JP2002005849A - Wafer visual inspection apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ外観検査装
置（インスペクションマシン）に関し、特に光量調整を
濃度（ＮＤ）フィルタを使用して行うと共に使用波長の
選択が可能な照明光学装置を光源として使用するインス
ペクションマシンに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer appearance inspection apparatus (inspection machine), and more particularly, to an illumination optical apparatus capable of adjusting a light amount using a density (ND) filter and selecting a wavelength to be used as a light source. Inspection machine.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造では、半導体ウエハ上に半導
体チップに対応する複数の領域（ダイ）に同一の回路パ
ターンを形成し、テスタで電気的な試験を行った後、ダ
イサで各ダイを切離してリードフレームなどに取り付け
る組立を行う。通常、半導体ウエハ上には数百個のダイ
が形成される。半導体製造工程では、半導体ウエハの表
面に各種の回路パターンを何層にも形成してダイが作ら
れる。半導体製造は、数百の工程からなり、製造開始か
ら完成するまで長時間を要する。そのため、初期の工程
でプロセスの不良が発生しても、不良が発見されるのは
テスタによる電気的な試験を行った時であり、その間に
不良の工程を行った半導体ウエハで多数の不良品が発生
して無駄になるだけでなく、予定した生産個数が得られ
ないという問題を生じる。そこで、半導体製造の主要な
工程が終了した時点で半導体ウエハの表面を観察し、形
成したパターンの欠陥などを調べてその情報をフィード
バックすることにより品質管理することが行われてお
り、このために光学顕微鏡が広く使用されている。半導
体ウエハの表面画像を発生し、不良部分の発見を行うウ
エハ外観検査装置をインスペクションマシンと呼んでお
り、ここでもこの語を使用する。2. Description of the Related Art In semiconductor manufacturing, the same circuit pattern is formed on a plurality of regions (dies) corresponding to semiconductor chips on a semiconductor wafer, an electrical test is performed by a tester, and each die is separated by a dicer. And assemble it into a lead frame. Typically, hundreds of dies are formed on a semiconductor wafer. In a semiconductor manufacturing process, various types of circuit patterns are formed on the surface of a semiconductor wafer in multiple layers to form a die. Semiconductor manufacturing consists of hundreds of steps, and it takes a long time from the start of manufacturing to completion. Therefore, even if a process failure occurs in the initial process, the failure is discovered only when an electrical test is performed with a tester, and during that time, a large number of defective semiconductor wafers are processed. In addition to the waste, the problem arises that the planned production quantity cannot be obtained. Therefore, quality control is performed by observing the surface of the semiconductor wafer at the time when the main process of semiconductor manufacturing is completed, examining defects of the formed pattern, and feeding back the information. Optical microscopes are widely used. A wafer appearance inspection apparatus that generates a surface image of a semiconductor wafer and finds a defective portion is called an inspection machine, and this term is used here.
【０００３】インスペクションマシンでは、ＴＶカメラ
やラインセンサで光学像を画像信号に変換し、画像信号
を処理して欠陥などの有無を判定する。近年、半導体装
置は益々高集積化されており、それに応じて回路パター
ンも微細化しており、インスペクションマシンは高解像
度の画像を生成することが要求される。そのため、高集
積度のラインセンサで走査することにより高分解能の画
像信号を得ている。走査は通常ステージに載置した試料
を一定速度で移動することにより行う。１つのダイの画
像を１回の走査で生成したのでは十分な解像度の画像が
得られない場合には、複数回の操作に分けて行う。不良
部分の発見は、隣接するダイの対応する部分の画像デー
タを比較することにより行うのが一般的である。In an inspection machine, an optical image is converted into an image signal by a TV camera or a line sensor, and the image signal is processed to determine whether there is a defect or the like. 2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices have been increasingly integrated, and circuit patterns have been miniaturized accordingly, and inspection machines are required to generate high-resolution images. Therefore, high-resolution image signals are obtained by scanning with a highly integrated line sensor. Scanning is usually performed by moving a sample placed on a stage at a constant speed. If an image of a single die cannot be obtained at a sufficient resolution by generating the image in one scan, the operation is performed in a plurality of operations. Detecting a defective portion is generally performed by comparing image data of a corresponding portion of an adjacent die.
