JP2002022640A - 走査型近接場光学顕微鏡 - Google Patents
走査型近接場光学顕微鏡Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、ＳＮＯＭ像と一緒にＡＦＭ像も得ら
れるように改良された走査型近接場光学顕微鏡を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】本発明の一態様によると、被検体に光を照
射する手段と、前記被検体と一定の距離を保ち走査をす
る粒子状プローブと、前記被検体からの近接場光の強度
を検出する手段とを有する走査型光学顕微鏡であり、前
記粒子状プローブからの近接場光を検出することによ
り、前記粒子状プローブの位置を検出するプローブ位置
検出手段を設けたことを特徴とする走査型近接場光学顕
微鏡が提供される。
れるように改良された走査型近接場光学顕微鏡を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】本発明の一態様によると、被検体に光を照
射する手段と、前記被検体と一定の距離を保ち走査をす
る粒子状プローブと、前記被検体からの近接場光の強度
を検出する手段とを有する走査型光学顕微鏡であり、前
記粒子状プローブからの近接場光を検出することによ
り、前記粒子状プローブの位置を検出するプローブ位置
検出手段を設けたことを特徴とする走査型近接場光学顕
微鏡が提供される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査型近接場光学
顕微鏡に係り、特に、試料の表面情報や光学的情報を測
定する走査型近接場光学顕微鏡に関する。
顕微鏡に係り、特に、試料の表面情報や光学的情報を測
定する走査型近接場光学顕微鏡に関する。
【０００２】
【従来の技術】走査型プローブ顕微鏡は（ＳＰＭ）は、
プローブを試料表面に接近させたときに両者関に働く相
互作用を検出しながら、プローブを試料表面に沿って走
査して、その相互作用の二次元マッピングを行う装置で
あり、例えば、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）、原子
間力顕微鏡（ＡＦＭ）、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）、走査
型近接場光学顕微鏡（以下ＳＮＯＭ）に代表される。
プローブを試料表面に接近させたときに両者関に働く相
互作用を検出しながら、プローブを試料表面に沿って走
査して、その相互作用の二次元マッピングを行う装置で
あり、例えば、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）、原子
間力顕微鏡（ＡＦＭ）、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）、走査
型近接場光学顕微鏡（以下ＳＮＯＭ）に代表される。
【０００３】なかでも、ＳＮＯＭは、特に、１９８０年
代後半以降、エヴァネッセント波を検出することにより
回折限界を超える分解能を有する光学顕微鏡として、生
体試料の蛍光観察やフォトニクス用材料、素子の評価
（誘電体光導波路各種特性評価、半導体量子ドットの発
光スペクトルの測定、半導体面発光素子の諸特性の評価
など）への応用を目指して盛んに研究・開発が進められ
ている。
代後半以降、エヴァネッセント波を検出することにより
回折限界を超える分解能を有する光学顕微鏡として、生
体試料の蛍光観察やフォトニクス用材料、素子の評価
（誘電体光導波路各種特性評価、半導体量子ドットの発
光スペクトルの測定、半導体面発光素子の諸特性の評価
など）への応用を目指して盛んに研究・開発が進められ
ている。
【０００４】このようなＳＮＯＭは、基本的には試料に
光を照射した状態で鋭いプローブを試料に近づけ、試料
近傍の光の場（近接場）の状態を検出する装置である。
光を照射した状態で鋭いプローブを試料に近づけ、試料
近傍の光の場（近接場）の状態を検出する装置である。
