JP2001351891A - 処理装置 - Google Patents
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- JP2001351891A JP2001351891A JP2001105551A JP2001105551A JP2001351891A JP 2001351891 A JP2001351891 A JP 2001351891A JP 2001105551 A JP2001105551 A JP 2001105551A JP 2001105551 A JP2001105551 A JP 2001105551A JP 2001351891 A JP2001351891 A JP 2001351891A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハ等の被処理体を浸透して洗浄す
る洗浄液が入る洗浄処理槽の周囲にクリーンエアのダウ
ンフローを形成して常に正常な状態に保つ。 【解決手段】 給気ファン4,ULPAフィルタ3によ
り、洗浄処理槽1を包囲する容器2内にクリーンエアA
を供給する一方、排気ダクト5からクリーンエアAを排
気して、容器2内にクリーンエアAのダウンフローを形
成する。処理液Lを排出すべく容器2に廃液管29を設
け、処理槽1内に処理液Lを供給すべく容器2を貫通及
びシールして給液管14を配管し、処理槽1内から処理
液Lを排出すべく容器2を貫通及びシールして排出管1
5を配管する。
る洗浄液が入る洗浄処理槽の周囲にクリーンエアのダウ
ンフローを形成して常に正常な状態に保つ。 【解決手段】 給気ファン4,ULPAフィルタ3によ
り、洗浄処理槽1を包囲する容器2内にクリーンエアA
を供給する一方、排気ダクト5からクリーンエアAを排
気して、容器2内にクリーンエアAのダウンフローを形
成する。処理液Lを排出すべく容器2に廃液管29を設
け、処理槽1内に処理液Lを供給すべく容器2を貫通及
びシールして給液管14を配管し、処理槽1内から処理
液Lを排出すべく容器2を貫通及びシールして排出管1
5を配管する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウエハ等の
被処理体を処理槽で処理する処理装置に係り、特に処理
槽の周囲の雰囲気を常に清浄に維持することができる処
理装置に関するものである。
被処理体を処理槽で処理する処理装置に係り、特に処理
槽の周囲の雰囲気を常に清浄に維持することができる処
理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハの処理例えば洗浄処理で
は、水洗処理、アンモニア処理、フッ酸処理等の種々の
洗浄処理がなされる。これら処理を行う処理装置は、純
水等の処理液を入れる処理槽を有し、処理槽の処理液中
に半導体ウエハを浸漬して洗浄処理している。
は、水洗処理、アンモニア処理、フッ酸処理等の種々の
洗浄処理がなされる。これら処理を行う処理装置は、純
水等の処理液を入れる処理槽を有し、処理槽の処理液中
に半導体ウエハを浸漬して洗浄処理している。
【0003】この種の処理装置では、処理液の外部への
飛散防止や外部からの微粒子等の侵入防止を目的とし
て、処理槽を容器内に収容しているものがある。この容
器には半導体ウエハを搬入・搬出できるように開閉可能
なシャッター等が設けられている。
飛散防止や外部からの微粒子等の侵入防止を目的とし
て、処理槽を容器内に収容しているものがある。この容
器には半導体ウエハを搬入・搬出できるように開閉可能
なシャッター等が設けられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、単に容
器内に処理槽を収容するだけでは、ウエハの搬入・搬出
のためにシャッターを開くと、容器内の雰囲気が外部に
漏れ易く、殊に処理液として薬液を用いた場合には周辺
環境への汚染等が問題となる。また、外部から微粒子等
を含んだ雰囲気が侵入し易く、半導体ウエハへの異物付
着が多くなり、半導体製品の歩留の低下を招くことにな
る。
器内に処理槽を収容するだけでは、ウエハの搬入・搬出
のためにシャッターを開くと、容器内の雰囲気が外部に
漏れ易く、殊に処理液として薬液を用いた場合には周辺
環境への汚染等が問題となる。また、外部から微粒子等
を含んだ雰囲気が侵入し易く、半導体ウエハへの異物付
着が多くなり、半導体製品の歩留の低下を招くことにな
る。
【0005】この発明は上記の従来技術の問題点を解消
するためになされたもので、処理槽の周囲をクリーンエ
アのダウンフローにより常に清浄に保持できる処理装置
を提供することを目的とする。
