JP2002008891A - Electromagnetic wave generating device, semiconductor manufacturing device using the same, and semiconductor device manufacturing method - Google Patents

Electromagnetic wave generating device, semiconductor manufacturing device using the same, and semiconductor device manufacturing method

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JP2002008891A
JP2002008891A JP2000187392A JP2000187392A JP2002008891A JP 2002008891 A JP2002008891 A JP 2002008891A JP 2000187392 A JP2000187392 A JP 2000187392A JP 2000187392 A JP2000187392 A JP 2000187392A JP 2002008891 A JP2002008891 A JP 2002008891A
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JP
Japan
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fine particles
electromagnetic wave
wave generator
plasma
semiconductor
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Application number
JP2000187392A
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Japanese (ja)
Inventor
Noriaki Kamitaka
典明 神高
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To supply particulates to an irradiating position of exciting laser beam with a sufficient density. SOLUTION: The electromagnetic wave generating device is structured so that an exciting energy beam is applied to a target substance arranged in or introduced into a decompressed vessel so that a plasma atmosphere is produced and the electromagnetic waves radiated by the plasma are utilized, wherein the target substance is particulates, and the arrangement includes a soft X-ray generating device in which the target substance in the form of particulate is supplied by a transport device working by the electrostatic action.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、極端紫外光縮小投
影露光装置等に用いる電磁波発生装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electromagnetic wave generator used in an extreme ultraviolet reduction projection exposure apparatus and the like.

【０００２】[0002]

【従来の技術】現在、半導体集積回路の製造において
は、マスク上に形成された非常に微細なパターンを、レ
ジストを塗布したシリコンウエハ上に可視光あるいは紫
外光によって縮小投影して転写する方法が広くおこなわ
れている。しかし、パターンサイズの微細化に伴い紫外
光を用いた縮小投影露光でも回折限界に近づいており、
紫外光よりさらに波長の短い、波長１３ｎｍあるいは１
１ｎｍの極端紫外（Extreme Ultra Violet）光（以降、
ＥＵＶ光又は軟Ｘ線と記す）を用いた縮小投影露光（以
降、ＥＵＶリソグラフィと記す）が提案されている。2. Description of the Related Art At present, in the manufacture of semiconductor integrated circuits, there is a method of transferring a very fine pattern formed on a mask by reducing and projecting it on a resist-coated silicon wafer by visible light or ultraviolet light. It is widely practiced. However, with the miniaturization of the pattern size, even the reduction projection exposure using ultraviolet light is approaching the diffraction limit,
13 nm or 1 wavelength, shorter in wavelength than ultraviolet light
1 nm Extreme Ultra Violet (hereinafter referred to as “Extreme Ultra Violet”)
Reduction projection exposure (hereinafter, referred to as EUV lithography) using EUV light or soft X-rays has been proposed.

【０００３】波長１３ｎｍあるいは１１ｎｍのＥＵＶ光
を用いる場合、その光源の１つの候補として考えられて
いるのが、レーザープラズマ光源（Laser Plasma Sourc
e 以降ＬＰＳと記す）である。レーザー光発生装置から
のパルス出射光を集光して物質に照射すると、その照射
強度が１０10Ｗ／ｃｍ2程度以上になると、物質の原子
はその強力な電場によって電子をはぎ取られてプラズマ
化し、そのプラズマからは電磁波が輻射される。このプ
ラズマから輻射される電磁波の輝度は非常に高く、高い
繰り返し周波数でプラズマを発生させることにより大き
な光量の電磁波を得ることができる。このような光源で
は高い変換効率でＥＵＶ光を発生させることが可能であ
り、しかも、同様に大光量のＥＵＶ光を得ることができ
るシンクロトロン放射光発生施設などと較べると非常に
コンパクトである。そのためＬＰＳはＥＵＶリソグラフ
ィをはじめ、Ｘ線顕微鏡や分析装置などの光源として非
常に有望である。When EUV light having a wavelength of 13 nm or 11 nm is used, one candidate light source is considered as a laser plasma light source (Laser Plasma Source).
e, hereinafter referred to as LPS). When a pulsed light emitted from a laser light generator is condensed and irradiated on a substance, when the irradiation intensity becomes about 10 10 W / cm 2 or more, the atoms of the substance are stripped of electrons by the strong electric field and the plasma is removed. And electromagnetic waves are radiated from the plasma. The brightness of the electromagnetic waves radiated from the plasma is very high, and a large amount of electromagnetic waves can be obtained by generating the plasma at a high repetition frequency. Such a light source is capable of generating EUV light with high conversion efficiency, and is very compact as compared to a synchrotron radiation light generation facility capable of similarly obtaining a large amount of EUV light. For this reason, LPS is very promising as a light source for X-ray microscopes, analyzers, etc., in addition to EUV lithography.

【０００４】ＬＰＳをＥＵＶリソグラフィに用いる場
合、光源から得られるＥＵＶ光量が重要である。ＥＵＶ
光はすべての物質に強く吸収されるため、通常のレンズ
や反射鏡は使用することができない。よって軟Ｘ線縮小
投影露光では高い反射率を得るために反射面に多層膜を
形成した反射鏡によって光学系が構成される。この多層
膜を構成する物質の組み合わせと多層膜の反射波長は密
接に関係しており、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜では波長１３ｎｍ
付近、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜では１１ｎｍ付近で高い反射率
が得られるため、軟Ｘ線縮小投影露光に用いる波長とし
てこれらの波長が候補に挙げられている。しかし、軟Ｘ
線に対して得られる反射率は、これらの多層膜を形成し
た反射面でも７０％程度が限界であり、縮小投影露光に
１０枚程度の反射面が使用されると仮定すると、光学系
全体の透過率（反射率）は数％と非常に低くなってしま
う。よって、リソグラフィ装置として十分な処理速度
（スループット）を得るために、光源から発生する軟Ｘ
線の光量はできるだけ大きいことが望まれる。波長１３
ｎｍ付近では、錫（Ｓｎ）をターゲットとしたときには
２％（／２．５％ＢＷ／２πｓｒ）程度、キセノン（Ｘ
ｅ）ガスを真空中に超音速で噴出させて形成したクラス
ターをターゲットとした場合には０．６％（／２．５％
ＢＷ／２πｓｒ）程度の変換効率が報告されている。When LPS is used for EUV lithography, the amount of EUV light obtained from a light source is important. EUV
Since light is strongly absorbed by all substances, ordinary lenses and reflectors cannot be used. Therefore, in the soft X-ray reduction projection exposure, an optical system is configured by a reflecting mirror having a multilayer film formed on a reflecting surface in order to obtain a high reflectance. The combination of substances constituting the multilayer film and the reflection wavelength of the multilayer film are closely related, and the Mo / Si multilayer film has a wavelength of 13 nm.
Since a high reflectance can be obtained at around 11 nm in the vicinity of the Mo / Be multilayer film, these wavelengths are listed as candidates for the wavelength used for soft X-ray reduction projection exposure. But soft X
The reflectance obtained with respect to the line is limited to about 70% even on the reflecting surface on which these multilayer films are formed, and assuming that about ten reflecting surfaces are used for reduction projection exposure, the entire optical system can be used. The transmittance (reflectance) is as low as several percent. Therefore, in order to obtain a sufficient processing speed (throughput) as a lithographic apparatus, the soft X
It is desired that the light intensity of the line is as large as possible. Wavelength 13
In the vicinity of nm, when tin (Sn) is targeted, about 2% (/2.5% BW / 2πsr) and xenon (X
e) 0.6% (/2.5%) when a cluster formed by ejecting a gas at a supersonic speed into a vacuum is targeted.
A conversion efficiency of about BW / 2πsr) has been reported.

