JP2002006371A - カメラ - Google Patents
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- JP2002006371A JP2002006371A JP2000192880A JP2000192880A JP2002006371A JP 2002006371 A JP2002006371 A JP 2002006371A JP 2000192880 A JP2000192880 A JP 2000192880A JP 2000192880 A JP2000192880 A JP 2000192880A JP 2002006371 A JP2002006371 A JP 2002006371A
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- clock signal
- camera
- main capacitor
- transformer
- channel mosfet
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電池の電圧の急激な低下の防止が図られたカ
メラを提供する。 【解決手段】 電池30からの電力を昇圧用トランス6
1を介して昇圧し整流してメインコンデンサ66を充電
し、撮影にあたりそのメインコンデンサ66に充電され
た電力を放電して閃光を発するストロボ装置を備えたカ
メラにおいて、昇圧用トランス61に二次電流Isが流
れている間は昇圧用トランス61の一次巻線に直列に接
続されたNチャネルMOSFET62がオフ状態に保た
れるように、NチャネルMOSFET73をオンしてク
ロック信号FCTを無能化する。
メラを提供する。 【解決手段】 電池30からの電力を昇圧用トランス6
1を介して昇圧し整流してメインコンデンサ66を充電
し、撮影にあたりそのメインコンデンサ66に充電され
た電力を放電して閃光を発するストロボ装置を備えたカ
メラにおいて、昇圧用トランス61に二次電流Isが流
れている間は昇圧用トランス61の一次巻線に直列に接
続されたNチャネルMOSFET62がオフ状態に保た
れるように、NチャネルMOSFET73をオンしてク
ロック信号FCTを無能化する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ストロボ装置を備
えたカメラに関する。
えたカメラに関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、内蔵された電池からの電力を
昇圧用トランスを介して昇圧し整流してメインコンデン
サを充電し、撮影にあたりそのメインコンデンサに充電
された電力を放電して閃光を発するストロボ装置を備え
たカメラが知られている。
昇圧用トランスを介して昇圧し整流してメインコンデン
サを充電し、撮影にあたりそのメインコンデンサに充電
された電力を放電して閃光を発するストロボ装置を備え
たカメラが知られている。
【0003】図10は、従来の、ストロボ装置を構成す
るストロボ充電回路を示す図である。
るストロボ充電回路を示す図である。
【0004】図10に示すストロボ充電回路300に
は、一次巻線の一端が電池30の+端子側に接続された
昇圧用トランス61と、その一次巻線の他端と電池30
の−端子側(グラウンドGND)との間に配置されたN
チャネルMOSFET62と、そのNチャネルMOSF
ET62のゲートとグラウンドGNDとの間に配置され
た抵抗63と、そのNチャネルMOSFET62のゲー
トとカメラ全体を制御するMPU(Micro Pro
cessor Unit)40の出力ポートPOとの間
に配置された抵抗64とが備えられている。
は、一次巻線の一端が電池30の+端子側に接続された
昇圧用トランス61と、その一次巻線の他端と電池30
の−端子側(グラウンドGND)との間に配置されたN
チャネルMOSFET62と、そのNチャネルMOSF
ET62のゲートとグラウンドGNDとの間に配置され
た抵抗63と、そのNチャネルMOSFET62のゲー
トとカメラ全体を制御するMPU(Micro Pro
cessor Unit)40の出力ポートPOとの間
に配置された抵抗64とが備えられている。
【0005】また、ストロボ充電回路300には、アノ
ードが昇圧用トランス61の二次巻線の一端に接続され
たダイオード65と、そのダイオード65のカソードと
二次巻線の他端との間に配置されたメインコンデンサ6
6とが備えられている。さらに、メインコンデンサ66
の両端には、互いに直列に接続された抵抗67,68が
備えられている。これら抵抗67,68の接続点は、M
PU40のアナログ/ディジタルポートA/Dに接続さ
れている。尚、メインコンデンサ66の両端は、図示し
ない閃光発光部に接続されている。
ードが昇圧用トランス61の二次巻線の一端に接続され
たダイオード65と、そのダイオード65のカソードと
二次巻線の他端との間に配置されたメインコンデンサ6
6とが備えられている。さらに、メインコンデンサ66
の両端には、互いに直列に接続された抵抗67,68が
備えられている。これら抵抗67,68の接続点は、M
PU40のアナログ/ディジタルポートA/Dに接続さ
れている。尚、メインコンデンサ66の両端は、図示し
ない閃光発光部に接続されている。
【0006】図11は、図10に示すストロボ充電回路
のタイミングチャートである。
のタイミングチャートである。
【0007】メインコンデンサ66への充電にあたり、
充電開始時に大きな一次電流IdがNチャネルMOSF
ET62に流れることを防止するとともに、メインコン
デンサ66の電圧VMCが変化(上昇)しても二次電流
Isをできるだけ所定の値に維持するために、メインコ
ンデンサ66の電圧VMCの大きさに応じて、ここでは
3段階(18%,40%,60%)にわたってデューテ
ィ比が切り換えられてなるクロック信号FCT(Fla
sh Charge Trigger)がMPU40の
出力ポートPOから出力される。
充電開始時に大きな一次電流IdがNチャネルMOSF
ET62に流れることを防止するとともに、メインコン
デンサ66の電圧VMCが変化(上昇)しても二次電流
Isをできるだけ所定の値に維持するために、メインコ
ンデンサ66の電圧VMCの大きさに応じて、ここでは
3段階(18%,40%,60%)にわたってデューテ
ィ比が切り換えられてなるクロック信号FCT(Fla
sh Charge Trigger)がMPU40の
出力ポートPOから出力される。
【0008】メインコンデンサ66の電圧VMCが0V
の時点では、クロック信号FCTとして、18%のデュ
ーティ比を有するパルスP11,パルスP12,パルス
P13,パルスP14が出力される。最初に出力された