するためになされたもので、処理槽の周囲をクリーンエ
アのダウンフローにより常に清浄に保持できる処理装置
を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の発明は、半導体ウエハ等の被処理体
を処理槽の処理液中に浸漬して処理する処理装置におい
て、 上記被処理体を搬入可能にして上記処理槽を包囲
する容器と、 上記容器内にクリーンエアを供給すると
共に、上記処理槽の周囲にクリーンエアのダウンフロー
を形成するクリーンエアの供給手段と、 上記処理槽の
周囲を通過したクリーンエアを吸収し、上記容器の外部
へ排気する排気手段と、 上記処理液を排出すべく上記
容器に設けられる廃液管と、 上記処理槽内に上記処理
液を供給すべく上記容器を貫通及びシールして配管され
る給液管と、 上記処理槽内から上記処理液を排出すべ
く上記容器を貫通及びシールして配管される排出管と、
を備えたことを特徴とする。
に、請求項1記載の発明は、半導体ウエハ等の被処理体
を処理槽の処理液中に浸漬して処理する処理装置におい
て、 上記被処理体を搬入可能にして上記処理槽を包囲
する容器と、 上記容器内にクリーンエアを供給すると
共に、上記処理槽の周囲にクリーンエアのダウンフロー
を形成するクリーンエアの供給手段と、 上記処理槽の
周囲を通過したクリーンエアを吸収し、上記容器の外部
へ排気する排気手段と、 上記処理液を排出すべく上記
容器に設けられる廃液管と、 上記処理槽内に上記処理
液を供給すべく上記容器を貫通及びシールして配管され
る給液管と、 上記処理槽内から上記処理液を排出すべ
く上記容器を貫通及びシールして配管される排出管と、
を備えたことを特徴とする。
【0007】また、請求項2記載の発明は、半導体ウエ
ハ等の被処理体を処理槽の処理液中に浸漬して処理する
処理装置において、 上記被処理体を搬入可能にして上
記処理槽を包囲する容器と、 上記容器内にクリーンエ
アを供給すると共に、上記処理槽の周囲にクリーンエア
のダウンフローを形成するクリーンエアの供給手段と、
上記処理槽の周囲を通過したクリーンエアを吸収し、
上記容器の外部へ排気する排気手段と、 上記処理液を
排出すべく上記容器に設けられる廃液管と、上記処理槽
内に上記処理液を供給すべく上記容器を貫通及びシール
して配管される給液管と、 上記処理槽内から上記処理
液を排出すべく上記容器を貫通及びシールして配管され
る排出管と、 上記排気手段から排気される上記クリー
ンエア中に含まれる処理液を上記廃液管に導入する導入
管と、を備えたことを特徴とする。
ハ等の被処理体を処理槽の処理液中に浸漬して処理する
処理装置において、 上記被処理体を搬入可能にして上
記処理槽を包囲する容器と、 上記容器内にクリーンエ
アを供給すると共に、上記処理槽の周囲にクリーンエア
のダウンフローを形成するクリーンエアの供給手段と、
上記処理槽の周囲を通過したクリーンエアを吸収し、
上記容器の外部へ排気する排気手段と、 上記処理液を
排出すべく上記容器に設けられる廃液管と、上記処理槽
内に上記処理液を供給すべく上記容器を貫通及びシール
して配管される給液管と、 上記処理槽内から上記処理
液を排出すべく上記容器を貫通及びシールして配管され
る排出管と、 上記排気手段から排気される上記クリー
ンエア中に含まれる処理液を上記廃液管に導入する導入
管と、を備えたことを特徴とする。
【0008】また、請求項3記載の発明は、半導体ウエ
ハ等の被処理体を処理槽の処理液中に浸漬して処理する
処理装置において、 上記被処理体を搬入可能にして上
記処理槽を包囲する容器と、 上記容器内にクリーンエ
アを供給すると共に、上記処理槽の周囲にクリーンエア
のダウンフローを形成するクリーンエアの供給手段と、
上記処理槽の周囲を通過したクリーンエアを吸収し、
上記容器の外部へ排気する排気手段と、 上記処理液を
排出すべく上記容器に設けられる廃液管と、上記処理槽
の上部外周に形成された受液部から上記処理液を排出す
べく上記容器を貫通及びシールして配管される排液管
と、 上記処理槽内に上記処理液を供給すべく上記容器
を貫通及びシールして配管される給液管と、 上記容器
外で上記排液管より排出される上記処理液を上記給液管
を介して上記処理槽へ供給するポンプと、 上記処理槽
内から上記処理液を排出すべく上記容器を貫通及びシー
ルして配管される排出管と、を備えたことを特徴とす
る。
ハ等の被処理体を処理槽の処理液中に浸漬して処理する
処理装置において、 上記被処理体を搬入可能にして上
記処理槽を包囲する容器と、 上記容器内にクリーンエ
アを供給すると共に、上記処理槽の周囲にクリーンエア
のダウンフローを形成するクリーンエアの供給手段と、
上記処理槽の周囲を通過したクリーンエアを吸収し、
