JP2001323075A - Releasable film, base material with film, method for forming releasable film and method for producing circuit board - Google Patents
Releasable film, base material with film, method for forming releasable film and method for producing circuit boardInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも２層以
上の回路パターンを接続してなる回路基板の製造方法、
この回路基板の製造方法に好適な離型性フィルム、フイ
ルム付き基材、および離型性フィルムの形成方法に関す
る。The present invention relates to a method of manufacturing a circuit board formed by connecting at least two or more circuit patterns,
The present invention relates to a release film, a substrate with a film, and a method for forming a release film, which are suitable for the method for manufacturing a circuit board.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、情報通信をはじめとする電子機器
の小型、高密度化に伴い、産業用にとどまらず民生用の
分野においても、回路基板の多層化が強く要望されてい
る。多層化された回路基板では、複数層の回路パターン
の間をインタースティシャルビアホール接続する接続構
造の開発が求められている。さらには、インタースティ
シャルビアホール接続構造およびその製造方法において
も、信頼度の高い構造および方法の開発が求められてい
る。2. Description of the Related Art In recent years, as electronic devices such as information communication have become smaller and higher in density, there is a strong demand for multilayered circuit boards not only for industrial use but also for consumer use. In a multilayered circuit board, development of a connection structure for connecting interstitial via holes between a plurality of circuit patterns is required. Furthermore, the development of a highly reliable structure and method is also required for the interstitial via hole connection structure and its manufacturing method.
【０００３】本件出願人は、導電ペーストによるインタ
ーステシャルビアホールで層間接続した新規な構成の回
路基板、およびその製造方法を提案している。The applicant of the present application has proposed a circuit board having a novel configuration in which interlayer connection is made by interstitial via holes made of conductive paste, and a method of manufacturing the same.
【０００４】この回路基板の製造方法は、次のようにし
て構成されている。[0004] This method of manufacturing a circuit board is configured as follows.
【０００５】すなわち、不織布と熱硬化性樹脂との複合
材からなり圧縮性を有する多孔質基材に離型性マスクフ
ィルムを貼り付けたうえで、このフィルム付き基材に貫
通孔を設ける工程と、前記貫通孔に導電性ペーストを充
填する工程と、導電性ペーストを充填した前記フィルム
付き基材から前記フィルムを剥離する工程と、前記基材
のフィルム剥離面に金属箔を張り合わせる工程と、前記
金属箔を張り合わせた前記基材を加熱加圧して圧縮する
工程と、を備えて、回路基板の製造方法を構成してい
る。That is, a step of attaching a releasable mask film to a compressible porous substrate made of a composite material of a nonwoven fabric and a thermosetting resin, and providing a through hole in the substrate with the film. A step of filling the through-hole with a conductive paste, a step of peeling the film from the base material with a film filled with the conductive paste, and a step of laminating a metal foil on a film peeled surface of the base material, Heating and pressurizing and compressing the base material to which the metal foils are attached, to constitute a circuit board manufacturing method.
【０００６】このような回路基板の製造方法において
は、離型性マスクフィルムを備えた多孔質絶縁基材に貫
通孔を設けるために孔加工を行う場合、炭酸ガスレーザ
ーを用いるのが一般的である。In such a method of manufacturing a circuit board, a carbon dioxide laser is generally used when forming a hole in a porous insulating base material provided with a releasable mask film in order to form a through hole. is there.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところが、この炭酸ガ
スレーザーは、レーザー光の波長が１０.６μｍと比較
的長いために集光が容易ではなくスポットを絞りにく
い。しかも、レーザ光の波長が赤外線領域であるため
に、熱の影響を受けて貫通孔が大きくなってしまう。そ
のため、例えば直径５０μｍといった微細な貫通孔を形
成するのが困難であり、このことが微細な配線設計の回
路基板を実現する上での障害となる。However, this carbon dioxide gas laser has a relatively long laser beam wavelength of 10.6 μm, so that it is not easy to collect light and it is difficult to narrow down a spot. In addition, since the wavelength of the laser beam is in the infrared region, the through hole becomes large under the influence of heat. For this reason, it is difficult to form a fine through-hole having a diameter of, for example, 50 μm, and this is an obstacle in realizing a circuit board with a fine wiring design.
【０００８】また、上述した回路基板の製造方法では、
離型性マスクフィルムは、熱ラミネート法によって多孔
質絶縁基材に張り合わされる。そして、離型性マスクフ
ィルム付きの多孔質絶縁基材に対してレーザー加工法な
どを利用して孔加工が行われる。さらには、この加工孔
に導電ペーストを充填したあと、離型性マスクフィルム
が剥離される。[0008] In the method for manufacturing a circuit board described above,
The releasable mask film is bonded to the porous insulating substrate by a heat lamination method. Then, hole processing is performed on the porous insulating substrate with the release mask film by using a laser processing method or the like. Further, after filling the processing holes with the conductive paste, the release mask film is peeled off.
【０００９】このような工程においては、前記基材に
は、ラミネート時の熱、圧力およびフィルム張力による
歪みが残留した状態となっている。この状態で前記基材
から離型性マスクフィルムが剥離されると、前記フィル
ムから前記残留歪みが解放され、加工孔は、孔加工時の
位置からずれることになる。これは、特に孔ピッチが狭
く、寸法精度が要求される場合、すなわち、微細な配線
設計の回路基板を実現する上で重要な問題となる。[0009] In such a process, the substrate is left in a state where distortion due to heat, pressure and film tension during lamination remains. When the release mask film is peeled from the base material in this state, the residual strain is released from the film, and the processing hole is shifted from the position at the time of the hole processing. This is an important problem particularly when the hole pitch is narrow and dimensional accuracy is required, that is, in realizing a circuit board with fine wiring design.
【００１０】したがって、本発明の主たる目的は、微細
な配線設計の回路基板を実現できる回路基板の製造方法
を提供するとともに、この回路基板の製造方法に好適な
離型性フィルム、フィルム付き基材、およびこの離型性
フィルムの形成方法を提供することである。Accordingly, a main object of the present invention is to provide a method of manufacturing a circuit board capable of realizing a circuit board having a fine wiring design, and a release film and a base material with a film suitable for the method of manufacturing the circuit board. , And a method for forming the release film.
【００１１】本発明の他の目的は、穴加工時に発生する
ゴミが導電性ペーストとともに充填されるのを防止し
て、初期抵抗値が低く、接続信頼性が高いビアホール接
続が可能な回路基板を提供することである。Another object of the present invention is to provide a circuit board capable of preventing vias generated at the time of drilling holes from being filled together with a conductive paste, and having a low initial resistance value and a highly reliable via hole connection. To provide.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ためには、本発明は、要するに、波長が紫外線領域以下
のレーザー光を吸収する離型性フィルムを用いている。
これにより、スポットを絞り易い紫外線領域以下の波長
のレーザーによって孔加工を行うことができ、微細な孔
加工が行える。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention basically uses a release film which absorbs a laser beam having a wavelength of not more than an ultraviolet region.
This makes it possible to perform hole processing with a laser having a wavelength equal to or less than the ultraviolet region, which makes it easy to narrow the spot, and to perform fine hole processing.
【００１３】なお、前記基材は、紫外線領域以下の波長
のレーザー光に対する光吸収性と、接着性とを有するフ
ィルム基材や、紫外線領域以下の波長のレーザー光に対
する光吸収性と、圧縮性とを有する多孔質基材であるの
が好ましい。そうすれば、紫外線領域以下の波長のレー
ザーによって離型性フィルムと同時に基材に微細な孔加
工が行えるようになる。The base material is a film base material having a light absorbing property and an adhesive property with respect to a laser beam having a wavelength of not more than the ultraviolet region, a light absorbing property with respect to a laser beam having a wavelength of not more than the ultraviolet range, and a compressibility. And a porous substrate having the following. In this case, fine holes can be formed in the substrate at the same time as the release film by a laser having a wavelength equal to or less than the ultraviolet region.