パルスP11は、抵抗64,63の値に応じて分圧され
電圧VgとしてNチャネルMOSFET62のゲートに
入力される。すると、NチャネルMOSFET62がオ
ン状態となり、これにより電池30の+端子側→昇圧用
トランス61→NチャネルMOSFET62→グラウン
ドGNDの経路で一次電流Idが流れて、昇圧用トラン
ス61内に励磁エネルギーが蓄積される。次いで、最初
のパルスP11が終了した時点(パルスP11が‘H’
レベルから‘L’レベルに立ち下がった時点)で、Nチ
ャネルMOSFET62がオフ状態になるとともに、上
記蓄積された励磁エネルギーにより昇圧用トランス61
の二次側に二次電流(充電電流)Isが流れてメインコ
ンデンサ66が充電される。さらに、二次電流Isが流
れている途中で2番目のパルスP12がNチャネルMO
SFET62のゲートに入力される。すると、Nチャネ
ルMOSFET62が再びオン状態になり、上記経路で
一次電流Idが流れる。ここで、二次電流Isが流れて
いる途中でNチャネルMOSFET62がオン状態にな
るため、一次電流Idの、2番目のパルスP12による
ピーク値は、最初のパルスP11によるピーク値よりも
大きい。以下、同様にして、3番目のパルスP13,4
番目のパルスP14が順次入力されてメインコンデンサ
66が充電され、これによりメインコンデンサ66の電
圧VMCが上昇する。この電圧VMCは、直列接続され
た抵抗67,68の抵抗値に応じて分圧される。分圧さ
れた電圧は、抵抗67,68の接続点に接続されたMP
U40のアナログ/ディジタルポートA/Dに入力され
る。MPU40は、そのアナログ/ディジタルポートA
/Dに入力された電圧をA/D変換してその電圧に応じ
たディジタル値を求め、そのディジタル値に基づいて、
メインコンデンサ66の電圧VMCのレベルを測定す
る。
の時点では、クロック信号FCTとして、18%のデュ
ーティ比を有するパルスP11,パルスP12,パルス
P13,パルスP14が出力される。最初に出力された
パルスP11は、抵抗64,63の値に応じて分圧され
電圧VgとしてNチャネルMOSFET62のゲートに
入力される。すると、NチャネルMOSFET62がオ
ン状態となり、これにより電池30の+端子側→昇圧用
トランス61→NチャネルMOSFET62→グラウン
ドGNDの経路で一次電流Idが流れて、昇圧用トラン
ス61内に励磁エネルギーが蓄積される。次いで、最初
のパルスP11が終了した時点(パルスP11が‘H’
レベルから‘L’レベルに立ち下がった時点)で、Nチ
ャネルMOSFET62がオフ状態になるとともに、上
記蓄積された励磁エネルギーにより昇圧用トランス61
の二次側に二次電流(充電電流)Isが流れてメインコ
ンデンサ66が充電される。さらに、二次電流Isが流
れている途中で2番目のパルスP12がNチャネルMO
SFET62のゲートに入力される。すると、Nチャネ
ルMOSFET62が再びオン状態になり、上記経路で
一次電流Idが流れる。ここで、二次電流Isが流れて
いる途中でNチャネルMOSFET62がオン状態にな
るため、一次電流Idの、2番目のパルスP12による
ピーク値は、最初のパルスP11によるピーク値よりも
大きい。以下、同様にして、3番目のパルスP13,4
番目のパルスP14が順次入力されてメインコンデンサ
66が充電され、これによりメインコンデンサ66の電
圧VMCが上昇する。この電圧VMCは、直列接続され
た抵抗67,68の抵抗値に応じて分圧される。分圧さ
れた電圧は、抵抗67,68の接続点に接続されたMP
U40のアナログ/ディジタルポートA/Dに入力され
る。MPU40は、そのアナログ/ディジタルポートA
/Dに入力された電圧をA/D変換してその電圧に応じ
たディジタル値を求め、そのディジタル値に基づいて、
メインコンデンサ66の電圧VMCのレベルを測定す
る。
【0009】ここで、パルスP14が出力された後にメ
インコンデンサ66の電圧VMCが40Vに達するもの
とする。MPU40は、電圧VMCが40Vに達したと
判定すると、クロック信号FCTとして、前述した18
%のデューティ比よりも高い40%のデューティ比を有
する複数のパルス(図示せず)を出力してメインコンデ
ンサ66を充電する。さらに、MPU40は、電圧VM
Cが150Vに達したと判定すると、さらに高い60%
のデューティ比を有するパルスP31,P32,P3
3,P34を出力してメインコンデンサ66を充電す
る。このようにして、メインコンデンサ66の電圧VM
Cは、最終的に300Vにまで到達する。その後、シャ
ッタ操作に同期して、図示しない手段でメインコンデン
サ66に充電された電力を放電して閃光を発することに
よりストロボ撮影が行なわれる。
インコンデンサ66の電圧VMCが40Vに達するもの
とする。MPU40は、電圧VMCが40Vに達したと
判定すると、クロック信号FCTとして、前述した18
%のデューティ比よりも高い40%のデューティ比を有
する複数のパルス(図示せず)を出力してメインコンデ
ンサ66を充電する。さらに、MPU40は、電圧VM
Cが150Vに達したと判定すると、さらに高い60%
のデューティ比を有するパルスP31,P32,P3
3,P34を出力してメインコンデンサ66を充電す
る。このようにして、メインコンデンサ66の電圧VM
Cは、最終的に300Vにまで到達する。その後、シャ
ッタ操作に同期して、図示しない手段でメインコンデン
サ66に充電された電力を放電して閃光を発することに
よりストロボ撮影が行なわれる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】図12は、図10に示
すストロボ充電回路における、メインコンデンサの電圧
VMCと一次電流Idとの関係を示す図である。
すストロボ充電回路における、メインコンデンサの電圧
VMCと一次電流Idとの関係を示す図である。
【0011】メインコンデンサ66への充電開始時およ
び各デューティ比(18%,40%,60%)の切換え
にあたり、上述したように、昇圧用トランス61に励磁
エネルギーが存在している間、即ち前回のパルス(例え
ばパルスP11)によりメインコンデンサ66に二次電
流Isが流れている途中で今回のパルス(例えばパルス
P12)が出力されてNチャネルMOSFET62がオ
ン状態となり、一次電流Idのピーク値が比較的大きく
なる。このように大きなピーク値を有する一次電流Id
が電池30内を流れると、その電池30の電圧が急激に
低下するため、MPU40が誤動作するという問題が発
生する。また、ヒューズを備えた構成を採用したカメラ
では、比較的大きなピーク電流に耐えることのできる規
格のヒューズが必要となる。
び各デューティ比(18%,40%,60%)の切換え
にあたり、上述したように、昇圧用トランス61に励磁
エネルギーが存在している間、即ち前回のパルス(例え
