JP2001345392A - Solid state image pickup device and its manufacturing method - Google Patents

Solid state image pickup device and its manufacturing method

Info

Publication number
JP2001345392A
JP2001345392A JP2001093167A JP2001093167A JP2001345392A JP 2001345392 A JP2001345392 A JP 2001345392A JP 2001093167 A JP2001093167 A JP 2001093167A JP 2001093167 A JP2001093167 A JP 2001093167A JP 2001345392 A JP2001345392 A JP 2001345392A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
imaging device
state imaging
lead wire
container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001093167A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takanao Suzuki
孝尚 鈴木
Bunichi Harazono
文一 原園
Tamotsu Uchida
保 内田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2001093167A priority Critical patent/JP2001345392A/en
Publication of JP2001345392A publication Critical patent/JP2001345392A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a compact, general use, low-cost solid stage image pickup device a suitable to both mass production and many-kind small-lot production system which allows the spatial distance between the light transmitting plate inside and the light receiving surface of the image pickup device to be set as desired according to the shape of a mounting apparatus. SOLUTION: Leads 12 supplied from a TAB film are connected to a solid state image pickup element 11. A flange 14a of a package 14 shaped like a frame for housing the image pickup element 11 is inserted between the image pickup element 11 and an optical glass 13 facing a light receiving surface 11a of the element 11 and bonded thereto.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置およ
びその作製方法にする。The present invention relates to a solid-state imaging device and a method for manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来より、固体撮像素子の受光面の電極
にリード線を接続して、受けた光を光電変換した電気信
号を取り出して被写体の映像を撮影する固体撮像装置が
知られており、この固体撮像装置は、固体撮像素子の受
光面に対面するように透光板を配置して保護するように
組立作製されている。2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a solid-state image pickup apparatus in which a lead wire is connected to an electrode on a light receiving surface of a solid-state image pickup device, an electric signal obtained by photoelectrically converting received light is taken out, and an image of a subject is taken. The solid-state imaging device is assembled and manufactured so that a light-transmitting plate is disposed so as to face the light-receiving surface of the solid-state imaging device and is protected.

【０００３】この種の固体撮像装置としては、図２３お
よび図２４に示すような構造を有するものがあり、この
固体撮像装置１００は、固体撮像素子（ＣＣＤ）１０１
の受光面１０１ａから引き出して外周に配設された電極
パッド１０１ｂにリード線１０２の先端部（所謂、内部
リード端子）を接続するとともに、そのリード線１０２
の後端部（所謂、外部リード端子）を固体撮像素子１０
１の受光面１０１ａの背面側から引出可能な状態にされ
ており、この固体撮像素子１０１は、受光面１０１ａを
保護する光学ガラス（透光板）１０３と共に、金属から
なる薄肉の収容容器１０４内に全体を収めて封止材１０
５により充填密封することにより組立作製されている。As this type of solid-state imaging device, there is one having a structure as shown in FIGS. 23 and 24. The solid-state imaging device 100 includes a solid-state imaging device (CCD) 101.
Of the lead wire 102 (so-called internal lead terminal) is connected to an electrode pad 101b which is drawn out from the light receiving surface 101a of the lead wire 102 and disposed on the outer periphery thereof.
Of the solid-state image sensor 10
The light receiving surface 101a of the solid state imaging device 101 can be pulled out from the back side of the light receiving surface 101a. Encapsulating material 10
5 is assembled and manufactured by filling and sealing.

【０００４】リード線１０２は、固体撮像素子１０１の
複数の電極パッド１０１ｂに先端部をバンプ１０６を介
して圧接された状態で超音波熱圧着などの接合方法によ
り電気的・機械的に接続されており、このリード線１０
２の先端部は、その固体撮像素子１０１の周縁から側面
に至るように（後端部が受光面１０１ａの背面側に延長
されるように）外周角部の近傍でほぼ直角に曲げられて
いる。The lead wire 102 is electrically and mechanically connected to the plurality of electrode pads 101b of the solid-state image pickup device 101 by a bonding method such as ultrasonic thermocompression bonding while the tip portions are pressed against each other via the bumps 106. And this lead wire 10
The front end portion 2 is bent at a substantially right angle in the vicinity of the outer peripheral corner portion so as to extend from the peripheral edge to the side surface of the solid-state imaging device 101 (so that the rear end portion extends to the back side of the light receiving surface 101a). .

【０００５】光学ガラス１０３は、固体撮像素子１０１
の外形と略同等のサイズに設定されており、リード線１
０２の先端部（上面）に載置されて、対面する受光面１
０１ａを中心で覆うように位置決めされている。この光
学ガラス１０３は、受光面１０１ａを囲うように受光面
１０１ａの周縁に塗布された接着剤１０７によりリード
線１０２の先端部と共に固体撮像素子１０１に接合固定
されており、その受光面１０１ａとの間に空間距離とし
て０．１ｍｍ前後に設定された密閉空間１０８を形成す
るとともに、固体撮像素子１０１の受光面１０１ａ上の
集光用のオンチップレンズ（不図示）の効果を引き出し
ている。[0005] The optical glass 103 is a solid-state image sensor 101.
The size of the lead wire is approximately the same as
02, which is placed on the front end (upper surface) of the light-receiving surface 2
01a is positioned so as to cover it at the center. The optical glass 103 is fixedly bonded to the solid-state imaging device 101 together with the tip of the lead wire 102 by an adhesive 107 applied to the periphery of the light receiving surface 101a so as to surround the light receiving surface 101a. A sealed space 108 having a space distance of about 0.1 mm is formed therebetween, and the effect of an on-chip lens (not shown) for condensing light on the light receiving surface 101a of the solid-state imaging device 101 is brought out.

【０００６】このように固体撮像装置１００は、固体撮
像素子１０１と光学ガラス１０３とをリード線１０２の
先端部を介して積層する構造を採用し、これらを収容容
器１０４内に収容封止して作製されている。この固体撮
像装置１００は、電極パッド１０１ｂに接続したリード
線１０２を固体撮像素子１０１の周縁近くで折り曲げて
側面近傍に沿わせることにより受光面１０１ａの背面側
から外部に引き出して径方向を縮小した構造体とし、内
視鏡などのように制御部と分離したカメラヘッド分離型
のビデオカメラ等に用いられている。As described above, the solid-state imaging device 100 adopts a structure in which the solid-state imaging element 101 and the optical glass 103 are laminated via the tip of the lead wire 102, and these are housed and sealed in the housing 104. Have been made. In this solid-state imaging device 100, the lead wire 102 connected to the electrode pad 101 b is bent near the periphery of the solid-state imaging device 101 and along the vicinity of the side surface, thereby being drawn out from the back side of the light receiving surface 101 a to reduce the radial direction. It has a structure and is used for a video camera of a camera head separated type separated from a control unit such as an endoscope.

【０００７】そして、リード線１０２は、固体撮像素子
１０１にリードフレーム方式またはフィルムキャリア方
式のいずれかにより接続するのが一般的である。なお、
図中、絶縁板１０９は、そのリード線１０２に固着（粘
着や接合）されている。The lead wire 102 is generally connected to the solid-state imaging device 101 by either a lead frame method or a film carrier method. In addition,
In the figure, an insulating plate 109 is fixed (adhesive or bonded) to the lead wire 102.

【０００８】ここで、固体撮像素子１０１は、シリコン
基板から作製されるが、そのシリコン基板自体に電位が
あり、リード線１０２と接触すると短絡して誤動作して
しまう。特に、この固体撮像素子１０１の受光面１０１
ａ側の周縁から側面に至る外周角部はリード線１０２と
接触し易い部位であることから、固体撮像素子１０１へ
のリード線１０２の接続には次のような工夫がなされて
いる。Here, the solid-state imaging device 101 is manufactured from a silicon substrate, but the silicon substrate itself has a potential, and if it contacts the lead wire 102, it will short-circuit and malfunction. In particular, the light receiving surface 101 of the solid-state imaging device 101
Since the outer peripheral corner from the peripheral edge on the side a to the side surface is a portion that is easily contacted with the lead wire 102, the following contrivance has been made in connecting the lead wire 102 to the solid-state imaging device 101.

【０００９】まず、リード線１０２をリードフレーム方
式により供給するときには、そのリード線１０２は、例
えば、鉄ニッケル系の合金で、厚さが約１５０μｍ程度
もあることから剛質である。このため、リード線１０２
をバンプ１０６に接合した後に曲げようとすると、自身
の曲げ応力により電極パッド１０１ｂや、バンプ１０６
とリード線１０２との接合部が破壊してしまうととも
に、仮に、うまく曲げることができたとして、図２５に
示すように、固体撮像素子１０１の外周角部にリード線
１０２が接触してしまう。First, when the lead wire 102 is supplied by a lead frame method, the lead wire 102 is made of, for example, an iron-nickel alloy and is rigid because it has a thickness of about 150 μm. Therefore, the lead wire 102
Is bent after being bonded to the bump 106, the electrode pad 101b or the bump 106
The joint between the lead wire 102 and the lead wire 102 is broken, and the lead wire 102 comes into contact with the outer peripheral corner of the solid-state imaging device 101 as shown in FIG.

【００１０】このことから、リード線１０２の先端部を
ほぼ直角に曲げたものを用意することにより、これを図
２６（ａ）に示すように固体撮像素子１０１の側面に沿
うように案内して位置決めし、図２６（ｂ）に示すよう
にその先端部がバンプ１０６に圧接する状態とした後
に、超音波熱圧着などにより電気的・機械的に接続する
ことができる。この工程により、リード線１０２の接続
後の曲げ工程を省略することができ、接続状態の品質を
確保すると共に固体撮像素子１０１の外周角部との短絡
を防止することができるようにしている。[0010] From this, by preparing a lead wire 102 whose distal end is bent at a substantially right angle, it is guided along the side surface of the solid-state imaging device 101 as shown in FIG. After being positioned and brought into a state in which the tip portion is pressed against the bump 106 as shown in FIG. 26 (b), it can be electrically and mechanically connected by ultrasonic thermocompression bonding or the like. By this step, the bending step after the connection of the lead wire 102 can be omitted, the quality of the connection state can be ensured, and a short circuit with the outer peripheral corner of the solid-state imaging device 101 can be prevented.

【００１１】一方、リード線１０２をフィルムキャリア
方式により供給するときには、リード線１０２は、絶縁
フィルム（絶縁板）１０９上に形成する銅箔により作製
するため、その厚みが約３０μmで軟質で柔軟であるこ
とから、リードフレーム方式の場合のように予め先端部
を曲げておく必要はなく、固体撮像素子１０１に接続し
た後に折り曲げればよい。On the other hand, when the lead wire 102 is supplied by a film carrier method, the lead wire 102 is made of a copper foil formed on an insulating film (insulating plate) 109. For this reason, it is not necessary to bend the front end portion in advance as in the case of the lead frame method, but it is sufficient to bend after connecting to the solid-state imaging device 101.

【００１２】具体的には、図２７の工程図（ａ）〜
（ｄ）に示すように、リード線１０２は、フィルムキャ
リアのまま（直線状態のまま）固体撮像素子１０１の電
極パッド１０１ｂ上に形成したバンプ１０６に接続され
て（ａ）、固体撮像素子１０１の受光面１０１ａの周囲
と共に接着剤１０７を塗布された後に（ｂ）、図２８に
示すように、その上に光学ガラス１０３が載置されるこ
とにより、リード線１０２の先端部を挟む状態で固体撮
像素子１０１と光学ガラス１０３の間を接着剤１０７が
隙間なく行き渡って密着固着させることができ（ｃ）、
この後に、光学ガラス１０３の周縁まで固着されている
リード線１０２を固体撮像素子１０１の側面近傍を沿う
ようにほぼ直角に曲げて（ｄ）、作製するようになって
いる。More specifically, FIGS.
As shown in (d), the lead wire 102 is connected to the bump 106 formed on the electrode pad 101b of the solid-state imaging device 101 as a film carrier (in a linear state) (a). After the adhesive 107 is applied together with the periphery of the light receiving surface 101a (FIG. 28B), as shown in FIG. 28, the optical glass 103 is mounted on the adhesive 107 so as to sandwich the leading end of the lead wire 102 in a solid state. The adhesive 107 can be spread and tightly fixed between the image sensor 101 and the optical glass 103 without any gap (c).
Thereafter, the lead wire 102 fixed to the peripheral edge of the optical glass 103 is bent at a substantially right angle along the vicinity of the side surface of the solid-state imaging device 101 (d) to manufacture.

【００１３】また、リード線１０２をフィルムキャリア
方式により供給する場合には、上述した固体撮像装置１
００のように光学ガラス１０３をリード線１０２の先端
部上に直接載置するのではなく、固体撮像素子１０１に
接続するリード線１０２の先端部を保持する絶縁フィル
ム（絶縁板）を介して光学ガラス１０３を固着させるよ
うにしてもよい。When the lead wires 102 are supplied by a film carrier method, the solid-state imaging device 1 described above is used.
Instead of placing the optical glass 103 directly on the tip of the lead wire 102 as in the case of 00, the optical glass 103 is optically placed via an insulating film (insulating plate) that holds the tip of the lead wire 102 connected to the solid-state imaging device 101. The glass 103 may be fixed.

【００１４】具体的には、図２９、図３０に示すよう
に、固体撮像素子１０１の受光面１０１ａが露出するよ
うに開口するとともに外周を固体撮像素子１０１の外形
とほぼ同等サイズに形成した額縁状の絶縁フィルム（絶
縁板）１１９にリード線１０２の先端部を保持させたフ
ィルムキャリアを準備して、固体撮像素子１０１の電極
パッド１０１ｂにリード線１０２の先端部を接続した後
に、そのリード線１０２を保持する絶縁フィルム１１９
の上に光学ガラス１０３を載置して固体撮像素子１０１
に接合するように固体撮像装置２００を構成してもよ
い。More specifically, as shown in FIGS. 29 and 30, a frame having an opening so that the light receiving surface 101a of the solid-state imaging device 101 is exposed and having an outer periphery formed to have substantially the same size as the outer shape of the solid-state imaging device 101. A film carrier in which the tip of the lead wire 102 is held on an insulative insulating film (insulating plate) 119 is prepared, and after the tip of the lead wire 102 is connected to the electrode pad 101b of the solid-state imaging device 101, the lead wire is connected. Insulating film 119 holding 102
The optical glass 103 is placed on the
The solid-state imaging device 200 may be configured to be joined to the solid-state imaging device.

