JP2001357784A - 面放電型表示デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、面放電型表示デバイスにおいて、
点灯不良の発生を抑制するとともに維持放電時の消費電
力を抑制することを目的とする。 【解決手段】 表示電極１０３と表示スキャン電極１０
４とを覆う第１誘電体層１０５１を形成するとともに、
表示電極１０３と、表示スキャン電極１０４、および前
面ガラス基板１０１によって囲まれる領域において、前
記第１誘電体層１０５１よりも低い比誘電率を有する第
２誘電体層１０５２を形成するようにした。第１誘電体
層１０５１によって、維持放電に必要な壁電荷を形成す
るとともに、第２誘電体層によって、表示電極１０３と
表示スキャン電極１０４の間において比誘電率を下げる
ことができるので、点灯不良を抑制しながら維持放電時
における消費電力を抑制することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示などに用
いる面放電型表示デバイスに関するものであって、特
に、その誘電体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータやテレビなどの画像
表示に用いられているカラー表示デバイスにおいて、プ
ラズマアドレス液晶やプラズマディスプレイパネル（Pl
asma Display Panel 、以下、「ＰＤＰ」という。）な
どのプラズマ面放電を利用した面放電型表示デバイス
は、大型で薄型のパネルを実現することのできるカラー
表示デバイスとして注目されており、特にＰＤＰにおい
てはその実用化が期待されている。

【０００３】図２４は、従来の一般的なＰＤＰの一部断
面斜視図であり、図２５は、図２４のＰＤＰをｘ軸方向
から見た一部拡大断面図である。図２４に示すように、
ＰＤＰは、前面ガラス基板１１と背面ガラス基板１２と
が、隔壁１９を介して平行に対峙して配置されている。
この前面ガラス基板１１の対向面上には、複数本の表示
電極１３および表示スキャン電極１４（本図においては
各２本のみ表示している。なお、幅×厚みは約１００μ
ｍ×５μｍ。）がストライプ状に交互に平行に列設され
ている。当該各電極１３，１４が配設された前面ガラス
基板１１の表面上には、図２５に示すように鉛ガラスな
どからなる誘電体層１５が各電極を絶縁するために被覆
され、さらにその上にＭｇＯ保護膜１６が被覆される。

【０００４】他方、背面ガラス基板１２の対向面上に
は、ストライプ状に配設されたアドレス電極１７と、そ
の表面を覆う鉛ガラスなどからなる誘電体層１８とが形
成され、さらに図２４に示すようにアドレス電極１７に
隣接するように隔壁１９が形成される。また、隣り合う
隔壁１９の間の凹部には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青
色（Ｂ）の各蛍光体層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが形成さ
れている。

【０００５】以上の構成により、前面ガラス基板１１と
背面ガラス基板１２の間の不活性ガスが封入された放電
空間２１において、各電極１３，１４とアドレス電極１
７の交差するところに単位発光領域となるセルが形成さ
れる。ＰＤＰを画像表示する際には、放電空間２１内の
対応するセルにおいて、表示スキャン電極１４とアドレ
ス電極１７との間に放電開始電圧以上の電圧を印加する
ことにより放電させてＭｇＯ保護膜１６内壁に壁電荷を
形成した後、同一面内に配されている表示電極１３およ
び表示スキャン電極１４にパルス電圧を印加することに
より壁電荷の形成されたセルの面内において維持放電さ
せる。そのときに発生する紫外線が各色蛍光体２０Ｒ，
Ｇ，Ｂを励起することにより、赤色、緑色、青色の三原
色の可視光が生成され、これらの色を加法混色すること
によってフルカラー表示できるようになっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記維持放
電時において流れる電流量は、誘電体層１５の静電容量
の大きさに依存することがわかっている。一般的に使用
される鉛ガラスからなる誘電体層１５は、比誘電率が９
〜１２と大きく静電容量も大きいので、上記維持放電時
において流れる電流量は多くなる。したがって、パネル
の消費電力が高くなってしまうという問題がある。

【０００７】このような問題に対応して、比誘電率が８
以下の材料で誘電体層を形成する技術（特開平８−７７
９３０号公報）が提案されている。これによれば、誘電
体層の比誘電率が低くなるため、維持放電時の電流量が
小さくなりパネルの消費電力は抑制される。しかしなが
ら、比誘電率の低くすると静電容量も低下するので、点
灯させるべきセルの壁電荷が十分形成されず、それに伴
って、維持放電が起こらず点灯しない（以下、点灯不良
という。）セルが発生する可能性がある。なお、上述し
た問題は、ＰＤＰに限らず、同じ面放電を利用するプラ
ズマアドレス液晶などの面放電型表示デバイスにおいて
も同様に生じる可能性がある。

【０００８】本発明は、点灯不良を生じさせることなく
消費電力を抑制することができる面放電型表示デバイス
を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、基板上の一方の主面に電極対が複数対列
設されている第１パネルと、基板上に複数の電極が列設
されており、当該電極と前記第１パネルの電極対とが対
向するように、前記第１パネルと隔壁を介して平行に対
峙して配設される第２パネルとを備え、前記第１パネル
と前記第２パネルとの間に隔壁を介して形成される放電
空間に放電ガスが封入され、前記電極対間で行われる面
放電を利用することにより画像表示する面放電型表示デ
バイスにおいて、前記電極対は、第１の誘電体層により
被覆されているとともに、前記電極対の電極と電極、お
よび前記第１パネルの基板とによって囲まれる領域中に
は、前記第１の誘電体層よりも比誘電率の低い領域が形
成されているようにした。

【００１０】これによって、壁電荷を第１の誘電体層に
貯めることができる。一方、電極対の電極と電極の間の
比誘電率を低くできるので、維持放電時の電流量を抑制
することができる。したがって、点灯不良を抑制しつ
つ、パネルの消費電力を抑制することができる。具体的
に、第１の誘電体層よりも比誘電率の低い領域を形成す
るには、電極対の間に第１の誘電体層よりも低い比誘電
率を有する第２の誘電体層を配するようにすればよい。
この第２の誘電体層の形成方法には、メタルマスク法や
ノズル注入法を用いることができる。

【００１１】また、電極対の電極と電極の間の第１の誘
電体層表面に、第１パネル側にへこんだ溝を形成し、当
該溝の底部から第１パネルの基板までの基板垂直方向の
距離が、電極対表面の最も離れた距離よりも短くするよ
うにしてもよい。このようにすれば、溝部分において１
程度の低い比誘電率の放電ガスが満たされるので、さら
にパネルの消費電力を抑制することができる。ここで、
上記溝は、くぼみであってもかまわない。このような溝
やくぼみを形成する方法は、サンドブラスト法や誘電体
ペースト法を用いることができる。

【００１２】さらに、前記電極対の厚みと幅の比である
アスペクト比が０．０７以上２．０以下とするようにす
れば、放電空間を広く取れるとともにパネルの開口率が
大きくなるので、パネルの発光効率を向上させることが
できる。このように、本発明の面放電型表示デバイス
は、維持放電時における点灯不良を抑制しつつパネルの
消費電力を抑制することができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る面放電型表示
デバイスの実施の形態の一例として、ＰＤＰに本発明を
適用した場合について説明する。 〔第１の実施の形態〕本発明に係るＰＤＰおよびＰＤＰ
表示装置の第１の実施の形態について図面を参照しなが
ら説明する。

【００１４】＜ＰＤＰ１００の構成＞図１は、ＰＤＰ１
００における前面ガラス基板１０１を取り除いた概略平
面図であり、図２は、ＰＤＰ１００の部分断面斜視図で
ある。なお、図１においては表示電極１０３、表示スキ
ャン電極１０４、アドレス電極１０８の本数などについ
ては分かり易くするため一部省略して図示している。両
図を参照しながらＰＤＰ１００の構造について説明す
る。

【００１５】図１に示すように、ＰＤＰ１００は、前面
ガラス基板１０１（不図示）、背面ガラス基板１０２、
ｎ本の表示電極１０３、ｎ本の表示スキャン電極１０
４、ｍ本のアドレス電極１０８、および斜線で示す気密
シール層１２１などを備え、各電極１０３，１０４，１
０８が３電極構造の電極マトリックスを形成し、表示電
極１０３および表示スキャン電極１０４とアドレス電極
１０８との交点にセルが形成されるように構成されてい
る。

【００１６】このＰＤＰ１００は、図２に示すように、
前面パネルとしての前面ガラス基板１０１と背面パネル
としての背面ガラス基板１０２とが、ストライプ状に列
設されている隔壁１１０を介して、互いに平行に配設さ
れて構成されている。前面パネルは、前面ガラス基板１
０１の一方の主面に、表示電極１０３、表示スキャン電
極１０４、誘電体層１０５、および保護膜１０６を備え
る。

【００１７】表示電極１０３および表示スキャン電極１
０４は、前面ガラス基板１０１上に交互かつ平行に並ん
でストライプ状に配設されており、ともに銀などからな
る電極である。誘電体層１０５は、前面ガラス基板１０
１および各電極１０３、１０４を覆うように形成されて
おり、鉛ガラスなどからなる層である。

【００１８】保護膜１０６は、誘電体層１０５表面上に
形成されており、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などから
なる層である。一方、背面パネルには、背面ガラス基板
１０２の一主面上にアドレス電極１０８、可視光反射層
１０９、隔壁１１０、蛍光体層１１１Ｒ，Ｇ，Ｂが配さ
れている。

【００１９】アドレス電極１０８は、背面ガラス基板１
０２上に平行に列設されており、銀などからなる電極で
ある。可視光反射層１０９は、アドレス電極１０８を被
覆するように形成されており、例えば、酸化チタンを含
む誘電体ガラスからなる層であって、各蛍光体層１１１
Ｒ，Ｇ，Ｂで発生する可視光を反射する機能と、誘電体
層としての機能を併せ持つ。

【００２０】隔壁１１０は、可視光反射層１０９の表面
上においてアドレス電極１０８と平行に列設されてい
る。この隔壁１１０と隔壁１１０の間の凹部および隔壁
１１０の側壁には、各蛍光体層１１１Ｒ，Ｇ，Ｂが順に
形成されている。蛍光体層１１１Ｒ，Ｇ，Ｂは、それぞ
れ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）を発光する蛍光
体粒子が結着した層である。

