JP2002006371A

JP2002006371A - カメラ

Info

Publication number: JP2002006371A
Application number: JP2000192880A
Authority: JP
Inventors: Katsumi Motomura; 克美本村
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2000-06-27
Filing date: 2000-06-27
Publication date: 2002-01-09

Abstract

(57)【要約】【課題】電池の電圧の急激な低下の防止が図られたカ
メラを提供する。【解決手段】電池３０からの電力を昇圧用トランス６
１を介して昇圧し整流してメインコンデンサ６６を充電
し、撮影にあたりそのメインコンデンサ６６に充電され
た電力を放電して閃光を発するストロボ装置を備えたカ
メラにおいて、昇圧用トランス６１に二次電流Ｉｓが流
れている間は昇圧用トランス６１の一次巻線に直列に接
続されたＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２がオフ状態に保た
れるように、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ７３をオンしてク
ロック信号ＦＣＴを無能化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ストロボ装置を備
えたカメラに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、内蔵された電池からの電力を
昇圧用トランスを介して昇圧し整流してメインコンデン
サを充電し、撮影にあたりそのメインコンデンサに充電
された電力を放電して閃光を発するストロボ装置を備え
たカメラが知られている。

【０００３】図１０は、従来の、ストロボ装置を構成す
るストロボ充電回路を示す図である。

【０００４】図１０に示すストロボ充電回路３００に
は、一次巻線の一端が電池３０の＋端子側に接続された
昇圧用トランス６１と、その一次巻線の他端と電池３０
の−端子側（グラウンドＧＮＤ）との間に配置されたＮ
チャネルＭＯＳＦＥＴ６２と、そのＮチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ６２のゲートとグラウンドＧＮＤとの間に配置され
た抵抗６３と、そのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲー
トとカメラ全体を制御するＭＰＵ（ＭｉｃｒｏＰｒｏ
ｃｅｓｓｏｒＵｎｉｔ）４０の出力ポートＰＯとの間
に配置された抵抗６４とが備えられている。

【０００５】また、ストロボ充電回路３００には、アノ
ードが昇圧用トランス６１の二次巻線の一端に接続され
たダイオード６５と、そのダイオード６５のカソードと
二次巻線の他端との間に配置されたメインコンデンサ６
６とが備えられている。さらに、メインコンデンサ６６
の両端には、互いに直列に接続された抵抗６７，６８が
備えられている。これら抵抗６７，６８の接続点は、Ｍ
ＰＵ４０のアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに接続さ
れている。尚、メインコンデンサ６６の両端は、図示し
ない閃光発光部に接続されている。

【０００６】図１１は、図１０に示すストロボ充電回路
のタイミングチャートである。

【０００７】メインコンデンサ６６への充電にあたり、
充電開始時に大きな一次電流ＩｄがＮチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ６２に流れることを防止するとともに、メインコン
デンサ６６の電圧ＶＭＣが変化（上昇）しても二次電流
Ｉｓをできるだけ所定の値に維持するために、メインコ
ンデンサ６６の電圧ＶＭＣの大きさに応じて、ここでは
３段階（１８％，４０％，６０％）にわたってデューテ
ィ比が切り換えられてなるクロック信号ＦＣＴ（Ｆｌａ
ｓｈＣｈａｒｇｅＴｒｉｇｇｅｒ）がＭＰＵ４０の
出力ポートＰＯから出力される。