【００１４】また、離型性フィルムは紫外線吸収剤を含
むものであるのが好ましい。そうすれば、離型性フィル
ムを構成する主たる材料が、紫外線吸収特性を有してい
なくても、紫外線吸収剤の添加によって紫外線領域以下
の波長のレーザー光を吸収することができるようにな
る。Further, it is preferable that the release film contains an ultraviolet absorbent. Then, even if the main material constituting the release film does not have the ultraviolet absorbing property, it becomes possible to absorb laser light having a wavelength equal to or less than the ultraviolet region by adding the ultraviolet absorbent.
【００１５】また、離型性フィルムは、ニトロセルロー
ス、アセチルセルロース、セルロースアセテート、セル
ロースプロピオネート、エチルセルロース等のセルロー
ス誘導体であるのが好ましい。そうすれば、成膜性が良
好で溶剤に溶け易いセルロース誘導体を用いて離型性フ
ィルムを形成できるようになる。The release film is preferably a cellulose derivative such as nitrocellulose, acetylcellulose, cellulose acetate, cellulose propionate or ethylcellulose. Then, a releasable film can be formed using a cellulose derivative having good film-forming properties and easily soluble in a solvent.
【００１６】また、乾燥後において剥離性を発揮すると
ともに、紫外線領域以下の波長領域のレーザー光に対し
て吸収性を有する樹脂ワニスを、基材の表面に塗布させ
て乾燥させることで、前記離型性フィルムを形成するの
が好ましい。基材に離型性フィルムを熱ラミネート法よ
って形成する従来例では、ラミネート時の熱、圧力およ
びフィルム張力によって基材に残留歪が生じ、その後の
フィルムの剥離時に残留歪が解放されて寸法にズレが生
じる。これ対して、樹脂ワニスを用いた本製法では、か
かる寸法のズレが改善されるようになる。In addition, a resin varnish exhibiting releasability after drying and having absorptivity to laser light in a wavelength region below the ultraviolet region is applied to the surface of the base material and dried, whereby the release property is improved. It is preferable to form a mold film. In a conventional example in which a release film is formed on a substrate by a thermal lamination method, residual strain is generated in the substrate due to heat, pressure, and film tension during lamination, and the residual strain is released when the film is subsequently peeled, and the dimensions are reduced. Deviation occurs. On the other hand, in the present production method using a resin varnish, such a deviation in dimension is improved.
【００１７】また、離型性フィルムはＰＥＮ（ポリエチ
レンナフタレート）、ポリアミド、ポリイミドであるの
が好ましい。The release film is preferably made of PEN (polyethylene naphthalate), polyamide or polyimide.
【００１８】また、前記樹脂ワニスは、前記基材を浸食
しない溶剤を含むものであるのが好ましい。そうすれ
ば、基材を浸食することなく、基材に離型性フィルムを
形成できるようになる。Preferably, the resin varnish contains a solvent that does not erode the substrate. Then, a release film can be formed on the substrate without eroding the substrate.
【００１９】また、離型性フィルムは、複数枚積層して
基材上に設けるのが好ましい。そうすれば、孔加工した
後に、表層の離型性フィルムを剥離することができ、孔
加工時に発生するごみや工程中に付着したごみを、剥離
する離型性フィルムと一緒に取り除くことができる。こ
れにより、導電体を加工孔に充填する際にごみが一緒に
混入するのを防止できる。この結果、初期抵抗値が低
く、接続信頼性が高いビアホール接続を有する回路基板
が得られる。しかも、表層の離型性フィルムを剥離する
際、少なくとも１枚以上の離型性フィルムが基材側に残
ることになるので、導電体の充填の際に離型性フィルム
が印刷マスクとして機能して絶縁性樹脂シートの表面が
導電体で汚染されることもない。It is preferable that a plurality of release films are laminated and provided on a substrate. Then, after the hole processing, the release film on the surface layer can be peeled off, and dust generated during the hole processing and dust attached during the process can be removed together with the release film to be peeled. . Thereby, it is possible to prevent dust from being mixed in when the conductor is filled in the processing hole. As a result, a circuit board having a via hole connection with low initial resistance and high connection reliability is obtained. In addition, when the release film on the surface layer is peeled off, at least one or more release films remain on the substrate side, so that the release film functions as a print mask when the conductor is filled. Therefore, the surface of the insulating resin sheet is not contaminated by the conductor.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい具体例に
ついて図面を参照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２１】第１の好ましい具体例 図１は本発明の第１の好ましい具体例に従う回路基板の
製造方法を示す工程断面図である。 First Preferred Embodiment FIG. 1 is a process sectional view showing a method of manufacturing a circuit board according to a first preferred embodiment of the present invention.
【００２２】先ず、図１Ａに示すように、基材として、
その両面に接着剤層１０２を有する電気絶縁性フィルム
１０１を準備する。フィルム１０１としては、例えば、
ポリイミドフィルムやアラミドフィルム、ポリ（ｐ−フ
ェニレンベンゾビスオキサゾール）フィルム、全芳香族
ポリエステル系液晶ポリマーフィルム等から選択でき
る。接着剤層１０２としては、例えば、エポキシ系、変
性ポリイミド系、シリコン系の接着剤等から選択でき
る。いずれの種類の接着剤においても、後述の加熱加圧
時において配線層１０７の埋め込み性を確保するため
に、半硬化状態にしておく。First, as shown in FIG. 1A,
An electrically insulating film 101 having an adhesive layer 102 on both surfaces is prepared. As the film 101, for example,
It can be selected from a polyimide film, an aramid film, a poly (p-phenylenebenzobisoxazole) film, a wholly aromatic polyester-based liquid crystal polymer film, and the like. The adhesive layer 102 can be selected from, for example, epoxy-based, modified polyimide-based, and silicon-based adhesives. Regardless of the type of adhesive, the adhesive is kept in a semi-cured state in order to secure the embedding property of the wiring layer 107 during the heating and pressurizing described later.
【００２３】フィルム１０１の具体例を挙げる。ポリイ
ミドフィルムからなるフィルム１０１としては、例え
ば、”カプトン”（東レ・デュポン商標）、”ユーピレ
ックス”（宇部興産商標）、”アピカル”（鐘淵化学商
標）、がある。これらは商品種類を変更することによっ
て吸水性能が選択でき、低吸水のものも得ることができ
る。A specific example of the film 101 will be described. Examples of the film 101 made of a polyimide film include “Kapton” (trademark of Du Pont-Toray), “Upilex” (trademark of Ube Industries), and “Apical” (trademark of Kanebuchi Chemical). The water absorption performance can be selected by changing the product type, and those having low water absorption can be obtained.
【００２４】アラミドフィルムからなるフィルム１０１
としては、例えば、”アラミカ”（旭化成商標）、”ミ
クトロン”（東レ商標）、テクノーラ（帝人商標）があ
る。これらは、ポリイミドフィルムと比較して剛性が高
く、延びにくい。Film 101 made of aramid film
For example, there are "Aramika" (trade name of Asahi Kasei), "Mictron" (trade name of Toray), and Technora (trade name of Teijin). These have higher rigidity than the polyimide film, and are hardly extended.
【００２５】ポリ（ｐ−フェニレンベンゾビスオキサゾ
ール）フィルムからなるフィルム１０１としては、例え
ば、”ザイロン”（東洋紡績商標）がある。これは、耐
熱性、高弾性、低吸水である。As the film 101 made of a poly (p-phenylene benzobisoxazole) film, for example, there is "Zylon" (trade name of Toyobo Co., Ltd.). It is heat resistant, highly elastic and low water absorption.