【０００４】図１は、インスペクションマシンの基本構
成を示す図である。図１に示すように、試料である半導
体ウエハ１００は、３軸方向に移動可能なステージ１０
１に保持される。照明光学装置（ランプハウス）１５か
ら出射された照明光は、リレーレンズ１４を通ってハー
フミラー１２で反射され、対物レンズ１１を介して試料
１００上の視野範囲を照明する。対物レンズ１１は、こ
のようにして照明された試料１００の表面の光学像を、
ハーフミラー１２を介してＴＶカメラやラインセンサな
どの撮像装置１３上に形成する。撮像装置１３は、この
光学像を電気信号に変換し、画像信号処理装置１６に送
る。画像信号処理装置１６は、隣接するダイの画像信号
を比較することにより、欠陥の有無、位置及び欠陥の分
類などの処理を行う。この部分の構成の詳しい説明は省
略する。FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration of an inspection machine. As shown in FIG. 1, a semiconductor wafer 100 as a sample is placed on a stage 10 movable in three axial directions.
It is held at 1. The illumination light emitted from the illumination optical device (lamp house) 15 is reflected by the half mirror 12 through the relay lens 14 and illuminates the field of view on the sample 100 via the objective lens 11. The objective lens 11 converts the optical image of the surface of the sample 100 illuminated in this manner into
It is formed on an imaging device 13 such as a TV camera or a line sensor via the half mirror 12. The imaging device 13 converts the optical image into an electric signal and sends the electric signal to the image signal processing device 16. The image signal processing device 16 performs processing such as presence / absence of a defect, position, and classification of the defect by comparing image signals of adjacent dies. Detailed description of the configuration of this part is omitted.
【０００５】なお、イメージセンサ１３の代わりに、接
眼レンズに設け、肉眼で観察する場合もある。また、照
明光学系については、光源の像がそのまま試料上に投影
されるクリティカル照明や、光源の像は試料上に投影さ
れないケーラー照明などが知られている。各種の光学顕
微鏡の構成や照明光学系については広く知られており、
ここでは詳しい説明を省略する。[0005] In some cases, the image sensor 13 is provided on an eyepiece instead of the image sensor 13 for observation with the naked eye. As the illumination optical system, there are known critical illumination in which an image of a light source is directly projected on a sample, and Koehler illumination in which an image of a light source is not projected on a sample. Various optical microscope configurations and illumination optical systems are widely known.
Here, detailed description is omitted.
【０００６】光学顕微鏡の光源としては、白熱ランプ、
及びキセノンランプや水銀ランプなどの放電型ランプが
使用される。インスペクションマシンのような高精度の
光量比較を行うには、光源から出射される光量が安定し
ている必要があり、このようなランプを使用する場合に
は、同一条件で点灯して安定した状態で使用する。その
ため、ランプの放射光量は一定で変化させることはでき
ないのが一般的である。一方、インスペクションマシン
では、顕微鏡の倍率を変更した場合や試料の種類などに
応じて照明光量を調整する必要がある。そこで、インス
ペクションマシンでは、照明光の光路中に異なる透過率
の濃度（ＮＤ:neutral density) フィルタを配置して照
明光量を調整している。As the light source of the optical microscope, an incandescent lamp,
And discharge-type lamps such as xenon lamps and mercury lamps. In order to perform a high-precision light quantity comparison such as an inspection machine, the light quantity emitted from the light source needs to be stable. Used in. Therefore, the amount of radiation of the lamp is generally constant and cannot be changed. On the other hand, with an inspection machine, it is necessary to adjust the amount of illumination light according to the case where the magnification of the microscope is changed or the type of the sample. Therefore, in an inspection machine, a density (ND: neutral density) filter having a different transmittance is arranged in the optical path of the illumination light to adjust the amount of illumination light.