ばパルスP11)によりメインコンデンサ66に二次電
流Isが流れている途中で今回のパルス(例えばパルス
P12)が出力されてNチャネルMOSFET62がオ
ン状態となり、一次電流Idのピーク値が比較的大きく
なる。このように大きなピーク値を有する一次電流Id
が電池30内を流れると、その電池30の電圧が急激に
低下するため、MPU40が誤動作するという問題が発
生する。また、ヒューズを備えた構成を採用したカメラ
では、比較的大きなピーク電流に耐えることのできる規
格のヒューズが必要となる。
【0012】本発明は、上記事情に鑑み、電池の電圧の
急激な低下の防止が図られたカメラを提供することを目
的とする。
急激な低下の防止が図られたカメラを提供することを目
的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のカメラのうちの第1のカメラは、電池からの電力を
昇圧用トランスを介して昇圧し整流してメインコンデン
サを充電し、撮影にあたりそのメインコンデンサに充電
された電力を放電して閃光を発するストロボ装置を備え
たカメラにおいて、上記ストロボ装置が、上記昇圧用ト
ランスの一次巻線に直列に接続された、クロック信号に
応じてオンオフするスイッチング素子と、上記昇圧用ト
ランスに二次電流が流れている間は上記スイッチング素
子がオフ状態に保たれるように、そのスイッチング素子
に伝達されるクロック信号を無能化するクロック信号無
能化回路とを備えたことを特徴とする。
明のカメラのうちの第1のカメラは、電池からの電力を
昇圧用トランスを介して昇圧し整流してメインコンデン
サを充電し、撮影にあたりそのメインコンデンサに充電
された電力を放電して閃光を発するストロボ装置を備え
たカメラにおいて、上記ストロボ装置が、上記昇圧用ト
ランスの一次巻線に直列に接続された、クロック信号に
応じてオンオフするスイッチング素子と、上記昇圧用ト
ランスに二次電流が流れている間は上記スイッチング素
子がオフ状態に保たれるように、そのスイッチング素子
に伝達されるクロック信号を無能化するクロック信号無
能化回路とを備えたことを特徴とする。
【0014】本発明の第1のカメラは、昇圧用トランス
に二次電流が流れている間はクロック信号が無能化され
てスイッチング素子がオフ状態に保たれるものであるた
め、従来のストロボ充電回路のように、二次電流が流れ
ている途中でスイッチング素子がオン状態になり比較的
大きなピーク値を有する一次電流が電池内を流れるとい
うようなことはなく、電池の電圧の急激な低下が防止さ
れる。従って、カメラ全体を制御するMPUの誤動作が
防止される。また、ヒューズを備えた構成を採用したカ
メラでは、ヒューズの、溶断電流に対する規格の設定に
あたり、自由度が高まる。
に二次電流が流れている間はクロック信号が無能化され
てスイッチング素子がオフ状態に保たれるものであるた
め、従来のストロボ充電回路のように、二次電流が流れ
ている途中でスイッチング素子がオン状態になり比較的
大きなピーク値を有する一次電流が電池内を流れるとい
うようなことはなく、電池の電圧の急激な低下が防止さ
れる。従って、カメラ全体を制御するMPUの誤動作が
防止される。また、ヒューズを備えた構成を採用したカ
メラでは、ヒューズの、溶断電流に対する規格の設定に
あたり、自由度が高まる。
【0015】ここで、上記スイッチング素子がMOSト
ランジスタであって、上記クロック信号無能化回路が、
上記二次電流が流れている間、そのMOSトランジスタ
のゲートの電位を、そのMOSトランジスタをオフ状態
に保つ電位に保つものであることが好ましい。
ランジスタであって、上記クロック信号無能化回路が、
上記二次電流が流れている間、そのMOSトランジスタ
のゲートの電位を、そのMOSトランジスタをオフ状態
に保つ電位に保つものであることが好ましい。
【0016】このようにすると、簡単な構成で電池内を
流れる一次電流のピーク値を抑えることができる。
流れる一次電流のピーク値を抑えることができる。
【0017】また、上記目的を達成する本発明のカメラ
のうちの第2のカメラは、電池からの電力を昇圧用トラ
ンスを介して昇圧し整流してメインコンデンサを充電
し、撮影にあたりそのメインコンデンサに充電された電
力を放電して閃光を発するストロボ装置を備えたカメラ
において、上記ストロボ装置が、上記昇圧用トランスの
一次巻線に直列に接続された、クロック信号に応じてオ
ンオフするスイッチング素子を備えたものであって、上
記スイッチング素子に、上記クロック信号として、上記
昇圧用トランスに二次電流が流れているタイミングを避
けたタイミングでそのスイッチング素子をオン状態にす
るようにパルス間隔が調整されたクロック信号を送る制
御手段を備えたことを特徴とする。
のうちの第2のカメラは、電池からの電力を昇圧用トラ
ンスを介して昇圧し整流してメインコンデンサを充電
し、撮影にあたりそのメインコンデンサに充電された電
力を放電して閃光を発するストロボ装置を備えたカメラ
において、上記ストロボ装置が、上記昇圧用トランスの
一次巻線に直列に接続された、クロック信号に応じてオ
ンオフするスイッチング素子を備えたものであって、上
記スイッチング素子に、上記クロック信号として、上記
昇圧用トランスに二次電流が流れているタイミングを避
けたタイミングでそのスイッチング素子をオン状態にす
るようにパルス間隔が調整されたクロック信号を送る制
御手段を備えたことを特徴とする。
【0018】本発明の第2のカメラは、昇圧用トランス
に二次電流が流れているタイミングを避けたタイミング
でスイッチング素子をオン状態にするものであるため、
上述した本発明の第1のカメラと同様に、二次電流が流
れている途中でスイッチング素子がオンすることはな
く、従って比較的大きなピーク値を有する一次電流が電
池内を流れるというようなことはなく、電池の電圧の急
激な低下が防止される。
に二次電流が流れているタイミングを避けたタイミング
でスイッチング素子をオン状態にするものであるため、
上述した本発明の第1のカメラと同様に、二次電流が流
れている途中でスイッチング素子がオンすることはな
く、従って比較的大きなピーク値を有する一次電流が電
池内を流れるというようなことはなく、電池の電圧の急
激な低下が防止される。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。
説明する。
【0020】図1は、本発明の第1のカメラの第1実施
形態を前面斜め上から見た外観斜視図である。
形態を前面斜め上から見た外観斜視図である。
【0021】図1に示すカメラ10は、一般にアクティ
ブタイプと呼ばれるオートフォーカス(AF)装置を内
蔵した、ロール状の写真フイルム上に写真撮影を行なう
カメラである。オートフォーカス装置には、カメラ10
