JP2001351850A

JP2001351850A - 半導体製造装置および半導体デバイス製造方法

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Publication number: JP2001351850A
Application number: JP2000171439A
Authority: JP
Inventors: Hajime Nakamura; 中村　　元
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-06-08
Filing date: 2000-06-08
Publication date: 2001-12-21

Abstract

(57)【要約】【課題】光路上における空気の揺らぎを生じさせるこ
となく遮光装置を効率よく冷却することができ、空気の
揺らぎに起因する短時間での照度変化や照度むらをなく
して不良素子の製造要因を排除し、さらに、装置稼動率
を上げかつ装置稼動コストを減少させることが可能な半
導体製造装置を提供する。【解決手段】制御部１７、１８によりそれぞれ制御さ
れる冷却機１４と送風機１５によって、光源ランプ９か
らの光の遮光と投光動作を行うシャッター１０を包囲す
る空間に冷却空気を供給してシャッター１０を冷却する
際に、シャッター１０の投光状態や遮光状態、遮光状態
保持時間さらに光源ランプ９への入力電力に応じて、冷
却空気の送風量や温度を制御して、シャッター１０を効
率よく冷却するようになし、シャッターの投光状態（露
光処理状態）での冷却時には冷却空気の送風量を少なく
して、光路上に空気の揺らぎを発生させないようにす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光用光路の開閉
を行う遮光装置を有する半導体製造装置および半導体デ
バイス製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の半導体素子においては微細化が進
み、半導体製造過程では微細加工に伴い半導体素子を製
造する半導体露光装置や半導体製造装置についても、ま
すます微細化加工が可能な環境が必要とされている。ま
た、半導体露光装置について、その生産性、生産効率の
向上も叫ばれている。

【０００３】このような状況において、その生産性向上
のために、高出力の光源装置を使用し、短時間の露光で
半導体素子を製造し、生産効率を向上させている。

【０００４】従来、半導体露光装置においては、光源か
ら発せられた露光光は、シャッターと呼ばれる遮光装置
によって遮光および投光の動作が行われ、素子製作に適
した適正露光量で露光されるように制御され、露光光は
レチクル等の原版上に描画されたパターンや光学系を通
してレチクル等の原版のパターン像をウエハ等の基板上
に露光する。通常、生産効率の向上を目指す場合、露光
光の光源を大光量の光源に変更し、同じ露光光を求める
に際して照度が上がった分、露光時間を短くし、単位時
間当りのウエハ等の基板処理枚数を多くしている。この
ような方法によって、素子製作の生産性をあげ、装置自
体の生産効率をアップさせるようにしている。

【０００５】この場合、遮光装置としては、従来と同様
の金属板を使用し、金属板の回転または直線動作により
遮光および投光の動作を行っているが、光源の光量アッ
プにより、遮光装置の光源側の表面が大光量の光照射に
よる熱等の要因でダメージを受けていた。このようなダ
メージを減少させるために冷却手段をシャッター装置に
付加する技術が特開平９−２７４４６号公報等に提案さ
れている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たように、露光光の光源を大光量の光源に変更して照度
を上げ、露光時間を短くし、単位時間当りのウエハ等の
基板処理枚数を多くして、装置自体の生産性をアップさ
せているが、装置自体の生産効率をアップさせると、光
源の光量アップにより、遮光装置の光源側の表面が大光
量の熱等の要因によりダメージを受けてしまうという現
象が発生する。このようなダメージは、装置の使用状態
や光源の使用状態によって変化するために、ユーザーが
知らないうちに、遮光装置のダメージが進み、このダメ
ージにより遮光装置からの漏れ光が発生し、この漏れ光
により不良素子を製造させてしまうという問題点があっ
た。

【０００７】また、ダメージを減少させるために遮光装
置に冷却手段を付加する装置では、冷却手段によって、
遮光状態や露光状態にかかわらず、また、光源ランプの
入力電力の高低にかかわらず、常に空気を清浄化するケ
ミカルフィルターを通した空気を光路上に吹き付けてい
る。ところで、ケミカルフィルターは高価であり、その
寿命は通過させる空気の量により決まるため、常にケミ
カルフィルターに空気を通していることから、ケミカル
フィルターの交換頻度が上がり、装置を稼動するにあた
り稼動コストの増大という問題が発生している。また、
遮光装置の光路上に直接冷却のための空気を吹き付けて
いるため、露光中すなわち遮光装置が投光（透過）状態
のとき、光路上に空気の揺らぎが発生し、短時間での照
度変化が生じ、さらには、照度むらを発生させる。この
ような照度変化や照度むらにより、不良素子を製造させ
てしまうという問題点があった。

【０００８】そこで、本発明は、前述した従来技術の有
する未解決の課題に鑑みてなされたものであって、光路
上における空気の揺らぎを生じさせることなく大光量の
光の照射を受ける遮光装置を効率よく冷却することがで
き、空気の揺らぎに起因する短時間での照度変化や照度
むらをなくして不良素子の製造要因を排除し、さらに、
装置稼動率を上げかつ装置稼動コストを減少させること
が可能な半導体製造装置、および半導体デバイス製造方
法を提供することを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体製造装置は、光源からの光の遮光動
作を行う遮光装置を備えた半導体製造装置において、該
半導体製造装置の稼動状態によって前記遮光装置の冷却
を制御することを特徴とする。

【００１０】本発明の半導体製造装置においては、前記
遮光装置の遮光状態や投光状態に応じて、および／また
は、前記遮光装置の遮光状態保持時間に応じて、前記遮
光装置の冷却を制御することが好ましい。

【００１１】本発明の半導体製造装置においては、半導
体製造装置の光源ランプへの入力電力に応じて、および
／または、光源ランプの輝度に応じて、前記遮光装置の
冷却を制御することが好ましい。

【００１２】本発明の半導体製造装置においては、前記
遮光装置の冷却の制御は、該遮光装置へ供給する冷却空
気の温度および／または冷却空気の風量を制御すること
により行うことが好ましい。

