JP2002004038A - Sputtering target with less particle generation - Google Patents
Sputtering target with less particle generationInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、成膜中にパーティ
クル発生の少ないスパッタリングターゲットに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering target which generates less particles during film formation.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、膜厚や成分を容易に制御できるス
パッタリング法が、電子・電気部品用材料の成膜法の一
つとして多く使用されている。このスパッタリング法は
正の電極と負の電極とからなるターゲットとを対向さ
せ、不活性ガス雰囲気下でこれらの基板とターゲットの
間に高電圧を印加して電場を発生させるものであり、こ
の時電離した電子と不活性ガスが衝突してプラズマが形
成され、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負の
電極）表面に衝突してターゲット構成原子を叩きだし、
この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が
形成されるという原理を用いたものである。2. Description of the Related Art In recent years, a sputtering method capable of easily controlling a film thickness and a component has been widely used as one of film forming methods for a material for electronic and electric parts. In this sputtering method, a target composed of a positive electrode and a negative electrode is opposed to each other, and an electric field is generated by applying a high voltage between the substrate and the target under an inert gas atmosphere. The ionized electrons collide with the inert gas to form plasma, and the cations in this plasma collide with the target (negative electrode) surface and strike the target constituent atoms,
This is based on the principle that the ejected atoms adhere to the opposing substrate surface to form a film.
【０００３】このスパッタリング法による薄膜の形成に
際し、パーティクルの発生という問題が大きく取り上げ
られるようになってきた。このパーティクルは、例えば
スパッタリング法におけるターゲット起因のものについ
て説明すると、ターゲットをスパッタリングした場合、
薄膜は基板以外に薄膜形成装置の内壁や内部にある部材
等のいたるところに堆積する。ターゲットのエロージョ
ン部以外の面及び側面も例外ではなく、スパッタ粒子が
堆積しているのが観察される。そしてこのような薄膜形
成装置内にある部材等から剥離した薄片が直接基板表面
に飛散して付着することがパーティクル発生の大きな原
因の一つであると考えられている。In the formation of a thin film by the sputtering method, the problem of generation of particles has come to be taken up. This particle is, for example, to explain what is caused by the target in the sputtering method, when sputtering the target,
The thin film is deposited not only on the substrate but also on the inner wall of the thin film forming apparatus and on other parts inside the apparatus. The surface and side surface other than the erosion portion of the target are no exception, and it is observed that sputtered particles are deposited. It is considered that one of the major causes of the generation of particles is that the flakes separated from the members and the like in such a thin film forming apparatus scatter and adhere directly to the substrate surface.
【０００４】最近では、ＬＳＩ半導体デバイスの集積度
が上がる（１６Ｍビット、６４Ｍビットさらには２５６
Ｍビット）一方、配線幅が０．２５μｍ以下になるなど
により微細化されつつあるので、上記のようなパーティ
クルによる配線の断線や短絡と言った問題が、より頻発
するようになった。このように、電子デバイス回路の高
集積度化や微細化が進むにつれてパーティクルの発生は
一層大きな問題となってきた。Recently, the integration degree of LSI semiconductor devices has increased (16 Mbits, 64 Mbits, and even 256 Mbits).
(M bits) On the other hand, as the wiring width is reduced to 0.25 μm or less and the like, the problem such as disconnection or short circuit of the wiring due to particles as described above has become more frequent. As described above, as the degree of integration and miniaturization of electronic device circuits increase, generation of particles has become a more serious problem.
【０００５】一般に、スパッタリングターゲットはそれ
よりも寸法が大きいバッキングプレートに溶接、拡散接
合あるいははんだ付け等の手段により接合されるが、ス
パッタリングの安定性から、バッキングプレートに接合
するスパッタリングターゲットの側面が該バッキングプ
レートに向かって、通常末広がりの傾斜面を持つように
形成されている。既に知られているように、バッキング
プレートは背面が冷却材と接触してターゲットを冷却す
る役目を持っており、熱伝導性の良いアルミニウムや銅
又はこれらの合金等の材料が使用されている。前記スパ
ッタリングターゲットの側面は、スパッタリングによる
エロージョンを受ける（摩耗）箇所ではない。しかし、
ターゲットのエロージョン面に近接しているので、スパ
ッタリング操作中に飛来するスパッタ粒子が付着し、よ
り堆積するという傾向がある。Generally, a sputtering target is joined to a backing plate having a larger size by welding, diffusion bonding, soldering, or the like. However, from the viewpoint of stability of sputtering, the side surface of the sputtering target joined to the backing plate is not attached. It is formed so as to have a generally sloping inclined surface toward the backing plate. As already known, the backing plate has a role of cooling the target by contacting the back surface with the coolant, and is made of a material having good heat conductivity, such as aluminum, copper, or an alloy thereof. The side surface of the sputtering target is not a place to receive (wear) erosion by sputtering. But,
Because of the proximity to the erosion surface of the target, sputter particles flying during the sputtering operation tend to adhere and accumulate.