【０００７】図２は、現在使用されている光量調整機構
２０の例を示す図である。図示のように、回転可能な円
板２１に複数のＮＤフィルタ２２が設けられ、光束２３
の光路中に配置されるＮＤフィルタ２２が選択できるよ
うになっている（透過率１００％の場合には、ＮＤフィ
ルタを設けない場合もある）。図示の構成であれば選択
できるのは８種類のＮＤフィルタであり、円板２１に設
けるＮＤフィルタ２２の枚数を増加させればその分選択
できるＮＤフィルタの種類が増加するが、円板２１が大
きくなるという問題が生じるので、通常は６個〜８枚の
ＮＤフィルタが設けられる。ＮＤフィルタの選択は手動
で行われるものも、モータ駆動により自動で任意のＮＤ
フィルタが選択できるものもある。FIG. 2 is a diagram showing an example of the light amount adjusting mechanism 20 currently used. As shown in the drawing, a plurality of ND filters 22 are provided on a rotatable disk 21,
The ND filter 22 arranged in the optical path of (1) can be selected (when the transmittance is 100%, the ND filter may not be provided). In the configuration shown in the figure, eight types of ND filters can be selected. If the number of ND filters 22 provided on the disk 21 is increased, the types of ND filters that can be selected increase accordingly. Since a problem of increase in size arises, usually six to eight ND filters are provided. The selection of the ND filter may be performed manually, or any ND filter may be automatically selected by driving the motor.
Some allow you to select a filter.
【０００８】インスペクションマシンでは、照明光の波
長を試料や用途に応じて変更できることが要求される場
合がある。例えば、半導体ウエハの表面に形成されたパ
ターンを検査するインスペクションマシンでは、照明光
を検査内容に応じて紫外線と可視光との間で切り換える
ことが要求される。図３は、照明光を切り換え可能にす
ると共に、ＮＤフィルタにより照明光の光量を調整可能
にした照明光学装置の構成例を示す図である。In some cases, the inspection machine is required to be able to change the wavelength of the illuminating light according to the sample and the application. For example, in an inspection machine for inspecting a pattern formed on the surface of a semiconductor wafer, it is required to switch illumination light between ultraviolet light and visible light in accordance with the contents of the inspection. FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of an illumination optical device in which illumination light can be switched and the amount of illumination light can be adjusted by an ND filter.
【０００９】図３の（Ａ）の構成では、紫外線の光束を
出力する第１のランプハウス３１と可視光の光束を出力
する第２のランプハウス３２を平行移動可能に配置し、
照明光として使用する光束３３を切り換えることによ
り、照明光を紫外線と可視光との間で切り換える。参照
番号２０Ａ〜２０Ｃは、それぞれ図２に示した光量調整
機構である。また、図３の（Ｂ）の構成は、紫外線の光
束を出力する第１のランプハウス３４と可視光の光束を
出力する第２のランプハウス３５の出射光束が直交する
ように配置し、ミラー３７を回転することにより、照明
光として使用する光束３３を切り換えられるようにして
いる。In the configuration shown in FIG. 3A, a first lamp house 31 for outputting a light beam of ultraviolet light and a second lamp house 32 for outputting a light beam of visible light are arranged so as to be movable in parallel.
By switching the light beam 33 used as the illumination light, the illumination light is switched between ultraviolet light and visible light. Reference numerals 20A to 20C denote the light amount adjustment mechanisms shown in FIG. In the configuration shown in FIG. 3B, the light emitted from the first lamp house 34 for outputting a light beam of ultraviolet light and the light emitted from the second lamp house 35 for outputting the light beam of visible light are arranged so as to be orthogonal to each other. By rotating 37, the light beam 33 used as illumination light can be switched.