【００１３】さらに、本発明の半導体製造装置は、光源
ランプと該光源ランプからの光の遮光動作を行う遮光装
置を備える半導体製造装置において、前記光源ランプの
入力電力を制御するランプ電源部と、前記遮光装置の遮
光と投光の状態を制御する遮光装置制御部と、前記遮光
装置を包囲する空間に冷却された空気を供給し前記遮光
装置を冷却する冷却機および送風機と、前記冷却機を制
御する冷却制御部と、前記送風機を制御する送風制御部
と、半導体製造装置の稼動状態に応じて前記冷却機およ
び前記送風機を制御して前記遮光装置の冷却を制御する
装置制御部とを備えることを特徴とする。

【００１４】本発明の半導体製造装置においては、前記
装置制御部は、前記ランプ電源部および／または前記遮
光装置制御部からのデータを基に前記遮光装置の冷却を
制御することが好ましい。

【００１５】本発明の半導体製造装置においては、前記
光源ランプの輝度を検出するセンサーを設け、該センサ
ーの検出結果に基づいて前記遮光装置の冷却を制御する
ことが好ましい。

【００１６】本発明の半導体製造装置においては、前記
送風機はケミカルフィルターを介して取り入れた空気を
送風するように構成され、その送風量は前記装置制御部
により前記送風制御部を介して制御されることが好まし
い。

【００１７】本発明の半導体製造装置においては、前記
冷却機は前記装置制御部により前記冷却制御部を介して
前記遮光装置を冷却するための空気を所望の温度に設定
するように構成されていることが好ましい。

【００１８】本発明の半導体製造装置においては、前記
遮光装置の一部を収容する小区画を形成し、前記遮光装
置が投光と遮光を繰り返す動作を行っている際に、前記
小区画内でのみ前記遮光装置の一部を冷却することが好
ましい。

【００１９】本発明の半導体製造装置においては、前記
遮光装置は回転体または直線移動体で形成されているこ
とが好ましい。

【００２０】本発明の半導体製造装置においては、ディ
スプレイと、ネットワークインターフェイスと、ネット
ワークアクセス用ソフトウェアを実行するコンピュータ
とをさらに有し、半導体製造装置の保守情報をコンピュ
ータネットワークを介してデータ通信することを可能に
することが好ましく、また、前記ネットワークアクセス
用ソフトウェアは、前記半導体製造装置のベンダーもし
くはユーザーが提供する保守データベースにアクセスす
るためのユーザーインターフェースを前記ディスプレイ
上に提供し、前記コンピュータネットワークに接続され
たインターネットまたは専用線ネットワークを介して該
データベースから情報を得ることを可能にすることが好
ましい。

【００２１】さらに、本発明の半導体デバイス製造方法
は、前述した半導体製造装置を含む各種プロセス用の製
造装置群を半導体製造工場に設置するステップと、前記
製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバ
イスを製造するステップとを有することを特徴とする。

【００２２】本発明の半導体デバイス製造方法において
は、前記製造装置群をローカルエリアネットワークで接
続するステップと、前記ローカルエリアネットワークと
前記半導体製造工場外の外部ネットワークであるインタ
ーネットまたは専用線ネットワークとの間で、前記製造
装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信する
ステップとをさらに有することが好ましい。

【００２３】本発明の半導体デバイス製造方法において
は、前記データ通信によって、半導体デバイスの製造者
または前記半導体製造装置の供給者が提供するデータベ
ースに前記外部ネットワークを介してアクセスして前記
製造装置の保守情報を得、あるいは前記半導体製造工場
とは別の半導体製造工場との間で前記外部ネットワーク
を介してデータ通信して生産管理を行うことが好まし
い。

【００２４】

【作用】本発明の半導体製造装置によれば、装置制御部
（装置シーケンスコントロール部）には、遮光装置の状
態（すなわち、投光状態であるか、遮光状態であるか、
あるいは遮光状態となってからの経過時間等）が装置状
態データとして遮光制御装置（モーター制御部）から入
力され、また、光源ランプの入力電力が装置状態データ
としてランプ電源部から入力され、装置制御部におい
て、これらの入力されたデータに基づいて、遮光装置を
包囲する空間に供給する空気の温度を下げて遮光装置を
冷却するか、送風量を多くして冷却するか、あるいは、
温度と送風量の両方を制御して冷却するか、その装置状
態に応じて適切な冷却方法を選択することが可能とな
る。

【００２５】遮光装置が露光状態すなわち投光状態であ
る場合には、遮光装置の温度上昇は低いので、遮光装置
の冷却は、光路上の空気の揺らぎを少なくすることを目
的として、冷却するための空気の送風量を微小にしまた
は送風を停止させて、光路上の空気の揺らぎを発生しな
いような冷却形態に制御し、また、遮光装置が遮光状態
である場合には、遮光装置上に光源ランプからの光が常
時照射され、遮光装置の温度が上昇する。この場合に
は、光路上の空気の揺らぎが生じても問題がないため
に、遮光装置全体を冷却する目的として、冷却するため
の空気の送風量を増加させ、遮光装置を包囲する空間を
冷却するように制御する。そして、遮光装置の遮光状態
が長時間に及ぶ時には、遮光装置の温度が上昇するとと
もに遮光装置に熱が蓄積される。このような場合には、
蓄積された熱をも含めて冷却する必要があり、冷却する
ための空気の送風量を増加させるだけでは充分に冷却で
きなくなってしまうので、冷却するための空気の温度を
制御して温度を低下させて、蓄積された熱も含めて冷却
するように制御する。

【００２６】また、遮光装置の温度や温度上昇は、遮光
装置に照射される光の量によって影響を受け、光源ラン
プが最大入力電力より低い電力が入力されている場合に
は、遮光装置が過冷却となることを防ぐために、光源ラ
ンプへの入力電力データに基づいて、冷却するための空
気の送風量をさらに変化させるように制御する。すなわ
ち、光源ランプへの入力電力が最大のときとそれ以下で
あるときに、送風する風量に差を設けて、より少ない風
量で冷却を行うようにすることができる。