【０００５】ＬＰＳを長時間安定して使用するにあたっ
ては飛散粒子の発生が大きな問題となる。これは飛散粒
子の発生が光学系の汚染をもたらすからである。固体タ
ーゲットにレーザー光を集光照射してプラズマを発生さ
せた場合、プラズマの周囲で融解あるいは気化した物質
がプラズマの爆発的な膨張によって吹き飛ばされて飛散
粒子となる。この飛散粒子を低減する手段として、液体
や、冷却によって固化した気体、あるいは真空チェンバ
ー内に超音速で気体を吹き出すことによって形成される
クラスターなどをターゲットとする提案がなされている
（特公平２−４３３１９号公報、U.S. Pat.５５７７０
９２）。また一方、固体ターゲットでは熱伝導によって
エネルギーが周囲に逃げていくためにプラズマの加熱効
率ひいては電磁波への変換効率が低下し、さらに、熱伝
導により加熱・溶融した周囲の物質が飛散粒子となる
が、ターゲットを薄膜や微粒子とすることによって熱伝
導と溶融する物質量を抑えるという提案もなされてい
る。[0005] When LPS is used stably for a long time, generation of flying particles becomes a serious problem. This is because the generation of flying particles causes contamination of the optical system. When plasma is generated by condensing and irradiating a solid target with laser light, a substance melted or vaporized around the plasma is blown off by explosive expansion of the plasma to become scattered particles. As means for reducing the scattered particles, proposals have been made to target a liquid, a gas solidified by cooling, or a cluster formed by blowing a gas at a supersonic speed into a vacuum chamber (Japanese Patent Publication No. Hei. No. 43319, US Pat.
92). On the other hand, in a solid target, energy escapes to the surroundings due to heat conduction, which lowers the plasma heating efficiency and, consequently, the conversion efficiency to electromagnetic waves.Furthermore, the surrounding material heated and melted by heat conduction becomes scattered particles. It has also been proposed that the target be made into a thin film or fine particles so as to suppress heat conduction and the amount of a substance to be fused.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】すでに述べたように、
変換効率が高く、かつ、飛散粒子の少ないＬＰＳを実現
するためにターゲット材の形状およびその供給方法とし
て様々な提案がなされている。しかしガスクラスターを
ターゲットとした場合には、波長１３ｎｍ領域では現在
のところ固体ターゲットの半分程度の変換効率しか報告
されておらず、また、プラズマを高い繰り返し周波数で
生成する場合には導入した気体の排気も大きな問題とな
る。薄膜状のターゲットを用いれば変換効率の点では高
いものが実現できるが、飛散粒子の発生量はＥＵＶリソ
グラフィに許容される量を依然大きく上回っており、ま
た、長時間の連続供給を実現するには長さ数ｋｍにも及
ぶターゲット薄膜が必要になってしまうという問題があ
る。このような現状を踏まえ、固体微粒子をガスに混合
させてプラズマ発生位置まで運び、ターゲットとするＬ
ＰＳが提案されており（特開平１０−２２１４９９号公
報）、高い変換効率と少ない飛散粒子量が達成できるの
ではないかと期待されている。このように、固体微粒子
をターゲットとする場合、励起レーザー光照射位置に微
粒子を長時間連続的に供給し続ける手段が必要となる。
そのため、固体微粒子を気体に混ぜてノズルから吹き出
すことによって連続的な供給を実現している。しかし、
気体中の微粒子密度を正確に制御する事は困難であり、
また、励起レーザ光照射位置における微粒子密度を十分
に高くする事も困難である。また、導入された気体が大
量であるため排気も問題となる恐れがある。特開平10-2
21499号に開示された発明ではこれらの点が問題とな
る。よって、微粒子を励起レーザ光照射位置に十分な密
度で供給する方法が望まれていた。SUMMARY OF THE INVENTION As already mentioned,
Various proposals have been made on the shape of the target material and the method of supplying the target material in order to realize LPS with high conversion efficiency and small scattering particles. However, when a gas cluster is used as a target, only about half the conversion efficiency of a solid target is currently reported in the wavelength region of 13 nm. Exhaust is also a major problem. If a thin-film target is used, a high conversion efficiency can be achieved, but the amount of scattered particles still exceeds the amount allowed for EUV lithography, and it is necessary to realize long-term continuous supply. Has a problem that a target thin film having a length of several kilometers is required. Based on this situation, solid fine particles are mixed with a gas, carried to a plasma generation position, and used as a target L.
PS has been proposed (Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-221499), and it is expected that high conversion efficiency and a small amount of scattered particles can be achieved. As described above, when the target is solid fine particles, a means for continuously supplying the fine particles to the excitation laser beam irradiation position for a long time is required.
Therefore, continuous supply is realized by mixing solid fine particles with a gas and blowing out the gas from a nozzle. But,
It is difficult to precisely control the density of fine particles in gas,
In addition, it is also difficult to sufficiently increase the particle density at the excitation laser beam irradiation position. In addition, since a large amount of gas is introduced, exhausting may be a problem. JP 10-2
These points are problems in the invention disclosed in Japanese Patent No. 21499. Therefore, there has been a demand for a method of supplying fine particles to the excitation laser beam irradiation position at a sufficient density.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の第一の手段は、減圧した容器内に配置あるいは導入さ
れた標的物質に励起エネルギービームを照射してプラズ
マ化し、該プラズマが輻射する電磁波を利用する電磁波
発生装置において、該標的物質が微粒子であり、該微粒
子状標的物質が静電的な作用を利用した搬送装置によっ
て供給されていることを特徴とする軟Ｘ線発生装置（請
求項１）である。A first means for solving the above problem is to irradiate a target substance placed or introduced in a depressurized container with an excitation energy beam to generate a plasma, and the plasma is radiated. An electromagnetic wave generator using electromagnetic waves, wherein the target substance is fine particles, and the fine particle target substance is supplied by a carrier device using an electrostatic action. Item 1).

