JP2002008578A - Ion implantation device - Google Patents
Ion implantation deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スにおいて使用されるイオン注入装置に関する。The present invention relates to an ion implantation apparatus used in a semiconductor manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、シリコン
基板や各種の膜にｐ型又はｎ型の不純物拡散層を形成す
るために、従来より、ｐ型不純物又はｎ型不純物をシリ
コン基板や各種の膜に導入するイオン注入装置が用いら
れている。2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, in order to form a p-type or n-type impurity diffusion layer on a silicon substrate or various films, a p-type impurity or an n-type impurity has conventionally been added to a silicon substrate or various films. An ion implanter for introduction is used.
【０００３】このイオン注入装置においては、被処理体
である半導体ウエハ（以下、ウエハと省略する）に注入
する不純物源（不純物ガス）をイオン化させ、イオン化
した不純物を加速してウエハに照射することにより、ウ
エハの所定の部位にイオン注入する。In this ion implantation apparatus, an impurity source (impurity gas) to be implanted into a semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as a wafer) to be processed is ionized, and the ionized impurity is accelerated and irradiated onto the wafer. , Ions are implanted into a predetermined portion of the wafer.
【０００４】イオン注入工程においては、装置のセット
アップ時、すなわちウエハにイオン注入する前の装置の
調整時に、イオンビームのビーム分布（イオン濃度）プ
ロファイルのデータをとる。そして、このデータをフィ
ードバックしてビーム分布プロファイルを均一に制御す
る。In the ion implantation step, data of a beam distribution (ion concentration) profile of an ion beam is obtained at the time of setting up the apparatus, that is, at the time of adjusting the apparatus before ion implantation into a wafer. The data is fed back to uniformly control the beam distribution profile.
【０００５】具体的には、図５（ａ）に示すように、板
状の配設体５２の一方の主面に複数のファラデーカップ
５３を配設し、それぞれのファラデーカップ５３を計測
器５１に接続したものを使用する。More specifically, as shown in FIG. 5A, a plurality of Faraday cups 53 are arranged on one main surface of a plate-shaped arrangement body 52, and each Faraday cup 53 is measured by a measuring device 51. Use the one connected to.
【０００６】このファラデーカップ５３は、例えば、図
５（ｂ）に示すように配置される。また、ファラデーカ
ップ５３は、図６に示すような構成を有しており、略コ
の字形状のファラデー本体５３ａの２つの先端にそれぞ
れ絶縁部材５３ｂを介してバイアスリング５３ｃが取り
付けられている。このバイアスリング５３ｃは、イオン
がファラデーカップから外に出ることを防止する。The Faraday cup 53 is arranged, for example, as shown in FIG. Further, the Faraday cup 53 has a configuration as shown in FIG. 6, and a bias ring 53c is attached to two ends of a substantially U-shaped Faraday body 53a via insulating members 53b, respectively. The bias ring 53c prevents ions from going out of the Faraday cup.
【０００７】上記構成の配設体を用いて装置のセットア
ップを行う場合、配設体をウエハ面に平行に配置し、こ
の状態でイオンビームを配設体に照射してイオンビーム
の電流分布を計測する。そして、イオンビームの走査速
度を調整しながら電流分布を計測して、イオンビーム分
布プロファイルが所定の範囲に収まるようにする。[0007] When setting up the apparatus using the arrangement having the above structure, the arrangement is arranged in parallel with the wafer surface, and in this state, the ion beam is irradiated on the arrangement to change the current distribution of the ion beam. measure. Then, the current distribution is measured while adjusting the scanning speed of the ion beam so that the ion beam distribution profile falls within a predetermined range.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上記従来のイオン注入
装置では、ファラデーによる電流値の測定には２次電子
流出を防ぐためのバイアスリングの機構、絶縁物質等の
多くの部品を要し、非常に煩雑になる。また、これらの
煩雑な構成を要するため、大型な測定器となり、細かな
ビームの径を測定するには不向きである。In the above-described conventional ion implantation apparatus, the measurement of the current value by Faraday requires a bias ring mechanism for preventing the outflow of secondary electrons, and many components such as an insulating material. Is complicated. In addition, since these complicated configurations are required, the measuring instrument becomes a large measuring instrument, and is not suitable for measuring a fine beam diameter.
