JP2001324803A - Infrared light sensitive etching or plating resist - Google Patents

Infrared light sensitive etching or plating resist

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JP2001324803A
JP2001324803A JP2000141085A JP2000141085A JP2001324803A JP 2001324803 A JP2001324803 A JP 2001324803A JP 2000141085 A JP2000141085 A JP 2000141085A JP 2000141085 A JP2000141085 A JP 2000141085A JP 2001324803 A JP2001324803 A JP 2001324803A
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JP
Japan
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bis
infrared
meth
resist
acrylate
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JP2000141085A
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Japanese (ja)
Inventor
Ryuichiro Takasaki
龍一郎 高崎
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Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an infrared light sensitive etching or plating resist having high sensitivity, excellent in stability and not requiring an oxygen intercepting film. SOLUTION: The infrared light sensitive etching or plating resist contains a (meth)acrylate monomer having ethylene oxide and/or propylene oxide as a structural unit, an infrared absorbing dye and a polymerization initiator.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、赤外線レーザー光
に対し高感度で安定性に優れ、かつ酸素遮断膜を必要と
しないエッチング用または鍍金用レジストに関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist for etching or plating which has high sensitivity to infrared laser light, has excellent stability, and does not require an oxygen barrier film.

【0002】[0002]

【従来の技術】プリント基板、LSI、TFT液晶表示
素子、プラズマディスプレー、TAB等の微細加工に
は、感光性樹脂を利用したリソグラフィー技術が広く利
用されている。この技術は、具体的には、銅張り板、ガ
ラス基板等に感光性樹脂層を設けた後、画像様に露光、
現像することで基板上に感光性樹脂層のパターンを形成
し、次に、この感光性樹脂のパターン層をマスクとして
エッチング処理あるいは鍍金処理により、基板上に銅や
ITO等の導電性回路パターンを形成する手法である。
従来、感光性樹脂のパターン形成は、銀塩フィルムやク
ロムガラス等からなるマスクを通して感光性樹脂を像露
光する手法が一般的であった。
2. Description of the Related Art A lithography technique using a photosensitive resin is widely used for fine processing of a printed circuit board, an LSI, a TFT liquid crystal display element, a plasma display, a TAB, and the like. This technology, specifically, after providing a photosensitive resin layer on a copper-clad board, glass substrate, etc., imagewise exposure,
A pattern of a photosensitive resin layer is formed on the substrate by developing, and then a conductive circuit pattern such as copper or ITO is formed on the substrate by etching or plating using the pattern layer of the photosensitive resin as a mask. It is a method of forming.
Heretofore, the pattern formation of a photosensitive resin has generally been performed by exposing the photosensitive resin to an image through a mask made of a silver salt film, chromium glass, or the like.

【0003】しかし、近年、回路パターンの微細化、高
密度化の進展に伴い、マスクを通して露光することに由
来する解像力低下、位置精度低下、欠陥などが問題とな
ってきた。また、電子機器のライフサイクルの短縮化と
関連し、短納期化が図れるプロセス短縮化が益々重要に
なりつつある。そこで、現在、上記問題点を解決すべ
く、エッチング処理あるいは鍍金処理用レジストの形成
技術としてマスク不要の直接描画技術が盛んに研究され
ているが、中でもレーザー光を利用したレーザー直接描
画法に注目が集まっている。レーザー光源としては種々
のものが知られているが、半導体レーザーに代表される
赤外レーザー光は、強度、安定性、コストの面で優れた
特性を有するため、赤外レーザー光用の感光性樹脂組成
物の開発が強く望まれるところである。
However, in recent years, with the progress of miniaturization and high density of circuit patterns, problems such as a decrease in resolution, a decrease in positional accuracy, and defects due to exposure through a mask have been raised. Also, in connection with the shortening of the life cycle of electronic devices, it is becoming more and more important to shorten the process which can shorten the delivery time. Therefore, in order to solve the above-mentioned problems, a mask-free direct writing technique has been actively studied as a technique for forming a resist for etching or plating processing. Are gathering. Various types of laser light sources are known, but infrared laser light represented by a semiconductor laser has excellent characteristics in terms of strength, stability, and cost. There is a strong demand for the development of resin compositions.

【0004】一般に、赤外レーザー光用の感光性樹脂組
成物としては、化学増幅型ネガレジスト、ノボラック樹
脂の相変化を利用したポジ型レジスト、光重合型レジス
トが知られているが、公知のこれらの感光性組成物を、
エッチングレジストや鍍金レジストとして用いた場合、
感度、安定性が必ずしも充分ではなく、画像形成プロセ
ス上にも問題がある場合がある。
In general, as a photosensitive resin composition for infrared laser light, a chemically amplified negative resist, a positive resist utilizing a phase change of a novolak resin, and a photopolymerizable resist are known. These photosensitive compositions,
When used as an etching resist or plating resist,
The sensitivity and stability are not always sufficient, and there may be a problem in the image forming process.

【0005】即ち、化学増幅型ネガレジストの場合は、
画像形成プロセスに化学増幅プロセスが必須であるた
め、工程数の増加という負担をもたらし、その制御も甚
だ困難である。相変化型ポジレジストは、画像形成され
た感光樹脂層が硬化してないため耐久性が低く、また、
感度の点でも十分でない。光重合型レジストの場合、一
般には酸素による重合阻害を顕著に受けるため感度が十
分でなく、これを防止するために酸素遮断層を感光層上
に設けることは、製造工程数の大幅アップ並びに解像力
の低下をも招くため現実的でない。
That is, in the case of a chemically amplified negative resist,
Since the chemical amplification process is essential for the image forming process, the burden of increasing the number of steps is caused, and the control thereof is extremely difficult. The phase-change positive resist has low durability because the photosensitive resin layer on which an image is formed is not cured, and
The sensitivity is not enough. In the case of photopolymerizable resists, sensitivity is generally not sufficient because polymerization is significantly inhibited by oxygen. To prevent this, providing an oxygen barrier layer on the photosensitive layer significantly increases the number of manufacturing steps and the resolution. It is not realistic because it causes a decrease in

【0006】現在、赤外レーザー用の感光性樹脂組成物
であって、かつエッチングレジストや鍍金レジストとし
て工業的に使用できるものは無く、開発が強く望まれて
いた。
At present, there is no photosensitive resin composition for infrared lasers which can be used industrially as an etching resist or a plating resist, and development thereof has been strongly desired.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、
(1)赤外レーザー光に対して高い感度を有し、(2)
感光液の安定性に優れ、(3)白色灯のような明室下で
も取り扱え、(4)酸素遮断膜がなくとも感度、解像性
に優れた、赤外光感受性エッチングまたは鍍金用レジス
トを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to
(1) High sensitivity to infrared laser light, (2)
(3) Infrared light-sensitive etching or plating resist that has excellent stability of photosensitive solution, can be handled in a bright room such as white light, and has excellent sensitivity and resolution even without an oxygen barrier film. To provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意検討した
結果、赤外光感受性組成物中に特定構造のアクリルモノ
マーを含有させることにより前記課題を解決し得ること
を見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明の
要旨は、エチレンオキサイドまたは/及びプロピレンオ
キサイドを構造単位として有する(メタ)アクリレート
モノマー、赤外吸収色素、及び重合開始剤を含有する赤
外光感受性エッチングまたは鍍金用レジストに存する。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies, the present inventors have found that the above-mentioned problems can be solved by including an acrylic monomer having a specific structure in an infrared-sensitive composition, and have completed the present invention. I came to. That is, the gist of the present invention resides in an infrared light-sensitive etching or plating resist containing a (meth) acrylate monomer having ethylene oxide or / and propylene oxide as a structural unit, an infrared absorbing dye, and a polymerization initiator.

【0009】[0009]

【発明の実施形態】本発明における赤外光感受性エッチ
ングまたは鍍金用レジストは、エチレンオキサイド及び
/またはプロピレンオキサイド構造単位として有する
(メタ)アクリレートモノマー、赤外吸収色素、及び重
合開始剤を含有する。本発明の(メタ)アクリレートモ
ノマーは、アクリロイル基またはメタクリロイル基を少
なくとも1つ有する低分子量化合物である。アクリロイ
ル基またはメタクリロイル基は、少なくともモノマーの
末端にあるが、更にモノマーの末端以外にも含まれてい
てもよい。(メタ)アクリロイル基はモノマー分子内に
2個以上有するものが好ましい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The resist for infrared-sensitive etching or plating according to the present invention contains a (meth) acrylate monomer having an ethylene oxide and / or propylene oxide structural unit, an infrared absorbing dye, and a polymerization initiator. The (meth) acrylate monomer of the present invention is a low molecular weight compound having at least one acryloyl group or methacryloyl group. The acryloyl group or the methacryloyl group is at least at the terminal of the monomer, but may be contained in addition to the terminal of the monomer. The one having two or more (meth) acryloyl groups in a monomer molecule is preferable.