【０００８】本手段においては微粒子を標的材としてお
り、微粒子は各々空間に孤立して存在しているために熱
伝導によるプラズマ加熱時のエネルギー損失が少なく、
軟Ｘ線への高い変換効率が得られる。また、標的材が溶
融した領域もほとんど存在しないために飛散粒子は低減
される。さらに、励起レーザー光照射位置に静電的な作
用を利用した搬送装置によって微粒子状の標的材を供給
しているため、標的材の供給によって真空容器内の圧力
はほとんど影響を受けず、微粒子混合ガスによって微粒
子を供給する場合に比べて排気系への負荷を小さくする
ことができる。[0008] In this means, fine particles are used as the target material, and since the fine particles are isolated in space, energy loss during plasma heating due to heat conduction is small.
High conversion efficiency to soft X-rays can be obtained. Further, since there is almost no region where the target material is melted, flying particles are reduced. Furthermore, since the target material in the form of fine particles is supplied to the excitation laser beam irradiation position by a transport device using electrostatic action, the pressure in the vacuum vessel is hardly affected by the supply of the target material, and the fine particle mixture is not mixed. The load on the exhaust system can be reduced as compared with the case where fine particles are supplied by gas.

【０００９】前記課題を解決するための第二の手段は、
前記標的材を供給する静電的な作用を利用した搬送装置
が筒状の形状を有しており、該筒状の形状の外周に沿っ
て少なくとも３本以上の導電性の線材が巻き付いた構造
であり、該導電性の線材に各々違った電位を与えること
ができる電位発生装置を備えたことを特徴とする請求項
１に記載の電磁波発生装置（請求項２）である。[0009] A second means for solving the above-mentioned problem is as follows.
A structure in which a transfer device using an electrostatic action for supplying the target material has a cylindrical shape, and at least three or more conductive wires are wound around an outer periphery of the cylindrical shape. The electromagnetic wave generator according to claim 1, further comprising a potential generator capable of giving different potentials to the conductive wires.

【００１０】本手段においては、標的材となる微粒子を
筒状の形状を有する搬送装置によって供給しているた
め、励起レーザー光照射位置に安定して高い密度で標的
微粒子を供給することができる。前記課題を解決するた
めの第三の手段は、標的材となる微粒子を搬送する前記
筒状の搬送装置の内側に気体の流れを生じさせる手段を
有することを特徴とする、請求項１または２に記載の電
磁波発生装置（請求項３）である。In this means, since the fine particles serving as the target material are supplied by the transport device having a cylindrical shape, the target fine particles can be stably supplied to the excitation laser beam irradiation position at a high density. A third means for solving the above-mentioned problem has a means for generating a gas flow inside the cylindrical transfer device for transferring fine particles serving as a target material, wherein An electromagnetic wave generator according to claim 3 (claim 3).

【００１１】本手段においては、筒状の微粒子搬送装置
の内部に気体の流れを形成することによって、微粒子の
搬送をより円滑に行なうことができ、よって、プラズマ
生成位置により多くの微粒子を供給することができる。
また、微粒子が飛散する事を防ぐことも可能となる。
尚、ここで導入される気体の量は極わずかで充分である
ため排気手段によって充分に排気することが可能であ
り、露光等に影響を及ぼすことはない。[0011] In this means, by forming a gas flow inside the cylindrical fine particle transport device, the fine particles can be transported more smoothly, so that more fine particles are supplied to the plasma generation position. be able to.
Also, it is possible to prevent the fine particles from scattering.
Since the amount of gas introduced here is very small and sufficient, the gas can be sufficiently exhausted by the exhaust means, and does not affect the exposure and the like.

【００１２】前記課題を解決するための第四の手段は、
前記静電的な作用を利用した搬送装置から供給された微
粒子のうちプラズマ化されなかった微粒子を回収する機
構を備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
１項に記載の電磁波発生装置（請求項４）である。A fourth means for solving the above-mentioned problem is as follows.
The electromagnetic wave according to any one of claims 1 to 3, further comprising a mechanism for collecting fine particles that have not been turned into plasma among the fine particles supplied from the transport device using the electrostatic action. A generator (claim 4).

【００１３】本手段においては、プラズマ生成位置に供
給されたたもののプラズマ生成に利用されなかった微粒
子を回収することによって、プラズマが生成される真空
容器内に微粒子が飛散することを防ぎ、周囲に配置され
た装置などの動作に支障が生じることを防止することが
できる。また、微粒子をターゲット材として再度利用す
ることによって、電磁波発生装置として効率的な運転が
可能となる。In this means, the fine particles supplied to the plasma generating position but not used for generating the plasma are collected, so that the fine particles are prevented from being scattered in the vacuum vessel where the plasma is generated, and It is possible to prevent the operation of the disposed device or the like from being hindered. Further, by using the fine particles again as the target material, efficient operation as an electromagnetic wave generator can be achieved.

【００１４】前記課題を解決するための第五の手段は、
前記微粒子標的材が、金属あるいは酸化物などの金属の
化合物であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
か１項に記載の電磁波発生装置（請求項５）である。本
手段においては、標的微粒子を金属あるいは金属の化合
物としている。金属はＬＰＳの標的材とした場合に高い
変換効率が得られるため、金属あるいは金属化合物微粒
子を標的とすることによって大きな光量を得ることがで
きる。A fifth means for solving the above-mentioned problem is as follows.
The electromagnetic wave generator according to any one of claims 1 to 4, wherein the fine particle target material is a metal compound such as a metal or an oxide. In this means, the target fine particles are a metal or a metal compound. Since high conversion efficiency can be obtained when a metal is used as a target material for LPS, a large amount of light can be obtained by targeting metal or metal compound fine particles.

