JP2002014364A - 液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子及びその製造方法Info
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Abstract
きる信頼性の高い液晶表示素子及びその製造方法を得
る。 【解決手段】 透光性を有する樹脂基板1,2間に液晶
層5が挟持され、各基板1,2の対向面にITOからな
る透明電極3,4が形成されている液晶表示素子。前記
ITOの結晶化度C1が、ITOの(2,2,2)面の
X線回折ピーク強度をH1、ITOを完全に結晶化させ
たときの(2,2,2)面のX線回折ピーク強度をH2
として、C1=H1/H2<0.6の式で表される範囲
にある。また、液晶表示素子の全製造工程は前記ITO
がアモルファスの状態を保つ温度条件で行われる。
Description
その製造方法、特に、2枚の透光性を有する樹脂基板間
に液晶層を挟持した液晶表示素子及びその製造方法に関
する。
樹脂基板間に液晶層を挟持した液晶表示素子において
は、基板上にITO(Indium Tin Oxide:インジウム
錫酸化物)からなる透明電極を形成し、液晶を1画素ず
つ駆動するようにしている。
キシビリティが不足し、フレキシブルなフィルム基板上
にITO電極を形成して液晶セルを製造する場合には、
基板を曲げる工程が存在するとITO電極にクラックが
発生し、製造上の歩留まりが低下するという問題点を有
していた。また、製造後にあってもペーパーライクな使
用が可能な液晶表示素子にあっては、曲げによってIT
O電極が断線して表示不良が発生するという問題点を有
していた。
表示素子ではITOを結晶化させるとフレキシビリティ
が不足するため、アモルファス状態のITOであること
が好ましいことが記載されている。しかし、この公報に
は液晶表示素子の製造工程においてITOの結晶化を防
ぐための方策について何ら開示していない。
透明電極の断線を極力防止できる信頼性の高い液晶表示
素子及びその製造方法を提供することにある。
め、本発明に係る液晶表示素子は、2枚の透光性を有す
る樹脂基板間に液晶層が挟持され、該2枚の基板の少な
くとも一方の面上にITOからなる透明電極が形成され
ている液晶表示素子において、前記ITOの結晶化度C
1が、ITOの(2,2,2)面のX線回折ピーク強度
をH1、ITOを完全に結晶化させたときの(2,2,
2)面のX線回折ピーク強度をH2として、以下の式1
で表される範囲にあることを特徴とする。 C1=H1/H2<0.6 …(式1)
光性を有する樹脂基板間に液晶層が挟持され、該2枚の
基板の少なくとも一方の面上にITOからなる透明電極
が形成されている液晶表示素子の製造方法において、全
製造工程が前記ITOがアモルファスの状態を保つ温度
条件で行われることを特徴とする。
基板間に液晶層を挟持した液晶表示素子の完成時に前記
式1が成立しているように製造工程の温度を保つことが
好ましい。また、製造工程中に、2枚の前記樹脂基板を
加熱・加圧しながら貼り合わせる工程又は前記透明電極
の取出し電極部に外部接続用回路パターンを熱圧着する
工程の少なくともいずれかを含んでいてもよい。そし
て、2枚の前記樹脂基板を貼り合わせる工程又は前記外
部接続用回路パターンを熱圧着する工程の直前の時点で
の前記ITOの結晶化度C2が、前記工程の直前の時点
でのITOの(2,2,2)面のX線回折ピーク強度を
H3として、以下の式2で表される範囲にあることが好
ましい。 C2=H3/H2<0.4 …(式2)
ITOの結晶化開始温度以下で行われることである。
法において、透明電極の材料として用いられるITO
は、基板表面上に、例えば、スパッタリングを用いて成
膜される。スパッタリング等の成膜条件を調整すること
で、ほとんどアモルファス状態のITO膜を得ることが
できる。ITOを結晶化させるとフレキシビリティが低
下しクラックが入りやすくなるので、結晶化したITO
よりもアモルファス状態のITOであることが好まし
い。しかし、ITOは、高い温度で長時間アニールする
と、簡単に結晶化する。液晶セルの完成時点でITOが
結晶化していると、商品化された後の使用中に受ける外
力により、ITOにクラックが入りやすくなる。
高い液晶表示素子を得るためには、液晶表示素子の完成
