JP2001512414A - プラズマ外側蒸着を使用する光ファイバ製造用管状部材の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 プラズマガスが、ガスライン（４２）に沿ってプラズマトロントーチ（４０）へ流れる。ソースガスも、ライン（４４）に沿ってプラズマトロントーチ（４０）へ流れる。これにより反応生成物が作られ、それはターゲット（３４）上に沈積される。これにより、光ファイバを製造するために使用できる管状ボディが作られる。

Description

【発明の詳細な説明】 プラズマ外側蒸着を使用する光ファイバ製造用管状部材の製造方法 発明の背景 本発明は、光ファイバプリフォームスターター管（“スターター管”）及び光 ファイバプリフォームの製造方法に関する。詳しく述べれば、本発明は、プラズ マプロセスを通して水酸基（ヒドロキシル）含量が低いシリカを沈積させること によって、これらの管及びプリフォームを製造するプロセスに関する。 従来の技術は、石英ガラススターター管及び光ファイバプリフォームを製造す るためのさまざまなアプローチを示している。スターター管は、シリカを加熱し 、それを開口を通して押し出すことによって形成することができる。スターター 管及び光ファイバプリフォームは共に、改変した化学蒸着法（ＭＣＶＤ）、軸方 向沈積法（ＶＡＤ）、外側蒸着法（ＯＶＤ）のような幾つかの技術の１つを使用 してドープされた、またはドープされていないシリカをターゲット上に沈積させ ることによって作ることができる。これらの各方法は、ガラス、セラミック、ま たは幾つかの他の材料の１つで形成された、典型的には管または中実の棒の形状 の回転ターゲットを準備することから開始される。ある場合には棒または管はプ リフォームの一体部分になり、他の場合には棒は取り除かれる。ガスバーナーま たはプラズマ源のような熱源が、回転ターゲットの下に位置決めされている。熱 源はガラス形成反応に必要なエネルギを供給してガラス粒子を形成させる。プロ セスの本質に依存して、これらの沈積したガラス粒子はＶＡＤまたはＯＶＤプロ セスのような次の処理、乾燥及び焼結のための準備が整っている。もしそれがＭ ＣＶＤであれば、これらの粒子は同じ熱源によって石英ガラスに融合される。 ターゲットが水平に取付けられている場合には、沈積を均一にするために熱源 はターゲットの長さに沿って走行する。もしターゲットが管であれば、ガラス形 成粒子及び材料は、管の内面に沈積させる（この場合、外径は一定のままである ）ことも、または管の外側に沈積させる（この場合、外径が成長する）こともで きる。 ターゲットが垂直に取付けられている場合には、それはその垂直軸を中心とし て回転し、半径方向及び軸方向の両方向に成長する。それにより実質的に円筒形 の生成物が得られ、その直径及び長さは沈積が続行されるにつれて増加する。 Ｉｚａｗａらの米国特許第４，２２４，０４６号には、光ファイバプリフォー ムの製造方法が記載されている。２つのガス状生ガラス材料、酸素、水素、及び アルゴンが、垂直に取付けられた回転円筒形スタート部材に向かってバーナー内 を上向きにジェット噴射される。炎加水分解によって煤状のガラス粒子が形成さ れ、スタート部材の下端に沈積する。スタート部材は、その成長端とバーナーと の間の間隔を一定に維持するように徐々に引き上げられる。沈積が完了すると、 得られた煤状ガラスプリフォームは乾燥され、焼結されて透明なガラスプリフォ ームが形成される。 Ｐａｒｔｕｓの米国特許第４，４１２，８５３号には、光ファイバプリフォー ムスターター管を形成するためのＭＣＶＤプロセスが開示されている。プロセス は、ガラスで形成されていて予め選択された組成及び光学的特性を有する水平に 取付られた回転管状ターゲットから開始される。管状ターゲットの下に熱源を位 置決めし、管状ターゲットを通して蒸気のストリームを供給してその長さに沿っ て走行させる。これにより蒸気ストリームの反応生成物が管状ターゲットの内面 に沈積し、融合される。沈積した材料は管状ターゲットと同一の屈折率を有して いるが、異なる組成を有している。この引例は、外側気相酸化プロセスまたは外 側気相軸方向沈積プロセスによって同じ効果を達成することができることも示唆 しているが、どのようにして行うことができるのかに関しては明示してない。 