【００２７】このように、遮光装置の投光や遮光の状
態、遮光状態での経過時間、さらには光源ランプへの入
力電力の状態を基に、遮光装置を包囲する空間の冷却制
御を行うことにより、半導体製造装置の稼動状態、すな
わち、露光中、遮光状態、遮光状態の経過時間、または
光源ランプの入力電力等により、冷却機や送風機からな
る冷却手段を制御することにより、ケミカルフィルター
を通過する空気の使用量を最小にし、高価なケミカルフ
ィルターの劣化を防ぎ、その交換頻度を下げることがで
き、装置稼動率を上げかつ装置稼動コストを減少させる
ことを可能にし、さらに、冷却すべき遮光装置が光路上
に存在しない投光状態にあるときには、冷却空気の風量
を微小量に、あるいは、冷却空気のＯＮ／ＯＦＦを制御
し、光路上において空気の揺らぎの原因となるような冷
却を止め、空気の揺らぎによる短時間での照度変化、さ
らには照度むらをなくし、照度変化や照度むらにより不
良素子の製造をなくすることを可能にする。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。

【００２９】図１は、本発明の半導体製造装置の構成を
示す概略図であり、図２は、本発明の半導体製造装置に
おける光源部およびシャッター部とシャッターの冷却制
御系を図示する概略構成図であり、図３の（ａ）および
（ｂ）は、シャッターの遮光状態と投光状態をそれぞれ
示す概略図である。

【００３０】図１に図示する本発明の半導体製造装置
は、レチクル等の原版上のパターンを投影光学系を介し
てウエハ等の基板上の各ショット領域に一括露光するス
テップ・アンド・リピート方式の露光装置であり、半導
体パターンの焼き付けを行うための光を発する光源ラン
プ９を配した光源部１と、光源部１の光源ランプ９から
発せられる光Ｌの遮光および投光の動作を行う遮光装置
としての回転体または直線移動体で形成されるシャッタ
ー１０を備えるシャッター部２と、光源部１の光源ラン
プ９から発せられる光の照明分布を均一な光束Ｌに整形
して該光束をパターンが描画されているレチクル等の原
版４に導く照明光学系３と、原版４を搭載して原版４の
位置決めを行う原版ステージ５と、原版４のパターンを
露光対象のウエハ等の基板７に投影する投影光学系６
と、ウエハ等の基板７を搭載して基板７を露光位置へ移
動させる基板ステージ８とから構成され、光源ランプ９
から発せられる露光光は、照明光学系３により照明分布
が均一な光束に整形され反射ミラー等を介して原版ステ
ージ５上に搭載されている原版４を照射し、原版４に描
画されているパターンは投影光学系６を介して基板ステ
ージ８上に載置している基板７の各ショット領域に転写
され、基板７上に半導体パターンの焼付けを行うように
構成されている。

【００３１】光源部１およびシャッター部２とシャッタ
ー部２の冷却制御系を図示する図２において、光源部１
内の光源ランプ９から発せられ、楕円ミラー９ａにて集
光された光束Ｌは、シャッター部２内の遮光装置である
シャッター１０により、投光（透過）および遮光が制御
され、露光するための光学系に導かれる。シャッター１
０は、直線移動体あるいは回転体で形成することができ
るが、本実施例においては、図３に示すように、円周状
に等間隔に形成された３枚の羽根状の遮光部片１０ａを
有する回転体で形成し、投光と遮光を繰り返すようにシ
ャッター駆動モーター１１により一方向に６０度づつ回
転駆動される構成とした。シャッター駆動モーター１１
はモーター制御部１２に接続され、シャッター１０の位
置制御を行いながら動作する。

【００３２】また、シャッター１０等を収容する空間で
あるシャッター部２には、シャッター部２を冷却するた
めの空気を冷却して供給する冷却手段が接続されてい
る。冷却手段は、配管１３ａを介してシャッター部２に
接続される冷却機１４と冷却機１４に配管１３ｂを介し
て接続される送風機１５とから構成され、送風機１５の
空気取り入れ口にはケミカルフィルター１６が取付けら
れている。このケミカルフィルター１６は、空気中の塵
埃を除去するとともに曇り物質を生成する不純物質を化
学吸着的に除去し、清浄な空気を取り込む作用をする。
また、１７は冷却機１４を制御するための冷却制御部、
１８は送風機１５を制御するための送風制御部であり、
これらの冷却制御部１７と送風制御部１８は、モーター
制御部１２とともに、装置シーケンスコントロール部１
９に接続され、シャッター部２に供給する空気の温度や
風量およびシャッター状態をデータとして受渡しをして
いる。このように構成される冷却機１４や送風機１５等
において、送風機１５は、送風制御部１８により制御さ
れかつ設定される風量が生じるように、ケミカルフィル
ター１６を介して清浄な空気を取り込み、配管１３ｂを
介して冷却機１４へ供給する。そして、冷却機１４は、
送風機１５から送り込まれる空気を冷却制御部１７によ
り制御され設定される温度に調整して、配管１３ａを介
してシャッター部２へ供給し、光源ランプ９から発せら
れる大光量の光束Ｌの照射を受けるシャッター１０を冷
却する。シャッター１０を冷却した空気は、排出管１３
ｃを介してシャッター部２から排出される。

【００３３】装置シーケンスコントロール部１９は、ラ
ンプ電源部２０とも接続され、光源ランプ９の入力電力
や輝度等を制御し、かつ、光源ランプ９の状態をデータ
として受渡しを行う。また、装置シーケンスコントロー
ル部１９は、図示しないステージ制御部等にも接続され
ており、装置全体のシーケンス制御を行うことができる
ように構成されている。