の前面上部に配置されたAF投光窓12を有しそのAF
投光窓12からカメラ10の前方に向けて測距用の光を
放つ投光部、およびカメラ10前面の、上記AF投光窓
12から所定距離離れた位置に配置されたAF受光窓1
3を有し上記AF投光窓12からカメラ10の前方に放
たれ被写体で反射して戻ってきた光をそのAF受光窓1
3から受け入れて受光することにより被写体までの距離
を求める受光部が備えられている。
ブタイプと呼ばれるオートフォーカス(AF)装置を内
蔵した、ロール状の写真フイルム上に写真撮影を行なう
カメラである。オートフォーカス装置には、カメラ10
の前面上部に配置されたAF投光窓12を有しそのAF
投光窓12からカメラ10の前方に向けて測距用の光を
放つ投光部、およびカメラ10前面の、上記AF投光窓
12から所定距離離れた位置に配置されたAF受光窓1
3を有し上記AF投光窓12からカメラ10の前方に放
たれ被写体で反射して戻ってきた光をそのAF受光窓1
3から受け入れて受光することにより被写体までの距離
を求める受光部が備えられている。
【0022】また、このカメラ10の前面中央部には、
光学ズームレンズ11aを内部に備えたズーム鏡胴11
が備えられている。
光学ズームレンズ11aを内部に備えたズーム鏡胴11
が備えられている。
【0023】さらに、このカメラ10には、そのカメラ
10の上面に配備された閃光部200を有するストロボ
装置が備えられている。閃光部200は、撮影時に被写
体に向けて閃光を発する。
10の上面に配備された閃光部200を有するストロボ
装置が備えられている。閃光部200は、撮影時に被写
体に向けて閃光を発する。
【0024】また、このカメラ10には、図示しないズ
ームファインダユニットを構成するズームファインダ窓
14、および内蔵された露出調整用のAEセンサに光を
導くためのAE受光窓15も備えられている。さらに、
このカメラ10の上面には、シャッタボタン18が備え
られている。
ームファインダユニットを構成するズームファインダ窓
14、および内蔵された露出調整用のAEセンサに光を
導くためのAE受光窓15も備えられている。さらに、
このカメラ10の上面には、シャッタボタン18が備え
られている。
【0025】図2は、図1のカメラを背面斜め上から見
た外観斜視図である。
た外観斜視図である。
【0026】このカメラ10の背面には、撮影時に被写
体に向けて閃光を発するか否かを設定するためのストロ
ボオンオフスイッチ21、ファインダ接眼窓22、およ
び光学ズームレンズ11aをテレ側(遠距離側)あるい
はワイド側(近距離側)に動作させるズーム操作レバー
23が備えられている。
体に向けて閃光を発するか否かを設定するためのストロ
ボオンオフスイッチ21、ファインダ接眼窓22、およ
び光学ズームレンズ11aをテレ側(遠距離側)あるい
はワイド側(近距離側)に動作させるズーム操作レバー
23が備えられている。
【0027】このように構成された本実施形態のカメラ
10には、上記ストロボ装置を構成するストロボ充電回
路が備えられている。以下、このストロボ充電回路につ
いて説明する。
10には、上記ストロボ装置を構成するストロボ充電回
路が備えられている。以下、このストロボ充電回路につ
いて説明する。
【0028】図3は、図1に示すカメラの、ストロボ装
置を構成するストロボ充電回路を示す図である。
置を構成するストロボ充電回路を示す図である。
【0029】尚、前述した図10に示すストロボ充電回
路300の構成要素と同じ構成要素には同一の符号を付
して説明する。
路300の構成要素と同じ構成要素には同一の符号を付
して説明する。
【0030】図3に示すストロボ充電回路60は、図1
0に示すストロボ充電回路300と比較し、Nチャネル
MOSFET62のゲートと抵抗64との間に抵抗71
が追加されている。また、昇圧用トランス61の二次巻
線と電池30の−端子側(グラウンドGND)との間に
抵抗72が追加されている。さらに、抵抗64,71の
接続点と、昇圧用トランス61の二次巻線,抵抗72の
接続点との間に、NチャネルMOSFET73が追加さ
れている。このNチャネルMOSFET73のゲートは
グラウンドGNDに接続されている。尚、NチャネルM
OSFET62が本発明にいうスイッチング素子に相当
し、NチャネルMOSFET73が本発明にいうクロッ
ク信号無能化回路に相当する。以下、ストロボ充電回路
60の動作について、図3および図4を参照して説明す
る。
0に示すストロボ充電回路300と比較し、Nチャネル
MOSFET62のゲートと抵抗64との間に抵抗71
が追加されている。また、昇圧用トランス61の二次巻
線と電池30の−端子側(グラウンドGND)との間に
抵抗72が追加されている。さらに、抵抗64,71の
接続点と、昇圧用トランス61の二次巻線,抵抗72の
接続点との間に、NチャネルMOSFET73が追加さ
れている。このNチャネルMOSFET73のゲートは
グラウンドGNDに接続されている。尚、NチャネルM
OSFET62が本発明にいうスイッチング素子に相当
し、NチャネルMOSFET73が本発明にいうクロッ
ク信号無能化回路に相当する。以下、ストロボ充電回路
60の動作について、図3および図4を参照して説明す
る。
【0031】図4は、図3に示すストロボ充電回路のタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
【0032】尚、図4に示すクロック信号FCTのタイ
ミングは、前述した図11に示すクロック信号FCTの
タイミングと同じである。
ミングは、前述した図11に示すクロック信号FCTの
タイミングと同じである。
【0033】初期の時点では、NチャネルMOSFET
73のゲートおよびソースは、グラウンドGND電位に
ある。このため、NチャネルMOSFET73はオフ状
態にある。ここで、MPU40の出力ポートPOからク
ロック信号FCTとして、先ずパルスP11が出力され
る。このパルスP11は、抵抗64,71を経由してゲ
ート電圧VgとしてNチャネルMOSFET62のゲー
トに入力される。すると、NチャネルMOSFET62
がオン状態となり、これにより電池30の+端子側→昇
圧用トランス61→NチャネルMOSFET62→グラ
ウンドGNDの経路で一次電流Idが流れて、昇圧用ト
ランス61内に励磁エネルギーが蓄積される。次いで、
パルスP11が終了した時点(パルスP11が‘H’レ
ベルから‘L’レベルに立ち下がった時点)で、Nチャ
ネルMOSFET62がオフ状態になるとともに、上記
蓄積された励磁エネルギーが、昇圧用トランス61の二
次側の一端→ダイオード65→メインコンデンサ66→
抵抗72→昇圧用トランス61の二次側の他端の経路で
放出されて二次電流Isが流れ、これによりメインコン
デンサ66が充電される。すると、NチャネルMOSF