時点の結晶化の進行程度が問題になる。ITOの結晶化
の程度は、(2,2,2)面のX線回折ピーク強度によ
り評価できる。液晶表示素子の完成時点での(2,2,
2)面のX線回折ピーク強度をH1、ITOに十分高い
温度で十分長い時間のアニールを加えて完全に結晶化さ
せたときの(2,2,2)面のX線回折ピーク強度をH
2として、結晶化度C1をC1=H1/H2と定義し、
C1<0.6の範囲に制御することにより、クラックの
発生しない、信頼性の高い液晶表示素子を得ることがで
きる。
ラックのほとんどは、樹脂基板を撓ませる工程で、IT
Oに力が作用するために起こる。特に、ITOに熱と圧
力が同時に加わるような工程でクラックが発生しやす
い。このような工程(以下、加熱・加圧工程と称する)
の中では、液晶層を挟持する2枚の樹脂基板を貼り合わ
せる工程と、外部接続端子用回路パターンを熱圧着する
工程とが、特にITOにクラックが発生しやすい工程で
ある。これら加熱・加圧工程でのクラックの発生を防ぐ
には、これら加熱・加圧工程の直前の時点でのITOの
結晶化の進行程度が問題になる。加熱・加圧工程の直前
の段階での結晶化度C2を、加熱・加圧工程の直前の段
階での(2,2,2)面のX線回折ピーク強度をH3と
して、C2=H3/H2と定義し、C2<0.4の範囲
に制御することにより、加熱・加圧工程におけるクラッ
ク発生を防ぐことができる。
えたあとの結晶化の程度は、アニール温度とアニール時
間で決まり、アニール温度が高いほど、またアニール時
間が長いほど、結晶化が進行する。しかし、アニール温
度と結晶化の進行速度との関係は直線関係ではない。あ
る温度を超える温度でアニールしたときに、アニール時
間の増加につれて急激に結晶化が進み、それ以下の温度
ではアニール時間を増加させてもほとんど結晶化が進ま
ない。
時間以下)ではITOの結晶化がほとんど進まないぎり
ぎりのアニール温度を結晶化開始温度Tsとする。結晶
化開始温度Tsは、アモルファス状態のITOに1時間
のアニールを加えたあとの(2,2,2)面のX線回折
ピーク強度をH4として、H4/H2=1/5(H2は
ITOを完全に結晶化させたときのX線回折ピーク強
度)となるようなアニール温度と定義できる。製造工程
中に様々な目的で加えられるアニールを、結晶化開始温
度Ts以下の温度で行うことにより、製造工程中におけ
るITOの結晶化の進行を防ぎ、製造工程中におけるク
ラックの発生を防止でき、ひいては表示素子完成後の使
用中におけるクラックの発生を防ぐことができる。
及びその製造方法につき、添付図面を参照して説明す
る。
の一実施形態である液晶表示素子の断面構造を示す。
透光性を有する樹脂基板である。このような樹脂基板
1,2として、例えば、ポリカーボネイト、ポリエーテ
ルスルホン、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げら
れ、薄くて可撓性のあるフィルムならば使用可能であ
る。
電極3,4が互いに向き合うように配置されている。本
実施形態では、帯状の複数の透明電極3,4が互いに直
交するように対向する単純マトリクス電極構造を有して
いる。なお、単純マトリクスだけでなく、アクティブマ
トリクス電極構造(例えば、画素電極、TFT方式のソ
ース電極、MIM方式の対向電極など)にも使用可能で
ある。透明電極材料としてはITOを用いている。
されている。図1のような構成の液晶表示素子に用いら
れる典型的な液晶材料としては、例えば、高分子分散型
液晶、コレステリックネマティック相転移型液晶、可視
波長域の光を選択反射する液晶(コレステリック液晶、
ネマティック液晶にカイラル材を添加したカイラルネマ
ティック液晶など)などが挙げられる。後者の場合、観
察側とは反対側の基板2として光吸収を行うもの(黒色
の基板や黒色に塗装された基板など)を用いればよい。
て、偏光板、光反射層、カラーフィルタなどの部材を設
けることにより、ツイステッドネマティック型液晶、ス
ーパーツイステッドネマティック型液晶、室温でスメク
チック相を示す強誘電性液晶や反強誘電性液晶等が使用
可能である。
側に、液晶を封止するためのシール壁6が設けられてい
る。シール材としては、例えば、熱硬化性樹脂等を用い
ることができる。
ーサ7及び樹脂構造物8が配置されている。スペーサ7
と樹脂構造物8は両方を用いてもよく、いずれか一方だ