【００１５】前記課題を解決するための第六の手段は、
前記供給する微粒子を貯蔵しておく微粒子溜を有し、該
微粒子溜内部の微粒子を加熱することにより微粒子表面
の吸着水を減少させる手段を有することを特徴とする請
求項１乃至５のいずれか１項に記載の電磁波発生装置
（請求項６）である。[0015] A sixth means for solving the above-mentioned problems is as follows.
6. The apparatus according to claim 1, further comprising: a fine particle reservoir for storing the supplied fine particles, and a device for heating the fine particles in the fine particle reservoir to reduce water adsorbed on the surface of the fine particles. An electromagnetic wave generator according to claim 1 (claim 6).

【００１６】本手段においては、微粒子溜内部に貯蔵さ
れた微粒子を加熱し、微粒子表面の吸着水を減少させる
ことより静電搬送が容易となり、十分な微粒子をプラズ
マ発生位置に供給することができる。加熱温度は１００
℃以上である事が好ましく、２００〜３００℃程度が好
ましい。In this means, the fine particles stored in the fine particle reservoir are heated to reduce the amount of water adsorbed on the surface of the fine particles, so that the electrostatic transfer becomes easy, and sufficient fine particles can be supplied to the plasma generation position. . Heating temperature is 100
C. or higher, preferably about 200 to 300C.

【００１７】前記課題を解決するための第七の手段は、
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電磁波発生装置
を有し、当該電磁波発生装置から射出した電磁波を用い
てマスクを照明する照明光学系と、当該マスク上に設け
られたパターンを感応基板上に転写する投影光学系と、
を有する事を特徴とする半導体製造装置（請求項７）で
ある。[0017] A seventh means for solving the above problems is as follows.
An illumination optical system, comprising: the electromagnetic wave generator according to claim 1, which illuminates a mask using electromagnetic waves emitted from the electromagnetic wave generator, and a pattern provided on the mask. A projection optical system for transferring onto a substrate,
A semiconductor manufacturing apparatus (claim 7) having the following.

【００１８】本手段においては、処理速度の高い半導体
製造装置を実現することができる。前記課題を解決する
ための第八の手段は、請求項７に記載の半導体製造装置
を用いてマスク上に形成されているパターンをレジスト
が塗布されている感応基板上に転写する行程を有してな
ることを特徴とする半導体デバイスの製造方法（請求項
８）である。According to this means, a semiconductor manufacturing apparatus having a high processing speed can be realized. An eighth means for solving the above-mentioned problem has a step of transferring a pattern formed on a mask onto a sensitive substrate coated with a resist by using the semiconductor manufacturing apparatus according to claim 7. A method of manufacturing a semiconductor device (claim 8).

【００１９】本手段においては、より多くの電磁波を露
光に利用できるため、効率的に半導体素子を製造するこ
とができる。In the present means, since more electromagnetic waves can be used for exposure, a semiconductor element can be manufactured efficiently.

【００２０】[0020]

【発明の実施の形態】図１に本発明における軟Ｘ線発生
装置の実施形態の構成図を示す。本実施形態はＥＵＶリ
ソグラフィ装置における照明光学系のＥＵＶ光発生部分
である。排気装置（不図示）によって１０Ｐａ以下の圧
力にまで排気された真空容器１５の内部にヘリウム（Ｈ
ｅ）ガスが導入されている。微粒子溜２には標的材とな
る微粒子１が蓄えられており、２つの管状搬送装置３，
５によってプラズマの生成位置に供給されている。微粒
子は直径１０μｍの酸化錫の微粒子であり、搬送する管
の径が５ｍｍの第一の搬送装置３によって第二の管状搬
送装置５の入り口まで搬送される。管状搬送装置３の管
の内壁には６本の配線がそれぞれ交わらないように螺旋
状に施されており、その表面は薄い絶縁膜に覆われてい
る。隣の配線との間隔は１０μｍであり、直径１０μｍ
の酸化錫微粒子を搬送するのに適した間隔となってい
る。また、管径が５ｍｍと微粒子径に対して十分に大き
いので、管が微粒子によって詰まる恐れはなく、大量の
微粒子を円滑に搬送することができる。第二の管状搬送
装置５はプラズマ生成位置の近傍に微粒子の出口を有
し、出口に向かって管径が徐々に小さくなる構造を有し
ている。出口での管径は１００μｍである。第二の管状
搬送装置５では、ガス供給管１４から管内に乾燥したヘ
リウムガスを導入しており、微粒子と共にヘリウムガス
も吹き出している。ガスの流れを形成しているため、搬
送装置の出口から飛び出した微粒子はガスの流れに沿っ
て運動するため、ガスの無い場合に比べて微粒子の運動
方向を安定させることができる。従来の技術の様にガス
のみで微粒子を搬送させるないため、ガスの流量は微粒
子の運動方向を安定させるのに最低限必要な流量で充分
であり、排気系に大きな負荷を生じさせるほどのもので
はない。微粒子溜２に微粒子を供給する際の前室１３で
は、内部を排気した状態でヒータにより加熱することに
より微粒子表面の吸着水を減少させることができる。微
粒子の表面に吸着水が存在すると、その表面張力によっ
て微粒子は粒塊となりやすく、搬送装置によって静電搬
送を行うのには適さないが、吸着水を減少させることに
よって搬送に適した状態になる。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a soft X-ray generator according to the present invention. This embodiment is an EUV light generation portion of an illumination optical system in an EUV lithography apparatus. Helium (H) is introduced into the vacuum vessel 15 evacuated to a pressure of 10 Pa or less by an exhaust device (not shown).
e) Gas is introduced. The fine particle reservoir 2 stores fine particles 1 serving as a target material.
5 is supplied to the plasma generation position. The fine particles are fine particles of tin oxide having a diameter of 10 μm, and are conveyed to the entrance of the second tubular conveying device 5 by the first conveying device 3 having a conveying tube having a diameter of 5 mm. Six wires are spirally formed on the inner wall of the tube of the tubular transport device 3 so as not to cross each other, and the surface is covered with a thin insulating film. The distance between the adjacent wiring is 10 μm, and the diameter is 10 μm.
The interval is suitable for conveying the tin oxide fine particles of the above. In addition, since the tube diameter is 5 mm, which is sufficiently larger than the particle size, there is no possibility that the tube is clogged with the particles, and a large amount of the particles can be smoothly transported. The second tubular transport device 5 has an outlet for fine particles near the plasma generation position, and has a structure in which the pipe diameter gradually decreases toward the outlet. The tube diameter at the outlet is 100 μm. In the second tubular transport device 5, dried helium gas is introduced into the tube from the gas supply tube 14, and helium gas is also blown out along with the fine particles. Since the gas flow is formed, the fine particles jumping out of the outlet of the transfer device move along the gas flow, so that the moving direction of the fine particles can be stabilized as compared with the case where there is no gas. Since the particles are not conveyed by gas alone as in the conventional technology, the flow rate of the gas should be the minimum necessary to stabilize the direction of movement of the particles, and it will cause a large load on the exhaust system. is not. In the front chamber 13 when the fine particles are supplied to the fine particle reservoir 2, the water adsorbed on the surface of the fine particles can be reduced by heating the inside of the front chamber 13 with the heater exhausted. If adsorbed water is present on the surface of the fine particles, the fine particles are likely to become agglomerates due to the surface tension, and are not suitable for performing the electrostatic transfer by the transfer device, but the state becomes suitable for transfer by reducing the absorbed water. .