【０００８】メインコンデンサ６６の電圧ＶＭＣが０Ｖ
の時点では、クロック信号ＦＣＴとして、１８％のデュ
ーティ比を有するパルスＰ１１，パルスＰ１２，パルス
Ｐ１３，パルスＰ１４が出力される。最初に出力された
パルスＰ１１は、抵抗６４，６３の値に応じて分圧され
電圧ＶｇとしてＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに
入力される。すると、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２がオ
ン状態となり、これにより電池３０の＋端子側→昇圧用
トランス６１→ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２→グラウン
ドＧＮＤの経路で一次電流Ｉｄが流れて、昇圧用トラン
ス６１内に励磁エネルギーが蓄積される。次いで、最初
のパルスＰ１１が終了した時点（パルスＰ１１が‘Ｈ’
レベルから‘Ｌ’レベルに立ち下がった時点）で、Ｎチ
ャネルＭＯＳＦＥＴ６２がオフ状態になるとともに、上
記蓄積された励磁エネルギーにより昇圧用トランス６１
の二次側に二次電流（充電電流）Ｉｓが流れてメインコ
ンデンサ６６が充電される。さらに、二次電流Ｉｓが流
れている途中で２番目のパルスＰ１２がＮチャネルＭＯ
ＳＦＥＴ６２のゲートに入力される。すると、Ｎチャネ
ルＭＯＳＦＥＴ６２が再びオン状態になり、上記経路で
一次電流Ｉｄが流れる。ここで、二次電流Ｉｓが流れて
いる途中でＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２がオン状態にな
るため、一次電流Ｉｄの、２番目のパルスＰ１２による
ピーク値は、最初のパルスＰ１１によるピーク値よりも
大きい。以下、同様にして、３番目のパルスＰ１３，４
番目のパルスＰ１４が順次入力されてメインコンデンサ
６６が充電され、これによりメインコンデンサ６６の電
圧ＶＭＣが上昇する。この電圧ＶＭＣは、直列接続され
た抵抗６７，６８の抵抗値に応じて分圧される。分圧さ
れた電圧は、抵抗６７，６８の接続点に接続されたＭＰ
Ｕ４０のアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに入力され
る。ＭＰＵ４０は、そのアナログ／ディジタルポートＡ
／Ｄに入力された電圧をＡ／Ｄ変換してその電圧に応じ
たディジタル値を求め、そのディジタル値に基づいて、
メインコンデンサ６６の電圧ＶＭＣのレベルを測定す
る。

【０００９】ここで、パルスＰ１４が出力された後にメ
インコンデンサ６６の電圧ＶＭＣが４０Ｖに達するもの
とする。ＭＰＵ４０は、電圧ＶＭＣが４０Ｖに達したと
判定すると、クロック信号ＦＣＴとして、前述した１８
％のデューティ比よりも高い４０％のデューティ比を有
する複数のパルス（図示せず）を出力してメインコンデ
ンサ６６を充電する。さらに、ＭＰＵ４０は、電圧ＶＭ
Ｃが１５０Ｖに達したと判定すると、さらに高い６０％
のデューティ比を有するパルスＰ３１，Ｐ３２，Ｐ３
３，Ｐ３４を出力してメインコンデンサ６６を充電す
る。このようにして、メインコンデンサ６６の電圧ＶＭ
Ｃは、最終的に３００Ｖにまで到達する。その後、シャ
ッタ操作に同期して、図示しない手段でメインコンデン
サ６６に充電された電力を放電して閃光を発することに
よりストロボ撮影が行なわれる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】図１２は、図１０に示
すストロボ充電回路における、メインコンデンサの電圧
ＶＭＣと一次電流Ｉｄとの関係を示す図である。

【００１１】メインコンデンサ６６への充電開始時およ
び各デューティ比（１８％，４０％，６０％）の切換え
にあたり、上述したように、昇圧用トランス６１に励磁
エネルギーが存在している間、即ち前回のパルス（例え
ばパルスＰ１１）によりメインコンデンサ６６に二次電
流Ｉｓが流れている途中で今回のパルス（例えばパルス
Ｐ１２）が出力されてＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２がオ
ン状態となり、一次電流Ｉｄのピーク値が比較的大きく
なる。このように大きなピーク値を有する一次電流Ｉｄ
が電池３０内を流れると、その電池３０の電圧が急激に
低下するため、ＭＰＵ４０が誤動作するという問題が発
生する。また、ヒューズを備えた構成を採用したカメラ
では、比較的大きなピーク電流に耐えることのできる規
格のヒューズが必要となる。