【００２６】全芳香族ポリエステル系液晶ポリマーフィ
ルムからなるフィルム１０１としては、例えば、”ベク
トラ”（ポリプラスチック商標）がある。これは、前述
のフィルムに比べて耐熱性には劣るが、低吸水で誘電特
性に優れる。As the film 101 made of a wholly aromatic polyester-based liquid crystal polymer film, for example, there is "VECTRA" (trade name of polyplastic). This is inferior in heat resistance to the above-mentioned film, but is excellent in dielectric properties with low water absorption.
【００２７】この具体例では、フィルム１０１として、
厚さ１２．５μｍの”ユーピレックス”フィルムを、接
着剤層１０２として、変性ポリイミド系接着剤をそれぞ
れ用いる。変性ポリイミド系樹脂は、パターン埋め込み
性を確保するために塗布後乾燥させて、半硬化状態にす
る。この接着剤層１０２の厚さは、片側５μｍずつとす
る。In this specific example, as the film 101,
A 12.5 μm-thick “UPILEX” film is used as the adhesive layer 102, and a modified polyimide-based adhesive is used. The modified polyimide resin is dried after application in order to secure the pattern embedding property, so as to be in a semi-cured state. The thickness of the adhesive layer 102 is 5 μm on each side.
【００２８】次に図１Ｂに示すように、接着剤層１０２
を有するフィルム１０１の両面に離型性マスクフィルム
１０３を形成する。ここで、マスクフィルム１０３が有
する剥離性とは、基材としてのフィルム１０１からマス
クフィルム１０３を剥離する際に破断することなくマス
クフィルム１０３を剥離できる程度の剥離性をいう。Next, as shown in FIG. 1B, the adhesive layer 102
The release mask film 103 is formed on both surfaces of the film 101 having the above. Here, the releasability of the mask film 103 refers to a releasability to the extent that the mask film 103 can be peeled without breaking when the mask film 103 is peeled from the film 101 as a base material.
【００２９】マスクフィルム１０３としては、紫外線領
域以下の波長のレーザー光、この具体例では、４００ｎ
ｍ以下の波長のレーザー光を吸収するフィルムを用い
る。このようなフィルムとしては、例えば、ポリエチレ
ンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミドフィルム、ポリ
イミドフィルム等がある。As the mask film 103, a laser beam having a wavelength equal to or less than the ultraviolet region, in this specific example, 400 nm
A film that absorbs laser light having a wavelength of m or less is used. Examples of such a film include polyethylene naphthalate (PEN), a polyamide film, and a polyimide film.
【００３０】あるいは前記フィルム材料以外でも、紫外
線吸収剤を添加して構成されたフィルムを使用すること
もできる。この紫外線吸収剤としては、ベンゾトリアゾ
ール類やベンゾフェノン類などをはじめとする公知の紫
外線吸収剤を用いることができる。Alternatively, other than the above-mentioned film materials, a film formed by adding an ultraviolet absorber may be used. Known UV absorbers such as benzotriazoles and benzophenones can be used as the UV absorber.
【００３１】ベンゾトリアゾール類からなる紫外線吸収
剤としては、例えば、２−（２’−ヒドロキシ−５’−
メチルフェニル）−ベンゾトリアゾール、２−（２’−
ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフ
ェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、６−（２−
ベンゾトリアゾリル）−４−ｔ−オクチル−６’−ｔ−
ブチル−４’−メチル−２，２’−メチレンビスフェノ
ール等がある。As the ultraviolet absorber composed of benzotriazoles, for example, 2- (2′-hydroxy-5′-)
Methylphenyl) -benzotriazole, 2- (2′-
(Hydroxy-3′-tert-butyl-5′-methylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 6- (2-
Benzotriazolyl) -4-t-octyl-6'-t-
Butyl-4'-methyl-2,2'-methylenebisphenol and the like.
【００３２】ベンゾフェノン類からなる紫外線吸収剤と
しては、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキ
シ−ベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒド
ロキシ−ベンゾフェノン等がある。Examples of the ultraviolet absorbent comprising benzophenones include 2,2'-dihydroxy-4,4'-dimethoxy-benzophenone and 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxy-benzophenone.
【００３３】また、必要に応じてマスクフィルム１０３
には、フィルム１０１に接着される側にシリコーン系の
離型層を設ける。If necessary, a mask film 103 may be used.
Is provided with a silicone release layer on the side to be bonded to the film 101.
【００３４】この具体例では、マスクフィルム１０３と
して、厚さ９μｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）フィルムを用いる。In this example, the mask film 103 is made of polyethylene naphthalate (PE) having a thickness of 9 μm.
N) Use a film.
【００３５】接着剤層１０２を有するフィルム１０１に
マスクフィルム１０３を貼り付ける方法には、ラミネー
ト法やプレス法がある。この具体例では、ラミネート法
を用いる。ラミネートは、１３０℃程度の温度で行う。
これにより接着剤層１０２の表面がわずかに溶融してマ
スクフィルム１０３を貼り付けることができる。A method of attaching the mask film 103 to the film 101 having the adhesive layer 102 includes a laminating method and a pressing method. In this specific example, a lamination method is used. Lamination is performed at a temperature of about 130 ° C.
Thereby, the surface of the adhesive layer 102 is slightly melted, and the mask film 103 can be attached.
【００３６】次に図１Ｃに示すように、両面にマスクフ
ィルム１０３と接着剤層１０２とを有するフィルム１０
１にレーザー加工法により貫通孔１０４を形成する。こ
の具体例では、レーザー加工に用いるレーザ光としてレ
ーザー光のスポットを絞り易い短波長レーザーを用い
る。具体的には、紫外線領域以下である波長３５１ｎｍ
のレーザー光を照射する３倍高調波ＹＡＧ固体レーザー
を用いる。Next, as shown in FIG. 1C, a film 10 having a mask film 103 and an adhesive layer 102 on both sides.
1, a through hole 104 is formed by a laser processing method. In this specific example, a short-wavelength laser that easily narrows the spot of the laser light is used as the laser light used for the laser processing. Specifically, a wavelength of 35 1 nm which is equal to or less than an ultraviolet region.
A 3rd harmonic YAG solid-state laser that irradiates the laser light of is used.
【００３７】接着剤層１０２およびフィルム１０１は、
紫外線領域の波長のレーザー光を吸収する特性がある。
また、マスクフィルム１０３は、４００ｎｍ以下の波長
のレーザー光を吸収する特性がある。そのため、波長３
５１ｎｍの３倍高調波ＹＡＧ固体レーザーを用いて貫通
孔１０４を形成することで、φ５０μｍといった微細な
貫通孔１０４を形成精度高く形成できる。The adhesive layer 102 and the film 101
It has the property of absorbing laser light having a wavelength in the ultraviolet region.
Further, the mask film 103 has a property of absorbing laser light having a wavelength of 400 nm or less. Therefore, the wavelength 3
By forming the through-hole 104 using a third harmonic YAG solid-state laser of 51 nm, a fine through-hole 104 having a diameter of 50 μm can be formed with high precision.
【００３８】次に図１Ｄに示すように、貫通孔１０４に
導電ペースト１０５を充填する。この具体例では、スク
リーン印刷機により、導電ペースト１０５をマスクフィ
ルム１０３上から直接的に印刷することで充填する。こ
の際、印刷面の反対側より和紙等の多孔質シート（図示
省略）を介して真空吸着することで、貫通孔１０４内の
導電性ペースト１０５中の樹脂成分を吸い取る。これに
より、導体成分の割合を増加させてさらに緻密に充填す
る。Next, as shown in FIG. 1D, the through-hole 104 is filled with a conductive paste 105. In this specific example, the conductive paste 105 is filled by directly printing from above the mask film 103 using a screen printing machine. At this time, the resin component in the conductive paste 105 in the through hole 104 is sucked by vacuum suction from a side opposite to the printing surface through a porous sheet (not shown) such as Japanese paper. As a result, the ratio of the conductor component is increased to more densely fill.