【００２１】ＰＤＰ１００は、上記前面パネルと背面パ
ネルとが張り合わされるとともにそのパネル周囲が気密
シール層１２１により封着され、その間に形成される放
電空間１２２内に放電ガス（例えば、ネオン９５ｖｏｌ
％とキセノン５ｖｏｌ％の混合ガス）が所定の圧力（例
えば、６６．５ｋＰａ程度）で封入された構成となって
いる。

【００２２】このＰＤＰ１００は、図３に示すようなＰ
ＤＰ駆動装置１５０に接続されてＰＤＰ表示装置１６０
を構成している。このＰＤＰ表示装置１６０の駆動時に
は、図３に示すように、ＰＤＰ１００に表示ドライバ回
路１５３、表示スキャンドライバ回路１５４、アドレス
ドライバ回路１５５を接続して、コントローラ１５２の
制御に従い、点灯させようとするセルにおける表示スキ
ャン電極１０４とアドレス電極１０８に放電開始電圧以
上の電圧を印加することによりその電極間でアドレス放
電を行って壁電荷を貯めた後に、表示電極１０３、表示
スキャン電極１０４間に一括してパルス電圧を印加する
ことによって壁電荷の貯まったセルにおいて維持放電が
行われる。この維持放電時に放電ガスから紫外線が発生
し、この紫外線により励起された蛍光体層が発光するこ
とによってセルが点灯する。この各色セルの点灯、非点
灯の組み合わせによって画像が表示される。

【００２３】＜前面パネルの構成＞次に、本発明に係る
ＰＤＰに特徴的な前面パネルの構成について説明する。
図４は、図２におけるＰＤＰをｘ軸方向からみた部分拡
大断面図である。同図に示すように、誘電体層１０５
は、前面ガラス基板１０１の表面全体を覆う第１誘電体
層１０５１と各電極１０３，１０４の間隙に配設された
第２誘電体層１０５２とから構成される。

【００２４】第１誘電体層１０５１は、例えば、従来か
ら誘電体層に用いられているＰｂＯ（７５ｗｔ％）、Ｂ
₂Ｏ₃（１５ｗｔ％）、ＳｉＯ₂（１０ｗｔ％）を含む鉛
系の誘電体（比誘電率＝１１程度）から構成されてお
り、表示電極１０３、表示スキャン電極１０４、および
第２誘電体層１０５２の表面を被覆するように形成され
ている。この第１誘電体層１０５１の表面上には、例え
ば、ＭｇＯからなる保護膜１０６が被覆されている。

【００２５】第２誘電体層１０５２は、表示電極１０３
と表示スキャン電極１０４との間の隙間を全て埋めるよ
うに、かつその厚みＷ２が各電極１０３,１０４の厚み
Ｗ１，３の大きい方と等しいかそれ以上となるように形
成されている。この第２誘電体層１０５２は、上記第１
誘電体層１０５１よりも低い比誘電率を有する材料から
なり、例えば、Ｎａ₂Ｏ（６５ｗｔ％）、Ｂ₂Ｏ₃（２０
ｗｔ％）、ＺｎＯ（１５ｗｔ％）を含むナトリウム系誘
電体などの比誘電率が６．５程度を示す材料から構成さ
れる。

【００２６】＜第２誘電体層１０５２を設けることによ
る効果＞このように、第１誘電体層１０５１よりも比誘
電率が低い第２誘電体層１０５２が各電極１０３，１０
４の間を満たすように形成されることにより、表示電極
１０３と表示スキャン電極１０４との間、すなわち表示
電極１０３および表示スキャン電極１０４の前面ガラス
基板１０１からｚ軸方向に最も離れた点よりも前面ガラ
ス基板１０１側における各電極１０３，１０４、および
前面ガラス基板１０１で囲まれる領域において、第１誘
電体層１０５１よりも比誘電率が小さい領域が形成され
る。したがって、表示電極１０３と表示スキャン電極１
０４との間における静電容量を低くすることができる。

【００２７】一方、表示電極１０３および表示スキャン
電極１０４の表面は、比誘電率が高い第１誘電体層１０
５１に覆われているため、アドレス電極１０８との間で
行われるアドレス放電による壁電荷の形成も良好に行わ
れる。そのため、点灯不良が起こる可能性も少ない。し
たがって、従来のように基盤表面に一様に誘電体層を形
成する場合に比べると、点灯不良を起こすことなく維持
放電時に流れる電流量を抑制することができる。そのた
め、パネルの消費電力は従来に比べて低下すると考えら
れる。

【００２８】なお、第２誘電体層１０５２は、表示電極
１０３と表示スキャン電極１０４の間に全て形成されて
いることが好ましいが、Ｗ２＜Ｗ１，３となるような場
合においても各電極１０３，１０４間における静電容量
は低下するため、パネルの消費電力は抑制される。 ＜ＰＤＰ１００の製造方法＞次に、上述したＰＤＰ１０
０において、まず、その前面パネルの製造方法の一例を
図５を参照しながら説明する。図５（１）〜（６）は、
第２誘電体層１０５２をメタルマスク法を用いて形成す
る場合の各製造工程における前面パネルをｘ軸方向から
見た一部拡大断面図であり、番号順に工程が進行する。

【００２９】前面パネルの作製 前面パネルは、前面ガラス基板１０１上にまず、各ｎ本
の表示電極１０３および表示スキャン電極１０４（図５
においては各１本のみ表示している。）を交互かつ平行
にストライプ状に形成した後、その上を誘電体層１０５
で被覆し、さらにその表面に保護膜１０６を形成するこ
とによって作製される。

【００３０】表示電極１０３および表示スキャン電極１
０４は、例えばそれぞれ銀からなる電極であって、電極
用の銀ペースト（例えば、ノリタケ製ＮＰ−４０２８）
をスクリーン印刷により所定の間隔ｄ１（約８０μｍ）
をおいて塗布した後、焼成することによって図５（１）
のように形成される。次に、第２誘電体層１０５２をメ
タルマスク法を用いて形成する。

【００３１】図５（２）に示すように、第２誘電体層１
０５２を形成する位置と対応する位置に長孔２０１１
（紙面垂直方向に長い孔）を有するメタルプレート２０
１を、その長孔２０１１が各電極１０３，１０４の間に
位置するように配置する。ここで、メタルプレート２０
１と前面ガラス基板１０１とを同じ大きさに形成してお
けば、位置あわせ作業が容易になる。

【００３２】そして、ナトリウム系の誘電体材料を含む
ペースト２０２をメタルプレート上に塗布し、スキージ
２０１０を動かすことによって、長孔２０１１から吐出
させたペースト２０２をパネル上に塗布する。この長孔
２０１１の幅ｄ２は、表示電極１０３と表示スキャン電
極１０４間の幅ｄ１よりも若干狭く（例えば６０μｍ）
すれば、メタルプレート２０１の配置位置が微妙にずれ
たり、各電極１０３，１０４間におけるピッチずれが生
じたりした場合においても適応することができる。ペー
スト２０２としては、例えば、Ｎａ₂Ｏ（６５ｗｔ
％）、Ｂ₂Ｏ₃（２０ｗｔ％）、ＺｎＯ（１５ｗｔ％）と
有機バインダ（α−ターピネールに１０％のエチルセル
ローズを溶解したもの）との混合物が使用される。ここ
で、有機バインダとは樹脂を有機溶媒に溶解したもので
あり、エチルセルローズ以外の樹脂としてアクリル樹
脂、有機溶媒としてブチルカービトールなども使用する
ことができる。さらに、こうした有機バインダに分散剤
（例えば、グリセルトリオレエート）を混入させてもよ
い。

【００３３】図５（３）に示すようにペースト２０２を
塗布した後、このパネルを所定温度、所定時間（例えば
５６０℃で２０分）焼成することによって有機バインダ
が焼失し、図５（４）に示すように第２誘電体層１０５
２が所定の層の厚み（約２０μｍ）となるように形成さ
れる。このように形成された第２誘電体層１０５２の表
面上に、鉛系のガラス材料を含むペーストをスクリーン
印刷法により塗布した後、乾燥・焼成することにより、
図５（５）に示すような第１誘電体層１０５１が被膜さ
れる。

【００３４】最後に、図５（６）に示すように、第１誘
電体層１０５１の表面上に保護膜１０６を被膜する。保
護膜１０６は、例えば酸化マグネシウム（ＭｇＯ）から
成るものであり、スパッタリング法やＣＶＤ法（化学蒸
着法）などによって所定の厚み（約０．５μｍ）となる
ように形成することができる。なお、上記第２誘電体層
１０５２は、メタルマスク法を用いて形成したが、この
方法に限定されるものではなく、ノズル注入法などを用
いて形成してもよい。

【００３５】図６は、ノズル注入法により前面パネルを
形成する方法を示す図である。図６（２）以外は、図５
と同じ図であるので、これらの図については説明を省略
する。図６（２）に示すように、ノズル注入法において
はペースト注入装置２０２０を使用する。

【００３６】ペースト注入装置２０２０は、ノズル径ｄ
３のノズル孔２０２１と、図示しない移動台とを備え、
図外のペースト供給装置から供給されるペースト２０２
をノズル孔２０２１から吐出しながら、前面ガラス基板
１０１とペースト注入装置２０２０を移動台により紙面
垂直方向（ｘ軸方向）に相対的に移動させることによっ
て、表示電極１０３と表示スキャン電極１０４の間にペ
ースト２０２を塗布させる。ここで、ノズル孔２０２１
のノズル径ｄ３は、表示電極１０３と表示スキャン電極
１０４との間の幅ｄ１よりも若干小さく（例えば６０μ
ｍ）すれば、ペースト注入装置２０２０の配置位置が微
妙にずれたり、各電極１０３，１０４間におけるピッチ
ずれが生じたりした場合においても適応することができ
る。

【００３７】背面パネルの作製 次に、背面パネルの製造方法の一例について、図１，２
を参照しながら説明する。背面パネルは、まず、背面ガ
ラス基板１０２上に、電極用の銀ペーストをスクリーン
印刷し焼成することによって、ｍ本のアドレス電極１０
８を列設された状態に形成する。その上に鉛系のガラス
材料を含むペーストをスクリーン印刷法を用いて塗布す
ることにより可視光反射層１０９を形成する。その後、
同じく鉛系のガラス材料を含むペーストをスクリーン印
刷法により所定のピッチで繰り返し塗布した後焼成する
ことによって隔壁１１０を形成する。この隔壁１１０に
より、放電空間１２２は、ｘ軸方向にセル（単位発光領
域）毎に区画される。