【００１２】本発明は、上記事情に鑑み、電池の電圧の
急激な低下の防止が図られたカメラを提供することを目
的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のカメラのうちの第１のカメラは、電池からの電力を
昇圧用トランスを介して昇圧し整流してメインコンデン
サを充電し、撮影にあたりそのメインコンデンサに充電
された電力を放電して閃光を発するストロボ装置を備え
たカメラにおいて、上記ストロボ装置が、上記昇圧用ト
ランスの一次巻線に直列に接続された、クロック信号に
応じてオンオフするスイッチング素子と、上記昇圧用ト
ランスに二次電流が流れている間は上記スイッチング素
子がオフ状態に保たれるように、そのスイッチング素子
に伝達されるクロック信号を無能化するクロック信号無
能化回路とを備えたことを特徴とする。

【００１４】本発明の第１のカメラは、昇圧用トランス
に二次電流が流れている間はクロック信号が無能化され
てスイッチング素子がオフ状態に保たれるものであるた
め、従来のストロボ充電回路のように、二次電流が流れ
ている途中でスイッチング素子がオン状態になり比較的
大きなピーク値を有する一次電流が電池内を流れるとい
うようなことはなく、電池の電圧の急激な低下が防止さ
れる。従って、カメラ全体を制御するＭＰＵの誤動作が
防止される。また、ヒューズを備えた構成を採用したカ
メラでは、ヒューズの、溶断電流に対する規格の設定に
あたり、自由度が高まる。

【００１５】ここで、上記スイッチング素子がＭＯＳト
ランジスタであって、上記クロック信号無能化回路が、
上記二次電流が流れている間、そのＭＯＳトランジスタ
のゲートの電位を、そのＭＯＳトランジスタをオフ状態
に保つ電位に保つものであることが好ましい。

【００１６】このようにすると、簡単な構成で電池内を
流れる一次電流のピーク値を抑えることができる。

【００１７】また、上記目的を達成する本発明のカメラ
のうちの第２のカメラは、電池からの電力を昇圧用トラ
ンスを介して昇圧し整流してメインコンデンサを充電
し、撮影にあたりそのメインコンデンサに充電された電
力を放電して閃光を発するストロボ装置を備えたカメラ
において、上記ストロボ装置が、上記昇圧用トランスの
一次巻線に直列に接続された、クロック信号に応じてオ
ンオフするスイッチング素子を備えたものであって、上
記スイッチング素子に、上記クロック信号として、上記
昇圧用トランスに二次電流が流れているタイミングを避
けたタイミングでそのスイッチング素子をオン状態にす
るようにパルス間隔が調整されたクロック信号を送る制
御手段を備えたことを特徴とする。

【００１８】本発明の第２のカメラは、昇圧用トランス
に二次電流が流れているタイミングを避けたタイミング
でスイッチング素子をオン状態にするものであるため、
上述した本発明の第１のカメラと同様に、二次電流が流
れている途中でスイッチング素子がオンすることはな
く、従って比較的大きなピーク値を有する一次電流が電
池内を流れるというようなことはなく、電池の電圧の急
激な低下が防止される。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。

【００２０】図１は、本発明の第１のカメラの第１実施
形態を前面斜め上から見た外観斜視図である。

【００２１】図１に示すカメラ１０は、一般にアクティ
ブタイプと呼ばれるオートフォーカス（ＡＦ）装置を内
蔵した、ロール状の写真フイルム上に写真撮影を行なう
カメラである。オートフォーカス装置には、カメラ１０
の前面上部に配置されたＡＦ投光窓１２を有しそのＡＦ
投光窓１２からカメラ１０の前方に向けて測距用の光を
放つ投光部、およびカメラ１０前面の、上記ＡＦ投光窓
１２から所定距離離れた位置に配置されたＡＦ受光窓１
３を有し上記ＡＦ投光窓１２からカメラ１０の前方に放
たれ被写体で反射して戻ってきた光をそのＡＦ受光窓１
３から受け入れて受光することにより被写体までの距離
を求める受光部が備えられている。