【００３４】シャッター１０は、シャッター駆動モータ
ー１１により一方向に６０度づつ回転駆動され、投光お
よび遮光を繰り返し、図３の（ａ）および（ｂ）には、
シャッター１０と光源ランプ９から照射される光束Ｌの
関係を示し、同（ａ）は、シャッター１０の１枚の羽根
状の遮光部片１０ａに光束Ｌがあたる遮光状態を示し、
同（ｂ）は、シャッター１０の遮光部片１０ａにはまっ
たく光束があたらない状態の投光（透過）状態を示す。
ここで、シャッター１０の一枚の羽根状の遮光部片１０
ａに注目すると、遮光部片１０ａは、シャッター駆動モ
ーター１１により一方向に６０度づつ回転しているた
め、３回の遮光と投光を繰り返し、一回転して再度光束
Ｌが通過する部分に戻ってくる。

【００３５】以上のように構成される半導体製造装置の
動作を図１ないし図３を参照して説明する。

【００３６】半導体製造装置において、半導体パターン
を露光する場合、光源ランプ９は常時点灯状態で使用
し、シャッター１０は通常遮光状態（図３の（ａ）に示
す状態）に位置付け、不要な光が露光光学系に導入され
ないようにする。

【００３７】そして、半導体パターンを露光処理するに
あたり、レチクル等の原版４とウエハ等の基板７がそれ
ぞれ装置の原版ステージ５と基板ステージ８の所定の位
置にセットされ、露光が可能な状態になると、光源ラン
プ９から発せられそして楕円ミラー９ａで集光された光
束Ｌを露光光学系３、６に導入するため、モーター制御
部１２はシャッター駆動モーター１１を制御し、シャッ
ター１０を６０度回転させ、図３の（ａ）に示す遮光状
態から同（ｂ）に示す投光状態となるようにする。シャ
ッター１０が投光状態となると、集光された光束Ｌは、
光学系３、６に導かれ、露光が開始される。露光が開始
され、装置が必要としている露光量分だけ露光される
と、シャッター１０を回転させ、投光状態から遮光状態
にし、露光は完了する。半導体パターンの露光は前述し
た動作を繰り返し行い基板上の全面に露光を行う。

【００３８】以上のような本半導体製造装置における露
光シーケンスは、装置シーケンスコントロール部１９内
で処理される。装置シーケンスコントロール部１９はさ
らに図示しないステージ制御部等にも接続されており、
装置全体のシーケンス制御を行っている。

【００３９】次に、露光シャッターおよび光源部分に注
目して、図２および図４を参照して説明する。図４は、
本発明の半導体製造装置における制御シーケンスを説明
する図であって、シャッターの開閉状態、光源ランプの
入力電力、送風機の噴出し風量および冷却機の噴出し温
度の関係を示す概要図であり、（Ａ）はシャッター１０
の開閉状態、（Ｂ）は光源ランプ９の入力電力（Ｗ）、
（Ｃ）は送風機１５の噴出し風量（ｌ／ｓｅｃ、また
は、ｍ³／ｓｅｃ）、（Ｄ）は冷却機１４の噴出し温度
（℃）の変化をそれぞれ時間との関係で示す。

【００４０】通常露光を行っている場合（図４における
Ｔ₁ まで）において、モーター制御部１２は、装置シー
ケンスコントロール部１９からの指令に従い、露光を行
うためにシャッター１０を６０度づつ回転動作させるよ
うにシャッター駆動モーター１１を制御する。これによ
り、３枚の羽根状の遮光部片１０ａを有するシャッター
１０は、６０度づつ回転し、図３の（ａ）に示す遮光状
態すなわち閉（ｃｌｏｓｅ）状態と、図３の（ｂ）に示
す投光状態すなわち開（ｏｐｅｎ）状態を繰り返す。ま
た、露光時において、ランプ電源部２０は、光源ランプ
９が最大光量を出すような入力電力（ｗ₁ ）を入力す
る。この動作シーケンスにおいては、シャッターの温度
上昇と冷却による空気の揺らぎを比較すると、露光中と
いうことで、光路上の空気の揺らぎをなくすような冷却
方式をとる。すなわち、装置シーケンスコントロール部
１９からの指令により、送風制御部１８は、送風機１５
からの空気が送風による空気の揺らぎのでない範囲の風
量（ｑ₁ ）に押えられるように、送風機１５を制御する
（図４における（Ｃ）参照）。また、冷却制御部１７も
同様に装置シーケンスコントロール部１９からの指令に
より、冷却機１４から噴出される冷却空気の温度が、温
度差による空気揺らぎの発生しない範囲の温度（ｔ₁ ）
に制御する（図４における（Ｄ）参照）。このように送
風制御部１８と冷却制御部１７を制御することにより、
光路上において冷却による空気の揺らぎをなくすことが
でき、空気の揺らぎが原因となる照度むらや照度変化等
を防ぐことができる。

【００４１】露光が終了すると、装置シーケンスコント
ロール部１９では、モーター制御部１２へシャッター停
止および遮光状態保持の指令を出し、シャッター１０を
閉状態すなわち遮光状態とする。このとき、シャッター
１０は３枚の羽根状の遮光部片１０ａにおいて特定の１
枚の遮光部片にのみ光があたることとなる（図４におけ
るＴ₁ 以降）。このため、シャッター１０に注目する
と、その１枚の羽根状の遮光部片１０ａについては温度
上昇が大きくなり、冷却の必要性がでてくる。

【００４２】装置シーケンスコントロール部１９では、
モーター制御部１２へシャッター停止および遮光状態保
持の指令を出した後、シャッター１０へのダメージをな
くす目的から、送風機１５の噴出し風量を遮光部片１０
ａの温度上昇を抑えることができるように冷却できるだ
けの風量（ｑ₂ ）（ｑ₂ ＞ｑ₁ ）に増加させるように送
風制御部１８に指令を出す（図４における（Ｃ）でのＴ
₂ ）。すなわち、送風制御部１８は、露光中には、送風
機１５から微量の空気（ｑ₁ ）が噴出すように送風機１
５を制御しているが、遮光状態においては、事前に設定
された「シャッター停止時」の必要風量（ｑ₂ ）を送風
機１５から出力するように制御を行う。