【００３８】そして、この隔壁１１０と隔壁１１０の間
の溝に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各蛍光
体粒子と有機バインダとからなるペースト状の蛍光体イ
ンキを塗布する。これを４００〜５９０℃の温度で焼成
して有機バインダを焼失させることによって、各蛍光体
粒子が結着してなる蛍光体層１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１
１Ｂが形成される。

【００３９】パネル張り合わせによるＰＤＰの作製 このようにして作製された前面パネルと背面パネルは、
前面パネルの各電極と背面パネルのアドレス電極とが直
交するように重ね合わせられるとともに、パネル周縁に
封着用ガラスを介挿させ、これを例えば４５０℃程度で
１０〜２０分間焼成して気密シール層１２１（図１）を
形成させることにより封着される。そして、一旦放電空
間１２２内を高真空（例えば、１．１×１０^-4Ｐａ）に
排気したのち、放電ガス（例えば、Ｈｅ−Ｘｅ系、Ｎｅ
−Ｘｅ系の不活性ガス）を所定の圧力で封入することに
よってＰＤＰ１００が作製される。

【００４０】＜蛍光体インキおよび蛍光体粒子について
＞背面パネルに塗布される蛍光体インキは、各色蛍光体
粒子、バインダ、溶媒とが混合され、１５〜３０００セ
ンチポアズとなるように調合されたものであり、必要に
応じて、界面活性剤、シリカ、分散剤（０．１〜５ｗｔ
％）等を添加してもよい。

【００４１】この蛍光体インキに調合される蛍光体粒子
としては一般的に使用されるものが用いられる。例え
ば、赤色蛍光体粒子としては、（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅ
ｕ、およびＹ₂Ｏ₃：Ｅｕで表される化合物が用いられ
る。これらは、その母体材料を構成するＹ元素の一部が
Ｅｕに置換された化合物である。緑色蛍光体としては、
ＢａＡｌ₁₂Ｏ₁₉：Ｍｎ、およびＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎで表
される化合物などが用いられる。これらの蛍光体は、そ
の母体材料を構成する元素の一部がＭｎに置換された化
合物である。

【００４２】青色蛍光体としては、ＢａＭｇＡｌ
₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ、およびＢａＭｇＡｌ₁₄Ｏ₂₃：Ｅｕで表さ
れる化合物などが用いられる。これらの蛍光体は、その
母体材料を構成するＢａ元素の一部がＥｕに置換された
化合物である。蛍光体インキに調合されるバインダとし
ては、エチルセルローズやアクリル樹脂（インキの０．
１〜１０ｗｔ％を混合）を用いることができ、溶媒とし
ては、α−ターピネオール、ブチルカービトールを用い
ることができる。なお、バインダとして、ＰＭＡやＰＶ
Ａなどの高分子を、溶媒として、ジエチレングリコー
ル、メチルエーテルなどの有機溶媒や水を用いることも
できる。

【００４３】＜第１の実施の形態における変形例＞ 上記第１の実施の形態においては、第１誘電体層１０
５１が、表示電極１０３、表示スキャン電極１０４、第
２誘電体層１０５２の表面をすべて覆うように形成され
ていたが、第１誘電体層は基本的に表示電極１０３およ
び表示スキャン電極１０４の表面を覆っていれば良く、
第２誘電体層の表面において不連続となっていてもよ
い。

【００４４】図７は、本変形例における前面パネルの一
部拡大断面図を示す。なお、図４と同じ番号を付したも
のについては同じ構成であるので説明を省略する。図７
に示すように、本変形例における前面パネルは、第１誘
電体層が表示電極１０３側の第１誘電体層１０５１ａ
と、表示スキャン電極１０４側の第１誘電体層１０５１
ｂとに分離されており、これによって第２誘電体層１０
５２上に溝３００が形成されている。

【００４５】この溝３００には、比誘電率が１程度の放
電ガスが満たされるので、第２誘電体層が形成されてい
る場合に比べて表示電極１０３と表示スキャン電極１０
４の間の静電容量が低下し、維持放電時に流れる電流量
をさらに抑制できると考えられる。 また、図８に示すように、表示電極１０３および表示
スキャン電極１０４を覆うように配設された第１誘電体
層１０５１ｃ，ｄを介して、各電極１０３，１０４の間
にこの第１誘電体層１０５１ｃ，ｄよりも低い比誘電率
を有する第２誘電体層１０５３を設けるようにしてもよ
い。

【００４６】このような構成にすることにより、比誘電
率の高い第１誘電体層１０５１ｃ，ｄが表示電極１０３
と表示スキャン電極１０４との間に配設されることにな
り、第１の実施の形態と比べると静電容量が増加するの
で、消費電力抑制効果が劣ることになるが、従来の技術
と比べると静電容量が低下して消費電力の抑制効果が優
れると考えられる。

【００４７】（実施例１） （実施例サンプル１〜２）ＰＤＰの前面パネルを図４の
ような形態に設けたＰＤＰサンプルを作製した。ここ
で、第２誘電体層には、Ｎａ₂Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃−ＺｎＯ（比
誘電率：６．５）を用い、メタルマスク法により形成し
たもの（Ｎｏ．１）、および材料にアルコキシシラン
（東京応化社製 ＯＣＤ Ｔ−７、比誘電率：４）を用
い、ノズル注入法により形成したもの（Ｎｏ．２）を作
製した。

【００４８】（実施例サンプル３〜５）ＰＤＰの前面パ
ネルを図７のような形態に設けたサンプルを作製した。
ここで、第２誘電体層には、材料にＮａ₂Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃−
ＺｎＯ（比誘電率：６．５）を用い、メタルマスク法に
より塗布、乾燥、焼成して形成したもの（Ｎｏ．３）、
ノズル注入法により塗布、乾燥、焼成して形成したもの
（Ｎｏ．４）、および第２誘電体層の材料にアルコキシ
シラン（東京応化社製 ＯＣＤ Ｔ−７、比誘電率：
４）を用い、ノズル注入法により塗布・乾燥を３回繰り
返した後５００℃、３０分焼成して形成したもの（Ｎ
ｏ．５）を作製した。

【００４９】（実施例サンプル６〜７）ＰＤＰの前面パ
ネルを図８のような形態に設けたサンプルを作製した。
ここで、第２誘電体層には、材料にＮａ₂Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃−
ＺｎＯ（比誘電率：６．５）を用い、メタルマスク法に
より形成したもの（Ｎｏ．６）、および材料にアルコキ
シシラン（東京応化社製 ＯＣＤ Ｔ−７、比誘電率：
４）を用い、ノズル注入法により形成したもの（Ｎｏ．
７）を作製した （比較例サンプル８）ＰＤＰの前面パネルを図２５のよ
うな形態に設けた比較例サンプル（Ｎｏ．８）を作製し
た。

【００５０】ここで、上記各ＰＤＰサンプルＮｏ．１〜
８においては、２００ｍｍ×３００ｍｍの大きさのもの
を作製し、表示電極および表示スキャン電極の形成に用
いる銀ペーストとしてノリタケ社製 ＮＰ−４０２８を
用い、膜厚５μｍ、幅８０μｍとなるように電極を作成
した。また、各サンプルともに第２誘電体層の厚みは４
０μｍ、ＭｇＯ保護膜の厚みは０．５μｍに形成した。
なお、放電ガスとしてはネオン９５ｖｏｌ％、キセノン
５ｖｏｌ％の混合ガスを用い、圧力が６６．５ｋＰａと
なるように封入した。

【００５１】＜実験１＞ 実験方法：上記各実施例サンプルＮｏ．１〜７および比
較例サンプルＮｏ．８を同じ構成を有するＰＤＰ駆動装
置と接続し、ＰＤＰの駆動時における維持放電電圧、相
対発光効率、および投入電力を測定した。なお、このと
きの表示電極、表示スキャン電極への入力波形は、１０
ｋＨｚ、デューティー比１０％の矩形波を用いた。

【００５２】結果と考察：実験結果を表１に示す。

【００５３】

【表１】 この表から分かるように、比較例サンプルＮｏ．８の場
合、電力６６Ｗを必要としており、その場合の相対発光
効率も０．６０（ｌｍ／Ｗ）となっている。一方、各実
施例サンプルＮｏ．１〜７においては、いずれも消費電
力が６６Ｗ以下を示し、従来に比べて消費電力を略１割
以上抑制できることがわかる。また、このように消費電
力が抑制できる分、相対発光効率も０．６１（ｌｍ／
ｗ）以上に向上していることがわかる。また、点灯不良
も観察されなかった。

【００５４】以上の結果から、表示電極と表示スキャン
電極を覆うように第１誘電体層を設けるとともに、この
第１誘電体層よりも比誘電率の低い第２誘電体層を表示
電極と表示スキャン電極間に設けることによって、比誘
電率の高い第１誘電体層により壁電荷を形成しながら、
比誘電率の低い第２誘電体層により表示電極と表示スキ
ャン電極の間の比誘電率を低下させることができるの
で、点灯不良を起こすことなく、維持放電時の消費電力
を抑制することができる。

【００５５】〔第２の実施の形態〕次に、本発明に係る
ＰＤＰの第２の実施の形態について図面を参照しながら
説明する。なお、第２の実施の形態におけるＰＤＰは、
上記第１の実施の形態において図１〜図３を用いて説明
したＰＤＰと前面パネルの構成が異なる以外は略同じ構
成であるので、異なる部分を中心に説明する。

【００５６】図９は、第２の実施の形態におけるＰＤＰ
の一部拡大断面図を示す。同図に示すように、本第２の
実施の形態に係るＰＤＰにおいては、表示電極１０３お
よび表示スキャン電極１０４を覆うように誘電体層２０
５が形成されているとともに、当該誘電体層２０５の表
面が各電極１０３，１０４の間においてへこんでおり、
電極に沿った方向に伸びた溝２０７が設けられている。

【００５７】誘電体層２０５は、上記第１の実施の形態
における第１誘電体層１０５１と同様の組成で構成さ
れ、比誘電率が１１程度を示す。この誘電体層２０５の
表面全体には、ＭｇＯなどからなる保護膜２０６が被覆
されている。溝２０７は、誘電体層２０５における表示
電極１０３と表示スキャン電極１０４の間に各電極と略
同じ長さで設けられ、当該溝２０７の底部における誘電
体層２０５の厚みＷ４は、前面ガラス基板１０１から各
電極１０３，１０４表面までの距離Ｗ５，６（前面ガラ
ス基板１０１からｚ軸方向に最も離れた距離）よりも短
く形成される。