ET73のソースには、グラウンドGNDの電位に対し
て、抵抗72の抵抗値と二次電流Isとにより定まる電
圧降下分だけ小さい負のレベルを有するソース電圧Vs
(図4参照)が印加される。このため、NチャネルMO
SFET73はオン状態となり、これにより抵抗64,
71の接続点の電圧Vpは負のレベルとなる。この負の
レベルを有する電圧Vpが抵抗71を経由してNチャネ
ルMOSFET62のゲートに入力される。この状態に
おいて、パルスP12が出力される。すると、電圧Vp
の負のレベルとパルスP12の正のレベルとが相殺さ
れ、電圧VpはグラウンドGNDの電位となる。従っ
て、NチャネルMOSFET62はオフ状態のままとな
る。その後、蓄積された励磁エネルギーが十分に放出さ
れて二次電流Isが流れなくなると、ソース電圧Vsは
グラウンドGNDの電位となり、NチャネルMOSFE
T73はオフ状態となる。この状態において、パルスP
13が出力される。すると、NチャネルMOSFET7
3がオフ状態にあるため、NチャネルMOSFET62
のゲートには正のゲート電圧Vgが入力されてNチャネ
ルMOSFET62がオン状態となり、パルスP11に
よる一次電流Idのピーク値とほぼ同じピーク値を有す
る一次電流Idが流れて、昇圧用トランス61内に励磁
エネルギーが蓄積される。以下、同様にして、パルスP
13が終了した時点で、NチャネルMOSFET62が
オフ状態になるとともに、上記蓄積された励磁エネルギ
ーにより上記ピーク値を有する二次電流Isが流れてメ
インコンデンサ66が充電される。メインコンデンサ6
6の電圧VMCが40Vに達すると、MPU40からク
ロック信号FCTとして、40%のデューティ比を有す
る複数のパルス(図示せず)が出力されてメインコンデ
ンサ66が充電される。さらに、電圧VMCが150V
に達すると、クロック信号FCTとして、MPU40か
ら60%のデューティ比を有するパルスP31,P3
2,P33,P34が出力される。ここでは、先ずパル
スP31によりNチャネルMOSFET62がオン状態
となり、上記ピーク値とほぼ同じピーク値を有する一次
電流Idが流れて、昇圧用トランス61内に励磁エネル
ギーが蓄積される。次いで、パルスP31が終了した時
点で、NチャネルMOSFET62がオフ状態になると
ともに、上記蓄積された励磁エネルギーが放出されて二
次電流Isが流れ、これによりメインコンデンサ66が
充電される。ここで、NチャネルMOSFET73のソ
ースには、負のレベルを有するソース電圧Vsが印加さ
れるため、NチャネルMOSFET73はオン状態とな
り、これにより電圧Vpは負のレベルとなる。ここでの
デューティ比は60%と大きいため、次のパルスP32
が入力される以前に励磁エネルギーが放出されて二次電
流Isがほぼ0になる。すると、NチャネルMOSFE
T73がオフ状態となり、ソース電圧Vsはグラウンド
GNDの電位になる。また、電圧VpもグラウンドGN
Dの電位になる。この状態で、パルスP32が出力され
る。すると、電圧Vpは正の電位となり、NチャネルM
OSFET62がオン状態になり、パルスP31による
一次電流Idのピーク値とほぼ同じピーク値を有する一
次電流Idが流れる。以下、パルスP33,パルスP3
4が出力された場合も同様にして上記ピーク値を有する
一次電流Idが流れる。このようにしてメインコンデン
サ66の電圧VMCが300Vにまで充電される。
73のゲートおよびソースは、グラウンドGND電位に
ある。このため、NチャネルMOSFET73はオフ状
態にある。ここで、MPU40の出力ポートPOからク
ロック信号FCTとして、先ずパルスP11が出力され
る。このパルスP11は、抵抗64,71を経由してゲ
ート電圧VgとしてNチャネルMOSFET62のゲー
トに入力される。すると、NチャネルMOSFET62
がオン状態となり、これにより電池30の+端子側→昇
圧用トランス61→NチャネルMOSFET62→グラ
ウンドGNDの経路で一次電流Idが流れて、昇圧用ト
ランス61内に励磁エネルギーが蓄積される。次いで、
パルスP11が終了した時点(パルスP11が‘H’レ
ベルから‘L’レベルに立ち下がった時点)で、Nチャ
ネルMOSFET62がオフ状態になるとともに、上記
蓄積された励磁エネルギーが、昇圧用トランス61の二
次側の一端→ダイオード65→メインコンデンサ66→
抵抗72→昇圧用トランス61の二次側の他端の経路で
放出されて二次電流Isが流れ、これによりメインコン
デンサ66が充電される。すると、NチャネルMOSF
ET73のソースには、グラウンドGNDの電位に対し
て、抵抗72の抵抗値と二次電流Isとにより定まる電
圧降下分だけ小さい負のレベルを有するソース電圧Vs
(図4参照)が印加される。このため、NチャネルMO
SFET73はオン状態となり、これにより抵抗64,
71の接続点の電圧Vpは負のレベルとなる。この負の
レベルを有する電圧Vpが抵抗71を経由してNチャネ
ルMOSFET62のゲートに入力される。この状態に
おいて、パルスP12が出力される。すると、電圧Vp
の負のレベルとパルスP12の正のレベルとが相殺さ
れ、電圧VpはグラウンドGNDの電位となる。従っ
て、NチャネルMOSFET62はオフ状態のままとな
る。その後、蓄積された励磁エネルギーが十分に放出さ
れて二次電流Isが流れなくなると、ソース電圧Vsは
グラウンドGNDの電位となり、NチャネルMOSFE
T73はオフ状態となる。この状態において、パルスP
13が出力される。すると、NチャネルMOSFET7
3がオフ状態にあるため、NチャネルMOSFET62
のゲートには正のゲート電圧Vgが入力されてNチャネ
ルMOSFET62がオン状態となり、パルスP11に
よる一次電流Idのピーク値とほぼ同じピーク値を有す
る一次電流Idが流れて、昇圧用トランス61内に励磁
エネルギーが蓄積される。以下、同様にして、パルスP
13が終了した時点で、NチャネルMOSFET62が
オフ状態になるとともに、上記蓄積された励磁エネルギ
ーにより上記ピーク値を有する二次電流Isが流れてメ
インコンデンサ66が充電される。メインコンデンサ6
6の電圧VMCが40Vに達すると、MPU40からク
ロック信号FCTとして、40%のデューティ比を有す
る複数のパルス(図示せず)が出力されてメインコンデ
ンサ66が充電される。さらに、電圧VMCが150V
に達すると、クロック信号FCTとして、MPU40か
ら60%のデューティ比を有するパルスP31,P3
2,P33,P34が出力される。ここでは、先ずパル
スP31によりNチャネルMOSFET62がオン状態
となり、上記ピーク値とほぼ同じピーク値を有する一次
電流Idが流れて、昇圧用トランス61内に励磁エネル
ギーが蓄積される。次いで、パルスP31が終了した時
