JP2001345392A - Solid state image pickup device and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置およ
びその作製方法にする。The present invention relates to a solid-state imaging device and a method for manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、固体撮像素子の受光面の電極
にリード線を接続して、受けた光を光電変換した電気信
号を取り出して被写体の映像を撮影する固体撮像装置が
知られており、この固体撮像装置は、固体撮像素子の受
光面に対面するように透光板を配置して保護するように
組立作製されている。2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a solid-state image pickup apparatus in which a lead wire is connected to an electrode on a light receiving surface of a solid-state image pickup device, an electric signal obtained by photoelectrically converting received light is taken out, and an image of a subject is taken. The solid-state imaging device is assembled and manufactured so that a light-transmitting plate is disposed so as to face the light-receiving surface of the solid-state imaging device and is protected.
【0003】この種の固体撮像装置としては、図23お
よび図24に示すような構造を有するものがあり、この
固体撮像装置100は、固体撮像素子(CCD)101
の受光面101aから引き出して外周に配設された電極
パッド101bにリード線102の先端部(所謂、内部
リード端子)を接続するとともに、そのリード線102
の後端部(所謂、外部リード端子)を固体撮像素子10
1の受光面101aの背面側から引出可能な状態にされ
ており、この固体撮像素子101は、受光面101aを
保護する光学ガラス(透光板)103と共に、金属から
なる薄肉の収容容器104内に全体を収めて封止材10
5により充填密封することにより組立作製されている。As this type of solid-state imaging device, there is one having a structure as shown in FIGS. 23 and 24. The solid-state imaging device 100 includes a solid-state imaging device (CCD) 101.
Of the lead wire 102 (so-called internal lead terminal) is connected to an electrode pad 101b which is drawn out from the light receiving surface 101a of the lead wire 102 and disposed on the outer periphery thereof.
Of the solid-state image sensor 10
The light receiving surface 101a of the solid state imaging device 101 can be pulled out from the back side of the light receiving surface 101a. Encapsulating material 10
5 is assembled and manufactured by filling and sealing.
【0004】リード線102は、固体撮像素子101の
複数の電極パッド101bに先端部をバンプ106を介
して圧接された状態で超音波熱圧着などの接合方法によ
り電気的・機械的に接続されており、このリード線10
2の先端部は、その固体撮像素子101の周縁から側面
に至るように(後端部が受光面101aの背面側に延長
されるように)外周角部の近傍でほぼ直角に曲げられて
いる。The lead wire 102 is electrically and mechanically connected to the plurality of electrode pads 101b of the solid-state image pickup device 101 by a bonding method such as ultrasonic thermocompression bonding while the tip portions are pressed against each other via the bumps 106. And this lead wire 10
The front end portion 2 is bent at a substantially right angle in the vicinity of the outer peripheral corner portion so as to extend from the peripheral edge to the side surface of the solid-state imaging device 101 (so that the rear end portion extends to the back side of the light receiving surface 101a). .
【0005】光学ガラス103は、固体撮像素子101
の外形と略同等のサイズに設定されており、リード線1
02の先端部(上面)に載置されて、対面する受光面1
01aを中心で覆うように位置決めされている。この光
学ガラス103は、受光面101aを囲うように受光面
101aの周縁に塗布された接着剤107によりリード
線102の先端部と共に固体撮像素子101に接合固定
されており、その受光面101aとの間に空間距離とし
て0.1mm前後に設定された密閉空間108を形成す
るとともに、固体撮像素子101の受光面101a上の
集光用のオンチップレンズ(不図示)の効果を引き出し
ている。[0005] The optical glass 103 is a solid-state image sensor 101.
The size of the lead wire is approximately the same as
02, which is placed on the front end (upper surface) of the light-receiving surface 2
01a is positioned so as to cover it at the center. The optical glass 103 is fixedly bonded to the solid-state imaging device 101 together with the tip of the lead wire 102 by an adhesive 107 applied to the periphery of the light receiving surface 101a so as to surround the light receiving surface 101a. A sealed space 108 having a space distance of about 0.1 mm is formed therebetween, and the effect of an on-chip lens (not shown) for condensing light on the light receiving surface 101a of the solid-state imaging device 101 is brought out.
【0006】このように固体撮像装置100は、固体撮
像素子101と光学ガラス103とをリード線102の
先端部を介して積層する構造を採用し、これらを収容容
器104内に収容封止して作製されている。この固体撮
像装置100は、電極パッド101bに接続したリード
線102を固体撮像素子101の周縁近くで折り曲げて
側面近傍に沿わせることにより受光面101aの背面側
から外部に引き出して径方向を縮小した構造体とし、内
視鏡などのように制御部と分離したカメラヘッド分離型
のビデオカメラ等に用いられている。As described above, the solid-state imaging device 100 adopts a structure in which the solid-state imaging element 101 and the optical glass 103 are laminated via the tip of the lead wire 102, and these are housed and sealed in the housing 104. Have been made. In this solid-state imaging device 100, the lead wire 102 connected to the electrode pad 101 b is bent near the periphery of the solid-state imaging device 101 and along the vicinity of the side surface, thereby being drawn out from the back side of the light receiving surface 101 a to reduce the radial direction. It has a structure and is used for a video camera of a camera head separated type separated from a control unit such as an endoscope.
【0007】そして、リード線102は、固体撮像素子
101にリードフレーム方式またはフィルムキャリア方
式のいずれかにより接続するのが一般的である。なお、
図中、絶縁板109は、そのリード線102に固着(粘
着や接合)されている。The lead wire 102 is generally connected to the solid-state imaging device 101 by either a lead frame method or a film carrier method. In addition,
In the figure, an insulating plate 109 is fixed (adhesive or bonded) to the lead wire 102.
【0008】ここで、固体撮像素子101は、シリコン
基板から作製されるが、そのシリコン基板自体に電位が
あり、リード線102と接触すると短絡して誤動作して
しまう。特に、この固体撮像素子101の受光面101
a側の周縁から側面に至る外周角部はリード線102と
接触し易い部位であることから、固体撮像素子101へ
のリード線102の接続には次のような工夫がなされて
いる。Here, the solid-state imaging device 101 is manufactured from a silicon substrate, but the silicon substrate itself has a potential, and if it contacts the lead wire 102, it will short-circuit and malfunction. In particular, the light receiving surface 101 of the solid-state imaging device 101
Since the outer peripheral corner from the peripheral edge on the side a to the side surface is a portion that is easily contacted with the lead wire 102, the following contrivance has been made in connecting the lead wire 102 to the solid-state imaging device 101.
【0009】まず、リード線102をリードフレーム方
式により供給するときには、そのリード線102は、例
えば、鉄ニッケル系の合金で、厚さが約150μm程度
もあることから剛質である。このため、リード線102
をバンプ106に接合した後に曲げようとすると、自身
の曲げ応力により電極パッド101bや、バンプ106
とリード線102との接合部が破壊してしまうととも
に、仮に、うまく曲げることができたとして、図25に
示すように、固体撮像素子101の外周角部にリード線
102が接触してしまう。First, when the lead wire 102 is supplied by a lead frame method, the lead wire 102 is made of, for example, an iron-nickel alloy and is rigid because it has a thickness of about 150 μm. Therefore, the lead wire 102
Is bent after being bonded to the bump 106, the electrode pad 101b or the bump 106
The joint between the lead wire 102 and the lead wire 102 is broken, and the lead wire 102 comes into contact with the outer peripheral corner of the solid-state imaging device 101 as shown in FIG.
【0010】このことから、リード線102の先端部を
ほぼ直角に曲げたものを用意することにより、これを図
26(a)に示すように固体撮像素子101の側面に沿
うように案内して位置決めし、図26(b)に示すよう
にその先端部がバンプ106に圧接する状態とした後
に、超音波熱圧着などにより電気的・機械的に接続する
ことができる。この工程により、リード線102の接続
後の曲げ工程を省略することができ、接続状態の品質を
確保すると共に固体撮像素子101の外周角部との短絡
を防止することができるようにしている。[0010] From this, by preparing a lead wire 102 whose distal end is bent at a substantially right angle, it is guided along the side surface of the solid-state imaging device 101 as shown in FIG. After being positioned and brought into a state in which the tip portion is pressed against the bump 106 as shown in FIG. 26 (b), it can be electrically and mechanically connected by ultrasonic thermocompression bonding or the like. By this step, the bending step after the connection of the lead wire 102 can be omitted, the quality of the connection state can be ensured, and a short circuit with the outer peripheral corner of the solid-state imaging device 101 can be prevented.
【0011】一方、リード線102をフィルムキャリア
方式により供給するときには、リード線102は、絶縁
フィルム(絶縁板)109上に形成する銅箔により作製
するため、その厚みが約30μmで軟質で柔軟であるこ
とから、リードフレーム方式の場合のように予め先端部
を曲げておく必要はなく、固体撮像素子101に接続し
た後に折り曲げればよい。On the other hand, when the lead wire 102 is supplied by a film carrier method, the lead wire 102 is made of a copper foil formed on an insulating film (insulating plate) 109. For this reason, it is not necessary to bend the front end portion in advance as in the case of the lead frame method, but it is sufficient to bend after connecting to the solid-state imaging device 101.
【0012】具体的には、図27の工程図(a)〜
(d)に示すように、リード線102は、フィルムキャ
リアのまま(直線状態のまま)固体撮像素子101の電
極パッド101b上に形成したバンプ106に接続され
て(a)、固体撮像素子101の受光面101aの周囲
と共に接着剤107を塗布された後に(b)、図28に
示すように、その上に光学ガラス103が載置されるこ
とにより、リード線102の先端部を挟む状態で固体撮
像素子101と光学ガラス103の間を接着剤107が
隙間なく行き渡って密着固着させることができ(c)、
この後に、光学ガラス103の周縁まで固着されている
リード線102を固体撮像素子101の側面近傍を沿う
ようにほぼ直角に曲げて(d)、作製するようになって
いる。More specifically, FIGS.
As shown in (d), the lead wire 102 is connected to the bump 106 formed on the electrode pad 101b of the solid-state imaging device 101 as a film carrier (in a linear state) (a). After the adhesive 107 is applied together with the periphery of the light receiving surface 101a (FIG. 28B), as shown in FIG. 28, the optical glass 103 is mounted on the adhesive 107 so as to sandwich the leading end of the lead wire 102 in a solid state. The adhesive 107 can be spread and tightly fixed between the image sensor 101 and the optical glass 103 without any gap (c).
Thereafter, the lead wire 102 fixed to the peripheral edge of the optical glass 103 is bent at a substantially right angle along the vicinity of the side surface of the solid-state imaging device 101 (d) to manufacture.
【0013】また、リード線102をフィルムキャリア
方式により供給する場合には、上述した固体撮像装置1
00のように光学ガラス103をリード線102の先端
部上に直接載置するのではなく、固体撮像素子101に
接続するリード線102の先端部を保持する絶縁フィル
ム(絶縁板)を介して光学ガラス103を固着させるよ
うにしてもよい。When the lead wires 102 are supplied by a film carrier method, the solid-state imaging device 1 described above is used.
Instead of placing the optical glass 103 directly on the tip of the lead wire 102 as in the case of 00, the optical glass 103 is optically placed via an insulating film (insulating plate) that holds the tip of the lead wire 102 connected to the solid-state imaging device 101. The glass 103 may be fixed.
【0014】具体的には、図29、図30に示すよう
に、固体撮像素子101の受光面101aが露出するよ
うに開口するとともに外周を固体撮像素子101の外形
とほぼ同等サイズに形成した額縁状の絶縁フィルム(絶
縁板)119にリード線102の先端部を保持させたフ
ィルムキャリアを準備して、固体撮像素子101の電極
パッド101bにリード線102の先端部を接続した後
に、そのリード線102を保持する絶縁フィルム119
の上に光学ガラス103を載置して固体撮像素子101
に接合するように固体撮像装置200を構成してもよ
い。More specifically, as shown in FIGS. 29 and 30, a frame having an opening so that the light receiving surface 101a of the solid-state imaging device 101 is exposed and having an outer periphery formed to have substantially the same size as the outer shape of the solid-state imaging device 101. A film carrier in which the tip of the lead wire 102 is held on an insulative insulating film (insulating plate) 119 is prepared, and after the tip of the lead wire 102 is connected to the electrode pad 101b of the solid-state imaging device 101, the lead wire is connected. Insulating film 119 holding 102
The optical glass 103 is placed on the
The solid-state imaging device 200 may be configured to be joined to the solid-state imaging device.
【0015】この固体撮像装置200は、このように光
学ガラス103とリード線102との間に絶縁フィルム
(絶縁板)119を介在させることにより、固体撮像素
子101の受光面101aと光学ガラス103内面まで
の空間118の間隔を、上述の固体撮像装置100の場
合の約0.1mmよりも広い0.2mm前後に設定する
ことができるとともに、光学ガラス103周縁より外方
までリード線102の固着位置を持ち出して固体撮像素
子101の側面近傍を沿うようにリード線102を折り
曲げることができる。In the solid-state imaging device 200, by interposing the insulating film (insulating plate) 119 between the optical glass 103 and the lead wire 102, the light receiving surface 101a of the solid-state imaging device 101 and the inner surface of the optical glass 103 are provided. Can be set to about 0.2 mm, which is wider than about 0.1 mm in the case of the solid-state imaging device 100 described above, and the position where the lead wire 102 is fixed to the outside of the periphery of the optical glass 103. And the lead wire 102 can be bent along the vicinity of the side surface of the solid-state imaging device 101.
