JP2002025028A - Manufacturing method for wireless suspension blank - Google Patents
Manufacturing method for wireless suspension blankInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、データストレージ
機器であるハードディスクドライブ（以下、ＨＤＤと記
す）等で用いるワイヤレスサスペンションブランクを製
造する技術の分野に属する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention belongs to the field of technology for manufacturing a wireless suspension blank used in a data storage device such as a hard disk drive (hereinafter referred to as an HDD).
【０００２】[0002]
【従来の技術】この種の電子部品用部材の製造方法に関
する従来の技術として、特開２０００−４９１９５に記
載のものがある。この文献には、ＨＤＤ用のワイヤレス
サスペンションブランクの製造方法について具体的な記
載はないが、以下に示す如き電子部品用部材の製造方法
が開示されている。2. Description of the Related Art Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-49195 discloses a conventional technique relating to a method of manufacturing this kind of electronic component member. This document does not specifically describe a method for manufacturing a wireless suspension blank for an HDD, but discloses a method for manufacturing a member for an electronic component as described below.
【０００３】この製造方法では、積層体として、ポリイ
ミドフィルムの両面に積層した金属箔から構成される３
層のものを用いている。そして、この製造方法は、ポリ
イミドフィルムの両面に積層した金属箔上にそれぞれレ
ジストパターンを形成し、両方の金属箔をエッチング液
にて同時にエッチング処理した後、レジストパターンを
剥離してから、片方の金属箔をマスクに利用してプラズ
マエッチングすることでポリイミドフィルムをパターニ
ングし、しかる後に、マスクに使用した金属箔を除去す
ることで、パターニングされたポリイミドフィルムとパ
ターニングされた金属箔との積層体である電子部品用部
材を得るものである。そして、この効果は、製版が一回
でよいので低コストで製造でき、しかもポリイミドフィ
ルムのパターンと金属箔のパターンとが良好な位置精度
を持って積層された高品質のものを得ることができるも
のである。In this manufacturing method, the laminate is made of a metal foil laminated on both sides of a polyimide film.
Layers are used. And this manufacturing method forms a resist pattern on each of the metal foils laminated on both sides of the polyimide film, and after etching both metal foils simultaneously with an etchant, peeling off the resist pattern, and then removing one of the resist patterns. The polyimide film is patterned by plasma etching using the metal foil as a mask, and thereafter, by removing the metal foil used for the mask, a laminate of the patterned polyimide film and the patterned metal foil is formed. An electronic component member is obtained. And this effect can be manufactured at low cost because the plate making only needs to be performed once, and it is possible to obtain a high quality product in which the pattern of the polyimide film and the pattern of the metal foil are laminated with good positional accuracy. Things.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た方法では、使用する３層の積層体が高価であるという
問題点がある。However, the above-mentioned method has a problem that the three-layer laminate used is expensive.
【０００５】また、上記した方法では、３層の積層体に
おけるポリイミドフィルムの両面にある金属箔に対し
て、エッチング液によりエッチングするというウェット
エッチングを行っているため、配線部により細かい加工
精度を要求される場合には、加工が難しいという問題点
がある。In the above method, since the metal foil on both sides of the polyimide film in the three-layer laminate is subjected to wet etching by etching with an etchant, finer processing accuracy is required for the wiring portion. In such a case, there is a problem that processing is difficult.
【０００６】また、上記した方法では、磁気ヘッドの動
作を確認する時等に使用するフライングリード部を両面
露出した状態で形成することができないといった問題点
もある。In addition, the above-described method has a problem that the flying lead portion used for checking the operation of the magnetic head cannot be formed with both surfaces exposed.
【０００７】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、低コスト
で、微細な配線部を形成することができるワイヤレスサ
スペンションブランクの製造方法を提供することにあ
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a wireless suspension blank capable of forming a fine wiring portion at low cost. To provide.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、バネ特性を発現させる金属層と電気的な
絶縁層とからなる２層構成の積層体を用いてワイヤレス
サスペンションブランクを製造する方法であって、前記
絶縁層上にセミアディティブ法により配線部を形成する
第１の工程と、前記金属層をウェットエッチング法によ
り加工する第２の工程と、前記絶縁層をドライエッチン
グ若しくはウェットエッチングにより加工する第３の工
程を含むことを特徴としている。SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a wireless suspension blank using a two-layered laminate composed of a metal layer exhibiting spring characteristics and an electrically insulating layer. A method of manufacturing, wherein a first step of forming a wiring portion on the insulating layer by a semi-additive method, a second step of processing the metal layer by a wet etching method, and dry etching or It is characterized by including a third step of processing by wet etching.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１０】図１は本発明の製造方法を説明するための
もので、ワイヤレスサスペンションブランクの製造方法
の基本的な製造手順を示すフロー図である。FIG. 1 is a flowchart for explaining a manufacturing method of the present invention, and is a flow chart showing a basic manufacturing procedure of a method for manufacturing a wireless suspension blank.