【００５８】すなわち、溝２０７は放電空間の一部とな
り、真空状態に若干の放電ガスが封入された雰囲気とな
るため、その部分の比誘電率はおよそ１程度と見積もら
れる。つまり、この溝２０７が形成されることにより、
表示電極１０３と表示スキャン電極１０４との間、すな
わち表示電極１０３および表示スキャン電極１０４の前
面ガラス基板１０１から最も離れた点よりも前面ガラス
基板１０１側における各電極１０３，１０４、および前
面ガラス基板１０１で囲まれる領域において、誘電体層
２０５よりも比誘電率が小さい部分が形成されることと
なる。

【００５９】したがって、上記第１の実施の形態と同様
の理由により、パネルの消費電力が抑制されることにな
るが、溝２０７における比誘電率は、第１の実施の形態
における第２誘電体層１０５２よりも低いので、さらに
パネルの消費電力を抑制することができる。 ＜前面パネルの製造方法＞本第２の実施の形態における
ＰＤＰの製造方法は，第１の実施の形態におけるＰＤＰ
の製造方法と前面パネルの製造方法が異なるのみである
ので、異なる部分を中心に図面を参照しながら説明す
る。

【００６０】図１０（１）〜（７）は、誘電体層２０５
における溝２０７をサンドブラスト処理によって形成す
る方法を示すための前面パネルの一部拡大断面図であ
り、番号順に工程が進行する。前面パネルは、前面ガラ
ス基板１０１上にまず、各ｎ本の表示電極１０３および
表示スキャン電極１０４（図１０においては各１本のみ
表示している。）を交互かつ平行にストライプ状に形成
した後、その上を誘電体層２０５で被覆し、さらにその
表面に保護膜２０６を形成することによって作製され
る。

【００６１】表示電極１０３および表示スキャン電極１
０４は、例えばそれぞれ銀からなる電極であって、電極
用の銀ペーストをスクリーン印刷により所定の間隔をあ
けるように（約８０μｍ）塗布した後、焼成することに
よって形成される。誘電体層２０５は、上記第１の実施
の形態における第１誘電体層１０５１と同様の鉛系の誘
電体層用ペーストを用いてスクリーン印刷法により各電
極１０３，１０４および前面ガラス基板１０１上全面に
塗布した後、乾燥させることにより、図１０（１）のよ
うに形成される。

【００６２】この誘電体層２０５の表面上に、図１０
（２）に示すようなフィルム状のレジスト膜２１０をラ
ミネートする。このレジスト膜２１０にはＵＶ硬化特性
を有するものを用いることが好ましいが特に限定される
ものではない。次に、図１０（３）に示すように溝２０
７の位置が設定されたフォトマスク２１１を用いてレジ
スト膜２１０にＵＶを露光し、露光部２１０１と非露光
部２１０２とを形成させる。この後、このレジスト膜２
１０を現像することによって硬化していない非露光部２
１０２を取り除き、図１０（４）に示すようなパターン
が形成される。

【００６３】このようにパターニングされた前面パネル
に対してサンドブラスト処理を行うことにより、図１０
（５）に示すように露光部２１０１に被膜された部分以
外の誘電体層２０５が取り除かれる。つぎに、レジスト
膜２１０の露光部２１０１を図１０（６）のように剥離
させた後、焼成する。これによって、誘電体層２０５は
乾燥するとともに収縮変形し、図１０（７）のような滑
らかな形状の溝２０７を有する誘電体層２０５が形成さ
れた前面パネルが形成される。この前面パネルに対し
て、電子ビーム蒸着法を用いてＭｇＯ膜を保護膜２０６
（図９）として形成することにより、前面パネルが作製
される。

【００６４】なお、上記誘電体層２０５の溝２０７は、
サンドブラスト法を用いて形成したが、この方法に限定
されるものではなく、感光性誘電体ペーストを用いて形
成してもよい。図１１は、感光性誘電体ペーストを用い
て前面パネルを形成する方法を示す図である。

【００６５】まず、図１１（１）に示すように、前面ガ
ラス基板１０１上に、表示電極１０３、表示スキャン電
極１０４とを図１０（１）で説明したものと同様に形成
する。次に、図１１（２）に示すように、誘電体層２０
５を形成する。この誘電体層２０５は、上記第１の実施
の形態における第１誘電体層１０５１と同様の鉛系の誘
電体層用ペーストに例えば光硬化性のＵＶ感光性樹脂を
混合したものを用い、スクリーン印刷法により各電極１
０３，１０４および前面ガラス基板１０１上全面に塗布
した後、乾燥させることにより形成される。

【００６６】次に、図１０（３）と同様のフォトマスク
を用いて、誘電体層２０５を感光させる。そして、現像
を行い、非露光部分を除去することによって、図１１
（４）に示すように、誘電体層２０５に溝２０７を形成
する。その後、乾燥、焼成を行うことによって、誘電体
層２０５が収縮するので図１１（５）に示すような溝２
０７を有する誘電体層２０５が形成される。

【００６７】この上に、ＭｇＯを電子ビーム蒸着法を用
いて保護膜を製膜することにより前面パネルを形成する
ことができる。 ＜第２の実施の形態の変形例＞上記第２の実施の形態の
ＰＤＰにおいては、前面パネルにおいて、表示電極１０
３および表示スキャン電極１０４を前面ガラス基板１０
１上に接するように配設したが、特に各電極の位置は限
定されるものではなく、表示電極と表示スキャン電極の
上に誘電体層を形成して各電極を絶縁するとともにその
両電極間に溝が介在されるようにすればよい。

【００６８】図１２は、第２の実施の形態における変
形例１の前面パネルの一部拡大断面図を示す。同図に示
すように、前面パネルは、前面ガラス基板１０１、表示
電極２０３、表示スキャン電極２０４、誘電体層２１５
ａ，ｂ、保護膜２０６を備える。前面ガラス基板１０１
の表面上には、溝が形成された誘電体層２１５ａが配さ
れており、溝を挟んだ誘電体層２１５ａの一方に表示電
極２０３、他方に表示スキャン電極２０４が配されてい
る。これらの各電極２０３，２０４および誘電体層２１
５ａを全体的に覆うように誘電体層２１５ｂが被膜され
ており、誘電体層２１５ａの溝の部分に溝２１７が形成
される。また、誘電体層２１５ｂの全面に保護膜２０６
が被膜されている。

【００６９】ここで、溝２１７の底部と前面ガラス基板
１０１との距離Ｗ２１は、表示電極２０３、表示スキャ
ン電極２０４と前面ガラス基板１０１との距離Ｗ２２，
Ｗ２３よりも短く設定されている。このような条件を満
たすことにより、表示電極２０３と表示スキャン電極２
０４との間、すなわち、表示電極２０３および表示スキ
ャン電極２０４の前面ガラス基板１０１から最も離れた
点よりも前面ガラス基板１０１側における各電極２０
３，２０４、および前面ガラス基板１０１で囲まれる領
域において、誘電体層２１５ａ，ｂよりも比誘電率が小
さい部分が形成されることとなるので、上記第２の実施
の形態と同様、維持放電時の消費電力を抑制することが
できる。なお、上記溝２１７の形成方法としては、サン
ドブラスト法を用いることができる。

【００７０】また、上記第２の実施の形態における保
護膜２０６は、表示電極１０３側と表示スキャン電極１
０４側とに分割するようにしてもよい。図１３は、第２
の実施の形態におけるＰＤＰの変形例２の前面パネルの
一部拡大段面図である。同図に示すように、溝２２７の
底部において、保護膜２１６に切り欠き部２１６ａを設
けるようにすれば、壁電荷形成後に保護膜２１６表面上
でその電荷の移動、すなわち壁電荷が形成されたセルか
ら保護膜を伝って他のセルに電荷が漏れ流れることを抑
制できると考えられるので、さらに点灯不良を抑制する
効果があると考えられる。

【００７１】上記第２の実施の形態においては、表示
電極１０３および表示スキャン電極を前面ガラス基板１
０１と平行に形成していたが、各電極を前面ガラス基板
に対して傾斜させるようにしてもよい。図１４は、本第
２の実施の形態の変形例３における前面パネルの一部拡
大断面図である。

【００７２】同図に示すように、変形例３における前面
パネルは、前面ガラス基板１０１、表示電極２１３、表
示スキャン電極２１４、誘電体層２２５ａ，ｂ、保護膜
２２６を備える。この前面パネルの製造方法としては、
まず、前面ガラス基板１０１上に所定間隔を開けて誘電
体層２２５ａをスクリーン印刷法で形成する。次に、誘
電体層２２５ａのエッジにかかるように表示電極２１
３，表示スキャン電極２１４とをスクリーン印刷法を用
いてライン状に塗布する。その後、誘電体層２２５ｂを
全面に塗布し、乾燥、焼成を行う。この乾燥、焼成によ
って、誘電体層２２５ａの溝側のエッジが収縮し、溝２
３７が形成されるとともに、図１４に示すように各電極
２１３，２１４が溝２３７側に傾いた状態に形成され
る。ここで、溝２３７の底部と前面ガラス基板１０１と
の距離Ｗ２４（誘電体層２２５ｂの厚み）は、各電極２
１４，２１３と前面ガラス基板１０１との最も離れた距
離よりも短くなるように設定される。このような条件を
満たすことにより、表示電極２１３と表示スキャン電極
２１４との間、すなわち、表示電極２１３および表示ス
キャン電極２１４の前面ガラス基板１０１から最も離れ
た点よりも前面ガラス基板１０１側における各電極２１
３，２１４、および前面ガラス基板１０１で囲まれる領
域において、誘電体層２２５ａ，ｂよりも比誘電率が小
さい部分が形成されることとなるので、上記第２の実施
の形態と同様、維持放電時の消費電力を抑制することが
できる。

【００７３】（実施例２） （実施例サンプル９〜１１）ＰＤＰの前面パネルを図９
のような形態に設けたサンプルを作製した。ここで、誘
電体層は、ＰｂＯ（７５ｗｔ％）−Ｂ₂Ｏ₃（１５ｗｔ
％）−ＳｉＯ₂（１０ｗｔ％）用い、サンドブラスト法
により形成したもの（Ｎｏ．９）、感光性誘電体ペース
トを用いて形成したもの（Ｎｏ．１０）、およびＮｏ．
９と同じ構成を有し、放電ガス圧を高めた（３２０ｋＰ
ａ）もの（Ｎｏ．１１）を作製した。