【００１０】図２の構成では、選択できる透過率の種類
は、円板２１に設けたＮＤフィルタ２２の枚数（図では
８枚）で決定される。しかし、精密な比較を行うには最
適な光量で光学像を捕らえる必要があり、選択できる透
過率が８種類では不十分である。そこで、図示のよう
に、３個の光量調整機構２０Ａ〜２０Ｃを直列に配置
し、光路中に配置される３つのＮＤフィルタを組み合わ
せることによりより精密な調整を可能にしている。例え
ば、光量調整機構２０Ａには比較的高い透過率の範囲で
等比級数で透過率が変化するＮＤフィルタを設け、光量
調整機構２０Ｂには光量調整機構２０Ａの最小透過率を
比として等比級数で透過率が変化するＮＤフィルタを設
け、更に光量調整機構２０Ｃには光量調整機構２０Ｂの
最小透過率を比として等比級数で透過率が変化するＮＤ
フィルタを設ける。なお、図２の構成では、各光量調整
機構はそれぞれ８枚のＮＤフィルタを有するので、全体
では、８×８×８＝５１２通りの透過率が選択可能であ
るが、実際にはこのように微細な調整は必要ないので、
その場合には、例えば、光量調整機構２０Ｃには、開口
（１００％）と３種類のＮＤフィルタのみを使用し、合
計で４種類の透過率が選択できるようにして、他は使用
しないようにする。これでも２５６通りの透過率が得ら
れる。なお、光量調整機構の個数、１つの光量調整機構
に設けるＮＤフィルタの枚数、ＮＤフィルタの透過率
は、投影光学系及び検査対象とする半導体ウエハに応じ
て照明光量を調整できる範囲及び調整量の単位量を決定
し、それに応じて決定する。In the configuration shown in FIG. 2, the type of transmittance that can be selected is determined by the number of ND filters 22 provided on the disk 21 (eight in the figure). However, in order to perform a precise comparison, it is necessary to capture an optical image with an optimal amount of light. Eight types of transmittances are insufficient. Therefore, as shown in the figure, three light quantity adjusting mechanisms 20A to 20C are arranged in series, and more precise adjustment is made possible by combining three ND filters arranged in the optical path. For example, the light quantity adjusting mechanism 20A is provided with an ND filter whose transmittance changes in a geometric series in a relatively high transmittance range, and the light quantity adjusting mechanism 20B is a geometric series with the minimum transmittance of the light quantity adjusting mechanism 20A as a ratio. Is provided with an ND filter whose transmittance changes in accordance with ND. Further, an ND whose transmittance changes in a geometric series with respect to the minimum transmittance of the light amount adjusting mechanism 20B is provided in the light amount adjusting mechanism 20C.
Provide a filter. In the configuration of FIG. 2, each light amount adjustment mechanism has eight ND filters, so that a total of 512 transmittances can be selected from 8 × 8 × 8 = 512 transmittances. Since fine adjustment is not required,
In that case, for example, only the aperture (100%) and three types of ND filters are used for the light amount adjustment mechanism 20C, and a total of four types of transmittances can be selected, and the others are not used. I do. Even in this case, 256 kinds of transmittance can be obtained. The number of light quantity adjusting mechanisms, the number of ND filters provided in one light quantity adjusting mechanism, and the transmittance of the ND filter are determined based on the projection optical system and the semiconductor wafer to be inspected. Determine the unit quantity and determine accordingly.
【００１１】紫外線の光束を出力する第１のランプハウ
ス３１としては、例えば水銀ランプが使用され、可視光
の光束を出力する第２のランプハウス３２としては、例
えばキセノンランプが使用され、用途に応じて使用する
光源を切り換える。水銀ランプから放射される光は、図
４の（Ａ）に示すように、紫外線域に複数の輝線スペク
トルａ，ｂ，ｃを有する。従来は、第１のランプハウス
３１の出射部に、例えば、図４の（Ｃ）に示すような輝
線スペクトルｂのみを通過させる特性を有するフィルタ
Ｙを設け、輝線スペクトルｂの光のみを照明光として使
用していた。これは、照明光の波長範囲が狭いほど良好
な光学像を形成できるためである。フィルタＹは、通常
は薄膜干渉フィルタで実現される。For example, a mercury lamp is used as the first lamp house 31 for outputting a light beam of ultraviolet rays, and a xenon lamp is used for the second lamp house 32 for outputting a light beam of visible light. The light source to be used is switched accordingly. The light emitted from the mercury lamp has a plurality of bright line spectra a, b, and c in the ultraviolet region, as shown in FIG. Conventionally, for example, a filter Y having a characteristic of passing only the bright line spectrum b as shown in FIG. 4C is provided at the emission portion of the first lamp house 31 so that only the light of the bright line spectrum b is illuminated. Was used as. This is because a better optical image can be formed as the wavelength range of the illumination light is narrower. The filter Y is usually realized by a thin-film interference filter.