上記容器の外部へ排気する排気手段と、 上記処理液を
排出すべく上記容器に設けられる廃液管と、上記処理槽
の上部外周に形成された受液部から上記処理液を排出す
べく上記容器を貫通及びシールして配管される排液管
と、 上記処理槽内に上記処理液を供給すべく上記容器
を貫通及びシールして配管される給液管と、 上記容器
外で上記排液管より排出される上記処理液を上記給液管
を介して上記処理槽へ供給するポンプと、 上記処理槽
内から上記処理液を排出すべく上記容器を貫通及びシー
ルして配管される排出管と、を備えたことを特徴とす
る。
【0009】また、請求項4記載の発明は、請求項1な
いし3のいずれかに記載の処理装置において、 上記容
器の底壁に、給液管又は排出管を貫通する貫通孔を形成
すると共に、貫通孔部分に環体を溶接し、 上記環体上
に取り付けられるリングに、上記給液管又は排出管と容
器との間を埋める管状部を形成し、 上記リングと環体
との間およびリングと給液管又は排出管との間に、それ
ぞれOリングを設けたことを特徴とする。
いし3のいずれかに記載の処理装置において、 上記容
器の底壁に、給液管又は排出管を貫通する貫通孔を形成
すると共に、貫通孔部分に環体を溶接し、 上記環体上
に取り付けられるリングに、上記給液管又は排出管と容
器との間を埋める管状部を形成し、 上記リングと環体
との間およびリングと給液管又は排出管との間に、それ
ぞれOリングを設けたことを特徴とする。
【0010】この発明において、上記被処理体は半導体
ウエハに限定されず、LCD基板なども含まれる。
ウエハに限定されず、LCD基板なども含まれる。
【0011】また、上記処理槽は処理液を貯留できるも
のであればよいが、半導体ウエハの洗浄処理では処理液
への不純物溶出が少なく、しかも耐薬品性に優れた石英
ガラスが好ましい。
のであればよいが、半導体ウエハの洗浄処理では処理液
への不純物溶出が少なく、しかも耐薬品性に優れた石英
ガラスが好ましい。
【0012】また、上記給排手段には、例えば容器頂部
よりクリーンエアを供給するためのフィルタや給気ファ
ン、あるいは容器底部よりクリーンエアを排気する排気
ファンなどが用いられる。
よりクリーンエアを供給するためのフィルタや給気ファ
ン、あるいは容器底部よりクリーンエアを排気する排気
ファンなどが用いられる。
【0013】上記のように構成されるこの発明の処理装
置によれば、クリーンエアの給気手段と排気手段によ
り、容器内にはクリーンエアのダウンフローが形成され
るので、被処理体を容器内に搬入したり、容器外へ搬出
したりしても、常に処理槽の周囲はクリーンエアで清浄
状態に保たれ、容器外からの微粒子等の侵入や容器外へ
の内部雰囲気の漏出が極力おさえられる。
置によれば、クリーンエアの給気手段と排気手段によ
り、容器内にはクリーンエアのダウンフローが形成され
るので、被処理体を容器内に搬入したり、容器外へ搬出
したりしても、常に処理槽の周囲はクリーンエアで清浄
状態に保たれ、容器外からの微粒子等の侵入や容器外へ
の内部雰囲気の漏出が極力おさえられる。
【0014】また、処理槽に接続される給液管、排出
管、排液管等が、容器を貫通及びシールして配管される
ことにより、飛散などによって処理液が容器内に溜って
も、有害な処理液が容器外へ漏出するのを防止すること
ができる。
管、排液管等が、容器を貫通及びシールして配管される
ことにより、飛散などによって処理液が容器内に溜って
も、有害な処理液が容器外へ漏出するのを防止すること
ができる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施形態を図
面に基づいて詳細に説明する。
面に基づいて詳細に説明する。
【0016】図1において、1は被処理体たる半導体ウ
エハ(図示せず)を処理例えば洗浄処理する処理液例え
ば洗浄液Lを貯留する洗浄処理槽(処理槽)であり、洗
浄処理槽1は容器2内に密閉状態で収容されている。洗
浄処理槽1は、純水、薬液の洗浄液Lに不純物が溶出し
ないように石英ガラスからなる。洗浄処理槽1は、容器
2の底部に設置された図示省略の支持台上に載置されて
おり、アジャスト機構(図示せず)により水平に調整で
きるようになっている。
エハ(図示せず)を処理例えば洗浄処理する処理液例え
ば洗浄液Lを貯留する洗浄処理槽(処理槽)であり、洗
浄処理槽1は容器2内に密閉状態で収容されている。洗
浄処理槽1は、純水、薬液の洗浄液Lに不純物が溶出し
ないように石英ガラスからなる。洗浄処理槽1は、容器
2の底部に設置された図示省略の支持台上に載置されて
おり、アジャスト機構(図示せず)により水平に調整で
きるようになっている。
【0017】容器2は、図1ないし図1のII−II線矢視
断面図である図2に示すように、洗浄処理槽1を包囲す