【００２２】また、このカメラ１０の前面中央部には、
光学ズームレンズ１１ａを内部に備えたズーム鏡胴１１
が備えられている。

【００２３】さらに、このカメラ１０には、そのカメラ
１０の上面に配備された閃光部２００を有するストロボ
装置が備えられている。閃光部２００は、撮影時に被写
体に向けて閃光を発する。

【００２４】また、このカメラ１０には、図示しないズ
ームファインダユニットを構成するズームファインダ窓
１４、および内蔵された露出調整用のＡＥセンサに光を
導くためのＡＥ受光窓１５も備えられている。さらに、
このカメラ１０の上面には、シャッタボタン１８が備え
られている。

【００２５】図２は、図１のカメラを背面斜め上から見
た外観斜視図である。

【００２６】このカメラ１０の背面には、撮影時に被写
体に向けて閃光を発するか否かを設定するためのストロ
ボオンオフスイッチ２１、ファインダ接眼窓２２、およ
び光学ズームレンズ１１ａをテレ側（遠距離側）あるい
はワイド側（近距離側）に動作させるズーム操作レバー
２３が備えられている。

【００２７】このように構成された本実施形態のカメラ
１０には、上記ストロボ装置を構成するストロボ充電回
路が備えられている。以下、このストロボ充電回路につ
いて説明する。

【００２８】図３は、図１に示すカメラの、ストロボ装
置を構成するストロボ充電回路を示す図である。

【００２９】尚、前述した図１０に示すストロボ充電回
路３００の構成要素と同じ構成要素には同一の符号を付
して説明する。

【００３０】図３に示すストロボ充電回路６０は、図１
０に示すストロボ充電回路３００と比較し、Ｎチャネル
ＭＯＳＦＥＴ６２のゲートと抵抗６４との間に抵抗７１
が追加されている。また、昇圧用トランス６１の二次巻
線と電池３０の−端子側（グラウンドＧＮＤ）との間に
抵抗７２が追加されている。さらに、抵抗６４，７１の
接続点と、昇圧用トランス６１の二次巻線，抵抗７２の
接続点との間に、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ７３が追加さ
れている。このＮチャネルＭＯＳＦＥＴ７３のゲートは
グラウンドＧＮＤに接続されている。尚、ＮチャネルＭ
ＯＳＦＥＴ６２が本発明にいうスイッチング素子に相当
し、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ７３が本発明にいうクロッ
ク信号無能化回路に相当する。以下、ストロボ充電回路
６０の動作について、図３および図４を参照して説明す
る。

