JP2001335395A - Molecular beam epitaxial growth apparatus - Google Patents

Molecular beam epitaxial growth apparatus

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JP2001335395A JP2000153663A JP2000153663A JP2001335395A JP 2001335395 A JP2001335395 A JP 2001335395A JP 2000153663 A JP2000153663 A JP 2000153663A JP 2000153663 A JP2000153663 A JP 2000153663A JP 2001335395 A JP2001335395 A JP 2001335395A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a molecular beam epitaxial growth apparatus with high productivity which can easily be assembled and dissembled. SOLUTION: This molecular beam epitaxial growth apparatus has a crucible having an opening part, a material filling part in which a molecular beam material is filled and at least one bent part formed between the opening part and the material filling part, a heater for emitting a molecular beam from the crucible opening part by vaporizing the molecular beam material filled in the filling part by heating, a vacuum chamber in which a target to be irradiated with the molecular beam, and a vacuum vessel composed of a plurality of tublar members which are separably connected to one another for sealing the crucible and heater and being fixed to the vacuum chamber. The vacuum vessel has a linear cylinder having a linear axis which covers the material filling part, a bent cylinder having a bent axis which covers the bent part and a fixing and seal member which is separably connected to one end opening of the linear cylinder and fixes and seals the crucible and heater to the vacuum vessel.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は分子線結晶成長法
(Molecular Beam Epitaxy、以下「MBE法」と称す
る)で使用される分子線エピタキシャル装置(以下「M
BE装置」と称する)に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a molecular beam epitaxy apparatus (hereinafter, referred to as "MBE") used in a molecular beam epitaxy (hereinafter referred to as "MBE method").
BE device).

【0002】[0002]

【従来の技術】MBE法は、高純度の分子線発生材料
(以下、「分子線材料」と称する)を蒸発、昇華させる
ことによって分子線を発生させ、高真空中でGaAs基
板等に結晶を成長させる技術であり、半導体レーザー等
の化合物半導体を構成する半導体薄膜の作製法として広
く用いられ、現在なお研究、開発が進められている方法
である。その半導体薄膜の作製時に重要な事項として、
真空チャンバ内の残留不純物を少なくすることが挙げら
れる。そのために排気効率の改良やチャンバベーキング
などが行われ、良好な半導体が得られるようになった。
2. Description of the Related Art The MBE method generates a molecular beam by evaporating and sublimating a high-purity molecular beam generating material (hereinafter referred to as "molecular beam material"), and forms a crystal on a GaAs substrate or the like in a high vacuum. This is a technique for growing, and is widely used as a method for producing a semiconductor thin film constituting a compound semiconductor such as a semiconductor laser, and is still being researched and developed. As an important matter when producing the semiconductor thin film,
One example is to reduce residual impurities in the vacuum chamber. For this reason, improvement in exhaust efficiency, chamber baking, and the like have been performed, and a good semiconductor has been obtained.

【0003】MBE法では、分子線材料を入れる坩堝、
坩堝を加熱するヒータおよび温度較正用の熱電対からな
る分子線源セルを真空容器で封入し、この真空容器を介
して真空チャンバ(成膜室)の外側に開口したポートに
分子線源セルが接続される。MBE装置は、通常、複数
個の分子線源セルが取り付けられており、坩堝に純粋な
分子線材料が充填されたそれぞれの分子線源セルの開口
部(坩堝の開口部)が総て真空チャンバ内に配置された
ターゲットとなる基板に向けて配置される。したがっ
て、複数個の分子線源セルのそれぞれの開口部は、基板
に対して所定の角度をもって配置されることになる。
In the MBE method, a crucible into which a molecular beam material is placed,
A molecular beam source cell composed of a heater for heating the crucible and a thermocouple for temperature calibration is sealed in a vacuum vessel, and the molecular beam source cell is inserted into a port opened outside the vacuum chamber (film formation chamber) through the vacuum vessel. Connected. The MBE apparatus is usually equipped with a plurality of molecular beam source cells, and all the molecular beam source cells whose crucibles are filled with pure molecular beam material (openings of the crucible) are all vacuum chambers. It is arranged toward the target substrate arranged inside. Therefore, the openings of the plurality of molecular beam source cells are arranged at a predetermined angle with respect to the substrate.

【0004】MBE装置には大きく分けて縦置き型と横
置き型とがある。縦置き型のMBE装置は、基板が成膜
面を下向きにして配置され、分子線源セルの開口部が基
板の鉛直方向に対して所定の角度をもって、つまり水平
より上向きになるよう配置される。横置き型のMBE装
置は、基板が成膜面を横向きにして配置され、各分子線
源セルの開口部が基板の回転軸から所定の角度をもって
同心円上に配置される。したがって、真空チャンバの上
部ポートに接続される分子線源セルの開口部は水平より
下向きになる。
[0004] MBE apparatuses are roughly classified into a vertical type and a horizontal type. In the vertical type MBE apparatus, the substrate is arranged with the film formation surface facing downward, and the opening of the molecular beam source cell is arranged at a predetermined angle with respect to the vertical direction of the substrate, that is, with the opening facing upward from the horizontal. . In the horizontal type MBE apparatus, the substrate is arranged with the film-forming surface oriented sideways, and the openings of the molecular beam source cells are arranged concentrically at a predetermined angle from the rotation axis of the substrate. Therefore, the opening of the molecular beam source cell connected to the upper port of the vacuum chamber is directed downward from the horizontal.

【0005】前記の縦置き型のMBE装置では、分子線
材料のガス出しや結晶成長時に、蒸発または昇華させた
分子線材料が基板以外の部分、例えばシュラウドなどに
付着し、シュラウドから液体窒素を除去すると、付着物
が剥離して分子線源セルに落下することがある。セルに
落下した付着物はそれ自体が不純物となって結晶性を低
下させ、半導体薄膜の膜質を低下させたり、分子線源セ
ルの加熱ヒータや温度校正用の熱電対リード線などに入
り込んで絶縁不良などのトラブルを発生させたりする。
[0005] In the above-mentioned vertical-type MBE apparatus, during degassing or crystal growth of the molecular beam material, the evaporated or sublimated molecular beam material adheres to a portion other than the substrate, for example, a shroud, and liquid nitrogen is removed from the shroud. When removed, the deposits may peel off and fall into the molecular beam source cell. Deposits that fall into the cell become impurities themselves, lowering crystallinity, lowering the quality of the semiconductor thin film, and infiltrating into the heater of the molecular beam source cell, the thermocouple lead wire for temperature calibration, etc. It causes troubles such as defects.

【0006】このため、真空チャンバを傾けた、縦置き
型と横置き型の中間構造を有する傾斜型のMBE装置と
することにより、基板の周りのシュラウドなどについた
付着物が落下しても分子線源セルに入らないような対策
が採られている。しかしながら、前記の横置き型や傾斜
型の装置を使用しても、例えば、図9あるいは図10に
示すような従来構造の坩堝610、710を用いる場合
には、下部ポートに取り付けた分子線源セルより上部ポ
ートに取り付けた分子線源セルの方が、坩堝610、7
10内に充填できる溶融分子線材料の量は少なくなる。
したがって、一回の材料充填で稼働できる時間が短くな
り、装置稼働率の低下および製品コストの増大を招いて
いた。
[0006] For this reason, a tilted MBE apparatus having an intermediate structure between a vertical type and a horizontal type in which the vacuum chamber is tilted allows molecules attached to a shroud or the like around the substrate to fall even if they fall. Measures have been taken to prevent entry into the source cell. However, even if the above-mentioned horizontal type or inclined type apparatus is used, for example, when the crucibles 610 and 710 having the conventional structure as shown in FIG. 9 or FIG. 10 are used, the molecular beam source attached to the lower port The molecular beam source cell attached to the upper port than the cell has crucibles 610 and 7
The amount of the melted molecular beam material that can be filled in 10 is reduced.
Therefore, the time that can be operated by one material filling is shortened, resulting in a decrease in apparatus operation rate and an increase in product cost.

【0007】さらに、真空チャンバの傾斜角度が大きい
傾斜型のMBE装置や横置き型のMBE装置では、幾つ
かの分子線源セルはその開口部が水平より下向きになる
ように取り付けられるので、図9あるいは図10に示す
従来構造の坩堝610、710を用いた場合は、溶融分
子線材料を使用することができず、昇華型の分子線材料
の使用に限定されてしまう。さらに、図9に示す坩堝6
10では、分子線材料を消費するにしたがって蒸発面積
が小さくなるため、ヒータ温度が一定の場合はフラック
ス強度が徐々に低下していく。このため、一定のフラッ
クス強度を得るためには常にヒータ温度を補正する必要
がある。通常、このフラックス補正は、数回の結晶成長
後に行うことが必要である。図10の坩堝710を使用
した場合は、材料充填部が平行円筒状であるため、分子
線材料を消費してもその上面の一部が坩堝の底面に達す
るまでは蒸発面積が変化しない。そのため、ヒータ温度
を一定にすれば、フラックス強度もほぼ一定になる。し
たがってフラックス補正の間隔を長くすることが可能と
なり、MBE装置の可動率は向上する。しかしながら、
分子線材料の減少に伴い分子線材料の液面が基板から遠
ざかるため、若干の修正は必要になる。
Further, in a tilt type MBE apparatus or a horizontal type MBE apparatus in which a vacuum chamber has a large tilt angle, some molecular beam source cells are mounted so that their openings are directed downward from horizontal. When the crucibles 610 and 710 having the conventional structure shown in FIG. 9 or FIG. 10 are used, a molten molecular beam material cannot be used, and the use of a sublimation type molecular beam material is limited. Further, the crucible 6 shown in FIG.
In No. 10, since the evaporation area decreases as the molecular beam material is consumed, the flux intensity gradually decreases when the heater temperature is constant. Therefore, it is necessary to always correct the heater temperature in order to obtain a constant flux intensity. Usually, this flux correction needs to be performed after several crystal growths. When the crucible 710 of FIG. 10 is used, the material filling portion is a parallel cylindrical shape, so that even if the molecular beam material is consumed, the evaporation area does not change until a part of the upper surface reaches the bottom of the crucible. Therefore, if the heater temperature is kept constant, the flux intensity becomes almost constant. Therefore, the interval of the flux correction can be lengthened, and the operability of the MBE apparatus is improved. However,
As the molecular beam material decreases, the liquid surface of the molecular beam material moves away from the substrate, so that some correction is required.