ると共に、洗浄処理槽1より上方に延びる矩形筒体状を
なしている。容器2の頂部には、容器2内にクリーンエ
アAを供給するために、給気手段を構成するULPAフ
ィルタ3と給気ファン4が設けられると共に、容器2底
部の側壁には、容器2内のクリーンエアAを排気するた
めの排気ファン(図示せず)を備えた排気ダクト5が接
続されて、排気手段が構成されている。
断面図である図2に示すように、洗浄処理槽1を包囲す
ると共に、洗浄処理槽1より上方に延びる矩形筒体状を
なしている。容器2の頂部には、容器2内にクリーンエ
アAを供給するために、給気手段を構成するULPAフ
ィルタ3と給気ファン4が設けられると共に、容器2底
部の側壁には、容器2内のクリーンエアAを排気するた
めの排気ファン(図示せず)を備えた排気ダクト5が接
続されて、排気手段が構成されている。
【0018】容器2の上部側壁には半導体ウエハの搬入
・搬出用の開口6が形成されいており、開口6はピスト
ン等により上下に摺動自在なシャッター7により開閉可
能になっている。シャッター7は容器2の外側壁面にフ
ッ素樹脂(以下にPFAという)又はポリ塩化ビニル
(以下にPVCという)製のシールを介して当接され、
容器2内は気密に保たれる。また、シャッター7は石英
ガラスあるいは透明なPVCで形成されており、シャッ
ター7を通して容器2の内部を目視できるようになって
いる。シャッター7が開かれたときに、半導体ウエハを
搬送する搬送手段である搬送アーム(図示せず)により
搬入された半導体ウエハを受け取ると共に、洗浄処理後
の半導体ウエハを搬送アームに受け渡す移載機構(移載
手段)が容器2内に設けられている。この移載機構は、
容器2の側壁より延出され洗浄処理槽1内へと垂下され
た案内部8と、案内部8に沿って上下に移動自在なフォ
ーク状の移送アーム9とから主に構成されている。移送
アーム9を案内部8に沿って下降させることにより、移
送アーム9上に載置された半導体ウエハは所定時間、洗
浄液L中に浸漬されて洗浄処理される。
・搬出用の開口6が形成されいており、開口6はピスト
ン等により上下に摺動自在なシャッター7により開閉可
能になっている。シャッター7は容器2の外側壁面にフ
ッ素樹脂(以下にPFAという)又はポリ塩化ビニル
(以下にPVCという)製のシールを介して当接され、
容器2内は気密に保たれる。また、シャッター7は石英
ガラスあるいは透明なPVCで形成されており、シャッ
ター7を通して容器2の内部を目視できるようになって
いる。シャッター7が開かれたときに、半導体ウエハを
搬送する搬送手段である搬送アーム(図示せず)により
搬入された半導体ウエハを受け取ると共に、洗浄処理後
の半導体ウエハを搬送アームに受け渡す移載機構(移載
手段)が容器2内に設けられている。この移載機構は、
容器2の側壁より延出され洗浄処理槽1内へと垂下され
た案内部8と、案内部8に沿って上下に移動自在なフォ
ーク状の移送アーム9とから主に構成されている。移送
アーム9を案内部8に沿って下降させることにより、移
送アーム9上に載置された半導体ウエハは所定時間、洗
浄液L中に浸漬されて洗浄処理される。
【0019】洗浄処理槽1の上部外周には、図1ないし
図2に示すように、洗浄処理槽1の上端切欠部からオー
バーフローする洗浄液Lを受ける受液部1aが形成され
ている。そして、受液部1aにオーバーフローした洗浄
液Lは排液管10によって容器2外へと排出され、ベロ
ーズポンプ11により圧送され、ダンパ12で圧力が減
衰された後、フィルタ13で洗浄液L中の異物、不純物
等が除去され、純化された洗浄液Lが給液管14,14
を通って洗浄処理槽1に再び戻されるようになってい
る。このようにして、洗浄処理槽1には常に洗浄液Lが
純化されて循環供給される。なお、洗浄処理槽1には、
洗浄処理槽1を洗浄するときなどに洗浄液Lを排出して
空にするための排出管15が取り付けられている。
図2に示すように、洗浄処理槽1の上端切欠部からオー
バーフローする洗浄液Lを受ける受液部1aが形成され
ている。そして、受液部1aにオーバーフローした洗浄
液Lは排液管10によって容器2外へと排出され、ベロ
ーズポンプ11により圧送され、ダンパ12で圧力が減
衰された後、フィルタ13で洗浄液L中の異物、不純物
等が除去され、純化された洗浄液Lが給液管14,14
を通って洗浄処理槽1に再び戻されるようになってい
る。このようにして、洗浄処理槽1には常に洗浄液Lが
純化されて循環供給される。なお、洗浄処理槽1には、
洗浄処理槽1を洗浄するときなどに洗浄液Lを排出して
空にするための排出管15が取り付けられている。
【0020】排液管10、給液管14、排出管15はい
ずれもPFA製であり、洗浄処理槽1に接続され容器2