【０００６】一般に、スパッタリングターゲットのエロ
ージョン面は旋盤加工により平滑面としており、また前
記傾斜している側面も同様に旋盤加工されている。とこ
ろが、このような傾斜側面から、一旦付着したスパッタ
粒子（堆積物）が再び剥離し、それが浮遊してパーティ
クル発生の原因となることが分かった。また、このよう
な堆積物の剥離は平坦な周辺のエロージョン面近傍より
もむしろ、そこから離れている箇所からの方が、堆積物
の剥離が多くなっているのが観察された。このような現
象は、必ずしも明確に把握されていた訳でなく、また特
に対策が講じられていた訳でもない。しかしながら、上
記のように電子デバイス回路の高集積度化や微細化の要
請から、このような箇所からのパーティクルの発生も大
きな問題となってきた。このような問題を解決しようと
して、ターゲット側面及びバッキングプレートの近傍部
分をブラスト処理し、アンカー効果により付着力を向上
させる提案もなされた。しかし、この場合、ブラスト材
の残留による製品への汚染の問題、残留ブラスト材上に
堆積した付着粒子の剥離の問題、さらには付着膜の選択
的かつ不均一な成長による剥離の問題が新たに生じ、根
本的解決にはならなかった。In general, the erosion surface of a sputtering target is made smooth by lathing, and the inclined side surface is also turned. However, it has been found that the sputtered particles (deposits) once adhered from such inclined side surfaces peel off again, and float, causing particles to be generated. In addition, it was observed that the detachment of the deposit increased more from a portion far from the flat erosion surface rather than from the vicinity of the erosion surface around the flat periphery. Such a phenomenon has not always been clearly understood, and no particular measures have been taken. However, generation of particles from such locations has become a serious problem due to the demand for higher integration and miniaturization of electronic device circuits as described above. In an attempt to solve such a problem, it has been proposed to blast the side surface of the target and a portion in the vicinity of the backing plate to improve the adhesive force by an anchor effect. However, in this case, the problem of contamination of the product due to the residual blast material, the problem of the detachment of the adhered particles deposited on the residual blast material, and the problem of the detachment due to the selective and uneven growth of the adhered film are newly added. It did not result in a radical solution.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、スパッタリ
ングターゲットの側面、特に傾斜側面から発生する堆積
物の剥離・飛散を直接的に防止できるスパッタリングタ
ーゲットを得ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a sputtering target which can directly prevent the separation and scattering of deposits generated from the side surface of the sputtering target, particularly the inclined side surface.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明者らは鋭意研究を行なった結果、スパッタ
リングターゲット側面構造を工夫することにより、成膜
中のパーティクル発生を効率良く抑制できるとの知見を
得た。本発明はこの知見に基づき、 １ スパッタリングターゲットの側面が中心線平均粗さ
（Ｒａ）０．０５μｍ〜０．５μｍの表面粗さを備えて
いることを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッ
タリングターゲット ２ スパッタリングターゲットの側面が傾斜面であるこ
とを特徴とする上記１記載のパーティクル発生の少ない
スパッタリングターゲット ３ バッキングプレートに接合するスパッタリングター
ゲットの側面が該バッキングプレートに向かって末広が
りの傾斜面を持つことを特徴とする上記１又は２記載の
パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット ４ スパッタリングターゲットの側面が旋盤加工面であ
ることを特徴とする上記１〜３記載のパーティクル発生
の少ないスパッタリングターゲットを提供する。Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have conducted intensive studies and as a result, by devising the side structure of the sputtering target, the generation of particles during film formation can be efficiently suppressed. I got the knowledge that I can do it. The present invention is based on this finding. 1 Sputtering target with less generation of particles characterized in that the side surface of the sputtering target has a center line average roughness (Ra) of 0.05 μm to 0.5 μm. 3. The sputtering target with less generation of particles according to 1 above, wherein the side surface of the target is an inclined surface. 3. The side surface of the sputtering target joined to the backing plate has an inclined surface diverging toward the backing plate. (4) The sputtering target according to (1) or (2) above, wherein the side surface of the sputtering target is a lathe-processed surface.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明のスパッタリングターゲッ
トは、矩形、円形、その他の形状のターゲットに適用で
きるもので、これらのターゲットは厚みがあるので、全
て側面を有している。この側面は上記のように、傾斜面