【0010】(メタ)アクリレートモノマーのなかに、
エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド構造単位
は、2以上繰り返し連なっていてもよい。この構造単位
の繰り返し数は、一般には、1〜15である。(メタ)
アクリレートモノマーの分子量は、一般には2000以
下であり、好ましくは100〜1500、更に好ましく
は100〜1000、特に好ましくは150〜800で
ある。本発明のレジストの中には、本発明の効果を損な
わない範囲で、高分子量のものが混入していても良い。
[0010] Among the (meth) acrylate monomers,
Two or more ethylene oxide and propylene oxide structural units may be repeatedly connected. The number of repetitions of this structural unit is generally 1 to 15. (Meta)
The molecular weight of the acrylate monomer is generally 2000 or less, preferably 100 to 1500, more preferably 100 to 1000, and particularly preferably 150 to 800. The resist of the present invention may contain a high molecular weight resist as long as the effects of the present invention are not impaired.

【0011】(メタ)アクリレートモノマーは、代表的
には、ビスフェノール系、ポリエチレングリコールジメ
タクリレート系、トリメチロールプロパン系等が挙げら
れる。好ましい(メタ)アクリレートモノマーを、下記
一般式(II)に示す。
Representative examples of the (meth) acrylate monomer include a bisphenol-based monomer, a polyethylene glycol dimethacrylate-based monomer, and a trimethylolpropane-based monomer. Preferred (meth) acrylate monomers are represented by the following general formula (II).

【0012】[0012]

【化2】 (式中、R1、R2は、各々独立に水素原子またはメチル
基を表し、nは1〜15の整数を表し、Aは有機残基を
表す。) Aとして代表的なものを、以下に例示する。
Embedded image (In the formula, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, n represents an integer of 1 to 15, and A represents an organic residue.) An example is shown below.

【0013】[0013]

【化3】 (上記式中、R3、R4は各々独立して水素原子またはメ
チル基を表し、Bは有機残基を表す。) Bは、好ましくは以下の構造を示す。
Embedded image (In the above formula, R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and B represents an organic residue.) B preferably has the following structure.

【0014】[0014]

【化4】 1、R2、nは、各々独立して一般式(I)と同義であ
る。
Embedded image R 1 , R 2 , and n each independently have the same meaning as in formula (I).

【0015】[0015]

【化5】 (上記式中、R1、R2は各々独立して一般式(I)と同
義である。mは0〜15の整数を表す。)
Embedded image (In the above formula, R 1 and R 2 each independently have the same meaning as in formula (I). M represents an integer of 0 to 15.)

【0016】[0016]

【化6】 (上記式中、C1、C2は各々独立して有機残基を表
す。) C1、C2は、好ましくは以下の構造を示す。
Embedded image (In the above formula, C 1 and C 2 each independently represent an organic residue.) C 1 and C 2 preferably have the following structures.

【0017】[0017]

【化7】 (上記式中、R1、R2は各々独立して一般式(I)と同
義である。mは0〜15の整数を表す。) 好ましい(メタ)アクリレートモノマーを、表−1に示
す。
Embedded image (In the above formula, R 1 and R 2 each independently have the same meaning as in formula (I). M represents an integer of 0 to 15.) Preferred (meth) acrylate monomers are shown in Table 1.

【0018】[0018]

【表1】 [Table 1]

【0019】[0019]

【表2】 [Table 2]

【0020】[0020]

【表3】 [Table 3]

【0021】[0021]

【表4】 [Table 4]

【0022】[0022]

【表5】 本発明の(メタ)アクリレートモノマーとして使用でき
る市販のモノマーとしては、例えば、日本化薬社製 KA
YARAD RP-1040、KAYARAD TPA-320、KAYARADTPA-330、
KAYARAD THE-330、KAYARAD GPO-303、KAYARAD R-71
2、KAYARAD R-551、KAYARAD PEG400DA、大阪有機化学
工業(株)社 ビスコート#335HP、ビスコート#
310、ビスコート#310HP、ビスコート#310
HG、ビスコート#312、ビスコート#700、ビス
コート#360、ビスコートGPT、新中村化学(株)
社製 NKエステル1G、NKエステル2G、NKエス
テル3G、NKエステル4G、NKエステル9G、NK
エステル14G、NKエステル23G、NKエステル9
PG、NK−エステルBPE−100、NKエステルB
PE−200、NKエステルBPE−500、NKエス
テルBPE−1300、NKエステルA−200、NK
エステルA−400、NKエステルA−600、NKエ
ステルAPG−200、NKエステルAPG−400、
NKエステルAPG−700、NKエステルA−BPE
−4、共栄社化学(株)社製 ライトエステル2EG、
ライトエステル3EG、ライトエステル4EG、ライト
エステル9EG、ライトエステル14EG、ライトエス
テルBR−MA、ライトアクリレートBP−4EA、ラ
イトアクリレートBP−4PA、ライトアクリレートT
MP−6EO−3A、ライトアクリレートTMP−3E
O−A等を挙げることができる。上記に例示した中で
も、ビスフェノール骨格を有するモノマーが特に好まし
い。
[Table 5] Commercially available monomers usable as the (meth) acrylate monomer of the present invention include, for example, KA manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.
YARAD RP-1040, KAYARAD TPA-320, KAYARADTPA-330,
KAYARAD THE-330, KAYARAD GPO-303, KAYARAD R-71
2. KAYARAD R-551, KAYARAD PEG400DA, Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd. VISCOAT # 335HP, VISCOAT #
310, VISCOAT # 310HP, VISCOAT # 310
HG, VISCOAT # 312, VISCOAT # 700, VISCOAT # 360, VISCOAT GPT, Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.
NK ester 1G, NK ester 2G, NK ester 3G, NK ester 4G, NK ester 9G, NK
Ester 14G, NK ester 23G, NK ester 9
PG, NK-ester BPE-100, NK ester B
PE-200, NK ester BPE-500, NK ester BPE-1300, NK ester A-200, NK
Ester A-400, NK ester A-600, NK ester APG-200, NK ester APG-400,
NK ester APG-700, NK ester A-BPE
-4, Kyoeisha Chemical Co., Ltd. light ester 2EG,
Light ester 3EG, light ester 4EG, light ester 9EG, light ester 14EG, light ester BR-MA, light acrylate BP-4EA, light acrylate BP-4PA, light acrylate T
MP-6EO-3A, light acrylate TMP-3E
OA and the like can be mentioned. Among the above examples, monomers having a bisphenol skeleton are particularly preferred.

【0023】本発明のレジストには、上記必須の(メ
タ)アクリルモノマー以外に、本発明の効果を損なわな
い範囲で、エステルアクリレート、ウレタンアクリレー
ト、エポキシアクリレート等の他のエチレン性不飽和二
重結合含有のモノマーを併用して用いてもよい。特に、
アクリレート基を分子内に3個以上有する多官能アクリ
レートの併用は耐久性の向上を図れるので好ましい。
In the resist of the present invention, in addition to the essential (meth) acrylic monomer, other ethylenically unsaturated double bonds such as ester acrylate, urethane acrylate, and epoxy acrylate may be used as long as the effects of the present invention are not impaired. The contained monomers may be used in combination. In particular,
It is preferable to use a polyfunctional acrylate having three or more acrylate groups in a molecule because durability can be improved.