の底壁を貫通して配管されているが、給液管14を代表
例として、容器2の貫通部のシール構造と洗浄処理槽1
の接続部のシール構造を説明する。容器2の貫通部のシ
ール構造は、図4に示すように、給液管14が貫通する
容器2の底壁2aに形成された貫通孔2b部分にはPV
C製の環体16が溶接され、環体16上にはリング1
7,18がそれぞれねじ19A,19Bにより取り付け
られている。すなわち、環体16上にリング17がねじ
19Aにより取り付けられ、リング17上にリング18
がねじ19Bにより取り付けられている。リング17の
内側には給液管14と容器2との隙間を埋めるような管
状部17aが形成されており、リング17と環体16と
の間およびリング17と給液管14との間にはOリング
20A,20Bがそれぞれ設けられる。そして、ねじ1
9A,19Bを締め付けることにより、Oリング20
A,20Bによって貫通部は液密に保たれる。すなわ
ち、ねじ19Aを締め付けることによってリング17と
環体16との間に配設されたOリング20Aが密接し、
また、ねじ19Bを締め付けることによってリング17
と給液管14との間に配設されたOリング20Bが密接
して、貫通部は液密に保たれる。したがって、飛散など
によって洗浄液Lが容器2の底部に溜っても、有害な洗
浄液が容器2外へ漏出する虞はない。なお、リング1
7,18はPVC、ねじ19A,19Bはポリエーテル
エーテルケトン、Oリング20A,20Bは合成ゴムで
それぞれ形成されている。
ずれもPFA製であり、洗浄処理槽1に接続され容器2
の底壁を貫通して配管されているが、給液管14を代表
例として、容器2の貫通部のシール構造と洗浄処理槽1
の接続部のシール構造を説明する。容器2の貫通部のシ
ール構造は、図4に示すように、給液管14が貫通する
容器2の底壁2aに形成された貫通孔2b部分にはPV
C製の環体16が溶接され、環体16上にはリング1
7,18がそれぞれねじ19A,19Bにより取り付け
られている。すなわち、環体16上にリング17がねじ
19Aにより取り付けられ、リング17上にリング18
がねじ19Bにより取り付けられている。リング17の
内側には給液管14と容器2との隙間を埋めるような管
状部17aが形成されており、リング17と環体16と
の間およびリング17と給液管14との間にはOリング
20A,20Bがそれぞれ設けられる。そして、ねじ1
9A,19Bを締め付けることにより、Oリング20
A,20Bによって貫通部は液密に保たれる。すなわ
ち、ねじ19Aを締め付けることによってリング17と
環体16との間に配設されたOリング20Aが密接し、
また、ねじ19Bを締め付けることによってリング17
と給液管14との間に配設されたOリング20Bが密接
して、貫通部は液密に保たれる。したがって、飛散など
によって洗浄液Lが容器2の底部に溜っても、有害な洗
浄液が容器2外へ漏出する虞はない。なお、リング1
7,18はPVC、ねじ19A,19Bはポリエーテル
エーテルケトン、Oリング20A,20Bは合成ゴムで
それぞれ形成されている。
【0021】また、洗浄処理槽1の接続部のシール構造
は図5に示すもので、洗浄処理槽1に一体的に接合され
た石英製のガラス管21には環状の溝部21aが形成さ
れ、この溝部21aにはCリング22が嵌合され、Cリ
ング22によりナット23は落下しないように止めら
れ、更にこのナット23に給液管14を挿着した継手2
4がねじ付けられる。継手24の内周面の環状溝部24
aにはOリング20Cが設けられており、このOリング
20Cによってガラス管21と継手24との間が液密に
シールされる。したがって、この接続部から洗浄液Lが
漏れる心配はない。なお、Cリング22、ナット23及
び継手24はそれぞれPFA製である。
は図5に示すもので、洗浄処理槽1に一体的に接合され
た石英製のガラス管21には環状の溝部21aが形成さ
れ、この溝部21aにはCリング22が嵌合され、Cリ
ング22によりナット23は落下しないように止めら
れ、更にこのナット23に給液管14を挿着した継手2
4がねじ付けられる。継手24の内周面の環状溝部24
aにはOリング20Cが設けられており、このOリング
20Cによってガラス管21と継手24との間が液密に
シールされる。したがって、この接続部から洗浄液Lが
漏れる心配はない。なお、Cリング22、ナット23及
び継手24はそれぞれPFA製である。
【0022】一方、洗浄処理槽1の上方には、図1ない
し図3に示すように、洗浄処理槽1の外周上方及び洗浄
処理槽1と容器2との間を覆うようにカバー25が設け
られている。カバー25は容器2の内側壁面に取り付け
られるが、カバー25は外側すなわち容器2側に向かっ