【００３１】図４は、図３に示すストロボ充電回路のタ
イミングチャートである。

【００３２】尚、図４に示すクロック信号ＦＣＴのタイ
ミングは、前述した図１１に示すクロック信号ＦＣＴの
タイミングと同じである。

【００３３】初期の時点では、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ
７３のゲートおよびソースは、グラウンドＧＮＤ電位に
ある。このため、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ７３はオフ状
態にある。ここで、ＭＰＵ４０の出力ポートＰＯからク
ロック信号ＦＣＴとして、先ずパルスＰ１１が出力され
る。このパルスＰ１１は、抵抗６４，７１を経由してゲ
ート電圧ＶｇとしてＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲー
トに入力される。すると、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２
がオン状態となり、これにより電池３０の＋端子側→昇
圧用トランス６１→ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２→グラ
ウンドＧＮＤの経路で一次電流Ｉｄが流れて、昇圧用ト
ランス６１内に励磁エネルギーが蓄積される。次いで、
パルスＰ１１が終了した時点（パルスＰ１１が‘Ｈ’レ
ベルから‘Ｌ’レベルに立ち下がった時点）で、Ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴ６２がオフ状態になるとともに、上記
蓄積された励磁エネルギーが、昇圧用トランス６１の二
次側の一端→ダイオード６５→メインコンデンサ６６→
抵抗７２→昇圧用トランス６１の二次側の他端の経路で
放出されて二次電流Ｉｓが流れ、これによりメインコン
デンサ６６が充電される。すると、ＮチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ７３のソースには、グラウンドＧＮＤの電位に対し
て、抵抗７２の抵抗値と二次電流Ｉｓとにより定まる電
圧降下分だけ小さい負のレベルを有するソース電圧Ｖｓ
（図４参照）が印加される。このため、ＮチャネルＭＯ
ＳＦＥＴ７３はオン状態となり、これにより抵抗６４，
７１の接続点の電圧Ｖｐは負のレベルとなる。この負の
レベルを有する電圧Ｖｐが抵抗７１を経由してＮチャネ
ルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに入力される。この状態に
おいて、パルスＰ１２が出力される。すると、電圧Ｖｐ
の負のレベルとパルスＰ１２の正のレベルとが相殺さ
れ、電圧ＶｐはグラウンドＧＮＤの電位となる。従っ
て、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２はオフ状態のままとな
る。その後、蓄積された励磁エネルギーが十分に放出さ
れて二次電流Ｉｓが流れなくなると、ソース電圧Ｖｓは
グラウンドＧＮＤの電位となり、ＮチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ７３はオフ状態となる。この状態において、パルスＰ
１３が出力される。すると、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ７
３がオフ状態にあるため、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２
のゲートには正のゲート電圧Ｖｇが入力されてＮチャネ
ルＭＯＳＦＥＴ６２がオン状態となり、パルスＰ１１に
よる一次電流Ｉｄのピーク値とほぼ同じピーク値を有す
る一次電流Ｉｄが流れて、昇圧用トランス６１内に励磁
エネルギーが蓄積される。以下、同様にして、パルスＰ
１３が終了した時点で、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２が
オフ状態になるとともに、上記蓄積された励磁エネルギ
ーにより上記ピーク値を有する二次電流Ｉｓが流れてメ
インコンデンサ６６が充電される。メインコンデンサ６
６の電圧ＶＭＣが４０Ｖに達すると、ＭＰＵ４０からク
ロック信号ＦＣＴとして、４０％のデューティ比を有す
る複数のパルス（図示せず）が出力されてメインコンデ
ンサ６６が充電される。さらに、電圧ＶＭＣが１５０Ｖ
に達すると、クロック信号ＦＣＴとして、ＭＰＵ４０か
ら６０％のデューティ比を有するパルスＰ３１，Ｐ３
２，Ｐ３３，Ｐ３４が出力される。ここでは、先ずパル
スＰ３１によりＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２がオン状態
となり、上記ピーク値とほぼ同じピーク値を有する一次
電流Ｉｄが流れて、昇圧用トランス６１内に励磁エネル
ギーが蓄積される。次いで、パルスＰ３１が終了した時
点で、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２がオフ状態になると
ともに、上記蓄積された励磁エネルギーが放出されて二
次電流Ｉｓが流れ、これによりメインコンデンサ６６が
充電される。ここで、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ７３のソ
ースには、負のレベルを有するソース電圧Ｖｓが印加さ
れるため、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ７３はオン状態とな
り、これにより電圧Ｖｐは負のレベルとなる。ここでの
デューティ比は６０％と大きいため、次のパルスＰ３２
が入力される以前に励磁エネルギーが放出されて二次電
流Ｉｓがほぼ０になる。すると、ＮチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ７３がオフ状態となり、ソース電圧Ｖｓはグラウンド
ＧＮＤの電位になる。また、電圧ＶｐもグラウンドＧＮ
Ｄの電位になる。この状態で、パルスＰ３２が出力され
る。すると、電圧Ｖｐは正の電位となり、ＮチャネルＭ
ＯＳＦＥＴ６２がオン状態になり、パルスＰ３１による
一次電流Ｉｄのピーク値とほぼ同じピーク値を有する一
次電流Ｉｄが流れる。以下、パルスＰ３３，パルスＰ３
４が出力された場合も同様にして上記ピーク値を有する
一次電流Ｉｄが流れる。このようにしてメインコンデン
サ６６の電圧ＶＭＣが３００Ｖにまで充電される。