【0024】本発明で用いられる赤外吸収色素は、赤外
領域の一部または全部に吸収を有する色素であれば特に
制限されないが、例えば、「特殊機能色素」(池 森・
住谷編集、1986年(株)シー エムシー発行)、
「機能性色素の化学」(檜垣編集、19 81年(株)
シーエムシー発行)、「色素ハンドブック」(大河・平
嶋・松岡・ 北尾編集、講談社発行)、(株) 日本感光
色素研究所が1995年に発行したカタログ、Exci
ton Inc.が1989年に発行したレーザー色素
カタログ等に記載されている、700〜1200nmの
領域 に吸収を有する色素、および特開平2−2074
号公報,特開平2−20 75号公報,特開平2−20
76号公報,特開平3−26593号公報,特開平3−
63185号公報,特開平3−975 89号公報,特
開平3−97590号公報,特開平3−97591号公
報等に記載されている赤外領域に吸収を有する色素など
が挙げられる。中でも750〜1100nmの領域内に
吸収を有する色素が好ましい。
The infrared-absorbing dye used in the present invention is not particularly limited as long as it is a dye having absorption in a part or the whole of an infrared region. For example, a "special functional dye" (Ikemori
Edited by Sumitani, published in 1986 by CMC)
"Chemistry of Functional Dyes" (edited by Higaki, 1981)
CMC), “Dye Handbook” (edited by Okawa / Hirashima / Matsuoka / Kitao, published by Kodansha), a catalog published by the Japan Photosensitive Dye Laboratories in 1995, Exci
ton Inc. And a dye having an absorption in the range of 700 to 1200 nm, described in a laser dye catalog issued in 1989, and the like.
JP, JP-A-2-2075, JP-A-2-2075
76, JP-A-3-26593, JP-A-3-26593
Dyes having absorption in the infrared region described in JP-A-63185, JP-A-3-97589, JP-A-3-97590, JP-A-3-97591 and the like can be mentioned. Among them, dyes having absorption in the range of 750 to 1100 nm are preferable.

【0025】具体的には、シアニン色素、メロシアニン
色素、(チオ)ピリリウム色素、ナフトラクタム色素、
ペンタセン色素、オキシインドリジン色素、キノイド色
素、アミニウム色素、ジインモニウム色素、インドアニ
リン色素、キノイド色素、アントラキノン色素、ニッケ
ル−チオ錯体色素、フタロシアニン色素、ナフタロシア
ニン色素等を挙げることができる。中でも、フタロシア
ニン色素、ナフタロシアニン色素が好ましい。
Specifically, cyanine dyes, merocyanine dyes, (thio) pyrylium dyes, naphtholactam dyes,
Examples thereof include a pentacene dye, an oxyindolizine dye, a quinoid dye, an aminium dye, a diimmonium dye, an indoaniline dye, a quinoid dye, an anthraquinone dye, a nickel-thio complex dye, a phthalocyanine dye, and a naphthalocyanine dye. Of these, phthalocyanine dyes and naphthalocyanine dyes are preferred.

【0026】好ましいフタロシアニン色素並びにナフタ
ロシアニン色素の具体例を、下記に示す。下記式中、P
hはフェニル基を表す。
Specific examples of preferred phthalocyanine dyes and naphthalocyanine dyes are shown below. In the following formula, P
h represents a phenyl group.

【0027】[0027]

【化8】 Embedded image

【0028】[0028]

【化9】 Embedded image

【0029】[0029]

【化10】 Embedded image

【0030】[0030]

【化11】 重合開始剤としては、活性光線照射により直接又は増感
色素との相互作用により、ラジカルを発生するラジカル
発生剤であって、例えば、特開昭53−133428号
公報、英国特許1388492号明細書、若林等;Bull.
Chem.Soc.Japan;42,2924(1969)、F.C.Schaefer等;J.Or
g.Chem.;29,1527(1964)等に記載されるハロゲン化炭化
水素誘導体、特開昭59−152396号公報、特開昭
61−151197号公報、特開昭63−41484号
公報、特開平2−249号公報、特開平2−4705号
公報、特開平5−83588号公報等に記載されるチタ
ノセン化合物、特公平6−29285号公報等に記載さ
れるヘキサアリールビイミダゾール化合物、有機硼素錯
体、カルボニル化合物、及び有機過酸化物等が挙げられ
る。
Embedded image The polymerization initiator is a radical generator that generates a radical directly by irradiation with actinic rays or by an interaction with a sensitizing dye. For example, JP-A-53-133428, British Patent No. 1388492, Wakabayashi et al .; Bull.
Chem. Soc. Japan; 42, 2924 (1969), FC Schaefer et al .; J. Or
g. Chem .; 29, 1527 (1964), halogenated hydrocarbon derivatives described in JP-A-59-152396, JP-A-61-151197, JP-A-63-41484, Titanocene compounds described in JP-A-2-249, JP-A-2-4705, JP-A-5-83588, etc., hexaarylbiimidazole compounds described in JP-B-6-29285, etc., and organic boron Examples include a complex, a carbonyl compound, and an organic peroxide.

【0031】ここで、ハロゲン化炭化水素誘導体として
は、具体的には、例えば、2,4,6−トリス(トリク
ロロメチル)−s−トリアジン、2−メチル−4,6−
ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−n−
プロピル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−ト
リアジン、2−n−ノニル−4,6−ビス(トリクロロ
メチル)−s−トリアジン、2−(α,α,β−トリク
ロロエチル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s
−トリアジン、2−フェニル−4,6−ビス(トリクロ
ロメチル)−s−トリアジン、2−(p−メトキシフェ
ニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリ
アジン、2−(p−クロロフェニル)−4,6−ビス
(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(2’,
4’−ジクロロフェニル)−4,6−ビス(トリクロロ
メチル)−s−トリアジン、2−(3,4−エポキシフ
ェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−ト
リアジン、2−〔1−(p−メトキシフェニル)−2,
4−ブタジエニル〕−4,6−ビス(トリクロロメチ
ル)−s−トリアジン、2−スチリル−4,6−ビス
(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(p−メ
チルスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−
s−トリアジン、2−(p−メトキシスチリル)−4,
6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−
(p−メトキシスチリル)−4−アミノ−6−トリクロ
ロメチル−s−トリアジン、2−(p−i−プロピルオ
キシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−
s−トリアジン、2−(p−トリル)−4,6−ビス
(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メ
トキシナフチル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)
−s−トリアジン、2−(4−エトキシナフチル)−
4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、
2−〔4−(2−エトキシエチル)ナフチル〕−4,6
−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−
(4,7−ジメトキシナフチル)−4,6−ビス(トリ
クロロメチル)−s−トリアジン、2−アセナフチル−
4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、
2−フェニルチオ−4,6−ビス(トリクロロメチル)
−s−トリアジン、2−ベンジルチオ−4,6−ビス
(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−メトキシ
−4−メチル−6−トリクロロメチル−s−トリアジ
ン、2,4,6−トリス(トリブロモメチル)−s−ト
リアジン、2−メチル−4,6−ビス(トリブロモメチ
ル)−s−トリアジン、2−メトキシ−4,6−ビス
(トリブロモメチル)−s−トリアジン、2−アミノ−
4−メチル−6−トリブロモメチル−s−トリアジン等
のs−トリアジン化合物類が挙げられ、中でも、ビス
(トリクロロメチル)−s−トリアジン化合物が好まし
い。
Here, specific examples of the halogenated hydrocarbon derivative include, for example, 2,4,6-tris (trichloromethyl) -s-triazine, 2-methyl-4,6-
Bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2-n-
Propyl-4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2-n-nonyl-4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (α, α, β-trichloroethyl) -4 , 6-Bis (trichloromethyl) -s
-Triazine, 2-phenyl-4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (p-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (p-chlorophenyl) ) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (2 ′,
4'-dichlorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (3,4-epoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- [1- (P-methoxyphenyl) -2,
4-butadienyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2-styryl-4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (p-methylstyryl) -4,6- Bis (trichloromethyl)-
s-triazine, 2- (p-methoxystyryl) -4,
6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2-
(P-methoxystyryl) -4-amino-6-trichloromethyl-s-triazine, 2- (pi-propyloxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl)-
s-triazine, 2- (p-tolyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxynaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl)
-S-triazine, 2- (4-ethoxynaphthyl)-
4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine,
2- [4- (2-ethoxyethyl) naphthyl] -4,6
-Bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2-
(4,7-dimethoxynaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2-acenaphthyl-
4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine,
2-phenylthio-4,6-bis (trichloromethyl)
-S-triazine, 2-benzylthio-4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2-methoxy-4-methyl-6-trichloromethyl-s-triazine, 2,4,6-tris (tribromo Methyl) -s-triazine, 2-methyl-4,6-bis (tribromomethyl) -s-triazine, 2-methoxy-4,6-bis (tribromomethyl) -s-triazine, 2-amino-
Examples include s-triazine compounds such as 4-methyl-6-tribromomethyl-s-triazine, and among them, bis (trichloromethyl) -s-triazine compound is preferable.