【0008】前記のように、シュラウドなどについた付
着物の落下を防ぐために真空チャンバを傾斜させた傾斜
型のMBE装置や横置き型のMBE装置の場合、上部ポ
ート側の溶融分子線材料の充填容量が少なくなり、分子
線源セルの開口部が水平より下を向くポート側において
は昇華型の分子線材料の使用に限られる。
As described above, in the case of an inclined MBE apparatus in which a vacuum chamber is inclined or a horizontal MBE apparatus in which a vacuum chamber is inclined in order to prevent attachments attached to a shroud or the like from falling, the upper port side is filled with a molten molecular beam material. The capacity is reduced, and the use of a sublimation type molecular beam material is limited on the port side where the opening of the molecular beam source cell faces downward from the horizontal.

【0009】一方、図11に示すような平行円筒形の折
れ曲がり形状の坩堝510を有する分子線源セル500
は、傾斜型あるいは横置き型のMBE装置の開口部が水
平より下を向くポートにおいても溶融分子線材料を使用
することができる。図11において、分子線源セル50
0は、分子線材料m( 例えば、ガリウム)を充填する坩
堝510、ヒータ502・503、熱電対(図示せ
ず)、反射板504および真空容器550を備えてい
る。坩堝510およびヒータ502・503ならびに熱
電対および反射板504等の付属部材からなる組み立て
部材をセル部530と称する。坩堝510は、分子線材
料が充填される充填部分511と、坩堝開口部512と
充填部分511の間に形成された屈曲部513と、開口
部512と屈曲部513との間の分子線形状決定部分5
14とからなる。
On the other hand, a molecular beam source cell 500 having a bent crucible 510 in a parallel cylindrical shape as shown in FIG.
Can use a molten molecular beam material even in a port where the opening of the inclined or horizontal type MBE apparatus is directed downward from the horizontal. In FIG. 11, the molecular beam source cell 50
Numeral 0 includes a crucible 510 filled with a molecular beam material m (for example, gallium), heaters 502 and 503, a thermocouple (not shown), a reflecting plate 504, and a vacuum container 550. An assembly member including the crucible 510, the heaters 502 and 503, the thermocouple, and the accessory members such as the reflection plate 504 is referred to as a cell unit 530. The crucible 510 includes a filling portion 511 filled with a molecular beam material, a bent portion 513 formed between the crucible opening 512 and the filling portion 511, and a molecular beam shape determination between the opening 512 and the bent portion 513. Part 5
14

【0010】平行円筒形状の真空容器550は、坩堝5
10の底部を支持する固定具551が配設された末端フ
ランジ552と、末端フランジ552に一端が接続され
る直線状の直線筒553とからなり、直線筒553の他
端は坩堝510の屈曲部513を逃がすよう傾斜し、分
子線形状決定部分514を真空チャンバのポートに直角
に取り付けるための接続フランジ553bを形成する。
真空容器550は、図示しない真空チャンバのポートに
接続フランジ553bを介して取り付けられ、セル部5
30を封入しかつ固定させる。
The parallel cylindrical vacuum vessel 550 is
10 comprises a terminal flange 552 on which a fixing tool 551 for supporting the bottom of the crucible 510 is disposed, and a linear straight tube 553 having one end connected to the terminal flange 552. The connection flange 553b is formed to be inclined so as to allow the 513 to escape, and to attach the molecular beam shape determining portion 514 at right angles to the port of the vacuum chamber.
The vacuum vessel 550 is attached to a port of a vacuum chamber (not shown) via a connection flange 553b.
30 is sealed and fixed.

【0011】図12の(a)〜(d)は、前記の分子線
源セル500を真空チャンバのポートに取り付ける際の
分子線源セル500の組み立ての手順を示す。なお、同
図(a)〜(c)は正面断面図、(d)は正面図で示
す。まず、坩堝510にヒータ502、503を装着
し、反射板504を取り付けてセル部530を形成する
(a)。次いで、セル部530の底部539側から直線
筒553を通した後、固定具551とセル部530を互
いに接続固定する(b)。このとき、直線筒553の接
続フランジ553aと末端フランジ552は互いに固定
されない。
FIGS. 12A to 12D show a procedure of assembling the molecular beam source cell 500 when the above-mentioned molecular beam source cell 500 is attached to a port of a vacuum chamber. 2A to 2C are front sectional views, and FIG. 1D is a front view. First, the heaters 502 and 503 are attached to the crucible 510, and the reflection plate 504 is attached to form the cell section 530 (a). Next, after passing the straight tube 553 from the bottom 539 side of the cell portion 530, the fixture 551 and the cell portion 530 are connected and fixed to each other (b). At this time, the connection flange 553a and the terminal flange 552 of the straight cylinder 553 are not fixed to each other.

【0012】次いで、前記の接続フランジ553aと末
端フランジ552の隙間から、末端フランジ552のフ
ィードスルー555を介してヒータ502、503およ
び熱電対に配線Lを結線する(c)。そして直線筒55
3の接続フランジ553aと末端フランジ552をフラ
ンジ接続して分子線源セル500の組み立てが終了する
(d)。
Next, the wiring L is connected to the heaters 502 and 503 and the thermocouple through the feed-through 555 of the terminal flange 552 from the gap between the connection flange 553a and the terminal flange 552 (c). And the straight tube 55
The third connection flange 553a and the terminal flange 552 are flange-connected to complete the assembly of the molecular beam source cell 500 (d).

【0013】このような分子線源セル500を使用すれ
ば、分子線源セル500の分子線形状決定部分514を
水平に設置した場合あるいは分子線源セル500の開口
部512が水平より下向きになるよう設置した場合で
も、溶融分子線材料を使用することができる。坩堝51
0は、図10の坩堝710と同じく材料充填部511が
平行円筒状であるため、最終段階までフラックス補正の
必要もなく、分子線材料の量によってフラックス強度も
変化しない。さらに、ヒータを材料充填部511のヒー
タ503と開口部512から屈曲部513を覆うヒータ
502とに分離することによって、分子線材料の蒸発量
と分子線のエネルギーを別々にコントロールすることも
でき、膜質をさらに向上させることができる。
When such a molecular beam source cell 500 is used, when the molecular beam shape determining portion 514 of the molecular beam source cell 500 is installed horizontally, or the opening 512 of the molecular beam source cell 500 becomes lower than horizontal. In such a case, a molten molecular beam material can be used. Crucible 51
0 indicates that the material filling portion 511 has a parallel cylindrical shape like the crucible 710 of FIG. 10, so that flux correction is not required until the final stage, and the flux intensity does not change depending on the amount of the molecular beam material. Further, by separating the heater into the heater 503 of the material filling portion 511 and the heater 502 covering the bent portion 513 from the opening portion 512, the evaporation amount of the molecular beam material and the energy of the molecular beam can be controlled separately. The film quality can be further improved.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】前記の図12(c)で
示すように、配線Lの結線は、直線筒553の接続フラ
ンジ553aと末端フランジ552の隙間から行わねば
ならない。また、分子線材料の充填あるいはセル部53
0の掃除などのメンテナンスのために真空チャンバのポ
ートから分子線源セル510を取り外して分解する場
合、前記の逆の手順で分子線源セル500を分解するこ
とになるが、この場合にも直線筒553の接続フランジ
553aと末端フランジ552の隙間から各部に結線さ
れた配線Lを外すことになり、作業効率の低下を引き起
こし、人為的ミスが発生しやすい。
As shown in FIG. 12 (c), the wiring L must be connected through a gap between the connecting flange 553a of the straight cylinder 553 and the terminal flange 552. In addition, the filling of the molecular beam material or the cell portion 53
When the molecular beam source cell 510 is detached from the port of the vacuum chamber and disassembled for maintenance such as cleaning of the zero, the molecular beam source cell 500 is disassembled in the reverse procedure, but in this case also, Since the wiring L connected to each part is removed from the gap between the connection flange 553a and the terminal flange 552 of the cylinder 553, the work efficiency is reduced, and human error is likely to occur.