【００３４】上述したように、本発明の第１のカメラの
第１実施形態では、昇圧用トランス６１に二次電流Ｉｓ
が流れている間、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ７３がオンし
てＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートを負の状態に維
持することにより、クロック信号ＦＣＴを無能化してＮ
チャネルＭＯＳＦＥＴ６２をオフ状態に保つものである
ため、従来のストロボ充電回路３００のように、二次電
流Ｉｓが流れている途中でＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２
がオン状態になり比較的大きなピーク値を有する一次電
流Ｉｄが電池３０内を流れるというようなことはなく、
電池３０の電圧の急激な低下が防止される。従って、Ｍ
ＰＵ４０の誤動作が防止される。また、本実施形態で
は、安全対策のためにヒューズが実装されており、この
ヒューズの溶断電流の規格の設定にあたり、上記大きな
ピーク値を考慮する必要はなく、従ってヒューズの溶断
電流の規格を比較的自由に設定することができる。

【００３５】図５は、本発明の第１のカメラの第２実施
形態におけるストロボ充電回路を示す図である。

【００３６】図５に示すストロボ充電回路８０は、図３
に示すストロボ充電回路６０と比較すると、Ｐチャネル
ＭＯＳＦＥＴ８２および抵抗８１が追加されている。Ｐ
チャネルＭＯＳＦＥＴ８２のゲートは、ＮチャネルＭＯ
ＳＦＥＴ７３のドレインに接続されるとともに、抵抗８
１を介してそのＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８２のソースに
接続されている。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８２のソース
はＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに接続され、ま
たＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８２のドレインはグラウンド
ＧＮＤに接続されている。これらＮチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ７３、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８２、および抵抗８１
が、本発明にいうクロック信号無能化回路に相当する。

【００３７】図６は、図５に示すストロボ充電回路のタ
イミングチャートである。

【００３８】初期の時点では、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ
７３のゲートおよびソースは、グラウンドＧＮＤの電位
にある。このため、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ７３はオフ
状態にある。また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８２のゲー
トおよびソースもグラウンドＧＮＤの電位にあり、この
ためＰチャネルＭＯＳＦＥＴ８２もオフ状態にある。こ
こで、ＭＰＵ４０の出力ポートＰＯからパルスＰ１１が
出力される。このパルスＰ１１は、抵抗６４，６３の値
に応じて分圧されて電圧ＶｇとしてＮチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ６２のゲートに入力される。すると、ＮチャネルＭ
ＯＳＦＥＴ６２がオン状態となり一次電流Ｉｄが流れ
て、昇圧用トランス６１内に励磁エネルギーが蓄積され
る。次いで、パルスＰ１１が終了した時点で、Ｎチャネ
ルＭＯＳＦＥＴ６２がオフ状態になるとともに、上記蓄
積された励磁エネルギーが放出されて二次電流Ｉｓが流
れてメインコンデンサ６６が充電される。すると、Ｎチ
ャネルＭＯＳＦＥＴ７３のソースには、負のレベルを有
するソース電圧Ｖｓが印加されて、ＮチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ７３がオン状態となり、これによりＰチャネルＭＯ
ＳＦＥＴ８２のゲートにも負のレベルを有するソース電
圧Ｖｓが印加される。すると、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ
８２がオン状態になり、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２の
ゲートはグラウンドＧＮＤの電位となる。この状態にお
いて、パルスＰ１２が出力される。ここで、Ｐチャネル
ＭＯＳＦＥＴ８２がオン状態にあるため、ＮチャネルＭ
ＯＳＦＥＴ６２のゲートはグラウンドＧＮＤの電位に維
持される。従って、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２はオフ
状態のままとなる。蓄積された励磁エネルギーが十分に
放出されて二次電流Ｉｓが流れなくなると、ソース電圧
ＶｓはグラウンドＧＮＤの電位となり、ＮチャネルＭＯ
ＳＦＥＴ７３はオフ状態となり、これに伴いＰチャネル
ＭＯＳＦＥＴ８２もオフ状態となる。この状態におい
て、パルスＰ１３が出力される。すると、ＮチャネルＭ
ＯＳＦＥＴ６２がオン状態となり、前述したと同様にし
て、一次電流Ｉｄが流れて励磁エネルギーが蓄積され、
次いでパルスＰ１３が終了した時点で励磁エネルギーに
よる二次電流Ｉｓが流れてメインコンデンサ６６が充電
される。メインコンデンサ６６の電圧ＶＭＣが４０Ｖに
達すると、ＭＰＵ４０からクロック信号ＦＣＴとして、
４０％のデューティ比を有する複数のパルス（図示せ
ず）が出力されてメインコンデンサ６６が充電される。
さらに、電圧ＶＭＣが１５０Ｖに達すると、ＭＰＵ４０
からクロック信号ＦＣＴとして、６０％のデューティ比
を有するパルスＰ３１，Ｐ３２，Ｐ３３，Ｐ３４が出力
される。ここでの動作は、前述したパルスＰ１１，Ｐ１
２，Ｐ１３の場合と同様であるため説明は省く。