とすることが多いが、後述する図２のような垂直な面あ
るいはこれらの面に継続した平面を持つ構造のスパッタ
リングターゲットににも適用できる。本発明はこれらを
全て含むものである。本発明の経緯を簡単に述べると、
上記の通りスパッタリングターゲットの傾斜側面から、
一旦付着したスパッタ粒子（堆積物）が再び剥離し、そ
れが浮遊してパーティクル発生の原因となることが観察
されたが、このような堆積物の剥離が平坦な周辺のエロ
ージョン面近傍よりもむしろ、そこから離れている箇所
からの方が、堆積物の剥離が多くなっていることが分か
った。したがって、パーティクル発生原因を究明するた
めに、まずこのような現象の調査を進めた。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The sputtering target of the present invention can be applied to targets having a rectangular shape, a circular shape, and other shapes. Since these targets have a large thickness, they all have side surfaces. The side surface is often an inclined surface as described above, but the present invention can also be applied to a sputtering target having a structure having a vertical surface as shown in FIG. The present invention includes all of them. Briefly describing the history of the present invention,
From the inclined side of the sputtering target as described above,
It was observed that the sputtered particles (deposits) once adhered peeled off again, causing them to float and cause particles to be generated. It was found that the amount of sediment peeling increased from a location farther away therefrom. Therefore, in order to determine the cause of the generation of particles, the investigation of such a phenomenon was first advanced.
【００１０】上記の通り、スパッタリングターゲットの
エロージョン面は通常旋盤加工により平滑面とし、前記
傾斜している側面も同様に旋盤加工されているが、この
ような傾斜側面は旋盤加工の特性から、微視的に見れば
階段状に多数の段差が形成されていることが分かった。
このような、スパッタリングターゲットを使用してスパ
ッタリングした場合、平坦な周辺のエロージョン面及び
該エロージョン面近傍の傾斜面では、付着するスパッタ
粒子は比較的スピードが速く、エネルギーを持っている
ので、付着力も強いという傾向がある。したがって、ス
パッタリングで飛来するスパッタ粒子が層状に付着する
が、この層状付着物は剥離が少ない。そのため、これら
の層が剥れて浮遊するということは比較的少なく、パー
ティクル発生としてはむしろ問題が小さかった。[0010] As described above, the erosion surface of the sputtering target is usually made smooth by lathe processing, and the inclined side surface is also subjected to lathe processing. Visually, it was found that a large number of steps were formed in a stepwise manner.
When sputtering is performed using such a sputtering target, on a flat peripheral erosion surface and an inclined surface near the erosion surface, the sputtered particles that adhere are relatively fast and have energy, so that the Also tend to be strong. Therefore, sputtered particles flying by sputtering adhere in a layered manner, but the layered matter is less peeled. Therefore, it is relatively rare that these layers are peeled off and floated, and the problem of particle generation is rather small.
【００１１】しかし、同じ傾斜面でも、平坦なエロージ
ョン面から遠くなるにしたがって、スパッタリングター
ゲットの傾斜面に付着するスパッタ粒子の数、厚さが少
なくなるということがあるにもかかわらず、このような
付着粒子の剥離が多くなるという全く逆の現象が見られ
た。この理由を究明すると、まずスパッタ粒子である
が、このスパッタ粒子は量が減るけれども、飛来するス
ピードが遅くなり付着エネルギーも小さくなることが分
かった。他方、ターゲットの側面は上記の通り階段状に
なっているため、平坦なエロージョン面から遠い側面で
は、多量に層状に付着するのではなく、各段ごとに少量
づつ、柱状に分離した粒子が付着しているのが観察され
た。そして、このような柱状の付着の形態は、一面の層
状付着に比べはるかに剥れやすいという傾向があった。
したがって、このような剥離の形態を抑制し、スパッタ
リングターゲット側面からのパーティクル発生の原因と
なる付着粒子の剥離を防止することが急務であることが
分かった。However, even with the same inclined surface, the number and thickness of sputter particles adhering to the inclined surface of the sputtering target may decrease as the distance from the flat erosion surface increases. A completely opposite phenomenon, in which the detachment of the adhered particles increases, was observed. Investigating the reason, it was found that sputtered particles were first reduced, but the amount of sputtered particles was reduced, but the flying speed was reduced and the adhesion energy was also reduced. On the other hand, since the side surface of the target is stepped as described above, particles separated in a column-like manner adhere to the side far from the flat erosion surface in a small amount at each step instead of adhering in a large amount in layers. Was observed. And such a form of columnar adhesion tended to be much easier to be peeled off than layered adhesion on one surface.