点で、NチャネルMOSFET62がオフ状態になると
ともに、上記蓄積された励磁エネルギーが放出されて二
次電流Isが流れ、これによりメインコンデンサ66が
充電される。ここで、NチャネルMOSFET73のソ
ースには、負のレベルを有するソース電圧Vsが印加さ
れるため、NチャネルMOSFET73はオン状態とな
り、これにより電圧Vpは負のレベルとなる。ここでの
デューティ比は60%と大きいため、次のパルスP32
が入力される以前に励磁エネルギーが放出されて二次電
流Isがほぼ0になる。すると、NチャネルMOSFE
T73がオフ状態となり、ソース電圧Vsはグラウンド
GNDの電位になる。また、電圧VpもグラウンドGN
Dの電位になる。この状態で、パルスP32が出力され
る。すると、電圧Vpは正の電位となり、NチャネルM
OSFET62がオン状態になり、パルスP31による
一次電流Idのピーク値とほぼ同じピーク値を有する一
次電流Idが流れる。以下、パルスP33,パルスP3
4が出力された場合も同様にして上記ピーク値を有する
一次電流Idが流れる。このようにしてメインコンデン
サ66の電圧VMCが300Vにまで充電される。
【0034】上述したように、本発明の第1のカメラの
第1実施形態では、昇圧用トランス61に二次電流Is
が流れている間、PチャネルMOSFET73がオンし
てNチャネルMOSFET62のゲートを負の状態に維
持することにより、クロック信号FCTを無能化してN
チャネルMOSFET62をオフ状態に保つものである
ため、従来のストロボ充電回路300のように、二次電
流Isが流れている途中でNチャネルMOSFET62
がオン状態になり比較的大きなピーク値を有する一次電
流Idが電池30内を流れるというようなことはなく、
電池30の電圧の急激な低下が防止される。従って、M
PU40の誤動作が防止される。また、本実施形態で
は、安全対策のためにヒューズが実装されており、この
ヒューズの溶断電流の規格の設定にあたり、上記大きな
ピーク値を考慮する必要はなく、従ってヒューズの溶断
電流の規格を比較的自由に設定することができる。
第1実施形態では、昇圧用トランス61に二次電流Is
が流れている間、PチャネルMOSFET73がオンし
てNチャネルMOSFET62のゲートを負の状態に維
持することにより、クロック信号FCTを無能化してN
チャネルMOSFET62をオフ状態に保つものである
ため、従来のストロボ充電回路300のように、二次電
流Isが流れている途中でNチャネルMOSFET62
がオン状態になり比較的大きなピーク値を有する一次電
流Idが電池30内を流れるというようなことはなく、
電池30の電圧の急激な低下が防止される。従って、M
PU40の誤動作が防止される。また、本実施形態で
は、安全対策のためにヒューズが実装されており、この
ヒューズの溶断電流の規格の設定にあたり、上記大きな
ピーク値を考慮する必要はなく、従ってヒューズの溶断
電流の規格を比較的自由に設定することができる。
【0035】図5は、本発明の第1のカメラの第2実施
形態におけるストロボ充電回路を示す図である。
形態におけるストロボ充電回路を示す図である。
【0036】図5に示すストロボ充電回路80は、図3
に示すストロボ充電回路60と比較すると、Pチャネル
MOSFET82および抵抗81が追加されている。P
チャネルMOSFET82のゲートは、NチャネルMO
SFET73のドレインに接続されるとともに、抵抗8
1を介してそのPチャネルMOSFET82のソースに
接続されている。PチャネルMOSFET82のソース
はNチャネルMOSFET62のゲートに接続され、ま
たPチャネルMOSFET82のドレインはグラウンド
GNDに接続されている。これらNチャネルMOSFE
T73、PチャネルMOSFET82、および抵抗81
が、本発明にいうクロック信号無能化回路に相当する。
に示すストロボ充電回路60と比較すると、Pチャネル
MOSFET82および抵抗81が追加されている。P
チャネルMOSFET82のゲートは、NチャネルMO
SFET73のドレインに接続されるとともに、抵抗8
1を介してそのPチャネルMOSFET82のソースに
接続されている。PチャネルMOSFET82のソース
はNチャネルMOSFET62のゲートに接続され、ま
たPチャネルMOSFET82のドレインはグラウンド
GNDに接続されている。これらNチャネルMOSFE
T73、PチャネルMOSFET82、および抵抗81
が、本発明にいうクロック信号無能化回路に相当する。
【0037】図6は、図5に示すストロボ充電回路のタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
【0038】初期の時点では、NチャネルMOSFET
73のゲートおよびソースは、グラウンドGNDの電位
にある。このため、NチャネルMOSFET73はオフ
状態にある。また、PチャネルMOSFET82のゲー
トおよびソースもグラウンドGNDの電位にあり、この
ためPチャネルMOSFET82もオフ状態にある。こ
こで、MPU40の出力ポートPOからパルスP11が
出力される。このパルスP11は、抵抗64,63の値
に応じて分圧されて電圧VgとしてNチャネルMOSF
ET62のゲートに入力される。すると、NチャネルM
OSFET62がオン状態となり一次電流Idが流れ
て、昇圧用トランス61内に励磁エネルギーが蓄積され
る。次いで、パルスP11が終了した時点で、Nチャネ
ルMOSFET62がオフ状態になるとともに、上記蓄
積された励磁エネルギーが放出されて二次電流Isが流
れてメインコンデンサ66が充電される。すると、Nチ
ャネルMOSFET73のソースには、負のレベルを有
するソース電圧Vsが印加されて、NチャネルMOSF
ET73がオン状態となり、これによりPチャネルMO
SFET82のゲートにも負のレベルを有するソース電
圧Vsが印加される。すると、PチャネルMOSFET
82がオン状態になり、NチャネルMOSFET62の
ゲートはグラウンドGNDの電位となる。この状態にお
いて、パルスP12が出力される。ここで、Pチャネル
MOSFET82がオン状態にあるため、NチャネルM
OSFET62のゲートはグラウンドGNDの電位に維
持される。従って、NチャネルMOSFET62はオフ
状態のままとなる。蓄積された励磁エネルギーが十分に
放出されて二次電流Isが流れなくなると、ソース電圧
VsはグラウンドGNDの電位となり、NチャネルMO
SFET73はオフ状態となり、これに伴いPチャネル
MOSFET82もオフ状態となる。この状態におい
て、パルスP13が出力される。すると、NチャネルM
OSFET62がオン状態となり、前述したと同様にし
て、一次電流Idが流れて励磁エネルギーが蓄積され、
次いでパルスP13が終了した時点で励磁エネルギーに