【００７４】（実施例サンプル１２、１３）ＰＤＰの前
面パネルを図１２のような形態に設けたサンプルを作製
した。ここで、放電ガス圧を６６．５ｋＰａとしたもの
（Ｎｏ．１２）および放電ガス圧を３２０ｋＰａに高め
たもの（Ｎｏ．１３）を作製した。 （実施例サンプル１４、１５）ＰＤＰの前面パネルを図
１３のような形態に設けたサンプルを作製した。ここ
で、放電ガス圧を６６．５ｋＰａとしたもの（Ｎｏ．１
４）および放電ガス圧を３２０ｋＰａに高めたもの（Ｎ
ｏ．１５）を作製した。

【００７５】（実施例サンプル１６、１７）ＰＤＰの前
面パネルを図１４のような形態に設けたサンプルを作製
した。ここで、放電ガス圧を６６．５ｋＰａとしたもの
（Ｎｏ．１６）および放電ガス圧を３２０ｋＰａに高め
たもの（Ｎｏ．１７）を作製した。 （比較例サンプル１８，１９）ＰＤＰの前面パネルを図
２５のような形態に設けた比較例サンプルを作製した。

【００７６】ここで、放電ガス圧を６６．５ｋＰａとし
たもの（Ｎｏ．１８）および放電ガス圧を３２０ｋＰａ
に高めたもの（Ｎｏ．１９）を作製した。上記各ＰＤＰ
サンプルＮｏ．９〜１９においては、２００ｍｍ×３０
０ｍｍの大きさのものを作製し、表示電極および表示ス
キャン電極の形成に用いる銀ペーストとしてノリタケ社
製 ＮＰ−４０２８を用い、膜厚５μｍ、幅８０μｍと
なるように電極を作成した。また、各サンプルともにＭ
ｇＯ保護膜は、電子ビーム蒸着法を用いて０．５μｍの
厚みに形成した。放電ガスとしては、ネオン９５ｖｏｌ
％、キセノン５ｖｏｌ％の混合ガスを用いた。

【００７７】〔実験１〕 実験方法：上記各実施例サンプル９〜１７および比較例
サンプル１８，１９を同じ構成を有するＰＤＰ駆動装置
と接続し、ＰＤＰの駆動時における維持放電電圧、相対
発光効率、および投入電力を測定した。なお、このとき
の表示電極、表示スキャン電極への入力波形は、１０ｋ
Ｈｚ、デューティー比１０％の矩形波を用いた。

【００７８】結果と考察：実験結果を表２に示す。

【００７９】

【表２】 この表から分かるように、比較例サンプル１８の場合、
放電維持に必要な電圧が３４０Ｖ、そのときにおける電
力を４２Ｗ必要としており、その場合の相対発光効率は
０．５０ｌｍ／Ｗとなっている。

【００８０】一方、各実施例サンプル９，１０，１２，
１４，１５においては、いずれも消費電力が３７Ｗ以下
を示し、放電維持電圧も３００Ｖ以下と、従来に比べて
放電維持電圧、および消費電力を略１割以上抑制できる
ことがわかる。また、点灯不良も観察されなかった。さ
らに、放電ガス圧を高めた場合においても同様の効果が
あることが分かる。

【００８１】以上の結果から、表示電極と表示スキャン
電極の間に溝を設けることにより、比誘電率の高い誘電
体層に壁電荷を形成しつつ表示電極と表示スキャン電極
との間の比誘電率を低減することができるので、点灯不
良を起こすことなく、維持放電時の消費電力を抑制する
ことができる。 〔第３の実施の形態〕次に、第３の実施の形態にかかる
ＰＤＰおよびＰＤＰ表示装置について図面を参照しなが
ら説明する。

【００８２】なお、第３の実施の形態に係るＰＤＰおよ
びＰＤＰ表示装置は、上記第１の実施の形態で図１〜図
３を用いて説明したＰＤＰおよびＰＤＰ表示装置と略同
じ構成をしており、前面パネルの構成が異なるのみであ
るので、異なる部分を中心に説明する。図１５は、第３
の実施の形態における前面パネルの一部を拡大した斜視
図を示す。なお、図１〜図３と同じ番号を付したものに
ついては、同じ構成であるためその説明を省略する。

【００８３】同図に示すように、本第３の実施の形態に
係る前面パネルにおいては、前面ガラス基板１０１上に
表示電極１０３および表示スキャン電極１０４とが列設
され（本図においては各１本のみ示している。）、当該
各電極を覆うように誘電体層３０５が形成されるととも
に、当該誘電体層３０５における各電極１０３，１０４
の間においては、アドレス電極（不図示）と対向する位
置にくぼみ３０７が設けられている。

【００８４】誘電体層３０５は、上記第１の実施の形態
における第１誘電体層１０５１と同様の組成で構成さ
れ、比誘電率が１１程度を示す。この誘電体層３０５の
表面にはＭｇＯなどからなる保護膜が被覆されている。
くぼみ３０７は、その底部における厚み（くぼみ３０７
の底部から前面ガラス基板１０１間での距離）が、各電
極１０３，１０４の厚み（前面ガラス基板１０１から各
電極１０３，１０４の最も離れた距離）よりも短くなる
ように形成されており、このくぼみ３０７が、第２の実
施の形態における溝２０７と同様に比誘電率の低い放電
ガスが満たされる放電空間となる。つまり、くぼみ３０
７が形成されることにより、表示電極１０３と表示スキ
ャン電極１０４との間、すなわち、表示電極１０３およ
び表示スキャン電極１０４の前面ガラス基板１０１から
最も離れた点よりも前面ガラス基板１０１側における各
電極１０３，１０４、および前面ガラス基板１０１で囲
まれる領域において、誘電体層３０５よりも比誘電率が
小さい部分が形成されることとなるので、上記第２の実
施の形態と同様の理由により、パネルの消費電力が抑制
されることになる。

【００８５】図１６は、前面パネルにおいて、くぼみ３
０７の底部の厚みを変更した場合を示す断面図である。
このくぼみ３０７の底部の厚みを最適化するために、同
図に破線で示すように、くぼみ３０７の底部３０７ａの
厚みを種々変更したＰＤＰサンプルを作製し、表示電極
１０３および表示スキャン電極１０４（ともに厚み１０
μｍ）表面からの底部３０７ａのｚ軸方向の距離に対す
る各ＰＤＰの発光効率と最小維持放電電圧を測定した。
その結果を図１７に示す。

【００８６】同図に示すように、各電極１０３，１０４
表面からくぼみの底部３０７ａまでのｚ軸方向の距離が
負方向、すなわち、くぼみ３０７の底部３０７ａが前面
ガラス基板１０１側に近づくにつれて、発光効率が向上
するとともに、維持放電を起こすための最小維持放電電
圧の値が低下することが分かる。これは、上記第２の実
施の形態と同様、くぼみ３０７においては、真空状態に
若干の放電ガスが封入された雰囲気の放電空間となって
おり、その部分の比誘電率はおよそ１程度と見積もられ
るためであると考えられる。

【００８７】なお、このくぼみ３０７の形成方法として
は、上記第１，２の実施の形態で述べたようなサンドブ
ラスト法や感光性誘電体材料を使用する方法により形成
することができる。また、保護膜３０６のくぼみ３０７
の底部において、上記第２の実施の形態の変形例で述
べたような切り欠き部を設けるようにすればそれと同様
の効果が得られる。

【００８８】（第３の実施の形態の変形例） 上記第３の実施の形態においては，表示電極１０３、
表示スキャン電極１０４をライン状に設けていたが、各
電極の一部がくぼみに近づくような形状にしていてもよ
い。図１８は、第３の実施の形態の変形例における前面
パネルの斜視図を示す。

【００８９】同図に示すように、本変形例における前面
パネルには、表示電極３０３および表示スキャン電極３
０４において、くぼみ３１７と近接する位置にそれぞれ
突出部３０３ａ，３０４ａを設けるようにしている。こ
れにより、表示電極３０３と表示スキャン電極３０４と
の間においては全体的には距離を確保しながら、突出部
３０３ａ，３０４ａでは距離を小さくすることができ
る。したがって、放電面積を確保しながら放電開始電圧
を低下させて消費電力を抑制できると考えられる。

【００９０】また、第３の実施の形態においては、各
電極１０３，１０４を前面ガラス基板１０１上に直接配
設していたが、上記第２の実施の形態の変形例１と同
様、電極と前面ガラス基板の間に誘電体層を介するよう
に構成してもよい。図１９は、本変形例２における前面
パネルの一部拡大断面図を示す。同図に示すように、例
えば、表示電極３１３、表示スキャン電極３１４をくぼ
みを有する誘電体層３１５ａ上に形成した後、これらの
上全面に誘電体層３１５ｂ、保護膜３１６を被膜するこ
とにより、各電極３１３，３１４と前面ガラス基板１０
１との間に誘電体層３１５ａを介する構成としてもよ
い。このような構成によっても誘電体層３１５ａのくぼ
み上にくぼみ３２７が形成されるので、第３の実施の形
態と同様の効果が得られると考えられる。

【００９１】また、上記第３の実施の形態において
は、各電極１０３，１０４と前面ガラス基板１０１を平
行となるように配設していたが、上記第２の実施の形態
の変形例３と同様、各電極を前面ガラス基板に対して傾
けるように構成してもよい。図２０は、本変形例３にお
ける前面パネルの一部拡大断面図を示す。同図に示すよ
うに、表示電極３２３、表示スキャン電極３２４を誘電
体層３２５ａ上に形成し、これらの上全面に誘電体層３
２５ｂを塗布、乾燥、焼成した後、保護膜３２６を被膜
するようにして、誘電体層３２５ａの収縮により各電極
３２３，３２４が向かい合う、すなわち各電極における
他の電極側の側端が他端よりも前面ガラス基板１０１と
ｚ軸方向に距離が近くなるように傾けて配設するように
してもよい。これによっても表示電極３２３と表示スキ
ャン電極３２４との間でも、くぼみ３３７が介在して比
誘電率の低い領域が形成されるので、第３の実施の形態
と同様の効果が得られると考えられる。

【００９２】また、上記第３の実施の形態において
は、くぼみ３０７を形成するようにしていたが、このく
ぼみ部分に第１の誘電体層よりも比誘電率の低い、上記
第１の実施の形態における第２誘電体層のような誘電体
層を設けるようにしてもよい。これによっても表示電極
と表示スキャン電極、および前面ガラス基板とによって
囲まれる領域に比誘電率の低い領域が形成されるので、
第３の実施の形態と同様の効果が得られると考えられ
る。