【００１１】本発明では、バネ特性を発現させる金属層
と電気的な絶縁層からなる２層の積層体を用いて、図１
に示すステップによりワイヤレスサスペンションブラン
クを製造する。すなわち、まずステップ１（Ｓ１）で配
線部の形成工程を行い、次いでステップ２（Ｓ２）で金
属層の加工工程を行い、最後にステップ３（Ｓ３）で絶
縁層の加工工程を行う。According to the present invention, a two-layer laminate composed of a metal layer exhibiting a spring characteristic and an electrically insulating layer is used, as shown in FIG.
The wireless suspension blank is manufactured according to the steps shown in FIG. That is, first, a wiring portion forming step is performed in step 1 (S1), then a metal layer processing step is performed in step 2 (S2), and finally, an insulating layer processing step is performed in step 3 (S3).
【００１２】ステップ１では、金属層に積層されている
ポリイミド系樹脂等の絶縁層上に、セミアディティブ法
により銅等の金属をメッキして配線部を形成する。ステ
ップ２では、２層の積層体の一方にあるステンレス（以
下、ＳＵＳと記す）等の金属層をウェットエッチング法
により加工する。ステップ３では、絶縁層をドライエッ
チング又はウェットエッチングにより加工する。これら
３つのステップをこの順で行うことによりワイヤレスサ
スペンションブランクが製造される。このように、本発
明の製造方法では、金属層やポリイミド層が加工されて
いない状態で配線層を初めに形成するため、積層体上に
下地層も均一に形成しやすく、また配線層を精細に加工
しやすい。In step 1, a wiring portion is formed by plating a metal such as copper on an insulating layer such as a polyimide resin laminated on the metal layer by a semi-additive method. In step 2, a metal layer such as stainless steel (hereinafter referred to as SUS) on one of the two-layered laminate is processed by a wet etching method. In step 3, the insulating layer is processed by dry etching or wet etching. By performing these three steps in this order, a wireless suspension blank is manufactured. As described above, in the manufacturing method of the present invention, since the wiring layer is first formed in a state where the metal layer and the polyimide layer are not processed, the underlayer can be easily formed evenly on the laminate, and the wiring layer can be finely formed. Easy to process.
【００１３】図２〜図４はＨＤＤ用のワイヤレスサスペ
ンションブランクの製造手順を示す工程図であり、以下
その各工程を順を追って説明する。FIGS. 2 to 4 are process charts showing a procedure for manufacturing a wireless suspension blank for an HDD, and each of the steps will be described below in order.
【００１４】図２（ａ）は、ＨＤＤ用のワイヤレスサス
ペンションブランクを形成するための積層体１を示すも
のである。この積層体１は、バネ特性を発現させる金属
層２としてのＳＵＳ（ステンレス）の上に絶縁層３を積
層している。この絶縁層３は、コア絶縁層としてのポリ
イミドフィルムと接着剤層とからなるもので、その接着
剤層を介して金属層２とラミネートしてある。具体例と
しては、コア絶縁層として厚さ１２．５μｍのポリイミ
ドフィルム（鐘淵化学株式会社製「ＡＰＩＫＡＬ ＮＰ
Ｉ」）を使用し、接着剤層としてポリイミドワニス（新
日本理化株式会社製「ＥＮ−２０」）を乾燥後の膜厚が
２．５±０．３μｍになるように塗工して接着剤層付き
フィルム（絶縁層）とし、そしてこの接着剤層付きフィ
ルムをＳＵＳ（新日本製鉄製「３０４ＨＴＡ箔」）にラ
ミネートした後、１ＭＰａの圧力をかけ、３００℃で１
０分間、真空圧着して積層体を形成する。FIG. 2A shows a laminate 1 for forming a wireless suspension blank for an HDD. In the laminate 1, an insulating layer 3 is laminated on SUS (stainless steel) as a metal layer 2 exhibiting spring characteristics. The insulating layer 3 includes a polyimide film as a core insulating layer and an adhesive layer, and is laminated with the metal layer 2 via the adhesive layer. As a specific example, a 12.5 μm-thick polyimide film (“APIKAL NP” manufactured by Kanegafuchi Chemical Co., Ltd.) is used as a core insulating layer.
I ") and a polyimide varnish (" EN-20 "manufactured by Nippon Rika Co., Ltd.) as an adhesive layer so that the film thickness after drying is 2.5 ± 0.3 μm. After laminating the film with the adhesive layer on SUS (“304HTA foil” manufactured by Nippon Steel Corporation), applying a pressure of 1 MPa,
Vacuum compression is performed for 0 minutes to form a laminate.
【００１５】この積層体に対し、最初に配線部を形成す
る。そのために、まず図２（ｂ）に示すように、絶縁層
３の上に配線部用の下地層４を形成した状態を示す。こ
の下地層４は、スパッタ、無電界メッキ等により形成す
る。First, a wiring portion is formed on the laminate. For this purpose, first, as shown in FIG. 2B, a state in which an underlayer 4 for a wiring portion is formed on an insulating layer 3 is shown. The underlayer 4 is formed by sputtering, electroless plating, or the like.