けでも構わない。樹脂構造物8中にスペーサ7が混入さ
れていてもよい。スペーサ7の材料として、ガラスファ
イバーを微細化したもの、ボール状の珪酸ガラス、アル
ミナ粉末等の無機系材料、あるいはジビニルベンゼン系
架橋重合体やポリスチレン系架橋重合体等の有機系合成
球状粒子が使用可能である。また、樹脂被覆スペーサを
用いれば、加熱処理によりスペーサ7を基板1,2上に
固着させることができる。
用することができ、使用する液晶材料と化学的反応を起
こさず、適度な弾性を有する有機系材料が好適に使用さ
れる。そのような材料の例としては、ポリ塩化ビニル樹
脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポ
リメタクリル樹脂、ポリアクリル酸エステル樹脂、ポリ
スチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポ
リウレタン樹脂、ポリプロピレン樹脂、フッ素系樹脂、
ポリアクリロニトリル樹脂、ポリビニルエーテル樹脂、
ポリビニルケトン樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、塩素化ポリエーテル樹脂、ポリビニルピロ
リドン樹脂、飽和ポリエステル樹脂があり、またこれら
を複数組み合わせて使用してもよい。
みならず、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂などを用いるこ
ともできる。
に、絶縁膜9a,9bをそれぞれ基板1,2に設けてい
る。絶縁膜9a,9bの材料としては、酸化シリコン等
の無機材料、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等の有機材
料等が使用できる。
配列方向を制御するための配向制御膜10a,10bを
それぞれ設けてもよい。このような配向制御膜10a,
10bの材料としては、ポリイミド樹脂などが代表的で
ある。
素子は、以下のようにして作製することができる。
洗浄し乾燥させた基板1,2上にITOからなる透明電
極材料をEB(エレクトロンビーム)蒸着法やスパッタ
リング法、CVD法などにより成膜する。透明電極のパ
ターニングには、フォトリソグラフィ法を用いてもよ
く、レーザエッチング法を用いてもよい。
に、両基板1,2の電極面上に絶縁膜9a,9b及び配
向制御膜10a,10bを塗布する。これらの塗布に
は、スピンコート法やバーコート法、ロールコート法な
どが使用可能である。塗布材料には塗布後に溶媒を蒸発
させるためのアニールを行う。必要ならば、配向制御膜
10a,10b(例えば、ポリイミド樹脂)に配向処理
を施してもよい。
(B’)に示すように、スペーサ7を散布し、基板2の
周辺部にシール壁6を形成する。シール壁6を設けるこ
とにより、液晶材料を基板1,2間に確実に封入できる
と共に、樹脂構造物8と合わせて基板1,2を広い面積
で支持することができるので、基板間ギャップを液晶表
示素子全体で均一に保つことができる。
シール壁6を配向制御膜10上に配置しているが、シー
ル壁6を設ける位置は、シール壁6を設ける面との接着
性等を考慮して適宜決めればよく、図1に示したように
基板2及び電極4上に直接設けてもよいし、絶縁膜9上
に設けるようにしてもよい。
法、ディッピング、空中付着等の方法により基板上に配
置する方法を採用することができる。なお、樹脂構造物
を作製した基板上にスペーサを散布したり、樹脂構造物
の作製時に同時にスペーサを含有させるようにしてもよ
い。スペーサとして樹脂被覆スペーサを用いている場合
は、散布後にアニールを加えて、スペーサを基板上に固
着させることが好ましい。
含まれていてもよい。シール壁6に含ませるスペーサ
7’の大きさは表示領域に散布するスペーサ7の大きさ
とほぼ同じものを用いることができる。
うに、所定の配列で樹脂材料8’を、スクリーン版やメ
タルマスクを用いた印刷法、ディスペンサやインクジェ
ット法を用いて配置し、この樹脂材料8’を硬化させて
樹脂構造物8とする。樹脂材料8’としては、前述した
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、電子線硬
化性樹脂などを用いることができ、硬化後に基板1の軟
化温度以下の温度で軟化するものであればよい。
6を樹脂構造物8と異なる基板上に設けているため、シ