【００９３】〔第４の実施の形態〕次に、本発明の第４
の実施の形態に係るＰＤＰおよびＰＤＰ表示装置につい
て図面を参照しながら説明する。なお、第４の実施の形
態に係るＰＤＰおよびＰＤＰ表示装置は、上記第１の実
施の形態で図１〜図３を用いて説明したＰＤＰおよびＰ
ＤＰ表示装置と略同じ構成をしており、前面パネルの構
成が異なるのみであるので、異なる部分を中心に説明す
る。

【００９４】図２１は、第４の実施の形態における前面
パネルの一部を拡大した断面図を示す。同図に示すよう
に、本第４の実施の形態の前面パネルにおいては、前面
ガラス基板１０１上に表示電極４０３および表示スキャ
ン電極４０４とが距離Ｌをあけて列設され（本図におい
ては各１本のみ示している。）、これらの各電極を覆う
ように誘電体層４０５、保護層４０６が形成されてい
る。この誘電体層４０５における、各電極４０３，４０
４と前面ガラス基板１０１とによって囲まれる領域に
は、各電極に沿った方向の溝４０７が設けられている。
この点は第１の実施の形態と同様であるが、表示電極４
０３および表示スキャン電極４０４のアスペクト比を規
定している点で異なる。

【００９５】表示電極４０３および表示スキャン電極４
０４は、ともにその断面形状が矩形であり、幅Ｗ４１、
厚みＷ４２を有している。ここで、各電極４０３，４０
４は、そのアスペクト比、すなわち厚みＷ４２／幅Ｗ４
１の値が０．０７以上２．０以下となるように形成され
ていればよく、さらに厚みＷ４２は３〜２０μｍの範囲
となることが好ましい。このようなアスペクト比の高い
電極は、所定の膜厚となるまで印刷・乾燥を繰り返した
後、焼成することによって得られる。

【００９６】ここで、表示電極４０３、表示スキャン電
極４０４のアスペクト比を０．０７以上に設定している
のは、アスペクト比が０．０７よりも小さい値の場合に
は、各電極４０３、４０４における電気抵抗値が安定し
なくなって電極として適さなくなる事を実験的に確認し
ているためであり、電気抵抗値の安定を考えると０．１
５以上とすることがより好ましい。一方、アスペクト比
が２．０を越える場合には、各電極の電気抵抗値が高ま
り、パネルの消費電力が多くなることを実験的に確認し
ているからである。

【００９７】表示電極４０３、表示スキャン電極４０４
の厚みＷ４２を２０μｍ以下としているのは、電極の形
成に一般的に用いられる薄膜プロセス、厚膜プロセスを
用いて厚みＷ４２が２０μｍを越えるように形成できな
いからである。これは、薄膜プロセスでは、膜を厚く形
成することが困難であり、厚膜プロセスでは、焼成時に
その膜厚を保持できずに所定の形状が形成できないから
である。一方、厚みＷ４２を３μｍ以上としているの
は、膜厚が３μｍ未満となると急激に電極の電気抵抗値
が高くなり電極として使用できなくなるからである。し
たがって、表示電極および表示スキャン電極の厚みＷ４
２は３〜２０μｍが好ましく、この厚みＷ４２と、電極
の電気抵抗、およびパネルの開口率を考慮すると、表示
電極と表示スキャン電極の幅Ｗ４１は４３〜７０μｍが
好ましい。

【００９８】誘電体層４０５は、上記第１の実施の形態
における第１誘電体層１０５１と同様の組成で構成さ
れ、比誘電率が１１程度を示す。溝４０７は、その底部
における誘電体層４０５の厚み（溝４０７の底部から前
面ガラス基板１０１までの距離）が、各電極４０３，４
０４の厚みＷ４２よりも薄くなるように形成されてお
り、第２の実施の形態における溝２０７と同様に比誘電
率の低い放電ガスが満たされた放電空間となる。

【００９９】したがって、上記第２の実施の形態と同様
の理由により、パネルの消費電力が抑制されることにな
る。また、表示電極４０３および表示スキャン電極４０
４のアスペクト比（厚みＷ４２／幅Ｗ４１＝０．０７〜
２．０）は、従来の電極（アスペクト比：約０．０５）
よりも大きく設定されるので、従来の電極と同じ断面積
であれば、その幅Ｗ４１を狭くすることができる。すな
わち、可視光を透過しにくい金属からなる表示電極４０
３，および表示スキャン電極４０４の可視光透過方向の
遮蔽面積が低下する。また、セルピッチが小さい場合で
も、限られた大きさのセルの中で必要な電極間の距離Ｌ
を取ることができる。したがって、パネルの開口率が上
がるとともに、放電が起こる空間が広くなるので、パネ
ルの発光効率を向上することができる。

【０１００】さらに、このようなアスペクト比の大きな
表示電極４０３および表示スキャン電極４０４であれ
ば、各電極の厚みが従来に比べて厚くなって、各電極に
おける他方の電極と対向する面積が増加するので、溝を
深く形成することにより電極間における放電空間が介在
する体積を大きくすることができる。そのため、表示電
極４０３と表示スキャン電極４０４の間において、広い
領域で強い電界強度を得ることができるので、従来より
も維持放電時における放電開始電圧が下がり、パネルの
消費電力をさらに抑制することができる。

【０１０１】なお、上記溝４０７の形成方法としては、
上記第１，２の実施の形態で述べたようなサンドブラス
ト法や感光性誘電体材料を使用する方法により形成する
ことができる。 （第４の実施の形態の変形例） 上記第４の実施の形態においては，表示電極４０３お
よび表示スキャン電極４０４の断面形状を矩形となるよ
うに設けていたが、前面ガラス基板１０１から厚み方向
に離れるに従って幅が狭くなるようなピラミッド型の断
面形状としてもよい。このようなピラミッド型の断面形
状の各電極は、スクリーン印刷法を用いてペーストを印
刷・乾燥を繰り返すごとに幅を小さくして重ね塗りする
ことによって形成することができる。

【０１０２】図２２は、第４の実施の形態の変形例にお
ける前面パネルの一部拡大断面図を示す。同図に示すよ
うに、本変形例における前面パネルは、表示電極４１３
および表示スキャン電極４１４の断面形状がピラミッド
型となっている。一般的なＰＤＰにおいては、電極の焼
成時に電極材料が収縮することにより生じる電極端部の
反り上がりによって、電極が前面ガラス基板から剥離す
る現象が問題となっているが、本変形例では、表示電極
４１３および表示スキャン電極４１４がピラミッド型形
状をしているので、ピラミッド上部の電極材料量が少な
く、焼成時における電極の反り上がり方向の収縮応力が
減少し、こうした現象を抑制することができる。

【０１０３】さらに、表示電極４１３、および表示スキ
ャン電極４１４をこのような形状とすることにより、誘
電体層４０５は、各電極４１３，４１４との接触面積が
増加するので、各電極４１３，４１４に対して被膜性も
向上する。 上記第４の実施の形態においては、表示電極４０３と
表示スキャン電極４０４と前面ガラス基板１０１とによ
って囲まれる領域に溝４０７を設けて、各電極間の電界
を強めるようにしていたが、この溝が必ずしもその領域
にまで達していない、もしくは存在しない場合でも、表
示電極および表示スキャン電極が従来よりも大きなアス
ペクト比を有していれば、パネルの開口率を向上できる
のでパネルの発光効率を向上させることができる。

【０１０４】図２３は、第４の実施の形態の変形例に
おける前面パネルの一部拡大断面図を示す。同図に示す
ように、本変形例における前面パネルにおいては、表示
電極４０３および表示スキャン電極４０４の間における
誘電体層５０５の厚みＷ５３が各電極４０３，４０４の
厚みＷ４２よりも厚く形成されている。これによって、
溝が形成されない（図中（Ａ）で示す）、もしくは溝の
底部が表示電極４０３と表示スキャン電極４０４と前面
ガラス基板１０１とによって囲まれる領域まで達してい
ない（図中（Ｂ），（Ｃ）で示す）状態に形成されてい
る。

【０１０５】このようなパネルにおいても、表示電極４
０３，および表示スキャン電極４０４のアスペクト比
は、第４の実施の形態と同じ値となるように設定されて
おり、従来の電極（アスペクト比：約０．０５）よりも
大きく設定されるので、上記第４の実施の形態と同様、
パネルの開口率が向上し、パネルの発光効率を向上する
ことができる。

【０１０６】さらに、溝を設けるようにすれば、溝の底
部が表示電極４０３と表示スキャン電極４０４と前面ガ
ラス基板１０１とによって囲まれる領域まで達していな
い（図中（Ｂ），（Ｃ）で示す）状態であっても、各電
極間における電気力線が増加し、電界強度が高まるの
で、パネルの消費電力を抑制することができる。 上記第４の実施の形態においては、表示電極４０３と
表示スキャン電極４０４と前面ガラス基板１０１とによ
って囲まれる領域に比誘電率が小さい領域を形成するた
めの溝４０７を設けていたが、表示電極と表示スキャン
電極と前面ガラス基板とによって囲まれる領域におい
て、上記第１の実施の形態と同様の第２誘電体層を設け
るようにしても、本発明を実施することができる。これ
によっても上記第４の実施の形態と同様の理由により、
パネルの消費電力を低減できる。

【０１０７】上記第４の実施の形態においては、表示
電極４０３、表示スキャン電極４０４、前面ガラス基板
１０１とで囲まれる領域に溝４０７を形成するようにし
ていたが、上記第３の実施の形態と同様、溝のかわりに
くぼみを設けるようにしても、本発明を実施することが
できる。 （実施例３）実施例３では、実施例２と略同様の構成を
しており、表示電極および表示スキャン電極のサイズや
形状などが異なる以下の実施例サンプル２０〜２５を作
製した。

【０１０８】（実施例サンプル２０）図２１に示すよう
に、表示電極および表示スキャン電極の断面形状が矩形
となる形態のＰＤＰのサンプルを作製した。表示電極と
表示スキャン電極の幅は３０μｍ、膜厚は１５μｍ（ア
スペクト比は０．５）とし、その間の距離を１００μｍ
とした。