【００２１】管状搬送装置５の出口から飛び出した微粒
子群には、レンズ１２で集光したパルスレーザー光７
が、反射防止膜を施したレーザー光導入窓１１を通じて
照射され、プラズマ６が生成される。酸化錫を標的材と
してレーザープラズマを生成することによって波長１３
ｎｍ付近のＥＵＶ光が効率よく輻射される。真空容器内
には、プラズマ生成位置に焦点を有する回転放物面鏡１
０が配置されており、その表面には波長１３ｎｍのＥＵ
Ｖ光を効率よく反射するようにＭｏ／Ｓｉ多層膜が形成
されている。プラズマ６から発した波長１３ｎｍのＥＵ
Ｖ光は回転放物面鏡１０で反射してＥＵＶ平行光束９を
形成し、該ＥＵＶ平行光束９は照明光学系を介してマス
クの照明に利用される。プラズマ６の周囲には薄板状の
飛散粒子阻止部材８が配置されている。この部材８は図
４に示すように回転放物面鏡１０に入射する光路と反射
した光路を面内に含むような方向に配置されており、Ｅ
ＵＶ光束をほとんど遮ることはない。しかし、プラズマ
６の生成によって発生したイオン等の飛散粒子が、ヘリ
ウムガス分子との衝突によってその進行方向を僅かにで
も変えると、その飛散粒子は飛散粒子阻止部材８によっ
て効果的に阻止することができる。The pulsed laser light 7 condensed by the lens 12 is applied to the fine particles protruding from the outlet of the tubular conveying device 5.
Is irradiated through a laser light introduction window 11 provided with an anti-reflection film, and plasma 6 is generated. By generating a laser plasma using tin oxide as a target material, the wavelength 13
EUV light in the vicinity of nm is radiated efficiently. A rotating parabolic mirror 1 having a focal point at a plasma generation position is provided in a vacuum vessel.
0 is disposed, and the surface thereof has a EU of 13 nm.
A Mo / Si multilayer film is formed so as to reflect V light efficiently. 13 nm wavelength EU emitted from plasma 6
The V light is reflected by the rotating parabolic mirror 10 to form an EUV parallel light flux 9, which is used for illuminating the mask via an illumination optical system. A thin plate-shaped scattered particle blocking member 8 is arranged around the plasma 6. As shown in FIG. 4, the member 8 is arranged in such a direction as to include an optical path incident on the rotating parabolic mirror 10 and a reflected optical path in the plane.
It hardly blocks UV light. However, if scattered particles such as ions generated by the generation of the plasma 6 slightly change the traveling direction due to collision with helium gas molecules, the scattered particles can be effectively blocked by the scattered particle blocking member 8. it can.

【００２２】また、真空容器内には微粒子回収装置１７
が配置されている。回収装置１７の表面には１０μｍ間
隔で配線がなされており、静電搬送により微粒子を搬送
することができるようになっている。プラズマの生成に
利用されずに回収装置１７上に落下した微粒子１６を搬
送し、微粒子溜１８に回収している。回収した微粒子は
再び微粒子溜に供給され、プラズマの生成に利用され
る。A fine particle collecting device 17 is provided in the vacuum vessel.
Is arranged. Wiring is provided on the surface of the collecting device 17 at intervals of 10 μm, so that fine particles can be transported by electrostatic transport. The fine particles 16 that have fallen onto the collecting device 17 without being used for generating plasma are conveyed and collected in the fine particle reservoir 18. The collected fine particles are again supplied to the fine particle reservoir and used for generating plasma.

【００２３】図２，３は上述の静電搬送の原理を示す図
である。この原理は、F.M.Moesnerand T.Higuchi, Devi
ces for Particle Handling by an ac Electric Field,
Proc. 1995 IEEE Workshop on Micro Electro Mechani
cal Systems pp.66-71 (1995)に報告されている。図２
のように基板２２上の絶縁層２１の中に配置された電極
２０に６相の交流電圧を印加すると、静電的な作用によ
って電極に引きつけられた微粒子１９が電極電圧の変化
によって次々に隣の電極に移って行くことを利用したも
のである。実際には３相でも搬送は可能であるが、６相
の方が確実に微粒子を搬送でき、電極の間隔、印加電
圧、電極と微粒子の距離、微粒子径、周波数などによっ
て微粒子の搬送速度が違うことも知られている。また、
図３のように電極となる導電性の細線２３を筒状部材２
４の周りに施すことにより管の中の微粒子１９を搬送で
き、金属、ガラス、高分子などほとんどの物質の微粒子
を搬送できることが知られている。FIGS. 2 and 3 are diagrams showing the principle of the above-described electrostatic transfer. This principle is based on FM Moesnerand T. Higuchi, Devi
ces for Particle Handling by an ac Electric Field,
Proc. 1995 IEEE Workshop on Micro Electro Mechani
cal Systems pp.66-71 (1995). FIG.
When a six-phase AC voltage is applied to the electrode 20 disposed in the insulating layer 21 on the substrate 22 as in the above, the fine particles 19 attracted to the electrode by the electrostatic action are successively placed by the change in the electrode voltage. This is based on the use of moving to the electrode. Actually, three phases can be transported, but six phases can transport the fine particles more reliably, and the transport speed of the fine particles differs depending on the distance between the electrodes, the applied voltage, the distance between the electrodes and the fine particles, the fine particle diameter, the frequency, and the like. It is also known. Also,
As shown in FIG. 3, a conductive thin wire 23 serving as an electrode is
It is known that by applying around, the fine particles 19 in the tube can be transported, and the fine particles of almost any substance such as metal, glass, and polymer can be transported.