【００４３】また、半導体製造装置の使用形態として、
この状態から再度露光を行う場合、送風制御部１８は、
送風機１５の噴出し風量として、前述した露光中の微量
な空気量（ｑ₁ ）を流すように制御し、そして、冷却制
御部１７は、温度差についても空気の揺らぎのでない範
囲の温度（ｔ₁ ）に制御して、再度前述したように露光
中の風量と送風温度に制御する。

【００４４】次に、シャッター停止および遮光状態保持
で長時間経過した場合について説明する。シャッター停
止および遮光状態保持の状態で一定時間（例えば、図４
におけるＴ₂ 〜Ｔ₃ ）経過した場合、照明光による熱が
シャッター１０に蓄積され、送風機１５の噴出し風量を
大きくするだけでは、シャッター１０のダメージをなく
すことができない場合がある。このような場合には、装
置シーケンスコントロール部１９は、供給する空気の風
量に関しては、これまで通りに送風制御部１８により冷
却できるだけの風量または事前に設定された「シャッタ
ー停止時」の必要風量（ｑ₂ ）を送風機１５から出力す
るように制御を行うとともに、冷却機１４の冷却温度を
さらに低くするように制御する（図４における（Ｄ）の
Ｔ₃ において、温度ｔ₂ （ｔ₂ ＜ｔ₁ ）とする）。すな
わち、シャッター１０に蓄積された熱を放出することが
できる噴出し温度（ｔ₂ ）になるように冷却制御部１７
により温度を設定する。冷却制御部１７は、冷却機１４
の温度を指示された温度に設定し、温度的に冷却する。
また、送風機１５は風量的にこれまでの風量を維持し冷
却する。

【００４５】また、露光装置においては、通常、光源ラ
ンプ９の高寿命化を目的として、長時間露光処理を行わ
ないとき、光源ランプ９への入力電力を、電極や内部ガ
スに変化が起きない範囲で低くするのが一般的になって
いる。このような状態の場合について説明する。

【００４６】装置のシャッター停止および遮光状態保持
の状態で長時間経過し、さらに、装置のアイドリング状
態が続いた場合、装置シーケンスコントロール部１９
は、光源ランプ９の長寿命化を目的として、光源ランプ
９への入力電力を下げ（ｗ₁ からｗ₂ へ）、装置をアイ
ドリング状態にする。この時、光源ランプ９への入力電
力（ｗ₂ ）が低くなっているため、シャッター１０へ届
く光の量も少なくなっている。このため、シャッター１
０に加わる熱も少なくなっていく。この場合、光源ラン
プ９への入力電力が最大の時と同様の冷却を行うと、過
冷却となり、無駄にケミカルフィルター１６を通した空
気を送ることになる。一般に、ケミカルフィルターの寿
命は、通過させる空気の量によって決まる。つまり、ケ
ミカルフィルターを通過させる空気の量すなわち送風機
の風量を下げることによって、ケミカルフィルターの長
寿命化を実現することができる。そこで、装置シーケン
スコントロール部１９は、ランプ電源部２０へ入力電力
を下げるように指令を出し、ランプ電源部２０は、その
指令にしたがって、光源ランプ９への入力電力を下げ
る。その後、装置シーケンスコントロール部１９は、ケ
ミカルフィルター１６を通過する空気の量を減少させる
目的で、送風機１５の風量を下げるように送風制御部１
８に指令を出す。送風制御部１８は、装置シーケンスコ
ントロール部１９からの指令にしたがい、送風機１５の
風量を下げる（図４における（Ｃ）のＴ₄において、風
量ｑ₃ （ｑ₂ ＞ｑ₃ ＞ｑ₁ ）とする）。これにより、ケ
ミカルフィルター１６を通過する空気の量を減少させる
ことができ、かつ効率のよい冷却を行うことができる。

【００４７】また、前述した実施例では、光源ランプ９
の入力電力を確認して、冷却機１４や送風機１５等によ
って供給する空気の温度調節を行っているが、光源ラン
プ９の楕円ミラー９ａの裏面に光学センサー（不図示）
を取り付け、この光学センサーの出力をも含めて冷却機
１４や送風機１５等による温調を行うように構成するこ
ともできる。本実施例においては、光源ランプ９の楕円
ミラー９ａの裏面に光学センサー（不図示）を取り付
け、光源ランプ９の明るさ、輝度を検出するようにし、
冷却機１４や送風機１５等の冷却手段やその他の制御系
に関しては前述した実施例と同様とする。光源ランプ９
への入力電力が最大である時の光源ランプの明るさや輝
度は経時変化するものであり、新品のときの明るさと例
えば１年間等の長期間使用したものではその明るさも変
わってくる。そこで、本実施例では、経年変化で光源ラ
ンプの明るさあるいは輝度が暗くなったとき、この変化
を光学センサーで検出して、この変化に追従するよう
に、送風機１５の風量や冷却機１４による冷却温度を調
節する。このように経年変化によって光源ランプの明る
さが暗くなったときに、その変化に追従するように、送
風機の風量を少なくするように制御することで、効率の
良い冷却を行うことができる。

【００４８】次に、本発明の他の実施例について図５お
よび図６を用いて説明する。

【００４９】図５は、本実施例のシャッター部の構成を
示す概略図であり、図６は、シャッターの一部を収容す
る小区画とシャッターの関係を示す概略図である。本実
施例において、前述した実施例と同様の部材には同一符
号を付し、そして、冷却手段やその制御系は前述した実
施例と同様とする。