【００１６】次に、図２（ｃ）に示すように、下地層４
の上に感光性材料であるドライフィルムレジスト５をラ
ミネートし、そのレジスト５を所定のフォトマスクに従
って露光・現像してパターニングする。具体例として
は、ドライフィルムレジスト（旭化成株式会社製「ＡＱ
−５０３８」）を１００℃でラミネートした後、ＳＵＳ
の下面にラミネートしたレジストを所定のフォトマスク
パターンに従って露光・現像してパターニングする。露
光はｇ線により露光量３０〜６０ｍＪ／ｃｍ2 で行い、
現像は３０℃、１ｗｔ％Ｎａ2 ＣＯ3 でスプレー現像す
る。レジストはドライフィルムレジストが好ましいが、
カゼイン等の液状のレジストを用いてもよい。Next, as shown in FIG.
A dry film resist 5 as a photosensitive material is laminated thereon, and the resist 5 is patterned by exposing and developing according to a predetermined photomask. As a specific example, a dry film resist (“AQ manufactured by Asahi Kasei Corporation”
-5038 ") at 100 ° C and then SUS
The resist laminated on the lower surface is exposed and developed according to a predetermined photomask pattern to be patterned. Exposure is performed at an exposure amount of 30 to 60 mJ / cm 2 by g-ray,
The development is carried out by spray development at 30 ° C. and 1 wt% Na 2 CO 3 . The resist is preferably a dry film resist,
A liquid resist such as casein may be used.
【００１７】次いで、図２（ｄ）に示すように、絶縁層
３の上に形成されている下地層を用い、配線部６となる
アディティブ銅パターンを形成する。その後、ドライフ
ィルムレジスト５を剥離し、下地層４をエッチングして
除去することで、図２（ｅ）に示す如く、絶縁層３上に
配線部６が形成される。Next, as shown in FIG. 2D, an additive copper pattern to be the wiring section 6 is formed using the underlayer formed on the insulating layer 3. Thereafter, the dry film resist 5 is peeled off, and the underlying layer 4 is removed by etching, whereby the wiring section 6 is formed on the insulating layer 3 as shown in FIG.
【００１８】このようにして絶縁層３上に配線部６を形
成した後、絶縁層３の下面にある金属層２の加工を行
う。そのために、まず図３（ａ）に示すように、積層体
１における両方の面にドライフィルムレジスト７，８を
ラミネートした後、金属層２の下面にラミネートしたレ
ジスト８をパターニングする。具体例としては、前記し
たのと同様に、ドライフィルムレジスト（旭化成株式会
社製「ＡＱ−５０３８」）を１００℃でラミネートした
後、ＳＵＳの下面にラミネートしたレジストを所定のフ
ォトマスクパターンに従って露光・現像してパターニン
グする。露光はｇ線により露光量３０〜６０ｍＪ／ｃｍ
2 で行い、現像は３０℃、１ｗｔ％Ｎａ2ＣＯ3 でスプ
レー現像する。レジストはドライフィルムレジストが好
ましいが、カゼイン等の液状のレジストを用いてもよ
い。After forming the wiring portion 6 on the insulating layer 3 in this manner, the metal layer 2 on the lower surface of the insulating layer 3 is processed. For this purpose, first, as shown in FIG. 3A, after laminating dry film resists 7 and 8 on both surfaces of the laminate 1, the resist 8 laminated on the lower surface of the metal layer 2 is patterned. As a specific example, in the same manner as described above, after laminating a dry film resist (“AQ-5038” manufactured by Asahi Kasei Corporation) at 100 ° C., the resist laminated on the lower surface of the SUS is exposed and exposed according to a predetermined photomask pattern. Develop and pattern. Exposure is 30-60 mJ / cm by g-line.
The development is performed by spraying at 30 ° C. and 1 wt% Na 2 CO 3 . The resist is preferably a dry film resist, but a liquid resist such as casein may be used.
【００１９】続いて、図３（ｂ）に示すように、一般的
な塩化鉄からなるエッチング液を使用し、片面ラッピン
グ法によってＳＵＳの片面をエッチングした後、図３
（ｃ）に示すように、水酸化ナトリウムからなる剥離液
でレジスト７，８を剥離する。これにより、絶縁層３の
一方の面に配線部６が形成されるとともに、他方の面に
金属層２がパターニングされた積層体が得られる。Subsequently, as shown in FIG. 3B, one side of the SUS is etched by a single-sided lapping method using a general etching solution composed of iron chloride.
As shown in (c), the resists 7 and 8 are stripped with a stripping solution made of sodium hydroxide. Thus, a laminate in which the wiring portion 6 is formed on one surface of the insulating layer 3 and the metal layer 2 is patterned on the other surface is obtained.
【００２０】上記のように配線部６を形成し、さらに金
属層２を加工した積層体に対し、最後に絶縁層３の加工
を行う。その加工方法として、ドライエッチングによっ
てもよいし、或いはウェットエッチングによってもよ
い。The wiring layer 6 is formed as described above, and further the insulating layer 3 is processed on the laminate obtained by processing the metal layer 2. The processing method may be dry etching or wet etching.