ール壁6と樹脂構造物8との形成方法や材料を変えるこ
とが容易になる。例えば、スクリーン版やメタルマスク
を用いて表示領域内に精細な樹脂構造物8を作製し、表
示領域外でのシール壁6の形成にはディスペンサを用い
て、使用される樹脂量を必要最小限に抑えることができ
る。また、表示領域内の樹脂構造物8としては精細度や
接着性を重視した樹脂を選択し、シール壁6としては液
晶層に外部から不純物が混入しないように気密性が高
く、長期の信頼性を有する樹脂材料を選択できる。勿
論、両者を同じ基板上に設けることも可能である。
で構成し、かつ、シール壁6と樹脂構造物8とを同じ基
板上に同じ方法で作製する場合には、工程を簡略化でき
る。さらに、シール壁6と樹脂構造物8とを同時に形成
することで、生産工程を最小限に止めることができる。
2(C’)に示すように、真空吸着可能なホットプレー
ト30などの発熱可能な平面基板上に基板2を載置し、
基板2を加熱する。基板2を加熱することにより、粘度
の高い液晶材料の粘度を下げることができるので、両基
板を重ね合わせる際に、基板間への気泡の巻込みを少な
くすることができる。
態としておくと、両基板の貼合せをより確実に行うこと
ができる。例えば、熱硬化性樹脂材料をシール壁6の材
料として用いている場合は、ホットプレート30による
加熱によってシール壁6を半硬化状態とすることができ
る。
と、スペーサ7及びシール壁6が配置された基板2とを
貼り合わせる。
いる。両基板の貼合せに際しては、基板1,2の少なく
とも一方を加熱し、樹脂材料8’を軟化させる。そし
て、図3(A)に示すように、ホットプレート30上に
固定された基板1の端部に液晶材料5’を滴下し、液晶
材料5’が滴下されている側の端部に基板2の端部を重
ね合わせる。そして、基板2の反対側の端部を持ち上げ
るようにして基板2を撓ませて、加圧部材で基板2を基
板1に対して加圧しながら液晶材料5’を押し広げつつ
重ね合わせていく。基板2を加圧する加圧部材は、発熱
ローラを用いることが好ましく、図3(A)には、加圧
ローラ51と加圧加熱ローラ52とで基板2を加圧する
例を示した。
ている面を上にして、予め所定の温度に加熱されている
ホットプレート30上に載置し、基板1の端部に液晶材
料5’を滴下する。液晶材料5’は、シール壁6と基板
1,2とで囲まれた体積以上の量を滴下すればよい。
るまでは半硬化状態としておくことが好ましい。半硬化
状態としておくことで、液晶材料5’中へのシール樹脂
成分の溶出を抑制することができる。なお、本製造方法
の如く、樹脂構造物を設けた基板とは異なる基板にシー
ル壁を設けて両基板を貼り合わせると、半硬化後のシー
ル壁への加熱を加圧時のみとすることができ、シール壁
の硬化過多による接着力の低下を抑えることができる。
対の平面基板75でシリコンシート76を介して基板
1,2を挟み、荷重をかけ、適当な温度・時間で維持す
る。接着が十分完了するだけの時間が経過したら、貼り
合わされた基板を冷却し、平面基板75を取り去って液
晶表示素子とする。冷却は荷重をかけたまま徐冷するこ
とが好ましい。
がら液晶材料を充填する製造方法以外に、基板1,2を
貼り合わせた後にシール壁6に設けた開口部から液晶材
料を真空注入するなどの方法で製造することもできる。
取出し部にフレキシブル回路基板などの外部接続用回路
パターンをヒートシール等を用いて熱圧着により接続
し、表示素子を駆動するためのドライバ回路と接続す
る。
様々な目的でアニールが加えられる。例えば、絶縁膜や
配向制御膜を塗布後溶媒を蒸発させるためのアニール
や、ビーズスペーサを基板に固着させるためのアニール
などが挙げられる。これらのアニールにはホットプレー
トやオーブンを用いることができる。ホットプレートを
用いる場合は、バッチ処理ができず枚葉処理になるが、
基板を短時間で高温に加熱することができる。オーブン
を用いる場合は、加熱に時間がかかるもののバッチ処理
が可能である。
が作製した液晶表示素子の各実施例及び比較例について
説明する。
樹脂基板の表面に、ITOを膜厚1000オングストロ
ームとなるようにスパッタリングした。得られたITO
膜の結晶状態を調べるためにXRD(X線回折測定器)
で測定したところ、X線回折ピークは見られず、アモル
ファスな状態であることが分かった。
りパターニングを行い、透明電極パターンを形成した。
た。絶縁膜のアニールと配向制御膜のアニールは140