Ｌｅｂｅｒらの米国特許第４，９２３，４９７号は、垂直引抜き式のシリカス ターター管の連続製造に関する。このプロセスは、粒子形状の二酸化シリコンを 閉じたるつぼの中で使用する。次に、軟化した二酸化シリコンを成型用ツールに よって、るつぼの底の開口を通して管内に引抜く。このプロセスにおいては、閉 じたるつぼ、及び管が形成される直下の空間は、高濃度の水素を含む雰囲気にな っている。更に、成型用ツールとるつぼとの間に所定の電位差を維持し、それら の間に電界を作って不純物を減少させている。 Ｌｅｂｅｒらの米国特許第５，０２６，４１３号も、垂直引抜き式のシリカ管 の製造に関する。高度にシリカを含む石英が炉内で軟化させ、るつぼの底の開口 を通して管内に引抜く。管の直径の偏差を最小にするために、管の内側の圧力、 及び管が形成される室の内側の圧力が監視され、等化される。 Ｄｒｏｕａｒｔらの米国特許第５，５２２，００７号には、高い水酸基イオン 濃度を有する光ファイバプリフォームを作り上げるためにプラズマ沈積の使用が 示されている。この引例では、誘導コイルを有するプラズマトーチの一方の端内 にプラズマ生成用ガスを導入する前に、水槽を通過させることによってガス内に 水酸基イオンを故意に飛沫同伴させる。プラズマトーチは、水酸基イオンと混合 された溶融したシリカ粒子を回転基体プリフォーム上に発射する。これにより５ ０−１００ｐｐｍの範囲の平均水酸基イオン濃度を有するプリフォームがターゲ ットプリフォーム上に沈積する。Ｄｒｏｕａｒｔらによれば、この技術により１ ３１０ｎｍにおいて０．３２ｄＢ/ｋｍの、また１５５０ｎｍにおいて０．１９ ５ｄＢ/ｋｍの減衰を有する光ファイバが得られるという。 Ｈｅｉｔｍａｎｎの米国特許第５，６０９，６６６号は、石英ガラス管を形成 するために多孔質酸化物セラミックから形成された管状基体の使用を開示してい る。メタン、四塩化シリコンＳｉＣｌ４及び酸素の混合体で作動するバーナーが 管状基体に沿って前後に運動し、ガラス煤をその上に沈積させる。同時に、塩素 または塩化チオニル、並びに他のガスからなる乾燥ガス混合体を、管状基体の内 部をその軸に沿って通過させる。パージガスが、沈積したガラス煤から水酸基イ オンを除去する。沈積し、パージされたガラス煤ボディは管状基体から取り外さ れ、さらなる乾燥及び焼結の後に低−ＯＨ濃度の管または棒が形成される。 上述したプロセスは全て欠陥を有している。第１に、引抜きによる連続プロセ スで形成される管は高い不純物レベル、混在物、及び最も屡々、高い水酸基含量 を有している。これらの管は、光ファイバの製造に望まれる機械的及び光学的特 性を与えない。第２に、煤の沈積と、それに続く乾燥及び焼結とを必要とするプ ロセスは高価であり、それらが同時に遂行できないことが多い２つの別個のステ ップを必要とするので長い時間を消費する。 発明の概要 本発明の目的は、１ｐｐｍより少ない水酸基含量を有し、従ってスターター管 、 及び１３１０ｎｍの波長において０．４０ｄＢ/ｋｍ、及び１５５０ｎｍの波長 において０．０２ｄＢ/ｋｍより低い減衰を有する単一モードファイバを形成す るために使用できる光ファイバプリフォームを製造する装置及び方法を提供する ことである。 本発明の別の目的は、製造に含まれるステップの数を減少させることにより、 低コストでこれらの管及びプリフォームを製造することである。 本発明の更に別の目的は、爾後に良好な強度を有する光ファイバに組立てるこ とができるプリフォームのためのスターター管を製造することである。 これらの、及び他の目的は、スターター管及び光ファイバプリフォームを形成 するための本発明の方法によって達成される。本プロセスにおいては、シリカ材 料を沈積させるターゲットに近接してプラズマ源を配置する。低水酸基濃度を有 する乾燥プラズマガスを使用してプラズマを形成させる。これもまた低水酸基濃 度を有し、少なくともＳｉＣｌ４からなる乾燥石英ソースガス、または他の類似 ソースガスがプラズマの近くに導入される。これにより、上記材料はシリカ（Ｓ ｉＯ２）に変換され、ターゲット上に沈積し、そして１つの簡単なステップで石 英ガラスに融合される。