【0016】なお、この固体撮像装置200は、絶縁フ
ィルム119に形成したリード線102の先端部にも、
電極パッド(不図示)を形成して、固体撮像素子101
の電極パッド101b上に形成したボールバンプ106
に接続するようになっており、絶縁フィルム119は、
一般的な接着剤117により光学ガラス103と接着接
合した後に、固体撮像素子101およびリード線102
を接続するので、例えば、エポキシ樹脂内に直径1〜1
0μmの金粒子を分散させた所謂、異方性導電材料(導
電接着材)120を用いて、その金粒子により確実に導
通を得るとともに空間118を密閉状態に封止するよう
になっている。The solid-state imaging device 200 also includes a lead wire 102 formed on the insulating film 119 at the tip thereof.
An electrode pad (not shown) is formed, and the solid-state imaging device 101 is formed.
Ball bump 106 formed on the electrode pad 101b of FIG.
Is connected to the insulating film 119.
After being adhesively bonded to the optical glass 103 with a general adhesive 117, the solid-state imaging device 101 and the lead wires 102
Are connected, for example, a diameter of 1-1 in an epoxy resin.
By using a so-called anisotropic conductive material (conductive adhesive) 120 in which gold particles of 0 μm are dispersed, conduction is reliably obtained by the gold particles and the space 118 is sealed in a closed state.
【0017】[0017]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の固体撮像装置においては、固体撮像素子10
1の受光面11aと光学ガラス103内面との空間距離
が約0.1mmと狭く、この間に絶縁フィルム119を
介在させるにしても、約0.2mm程度しかならない。
このような構成では、受光面101aに近接する光学ガ
ラスに、撮像光を透過しない異物や傷などの不透過な欠
陥があると、その受光面101aから欠陥までの距離が
短ければ短いほど、固体撮像素子101の特性から、撮
像画像に顕著に映し出されて画像欠陥となってしまうた
め、光学ガラス103の制作工程や組立工程における光
学的欠陥の品質管理を厳しくしなければならず、結果と
して、歩留まりが低下し、高価なものになってしまうと
いう問題があった。However, in such a conventional solid-state imaging device, the solid-state imaging device 10
The spatial distance between the first light receiving surface 11a and the inner surface of the optical glass 103 is as narrow as about 0.1 mm, and even if the insulating film 119 is interposed therebetween, it is only about 0.2 mm.
In such a configuration, if the optical glass close to the light receiving surface 101a has an opaque defect such as a foreign matter or a scratch that does not transmit the imaging light, the shorter the distance from the light receiving surface 101a to the defect, the more solid Because of the characteristics of the image sensor 101, the image is remarkably reflected in the captured image and becomes an image defect. Therefore, the quality control of the optical defect in the production process and the assembly process of the optical glass 103 must be strict, and as a result, There has been a problem that the yield is reduced and the product becomes expensive.
【0018】また、封止性が要求される場合には、収容
容器104内に全体を収めて、封止材105により密封
するが、このような構成では、部品点数の増加、また、
封止材を大量に使用することによる材料費のコストアッ
プを招くばかりではなく、製造工程が複雑化し、高価な
ものになってしまうという問題があった。When the sealing property is required, the entirety is housed in the container 104 and sealed with the sealing material 105. In such a configuration, the number of parts is increased, and
The use of a large amount of sealing material not only increases the material cost, but also complicates the manufacturing process and raises the cost.
【0019】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたもので、封止性を低下させることなく、コ
ストダウンを図った固体撮換装置を提供することを目的
とする。The present invention has been made in order to solve such problems, and an object of the present invention is to provide a solid-state image pickup device that can reduce the cost without lowering the sealing performance.
【0020】[0020]
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置
は、固体撮像素子の受光面に対向するように透光板を配
置するとともに、前記受光面側に設けられた電極に光電
変換された電気信号を取り出すリード線を接続した固体
撮像装置であって、前記固体撮像素子、及び前記リード
線の一部を収納する筒状部と、前記筒状部の一端開口に
連接され、前記固体撮像素子の受光面と前記透光板との
間に配置されて、前記固体撮像素子の受光面と前記透光
板とを離間する端面部とを有する収容容器と、前記収容
容器の内部に充填され、前記固体撮像素子、及び前記リ
ード線の一部を封止する封止材と、を備える構成を有し
ている。In the solid-state imaging device according to the present invention, a light-transmitting plate is arranged so as to face a light-receiving surface of the solid-state imaging device, and photoelectric conversion is performed on an electrode provided on the light-receiving surface side. A solid-state imaging device to which a lead wire for extracting an electric signal is connected, wherein the solid-state imaging device is connected to a cylindrical portion that houses a part of the lead wire, and the solid-state imaging device is connected to one end opening of the cylindrical portion. A container disposed between the light receiving surface of the element and the light transmitting plate, the container having a light receiving surface of the solid-state imaging device and an end surface portion separating the light transmitting plate, and filled in the container. , The solid-state imaging device, and a sealing material for sealing a part of the lead wire.
【0021】本発明の固体撮像装置の作製方法は、上記
固体撮像装置の作製方法であって、前記リード線の先端
部を前記固体撮像素子の電極に接続する接続工程と、前
記収容容器と前記透光板の位置関係を位置決めする第1
位置決め工程と、前記リード線を接続された前記固体撮
像素子と前記収容容器との位置関係を位置決めする第2
位置決め工程と、前記収容容器と前記透光板とを位置決
めされた位置関係に接合固定する第1接合工程と、前記
固体撮像素子と前記収容容器とを位置決めされた位置関
係に接合固定する第2接合工程と、を備え、前記第1、
第2接合工程を、同時に、または、前記第1、第2接合
工程の順に、あるいは、前記第2、第1接合工程の順に
行う構成を有している。The method for manufacturing a solid-state imaging device according to the present invention is the method for manufacturing a solid-state imaging device described above, wherein a connecting step of connecting a tip end of the lead wire to an electrode of the solid-state imaging device; The first for positioning the positional relationship of the light transmitting plate
A positioning step, and a second step of positioning a positional relationship between the solid-state imaging device to which the lead wire is connected and the storage container.
A positioning step, a first joining step of joining and fixing the housing container and the light-transmitting plate in a positioned positional relationship, and a second joining and fixing of the solid-state imaging device and the housing container in a positioned positional relationship. A bonding step, wherein the first,
The second bonding step is performed simultaneously, or in the order of the first and second bonding steps, or in the order of the second and first bonding steps.
【0022】この構成により、収容容器を介在させて固
体撮像素子と透光板とを接合することができ、その収容
容器の厚さ分だけ、固体撮像素子の受光面と透光板の内
面との間の間隔を広く設定することができる。したがっ
て、撮像映像に影響しない光学的欠陥の大きさの許容範
囲を大きくすることができ、品質管理の緩和や歩留まり
の向上を実現して安価な固体撮像装置を提供することが
できる。According to this configuration, the solid-state imaging device and the light-transmitting plate can be joined to each other with the housing container interposed therebetween, and the light-receiving surface of the solid-state imaging device and the inner surface of the light-transmitting plate by the thickness of the housing container. Can be set wider. Therefore, the allowable range of the size of the optical defect that does not affect the captured image can be increased, and quality control can be eased and the yield can be improved, so that an inexpensive solid-state imaging device can be provided.
【0023】ここで、前記収容容器は、前記固体撮像素
子および前記透光板の対向面に直接接触して位置決めす
る構成とし、また、前記第2位置決め工程においては、
前記固体撮像素子を保持して予め設定されている上方の
位置で前記収容容器に対面する状態にした後に、前記固
体撮像素子の保持を解除して、前記固体撮像素子の対向
面に前記収容容器を直接接触させることにより、前記透
光板を前記収容容器に接合したときに前記透光板と前記
固体撮像素子との間隔が前記収容容器の厚さに応じた距
離になるように、位置決めすることを構成とすることに
より、収容容器の厚さにより固体撮像素子と透光板との
相対的な位置関係を容易に位置決めすることができ、こ
れらの間の間隔を収容容器の作製精度に設定することが
できる。Here, the container is configured to be positioned by directly contacting the opposing surfaces of the solid-state imaging device and the light transmitting plate, and in the second positioning step,
After holding the solid-state imaging device and facing the storage container at a preset upper position, the holding of the solid-state imaging device is released, and the storage container is disposed on the opposite surface of the solid-state imaging device. Are brought into direct contact with each other, so that when the light-transmitting plate is joined to the housing container, the distance between the light-transmitting plate and the solid-state imaging device is set to a distance corresponding to the thickness of the housing container. With this configuration, the relative positional relationship between the solid-state imaging device and the light-transmitting plate can be easily determined based on the thickness of the storage container, and the interval between them can be set to the manufacturing accuracy of the storage container. can do.
【0024】また、前記収容容器は、量産および少量生
産でも安価に作製可能に、金型成形あるいは切削加工の
可能な、金属などの導電性材料や、有機材料などにより
作製するのが好適であり、導電性材料を採用する場合に
は、固体撮像素子などとの導通を回避するように、少な
くとも固体撮像素子との接合面に絶縁性を持たせたり、
また、そのまま絶縁性材料により作製するのが適当であ
る。この場合には、アースとすることができるように、
導電性材料により作製するときには全体に絶縁性を持た
せるのではなく一部を露出させたり、絶縁性材料により
作製する場合には外部に露出する外面に金属めっきを形
成するのが便利である。It is preferable that the container is made of a conductive material such as a metal or an organic material which can be molded or cut so that it can be manufactured inexpensively even in mass production or small quantity production. If a conductive material is used, at least a bonding surface with the solid-state imaging device has an insulating property so as to avoid conduction with the solid-state imaging device,
Further, it is appropriate to produce the insulating material as it is. In this case, so that it can be grounded,
When it is made of a conductive material, it is convenient to expose a part thereof instead of imparting insulation to the whole, and when it is made of an insulating material, it is convenient to form metal plating on the outer surface exposed to the outside.
【0025】この収容容器は、透光板と熱膨張係数の近
い材質を選択して作製するのが、温度変化により封止機
能が損なわれるのを未然に防止することができて好まし
く、また、その透光板としては、光学ガラスあるいは光
学フィルタを採用するのが好ましい。It is preferable that the container is made of a material having a thermal expansion coefficient close to that of the light-transmitting plate, because it is possible to prevent the sealing function from being impaired due to a temperature change. It is preferable to employ an optical glass or an optical filter as the light transmitting plate.
【0026】さらに、収容容器は、固体撮像素子の電極
に接続するリード線の先端部の接続状態などを視認(確
認)可能に内方に位置させる枠形状に形成するのが好ま
しく、この場合には、リード線を固体撮像素子の側面近
傍に沿うように折り曲げて受光面の背面側から外部に引
き出すことができるように、また固体撮像素子を密閉す
る状態で封止可能に、その固体撮像素子の側面部を覆う
枠形状にするとともに、その固体撮像素子と直接接触す
る部位およびそのリード線を非接触に通過させる空間を
形成するのが好ましい。Further, it is preferable that the receiving container is formed in a frame shape in which the connection state and the like of the leading end of the lead wire connected to the electrode of the solid-state imaging device can be visually (confirmed) positioned inside. The solid-state imaging device is configured such that a lead wire is bent along the vicinity of the side surface of the solid-state imaging device and can be drawn out from the back side of the light-receiving surface, and can be sealed in a state where the solid-state imaging device is sealed. It is preferable to form a frame that covers the side surface of the solid-state imaging device, and to form a portion that directly contacts the solid-state imaging device and a space through which the lead wire passes without contact.
【0027】そして、前記接続工程および前記折曲工程
においては、前記リード線は、TAB(Tape Automated
Bonding)フィルム上に形成されたものを供給して、固
体撮像素子の側面近傍に沿うように折り曲げるのが簡易
で好適であり、このTABフィルムとしては、リード線
間の間隔を保持する保持部がリード線を折り曲げられた
ときに固体撮像素子の側面よりも背面側に位置して外部
に露出するように設定するのが好ましく、このリード線
は外方に位置する収容容器の固体撮像素子の受光面と平
行となるように再度折り曲げて、薄型構造に組み立てる
こともできる。In the connecting step and the bending step, the lead wire is connected to a TAB (Tape Automated).
Bonding) It is easy and preferable to supply the film formed on the film and bend it along the vicinity of the side surface of the solid-state imaging device. As the TAB film, a holding portion for holding the interval between the lead wires is preferable. When the lead wire is bent, it is preferable that the lead wire is located on the back side of the side surface of the solid-state imaging device and is exposed to the outside. It can be folded again so as to be parallel to the surface and assembled into a thin structure.
【0028】また、本発明の固体撮像装置としては、上
記構成と相まって上記課題を解決するように、リード線
は、固体撮像素子の一面側から側面に至る角部(以下、
外周角部ともいう)に対応する位置で折り曲げられた折
曲部を有し、この折曲部は、固体撮像素子の一面側から
離隔する方向に湾曲する湾曲形状に形成するとともに、
その側面の近傍に沿う方向にリード線を延長するの好適
である。この固体撮像装置を作製する場合には、例え
ば、前記固体撮像素子を第1保持手段で保持した後に、
前記固体撮像素子の電極に接続された前記リード線を前
記固体撮像素子の側面近傍に沿うように屈曲させ、次い
で、前記リード線の後端側を第2保持手段で保持して、
この後に、前記第1、第2保持手段を互いに近接する方
向に相対移動させることにより、前記リード線の折曲部
および湾曲部を形成する折曲工程と湾曲工程とを採用す
ることが好適である。また、この方式は、前記固体撮像
素子の電極と前記リード線の先端部の接続強度として規
定の強度を満たさないものが混入した場合、前記湾曲工
程で発生するリード線の湾曲応力を利用し、前記接合部
が破断する設定を前記リード線の形状、あるいは前記湾
曲工程の湾曲条件に任意に仕込むことができるため、前
記湾曲作業自体が前記接合部の品質評価を兼ねるといっ
た利点を有する。In the solid-state imaging device according to the present invention, the lead wire is provided at a corner (hereinafter, referred to as one side) from one surface side to the side surface of the solid-state imaging device so as to solve the above-mentioned problem.
(Also referred to as an outer peripheral corner)), and has a bent portion that is bent in a direction away from one surface side of the solid-state imaging device.