℃でそれぞれ1時間行った。
たときのアニール温度とXRD測定結果との関係を示
す。また、図5に、140℃でアニールしたときのアニ
ール時間とXRD測定結果との関係を示す。図4から
は、ITOの結晶化はある温度を超える温度でアニール
したときに急激に進むことが分かる。また、図5から、
その温度以下の温度でアニールする場合には、結晶化は
非常に緩やかで、液晶表示素子に製造のための現実的な
アニール時間の範囲内では結晶化はほとんど進まないと
判断して構わない。図4によると、このITO膜の結晶
化開始温度Tsは、約140℃である。結晶化開始温度
Tsの数値はITOの成膜条件により異なってくる。
を散布し、140℃、1.5時間のアニールを加えて固
着させた。同じ基板上に、液晶材料を封止するためのシ
ール壁をスクリーン印刷法により表示領域の外側に形成
した。他方の基板には、熱可塑性樹脂を用いてスクリー
ン印刷法により樹脂構造物を柱状に複数個形成した。こ
の後、2枚の基板を貼り合わせて、液晶材料を封止し
た。
するためにフレキシブル基板をヒートシールを用いて接
続した。ヒートシール熱圧着はヘッド圧力20kgf/
cm 2、ヘッド温度140℃で行った。
おける結晶化状態を調べるために、前述の液晶表示素子
の製造と同じ熱条件となるようにアニールした基板につ
いて、ITOの結晶化状態をXRDで調べた結果を以下
の表1に示す。なお、図4,5により、10分以下もし
くは100℃以下のアニール処理については、ITOの
結晶化を促進する効果が十分小さいので無視してよいこ
とが理解される。そこで、140℃以上の温度でのアニ
ールについてのみ、アニール後にXRD測定を行った。
強度は最高でも62.68cpsであり、高い非結晶化
状態が保たれていることがわかる。図4から明らかなよ
うに、完全な結晶化状態ではX線回折ピーク強度は約3
50cpsであるから、表1の場合は、結晶化度で表す
と、約0.17以下となる。
率との関係を調べたグラフである。横軸の結晶化度C
は、様々な温度で1時間アニールしたときのX線回折ピ
ーク強度をH1、ITOを完全に結晶化させたときのX
線回折ピーク強度をH2として、H1のH2に対する比
を計算したものである。縦軸のクラック発生率は、直径
4mmの棒に巻きつけたときに1mm2当たりに発生す
るクラック数である。図6により、ITOのクラック発
生は、結晶化度Cの増加と共にクラックが発生し易くな
ることが分かる。クラックの発生を防ぐには、結晶化度
Cが0.6以下のITOが望ましい。
開始温度Ts以下で行うことで可能であり、このとき、
製造工程中もしくは出来上がった表示素子の使用中にお
いてITOのクラック発生を防ぐことができる。
直前の時点での結晶化度C2は0.18、パネル完成時
点での結晶化度C1は0.17であった。C1がC2よ
りわずかながら小さくなっているのは、測定誤差による
ものと思われる。
ックによる断線は全く見られなかった。また得られた液
晶表示素子に対して外圧として1cm2に10kgの力
を加えたが、クラックは発生しなかった。
アニールをそれぞれ120℃で1時間、スペーサ熱処理
を120℃で1.5時間行った。これ以外の製造条件は
前記実施例1と同じである。ヒートシール熱圧着の直前
の段階での結晶化度C2は0.07であった。液晶表示
素子の完成時点での結晶化度C1は0.07であった。
ックによる断線は全く見られなかった。また得られた液
晶表示素子に対して外圧として1cm2に10kgの力
を加えたが、クラックは発生しなかった。
アニールをそれぞれ150℃で1時間、スペーサ熱処理
を150℃で1.5時間行った。それ以外の製造条件は
前記実施例1と同じである。ヒートシール熱圧着の直前
の段階での結晶化度C2は0.4であった。液晶表示素
子の完成後の結晶化度C1は0.4であった。
ックによる断線は全く見られなかった。また得られた液
晶表示素子に対して外圧として1cm2に10kgの力
を加えたが、クラックは発生しなかった。
アニールをそれぞれ160℃で1時間、スペーサ熱処理
を160℃で1.5時間行った。これ以外の製造条件は
前記実施例1と同じである。ヒートシール熱圧着の直前
の段階での結晶化度C2は0.95であった。液晶表示
素子の完成後の結晶化度C1は0.95であった。
ートシール熱圧着部のITOに多数のクラックが発生し
たために、正常に動作しない画素が多数あった。