【0032】又、チタノセン化合物としては、具体的に
は、例えば、ジシクロペンタジエニルチタニウムジクロ
ライド、ジシクロペンタジエニルチタニウムビスフェニ
ル、ジシクロペンタジエニルチタニウムビス(2,4−
ジフルオロフェニル)、ジシクロペンタジエニルチタニ
ウムビス(2,6−ジフルオロフェニル)、ジシクロペ
ンタジエニルチタニウムビス(2,4,6−トリフルオ
ロフェニル)、ジシクロペンタジエニルチタニウムビス
(2,3,5,6−テトラフルオロフェニル)、ジシク
ロペンタジエニルチタニウムビス(2,3,4,5,6
−ペンタフルオロフェニル)、ジ(メチルシクロペンタ
ジエニル)チタニウムビス(2,6−ジフルオロフェニ
ル)、ジ(メチルシクロペンタジエニル)チタニウムビ
ス(2,4,6−トリフルオロフェニル)、ジ(メチル
シクロペンタジエニル)チタニウムビス(2,3,5,
6−テトラフルオロフェニル)、ジ(メチルシクロペン
タジエニル)チタニウムビス(2,3,4,5,6−ペ
ンタフルオロフェニル)、ジシクロペンタジエニルチタ
ニウムビス(2,6−ジフルオロ−3−(1−ピロリ
ル)フェニル)等が挙げられる。
As the titanocene compound, specifically, for example, dicyclopentadienyl titanium dichloride, dicyclopentadienyl titanium bisphenyl, dicyclopentadienyl titanium bis (2,4-
Difluorophenyl), dicyclopentadienyl titanium bis (2,6-difluorophenyl), dicyclopentadienyl titanium bis (2,4,6-trifluorophenyl), dicyclopentadienyl titanium bis (2,3 , 5,6-tetrafluorophenyl), dicyclopentadienyltitanium bis (2,3,4,5,6
-Pentafluorophenyl), di (methylcyclopentadienyl) titanium bis (2,6-difluorophenyl), di (methylcyclopentadienyl) titanium bis (2,4,6-trifluorophenyl), di (methyl Cyclopentadienyl) titanium bis (2,3,5
6-tetrafluorophenyl), di (methylcyclopentadienyl) titanium bis (2,3,4,5,6-pentafluorophenyl), dicyclopentadienyl titanium bis (2,6-difluoro-3- ( 1-pyrrolyl) phenyl) and the like.

【0033】又、ヘキサアリールビイミダゾール化合物
としては、具体的には、例えば、2,2’−ビス(o−
クロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニ
ルビイミダゾール、2,2’−ビス(o−クロロフェニ
ル)−4,4’,5,5’−テトラ(p−クロロフェニ
ル)ビイミダゾール、2,2’−ビス(o−クロロフェ
ニル)−4,4’,5,5’−テトラ(o,p−ジクロ
ロフェニル)ビイミダゾール、2,2’−ビス(o−ク
ロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラ(p−フ
ルオロフェニル)ビイミダゾール、2,2’−ビス(o
−クロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラ
(o,p−ジブロモフェニル)ビイミダゾール、2,
2’−ビス(o−クロロフェニル)−4,4’,5,
5’−テトラ(p−クロロナフチル)ビイミダゾール、
2,2’−ビス(o−クロロフェニル)−4,4’,
5,5’−テトラ(m−メトキシフェニル)ビイミダゾ
ール、2,2’−ビス(o,p−ジクロロフェニル)−
4,4’,5,5’−テトラフェニルビイミダゾール、
2,2’−ビス(o,p−ジクロロフェニル)−4,
4’,5,5’−テトラ(o,p−ジクロロフェニル)
ビイミダゾール、2,2’−ビス(o−ブロモフェニ
ル)−4,4’,5,5’−テトラフェニルビイミダゾ
ール、2,2’−ビス(o−ブロモフェニル)−4,
4’,5,5’−テトラ(o,p−ジクロロフェニル)
ビイミダゾール、2,2’−ビス(o−ブロモフェニ
ル)−4,4’,5,5’−テトラ(p−ヨードフェニ
ル)ビイミダゾール、2,2’−ビス(o−ブロモフェ
ニル)−4,4’,5,5’−テトラ(o−クロロ−p
−メトキシフェニル)ビイミダゾール、2,2’−ビス
(o−メチルフェニル)−4,4’,5,5’−テトラ
フェニルビイミダゾール、2,2’−ビス(o−ニトロ
フェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニルビイ
ミダゾール等が挙げられる。
As the hexaarylbiimidazole compound, specifically, for example, 2,2'-bis (o-
Chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (o-chlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetra (p-chlorophenyl) biimidazole, , 2'-Bis (o-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetra (o, p-dichlorophenyl) biimidazole, 2,2'-bis (o-chlorophenyl) -4,4', 5 , 5'-tetra (p-fluorophenyl) biimidazole, 2,2'-bis (o
-Chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetra (o, p-dibromophenyl) biimidazole, 2,
2'-bis (o-chlorophenyl) -4,4 ', 5
5′-tetra (p-chloronaphthyl) biimidazole,
2,2′-bis (o-chlorophenyl) -4,4 ′,
5,5'-tetra (m-methoxyphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (o, p-dichlorophenyl)-
4,4 ′, 5,5′-tetraphenylbiimidazole,
2,2′-bis (o, p-dichlorophenyl) -4,
4 ', 5,5'-tetra (o, p-dichlorophenyl)
Biimidazole, 2,2′-bis (o-bromophenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetraphenylbiimidazole, 2,2′-bis (o-bromophenyl) -4,
4 ', 5,5'-tetra (o, p-dichlorophenyl)
Biimidazole, 2,2'-bis (o-bromophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetra (p-iodophenyl) biimidazole, 2,2'-bis (o-bromophenyl) -4 , 4 ', 5,5'-tetra (o-chloro-p
-Methoxyphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (o-methylphenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (o-nitrophenyl) -4, 4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole and the like.

【0034】又、有機硼素錯体としては、例えば、特開
平8−217813号公報、特開平9−106242号
公報、特開平9−188685号公報、特開平9−18
8686号公報、特開平9−188710号公報、及
び、Kunz,Martin “Rad Tech'98.Proceeding April 19-
22,1998,Chicago ”等に記載の有機硼素アンモニウム錯
体、特開平6−1576232号公報、特開平6−17
5561号公報、特開平6−175564号公報等に記
載の有機硼素スルホニウム錯体或いは有機硼素オキソス
ルホニウム錯体、特開平6−175553号公報、特開
平6−175554号公報等に記載の有機硼素ヨードニ
ウム錯体、特開平9−188710号公報等に記載の有
機硼素ホスホニウム錯体、特開平6−348011号公
報、特開平7−128785号公報、特開平7−140
589号公報、特開平7−292014号公報、特開平
7−306527号公報等に記載の有機硼素遷移金属配
位錯体等がある。
Examples of the organic boron complex include, for example, JP-A-8-217813, JP-A-9-106242, JP-A-9-188865, and JP-A-9-18.
No. 8686, Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-188710, and Kunz, Martin “Rad Tech'98. Proceeding April 19-
22,1998, Chicago "and the like, JP-A-6-157232, JP-A-6-17.
5561, an organic boron sulfonium complex or an organic boron oxosulfonium complex described in JP-A-6-175564, an organic boron iodonium complex described in JP-A-6-175553, JP-A-6-175554, or the like; Organic boron phosphonium complexes described in JP-A-9-188710, JP-A-6-48011, JP-A-7-128785, JP-A-7-140
No. 589, JP-A-7-292014, JP-A-7-306527, and the like.

【0035】具体的には下記一般式(III) に示される基
本構造を有する有機ホウ素錯体が挙げられる。
Specific examples include an organic boron complex having a basic structure represented by the following general formula (III).

【0036】[0036]

【化12】 (上記式中、R5〜R8は、それぞれ独立に、置換基を有
してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール
基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有し
てもよいアルキニル基、置換基を有してもよい脂環基、
または置換基を有してもよい複素環基を表し、R5〜R8
のいずれかが連結して環を形成してもよく、X+ はカチ
オン基を表す。) 安定性並びに高重合活性の観点から、R5 〜R8 のうち
3個が置換基を有してもよいアリール基、1個がアルキ
ルのトリアリールアルキルボレート錯体が好ましい。
Embedded image (In the above formula, R 5 to R 8 each independently represent an alkyl group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent, an alkenyl group which may have a substituent, Alkynyl group which may have a group, alicyclic group which may have a substituent,
Or a heterocyclic group which may have a substituent, and R 5 to R 8
May be linked to form a ring, and X + represents a cationic group. From the viewpoints of stability and high polymerization activity, a triarylalkyl borate complex in which three of R 5 to R 8 may have a substituent and one is alkyl is preferred.