【0015】前記の問題を回避するためにセル部530
をより大きい真空容器で封入し、それによって前記両フ
ランジ553a、552間の作業スペースを拡大するこ
とが考えられるが、真空容器の径を大きくすると真空チ
ャンバの外部に配設されるポートの占有空間が大きくな
る。このため、真空チャンバに配設されるポート数を少
なくするか、あるいは真空チャンバを大きくする必要が
生じる。また、真空チャンバの外部に配設されるポート
の占有空間を小さくするために、セル部530を小さく
作った場合や、直線筒553を小型化するために坩堝5
10の材料充填部511を短く作った場合には、材料充
填部511の分子線材料の充填量が減少し、材料充填の
ためのメンテナンス回数の増加を引き起こし、高い生産
性が得られない。
In order to avoid the above problem, the cell unit 530
It is conceivable that the working space between the flanges 553a and 552 is enlarged by enclosing the space in the larger vacuum vessel. However, when the diameter of the vacuum vessel is increased, the occupied space of the port disposed outside the vacuum chamber is increased. Becomes larger. Therefore, it is necessary to reduce the number of ports provided in the vacuum chamber or increase the size of the vacuum chamber. Further, in order to reduce the space occupied by the ports provided outside the vacuum chamber, the cell portion 530 is made small, or the crucible 5
If the ten material filling parts 511 are made short, the filling amount of the molecular beam material in the material filling part 511 decreases, causing an increase in the number of maintenance operations for material filling, and high productivity cannot be obtained.

【0016】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたものであり、組み立ておよび分解が容易で生産性の
高い分子線エピタキシャル装置を提供することを目的と
する。
The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a molecular beam epitaxial apparatus which is easy to assemble and disassemble and has high productivity.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】この発明によれば、開口
部、分子線材料が充填される材料充填部および開口部と
充填部との間に形成された少なくとも1つの屈曲部を有
する坩堝と、充填部に充填された分子線材料を加熱によ
り蒸発させて坩堝開口部から分子線を発射させるヒータ
と、前記分子線が照射されるターゲットが配置される真
空チャンバと、坩堝およびヒータを封止しかつ真空チャ
ンバに固定させるための互いに分離可能に接続される複
数の筒状部材からなる真空容器とを備え、真空容器が、
材料充填部を覆う直線状の軸線を有する直線筒と、屈曲
部を覆う折れ曲がった軸線を有する屈曲筒と、直線筒の
一端開口部に分離可能に接続され、坩堝およびヒータを
真空容器に対して固定・封止させる固定封止部材とを有
し、直線筒および屈曲筒が坩堝の開口部から坩堝の屈曲
部を通り抜け、固定封止部材が屈曲部を通り抜けた直線
筒の一端開口部を封止できるよう構成されたことを特徴
とする分子線エピタキシャル装置が提供される。
According to the present invention, there is provided a crucible having an opening, a material filling portion filled with a molecular beam material, and at least one bent portion formed between the opening and the filling portion. A heater for evaporating the molecular beam material filled in the filling section by heating to emit a molecular beam from the opening of the crucible, a vacuum chamber in which a target to be irradiated with the molecular beam is arranged, and sealing the crucible and the heater And a vacuum container consisting of a plurality of cylindrical members connected separably to each other for fixing to the vacuum chamber, the vacuum container,
A straight tube having a straight axis covering the material filling portion, a bent tube having a bent axis covering the bent portion, and a separable connection at one end opening of the straight tube, and the crucible and the heater are connected to the vacuum vessel. A fixed sealing member for fixing and sealing, the straight tube and the bent tube pass through the crucible opening from the opening of the crucible, and the fixed sealing member seals one end opening of the straight tube passing through the bending portion. A molecular beam epitaxy apparatus characterized by being configured to be able to stop.

【0018】すなわち、屈曲部を有する坩堝および坩堝
を囲むヒータを含む分子線源セルの本体(以下、「セル
部」と称する)に直線筒および屈曲筒からなる真空容器
を装着する際、まず、セル部を組み立てた後、真空容器
の固定封止部材でセル部を固定し、次いでヒータの配線
を行い、さらにセル部の開口部側から直線筒および屈曲
筒をこの順に屈曲部に挿通させ、次いで固定封止部材と
直線筒と屈曲筒とを連結することにより、一端が固定封
止部材で封止された真空容器を装着した分子線源セルが
組み立てられる。この場合、前記セル部に結線されたヒ
ータ等の配線は予め固定封止部材のフィードスルー等を
貫通させて外部に導出させておくことができる。
That is, when a vacuum vessel consisting of a straight tube and a bent tube is attached to a main body of a molecular beam source cell including a crucible having a bent portion and a heater surrounding the crucible (hereinafter, referred to as a “cell portion”), After assembling the cell portion, fix the cell portion with a fixed sealing member of the vacuum vessel, then wire the heater, and further insert the straight tube and the bent tube through the bent portion in this order from the opening side of the cell portion, Next, by connecting the fixed sealing member, the straight tube, and the bent tube, a molecular beam source cell equipped with a vacuum container having one end sealed with the fixed sealing member is assembled. In this case, the wiring of the heater and the like connected to the cell portion can be passed through a feedthrough or the like of the fixed sealing member and led out to the outside in advance.

【0019】つまり、図11のような真空容器は、真空
容器(屈曲筒および/または直線筒)をセル部の底部側
(材料充填部側)から挿通させるので、真空容器をセル
部に挿通させた後でなければ真空容器を固定封止部材で
封止できない。したがって、セル部に挿通され材料充填
部側を覆う直線筒が、真空容器に対するセル部の固定作
業の障害になったり、あるいは固定封止部材を固定部材
と封止部材との別部材とし、それぞれを別個に組み付け
る必要が生じる。また、配線は、セル部と直線筒との間
の狭い空間でセル部に対して着脱を行わなくてはならな
いし、真空容器の一部から外部に引き出すためにフィー
ドスルーを介して真空容器の貫通させる作業を固定封止
部材と直線筒との間から行わなくてはならない。しかし
ながら、この発明では、ヒータの取り付けおよび配線等
を含む組み立てが終わったセル部に対して、その開口部
から真空容器の各筒を順次挿通させ、それによって真空
容器を真空チャンバに対して密閉可能に固定することが
できるので、組み立ておよび分解等を含むメンテナンス
作業が容易になり、作業効率および装置の稼動率が上昇
する。また、溶融分子線材料を大量に充填できる大容量
の坩堝を使用でき、坩堝の容量に対して真空容器の大き
さを小型化できる。
That is, in the vacuum container as shown in FIG. 11, the vacuum container (bent tube and / or straight tube) is inserted from the bottom side (material filling portion side) of the cell portion, so that the vacuum container is inserted through the cell portion. After that, the vacuum container cannot be sealed with the fixed sealing member. Therefore, the straight tube inserted into the cell portion and covering the material filling portion side becomes an obstacle to the fixing operation of the cell portion to the vacuum container, or the fixed sealing member is a separate member of the fixing member and the sealing member, respectively, Need to be assembled separately. In addition, the wiring must be attached to and detached from the cell section in a narrow space between the cell section and the straight tube. The work of penetrating must be performed between the fixed sealing member and the straight tube. However, according to the present invention, each cylinder of the vacuum container is sequentially inserted from the opening into the cell portion that has been assembled including the mounting of the heater, the wiring, and the like, whereby the vacuum container can be sealed with respect to the vacuum chamber. , The maintenance work including the assembling and disassembly becomes easy, and the working efficiency and the operation rate of the device are increased. In addition, a large capacity crucible capable of filling a large amount of the molten molecular beam material can be used, and the size of the vacuum vessel can be reduced with respect to the capacity of the crucible.

【0020】この発明では、真空チャンバのポートの占
有空間を最小化して真空チャンバの無用な大型化を避け
るために、真空容器の寸法、特にポートとの接続部にお
ける外形寸法の最小化を図る必要がある。そのために、
屈曲筒および直線筒の内径および管路長さを、屈曲筒お
よび直線筒がセル部の屈曲部を挿通可能な最小限の寸法
に抑えるための寸法設定がなされることが好ましい。
According to the present invention, in order to minimize the space occupied by the ports of the vacuum chamber and to avoid unnecessary increase in the size of the vacuum chamber, it is necessary to minimize the dimensions of the vacuum vessel, especially the external dimensions at the connection portion with the port. There is. for that reason,
It is preferable that the inner diameter and the pipe length of the bent tube and the straight tube are set to the minimum dimensions that allow the bent tube and the straight tube to pass through the bent portion of the cell portion.

【0021】この発明の分子線エピタキシャル装置は、
屈曲部を有する坩堝、ヒータおよび熱電対等の付属部材
を有するセル部ならびに真空容器を含む分子線源セル
と、真空チャンバとからなる。この発明において、坩堝
は、それぞれの軸線が同一平面に存在する複数の屈曲部
を有し、真空容器が坩堝の前記屈曲部のそれぞれに対応
する形状の各屈曲筒を有する形態も例示される。真空容
器が、複数の直線筒を有しておれば、坩堝の材料充填部
が長い場合にも、短い直線筒のそれぞれを坩堝の屈曲部
に挿通させた後、互いに接続させることによって一本の
直線筒を形成することができるので、材料充填部の充填
容量を大きく設定することができる。
According to the molecular beam epitaxy apparatus of the present invention,
The vacuum chamber includes a crucible having a bent portion, a cell portion having attached members such as a heater and a thermocouple, and a molecular beam source cell including a vacuum vessel, and a vacuum chamber. In the present invention, the crucible has a plurality of bent portions whose axes are present on the same plane, and a form in which the vacuum vessel has bent tubes each having a shape corresponding to each of the bent portions of the crucible is also exemplified. If the vacuum container has a plurality of straight cylinders, even if the material filling portion of the crucible is long, each of the short straight cylinders is inserted into the crooked portion of the crucible, and then connected to each other to form one straight tube. Since a straight cylinder can be formed, the filling capacity of the material filling section can be set large.