It is preferable to extend the lead wire in a direction along the vicinity of the side surface. When manufacturing this solid-state imaging device, for example, after holding the solid-state imaging device with a first holding unit,
The lead wire connected to the electrode of the solid-state imaging device is bent along the vicinity of the side surface of the solid-state imaging device, and then the rear end side of the lead wire is held by a second holding unit,
Thereafter, it is preferable to adopt a bending step and a bending step of forming a bent portion and a bent portion of the lead wire by relatively moving the first and second holding means in directions approaching each other. is there. In addition, this method uses the bending stress of the lead wire generated in the bending step when the connection strength between the electrode of the solid-state imaging device and the distal end of the lead wire does not satisfy a specified strength. Since the setting at which the joint is broken can be arbitrarily set in the shape of the lead wire or the bending condition in the bending step, there is an advantage that the bending operation itself also serves as the quality evaluation of the joint.
【0029】または、固体撮像素子の一面側の周縁部に
絶縁体を配置し、固体撮像素子の外周角部に対応する位
置で折り曲げられたリード線の折曲部と固体撮像素子の
周縁部との間に絶縁体を介在させた構成としたり、ま
た、リード線は、固体撮像素子の外周角部に対応する位
置に他よりも強度を弱くした折曲部を形成し、この折曲
部としては、他よりも幅狭にして強度を弱く形成するな
どして固体撮像素子の一面および側面の近傍で非接触に
沿うように折れ曲がる構成とするのも好ましい。Alternatively, an insulator is arranged on the peripheral portion on one surface side of the solid-state imaging device, and the bent portion of the lead wire bent at a position corresponding to the outer peripheral corner of the solid-state imaging device and the peripheral portion of the solid-state imaging device Or, with a configuration in which an insulator is interposed between the lead wires, the lead wire forms a bent portion with weaker strength than the other at a position corresponding to the outer peripheral corner of the solid-state imaging device, and as this bent portion It is also preferable to be configured to bend so as to be non-contact in the vicinity of one surface and one side surface of the solid-state imaging device, for example, by making the width narrower than the others so as to be weaker.
【0030】これらのいずれかを採用することにより、
固体撮像素子の外周角部に対応する位置のリード線の折
曲部が、例えば、固体撮像素子とリード線とを相対移動
させるだけで湾曲形状に容易に加工されることにより、
または、固体撮像素子の周縁部に配置された絶縁体を介
在されることにより、あるいは、他よりも強度を弱くし
て優先的に折れ曲がることにより、その外周角部に極端
に近接することなく、固体撮像素子の側面近傍に沿う方
向にリード線を延長させることができ、電極以外で接触
しての短絡を発生させることがなく、リード線の先端部
を単独で固体撮像素子の電極に接続することができる。
したがって、リード線の設計上の自由度を向上させるこ
とができ、このため、光学ガラス内面と固体撮像素子の
受光面との間の任意の空間距離を設定する収容容器を採
用する場合には、その収容容器も自由に設計することが
でき、小型で信頼性の高い安価な固体撮像装置を提供す
ることができる。By adopting any of these,
The bent portion of the lead wire at a position corresponding to the outer peripheral corner of the solid-state imaging device is, for example, easily processed into a curved shape simply by relatively moving the solid-state imaging device and the lead wire,
Or, by interposing an insulator disposed at the peripheral edge of the solid-state imaging device, or by bending preferentially with weaker strength than others, without extremely approaching the outer peripheral corner, The lead wire can be extended in the direction along the vicinity of the side surface of the solid-state imaging device, and the leading end of the lead wire is independently connected to the electrode of the solid-state imaging device without causing a short circuit due to contact other than the electrode. be able to.
Therefore, it is possible to improve the degree of freedom in designing the lead wire.For this reason, when adopting a container that sets an arbitrary spatial distance between the inner surface of the optical glass and the light receiving surface of the solid-state imaging device, The container can also be designed freely, and a small, highly reliable and inexpensive solid-state imaging device can be provided.
【0031】また、接続工程では、固体撮像素子の電極
に接続するためのバンプ(Bump)を先端部に予め形成さ
れているリード線を準備してもよく、また、リード線の
先端部に接続するためのバンプ(Bump)を電極に予め形
成した固体撮像素子を準備してもよく、このバンプはこ
れらの一方または双方に形成してもよい。さらに、電極
接続用のバンプを介在させず、前記固体撮像素子の電極
と前記リード線の先端部を直接接続してもよい。なお、
前記リード線の材質は銅またはアルミニウムが望まし
い。この場合、少なくとも前記バンプの形成工程が省略
でき、作業工数が削減できる。In the connecting step, a lead wire may be prepared in which a tip for connecting to an electrode of the solid-state image pickup device is formed in advance. A solid-state imaging device may be prepared in which bumps are formed on electrodes in advance, and the bumps may be formed on one or both of them. Further, the electrodes of the solid-state imaging device may be directly connected to the tips of the lead wires without interposing an electrode connection bump. In addition,
The material of the lead wire is preferably copper or aluminum. In this case, at least the step of forming the bump can be omitted, and the number of working steps can be reduced.
【0032】[0032]
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に基づいて説
明する。図1〜図7は本発明に係る固体撮像装置および
その作製方法の第1実施形態を示す図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 7 are views showing a first embodiment of a solid-state imaging device and a method of manufacturing the same according to the present invention.
【0033】まず、固体撮像装置の構成を説明する。First, the configuration of the solid-state imaging device will be described.
【0034】図1〜図3において、固体撮像装置10
は、中央に受光面11aを形成されて両側辺側にその受
光面11aから引き出した電極パッド11bを並設され
ている固体撮像素子11と、その電極パッド11bに先
端部を接続されるリード線12と、その受光面11aに
対面する状態で固体撮像素子11に位置決め固定されて
保護カバーとして機能する光学ガラス13と、受光面1
1aが外部に望む状態で固体撮像素子11を収容するよ
うに枠形状に形成されて、この固体撮像素子11と光学
ガラス13との間に介装されることにより、これらの双
方の対向面に接合される収容容器(収容容器)14と、
を組み立てて作製されており、光学ガラス13を介する
入射光を固体撮像素子11が受光面11aで光電変換し
た電気信号を電極パッド11bに接続したリード線12
により取り出して、例えば、被写体映像を撮影・録画な
どする装置に送出する。In FIG. 1 to FIG.
Is a solid-state imaging device 11 having a light receiving surface 11a formed at the center and electrode pads 11b drawn out from the light receiving surface 11a on both sides, and a lead wire connected to the electrode pad 11b at the tip. 12, an optical glass 13 positioned and fixed to the solid-state imaging device 11 in a state facing the light receiving surface 11a and functioning as a protective cover;
1a is formed in a frame shape so as to accommodate the solid-state imaging device 11 in a state desired to the outside, and is interposed between the solid-state imaging device 11 and the optical glass 13, so that both of these opposing surfaces are provided. A housing container (housing container) 14 to be joined;
And a lead wire 12 connected to an electrode pad 11b of an electric signal obtained by photoelectrically converting incident light through an optical glass 13 by a solid-state imaging device 11 on a light receiving surface 11a.
And sends it to, for example, a device that captures and records a subject video.
【0035】この固体撮像装置10は、固体撮像素子1
1にリード線12および光学ガラス13を、上述した従
来技術の固体撮像装置100、200と略同様に組付し
て作製されている。The solid-state imaging device 10 includes a solid-state imaging device 1
1, a lead wire 12 and an optical glass 13 are assembled in substantially the same manner as the above-described solid-state imaging devices 100 and 200 of the related art.
【0036】リード線12は、絶縁フィルム19上に導
電材料からなる厚膜を形成したフィルムキャリア方式に
より作製供給されるものであり、先端部を固体撮像素子
11の複数の電極パッド11bに形成されたバンプ16
に電気的・機械的に接続された後に、接着剤などにより
補強されることなく、その固体撮像素子11の周縁から
側面に至る外周角部の近傍でほぼ直角に折り曲げられた
状態にされて、後端部が受光面11aの背面側に延長さ
れている。なお、本実施形態では、後述するように、リ
ード線12の先端部は接着剤などが介在することなく固
体撮像素子11のバンプ16に直接接続するので、金粒
子の分散する異方性導電材料を用いることなく電気的・
機械的に接続することができる。The lead wire 12 is produced and supplied by a film carrier method in which a thick film made of a conductive material is formed on an insulating film 19, and the leading end is formed on a plurality of electrode pads 11 b of the solid-state imaging device 11. Bump 16
After being electrically and mechanically connected to the solid-state imaging device 11, the solid-state imaging device 11 is bent almost at a right angle in the vicinity of the outer peripheral corner from the periphery to the side surface without being reinforced by an adhesive or the like. The rear end extends to the back side of the light receiving surface 11a. In the present embodiment, as will be described later, since the tip of the lead wire 12 is directly connected to the bump 16 of the solid-state imaging device 11 without an adhesive or the like, the anisotropic conductive material in which the gold particles are dispersed is used. Electrical without using
Can be connected mechanically.
【0037】光学ガラス13は、固体撮像素子11の外
形と略同等サイズの大きめに作製されるとともに、固体
撮像素子11の受光面11aに対面する集光用のオンチ
ップレンズ(不図示)を形成されて、その受光面11a
を空間18を介して中心で覆うように位置決めされてい
る。なお、本実施形態では、光学ガラス13により固体
撮像素子11の受光面11a前面の空間18を気密に閉
止(封止)するが、これに限るものではなく、例えば、
赤外カットフィルタ、水晶フィルタなどの単品部品の透
光板を用いてもよく、また、赤外カットフィルタと水晶
フィルタ等の複合部品としてもよいことはいうまでもな
い。The optical glass 13 is formed to have a size substantially equal to the outer shape of the solid-state imaging device 11 and forms an on-chip lens (not shown) for condensing which faces the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11. And the light receiving surface 11a
Is positioned so as to cover at the center via the space 18. In the present embodiment, the space 18 on the front surface of the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11 is hermetically closed (sealed) by the optical glass 13. However, the present invention is not limited to this.
It goes without saying that a light-transmitting plate as a single component such as an infrared cut filter and a crystal filter may be used, or a composite component such as an infrared cut filter and a crystal filter may be used.
【0038】一方、収容容器14は、固体撮像素子11
の受光面11aに隣接する周縁から側面の背面側に至る
まで一定間隔で対向する内面を有する枠形状に形成され
ており、その受光面11aの周縁に対面するように内向
きに形成されたツバ部14aを固体撮像素子11と光学
ガラス13との間に介在させて受光面11aの前面に形
成する空間18の間隔を任意に、例えば0.2mm程度
から数mmまで設定することができる。On the other hand, the storage container 14 is
Is formed in a frame shape having an inner surface opposed at a fixed interval from a periphery adjacent to the light receiving surface 11a to a rear side of the side surface, and a flange formed inward so as to face the periphery of the light receiving surface 11a. The space 14 formed between the solid-state imaging device 11 and the optical glass 13 with the portion 14a interposed between the solid-state imaging device 11 and the optical glass 13 can be arbitrarily set to, for example, about 0.2 mm to several mm.
【0039】そして、収容容器14は、リード線12が
変形や短絡してしまうことなく非接触に延在することが
できるように、絶縁フィルム19上に形成した厚膜の厚
さに応じて、例えば0.2mm程度の隙間(経路)を画
成するように内面を作製されており、この収容容器14
は、光学ガラス13には対向面間に接着剤15を塗布さ
れて接着接合される一方、固体撮像素子11には折り曲
げたリード線12の配索経路を画成する空間を確保する
ように相対位置(位置関係)を位置決めされた状態で、
その空間内にエポキシ樹脂等の封止材17が充填されて
接合封止されている。The accommodation container 14 is formed according to the thickness of the thick film formed on the insulating film 19 so that the lead wire 12 can extend in a non-contact manner without being deformed or short-circuited. For example, the inner surface is formed so as to define a gap (path) of about 0.2 mm.
The optical glass 13 is coated with an adhesive 15 between the opposing surfaces and adhesively bonded to the optical glass 13, while the solid-state imaging device 11 is secured so as to secure a space defining a routing path of the bent lead wire 12. With the position (positional relationship) positioned,
The space is filled with a sealing material 17 such as an epoxy resin to be joined and sealed.
【0040】したがって、収容容器14は、固体撮像素
子11を収容すると共に、その固体撮像素子11および
光学ガラス13の双方に接合固定されることにより、固
体撮像素子11に対して光学ガラス13を位置決めして
受光面11aから光学ガラス13内面までの空間18の
間隔を任意に設定することができる。なお、この場合に
は、収容容器14は、封止材17を充填する空間を固体
撮像素子11の全周に画成するが、その組み付け方法に
ついては後述する。Therefore, the housing 14 houses the solid-state image sensor 11 and is fixed to both the solid-state image sensor 11 and the optical glass 13 to position the optical glass 13 with respect to the solid-state image sensor 11. Thus, the interval of the space 18 from the light receiving surface 11a to the inner surface of the optical glass 13 can be set arbitrarily. Note that, in this case, the housing container 14 defines a space for filling the sealing material 17 on the entire periphery of the solid-state imaging device 11, and a method of assembling the same will be described later.
【0041】ここで、収容容器14は、金型を作製する
までもない少量生産の場合には、切削加工などの機械加
工しやすい材料を選択する一方、量産時には成形加工可
能な材料を選べばよく、また、使用環境や用途に応じて
材質を選択設定するのが好ましい。Here, for the container 14, in the case of small-volume production without producing a mold, a material that is easy to machine such as cutting is selected, while a material that can be formed and processed is selected in mass production. Also, it is preferable to select and set the material according to the use environment and use.