【０００５】１９９３年１２月２１日付けでＢｅｔｚｉ
ｇらに付与された米国特許第５，２７２，３３０号は、
先端が細く加工された開口型プローブ（光ファイバ）に
光を導入することによリ、プローブ先端の微小開口の近
傍にエヴアネッセント場を発生させ、エヴァネッセント
場を試料に接触させ、エヴァネッセント場と試料の接触
により発生した光を、試料の下に配置された光検出器で
検出し、透過光強度の二次元マッピングを行うＳＮＯＭ
を開示している。
ｇらに付与された米国特許第５，２７２，３３０号は、
先端が細く加工された開口型プローブ（光ファイバ）に
光を導入することによリ、プローブ先端の微小開口の近
傍にエヴアネッセント場を発生させ、エヴァネッセント
場を試料に接触させ、エヴァネッセント場と試料の接触
により発生した光を、試料の下に配置された光検出器で
検出し、透過光強度の二次元マッピングを行うＳＮＯＭ
を開示している。
【０００６】Ｖａｎ Ｈｕｌｓｔらは、ＳｉＮ製のＡＦ
ＭのマイクロカンチレバーをＳＮＯＭのプローブとして
用い、このプローブ先端により暗視野照明光学系によっ
て試料表面に生成したエヴァネッセント場を散乱させ、
ＡＦＭとＳＮＯＭの同時観察に最初に成功したことを開
示している（ＡＰＰＩ．ＰｈｙＳ．Ｌｅｔｔ．６２（１
９９３）４６１−４６３）。
ＭのマイクロカンチレバーをＳＮＯＭのプローブとして
用い、このプローブ先端により暗視野照明光学系によっ
て試料表面に生成したエヴァネッセント場を散乱させ、
ＡＦＭとＳＮＯＭの同時観察に最初に成功したことを開
示している（ＡＰＰＩ．ＰｈｙＳ．Ｌｅｔｔ．６２（１
９９３）４６１−４６３）。
【０００７】この微小開口の無いプローブ（散乱プロー
ブ）先端により試料構造に局在したエヴァネッセント場
を散乱させて伝搬光に変換し、それを外部光学系によっ
て検出するタイプのＳＮＯＭは、高分解能化・ＳＮ比の
向上が期待できる。
ブ）先端により試料構造に局在したエヴァネッセント場
を散乱させて伝搬光に変換し、それを外部光学系によっ
て検出するタイプのＳＮＯＭは、高分解能化・ＳＮ比の
向上が期待できる。
【０００８】近年、散乱プローブとしてレーザトラップ
した微小な粒子を用いたＳＮＯＭ（Ｔ．Ｓｕｇｉｕｒａ
ｅｔ．ａｌ．Ｏｐｔ．Ｌｅｔｔ．Ｖ０１．２２，１６６
３（１９９７））が注目されている。
した微小な粒子を用いたＳＮＯＭ（Ｔ．Ｓｕｇｉｕｒａ
ｅｔ．ａｌ．Ｏｐｔ．Ｌｅｔｔ．Ｖ０１．２２，１６６
３（１９９７））が注目されている。
【０００９】図１は、この散乱プローブとしてレーザト
ラップした微小な粒子を用いたＳＮＯＭの原理図を示
す。
ラップした微小な粒子を用いたＳＮＯＭの原理図を示
す。
【００１０】この装置では、散乱プローブである微小な
粒子１が対物レンズ３の焦点位置において、レーザトラ
ップにより３次元的に捕捉（トラップ）されながら試料
２の表面上を相対的に走査される。試料２はカバーガラ
ス５に固定されている。
粒子１が対物レンズ３の焦点位置において、レーザトラ
ップにより３次元的に捕捉（トラップ）されながら試料
２の表面上を相対的に走査される。試料２はカバーガラ
ス５に固定されている。
【００１１】試料２は、ピエゾＸＹスキャナ４により走
査される。
査される。
【００１２】この状態で、微小な粒子１は、トラップ用
レーザ６とは別の観察のための照明用レ−ザ７によって
照明され、この光に由来する粒子１からの散乱光（粒子
１によって発生する光近接場相互作用による光信号）
が、対物レンズ３を介し、コリメータレンズ８で集光さ
れフォトマルチプライヤ１０で検出されることで、試料
２の光学特性がＳＮＯＭ像として画像化される。
レーザ６とは別の観察のための照明用レ−ザ７によって
照明され、この光に由来する粒子１からの散乱光（粒子
１によって発生する光近接場相互作用による光信号）
が、対物レンズ３を介し、コリメータレンズ８で集光さ
れフォトマルチプライヤ１０で検出されることで、試料
２の光学特性がＳＮＯＭ像として画像化される。
【００１３】微小な粒子１からの散乱光を検出するの