【０００９】具体的には、イオンビーム径は１〜１０ｃ
ｍ四方である。したがって、イオンビーム径がこの程度
の大きさであれば、上記のようにビーム分布プロファイ
ルを測定するために、５ｍｍ角程度の大きさであるファ
ラデーカップを用いることが可能である。[0009] Specifically, the ion beam diameter is 1 to 10c.
m square. Therefore, if the ion beam diameter is such a large size, it is possible to use a Faraday cup having a size of about 5 mm square in order to measure the beam distribution profile as described above.
【００１０】しかしながら、１ｃｍ四方のイオンビーム
の分布プロファイルを測定する場合に、５ｍｍ角程度の
大きさであるファラデーカップを用いると、必然的に分
布プロファイルを正確に測定することができなくなる。However, when a distribution profile of a 1 cm square ion beam is measured, if a Faraday cup having a size of about 5 mm square is used, the distribution profile cannot necessarily be measured accurately.
【００１１】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、イオンビーム径に関係なく、正確にイオンビーム
分布プロファイルを測定できるイオン注入装置を提供す
ることを目的とする。The present invention has been made in view of the above point, and an object of the present invention is to provide an ion implantation apparatus capable of accurately measuring an ion beam distribution profile regardless of an ion beam diameter.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は、被処理体にイ
オン注入する前に、イオンビームのビーム分布プロファ
イルを測定する機構を備えたイオン注入装置であって、
最適なイオンビーム形状を作成するビーム形状作成手段
と、イオンビームを照射する被処理体を載置する載置手
段と、被処理体にイオン注入する前にイオンビームが照
射される位置に配置され、前記被処理体にイオン注入す
る際にイオンビームが照射されない位置に配置されるビ
ーム照射台と、前記ビーム照射台又は前記載置手段と電
気的に接続され、イオンビームの照射による電流値を測
定する電流測定手段と、を具備し、前記ビーム照射台
は、イオンビームが照射されることによる温度上昇を検
出する温度検出手段を有することを特徴とするイオン注
入装置を提供する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is an ion implantation apparatus provided with a mechanism for measuring a beam distribution profile of an ion beam before ion implantation into an object to be processed.
Beam shape creating means for creating an optimum ion beam shape, mounting means for mounting an object to be irradiated with an ion beam, and a position to be irradiated with an ion beam before ion implantation into the object to be processed. A beam irradiation table arranged at a position where the ion beam is not irradiated when the object is ion-implanted, and electrically connected to the beam irradiation table or the placing means, and a current value due to the irradiation of the ion beam. Current measuring means for measuring, and wherein the beam irradiation table has a temperature detecting means for detecting a temperature rise due to irradiation of the ion beam.
【００１３】この構成によれば、ファラデーカップに比
べて小さい面積を測定することが可能となるので、イオ
ンビーム径に関係なく、正確にイオンビーム分布プロフ
ァイルを測定できる。According to this configuration, it is possible to measure an area smaller than that of the Faraday cup, so that the ion beam distribution profile can be accurately measured regardless of the ion beam diameter.
【００１４】本発明のイオン注入装置においては、ビー
ム照射台は、イオンビーム照射方向において前記載置手
段より前段に配置されており、被処理体にイオン注入す
る前に、前記載置手段と平行に位置することが好まし
い。In the ion implantation apparatus according to the present invention, the beam irradiation table is disposed at a stage prior to the placing means in the ion beam irradiation direction, and is parallel to the placing means before implanting ions into the object. Is preferably located.
【００１５】本発明のイオン注入装置においては、温度
検出手段は、温度センサ及び赤外線検出器のいずれか一
方であることが好ましい。In the ion implantation apparatus according to the present invention, the temperature detecting means is preferably one of a temperature sensor and an infrared detector.
【００１６】本発明のイオン注入装置においては、ビー
ム照射台からのイオンビーム照射による電流値の情報に
基づいてビーム形状作成手段を制御する制御手段を具備
することが好ましい。この構成により、ビーム照射台で
得られた情報に基づいてフィードバック制御により自動
的に最適なビーム形状を作成することができる。The ion implantation apparatus of the present invention preferably comprises a control means for controlling the beam shape creating means based on information on the current value by the irradiation of the ion beam from the beam irradiation table. With this configuration, an optimal beam shape can be automatically created by feedback control based on information obtained from the beam irradiation table.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発
明の一実施の形態に係るイオン注入装置のイオン注入部
の概略構成を示す図である。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an ion implantation unit of an ion implantation apparatus according to one embodiment of the present invention.