て下方にわずかに傾斜させて形成されており、容器2側
の適宜箇所には、図3に示すように、排液用の穴26が
形成されている。
し図3に示すように、洗浄処理槽1の外周上方及び洗浄
処理槽1と容器2との間を覆うようにカバー25が設け
られている。カバー25は容器2の内側壁面に取り付け
られるが、カバー25は外側すなわち容器2側に向かっ
て下方にわずかに傾斜させて形成されており、容器2側
の適宜箇所には、図3に示すように、排液用の穴26が
形成されている。
【0023】容器2の下部には、容器2内のクリーンエ
アAの整流化を図るために、パンチング板27が設けら
れている。また、容器2の底壁2aには、容器2の底部
に溜った洗浄液等を排出する廃液管29が取り付けられ
ている。廃液管29には、排気ダクト5から排気される
クリーンエアA中に含まれるミスト状の洗浄液等をトラ
ップしたドレンを廃液管29に導入する導入管30が接
続されている。
アAの整流化を図るために、パンチング板27が設けら
れている。また、容器2の底壁2aには、容器2の底部
に溜った洗浄液等を排出する廃液管29が取り付けられ
ている。廃液管29には、排気ダクト5から排気される
クリーンエアA中に含まれるミスト状の洗浄液等をトラ
ップしたドレンを廃液管29に導入する導入管30が接
続されている。
【0024】次に、この実施形態の作用を説明すると、
給気ファン4より送風されたエアはULPAフィルタ3
で除塵され、層流化されたクリーンエアAが容器2頂部
より流れ込む。一方、容器2の底部2aの排気ダクト5
からは排気ファンによってクリーンエアAが容器2外へ
排出される。したがって、容器2内にはクリーンエアA
のダウンフローが形成される。このため、洗浄処理槽1
の周囲はこのクリーンエアAのダウンフローによって保
護され、洗浄処理の際に半導体ウエハに、異物、不純物
が付着することを低減でき、半導体製品の歩留りが向上
する。更に、容器2の底部2aに溜った洗浄液等は廃液
管29により直ちに排出され、また洗浄処理槽1の洗浄
液Lはフィルタ13によって常時純化されつつ循環され
て清浄に保たれるので、容器2内はクリーンな状態に維
持される。また、クリーンエアAのダウンフローが常時
流されるので、容器2内の雰囲気が外部に漏出しにく
く、有害な雰囲気による外部環境の汚染も軽減できる。
給気ファン4より送風されたエアはULPAフィルタ3
で除塵され、層流化されたクリーンエアAが容器2頂部
より流れ込む。一方、容器2の底部2aの排気ダクト5
からは排気ファンによってクリーンエアAが容器2外へ
排出される。したがって、容器2内にはクリーンエアA
のダウンフローが形成される。このため、洗浄処理槽1
の周囲はこのクリーンエアAのダウンフローによって保
護され、洗浄処理の際に半導体ウエハに、異物、不純物
が付着することを低減でき、半導体製品の歩留りが向上
する。更に、容器2の底部2aに溜った洗浄液等は廃液
管29により直ちに排出され、また洗浄処理槽1の洗浄
液Lはフィルタ13によって常時純化されつつ循環され
て清浄に保たれるので、容器2内はクリーンな状態に維
持される。また、クリーンエアAのダウンフローが常時
流されるので、容器2内の雰囲気が外部に漏出しにく
く、有害な雰囲気による外部環境の汚染も軽減できる。
【0025】また、洗浄処理槽1の外周上方にカバー2
5を設けているので、半導体ウエハの搬入・搬出に際し
て洗浄液が飛び散ったりしてもカバー25で受けること
となり、洗浄処理槽1への不純物などの混入を抑えるこ
とができる。カバー25で受けた洗浄液等は穴26から
下に排出される。更に、カバー25によって容器2内の
ダウンフローの流路が絞られているため、容器2上部の
流速は遅くとも、洗浄処理槽1付近の流速は十分確保で
き、給気ファン4等の動力低減が図れる。
5を設けているので、半導体ウエハの搬入・搬出に際し
て洗浄液が飛び散ったりしてもカバー25で受けること
となり、洗浄処理槽1への不純物などの混入を抑えるこ
とができる。カバー25で受けた洗浄液等は穴26から
下に排出される。更に、カバー25によって容器2内の
ダウンフローの流路が絞られているため、容器2上部の
流速は遅くとも、洗浄処理槽1付近の流速は十分確保で
き、給気ファン4等の動力低減が図れる。
【0026】なお、シャッター7を開いたときに外部か
ら微粒子等が侵入するのをより効果的に防止するために
シャッター7の外側にエアーカーテンを形成してもよい
が、カバー25の容器2側の外側部に排液用のみならず
クリーンエアAのダウンフローを通過される通孔を多数
形成すればシャッター7の内側に良好なエアーカーテン
を形成できる。
ら微粒子等が侵入するのをより効果的に防止するために
シャッター7の外側にエアーカーテンを形成してもよい