Therefore, it was found that it was urgently necessary to suppress such a form of peeling and to prevent the peeling of the adhered particles causing the generation of particles from the side surface of the sputtering target.
【００１２】本発明の説明に当たって、スパッタリング
ターゲットとバッキングプレート組立体の構造を図１に
示す。通常、スパッタリングターゲット１がバッキング
プレート２の上に載せられ、ロウ接等により接合されて
いる。図２はこの変形であり、スパッタリングターゲッ
ト３とバッキングプレート４との組立体において、スパ
ッタリング中にスパッタ粒子が飛来して付着するバッキ
ングプレート領域をターゲット３と同一の材料としたも
のである。すなわち、この例ではターゲット３はバッキ
ングプレート４内に埋め込まれた形態をしているが、タ
ーゲット３の縁部がスパッタリング中にスパッタ粒子が
飛来して付着するバッキングプレート領域を超える形状
としたものである。In describing the present invention, the structure of a sputtering target and backing plate assembly is shown in FIG. Usually, the sputtering target 1 is mounted on the backing plate 2 and joined by brazing or the like. FIG. 2 shows this modification, in which, in the assembly of the sputtering target 3 and the backing plate 4, the backing plate region to which sputtered particles fly and adhere during sputtering is made of the same material as the target 3. That is, in this example, the target 3 has a form embedded in the backing plate 4, but the edge of the target 3 has a shape exceeding the backing plate area where sputtered particles fly and attach during sputtering. is there.
【００１３】本発明は、このようなスパッタリングター
ゲットの側面を、中心線平均粗さ（Ｒａ）０．０５μｍ
〜０．５μｍの表面粗さとすることにより、旋盤加工に
よる階段状の段差を無くし、柱状の付着粒子を抑制して
堆積層の剥離を防止するものである。この場合、過度に
平滑であると、すなわち中心線平均粗さ（Ｒａ）０．０
５μｍ未満では、アンカー効果が殆どなくなり剥離が生
ずる。また、中心線平均粗さ（Ｒａ）０．５μｍを超え
ると、スパッタ粒子の飛来方向に対して陰になる部分が
生じて、同様に剥離原因となる。したがって、上記の表
面粗さとする必要がある。According to the present invention, the side surface of such a sputtering target has a center line average roughness (Ra) of 0.05 μm.
By setting the surface roughness to 0.5 μm, a step-like step due to lathe processing is eliminated, and columnar adhered particles are suppressed to prevent separation of the deposited layer. In this case, if it is excessively smooth, that is, the center line average roughness (Ra) is 0.0.
If it is less than 5 μm, the anchor effect is almost eliminated and peeling occurs. On the other hand, if the center line average roughness (Ra) exceeds 0.5 μm, a portion may be formed in the direction in which the sputtered particles fly, which also causes peeling. Therefore, it is necessary to have the above surface roughness.