【００２１】いずれの方法で絶縁層のエッチング加工を
行う場合も、図４（ａ）に示すように、配線部６が形成
された絶縁層３の上面と、パターニングされた金属層２
の絶縁層下面（図示せず）との両方の面で、絶縁層３を
残す領域に絶縁層加工レジスト９を形成する。このため
には、ディップコート法、ロールコート法、ダイコート
法またはラミネート法等により、両面に絶縁層加工レジ
スト９を成膜し、所定のマスクパターンに従って露光し
てから現像する。具体例としては、ドライフィルムレジ
スト（旭化成製「ＡＱ−５０３８」）を１００℃でラミ
ネートし、露光はｇ線により露光量３０〜６０ｍＪ／ｃ
ｍ2 で行い、現像は３０℃、１ｗｔ％Ｎａ2 ＣＯ3 でス
プレー現像する。なお、絶縁層加工レジスト９は、レジ
ストの露光・現像法によらず、印刷法により形成しても
よい。In either case of etching the insulating layer, as shown in FIG. 4A, the upper surface of the insulating layer 3 on which the wiring portion 6 is formed and the patterned metal layer 2 are formed.
An insulating layer processing resist 9 is formed in a region where the insulating layer 3 is to be left on both surfaces with the lower surface of the insulating layer (not shown). For this purpose, a resist 9 for processing an insulating layer is formed on both sides by a dip coating method, a roll coating method, a die coating method, a laminating method, or the like, and is exposed and developed according to a predetermined mask pattern. As a specific example, a dry film resist (“AQ-5038” manufactured by Asahi Kasei) is laminated at 100 ° C., and exposure is performed by g-ray at an exposure amount of 30 to 60 mJ / c.
m 2 , and development is performed by spray development at 30 ° C. and 1 wt% Na 2 CO 3 . The insulating layer processing resist 9 may be formed by a printing method instead of the resist exposure / development method.
【００２２】図４（ｂ）は、ドライエッチング若しくは
ウェットエッチングを行って絶縁層３を加工し、絶縁層
加工レジスト９を剥離した状態を示す。上記のようにし
て形成された積層体における配線部６に、図４（ｃ）に
示す如く、加工の仕上げとしてＡｕメッキ１０を施す。
このＡｕメッキは、図示しない磁気ヘッドスライダとサ
スペンションの電気的接続とサスペンションから制御側
への電気的接続のための表面処理であり、Ａｕメッキが
好ましいがそれに限ったものではない。Ｎｉ／Ａｕメッ
キでもよいし、半田メッキもしくは印刷等で代用される
こともある。例えば、Ｎｉメッキを行う場合は、光沢
浴、無光沢浴、半光沢浴を選択できる。FIG. 4B shows a state in which the insulating layer 3 is processed by dry etching or wet etching, and the insulating layer processing resist 9 is peeled off. As shown in FIG. 4C, Au plating 10 is applied to the wiring portion 6 in the laminate formed as described above as a finishing process.
The Au plating is a surface treatment for electrical connection between the magnetic head slider and the suspension (not shown) and for electrical connection from the suspension to the control side. Au plating is preferable but not limited thereto. Ni / Au plating may be used, or solder plating or printing may be used instead. For example, when performing Ni plating, a gloss bath, a matte bath, and a semi-gloss bath can be selected.
【００２３】さらに、この配線部８の必要な箇所に保護
層としてエポキシ系等のカバーレイヤを形成して、ＨＤ
Ｄ用のワイヤレスサスペンションブランクの製造が完了
する。その後、図示はしていないが、最終的に機械加工
等のアッセンブリ加工を行い、ＨＤＤ用のワイヤレスサ
スペンションが完成する。Further, a cover layer made of epoxy or the like is formed as a protective layer at a necessary portion of the wiring portion 8 so that the HD
Manufacturing of the wireless suspension blank for D is completed. Thereafter, although not shown, assembly processing such as mechanical processing is finally performed to complete the wireless suspension for the HDD.
【００２４】なお、図４（ｃ）に示すように、配線部６
を有するポリイミドをエッチングすることにより、上面
側からも下面側からも電気的導通が確認できるようにし
たフライングリード部Ｆも形成される。このフライング
リード部Ｆは、両側に導通部を露出しているため、磁気
ヘッド、スライダ等の部品でサスペンションを組み立て
た後、磁気ヘッドの動作を確認する時などに表裏面を選
ばずに利用できる。Note that, as shown in FIG.
By etching the polyimide having the above, a flying lead portion F is also formed so that electrical conduction can be confirmed from both the upper surface side and the lower surface side. Since the flying lead portion F has conductive portions exposed on both sides, it can be used regardless of the front and back surfaces when checking the operation of the magnetic head after assembling the suspension with components such as a magnetic head and a slider. .