複数の形状の１つでソースガスをフッ素でドープすると 、純粋なシリカよりも屈折率が低いプリフォーム用の管が得られ、爾後に、より 大きい強度と良好な光学性能とを有するファイバに引抜くことができる。 図面の簡単な説明 本発明のこれらの、及び他の特色、面、及び長所は、図面から理解できるであ ろう。 図１は、本発明による装置を示す図である。 図２は、本発明の装置に使用されるプラズマトロンの部分側面図である。 図３は、図２に示すものと類似のプラズマトロンの上面図である。 図４は、本発明に使用されるプラズマトロン内のプラズマの流れパターンを示 す図である。 好ましい実施の形態の説明 図１は、本発明による装置２０を示している。本装置は、最終生成物内に不純 物が導入されないようにシールされた室２２を備えている。 室２２内には、Ｌｉｔｔｏｎ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｌａｂ．から入手可能 な旋盤（レース）２４が存在している。旋盤２４は主軸台（ヘッドストック）２ ５及び心押し台（テールストック）２６を有している。主軸台２５及び心押し台 ２６には１対の対向する回転スピンドルチャック２８が設けられており、実質的 に円筒形の外壁を有する細長いターゲット３０の両端を保持するようになってい る。スピンドルチャック２８は矢印Ａ１によって示してあるように、ターゲット ３０を回転させる。旋盤２４に運動可能なように取付けられている可動キャリッ ジ３２は、両頭矢印Ａ２で示してあるようにターゲットに沿って何れの方向へも 走行する。 全体を４０で示すプラズマ源は、キャリッジ３２によって支持されている。即 ち、キャリッジ３２はプラズマ源４０をターゲット３０の長さに沿って運動させ る。これにより、ターゲット３０のトップに材料が沈積されて管状部材３４が形 成される。この管状部材３４は、スターター管であることも、または光ファイバ プリフォームであることもできる。プラズマ源４０によって材料がターゲット３ ０の周囲に均一に沈積され、ほぼ完全に円筒形の外壁を有する管状部材３４を形 成するように、スピンドルチャック２８がターゲットを回転させる。 好ましい実施の形態では、キャリッジ３２上に位置決めされたプラズマ源４０ は、ターゲット３０の長さの実質的な部分に沿って両方向に運動する。これによ り、プラズマ源４０がターゲット３０のこの部分に沿って走行し、それに沿って 材料を沈積させることができる。 プラズマ源４０をターゲットの長さに沿って運動させる代わりに、プラズマ源 ４０を静止させておき、ターゲット３０を運動させても差し支えない。これは、 旋盤の主軸台２５及び心押し台２６が、ターゲットの全ての関連部分をプラズマ 源４０の直上に到達させるようにターゲットを往復動的に運動させることによっ て達成することができる。 別の代替として、複数のプラズマ源をターゲットの長さに沿って離間させてお くことができる。このようにすると、旋盤２４の主軸台２５及び心押し台２６、 またはプラズマ源が取付けられているキャリッジ３２の何れかの運動を、これら の２つの何れが運動するように構成されているのかに依存して減少させることが 可能になる。多数のプラズマ源の全てがターゲットの長さに沿って設けられてい るような極端な場合には、キャリッジ３２、または旋盤２４の主軸台２５及び心 押し台２６の何れも運動させる必要はない。 好ましい実施の形態では、プラズマ源４０はプラズマトロントーチであり、第 １のガスライン４２を通して乾燥プラズマガスがそれに導入され、第２のガスラ イン４４を通してソースガスがそれに導入されるようになっている。 プラズマガスは実質的に、適切な、所定の割合の窒素及び酸素からなる。空気 をプラズマガスとして役立たせることができる。この場合、空気は、それが第１ のガスライン４２に入る前に水分を除去するために、先ず第１のドライヤー４６ を通過させる。これにより、プラズマガスの水酸基濃度は２．０ｐｐｍまたはそ れ以下程度まで低くすることができる。 ソースガスは、ＳｉＣｌ４のようなソースケミカルと、酸素Ｏ２及び窒素Ｎ２ のような少なくとも１つのキャリヤーガスとからなる。キャリヤーガスは、第２ のドライヤー４８を通過して水分が除去される。