【００１８】図１に示すイオン注入装置において、イオ
ン注入部１の処理室１１内には、ウエハ保持台１２が設
置されている。このウエハ保持台１２は、その表面がイ
オンビームの進行方向に対して略垂直になるように設置
されている。このウエハ保持台１２上には、被処理体で
あるウエハＷが載置される。In the ion implantation apparatus shown in FIG. 1, a wafer holding table 12 is provided in a processing chamber 11 of the ion implantation section 1. The wafer holder 12 is installed so that the surface thereof is substantially perpendicular to the traveling direction of the ion beam. A wafer W to be processed is placed on the wafer holding table 12.
【００１９】ウエハ保持台１２の周囲には、導電材料で
構成された円筒形状のカップ１３が設置されている。こ
のカップ１３の入口開口１４（イオンビームの進行方向
においてウエハ保持台１２よりも前段）には、入口開口
１４を開閉するビーム照射台１６が取り付けられてい
る。このビーム照射台１６は、入口開口１４を塞ぐ位置
と、カップ１３の側壁に沿う位置との間を移動するよう
に構成されている。Around the wafer holder 12, a cylindrical cup 13 made of a conductive material is provided. A beam irradiation table 16 for opening and closing the entrance opening 14 is attached to the entrance opening 14 of the cup 13 (before the wafer holding table 12 in the traveling direction of the ion beam). The beam irradiation table 16 is configured to move between a position for closing the entrance opening 14 and a position along the side wall of the cup 13.
【００２０】入口開口１４の近傍には、カップ１３から
飛び出した２次電子をカップ１３内に戻すためにバイア
ス電圧を印加するバイアス電極１５が設置されている。
また、カップ１３のイオンビーム照射方向手前には、ウ
エハの被イオン注入面積を調整するためのマスク１７が
設けられている。A bias electrode 15 for applying a bias voltage is provided near the entrance opening 14 so as to return secondary electrons that have flowed out of the cup 13 into the cup 13.
A mask 17 for adjusting the ion implantation area of the wafer is provided in front of the cup 13 in the ion beam irradiation direction.
【００２１】ウエハ保持台１２又はビーム照射台１６に
は、ドーズカウンタ１９がスイッチ２０により切換可能
に電気的に接続されている。このドーズカウンタ１９
は、照射されたイオンビームの電流を測定する電流計１
８を有している。A dose counter 19 is electrically connected to the wafer holding table 12 or the beam irradiation table 16 so as to be switchable by a switch 20. This dose counter 19
Is an ammeter 1 for measuring the current of the irradiated ion beam.
Eight.
【００２２】ビーム照射台１６は、図２に示す構成を有
する。このビーム照射台１６は、熱伝導性が良好な材
質、例えばＳｉやＡｌで構成されていることが好まし
い。このビーム照射台１６の一方の主面（イオンビーム
が照射される表面と反対側の表面）には、温度検出手段
である複数の温度センサ２２が取り付けられている。こ
の温度センサ２２は、イオンビーム径が１ｃｍ程度の小
さいものでも正確にビーム分布プロファイルを測定でき
るように、比較的に寸法が小さいものを多数配置する。
温度センサ２２は、それぞれ配線２４により計測器２３
に電気的に接続されている。The beam irradiation table 16 has a configuration shown in FIG. The beam irradiation table 16 is preferably made of a material having good thermal conductivity, for example, Si or Al. A plurality of temperature sensors 22 as temperature detecting means are attached to one main surface of the beam irradiation table 16 (the surface opposite to the surface irradiated with the ion beam). The temperature sensor 22 is provided with a number of relatively small dimensions so that a beam distribution profile can be accurately measured even if the ion beam diameter is as small as about 1 cm.
The temperature sensor 22 is connected to a measuring device 23 by a wiring 24.
Is electrically connected to the
【００２３】次に、上記構成を有するイオン注入装置の
動作について説明する。Next, the operation of the ion implantation apparatus having the above configuration will be described.
【００２４】まず、イオンビーム分布プロファイルを測
定する場合、ビーム照射台１６をウエハ保持台１２と平
行にして、カップ１３の入口開口１４を塞ぐように移動
する。このとき、スイッチ２０により、ドーズカウンタ
１９とビーム照射台１６とを接続する。First, when measuring the ion beam distribution profile, the beam irradiation table 16 is moved parallel to the wafer holding table 12 so as to close the inlet opening 14 of the cup 13. At this time, the dose counter 19 and the beam irradiation table 16 are connected by the switch 20.