【0042】具体的には、収容容器14として、金属な
どの導電材料を選択する場合には、リード線12との短
絡事故が発生しないように、少なくとも内面に絶縁性を
持たせる方が好ましく、例えば、アルミニウムにより収
容容器14を形成する場合には、所謂アルマイト処理を
施すことにより、絶縁性を確保する。また、導電性材料
に限らず、セラミックなどの無機材料やエポキシ樹脂な
どの有機材料の絶縁性材料により収容容器14を作製し
てもよい。この収容容器14の材質を選択する際に、温
度変化の激しい環境で使用する場合には、温度サイクル
により気密性の品質に問題が生じないようにするため
に、光学ガラス13や固体撮像素子11と熱膨張係数の
近い材料を選択して接合状態が劣化しないように配慮す
るのが好ましい。Specifically, when a conductive material such as a metal is selected for the container 14, it is preferable that at least the inner surface be insulated so that a short circuit with the lead wire 12 does not occur. For example, when the container 14 is made of aluminum, insulation is ensured by performing a so-called alumite treatment. Further, the container 14 may be made of an insulating material such as an inorganic material such as ceramic or an organic material such as epoxy resin without being limited to the conductive material. When the material of the container 14 is selected in an environment where the temperature changes drastically, the optical glass 13 and the solid-state image sensor 11 are used in order to prevent a problem in airtight quality due to a temperature cycle. It is preferable to select a material having a coefficient of thermal expansion close to that of the material so as not to deteriorate the bonding state.
【0043】さらに、収容容器14の材料を選択するに
しても、外観色は乱反射した光が固体撮像素子11の受
光面11aに入射しないように反射しにくい黒色にする
のが好ましく、また、外面を絶縁した導電性材料により
作製したときにはその一部を露出させたり、絶縁性材料
により作製したときには外面にめっきを施すなどして、
外部に露出する部位に導通部分を形成してアースを取れ
るようにするのが便利である。この収容容器14を金属
により作製したり、その外面にめっきを施すなどした場
合には、耐湿性を向上させることができる。Further, even if the material of the container 14 is selected, it is preferable that the external appearance color be black so that the irregularly reflected light is hardly reflected so as not to enter the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11. When it is made of an insulated conductive material, a part of it is exposed, or when it is made of an insulating material, plating is applied to the outer surface,
It is convenient to form a conductive portion at a portion exposed to the outside so that the ground can be taken. When the container 14 is made of metal or plated on its outer surface, the moisture resistance can be improved.
【0044】また、収容容器14のツバ部(端面部)1
4aは、固体撮像素子11の外形よりやや狭く、また、
受光面11aより広い面積で開口するように形成するこ
とによって、その受光面11aの側辺に配設された電極
パッド11bとリード線12の先端部との接続状態を目
視して確認することができるように設定されている。The brim portion (end face portion) 1 of the storage container 14
4a is slightly narrower than the outer shape of the solid-state imaging device 11, and
By forming the opening so as to have an area larger than the light receiving surface 11a, it is possible to visually confirm the connection state between the electrode pad 11b disposed on the side of the light receiving surface 11a and the tip of the lead wire 12. It is set to be able to.
【0045】次に、固体撮像装置10の作製方法を図4
から図6に示す工程図を用いて説明する。Next, a method of manufacturing the solid-state imaging device 10 will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIGS.
【0046】まず、図4(a)に示すように、受光面1
1aおよび電極パッド11b(不図示)を形成した固体
撮像素子11およびリード線12を構成する厚膜を絶縁
フィルム19上に形成するとともにそのリード線12の
先端にバンプ16を形成した所謂、TAB(Tape Autom
ated Bonding)フィルムを準備して、固体撮像素子11
を位置決めするとともに絶縁フィルム19を移送するこ
とによりリード線12のバンプ16を受光面11a側の
電極パッド11bに対面するように位置合わせする(準
備工程)。このとき、リード線12先端にバンプ16を
形成する際には、電解メッキで成長させた金バンプ16
をリード線12に転写する転写バンプ法や、リード線1
2の先端をエッチングで突起状にするメサバンプ法を用
いればよい。なお、本実施形態では、バンプをリード線
12側に形成する場合とバンプを形成しないリード線の
接続を説明するが、固体撮像素子11の電極パッド11
b上に予め形成するようにしてもよく、この場合には、
ワイヤボンディング法を用いてボールバンプを形成して
もよい。First, as shown in FIG.
The so-called TAB (the solid-state imaging device 11 having the lead 1a and the electrode pad 11b (not shown) and the thick film constituting the lead wire 12 formed on the insulating film 19 and the bump 16 formed at the tip of the lead wire 12 is formed. Tape Autom
ated Bonding) A film is prepared and the solid-state imaging device 11 is prepared.
The bump 16 of the lead wire 12 is positioned so as to face the electrode pad 11b on the light receiving surface 11a side by transferring the insulating film 19 (preparation step). At this time, when the bumps 16 are formed at the tips of the lead wires 12, the gold bumps 16 grown by electrolytic plating are used.
Transfer bump method for transferring the lead wire 12 to the lead wire 12 or the lead wire 1
A mesa bump method may be used in which the tip of 2 is formed into a projection by etching. In this embodiment, the case where the bump is formed on the lead wire 12 side and the connection of the lead wire where the bump is not formed will be described.
b may be formed beforehand. In this case,
The ball bumps may be formed using a wire bonding method.
【0047】次いで、図4(b)に示すように、固体撮
像素子11の電極パッド11bにリード線12先端のバ
ンプ16を近接させ、この状態のまま複数のリード線1
2を個別に加熱されたボンディングツール301を圧接
して超音波接合する所謂、シングルポイント方式で接続
した後に(接続工程)、リード線12を保持する絶縁フ
ィルム19をリール状のTABフィルム本体(図示せ
ず)から図4(c)に示すような形状に切断する。な
お、前述のボンディングツール301は、図4(b’)
に示すような複数のリード線12を一括で接続できる一
括接続方式の加熱されたボンディングツール301’を
用いて接続してもよい。接合する電極数が多いとき、こ
の方式の方が作業タクトを短くでき、効果的である。ま
た、固体撮像素子の電極パッドにリード線の先端部を接
続する構造として、図4(b”)に示すように接続用の
バンプを介させず、固体撮像素子11の電極パッド11
bにリード線12”の先端部を加熱されたボンディング
ツール301を圧接して超音波接合するか、前述のよう
に複数のリード線を一括接続する図4(b’)に示すよ
うなボンディングツール301’で接合してもよい。こ
のバンプを介在しない接続構造は、後述のリード線の湾
曲工程でリード線と固体撮像素子の外周角部を離隔し絶
縁することによりなし得るものである。さらに、このバ
ンプを不要とした接続方式の場合は、バンプ形成の手間
が省け、簡便な作製工程とすることができる。上記TA
Bフィルムのリード線12、12’は、銅素地にニッケ
ル下地の金メッキが施され、特に図4(b”)で説明し
たリード線12”は金メッキの厚みを1μm以上とする
ことが接合品質を確保する上で望ましい。また、リード
線12”の素地をアルミニウムとしニッケル下地の金メ
ッキを施したTABフィルムを用いてもよい。リード線
の素材は、アルミニウムの方がブリンネル硬度で15程
度と銅よりも軟質であり、接合部の金、アルミニウムの
化合物の生成が容易となり接合品質がより安定化され
る。Next, as shown in FIG. 4B, the bump 16 at the tip of the lead wire 12 is brought close to the electrode pad 11b of the solid-state imaging device 11, and a plurality of lead wires 1 are kept in this state.
2 are connected by a so-called single point method in which an individually heated bonding tool 301 is pressed and ultrasonically bonded (connection step), and then the insulating film 19 holding the lead wire 12 is attached to a reel-shaped TAB film body (FIG. (Not shown)) into a shape as shown in FIG. The bonding tool 301 described above is similar to that shown in FIG.
May be connected using a heated bonding tool 301 ′ of a collective connection method capable of connecting a plurality of lead wires 12 at a time. When the number of electrodes to be joined is large, this method can shorten the work tact time and is more effective. Further, as a structure for connecting the tip of the lead wire to the electrode pad of the solid-state imaging device, the electrode pad 11 of the solid-state imaging device 11 is not interposed as shown in FIG.
4B, a bonding tool 301 having a heated front end portion of the lead wire 12 ″ is pressed and ultrasonically bonded, or a plurality of lead wires are collectively connected as described above, as shown in FIG. The connection structure without the bumps can be made by separating and insulating the lead wire and the outer peripheral corner of the solid-state imaging device in a lead wire bending step described later. In the case of the connection method that does not require the bump, the trouble of forming the bump can be omitted, and the manufacturing process can be simplified.
The lead wires 12 and 12 'of the B film are provided with a gold plating of nickel base on a copper base material. In particular, the bonding quality of the lead wire 12 "described with reference to FIG. Desirable for securing. Alternatively, a TAB film may be used in which the base material of the lead wire 12 "is aluminum and a gold plating is applied on a nickel base. The material of the lead wire is aluminum, which has a Brinell hardness of about 15 and is softer than copper. The formation of gold and aluminum compounds in the part is facilitated, and the bonding quality is further stabilized.
【0048】次いで、図5(d1)に示す切断されたT
ABフィルムを、さらに破線で示す範囲を切り出すよう
に切断し、図5(d2)に示すような形状にする。その
後、図5(d3)に示すように、受光面11aを下向の
状態にして、固体撮像素子11のリード線12のない両
側面を素子ホルダ302(図中には斜線で示す)により
挟持固定させた後に、切断された絶縁フィルム19にフ
ォーミング治具303を接触させて上昇させることによ
り、保持されているリード線12を押し上げて、破線で
示すようにほぼ直角に折り曲げる。この際、図5(d)
に示すように、折り曲げられたリード線12は固体撮像
素子11の周縁から側面に至る外周角部に接触、あるい
は近接状態となる(折曲工程前段)。Next, the cut T shown in FIG.
The AB film is further cut so as to cut out a range indicated by a broken line to obtain a shape as shown in FIG. 5 (d2). Thereafter, as shown in FIG. 5 (d3), the light receiving surface 11a is turned downward, and both sides of the solid-state imaging device 11 without the lead wire 12 are sandwiched by the element holder 302 (shown by oblique lines in the drawing). After the fixing, the forming jig 303 is brought into contact with the cut insulating film 19 to raise it, thereby pushing up the held lead wire 12 and bending it at a substantially right angle as shown by the broken line. At this time, FIG.
As shown in (2), the bent lead wire 12 comes into contact with or close to the outer peripheral corner from the periphery to the side surface of the solid-state imaging device 11 (before the bending step).
【0049】次いで、図5(d5)に示すように、その
固体撮像素子11の両側方で折り曲げられているリード
線12のそれぞれを、固体撮像素子11側の絶縁フィル
ム19を両サイドから挟むようにフィルムホルダ304
で保持固定した後に、素子ホルダ302とフィルムホル
ダ304の一方または双方を垂直方向に所定量上下動さ
せて相対移動させることにより、固体撮像素子11の受
光面11aの周縁から側面に至る外周角部に対応する位
置のリード線12を、バンプ16との接続位置から離隔
方向に湾曲するR形状部(折曲部)にした後に、固体撮
像素子11の側面近傍に沿う方向に延長させて延在する
状態にする(折曲工程後段)。この状態では、リード線
12は、受光面11aの背面側に延在するように折り曲
げても固体撮像素子11の外周角部に近接して接触する
恐れがなく、固体撮像素子11から確実に一定間隔で離
隔させた絶縁状態にすることができる。この離隔間隔
は、環境などに応じて任しに設定すればよく、例えば、
本実施形態の場合には、10〜30μm程度にすればよ
い。なお、このリード線12の湾曲工程は、固体撮像素
子11の電極パッド11bとの接合部からリード線12
を引き剥がす応力が発生する。この応力は、固体撮像素
子11とリード線12の離隔距離の設定とリード線12
先端部(外周角部周辺部)のサイズで調整が可能であ
り、例えば、リード線12の厚みが35μm、幅が45
μm程度で、固体撮像素子11とリード線12の離隔距
離を20μmとすれば、その接合部に15g程の引き剥
がし応力が発生する。つまり、この固体撮像素子11と
リード線12先端部のサイズを可変とすることで湾曲応
力を自由に設定できる。従って、工程で何らかの不具合
が発生し接合強度が規定値に満たない場合には、この湾
曲工程で接合部が破壊されるようにすることができ、製
品の品質を確保(保証)することができる。Next, as shown in FIG. 5 (d5), each of the lead wires 12 bent on both sides of the solid-state imaging device 11 is sandwiched between the insulating films 19 on the solid-state imaging device 11 side from both sides. To film holder 304
Then, by vertically moving one or both of the element holder 302 and the film holder 304 by a predetermined amount in the vertical direction and relatively moving the element holder 302 and the film holder 304, the outer peripheral corner from the periphery to the side surface of the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11 Is formed into an R-shaped portion (bent portion) that curves in a direction away from the connection position with the bump 16, and then extends in a direction along the vicinity of the side surface of the solid-state imaging device 11. (After the bending process). In this state, even if the lead wire 12 is bent so as to extend to the back side of the light receiving surface 11a, there is no danger that the lead wire 12 comes into contact with the outer peripheral corner of the solid-state image sensor 11 and is reliably fixed from the solid-state image sensor 11. An insulating state separated at intervals can be provided. This separation interval may be set arbitrarily according to the environment and the like. For example,
In the case of the present embodiment, the thickness may be about 10 to 30 μm. The bending process of the lead wire 12 is performed by connecting the lead wire 12 to the electrode pad 11 b of the solid-state imaging device 11.
Is generated. This stress depends on the setting of the separation distance between the solid-state imaging device 11 and the lead wire 12 and the lead wire 12.
The size of the tip (periphery of the outer peripheral corner) can be adjusted. For example, the lead wire 12 has a thickness of 35 μm and a width of 45 μm.