【００１５】この固体撮像装置２００は、このように光
学ガラス１０３とリード線１０２との間に絶縁フィルム
（絶縁板）１１９を介在させることにより、固体撮像素
子１０１の受光面１０１ａと光学ガラス１０３内面まで
の空間１１８の間隔を、上述の固体撮像装置１００の場
合の約０．１ｍｍよりも広い０．２ｍｍ前後に設定する
ことができるとともに、光学ガラス１０３周縁より外方
までリード線１０２の固着位置を持ち出して固体撮像素
子１０１の側面近傍を沿うようにリード線１０２を折り
曲げることができる。In the solid-state imaging device 200, by interposing the insulating film (insulating plate) 119 between the optical glass 103 and the lead wire 102, the light receiving surface 101a of the solid-state imaging device 101 and the inner surface of the optical glass 103 are provided. Can be set to about 0.2 mm, which is wider than about 0.1 mm in the case of the solid-state imaging device 100 described above, and the position where the lead wire 102 is fixed to the outside of the periphery of the optical glass 103. And the lead wire 102 can be bent along the vicinity of the side surface of the solid-state imaging device 101.

【００１６】なお、この固体撮像装置２００は、絶縁フ
ィルム１１９に形成したリード線１０２の先端部にも、
電極パッド（不図示）を形成して、固体撮像素子１０１
の電極パッド１０１ｂ上に形成したボールバンプ１０６
に接続するようになっており、絶縁フィルム１１９は、
一般的な接着剤１１７により光学ガラス１０３と接着接
合した後に、固体撮像素子１０１およびリード線１０２
を接続するので、例えば、エポキシ樹脂内に直径１〜１
０μｍの金粒子を分散させた所謂、異方性導電材料（導
電接着材）１２０を用いて、その金粒子により確実に導
通を得るとともに空間１１８を密閉状態に封止するよう
になっている。The solid-state imaging device 200 also includes a lead wire 102 formed on the insulating film 119 at the tip thereof.
An electrode pad (not shown) is formed, and the solid-state imaging device 101 is formed.
Ball bump 106 formed on the electrode pad 101b of FIG.
Is connected to the insulating film 119.
After being adhesively bonded to the optical glass 103 with a general adhesive 117, the solid-state imaging device 101 and the lead wires 102
Are connected, for example, a diameter of 1-1 in an epoxy resin.
By using a so-called anisotropic conductive material (conductive adhesive) 120 in which gold particles of 0 μm are dispersed, conduction is reliably obtained by the gold particles and the space 118 is sealed in a closed state.

【００１７】[0017]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の固体撮像装置においては、固体撮像素子１０
１の受光面１１ａと光学ガラス１０３内面との空間距離
が約０．１ｍｍと狭く、この間に絶縁フィルム１１９を
介在させるにしても、約０．２ｍｍ程度しかならない。
このような構成では、受光面１０１ａに近接する光学ガ
ラスに、撮像光を透過しない異物や傷などの不透過な欠
陥があると、その受光面１０１ａから欠陥までの距離が
短ければ短いほど、固体撮像素子１０１の特性から、撮
像画像に顕著に映し出されて画像欠陥となってしまうた
め、光学ガラス１０３の制作工程や組立工程における光
学的欠陥の品質管理を厳しくしなければならず、結果と
して、歩留まりが低下し、高価なものになってしまうと
いう問題があった。However, in such a conventional solid-state imaging device, the solid-state imaging device 10
The spatial distance between the first light receiving surface 11a and the inner surface of the optical glass 103 is as narrow as about 0.1 mm, and even if the insulating film 119 is interposed therebetween, it is only about 0.2 mm.
In such a configuration, if the optical glass close to the light receiving surface 101a has an opaque defect such as a foreign matter or a scratch that does not transmit the imaging light, the shorter the distance from the light receiving surface 101a to the defect, the more solid Because of the characteristics of the image sensor 101, the image is remarkably reflected in the captured image and becomes an image defect. Therefore, the quality control of the optical defect in the production process and the assembly process of the optical glass 103 must be strict, and as a result, There has been a problem that the yield is reduced and the product becomes expensive.

【００１８】また、封止性が要求される場合には、収容
容器１０４内に全体を収めて、封止材１０５により密封
するが、このような構成では、部品点数の増加、また、
封止材を大量に使用することによる材料費のコストアッ
プを招くばかりではなく、製造工程が複雑化し、高価な
ものになってしまうという問題があった。When the sealing property is required, the entirety is housed in the container 104 and sealed with the sealing material 105. In such a configuration, the number of parts is increased, and
The use of a large amount of sealing material not only increases the material cost, but also complicates the manufacturing process and raises the cost.

【００１９】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたもので、封止性を低下させることなく、コ
ストダウンを図った固体撮換装置を提供することを目的
とする。The present invention has been made in order to solve such problems, and an object of the present invention is to provide a solid-state image pickup device that can reduce the cost without lowering the sealing performance.

【００２０】[0020]

【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置
は、固体撮像素子の受光面に対向するように透光板を配
置するとともに、前記受光面側に設けられた電極に光電
変換された電気信号を取り出すリード線を接続した固体
撮像装置であって、前記固体撮像素子、及び前記リード
線の一部を収納する筒状部と、前記筒状部の一端開口に
連接され、前記固体撮像素子の受光面と前記透光板との
間に配置されて、前記固体撮像素子の受光面と前記透光
板とを離間する端面部とを有する収容容器と、前記収容
容器の内部に充填され、前記固体撮像素子、及び前記リ
ード線の一部を封止する封止材と、を備える構成を有し
ている。In the solid-state imaging device according to the present invention, a light-transmitting plate is arranged so as to face a light-receiving surface of the solid-state imaging device, and photoelectric conversion is performed on an electrode provided on the light-receiving surface side. A solid-state imaging device to which a lead wire for extracting an electric signal is connected, wherein the solid-state imaging device is connected to a cylindrical portion that houses a part of the lead wire, and the solid-state imaging device is connected to one end opening of the cylindrical portion. A container disposed between the light receiving surface of the element and the light transmitting plate, the container having a light receiving surface of the solid-state imaging device and an end surface portion separating the light transmitting plate, and filled in the container. , The solid-state imaging device, and a sealing material for sealing a part of the lead wire.

【００２１】本発明の固体撮像装置の作製方法は、上記
固体撮像装置の作製方法であって、前記リード線の先端
部を前記固体撮像素子の電極に接続する接続工程と、前
記収容容器と前記透光板の位置関係を位置決めする第１
位置決め工程と、前記リード線を接続された前記固体撮
像素子と前記収容容器との位置関係を位置決めする第２
位置決め工程と、前記収容容器と前記透光板とを位置決
めされた位置関係に接合固定する第１接合工程と、前記
固体撮像素子と前記収容容器とを位置決めされた位置関
係に接合固定する第２接合工程と、を備え、前記第１、
第２接合工程を、同時に、または、前記第１、第２接合
工程の順に、あるいは、前記第２、第１接合工程の順に
行う構成を有している。The method for manufacturing a solid-state imaging device according to the present invention is the method for manufacturing a solid-state imaging device described above, wherein a connecting step of connecting a tip end of the lead wire to an electrode of the solid-state imaging device; The first for positioning the positional relationship of the light transmitting plate
A positioning step, and a second step of positioning a positional relationship between the solid-state imaging device to which the lead wire is connected and the storage container.
A positioning step, a first joining step of joining and fixing the housing container and the light-transmitting plate in a positioned positional relationship, and a second joining and fixing of the solid-state imaging device and the housing container in a positioned positional relationship. A bonding step, wherein the first,
The second bonding step is performed simultaneously, or in the order of the first and second bonding steps, or in the order of the second and first bonding steps.

【００２２】この構成により、収容容器を介在させて固
体撮像素子と透光板とを接合することができ、その収容
容器の厚さ分だけ、固体撮像素子の受光面と透光板の内
面との間の間隔を広く設定することができる。したがっ
て、撮像映像に影響しない光学的欠陥の大きさの許容範
囲を大きくすることができ、品質管理の緩和や歩留まり
の向上を実現して安価な固体撮像装置を提供することが
できる。According to this configuration, the solid-state imaging device and the light-transmitting plate can be joined to each other with the housing container interposed therebetween, and the light-receiving surface of the solid-state imaging device and the inner surface of the light-transmitting plate by the thickness of the housing container. Can be set wider. Therefore, the allowable range of the size of the optical defect that does not affect the captured image can be increased, and quality control can be eased and the yield can be improved, so that an inexpensive solid-state imaging device can be provided.

【００２３】ここで、前記収容容器は、前記固体撮像素
子および前記透光板の対向面に直接接触して位置決めす
る構成とし、また、前記第２位置決め工程においては、
前記固体撮像素子を保持して予め設定されている上方の
位置で前記収容容器に対面する状態にした後に、前記固
体撮像素子の保持を解除して、前記固体撮像素子の対向
面に前記収容容器を直接接触させることにより、前記透
光板を前記収容容器に接合したときに前記透光板と前記
固体撮像素子との間隔が前記収容容器の厚さに応じた距
離になるように、位置決めすることを構成とすることに
より、収容容器の厚さにより固体撮像素子と透光板との
相対的な位置関係を容易に位置決めすることができ、こ
れらの間の間隔を収容容器の作製精度に設定することが
できる。Here, the container is configured to be positioned by directly contacting the opposing surfaces of the solid-state imaging device and the light transmitting plate, and in the second positioning step,
After holding the solid-state imaging device and facing the storage container at a preset upper position, the holding of the solid-state imaging device is released, and the storage container is disposed on the opposite surface of the solid-state imaging device. Are brought into direct contact with each other, so that when the light-transmitting plate is joined to the housing container, the distance between the light-transmitting plate and the solid-state imaging device is set to a distance corresponding to the thickness of the housing container. With this configuration, the relative positional relationship between the solid-state imaging device and the light-transmitting plate can be easily determined based on the thickness of the storage container, and the interval between them can be set to the manufacturing accuracy of the storage container. can do.

【００２４】また、前記収容容器は、量産および少量生
産でも安価に作製可能に、金型成形あるいは切削加工の
可能な、金属などの導電性材料や、有機材料などにより
作製するのが好適であり、導電性材料を採用する場合に
は、固体撮像素子などとの導通を回避するように、少な
くとも固体撮像素子との接合面に絶縁性を持たせたり、
また、そのまま絶縁性材料により作製するのが適当であ
る。この場合には、アースとすることができるように、
導電性材料により作製するときには全体に絶縁性を持た
せるのではなく一部を露出させたり、絶縁性材料により
作製する場合には外部に露出する外面に金属めっきを形
成するのが便利である。It is preferable that the container is made of a conductive material such as a metal or an organic material which can be molded or cut so that it can be manufactured inexpensively even in mass production or small quantity production. If a conductive material is used, at least a bonding surface with the solid-state imaging device has an insulating property so as to avoid conduction with the solid-state imaging device,
Further, it is appropriate to produce the insulating material as it is. In this case, so that it can be grounded,
When it is made of a conductive material, it is convenient to expose a part thereof instead of imparting insulation to the whole, and when it is made of an insulating material, it is convenient to form metal plating on the outer surface exposed to the outside.

【００２５】この収容容器は、透光板と熱膨張係数の近
い材質を選択して作製するのが、温度変化により封止機
能が損なわれるのを未然に防止することができて好まし
く、また、その透光板としては、光学ガラスあるいは光
学フィルタを採用するのが好ましい。It is preferable that the container is made of a material having a thermal expansion coefficient close to that of the light-transmitting plate, because it is possible to prevent the sealing function from being impaired due to a temperature change. It is preferable to employ an optical glass or an optical filter as the light transmitting plate.

【００２６】さらに、収容容器は、固体撮像素子の電極
に接続するリード線の先端部の接続状態などを視認（確
認）可能に内方に位置させる枠形状に形成するのが好ま
しく、この場合には、リード線を固体撮像素子の側面近
傍に沿うように折り曲げて受光面の背面側から外部に引
き出すことができるように、また固体撮像素子を密閉す
る状態で封止可能に、その固体撮像素子の側面部を覆う
枠形状にするとともに、その固体撮像素子と直接接触す
る部位およびそのリード線を非接触に通過させる空間を
形成するのが好ましい。Further, it is preferable that the receiving container is formed in a frame shape in which the connection state and the like of the leading end of the lead wire connected to the electrode of the solid-state imaging device can be visually (confirmed) positioned inside. The solid-state imaging device is configured such that a lead wire is bent along the vicinity of the side surface of the solid-state imaging device and can be drawn out from the back side of the light-receiving surface, and can be sealed in a state where the solid-state imaging device is sealed. It is preferable to form a frame that covers the side surface of the solid-state imaging device, and to form a portion that directly contacts the solid-state imaging device and a space through which the lead wire passes without contact.

【００２７】そして、前記接続工程および前記折曲工程
においては、前記リード線は、ＴＡＢ（Tape Automated
Bonding）フィルム上に形成されたものを供給して、固
体撮像素子の側面近傍に沿うように折り曲げるのが簡易
で好適であり、このＴＡＢフィルムとしては、リード線
間の間隔を保持する保持部がリード線を折り曲げられた
ときに固体撮像素子の側面よりも背面側に位置して外部
に露出するように設定するのが好ましく、このリード線
は外方に位置する収容容器の固体撮像素子の受光面と平
行となるように再度折り曲げて、薄型構造に組み立てる
こともできる。In the connecting step and the bending step, the lead wire is connected to a TAB (Tape Automated).
Bonding) It is easy and preferable to supply the film formed on the film and bend it along the vicinity of the side surface of the solid-state imaging device. As the TAB film, a holding portion for holding the interval between the lead wires is preferable. When the lead wire is bent, it is preferable that the lead wire is located on the back side of the side surface of the solid-state imaging device and is exposed to the outside. It can be folded again so as to be parallel to the surface and assembled into a thin structure.

【００２８】また、本発明の固体撮像装置としては、上
記構成と相まって上記課題を解決するように、リード線
は、固体撮像素子の一面側から側面に至る角部（以下、
外周角部ともいう）に対応する位置で折り曲げられた折
曲部を有し、この折曲部は、固体撮像素子の一面側から
離隔する方向に湾曲する湾曲形状に形成するとともに、
その側面の近傍に沿う方向にリード線を延長するの好適
である。この固体撮像装置を作製する場合には、例え
ば、前記固体撮像素子を第１保持手段で保持した後に、
前記固体撮像素子の電極に接続された前記リード線を前
記固体撮像素子の側面近傍に沿うように屈曲させ、次い
で、前記リード線の後端側を第２保持手段で保持して、
この後に、前記第１、第２保持手段を互いに近接する方
向に相対移動させることにより、前記リード線の折曲部
および湾曲部を形成する折曲工程と湾曲工程とを採用す
ることが好適である。また、この方式は、前記固体撮像
素子の電極と前記リード線の先端部の接続強度として規
定の強度を満たさないものが混入した場合、前記湾曲工
程で発生するリード線の湾曲応力を利用し、前記接合部
が破断する設定を前記リード線の形状、あるいは前記湾
曲工程の湾曲条件に任意に仕込むことができるため、前
記湾曲作業自体が前記接合部の品質評価を兼ねるといっ
た利点を有する。In the solid-state imaging device according to the present invention, the lead wire is provided at a corner (hereinafter, referred to as one side) from one surface side to the side surface of the solid-state imaging device so as to solve the above-mentioned problem.
(Also referred to as an outer peripheral corner)), and has a bent portion that is bent in a direction away from one surface side of the solid-state imaging device.
It is preferable to extend the lead wire in a direction along the vicinity of the side surface. When manufacturing this solid-state imaging device, for example, after holding the solid-state imaging device with a first holding unit,
The lead wire connected to the electrode of the solid-state imaging device is bent along the vicinity of the side surface of the solid-state imaging device, and then the rear end side of the lead wire is held by a second holding unit,
Thereafter, it is preferable to adopt a bending step and a bending step of forming a bent portion and a bent portion of the lead wire by relatively moving the first and second holding means in directions approaching each other. is there. In addition, this method uses the bending stress of the lead wire generated in the bending step when the connection strength between the electrode of the solid-state imaging device and the distal end of the lead wire does not satisfy a specified strength. Since the setting at which the joint is broken can be arbitrarily set in the shape of the lead wire or the bending condition in the bending step, there is an advantage that the bending operation itself also serves as the quality evaluation of the joint.