【００１４】[0014]
【実施例】次に、本発明の実施例及び比較例を説明す
る。なお、実施例はあくまで本発明の一例であり、この
実施例に制限されるものではない。すなわち、本発明の
技術思想に基づく、変形や他の態様は全て本発明に包含
される。 （実施例１）直径３００ｍｍ、厚み１０ｍｍの高純度Ｔ
ｉ（純度５Ｎ）である平面的にみて円盤状のターゲット
を、Ａｌ合金製バッキングプレートに拡散接合によりボ
ンディングし、総厚み１７ｍｍのスパッタリングターゲ
ット−バッキングプレート組立体を作製した。この構造
は、図1に示すターゲットとバッキングプレートの組立
て構造である。本発明の条件に入るターゲットをスパッ
タ装置に装着し、ＴｉＮの反応性（リアクティブ）スパ
ッタリングを行い、４μｍ厚のＴｉＮ膜を形成し、パー
ティクルの変化について調べた。側面の観測地点は、タ
ーゲット上面から３ｍｍの地点である。また、対比のた
めに、本発明の条件から外れる範囲のターゲットを作製
し、同様の条件でＴｉＮの反応性スパッタリングを実施
し、パーティクルの変化について調べた。以上の実施例
の結果を、比較例とともに表１に示す。Next, examples and comparative examples of the present invention will be described. The embodiment is merely an example of the present invention, and the present invention is not limited to the embodiment. That is, all modifications and other aspects based on the technical concept of the present invention are included in the present invention. (Example 1) High purity T having a diameter of 300 mm and a thickness of 10 mm
A disc-shaped target having a thickness of i (purity of 5N) as viewed in plan was bonded to an Al alloy backing plate by diffusion bonding to produce a sputtering target-backing plate assembly having a total thickness of 17 mm. This structure is an assembly structure of the target and the backing plate shown in FIG. A target satisfying the conditions of the present invention was mounted on a sputtering apparatus, and reactive (reactive) sputtering of TiN was performed to form a 4 μm-thick TiN film, and a change in particles was examined. The observation point on the side surface is a point 3 mm from the upper surface of the target. For comparison, a target was prepared in a range outside the conditions of the present invention, and reactive sputtering of TiN was performed under the same conditions, and a change in particles was examined. Table 1 shows the results of the above examples together with comparative examples.
【００１５】[0015]
【表１】 [Table 1]
【００１６】試料Ｎｏ．２〜試料Ｎｏ．４は本発明の実
施例であり、試料Ｎｏ．１、試料Ｎｏ．５及び試料Ｎ
ｏ．６は比較例である。同表中、中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）はターゲットの側面の表面粗さである。また同表
中、各試料について、スパッタ粒子の付着形態と剥離の
有無を観察したものである。上記表１から明らかなよう
に、比較例である試料Ｎｏ．１の中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）０．０１μｍのものは、スパッタ粒子が層状に堆積
しているが、剥離が生じた。これは、表面の粗さが減少
し、アンカー効果が無くなったためと考えられる。これ
に対し、本実施例の試料Ｎｏ．２〜試料Ｎｏ．４につい
ては、スパッタ粒子が層状に堆積しているのが観察さ
れ、剥離はなかった。しかし、比較例である試料Ｎｏ．
５ではスパッタ粒子が一部柱状に堆積し、剥離が一部に
見られた。また試料Ｎｏ．６については、スパッタ粒子
の全部が柱状に堆積し、剥離が見られた。以上から、ス
パッタリングターゲットの側面を中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）０．０５μｍ〜０．５μｍの表面粗さとすること
は、同側面から飛来するパーティクルの発生防止に極め
て有効であることが分かる。上記実施例では、一例を示
したものであるが、ＴｉＮの反応性スパッタリング以外
の、他のスパッタ条件でも同様な結果となり、またスパ
ッタリングターゲットの形状を替えても同結果が得られ
た。Sample No. No. 2 to sample no. Sample No. 4 is an example of the present invention. 1, sample no. 5 and sample N
o. 6 is a comparative example. In the table, the center line average roughness (R
a) is the surface roughness of the side surface of the target. In addition, in the same table, for each sample, the adhesion form of sputtered particles and the presence or absence of peeling were observed. As is clear from Table 1 above, the sample No. 1 center line average roughness (R
a) In the case of 0.01 μm, sputtered particles were deposited in a layer, but peeling occurred. This is probably because the surface roughness was reduced and the anchor effect was lost. On the other hand, the sample No. No. 2 to sample no. For No. 4, sputtered particles were observed to be deposited in layers, and there was no separation. However, the sample No.
In No. 5, sputter particles were partially deposited in a columnar shape, and peeling was partially observed. Sample No. For No. 6, all of the sputtered particles were deposited in a columnar shape, and peeling was observed. From the above, the center line average roughness (R
a) It can be seen that setting the surface roughness to 0.05 μm to 0.5 μm is extremely effective for preventing generation of particles flying from the same side. In the above embodiment, although an example is shown, the same result was obtained under other sputtering conditions other than reactive sputtering of TiN, and the same result was obtained even when the shape of the sputtering target was changed.
【００１７】[0017]
【発明の効果】スパッタリングターゲットの側面の表面
粗さの改良により、スパッタリングターゲットの側面か
ら発生する堆積物の剥離・飛散を効果的に防止できる、
優れた効果を有する。By improving the surface roughness of the side surface of the sputtering target, the separation and scattering of the deposits generated from the side surface of the sputtering target can be effectively prevented.