で、通常の針状の探針（先端までの支持部（コーン部）
を持つ探針）を用いたＳＮＯＭと比べて、探針の先端部
分以外からの散乱光の影響が無い。
で、通常の針状の探針（先端までの支持部（コーン部）
を持つ探針）を用いたＳＮＯＭと比べて、探針の先端部
分以外からの散乱光の影響が無い。
【００１４】つまり、レーザトラップした粒子は理想的
な散乱プローブなのである。
な散乱プローブなのである。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現状の
レーザトラップした粒子によるＳＮＯＭ装置では、試料
表面の凹凸像（ＡＦＭ像）が得られない。
レーザトラップした粒子によるＳＮＯＭ装置では、試料
表面の凹凸像（ＡＦＭ像）が得られない。
【００１６】ＳＮＯＭのプローブとして、光ファイバや
ＡＦＭのマイクロカンチレバーを用いる場合には、プロ
ーブと試料間の距離やプローブの変位を検出する検出系
が備わっているが、図１に見られるようなレーザトラッ
プした粒子によるＳＮＯＭ装置では、プローブ粒子の変
位検出系が無く、粒子は走査中に試料表面に押し付けら
れているのみである。
ＡＦＭのマイクロカンチレバーを用いる場合には、プロ
ーブと試料間の距離やプローブの変位を検出する検出系
が備わっているが、図１に見られるようなレーザトラッ
プした粒子によるＳＮＯＭ装置では、プローブ粒子の変
位検出系が無く、粒子は走査中に試料表面に押し付けら
れているのみである。
【００１７】観察によつて得られたＳＮＯＭ像を解析す
る場合、光学的な信号の強弱が、試料表面の凹凸の情報
を反映しているか否かを考慮することが重要である。
る場合、光学的な信号の強弱が、試料表面の凹凸の情報
を反映しているか否かを考慮することが重要である。
【００１８】このためには、ＳＮＯＭ像と一緒にＡＦＭ
像も得られることが望ましい。
像も得られることが望ましい。
【００１９】本発明は、以上のような点を鑑みたもので
あり、上述のような欠点を改善し、ＳＮＯＭ像と一緒に
ＡＦＭ像も得られるように改良された走査型近接場光学
顕微鏡を提供することを目的とする。
あり、上述のような欠点を改善し、ＳＮＯＭ像と一緒に
ＡＦＭ像も得られるように改良された走査型近接場光学
顕微鏡を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明によると、上記課
題を解決するために、（１） 被検体に光を照射する手
段と、前記被検体と一定の距離を保ち走査をする粒子状
プローブと、前記被検体からの近接場光の強度を検出す
る手段とを有する走査型光学顕微鏡であり、前記粒子状
プローブからの近接場光を検出することにより、前記粒
子状プローブの位置を検出するプローブ位置検出手段を
設けたことを特徴とする走査型近接場光学顕微鏡が提供
される。
題を解決するために、（１） 被検体に光を照射する手
段と、前記被検体と一定の距離を保ち走査をする粒子状
プローブと、前記被検体からの近接場光の強度を検出す
る手段とを有する走査型光学顕微鏡であり、前記粒子状
プローブからの近接場光を検出することにより、前記粒
子状プローブの位置を検出するプローブ位置検出手段を
設けたことを特徴とする走査型近接場光学顕微鏡が提供
される。
【００２１】また、本発明によると、上記課題を解決す
るために、（２） 前記プローブ位置検出手段は、前記
粒子状プローブをトラップするレーザ光または粒子状プ
ローブ照明光を前記粒子状プローブに照射し、前記粒子
状プローブにより散乱された光を検出することにより、
前記粒子状プローブの位置を検出することを特徴とする
（１）に記載の走査型近接場光学顕微鏡が提供される。
るために、（２） 前記プローブ位置検出手段は、前記
粒子状プローブをトラップするレーザ光または粒子状プ
ローブ照明光を前記粒子状プローブに照射し、前記粒子
状プローブにより散乱された光を検出することにより、
前記粒子状プローブの位置を検出することを特徴とする
（１）に記載の走査型近接場光学顕微鏡が提供される。
【００２２】また、本発明によると、上記課題を解決す