【００２９】または、固体撮像素子の一面側の周縁部に
絶縁体を配置し、固体撮像素子の外周角部に対応する位
置で折り曲げられたリード線の折曲部と固体撮像素子の
周縁部との間に絶縁体を介在させた構成としたり、ま
た、リード線は、固体撮像素子の外周角部に対応する位
置に他よりも強度を弱くした折曲部を形成し、この折曲
部としては、他よりも幅狭にして強度を弱く形成するな
どして固体撮像素子の一面および側面の近傍で非接触に
沿うように折れ曲がる構成とするのも好ましい。Alternatively, an insulator is arranged on the peripheral portion on one surface side of the solid-state imaging device, and the bent portion of the lead wire bent at a position corresponding to the outer peripheral corner of the solid-state imaging device and the peripheral portion of the solid-state imaging device Or, with a configuration in which an insulator is interposed between the lead wires, the lead wire forms a bent portion with weaker strength than the other at a position corresponding to the outer peripheral corner of the solid-state imaging device, and as this bent portion It is also preferable to be configured to bend so as to be non-contact in the vicinity of one surface and one side surface of the solid-state imaging device, for example, by making the width narrower than the others so as to be weaker.

【００３０】これらのいずれかを採用することにより、
固体撮像素子の外周角部に対応する位置のリード線の折
曲部が、例えば、固体撮像素子とリード線とを相対移動
させるだけで湾曲形状に容易に加工されることにより、
または、固体撮像素子の周縁部に配置された絶縁体を介
在されることにより、あるいは、他よりも強度を弱くし
て優先的に折れ曲がることにより、その外周角部に極端
に近接することなく、固体撮像素子の側面近傍に沿う方
向にリード線を延長させることができ、電極以外で接触
しての短絡を発生させることがなく、リード線の先端部
を単独で固体撮像素子の電極に接続することができる。
したがって、リード線の設計上の自由度を向上させるこ
とができ、このため、光学ガラス内面と固体撮像素子の
受光面との間の任意の空間距離を設定する収容容器を採
用する場合には、その収容容器も自由に設計することが
でき、小型で信頼性の高い安価な固体撮像装置を提供す
ることができる。By adopting any of these,
The bent portion of the lead wire at a position corresponding to the outer peripheral corner of the solid-state imaging device is, for example, easily processed into a curved shape simply by relatively moving the solid-state imaging device and the lead wire,
Or, by interposing an insulator disposed at the peripheral edge of the solid-state imaging device, or by bending preferentially with weaker strength than others, without extremely approaching the outer peripheral corner, The lead wire can be extended in the direction along the vicinity of the side surface of the solid-state imaging device, and the leading end of the lead wire is independently connected to the electrode of the solid-state imaging device without causing a short circuit due to contact other than the electrode. be able to.
Therefore, it is possible to improve the degree of freedom in designing the lead wire.For this reason, when adopting a container that sets an arbitrary spatial distance between the inner surface of the optical glass and the light receiving surface of the solid-state imaging device, The container can also be designed freely, and a small, highly reliable and inexpensive solid-state imaging device can be provided.

【００３１】また、接続工程では、固体撮像素子の電極
に接続するためのバンプ（Bump）を先端部に予め形成さ
れているリード線を準備してもよく、また、リード線の
先端部に接続するためのバンプ（Bump）を電極に予め形
成した固体撮像素子を準備してもよく、このバンプはこ
れらの一方または双方に形成してもよい。さらに、電極
接続用のバンプを介在させず、前記固体撮像素子の電極
と前記リード線の先端部を直接接続してもよい。なお、
前記リード線の材質は銅またはアルミニウムが望まし
い。この場合、少なくとも前記バンプの形成工程が省略
でき、作業工数が削減できる。In the connecting step, a lead wire may be prepared in which a tip for connecting to an electrode of the solid-state image pickup device is formed in advance. A solid-state imaging device may be prepared in which bumps are formed on electrodes in advance, and the bumps may be formed on one or both of them. Further, the electrodes of the solid-state imaging device may be directly connected to the tips of the lead wires without interposing an electrode connection bump. In addition,
The material of the lead wire is preferably copper or aluminum. In this case, at least the step of forming the bump can be omitted, and the number of working steps can be reduced.

【００３２】[0032]

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に基づいて説
明する。図１〜図７は本発明に係る固体撮像装置および
その作製方法の第１実施形態を示す図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 7 are views showing a first embodiment of a solid-state imaging device and a method of manufacturing the same according to the present invention.

【００３３】まず、固体撮像装置の構成を説明する。First, the configuration of the solid-state imaging device will be described.

【００３４】図１〜図３において、固体撮像装置１０
は、中央に受光面１１ａを形成されて両側辺側にその受
光面１１ａから引き出した電極パッド１１ｂを並設され
ている固体撮像素子１１と、その電極パッド１１ｂに先
端部を接続されるリード線１２と、その受光面１１ａに
対面する状態で固体撮像素子１１に位置決め固定されて
保護カバーとして機能する光学ガラス１３と、受光面１
１ａが外部に望む状態で固体撮像素子１１を収容するよ
うに枠形状に形成されて、この固体撮像素子１１と光学
ガラス１３との間に介装されることにより、これらの双
方の対向面に接合される収容容器（収容容器）１４と、
を組み立てて作製されており、光学ガラス１３を介する
入射光を固体撮像素子１１が受光面１１ａで光電変換し
た電気信号を電極パッド１１ｂに接続したリード線１２
により取り出して、例えば、被写体映像を撮影・録画な
どする装置に送出する。In FIG. 1 to FIG.
Is a solid-state imaging device 11 having a light receiving surface 11a formed at the center and electrode pads 11b drawn out from the light receiving surface 11a on both sides, and a lead wire connected to the electrode pad 11b at the tip. 12, an optical glass 13 positioned and fixed to the solid-state imaging device 11 in a state facing the light receiving surface 11a and functioning as a protective cover;
1a is formed in a frame shape so as to accommodate the solid-state imaging device 11 in a state desired to the outside, and is interposed between the solid-state imaging device 11 and the optical glass 13, so that both of these opposing surfaces are provided. A housing container (housing container) 14 to be joined;
And a lead wire 12 connected to an electrode pad 11b of an electric signal obtained by photoelectrically converting incident light through an optical glass 13 by a solid-state imaging device 11 on a light receiving surface 11a.
And sends it to, for example, a device that captures and records a subject video.

【００３５】この固体撮像装置１０は、固体撮像素子１
１にリード線１２および光学ガラス１３を、上述した従
来技術の固体撮像装置１００、２００と略同様に組付し
て作製されている。The solid-state imaging device 10 includes a solid-state imaging device 1
1, a lead wire 12 and an optical glass 13 are assembled in substantially the same manner as the above-described solid-state imaging devices 100 and 200 of the related art.

【００３６】リード線１２は、絶縁フィルム１９上に導
電材料からなる厚膜を形成したフィルムキャリア方式に
より作製供給されるものであり、先端部を固体撮像素子
１１の複数の電極パッド１１ｂに形成されたバンプ１６
に電気的・機械的に接続された後に、接着剤などにより
補強されることなく、その固体撮像素子１１の周縁から
側面に至る外周角部の近傍でほぼ直角に折り曲げられた
状態にされて、後端部が受光面１１ａの背面側に延長さ
れている。なお、本実施形態では、後述するように、リ
ード線１２の先端部は接着剤などが介在することなく固
体撮像素子１１のバンプ１６に直接接続するので、金粒
子の分散する異方性導電材料を用いることなく電気的・
機械的に接続することができる。The lead wire 12 is produced and supplied by a film carrier method in which a thick film made of a conductive material is formed on an insulating film 19, and the leading end is formed on a plurality of electrode pads 11 b of the solid-state imaging device 11. Bump 16
After being electrically and mechanically connected to the solid-state imaging device 11, the solid-state imaging device 11 is bent almost at a right angle in the vicinity of the outer peripheral corner from the periphery to the side surface without being reinforced by an adhesive or the like. The rear end extends to the back side of the light receiving surface 11a. In the present embodiment, as will be described later, since the tip of the lead wire 12 is directly connected to the bump 16 of the solid-state imaging device 11 without an adhesive or the like, the anisotropic conductive material in which the gold particles are dispersed is used. Electrical without using
Can be connected mechanically.

【００３７】光学ガラス１３は、固体撮像素子１１の外
形と略同等サイズの大きめに作製されるとともに、固体
撮像素子１１の受光面１１ａに対面する集光用のオンチ
ップレンズ（不図示）を形成されて、その受光面１１ａ
を空間１８を介して中心で覆うように位置決めされてい
る。なお、本実施形態では、光学ガラス１３により固体
撮像素子１１の受光面１１ａ前面の空間１８を気密に閉
止（封止）するが、これに限るものではなく、例えば、
赤外カットフィルタ、水晶フィルタなどの単品部品の透
光板を用いてもよく、また、赤外カットフィルタと水晶
フィルタ等の複合部品としてもよいことはいうまでもな
い。The optical glass 13 is formed to have a size substantially equal to the outer shape of the solid-state imaging device 11 and forms an on-chip lens (not shown) for condensing which faces the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11. And the light receiving surface 11a
Is positioned so as to cover at the center via the space 18. In the present embodiment, the space 18 on the front surface of the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11 is hermetically closed (sealed) by the optical glass 13. However, the present invention is not limited to this.
It goes without saying that a light-transmitting plate as a single component such as an infrared cut filter and a crystal filter may be used, or a composite component such as an infrared cut filter and a crystal filter may be used.

【００３８】一方、収容容器１４は、固体撮像素子１１
の受光面１１ａに隣接する周縁から側面の背面側に至る
まで一定間隔で対向する内面を有する枠形状に形成され
ており、その受光面１１ａの周縁に対面するように内向
きに形成されたツバ部１４ａを固体撮像素子１１と光学
ガラス１３との間に介在させて受光面１１ａの前面に形
成する空間１８の間隔を任意に、例えば０．２ｍｍ程度
から数ｍｍまで設定することができる。On the other hand, the storage container 14 is
Is formed in a frame shape having an inner surface opposed at a fixed interval from a periphery adjacent to the light receiving surface 11a to a rear side of the side surface, and a flange formed inward so as to face the periphery of the light receiving surface 11a. The space 14 formed between the solid-state imaging device 11 and the optical glass 13 with the portion 14a interposed between the solid-state imaging device 11 and the optical glass 13 can be arbitrarily set to, for example, about 0.2 mm to several mm.

【００３９】そして、収容容器１４は、リード線１２が
変形や短絡してしまうことなく非接触に延在することが
できるように、絶縁フィルム１９上に形成した厚膜の厚
さに応じて、例えば０．２ｍｍ程度の隙間（経路）を画
成するように内面を作製されており、この収容容器１４
は、光学ガラス１３には対向面間に接着剤１５を塗布さ
れて接着接合される一方、固体撮像素子１１には折り曲
げたリード線１２の配索経路を画成する空間を確保する
ように相対位置（位置関係）を位置決めされた状態で、
その空間内にエポキシ樹脂等の封止材１７が充填されて
接合封止されている。The accommodation container 14 is formed according to the thickness of the thick film formed on the insulating film 19 so that the lead wire 12 can extend in a non-contact manner without being deformed or short-circuited. For example, the inner surface is formed so as to define a gap (path) of about 0.2 mm.
The optical glass 13 is coated with an adhesive 15 between the opposing surfaces and adhesively bonded to the optical glass 13, while the solid-state imaging device 11 is secured so as to secure a space defining a routing path of the bent lead wire 12. With the position (positional relationship) positioned,
The space is filled with a sealing material 17 such as an epoxy resin to be joined and sealed.

【００４０】したがって、収容容器１４は、固体撮像素
子１１を収容すると共に、その固体撮像素子１１および
光学ガラス１３の双方に接合固定されることにより、固
体撮像素子１１に対して光学ガラス１３を位置決めして
受光面１１ａから光学ガラス１３内面までの空間１８の
間隔を任意に設定することができる。なお、この場合に
は、収容容器１４は、封止材１７を充填する空間を固体
撮像素子１１の全周に画成するが、その組み付け方法に
ついては後述する。Therefore, the housing 14 houses the solid-state image sensor 11 and is fixed to both the solid-state image sensor 11 and the optical glass 13 to position the optical glass 13 with respect to the solid-state image sensor 11. Thus, the interval of the space 18 from the light receiving surface 11a to the inner surface of the optical glass 13 can be set arbitrarily. Note that, in this case, the housing container 14 defines a space for filling the sealing material 17 on the entire periphery of the solid-state imaging device 11, and a method of assembling the same will be described later.

【００４１】ここで、収容容器１４は、金型を作製する
までもない少量生産の場合には、切削加工などの機械加
工しやすい材料を選択する一方、量産時には成形加工可
能な材料を選べばよく、また、使用環境や用途に応じて
材質を選択設定するのが好ましい。Here, for the container 14, in the case of small-volume production without producing a mold, a material that is easy to machine such as cutting is selected, while a material that can be formed and processed is selected in mass production. Also, it is preferable to select and set the material according to the use environment and use.