【００２５】絶縁層の加工をドライエッチングにより行
う場合は、本出願人が既に出願した特願平１１−１０１
８０８号に開示したプラズマ加工装置を使用してプラズ
マエッチングを行うのが好適である。そこで、以下にそ
のプラズマ加工装置を使用して絶縁層をプラズマエッチ
ングする工程について説明する。In the case where the processing of the insulating layer is performed by dry etching, Japanese Patent Application No. 11-101 filed by the present applicant has filed.
It is preferable to perform plasma etching using the plasma processing apparatus disclosed in Japanese Patent No. 808. Therefore, a process of plasma-etching an insulating layer using the plasma processing apparatus will be described below.
【００２６】図５はプラズマ加工装置の概略構成図であ
り、このプラズマ加工装置では、冷却管２１を通した曲
率を持ったカソード電極２２は、ＲＦ絶縁材料２３を介
して真空チャンバ２０に固定される。かつ、カソード電
極２２は、ＲＦ導入管２４でブロッキングコンデンサ２
５を介してＲＦ電源２６に繋がっている。また、カソー
ド電極２２と等距離をもち、かつカソード電極２２と同
じ曲率を持ったアノード電極２７がカソード電極２２の
上部に配置される。そして、ガス導入管２８を通った加
工ガスが、アノード電極２７に設けられた複数のシャワ
ー電極２７ａを介して真空チャンバー２０内に導入され
る。また、アノード電極２７と真空チャンバー２０は電
気的にアースされている。FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a plasma processing apparatus. In this plasma processing apparatus, a cathode electrode 22 having a curvature passing through a cooling pipe 21 is fixed to a vacuum chamber 20 via an RF insulating material 23. You. Further, the cathode electrode 22 is connected to the blocking condenser 2 by the RF introducing tube 24.
5 to an RF power supply 26. An anode electrode 27 having the same distance from the cathode electrode 22 and having the same curvature as the cathode electrode 22 is disposed above the cathode electrode 22. Then, the processing gas that has passed through the gas introduction pipe 28 is introduced into the vacuum chamber 20 via the plurality of shower electrodes 27 a provided on the anode electrode 27. The anode electrode 27 and the vacuum chamber 20 are electrically grounded.
【００２７】この装置におけるカソード電極２２の曲率
半径は、基材である積層体のサイズに依存する。具体的
には、前記曲率半径は、最小の曲率半径で、加工対象の
積層体の曲げられる最小辺の１／２である。The radius of curvature of the cathode electrode 22 in this device depends on the size of the laminate as the base material. Specifically, the radius of curvature is a minimum radius of curvature and is １ ／ of the minimum bendable side of the laminate to be processed.
【００２８】なお、ここで示したプラズマ発生構造は、
カソード・カップリング方式であるが、アノード電極２
７にＲＦをかけるアノード・カップリング方式、または
カソード電極２２とアノード電極２７に交互にＲＦをか
けるホロー・カソード方式でもよい。さらに、ここで
は、カソード電極２２をブロッキングコンデンサ２５を
介してＲＦ電源２６に繋いだが、カソード電極２２を直
接ＲＦ電源２６に繋いでもよい。また、カソード電極２
２とアノード電極２７との距離が多少部分的に異なって
も効果はあまり変わらない。The plasma generation structure shown here is:
Cathode coupling type, but anode electrode 2
An anode-coupling system in which RF is applied to the electrode 7 or a hollow-cathode system in which RF is applied to the cathode electrode 22 and the anode electrode 27 alternately may be used. Further, although the cathode electrode 22 is connected to the RF power supply 26 via the blocking capacitor 25 here, the cathode electrode 22 may be connected directly to the RF power supply 26. In addition, the cathode electrode 2
Even if the distance between the anode electrode 2 and the anode electrode 27 is slightly different, the effect does not change much.
【００２９】図５に示すプラズマ加工装置によりエッチ
ングを行うと、図６に示すように、積層体１は自重によ
る押さえ込みと自身の平行を保とうとする弾性とで屈曲
現象がなくなり、カソード電極２２に密着している。こ
のように、電極の中央部分が凹形状を持っており、そこ
に加工対象の積層体を落とし込むことで、積層体１への
重力による押さえ込みと積層体１自身の平行を保とうと
する弾性で、積層体１は屈曲現象がなくなる。これによ
り、局部的な温度分布が減少し、加工精度を落とさずに
高いスループットでの加工が可能となる。When etching is performed by the plasma processing apparatus shown in FIG. 5, the laminated body 1 does not bend due to the depression by its own weight and the elasticity of maintaining its own parallelism, as shown in FIG. Closely adhered. In this way, the central portion of the electrode has a concave shape, and by dropping the laminate to be processed there, the elasticity of holding down the laminate 1 by gravity and maintaining the parallelism of the laminate 1 itself, The laminate 1 is free from the bending phenomenon. Thereby, the local temperature distribution is reduced, and processing with high throughput can be performed without lowering processing accuracy.