【0022】直線筒および屈曲筒の各接続部の構成とし
ては、嵌合、ねじ込み、フランジ継手等が挙げられる。
また、固定封止部材の接続部の構成としては、嵌合ある
いはねじ込み式のキャップ、プラグあるいは閉鎖フラン
ジ(フランジ継手)等が挙げられる。特に、着脱操作が
容易であることおよび非回転であることから、フランジ
継手が好ましい。
Examples of the structure of each connecting portion of the straight tube and the bent tube include fitting, screwing, flange joint and the like.
Examples of the configuration of the connection portion of the fixed sealing member include a fitting or screw-in type cap, plug, or closing flange (flange joint). In particular, a flange joint is preferable because of easy attachment and detachment and non-rotation.

【0023】この発明において、固定封止部材が、配線
を引き出して真空容器内を気密に保持するフィードスル
ーを有する構成が例示される。フィードスルーとは、真
空容器を真空側と大気側に貫通する配線を行う場合に通
常用いられる真空保持配線部材であり、両端に接続端子
をもつコネクタ本体と、両端の接続端子が真空側と大気
側にそれぞれ位置するようコネクタ本体を気密に支持す
るフランジとからなるものが例示される。真空チャンバ
が、坩堝およびヒータを封入した真空容器を真空チャン
バに接続させるためのポートを複数備えておれば、複数
の分子線源セルを真空チャンバに配置したターゲット
(例えば、基板等)に向け、それぞれの分子線源セルか
ら分子線を発射することができるので、成膜時間が短縮
される。
In the present invention, a configuration is exemplified in which the fixed sealing member has a feed-through for drawing out the wiring and keeping the inside of the vacuum container airtight. A feed-through is a vacuum holding wiring member that is generally used when wiring is performed to penetrate a vacuum vessel between the vacuum side and the atmosphere side.A connector body having connection terminals at both ends and a connection terminal at both ends are connected to the vacuum side and the atmosphere. And a flange which hermetically supports the connector body so as to be positioned on each side. If the vacuum chamber is provided with a plurality of ports for connecting a vacuum vessel enclosing a crucible and a heater to the vacuum chamber, a plurality of molecular beam source cells are directed toward a target (eg, a substrate or the like) arranged in the vacuum chamber. Since a molecular beam can be emitted from each molecular beam source cell, the film formation time is reduced.

【0024】この発明の別の観点によれば、前記した分
子線エピタキシャル装置を構成する真空容器が提供され
る。この発明の分子線エピタキシャル装置では、分子線
源セルの開口部が基板ホルダの中心(ターゲット)を向
き、材料充填部が鉛直方向を向く形態をとることができ
るので、ホットウォール効果、すなわち、溶融分子線材
料の液面から蒸発した分子線が坩堝の屈曲部等からの再
蒸発により分子線が飛来するため、分子線量と飛来する
エネルギーを独立して制御できるという効果を用いて、
真空チャンバ内における成膜の際の膜質の改善を図るこ
とができる。
According to another aspect of the present invention, there is provided a vacuum vessel constituting the above-described molecular beam epitaxy apparatus. In the molecular beam epitaxy apparatus according to the present invention, the opening of the molecular beam source cell can be oriented toward the center (target) of the substrate holder and the material filling section can be oriented in the vertical direction. Since the molecular beam evaporated from the liquid surface of the molecular beam material is re-evaporated from the crooked portion of the crucible, etc., the molecular beam flies, so it is possible to control the molecular dose and the flying energy independently.
The film quality at the time of film formation in the vacuum chamber can be improved.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、図に示す分子線エピタキシ
装置の実施の形態に基づいて本発明を説明する。なお、
これによって本発明は限定されるものではない。実施例1 図1は本発明に係る分子線源セルの実施の形態の一例を
示す。図1において、分子線源セル100は、分子線材
料m( 例えば、ガリウム)を充填する坩堝110、ヒー
タ102・103、温度較正用の熱電対(図示せず)、
反射板104および真空容器150を備えている。坩堝
110と、坩堝110を囲むように取り付けられたヒー
タ102・103、熱電対および反射板104をセル部
130と称する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on a molecular beam epitaxy apparatus shown in the drawings. In addition,
The present invention is not limited by this. Embodiment 1 FIG. 1 shows an embodiment of a molecular beam source cell according to the present invention. In FIG. 1, a molecular beam source cell 100 includes a crucible 110 filled with a molecular beam material m (for example, gallium), heaters 102 and 103, thermocouples for temperature calibration (not shown),
A reflection plate 104 and a vacuum container 150 are provided. The crucible 110, the heaters 102 and 103 attached around the crucible 110, the thermocouple, and the reflector 104 are referred to as a cell unit 130.

【0026】坩堝110は、PBN(熱分解窒化ホウ
素)からなる嵌め合い構造を有し、分子線材料が充填さ
れる材料充填部111と、開口部112と材料充填部1
11の間に形成された屈曲部113と、開口部112と
屈曲部113との間の分子線形状決定部分114とから
なり、材料充填部111に充填された分子線材料が開口
部112からは見えない構成となっている。材料充填部
111から開口部112までは略円筒形状であり、材料
充填部111と分子線形状決定部分114の屈曲角度は
135°である。
The crucible 110 has a fitting structure made of PBN (pyrolytic boron nitride), and has a material filling portion 111 filled with a molecular beam material, an opening 112 and a material filling portion 1.
11 and a molecular beam shape determining portion 114 between the opening 112 and the bent portion 113, and the molecular beam material filled in the material filling portion 111 passes through the opening 112. It is invisible. The portion from the material filling portion 111 to the opening 112 has a substantially cylindrical shape, and the bending angle between the material filling portion 111 and the molecular beam shape determining portion 114 is 135 °.

【0027】ヒータ102は分子線形状決定部分114
を、ヒータ103は材料充填部111をそれぞれ独立し
てほぼ全体を覆うように配置された抵抗発熱体である
(図中では板状に省略して表されている)。これらのヒ
ータ102・103のうち分子線形状決定部分114の
ヒータ102の間隔(抵抗発熱体の配置密度)は、開口
部112近傍がその他の部分より密になるよう配置され
ている。
The heater 102 has a molecular beam shape determining portion 114.
The heater 103 is a resistance heating element that is arranged so as to cover almost the entirety of the material filling section 111 independently of each other (illustrated in a plate shape in the drawing). Among these heaters 102 and 103, the interval between the heaters 102 (the arrangement density of the resistance heating elements) in the molecular beam shape determining portion 114 is arranged so that the vicinity of the opening 112 is denser than the other portions.

【0028】各ヒータ102・103は、分子線形状決
定部分114および材料充填部111の各近傍にそれぞ
れ配設された熱電対による測定結果に基づいて制御され
る。反射板104は、前記のヒータ102・103およ
び熱電対を覆うように配設される。
Each of the heaters 102 and 103 is controlled based on a measurement result obtained by a thermocouple disposed near each of the molecular beam shape determining portion 114 and the material filling portion 111. The reflection plate 104 is provided so as to cover the heaters 102 and 103 and the thermocouple.

【0029】真空容器150は、坩堝110と同様に1
35°の屈曲角度で曲げられたステンレス製の円筒から
なり、坩堝110の底部139を支持する固定具151
が配設された末端フランジ152と、末端フランジ15
2に一端が接続される直線状の直線筒153と、直線筒
153の他端にその一端が接続される屈曲筒154とか
らなる。この例では直線筒153は1つであるが、材料
充填部111の長さによって複数に分割することができ
る。
The vacuum vessel 150 is similar to the crucible 110 in that
A fixture 151 made of a stainless steel cylinder bent at a bending angle of 35 ° and supporting the bottom 139 of the crucible 110
The terminal flange 152 provided with the
2 has a straight straight tube 153 having one end connected thereto, and a bent tube 154 having one end connected to the other end of the straight tube 153. In this example, the number of the straight tube 153 is one, but it can be divided into a plurality according to the length of the material filling portion 111.

【0030】屈曲筒154の他端は、後記のMBE装置
の真空チャンバ201に形成されたポート204にフラ
ンジ接続可能なフランジ154bを有し、フランジ15
4bの近傍には135°の屈曲角度で曲げられた屈曲部
155が形成される。直線筒153および屈曲筒154
は、後記のように、セル部130の開口部112から挿
通される際、セル部130の屈曲部113を通り抜けら
れるように、それらの内径および管路長さが設定され
る。なお、セル部130の屈曲角度は坩堝110の屈曲
角度と同じであるため、便宜上、坩堝110の屈曲部1
13を用いてセル部130の屈曲部113と呼称する。
The other end of the bending cylinder 154 has a flange 154b which can be flange-connected to a port 204 formed in a vacuum chamber 201 of an MBE apparatus described later.
A bent portion 155 bent at a bending angle of 135 ° is formed near 4b. Straight tube 153 and bent tube 154
As described later, the inner diameter and the pipe length thereof are set such that when they are inserted through the opening 112 of the cell portion 130, they can pass through the bent portion 113 of the cell portion 130. Since the bending angle of the cell portion 130 is the same as the bending angle of the crucible 110, for convenience, the bending portion 1 of the crucible 110 is used.
13 and is referred to as a bent portion 113 of the cell portion 130.