【００４２】具体的には、収容容器１４として、金属な
どの導電材料を選択する場合には、リード線１２との短
絡事故が発生しないように、少なくとも内面に絶縁性を
持たせる方が好ましく、例えば、アルミニウムにより収
容容器１４を形成する場合には、所謂アルマイト処理を
施すことにより、絶縁性を確保する。また、導電性材料
に限らず、セラミックなどの無機材料やエポキシ樹脂な
どの有機材料の絶縁性材料により収容容器１４を作製し
てもよい。この収容容器１４の材質を選択する際に、温
度変化の激しい環境で使用する場合には、温度サイクル
により気密性の品質に問題が生じないようにするため
に、光学ガラス１３や固体撮像素子１１と熱膨張係数の
近い材料を選択して接合状態が劣化しないように配慮す
るのが好ましい。Specifically, when a conductive material such as a metal is selected for the container 14, it is preferable that at least the inner surface be insulated so that a short circuit with the lead wire 12 does not occur. For example, when the container 14 is made of aluminum, insulation is ensured by performing a so-called alumite treatment. Further, the container 14 may be made of an insulating material such as an inorganic material such as ceramic or an organic material such as epoxy resin without being limited to the conductive material. When the material of the container 14 is selected in an environment where the temperature changes drastically, the optical glass 13 and the solid-state image sensor 11 are used in order to prevent a problem in airtight quality due to a temperature cycle. It is preferable to select a material having a coefficient of thermal expansion close to that of the material so as not to deteriorate the bonding state.

【００４３】さらに、収容容器１４の材料を選択するに
しても、外観色は乱反射した光が固体撮像素子１１の受
光面１１ａに入射しないように反射しにくい黒色にする
のが好ましく、また、外面を絶縁した導電性材料により
作製したときにはその一部を露出させたり、絶縁性材料
により作製したときには外面にめっきを施すなどして、
外部に露出する部位に導通部分を形成してアースを取れ
るようにするのが便利である。この収容容器１４を金属
により作製したり、その外面にめっきを施すなどした場
合には、耐湿性を向上させることができる。Further, even if the material of the container 14 is selected, it is preferable that the external appearance color be black so that the irregularly reflected light is hardly reflected so as not to enter the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11. When it is made of an insulated conductive material, a part of it is exposed, or when it is made of an insulating material, plating is applied to the outer surface,
It is convenient to form a conductive portion at a portion exposed to the outside so that the ground can be taken. When the container 14 is made of metal or plated on its outer surface, the moisture resistance can be improved.

【００４４】また、収容容器１４のツバ部（端面部）１
４ａは、固体撮像素子１１の外形よりやや狭く、また、
受光面１１ａより広い面積で開口するように形成するこ
とによって、その受光面１１ａの側辺に配設された電極
パッド１１ｂとリード線１２の先端部との接続状態を目
視して確認することができるように設定されている。The brim portion (end face portion) 1 of the storage container 14
4a is slightly narrower than the outer shape of the solid-state imaging device 11, and
By forming the opening so as to have an area larger than the light receiving surface 11a, it is possible to visually confirm the connection state between the electrode pad 11b disposed on the side of the light receiving surface 11a and the tip of the lead wire 12. It is set to be able to.

【００４５】次に、固体撮像装置１０の作製方法を図４
から図６に示す工程図を用いて説明する。Next, a method of manufacturing the solid-state imaging device 10 will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIGS.

【００４６】まず、図４（ａ）に示すように、受光面１
１ａおよび電極パッド１１ｂ（不図示）を形成した固体
撮像素子１１およびリード線１２を構成する厚膜を絶縁
フィルム１９上に形成するとともにそのリード線１２の
先端にバンプ１６を形成した所謂、ＴＡＢ（Tape Autom
ated Bonding）フィルムを準備して、固体撮像素子１１
を位置決めするとともに絶縁フィルム１９を移送するこ
とによりリード線１２のバンプ１６を受光面１１ａ側の
電極パッド１１ｂに対面するように位置合わせする（準
備工程）。このとき、リード線１２先端にバンプ１６を
形成する際には、電解メッキで成長させた金バンプ１６
をリード線１２に転写する転写バンプ法や、リード線１
２の先端をエッチングで突起状にするメサバンプ法を用
いればよい。なお、本実施形態では、バンプをリード線
１２側に形成する場合とバンプを形成しないリード線の
接続を説明するが、固体撮像素子１１の電極パッド１１
ｂ上に予め形成するようにしてもよく、この場合には、
ワイヤボンディング法を用いてボールバンプを形成して
もよい。First, as shown in FIG.
The so-called TAB (the solid-state imaging device 11 having the lead 1a and the electrode pad 11b (not shown) and the thick film constituting the lead wire 12 formed on the insulating film 19 and the bump 16 formed at the tip of the lead wire 12 is formed. Tape Autom
ated Bonding) A film is prepared and the solid-state imaging device 11 is prepared.
The bump 16 of the lead wire 12 is positioned so as to face the electrode pad 11b on the light receiving surface 11a side by transferring the insulating film 19 (preparation step). At this time, when the bumps 16 are formed at the tips of the lead wires 12, the gold bumps 16 grown by electrolytic plating are used.
Transfer bump method for transferring the lead wire 12 to the lead wire 12 or the lead wire 1
A mesa bump method may be used in which the tip of 2 is formed into a projection by etching. In this embodiment, the case where the bump is formed on the lead wire 12 side and the connection of the lead wire where the bump is not formed will be described.
b may be formed beforehand. In this case,
The ball bumps may be formed using a wire bonding method.

【００４７】次いで、図４（ｂ）に示すように、固体撮
像素子１１の電極パッド１１ｂにリード線１２先端のバ
ンプ１６を近接させ、この状態のまま複数のリード線１
２を個別に加熱されたボンディングツール３０１を圧接
して超音波接合する所謂、シングルポイント方式で接続
した後に（接続工程）、リード線１２を保持する絶縁フ
ィルム１９をリール状のＴＡＢフィルム本体（図示せ
ず）から図４（ｃ）に示すような形状に切断する。な
お、前述のボンディングツール３０１は、図４（ｂ’）
に示すような複数のリード線１２を一括で接続できる一
括接続方式の加熱されたボンディングツール３０１’を
用いて接続してもよい。接合する電極数が多いとき、こ
の方式の方が作業タクトを短くでき、効果的である。ま
た、固体撮像素子の電極パッドにリード線の先端部を接
続する構造として、図４（ｂ”）に示すように接続用の
バンプを介させず、固体撮像素子１１の電極パッド１１
ｂにリード線１２”の先端部を加熱されたボンディング
ツール３０１を圧接して超音波接合するか、前述のよう
に複数のリード線を一括接続する図４（ｂ’）に示すよ
うなボンディングツール３０１’で接合してもよい。こ
のバンプを介在しない接続構造は、後述のリード線の湾
曲工程でリード線と固体撮像素子の外周角部を離隔し絶
縁することによりなし得るものである。さらに、このバ
ンプを不要とした接続方式の場合は、バンプ形成の手間
が省け、簡便な作製工程とすることができる。上記ＴＡ
Ｂフィルムのリード線１２、１２’は、銅素地にニッケ
ル下地の金メッキが施され、特に図４（ｂ”）で説明し
たリード線１２”は金メッキの厚みを１μｍ以上とする
ことが接合品質を確保する上で望ましい。また、リード
線１２”の素地をアルミニウムとしニッケル下地の金メ
ッキを施したＴＡＢフィルムを用いてもよい。リード線
の素材は、アルミニウムの方がブリンネル硬度で１５程
度と銅よりも軟質であり、接合部の金、アルミニウムの
化合物の生成が容易となり接合品質がより安定化され
る。Next, as shown in FIG. 4B, the bump 16 at the tip of the lead wire 12 is brought close to the electrode pad 11b of the solid-state imaging device 11, and a plurality of lead wires 1 are kept in this state.
2 are connected by a so-called single point method in which an individually heated bonding tool 301 is pressed and ultrasonically bonded (connection step), and then the insulating film 19 holding the lead wire 12 is attached to a reel-shaped TAB film body (FIG. (Not shown)) into a shape as shown in FIG. The bonding tool 301 described above is similar to that shown in FIG.
May be connected using a heated bonding tool 301 ′ of a collective connection method capable of connecting a plurality of lead wires 12 at a time. When the number of electrodes to be joined is large, this method can shorten the work tact time and is more effective. Further, as a structure for connecting the tip of the lead wire to the electrode pad of the solid-state imaging device, the electrode pad 11 of the solid-state imaging device 11 is not interposed as shown in FIG.
4B, a bonding tool 301 having a heated front end portion of the lead wire 12 ″ is pressed and ultrasonically bonded, or a plurality of lead wires are collectively connected as described above, as shown in FIG. The connection structure without the bumps can be made by separating and insulating the lead wire and the outer peripheral corner of the solid-state imaging device in a lead wire bending step described later. In the case of the connection method that does not require the bump, the trouble of forming the bump can be omitted, and the manufacturing process can be simplified.
The lead wires 12 and 12 'of the B film are provided with a gold plating of nickel base on a copper base material. In particular, the bonding quality of the lead wire 12 "described with reference to FIG. Desirable for securing. Alternatively, a TAB film may be used in which the base material of the lead wire 12 "is aluminum and a gold plating is applied on a nickel base. The material of the lead wire is aluminum, which has a Brinell hardness of about 15 and is softer than copper. The formation of gold and aluminum compounds in the part is facilitated, and the bonding quality is further stabilized.

【００４８】次いで、図５（ｄ１）に示す切断されたＴ
ＡＢフィルムを、さらに破線で示す範囲を切り出すよう
に切断し、図５（ｄ２）に示すような形状にする。その
後、図５（ｄ３）に示すように、受光面１１ａを下向の
状態にして、固体撮像素子１１のリード線１２のない両
側面を素子ホルダ３０２（図中には斜線で示す）により
挟持固定させた後に、切断された絶縁フィルム１９にフ
ォーミング治具３０３を接触させて上昇させることによ
り、保持されているリード線１２を押し上げて、破線で
示すようにほぼ直角に折り曲げる。この際、図５（ｄ）
に示すように、折り曲げられたリード線１２は固体撮像
素子１１の周縁から側面に至る外周角部に接触、あるい
は近接状態となる（折曲工程前段）。Next, the cut T shown in FIG.
The AB film is further cut so as to cut out a range indicated by a broken line to obtain a shape as shown in FIG. 5 (d2). Thereafter, as shown in FIG. 5 (d3), the light receiving surface 11a is turned downward, and both sides of the solid-state imaging device 11 without the lead wire 12 are sandwiched by the element holder 302 (shown by oblique lines in the drawing). After the fixing, the forming jig 303 is brought into contact with the cut insulating film 19 to raise it, thereby pushing up the held lead wire 12 and bending it at a substantially right angle as shown by the broken line. At this time, FIG.
As shown in (2), the bent lead wire 12 comes into contact with or close to the outer peripheral corner from the periphery to the side surface of the solid-state imaging device 11 (before the bending step).

【００４９】次いで、図５（ｄ５）に示すように、その
固体撮像素子１１の両側方で折り曲げられているリード
線１２のそれぞれを、固体撮像素子１１側の絶縁フィル
ム１９を両サイドから挟むようにフィルムホルダ３０４
で保持固定した後に、素子ホルダ３０２とフィルムホル
ダ３０４の一方または双方を垂直方向に所定量上下動さ
せて相対移動させることにより、固体撮像素子１１の受
光面１１ａの周縁から側面に至る外周角部に対応する位
置のリード線１２を、バンプ１６との接続位置から離隔
方向に湾曲するＲ形状部（折曲部）にした後に、固体撮
像素子１１の側面近傍に沿う方向に延長させて延在する
状態にする（折曲工程後段）。この状態では、リード線
１２は、受光面１１ａの背面側に延在するように折り曲
げても固体撮像素子１１の外周角部に近接して接触する
恐れがなく、固体撮像素子１１から確実に一定間隔で離
隔させた絶縁状態にすることができる。この離隔間隔
は、環境などに応じて任しに設定すればよく、例えば、
本実施形態の場合には、１０〜３０μｍ程度にすればよ
い。なお、このリード線１２の湾曲工程は、固体撮像素
子１１の電極パッド１１ｂとの接合部からリード線１２
を引き剥がす応力が発生する。この応力は、固体撮像素
子１１とリード線１２の離隔距離の設定とリード線１２
先端部（外周角部周辺部）のサイズで調整が可能であ
り、例えば、リード線１２の厚みが３５μｍ、幅が４５
μｍ程度で、固体撮像素子１１とリード線１２の離隔距
離を２０μｍとすれば、その接合部に１５ｇ程の引き剥
がし応力が発生する。つまり、この固体撮像素子１１と
リード線１２先端部のサイズを可変とすることで湾曲応
力を自由に設定できる。従って、工程で何らかの不具合
が発生し接合強度が規定値に満たない場合には、この湾
曲工程で接合部が破壊されるようにすることができ、製
品の品質を確保（保証）することができる。Next, as shown in FIG. 5 (d5), each of the lead wires 12 bent on both sides of the solid-state imaging device 11 is sandwiched between the insulating films 19 on the solid-state imaging device 11 side from both sides. To film holder 304
Then, by vertically moving one or both of the element holder 302 and the film holder 304 by a predetermined amount in the vertical direction and relatively moving the element holder 302 and the film holder 304, the outer peripheral corner from the periphery to the side surface of the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11 Is formed into an R-shaped portion (bent portion) that curves in a direction away from the connection position with the bump 16, and then extends in a direction along the vicinity of the side surface of the solid-state imaging device 11. (After the bending process). In this state, even if the lead wire 12 is bent so as to extend to the back side of the light receiving surface 11a, there is no danger that the lead wire 12 comes into contact with the outer peripheral corner of the solid-state image sensor 11 and is reliably fixed from the solid-state image sensor 11. An insulating state separated at intervals can be provided. This separation interval may be set arbitrarily according to the environment and the like. For example,
In the case of the present embodiment, the thickness may be about 10 to 30 μm. The bending process of the lead wire 12 is performed by connecting the lead wire 12 to the electrode pad 11 b of the solid-state imaging device 11.
Is generated. This stress depends on the setting of the separation distance between the solid-state imaging device 11 and the lead wire 12 and the lead wire 12.
The size of the tip (periphery of the outer peripheral corner) can be adjusted. For example, the lead wire 12 has a thickness of 35 μm and a width of 45 μm.
If the separation distance between the solid-state imaging device 11 and the lead wire 12 is set to 20 μm at about μm, a peeling stress of about 15 g is generated at the joint. In other words, the bending stress can be set freely by making the sizes of the solid-state imaging device 11 and the tip of the lead wire 12 variable. Therefore, if any failure occurs in the process and the bonding strength is less than the specified value, the bonding portion can be broken in this bending process, and the quality of the product can be secured (guaranteed). .