るために、（３） 前記プローブ位置検出手段は、三角
プリズムを用いた臨界角法により前記粒子状プローブの
位置を検出することを特徴とする（１）または（２）に
記載の走査型近接場光学顕微鏡が提供される。
るために、（３） 前記プローブ位置検出手段は、三角
プリズムを用いた臨界角法により前記粒子状プローブの
位置を検出することを特徴とする（１）または（２）に
記載の走査型近接場光学顕微鏡が提供される。
【００２３】すなわち、本発明は、トラップ用レーザに
よってレーザトラップされたプローブ粒子に照明用レー
ザを入射させ、この光に由来するプローブ粒子からの散
乱光情報によって試料を観察するＳＮＯＭ装置におい
て、プローブ粒子からの散乱光を、トラップ用レーザ及
び照明用レーザを集光させている対物レンズの焦点位置
近傍の点光源と考え、この点光源による対物レンズから
の射出光を用いることで点光源の位置を測定できる変位
検出系を具備することを特徴とする。
よってレーザトラップされたプローブ粒子に照明用レー
ザを入射させ、この光に由来するプローブ粒子からの散
乱光情報によって試料を観察するＳＮＯＭ装置におい
て、プローブ粒子からの散乱光を、トラップ用レーザ及
び照明用レーザを集光させている対物レンズの焦点位置
近傍の点光源と考え、この点光源による対物レンズから
の射出光を用いることで点光源の位置を測定できる変位
検出系を具備することを特徴とする。
【００２４】つまり、ＳＮＯＭ像を得るために、検出さ
れるプローブ粒子からの散乱光そのものを、プローブ粒
子の変位を検出することにも利用するのである。
れるプローブ粒子からの散乱光そのものを、プローブ粒
子の変位を検出することにも利用するのである。
【００２５】本発明では、例えば、トラップ用レーザ及
ぴ照明用レーザを集光させている対物レンズを利用し
て、プローブ粒子が焦点位置にあるときと、焦点位置か
ら対物レンズ方向に近づいたときと、焦点位置から離れ
る方向に変位したときに、それぞれ対物レンズの射出光
が平行光束、発散光、集束光と変化することを検出する
ための三角プリズムを用いる。
ぴ照明用レーザを集光させている対物レンズを利用し
て、プローブ粒子が焦点位置にあるときと、焦点位置か
ら対物レンズ方向に近づいたときと、焦点位置から離れ
る方向に変位したときに、それぞれ対物レンズの射出光
が平行光束、発散光、集束光と変化することを検出する
ための三角プリズムを用いる。
【００２６】以上の手段を利用すれば、レーザトラップ
した粒子によるＳＮＯＭにおいて、ＳＮＯＭ観察中にプ
ローブ粒子の変位を検出することができるので、この信
号を元に試料表面の凹凸情報であるＡＦＭ像を得ること
が可能となる。
した粒子によるＳＮＯＭにおいて、ＳＮＯＭ観察中にプ
ローブ粒子の変位を検出することができるので、この信
号を元に試料表面の凹凸情報であるＡＦＭ像を得ること
が可能となる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態について説明する。
の形態について説明する。
【００２８】図２、図３、図４、図５は、本発明の実施
の形態におけるＳＮＯＭ装置の主要概念図である。
の形態におけるＳＮＯＭ装置の主要概念図である。
【００２９】本発明の実施の形態では、図１に示す従来
のレーザトラップした微小な粒子を用いたＳＮＯＭに対
して、図２に示すように、三角プリズム２２と、フォト
ディテクタ（Ａ）２３と、フォトディテクタ（Ｂ）２４
と、光分岐ミラ−２１を加えた構成をとっている。
のレーザトラップした微小な粒子を用いたＳＮＯＭに対
して、図２に示すように、三角プリズム２２と、フォト
ディテクタ（Ａ）２３と、フォトディテクタ（Ｂ）２４
と、光分岐ミラ−２１を加えた構成をとっている。
【００３０】また、試料２を走査させるスキャナは、走
査時にＺ方向にも駆動できるピエゾＸＹＺスキャナ２５
としている。
査時にＺ方向にも駆動できるピエゾＸＹＺスキャナ２５
としている。
【００３１】観察中、対物レンズ３の焦点位置近傍にト
ラップされている粒子１からの散乱光の一部はフォトマ