【0031】図2は、前記の分子線源セル100を用い
たMBE装置200の構成を示す。MBE装置200
は、回転および加熱機構を備えた基板ホルダ202、シ
ュラウド203および複数のポート204a・204b
・・・・を備えた真空チャンバ201と、ポート204
a・204bに接続される2基の前記分子線源セル10
0とからなる。基板ホルダ202の回転軸は鉛直方向に
対し54°の角度で傾斜している。なお、図2では、複
数のポートの中の204a・204bの2つを示す。
FIG. 2 shows the configuration of an MBE apparatus 200 using the molecular beam source cell 100 described above. MBE device 200
Includes a substrate holder 202 having a rotation and heating mechanism, a shroud 203 and a plurality of ports 204a and 204b.
A vacuum chamber 201 provided with a port 204
a · 204b connected to the two molecular beam source cells 10
It consists of 0. The rotation axis of the substrate holder 202 is inclined at an angle of 54 ° with respect to the vertical direction. FIG. 2 shows two of the ports 204a and 204b.

【0032】ポート204a・204bに接続された2
基の分子線源セル100は、各開口部112が基板ホル
ダ202の中心を向き、各分子線源セル100から発射
される分子線は基板ホルダ202の法線方向に対し36
°の角度で入射するよう設定されている。分子線源セル
100の真空容器150の外側には水冷ジャケット(図
示せず)が設置され、真空チャンバ201に接続された
外部の真空ポンプが駆動されると、真空容器150内は
真空に保持される。
2 connected to ports 204a and 204b
In the original molecular beam source cell 100, each opening 112 faces the center of the substrate holder 202, and the molecular beam emitted from each molecular beam source cell 100 is 36 ° with respect to the normal direction of the substrate holder 202.
It is set to enter at an angle of °. A water-cooling jacket (not shown) is provided outside the vacuum vessel 150 of the molecular beam source cell 100, and when the external vacuum pump connected to the vacuum chamber 201 is driven, the inside of the vacuum vessel 150 is maintained at a vacuum. You.

【0033】図3は、分子線源セル100を真空チャン
バ201の各ポート204a・204bに取り付ける際
に行われる分子線源セル100の組み立て手順を示す。
まず、坩堝110にヒータ102、103を装着し、熱
電対(図示せず)、反射板104を取り付けてセル部1
30を形成する。次いで、固定具151を介してセル部
130を末端フランジ152に固定する(正面断面図
a)。次いで、末端フランジ152に埋め込まれたフィ
ードスルー155を介してヒータ102、103および
熱電対の配線Lをセル部130側に導入し、セル部13
0の屈曲部113近傍および底部139近傍に露出した
各電極端子(図示せず)に結線する(正面図b)。
FIG. 3 shows a procedure for assembling the molecular beam source cell 100 when the molecular beam source cell 100 is attached to each of the ports 204a and 204b of the vacuum chamber 201.
First, the heaters 102 and 103 are mounted on the crucible 110, and a thermocouple (not shown) and a reflection plate 104 are mounted on the crucible 110.
Form 30. Next, the cell part 130 is fixed to the terminal flange 152 via the fixing tool 151 (front sectional view a). Next, the wires L of the heaters 102 and 103 and the thermocouple are introduced into the cell section 130 through the feedthrough 155 embedded in the terminal flange 152, and the cell section 13 is introduced.
0 is connected to each electrode terminal (not shown) exposed near the bent portion 113 and the bottom 139 (front view b).

【0034】次いで、セル部130の開口部112か
ら、直線筒153および屈曲筒154をこの順で挿通
し、直線筒153の一端側のフランジ153aが末端フ
ランジ152にフランジ接続され、直線筒153の他端
側のフランジ153bが屈曲筒154の一端側のフラン
ジ154aとフランジ接続されて、分子線源セル100
の組み立てが終了する(c)。組み立てられた分子線源
セル100は、屈曲筒154のフランジ154bを介し
て、真空チャンバ201の、例えば、ポート204aに
取り付けられ、その外側に水冷ジャケット(図示せず)
が設置される。一方、分子線材料mを補充したり、真空
チャンバ201あるいは分子線源セル100のメンテナ
ンスを行う場合は、前記と逆の手順で分子線源セル10
0の取り外しおよび分解を行う。そのとき、屈曲筒15
4と直線筒153を切り離し、屈曲筒154をポート2
04に残した状態で分子線源セル100を真空チャンバ
201から取り外してもよい。これにより作業性が良く
なる。
Next, the straight tube 153 and the bent tube 154 are inserted through the opening 112 of the cell portion 130 in this order, and the flange 153a at one end of the straight tube 153 is connected to the end flange 152 by flange connection. The other end side flange 153b is flange-connected to one end side flange 154a of the bending tube 154, and the molecular beam source cell 100
Is completed (c). The assembled molecular beam source cell 100 is attached to, for example, the port 204a of the vacuum chamber 201 via the flange 154b of the bending cylinder 154, and a water-cooled jacket (not shown) is provided on the outside thereof.
Is installed. On the other hand, when replenishing the molecular beam material m or performing maintenance of the vacuum chamber 201 or the molecular beam source cell 100, the molecular beam source cell
0 is disassembled and disassembled. At that time, the bending cylinder 15
4 and the straight tube 153 are separated, and the bent tube 154 is connected to the port 2
The molecular beam source cell 100 may be removed from the vacuum chamber 201 in a state where the molecular beam source cell 100 remains. This improves workability.

【0035】図4は、本発明のMBE装置200におけ
る坩堝の屈曲角度と坩堝に充填される分子線材料の容量
を測定した結果を示すグラフであり、図5は、前記測定
に使用された分子線源セルを示す。図5に示した分子線
源セルは、セル部130の外径を100mm、直線筒1
53および屈曲筒154の内径を147mm、各フラン
ジの外径を203mm、各フランジの厚さを20mmと
した。坩堝の屈曲角度θと屈曲筒154の屈曲部155
の屈曲角度は同一とした。
FIG. 4 is a graph showing the result of measuring the bending angle of the crucible and the capacity of the molecular beam material filled in the crucible in the MBE apparatus 200 of the present invention, and FIG. 5 is a graph showing the molecular weight used in the measurement. 3 shows a source cell. The molecular beam source cell shown in FIG.
The inner diameter of 53 and the bending cylinder 154 was 147 mm, the outer diameter of each flange was 203 mm, and the thickness of each flange was 20 mm. Bending angle θ of crucible and bending portion 155 of bending cylinder 154
Have the same bending angle.

【0036】坩堝の屈曲角度θは約110°から160
°の範囲で設定され、それぞれのセル部130の開口部
112の向き(分子線形状決定部分114の軸線方向)
を垂直方向に対して45°傾けた場合および鉛直方向か
ら90°傾けた場合(水平方向)のそれぞれについて、
坩堝の各屈曲角度θにおける分子線材料の充填容量を測
定した。結果を図4に示す。
The bending angle θ of the crucible is from about 110 ° to 160
°, the direction of the opening 112 of each cell part 130 (the axial direction of the molecular beam shape determining part 114)
For each of the case where is inclined at 45 ° with respect to the vertical direction and the case where is inclined at 90 ° with respect to the vertical direction (horizontal direction),
The filling capacity of the molecular beam material at each bending angle θ of the crucible was measured. FIG. 4 shows the results.

【0037】屈曲角度θが90°付近にあって、材料充
填部111の軸線が鉛直方向に近い程、基板に対して照
射される分子線によって良好な膜質が得られることが実
験により確かめられている。しかし、屈曲角度θを11
0°より小さい角度に設定すると、後記のように、セル
部130の屈曲部113を挿通させうる直線筒153お
よび屈曲筒154の内径が大きくなり、真空チャンバ2
01のポート204に多数の分子線源セルを取り付けら
れなくなる。また、セル部130の外径を小さくする
と、充填容量が減少する。
It has been confirmed by experiments that the better the film angle can be obtained by the molecular beam irradiated on the substrate as the bending angle θ is around 90 ° and the axis of the material filling portion 111 is closer to the vertical direction. I have. However, when the bending angle θ is 11
When the angle is set to be smaller than 0 °, as described later, the inner diameters of the straight tube 153 and the bent tube 154 through which the bent portion 113 of the cell unit 130 can be inserted become large, and the vacuum chamber 2
A large number of molecular beam source cells cannot be attached to port 204 of 01. When the outer diameter of the cell portion 130 is reduced, the filling capacity is reduced.

【0038】一方、屈曲角度θを150°以上にした場
合には、図4に示すように、4000mlを超える最大
容量が確保できるが、この容量ではセル部130の屈曲
部113から末端フランジ152の端部までの長さは7
00mmにも達するので、真空チャンバ201の設置場
所等の諸条件により、他の空間的な制限を受けることが
考えられるので好ましくない。
On the other hand, when the bending angle θ is 150 ° or more, as shown in FIG. 4, a maximum capacity exceeding 4000 ml can be secured. Length to end is 7
Since the distance reaches 00 mm, it is not preferable because other spatial restrictions may be imposed depending on various conditions such as a place where the vacuum chamber 201 is installed.