【００５０】次いで、図６（ｅ）に示すように、リード
線１２間に吸着コレット３０５を挿し込んで固体撮像素
子１１の受光面１１ａの背面側を吸着固定すると共に、
ツバ部１４ａの外面側に光学ガラス１３を位置決めして
（第１位置決め工程）、例えば、紫外線硬化熱硬化併用
型の接着剤１５をディスペンス法や転写法などにより塗
布して硬化させることにより予め接合しておいた収容容
器１４を（第１接合工程）、その光学ガラス１３が接す
る状態で光を透過する受け台３０６上に設置固定する。Next, as shown in FIG. 6E, a suction collet 305 is inserted between the lead wires 12 to suction-fix the back side of the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11, and
The optical glass 13 is positioned on the outer surface side of the brim portion 14a (first positioning step). For example, the adhesive 15 is coated and cured by a dispensing method, a transfer method, or the like, for example, with an ultraviolet-curing and heat-curing adhesive 15 to be joined in advance. The stored container 14 (first bonding step) is placed and fixed on a light-transmitting receiving base 306 in a state where the optical glass 13 is in contact therewith.

【００５１】次いで、吸着コレット３０５に吸着された
固体撮像素子１１を収容容器１４のツバ部１４ａの反対
側（開口端側）から近接させた位置で、Ｘ／Ｙ方向およ
び回転θ方向の位置調整を行った後に、吸着コレット３
０５を降下させて固体撮像素子１１を収容容器１４内の
中程に位置決めする（第２位置決め工程）。Next, the position adjustment in the X / Y direction and the rotation θ direction is performed at a position where the solid-state imaging element 11 adsorbed by the adsorption collet 305 is approached from the opposite side (open end side) of the accommodating container 14 from the flange 14a. After performing the above, the adsorption collet 3
05 is lowered to position the solid-state imaging device 11 in the middle of the container 14 (second positioning step).

【００５２】そして、この状態を維持したまま、図６
（ｆ）に示すように、受け台３０６および光学ガラス１
３を介して紫外線を収容容器１４と固体撮像素子１１に
向けて照射しつつ、固体撮像素子１１と収容容器１４と
の間に形成されている隙間にディスペンサ３０７から封
止材１７を注入することにより、固体撮像素子１１と収
容容器１４を接合して空間１８を気密に封止し、この後
に、オーブン等で固体撮像素子１１と収容容器１４の間
の封止材１７全体を熱硬化させて接合を完了する（第２
接合工程）。Then, while maintaining this state, FIG.
As shown in (f), the cradle 306 and the optical glass 1
Injecting the sealing material 17 from the dispenser 307 into a gap formed between the solid-state imaging device 11 and the storage container 14 while irradiating ultraviolet rays toward the storage container 14 and the solid-state imaging device 11 through the 3 Then, the solid-state imaging device 11 and the housing 14 are joined to hermetically seal the space 18, and thereafter, the entire sealing member 17 between the solid-state imaging device 11 and the housing 14 is thermally cured by an oven or the like. Complete joining (2nd
Joining process).

【００５３】このとき、図７に示すように、封止材１７
は、固体撮像素子１１側面と収容容器１４内面の隙間に
合う２箇所のディスペンサ３０７から同時に注入されて
回り込むことにより全周に行き渡るとともに、本実施形
態においては、収容容器１４は不透明のものを採用する
ことから、その収容容器１４のツバ部１４ａから固体撮
像素子１１の受光面１１の周縁側にはみ出て露出したと
きに紫外線照射により硬化して、固体撮像素子１１の電
極パッド１１ｂに接続されたバンプ１６の手前までのリ
ード線１２先端部を内包する状態で保持固定することが
できる。At this time, as shown in FIG.
Are simultaneously injected from two dispensers 307 that fit in the gap between the side surface of the solid-state imaging device 11 and the inner surface of the storage container 14, and are wrapped around the entire periphery by being simultaneously injected. In the present embodiment, an opaque storage container 14 is used. For this reason, the bumps connected to the electrode pads 11b of the solid-state imaging device 11 are hardened by the irradiation of ultraviolet rays when exposed to the periphery of the light-receiving surface 11 of the solid-state imaging device 11 from the flange portion 14a of the storage container 14 and exposed. The lead wire 12 can be held and fixed in a state of including the leading end portion of the lead wire 12 up to the front of the lead wire 16.

【００５４】この場合、固体撮像素子１１と収容容器１
４との間の隙間で画成してリード線１２を内包する経路
は、固体撮像素子１１を吸着固定する吸着コレット３０
５先端および収容容器１４を接合した光学ガラス１３を
設置固定する受け台３０６上面を基準に、その固体撮像
素子１１の厚さと、収容容器１４のツバ部１４ａの厚さ
とによって決定される。このことから、リード線１２に
無用な負荷を封止作業時に加えて固体撮像素子１１に接
触短絡させてしまわないように、これらの機械的精度や
加工精度を設定すればよく、また、固体撮像素子１１の
受光面１１ａから光学ガラス１３の内面までの空間１８
の間隔は、これらを考慮して、収容容器１４のツバ部１
４ａの厚さを調整することにより任意の距離に設定する
ことができる。なお、このように吸着コレット３０５先
端および受け台３０６上面を基準に、位置決め封止作業
が行われるため、固体撮像装置１０としての光軸精度
は、これらの機械的な精度に加えて固体撮像素子１１の
厚さ方向の加工精度で決まることから、±２０μｍ程度
の光軸精度を得ることができ、さらに、高精度な光軸精
度が要求される場合には、固体撮像素子１１の受光面１
１ａの位置を非接触に検出する検出器を接続して位置調
整を行うことにより、その光軸精度を±５μｍ以内にす
ることも可能である。In this case, the solid-state imaging device 11 and the container 1
A path defined by a gap between the solid-state imaging device 11 and the lead wire 12 includes a suction collet 30 for suction-fixing the solid-state imaging device 11.
The thickness is determined by the thickness of the solid-state imaging device 11 and the thickness of the collar 14a of the housing 14 with reference to the upper surface of the receiving table 306 on which the optical glass 13 to which the front end 5 and the housing 14 are joined is installed and fixed. For this reason, the mechanical accuracy and the processing accuracy may be set so that an unnecessary load is not applied to the lead wire 12 during the sealing operation and short-circuits the contact with the solid-state imaging device 11. Space 18 from light receiving surface 11a of element 11 to inner surface of optical glass 13
In consideration of these, the interval between the flanges 1 of the housing container 14 is determined.
An arbitrary distance can be set by adjusting the thickness of 4a. Since the positioning and sealing operation is performed with reference to the tip of the suction collet 305 and the upper surface of the receiving base 306 as described above, the optical axis accuracy of the solid-state imaging device 10 is not only the mechanical accuracy but also the solid-state imaging device. Since the optical axis accuracy is determined by the processing accuracy in the thickness direction of the solid-state imaging device 11, the optical axis accuracy of about ± 20 μm can be obtained.
By connecting a detector that detects the position of 1a in a non-contact manner and performing position adjustment, it is possible to make the optical axis accuracy within ± 5 μm.

【００５５】このように本実施形態においては、収容容
器１４のツバ部１４ａを介装させて固体撮像素子１１に
光学ガラス１３を接合固定しているので、そのツバ部１
４ａの厚さを任意に設定することにより、受光面１１ａ
前面に画成する空間１８の光学ガラス１３までの間隔を
広く設定することができ、撮像映像に影響しない光学的
欠陥の大きさの許容範囲を大きくすることのできる空間
１８を形成することができる。したがって、光学ガラス
１３の品質管理を緩和し、また、光学的欠陥による不良
を低減して歩留まりを向上させることができ、固体撮像
装置１０を安価に提供することができる。As described above, in the present embodiment, the optical glass 13 is bonded and fixed to the solid-state imaging device 11 with the collar 14a of the storage container 14 interposed therebetween.
By arbitrarily setting the thickness of the light receiving surface 11a
The space between the space 18 defined on the front surface and the optical glass 13 can be set wide, and the space 18 can be formed in which the allowable range of the size of the optical defect that does not affect the captured image can be increased. . Therefore, quality control of the optical glass 13 can be eased, defects due to optical defects can be reduced, the yield can be improved, and the solid-state imaging device 10 can be provided at low cost.

【００５６】この収容容器１４は、ツバ部１４ａが固体
撮像素子１１と光学ガラス１３の間に介在する枠形状に
形成すればよいので、接続するリード線１２の先端部を
視認可能に固体撮像素子１１を収容する容器とすること
ができ、その作製も少量生産または量産などの都合に応
じて切出加工あるいは成形加工などを用いて安価な方法
を採用すればよく、その材質や電気的特性などの構成も
必要な機能に応じて適宜選択設計すればよい。Since the accommodating container 14 may be formed in a frame shape in which the brim portion 14a is interposed between the solid-state image pickup device 11 and the optical glass 13, the solid-state image pickup device allows the leading end of the lead wire 12 to be connected to be visible. 11 can be used as a container, and its production can be performed by an inexpensive method using cutting or molding according to the convenience of small-scale production or mass production. May be appropriately selected and designed according to the required function.

【００５７】一方、リード線１２は、収容容器１４を用
いる組立構造を採用するので、その収容容器１４により
押されて変形などしないようにすればよく、固体撮像素
子１１との接続をフィルムキャリア方式により行うこと
によって、硬質のリードフレームによらずに固体撮像素
子１１にリード線１２を接続することができ、固体撮像
素子１１の外周角部に対応する位置など任意の位置で容
易に折曲作業を行うことができ、また、その折曲部も外
周角部に近接させない湾曲形状に容易に形成して信頼性
を向上させることができる。On the other hand, since the lead wire 12 adopts an assembly structure using the storage container 14, it is sufficient that the lead wire 12 is not deformed by being pushed by the storage container 14, and the connection with the solid-state imaging device 11 is made by a film carrier system. By doing so, the lead wire 12 can be connected to the solid-state imaging device 11 without using a hard lead frame, and the bending operation can be easily performed at an arbitrary position such as a position corresponding to the outer corner of the solid-state imaging device 11. In addition, the bent portion can be easily formed into a curved shape that does not come close to the outer peripheral corner portion, and the reliability can be improved.

【００５８】次に、図８〜図１４は本発明に係る固体撮
像装置およびその作製方法の第２実施形態を示す図であ
る。なお、本実施形態は上述実施形態と略同様に構成さ
れているので、同様な構成には同一の符号を付して特徴
部分を説明する。Next, FIGS. 8 to 14 are views showing a second embodiment of a solid-state imaging device and a method of manufacturing the same according to the present invention. In addition, since the present embodiment is configured substantially in the same manner as the above-described embodiment, the same components are denoted by the same reference numerals, and the characteristic portions will be described.

【００５９】まず、固体撮像装置の構成を説明する。First, the configuration of the solid-state imaging device will be described.

【００６０】図８〜図１０において、固体撮像装置２０
は、固体撮像素子１１と、リード線１２と、光学ガラス
１３と、を収容容器２４を用いて組み立てて作製するよ
うになっており、収容容器２４は、上述実施形態と同様
に、受光面１１ａが外部に望む状態で固体撮像素子１１
を収容するように枠形状に形成されて、この固体撮像素
子１１と光学ガラス１３との間に介装されることによ
り、光学ガラス１３には接着剤１５により接合される一
方、固体撮像素子１１には封止材１７により接合されて
いる。8 to 10, the solid-state imaging device 20
Is manufactured by assembling the solid-state imaging device 11, the lead wire 12, and the optical glass 13 using the housing container 24. The housing container 24 has the light receiving surface 11a similarly to the above-described embodiment. The solid-state imaging device 11
Is formed in a frame shape so as to house the solid-state image sensor 11 and the optical glass 13, so that the solid-state image sensor 11 is joined to the optical glass 13 by the adhesive 15. Are joined by a sealing material 17.

【００６１】収容容器２４は、図１１に示すように、固
体撮像素子１１のリード線１２を接続されている受光面
１１ａの側辺側の周縁に対しては上述実施形態と同様に
一定間隔で対面するように内向きに形成されたツバ部２
４ａを有する一方、リード線１２を接続されていない受
光面１１ａの側辺側の周縁に対しては直接接触するよう
に形成されたツバ部２４ｂが設けられている。As shown in FIG. 11, the storage container 24 is provided at a constant interval around the side edge of the light receiving surface 11a to which the lead wire 12 of the solid-state imaging device 11 is connected, similarly to the above-described embodiment. Collar 2 formed inward so as to face each other
On the other hand, a brim portion 24b formed so as to directly contact the side edge of the light receiving surface 11a to which the lead wire 12 is not connected is provided.

【００６２】この収容容器２４は、これらツバ部２４
ａ、２４ｂが固体撮像素子１１と光学ガラス１３の間に
介在して位置決めすることにより受光面１１ａから光学
ガラス１３内面までの間の空間１８の間隔を任意に設定
することができるとともに、ツバ部２４ｂが固体撮像素
子１１の周縁に直接接触する一方、ツバ部２４ａが固体
撮像素子１１の周縁との間の間隔を保持することによ
り、変形や短絡させることなくリード線１２を非接触に
延在させることのできる、例えば、絶縁フィルム１９上
に形成する厚膜の厚さに応じた、０．２ｍｍ程度の隙間
（経路としての逃げ部）を画成するように作製されてい
る。The container 24 is provided with
The position of the space 18 between the light receiving surface 11a and the inner surface of the optical glass 13 can be arbitrarily set by positioning the a and 24b between the solid-state imaging device 11 and the optical glass 13 and the collar portion. 24b is in direct contact with the periphery of the solid-state imaging device 11, while the brim portion 24a maintains the space between the periphery of the solid-state imaging device 11 and extends the lead wire 12 without deformation or short circuit. For example, it is formed so as to define a gap (escape portion as a path) of about 0.2 mm according to the thickness of the thick film formed on the insulating film 19, for example.

【００６３】なお、ツバ部２４ｂは、受光面１１ａの側
辺の全長にわたって形成する必要はなく、組立作業中に
ツバ部２４ａを固体撮像素子１１の周縁から浮かせた状
態に維持することができればよく、例えば、図１１に示
すように、一部を切り欠いて接合強度を確保するように
してもよい。The brim portion 24b does not need to be formed over the entire length of the side of the light receiving surface 11a, as long as the brim portion 24a can be kept floating from the periphery of the solid-state imaging device 11 during the assembly operation. For example, as shown in FIG. 11, a part may be cut out to secure the bonding strength.

【００６４】次に、固体撮像装置２０の作製方法を図４
から図６に示す工程図を用いて説明する。Next, a method of manufacturing the solid-state imaging device 20 will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIGS.