【０１０９】（実施例サンプル２１）図２２に示すよう
に、表示電極および表示スキャン電極の断面形状がピラ
ミッド型となる形態のＰＤＰのサンプルを作製した。表
示電極と表示スキャン電極は、幅が前面ガラス基板側の
幅広部分で５０μｍ、膜厚が１５μｍ（アスペクト比は
０．３）、各電極間の距離が１００μｍとした。

【０１１０】（実施例サンプル２２〜２４）電極のサイ
ズはサンプル２０と同様であって、図２３に示すよう
に、誘電体層の表示電極と表示スキャン電極との間にお
ける厚みＷ５３が各電極の厚みＷ４２（１５μｍ）より
も厚く設けられたＰＤＰのサンプルを作製した。ここ
で、図２３の（Ａ）で示すような、表示電極と表示スキ
ャン電極間の誘電体層の厚みを４０μｍとしたもの（実
施例サンプル２２）、（Ｂ）で示すような、誘電体層の
厚みを３０μｍとしたもの（実施例サンプル２３）、
（Ｃ）で示すような、誘電体層の厚みを１５μｍとした
もの（実施例サンプル２４）を作製した。なお、表示電
極と表示スキャン電極の幅は３０μｍ、膜厚は１５μｍ
とし、その間の距離を１００μｍとし、表示電極と表示
スキャン電極の間以外の誘電体層の厚みは４０μｍとし
た。

【０１１１】（実施例サンプル２５）上記実施例サンプ
ル２２と略同じ構成で、電極の形状を実施例サンプル２
１と同じものに形成した。 （比較例サンプル２６）表示電極および表示スキャン電
極の形状が図２５に示すような薄い平板状であるＰＤＰ
のサンプルを作製した。表示電極と表示スキャン電極
は、幅を１００μｍ、膜厚を５μｍ（アスペクト比は
０．０５）とした。

【０１１２】〔実験１〕 実験方法：上記各実施例サンプル２０〜２５および比較
例サンプル２６を同じ構成を有するＰＤＰ駆動装置と接
続し、ＰＤＰの駆動時における維持放電電圧、相対発光
効率、および投入電力を測定した。なお、このときの表
示電極、表示スキャン電極への入力波形は、１０ｋＨ
ｚ、デューティー比１０％の矩形波を用いた。

【０１１３】結果と考察：実験結果を表３に示す。

【０１１４】

【表３】 この表から分かるように、比較例サンプル２６の場合、
放電維持に必要な電圧が３４０Ｖ、そのとき電力を４２
Ｗ必要としており、その場合の相対発光効率は０．５０
ｌｍ／Ｗとなっている。

【０１１５】一方、各実施例サンプル２０，２１におい
ては、いずれも消費電力が３７Ｗ以下を示し、放電維持
電圧も３２０Ｖ以下と、従来に比べて放電維持電圧、お
よび消費電力を略６％以上抑制できることがわかる。ま
た、点灯不良も観察されなかった。さらに発光効率にお
いては、いずれも０．７０ｌｍ／Ｗ以上の値を示してお
り、従来に比べて４０％以上向上できることが分かる。

【０１１６】また、各実施例サンプル２２〜２５におい
ては、表示電極と表示スキャン電極の間における誘電体
層の厚みが薄くなるほど放電維持電圧が低下するととも
に、発光効率が向上していることが分かる。表示電極と
表示スキャン電極との間において、溝が存在しない状態
である実施例サンプル２２においても、各電極のアスペ
クト比が従来よりも大きく形成されているため、従来に
比べて発光効率が改善されていることが確認された。こ
のことは、実施例サンプル２６の結果から、表示電極お
よび表示スキャン電極の断面形状をピラミッド型に形成
した場合においても同様であることが確認された。

【０１１７】以上の結果から、表示電極と表示スキャン
電極のアスペクト比を従来よりも大きく設定することに
より、発光効率を著しく向上できる。さらに、表示電極
と表示スキャン電極と前面ガラス基板との間に囲まれる
領域に溝を設けることにより、上記第２の実施の形態と
同様、点灯不良を起こすことなく、維持放電時の消費電
力を抑制することができる。

【０１１８】（第１、第２、第３、および第４の実施の
形態に係る変形例）上記各実施の形態においては、隔壁
をストライプ状に形成したが、本発明は隔壁と隔壁の間
に補助隔壁が設けられることにより井桁形状を有する隔
壁や、蛇行したライン状の隔壁を複数備えるような場合
においても実施することができる。また、上記各実施の
形態においては、ＰＤＰを例にとって説明したが、同じ
面放電型構造を有するプラズマアドレス液晶などにおい
ても本発明を適用することができる。また、上記各実施
の形態においては表示電極、表示スキャン電極として銀
電極を設けたが、銀以外の電極でもよく、さらにこれを
補助する補助電極として公知の透明電極を設けても本発
明を実施することができる。なお、この場合には、透明
電極のアスペクト比は考慮しない。

【０１１９】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に係る
面放電型表示デバイスによれば、基板上の一方の主面に
電極対が複数対列設されている第１パネルと、基板上に
複数の電極が列設されており、当該電極と前記第１パネ
ルの電極対とが対向するように、前記隔壁を介して前記
第１パネルと平行に対峙して配設される第２パネルとを
備え、前記第１パネルと前記第２パネルとの間の隔壁に
より仕切られる各放電空間に放電ガスが封入され、前記
電極対間で行われる面放電を利用することにより画像表
示する面放電型表示デバイスにおいて、前記電極対が第
１の誘電体層により被覆されており、前記電極対の電極
と電極、および前記第１パネルの基板とによって囲まれ
る領域中には、前記第１の誘電体層よりも比誘電率の低
い領域が形成されているようにしている。そのため、壁
電荷を第１の誘電体層に貯めることができる。一方、電
極対の電極と電極の間の比誘電率を低くできるので、維
持放電時の電流量を抑制することができる。したがっ
て、点灯不良を抑制しつつ、パネルの消費電力を抑制す
ることができる。

【０１２０】また、前記第１の誘電体層の表面は、前記
電極対の電極と電極の間において、第１パネルの基板側
にへこんだ溝が形成されているとともに、前記前面パネ
ルの基板から前記溝の底部までの基板垂直方向の距離が
前記電極対表面までの距離より短く形成されることによ
って、前記比誘電率の低い領域が形成されているので、
上記溝部分において１程度の低い比誘電率の放電ガスが
満たされて、電極対の電極と電極の間の比誘電率が低く
なりさらにパネルの消費電力を抑制することができる。
ここで、上記溝は、くぼみであってもかまわない。この
ような溝やくぼみは、サンドブラスト法や誘電体ペース
ト法を用いれば、容易に形成することができる。

【０１２１】また、前記電極対の厚みと幅の比であるア
スペクト比が０．０７以上２．０以下となるようにして
いるので、放電空間を広く取れるとともにパネルの開口
率が大きくなるので、パネルの発光効率を向上させるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る前面ガラス基
板を取り除いたＰＤＰの概略平面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係るＰＤＰの一部
概略断面斜視図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態に係るＰＤＰ表示装
置のブロック図である。

【図４】図２におけるＰＤＰをｘ軸方向から見たときの
一部を拡大した断面図である。

【図５】メタルマスク法を用いて前面パネルを形成する
方法を示すためのＰＤＰの工程図を示し、（１）〜
（６）の番号順に進行する。

【図６】ノズル注入法を用いて前面パネルを形成する方
法を示すためのＰＤＰの工程図を示し、（１）〜（６）
の番号順に進行する。

【図７】第１の実施の形態の変形例におけるＰＤＰの一
部を拡大した断面図である。

【図８】第１の実施の形態の変形例におけるＰＤＰの一
部を拡大した断面図である。

【図９】第２の実施の形態に係るＰＤＰをｘ軸方向から
見たときの一部を拡大した断面図である。

【図１０】サンドブラストを用いて前面パネルを形成す
る方法を示すためのＰＤＰの工程図を示し、（１）〜
（７）の番号順に進行する。

【図１１】感光体ペーストを用いて前面パネルを形成す
る方法を示すためのＰＤＰの工程図を示し、（１）〜
（５）の番号順に進行する。

【図１２】第２の実施の形態の変形例におけるＰＤＰの
一部を拡大した断面図である。

【図１３】第２の実施の形態の変形例におけるＰＤＰの
一部を拡大した断面図である。

【図１４】第２の実施の形態の変形例におけるＰＤＰの
一部を拡大した断面図である。

【図１５】第３の実施の形態に係るＰＤＰの一部概略断
面斜視図である。

【図１６】第３の実施の形態に係るＰＤＰの一部を拡大
した断面図である。

【図１７】図１６におけるくぼみの高さを変更した場合
のパネルの発光効率と維持放電時における電圧を測定し
た値を示すグラフである。

【図１８】第３の実施の形態の変形例におけるＰＤＰの
一部概略断面図である。

【図１９】第３の実施の形態の変形例におけるＰＤＰの
一部概略断面図である。

【図２０】第３の実施の形態の変形例におけるＰＤＰの
一部概略断面図である。

【図２１】第４の実施の形態に係るＰＤＰの一部を拡大
した断面図である。

【図２２】第４の実施の形態の変形例におけるＰＤＰの
一部概略断面図である。

【図２３】第４の実施の形態の変形例におけるＰＤＰの
一部概略断面図である。

【図２４】従来の一般的なＰＤＰの一部概略断面斜視図
である。

【図２５】図２４におけるＰＤＰをｘ軸方向から見たと
きの一部を拡大した断面図である。

【符号の説明】

１００ ＰＤＰ １０１ 前面ガラス基板 １０２ 背面ガラス基板 １０３，４０３ 表示電極 １０４，４０４ 表示スキャン電極 １０５，２０５，３０５，４０５ 誘電体層 １０６，２０６，４０６ 保護膜 １０８ アドレス電極 １０９ 可視光反射層 １１０ 隔壁 １１１Ｒ，Ｇ，Ｂ 蛍光体層 １２２ 放電空間 １５０ ＰＤＰ駆動装置 １５３ 表示ドライバ回路 １５４ 表示スキャンドライバ
回路 １５５ アドレスドライバ回路 １６０ ＰＤＰ表示装置 ２０１ メタルプレート ２０７，４０７ 溝 ３０７ くぼみ １０５１ 第１誘電体層 １０５２ 第２誘電体層 ２０２０ ペースト注入装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願2000−110261(P2000−110261) (32)優先日 平成12年４月12日(2000．4．12) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 村井 隆一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 真銅 勝利 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5C027 AA05 AA06 5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GC02 GC11 GD01 GD02 GD03 GD07 GD09 GE01 JA02 JA12 JA17 KA08 KA09 KB19 KB29 MA12 MA17 5C094 AA22 BA31 CA19 DA14 EA04 EA07 EB02 FB16 JA01 JA08