【００３９】このように、本発明の第１のカメラの第２
実施形態では、二次電流Ｉｓが流れている間、Ｐチャネ
ルＭＯＳＦＥＴ７３がオンし、これに伴いＰチャネルＭ
ＯＳＦＥＴ８２もオンしてＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２
のゲートをグラウンドＧＮＤの電位に維持する。このよ
うにすることにより、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２の浮
遊容量が除去されるため、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２
のスイッチング速度が高まり、従ってメインコンデンサ
６６への充電効率が高まる。

【００４０】図７は、図３，図５に示すストロボ充電回
路における、メインコンデンサの電圧ＶＭＣと一次電流
Ｉｄとの関係を示す図である。

【００４１】図７に示すように、一次電流Ｉｄは、メイ
ンコンデンサ６６への充電開始時および各デューティ比
（１８％，４０％，６０％）の各切換時を含むいずれの
場合においても平均化されている。このため、メインコ
ンデンサ６６の充電にあたり、電池３０の電圧が急激に
低下することもなくＭＰＵ４０の誤動作が防止される。

【００４２】図８は、本発明の第２のカメラの一実施形
態におけるストロボ充電回路を示す図、図９は、図８に
示すストロボ充電回路のタイミングチャートである。

【００４３】図８に示すストロボ充電回路１００は、図
１０に示すストロボ充電回路３００と比較し、ＭＰＵ５
０の出力ポートＰＯから出力されるクロック信号ＦＣＴ
のタイミングが異なっている。このＭＰＵ５０の出力ポ
ートＰＯからは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２に向け
て、昇圧用トランス６１に二次電流Ｉｓが流れているタ
イミングを避けたタイミングでそのＮチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ６２をオン状態にするようにパルス間隔が調整され
たクロック信号ＦＣＴが出力される。ここで、ＭＰＵ５
０の、上記クロック信号ＦＣＴを出力する機能が、本発
明の第２のカメラにいう制御手段に相当する。

【００４４】図９に示す、メインコンデンサ６６の電圧
ＶＭＣが０Ｖである初期の時点では、ＭＰＵ４０の出力
ポートＰＯから、クロック信号ＦＣＴを構成するパルス
Ｐ１１が出力され、これによりＮチャネルＭＯＳＦＥＴ
６２がオン状態になり一次電流Ｉｄが流れて昇圧用トラ
ンス６１に励磁エネルギーが蓄えられ、次いでその励磁
エネルギーが十分に放出され二次電流Ｉｓが十分に小さ
くなった時点でパルスＰ１２が出力されるというよう
に、パルス間隔が調整されたクロック信号ＦＣＴが出力
される。このようにして、一次電流Ｉｄのピーク値を小
さく抑えてもよい。