【００５０】図５および図６において、シャッター１０
は、前述した実施例と同様に、円周状に等間隔に形成さ
れた３枚の羽根状の遮光部片１０ａを有し、投光と遮光
を繰り返すようにシャッター駆動モーター１１により一
方向に６０度づつ回転駆動される。光源ランプ９から発
せられ集光された光束Ｌの光路と反対側に、シャッター
１０の遮光部片１０ａを冷却するための小区画３０がシ
ャッター部２に形成されており、この小区画３０とシャ
ッター１０の関係は、図６に図示するように、１枚の遮
光部片１０ａが光源ランプ９から発せられた光束Ｌを遮
光する状態にあるとき、他の２枚の遮光部片１０ａが小
区画３０内に位置するような位置関係に構成されてい
る。そして、小区画３０には、冷却空気を供給する供給
配管３１と冷却に使われた空気を排出する排気配管３２
が接続されており、供給配管３１は、シャッター部２に
冷却空気を供給する配管１３ａに切換え弁３３を介して
接続する。したがって、小区画３０は、図５には図示し
ないけれども、前述した実施例における冷却機１４や送
風機１５等からなる冷却手段に連通されており、切換え
弁３３を切換えることにより、供給配管３１を介して冷
却空気を小区画３０内にのみ供給し、また、配管１３ａ
および供給配管３１を介してシャッター部２と小区画３
０の両方に温調された冷却空気を供給することができる
ように構成する。

【００５１】このように構成される本実施例のシャッタ
ー部２において、装置の露光動作状態では、シャッター
１０は間歇的に回転駆動されており、このとき、図示し
ない冷却手段から供給する冷却空気を切換え弁３３によ
り小区画３０にのみ供給し、シャッター１０の順次回転
してくる遮光部片１０ａを小区画３０内で冷却する。こ
のとき、光束Ｌの光路には冷却空気を供給しない。

【００５２】そして、露光処理が終了し、シャッターの
遮光状態保持の状態に際しては、シャッター１０は閉状
態すなわち遮光状態となるので、シャッター１０は特定
の１枚の遮光部片１０ａにのみ光があたることとなる。
この状態においては、冷却手段から供給される冷却空気
は、切換え弁３３の切換えにより、シャッター部２の空
間と小区画３０の両方に供給され、シャッター１０の全
体を冷却するようにする。

【００５３】本実施例においては、露光動作中は、小区
画３０内でのみ回転してくるシャッター１０の遮光部片
１０ａを冷却することにより、露光光の光路に冷却空気
を流さないので、光路上において空気の揺らぎが発生せ
ず、空気の揺らぎによる照度変化や照度むらを発生させ
ることがなく、さらに、小区画３０内でシャッター１０
の冷却を行うことにより、冷却空気の噴出し風量を大き
く減少させることができる。また、アイドリング等にお
けるシャッターの遮光状態保持の状態では、シャッター
１０の全体に対して冷却空気を供給するので、効率よく
シャッターの温度上昇を抑えることができる。

【００５４】次に、前述した半導体製造装置を利用する
半導体デバイスの生産システムについて説明する。本実
施例における半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体
チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイク
ロマシン等）の生産システムは、半導体製造工場に設置
された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あ
るいはソフトウェアの提供などの保守サービスを製造工
場外のコンピュータネットワークを利用して行うもので
ある。

【００５５】図７は、全体システムを示す概要図であ
り、図中、１０１は半導体デバイスの製造装置を提供す
るベンダー（装置供給メーカー）の事業所である。製造
装置の実例として、半導体製造工場で使用する各種プロ
セス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器（露光
装置、レジスト処理装置、熱処理装置、成膜装置等）や
後工程用機器（組立装置、検査装置等）を想定してい
る。事業所１０１内には、製造装置の保守データベース
を提供するホスト管理システム１０８、複数の操作端末
コンピュータ１１０、これらを結んでイントラネットを
構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１０９
を備える。ホスト管理システム１０８は、ＬＡＮ１０９
を事業所の外部ネットワークであるインターネット１０
５に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセ
スを制限するセキュリティ機能を備える。

【００５６】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザーとしての半導体製造メーカーの製造工場である。製
造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカーに属す
る工場であっても良いし、同一のメーカーに属する工場
（例えば、前工程用の工場と後工程用の工場等）であっ
ても良い。各工場１０２〜１０４内には、それぞれ、複
数の製造装置１０６と、それらを結んでイントラネット
を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１
１と、各製造装置１０６の稼働状況を監視する監視装置
としてホスト管理システム１０７とが設けられている。
各工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム
１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネット
ワークであるインターネット１０５に接続するためのゲ
ートウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１
からインターネット１０５を介してベンダー１０１側の
ホスト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホ
スト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限
られたユーザーだけがアクセスが許可となっている。具
体的には、インターネット１０５を介して、各製造装置
１０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラ
ブルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダー
側に通知する他、その通知に対応する応答情報（例え
ば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用
のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘ
ルプ情報などの保守情報をベンダー側から受け取ること
ができる。各工場１０２〜１０４とベンダー１０１との
間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデー
タ通信には、インターネットで一般的に使用されている
通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、
工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用
する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュ
リティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮ等）を利用
することもできる。また、ホスト管理システムはベンダ
ーが提供するものに限らずユーザーがデータベースを構
築して外部ネットワーク上に置き、ユーザーの複数の工
場から該データベースへのアクセスを許可するようにし
てもよい。

【００５７】また、図８は半導体デバイスの生産システ
ムの全体システムを図７とは別の角度から切り出して表
現した概要図である。前述した例では、それぞれが製造
装置を備えた複数のユーザー工場と該製造装置のベンダ
ーの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該
外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくと
も１台の製造装置の情報をデータ通信するものであった
が、本例は、複数のベンダーの製造装置を備えた工場と
該複数の製造装置のそれぞれのベンダーの管理システム
とを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置
の保守情報をデータ通信するものである。図中、２０１
は製造装置ユーザー（半導体デバイス製造メーカー）の
製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを
行う製造装置、ここでは例として露光装置２０２、レジ
スト処理装置２０３、成膜処理装置２０４が導入されて
いる。なお、図８では製造工場２０１は１つだけ描いて
いるが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化され
ている。工場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイ
ントラネットを構成し、ホスト管理システム２０５で製
造ラインの稼動管理がされている。一方、露光装置メー
カー２１０、レジスト処理装置メーカー２２０、成膜装
置メーカー２３０などベンダー（装置供給メーカー）の
各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行う
ためのホスト管理システム２１１、２２１、２３１を備
え、これらは前述したように保守データベースと外部ネ
ットワークのゲートウェイを備える。ユーザーの製造工
場内の各装置を管理するホスト管理システム２０５と各
装置のベンダーの管理システム２１１、２２１、２３１
とは、外部ネットワーク２００であるインターネットも
しくは専用線ネットワークによって接続されている。こ
のシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中
のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休
止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダーから
インターネット２００を介した遠隔保守を受けることで
迅速な対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑え
ることができる。