【００３０】なお、上述した内容に加えて、補助的であ
るが、積層体１の一部分だけを積層体１の上から物理的
に抑えてもよい。或いは、積層体１を静電気的な方法で
抑えるようにしてもよい。Incidentally, in addition to the above-mentioned contents, although it is auxiliary, only a part of the laminate 1 may be physically suppressed from above the laminate 1. Alternatively, the laminate 1 may be suppressed by an electrostatic method.
【００３１】図７に示す装置を使用したプラズマエッチ
ングの加工条件の具体例として、エッチングガスの圧力
は３〜８０Ｐａである。エッチングガスの成分は、酸素
を主成分として、添加ガスとしてＣＦ4 を５〜４０％加
える。また、必要であれば、窒素を１〜１５％加えても
よい。また、ＣＦ4 の代わりに、ＮＦ3 、ＣＨＦ3 、Ｓ
Ｆ6 等のフッ素からなる添加ガスでもよい。エッチング
ガスの流量は、３０〜３０００ｓｃｃｍ程度で行う。そ
して、エッチングガスは流量が多いほどエッチングレー
トは速くなる傾向を示す。しかし、一定量以上を加えて
も飽和するので、装置の排気能力に合わせる方がよい。
また、パワーは単位面積当たり０．１〜２Ｗ／ｃｍ2 で
行う。As a specific example of the processing conditions of the plasma etching using the apparatus shown in FIG. 7, the pressure of the etching gas is 3 to 80 Pa. Component of the etching gas, oxygen as main components, adding CF 4 and 5-40% as an additive gas. If necessary, 1 to 15% of nitrogen may be added. Also, instead of CF 4 , NF 3 , CHF 3 , S
An additive gas made of fluorine such as F 6 may be used. The flow rate of the etching gas is about 30 to 3000 sccm. The etching rate tends to increase as the flow rate of the etching gas increases. However, even if a certain amount or more is added, saturation occurs. Therefore, it is better to match the exhaust capacity of the apparatus.
The power is set to 0.1 to 2 W / cm 2 per unit area.
【００３２】プラズマエッチングを行った後、マスク材
として使用した絶縁層加工レジスト９を剥離して絶縁層
３の加工が終了する。この時の剥離の具体例として、５
０℃、水酸化ナトリウム１０〜２０ｗｔ％の高温アルカ
リ溶液での剥離が一般的であるが、使用するポリイミド
等がアルカリ耐性に乏しい場合は、エタノールアミン等
の有機アルカリを使用するとよい。After performing the plasma etching, the insulating layer processing resist 9 used as the mask material is peeled off, and the processing of the insulating layer 3 is completed. As a specific example of the peeling at this time, 5
Peeling with a high-temperature alkaline solution of 0 ° C. and sodium hydroxide of 10 to 20% by weight is common, but when a polyimide or the like to be used is poor in alkali resistance, an organic alkali such as ethanolamine may be used.
【００３３】絶縁層の加工をウェットエッチングにより
行う場合は、本出願人が既に出願した特願２０００−１
８６５６４に開示した方法でウェットエッチングを行う
のが好適である。そこで、以下にその方法により絶縁層
をウェットエッチングする工程について説明する。In the case where the processing of the insulating layer is performed by wet etching, Japanese Patent Application No. 2000-1 already filed by the present applicant.
It is preferable to perform wet etching by the method disclosed in 86564. Therefore, the step of wet-etching the insulating layer by the method will be described below.
【００３４】この出願に開示された内容は次のようであ
る。すなわち、絶縁層が２層以上の樹脂層から形成され
ており、該絶縁層の各層のエッチングレートの大きいも
のと小さいものとの比が、６：１乃至１：１の範囲、好
ましくは４：１乃至１：１の範囲であれば、良好なエッ
チング形状が得られるというものである。そこで、ワイ
ヤレスサスペンションブランクの積層体における絶縁層
にこのような構成のものを用いることにより、絶縁層の
ウェットエッチング加工に際し、良好なエッチング形状
を得ることができる。The contents disclosed in this application are as follows. That is, the insulating layer is formed of two or more resin layers, and the ratio of the high etching rate to the low etching rate of each layer of the insulating layer is in the range of 6: 1 to 1: 1, preferably 4: 4. In the range of 1 to 1: 1, a good etching shape can be obtained. Therefore, by using such a structure for the insulating layer in the laminated body of the wireless suspension blank, a favorable etching shape can be obtained when the insulating layer is wet-etched.