【００６５】まず、上述実施形態において説明した準備
工程、接続工程、折曲工程により、折り曲げたリード線
１２を接続された状態の固体撮像素子１１を作製し（図
４〜図５を参照）、この後には、図１２（ｅ）に示すよ
うに、リード線１２間に吸着コレット３０５を挿し込ん
で固体撮像素子１１の受光面１１ａの背面側を吸着固定
すると共に、ツバ部２４ａ、２４ｂの外面側が接する状
態で収容容器２４を受け台３０６上に設置固定し、次い
で、吸着コレット３０５に吸着された固体撮像素子１１
を収容容器２４のツバ部２４ａ、２４ｂの反対側から近
接させた位置で、Ｘ／Ｙ方向およびθ方向の位置調整を
行い、次いで、吸着コレット３０５を降下させて固体撮
像素子１１が収容容器２４のツバ部２４ｂに近接する位
置で一旦停止した後に、吸着コレット３０５の吸引を切
って（保持解除し）、受光面１１ａの周縁が収容容器２
４のツバ部２４ｂの内面に直接接触する状態で固体撮像
素子１１を位置決めする（第２位置決め工程）。First, the solid-state imaging device 11 in a state where the bent lead wires 12 are connected is manufactured by the preparation step, the connection step, and the bending step described in the above embodiment (see FIGS. 4 and 5). Thereafter, as shown in FIG. 12E, a suction collet 305 is inserted between the lead wires 12 to suction-fix the back side of the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11, and the outer surfaces of the flange portions 24a and 24b. The container 24 is placed and fixed on the receiving table 306 in a state where the sides are in contact with each other.
Is adjusted in the X / Y direction and the θ direction at a position close to the opposite sides of the accommodating portions 24a and 24b of the accommodating container 24, and then the suction collet 305 is lowered so that the solid-state imaging device 11 After temporarily stopping at a position close to the brim portion 24b, the suction collet 305 is turned off (released), and the periphery of the light receiving surface 11a is
The solid-state imaging device 11 is positioned in a state of being in direct contact with the inner surface of the collar portion 24b of No. 4 (second positioning step).

【００６６】次いで、この状態を維持したまま、図１２
（ｆ）に示すように、受け台３０６を介して紫外線を収
容容器１４と固体撮像素子１１に向けて照射しつつ、固
体撮像素子１１と収容容器１４との間に形成されている
隙間にディスペンサ３０７から封止材１７を注入して、
固体撮像素子１１と収容容器１４を接合し、この後に、
オーブン等で固体撮像素子１１と収容容器１４の間の封
止材１７全体を熱硬化させて接合を完了する（第２接合
工程）。Next, while maintaining this state, FIG.
As shown in (f), while irradiating ultraviolet rays toward the storage container 14 and the solid-state imaging device 11 through the receiving table 306, the dispenser is disposed in a gap formed between the solid-state imaging device 11 and the storage container 14. Inject sealing material 17 from 307,
The solid-state imaging device 11 and the container 14 are joined, and thereafter,
The entirety of the sealing material 17 between the solid-state imaging device 11 and the storage container 14 is thermally cured in an oven or the like to complete the joining (second joining step).

【００６７】このとき、封止材１７は、上述実施形態と
同様に、固体撮像素子１１側面と収容容器１４内面の隙
間にディスペンサ３０７から注入されて全周に回り込む
ことにより収容容器２４のツバ部から露出したときに紫
外線照射により硬化してリード線１２を内包する状態で
固体撮像素子１１を収容容器２４内に接合固定するが、
本実施形態では、固体撮像素子１１が何の外力を加えら
れることなく自重により収容容器２４のツバ部２４ｂの
内面に載置されて直接接触するので、図１３に示すよう
に、固体撮像素子１１の受光面１１ａ周縁と収容容器２
４のツバ部２４ｂ内面との間には、封止材１７の流入す
る力で固体撮像素子１１が微小に、例えば、２０μｍ程
度浮き上がってその封止材１７が入り込むことにより強
固に接合することができ、収容容器２４を金属により作
製する場合には絶縁耐圧を向上させることができるとと
もに収容容器２４の表面に形成する酸化被膜などの絶縁
膜を省いてむくのまま使用可能にすることもできる。な
お、ここでは、収容容器２４のツバ部２４ｂ内面との間
に封止材１７が流入して固体撮像素子１１が微小に浮き
上がるが、固体撮像素子１１が浮き上がらないように押
さえて封止材１７を注入してもよいことはいうまでもな
い。At this time, the sealing material 17 is injected from the dispenser 307 into the gap between the side surface of the solid-state imaging device 11 and the inner surface of the storage container 14 and goes around the entire circumference, similarly to the above-described embodiment. When the solid-state imaging device 11 is hardened by irradiation of ultraviolet rays when it is exposed from the device, and the solid-state imaging device 11 encloses the lead wire 12, the solid-state imaging device 11 is joined and fixed in the housing container 24.
In the present embodiment, the solid-state imaging device 11 is placed on the inner surface of the brim portion 24b of the storage container 24 by its own weight and directly contacts without any external force. As shown in FIG. Rim of light receiving surface 11a and container 2
4, the solid-state imaging element 11 is minutely lifted by, for example, about 20 μm due to the force of the sealing material 17 flowing therein, and the solid-state imaging device 11 can be firmly joined by entering the sealing material 17. When the container 24 is made of metal, the withstand voltage can be improved, and an insulating film such as an oxide film formed on the surface of the container 24 can be omitted to enable use as it is. Here, although the sealing material 17 flows between the inside of the brim portion 24b of the storage container 24 and the solid-state imaging device 11 slightly floats, the sealing material 17 is pressed down so that the solid-state imaging device 11 does not float. It is needless to say that may be injected.

【００６８】また、固体撮像素子１１および光学ガラス
１３は、収容容器２４のツバ部２４ａ、２４ｂの内面と
外面とに接合して、相対的な位置関係を位置決めされて
いるので、固体撮像素子１１の受光面１１ａから光学ガ
ラス１３の内面までの空間１８の間隔は、収容容器２４
のツバ部２４ｂの厚さを調整することにより任意の距離
に設定することができ、固体撮像素子１１の受光面１１
ａの光軸の精度は、その加工精度で設定することができ
る。The solid-state image sensor 11 and the optical glass 13 are joined to the inner and outer surfaces of the flanges 24a and 24b of the container 24 and are positioned in a relative positional relationship. Of the space 18 from the light receiving surface 11a to the inner surface of the optical glass 13
The distance can be set to an arbitrary distance by adjusting the thickness of the collar portion 24b of the solid-state imaging device 11.
The precision of the optical axis a can be set by the processing precision.

【００６９】さらに、この第２位置決め工程および第２
接合工程では、固体撮像素子１１の受光面１１ａの光軸
は、収容容器２４のツバ部２４ｂの内面との直接接触に
より設定されるので、固体撮像素子１１の保持と、封止
材１７の注入とを分離して別個に行うことができ、上述
実施形態よりも調整時間を短くして組立タクトを短縮す
ることができる。Further, the second positioning step and the second
In the joining step, the optical axis of the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11 is set by direct contact with the inner surface of the brim portion 24b of the storage container 24, so that the solid-state imaging device 11 is held and the sealing material 17 is injected. Can be separately performed, and the adjustment time can be shortened and the assembly tact can be shortened as compared with the above-described embodiment.

【００７０】なお、この固体撮像装置２０の作製工程で
は、固体撮像素子１１を収容容器２４に接合した後に受
け台３０６から取り外して、図１２（ｇ）に示すよう
に、その収容容器２４のツバ部２４ａ、２４ｂの外面に
接着剤１５を塗布して光学ガラス１３を位置決めし固着
接合している（第１位置決め工程、第１接合工程）。こ
の作製工程では、上述実施形態に対して、第１、第２位
置決め工程および第１、第２接合工程の順序を逆にする
が、同様に工程を進めてもよいことは言うまでもなく、
また、同時に行って、同時に硬化・接合させるようにし
てもよい。In the manufacturing process of the solid-state imaging device 20, after the solid-state imaging device 11 is joined to the storage container 24, the solid-state imaging device 11 is detached from the pedestal 306, and as shown in FIG. The adhesive 15 is applied to the outer surfaces of the portions 24a and 24b to position and fix and bond the optical glass 13 (first positioning step, first bonding step). In this manufacturing step, the order of the first and second positioning steps and the first and second bonding steps is reversed with respect to the above-described embodiment, but it goes without saying that the steps may be similarly performed.
Further, it may be performed at the same time, and cured and joined at the same time.

【００７１】このように本実施形態においては、上述実
施形態による作用効果に加えて、収容容器２４は、固体
撮像素子１１の受光面１１ａの周縁と光学ガラス１３の
内面とに直接接触して位置決めすることができるので、
固体撮像素子１１と光学ガラス１３との間の間隔を任意
に設定することができると共に、その加工精度により高
精度に設定することができ、また、固体撮像素子１１の
受光面１１ａの光軸精度も収容容器２４の加工精度で高
精度に設定することができる。As described above, in the present embodiment, in addition to the functions and effects of the above-described embodiment, the container 24 is positioned by directly contacting the periphery of the light receiving surface 11 a of the solid-state imaging device 11 and the inner surface of the optical glass 13. So you can
The distance between the solid-state imaging device 11 and the optical glass 13 can be set arbitrarily, and can be set with high precision by the processing accuracy. Also, the optical axis accuracy of the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11 can be improved. Also, the processing accuracy of the container 24 can be set with high accuracy.

【００７２】また、収容容器２４のツバ部２４ｂ上に固
体撮像素子１１を自重で載置するだけとすることによ
り、固体撮像素子１１の受光面１１ａの周縁と収容容器
２４のツバ部２４ｂの内面との間に封止材１７を入り込
ませて微小な絶縁・封止膜を形成することができる。し
たがって、固体撮像素子１１と収容容器２４とを強固に
接合して封止品質を向上させることができると共に、絶
縁耐圧を確保して収容容器２４の材質の制限を解消する
ことができ、コストの削減および信頼性の向上を図るこ
とができる。Further, the solid-state image sensor 11 is merely mounted on the collar 24b of the container 24 by its own weight, so that the periphery of the light receiving surface 11a of the solid-state image sensor 11 and the inner surface of the collar 24b of the container 24 are formed. A small insulating / sealing film can be formed by injecting the sealing material 17 into the gap. Therefore, the solid-state imaging device 11 and the container 24 can be firmly joined to improve the sealing quality, and the dielectric strength can be ensured, and the limitation on the material of the container 24 can be eliminated. Reduction and improvement in reliability can be achieved.

【００７３】なお、本実施形態の他の態様としては、上
述実施形態でも同様に、収容容器２４には、四角形状の
角部を残しているが、図１４に示すように、その角部を
Ｒ加工して対角線距離を短縮し、より小型化を図っても
よい。一方、外形の大きさにこだわらない固体撮像装置
を組立作製する場合には、収容容器の外面に外部装置の
雌ねじに螺合可能な雄ねじを形成してもよい。As another mode of the present embodiment, similarly to the above-described embodiment, a square-shaped corner is left in the container 24, but as shown in FIG. R processing may be performed to reduce the diagonal distance to achieve further miniaturization. On the other hand, when assembling and manufacturing a solid-state imaging device that does not care about the size of the external shape, a male screw that can be screwed to a female screw of the external device may be formed on the outer surface of the storage container.

【００７４】次に、図１５は本発明に係る固体撮像装置
およびその作製方法の第３実施形態を示す図である。な
お、本実施形態は上述実施形態と略同様に構成されてい
るので、同様な構成には同一の符号を付して特徴部分を
説明する。Next, FIG. 15 is a diagram showing a third embodiment of the solid-state imaging device and the method of manufacturing the same according to the present invention. In addition, since the present embodiment is configured substantially in the same manner as the above-described embodiment, the same components are denoted by the same reference numerals, and the characteristic portions will be described.

【００７５】図１５において、絶縁体３１は、例えば、
固体撮像素子１１の受光面１１ａに対面形成する不図示
のマイクロレンズなどの絶縁材料により作製し、固体撮
像素子１１の外周角部のバンプ１６よりもエッジ側に配
設されている。例えば、固体撮像素子１１と収容容器１
４、２４との間に形成される隙間が上述実施形態で説明
した程度である場合には、１０μｍ以上の厚み（高さ）
に形成すればよい。In FIG. 15, the insulator 31 is, for example,
The solid-state imaging device 11 is made of an insulating material such as a microlens (not shown) that faces the light-receiving surface 11a, and is disposed on the edge side of the bump 16 at the outer corner of the solid-state imaging device 11. For example, the solid-state imaging device 11 and the container 1
In the case where the gap formed between the first and second layers 4 and 24 is as described in the above embodiment, the thickness (height) is 10 μm or more.
What is necessary is just to form.

【００７６】この絶縁体３１は、リード線１２が固体撮
像素子１１にバンプ１６を介して接続された後に、その
まま折り曲げフォーミングされた場合にも、そのリード
線１２の折曲部と固体撮像素子１１の間に介在するよう
に設定されており、固体撮像素子１１の外周角部に接触
・短絡させることなく、リード線１２を固体撮像素子１
１の側面近傍に延在する状態に導くことができる。Even when the lead wire 12 is connected to the solid-state imaging device 11 via the bump 16 and then bent and formed as it is, the insulator 31 is connected to the bent portion of the lead wire 12 and the solid-state imaging device 11. The lead wire 12 is connected to the solid-state imaging device 1 without contacting or short-circuiting with the outer peripheral corner of the solid-state imaging device 11.
It can be led to a state extending near the side surface of one.

【００７７】このため、上述実施形態で説明した組立作
製方法における折曲工程を、リード線１２の折曲部を湾
曲形状にすることのない一般的な作業とすることができ
る。For this reason, the bending step in the assembling and manufacturing method described in the above embodiment can be a general operation without making the bent portion of the lead wire 12 into a curved shape.

【００７８】このように本実施形態においては、上述実
施形態による作用効果に加えて、組立作製工程を簡易化
することができるとともに、リード線１２に湾曲形状の
折曲部を形成する必要がないので、リード線１２の硬度
（強度）などの制限を緩和することができる。As described above, in the present embodiment, in addition to the functions and effects of the above-described embodiment, the assembling / manufacturing process can be simplified, and it is not necessary to form a bent portion in the lead wire 12. Therefore, restrictions such as hardness (strength) of the lead wire 12 can be relaxed.

【００７９】次に、図１６〜図１８は本発明に係る固体
撮像装置およびその作製方法の第４実施形態を示す図で
ある。なお、本実施形態は上述実施形態と略同様に構成
されているので、同様な構成には同一の符号を付して特
徴部分を説明する。Next, FIGS. 16 to 18 are views showing a fourth embodiment of the solid-state imaging device and the method of manufacturing the same according to the present invention. In addition, since the present embodiment is configured substantially in the same manner as the above-described embodiment, the same components are denoted by the same reference numerals, and the characteristic portions will be described.

【００８０】図１６および図１７において、リード線４
２は、上述実施形態と同様に接続工程においてフィルム
キャリア方式で供給するように、ＴＡＢフィルムの絶縁
フィルム１９上に導電材料の厚膜を形成して作製されて
おり、このリード線４２は、固体撮像素子１１の外周角
部に対応する部位を幅狭に形成して折曲部４２ａをくび
れ形状にすることにより他の個所よりも強度を低くして
優先的に折れ曲がるように設定されている。In FIG. 16 and FIG.
2 is formed by forming a thick film of a conductive material on a TAB film insulating film 19 so as to be supplied by a film carrier method in the connection step in the same manner as in the above-described embodiment. A portion corresponding to the outer peripheral corner of the image pickup device 11 is formed to have a narrow width and the bent portion 42a is formed into a constricted shape so that the bent portion 42a has a lower strength than other portions and is bent preferentially.