【００５８】半導体製造工場に設置された各製造装置
は、それぞれ、ディスプレイとネットワークインターフ
ェースと記憶装置にストアされたネットワークアクセス
用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実
行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メ
モリやハードディスク、あるいはネットワークファイル
サーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフ
トウェアは、専用または汎用のウェブブラウザを含み、
例えば図９に一例を示すような画面のユーザーインター
フェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装
置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造
装置の機種（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、
トラブルの発生日や件名（４０３）、トラブルの緊急度
（４０５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過
（４０８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入
力された情報は、インターネットを介して保守データベ
ースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守デー
タベースから返信されディスプレイ上に提示される。ま
た、ウェブブラウザが提供するユーザーインターフェー
スはさらに図示のごとくハイパーリンク機能（４１０〜
４１２）を実現し、オペレ−タは各項目の更に詳細な情
報にアクセスしたり、ベンダーが提供するソフトウェア
ライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソ
フトウェアを引き出したり、工場のオペレータの参考に
供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引き出したりするこ
とができる。

【００５９】次に、上記説明した生産システムを利用し
た半導体デバイスの製造プロセスを説明する。

【００６０】図１０は半導体デバイスの全体的な製造の
フローを示す。ステップＳ１１（回路設計）では半導体
デバイスのパターン設計を行う。ステップＳ１２（マス
ク製作）では設計したパターンを形成したマスクを製作
する。一方、ステップＳ１３（ウエハ製造）ではシリコ
ン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ１４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。ステップＳ１５（組立）
は後工程と呼ばれ、ステップＳ１４によって作製された
ウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージ
ング工程（チップ封入）等の組立工程を含む。ステップ
Ｓ１６（検査）ではステップＳ１５で作製された半導体
デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
を出荷（ステップＳ１７）する。前工程と後工程はそれ
ぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明
した遠隔保守システムによって保守がなされる。また、
前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットま
たは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守の
ための情報がデータ通信される。

【００６１】図１１は、上記ウエハプロセスの詳細なフ
ローを示す。ステップＳ２１（酸化）ではウエハの表面
を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤ）ではウエハ表
面に絶縁膜を成膜する。ステップＳ２３（電極形成）で
はウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ
２４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。
ステップＳ２５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を
塗布する。ステップＳ２６（露光）では露光装置によっ
てマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステ
ップＳ２７（現像）では露光したウエハを現像する。ス
テップＳ２８（エッチング）では現像したレジスト像以
外の部分を削り取る。ステップＳ２９（レジスト剥離）
ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウ
エハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用
する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって
保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐととも
に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従
来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることが
できる。

【００６２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光源ランプの入力電力を制御するランプ電源部と、光源
ランプからの光の遮光動作を行う遮光装置と、遮光装置
を包囲する空間を冷却する冷却機および送風機と、冷却
機および送風機をそれぞれ制御する制御部とを備えるこ
とにより、遮光装置が遮光状態の時には遮光装置全体を
冷却するように風量を増加させて遮光装置を包囲する空
間を冷却するように制御し、また、遮光装置が露光状態
すなわち投光の状態では、風量を少なくしまたは停止さ
せて、冷却することにより光路上の空気の揺らぎが発生
しないように制御する。さらに、遮光装置の遮光状態が
長時間に及ぶときには、遮光装置内に熱量として蓄積さ
れた熱も含めて冷却するように温度を制御して供給する
冷却空気の温度を下げ、蓄積された熱も含めて冷却する
ように制御することができ、さらに、ランプ光源への入
力電力データにより供給する空気の温度や風量をさらに
変化させることが可能となる。

【００６３】以上のように、遮光装置の状態、すなわ
ち、投光状態や遮光状態、遮光状態での経過時間、さら
には光源ランプへの入力電力の状態を基に、遮光装置を
包囲する空間の冷却を制御して行うことにより、半導体
製造装置の稼動状態、すなわち、露光中、遮光状態、遮
光状態の時間、または半導体製造装置の光源ランプの入
力電力により、冷却機や送風機等からなる冷却手段を制
御し、ケミカルフィルターを通過する冷却空気の使用量
を最小にし、高価なケミカルフィルターの交換頻度を下
げて、装置稼動率を上げかつ装置稼動コストを減少させ
ることが可能となり、さらに、冷却すべき遮光装置が光
路上に存在しない投光状態にあるときには、冷却空気の
風量を微小量に、あるいは、冷却空気のＯＮ／ＯＦＦを
制御し、光路上において空気の揺らぎの原因となるよう
な冷却を止め、空気の揺らぎによる短時間での照度変
化、さらには照度むらをなくし、照度変化や照度むらに
より不良素子の製造をなくすることを可能にする。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体製造装置の構成を示す概略図で
ある。

【図２】本発明の半導体製造装置における光源部および
シャッター部とシャッターの冷却制御系を図示する概略
構成図である。

【図３】（ａ）および（ｂ）は、シャッターの遮光状態
と投光状態をそれぞれ示す概略図である。

【図４】本発明の半導体製造装置の制御シーケンスを説
明する図であって、シャッターの開閉状態、光源ランプ
の入力電力、送風機の噴出し風量および冷却機の噴出し
温度の関係を示す概要図であり、（Ａ）はシャッターの
開閉状態、（Ｂ）は光源ランプの入力電力（Ｗ）、
（Ｃ）は送風機の噴出し風量（ｌ／ｓｅｃ）、（Ｄ）は
冷却機の噴出し温度（℃）の変化をそれぞれ時間との関
係で示す。