ルチプライヤ１０で検出されてＳＮＯＭ用の信号として
用いられ、残りは三角プリズム２２に入射するようにな
っている。
ラップされている粒子１からの散乱光の一部はフォトマ
ルチプライヤ１０で検出されてＳＮＯＭ用の信号として
用いられ、残りは三角プリズム２２に入射するようにな
っている。
【００３２】図３以降には、本発明の実施の形態の説明
に必要な部分だけを抜き出して図示しているものであ
る。
に必要な部分だけを抜き出して図示しているものであ
る。
【００３３】今、図３に示すように、粒子１が対物レン
ズ３の焦点位置にある場合、散乱光は対物レンズ３を通
過後に平行光束となり、図３に概念的に表された上下の
光束は三角プリズム２２に平行に入射する。
ズ３の焦点位置にある場合、散乱光は対物レンズ３を通
過後に平行光束となり、図３に概念的に表された上下の
光束は三角プリズム２２に平行に入射する。
【００３４】この際、上下の光束は、三角プリズム２２
の斜面に対して臨界角で入射するように設定しておく。
の斜面に対して臨界角で入射するように設定しておく。
【００３５】この結果、上下の光束は全反射して、それ
ぞれフォトディテクタ（Ａ）２３と、フォトディテクタ
（Ｂ）２４に入射して等しい強度として検出される。
ぞれフォトディテクタ（Ａ）２３と、フォトディテクタ
（Ｂ）２４に入射して等しい強度として検出される。
【００３６】これらの出力の差分を、図示していない信
号処理系によって演算すると、その出力はゼロであり、
これは粒子１が対物レンズ３の焦点位置にあることを表
している。
号処理系によって演算すると、その出力はゼロであり、
これは粒子１が対物レンズ３の焦点位置にあることを表
している。
【００３７】次に、図４に示すように、試料２を走査し
た結果、粒子１が焦点位置から対物レンズ３方向に近づ
いた状態を考える。
た結果、粒子１が焦点位置から対物レンズ３方向に近づ
いた状態を考える。
【００３８】このとき、対物レンズ３からの射出光は発
散し、三角プリズム２に入射する上下の光束を見ると、
上側の光束は臨界角以上で入射するので全反射し、一方
下側の光束は臨界角より小さい角度で入射するので一部
は透過する。
散し、三角プリズム２に入射する上下の光束を見ると、
上側の光束は臨界角以上で入射するので全反射し、一方
下側の光束は臨界角より小さい角度で入射するので一部
は透過する。
【００３９】この結果、フォトディテクタ（Ａ）２３
と、フォトディテクタ（Ｂ）２４の出力差はマイナスに
なり、これは粒子１が焦点位置から対物レンズ３方向に
近づいた状態を表している。
と、フォトディテクタ（Ｂ）２４の出力差はマイナスに
なり、これは粒子１が焦点位置から対物レンズ３方向に
近づいた状態を表している。
【００４０】また、図５に示すように、粒子１が焦点位
置から離れる方向に変位した状態では、対物レンズ３か
らの射出光は集束し、三角プリズム２に入射する上下の
光束は、図４とは逆の条件になる。
置から離れる方向に変位した状態では、対物レンズ３か
らの射出光は集束し、三角プリズム２に入射する上下の
光束は、図４とは逆の条件になる。
【００４１】この結果、フォトディテ｛タ（Ａ）２３
と、フォトディテクタ（Ｂ）２４の出力差はプラスにな
り、これが粒子１が焦点位置から離れる方向に変位した
状態を表している。
と、フォトディテクタ（Ｂ）２４の出力差はプラスにな
り、これが粒子１が焦点位置から離れる方向に変位した
状態を表している。
【００４２】以上、説明したように、図示していない信
号処理系によってフォトディテクタ（Ａ）２３と、フォ
トディテクタ（Ｂ）２４の出力差を演算することによっ
て、ＳＮＯＭ観察中に同時に粒子１の変位を測定するこ
とができる。
号処理系によってフォトディテクタ（Ａ）２３と、フォ
トディテクタ（Ｂ）２４の出力差を演算することによっ
て、ＳＮＯＭ観察中に同時に粒子１の変位を測定するこ
とができる。
【００４３】通常、フォトディテクタ（Ａ）２３と、フ
ォトディテクタ（Ｂ）２４の出力差は、フォトディテク
タ（Ａ）２３と、フォトディテクタ（Ｂ）２４の出力の