これにより、ソースガスの水酸 基濃度も０．５ｐｐｍ程度に極めて低くなる。乾燥されたキャリヤーガスは、バ ブラー５０に進んでソースケミカルをピックアップする。ソースケミカルを担持 するキャリヤーガスからなるガスストリームは、第２のガスライン４４へ進む。 オプションとして、弁５２を開くことによって、ガスストリームがプラズマトロ ントーチに到達する前に、ドーパントガスをガスストリーム内に導入することが できる。 好ましい実施の形態では、ソースケミカルはＳｉＣｌ４である。このケミカル は、プラズマ内のその反応特性の故に選択されたものである。詳しく述べれば、 ＳｉＣｌ４は、ターゲット３０上に沈積されるＳｉＯ２を形成するためのＳｉの ソースとして役立つ。ドーパントは、典型的にはＳｉＦ４またはＳｉＦ６の形状 のフッ素ドーパントガスである。フッ素ドーパントは、石英の屈折率を変化させ 、光ファイバプリフォームの設計に自由度を追加する。 図２は、ターゲット３０の下に位置決めされたプラズマトロントーチ４０の一 部を切欠いて示す側面図である。プラズマトロントーチ４０は、石英で形成され た実質的に管状のトーチハウジング５０を備えている。ハウジング５０の直径は ６０ｍｍであり、高さは２２０ｍｍである。しかしながら、４０−８０ｍｍの範 囲の直径、及び１８０−４００ｍｍの高さを使用することもできる。 ハウジング５０の上側部分の周囲には、銅製の誘導コイル５２が設けてある。 コイル５２は、約７２ｍｍの直径を有し、互いに６ｍｍだけ離間した複数の巻線 からなる。ハウジングとコイルとの間の間隙は２−１０ｍｍであることができる 。最上巻線５４’によって示されているように、コイル５２の最上部分は間隔Ｌ （３０−５５ｍｍ程度である）だけ管状部材３４の外面から離間している。 石英ガラスが沈積されるにつれて、その外径は増加する。しかしながら、プラ ズマトーチ４０が配置されている支持スタンド５６の高さを調整することによっ て間隔Ｌを維持する。支持スタンド５６自体はキャリッジ３２上に取付けられ、 それと共に横方向へ運動する。始めに、支持スタンド５６を所定の高さにセット し、沈積中に沈積される材料の直径が増加するにつれてこの高さを減少させる。 これにより、プラズマトーチ４０と沈積された材料との間が所定の距離に維持さ れる。キャリッジ３２上に取付けられ、コントローラに接続されている光センサ または他のセンサを使用して半径方向に成長する管状部材３４のキャリッジから の距離を測定し、支持スタンド５６の高さを相応に調整することができる。 ハウジング５０の最上部の各側にはプラズマスタビライザーバー５８が存在し ている。各スタビライザーバーは石英製であり、ハウジング５０のリムから横方 向に伸びるＵ字形のガーターからなっている。スタビライザーバー５８は６０ｍ ｍの直径を有し、ハウジングリムの直径方向両側に２０ｍｍ伸びているが、４０ −８０ｍｍの範囲の直径と、１５−４０ｍｍの長さを使用することもできる。プ ラズマトロントーチ４０を使用する場合には、スタビライザーバー５８はターゲ ットに平行に整列される。このように配列すると、成長する管状部材３４上に沈 積される反応性ソースケミカルの展開を援助する。 １対の注入ポート６０は、ソースケミカルを輸送する第２のガスライン４４を プラズマトロントーチ４０に接続する。注入ポート６０は、ハウジング５０に沿 って実質的に同じ高さにおいて、即ちコイル５２の最上巻線５４’とスタビライ ザーバー５８との間の点においてハウジングへ入る。注入ポートは、５ｍｍの直 径を有する石英チュービングからなるが、３−１０ｍｍ程度のチュービング直径 を本発明のプラズマトロントーチ４０と共に使用することができる。好ましい実 施の形態では、１対の注入ポート６０は同一の高さにおいてハウジング５０へ入 り、互いに直径方向反対側に位置決めされている。しかしながら、２つだけのポ ートの代わりに、対称的に配列された３つの、またはそれ以上のポートさえ設け ることができる。図２では、２つの注入ポート６０はスタビライザーバーの直下 にあるように示されている。しかしながら、これは絶対的に必要ではなく、図３ のプラズマトロントーチの上面図に示してあるように、注入ポート６０は、スタ ビライザーバー５８から角度的にずらすことができる。 １対のプラズマガス入口６２は、プラズマガスを輸送する第１のガスライン４ ２をプラズマトロントーチ４０へ接続する。プラズマガス入口６２は、実質的に 同一の高さにおいて、且つハウジングのベースの付近でハウジング５０へ入って いる。これらの入口６２は、５ｍｍの直径を有するステンレス鋼チュービングか らなっているが、この目的のためにはある範囲の直径で十分であろう。 プラズマトロントーチ４０には、冷却材入口６４及び出口６６も設けられてい る。使用中、水のような冷却材が入口から入り、ハウジング５０の外壁内を循環 し、出口６６を通って出て行く。冷却材入口及び出口はステンレス鋼製であり、 直径は５ｍｍである。プラズマガス入口及び注入ポートと同様に、この直径も変 化させて差し支えない。 プラズマガス入口６２、冷却材入口６４、及び冷却材出口６６は全てステンレ ス鋼製の室６８の中に形成されている。室６８は一辺が８０ｍｍのステンレス鋼 製の方形ブロックであり、高さは約４０ｍｍである。室６８は支持スタンド５６ 上に取付けられ、支持スタンド５６自体はターゲット３０に沿って運動するよう にキャリッジ３２上に取付けられている。 高周波発生器（図示してない）が電気的にコイル５２に接続されており、５． ２８±０．１３ＭＨｚの周波数において６０ｋＷまでの可変電力出力でコイル５ ２に給電する。好ましい実施の形態の発生器は、ドイツのＦｒｉｔｚ Ｈｕｔｔ ｉｎｇｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｇｍｂから入手可能なモデルＮｏ．ＩＧ６０ ／５０００である。この発生器は、プラズマトロントーチ４０を付勢するために ５０Ｈｚ、３相、３８０Ｖ電源で駆動される。 図４は、乾燥プラズマガスが入口６２を通して供給され、プラズマに変換され た時のプラズマトロントーチ４０内に形成されるプラズマジェット７０を示して いる。プラズマジェット７０は、トーチの縦方向軸Ａ’を中心として実質的に対 称である。注入ポート６０の位置は、プラズマの垂直速度が０である点Ｖの直上 においてソースケミカルがプラズマ内に導入されるようにしてある。このように すると、成長する管状部材３４上への効率的な沈積を実現するのに必要な、境界 層内へのソースケミカルジェットの流体力学の構造及び熱流が得られる。好まし い実施の形態では、注入ポートが横方向にハウジング内に入っているが、これは 絶対的な要求ではない。代わりに、ソースガスは、プラズマトロントーチ４０の 縦方向軸Ａ’に沿って伸びる水冷プローブによってプラズマジェット７０の中心 に導入することができる。 好ましい実施の形態では、沈積ターゲットは、外径２４ｍｍ、内径１９ｍｍの シリカガラス（石英）管である。従って、この管の初期肉厚は約２．５ｍｍであ る。材料が管の外面に沈積されて行くと、管の厚みが成長する。本発明の方法及 び装置を使用して直径が８０ｍｍ程度に大きく、水酸基含量が１ｐｐｍより低い 管状部材を形成することができる。外径８０ｍｍ、内径１９ｍｍのジャケッティ ング管を使用することによって、直径１２５μｍの単一モードファイバを４００ ｋｍ以上製造することができる。 石英ガラス管からなる沈積ターゲットの代わりに、他のターゲットを使用する ことができる。例えば、沈積ターゲットとして黒鉛棒を使用することができる。 この場合、沈積された材料は黒鉛棒の頂上に管を形成し、得られた管は後刻黒鉛 棒から取り外すことができる。代替として、薄肉管で形成されたスリーブを有す る黒鉛棒を使用することができる。この場合の黒鉛棒は、薄肉管に構造的支持を 与える。薄肉管は、シリカ等から形成することができる。また薄肉管は、所定の 屈折率を付与するためにドープすることもできる。沈積中、沈積された材料は薄 肉管に融合される。沈積された材料は、薄肉管とは異なる屈折率を有することは できるが、これは不可欠ではない。また薄肉管の構造的支持を与えるための黒鉛 棒を使用する代わりに、薄肉管を加圧することができる。上述のように、沈積さ れた材料は、典型的にはドープされた、またはドープされていないシリカで形成 される薄肉管に融合される。更に、ターゲットとして一次プリフォームのような ドープされた棒を使用すると、設計された直径の単一またはマルチモードファイ バが得られるまで、付加的なシリカ材料を沈積させることができる。