【００１２】しかし、図４の（Ｃ）に示すような特性の
フィルタＹを使用すると、輝線スペクトルａ，ｃの光は
カットされて使用されず、十分な光量を得るには、大き
な水銀ランプを使用することが必要になり、装置が大き
くなって消費電力が増加するだけでなく、発生される熱
が増大するので、それに伴う悪影響が増大するという問
題があった。However, when the filter Y having the characteristic shown in FIG. 4C is used, the light of the emission line spectra a and c is not used, and a large mercury lamp is used to obtain a sufficient light amount. It is necessary to use it, and not only the size of the device becomes large and power consumption increases, but also the generated heat increases, so that there is a problem that the adverse effect increases.
【００１３】そこで、フィルタＹの代わりに図４の
（Ｂ）に示すような輝線スペクトルａ，ｂ，ｃを通過さ
せる特性を有するフィルタＸを設け、輝線スペクトル
ａ，ｂ，ｃの光をすべて照明光として使用することが行
われている。フィルタＸも、通常は薄膜干渉フィルタで
実現される。Therefore, instead of the filter Y, a filter X having a characteristic of passing bright line spectra a, b, c as shown in FIG. 4B is provided, and all the light of the bright line spectra a, b, c are illuminated. It has been used as light. The filter X is also usually realized by a thin film interference filter.
【００１４】[0014]
【発明が解決しようとする課題】出射部に輝線スペクト
ルａ，ｂ，ｃを通過させる特性を有するフィルタＸを設
けた第１のランプハウス３１を使用した状態で、光学系
の条件などにより十分過ぎる照明光量が得られ、ＮＤフ
ィルタで照明光量を大幅に減少する場合が生じる。この
ような状態では、フィルタＸの代わりに輝線スペクトル
ｂのみを通過させる特性を有するフィルタＹを使用して
光学像の品質を向上させたいので、この場合には照明光
の光路中にフィルタＹを配置して輝線スペクトルｂの光
のみを照明光として使用したいという要求がある。しか
し、このような要求を実現するには、照明光の光路中に
フィルタＹを配置するか配置しないかを切り換える切り
換え機構が必要になる。しかし、このような切り換え機
構を設けるには図２に示した光量調整機構に類似した機
構を更に設ける必要があり、装置が大きくなるという問
題があった。In the state where the first lamp house 31 provided with the filter X having the characteristic of transmitting the emission line spectra a, b, and c at the emission part is used, the condition is too much due to the condition of the optical system and the like. In some cases, the amount of illumination light is obtained, and the amount of illumination light is significantly reduced by the ND filter. In such a state, it is desired to improve the quality of the optical image by using a filter Y having a characteristic of passing only the emission line spectrum b instead of the filter X. In this case, the filter Y is placed in the optical path of the illumination light. There is a demand that it is desired to use only the light of the emission line spectrum b as the illumination light by disposing. However, in order to realize such a requirement, a switching mechanism for switching between disposing or not disposing the filter Y in the optical path of the illumination light is required. However, in order to provide such a switching mechanism, it is necessary to further provide a mechanism similar to the light amount adjusting mechanism shown in FIG. 2, and there is a problem that the device becomes large.
【００１５】また、光路中に配置するフィルタをフィル
タＸとフィルタＹの間で切り換えられるようにすること
も考えられるが、その場合でも更に切り換え機構を設け
る必要がある。本発明は、このような問題を解決するも
ので、照明光の光量調整と共に照明光の波長も変化させ
られる小型で低コストの照明光学装置を有するウエハ外
観検査装置（インスペクションマシン）を実現すること
を目的とする。Further, it is conceivable that the filter arranged in the optical path can be switched between the filter X and the filter Y. However, in such a case, it is necessary to further provide a switching mechanism. The present invention solves such a problem, and realizes a wafer appearance inspection apparatus (inspection machine) having a small and low-cost illumination optical device that can change the wavelength of illumination light while adjusting the amount of illumination light. With the goal.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】上記目的を実現するた
め、本発明のウエハ外観検査装置は、光量調整用の濃度
（ＮＤ）フィルタと波長選択用の薄膜干渉フィルタを一
体に設け、濃度フィルタを選択することにより同時に波
長選択フィルタも選択されるようにする。すなわち、本
発明のウエハ外観検査装置は、ウエハの表面を照明する
照明光学系と、ウエハの表面の光学像を形成する投影光
学系とを備えるウエハ外観検査装置において、照明光学
系は、複数の濃度フィルタ群から、この照明光学系の光
路中に配置する濃度フィルタを選択する照明光量調整機
構を備え、複数の濃度フィルタの少なくとも一部は、濃
度フィルタを選択することにより同時に選択される波長
選択フィルタを有することを特徴とするウエハ外観検査
装置。In order to achieve the above object, a wafer appearance inspection apparatus according to the present invention is provided with a density (ND) filter for adjusting the amount of light and a thin-film interference filter for selecting a wavelength. By making the selection, the wavelength selection filter is selected at the same time. That is, a wafer visual inspection device of the present invention includes a lighting optical system for illuminating the surface of a wafer and a projection optical system for forming an optical image of the surface of the wafer. An illumination light amount adjusting mechanism for selecting a density filter to be arranged in the optical path of the illumination optical system from the density filter group is provided, and at least a part of the plurality of density filters includes a wavelength selection unit that is simultaneously selected by selecting the density filter. A wafer visual inspection device having a filter.