【００３９】このような工程を実施するに際して、マス
クフィルム１０３は、印刷マスクの役割と接着剤層１０
２表面の汚染防止の役割とを果たす。In carrying out such a process, the mask film 103 functions as a printing mask and the adhesive layer 10.
(2) It plays a role of preventing contamination of the surface.
【００４０】次に図１Ｅに示すように、マスクフィルム
１０３をフィルム１０１の両面より剥離する。この時、
貫通孔１０４がφ５０μｍと微細であるために、剥離の
際において孔端部の影響が無視できない。すなわち、貫
通孔１０４内の導電ペースト１０５は、マスクフィルム
１０３とともに多少とも剥ぎ取られてしまう。そして、
貫通孔１０４の口径が微細であるために、その際のペー
スト搾取量は相対的にみて無視できない量となってしま
う。Next, as shown in FIG. 1E, the mask film 103 is peeled off from both sides of the film 101. At this time,
Since the through-hole 104 is as fine as φ50 μm, the influence of the end of the hole upon peeling cannot be ignored. That is, the conductive paste 105 in the through hole 104 is peeled off together with the mask film 103 to some extent. And
Since the diameter of the through-hole 104 is very small, the amount of paste squeezed out at that time is relatively large and cannot be ignored.
【００４１】この時、導電ペースト１０５の残存形状は
様々な形態となるが、接着剤層１０２の表面より下にえ
ぐられることはない。最悪でも接着剤層１０２と面一の
状態になる。このようなマスクフィルム１０３の剥離に
よって導電ペースト１０５が取られる現象（以下、”ペ
ースト取られ現象”と称する）は、貫通孔の孔径が１０
０μｍ以下から顕著になる。At this time, the remaining shape of the conductive paste 105 has various forms, but is not caught below the surface of the adhesive layer 102. At worst, it is flush with the adhesive layer 102. A phenomenon in which the conductive paste 105 is removed by the peeling of the mask film 103 (hereinafter, referred to as a “paste removal phenomenon”) occurs when the diameter of the through-hole is 10 mm.
It becomes remarkable from 0 μm or less.
【００４２】また、図１Ｅにおいて、マスクフィルム１
０３を剥離した後のフィルム１０１の寸法変化は、６０
ｍｍの基準間隔で５０〜８０μｍであった。Further, in FIG. 1E, the mask film 1
03 was peeled off, the dimensional change of the film 101 was 60
It was 50 to 80 μm at a standard interval of mm.
【００４３】次に図１Ｆに示すように、支持基材１０６
により支持された配線層１０７と、銅箔１０８とをフィ
ルム１０１の両面にそれぞれ重ね合わせる。その際、少
なくとも導電ペースト１０５が充填された貫通孔１０４
の直上に配線層１０７がくるように両者を重ね合わせ
る。そして、重ね合わせた両者を加熱加圧する。加熱加
圧は例えば、真空プレスにより行う。Next, as shown in FIG.
The wiring layer 107 supported by the above and the copper foil 108 are overlaid on both surfaces of the film 101, respectively. At this time, at least the through hole 104 filled with the conductive paste 105
Are superimposed so that the wiring layer 107 comes directly above the wiring layer 107. Then, the superposed two are heated and pressed. The heating and pressurization is performed by, for example, a vacuum press.
【００４４】この加熱加圧により、図１Ｇに示すよう
に、接着剤層１０２は流動し、配線層１０７は接着剤層
１０２内に埋め込まれる。このように配線層１０７が接
着剤層１０２に埋め込まれることにより、貫通孔１０４
内の導電ペースト１０５が圧縮され、導電ペースト１０
５内の樹脂成分が接着剤層１０２に流れ出して導電ペー
スト１０５中の導体成分が緻密化される。これにより、
フィルム１０１表裏の配線層１０７と銅箔１０８とが導
電ペースト１０５を介して電気的に接続される。その
後、接着剤層１０２と導電ペースト１０５とは硬化す
る。By this heating and pressing, as shown in FIG. 1G, the adhesive layer 102 flows, and the wiring layer 107 is embedded in the adhesive layer 102. By embedding the wiring layer 107 in the adhesive layer 102 in this manner, the through hole 104 is formed.
The conductive paste 105 in the inside is compressed, and the conductive paste 10
The resin component in 5 flows into the adhesive layer 102, and the conductor component in the conductive paste 105 is densified. This allows
The wiring layers 107 on the front and back of the film 101 and the copper foil 108 are electrically connected via the conductive paste 105. Thereafter, the adhesive layer 102 and the conductive paste 105 are cured.
【００４５】次に図１Ｈに示すように、フォトリソエッ
チング法により銅箔１０８を所望の配線形状にパターニ
ングする。この具体例では、銅箔１０８には、厚さ９μ
ｍのものを用いる。Next, as shown in FIG. 1H, the copper foil 108 is patterned into a desired wiring shape by a photolithographic etching method. In this specific example, the copper foil 108 has a thickness of 9 μm.
m.
【００４６】最後に図１Ｉに示すように、接着剤層１０
２に埋め込まれた配線層１０７を残して支持基材１０６
を除去する。これにより両面配線基板が完成する。この
具体例では、支持基材１０６にアルミ箔を用い、配線層
１０７には厚さ９μｍの銅箔（パターニング済み）を用
いる。Finally, as shown in FIG. 1I, the adhesive layer 10
2 while leaving the wiring layer 107 embedded in the support substrate 106
Is removed. Thereby, the double-sided wiring board is completed. In this specific example, an aluminum foil is used for the support base material 106, and a 9 μm-thick copper foil (patterned) is used for the wiring layer 107.
【００４７】支持基材１０６の除去は、アルミ箔と銅箔
の選択エッチングにより、支持基材１０６を溶解除去す
ることにより実施する。この方法以外にも支持基材１０
６と配線層１０７との間に発泡剥離シートを設け、加熱
により支持基材１０６を剥離する方法もある。この場
合、支持基材１０６はアルミ箔に限定されず、銅、ステ
ンレス等の金属箔、金属板を使用することができる。The removal of the support base 106 is performed by dissolving and removing the support base 106 by selective etching of an aluminum foil and a copper foil. In addition to this method, the supporting substrate 10
There is also a method in which a foamed release sheet is provided between the substrate 6 and the wiring layer 107, and the support base material 106 is released by heating. In this case, the supporting base material 106 is not limited to an aluminum foil, but may be a metal foil such as copper or stainless steel, or a metal plate.
【００４８】また、この具体例では、図１Ａ〜図１Ｈの
工程により作製した製造物を、図１Ｆにおける支持基材
１０６で支持された配線層１０７として扱い、図１Ｆ〜
図１Ｈの工程を繰り返すことにより多層配線板を形成す
ることができる。In this specific example, the product manufactured by the steps of FIGS. 1A to 1H is treated as the wiring layer 107 supported by the support base 106 in FIG.
By repeating the process of FIG. 1H, a multilayer wiring board can be formed.
【００４９】この具体例によれば、紫外線領域以下の波
長の短いレーザー光を照射するＹＡＧ固体レーザーを用
いて孔加工を行うので、例えば５０μｍといった微細な
貫通孔１０４を形成することができ、微細なビアを有す
る高密度な回路基板を実現できる。According to this specific example, since the hole processing is performed by using the YAG solid-state laser that irradiates a short laser beam having a wavelength equal to or less than the ultraviolet region, a fine through hole 104 having a size of, for example, 50 μm can be formed. A high-density circuit board having various vias can be realized.
【００５０】第２の好ましい具体例 図２は本発明の第２の好ましい具体例における回路基板
の製造方法を示す工程断面図である。 Second Preferred Embodiment FIG. 2 is a process sectional view showing a method of manufacturing a circuit board according to a second preferred embodiment of the present invention.