【００２５】この状態でイオンビームをビーム照射台１
６に照射する。イオンビームがビーム照射台１６に照射
されると、温度が上昇する。この温度を温度センサ２２
で検知して、計測器２３に出力する。ここで、温度＝電
力（Ｗ）＝電流（Ｉ）×電圧（Ｖ）の関係があるので、
電圧を一定にしておけば、電流の変化に応じて電力が変
化する。したがって、ビーム照射台１６の温度上昇を測
定することにより、電流値を求めることができる。この
電流値からイオン濃度を求めることができる。In this state, the ion beam is applied to the beam irradiation table 1.
Irradiate 6. When the ion beam is irradiated on the beam irradiation table 16, the temperature rises. This temperature is used as the temperature sensor 22
And outputs it to the measuring device 23. Here, since there is a relationship of temperature = power (W) = current (I) × voltage (V),
If the voltage is kept constant, the power changes according to the change in the current. Therefore, a current value can be obtained by measuring the temperature rise of the beam irradiation table 16. The ion concentration can be obtained from this current value.
【００２６】温度センサ２２は、ファラデーカップに比
べて小さい面積を測定することができるので、ビーム分
布プロファイルを細かく測定することができ、イオンビ
ーム径が小さい場合であっても正確にビーム分布プロフ
ァイルを測定することができる。その結果、ビーム分布
プロファイルを均一に制御して、ドーズ再現性を良好に
することができ、ウエハのチャージアップを抑制するこ
とができる。Since the temperature sensor 22 can measure an area smaller than that of the Faraday cup, the beam distribution profile can be measured finely, and even if the ion beam diameter is small, the beam distribution profile can be accurately measured. Can be measured. As a result, the beam distribution profile can be uniformly controlled, the dose reproducibility can be improved, and the charge-up of the wafer can be suppressed.
【００２７】そして、イオンビームの走査速度を調整し
ながら電流分布を計測して、イオンビーム分布プロファ
イルが所定の範囲に収まるようにする。この場合、図３
に示す機構によりフィードバック制御を行う。具体的に
は、イオン源３１で発生したイオンから質量分析器３２
で所望のイオンを抽出した後に、そのイオンを加速管３
３で加速し、このイオンを四重極レンズ３４で所望のビ
ーム形状にする。このイオンビームがビーム照射台３６
に照射される。The current distribution is measured while adjusting the scanning speed of the ion beam, so that the ion beam distribution profile falls within a predetermined range. In this case, FIG.
The feedback control is performed by the mechanism shown in FIG. More specifically, the mass spectrometer 32
After extracting the desired ions in the accelerating tube 3
The ions are accelerated at 3 and the ions are made into a desired beam shape by the quadrupole lens 34. This ion beam is applied to the beam irradiation table 36.
Is irradiated.
【００２８】このとき、Ｘ，Ｙスキャンプレート３５の
スキャン機構をＯＦＦとして、ビーム照射台３６から得
られたイオンビーム径の情報（ビーム分布プロファイ
ル）をＰＣ３９に出力する。ＰＣ３９は、あらかじめ最
適なビーム径の情報を格納しているので、ビーム照射台
３６からのビーム径の情報に基づいて最適なビーム径に
近づけるように四重極レンズコントローラ３８に制御信
号を出力する。四重極レンズコントローラ３８は、制御
信号に基づいて四重極レンズ３４を制御して自動的に最
適なビーム形状を作成する。At this time, the scanning mechanism of the X, Y scan plate 35 is turned off, and the information (beam distribution profile) of the ion beam diameter obtained from the beam irradiation table 36 is output to the PC 39. Since the PC 39 stores information on the optimum beam diameter in advance, the PC 39 outputs a control signal to the quadrupole lens controller 38 based on the information on the beam diameter from the beam irradiation table 36 so as to approach the optimum beam diameter. . The quadrupole lens controller 38 controls the quadrupole lens 34 based on the control signal and automatically creates an optimal beam shape.