If the separation distance between the solid-state imaging device 11 and the lead wire 12 is set to 20 μm at about μm, a peeling stress of about 15 g is generated at the joint. In other words, the bending stress can be set freely by making the sizes of the solid-state imaging device 11 and the tip of the lead wire 12 variable. Therefore, if any failure occurs in the process and the bonding strength is less than the specified value, the bonding portion can be broken in this bending process, and the quality of the product can be secured (guaranteed). .
【0050】次いで、図6(e)に示すように、リード
線12間に吸着コレット305を挿し込んで固体撮像素
子11の受光面11aの背面側を吸着固定すると共に、
ツバ部14aの外面側に光学ガラス13を位置決めして
(第1位置決め工程)、例えば、紫外線硬化熱硬化併用
型の接着剤15をディスペンス法や転写法などにより塗
布して硬化させることにより予め接合しておいた収容容
器14を(第1接合工程)、その光学ガラス13が接す
る状態で光を透過する受け台306上に設置固定する。Next, as shown in FIG. 6E, a suction collet 305 is inserted between the lead wires 12 to suction-fix the back side of the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11, and
The optical glass 13 is positioned on the outer surface side of the brim portion 14a (first positioning step). For example, the adhesive 15 is coated and cured by a dispensing method, a transfer method, or the like, for example, with an ultraviolet-curing and heat-curing adhesive 15 to be joined in advance. The stored container 14 (first bonding step) is placed and fixed on a light-transmitting receiving base 306 in a state where the optical glass 13 is in contact therewith.
【0051】次いで、吸着コレット305に吸着された
固体撮像素子11を収容容器14のツバ部14aの反対
側(開口端側)から近接させた位置で、X/Y方向およ
び回転θ方向の位置調整を行った後に、吸着コレット3
05を降下させて固体撮像素子11を収容容器14内の
中程に位置決めする(第2位置決め工程)。Next, the position adjustment in the X / Y direction and the rotation θ direction is performed at a position where the solid-state imaging element 11 adsorbed by the adsorption collet 305 is approached from the opposite side (open end side) of the accommodating container 14 from the flange 14a. After performing the above, the adsorption collet 3
05 is lowered to position the solid-state imaging device 11 in the middle of the container 14 (second positioning step).
【0052】そして、この状態を維持したまま、図6
(f)に示すように、受け台306および光学ガラス1
3を介して紫外線を収容容器14と固体撮像素子11に
向けて照射しつつ、固体撮像素子11と収容容器14と
の間に形成されている隙間にディスペンサ307から封
止材17を注入することにより、固体撮像素子11と収
容容器14を接合して空間18を気密に封止し、この後
に、オーブン等で固体撮像素子11と収容容器14の間
の封止材17全体を熱硬化させて接合を完了する(第2
接合工程)。Then, while maintaining this state, FIG.
As shown in (f), the cradle 306 and the optical glass 1
Injecting the sealing material 17 from the dispenser 307 into a gap formed between the solid-state imaging device 11 and the storage container 14 while irradiating ultraviolet rays toward the storage container 14 and the solid-state imaging device 11 through the 3 Then, the solid-state imaging device 11 and the housing 14 are joined to hermetically seal the space 18, and thereafter, the entire sealing member 17 between the solid-state imaging device 11 and the housing 14 is thermally cured by an oven or the like. Complete joining (2nd
Joining process).
【0053】このとき、図7に示すように、封止材17
は、固体撮像素子11側面と収容容器14内面の隙間に
合う2箇所のディスペンサ307から同時に注入されて
回り込むことにより全周に行き渡るとともに、本実施形
態においては、収容容器14は不透明のものを採用する
ことから、その収容容器14のツバ部14aから固体撮
像素子11の受光面11の周縁側にはみ出て露出したと
きに紫外線照射により硬化して、固体撮像素子11の電
極パッド11bに接続されたバンプ16の手前までのリ
ード線12先端部を内包する状態で保持固定することが
できる。At this time, as shown in FIG.
Are simultaneously injected from two dispensers 307 that fit in the gap between the side surface of the solid-state imaging device 11 and the inner surface of the storage container 14, and are wrapped around the entire periphery by being simultaneously injected. In the present embodiment, an opaque storage container 14 is used. For this reason, the bumps connected to the electrode pads 11b of the solid-state imaging device 11 are hardened by the irradiation of ultraviolet rays when exposed to the periphery of the light-receiving surface 11 of the solid-state imaging device 11 from the flange portion 14a of the storage container 14 and exposed. The lead wire 12 can be held and fixed in a state of including the leading end portion of the lead wire 12 up to the front of the lead wire 16.
【0054】この場合、固体撮像素子11と収容容器1
4との間の隙間で画成してリード線12を内包する経路
は、固体撮像素子11を吸着固定する吸着コレット30
5先端および収容容器14を接合した光学ガラス13を
設置固定する受け台306上面を基準に、その固体撮像
素子11の厚さと、収容容器14のツバ部14aの厚さ
とによって決定される。このことから、リード線12に
無用な負荷を封止作業時に加えて固体撮像素子11に接
触短絡させてしまわないように、これらの機械的精度や
加工精度を設定すればよく、また、固体撮像素子11の
受光面11aから光学ガラス13の内面までの空間18
の間隔は、これらを考慮して、収容容器14のツバ部1
4aの厚さを調整することにより任意の距離に設定する
ことができる。なお、このように吸着コレット305先
端および受け台306上面を基準に、位置決め封止作業
が行われるため、固体撮像装置10としての光軸精度
は、これらの機械的な精度に加えて固体撮像素子11の
厚さ方向の加工精度で決まることから、±20μm程度
の光軸精度を得ることができ、さらに、高精度な光軸精
度が要求される場合には、固体撮像素子11の受光面1
1aの位置を非接触に検出する検出器を接続して位置調
整を行うことにより、その光軸精度を±5μm以内にす
ることも可能である。In this case, the solid-state imaging device 11 and the container 1
A path defined by a gap between the solid-state imaging device 11 and the lead wire 12 includes a suction collet 30 for suction-fixing the solid-state imaging device 11.
The thickness is determined by the thickness of the solid-state imaging device 11 and the thickness of the collar 14a of the housing 14 with reference to the upper surface of the receiving table 306 on which the optical glass 13 to which the front end 5 and the housing 14 are joined is installed and fixed. For this reason, the mechanical accuracy and the processing accuracy may be set so that an unnecessary load is not applied to the lead wire 12 during the sealing operation and short-circuits the contact with the solid-state imaging device 11. Space 18 from light receiving surface 11a of element 11 to inner surface of optical glass 13
In consideration of these, the interval between the flanges 1 of the housing container 14 is determined.
An arbitrary distance can be set by adjusting the thickness of 4a. Since the positioning and sealing operation is performed with reference to the tip of the suction collet 305 and the upper surface of the receiving base 306 as described above, the optical axis accuracy of the solid-state imaging device 10 is not only the mechanical accuracy but also the solid-state imaging device. Since the optical axis accuracy is determined by the processing accuracy in the thickness direction of the solid-state imaging device 11, the optical axis accuracy of about ± 20 μm can be obtained.
By connecting a detector that detects the position of 1a in a non-contact manner and performing position adjustment, it is possible to make the optical axis accuracy within ± 5 μm.
【0055】このように本実施形態においては、収容容
器14のツバ部14aを介装させて固体撮像素子11に
光学ガラス13を接合固定しているので、そのツバ部1
4aの厚さを任意に設定することにより、受光面11a
前面に画成する空間18の光学ガラス13までの間隔を
広く設定することができ、撮像映像に影響しない光学的
欠陥の大きさの許容範囲を大きくすることのできる空間
18を形成することができる。したがって、光学ガラス
13の品質管理を緩和し、また、光学的欠陥による不良
を低減して歩留まりを向上させることができ、固体撮像
装置10を安価に提供することができる。As described above, in the present embodiment, the optical glass 13 is bonded and fixed to the solid-state imaging device 11 with the collar 14a of the storage container 14 interposed therebetween.
By arbitrarily setting the thickness of the light receiving surface 11a
The space between the space 18 defined on the front surface and the optical glass 13 can be set wide, and the space 18 can be formed in which the allowable range of the size of the optical defect that does not affect the captured image can be increased. . Therefore, quality control of the optical glass 13 can be eased, defects due to optical defects can be reduced, the yield can be improved, and the solid-state imaging device 10 can be provided at low cost.
【0056】この収容容器14は、ツバ部14aが固体
撮像素子11と光学ガラス13の間に介在する枠形状に
形成すればよいので、接続するリード線12の先端部を
視認可能に固体撮像素子11を収容する容器とすること
ができ、その作製も少量生産または量産などの都合に応
じて切出加工あるいは成形加工などを用いて安価な方法
を採用すればよく、その材質や電気的特性などの構成も
必要な機能に応じて適宜選択設計すればよい。Since the accommodating container 14 may be formed in a frame shape in which the brim portion 14a is interposed between the solid-state image pickup device 11 and the optical glass 13, the solid-state image pickup device allows the leading end of the lead wire 12 to be connected to be visible. 11 can be used as a container, and its production can be performed by an inexpensive method using cutting or molding according to the convenience of small-scale production or mass production. May be appropriately selected and designed according to the required function.
【0057】一方、リード線12は、収容容器14を用
いる組立構造を採用するので、その収容容器14により
押されて変形などしないようにすればよく、固体撮像素
子11との接続をフィルムキャリア方式により行うこと
によって、硬質のリードフレームによらずに固体撮像素
子11にリード線12を接続することができ、固体撮像
素子11の外周角部に対応する位置など任意の位置で容
易に折曲作業を行うことができ、また、その折曲部も外
周角部に近接させない湾曲形状に容易に形成して信頼性
を向上させることができる。On the other hand, since the lead wire 12 adopts an assembly structure using the storage container 14, it is sufficient that the lead wire 12 is not deformed by being pushed by the storage container 14, and the connection with the solid-state imaging device 11 is made by a film carrier system. By doing so, the lead wire 12 can be connected to the solid-state imaging device 11 without using a hard lead frame, and the bending operation can be easily performed at an arbitrary position such as a position corresponding to the outer corner of the solid-state imaging device 11. In addition, the bent portion can be easily formed into a curved shape that does not come close to the outer peripheral corner portion, and the reliability can be improved.
【0058】次に、図8〜図14は本発明に係る固体撮
像装置およびその作製方法の第2実施形態を示す図であ
る。なお、本実施形態は上述実施形態と略同様に構成さ
れているので、同様な構成には同一の符号を付して特徴
部分を説明する。Next, FIGS. 8 to 14 are views showing a second embodiment of a solid-state imaging device and a method of manufacturing the same according to the present invention. In addition, since the present embodiment is configured substantially in the same manner as the above-described embodiment, the same components are denoted by the same reference numerals, and the characteristic portions will be described.
【0059】まず、固体撮像装置の構成を説明する。First, the configuration of the solid-state imaging device will be described.
【0060】図8〜図10において、固体撮像装置20
は、固体撮像素子11と、リード線12と、光学ガラス
13と、を収容容器24を用いて組み立てて作製するよ
うになっており、収容容器24は、上述実施形態と同様
に、受光面11aが外部に望む状態で固体撮像素子11
を収容するように枠形状に形成されて、この固体撮像素
子11と光学ガラス13との間に介装されることによ
り、光学ガラス13には接着剤15により接合される一
方、固体撮像素子11には封止材17により接合されて
いる。8 to 10, the solid-state imaging device 20
Is manufactured by assembling the solid-state imaging device 11, the lead wire 12, and the optical glass 13 using the housing container 24. The housing container 24 has the light receiving surface 11a similarly to the above-described embodiment. The solid-state imaging device 11
Is formed in a frame shape so as to house the solid-state image sensor 11 and the optical glass 13, so that the solid-state image sensor 11 is joined to the optical glass 13 by the adhesive 15. Are joined by a sealing material 17.
【0061】収容容器24は、図11に示すように、固
体撮像素子11のリード線12を接続されている受光面
11aの側辺側の周縁に対しては上述実施形態と同様に
一定間隔で対面するように内向きに形成されたツバ部2
4aを有する一方、リード線12を接続されていない受
光面11aの側辺側の周縁に対しては直接接触するよう
に形成されたツバ部24bが設けられている。As shown in FIG. 11, the storage container 24 is provided at a constant interval around the side edge of the light receiving surface 11a to which the lead wire 12 of the solid-state imaging device 11 is connected, similarly to the above-described embodiment. Collar 2 formed inward so as to face each other
On the other hand, a brim portion 24b formed so as to directly contact the side edge of the light receiving surface 11a to which the lead wire 12 is not connected is provided.
【0062】この収容容器24は、これらツバ部24
a、24bが固体撮像素子11と光学ガラス13の間に
介在して位置決めすることにより受光面11aから光学
ガラス13内面までの間の空間18の間隔を任意に設定
することができるとともに、ツバ部24bが固体撮像素
子11の周縁に直接接触する一方、ツバ部24aが固体
撮像素子11の周縁との間の間隔を保持することによ
り、変形や短絡させることなくリード線12を非接触に
延在させることのできる、例えば、絶縁フィルム19上
に形成する厚膜の厚さに応じた、0.2mm程度の隙間
(経路としての逃げ部)を画成するように作製されてい
る。The container 24 is provided with
The position of the space 18 between the light receiving surface 11a and the inner surface of the optical glass 13 can be arbitrarily set by positioning the a and 24b between the solid-state imaging device 11 and the optical glass 13 and the collar portion. 24b is in direct contact with the periphery of the solid-state imaging device 11, while the brim portion 24a maintains the space between the periphery of the solid-state imaging device 11 and extends the lead wire 12 without deformation or short circuit. For example, it is formed so as to define a gap (escape portion as a path) of about 0.2 mm according to the thickness of the thick film formed on the insulating film 19, for example.