【００２４】本実施形態においては、微粒子搬送装置の
管状の部分の断面は円形であるものを用いているが、そ
の形状はこれに限るものではなく、長方形など他の形状
でも良い。本実施形態においては、標的材を酸化錫の微
粒子としているが、標的材の材質はこれに限るものでは
ない。金属錫や他の金属、金属の化合物でも良い。ま
た、目的とする電磁波の波長に合わせて標的材は変える
ことが望ましい。例えば、波長４．５ｎｍ程度のＥＵＶ
光を発生させたい場合にはポリスチレンなど有機物の微
粒子を利用すればよい。In the present embodiment, the cross section of the tubular portion of the fine particle transport device is circular, but the shape is not limited to this and may be other shapes such as a rectangle. In the present embodiment, the target material is tin oxide fine particles, but the material of the target material is not limited to this. Metal tin, other metals, and compounds of metals may be used. Also, it is desirable to change the target material according to the wavelength of the target electromagnetic wave. For example, EUV having a wavelength of about 4.5 nm
When light is desired to be generated, organic fine particles such as polystyrene may be used.

【００２５】本実施形態においては、微粒子の径を１０
μｍとしているが、微粒子の径はこれに限るものではな
い。１００μｍ程度の微粒子を用いて、微粒子群ではな
く単一の微粒子にレーザー光を集光照射しても良く、ま
た、逆にさらに小さい微粒子を用いても良い。それらの
微粒子を搬送するためには、搬送装置の配線の間隔など
を最適化する必要がある。In this embodiment, the diameter of the fine particles is 10
Although it is set to μm, the diameter of the fine particles is not limited to this. By using fine particles of about 100 μm, laser light may be condensed and irradiated on a single fine particle instead of a fine particle group, or conversely, finer fine particles may be used. In order to transport those fine particles, it is necessary to optimize the distance between the wires of the transport device.

【００２６】本実施形態においては、飛散粒子を阻止す
るためにヘリウムガスを導入し、飛散粒子阻止部材を配
置しているが、飛散粒子の影響が問題とならない場合に
は、ガスの導入と飛散粒子阻止部材の配置は行わなくて
もよい。また、導入するガスはヘリウムに限るものでは
なく、クリプトンなど他の気体でもよい。一般に重い気
体分子の方が飛散粒子を阻止する効果は大きく、より低
い圧力で飛散粒子阻止の効果が得られる。ただしその際
に、利用するＥＵＶ光の気体による吸収には注意を払う
必要がある。ヘリウムはＥＵＶ領域では広い領域で比較
的低い吸収係数を有するが、他の気体では吸収が大きく
なる。クリプトンは波長１３．２ｎｍ付近に吸収端を有
しているので、これよりも短い波長のＥＵＶ光に対して
は非常に吸収が大きいが、１４ｎｍ付近ではヘリウムと
同程度の透過率が得られるので、飛散粒子の低減には効
果的である。In this embodiment, helium gas is introduced to prevent scattered particles, and the scattered particle blocking member is disposed. However, when the influence of scattered particles does not matter, the introduction and scattering of gas are performed. The arrangement of the particle blocking member need not be performed. Further, the gas to be introduced is not limited to helium, but may be another gas such as krypton. In general, heavy gas molecules have a greater effect of blocking scattered particles, and the effect of preventing scattered particles can be obtained at a lower pressure. At that time, however, it is necessary to pay attention to the absorption of the EUV light used by the gas. Helium has a relatively low absorption coefficient in a wide region in the EUV region, but increases absorption in other gases. Since krypton has an absorption edge at a wavelength of about 13.2 nm, it has a very large absorption for EUV light having a shorter wavelength, but at about 14 nm, a transmittance similar to that of helium can be obtained. It is effective for reducing scattering particles.

【００２７】本実施形態においては、回転放物面鏡によ
って平行光束を形成しているが、これに限るものではな
く、利用目的によっては、回転楕円鏡、回転双曲面鏡な
どにより集光光束、発散光束を形成しても良い。図５
は、本発明の第２の実施形態を示す概略図である。本実
施形態は第１の実施形態に示した軟Ｘ線発生装置（電磁
波発生装置）を用いてＸ線縮小露光装置（半導体露光装
置）を構成したものである。尚、第１の実施形態で説明
した部分については電磁波発生装置５００として説明を
省略している。In the present embodiment, a parallel light beam is formed by a paraboloid of revolution, but the present invention is not limited to this. Depending on the purpose of use, a convergent light beam may be formed by a spheroidal mirror, a hyperboloid of revolution, or the like. A divergent light beam may be formed. FIG.
FIG. 4 is a schematic diagram showing a second embodiment of the present invention. In this embodiment, an X-ray reduction exposure apparatus (semiconductor exposure apparatus) is configured using the soft X-ray generator (electromagnetic wave generator) shown in the first embodiment. The description of the part described in the first embodiment is omitted as the electromagnetic wave generator 500.

【００２８】電磁波発生装置５００から射出した軟Ｘ線
（波長13nm）は照明光学系507に入射する。照明光学系5
07により照明領域を円弧状に整形し、IC回路パターンが
形成されている反射マスク508を照明する。反射マスク5
08で反射したＸ線は投影光学系510により1/4に縮小さ
れ、レジストが塗布されたシリコンウェハー511上に結
像される。このとき、ウェハー511と反射マスク508はそ
れぞれ反射マスク移動ステージ513、ウェハー移動ステ
ージ514上に取り付けられ、これらステージは同期して
スキャンすることで、25×25mm角のICチップ全面を露光
できるようになっている。この露光装置により、レジス
ト上で0.07μｍ L/SのICパターンが露光できるようにな
っている。The soft X-ray (13 nm in wavelength) emitted from the electromagnetic wave generator 500 enters the illumination optical system 507. Illumination optics 5
The illumination area is shaped into an arc shape by 07, and the reflection mask 508 on which the IC circuit pattern is formed is illuminated. Reflective mask 5
The X-rays reflected at 08 are reduced to 1/4 by the projection optical system 510, and are imaged on the resist-coated silicon wafer 511. At this time, the wafer 511 and the reflection mask 508 are mounted on the reflection mask moving stage 513 and the wafer moving stage 514, respectively, and these stages are scanned synchronously so that the entire 25 × 25 mm square IC chip can be exposed. Has become. With this exposure apparatus, an IC pattern of 0.07 μm L / S can be exposed on the resist.