【0039】本実施例の分子線源セルを用いた場合、開
口部112が鉛直方向に対し90°方向(水平方向)に
向けた場合でも、図5に示した条件で図1の分子線源セ
ル100を鉛直方向に対して45°の角度で設置した場
合と同様に、溶融分子材料を最大で1500cc充填す
ることができる。
When the molecular beam source cell of this embodiment is used, the molecular beam source shown in FIG. 1 can be used under the conditions shown in FIG. 5 even when the opening 112 is oriented at 90 ° (horizontal direction) with respect to the vertical direction. As in the case where the cell 100 is installed at an angle of 45 ° with respect to the vertical direction, a maximum of 1500 cc of the molten molecular material can be filled.

【0040】図5に示した分子線源セルの屈曲角度θを
135°とした場合は、基板回転軸が鉛直方向に対し5
4°の傾きをもち、分子線源セルの開口部の中心軸が基
板回転軸に対し36°の角度をもって配置されるMBE
装置に対し、最上部のポート204aでは最大500c
c、最下部のポート204bでは最大1500ccの溶
融分子線材料を材料充填部111に充填することができ
た。なお、図11に示した従来の真空容器を用いた分子
線源セル500で同程度の充填容量を得ようとした場
合、直線筒553の端部が傾斜しているので、真空チャ
ンバに分子線源セル500を接続するフランジ553b
の直径は、前記分子線源セル100のフランジ径の約
1.3倍程度にしなければならない。したがって、真空
チャンバに取り付けられるポートの数が減ったり、真空
チャンバ自体の大型化を招く。
When the bending angle θ of the molecular beam source cell shown in FIG. 5 is set to 135 °, the rotation axis of the substrate is 5 ° with respect to the vertical direction.
MBE having a tilt of 4 ° and a central axis of the opening of the molecular beam source cell arranged at an angle of 36 ° with respect to the substrate rotation axis.
Up to 500c at the top port 204a for the device
c) The material filling portion 111 could be filled with a maximum of 1500 cc of molten molecular beam material in the lowermost port 204b. When the same filling capacity is to be obtained in the molecular beam source cell 500 using the conventional vacuum vessel shown in FIG. 11, since the end of the straight tube 553 is inclined, the molecular beam is placed in the vacuum chamber. Flange 553b connecting source cell 500
Must be about 1.3 times the flange diameter of the molecular beam source cell 100. Therefore, the number of ports attached to the vacuum chamber is reduced, and the size of the vacuum chamber itself is increased.

【0041】さらに、図11における分子線源セル50
0の材料充填部511だけを大きくするには、屈曲部1
13前後で分割できる坩堝を使用し、かつ材料充填部5
11の坩堝・ヒータ・反射板等を組み立てて末端フラン
ジ552に固定した後、分子線形状決定部514の坩堝
・ヒータ・反射板等を別途組み立てる必要がある。これ
らの組立作業は狭い空間で行わなければならないため、
非常に困難である。これに対して本実施例の真空容器を
用いた場合、坩堝・ヒータ・反射板を完全に組み立てた
後に末端フランジ152に固定し、直線筒153を接続
することができるため、組み立てが容易であり、組み立
て時におけるミスを抑え、組み立て作業に要する時間を
大幅に短縮できる。
Further, the molecular beam source cell 50 shown in FIG.
In order to increase only the material filling portion 511 of zero, the bent portion 1
Use a crucible that can be divided into around 13
After assembling the eleven crucibles, heaters, reflectors, and the like and fixing them to the end flange 552, it is necessary to separately assemble the crucible, heater, reflectors, and the like of the molecular beam shape determination unit 514. Because these assembly work must be done in a small space,
Very difficult. On the other hand, when the vacuum vessel of the present embodiment is used, the crucible, heater, and reflector can be completely assembled and then fixed to the end flange 152 and the straight tube 153 can be connected, so that assembly is easy. In addition, errors during assembly can be suppressed, and the time required for assembly work can be greatly reduced.

【0042】なお、本実施例では坩堝110および真空
容器150の屈曲部155の屈曲角度を135°として
いるが、屈曲部155の角度は任意に設定することがで
きる。特に、屈曲部155の角度は110°から150
°の範囲が好適である。
In the present embodiment, the bending angle of the bent portion 155 of the crucible 110 and the vacuum vessel 150 is 135 °, but the angle of the bent portion 155 can be set arbitrarily. In particular, the angle of the bent portion 155 is from 110 ° to 150 °.
The range of ° is preferred.

【0043】この発明の分子線エピタキシャル装置20
0においては、真空チャンバ200のポート204近傍
における分子線源セル100の占有体積を最小限にし、
かつ分子線材料の十分な充填容量を確保するために、直
線筒153および屈曲筒154の内径を最小に、かつ直
線筒153および屈曲筒154の長さを最大に設定する
のが好ましい。そこで、直線筒153および屈曲筒15
4をセル部130の屈曲部113に挿通させるため、セ
ル部130の屈曲部113の屈曲角度θおよび屈曲部1
13の前後におけるセル部130の外径に応じた直線筒
153および屈曲筒154については、以下のような寸
法設定が必要になる。
The molecular beam epitaxy apparatus 20 of the present invention
0, the volume occupied by the molecular beam source cell 100 near the port 204 of the vacuum chamber 200 is minimized,
In addition, in order to secure a sufficient filling capacity of the molecular beam material, it is preferable to set the inner diameters of the straight tube 153 and the bent tube 154 to the minimum and set the lengths of the straight tube 153 and the bent tube 154 to the maximum. Therefore, the straight tube 153 and the bent tube 15
4 is inserted into the bent portion 113 of the cell portion 130, the bending angle θ of the bent portion 113 of the cell portion 130 and the bent portion 1
Regarding the straight tube 153 and the bent tube 154 according to the outer diameter of the cell portion 130 before and after 13, the following dimension setting is required.

【0044】図6は、直線筒153および屈曲筒154
の内面がセル部130の外面に接触して屈曲部113に
挿通される状態を示す。図6(a)および(b)におい
て、屈曲筒154の短い管路長さをa1 、長い管路長さ
をb1 あるいはb2 、直線筒153および屈曲筒154
の内径(最小径)をD、屈曲筒154およびセル部13
0の屈曲角度をθ、セル部130の外径(最大径)をd
とする。また、図6(c)において、屈曲筒154の短
軸の長さをa、長軸の長さをb、直線筒153の軸長さ
をcとする。まず、屈曲角度θに対する長い管路長さb
1 ・b2 の最大値を求める。このとき、屈曲筒154の
短い管路長さa1 は最小長さに設定する。
FIG. 6 shows a straight tube 153 and a bent tube 154.
5 shows a state in which the inner surface of is contacted with the outer surface of the cell portion 130 and inserted through the bent portion 113. 6A and 6B, the short pipe length of the bent pipe 154 is a 1 , the long pipe length is b 1 or b 2 , the straight pipe 153 and the bent pipe 154.
Is the inner diameter (minimum diameter) of D, bent tube 154 and cell portion 13
The bending angle of 0 is θ, and the outer diameter (maximum diameter) of the cell portion 130 is d.
And In FIG. 6C, the length of the short axis of the bent cylinder 154 is a, the length of the long axis is b, and the axis length of the straight cylinder 153 is c. First, a long pipeline length b with respect to the bending angle θ
Find the maximum value of 1 · b 2 . At this time, a short pipe length a 1 of the bent tube 154 is set to the minimum length.

【0045】図6(a)において、屈曲筒154の短い
管の内面とセル部130の外面とが、軸線と平行な面で
形成する角度をα、屈曲筒130の長い管の内面とセル
部130の外面とが、軸線と平行な面で形成する角度を
βとすると、α=90°−〔arcsin[ d/( a2 +D2)
1/2]+arctan(a1 / D) 〕となる。これを用いて長い管
路長さb1 を求めると、b1 =a1sinα/sinβ (
β=180 °−θ−α) となる。
In FIG. 6A, the angle formed between the inner surface of the short tube of the bent tube 154 and the outer surface of the cell portion 130 by a plane parallel to the axis is α, and the inner surface of the long tube of the bent tube 130 and the cell portion are formed. Assuming that an angle formed by a plane parallel to the axis with the outer surface of 130 is β, α = 90 ° − [arcsin [d / (a 2 + D 2 )].
1/2 ] + arctan (a 1 / D)]. Using this to determine the long pipeline length b 1 , b 1 = a 1 sinα / sinβ (
β = 180 ° −θ−α).

【0046】図6(b)において、b2 =2 (D−d/
sin θ/ 2 )tan θ/ 2 で求められる。ここで、b1
2 のとき、b=b2 +D/ 2 tan θ/ 2 b1 ≦b2 のとき、b=b1 +D/ 2 tan θ/ 2 とな
る。直線筒153の軸長さc=長い管路長さb2 とな
る。さらに、屈曲筒154の短軸の長さaは、a=a1
+D/ 2 tan θ/ 2 となる。なお、a>bの場合は、製
作できない。
In FIG. 6B, b 2 = 2 (D−d /
sin θ / 2) tan θ / 2. Where b 1 >
When b 2 , b = b 2 + D / 2 tan θ / 2 , and when b 1 ≦ b 2 , b = b 1 + D / 2 tan θ / 2. The axial length c = long pipe length b 2 of the linear cylinder 153. Further, the length a of the minor axis of the bending cylinder 154 is a = a 1
+ D / 2 tan θ / 2. When a> b, it cannot be manufactured.