【0063】なお、ツバ部24bは、受光面11aの側
辺の全長にわたって形成する必要はなく、組立作業中に
ツバ部24aを固体撮像素子11の周縁から浮かせた状
態に維持することができればよく、例えば、図11に示
すように、一部を切り欠いて接合強度を確保するように
してもよい。The brim portion 24b does not need to be formed over the entire length of the side of the light receiving surface 11a, as long as the brim portion 24a can be kept floating from the periphery of the solid-state imaging device 11 during the assembly operation. For example, as shown in FIG. 11, a part may be cut out to secure the bonding strength.
【0064】次に、固体撮像装置20の作製方法を図4
から図6に示す工程図を用いて説明する。Next, a method of manufacturing the solid-state imaging device 20 will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIGS.
【0065】まず、上述実施形態において説明した準備
工程、接続工程、折曲工程により、折り曲げたリード線
12を接続された状態の固体撮像素子11を作製し(図
4〜図5を参照)、この後には、図12(e)に示すよ
うに、リード線12間に吸着コレット305を挿し込ん
で固体撮像素子11の受光面11aの背面側を吸着固定
すると共に、ツバ部24a、24bの外面側が接する状
態で収容容器24を受け台306上に設置固定し、次い
で、吸着コレット305に吸着された固体撮像素子11
を収容容器24のツバ部24a、24bの反対側から近
接させた位置で、X/Y方向およびθ方向の位置調整を
行い、次いで、吸着コレット305を降下させて固体撮
像素子11が収容容器24のツバ部24bに近接する位
置で一旦停止した後に、吸着コレット305の吸引を切
って(保持解除し)、受光面11aの周縁が収容容器2
4のツバ部24bの内面に直接接触する状態で固体撮像
素子11を位置決めする(第2位置決め工程)。First, the solid-state imaging device 11 in a state where the bent lead wires 12 are connected is manufactured by the preparation step, the connection step, and the bending step described in the above embodiment (see FIGS. 4 and 5). Thereafter, as shown in FIG. 12E, a suction collet 305 is inserted between the lead wires 12 to suction-fix the back side of the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11, and the outer surfaces of the flange portions 24a and 24b. The container 24 is placed and fixed on the receiving table 306 in a state where the sides are in contact with each other.
Is adjusted in the X / Y direction and the θ direction at a position close to the opposite sides of the accommodating portions 24a and 24b of the accommodating container 24, and then the suction collet 305 is lowered so that the solid-state imaging device 11 After temporarily stopping at a position close to the brim portion 24b, the suction collet 305 is turned off (released), and the periphery of the light receiving surface 11a is
The solid-state imaging device 11 is positioned in a state of being in direct contact with the inner surface of the collar portion 24b of No. 4 (second positioning step).
【0066】次いで、この状態を維持したまま、図12
(f)に示すように、受け台306を介して紫外線を収
容容器14と固体撮像素子11に向けて照射しつつ、固
体撮像素子11と収容容器14との間に形成されている
隙間にディスペンサ307から封止材17を注入して、
固体撮像素子11と収容容器14を接合し、この後に、
オーブン等で固体撮像素子11と収容容器14の間の封
止材17全体を熱硬化させて接合を完了する(第2接合
工程)。Next, while maintaining this state, FIG.
As shown in (f), while irradiating ultraviolet rays toward the storage container 14 and the solid-state imaging device 11 through the receiving table 306, the dispenser is disposed in a gap formed between the solid-state imaging device 11 and the storage container 14. Inject sealing material 17 from 307,
The solid-state imaging device 11 and the container 14 are joined, and thereafter,
The entirety of the sealing material 17 between the solid-state imaging device 11 and the storage container 14 is thermally cured in an oven or the like to complete the joining (second joining step).
【0067】このとき、封止材17は、上述実施形態と
同様に、固体撮像素子11側面と収容容器14内面の隙
間にディスペンサ307から注入されて全周に回り込む
ことにより収容容器24のツバ部から露出したときに紫
外線照射により硬化してリード線12を内包する状態で
固体撮像素子11を収容容器24内に接合固定するが、
本実施形態では、固体撮像素子11が何の外力を加えら
れることなく自重により収容容器24のツバ部24bの
内面に載置されて直接接触するので、図13に示すよう
に、固体撮像素子11の受光面11a周縁と収容容器2
4のツバ部24b内面との間には、封止材17の流入す
る力で固体撮像素子11が微小に、例えば、20μm程
度浮き上がってその封止材17が入り込むことにより強
固に接合することができ、収容容器24を金属により作
製する場合には絶縁耐圧を向上させることができるとと
もに収容容器24の表面に形成する酸化被膜などの絶縁
膜を省いてむくのまま使用可能にすることもできる。な
お、ここでは、収容容器24のツバ部24b内面との間
に封止材17が流入して固体撮像素子11が微小に浮き
上がるが、固体撮像素子11が浮き上がらないように押
さえて封止材17を注入してもよいことはいうまでもな
い。At this time, the sealing material 17 is injected from the dispenser 307 into the gap between the side surface of the solid-state imaging device 11 and the inner surface of the storage container 14 and goes around the entire circumference, similarly to the above-described embodiment. When the solid-state imaging device 11 is hardened by irradiation of ultraviolet rays when it is exposed from the device, and the solid-state imaging device 11 encloses the lead wire 12, the solid-state imaging device 11 is joined and fixed in the housing container 24.
In the present embodiment, the solid-state imaging device 11 is placed on the inner surface of the brim portion 24b of the storage container 24 by its own weight and directly contacts without any external force. As shown in FIG. Rim of light receiving surface 11a and container 2
4, the solid-state imaging element 11 is minutely lifted by, for example, about 20 μm due to the force of the sealing material 17 flowing therein, and the solid-state imaging device 11 can be firmly joined by entering the sealing material 17. When the container 24 is made of metal, the withstand voltage can be improved, and an insulating film such as an oxide film formed on the surface of the container 24 can be omitted to enable use as it is. Here, although the sealing material 17 flows between the inside of the brim portion 24b of the storage container 24 and the solid-state imaging device 11 slightly floats, the sealing material 17 is pressed down so that the solid-state imaging device 11 does not float. It is needless to say that may be injected.
【0068】また、固体撮像素子11および光学ガラス
13は、収容容器24のツバ部24a、24bの内面と
外面とに接合して、相対的な位置関係を位置決めされて
いるので、固体撮像素子11の受光面11aから光学ガ
ラス13の内面までの空間18の間隔は、収容容器24
のツバ部24bの厚さを調整することにより任意の距離
に設定することができ、固体撮像素子11の受光面11
aの光軸の精度は、その加工精度で設定することができ
る。The solid-state image sensor 11 and the optical glass 13 are joined to the inner and outer surfaces of the flanges 24a and 24b of the container 24 and are positioned in a relative positional relationship. Of the space 18 from the light receiving surface 11a to the inner surface of the optical glass 13
The distance can be set to an arbitrary distance by adjusting the thickness of the collar portion 24b of the solid-state imaging device 11.
The precision of the optical axis a can be set by the processing precision.
【0069】さらに、この第2位置決め工程および第2
接合工程では、固体撮像素子11の受光面11aの光軸
は、収容容器24のツバ部24bの内面との直接接触に
より設定されるので、固体撮像素子11の保持と、封止
材17の注入とを分離して別個に行うことができ、上述
実施形態よりも調整時間を短くして組立タクトを短縮す
ることができる。Further, the second positioning step and the second
In the joining step, the optical axis of the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11 is set by direct contact with the inner surface of the brim portion 24b of the storage container 24, so that the solid-state imaging device 11 is held and the sealing material 17 is injected. Can be separately performed, and the adjustment time can be shortened and the assembly tact can be shortened as compared with the above-described embodiment.
【0070】なお、この固体撮像装置20の作製工程で
は、固体撮像素子11を収容容器24に接合した後に受
け台306から取り外して、図12(g)に示すよう
に、その収容容器24のツバ部24a、24bの外面に
接着剤15を塗布して光学ガラス13を位置決めし固着
接合している(第1位置決め工程、第1接合工程)。こ
の作製工程では、上述実施形態に対して、第1、第2位
置決め工程および第1、第2接合工程の順序を逆にする
が、同様に工程を進めてもよいことは言うまでもなく、
また、同時に行って、同時に硬化・接合させるようにし
てもよい。In the manufacturing process of the solid-state imaging device 20, after the solid-state imaging device 11 is joined to the storage container 24, the solid-state imaging device 11 is detached from the pedestal 306, and as shown in FIG. The adhesive 15 is applied to the outer surfaces of the portions 24a and 24b to position and fix and bond the optical glass 13 (first positioning step, first bonding step). In this manufacturing step, the order of the first and second positioning steps and the first and second bonding steps is reversed with respect to the above-described embodiment, but it goes without saying that the steps may be similarly performed.
Further, it may be performed at the same time, and cured and joined at the same time.
【0071】このように本実施形態においては、上述実
施形態による作用効果に加えて、収容容器24は、固体
撮像素子11の受光面11aの周縁と光学ガラス13の
内面とに直接接触して位置決めすることができるので、
固体撮像素子11と光学ガラス13との間の間隔を任意
に設定することができると共に、その加工精度により高
精度に設定することができ、また、固体撮像素子11の
受光面11aの光軸精度も収容容器24の加工精度で高
精度に設定することができる。As described above, in the present embodiment, in addition to the functions and effects of the above-described embodiment, the container 24 is positioned by directly contacting the periphery of the light receiving surface 11 a of the solid-state imaging device 11 and the inner surface of the optical glass 13. So you can
The distance between the solid-state imaging device 11 and the optical glass 13 can be set arbitrarily, and can be set with high precision by the processing accuracy. Also, the optical axis accuracy of the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11 can be improved. Also, the processing accuracy of the container 24 can be set with high accuracy.
【0072】また、収容容器24のツバ部24b上に固
体撮像素子11を自重で載置するだけとすることによ
り、固体撮像素子11の受光面11aの周縁と収容容器
24のツバ部24bの内面との間に封止材17を入り込
ませて微小な絶縁・封止膜を形成することができる。し
たがって、固体撮像素子11と収容容器24とを強固に
接合して封止品質を向上させることができると共に、絶
縁耐圧を確保して収容容器24の材質の制限を解消する
ことができ、コストの削減および信頼性の向上を図るこ
とができる。Further, the solid-state image sensor 11 is merely mounted on the collar 24b of the container 24 by its own weight, so that the periphery of the light receiving surface 11a of the solid-state image sensor 11 and the inner surface of the collar 24b of the container 24 are formed. A small insulating / sealing film can be formed by injecting the sealing material 17 into the gap. Therefore, the solid-state imaging device 11 and the container 24 can be firmly joined to improve the sealing quality, and the dielectric strength can be ensured, and the limitation on the material of the container 24 can be eliminated. Reduction and improvement in reliability can be achieved.
【0073】なお、本実施形態の他の態様としては、上
述実施形態でも同様に、収容容器24には、四角形状の
角部を残しているが、図14に示すように、その角部を
R加工して対角線距離を短縮し、より小型化を図っても
よい。一方、外形の大きさにこだわらない固体撮像装置
を組立作製する場合には、収容容器の外面に外部装置の
雌ねじに螺合可能な雄ねじを形成してもよい。As another mode of the present embodiment, similarly to the above-described embodiment, a square-shaped corner is left in the container 24, but as shown in FIG. R processing may be performed to reduce the diagonal distance to achieve further miniaturization. On the other hand, when assembling and manufacturing a solid-state imaging device that does not care about the size of the external shape, a male screw that can be screwed to a female screw of the external device may be formed on the outer surface of the storage container.
【0074】次に、図15は本発明に係る固体撮像装置
およびその作製方法の第3実施形態を示す図である。な
お、本実施形態は上述実施形態と略同様に構成されてい
るので、同様な構成には同一の符号を付して特徴部分を
説明する。Next, FIG. 15 is a diagram showing a third embodiment of the solid-state imaging device and the method of manufacturing the same according to the present invention. In addition, since the present embodiment is configured substantially in the same manner as the above-described embodiment, the same components are denoted by the same reference numerals, and the characteristic portions will be described.
【0075】図15において、絶縁体31は、例えば、
固体撮像素子11の受光面11aに対面形成する不図示
のマイクロレンズなどの絶縁材料により作製し、固体撮
像素子11の外周角部のバンプ16よりもエッジ側に配
設されている。例えば、固体撮像素子11と収容容器1
4、24との間に形成される隙間が上述実施形態で説明
した程度である場合には、10μm以上の厚み(高さ)
に形成すればよい。In FIG. 15, the insulator 31 is, for example,
The solid-state imaging device 11 is made of an insulating material such as a microlens (not shown) that faces the light-receiving surface 11a, and is disposed on the edge side of the bump 16 at the outer corner of the solid-state imaging device 11. For example, the solid-state imaging device 11 and the container 1
In the case where the gap formed between the first and second layers 4 and 24 is as described in the above embodiment, the thickness (height) is 10 μm or more.
What is necessary is just to form.
【0076】この絶縁体31は、リード線12が固体撮
像素子11にバンプ16を介して接続された後に、その
まま折り曲げフォーミングされた場合にも、そのリード
線12の折曲部と固体撮像素子11の間に介在するよう
に設定されており、固体撮像素子11の外周角部に接触
・短絡させることなく、リード線12を固体撮像素子1
1の側面近傍に延在する状態に導くことができる。Even when the lead wire 12 is connected to the solid-state imaging device 11 via the bump 16 and then bent and formed as it is, the insulator 31 is connected to the bent portion of the lead wire 12 and the solid-state imaging device 11. The lead wire 12 is connected to the solid-state imaging device 1 without contacting or short-circuiting with the outer peripheral corner of the solid-state imaging device 11.
It can be led to a state extending near the side surface of one.
【0077】このため、上述実施形態で説明した組立作
製方法における折曲工程を、リード線12の折曲部を湾
曲形状にすることのない一般的な作業とすることができ
る。For this reason, the bending step in the assembling and manufacturing method described in the above embodiment can be a general operation without making the bent portion of the lead wire 12 into a curved shape.