和で割ることによって規格化しておくことが望ましい。
ォトディテクタ（Ｂ）２４の出力差は、フォトディテク
タ（Ａ）２３と、フォトディテクタ（Ｂ）２４の出力の
和で割ることによって規格化しておくことが望ましい。
【００４４】また、試料２の表面の凹凸が大きくて走査
中に粒子１が対物レンズ３の焦点の深さを超えるような
場合には、粒子１の変位信号がゼロ、あるいは変位信号
がある量で一定になるように、図示していない制御回路
によって、ピエゾＸＹＺスキャナ２５のＺ方向に電圧を
印加して変位分の調整ができる構成を取っている。
中に粒子１が対物レンズ３の焦点の深さを超えるような
場合には、粒子１の変位信号がゼロ、あるいは変位信号
がある量で一定になるように、図示していない制御回路
によって、ピエゾＸＹＺスキャナ２５のＺ方向に電圧を
印加して変位分の調整ができる構成を取っている。
【００４５】なお，説明に用いた図では、試料２が透明
であり、上から対物レンズ３、カバーガラス５、試料
２、粒子１という構成を取っているが、上述した粒子１
の変位検出は、試料２が不透明な場合にも適用可能であ
る。
であり、上から対物レンズ３、カバーガラス５、試料
２、粒子１という構成を取っているが、上述した粒子１
の変位検出は、試料２が不透明な場合にも適用可能であ
る。
【００４６】この場合は、上から対物レンズ３、粒子
１、試料２という構成を取る。
１、試料２という構成を取る。
【００４７】以上、説明したような構成要素を持つレー
ザトラップした粒子によるＳＮＯＭ装置は、上述した粒
子の変位信号をマッピングすることでＳＮＯＭ像と同一
部位のＡＦＭ像を同時に得られるという効果を持つ。
ザトラップした粒子によるＳＮＯＭ装置は、上述した粒
子の変位信号をマッピングすることでＳＮＯＭ像と同一
部位のＡＦＭ像を同時に得られるという効果を持つ。
【００４８】また、試料の表面の凹凸が大きい場合に
は、粒子の変位信号がゼロ、あるいは一定になるよう
に、制御回路によって、ピエゾＸＹＺスキャナ２５に印
加された電圧とピエゾＸＹＺスキャナ２５の感度から変
位を算出しＡＦＭ像を得ることができる。
は、粒子の変位信号がゼロ、あるいは一定になるよう
に、制御回路によって、ピエゾＸＹＺスキャナ２５に印
加された電圧とピエゾＸＹＺスキャナ２５の感度から変
位を算出しＡＦＭ像を得ることができる。
【００４９】そして、上述したような実施の形態で示し
た本明細書には、特許請求の範囲に示した請求項１乃至
３以外にも、以下に付記１乃至付記２として示すような
発明が含まれている。
た本明細書には、特許請求の範囲に示した請求項１乃至
３以外にも、以下に付記１乃至付記２として示すような
発明が含まれている。
【００５０】（付記１） 前記プローブ位置検出手段
は、前記粒子状プローブからの散乱光を屈折させる三角
ブリズムと、前記三角プリズムによって屈折された散乱
光を検出する複数の光検出器とを有し、前記複数の光検
出器からの信号の差分を検出することにより、前記粒子
状プローブの位置を検出することを特徴とする請求項１
に記載の近接場光学顕微鏡。
は、前記粒子状プローブからの散乱光を屈折させる三角
ブリズムと、前記三角プリズムによって屈折された散乱
光を検出する複数の光検出器とを有し、前記複数の光検
出器からの信号の差分を検出することにより、前記粒子
状プローブの位置を検出することを特徴とする請求項１
に記載の近接場光学顕微鏡。
【００５１】（付記２） 前記プローブ位置検出手段か
らの信号に基づき、被検体の同一部位に対して近接場光
による観察と被検体の表面形状の検出を同時に行うこと
を特徴とする請求項１乃至３及び付記１のいずれかに記
載の近接場光学顕微鏡。
らの信号に基づき、被検体の同一部位に対して近接場光
による観察と被検体の表面形状の検出を同時に行うこと
を特徴とする請求項１乃至３及び付記１のいずれかに記
載の近接場光学顕微鏡。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＳＮＯＭ像と一緒にＡＦＭ像も得られるように改良され
た走査型近接場光学顕微鏡を提供することができる。