【0037】アリール基は、好ましくはフェニル基であ
る。アリール基は、フッ素、塩素、トリフルオロメチル
基等の電子吸引性の置換基で置換されていることが好ま
しいが、中でもフッ素で置換されていることが好まし
い。アルキル基は、炭素数1〜10のものが好ましく、
炭素数4〜6のものが更に好ましく、特にn−ブチル基
が好ましい。
The aryl group is preferably a phenyl group. The aryl group is preferably substituted with an electron-withdrawing substituent such as fluorine, chlorine, and trifluoromethyl group, and particularly preferably substituted with fluorine. The alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms,
Those having 4 to 6 carbon atoms are more preferred, and an n-butyl group is particularly preferred.

【0038】また、カチオン残基であるX+は、特開昭
62−143044号公報や特開昭62−150242
号公報に記載されているカチオン染料のような可視光領
域に吸収のあるものは安定性の観点から好ましくなく、
できるだけ可視光領域に吸収の無いものが好ましい。例
えば、アンモニウム、ホスホニウム、アルソニウム、ス
チボニウム、オキソニウム、スルホニウム、セレノニウ
ム、スタンノニウム、ヨードニウム等のオニウムカチオ
ン基、遷移金属配位カチオン錯体等を挙げることができ
るが、好ましくは四級アンモニウムであり、さらに好ま
しくはテトラアルキルアンモニウムである。テトラアル
キルアンモニウムのアルキル基は、炭素数1〜10のも
のが好ましく、炭素数2〜4ものが更に好ましい。
X + which is a cation residue is described in JP-A-62-143044 and JP-A-62-150242.
Those having an absorption in the visible light region such as cationic dyes described in JP-A No.
It is preferable that the material has as little absorption as possible in the visible light region. For example, ammonium, phosphonium, arsonium, stibonium, oxonium, sulfonium, selenonium, stannonium, onium cation groups such as iodonium, transition metal coordination cation complex and the like, but preferably quaternary ammonium, more preferably It is a tetraalkyl ammonium. The alkyl group of the tetraalkylammonium preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 4 carbon atoms.

【0039】有機硼素錯体として特に好ましいものを下
記に示す。
Particularly preferred organic boron complexes are shown below.

【0040】[0040]

【化13】 Embedded image

【0041】[0041]

【化14】 又、カルボニル化合物としては、具体的には、例えば、
ベンゾフェノン、2−メチルベンゾフェノン、3−メチ
ルベンゾフェノン、4−メチルベンゾフェノン、2−カ
ルボキシベンゾフェノン、2−クロロベンゾフェノン、
4−ブロモベンゾフェノン、ミヒラーケトン等のベンゾ
フェノン誘導体類、2,2−ジエトキシアセトフェノ
ン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノ
ン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、1
−ヒドロキシ−1−(p−ドデシルフェニル)ケトン、
1−ヒドロキシ−1−メチルエチル−(p−イソプロピ
ルフェニル)ケトン、1−トリクロロメチル−(p−ブ
チルフェニル)ケトン、α−ヒドロキシ−2−メチルフ
ェニルプロパノン、2−メチル−(4’−(メチルチ
オ)フェニル)−2−モルホリノ−1−プロパノン等の
アセトフェノン誘導体類、チオキサントン、2−エチル
チオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、
2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチ
オキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサント
ン、2−クロロチオキサントン等のチオキサントン誘導
体類、p−ジメチルアミノ安息香酸エチル、p−ジエチ
ルアミノ安息香酸エチル等の安息香酸エステル誘導体類
等が挙げられる。
Embedded image As the carbonyl compound, specifically, for example,
Benzophenone, 2-methylbenzophenone, 3-methylbenzophenone, 4-methylbenzophenone, 2-carboxybenzophenone, 2-chlorobenzophenone,
Benzophenone derivatives such as 4-bromobenzophenone and Michler's ketone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 1
-Hydroxy-1- (p-dodecylphenyl) ketone,
1-hydroxy-1-methylethyl- (p-isopropylphenyl) ketone, 1-trichloromethyl- (p-butylphenyl) ketone, α-hydroxy-2-methylphenylpropanone, 2-methyl- (4 ′-( Acetophenone derivatives such as methylthio) phenyl) -2-morpholino-1-propanone, thioxanthone, 2-ethylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone,
Thioxanthone derivatives such as 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone and 2-chlorothioxanthone, and benzoic esters such as ethyl p-dimethylaminobenzoate and ethyl p-diethylaminobenzoate Derivatives and the like.

【0042】又、有機過酸化物としては、具体的には、
例えば、メチルエチルケトンパーオキサイド、アセチル
アセトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサ
イド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、3,
3,5−トリメチルシクロヘキサノンパーオキサイド等
のケトンパーオキサイド類、3,5,5−トリメチルヘ
キサノイルパーオキサイド、スクシニックアシッドパー
オキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、2,4−ジク
ロロベンゾイルパーオキサイド、m−トルオイルパーオ
キサイド等のジアシルパーオキサイド類、t−ブチルハ
イドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイ
ド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、
p−メンタンハイドロパーオキサイド、2,5−ジメチ
ルヘキサン−2,5−ジハイドロパーオキサイド、1,
1,3,3−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイ
ド等のハイドロパーオキサイド類、ジ−t−ブチルパー
オキサイド、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジクミ
ルパーオキサイド、1,3(又は1,4)−ビス(t−
ブチルパーオキシイソプロピル)ベンゼン、2,5−ジ
メチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサ
ン、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオ
キシ)ヘキシン−3等のジアルキルパーオキサイド類、
1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサ
ン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−3,3,
5−トリメチルシクロヘキサン、2,2−ビス(t−ブ
チルパーオキシ)ブタン等のパーオキシケタール類、t
−ブチルパーオキシアセテート、t−ブチルパーオキシ
オクトエート、t−ブチルパーオキシピバレート、t−
ブチルパーオキシネオデカノエート、t−ブチルパーオ
キシ−3,5,5−トリメチルヘキサノエート、t−ブ
チルパーオキシラウレート、t−ブチルパーオキシベン
ゾエート等のアルキルパーエステル類、ジ−2−エチル
ヘキシルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパ
ーオキシジカーボネート、ジメトキシイソプロピルパー
オキシジカーボネート、ジ−2−エトキシエチルパーオ
キシジカーボネート、ビス(3−メチル−3−メトキシ
ブチル)パーオキシジカーボネート、t−ブチルパーオ
キシイソプロピルカーボネート等のパーオキシカーボネ
ート類、及び、3,3’,4,4’−テトラ(t−ブチ
ルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3,3’,
4,4’−テトラ(t−ヘキシルパーオキシカルボニ
ル)ベンゾフェノン、3,3’,4,4’−テトラ(t
−オクチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、
3,3’,4,4’−テトラ(クミルパーオキシカルボ
ニル)ベンゾフェノン、3,3’,4,4’−テトラ
(p−イソプロピルクミルパーオキシカルボニル)ベン
ゾフェノン、3,3’,4,4’−テトラ(アミノパー
オキシカルボニル)ベンゾフェノン、カルボニルビス
(t−ブチルパーオキシ2水素2フタレート)、カルボ
ニルビス(t−ヘキシルパーオキシ2水素2フタレー
ト)等が挙げられる。
As the organic peroxide, specifically,
For example, methyl ethyl ketone peroxide, acetylacetone peroxide, cyclohexanone peroxide, methylcyclohexanone peroxide, 3,
Ketone peroxides such as 3,5-trimethylcyclohexanone peroxide, 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide, succinic acid peroxide, benzoyl peroxide, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, m-toluoyl Diacyl peroxides such as peroxide, t-butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide,
p-menthane hydroperoxide, 2,5-dimethylhexane-2,5-dihydroperoxide, 1,
Hydroperoxides such as 1,3,3-tetramethylbutyl hydroperoxide, di-t-butyl peroxide, t-butylcumyl peroxide, dicumyl peroxide, 1,3 (or 1,4) -bis (T-
Butylperoxyisopropyl) benzene, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexane, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexyne-3, etc. Dialkyl peroxides,
1,1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) -3,3,3
Peroxy ketals such as 5-trimethylcyclohexane, 2,2-bis (t-butylperoxy) butane, t
-Butyl peroxy acetate, t-butyl peroxy octoate, t-butyl peroxy pivalate, t-
Alkyl peresters such as butyl peroxy neodecanoate, t-butyl peroxy-3,5,5-trimethylhexanoate, t-butyl peroxy laurate, t-butyl peroxy benzoate, di-2- Ethylhexylperoxydicarbonate, diisopropylperoxydicarbonate, dimethoxyisopropylperoxydicarbonate, di-2-ethoxyethylperoxydicarbonate, bis (3-methyl-3-methoxybutyl) peroxydicarbonate, t-butylperoxide Peroxycarbonates such as oxyisopropyl carbonate, and 3,3 ′, 4,4′-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3 ′,
4,4′-tetra (t-hexylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3 ′, 4,4′-tetra (t
-Octylperoxycarbonyl) benzophenone,
3,3 ′, 4,4′-tetra (cumylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3 ′, 4,4′-tetra (p-isopropylcumylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3 ′, 4,4 ′ -Tetra (aminoperoxycarbonyl) benzophenone, carbonylbis (t-butylperoxy dihydrogen 2-phthalate), carbonyl bis (t-hexylperoxy dihydrogen 2-phthalate) and the like.