が、カバー25の容器2側の外側部に排液用のみならず
クリーンエアAのダウンフローを通過される通孔を多数
形成すればシャッター7の内側に良好なエアーカーテン
を形成できる。
【0027】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば次のような効果が得られる。
明によれば次のような効果が得られる。
【0028】1)処理槽を包囲する容器に給気手段と排
気手段によりクリーンエアを給排して容器内にクリーン
エアのダウンフローを形成しているので、半導体ウエハ
等の被処理体の処理をクリーンな状態で行なうことがで
きる。このため、被処理体への異物、不純物などの付着
が低減され、被処理体の品質や歩留りの向上が図られ
る。また、容器内の雰囲気が外部に漏出しにくくなり、
外部漏出による環境汚染等を軽減できる。更に、容器内
のみに局所的にクリーンエアのダウンフローを形成する
方式なので、多数の処理装置などが設置されるクリーン
ルーム全体にクリーンエアを流す方式に比し、送風、空
調などに要する運転コストを大幅に低減できる。
気手段によりクリーンエアを給排して容器内にクリーン
エアのダウンフローを形成しているので、半導体ウエハ
等の被処理体の処理をクリーンな状態で行なうことがで
きる。このため、被処理体への異物、不純物などの付着
が低減され、被処理体の品質や歩留りの向上が図られ
る。また、容器内の雰囲気が外部に漏出しにくくなり、
外部漏出による環境汚染等を軽減できる。更に、容器内
のみに局所的にクリーンエアのダウンフローを形成する
方式なので、多数の処理装置などが設置されるクリーン
ルーム全体にクリーンエアを流す方式に比し、送風、空
調などに要する運転コストを大幅に低減できる。
【0029】2)処理槽に接続される給液管、排出管、
排液管等が、容器を貫通及びシールして配管されること
により、飛散などによって処理液が容器内に溜っても、
有害な処理液が容器外へ漏出するのを防止することがで
きる。
排液管等が、容器を貫通及びシールして配管されること
により、飛散などによって処理液が容器内に溜っても、
有害な処理液が容器外へ漏出するのを防止することがで
きる。
【図1】この発明に係る処理装置の一実施形態を示す概
略構成図である。
略構成図である。
【図2】図1のII−II線矢視断面図である。
【図3】図1のカバーの拡大図である。
【図4】図1の給液管が容器を貫通する部分のシール構
造を示す拡大断面図である。
造を示す拡大断面図である。
【図5】図1の洗浄処理槽と給液管との接続部分のシー
ル構造を示す拡大断面図である。
ル構造を示す拡大断面図である。
1 洗浄処理槽(処理槽) 2 容器 2a 底壁 2b 貫通孔 3 ULPAフィルタ 4 給気ファン 5 排気ダクト 9 移送アーム 10 排液管 14 給液管 16 環体 17 リング 17a 管状部 18 リング 19A,19B ねじ 20A,20B Oリング 27 パンチング板
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体ウエハ等の被処理体を処理槽の処
理液中に浸漬して処理する処理装置において、 上記被処理体を搬入可能にして上記処理槽を包囲する容
器と、 上記容器内にクリーンエアを供給すると共に、上記処理
槽の周囲にクリーンエアのダウンフローを形成するクリ
ーンエアの供給手段と、 上記処理槽の周囲を通過したクリーンエアを吸収し、上
記容器の外部へ排気する排気手段と、 上記処理液を排出すべく上記容器に設けられる廃液管
と、 上記処理槽内に上記処理液を供給すべく上記容器を貫通
及びシールして配管される給液管と、 上記処理槽内から上記処理液を排出すべく上記容器を貫
通及びシールして配管される排出管と、を備えたことを
特徴とする処理装置。 - 【請求項2】 半導体ウエハ等の被処理体を処理槽の処
理液中に浸漬して処理する処理装置において、 上記被処理体を搬入可能にして上記処理槽を包囲する容
器と、 上記容器内にクリーンエアを供給すると共に、上記処理
槽の周囲にクリーンエアのダウンフローを形成するクリ
ーンエアの供給手段と、 上記処理槽の周囲を通過したクリーンエアを吸収し、上
記容器の外部へ排気する排気手段と、 上記処理液を排出すべく上記容器に設けられる廃液管
と、 上記処理槽内に上記処理液を供給すべく上記容器を貫通
及びシールして配管される給液管と、 上記処理槽内から上記処理液を排出すべく上記容器を貫
通及びシールして配管される排出管と、 上記排気手段から排気される上記クリーンエア中に含ま
れる処理液を上記廃液管に導入する導入管と、を備えた
ことを特徴とする処理装置。 - 【請求項3】 半導体ウエハ等の被処理体を処理槽の処