【００５１】先ず図２Ａに示すように、圧縮性を有する
多孔質絶縁基材２０１の両面に離型性マスクフィルム２
０２を形成する。多孔質絶縁基材２０１は、例えば、次
のようにして作製する。すなわち、有機繊維を用いた不
織布に熱硬化性樹脂を含浸させる。これにより、内部に
空孔があって圧縮性を発揮する多孔質絶縁基材２０１を
作製する。この時含浸させる熱硬化性樹脂は半硬化状態
にしておく。また、有機繊維としては、例えば、芳香族
ポリアミド繊維、ポリ（ｐ−フェニレンベンゾビスオキ
サゾール）繊維、ポリベンズイミダゾール繊維等公知の
耐熱繊維を用いることができる。また、熱硬化性樹脂と
しては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェ
ノール樹脂、フッ素樹脂、またはシアネートエステル樹
脂等を用いることができる。First, as shown in FIG. 2A, a releasable mask film 2 is formed on both sides of a porous insulating substrate 201 having compressibility.
02 is formed. The porous insulating substrate 201 is produced, for example, as follows. That is, a thermosetting resin is impregnated in a nonwoven fabric using organic fibers. As a result, the porous insulating base material 201 having pores therein and exhibiting compressibility is manufactured. At this time, the thermosetting resin to be impregnated is kept in a semi-cured state. In addition, as the organic fiber, for example, a known heat-resistant fiber such as an aromatic polyamide fiber, a poly (p-phenylenebenzobisoxazole) fiber, and a polybenzimidazole fiber can be used. In addition, as the thermosetting resin, for example, an epoxy resin, a polyimide resin, a phenol resin, a fluororesin, a cyanate ester resin, or the like can be used.
【００５２】この具体例では、多孔質絶縁基材２０１と
して、芳香族ポリアミド繊維を用いた不織布にエポキシ
樹脂を含浸させたものを用いる。また、多孔質絶縁基材
２０１の厚さは１２０μｍとする。In this specific example, a non-woven fabric using aromatic polyamide fibers impregnated with epoxy resin is used as the porous insulating substrate 201. The thickness of the porous insulating substrate 201 is set to 120 μm.
【００５３】マスクフィルム２０２としては、紫外線領
域以下である４００ｎｍ以下の波長のレーザー光を吸収
するフィルムを用いる。このようなフィルムとしては、
例えばポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミ
ドフィルム、ポリイミドフィルム等がある。As the mask film 202, a film that absorbs laser light having a wavelength of 400 nm or less, which is equal to or less than the ultraviolet region, is used. As such a film,
For example, there are polyethylene naphthalate (PEN), polyamide film, polyimide film and the like.
【００５４】あるいは、前記フィルム材料以外でも、紫
外線吸収剤を添加して構成したフィルム材料を使用する
こともできる。紫外線吸収剤として、第１の具体例に示
した紫外線吸収剤を用いることができる。また、必要に
応じてマスクフィルム２０２には、シリコーン系の離型
層を設けることができる。Alternatively, other than the above-mentioned film material, a film material formed by adding an ultraviolet absorber may be used. As the ultraviolet absorber, the ultraviolet absorber shown in the first specific example can be used. Further, a silicone-based release layer can be provided on the mask film 202 as needed.
【００５５】この具体例では、マスクフィルム２０２
に、厚さ９μｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）
フィルムを用いる。このマスクフィルム２０２を、多孔
質絶縁基材２０１の両面に形成する方法には、ラミネー
ト法やプレス法がある。この具体例では、ラミネート法
を用いる。ラミネートは、１２０℃程度の温度で行う。
これにより多孔質絶縁基材２０１の表面がわずかに溶融
してマスクフィルム２０２を貼り付けることができる。In this specific example, the mask film 202
And 9 μm thick polyethylene naphthalate (PEN)
Use a film. As a method of forming the mask film 202 on both surfaces of the porous insulating substrate 201, there are a laminating method and a pressing method. In this specific example, a lamination method is used. Lamination is performed at a temperature of about 120 ° C.
Thereby, the surface of the porous insulating substrate 201 is slightly melted, and the mask film 202 can be attached.
【００５６】次に図２Ｂに示すように、マスクフィルム
２０２を設けた多孔質絶縁基材２０１にレーザー加工法
によって貫通孔２０３を形成する。この際、上述した第
１の具体例と同様に、波長３５１ｎｍのレーザー光を照
射する３倍高調波ＹＡＧ固体レーザーを用いて貫通孔２
０３を形成する。Next, as shown in FIG. 2B, through holes 203 are formed in the porous insulating substrate 201 provided with the mask film 202 by a laser processing method. At this time, similarly to the first specific example described above, the third through-hole YAG solid-state laser irradiating a laser beam with a wavelength of 351 nm is used.
03 is formed.
【００５７】多孔質絶縁基材２０１は、紫外線領域の波
長のレーザー光を吸収する特性があり、マスクフィルム
２０２も、上述のように４００ｎｍ以下の波長のレーザ
ー光を吸収する特性がある。そのため、貫通孔２０３
は、波長３５１ｎｍのレーザ光を照射する３倍高調波Ｙ
ＡＧ固体レーザーを用いて形成することができる。この
具体例では、上記レーザー光を用いて直径１００μｍの
貫通孔２０３を形成する。The porous insulating substrate 201 has a property of absorbing laser light having a wavelength in the ultraviolet region, and the mask film 202 has a property of absorbing laser light having a wavelength of 400 nm or less as described above. Therefore, the through hole 203
Is a third harmonic Y for irradiating a laser beam having a wavelength of 351 nm.
It can be formed using an AG solid-state laser. In this specific example, a through hole 203 having a diameter of 100 μm is formed using the laser light.
【００５８】次に図２Ｃに示すように、貫通孔２０３に
導電ペースト２０４を充填する。この具体例では、スク
リーン印刷機により、導電ペースト２０４をマスクフィ
ルム２０２上から直接的に印刷する。この際、印刷面と
反対側より和紙等の多孔質シート（図示省略）を介して
真空吸着することにより、貫通孔２０３内の導電性ペー
スト２０４中の樹脂成分を吸い取る。これにより、導体
成分の割合を増加させてさらに緻密に充填する。Next, as shown in FIG. 2C, the conductive paste 204 is filled in the through holes 203. In this specific example, the conductive paste 204 is printed directly on the mask film 202 by a screen printer. At this time, the resin component in the conductive paste 204 in the through hole 203 is sucked by vacuum suction from a side opposite to the printing surface via a porous sheet (not shown) such as Japanese paper. As a result, the ratio of the conductor component is increased to more densely fill.
【００５９】このような工程を実施するに際して、マス
クフィルム２０２は、印刷マスクの役割と多孔質絶縁基
材２０１表面の汚染防止の役割とを果たす。In carrying out such a process, the mask film 202 plays a role of a printing mask and a role of preventing contamination of the surface of the porous insulating substrate 201.
【００６０】次に図２Ｄに示すように、マスクフィルム
２０２を多孔質絶縁基材２０１の両面より剥離する。こ
の時、貫通孔２０３の孔径は１００μｍなので第１の具
体例で説明した”ペースト取られ現象”はあまり生じな
い。この時、マスクフィルム２０２を剥離した後の多孔
質絶縁基材２０１の寸法変化は、６０ｍｍの基準間隔で
３０〜５０μｍであった。Next, as shown in FIG. 2D, the mask film 202 is peeled off from both sides of the porous insulating substrate 201. At this time, since the hole diameter of the through hole 203 is 100 μm, the “paste removal phenomenon” described in the first specific example does not occur much. At this time, the dimensional change of the porous insulating substrate 201 after peeling off the mask film 202 was 30 to 50 μm at a reference interval of 60 mm.
【００６１】次に図２Ｅに示すように、銅箔２０５を多
孔質絶縁基材２０１の両面に重ね合わせる。そして重ね
合わせた両者を加熱加圧する。加熱加圧は例えば真空プ
レスにより行う。Next, as shown in FIG. 2E, a copper foil 205 is overlaid on both surfaces of the porous insulating substrate 201. Then, the superposed two are heated and pressed. The heating and pressurization is performed by, for example, a vacuum press.