【0047】実施例2 図7は本発明に係る分子線源セルの他の実施の形態を示
す。図7において、分子線源セル300は、分子線材料
m( 例えば、ガリウム)を充填する坩堝310、ヒータ
302・303、温度較正用の熱電対(図示せず)、反
射板304および真空容器350を備えている。坩堝3
10と、坩堝310に取り付けられたヒータ302・3
03、熱電対および反射板304をセル部330と称す
る。
Embodiment 2 FIG. 7 shows another embodiment of the molecular beam source cell according to the present invention. 7, a molecular beam source cell 300 includes a crucible 310 filled with a molecular beam material m (for example, gallium), heaters 302 and 303, a thermocouple (not shown) for temperature calibration, a reflecting plate 304, and a vacuum vessel 350. It has. Crucible 3
10 and heaters 302.3 attached to crucible 310
03, the thermocouple and the reflection plate 304 are referred to as a cell unit 330.

【0048】坩堝310は、PBN(熱分解窒化ホウ
素)からなり、分子線材料が充填される材料充填部31
1と、開口部312と材料充填部311の間に形成され
た2つの屈曲部316および317と、開口部312と
屈曲部317との間の分子線形状決定部分314と、2
つの屈曲部316および317の間の中央部分318と
からなり、材料充填部311に充填された分子線材料が
開口部312からは見えない構成となっている。材料充
填部311から開口部312までは略円筒形状であり、
材料充填部311と分子線形状決定部分314の屈曲角
度は90°である。屈曲部316および317の屈曲角
度は共に135°である。
The crucible 310 is made of PBN (pyrolytic boron nitride), and has a material filling portion 31 filled with a molecular beam material.
1; two bent portions 316 and 317 formed between the opening 312 and the material filling portion 311; a molecular beam shape determining portion 314 between the opening 312 and the bent portion 317;
It has a central portion 318 between the two bent portions 316 and 317, so that the molecular beam material filled in the material filling portion 311 is invisible from the opening 312. The portion from the material filling portion 311 to the opening 312 has a substantially cylindrical shape,
The bending angle between the material filling part 311 and the molecular beam shape determining part 314 is 90 °. The bending angles of the bending portions 316 and 317 are both 135 °.

【0049】ヒータ302は開口部312から屈曲部3
16までを、ヒータ303は材料充填部311をそれぞ
れ独立してほぼ全体を覆うように配置された抵抗発熱体
である(図中では板状に省略して表されている)。
The heater 302 extends from the opening 312 to the bent portion 3.
The heaters 303 up to 16 are resistance heating elements arranged so as to cover substantially the entire material filling section 311 independently of each other (illustrated in a plate shape in the drawing).

【0050】真空容器350は、坩堝310と同様に9
0°の屈曲角度で曲げられたステンレス製の円筒からな
り、坩堝310の底部339を支持する固定具351が
配設された末端フランジ352と、末端フランジ352
に一端が接続される直線状の直線筒353と、直線筒3
53に順に接続される屈曲筒354および355とから
なる。この例では直線筒353は1つであるが、材料充
填部111の長さによって複数に分割することができ
る。
The vacuum vessel 350 has a capacity of 9 in the same manner as the crucible 310.
A terminal flange 352 formed of a stainless steel cylinder bent at a bending angle of 0 ° and provided with a fixture 351 for supporting the bottom 339 of the crucible 310;
A straight cylinder 353, one end of which is connected to
53 are connected to the bending cylinders 354 and 355 in order. In this example, the number of the straight cylinders 353 is one, but it can be divided into a plurality according to the length of the material filling portion 111.

【0051】この分子線源セル300は、図8に示す真
空チャンバ401に接続され、MBE装置400を構成
する。MBE装置400は、回転および加熱機構を備え
た基板ホルダ402、シュラウド403および複数のポ
ート404a・404b・・・・を備えた真空チャンバ
401と、前記の屈曲筒355の一端のフランジ355
bを介してポート404a・404bに接続される2基
の前記分子線源セル300とからなる。基板ホルダ40
2の回転軸は鉛直方向に対し54°の角度で傾斜してい
る。なお、図8では、複数のポートの中の404a・4
04bの2つのポートを示す。
The molecular beam source cell 300 is connected to a vacuum chamber 401 shown in FIG. The MBE apparatus 400 includes a substrate holder 402 having a rotation and heating mechanism, a vacuum chamber 401 having a shroud 403 and a plurality of ports 404a, 404b,..., And a flange 355 at one end of the bent cylinder 355.
b, and two molecular beam source cells 300 connected to the ports 404a and 404b. Substrate holder 40
The rotation axis 2 is inclined at an angle of 54 ° with respect to the vertical direction. In FIG. 8, 404a / 4
04b shows two ports.

【0052】ポート404a・404bに接続された2
基の分子線源セル300は、各開口部312が基板ホル
ダ402の中心を向き、各分子線源セル300から発射
される分子線は基板ホルダ402の法線方向に対し36
°の角度で入射するよう設定されている。分子線源セル
300の真空容器350の外側には水冷ジャケット(図
示せず)が設置され、真空チャンバ401に接続された
外部の真空ポンプが駆動されると、真空容器350内は
真空に保持される。
2 connected to ports 404a and 404b
In the base molecular beam source cell 300, each opening 312 faces the center of the substrate holder 402, and the molecular beam emitted from each molecular beam source cell 300 is 36 ° with respect to the normal direction of the substrate holder 402.
It is set to enter at an angle of °. A water-cooling jacket (not shown) is provided outside the vacuum vessel 350 of the molecular beam source cell 300, and when an external vacuum pump connected to the vacuum chamber 401 is driven, the inside of the vacuum vessel 350 is maintained at a vacuum. You.

【0053】このようなMBE装置400では、真空チ
ャンバ401の設置場所等の諸条件を考慮して使用され
ることにより、他の空間的な制限を回避できる点で好ま
しい。また、材料充填部311の軸線を鉛直方向に近づ
けることにより、分子線材料の充填容量が増加するだけ
でなく、開口部312と材料充填部311の軸線の角度
を90°に近づけることにより、生成する膜質の改善も
望める。なお、直線筒353および屈曲筒354・35
5をセル部330の屈曲部113に挿通させるための各
筒の寸法設定は、図6で説明した手法で同様に行うこと
ができるので、説明は省略する。図1に示した分子線源
セル100では、屈曲角度は110°以上の範囲に限ら
れるが、図7に示した、2ヶ所の屈曲部316および3
17を有する真空容器350の軸線が同一平面上に存在
する分子線源セル300では、屈曲角度を理論上40°
以上とすることができる。
The MBE apparatus 400 is preferably used in consideration of various conditions such as a place where the vacuum chamber 401 is installed, so that other spatial restrictions can be avoided. In addition, by bringing the axis of the material filling portion 311 closer to the vertical direction, not only does the filling capacity of the molecular beam material increase, but also by making the angle between the opening 312 and the axis of the material filling portion 311 closer to 90 °, the generation of the molecular beam material becomes easier. The film quality can be improved. Note that the straight cylinder 353 and the bent cylinders 354 and 35
Since the setting of the dimensions of each cylinder for inserting 5 into the bent portion 113 of the cell portion 330 can be performed in the same manner by the method described with reference to FIG. 6, the description is omitted. In the molecular beam source cell 100 shown in FIG. 1, the bending angle is limited to a range of 110 ° or more, but the two bending portions 316 and 3 shown in FIG.
In the molecular beam source cell 300 in which the axis of the vacuum vessel 350 having the 17 is on the same plane, the bending angle is theoretically 40 °.
The above can be considered.

【0054】なお、前記の実施例1および実施例2で
は、各MBE装置200・400が2つのポートをそれ
ぞれ有しているが、ポートの数はこれに限定されない。
また、各MBE装置200・400において、それぞれ
のポートに異なる形状の分子線源セルを取り付けること
もこの発明の範囲に含まれる。
In the first and second embodiments, each of the MBE devices 200 and 400 has two ports. However, the number of ports is not limited to this.
In each of the MBE devices 200 and 400, attaching a molecular beam source cell having a different shape to each port is also included in the scope of the present invention.

【0055】[0055]

【発明の効果】この発明では、ヒータの取り付けおよび
配線等を含む組み立てが終わったセル部に対して、その
開口部から真空容器の各筒を順次挿通させ、それによっ
て真空容器を真空チャンバに対して密閉可能に固定する
ことができるので、真空容器自体がセル部の固定あるい
はヒータの配線の支障になることがない。さらに、屈曲
筒を真空チャンバに残した状態で分子線源セルを真空チ
ャンバから取り外すこともできる。よって、組み立てお
よび分解等を含むメンテナンス作業が容易になり、作業
効率および装置の稼動率が向上する。また、溶融分子線
材料を大量に充填できる大容量の坩堝を使用することに
より、材料充填の間隔を長くすることができ、さらに真
空容器を小型化することにより、装置の大型化が防止で
きる。この発明により、組み立ておよび分解が容易な大
容量の分子線源セルを備えた生産性の高い分子線エピタ
キシャル装置が提供される。
According to the present invention, the cylinders of the vacuum vessel are sequentially inserted through the openings of the assembled cell including the heater and the wiring and the like, whereby the vacuum vessel is inserted into the vacuum chamber. The vacuum container itself does not hinder the fixing of the cell portion or the wiring of the heater. Further, the molecular beam source cell can be removed from the vacuum chamber while the bending cylinder remains in the vacuum chamber. Therefore, maintenance work including assembly and disassembly is facilitated, and work efficiency and the operation rate of the device are improved. Further, by using a large-capacity crucible capable of filling a large amount of the molten molecular beam material, the interval between material fillings can be lengthened, and further downsizing of the vacuum vessel can prevent an increase in the size of the apparatus. According to the present invention, there is provided a highly productive molecular beam epitaxial apparatus including a large-capacity molecular beam source cell that is easy to assemble and disassemble.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例1の分子線エピタキシャル装置
を構成する分子線源セルの一つの実施形態を示す縦断面
模式図。
FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view showing one embodiment of a molecular beam source cell constituting a molecular beam epitaxial apparatus of Example 1 of the present invention.