【００１７】波長選択フィルタは、対応する濃度フィル
タとは独立したフィルタで隣接されて配置されており、
一体に選択されるようにしても、対応する濃度フィルタ
と接着されたていても、対応する濃度フィルタの表面に
形成してもよい。本発明によれば、波長選択フィルタと
濃度フィルタは一体に選択されるように配置されている
ので、切り換え機構を別に設ける必要がない。もちろ
ん、一体に選択される波長選択フィルタと濃度フィルタ
の一方のみを選択することはできないので、その分選択
できる組合せは減少する。しかし、前述のように、光量
調整機構の一部のＮＤフィルタの部分は使用されていな
いことが多く、その部分に波長選択フィルタと濃度フィ
ルタの組み合わせを設ければ特に問題は生じない。The wavelength selection filters are arranged adjacent to each other with a filter independent of the corresponding density filter.
It may be selected integrally, may be bonded to the corresponding density filter, or may be formed on the surface of the corresponding density filter. According to the present invention, since the wavelength selection filter and the density filter are arranged so as to be selected integrally, there is no need to separately provide a switching mechanism. Of course, it is not possible to select only one of the wavelength selection filter and the density filter, which are selected integrally, so that the selectable combinations decrease accordingly. However, as described above, a part of the ND filter of the light amount adjusting mechanism is often not used, and if a combination of a wavelength selection filter and a density filter is provided in that part, no particular problem occurs.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】図５は、本発明の実施例のウエハ
外観検査装置（インスペクションマシン）の照明光学装
置の部分の構成を示す図である。他の部分は、従来と同
様の構成を有する。図５に示すように、実施例のインス
ペクションマシンは、紫外線の光束を出力する第１のラ
ンプハウス３１と可視光の光束を出力する第２のランプ
ハウス３２が平行移動可能に配置され、光量調整機構４
０Ａ〜４０Ｃが配置されており、図３の（Ａ）に示した
構成とは、光量調整機構４０Ｃに波長選択用フィルタが
一体に設けられている点が異なる。FIG. 5 is a view showing a configuration of a part of an illumination optical device of a wafer appearance inspection apparatus (inspection machine) according to an embodiment of the present invention. Other parts have the same configuration as the conventional one. As shown in FIG. 5, in the inspection machine of the embodiment, a first lamp house 31 for outputting a luminous flux of ultraviolet light and a second lamp house 32 for outputting a luminous flux of visible light are arranged so as to be movable in parallel, and the light amount is adjusted. Mechanism 4
0A to 40C are arranged, and is different from the configuration shown in FIG. 3A in that a wavelength selecting filter is provided integrally with the light amount adjusting mechanism 40C.
【００１９】図５の（Ｂ）に示すように、光量調整機構
４０Ｃは、８個の開口部４４−１〜４４−８を有する。
例えば、光量調整機構４０Ａと４０Ｂには、それぞれ８
枚のＮＤフィルタが設けられ、光量調整機構４０Ｃには
３種類のＮＤフィルタと透過率１００％のＮＤフィルタ
に相当する１つの開口を設ける必要があり、開口４４−
１〜４４−３には３種類のＮＤフィルタ４２を設け、開
口４４−４にはフィルタは設けないとする。従って、開
口４４−５〜４４−８は使用していないことになる。そ
こで、開口４４−５〜４４−７には、それぞれ３種類の
ＮＤフィルタ４２を設けると共に、波長選択フィルタＹ
４３を設け、開口４４−８には波長選択フィルタＹ４３
を設ける。As shown in FIG. 5B, the light amount adjusting mechanism 40C has eight openings 44-1 to 44-8.