ＳＮＯＭ像と一緒にＡＦＭ像も得られるように改良され
た走査型近接場光学顕微鏡を提供することができる。
【図１】図１は、本発明に従う構成と比較して示す比較
例としての従来のＳＮＯＭの原理を示す構成図である。
例としての従来のＳＮＯＭの原理を示す構成図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態の主要構成図である
【図３】図３は、本発明の実施形態での使用態様の例の
説明のための図である。
説明のための図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態での使用態様の例の
説明のための図である。
説明のための図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態での使用態様の例の
説明のための図である。
説明のための図である。
１…粒子、 ２…試料、 ３…対物レンズ、 ４…ビエゾＸＹスキャナ、 ５…カバーガラス、 ６…トラップ用レーザ、 ７…照明用レーザ、 ８…コリメータレンズ、 ９…ピンホール、 １０…フォトマルチプライヤ、 １１…光分岐ミラー、 １２…光分岐ミラー、 １３…光学フィルター、 ２１…光分岐ミラー、 ２２…三角プリズム、 ２３…フォトディテクタ（Ａ）、 ２４…フォトディテクタ（Ｂ）、 ２５…ピエゾＸＹＺスキャナ。
Claims (3)
- 【請求項１】 被検体に光を照射する手段と、 前記被検体と一定の距離を保ち走査をする粒子状プロー
ブと、 前記被検体からの近接場光の強度を検出する手段とを有
する走査型光学顕微鏡であり、 前記粒子状プローブからの近接場光を検出することによ
り、前記粒子状プローブの位置を検出するプローブ位置
検出手段を設けたことを特徴とする走査型近接場光学顕
微鏡。 - 【請求項２】 前記プローブ位置検出手段は、 前記粒子状プローブをトラップするレーザ光または粒子
状プローブ照明光を前記粒子状プローブに照射し、前記
粒子状プローブにより散乱された光を検出することによ
り、前記粒子状プローブの位置を検出することを特徴と
する請求項１に記載の走査型近接場光学顕微鏡。 - 【請求項３】 前記プローブ位置検出手段は、 三角プリズムを用いた臨界角法により前記粒子状プロー
ブの位置を検出することを特徴とする請求項１または２
に記載の走査型近接場光学顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000205178A JP2002022640A (ja) | 2000-07-06 | 2000-07-06 | 走査型近接場光学顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000205178A JP2002022640A (ja) | 2000-07-06 | 2000-07-06 | 走査型近接場光学顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002022640A true JP2002022640A (ja) | 2002-01-23 |
Family
ID=18702311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000205178A Withdrawn JP2002022640A (ja) | 2000-07-06 | 2000-07-06 | 走査型近接場光学顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002022640A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2000
- 2000-07-06 JP JP2000205178A patent/JP2002022640A/ja not_active Withdrawn
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