【0043】以上挙げた重合開始剤の中では、有機硼素
錯体が好ましく、中でも有機硼素アンモニウム錯体が好
ましい。本発明のレジストを構成するエチレン性不飽和
二重結合含有化合物(本発明の特定の(メタ)アクリレ
ートモノマーを含む)、赤外吸収色素、重合開始剤の好
ましい配合割合は、エチレン性不飽和二重結合含有化合
物100重量部に対して重合開始剤は5〜40重量部、
好ましくは5〜30重量部、赤外吸収色素は2〜30重
量部、好ましくは5〜25重量部の範囲である。エチレ
ン性不飽和二重結合含有化合物中の本発明の特定の(メ
タ)アクリレートモノマーの含有率は、一般には5〜1
00wt%、好ましくは10〜90wt%である。
Among the above-mentioned polymerization initiators, an organic boron complex is preferable, and among them, an organic boron ammonium complex is preferable. The preferred compounding ratio of the ethylenically unsaturated double bond-containing compound (including the specific (meth) acrylate monomer of the present invention), the infrared absorbing dye, and the polymerization initiator constituting the resist of the present invention is as follows. The polymerization initiator is 5 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of the heavy bond-containing compound,
The amount is preferably 5 to 30 parts by weight, and the amount of the infrared absorbing dye is 2 to 30 parts by weight, preferably 5 to 25 parts by weight. The content of the specific (meth) acrylate monomer of the present invention in the compound containing an ethylenically unsaturated double bond is generally 5 to 1%.
It is 00 wt%, preferably 10 to 90 wt%.

【0044】本発明のレジストには、結合材としてアル
カリ可溶性樹脂を含有させた方が、塗膜性、現像性等が
向上するので好ましい。このようなアルカリ可溶性樹脂
としてはカルボキシル基を有するビニル樹脂、エポキシ
アクリレート樹脂やフェノール性水酸基を有するフェノ
ール樹脂等が挙げられるが、中でもカルボキシル基を有
するビニル樹脂並びにエポキシアクリレート樹脂が好ま
しい。
It is preferable that the resist of the present invention contains an alkali-soluble resin as a binder, since the coating properties, developability and the like are improved. Examples of such an alkali-soluble resin include a vinyl resin having a carboxyl group, an epoxy acrylate resin, and a phenol resin having a phenolic hydroxyl group. Among them, a vinyl resin having a carboxyl group and an epoxy acrylate resin are preferable.

【0045】カルボキシル基を有するビニル樹脂として
は、(メタ)アクリル酸や無水マレイン酸、クロトン酸
等のカルボキシル基を有するビニルモノマーと、スチレ
ン、α−メチルスチレン、ビニルフェノール、(メタ)
アクリル酸メチルエステル、(メタ)アクリル酸エチル
エステル、(メタ)アクリル酸プロピルエステル、(メ
タ)アクリル酸ブチルエステル、(メタ)アクリル酸ペ
ンチルエステル、(メタ)アクリル酸ヘキシルエステ
ル、(メタ)アクリル酸ドデシルエステル、(メタ)ア
クリル酸ベンジルエステル、(メタ)アクリル酸2−エ
チルヘキシルエステル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシ
メチルエステル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチル
エステル、アクリロニトリル、酢酸ビニル、アクリルア
ミド、N−メチロールアクリルアミド、(メタ)アクリ
ル酸グリシジルエステル等を共重合させた樹脂が好まし
く用いられるが、中でも(メタ)アクリル酸を必須成分
とする(メタ)アクリル樹脂が好ましい。現像性、塗膜
特性等の観点から、樹脂酸価は30〜250KOH・m
g/gであることが好ましく、分子量はゲルパーミエー
ションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレ
ン換算の重量平均分子量で1000〜300000であ
ることが好ましく、1500〜200000であること
がより好ましい。
Examples of the vinyl resin having a carboxyl group include vinyl monomers having a carboxyl group such as (meth) acrylic acid, maleic anhydride and crotonic acid, styrene, α-methylstyrene, vinylphenol, and (meth)
Methyl acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid Dodecyl ester, benzyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, hydroxymethyl (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylate, acrylonitrile, vinyl acetate, acrylamide, N-methylolacrylamide A resin obtained by copolymerizing glycidyl (meth) acrylate or the like is preferably used, and among them, a (meth) acrylic resin containing (meth) acrylic acid as an essential component is preferable. From the viewpoints of developability, coating film characteristics, etc., the resin acid value is 30 to 250 KOH · m.
g / g, and the molecular weight is preferably from 1,000 to 300,000, more preferably from 1500 to 200,000 as a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).

【0046】エポキシアクリレート樹脂としては、ビス
フェノールAエポキシ樹脂、ビスフェノール−Sエポキ
シ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノー
ルノボラックエポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ
樹脂等のエポキシ樹脂のエポキシ基にアクリル酸、メタ
クリル酸等のカルボキシル基を有するアクリルモノマー
を付加させ、さらに、無水マレイン酸、無水コハク酸、
無水イタコン酸、無水フタル酸、無水テトラヒドロフタ
ル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロ
無水フタル酸、無水エンドメチレンテトラヒドロフタル
酸、無水メチルエンドメチレンテトラヒドロフタル酸、
無水クロレンド酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸な
どの多価カルボン酸無水物で変性した樹脂が挙げられる
が、中でも、ノボラックエポキシアクリレート樹脂を無
水テトラヒドロフタル酸あるいは無水ヘキサヒドロフタ
ル酸で変性させた樹脂が好ましい。樹脂酸価は20〜1
50(KOH・mg/g)、重量平均分子量は1000
〜20000の範囲のものが特に好ましい。
As the epoxy acrylate resin, bisphenol A epoxy resin, bisphenol-S epoxy resin, cresol novolak epoxy resin, phenol novolak epoxy resin, trisphenol epoxy resin and other epoxy resins have a carboxyl group such as acrylic acid or methacrylic acid. Acrylic monomer having a group is added, and further, maleic anhydride, succinic anhydride,
Itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, endmethylenetetrahydrophthalic anhydride, methylendomethylenetetrahydrophthalic anhydride,
Chlorendic anhydride, a resin modified with a polycarboxylic anhydride such as methyltetrahydrophthalic anhydride may be mentioned, and among them, a resin obtained by modifying a novolak epoxy acrylate resin with tetrahydrophthalic anhydride or hexahydrophthalic anhydride is preferable. . Resin acid value is 20-1
50 (KOH.mg/g), weight average molecular weight is 1000
Those having a range of from 20,000 to 20,000 are particularly preferred.

【0047】なお、上述したアルカリ可溶性樹脂を含有
させる場合、アルカリ可溶性樹脂は、一般に、エチレン
性不飽和二重結合含有化合物100重量部に対して50
〜500重量部用いられる。本発明では、以上説明した
成分以外に、フッ素系界面活性剤等のレベリング剤、着
色剤、密着向上剤、安定剤等の種々の添加剤を配合する
ことができる。
When the above-mentioned alkali-soluble resin is contained, the alkali-soluble resin is generally used in an amount of 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the ethylenically unsaturated double bond-containing compound.
500500 parts by weight are used. In the present invention, in addition to the components described above, various additives such as a leveling agent such as a fluorine-based surfactant, a coloring agent, an adhesion improver, and a stabilizer can be compounded.