Has excellent effects.
【図１】スパッタリングターゲット−バッキングプレー
ト組立体の一例を示す断面説明図である。FIG. 1 is an explanatory sectional view showing an example of a sputtering target-backing plate assembly.
【図２】スパッタリングターゲット−バッキングプレー
ト組立体の、他の例を示す断面説明図である。FIG. 2 is an explanatory sectional view showing another example of a sputtering target-backing plate assembly.
１、３ スパッタリングターゲット ２、４ バッキングプレート 1,3 sputtering target 2,4 backing plate
Claims (4)
線平均粗さ（Ｒａ）０．０５μｍ〜０．５μｍの表面粗
さを備えていることを特徴とするパーティクル発生の少
ないスパッタリングターゲット。1. A sputtering target with less generation of particles, wherein a side surface of the sputtering target has a surface roughness of a center line average roughness (Ra) of 0.05 μm to 0.5 μm.
面であることを特徴とする請求項１記載のパーティクル
発生の少ないスパッタリングターゲット。2. The sputtering target according to claim 1, wherein the side surface of the sputtering target is an inclined surface.
リングターゲットの側面が該バッキングプレートに向か
って末広がりの傾斜面を持つことを特徴とする請求項１
又は２記載のパーティクル発生の少ないスパッタリング
ターゲット。3. The method according to claim 1, wherein a side surface of the sputtering target joined to the backing plate has an inclined surface diverging toward the backing plate.
Or the sputtering target with less generation of particles according to 2.
加工面であることを特徴とする請求項１〜３記載のパー
ティクル発生の少ないスパッタリングターゲット。4. The sputtering target according to claim 1, wherein the side surface of the sputtering target is a lathe processing surface.
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|---|---|
| JP (1) | JP2002004038A (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004315931A (en) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Dainippon Printing Co Ltd | Sputtering target |
| JP2011225981A (en) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Taiheiyo Cement Corp | Sputtering target |
| CN102586744A (en) * | 2011-12-30 | 2012-07-18 | 余姚康富特电子材料有限公司 | Target blank and forming method thereof |
| WO2013005827A1 (en) * | 2011-07-07 | 2013-01-10 | 住友化学株式会社 | Sputtering target |
| JP5947413B1 (en) * | 2015-02-13 | 2016-07-06 | Ｊｘ金属株式会社 | Sputtering target and manufacturing method thereof |
| JP2016153540A (en) * | 2016-06-02 | 2016-08-25 | Ｊｘ金属株式会社 | Sputtering target and production method thereof |
| JP2017014603A (en) * | 2015-07-06 | 2017-01-19 | 東芝マテリアル株式会社 | Sputtering target and manufacturing method of sputtering target |
| WO2022080220A1 (en) * | 2020-10-12 | 2022-04-21 | 日清紡ケミカル株式会社 | Sputtering target, method of manufacturing same and film formation method |
-
2000
- 2000-06-23 JP JP2000190163A patent/JP2002004038A/en active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004315931A (en) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Dainippon Printing Co Ltd | Sputtering target |
| JP4694104B2 (en) * | 2003-04-18 | 2011-06-08 | 大日本印刷株式会社 | Sputtering target |
| JP2011225981A (en) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Taiheiyo Cement Corp | Sputtering target |
| WO2013005827A1 (en) * | 2011-07-07 | 2013-01-10 | 住友化学株式会社 | Sputtering target |
| CN102586744A (en) * | 2011-12-30 | 2012-07-18 | 余姚康富特电子材料有限公司 | Target blank and forming method thereof |
| JP5947413B1 (en) * | 2015-02-13 | 2016-07-06 | Ｊｘ金属株式会社 | Sputtering target and manufacturing method thereof |
| JP2016148093A (en) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | Ｊｘ金属株式会社 | Sputtering target and method for manufacturing the same |
| JP2017014603A (en) * | 2015-07-06 | 2017-01-19 | 東芝マテリアル株式会社 | Sputtering target and manufacturing method of sputtering target |
| JP2016153540A (en) * | 2016-06-02 | 2016-08-25 | Ｊｘ金属株式会社 | Sputtering target and production method thereof |
| WO2022080220A1 (en) * | 2020-10-12 | 2022-04-21 | 日清紡ケミカル株式会社 | Sputtering target, method of manufacturing same and film formation method |
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