理液中に浸漬して処理する処理装置において、 上記被処理体を搬入可能にして上記処理槽を包囲する容
器と、 上記容器内にクリーンエアを供給すると共に、上記処理
槽の周囲にクリーンエアのダウンフローを形成するクリ
ーンエアの供給手段と、 上記処理槽の周囲を通過したクリーンエアを吸収し、上
記容器の外部へ排気する排気手段と、 上記処理液を排出すべく上記容器に設けられる廃液管
と、 上記処理槽の上部外周に形成された受液部から上記処理
液を排出すべく上記容器を貫通及びシールして配管され
る排液管と、 上記処理槽内に上記処理液を供給すべく上記容器を貫通
及びシールして配管される給液管と、 上記容器外で上記排液管より排出される上記処理液を上
記給液管を介して上記処理槽へ供給するポンプと、 上記処理槽内から上記処理液を排出すべく上記容器を貫
通及びシールして配管される排出管と、を備えたことを
特徴とする処理装置。 - 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載の処
理装置において、 上記容器の底壁に、給液管又は排出管を貫通する貫通孔
を形成すると共に、貫通孔部分に環体を溶接し、 上記環体上に取り付けられるリングに、上記給液管又は
排出管と容器との間を埋める管状部を形成し、 上記リングと環体との間およびリングと給液管又は排出
管との間に、それぞれOリングを設けたことを特徴とす
る処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001105551A JP2001351891A (ja) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001105551A JP2001351891A (ja) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | 処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11781991A Division JP3225441B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001351891A true JP2001351891A (ja) | 2001-12-21 |
Family
ID=18958227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001105551A Pending JP2001351891A (ja) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | 処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001351891A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007220896A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置 |
KR100928951B1 (ko) | 2008-06-09 | 2009-11-30 | 세메스 주식회사 | 케미컬 플로우 방법, 그리고 이를 이용하는 집적 회로소자의 제조 방법 및 장치 |
CN112090843A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-18 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种用于清洗硅片的装置 |
-
2001
- 2001-04-04 JP JP2001105551A patent/JP2001351891A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007220896A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置 |
KR100928951B1 (ko) | 2008-06-09 | 2009-11-30 | 세메스 주식회사 | 케미컬 플로우 방법, 그리고 이를 이용하는 집적 회로소자의 제조 방법 및 장치 |
CN112090843A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-18 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种用于清洗硅片的装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030403 |