion implantation device according to claim 5, wherein
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