【００２９】また、ウエハ面内の均一性を得るために
は、図４に示すように、Ｘ，Ｙスキャンプレート３５の
スキャン機構をＯＮとして、ビーム照射台３６から得ら
れたビームスキャン範囲のむらの情報をＰＣ３９に出力
する。ＰＣ３９は、ビーム照射台３６からのむらの情報
に基づいて最適なウエハ面内均一性に近づけるように
Ｘ，Ｙスキャンコントローラ４０に制御信号を出力す
る。Ｘ，Ｙスキャンコントローラ４０は、制御信号に基
づいてＸ，Ｙスキャンプレート３５を制御して自動的に
最適なウエハ面内均一性を得る。また、ウエハ処理中で
あっても、ウエハ保持台３７上でイオンビームの走査を
行うことによりウエハ面内均一性を最適化することも可
能である。Further, in order to obtain uniformity within the wafer surface, as shown in FIG. 4, the scanning mechanism of the X, Y scan plate 35 is turned on, and the unevenness of the beam scan range obtained from the beam irradiation table 36 is reduced. The information is output to the PC 39. The PC 39 outputs a control signal to the X, Y scan controller 40 based on the information on the unevenness from the beam irradiation table 36 so as to approach the optimum in-wafer uniformity. The X, Y scan controller 40 controls the X, Y scan plate 35 based on the control signal, and automatically obtains optimum wafer surface uniformity. In addition, even during wafer processing, it is possible to optimize in-plane uniformity of the wafer by performing ion beam scanning on the wafer holding table 37.
【００３０】装置のセットアップが完了した後、ウエハ
Ｗにイオンビームを照射する場合、ビーム照射台１６を
カップ１３の側壁に沿うようにして、カップ１３の入口
開口１４を開放するように移動する。このとき、スイッ
チ２０により、ドーズカウンタ１９とウエハ保持台１２
とを接続する。この状態でウエハＷに対してイオン注入
を行う。When the ion beam is irradiated onto the wafer W after the setup of the apparatus is completed, the beam irradiation table 16 is moved along the side wall of the cup 13 so as to open the inlet opening 14 of the cup 13. At this time, the dose counter 19 and the wafer holder 12 are operated by the switch 20.
And connect. In this state, ion implantation is performed on the wafer W.
【００３１】本発明は上記実施の形態に限定されず種々
変更して実施することが可能である。例えば、各部材の
材質、寸法、加速電圧などについては上記実施の形態に
限定されず種々変更することができる。The present invention is not limited to the above embodiment, but can be implemented with various modifications. For example, the material, dimensions, acceleration voltage, and the like of each member are not limited to the above embodiment, and can be variously changed.
【００３２】上記実施の形態では、温度センサ２２を用
いて温度を測定する場合について説明しているが、本発
明は、ビーム照射台に赤外線検知器を取り付けて、イオ
ンビームがビーム照射台に照射されたときにビーム照射
台から出てくる赤外線を検出して温度上昇を測定する構
成であっても良い。この場合においても、上記と温度セ
ンサを用いた場合と同様に従来よりビーム分布プロファ
イルを細かく測定することが可能である。In the above embodiment, the case where the temperature is measured using the temperature sensor 22 has been described. However, in the present invention, an ion beam is applied to the beam irradiation table by attaching an infrared detector to the beam irradiation table. In this case, the temperature may be measured by detecting infrared rays coming out of the beam irradiation table. Also in this case, it is possible to measure the beam distribution profile more finely than in the past, similarly to the above and the case using the temperature sensor.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、被
処理体にイオン注入する前にイオンビームが照射される
位置に配置され、被処理体にイオン注入する際にイオン
ビームが照射されない位置に配置され、イオンビームが
照射されることによる温度上昇を検出する温度検出手段
を有するビーム照射台を備えて、ファラデーカップに比
べて小さい面積を測定することが可能となるので、イオ
ンビーム径に関係なく、正確にイオンビーム分布プロフ
ァイルを測定できる。As described above, according to the present invention, the ion beam is arranged at the position where the ion beam is irradiated before the ion implantation into the object, and the ion beam is not irradiated when the ion implantation is performed on the object. A beam irradiation table is provided at a position and has a temperature detecting means for detecting a temperature rise caused by irradiation of the ion beam, so that an area smaller than that of the Faraday cup can be measured. Irrespective of the above, the ion beam distribution profile can be accurately measured.