Claims (36)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上の一方の主面に電極対が複数対列
   設されている第１パネルと、基板上に複数の電極および
   隔壁が列設されており、前記電極と前記第１パネルの電
   極対とが対向するように、前記隔壁を介して前記第１パ
   ネルと平行に対峙して配設される第２パネルとを備え、
   前記第１パネルと前記第２パネルとの間の隔壁により仕
   切られる各放電空間に放電ガスが封入され、前記電極対
   間で行われる面放電を利用することにより画像表示する
   面放電型表示デバイスにおいて、 前記電極対が第１の誘電体層により被覆されており、前
   記電極対の電極と電極、および前記第１パネルの基板と
   によって囲まれる領域中には、前記第１の誘電体層より
   も比誘電率の低い領域が形成されていることを特徴とす
   る面放電型表示デバイス。
2. 【請求項２】 前記電極対の電極と電極、および第１パ
   ネルの基板とによって囲まれる領域には、前記第１の誘
   電体層と異なる第２の誘電体層が配されており、当該第
   ２の誘電体層は、前記第１の誘電体層より低い比誘電率
   を有することを特徴とする請求項１に記載の面放電型表
   示デバイス。
3. 【請求項３】 前記第２の誘電体層が前記電極対の厚み
   と等しいかそれよりも厚いことを特徴とする請求項２に
   記載の面放電型表示デバイス。
4. 【請求項４】 前記第２の誘電体層は、ナトリウムを含
   む誘電体物質から構成されることを特徴とする請求項２
   または３に記載の面放電型表示デバイス。
5. 【請求項５】 前記ナトリウムを含む誘電体物質は、Ｎ
   ａ₂Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃−ＺｎＯであることを特徴とする請求項
   ４に記載の面放電型表示デバイス
6. 【請求項６】 前記比誘電率の低い領域は、前記第１の
   誘電体層が形成されることなく前記放電空間の一部とし
   て存在している領域であることを特徴とする請求項１に
   記載の面放電型表示デバイス。
7. 【請求項７】 前記第１の誘電体層の表面は、前記電極
   対の電極と電極との間において、前記第１パネルの基板
   の方向にへこんだ溝が形成されているとともに、前記第
   １パネルの基板から前記溝の底部までの基板垂直方向の
   距離が前記電極対表面までの距離より短く形成されてい
   ることにより、前記比誘電率の低い領域が形成されてい
   ることを特徴とする請求項６に記載の面放電型表示デバ
   イス。
8. 【請求項８】 前記第１の誘電体層を覆う保護膜を備
   え、当該保護膜は、前記電極対における電極と電極の間
   で不連続部分を有することを特徴とする請求項７に記載
   の面放電型表示デバイス。
9. 【請求項９】 前記保護膜の不連続部分は、前記溝に形
   成されていることを特徴とする請求項８に記載の面放電
   型表示デバイス。
10. 【請求項１０】 前記第１の誘電体層の表面には、前記
    電極対の電極と電極との間においてくぼみが形成されて
    いるとともに、前記第１パネルの基板から前記くぼみの
    底部までの基板垂直方向の距離が前記電極対表面までの
    距離より短く形成されていることにより、前記比誘電率
    の低い領域が形成されていることを特徴とする請求項６
    に記載の面放電型表示デバイス。
11. 【請求項１１】 前記第１の誘電体層を覆う保護膜を備
    え、当該保護膜は、前記電極対における電極と電極の間
    で不連続部分を有することを特徴とする請求項１０に記
    載の面放電型表示デバイス。
12. 【請求項１２】 前記保護膜の不連続部分は、前記くぼ
    みに形成されていることを特徴とする請求項１１に記載
    の面放電型表示デバイス。
13. 【請求項１３】 前記電極対と前記第１パネルの基板と
    の間には、前記第１の誘電体層の一部が配されているこ
    とを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の面放
    電型表示デバイス。
14. 【請求項１４】 前記電極対における電極の少なくとも
    一方が前記第１パネルの基板に対して傾斜しているとと
    もに、当該傾斜した電極における他の電極側の一端がそ
    の他端よりも前記第１パネルの基板に近く配されること
    を特徴とする請求項１３に記載の面放電型表示デバイ
    ス。
15. 【請求項１５】 前記第１の誘電体層は、鉛を含む誘電
    体物質から構成されることを特徴とする請求項１〜１４
    のいずれかに記載の面放電型表示デバイス。
16. 【請求項１６】 前記鉛を含む誘電体物質は、ＰｂＯ−
    Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂であることを特徴とする請求項１５に
    記載の面放電型表示デバイス。
17. 【請求項１７】 前記電極対の厚みと幅の比であるアス
    ペクト比が０．０７以上２．０以下であることを特徴と
    する請求項１〜１６のいずれかに記載の面放電型表示デ
    バイス。
18. 【請求項１８】 前記電極対の厚みと幅の比であるアス
    ペクト比が０．１５以上２．０以下であることを特徴と
    する請求項１〜１６のいずれかに記載の面放電型表示デ
    バイス。
19. 【請求項１９】 前記電極対の厚みが３μｍ以上２０μ
    ｍ以下であり、かつ前記電極対の幅が４３μｍ以上７０
    μｍ以下であることを特徴とする請求項１７に記載の面
    放電型表示デバイス。
20. 【請求項２０】 前記電極対の断面形状が前記第１パネ
    ルの基板側で幅広となるピラミッド型をしていることを
    特徴とする請求項１７〜１９のいずれかに記載の面放電
    型表示デバイス。
21. 【請求項２１】 基板上の一方の主面に電極対が複数対
    列設されている第１パネルと、基板上に複数の電極およ
    び隔壁が列設されており、前記電極と前記第１パネルの
    電極対とが対向するように、前記隔壁を介して前記第１
    パネルと平行に対峙して配設される第２パネルとを備
    え、前記第１パネルと前記第２パネルとの間の隔壁によ
    り仕切られる各放電空間に放電ガスが封入され、前記電
    極対間で行われる面放電を利用することにより画像表示
    する面放電型表示デバイスにおいて、 前記電極対の厚みと幅の比であるアスペクト比が０．０
    ７以上２．０以下である。
22. 【請求項２２】 前記電極対の厚みと幅の比であるアス
    ペクト比が０．１５以上２．０以下であることを特徴と
    する請求項２１に記載の面放電型表示デバイス。
23. 【請求項２３】 前記電極対の厚みが３μｍ以上２０μ
    ｍ以下であり、かつ前記電極対の幅が４３μｍ以上７０
    μｍ以下であることを特徴とする請求項２１に記載の面
    放電型表示デバイス。
24. 【請求項２４】 前記電極対の断面形状が前記第１パネ
    ルの基板側で幅広となるピラミッド型をしていることを
    特徴とする請求項２１に記載の面放電型表示デバイス。
25. 【請求項２５】 前記面放電型表示デバイスは、ＰＤＰ
    であることを特徴とする請求項１〜２４のいずれかに記
    載の面放電型表示デバイス。
26. 【請求項２６】 電圧を印加する電極を備えたＰＤＰ
    と、当該ＰＤＰの電極に接続され、電圧を印加すること
    によりＰＤＰを表示駆動する表示駆動回路とを備えたＰ
    ＤＰ表示装置であって、前記ＰＤＰとして、請求項２５
    に記載のＰＤＰを用いたことを特徴とするＰＤＰ表示装
    置。
27. 【請求項２７】 請求項２の面放電型表示デバイスの製
    造方法において、前記第１パネルの基板上に前記電極対
    を列設する第１工程の後、前記電極対の電極と電極、お
    よび前記第１パネルの基板とによって囲まれる領域に、
    第２の誘電体層となる誘電体ペーストを塗布する第２工
    程を有することを特徴とする面放電型表示デバイスの製
    造方法。
28. 【請求項２８】 前記第２工程において誘電体ペースト
    を塗布する際にメタルマスク法もしくはノズル注入法を
    用いることを特徴とする請求項２７に記載の面放電型表
    示デバイスの製造方法。
29. 【請求項２９】 請求項７の面放電型表示デバイスの製
    造方法において、前記第１パネルの基板上に電極対を列
    設する第１工程と、当該電極対を覆うとともに前記電極
    対の間に溝を有するように前記第１の誘電体層を形成す
    る第２工程とを備えることを特徴とする面放電型表示デ
    バイスの製造方法。
30. 【請求項３０】 前記第２工程では、前記第１の誘電体
    層の材料を前記電極対および前記第１パネル表面に層状
    に形成し、前記電極対間の材料を除去することによって
    前記溝を形成することを特徴とする請求項２９に記載の
    面放電型表示デバイスの製造方法。
31. 【請求項３１】 前記第２工程における溝の形成方法と
    してサンドブラスト法を用いることを特徴とする請求項
    ２９に記載の面放電型表示デバイスの製造方法
32. 【請求項３２】 前記第２工程において前記第１の誘電
    体層の材料を前記電極対および前記第１パネル表面に層
    状に形成する際に誘電体ペースト法を用いることを特徴
    とする請求項２９に記載の面放電型表示デバイスの製造
    方法。
33. 【請求項３３】 請求項１０の面放電型表示デバイスの
    製造方法において、前記第１パネルの基板上に電極対を
    列設する第１工程と、当該電極対を覆うとともに前記電
    極対の間にくぼみを有するように前記第１の誘電体層を
    形成する第２工程とを備えることを特徴とする面放電型
    表示デバイスの製造方法。
34. 【請求項３４】 前記第２工程では、前記第１の誘電体
    層の材料を前記電極対および前記第１パネル表面に層状
    に形成し、前記電極対間の材料を除去することによって
    前記くぼみを形成することを特徴とする請求項３３に記
    載の面放電型表示デバイスの製造方法。
35. 【請求項３５】 前記第２工程におけるくぼみの形成方
    法としてサンドブラスト法を用いることを特徴とする請
    求項３４に記載の面放電型表示デバイスの製造方法。
36. 【請求項３６】 前記第２工程において前記第１の誘電
    体層の材料を前記電極対および前記第１パネル表面に層
    状に形成する際に誘電体ペースト法を用いることを特徴
    とする請求項３４に記載の面放電型表示デバイスの製造
    方法。