For example, the light amount adjustment mechanisms 40A and 40B have 8
It is necessary to provide three ND filters and to provide the light amount adjusting mechanism 40C with three types of ND filters and one opening corresponding to an ND filter having a transmittance of 100%.
Three types of ND filters 42 are provided in 1 to 44-3, and no filter is provided in the opening 44-4. Therefore, the openings 44-5 to 44-8 are not used. Therefore, three types of ND filters 42 are provided in the openings 44-5 to 44-7, respectively, and the wavelength selection filter Y
A wavelength selection filter Y43 is provided in the opening 44-8.
Is provided.
【００２０】可視光の光束を出力する第２のランプハウ
ス３２からの光を使用する場合には、従来と同様に、開
口４４−１〜４４−４のいずれかを光路中に配置する。
第１のランプハウス３１の出力する輝線スペクトルａ，
ｂ，ｃのすべてを使用する時にも、従来と同様に、開口
４４−１〜４４−４のいずれかを光路中に配置する。第
１のランプハウス３１の出力する輝線スペクトルｂのみ
を使用する時には、開口４４−５〜４４−８のいずれか
を光路中に配置する。When light from the second lamp house 32 that outputs a visible light beam is used, one of the openings 44-1 to 44-4 is arranged in the optical path as in the conventional case.
The emission line spectrum a, output from the first lamp house 31,
When all of b and c are used, one of the openings 44-1 to 44-4 is arranged in the optical path as in the related art. When only the emission line spectrum b output from the first lamp house 31 is used, one of the openings 44-5 to 44-8 is arranged in the optical path.
【００２１】開口４４−５〜４４−７に一体に設けられ
るＮＤフィルタ４２と波長選択用の薄膜干渉フィルタ４
３は、図５の（Ｂ）に示すように、２つのフィルタを隣
接して配置しても、図６の（Ａ）に示すように、ＮＤフ
ィルタ４２と表面４５に薄膜が形成された波長選択用干
渉フィルタ４３を光学的な接着材４６で貼り合わせて一
体にしたものを使用しても、図６の（Ｃ）に示すよう
に、ＮＤフィルタ４２の表面４６に波長選択用干渉フィ
ルタを構成する薄膜を形成したものを使用してもよい。The ND filter 42 and the thin film interference filter 4 for wavelength selection are provided integrally with the openings 44-5 to 44-7.
3 shows a wavelength at which a thin film is formed on the ND filter 42 and the surface 45 as shown in FIG. 6A even when two filters are arranged adjacent to each other as shown in FIG. Even when the selection interference filter 43 is bonded and integrated with an optical adhesive 46, as shown in FIG. 6C, the wavelength selection interference filter is provided on the surface 46 of the ND filter 42. What formed the constituent thin film may be used.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
照明光の光量調整と共に照明光の波長も変化させられる
小型の照明光学装置を有するウエハ外観検査装置（イン
スペクションマシン）が低コストで実現できる。As described above, according to the present invention,
A low-cost wafer appearance inspection apparatus (inspection machine) having a small illumination optical device capable of changing the wavelength of the illumination light together with the adjustment of the amount of the illumination light can be realized.
【図１】半導体ウエハ外観検査装置（インスペクション
マシン）の基本構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration of a semiconductor wafer visual inspection device (inspection machine).
【図２】複数のＮＤフィルタを使用して光量を調整する
光量調整機構の例を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a light amount adjustment mechanism that adjusts a light amount using a plurality of ND filters.
【図３】光量調整可能な照明光学装置の従来例の構成を
示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a conventional example of an illumination optical device capable of adjusting a light amount.
【図４】水銀ランプの紫外線域における輝線スペクトル
と、それを利用する波長選択用フィルタの特性例を示す
図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an emission line spectrum in an ultraviolet region of a mercury lamp and a characteristic example of a wavelength selection filter using the spectrum.
【図５】本発明の実施例のインスペクションマシンの照
明光学装置の構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of an illumination optical device of the inspection machine according to the embodiment of the present invention.