【００２９】以下、本発明に係る半導体デバイスの製造
方法の実施の形態の例を説明する。図６は、本発明に係
る半導体デバイスの製造方法の一例を示すフローチャー
トである。この例の製造工程は以下の各主行程を含む。 （１）ウエハを製造するウエハ製造工程（又はウエハを
準備するウエハ準備工程) （２）露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程
（又はマスクを準備するマスク準備工程） （３）ウエハに必要な加工処理を行うウエハプロセッシ
ング行程 （４）ウエハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出
し、動作可能にならしめるチップ組立行程 （５）できたチップを検査するチップ検査工程 なお、それぞぞれの行程はさらに幾つかのサブ行程から
なっている。An embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described below. FIG. 6 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention. The manufacturing process of this example includes the following main steps. (1) Wafer manufacturing process for manufacturing a wafer (or wafer preparing process for preparing a wafer) (2) Mask manufacturing process for manufacturing a mask used for exposure (or mask preparing process for preparing a mask) (3) Necessary for a wafer (4) Chip assembling step of cutting out chips formed on a wafer one by one and making them operable (5) Chip inspection step of inspecting the completed chips The process consists of several further sub-processes.

【００３０】これらの主行程の中で、半導体のデバイス
の性能に決定的な影響を及ぼす主行程がウエハプロセッ
シング行程である。この行程では、設計された回路パタ
ーンをウエハ上に順次積層し、メモリやMPUとして動作
するチップを多数形成する。このウエハプロセッシング
行程は以下の各工程を含む。 （１）絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、或いは電極部
を形成する金属薄膜などを形成する薄膜形成行程（ＣＶ
Ｄやスパッタリング等を用いる） （２）この薄膜層やウエハ基板を酸化する酸化行程 （３）薄膜層やウエハ基板などを選択的に加工するため
にマスク（レチクル）を用いてレジストのパターンを形
成するリソグラフィー行程 （４）レジストのパターンに従って薄膜層や基板を加工
するエッチング行程（例えばドライエッチング技術を用
いる） （５）イオン・不純物注入拡散行程 （６）レジスト剥離行程 （７）さらに加工されたウエハを検査する検査工程 なお、ウエハプロセッシング行程は必要な層数だけ繰り
返し行ない、設計通り動作する半導体デバイスを製造す
る。Among these main steps, the main step that has a decisive effect on the performance of the semiconductor device is the wafer processing step. In this process, designed circuit patterns are sequentially stacked on a wafer, and a number of chips that operate as a memory or an MPU are formed. This wafer processing step includes the following steps. (1) A thin film forming process (CV) for forming a dielectric thin film or wiring portion serving as an insulating layer, or a metal thin film forming an electrode portion.
(2) Oxidation process of oxidizing this thin film layer or wafer substrate (3) Forming a resist pattern using a mask (reticle) to selectively process the thin film layer or wafer substrate (4) Etching process of processing a thin film layer or a substrate according to a resist pattern (for example, using a dry etching technology) (5) Ion / impurity implantation diffusion process (6) Resist stripping process (7) Further processed wafer In addition, the wafer processing step is repeatedly performed for a required number of layers to manufacture a semiconductor device that operates as designed.

【００３１】図７は、図６のウエハプロセッシング行程
の中核をなすリソグラフィー行程を示すフローチャート
である。このリソグラフィー行程は以下の各工程を含
む。 （１）全段の行程で回路パターンが形成されたウエハ上
にレジストをコートするレジスト塗布行程 （２）レジストを露光する露光行程 （３）露光されたレジストを現像してレジストのパター
ンを得る現像行程 （４）現像されたレジストパターンを安定化させるため
のアニール行程 以上の半導体デバイス製造工程、ウエハプロセッシング
行程、リソグラフィー行程については、周知のものであ
り、これ以上の説明を要しないであろう。FIG. 7 is a flowchart showing a lithography step which is the core of the wafer processing step shown in FIG. This lithography step includes the following steps. (1) A resist coating step of coating a resist on a wafer on which a circuit pattern has been formed in all the steps (2) An exposure step of exposing the resist (3) A development of developing the exposed resist to obtain a resist pattern Process (4) Annealing process for stabilizing the developed resist pattern The semiconductor device manufacturing process, wafer processing process, and lithography process described above are well known and need not be further described.

【００３２】上記リソグラフィー行程の中の（２）の露
光行程に、本発明に係るＸ線露光装置を用いると、線幅
の小さなパターンの露光転写を行うことができる。そし
て、これらＸ線露光装置は、長時間の連続運転が可能で
あるので、本発明の半導体デバイスの製造方法によれ
ば、歩留まりよく半導体デバイスを製造することができ
る。When the X-ray exposure apparatus according to the present invention is used in the exposure step (2) in the lithography step, exposure transfer of a pattern having a small line width can be performed. Since these X-ray exposure apparatuses can be operated continuously for a long time, according to the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, semiconductor devices can be manufactured with high yield.

【００３３】[0033]

【発明の効果】以上、説明したように、本発明における
電磁波発生装置によれば、微粒子ターゲットを十分な密
度で長時間にわたって安定に供給し続けることが可能と
なり、変換効率が高く、飛散粒子の少ないＬＰＳを実現
することができる。また、この電磁波発生装置をＥＵＶ
露光装置の光源に用いることにより、より高い処理能力
を有する半導体製造装置を得ることができる。さらにこ
の半導体製造装置を用いた半導体集積回路製造方法によ
って処理能力の高い半導体集積回路製造方法を得ること
ができる。As described above, according to the electromagnetic wave generator of the present invention, it is possible to stably supply a fine particle target at a sufficient density for a long period of time. Low LPS can be realized. Also, this electromagnetic wave generator is EUV
By using the light source of the exposure apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus having higher processing ability can be obtained. Further, a semiconductor integrated circuit manufacturing method having a high processing capability can be obtained by a semiconductor integrated circuit manufacturing method using the semiconductor manufacturing apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】は、本発明の実施形態の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an embodiment of the present invention.