【0078】このように本実施形態においては、上述実
施形態による作用効果に加えて、組立作製工程を簡易化
することができるとともに、リード線12に湾曲形状の
折曲部を形成する必要がないので、リード線12の硬度
(強度)などの制限を緩和することができる。As described above, in the present embodiment, in addition to the functions and effects of the above-described embodiment, the assembling / manufacturing process can be simplified, and it is not necessary to form a bent portion in the lead wire 12. Therefore, restrictions such as hardness (strength) of the lead wire 12 can be relaxed.
【0079】次に、図16〜図18は本発明に係る固体
撮像装置およびその作製方法の第4実施形態を示す図で
ある。なお、本実施形態は上述実施形態と略同様に構成
されているので、同様な構成には同一の符号を付して特
徴部分を説明する。Next, FIGS. 16 to 18 are views showing a fourth embodiment of the solid-state imaging device and the method of manufacturing the same according to the present invention. In addition, since the present embodiment is configured substantially in the same manner as the above-described embodiment, the same components are denoted by the same reference numerals, and the characteristic portions will be described.
【0080】図16および図17において、リード線4
2は、上述実施形態と同様に接続工程においてフィルム
キャリア方式で供給するように、TABフィルムの絶縁
フィルム19上に導電材料の厚膜を形成して作製されて
おり、このリード線42は、固体撮像素子11の外周角
部に対応する部位を幅狭に形成して折曲部42aをくび
れ形状にすることにより他の個所よりも強度を低くして
優先的に折れ曲がるように設定されている。In FIG. 16 and FIG.
2 is formed by forming a thick film of a conductive material on a TAB film insulating film 19 so as to be supplied by a film carrier method in the connection step in the same manner as in the above-described embodiment. A portion corresponding to the outer peripheral corner of the image pickup device 11 is formed to have a narrow width and the bent portion 42a is formed into a constricted shape so that the bent portion 42a has a lower strength than other portions and is bent preferentially.
【0081】このため、折曲工程において、リード線4
2を折り曲げフォーミングする際には、その折曲部42
aが優先的に折れ曲がることにより、図18に示すよう
に、固体撮像素子11の外周角部に接触・短絡させるこ
となく、リード線12を固体撮像素子11の側面近傍に
延在する状態に導くことができ、第2接合工程において
は封止材17内に内包される。Therefore, in the bending step, the lead wire 4
2 is formed by bending the bent portion 42
As a is preferentially bent, the lead wire 12 is guided to a state extending near the side surface of the solid-state imaging device 11 without contacting and short-circuiting with the outer peripheral corner of the solid-state imaging device 11 as shown in FIG. In the second bonding step, the sealing material 17 is included.
【0082】このことから、上述実施形態で説明した組
立作製方法における折曲工程を、リード線12の折曲部
を湾曲形状にすることのない一般的な作業とすることが
できる。また、リード線42は、折曲部42aを形成す
ることによって、折り曲げる際に生じる曲げ応力を緩和
して、設計通りの形状に容易にフォーミングすることが
でき、リード線42を接続するバンプ16付近に加わる
負荷を軽減することができる。Therefore, the bending step in the assembling / manufacturing method described in the above embodiment can be a general operation without bending the bent portion of the lead wire 12. Further, by forming the bent portion 42a, the bending stress generated when the lead wire 42 is bent can be relaxed, and the lead wire 42 can be easily formed into a designed shape. Can be reduced.
【0083】なお、このリード線42としては、例え
ば、固体撮像素子11と収容容器14、24との間に形
成される隙間が上述実施形態で説明した程度である場合
に、バンプ16に接続する先端部が約100μm幅のと
きには、固体撮像素子11の外周角部のエッジより約7
5μm離隔した位置から約50μmの長さで延在する約
40μm幅の折曲部42aを形成し、この折曲部42a
より後端部側は、先端部側の幅と同等かそれ以上の幅に
設定して補強するなどしてもよい。The lead wire 42 is connected to the bump 16 when, for example, the gap formed between the solid-state imaging device 11 and the housings 14 and 24 is as described in the above embodiment. When the tip is about 100 μm wide, the edge of the outer peripheral corner of the solid-state imaging device 11 is about 7 μm from the edge.
A bent portion 42a having a width of about 40 μm extending about 50 μm from a position separated by 5 μm is formed, and the bent portion 42a is formed.
The rear end side may be reinforced by setting the width to be equal to or larger than the width of the front end side.
【0084】このように本実施形態においては、上述実
施形態による作用効果に加えて、組立作製工程を簡易化
することができるとともに、リード線12に湾曲形状の
折曲部を形成する必要がないので、リード線12の硬度
(強度)などの制限を緩和することができる。As described above, in the present embodiment, in addition to the functions and effects of the above-described embodiment, the assembling and manufacturing steps can be simplified, and it is not necessary to form a bent portion in the lead wire 12. Therefore, restrictions such as hardness (strength) of the lead wire 12 can be relaxed.
【0085】なお、本実施形態の他の態様としては、図
19に示すように、リード線42の先端部にバンプ46
を一体形成するメサバンプ方式のリード線にも適用して
もよいことはいうまでもない。As another mode of the present embodiment, as shown in FIG.
It is needless to say that the present invention may be applied to a mesa bump type lead wire integrally formed.
【0086】次に、図20は本発明に係る固体撮像装置
およびその作製方法の第5実施形態を示す図である。な
お、本実施形態は上述第1実施形態を用いる場合を一例
に特徴部分を説明する。Next, FIG. 20 is a diagram showing a fifth embodiment of the solid-state imaging device and the method of manufacturing the same according to the present invention. In this embodiment, the characteristic portions will be described by taking the case of using the first embodiment as an example.
【0087】図20において、固体撮像装置10は、固
体撮像素子11に接続したリード線12を折り曲げて受
光面11aの背面側まで引き出したときに、リード線1
2を保持する絶縁フィルム19が収容容器14から外部
に露出(例えば、上述実施形態の寸法では0.3mm程
度露出)するように設定されたTABフィルムを用いて
組立作製されており、上述の各種工程を経て組み立てた
後には、幅狭に形成した回路基板51の一端側に、受光
面11aが直角となる姿勢で固体撮像素子11を取り付
けて、不図示の電極パッドに屈曲させたリード線12の
後端部をはんだ付けなどして電気的に接続されている。In FIG. 20, the solid-state imaging device 10 is configured such that when the lead wire 12 connected to the solid-state imaging device 11 is bent and pulled out to the back side of the light receiving surface 11a,
The insulating film 19 holding the second 2 is assembled and manufactured using a TAB film set so as to be exposed to the outside from the container 14 (for example, about 0.3 mm in the dimensions of the above-described embodiment). After assembling through the process, the solid-state imaging device 11 is attached to one end side of the narrowly formed circuit board 51 so that the light receiving surface 11a is at a right angle, and the lead wire 12 bent to an electrode pad (not shown) is attached. Are electrically connected by soldering or the like.
【0088】したがって、この固体撮像装置10では、
収容容器14から外部に露出するリード線12を容易に
折曲・屈曲させることができ、絶縁フィルム19により
邪魔されることなく、回路基板51に接続することがで
きる。なお、本実施形態のように、固体撮像素子11に
接続するリード線12の先端から絶縁フィルム19まで
の距離がある場合には、その距離に応じて、リード線1
2の先端部の位置が接続作業中などにばらつかないよう
に、リード線12自体を厚めに、また、幅広に形成して
補強するのが好ましい。Therefore, in this solid-state imaging device 10,
The lead wire 12 exposed to the outside from the housing container 14 can be easily bent and bent, and can be connected to the circuit board 51 without being disturbed by the insulating film 19. If there is a distance from the tip of the lead wire 12 connected to the solid-state imaging device 11 to the insulating film 19 as in the present embodiment, the lead wire 1 is set according to the distance.
It is preferable that the lead wire 12 itself is formed thicker and wider to reinforce the lead wire 12 so that the position of the distal end of the lead wire 2 does not vary during the connection work or the like.
【0089】このように本実施形態においては、上述実
施形態により安価に、かつ信頼性高く、また、小型に組
立作製した固体撮像装置10を、容易に内視鏡などのよ
うな小型のカメラヘッドに取り付けることができる。As described above, in the present embodiment, the solid-state imaging device 10 which is inexpensive, highly reliable, and compactly manufactured by the above-described embodiment can be easily mounted on a small camera head such as an endoscope. Can be attached to
【0090】本実施形態の他の態様としては、図21に
示すように、同様に作製した固体撮像装置10のリード
線12を、互いに離隔するように容易に再度折り曲げ
て、固体撮像素子11の受光面11aの背面と平行にな
るように拡開させた後に(再折曲工程)、回路基板52
の一面側に固体撮像素子11が水平となる姿勢で設置し
てリード線12の後端部をはんだ付けなどして電気的に
接続されている。このとき、収容容器14の下端部では
絶縁フィルム19がリード線12との間に介在して、絶
縁性を確保することができる。As another mode of the present embodiment, as shown in FIG. 21, the lead wires 12 of the solid-state imaging device 10 similarly manufactured are easily bent again so as to be separated from each other, and the solid-state imaging device 11 After being expanded so as to be parallel to the back surface of the light receiving surface 11a (re-bending step), the circuit board 52
The solid-state imaging device 11 is installed on one side in a horizontal position, and the rear ends of the lead wires 12 are electrically connected by soldering or the like. At this time, the insulating film 19 is interposed between the lower end portion of the container 14 and the lead wire 12 to ensure insulation.
【0091】また、図22に示すように、収容容器14
から露出するリード線12のうち、固体撮像素子11の
受光面11aの一側辺側を、同様に固体撮像素子11の
背面と平行になるように容易に再度折り曲げて拡開させ
る一方、他辺側のリード線12は、回路基板53の一端
側から裏面側に回り込むように容易に再度折り曲げた後
に(再折曲工程)、回路基板53の一端部で固体撮像素
子11が水平となる姿勢でリード線12の後端部を回路
基板53の両面側にはんだ付けなどして電気的に接続さ
れている。Further, as shown in FIG.
Similarly, one side of the light receiving surface 11a of the solid-state imaging device 11 of the lead wire 12 exposed from the other side is easily bent and expanded again so as to be parallel to the back surface of the solid-state imaging device 11, while the other side is opened. The side lead wire 12 is easily bent again from one end side of the circuit board 53 to the back side (re-bending step), and then the solid-state imaging device 11 is positioned horizontally at one end of the circuit board 53. The rear ends of the lead wires 12 are electrically connected to both sides of the circuit board 53 by soldering or the like.
【0092】このように、固体撮像装置10にあって
は、回路基板への取付形態が異なる場合にも共通使用す
ることができ、量産化を可能にしてコストをより削減す
ることができる。なお、本発明に係わる固体撮像素子
は、CCDに限らず、CMOSなどの光電変化素子全般
に対応できるものである。As described above, the solid-state imaging device 10 can be commonly used even when the mounting form to the circuit board is different, so that mass production is possible and cost can be further reduced. The solid-state imaging device according to the present invention is applicable not only to a CCD but also to a photoelectric conversion device such as a CMOS.
【0093】[0093]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、収容容
器を介在させて固体撮像素子と透光板とを接合すること
によって、その収容容器の厚さを調整することにより、
固体撮像素子の受光面と透光板の内面との間の間隔を任
意に設定することができる。したがって、撮像映像に影
響しないように、光学的欠陥の大きさの許容範囲を大き
くすることができ、この光学的欠陥のための品質管理を
緩和し、また、欠陥の発生率を低下させて歩留まりを向
上することができる。この結果、品質の高い映像を撮像
でき、コストダウンを図った固体撮像装置を提供するこ
とができる。As described above, according to the present invention, the thickness of the container is adjusted by joining the solid-state imaging device and the light transmitting plate with the container interposed therebetween.
The distance between the light receiving surface of the solid-state imaging device and the inner surface of the light transmitting plate can be set arbitrarily. Therefore, the allowable range of the size of the optical defect can be increased so as not to affect the captured image, the quality control for the optical defect is eased, and the yield of the defect is reduced by reducing the incidence of the defect. Can be improved. As a result, it is possible to provide a solid-state imaging device capable of capturing high-quality video and reducing costs.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】本発明に係る固体撮像装置およびその作製方法
の第1実施形態を示す図であり、その構成を説明する上
面図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a first embodiment of a solid-state imaging device and a method for manufacturing the same according to the present invention, and is a top view illustrating the configuration thereof.
【図2】図1におけるA−A縦断面図である。FIG. 2 is a vertical sectional view taken along the line AA in FIG.
【図3】図1におけるB−B縦断面図である。FIG. 3 is a vertical sectional view taken along line BB in FIG.
【図4】その作製方法を説明する工程図である。FIG. 4 is a process drawing illustrating a manufacturing method thereof.
【図5】図4に続く工程図である。FIG. 5 is a process drawing following FIG. 4;
【図6】図5に続く工程図である。FIG. 6 is a process drawing following FIG. 5;
【図7】その一接合工程を説明する平面図である。FIG. 7 is a plan view illustrating one bonding step.
【図8】本発明に係る固体撮像装置およびその作製方法
の第2実施形態を示す図であり、その構成を説明する上
面図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same, and is a top view illustrating the configuration thereof.
【図9】図8におけるA−A縦断面図である。9 is a vertical sectional view taken along the line AA in FIG.
【図10】図8におけるB−B縦断面図である。FIG. 10 is a vertical sectional view taken along line BB in FIG. 8;
【図11】その接合状態を説明する固体撮像素子の透視
上面図である。FIG. 11 is a transparent top view of the solid-state imaging device for explaining the bonding state.
【図12】その作製方法を説明する工程図である。FIG. 12 is a process diagram illustrating a manufacturing method thereof.