【図５】本発明の半導体製造装置におけるシャッター部
の他の構成を示す概略図である。

【図６】図５に図示するシャッター部におけるシャッタ
ーの一部を収容する小区画とシャッターの関係を示す概
略図である。

【図７】半導体デバイスの生産システムの全体概要図で
ある。

【図８】半導体デバイスの生産システムの他の形態を示
す全体概要図である。

【図９】トラブルデータベースの入力画面のユーザーイ
ンターフェースの一例を示す図である。

【図１０】半導体デバイスの製造プロセスを示すフロー
チャートである。

【図１１】ウエハプロセスを示すフローチャートであ
る。

【符号の説明】

１光源部２シャッター部３照明光学系４原版（レチクル）５原版ステージ６投影光学系７基板（ウエハ）８基板ステージ９光源ランプ９ａ楕円ミラー１０シャッター（遮光装置）１０ａ遮光部片１１シャッター駆動モーター１２モーター制御部（遮光装置制御部）１３ａ、１３ｂ配管１４冷却機１５送風機１６ケミカルフィルター１７冷却制御部１８送風制御部１９装置シーケンスコントロール部（装置制御部）２０ランプ電源部３０小区画３１供給配管３３切換え弁

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光源からの光の遮光動作を行う遮光装置
を備えた半導体製造装置において、該半導体製造装置の
稼動状態によって前記遮光装置の冷却を制御することを
特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】前記遮光装置の遮光状態や投光状態に応
じて、および／または、前記遮光装置の遮光状態保持時
間に応じて、前記遮光装置の冷却を制御することを特徴
とする請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】前記半導体製造装置の光源ランプへの入
力電力に応じて、および／または、光源ランプの輝度に
応じて、前記遮光装置の冷却を制御することを特徴とす
る請求項１または２記載の半導体製造装置。
【請求項４】前記遮光装置の冷却の制御は、該遮光装
置へ供給する冷却空気の温度および／または冷却空気の
風量を制御することにより行うことを特徴とする請求項
１ないし３のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項５】光源ランプと該光源ランプからの光の遮
光動作を行う遮光装置を備える半導体製造装置におい
て、前記光源ランプの入力電力を制御するランプ電源部
と、前記遮光装置の遮光と投光の状態を制御する遮光装
置制御部と、前記遮光装置を包囲する空間に温調された
空気を供給して前記遮光装置を冷却する冷却機および送
風機と、前記冷却機を制御する冷却制御部と、前記送風
機を制御する送風制御部と、半導体製造装置の稼動状態
に応じて前記冷却機および前記送風機を制御して前記遮
光装置の冷却を制御する装置制御部とを備えることを特
徴とする半導体製造装置。
【請求項６】前記装置制御部は、前記ランプ電源部お
よび／または前記遮光装置制御部からのデータを基に前
記遮光装置の冷却を制御することを特徴とする請求項５
記載の半導体製造装置。
【請求項７】前記光源ランプの輝度を検出するセンサ
ーを設け、該センサーの検出結果に基づいて前記遮光装
置の冷却を制御することを特徴とする請求項５または６
記載の半導体製造装置。
【請求項８】前記送風機はケミカルフィルターを介し
て取り入れた空気を送風するように構成され、その送風
量は前記装置制御部により前記送風制御部を介して制御
されることを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１
項に記載の半導体製造装置。
【請求項９】前記冷却機は前記装置制御部により前記
冷却制御部を介して前記遮光装置を冷却するための空気
を所望の温度に設定するように構成されていることを特
徴とする請求項５ないし８のいずれか１項に記載の半導
体製造装置。
【請求項１０】前記遮光装置の一部を収容する小区画
を形成し、前記遮光装置が投光と遮光を繰り返す動作を
行っている際に、前記小区画内でのみ前記遮光装置の一
部を冷却することを特徴とする請求項５ないし９のいず
れか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項１１】前記遮光装置は回転体または直線移動
体で形成されていることを特徴とする請求項１ないし１
０のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項１２】請求項１ないし１１のいずれか１項に
記載の半導体製造装置において、ディスプレイと、ネッ
トワークインターフェイスと、ネットワークアクセス用
ソフトウェアを実行するコンピュータとをさらに有し、
半導体製造装置の保守情報をコンピュータネットワーク
を介してデータ通信することを可能にした半導体製造装
置。
【請求項１３】前記ネットワークアクセス用ソフトウ
ェアは、前記半導体製造装置のベンダーもしくはユーザ
ーが提供する保守データベースにアクセスするためのユ
ーザーインターフェースを前記ディスプレイ上に提供
し、前記コンピュータネットワークに接続されたインタ
ーネットまたは専用線ネットワークを介して該データベ
ースから情報を得ることを可能にする請求項１２記載の
半導体製造装置。
【請求項１４】請求項１ないし１３のいずれか１項に
記載の半導体製造装置を含む各種プロセス用の製造装置
群を半導体製造工場に設置するステップと、前記製造装
置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを
製造するステップとを有することを特徴とする半導体デ
バイス製造方法。
【請求項１５】前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続するステップと、前記ローカルエリアネ
ットワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワーク
であるインターネットまたは専用線ネットワークとの間
で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデ
ータ通信するステップとをさらに有することを特徴とす
る請求項１４記載の半導体デバイス製造方法。
【請求項１６】前記データ通信によって、半導体デバ
イスの製造者または前記半導体製造装置の供給者が提供
するデータベースに前記外部ネットワークを介してアク
セスして前記製造装置の保守情報を得、あるいは前記半
導体製造工場とは別の半導体製造工場との間で前記外部
ネットワークを介してデータ通信して生産管理を行うこ
とを特徴とする請求項１４または１５記載の半導体デバ
イス製造方法。