ように本発明者は、ITOのアニール条件と結晶化及び
クラックの発生との相関を調べ、液晶表示素子の製造中
における加熱・加圧処理前及び素子完成後にITOの結
晶化度を所定の値以下に制御することで、製造中及び製
造後使用中にITO膜にクラックが発生するのを未然に
防止できた。さらに、結晶化開始温度以下でアニールす
ることで、ITO膜を実質的に結晶化させずに液晶表示
素子を製造できることを確認した。
透明電極の断線がないので製造上の歩留まりが高く、ま
た使用中においても外部からの圧力によるクラックの発
生で透明電極が断線することによる表示不良の発生のな
い、信頼性の高い液晶表示素子を得ることができた。
表示素子及びその製造方法は前記実施形態に限定するも
のではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することが
できる。
複数層構成としてもよく、例えば、赤、緑、青の各選択
反射を行う液晶層を積層して、フルカラー表示を可能と
する液晶表示素子としてもよい。
断面図。
グラフ。
の関係を示すグラフ。
示すグラフ。
Claims (8)
- 【請求項1】 2枚の透光性を有する樹脂基板間に液晶
層が挟持され、該2枚の基板の少なくとも一方の面上に
ITOからなる透明電極が形成されている液晶表示素子
において、 前記ITOの結晶化度C1が、ITOの(2,2,2)
面のX線回折ピーク強度をH1、ITOを完全に結晶化
させたときの(2,2,2)面のX線回折ピーク強度を
H2として、以下の式1で表される範囲にあること、 C1=H1/H2<0.6 …(式1) を特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項2】 2枚の前記樹脂基板間に前記液晶層の厚
みを所定の値に保つための樹脂構造物を有することを特
徴とする請求項1記載の液晶表示素子。 - 【請求項3】 2枚の透光性を有する樹脂基板間に液晶
層が挟持され、該2枚の基板の少なくとも一方の面上に
ITOからなる透明電極が形成されている液晶表示素子
の製造方法において、 全製造工程が前記ITOがアモルファスの状態を保つ温
度条件で行われること、 を特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項4】 前記樹脂基板間に液晶層を挟持した液晶
表示素子の完成時に請求項1記載の式1が成立している
ように製造工程の温度を保つことを特徴とする請求項3
記載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項5】 製造工程中に前記樹脂基板を撓ませる工
程を含むことを特徴とする請求項3又は請求項4記載の
液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項6】 製造工程中に、2枚の前記樹脂基板を加
熱・加圧しながら貼り合わせる工程又は前記透明電極の
取出し電極部に外部接続用回路パターンを熱圧着する工
程の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項
3、請求項4又は請求項5記載の液晶表示素子の製造方
法。 - 【請求項7】 2枚の前記樹脂基板を貼り合わせる工程
又は前記外部接続用回路パターンを熱圧着する工程の直
前の時点での前記ITOの結晶化度C2が、前記工程の
直前の時点でのITOの(2,2,2)面のX線回折ピ
ーク強度をH3として、以下の式2で表される範囲にあ
ること、 C2=H3/H2<0.4 …(式2) を特徴とする請求項6記載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項8】 全製造工程が前記ITOの結晶化開始温
度以下で行われることを特徴とする請求項3、請求項
4、請求項5、請求項6又は請求項7記載の液晶表示素
子の製造方法。
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JP2000196424A JP2002014364A (ja) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | 液晶表示素子及びその製造方法 |
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