【図13】その一接合工程を説明する一部拡大縦断面図
である。FIG. 13 is a partially enlarged longitudinal sectional view illustrating one joining step.
【図14】その他の態様を示す横断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing another embodiment.
【図15】本発明に係る固体撮像装置およびその作製方
法の第3実施形態を示す図であり、その要部構成を説明
する縦断面図である。FIG. 15 is a view showing a third embodiment of the solid-state imaging device and the method for manufacturing the same according to the present invention, and is a longitudinal sectional view illustrating the configuration of a main part thereof.
【図16】本発明に係る固体撮像装置およびその作製方
法の第4実施形態を示す図であり、その要部構成を説明
する縦断面図である。FIG. 16 is a diagram showing a fourth embodiment of the solid-state imaging device and the method for manufacturing the same according to the present invention, and is a longitudinal sectional view illustrating the configuration of the main part thereof.
【図17】その構成を説明する一部拡大平面図である。FIG. 17 is a partially enlarged plan view illustrating the configuration.
【図18】その構成を説明する一部拡大側面図である。FIG. 18 is a partially enlarged side view illustrating the configuration.
【図19】その他の態様を示す図であり、(a)は平面
図、(b)は側面図である。FIGS. 19A and 19B are diagrams showing other aspects, in which FIG. 19A is a plan view and FIG. 19B is a side view.
【図20】本発明に係る固体撮像装置およびその作製方
法の第5実施形態を示す図であり、その構成を説明する
縦断面図である。FIG. 20 is a view showing a solid-state imaging device according to a fifth embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same, and is a longitudinal sectional view illustrating the configuration thereof.
【図21】その他の態様を示す縦断面図である。FIG. 21 is a longitudinal sectional view showing another mode.
【図22】その他の態様を示す縦断面図である。FIG. 22 is a longitudinal sectional view showing another embodiment.
【図23】従来技術を示す図であり、その構成を説明す
る上面図である。FIG. 23 is a view showing a conventional technique, and is a top view for explaining the configuration thereof.
【図24】図23におけるA−A縦断面図である。24 is a vertical sectional view taken along line AA in FIG. 23.
【図25】その課題を説明する一部拡大縦断面図であ
る。FIG. 25 is a partially enlarged longitudinal sectional view illustrating the problem.
【図26】その作製方法の一部を説明する工程図であ
る。FIG. 26 is a process chart illustrating a part of the manufacturing method.
【図27】その他の作製方法を説明する工程図である。FIG. 27 is a process diagram illustrating another manufacturing method.
【図28】その接合工程を説明する上面図である。FIG. 28 is a top view illustrating the bonding step.
【図29】その他の従来技術を示す図であり、その構成
を説明する上面図である。FIG. 29 is a diagram showing another related art, and is a top view for explaining the configuration thereof.
【図30】図29におけるA−A縦断面図である。30 is a vertical sectional view taken along line AA in FIG. 29.
10、20 固体撮像装置 11a 受光面 11b 電極パッド 12、42 リード線 13 光学ガラス 14、24 収容容器 14a、24a、24b ツバ部 15 接着剤 16、46 バンプ 17 封止材 18 空間 19 絶縁フィルム 31 絶縁体 42a 折曲部 51〜53 回路基板 10, 20 Solid-state imaging device 11a Light receiving surface 11b Electrode pad 12, 42 Lead wire 13 Optical glass 14, 24 Housing 14a, 24a, 24b Collar 15 Adhesive 16, 46 Bump 17 Sealant 18 Space 19 Insulation film 31 Insulation Body 42a Bend 51-53 Circuit board
Claims (15)
透光板を配置するとともに、前記受光面側に設けられた
電極に光電変換された電気信号を取り出すリード線を接
続した固体撮像装置であって、 前記固体撮像素子、及び前記リード線の一部を収納する
筒状部と、前記筒状部の一端開口に連接され、前記固体
撮像素子の受光面と前記透光板との間に配置されて、前
記固体撮像素子の受光面と前記透光板とを離間する端面
部とを有する収容容器と、 前記収容容器の内部に充填され、前記固体撮像素子、及
び前記リード線の一部を封止する封止材と、 を備えたことを特徴とする固体撮像装置。1. A solid-state imaging device in which a light-transmitting plate is arranged so as to face a light-receiving surface of a solid-state imaging device, and a lead wire for extracting a photoelectrically converted electric signal is connected to an electrode provided on the light-receiving surface side. The solid-state imaging device, a tubular portion that houses a part of the lead wire, and connected to one end opening of the tubular portion, between a light-receiving surface of the solid-state imaging device and the light-transmitting plate. A container having a light receiving surface of the solid-state imaging device and an end surface portion that separates the light-transmitting plate from the light-receiving surface; and one of the solid-state imaging device and the lead wire that is filled in the storage container. A solid-state imaging device, comprising: a sealing member that seals a portion.
び前記透光板の対向面に直接接触して位置決めすること
を特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。2. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the storage container is positioned by directly contacting the opposing surfaces of the solid-state imaging device and the light transmitting plate.
るとともに、少なくとも前記固体撮像素子との接合面に
絶縁性を持たせたことを特徴とする請求項1または2に
記載の固体撮像装置。3. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the storage container is made of a conductive material, and at least a joint surface with the solid-state imaging device has an insulating property.
たことを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像
装置。4. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the container is made of an insulating material.
前記収容容器を作製したことを特徴とする請求項4に記
載の固体撮像装置。5. The solid-state imaging device according to claim 4, wherein the container is manufactured using an organic material as the insulating material.
属めっきを形成したことを特徴とする請求項4または5
に記載の固体撮像装置。6. A metal plating is formed on an outer surface exposed to the outside of the storage container.
3. The solid-state imaging device according to item 1.
て、互いの熱膨張係数の近くなる材質を選択したことを
特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の固体撮
像装置。7. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein a material having a coefficient of thermal expansion close to each other is selected as a material of the storage container and the light transmitting plate.
フィルタとしたことを特徴とする請求項1ないし7のい
ずれかに記載の固体撮像装置。8. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the light transmitting plate is an optical glass or an optical filter.
記電極に接続する前記リード線の先端部を視認可能に内
方に位置させる枠形状に形成したことを特徴とする請求
項1ないし8のいずれかに記載の固体撮像装置。9. The container according to claim 1, wherein the container is formed in a frame shape in which a front end of the lead wire connected to the electrode of the solid-state imaging device is located inward so as to be visible. The solid-state imaging device according to any one of the above.
側面近傍に沿うように折り曲げて前記受光面の背面側か
ら外部に引き出す一方、 前記収容容器は、前記固体撮像素子の側面を覆う枠形状
にするとともに前記固体撮像素子と直接接触する部位お
よび前記リード線を非接触に通過させる空間を形成した
ことを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載の
固体撮像装置。10. The lead wire is bent along the vicinity of the side surface of the solid-state imaging device and drawn out from the back side of the light-receiving surface, while the housing container has a frame shape that covers the side surface of the solid-state imaging device. The solid-state imaging device according to any one of claims 1 to 9, wherein a portion that directly contacts the solid-state imaging element and a space through which the lead wire passes without contact are formed.
作製方法であって、 前記リード線の先端部を前記固体撮像素子の電極に接続
する接続工程と、前記収容容器と前記透光板の位置関係
を位置決めする第1位置決め工程と、前記リード線を接
続された前記固体撮像素子と前記収容容器との位置関係
を位置決めする第2位置決め工程と、前記収容容器と前
記透光板とを位置決めされた位置関係に接合固定する第
1接合工程と、前記固体撮像素子と前記収容容器とを位
置決めされた位置関係に接合固定する第2接合工程と、
を備え、 前記第1、第2接合工程を、同時に、または、前記第
1、第2接合工程の順に、あるいは、前記第2、第1接
合工程の順に行うことを特徴とする固体撮像装置の作製
方法。11. The method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 1, wherein: a connecting step of connecting a tip end of the lead wire to an electrode of the solid-state imaging device; A first positioning step of positioning the positional relationship between the solid-state imaging device and the housing container to which the lead wire is connected, and a second positioning step of positioning the positional relationship between the housing container and the housing container. A first joining step of joining and fixing the positioned positional relationship, and a second joining step of joining and fixing the solid-state imaging device and the housing container in a positioned positional relationship;
Wherein the first and second joining steps are performed simultaneously, in the order of the first and second joining steps, or in the order of the second and first joining steps. Production method.
作製方法であって、 前記第2位置決め工程は、前記固体撮像素子を保持して
予め設定されている上方の位置で前記収容容器に対面す
る状態にした後に、前記固体撮像素子の保持を解除し
て、前記固体撮像素子の対向面に前記収容容器を直接接
触させることにより、前記透光板を前記収容容器に接合
したときに前記透光板と前記固体撮像素子との間隔が前
記収容容器の厚さに応じた距離になるように、位置決め
することを特徴とする請求項11に記載の固体撮像装置
の作製方法。12. The method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 2, wherein the second positioning step includes holding the solid-state imaging device and setting the solid-state imaging device in the storage container at a predetermined upper position. After being in a facing state, the holding of the solid-state imaging device is released, and the housing is brought into direct contact with the facing surface of the solid-state imaging device, so that the light-transmitting plate is bonded to the housing. The method of manufacturing a solid-state imaging device according to claim 11, wherein the positioning is performed such that a distance between a light-transmitting plate and the solid-state imaging device is a distance corresponding to a thickness of the storage container.
omated Bonding)フィルム上に形成されて保持部により
保持されているものを用いる前記接続工程と、前記接続
工程により接続した前記リード線を前記固体撮像素子の
側面近傍に沿うように折り曲げる折曲工程と、を備える
ことを特徴とする請求項11または12に記載の固体撮
像装置の作製方法。13. A TAB (Tape Aut) as the lead wire.
omated Bonding) a connecting step using a member formed on a film and held by a holding portion, and a bending step of bending the lead wire connected in the connecting step along a vicinity of a side surface of the solid-state imaging device. 13. The method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 11, further comprising:
の作製方法であって、 前記接続工程は、前記リード線を保持する前記保持部の
位置が前記折曲工程により折り曲げられたときに前記固
体撮像素子の側面よりも外部に露出するように設定した
前記TABフィルムを用いることを特徴とする請求項1
3に記載の固体撮像装置の作製方法。14. The method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 10, wherein in the connecting step, when a position of the holding unit that holds the lead wire is bent by the bending step. 2. The method according to claim 1, wherein the TAB film is set so as to be exposed outside the side surface of the solid-state imaging device.
4. The method for manufacturing the solid-state imaging device according to 3.
の側面近傍に沿うように折り曲げられた前記リード線を
前記固体撮像素子の前記受光面と平行になるように再度
折り曲げる再折曲工程を備えることを特徴とする請求項
14に記載の固体撮像装置の作製方法。15. A re-bending step of bending the lead wire bent along the vicinity of a side surface of the solid-state imaging device in the bending step again so as to be parallel to the light receiving surface of the solid-state imaging device. The method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 14, wherein:
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7280145B2 (en) | 2002-07-30 | 2007-10-09 | Olympus Optical Co., Ltd. | Camera and image pick-up device unit having an optical member that is vibrated to remove dust |
US7324149B2 (en) | 2002-05-20 | 2008-01-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Camera and image pick-up device unit having an optical member that is vibrated to remove dust |
US7324148B2 (en) | 2002-04-26 | 2008-01-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Camera and image pickup device unit used therefor having a sealing structure between a dust proofing member and an image pick up device |
US7339623B2 (en) | 2002-05-27 | 2008-03-04 | Olympus Optical Co., Ltd. | Camera and image pickup device unit which reduce influence of dust image quality |
CN100451813C (en) * | 2005-01-28 | 2009-01-14 | 三星电机株式会社 | Camera module with minimized defects caused by dirt particles on optical filter |
WO2017134972A1 (en) * | 2016-02-01 | 2017-08-10 | ソニー株式会社 | Imaging element package and imaging device |
-
2001
- 2001-03-28 JP JP2001093167A patent/JP2001345392A/en not_active Withdrawn
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7324148B2 (en) | 2002-04-26 | 2008-01-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Camera and image pickup device unit used therefor having a sealing structure between a dust proofing member and an image pick up device |
US7589780B2 (en) | 2002-04-26 | 2009-09-15 | Olympus Optical Co., Ltd. | Camera and image pick-up device unit used therefor having a sealing structure between a dust-proofing member and an image pick-up device |
US7324149B2 (en) | 2002-05-20 | 2008-01-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Camera and image pick-up device unit having an optical member that is vibrated to remove dust |
US7339623B2 (en) | 2002-05-27 | 2008-03-04 | Olympus Optical Co., Ltd. | Camera and image pickup device unit which reduce influence of dust image quality |
US7280145B2 (en) | 2002-07-30 | 2007-10-09 | Olympus Optical Co., Ltd. | Camera and image pick-up device unit having an optical member that is vibrated to remove dust |
US7591598B2 (en) | 2002-07-30 | 2009-09-22 | Olympus Optical Co., Ltd. | Camera having a dust-proofing member that is vibrated to remove dust, the dust-proofing member being pressed by a spring pressing member toward a sealing part that seals a space between the dust-proofing member and an image pickup-device |
US7686524B2 (en) | 2002-07-30 | 2010-03-30 | Olympus Optical Co., Ltd. | Image pick-up device unit having a dust-proofing member that is vibrated to remove dust, the dust-proofing member being pressed by a spring pressing member toward a sealing structure that seals an interval between the dust-proofing member and an image pick-up device |
CN100451813C (en) * | 2005-01-28 | 2009-01-14 | 三星电机株式会社 | Camera module with minimized defects caused by dirt particles on optical filter |
WO2017134972A1 (en) * | 2016-02-01 | 2017-08-10 | ソニー株式会社 | Imaging element package and imaging device |
US11094722B2 (en) | 2016-02-01 | 2021-08-17 | Sony Corporation | Image sensor package and imaging apparatus |
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