よる二次電流Isが流れてメインコンデンサ66が充電
される。メインコンデンサ66の電圧VMCが40Vに
達すると、MPU40からクロック信号FCTとして、
40%のデューティ比を有する複数のパルス(図示せ
ず)が出力されてメインコンデンサ66が充電される。
さらに、電圧VMCが150Vに達すると、MPU40
からクロック信号FCTとして、60%のデューティ比
を有するパルスP31,P32,P33,P34が出力
される。ここでの動作は、前述したパルスP11,P1
2,P13の場合と同様であるため説明は省く。
73のゲートおよびソースは、グラウンドGNDの電位
にある。このため、NチャネルMOSFET73はオフ
状態にある。また、PチャネルMOSFET82のゲー
トおよびソースもグラウンドGNDの電位にあり、この
ためPチャネルMOSFET82もオフ状態にある。こ
こで、MPU40の出力ポートPOからパルスP11が
出力される。このパルスP11は、抵抗64,63の値
に応じて分圧されて電圧VgとしてNチャネルMOSF
ET62のゲートに入力される。すると、NチャネルM
OSFET62がオン状態となり一次電流Idが流れ
て、昇圧用トランス61内に励磁エネルギーが蓄積され
る。次いで、パルスP11が終了した時点で、Nチャネ
ルMOSFET62がオフ状態になるとともに、上記蓄
積された励磁エネルギーが放出されて二次電流Isが流
れてメインコンデンサ66が充電される。すると、Nチ
ャネルMOSFET73のソースには、負のレベルを有
するソース電圧Vsが印加されて、NチャネルMOSF
ET73がオン状態となり、これによりPチャネルMO
SFET82のゲートにも負のレベルを有するソース電
圧Vsが印加される。すると、PチャネルMOSFET
82がオン状態になり、NチャネルMOSFET62の
ゲートはグラウンドGNDの電位となる。この状態にお
いて、パルスP12が出力される。ここで、Pチャネル
MOSFET82がオン状態にあるため、NチャネルM
OSFET62のゲートはグラウンドGNDの電位に維
持される。従って、NチャネルMOSFET62はオフ
状態のままとなる。蓄積された励磁エネルギーが十分に
放出されて二次電流Isが流れなくなると、ソース電圧
VsはグラウンドGNDの電位となり、NチャネルMO
SFET73はオフ状態となり、これに伴いPチャネル
MOSFET82もオフ状態となる。この状態におい
て、パルスP13が出力される。すると、NチャネルM
OSFET62がオン状態となり、前述したと同様にし
て、一次電流Idが流れて励磁エネルギーが蓄積され、
次いでパルスP13が終了した時点で励磁エネルギーに
よる二次電流Isが流れてメインコンデンサ66が充電
される。メインコンデンサ66の電圧VMCが40Vに
達すると、MPU40からクロック信号FCTとして、
40%のデューティ比を有する複数のパルス(図示せ
ず)が出力されてメインコンデンサ66が充電される。
さらに、電圧VMCが150Vに達すると、MPU40
からクロック信号FCTとして、60%のデューティ比
を有するパルスP31,P32,P33,P34が出力
される。ここでの動作は、前述したパルスP11,P1
2,P13の場合と同様であるため説明は省く。
【0039】このように、本発明の第1のカメラの第2
実施形態では、二次電流Isが流れている間、Pチャネ
ルMOSFET73がオンし、これに伴いPチャネルM
OSFET82もオンしてNチャネルMOSFET62
のゲートをグラウンドGNDの電位に維持する。このよ
うにすることにより、NチャネルMOSFET62の浮
遊容量が除去されるため、NチャネルMOSFET62
のスイッチング速度が高まり、従ってメインコンデンサ
66への充電効率が高まる。
実施形態では、二次電流Isが流れている間、Pチャネ
ルMOSFET73がオンし、これに伴いPチャネルM
OSFET82もオンしてNチャネルMOSFET62
のゲートをグラウンドGNDの電位に維持する。このよ
うにすることにより、NチャネルMOSFET62の浮
遊容量が除去されるため、NチャネルMOSFET62
のスイッチング速度が高まり、従ってメインコンデンサ
66への充電効率が高まる。
【0040】図7は、図3,図5に示すストロボ充電回
路における、メインコンデンサの電圧VMCと一次電流
Idとの関係を示す図である。
路における、メインコンデンサの電圧VMCと一次電流
Idとの関係を示す図である。
【0041】図7に示すように、一次電流Idは、メイ
ンコンデンサ66への充電開始時および各デューティ比
(18%,40%,60%)の各切換時を含むいずれの
場合においても平均化されている。このため、メインコ
ンデンサ66の充電にあたり、電池30の電圧が急激に
低下することもなくMPU40の誤動作が防止される。
ンコンデンサ66への充電開始時および各デューティ比
(18%,40%,60%)の各切換時を含むいずれの
場合においても平均化されている。このため、メインコ
ンデンサ66の充電にあたり、電池30の電圧が急激に
低下することもなくMPU40の誤動作が防止される。
【0042】図8は、本発明の第2のカメラの一実施形
態におけるストロボ充電回路を示す図、図9は、図8に
示すストロボ充電回路のタイミングチャートである。
態におけるストロボ充電回路を示す図、図9は、図8に
示すストロボ充電回路のタイミングチャートである。
【0043】図8に示すストロボ充電回路100は、図
10に示すストロボ充電回路300と比較し、MPU5
0の出力ポートPOから出力されるクロック信号FCT
のタイミングが異なっている。このMPU50の出力ポ
ートPOからは、NチャネルMOSFET62に向け
て、昇圧用トランス61に二次電流Isが流れているタ
イミングを避けたタイミングでそのNチャネルMOSF
ET62をオン状態にするようにパルス間隔が調整され
たクロック信号FCTが出力される。ここで、MPU5
0の、上記クロック信号FCTを出力する機能が、本発
明の第2のカメラにいう制御手段に相当する。
10に示すストロボ充電回路300と比較し、MPU5
0の出力ポートPOから出力されるクロック信号FCT
のタイミングが異なっている。このMPU50の出力ポ
ートPOからは、NチャネルMOSFET62に向け
て、昇圧用トランス61に二次電流Isが流れているタ
イミングを避けたタイミングでそのNチャネルMOSF
ET62をオン状態にするようにパルス間隔が調整され
たクロック信号FCTが出力される。ここで、MPU5
0の、上記クロック信号FCTを出力する機能が、本発
明の第2のカメラにいう制御手段に相当する。
【0044】図9に示す、メインコンデンサ66の電圧
VMCが0Vである初期の時点では、MPU40の出力
ポートPOから、クロック信号FCTを構成するパルス
P11が出力され、これによりNチャネルMOSFET