【００８１】このため、折曲工程において、リード線４
２を折り曲げフォーミングする際には、その折曲部４２
ａが優先的に折れ曲がることにより、図１８に示すよう
に、固体撮像素子１１の外周角部に接触・短絡させるこ
となく、リード線１２を固体撮像素子１１の側面近傍に
延在する状態に導くことができ、第２接合工程において
は封止材１７内に内包される。Therefore, in the bending step, the lead wire 4
2 is formed by bending the bent portion 42
As a is preferentially bent, the lead wire 12 is guided to a state extending near the side surface of the solid-state imaging device 11 without contacting and short-circuiting with the outer peripheral corner of the solid-state imaging device 11 as shown in FIG. In the second bonding step, the sealing material 17 is included.

【００８２】このことから、上述実施形態で説明した組
立作製方法における折曲工程を、リード線１２の折曲部
を湾曲形状にすることのない一般的な作業とすることが
できる。また、リード線４２は、折曲部４２ａを形成す
ることによって、折り曲げる際に生じる曲げ応力を緩和
して、設計通りの形状に容易にフォーミングすることが
でき、リード線４２を接続するバンプ１６付近に加わる
負荷を軽減することができる。Therefore, the bending step in the assembling / manufacturing method described in the above embodiment can be a general operation without bending the bent portion of the lead wire 12. Further, by forming the bent portion 42a, the bending stress generated when the lead wire 42 is bent can be relaxed, and the lead wire 42 can be easily formed into a designed shape. Can be reduced.

【００８３】なお、このリード線４２としては、例え
ば、固体撮像素子１１と収容容器１４、２４との間に形
成される隙間が上述実施形態で説明した程度である場合
に、バンプ１６に接続する先端部が約１００μｍ幅のと
きには、固体撮像素子１１の外周角部のエッジより約７
５μｍ離隔した位置から約５０μｍの長さで延在する約
４０μｍ幅の折曲部４２ａを形成し、この折曲部４２ａ
より後端部側は、先端部側の幅と同等かそれ以上の幅に
設定して補強するなどしてもよい。The lead wire 42 is connected to the bump 16 when, for example, the gap formed between the solid-state imaging device 11 and the housings 14 and 24 is as described in the above embodiment. When the tip is about 100 μm wide, the edge of the outer peripheral corner of the solid-state imaging device 11 is about 7 μm from the edge.
A bent portion 42a having a width of about 40 μm extending about 50 μm from a position separated by 5 μm is formed, and the bent portion 42a is formed.
The rear end side may be reinforced by setting the width to be equal to or larger than the width of the front end side.

【００８４】このように本実施形態においては、上述実
施形態による作用効果に加えて、組立作製工程を簡易化
することができるとともに、リード線１２に湾曲形状の
折曲部を形成する必要がないので、リード線１２の硬度
（強度）などの制限を緩和することができる。As described above, in the present embodiment, in addition to the functions and effects of the above-described embodiment, the assembling and manufacturing steps can be simplified, and it is not necessary to form a bent portion in the lead wire 12. Therefore, restrictions such as hardness (strength) of the lead wire 12 can be relaxed.

【００８５】なお、本実施形態の他の態様としては、図
１９に示すように、リード線４２の先端部にバンプ４６
を一体形成するメサバンプ方式のリード線にも適用して
もよいことはいうまでもない。As another mode of the present embodiment, as shown in FIG.
It is needless to say that the present invention may be applied to a mesa bump type lead wire integrally formed.

【００８６】次に、図２０は本発明に係る固体撮像装置
およびその作製方法の第５実施形態を示す図である。な
お、本実施形態は上述第１実施形態を用いる場合を一例
に特徴部分を説明する。Next, FIG. 20 is a diagram showing a fifth embodiment of the solid-state imaging device and the method of manufacturing the same according to the present invention. In this embodiment, the characteristic portions will be described by taking the case of using the first embodiment as an example.

【００８７】図２０において、固体撮像装置１０は、固
体撮像素子１１に接続したリード線１２を折り曲げて受
光面１１ａの背面側まで引き出したときに、リード線１
２を保持する絶縁フィルム１９が収容容器１４から外部
に露出（例えば、上述実施形態の寸法では０．３ｍｍ程
度露出）するように設定されたＴＡＢフィルムを用いて
組立作製されており、上述の各種工程を経て組み立てた
後には、幅狭に形成した回路基板５１の一端側に、受光
面１１ａが直角となる姿勢で固体撮像素子１１を取り付
けて、不図示の電極パッドに屈曲させたリード線１２の
後端部をはんだ付けなどして電気的に接続されている。In FIG. 20, the solid-state imaging device 10 is configured such that when the lead wire 12 connected to the solid-state imaging device 11 is bent and pulled out to the back side of the light receiving surface 11a,
The insulating film 19 holding the second 2 is assembled and manufactured using a TAB film set so as to be exposed to the outside from the container 14 (for example, about 0.3 mm in the dimensions of the above-described embodiment). After assembling through the process, the solid-state imaging device 11 is attached to one end side of the narrowly formed circuit board 51 so that the light receiving surface 11a is at a right angle, and the lead wire 12 bent to an electrode pad (not shown) is attached. Are electrically connected by soldering or the like.

【００８８】したがって、この固体撮像装置１０では、
収容容器１４から外部に露出するリード線１２を容易に
折曲・屈曲させることができ、絶縁フィルム１９により
邪魔されることなく、回路基板５１に接続することがで
きる。なお、本実施形態のように、固体撮像素子１１に
接続するリード線１２の先端から絶縁フィルム１９まで
の距離がある場合には、その距離に応じて、リード線１
２の先端部の位置が接続作業中などにばらつかないよう
に、リード線１２自体を厚めに、また、幅広に形成して
補強するのが好ましい。Therefore, in this solid-state imaging device 10,
The lead wire 12 exposed to the outside from the housing container 14 can be easily bent and bent, and can be connected to the circuit board 51 without being disturbed by the insulating film 19. If there is a distance from the tip of the lead wire 12 connected to the solid-state imaging device 11 to the insulating film 19 as in the present embodiment, the lead wire 1 is set according to the distance.
It is preferable that the lead wire 12 itself is formed thicker and wider to reinforce the lead wire 12 so that the position of the distal end of the lead wire 2 does not vary during the connection work or the like.

【００８９】このように本実施形態においては、上述実
施形態により安価に、かつ信頼性高く、また、小型に組
立作製した固体撮像装置１０を、容易に内視鏡などのよ
うな小型のカメラヘッドに取り付けることができる。As described above, in the present embodiment, the solid-state imaging device 10 which is inexpensive, highly reliable, and compactly manufactured by the above-described embodiment can be easily mounted on a small camera head such as an endoscope. Can be attached to

【００９０】本実施形態の他の態様としては、図２１に
示すように、同様に作製した固体撮像装置１０のリード
線１２を、互いに離隔するように容易に再度折り曲げ
て、固体撮像素子１１の受光面１１ａの背面と平行にな
るように拡開させた後に（再折曲工程）、回路基板５２
の一面側に固体撮像素子１１が水平となる姿勢で設置し
てリード線１２の後端部をはんだ付けなどして電気的に
接続されている。このとき、収容容器１４の下端部では
絶縁フィルム１９がリード線１２との間に介在して、絶
縁性を確保することができる。As another mode of the present embodiment, as shown in FIG. 21, the lead wires 12 of the solid-state imaging device 10 similarly manufactured are easily bent again so as to be separated from each other, and the solid-state imaging device 11 After being expanded so as to be parallel to the back surface of the light receiving surface 11a (re-bending step), the circuit board 52
The solid-state imaging device 11 is installed on one side in a horizontal position, and the rear ends of the lead wires 12 are electrically connected by soldering or the like. At this time, the insulating film 19 is interposed between the lower end portion of the container 14 and the lead wire 12 to ensure insulation.

【００９１】また、図２２に示すように、収容容器１４
から露出するリード線１２のうち、固体撮像素子１１の
受光面１１ａの一側辺側を、同様に固体撮像素子１１の
背面と平行になるように容易に再度折り曲げて拡開させ
る一方、他辺側のリード線１２は、回路基板５３の一端
側から裏面側に回り込むように容易に再度折り曲げた後
に（再折曲工程）、回路基板５３の一端部で固体撮像素
子１１が水平となる姿勢でリード線１２の後端部を回路
基板５３の両面側にはんだ付けなどして電気的に接続さ
れている。Further, as shown in FIG.
Similarly, one side of the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11 of the lead wire 12 exposed from the other side is easily bent and expanded again so as to be parallel to the back surface of the solid-state imaging device 11, while the other side is opened. The side lead wire 12 is easily bent again from one end side of the circuit board 53 to the back side (re-bending step), and then the solid-state imaging device 11 is positioned horizontally at one end of the circuit board 53. The rear ends of the lead wires 12 are electrically connected to both sides of the circuit board 53 by soldering or the like.

【００９２】このように、固体撮像装置１０にあって
は、回路基板への取付形態が異なる場合にも共通使用す
ることができ、量産化を可能にしてコストをより削減す
ることができる。なお、本発明に係わる固体撮像素子
は、ＣＣＤに限らず、ＣＭＯＳなどの光電変化素子全般
に対応できるものである。As described above, the solid-state imaging device 10 can be commonly used even when the mounting form to the circuit board is different, so that mass production is possible and cost can be further reduced. The solid-state imaging device according to the present invention is applicable not only to a CCD but also to a photoelectric conversion device such as a CMOS.

【００９３】[0093]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、収容容
器を介在させて固体撮像素子と透光板とを接合すること
によって、その収容容器の厚さを調整することにより、
固体撮像素子の受光面と透光板の内面との間の間隔を任
意に設定することができる。したがって、撮像映像に影
響しないように、光学的欠陥の大きさの許容範囲を大き
くすることができ、この光学的欠陥のための品質管理を
緩和し、また、欠陥の発生率を低下させて歩留まりを向
上することができる。この結果、品質の高い映像を撮像
でき、コストダウンを図った固体撮像装置を提供するこ
とができる。As described above, according to the present invention, the thickness of the container is adjusted by joining the solid-state imaging device and the light transmitting plate with the container interposed therebetween.
The distance between the light receiving surface of the solid-state imaging device and the inner surface of the light transmitting plate can be set arbitrarily. Therefore, the allowable range of the size of the optical defect can be increased so as not to affect the captured image, the quality control for the optical defect is eased, and the yield of the defect is reduced by reducing the incidence of the defect. Can be improved. As a result, it is possible to provide a solid-state imaging device capable of capturing high-quality video and reducing costs.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明に係る固体撮像装置およびその作製方法
の第１実施形態を示す図であり、その構成を説明する上
面図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a first embodiment of a solid-state imaging device and a method for manufacturing the same according to the present invention, and is a top view illustrating the configuration thereof.

【図２】図１におけるＡ−Ａ縦断面図である。FIG. 2 is a vertical sectional view taken along the line AA in FIG.

【図３】図１におけるＢ−Ｂ縦断面図である。FIG. 3 is a vertical sectional view taken along line BB in FIG.

【図４】その作製方法を説明する工程図である。FIG. 4 is a process drawing illustrating a manufacturing method thereof.

【図５】図４に続く工程図である。FIG. 5 is a process drawing following FIG. 4;

【図６】図５に続く工程図である。FIG. 6 is a process drawing following FIG. 5;

【図７】その一接合工程を説明する平面図である。FIG. 7 is a plan view illustrating one bonding step.

【図８】本発明に係る固体撮像装置およびその作製方法
の第２実施形態を示す図であり、その構成を説明する上
面図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same, and is a top view illustrating the configuration thereof.

【図９】図８におけるＡ−Ａ縦断面図である。9 is a vertical sectional view taken along the line AA in FIG.

【図１０】図８におけるＢ−Ｂ縦断面図である。FIG. 10 is a vertical sectional view taken along line BB in FIG. 8;

【図１１】その接合状態を説明する固体撮像素子の透視
上面図である。FIG. 11 is a transparent top view of the solid-state imaging device for explaining the bonding state.

【図１２】その作製方法を説明する工程図である。FIG. 12 is a process diagram illustrating a manufacturing method thereof.

【図１３】その一接合工程を説明する一部拡大縦断面図
である。FIG. 13 is a partially enlarged longitudinal sectional view illustrating one joining step.

【図１４】その他の態様を示す横断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing another embodiment.

【図１５】本発明に係る固体撮像装置およびその作製方
法の第３実施形態を示す図であり、その要部構成を説明
する縦断面図である。FIG. 15 is a view showing a third embodiment of the solid-state imaging device and the method for manufacturing the same according to the present invention, and is a longitudinal sectional view illustrating the configuration of a main part thereof.

【図１６】本発明に係る固体撮像装置およびその作製方
法の第４実施形態を示す図であり、その要部構成を説明
する縦断面図である。FIG. 16 is a diagram showing a fourth embodiment of the solid-state imaging device and the method for manufacturing the same according to the present invention, and is a longitudinal sectional view illustrating the configuration of the main part thereof.

【図１７】その構成を説明する一部拡大平面図である。FIG. 17 is a partially enlarged plan view illustrating the configuration.

【図１８】その構成を説明する一部拡大側面図である。FIG. 18 is a partially enlarged side view illustrating the configuration.

【図１９】その他の態様を示す図であり、（ａ）は平面
図、（ｂ）は側面図である。FIGS. 19A and 19B are diagrams showing other aspects, in which FIG. 19A is a plan view and FIG. 19B is a side view.

【図２０】本発明に係る固体撮像装置およびその作製方
法の第５実施形態を示す図であり、その構成を説明する
縦断面図である。FIG. 20 is a view showing a solid-state imaging device according to a fifth embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same, and is a longitudinal sectional view illustrating the configuration thereof.

【図２１】その他の態様を示す縦断面図である。FIG. 21 is a longitudinal sectional view showing another mode.

【図２２】その他の態様を示す縦断面図である。FIG. 22 is a longitudinal sectional view showing another embodiment.

【図２３】従来技術を示す図であり、その構成を説明す
る上面図である。FIG. 23 is a view showing a conventional technique, and is a top view for explaining the configuration thereof.

【図２４】図２３におけるＡ−Ａ縦断面図である。24 is a vertical sectional view taken along line AA in FIG. 23.

【図２５】その課題を説明する一部拡大縦断面図であ
る。FIG. 25 is a partially enlarged longitudinal sectional view illustrating the problem.

【図２６】その作製方法の一部を説明する工程図であ
る。FIG. 26 is a process chart illustrating a part of the manufacturing method.