【００３５】ここで、上記の積層体１を構成するコア絶
縁層（鐘淵化学株式会社製「ＡＰＩＫＡＬ ＮＰＩ」）
と接着剤層（新日本理化株式会社製「ＥＮ−２０」）の
エッチングレートは、アルカリ−アミン系ポリイミドエ
ッチング液（東レエンジニアリング社製「ＴＰＥ−３０
００」）に浸漬（７０℃）した時に、それぞれ約２０μ
ｍ／ｍｉｎと１１μｍ／ｍｉｎであり、その比は２０：
１１であった。膜厚の変化は、初期膜厚を測定した場所
とほぼ同じ場所の膜厚を触針式膜厚計（Ｓｌｏａｎ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製「Ｄｅｋｔａｋ １６００
０」）にて測定し、初期の膜厚から浸漬後の膜厚を引い
たものを膜減り量として計算した。Here, a core insulating layer ("APIKAL NPI" manufactured by Kanegafuchi Chemical Co., Ltd.) constituting the above-mentioned laminated body 1
The etching rate of the adhesive layer ("EN-20" manufactured by Nippon Rika Co., Ltd.) is determined by the alkali-amine based polyimide etchant ("TPE-30" manufactured by Toray Engineering Co., Ltd.).
00 ") (about 70μC)
m / min and 11 μm / min, the ratio of which is 20:
It was 11. The change in the film thickness is obtained by measuring the film thickness at a location substantially the same as the location where the initial film thickness was measured by using a stylus type thickness gauge (Sloan T).
"Dektak 1600" manufactured by technology
0 "), and the value obtained by subtracting the film thickness after immersion from the initial film thickness was calculated as a film reduction amount.
【００３６】上記構成の積層体１に対し、配線部６の形
成と金属層２の加工を経て、前記のように絶縁層加工レ
ジスト９を形成した後、両面からエッチング液（東レエ
ンジニアリング社製「ＴＰＥ−３０００」）をスプレー
してポリイミドフィルムと接着剤層を除去する。その
後、５０℃の水酸化ナトリウム３ｗｔ％の高温アルカリ
溶液で、スプレー圧１ｋｇでドライフィルムレジストを
剥離した。このようにウェットエッチングを終えた積層
体を観察したところ、コア絶縁層と接着剤層の両方とも
にエッチングが良好に行われていた。また、同じエッチ
ング液でディップ（浸漬）してポリイミドフィルムと接
着剤層を除去すると、より良好な断面形状が得られた。After forming the wiring portion 6 and processing the metal layer 2 on the laminated body 1 having the above-described structure, the insulating layer processing resist 9 is formed as described above, and then an etching solution ("Toray Engineering Co., Ltd." Spray TPE-3000 ") to remove the polyimide film and adhesive layer. Thereafter, the dry film resist was peeled off at a spray pressure of 1 kg with a high-temperature alkaline solution of 3 wt% of sodium hydroxide at 50 ° C. Observation of the laminate after the wet etching as described above revealed that both the core insulating layer and the adhesive layer were favorably etched. When the polyimide film and the adhesive layer were removed by dipping (immersion) with the same etching solution, a better cross-sectional shape was obtained.
【００３７】なお、コア絶縁層として厚さ１２．５μｍ
のポリイミドフィルム（東レ−デュポン株式会社製「Ｋ
ＡＰＴＯＮ ＥＮ」）を使用し、接着剤層は同じとした
構成の積層体についてみると、この積層体におけるコア
絶縁層と接着剤層のエッチングレートは、それぞれ約７
μｍ／ｍｉｎと１１μｍ／ｍｉｎであり、その比は７：
１１であり、この積層体を使用して同様の工程を経て絶
縁層のウェットエッチングを行ったところ、コア絶縁層
と接着剤層の両方ともにエッチングが良好に行われてい
た。The thickness of the core insulating layer is 12.5 μm.
Of polyimide film (“K
APTON EN ”) and the same adhesive layer structure, the etching rate of each of the core insulating layer and the adhesive layer in this laminate is about 7
μm / min and 11 μm / min, and the ratio is 7:
The wet etching of the insulating layer was performed using this laminate through the same process. As a result, both the core insulating layer and the adhesive layer were etched well.
【００３８】また、コア絶縁層として厚さ１２．５μｍ
のポリイミドフィルム（鐘淵化学株式会社製「ＡＰＩＫ
ＡＬ ＮＰＩ」）を使用し、接着剤層としてポリアミッ
ク酸ワニス（三井化学株式会社製「ＰＡＡ−Ａ」）を乾
燥後の膜厚が２．５±０．３μｍになるように塗工して
接着剤層付きフィルム（絶縁層）とし、前記と同様のＳ
ＵＳにラミネートして構成の積層体についてみると、こ
の積層体におけるコア絶縁層と接着剤層のエッチングレ
ートは、それぞれ約２０μｍ／ｍｉｎと１μｍ／ｍｉｎ
であり、その比は２０：１であり、この積層体を使用し
て同様の工程を経て絶縁層のウェットエッチングを行っ
たところ、接着剤層のエッチングが良好に行われず、コ
ア絶縁層の上に突き出た状態となった。The core insulating layer has a thickness of 12.5 μm.
Polyimide film (Kanebuchi Chemical Co., Ltd. “APIK
AL NPI "), and applying and bonding a polyamic acid varnish (" PAA-A "manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) so that the film thickness after drying becomes 2.5 ± 0.3 μm as an adhesive layer. A film with an agent layer (insulating layer) and the same S
In the case of a laminate having a configuration of being laminated on US, the etching rates of the core insulating layer and the adhesive layer in this laminate are about 20 μm / min and 1 μm / min, respectively.