【0048】本発明の感光性樹脂組成物は上述した成分
を希釈剤に溶解させた感光液やドライフィルムのような
フィルム状の積層体として用いることができる 感光液として用いるには、前述した成分を有機溶剤に溶
解させることで調製することができる。このような有機
溶剤として、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メ
チルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテー
ト等のセロソルブ系溶媒、プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピ
レングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロ
ピレングリコールジメチルエーテル等のプロピレングリ
コール系溶媒、酢酸ブチル、酢酸アミル、酪酸エチル、
酪酸ブチル、ジエチルオキサレート、ピルビン酸エチ
ル、エチル−2−ヒドロキシブチレート、エチルアセト
アセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、3−メトキシプ
ロピオン酸メチル等のエステル系溶媒、ヘプタノール、
ヘキサノール、ジアセトンアルコール、フルフリルアル
コール等のアルコール系溶媒、シクロヘキサノン、メチ
ルアミルケトン等のケトン系溶媒、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等の
極性溶媒、ヘキサン、ソルベッソ#150、石油エーテ
ル等の非極性溶剤、或いはこれらの混合溶媒、更にはこ
れらに芳香族炭化水素を添加したもの等を挙げることが
できる。本発明のエッチング用及び/又は鍍金用レジス
トを塗布する基板としては、紙基材フェノール樹脂基
板、紙基材ポリエステル樹脂基板、紙基材エポキシ樹脂
基板、ガラス基材エポキシ樹脂基板、ガラス基材ポリイ
ミド樹脂基板、ガラス基材BTレジン樹脂基板、ポリイ
ミドフレキシブル基板、ポリエステルフレキシブル基
板、コンポジット基板、セラミック基板、耐熱性熱可塑
性樹脂基板等の基板の片面又は両面に銅等の配線層が形
成された、いわゆるプリント配線板が好ましい。基板へ
の塗布方法としては、従来公知の方法、例えば、回転塗
布、ワイヤーバー塗布、ディップ塗布、エアーナイフ塗
布、ロール塗布、ブレード塗布、及びカーテン塗布、ス
クリーン印刷等を用いることができる。塗布量は加工目
的により異なるが、乾燥膜厚として、0.1〜100g
/m2 の範囲とするのが好ましく、0.5〜70g/m
2 の範囲とするのが更に好ましい。尚、その際の乾燥温
度としては、例えば、30〜150℃程度、好ましくは
40〜110℃程度、乾燥時間としては、例えば、5秒
〜60分間程度、好ましくは10秒〜30分間程度が採
られる。
The photosensitive resin composition of the present invention can be used as a photosensitive liquid in which the above-mentioned components are dissolved in a diluent or as a film-like laminate such as a dry film. Can be prepared by dissolving in an organic solvent. Such organic solvents include cellosolve solvents such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol. Propylene glycol solvents such as monoethyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol dimethyl ether, butyl acetate, amyl acetate, ethyl butyrate,
Ester solvents such as butyl butyrate, diethyl oxalate, ethyl pyruvate, ethyl-2-hydroxybutyrate, ethyl acetoacetate, methyl lactate, ethyl lactate, and methyl 3-methoxypropionate; heptanol;
Alcohol solvents such as hexanol, diacetone alcohol and furfuryl alcohol; ketone solvents such as cyclohexanone and methyl amyl ketone; polar solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; hexane; Solvesso # 150; Or a mixed solvent thereof, or a mixture of these with an aromatic hydrocarbon. The substrate on which the resist for etching and / or plating of the present invention is applied is a paper base phenol resin substrate, a paper base polyester resin substrate, a paper base epoxy resin substrate, a glass base epoxy resin substrate, a glass base polyimide. A wiring layer such as copper is formed on one or both sides of a substrate such as a resin substrate, a glass substrate BT resin resin substrate, a polyimide flexible substrate, a polyester flexible substrate, a composite substrate, a ceramic substrate, and a heat-resistant thermoplastic resin substrate. Printed wiring boards are preferred. As a method for coating the substrate, conventionally known methods, for example, spin coating, wire bar coating, dip coating, air knife coating, roll coating, blade coating, curtain coating, screen printing, and the like can be used. The coating amount varies depending on the processing purpose, but as a dry film thickness, 0.1 to 100 g
/ M 2 , preferably 0.5 to 70 g / m 2
More preferably, the range is 2 . The drying temperature at that time is, for example, about 30 to 150 ° C., preferably about 40 to 110 ° C., and the drying time is, for example, about 5 seconds to 60 minutes, preferably about 10 seconds to 30 minutes. Can be

【0049】基板上に設けられる感光層の厚みは1〜7
0μmの範囲が好ましく、好ましくは5〜60μm、よ
り好ましくは10〜50μmの範囲である。膜厚が上記
範囲から外れた場合、耐久性やコストの面で望ましくな
い。露光する光源としては、HeNeレーザー、アルゴ
ンイオンレーザー、YAGレーザー、半導体レーザー、
ルビーレーザー等のレーザー光源が挙げられるが、特
に、700nm以上の近赤外線レーザー光線を発生する
光源、中でも750〜1200nmの光が好ましく、例
えば、ルビーレーザー、YAGレーザー、半導体レーザ
ー等の固体レーザーを挙げることができ、特に、小型で
長寿命な半導体レーザーやYAGレーザーが好ましい。
これらの光源により、通常、走査露光した後、現像液に
て現像し画像が形成される。
The thickness of the photosensitive layer provided on the substrate is 1 to 7
The range is preferably 0 μm, preferably 5 to 60 μm, and more preferably 10 to 50 μm. If the film thickness is out of the above range, it is not desirable in terms of durability and cost. Light sources for exposure include HeNe laser, argon ion laser, YAG laser, semiconductor laser,
A laser light source such as a ruby laser may be mentioned, and in particular, a light source generating a near-infrared laser beam of 700 nm or more, among which a light of 750 to 1200 nm is preferable, for example, a solid laser such as a ruby laser, a YAG laser, and a semiconductor laser. In particular, a semiconductor laser or a YAG laser having a small size and a long life is preferable.
Usually, after scanning and exposure with these light sources, an image is formed by developing with a developer.

【0050】感光層の現像に用いる現像液としては、例
えば、珪酸ナトリウム、珪酸カリウム、珪酸リチウム、
珪酸アンモニウム、メタ珪酸ナトリウム、メタ珪酸カリ
ウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチ
ウム、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、第二燐酸ナトリウム、第三燐酸ナトリウム、第二燐
酸アンモニウム、第三燐酸アンモニウム、硼酸ナトリウ
ム、硼酸カリウム、硼酸アンモニウム等の無機アルカリ
塩、又は、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメ
チルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリ
エチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピ
ルアミン、モノブチルアミン、モノエタノールアミン、
ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソ
プロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン等の有
機アミン化合物等の0.1〜10重量%程度の水溶液か
らなるアルカリ現像液が用いられる。尚、現像液には、
必要に応じてノニオン性、アニオン性、カチオン性、両
性等の界面活性剤や、アルコール等の有機溶媒が加えら
れてもよい。
Examples of the developer used for developing the photosensitive layer include sodium silicate, potassium silicate, lithium silicate,
Ammonium silicate, sodium metasilicate, potassium metasilicate, sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, sodium carbonate, sodium bicarbonate, potassium carbonate, dibasic sodium phosphate, tertiary sodium phosphate, dibasic ammonium phosphate, tertiary Inorganic alkali salts such as ammonium phosphate, sodium borate, potassium borate, ammonium borate, or monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, monoisopropylamine, diisopropylamine, monobutylamine, monoethanolamine,
An alkali developer comprising an aqueous solution of about 0.1 to 10% by weight of an organic amine compound such as diethanolamine, triethanolamine, monoisopropanolamine and diisopropanolamine is used. In addition, in the developer,
If necessary, a surfactant such as nonionic, anionic, cationic, or amphoteric, or an organic solvent such as alcohol may be added.

【0051】尚、現像は、浸漬現像、スプレー現像、ブ
ラシ現像、超音波現像等により、通常、好ましくは10
〜60℃程度、更に好ましくは15〜45℃程度の温度
でなされる。
The development is usually performed by immersion development, spray development, brush development, ultrasonic development, or the like.
To about 60 ° C, more preferably about 15 to 45 ° C.