【図２７】その他の作製方法を説明する工程図である。FIG. 27 is a process diagram illustrating another manufacturing method.

【図２８】その接合工程を説明する上面図である。FIG. 28 is a top view illustrating the bonding step.

【図２９】その他の従来技術を示す図であり、その構成
を説明する上面図である。FIG. 29 is a diagram showing another related art, and is a top view for explaining the configuration thereof.

【図３０】図２９におけるＡ−Ａ縦断面図である。30 is a vertical sectional view taken along line AA in FIG. 29.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０、２０ 固体撮像装置 １１ａ 受光面 １１ｂ 電極パッド １２、４２ リード線 １３ 光学ガラス １４、２４ 収容容器 １４ａ、２４ａ、２４ｂ ツバ部 １５ 接着剤 １６、４６ バンプ １７ 封止材 １８ 空間 １９ 絶縁フィルム ３１ 絶縁体 ４２ａ 折曲部 ５１〜５３ 回路基板 10, 20 Solid-state imaging device 11a Light receiving surface 11b Electrode pad 12, 42 Lead wire 13 Optical glass 14, 24 Housing 14a, 24a, 24b Collar 15 Adhesive 16, 46 Bump 17 Sealant 18 Space 19 Insulation film 31 Insulation Body 42a Bend 51-53 Circuit board

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 固体撮像素子の受光面に対向するように
透光板を配置するとともに、前記受光面側に設けられた
電極に光電変換された電気信号を取り出すリード線を接
続した固体撮像装置であって、 前記固体撮像素子、及び前記リード線の一部を収納する
筒状部と、前記筒状部の一端開口に連接され、前記固体
撮像素子の受光面と前記透光板との間に配置されて、前
記固体撮像素子の受光面と前記透光板とを離間する端面
部とを有する収容容器と、 前記収容容器の内部に充填され、前記固体撮像素子、及
び前記リード線の一部を封止する封止材と、 を備えたことを特徴とする固体撮像装置。1. A solid-state imaging device in which a light-transmitting plate is arranged so as to face a light-receiving surface of a solid-state imaging device, and a lead wire for extracting a photoelectrically converted electric signal is connected to an electrode provided on the light-receiving surface side. The solid-state imaging device, a tubular portion that houses a part of the lead wire, and connected to one end opening of the tubular portion, between a light-receiving surface of the solid-state imaging device and the light-transmitting plate. A container having a light receiving surface of the solid-state imaging device and an end surface portion that separates the light-transmitting plate from the light-receiving surface; and one of the solid-state imaging device and the lead wire that is filled in the storage container. A solid-state imaging device, comprising: a sealing member that seals a portion. 【請求項２】 前記収容容器は、前記固体撮像素子およ
び前記透光板の対向面に直接接触して位置決めすること
を特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。2. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the storage container is positioned by directly contacting the opposing surfaces of the solid-state imaging device and the light transmitting plate. 【請求項３】 前記収容容器を導電性材料により作製す
るとともに、少なくとも前記固体撮像素子との接合面に
絶縁性を持たせたことを特徴とする請求項１または２に
記載の固体撮像装置。3. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the storage container is made of a conductive material, and at least a joint surface with the solid-state imaging device has an insulating property. 【請求項４】 前記収容容器を絶縁性材料により作製し
たことを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像
装置。4. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the container is made of an insulating material. 【請求項５】 前記絶縁性材料として有機材料を用いて
前記収容容器を作製したことを特徴とする請求項４に記
載の固体撮像装置。5. The solid-state imaging device according to claim 4, wherein the container is manufactured using an organic material as the insulating material. 【請求項６】 前記収容容器の外部に露出する外面に金
属めっきを形成したことを特徴とする請求項４または５
に記載の固体撮像装置。6. A metal plating is formed on an outer surface exposed to the outside of the storage container.
3. The solid-state imaging device according to item 1. 【請求項７】 前記収容容器と前記透光板の材料とし
て、互いの熱膨張係数の近くなる材質を選択したことを
特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の固体撮
像装置。7. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein a material having a coefficient of thermal expansion close to each other is selected as a material of the storage container and the light transmitting plate. 【請求項８】 前記透光板を、光学ガラスあるいは光学
フィルタとしたことを特徴とする請求項１ないし７のい
ずれかに記載の固体撮像装置。8. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the light transmitting plate is an optical glass or an optical filter. 【請求項９】 前記収容容器を、前記固体撮像素子の前
記電極に接続する前記リード線の先端部を視認可能に内
方に位置させる枠形状に形成したことを特徴とする請求
項１ないし８のいずれかに記載の固体撮像装置。9. The container according to claim 1, wherein the container is formed in a frame shape in which a front end of the lead wire connected to the electrode of the solid-state imaging device is located inward so as to be visible. The solid-state imaging device according to any one of the above. 【請求項１０】 前記リード線は、前記固体撮像素子の
側面近傍に沿うように折り曲げて前記受光面の背面側か
ら外部に引き出す一方、 前記収容容器は、前記固体撮像素子の側面を覆う枠形状
にするとともに前記固体撮像素子と直接接触する部位お
よび前記リード線を非接触に通過させる空間を形成した
ことを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の
固体撮像装置。10. The lead wire is bent along the vicinity of the side surface of the solid-state imaging device and drawn out from the back side of the light-receiving surface, while the housing container has a frame shape that covers the side surface of the solid-state imaging device. The solid-state imaging device according to any one of claims 1 to 9, wherein a portion that directly contacts the solid-state imaging element and a space through which the lead wire passes without contact are formed. 【請求項１１】 上記請求項１に記載の固体撮像装置の
作製方法であって、 前記リード線の先端部を前記固体撮像素子の電極に接続
する接続工程と、前記収容容器と前記透光板の位置関係
を位置決めする第１位置決め工程と、前記リード線を接
続された前記固体撮像素子と前記収容容器との位置関係
を位置決めする第２位置決め工程と、前記収容容器と前
記透光板とを位置決めされた位置関係に接合固定する第
１接合工程と、前記固体撮像素子と前記収容容器とを位
置決めされた位置関係に接合固定する第２接合工程と、
を備え、 前記第１、第２接合工程を、同時に、または、前記第
１、第２接合工程の順に、あるいは、前記第２、第１接
合工程の順に行うことを特徴とする固体撮像装置の作製
方法。11. The method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 1, wherein: a connecting step of connecting a tip end of the lead wire to an electrode of the solid-state imaging device; A first positioning step of positioning the positional relationship between the solid-state imaging device and the housing container to which the lead wire is connected, and a second positioning step of positioning the positional relationship between the housing container and the housing container. A first joining step of joining and fixing the positioned positional relationship, and a second joining step of joining and fixing the solid-state imaging device and the housing container in a positioned positional relationship;
Wherein the first and second joining steps are performed simultaneously, in the order of the first and second joining steps, or in the order of the second and first joining steps. Production method. 【請求項１２】 上記請求項２に記載の固体撮像装置の
作製方法であって、 前記第２位置決め工程は、前記固体撮像素子を保持して
予め設定されている上方の位置で前記収容容器に対面す
る状態にした後に、前記固体撮像素子の保持を解除し
て、前記固体撮像素子の対向面に前記収容容器を直接接
触させることにより、前記透光板を前記収容容器に接合
したときに前記透光板と前記固体撮像素子との間隔が前
記収容容器の厚さに応じた距離になるように、位置決め
することを特徴とする請求項１１に記載の固体撮像装置
の作製方法。12. The method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 2, wherein the second positioning step includes holding the solid-state imaging device and setting the solid-state imaging device in the storage container at a predetermined upper position. After being in a facing state, the holding of the solid-state imaging device is released, and the housing is brought into direct contact with the facing surface of the solid-state imaging device, so that the light-transmitting plate is bonded to the housing. The method of manufacturing a solid-state imaging device according to claim 11, wherein the positioning is performed such that a distance between a light-transmitting plate and the solid-state imaging device is a distance corresponding to a thickness of the storage container. 【請求項１３】 前記リード線としてＴＡＢ（Tape Aut
omated Bonding）フィルム上に形成されて保持部により
保持されているものを用いる前記接続工程と、前記接続
工程により接続した前記リード線を前記固体撮像素子の
側面近傍に沿うように折り曲げる折曲工程と、を備える
ことを特徴とする請求項１１または１２に記載の固体撮
像装置の作製方法。13. A TAB (Tape Aut) as the lead wire.
omated Bonding) a connecting step using a member formed on a film and held by a holding portion, and a bending step of bending the lead wire connected in the connecting step along a vicinity of a side surface of the solid-state imaging device. 13. The method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 11, further comprising: 【請求項１４】 上記請求項１０に記載の固体撮像装置
の作製方法であって、 前記接続工程は、前記リード線を保持する前記保持部の
位置が前記折曲工程により折り曲げられたときに前記固
体撮像素子の側面よりも外部に露出するように設定した
前記ＴＡＢフィルムを用いることを特徴とする請求項１
３に記載の固体撮像装置の作製方法。14. The method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 10, wherein in the connecting step, when a position of the holding unit that holds the lead wire is bent by the bending step. 2. The method according to claim 1, wherein the TAB film is set so as to be exposed outside the side surface of the solid-state imaging device.
4. The method for manufacturing the solid-state imaging device according to 3. 【請求項１５】 前記折曲工程により前記固体撮像素子
の側面近傍に沿うように折り曲げられた前記リード線を
前記固体撮像素子の前記受光面と平行になるように再度
折り曲げる再折曲工程を備えることを特徴とする請求項
１４に記載の固体撮像装置の作製方法。15. A re-bending step of bending the lead wire bent along the vicinity of a side surface of the solid-state imaging device in the bending step again so as to be parallel to the light receiving surface of the solid-state imaging device. The method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 14, wherein:
JP2001093167A 2000-03-30 2001-03-28 Solid state image pickup device and its manufacturing method Withdrawn JP2001345392A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001093167A JP2001345392A (en) 2000-03-30 2001-03-28 Solid state image pickup device and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-93523 2000-03-30
JP2000093523 2000-03-30
JP2001093167A JP2001345392A (en) 2000-03-30 2001-03-28 Solid state image pickup device and its manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001345392A true JP2001345392A (en) 2001-12-14

Family

ID=26588840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001093167A Withdrawn JP2001345392A (en) 2000-03-30 2001-03-28 Solid state image pickup device and its manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001345392A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7280145B2 (en) 2002-07-30 2007-10-09 Olympus Optical Co., Ltd. Camera and image pick-up device unit having an optical member that is vibrated to remove dust
US7324149B2 (en) 2002-05-20 2008-01-29 Olympus Optical Co., Ltd. Camera and image pick-up device unit having an optical member that is vibrated to remove dust
US7324148B2 (en) 2002-04-26 2008-01-29 Olympus Optical Co., Ltd. Camera and image pickup device unit used therefor having a sealing structure between a dust proofing member and an image pick up device
US7339623B2 (en) 2002-05-27 2008-03-04 Olympus Optical Co., Ltd. Camera and image pickup device unit which reduce influence of dust image quality
CN100451813C (en) * 2005-01-28 2009-01-14 三星电机株式会社 Camera module with minimized defects caused by dirt particles on optical filter
WO2017134972A1 (en) * 2016-02-01 2017-08-10 ソニー株式会社 Imaging element package and imaging device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7324148B2 (en) 2002-04-26 2008-01-29 Olympus Optical Co., Ltd. Camera and image pickup device unit used therefor having a sealing structure between a dust proofing member and an image pick up device
US7589780B2 (en) 2002-04-26 2009-09-15 Olympus Optical Co., Ltd. Camera and image pick-up device unit used therefor having a sealing structure between a dust-proofing member and an image pick-up device
US7324149B2 (en) 2002-05-20 2008-01-29 Olympus Optical Co., Ltd. Camera and image pick-up device unit having an optical member that is vibrated to remove dust
US7339623B2 (en) 2002-05-27 2008-03-04 Olympus Optical Co., Ltd. Camera and image pickup device unit which reduce influence of dust image quality
US7280145B2 (en) 2002-07-30 2007-10-09 Olympus Optical Co., Ltd. Camera and image pick-up device unit having an optical member that is vibrated to remove dust
US7591598B2 (en) 2002-07-30 2009-09-22 Olympus Optical Co., Ltd. Camera having a dust-proofing member that is vibrated to remove dust, the dust-proofing member being pressed by a spring pressing member toward a sealing part that seals a space between the dust-proofing member and an image pickup-device
US7686524B2 (en) 2002-07-30 2010-03-30 Olympus Optical Co., Ltd. Image pick-up device unit having a dust-proofing member that is vibrated to remove dust, the dust-proofing member being pressed by a spring pressing member toward a sealing structure that seals an interval between the dust-proofing member and an image pick-up device
CN100451813C (en) * 2005-01-28 2009-01-14 三星电机株式会社 Camera module with minimized defects caused by dirt particles on optical filter
WO2017134972A1 (en) * 2016-02-01 2017-08-10 ソニー株式会社 Imaging element package and imaging device
US11094722B2 (en) 2016-02-01 2021-08-17 Sony Corporation Image sensor package and imaging apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10032824B2 (en) Image sensor structure and packaging method thereof
US7911017B1 (en) Direct glass attached on die optical module
CN102891152B (en) Semiconductor package body
US7494292B2 (en) Image sensor module structure comprising wire bonding package and method of manufacturing the image sensor module structure
TWI228948B (en) Camera module
US10714526B2 (en) Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
US20050116138A1 (en) Method of manufacturing a solid state image sensing device
KR102249873B1 (en) Photographic assembly and packaging method thereof, lens module, electronic device
JP7508380B2 (en) Integrated packaging process-based camera module, integrated base part thereof, and manufacturing method thereof
JP3417225B2 (en) Solid-state imaging device and camera using it
US8599263B2 (en) Camera module and method of manufacturing the same
JPH06204442A (en) Slid-state image sensing apparatus and manufacture thereof
JP3355881B2 (en) Solid-state imaging device and manufacturing method thereof
JP2001078064A (en) Camera module, camera system using the same and optical module
KR102250618B1 (en) Photographic assembly and packaging method thereof, lens module, electronic device
JP2001345392A (en) Solid state image pickup device and its manufacturing method
JPH03155671A (en) Solid-state image sensing device
JP6221299B2 (en) Hermetic sealing body and hermetic sealing method
US20210175135A1 (en) Semiconductor package structures and methods of manufacturing the same
JP4890682B2 (en) Solid-state imaging device and manufacturing method thereof
JP2009111334A (en) Optical device and method of manufacturing the same, and semiconductor device
JP2004221874A (en) Optical module, manufacturing method therefor, circuit board and electronic apparatus
CN112820749A (en) Chip packaging structure, method and electronic equipment
JPH10144898A (en) Solid state image pickup apparatus
JPH09186308A (en) Manufacture of solid-state image pickup module

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071120

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20090831