【図２】は、静電搬送装置の原理を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating the principle of an electrostatic transfer device.

【図３】は、管状の静電搬送装置の構成を示す図であ
る。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a tubular electrostatic transfer device.

【図４】は、飛散粒子阻止部材の形状と配置を示す図で
ある。FIG. 4 is a diagram showing the shape and arrangement of a scattering particle blocking member.

【図５】本発明の第２の実施形態を示すＸ線縮小露光装
置の概略図である。FIG. 5 is a schematic view of an X-ray reduction exposure apparatus showing a second embodiment of the present invention.

【図６】本発明に係るＸ線露光装置を利用した半導体デ
バイスの製造方法を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a method for manufacturing a semiconductor device using the X-ray exposure apparatus according to the present invention.

【図７】リソグラフィー行程の概要を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an outline of a lithography process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 微粒子標的材 ２ 微粒子溜 ３ 管状微粒子搬送装置１ ４ ガス混合容器 ５ 管状微粒子搬送装置２ ６ プラズマ ７ パルスレーザー光 ８ 飛散粒子阻止部材 ９ ＥＵＶ平行光束 １０ 回転放物面鏡 １１ レーザー光導入窓 １２ レンズ １３ 前室 １４ ガス道入管 １５ 真空容器 １６ 微粒子 １７ 搬送装置 １８ 回収容器 １９ 搬送微粒子 ２０ 電極 ２１ 絶縁層 ２２ 基板 ２３ 導電性の細線 ２４ 筒状部材 REFERENCE SIGNS LIST 1 fine particle target material 2 fine particle reservoir 3 tubular fine particle transport device 1 4 gas mixing vessel 5 tubular fine particle transport device 2 6 plasma 7 pulse laser beam 8 scattering particle blocking member 9 EUV parallel light beam 10 rotating parabolic mirror 11 laser light introduction window 12 Lens 13 Front chamber 14 Gas passage inlet 15 Vacuum container 16 Fine particles 17 Conveying device 18 Collection container 19 Conveyed fine particles 20 Electrode 21 Insulating layer 22 Substrate 23 Conductive thin wire 24 Cylindrical member

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】減圧した容器内に配置あるいは導入された
標的物質に励起エネルギービームを照射してプラズマ化
し、該プラズマが輻射する電磁波を利用する電磁波発生
装置において、 該標的物質が微粒子であり、該微粒子状標的物質が静電
的な作用を利用した搬送装置によって供給されているこ
とを特徴とする軟Ｘ線発生装置。1. An electromagnetic wave generator that irradiates an excitation energy beam to a target substance placed or introduced in a depressurized container to generate plasma, and uses an electromagnetic wave radiated by the plasma, wherein the target substance is fine particles, A soft X-ray generator, wherein the particulate target material is supplied by a transport device utilizing an electrostatic action. 【請求項２】前記標的材を供給する静電的な作用を利用
した搬送装置が筒状の形状を有しており、該筒状の形状
の外周に沿って少なくとも３本以上の導電性の線材が巻
き付いた構造であり、該導電性の線材に各々違った電位
を与えることができる電位発生装置を備えたことを特徴
とする請求項１に記載の電磁波発生装置。2. A transfer device using an electrostatic action for supplying the target material, the transfer device having a cylindrical shape, and at least three or more conductive members along the outer periphery of the cylindrical shape. 2. The electromagnetic wave generator according to claim 1, wherein the electromagnetic wave generator has a structure in which the wire is wound, and further includes a potential generator capable of giving different potentials to the conductive wire. 【請求項３】標的材となる微粒子を搬送する前記筒状の
搬送装置の内側に気体の流れを生じさせる手段を有する
ことを特徴とする、請求項１または２に記載の電磁波発
生装置。3. The electromagnetic wave generator according to claim 1, further comprising means for generating a gas flow inside the cylindrical transfer device for transferring the fine particles serving as the target material. 【請求項４】前記静電的な作用を利用した搬送装置から
供給された微粒子のうちプラズマ化されなかった微粒子
を回収する機構を備えたことを特徴とする請求項１乃至
３のいずれか１項に記載の電磁波発生装置。4. A mechanism according to claim 1, further comprising a mechanism for collecting fine particles which have not been turned into plasma out of fine particles supplied from the transfer device utilizing the electrostatic action. An electromagnetic wave generator according to the item. 【請求項５】前記微粒子標的材が、金属あるいは酸化物
などの金属の化合物であることを特徴とする請求項１乃
至４のいずれか１項に記載の電磁波発生装置。5. The electromagnetic wave generator according to claim 1, wherein the fine particle target material is a compound of a metal such as a metal or an oxide. 【請求項６】前記供給する微粒子を貯蔵しておく微粒子
溜を有し、該微粒子溜内部の微粒子を加熱することによ
り微粒子表面の吸着水を減少させる手段を有することを
特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電磁
波発生装置。6. The apparatus according to claim 1, further comprising a fine particle reservoir for storing the fine particles to be supplied, and means for reducing the amount of water adsorbed on the surface of the fine particles by heating the fine particles in the fine particle reservoir. The electromagnetic wave generator according to any one of claims 1 to 5. 【請求項７】請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電
磁波発生装置を有し、当該電磁波発生装置から射出した
電磁波を用いてマスクを照明する照明光学系と、当該マ
スク上に設けられたパターンを感応基板上に転写する投
影光学系と、を有する事を特徴とする半導体製造装置7. An illumination optical system having the electromagnetic wave generator according to claim 1, illuminating a mask using electromagnetic waves emitted from the electromagnetic wave generator, and provided on the mask. And a projection optical system for transferring the obtained pattern onto a sensitive substrate. 【請求項８】請求項７に記載の半導体製造装置を用いて
マスク上に形成されているパターンをレジストが塗布さ
れている感応基板上に転写する行程を有してなることを
特徴とする半導体デバイスの製造方法。8. A semiconductor comprising a step of transferring a pattern formed on a mask onto a sensitive substrate coated with a resist by using the semiconductor manufacturing apparatus according to claim 7. Device manufacturing method.
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