この状況に おいては、付加的な張合わせ材料を直接沈積させることによって、Ｐｅｒｒｙの 米国特許第４，５９６，５８９号に記載されているようなジャケッティングステ ップを排除することができる。 本発明の方法及び装置を使用してスターター管を製造することの長所は３つあ る。第１に、本発明によれば、天然石英粒子からスターター管を連続的に製造す る方法に比して不純物、混在物、及び水酸基含量が減している高品質の管が得ら れる。第２に、本発明によれば、管のジオメトリを極めて良好に制御しながら、 スターター管を形成させることができる。そして第３に、本発明は簡単な単一段 プロセスであり、これは煤の沈積と、それに続いて煤を意図した用途に適するガ ラス材料に変換することとを含むプロセスのような多段プロセスよりも使用が安 価である。 以上に、若干の好ましい実施の形態を参照して本発明を開示したが、これらは 本発明を限定するものと考えるべきではない。当業者ならば、請求の範囲に記載 した本発明の範囲内でこれらの実施の形態の変形が可能であることは容易に理解 されよう。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ， ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，Ｓ Ｎ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，Ｂ Ａ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ， ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，Ｋ Ｅ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ， ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，Ｓ Ｅ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 アスラミ モハマッド アフザル アメリカ合衆国 マサチューセッツ州 01566 スターブリッジ ローレル ヒル ドライヴ ７ (72)発明者 ウー ダウ アメリカ合衆国 マサチューセッツ州 01507 チャールトン ウスター ロード 253 ピーオーボックス 180

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．光ファイバ形成に使用するのに適する管状部材をターゲット上に形成させる 方法において、 コイルと、上記ターゲットを上記コイルから30−50ｍｍ離間させる間隔とを 含み、上記ターゲットの長さに沿って選択的に位置決めすることができる高周 波プラズマトロンを準備するステップと、 ２ｐｐｍより低い水酸基含量を有するプラズマガスを上記プラズマトロン内 に導入してプラズマを形成させるステップと、 少なくともＳｉＣｌ４からなり、0.5ｐｐｍより低い水酸基含量を有するソ ースガスを上記プラズマと通じている領域内に注入するステップと、 上記ターゲットと上記コイルとの間の上記間隔を維持しながら、上記プラズ マ及び上記ソースガスの少なくとも１つの反応生成物を上記ターゲット上に沈 積させるステップと、 を含んでいることを特徴とする方法。 ２．上記コイルは複数の巻線からなり、上記ターゲットは上記ターゲットに最も 近い巻線から上記間隔だけ離間されている請求項１に記載の方法。 ３．上記ソースガスを上記プラズマ室内に注入する前に、フッ素含有材料を上記 ソースガス内に導入する付加的なステップを含んでいる請求項１に記載の方法 。 ４．上記プラズマガスを上記プラズマトロン内に導入する前に、上記プラズマガ スを乾燥させる付加的なステップを含んでいる請求項１に記載の方法。 ５．上記ソースガスは、プラズマトロン内の上記プラズマの垂直速度が０である 点の直上に導入される請求項１に記載の方法。 ６．上記管状部材は、光ファイバプリフォームである請求項１に記載の方法。 ７．上記管状部材は、光ファイバプリフォームのためのスターター管である請求 項１に記載の方法。