【００６２】この加熱加圧により、図２Ｆに示すよう
に、貫通孔２０３内の導電ペースト２０４は圧縮され、
導電ペースト２０４内の樹脂成分は多孔質絶縁基材２０
１に流れ出る。これにより、導電ペースト２０４中の導
体成分は緻密化され、多孔質絶縁基材２０１表裏の銅箔
２０５どうしが、導電ペースト２０４を介して電気的に
接続される。その後、多孔質絶縁基材２０１と導電ペー
スト２０４とは硬化する。By this heating and pressing, as shown in FIG. 2F, the conductive paste 204 in the through hole 203 is compressed,
The resin component in the conductive paste 204 is the porous insulating substrate 20
Runs into one. Thereby, the conductor component in the conductive paste 204 is densified, and the copper foils 205 on the front and back of the porous insulating base material 201 are electrically connected via the conductive paste 204. Thereafter, the porous insulating substrate 201 and the conductive paste 204 are cured.
【００６３】次に図２Ｇに示すように、フォトリソエッ
チング法により銅箔２０５を所望の配線形状にパターニ
ングする。この具体例では、銅箔２０５には、厚さ１８
μｍのものを用いる。このようにして両面に配線を有す
る回路基板が完成する。Next, as shown in FIG. 2G, the copper foil 205 is patterned into a desired wiring shape by a photolithographic etching method. In this specific example, the copper foil 205 has a thickness of 18
μm is used. Thus, a circuit board having wiring on both sides is completed.
【００６４】また、第２の具体例では、図２Ａ〜図２Ｇ
の工程により作製した回路基板を、図２Ｅにおける片側
の銅箔２０５として扱い、図２Ｅ〜図２Ｇの工程を繰り
返すことにより多層配線板を形成することができる。In the second specific example, FIGS. 2A to 2G
2E is treated as the copper foil 205 on one side in FIG. 2E, and the steps of FIGS. 2E to 2G are repeated to form a multilayer wiring board.
【００６５】第３の好ましい具体例 図３は本発明の第３の好ましい具体例における回路基板
の製造方法を示す工程断面図である。 Third Preferred Embodiment FIG. 3 is a process sectional view showing a method of manufacturing a circuit board according to a third preferred embodiment of the present invention.
【００６６】先ず図３Ａに示すように、両面に接着剤層
３０２を有する電気絶縁性フィルム３０１を準備する。
フィルム３０１および接着剤層３０２としては、第１の
具体例に示したものを使用することができる。この具体
例ではフィルム３０１として、厚さ１２．５μｍの”ユ
ーピレックス”フィルムを、接着剤層３０２として、変
性ポリイミド系接着剤を用いる。First, as shown in FIG. 3A, an electrically insulating film 301 having an adhesive layer 302 on both sides is prepared.
As the film 301 and the adhesive layer 302, those shown in the first specific example can be used. In this example, a 12.5 μm-thick “Upilex” film is used as the film 301, and a modified polyimide-based adhesive is used as the adhesive layer 302.
【００６７】接着剤層３０２は、配線パターンの埋め込
み性を確保するために塗布後乾燥し、半硬化状態にし
た。接着剤層３０２の厚さは片側５μｍずつとした。The adhesive layer 302 was applied and dried to secure the embedding property of the wiring pattern, and then dried to be in a semi-cured state. The thickness of the adhesive layer 302 was 5 μm on each side.
【００６８】次に図３Ｂに示すように、フィルム３０１
の両面に離型性マスクフィルム３０３を形成する。マス
クフィルム３０３は、樹脂ワニス３０４を塗布、乾燥す
る方法により形成する。樹脂ワニス３０４は、少なくと
もマスクフィルム３０３の主成分となる樹脂、紫外線吸
収剤、および溶剤から構成される。マスクフィルム３０
３の主成分となる樹脂としては、例えば、ニトロセルロ
ース、アセチルセルロース、セルロースアセテート、セ
ルロースプロピオネート、エチルセルロース等のセルロ
ース誘導体を用いることができる。Next, as shown in FIG.
The release mask film 303 is formed on both sides of the substrate. The mask film 303 is formed by a method of applying and drying a resin varnish 304. The resin varnish 304 is composed of at least a resin that is a main component of the mask film 303, an ultraviolet absorber, and a solvent. Mask film 30
As the resin that is the main component of 3, for example, cellulose derivatives such as nitrocellulose, acetylcellulose, cellulose acetate, cellulose propionate, and ethylcellulose can be used.
【００６９】セルロース誘導体を主成分としてマスクフ
ィルム３０３を形成する場合には、第１の具体例で説明
した紫外線吸収剤を添加することで、紫外線領域以下で
ある４００ｎｍ以下の波長の短波長レーザーで孔加工を
行えるようにする。また、樹脂ワニス３０４を構成する
溶剤には、マスクフィルム３０３を構成する主成分およ
び紫外線吸収剤を溶解し、かつ接着剤層３０２を浸食し
ない溶剤が選択される。上記の材料をワニス化するに
は、ボールミル、サンドミル等のメディアを用いた分散
装置や、加圧ニーダー、プラネタリミキサー等の混練装
置やディスパー等の攪拌装置を適宜組み合わせて用いる
ことができる。また、樹脂ワニス３０４の濃度や粘度
は、塗布手段に応じて決定することができる。When the mask film 303 is formed using a cellulose derivative as a main component, a short-wavelength laser having a wavelength of 400 nm or less, which is in the ultraviolet region or less, can be obtained by adding the ultraviolet absorber described in the first specific example. Enables drilling. In addition, as the solvent constituting the resin varnish 304, a solvent that dissolves the main component and the ultraviolet absorber constituting the mask film 303 and does not erode the adhesive layer 302 is selected. In order to make the above material into a varnish, a dispersing device using a medium such as a ball mill and a sand mill, a kneading device such as a pressure kneader and a planetary mixer, and a stirring device such as a disper can be used in appropriate combination. Further, the concentration and viscosity of the resin varnish 304 can be determined according to the application unit.
【００７０】樹脂ワニス３０４をフィルム３０１に塗布
する方法は特に制限がなく、静電塗装法、ディップコー
ト法、スプレーコート法、ロールコート法、ドクターブ
レード法、グラビアコート法、ダイコート法、スクリー
ン印刷法など公知の方法を用いることができる。The method of applying the resin varnish 304 to the film 301 is not particularly limited, and includes an electrostatic coating method, a dip coating method, a spray coating method, a roll coating method, a doctor blade method, a gravure coating method, a die coating method, and a screen printing method. For example, a known method can be used.
【００７１】この具体例では、以下の組成の材料を混
合、分散して樹脂ワニス３０４を作製する。In this example, a resin varnish 304 is prepared by mixing and dispersing materials having the following compositions.
【００７２】 エチルセルロース（商品名エトセルＳＴＤ１００：ダウケミカル社製） １００重量部 紫外線吸収剤（ＪＦ−７７:城北化学工業製） １重量部 トルエン ４５０重量部 エタノール ４５０重量部 フィルム３０１の両面に接着剤層３０２を形成したの
ち、フィルム３０４に樹脂ワニス３０４を塗布すること
でマスクフィルム３０３を形成する。樹脂ワニス３０４
の塗布は、ダイノズル３０５を用いたダイコート法によ
り行う。このようにして形成したのち乾燥させたマスク
フィルム３０３の厚さを１０μｍにする。乾燥は、溶剤
を飛ばすに必要な温度、例えば１００°Ｃ程度で行う。
なお、この具体例の紫外線吸収剤（ＪＦ−７７ 城北化
学工業製）は、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチル
フェニル）−ベンゾトリアゾールを主成分として構成さ
れている。Ethylcellulose (trade name: Ethocel STD100: manufactured by Dow Chemical Company) 100 parts by weight UV absorber (JF-77: manufactured by Johoku Chemical Co., Ltd.) 1 part by weight Toluene 450 parts by weight Ethanol 450 parts by weight Adhesive layers on both sides of film 301 After forming the film 302, a resin varnish 304 is applied to the film 304 to form a mask film 303. Resin varnish 304
Is applied by a die coating method using a die nozzle 305. The thickness of the thus formed and dried mask film 303 is reduced to 10 μm. The drying is performed at a temperature required to remove the solvent, for example, about 100 ° C.