【0052】[0052]

【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに具体的に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。 実施例1 下記組成の感光液を調製し、厚さ0.2mmの銅張りガ
ラスエポキシ樹脂板にワイヤーバーにて、乾燥膜厚2μ
mとなるように塗布した。コンベクションオーブンにて
70℃で4分間乾燥した後、830nmの半導体レーザ
ーを搭載する露光装置(トレンドセッター 3020
クレオ社製)にて露光した。現像は25℃の1%炭酸カ
リウム水溶液で60秒間浸せきすることにより行った。 <感光液組成> ・テトラヒドロ無水フタル酸で変性したクレゾールノボラックエポキシアクリレ ート樹脂(重量平均分子量 4000 酸価 100);60重量部 ・UA−306H(共栄社化学社製) ;20重量部 ・NKエステル A−BPE−4(新中村化学社製) ;20重量部 ・赤外吸収色素(前記R−1) ; 5重量部 ・重合開始剤(前記B−1) ;10重量部 ・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート;1200重量部
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples unless it exceeds the gist of the present invention. Example 1 A photosensitive solution having the following composition was prepared, and a copper-clad glass epoxy resin plate having a thickness of 0.2 mm was dried with a wire bar at a thickness of 2 μm.
m. After drying at 70 ° C. for 4 minutes in a convection oven, an exposure apparatus equipped with a 830 nm semiconductor laser (Trendsetter 3020)
(Cleo). Development was carried out by immersion in a 1% aqueous potassium carbonate solution at 25 ° C. for 60 seconds. <Photosensitive solution composition> Cresol novolac epoxy acrylate resin modified with tetrahydrophthalic anhydride (weight average molecular weight 4000, acid value 100); 60 parts by weight UA-306H (manufactured by Kyoeisha Chemical Co.); 20 parts by weight NK Ester A-BPE-4 (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co.); 20 parts by weight ・ Infrared absorbing dye (R-1); 5 parts by weight ・ Polymerization initiator (B-1); 10 parts by weight ・ propylene glycol monomethyl Ether acetate; 1200 parts by weight

【0053】[0053]

【化15】 感光性組成物としての感度、解像度、セーフライト性、
及び保存安定性を、下記の基準で評価した。 <評価基準> 1.感度 膜べりなく画像形成される最小露光量をもって感度とし
た。 2.解像性 15μのライン&スペースを倍率100倍の顕微鏡にて
観察し、寸法通り画像形成されたものを解像性良好と判
定した。 3.セーフライト性 乾燥終了後のサンプル板を白色蛍光灯で照明された室内
に1時間放置した後に露光、現像を行い、放置無しのサ
ンプルと感度、解像性を比較し、変化がなかったものを
良好とした。 4.保存安定性 感光液を室温下で1ヶ月放置した後に、塗布から現像ま
でを行い、感度、解像性、現像性を評価し、放置無しの
サンプルと比較し変化のなかったものを良好とした。 実施例2〜7 実施例1の感光液組成のNKエステル A−BPE−4
を表−2に示すモノマーに代えた以外は実施例1と同様
にして評価した。 評価の結果 実施例1〜7の解像度、セーフライト性、保存安定性は
何れも良好であった。また、感度も良い結果が得られた
(表−2)。
Embedded image Sensitivity as a photosensitive composition, resolution, safelight properties,
And storage stability were evaluated according to the following criteria. <Evaluation criteria> 1. Sensitivity The sensitivity was defined as the minimum exposure at which an image was formed without film loss. 2. Resolution A line and space of 15 μm was observed with a microscope having a magnification of 100 times, and an image formed according to the dimensions was determined to have good resolution. 3. Safelight property After the sample plate after drying is left for 1 hour in a room illuminated by a white fluorescent lamp, exposure and development are performed. Good. 4. Storage stability After the photosensitive solution was allowed to stand at room temperature for one month, the process from coating to development was performed, and the sensitivity, resolution, and developability were evaluated. . Examples 2 to 7 NK Ester A-BPE-4 of Photosensitive Liquid Composition of Example 1
Was evaluated in the same manner as in Example 1 except that the monomers shown in Table 2 were used. Evaluation Results The resolutions, safelight properties, and storage stability of Examples 1 to 7 were all good. In addition, good results were obtained with high sensitivity (Table 2).

【0054】[0054]

【表6】 [Table 6]

【0055】[0055]

【発明の効果】本発明の赤外光感受性エッチングまたは
鍍金用レジストは、赤外レーザー光に対して高い感度を
有し、感光液の安定性に優れ、白色灯のような明室下で
も取り扱え、酸素遮断膜がなくとも感度、解像性に優れ
る。
The resist for etching or plating sensitive to infrared light of the present invention has high sensitivity to infrared laser light, has excellent stability of the photosensitive solution, and can be handled even in a bright room such as a white lamp. Excellent sensitivity and resolution even without an oxygen barrier film.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08F 290/06 C08F 290/06 4J100 C08K 5/00 C08K 5/00 5E339 C08L 71/00 C08L 71/00 B G03F 7/004 505 G03F 7/004 505 7/029 7/029 H05K 3/06 H05K 3/06 H Fターム(参考) 2H025 AA01 AA02 AB15 AC08 AD01 BC14 BC32 BC34 BC42 CA00 CA50 CC20 FA03 FA10 FA17 4J002 CH051 ER006 ET006 FD096 GP03 4J011 AA05 PB25 PC02 PC08 QA25 QA38 QB16 QB19 SA01 SA21 SA22 SA64 SA74 SA76 SA78 SA82 SA85 UA06 VA01 WA01 4J015 DA14 4J027 AC02 AC03 AC04 AC06 AE03 AE07 AJ08 BA24 CB03 CB08 CB10 CC04 CD10 4J100 AL08P AL66P AL67P AL67Q BA04P BA05P BA06P BA08P BA09P BA38Q BA64P BC43P BC45P CA04 CA05 JA38 5E339 AD01 AD03 BC02 CC01 CC02 CD01 CE11 CE12 CE16 CE18 CE19 CE20 CF16 CF17 DD03──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C08F 290/06 C08F 290/06 4J100 C08K 5/00 C08K 5/00 5E339 C08L 71/00 C08L 71/00 B G03F 7/004 505 G03F 7/004 505 7/029 7/029 H05K 3/06 H05K 3/06 HF term (reference) 2H025 AA01 AA02 AB15 AC08 AD01 BC14 BC32 BC34 BC42 CA00 CA50 CC20 FA03 FA10 FA17 4J002 CH051 ER006 ET006 FD096 GP03 4J011 AA05 PB25 PC02 PC08 QA25 QA38 QB16 QB19 SA01 SA21 SA22 SA64 SA74 SA76 SA78 SA82 SA85 UA06 VA01 WA01 4J015 DA14 4J027 AC02 AC03 AC04 AC06 AE03 AE07 AJ08 BA24 CB03 BA09 BA08 AL08 BA64P BC43P BC45P CA04 CA05 JA38 5E339 AD01 AD03 BC02 CC01 CC02 CD01 CE11 CE12 CE16 CE18 CE 19 CE20 CF16 CF17 DD03

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 エチレンオキサイドまたは/及びプロピ
レンオキサイドを構造単位として有する(メタ)アクリ
レートモノマー、赤外吸収色素、及び重合開始剤を含有
する赤外光感受性エッチングまたは鍍金用レジスト。
1. A resist for infrared-sensitive etching or plating, comprising a (meth) acrylate monomer having ethylene oxide and / or propylene oxide as a structural unit, an infrared absorbing dye, and a polymerization initiator.
【請求項2】 (メタ)アクリレートモノマーが下記一
般式(I)式で表されることを特徴とする請求項1記載
の赤外光感受性のエッチング用または鍍金用レジスト。 【化1】 (式中、R1、R2は、各々独立に水素原子またはメチル
基を表し、nは1〜15の整数を表し、Aは有機残基を
表す。)
2. The infrared-sensitive resist for etching or plating according to claim 1, wherein the (meth) acrylate monomer is represented by the following general formula (I). Embedded image (In the formula, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, n represents an integer of 1 to 15, and A represents an organic residue.)
【請求項3】 赤外吸収色素が、フタロシアニン系赤外
吸収色素であることを特徴とする請求項1または2に記
載の赤外光感受性エッチングまたは鍍金用レジスト。
3. The resist for infrared-sensitive etching or plating according to claim 1, wherein the infrared-absorbing dye is a phthalocyanine-based infrared-absorbing dye.
【請求項4】 重合開始剤が、有機硼素錯体であること
を特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の赤外光感
受性エッチングまたは鍍金用レジスト。
4. The resist for infrared-sensitive etching or plating according to claim 1, wherein the polymerization initiator is an organic boron complex.
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