62がオン状態になり一次電流Idが流れて昇圧用トラ
ンス61に励磁エネルギーが蓄えられ、次いでその励磁
エネルギーが十分に放出され二次電流Isが十分に小さ
くなった時点でパルスP12が出力されるというよう
に、パルス間隔が調整されたクロック信号FCTが出力
される。このようにして、一次電流Idのピーク値を小
さく抑えてもよい。
VMCが0Vである初期の時点では、MPU40の出力
ポートPOから、クロック信号FCTを構成するパルス
P11が出力され、これによりNチャネルMOSFET
62がオン状態になり一次電流Idが流れて昇圧用トラ
ンス61に励磁エネルギーが蓄えられ、次いでその励磁
エネルギーが十分に放出され二次電流Isが十分に小さ
くなった時点でパルスP12が出力されるというよう
に、パルス間隔が調整されたクロック信号FCTが出力
される。このようにして、一次電流Idのピーク値を小
さく抑えてもよい。
【0045】尚、上記の各実施形態では他励式のストロ
ボ充電回路について説明したが、本発明は自励式(自己
発振式)のストロボ充電回路にも適用することができ
る。
ボ充電回路について説明したが、本発明は自励式(自己
発振式)のストロボ充電回路にも適用することができ
る。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電池の電圧の急激な低下の防止が図られたカメラを提供
することができる。
電池の電圧の急激な低下の防止が図られたカメラを提供
することができる。
【図1】本発明の第1のカメラの第1実施形態を前面斜
め上から見た外観斜視図である。
め上から見た外観斜視図である。
【図2】図1のカメラを背面斜め上から見た外観斜視図
である。
である。
【図3】図1に示すカメラの、ストロボ装置を構成する
ストロボ充電回路を示す図である。
ストロボ充電回路を示す図である。
【図4】図3に示すストロボ充電回路のタイミングチャ
ートである。
ートである。
【図5】本発明の第1のカメラの第2実施形態における
ストロボ充電回路を示す図である。
ストロボ充電回路を示す図である。
【図6】図5に示すストロボ充電回路のタイミングチャ
ートである。
ートである。
【図7】図3,図5に示すストロボ充電回路における、
メインコンデンサの電圧VMCと一次電流Idとの関係
を示す図である。
メインコンデンサの電圧VMCと一次電流Idとの関係
を示す図である。
【図8】本発明の第2のカメラの一実施形態におけるス
トロボ充電回路を示す図である。
トロボ充電回路を示す図である。
【図9】図8に示すストロボ充電回路のタイミングチャ
ートである。
ートである。
【図10】従来の、ストロボ装置を構成するストロボ充
電回路を示す図である。
電回路を示す図である。
【図11】図10に示すストロボ充電回路のタイミング
チャートである。
チャートである。
【図12】図10に示すストロボ充電回路における、メ
インコンデンサの電圧VMCと一次電流Idとの関係を
示す図である。
インコンデンサの電圧VMCと一次電流Idとの関係を
示す図である。
10 カメラ 11 ズーム鏡胴 11a 光学ズームレンズ 12 AF投光窓 13 AF受光窓 14 ズームファインダ窓 15 AE受光窓 18 シャッタボタン 21 ストロボオンオフスイッチ 22 ファインダ接眼窓 23 ズーム操作レバー 30 電池 40,50 MPU 60,80,100 ストロボ充電回路 61 昇圧用トランス 62,73 NチャネルMOSFET 63,64,67,68,71,72,81 抵抗 65 ダイオード 66 メインコンデンサ 82 PチャネルMOSFET 200 閃光部
Claims (3)
- 【請求項1】 電池からの電力を昇圧用トランスを介し
て昇圧し整流してメインコンデンサを充電し、撮影にあ
たり該メインコンデンサに充電された電力を放電して閃
光を発するストロボ装置を備えたカメラにおいて、 前記ストロボ装置が、 前記昇圧用トランスの一次巻線に直列に接続された、ク
ロック信号に応じてオンオフするスイッチング素子と、 前記昇圧用トランスに二次電流が流れている間は前記ス
イッチング素子がオフ状態に保たれるように、該スイッ
チング素子に伝達されるクロック信号を無能化するクロ
ック信号無能化回路とを備えたことを特徴とするカメ
ラ。 - 【請求項2】 前記スイッチング素子がMOSトランジ
スタであって、前記クロック信号無能化回路が、前記二
次電流が流れている間、該MOSトランジスタのゲート
の電位を、該MOSトランジスタをオフ状態に保つ電位
に保つものであることを特徴とする請求項1記載のカメ
ラ。 - 【請求項3】 電池からの電力を昇圧用トランスを介し
て昇圧し整流してメインコンデンサを充電し、撮影にあ
たり該メインコンデンサに充電された電力を放電して閃
光を発するストロボ装置を備えたカメラにおいて、 前記ストロボ装置が、前記昇圧用トランスの一次巻線に
直列に接続された、クロック信号に応じてオンオフする
スイッチング素子を備えたものであって、 前記スイッチング素子に、前記クロック信号として、前
記昇圧用トランスに二次電流が流れているタイミングを
避けたタイミングで該スイッチング素子をオン状態にす
るようにパルス間隔が調整されたクロック信号を送る制
御手段を備えたことを特徴とするカメラ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000192880A JP2002006371A (ja) | 2000-06-27 | 2000-06-27 | カメラ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000192880A JP2002006371A (ja) | 2000-06-27 | 2000-06-27 | カメラ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Cited By (2)
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US7443141B2 (en) | 2004-06-14 | 2008-10-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Capacitor charging circuit, flash unit, and camera |
US7615971B2 (en) | 2004-06-14 | 2009-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Capacitor charging circuit, flash unit, and camera |
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