The ratio was 20: 1. When the wet etching of the insulating layer was performed through the same process using this laminate, the etching of the adhesive layer was not performed well, and the upper surface of the core insulating layer was not etched. It was in a state of sticking out.
【００３９】[0039]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
２層の積層体を用いることで低価格化が可能となった。
また、セミアディティブ法により配線部を形成すること
により、微細な配線部を高精度に加工することが可能と
なった。As described above, according to the present invention,
The use of a two-layer laminate has made it possible to reduce the cost.
Further, by forming the wiring portion by the semi-additive method, it has become possible to process a fine wiring portion with high accuracy.
【図１】本発明に係るワイヤレスサスペンションブラン
クの製造方法の基本的な製造手順を示すフロー図であ
る。FIG. 1 is a flowchart showing a basic manufacturing procedure of a method for manufacturing a wireless suspension blank according to the present invention.
【図２】ＨＤＤ用のワイヤレスサスペンションブランク
の製造手順を示す前半の工程図である。FIG. 2 is a first half process diagram showing a manufacturing procedure of a wireless suspension blank for an HDD.
【図３】図２に続く工程図である。FIG. 3 is a process drawing following FIG. 2;
【図４】図３に続く工程図である。FIG. 4 is a process drawing following FIG. 3;
【図５】プラズマ加工装置の概略構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a plasma processing apparatus.
【図６】図５に示すプラズマ加工装置を使用した場合に
おける積層体の挙動を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a behavior of a laminate when the plasma processing apparatus shown in FIG. 5 is used.
１ 積層体 ２ 金属層 ３ 絶縁層 ４ 下地層 ５ レジスト ６ 配線部 ７，８ レジスト ９ 絶縁層加工レジスト １０ 金メッキ ２０ チャンバー ２１ 冷却管 ２２ カソード電極 ２３ ＲＦ絶縁材料 ２４ ＲＦ導入管 ２５ ブロッキングコンデンサ ２６ ＲＦ電源 ２７ アノード電極 ２７ａ シャワー電極 ２８ ガス導入管 Ｆ フライングリード部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laminated body 2 Metal layer 3 Insulating layer 4 Underlayer 5 Resist 6 Wiring part 7,8 resist 9 Insulating layer processing resist 10 Gold plating 20 Chamber 21 Cooling pipe 22 Cathode electrode 23 RF insulating material 24 RF introduction pipe 25 Blocking capacitor 26 RF power 27 Anode electrode 27a Shower electrode 28 Gas introduction tube F Flying lead
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂寄 勝哉 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 甘崎 裕子 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 梅田 和夫 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 佐々木 賢 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 Ｆターム(参考） 5D042 NA01 PA10 TA07 5D059 AA01 BA01 DA31 DA36 EA08 5E315 AA02 AA03 BB01 BB05 BB16 CC15 DD15 DD16 GG22 5E343 AA01 AA12 AA22 AA38 BB15 BB21 BB71 DD43 DD75 ER21 ER25 GG08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Katsuya Sakayoro, Inventor 1-1-1, Ichigaya-Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo Inside Dai Nippon Printing Co., Ltd. (72) Yuko Amasaki 1-1, Ichigaga-cho, Shinjuku-ku, Tokyo No. 1 Inside Dai Nippon Printing Co., Ltd. (72) Kazuo Umeda 1-1-1, Ichigaya Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan Inside (72) Inventor Ken Sasaki Ichigaya Kachi, Shinjuku-ku, Tokyo No. 1-1 F-Term in Dai Nippon Printing Co., Ltd. (reference)
Claims (2)
絶縁層とからなる２層構成の積層体を用いてワイヤレス
サスペンションブランクを製造する方法であって、前記
絶縁層上にセミアディティブ法により配線部を形成する
第１の工程と、前記金属層をウェットエッチング法によ
り加工する第２の工程と、前記絶縁層をドライエッチン
グ若しくはウェットエッチングにより加工する第３の工
程を含むことを特徴とするワイヤレスサスペンションブ
ランクの製造方法。1. A method of manufacturing a wireless suspension blank using a two-layered laminated body including a metal layer exhibiting spring characteristics and an electrical insulating layer, wherein the wireless suspension blank is formed on the insulating layer by a semi-additive method. The method includes a first step of forming a wiring portion, a second step of processing the metal layer by wet etching, and a third step of processing the insulating layer by dry etching or wet etching. Manufacturing method of wireless suspension blank.
３の工程でフライングリード部を形成することを特徴と
するワイヤレスサスペンションブランクの製造方法。2. The method according to claim 1, wherein a flying lead portion is formed in the third step.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000206196A JP2002025028A (en) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | Manufacturing method for wireless suspension blank |
| US09/813,759 US6942817B2 (en) | 2000-03-24 | 2001-03-21 | Method of manufacturing wireless suspension blank |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002025028A true JP2002025028A (en) | 2002-01-25 |
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ID=18703156
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
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