【００４５】尚、上記の各実施形態では他励式のストロ
ボ充電回路について説明したが、本発明は自励式（自己
発振式）のストロボ充電回路にも適用することができ
る。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電池の電圧の急激な低下の防止が図られたカメラを提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１のカメラの第１実施形態を前面斜
め上から見た外観斜視図である。

【図２】図１のカメラを背面斜め上から見た外観斜視図
である。

【図３】図１に示すカメラの、ストロボ装置を構成する
ストロボ充電回路を示す図である。

【図４】図３に示すストロボ充電回路のタイミングチャ
ートである。

【図５】本発明の第１のカメラの第２実施形態における
ストロボ充電回路を示す図である。

【図６】図５に示すストロボ充電回路のタイミングチャ
ートである。

【図７】図３，図５に示すストロボ充電回路における、
メインコンデンサの電圧ＶＭＣと一次電流Ｉｄとの関係
を示す図である。

【図８】本発明の第２のカメラの一実施形態におけるス
トロボ充電回路を示す図である。

【図９】図８に示すストロボ充電回路のタイミングチャ
ートである。

【図１０】従来の、ストロボ装置を構成するストロボ充
電回路を示す図である。

【図１１】図１０に示すストロボ充電回路のタイミング
チャートである。

【図１２】図１０に示すストロボ充電回路における、メ
インコンデンサの電圧ＶＭＣと一次電流Ｉｄとの関係を
示す図である。

【符号の説明】

１０カメラ１１ズーム鏡胴１１ａ光学ズームレンズ１２ＡＦ投光窓１３ＡＦ受光窓１４ズームファインダ窓１５ＡＥ受光窓１８シャッタボタン２１ストロボオンオフスイッチ２２ファインダ接眼窓２３ズーム操作レバー３０電池４０，５０ＭＰＵ６０，８０，１００ストロボ充電回路６１昇圧用トランス６２，７３ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６３，６４，６７，６８，７１，７２，８１抵抗６５ダイオード６６メインコンデンサ８２ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２００閃光部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電池からの電力を昇圧用トランスを介し
て昇圧し整流してメインコンデンサを充電し、撮影にあ
たり該メインコンデンサに充電された電力を放電して閃
光を発するストロボ装置を備えたカメラにおいて、前記ストロボ装置が、前記昇圧用トランスの一次巻線に直列に接続された、ク
ロック信号に応じてオンオフするスイッチング素子と、前記昇圧用トランスに二次電流が流れている間は前記ス
イッチング素子がオフ状態に保たれるように、該スイッ
チング素子に伝達されるクロック信号を無能化するクロ
ック信号無能化回路とを備えたことを特徴とするカメ
ラ。
【請求項２】前記スイッチング素子がＭＯＳトランジ
スタであって、前記クロック信号無能化回路が、前記二
次電流が流れている間、該ＭＯＳトランジスタのゲート
の電位を、該ＭＯＳトランジスタをオフ状態に保つ電位
に保つものであることを特徴とする請求項１記載のカメ
ラ。
【請求項３】電池からの電力を昇圧用トランスを介し
て昇圧し整流してメインコンデンサを充電し、撮影にあ
たり該メインコンデンサに充電された電力を放電して閃
光を発するストロボ装置を備えたカメラにおいて、前記ストロボ装置が、前記昇圧用トランスの一次巻線に
直列に接続された、クロック信号に応じてオンオフする
スイッチング素子を備えたものであって、前記スイッチング素子に、前記クロック信号として、前
記昇圧用トランスに二次電流が流れているタイミングを
避けたタイミングで該スイッチング素子をオン状態にす
るようにパルス間隔が調整されたクロック信号を送る制
御手段を備えたことを特徴とするカメラ。