【図2】図1の分子線源セルを備えた分子線エピタキシ
ャル装置の縦断面模式図。
FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional view of a molecular beam epitaxy apparatus provided with the molecular beam source cell of FIG.

【図3】図1の分子線源セルの組み立ておよび取り付け
を説明する模式図。
FIG. 3 is a schematic view illustrating the assembly and attachment of the molecular beam source cell of FIG. 1;

【図4】本発明の分子線エピタキシ装置における坩堝の
屈曲角度と坩堝に充填される分子線材料の容量を測定し
た結果を示すグラフ。
FIG. 4 is a graph showing a result of measuring a bending angle of a crucible and a capacity of a molecular beam material filled in the crucible in the molecular beam epitaxy apparatus of the present invention.

【図5】図4の測定に使用された分子線源セルを説明す
る模式図。
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a molecular beam source cell used for the measurement in FIG. 4;

【図6】直線筒および屈曲筒の寸法および形状を設定す
る手順を説明する模式図。
FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a procedure for setting dimensions and shapes of a straight tube and a bent tube.

【図7】本発明の実施例2の分子線エピタキシ装置を構
成する分子線源セルの一つの実施形態を示す縦断面模式
図。
FIG. 7 is a schematic longitudinal sectional view showing one embodiment of a molecular beam source cell constituting the molecular beam epitaxy apparatus according to the second embodiment of the present invention.

【図8】図7の分子線源セルを備えた分子線エピタキシ
装置の縦断面模式図。
8 is a schematic vertical sectional view of a molecular beam epitaxy apparatus including the molecular beam source cell of FIG. 7;

【図9】従来のコニカル形状の分子線源坩堝の模式図。FIG. 9 is a schematic view of a conventional conical molecular beam source crucible.

【図10】従来の円筒形分子線源坩堝の模式図。FIG. 10 is a schematic view of a conventional cylindrical molecular beam source crucible.

【図11】従来の分子線エピタキシ装置を構成する分子
線源セルの一つの実施形態を示す縦断面模式図。
FIG. 11 is a schematic longitudinal sectional view showing one embodiment of a molecular beam source cell constituting a conventional molecular beam epitaxy apparatus.

【図12】図11の分子線源セルの組み立ておよび取り
付けを説明する模式図。
FIG. 12 is a schematic diagram illustrating the assembly and attachment of the molecular beam source cell of FIG. 11;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 分子線源セル 102、103 ヒータ 110 坩堝 112 開口部 113 屈曲部 150 真空容器 151 固定具(固定封止部材) 152 末端フランジ(固定封止部
材) 153 直線筒 154 屈曲筒 200 分子線エピタキシ装置 300 分子線源セル 302、303 ヒータ 310 坩堝 312 開口部 317 屈曲部 350 真空容器 351 固定具(固定封止部材) 352 末端フランジ(固定封止部
材) 353 直線筒 354、355 屈曲筒 400 分子線エピタキシ装置 m 分子線材料
REFERENCE SIGNS LIST 100 molecular beam source cell 102, 103 heater 110 crucible 112 opening 113 bent portion 150 vacuum vessel 151 fixture (fixed sealing member) 152 terminal flange (fixed sealing member) 153 straight tube 154 bent tube 200 molecular beam epitaxy device 300 Molecular beam source cells 302, 303 Heater 310 Crucible 312 Opening 317 Bend 350 Vacuum container 351 Fixing (fixed sealing member) 352 Terminal flange (fixed sealing member) 353 Straight tube 354, 355 Bending tube 400 Molecular beam epitaxy apparatus m molecular beam material

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牧野 修之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Fターム(参考) 4G077 AA03 DA07 HA06 HA12 4K029 CA01 DB12 DB14 5F103 AA04 BB02 BB08 BB09 BB24 BB57 HH03 LL03 RR01 RR10 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Noriyuki Makino 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka City, Osaka F-term (reference) 4G077 AA03 DA07 HA06 HA12 4K029 CA01 DB12 DB14 5F103 AA04 BB02 BB08 BB09 BB24 BB57 HH03 LL03 RR01 RR10

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 開口部、分子線発生材料が充填される材
料充填部および開口部と材料充填部との間に形成された
少なくとも1つの屈曲部を有する坩堝と、充填部に充填
された分子線発生材料を加熱により蒸発させて坩堝開口
部から分子線を発射させるヒータと、前記分子線が照射
されるターゲットが配置される真空チャンバと、坩堝お
よびヒータを封止しかつ真空チャンバに固定させるため
の互いに分離可能に接続される複数の筒状部材からなる
真空容器とを備え、真空容器が、材料充填部を覆う直線
状の軸線を有する直線筒と、屈曲部を覆う折れ曲がった
軸線を有する屈曲筒と、直線筒の一端開口部に分離可能
に接続され、坩堝およびヒータを真空容器に対して固定
・封止させる固定封止部材とを有し、直線筒および屈曲
筒が坩堝の開口部から坩堝の屈曲部を通り抜け、固定封
止部材が屈曲部を通り抜けた直線筒の一端開口部を封止
できるよう構成されたことを特徴とする分子線エピタキ
シャル装置。
1. A crucible having an opening, a material filling portion filled with a molecular beam generating material, and at least one bent portion formed between the opening and the material filling portion, and a molecule filled in the filling portion. A heater that evaporates the line generating material by heating to emit a molecular beam from the crucible opening, a vacuum chamber in which a target to be irradiated with the molecular beam is arranged, and a crucible and a heater are sealed and fixed to the vacuum chamber. A vacuum vessel comprising a plurality of tubular members connected to be separable from each other, wherein the vacuum vessel has a straight cylinder having a straight axis covering the material filling portion, and a bent axis covering the bent portion. A bent cylinder, and a fixed sealing member that is separably connected to one end opening of the straight cylinder and fixes and seals the crucible and the heater to and from the vacuum vessel, wherein the straight cylinder and the bent cylinder have openings in the crucible. Or A molecular beam epitaxy apparatus characterized in that it is configured so as to pass through a bent portion of a crucible and to allow a fixed sealing member to seal an opening at one end of a straight tube that has passed through the bent portion.
【請求項2】 坩堝は、それぞれの軸線が同一平面に存
在する複数の屈曲部を有し、真空容器が坩堝の前記屈曲
部のそれぞれに対応する形状の各屈曲筒を有する請求項
1に記載の分子線エピタキシャル装置。
2. The crucible according to claim 1, wherein the crucible has a plurality of bent portions whose respective axes are on the same plane, and the vacuum container has bent tubes each having a shape corresponding to each of the bent portions of the crucible. Molecular beam epitaxy equipment.
【請求項3】 真空チャンバが、坩堝およびヒータを封
入した前記の真空容器を真空チャンバに接続させるため
のポートを複数備えた請求項1または2に記載の分子線
エピタキシャル装置。
3. The molecular beam epitaxy apparatus according to claim 1, wherein the vacuum chamber includes a plurality of ports for connecting the vacuum vessel enclosing a crucible and a heater to the vacuum chamber.
【請求項4】 真空容器が、複数の直線筒を有する請求
項1から3のいずれか1つに記載の分子線エピタキシャ
ル装置。
4. The molecular beam epitaxy apparatus according to claim 1, wherein the vacuum vessel has a plurality of straight tubes.
【請求項5】 直線筒、屈曲筒および固定封止部材のそ
れぞれが、フランジ接続可能な接続部を有する請求項1
から4のいずれか1つに記載の分子線エピタキシャル装
置。
5. The straight tube, the bent tube, and the fixed sealing member each have a flange-connectable connection portion.
5. The molecular beam epitaxial apparatus according to any one of items 1 to 4.
【請求項6】 請求項1から5のいずれか1つに記載の
分子線エピタキシャル装置を構成する真空容器。
6. A vacuum vessel constituting the molecular beam epitaxy apparatus according to claim 1.
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JP2012214835A (en) * 2011-03-31 2012-11-08 Hitachi High-Technologies Corp Vapor deposition apparatus
JP2012214834A (en) * 2011-03-31 2012-11-08 Hitachi High-Technologies Corp Vacuum deposition apparatus, and method for manufacturing organic el display device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010015694A (en) * 2008-07-01 2010-01-21 Tokyo Electron Ltd Film-forming device and vapor deposition device of organic el
JP2012214835A (en) * 2011-03-31 2012-11-08 Hitachi High-Technologies Corp Vapor deposition apparatus
JP2012214834A (en) * 2011-03-31 2012-11-08 Hitachi High-Technologies Corp Vacuum deposition apparatus, and method for manufacturing organic el display device

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