【図１】本発明の一実施の形態に係るイオン注入装置の
イオン注入部の概略構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an ion implantation unit of an ion implantation apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施の形態に係るイオン注入装置の
ビーム照射台の構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a beam irradiation table of the ion implantation apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施の形態に係るイオン注入装置の
概略構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of an ion implantation apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施の形態に係るイオン注入装置の
他の例の概略構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of another example of the ion implantation apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図５】従来のビーム分布プロファイルを測定する構成
を示す図であり、（ａ）は側面図であり、（ｂ）は平面
図である。5A and 5B are diagrams showing a configuration for measuring a conventional beam distribution profile, in which FIG. 5A is a side view and FIG. 5B is a plan view.
【図６】従来のビーム分布プロファイルを測定する構成
におけるファラデーカップを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a Faraday cup in a conventional configuration for measuring a beam distribution profile.
１…イオン注入部 １１…処理室 １２，３７…ウエハ保持台 １３…カップ １４…入口開口 １５…バイアス電極 １６，３６…ビーム照射台 １７…マスク １８…電流計 １９…ドーズカウンタ ２０…スイッチ ２２…温度センサ ２３…計測器 ２４…配線 ３１…イオン源 ３２…質量分析器 ３３…加速管 ３４…四重極レンズ ３５，４０…Ｘ，Ｙスキャンプレート ３８…四重極レンズコントローラ ３９…ＰＣ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ion implantation part 11 ... Processing chamber 12, 37 ... Wafer holding table 13 ... Cup 14 ... Inlet opening 15 ... Bias electrode 16, 36 ... Beam irradiation table 17 ... Mask 18 ... Ammeter 19 ... Dose counter 20 ... Switch 22 ... Temperature sensor 23 ... Measurement device 24 ... Wiring 31 ... Ion source 32 ... Mass analyzer 33 ... Accelerator tube 34 ... Quadrupole lens 35,40 ... X and Y scan plate 38 ... Quadrupole lens controller 39 ... PC
Claims (4)
ビームのビーム分布プロファイルを測定する機構を備え
たイオン注入装置であって、 最適なイオンビーム形状を作成するビーム形状作成手段
と、 イオンビームを照射する被処理体を載置する載置手段
と、 被処理体にイオン注入する前にイオンビームが照射され
る位置に配置され、前記被処理体にイオン注入する際に
イオンビームが照射されない位置に配置されるビーム照
射台と、 前記ビーム照射台又は前記載置手段と電気的に接続さ
れ、イオンビームの照射による電流値を測定する電流測
定手段と、を具備し、 前記ビーム照射台は、イオンビームが照射されることに
よる温度上昇を検出する温度検出手段を有することを特
徴とするイオン注入装置。1. An ion implantation apparatus provided with a mechanism for measuring a beam distribution profile of an ion beam before ion implantation into an object to be processed, comprising: a beam shape creating means for creating an optimum ion beam shape; Mounting means for mounting an object to be irradiated with a beam; and a placement means for irradiating the object with the ion beam when the object is irradiated with the ion beam before the object is ion-implanted. A beam irradiation table arranged at a position not to be provided, and a current measuring unit electrically connected to the beam irradiation table or the placing unit, and measuring a current value due to irradiation of the ion beam. Is an ion implantation apparatus having temperature detecting means for detecting a temperature rise caused by irradiation with an ion beam.
において前記載置手段より前段に配置されており、被処
理体にイオン注入する前に、前記載置手段と平行に位置
することを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。2. The apparatus according to claim 1, wherein the beam irradiation table is arranged in front of the placing means in the ion beam irradiation direction, and is positioned parallel to the placing means before implanting ions into the object. The ion implantation apparatus according to claim 1, wherein the ion implantation is performed.
検出器のいずれか一方であることを特徴とする請求項１
記載のイオン注入装置。3. The temperature detecting means according to claim 1, wherein said temperature detecting means is one of a temperature sensor and an infrared ray detector.
An ion implanter according to any one of the preceding claims.
よる電流値の情報に基づいてビーム形状作成手段を制御
する制御手段を具備することを特徴とする請求項１記載
のイオン注入装置。4. The ion implantation apparatus according to claim 1, further comprising control means for controlling a beam shape creating means based on information on a current value by ion beam irradiation from a beam irradiation table.
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|---|---|---|---|
| JP2000186740A JP2002008578A (en) | 2000-06-21 | 2000-06-21 | Ion implantation device |
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