The ultraviolet absorber (JF-77, Johoku Chemical Co., Ltd.) of this specific example is mainly composed of 2- (2′-hydroxy-5′-methylphenyl) -benzotriazole.
【００７３】次に図３Ｃに示すように、両面にマスクフ
ィルム３０３と接着剤層３０２を有するフィルム３０１
に貫通孔３０６を形成する。貫通孔３０６はレーザー加
工法により形成する。Next, as shown in FIG. 3C, a film 301 having a mask film 303 and an adhesive layer 302 on both sides.
, A through hole 306 is formed. The through holes 306 are formed by a laser processing method.
【００７４】この具体例では、微細な孔加工を行うため
に、上述の第１の具体例と同様に、紫外線領域以下であ
る波長３５１ｎｍのレーザ光を照射する３倍高調波ＹＡ
Ｇ固体レーザーを用いる。接着剤層３０２およびフィル
ム３０１は、紫外線領域の波長のレーザー光を吸収する
特性があり、マスクフィルム３０３も、上述のように４
００ｎｍ以下の波長のレーザー光を吸収する特性があ
る。そのため、波長３５１ｎｍのレーザー光を照射する
３倍高調波ＹＡＧ固体レーザーを用いて貫通孔３０６を
形成する。この具体例では、このような方法により、直
径５０μｍの貫通孔３０６を形成する。In this specific example, in order to perform fine hole processing, similarly to the first specific example described above, the third harmonic YA which irradiates a laser beam having a wavelength of 351 nm which is equal to or less than the ultraviolet region is used.
A G solid laser is used. The adhesive layer 302 and the film 301 have a property of absorbing laser light having a wavelength in the ultraviolet region, and the mask film 303 also has a property of 4 as described above.
There is a property of absorbing laser light having a wavelength of 00 nm or less. Therefore, the through-hole 306 is formed using a third harmonic YAG solid-state laser that irradiates a laser beam having a wavelength of 351 nm. In this specific example, a through hole 306 having a diameter of 50 μm is formed by such a method.
【００７５】次に図３Ｄに示すように、貫通孔３０６に
導電ペースト３０７を充填する。この具体例では、スク
リーン印刷機により、導電ペースト３０７をマスクフィ
ルム３０３上から印刷することで充填する。この際、印
刷面と反対側より和紙等の多孔質シートを介して真空吸
着することにより、貫通孔３０６内の導電性ペースト３
０７中の樹脂成分を吸い取る。これにより、導体成分の
割合を増加させてさらに緻密に充填する。Next, as shown in FIG. 3D, the conductive paste 307 is filled in the through holes 306. In this specific example, the conductive paste 307 is filled by printing from above the mask film 303 with a screen printing machine. At this time, the conductive paste 3 in the through-hole 306 is vacuum-adsorbed from the side opposite to the printing surface via a porous sheet such as Japanese paper.
07 is absorbed. As a result, the ratio of the conductor component is increased to more densely fill.
【００７６】このような工程を実施するに際して、マス
クフィルム３０３は印刷マスクの役割と接着剤層３０２
表面の汚染防止の役割を果たす。In carrying out such a process, the mask film 303 serves as a print mask and the adhesive layer 302.
Plays a role in preventing surface contamination.
【００７７】次に図３Ｅに示すように、マスクフィルム
３０３をフィルム３０１の両面より剥離する。この時、
貫通孔３０６がφ５０μｍと微細であるために端部の影
響が無視できず、第１の具体例で説明した”ペースト取
られ現象”が生じる。Next, as shown in FIG. 3E, the mask film 303 is peeled off from both sides of the film 301. At this time,
Since the through-hole 306 is as fine as 50 μm, the influence of the end cannot be ignored, and the “paste removal phenomenon” described in the first specific example occurs.
【００７８】また、図３Ｅにおいて、マスクフィルム３
０３を剥離した後のフィルム３０１の寸法変化は、６０
ｍｍの基準間隔で１０μｍ以内であった。In FIG. 3E, the mask film 3
03 was peeled off, the dimensional change of the film 301 was 60
It was within 10 μm at a reference interval of mm.
【００７９】ラミネート法によって、マスクフィルム１
０３を、フィルム１０１の両面に形成した第１の具体例
では、フィルム１０１の寸法変化は、６０ｍｍの基準間
隔で５０〜８０μｍであったのに対して、樹脂ワニス３
０４を塗布、乾燥してマスクフィルム３０３を形成する
この具体例では、ラミネート法のような残留歪の影響が
ほとんどなく、寸法精度が大幅に改善される。The mask film 1 was formed by the laminating method.
In the first specific example in which No. 03 was formed on both surfaces of the film 101, the dimensional change of the film 101 was 50 to 80 μm at a reference interval of 60 mm, whereas the resin varnish 3
In this specific example in which the mask film 303 is formed by applying and drying the film 04, there is almost no influence of residual strain unlike the lamination method, and the dimensional accuracy is greatly improved.
【００８０】次に図３Ｆに示すように、支持基材３０８
により支持された配線層３０９をと銅箔３１０とをフィ
ルム３０１の両面にそれぞれ重ね合わせる。その際、少
なくとも導電ペースト３０７が充填された貫通孔３０６
の直上に配線層３０９がくるように、両者を重ね合わせ
る。そして、重ね合わせた両者を加熱加圧する。加熱加
圧は例えば真空プレスにより行う。Next, as shown in FIG.
The wiring layer 309 supported by the above and the copper foil 310 are overlaid on both surfaces of the film 301, respectively. At this time, at least the through hole 306 filled with the conductive paste 307 is used.
Are superimposed so that the wiring layer 309 is directly above the substrate. Then, the superposed two are heated and pressed. The heating and pressurization is performed by, for example, a vacuum press.
【００８１】この加熱加圧により、図３Ｇに示すよう
に、接着剤層３０２は流動し、配線層３０９は接着剤層
３０２内に埋め込まれる。このように配線層３０９が接
着剤層３０１に埋め込まれることにより、貫通孔３０６
内の導電ペースト３０７が圧縮され、導電ペースト３０
７内の樹脂成分が接着剤層３０２に流れ出して導電ペー
スト３０７中の導体成分が緻密化される。これにより、
フィルム３０１表裏の配線層３０９と銅箔３１０とが導
電性ペースト３０７を介して電気的に接続される。その
後、接着剤層３０２と導電ペースト３０７とは硬化す
る。By the heating and pressing, as shown in FIG. 3G, the adhesive layer 302 flows, and the wiring layer 309 is embedded in the adhesive layer 302. By embedding the wiring layer 309 in the adhesive layer 301 in this manner, the through-hole 306 is formed.
The conductive paste 307 in the inside is compressed, and the conductive paste 30
7 flows out into the adhesive layer 302, and the conductor component in the conductive paste 307 is densified. This allows
The wiring layers 309 on the front and back of the film 301 and the copper foil 310 are electrically connected via the conductive paste 307. Thereafter, the adhesive layer 302 and the conductive paste 307 are cured.
【００８２】次に図３Ｈに示すように、銅箔３１０をフ
ォトリソエッチング法により所望の配線形状にパターニ
ングする。この具体例では、銅箔３１０には厚さ９μｍ
のものを用いる。Next, as shown in FIG. 3H, the copper foil 310 is patterned into a desired wiring shape by a photolithographic etching method. In this specific example, the copper foil 310 has a thickness of 9 μm.