【図６】ＮＤフィルタと波長選択用の薄膜干渉フィルタ
の他の構成例を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating another configuration example of an ND filter and a thin-film interference filter for wavelength selection.
１５…照明光学装置 ２０、４０Ａ〜４０Ｃ…光量調整機構 ３１、３２…ランプハウス ４２…ＮＤフィルタ ４３…波長選択用フィルタ ４４、４４−１〜４４−８…開口 15: Illumination optical device 20, 40A to 40C: Light amount adjusting mechanism 31, 32: Lamp house 42: ND filter 43: Filter for wavelength selection 44, 44-1 to 44-8: Opening
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G051 AA51 AB07 AC01 BA01 BA05 BA08 BB03 BB07 BB15 BC01 CA03 CA04 CB01 DA07 ED11 2H042 AA06 AA08 AA28 4M106 AA01 BA04 BA07 CA38 DB04 DB07 DB12 DB13 DB15 DB18 DB19 DB30 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2G051 AA51 AB07 AC01 BA01 BA05 BA08 BB03 BB07 BB15 BC01 CA03 CA04 CB01 DA07 ED11 2H042 AA06 AA08 AA28 4M106 AA01 BA04 BA07 CA38 DB04 DB07 DB12 DB13 DB15 DB18 DB19 DB30
Claims (4)
えるウエハ外観検査装置において、 前記照明光学系は、 複数の濃度フィルタ群から、当該照明光学系の光路中に
配置する濃度フィルタを選択する照明光量調整機構を備
え、 前記複数の濃度フィルタの少なくとも一部は、当該濃度
フィルタを選択することにより同時に選択される波長選
択フィルタを有することを特徴とするウエハ外観検査装
置。1. A wafer appearance inspection apparatus comprising: an illumination optical system for illuminating a surface of a wafer; and a projection optical system for forming an optical image of the surface of the wafer, wherein the illumination optical system includes a plurality of density filters. An illumination light amount adjusting mechanism for selecting a density filter to be arranged in an optical path of the illumination optical system, at least a part of the plurality of density filters includes a wavelength selection filter that is simultaneously selected by selecting the density filter. A wafer appearance inspection device, comprising:
あって、 前記波長選択フィルタは、対応する前記濃度フィルタと
は独立したフィルタであり、隣接して配置されているウ
エハ外観検査装置。2. The wafer appearance inspection apparatus according to claim 1, wherein the wavelength selection filter is a filter independent of the corresponding density filter, and is arranged adjacent to the wavelength selection filter.
あって、 前記波長選択フィルタは、対応する前記濃度フィルタと
接着された独立したフィルタであるウエハ外観検査装
置。3. The wafer appearance inspection apparatus according to claim 1, wherein the wavelength selection filter is an independent filter bonded to the corresponding density filter.
あって、 前記波長選択フィルタは、対応する前記濃度フィルタの
表面に形成された薄膜干渉フィルタであるウエハ外観検
査装置。4. The wafer appearance inspection device according to claim 1, wherein the wavelength selection filter is a thin film interference filter formed on a surface of the corresponding density filter.
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| JP2000185301A JP2002005849A (en) | 2000-06-20 | 2000-06-20 | Wafer visual inspection apparatus |
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| JP (1) | JP2002005849A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012154941A (en) * | 2006-07-14 | 2012-08-16 | Nikon Corp | Inspection apparatus |
| JP2016038374A (en) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | 由田新技股▲ふん▼有限公司 | Light source device |
| JP2021163934A (en) * | 2020-04-03 | 2021-10-11 | 株式会社ディスコ | Wafer testing apparatus and wafer testing method |
-
2000
- 2000-06-20 JP JP2000185301A patent/JP2002005849A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012154941A (en) * | 2006-07-14 | 2012-08-16 | Nikon Corp | Inspection apparatus |
| JP2016038374A (en) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | 由田新技股▲ふん▼有限公司 | Light source device |
| JP2021163934A (en) * | 2020-04-03 | 2021-10-11 | 株式会社ディスコ | Wafer testing apparatus and wafer testing method |
| JP7427337B2 (en) | 2020-04-03 | 2024-02-05 | 株式会社ディスコ | Wafer inspection method |
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