Use
【００８３】最後に図３Ｉに示すように、接着剤層３０
２に埋め込まれた配線層３０９を残して支持基材３０８
を除去する。これにより両面に配線を有する回路基板が
完成する。この具体例では、支持基材３０８にアルミ箔
を用い、配線層３０９には厚さ９μｍの銅箔（パターニ
ング済み）を用いる。Finally, as shown in FIG.
2 while leaving the wiring layer 309 embedded in the support substrate 308
Is removed. Thus, a circuit board having wiring on both sides is completed. In this specific example, an aluminum foil is used for the support base material 308, and a 9 μm-thick copper foil (patterned) is used for the wiring layer 309.
【００８４】支持基材３０８の除去は、アルミ箔と銅箔
の選択エッチングにより、アルミ箔を溶解除去すること
により実施する。この方法以外にも支持基材３０８と配
線層３０９との間に発泡剥離シートを設け、加熱により
支持基材３０８を剥離する方法もある。この場合、支持
基材３０８はアルミ箔に限定されず、銅、ステンレス等
の金属箔、金属板を使用することができる。The removal of the supporting substrate 308 is carried out by dissolving and removing the aluminum foil by selective etching of the aluminum foil and the copper foil. In addition to this method, there is a method in which a foamed release sheet is provided between the support substrate 308 and the wiring layer 309, and the support substrate 308 is released by heating. In this case, the supporting base material 308 is not limited to an aluminum foil, but may be a metal foil such as copper or stainless steel, or a metal plate.
【００８５】また、この具体例では、図３Ａ〜図３Ｈの
工程により作製した製造物を、図３Ｆにおける、支持基
材３０８により支持された配線層３０９として扱い、図
３Ｆ〜図３Ｈの工程を繰り返すことにより多層配線板を
形成することができる。In this specific example, the product manufactured by the steps shown in FIGS. 3A to 3H is treated as the wiring layer 309 supported by the support base 308 in FIG. 3F, and the steps shown in FIGS. 3F to 3H are performed. By repeating, a multilayer wiring board can be formed.
【００８６】この具体例によれば、紫外線領域以下の波
長の短いレーザー光を照射するＹＡＧ固体レーザーを用
いて孔加工を行うので、例えば直径５０μｍといった微
細な貫通孔３０６を形成することができる。さらに、樹
脂ワニス３０４を塗布、乾燥してマスクフィルム３０３
を形成するので、ラミネート法によってマスクフィルム
を形成する場合に比べて、マスクフィルム剥離時の基材
の寸法変化を小さくできる。これらの理由によりより高
密度な回路基板を実現できる。According to this specific example, since the hole processing is performed by using the YAG solid-state laser that irradiates a short laser beam having a wavelength equal to or less than the ultraviolet region, a fine through hole 306 having a diameter of, for example, 50 μm can be formed. Further, a resin varnish 304 is applied and dried to form a mask film 303.
Is formed, the dimensional change of the substrate when the mask film is peeled off can be reduced as compared with the case where the mask film is formed by a laminating method. For these reasons, a higher density circuit board can be realized.
【００８７】第４の好ましい具体例 図４は本発明の第４の好ましい具体例における回路基板
の製造方法を示す工程断面図である。 Fourth Preferred Embodiment FIG. 4 is a process sectional view showing a method of manufacturing a circuit board according to a fourth preferred embodiment of the present invention.
【００８８】先ず、図４Ａに示すように圧縮性を有する
多孔質絶縁基材４０１の両面に離形性マスクフィルム４
０２を形成する。多孔質絶縁基材４０１としては、例え
ば、次のようにして作製する。すなわち、有機繊維を用
いた不織布に熱硬化性樹脂を含浸させる。これにより、
内部に空孔があって圧縮性を有する多孔質絶縁基材４０
４を作製する。この時含浸される熱硬化性樹脂は半硬化
状態にしておく。有機繊維および熱硬化性樹脂として
は、第２の具体例に示したものを使用することができ
る。First, as shown in FIG. 4A, a releasable mask film 4 is formed on both sides of a porous insulating base material 401 having compressibility.
02 is formed. The porous insulating substrate 401 is manufactured, for example, as follows. That is, a thermosetting resin is impregnated in a nonwoven fabric using organic fibers. This allows
Porous insulating base material 40 having pores therein and having compressibility
4 is produced. At this time, the thermosetting resin to be impregnated is kept in a semi-cured state. As the organic fiber and the thermosetting resin, those shown in the second specific example can be used.
【００８９】この具体例では、多孔質絶縁基材４０１と
して、芳香族ポリアミド繊維を用いた不織布にエポキシ
樹脂を含浸させたものを用いる。また、多孔質絶縁基材
４０１の厚さは１２０μｍとする。In this specific example, a non-woven fabric using aromatic polyamide fibers impregnated with an epoxy resin is used as the porous insulating substrate 401. The thickness of the porous insulating substrate 401 is 120 μm.
【００９０】マスクフィルム４０２は、多孔質絶縁基材
４０１の両面に、樹脂ワニス４０３を塗布、乾燥する方
法により形成する。樹脂ワニス４０３は、少なくともマ
スクフィルム４０２の主成分となる樹脂、紫外線吸収
剤、および溶剤から構成される。マスクフィルム４０２
の主成分となる樹脂には、ニトロセルロース、アセチル
セルロース、セルロースアセテート、セルロースプロピ
オネート、エチルセルロース等のセルロース誘導体を用
いることができる。The mask film 402 is formed by applying and drying a resin varnish 403 on both sides of the porous insulating base material 401. The resin varnish 403 is composed of at least a resin serving as a main component of the mask film 402, an ultraviolet absorber, and a solvent. Mask film 402
Cellulose derivatives such as nitrocellulose, acetylcellulose, cellulose acetate, cellulose propionate, and ethylcellulose can be used as the resin as the main component of the above.
【００９１】セルロース誘導体を主成分とするマスクフ
ィルム４０４を形成する場合には、第１の具体例で説明
した紫外線吸収剤を添加することで、紫外線領域以下で
ある４００ｎｍ以下の波長の短波長レーザーで孔加工を
行えるようにする。また、樹脂ワニス４０４を構成する
溶剤には、マスクフィルム４０３を構成する主成分およ
び紫外線吸収剤を溶解し、かつ多孔質絶縁基材４０１を
浸食しない溶剤が選択される。上記の材料をワニス化す
るには、ボールミル、サンドミル等のメディアを用いた
分散装置や、加圧ニーダー、プラネタリミキサー等の混
練装置やディスパー等の攪拌装置を適宜組み合わせて用
いることができる。また、樹脂ワニス４０３の濃度や粘
度は、塗布手段に応じて決定することができる。In the case of forming the mask film 404 containing a cellulose derivative as a main component, a short-wavelength laser having a wavelength of 400 nm or less, which is in the ultraviolet region or less, is added by adding the ultraviolet absorbent described in the first specific example. To enable drilling. Further, as the solvent constituting the resin varnish 404, a solvent that dissolves the main component and the ultraviolet absorbent constituting the mask film 403 and does not erode the porous insulating substrate 401 is selected. In order to make the above material into a varnish, a dispersing device using a medium such as a ball mill and a sand mill, a kneading device such as a pressure kneader and a planetary mixer, and a stirring device such as a disper can be used in appropriate combination. Further, the concentration and the viscosity of the resin varnish 403 can be determined according to the application unit.
【００９２】樹脂ワニス４０３を多孔質絶縁基材４０１
に塗布する方法は特に制限がなく、静電塗装法、ディッ
プコート法、スプレーコート法、ロールコート法、ドク
ターブレード法、グラビアコート法、ダイコート法、ス
クリーン印刷法など公知の方法を用いることができる。The resin varnish 403 is applied to the porous insulating substrate 401.
There is no particular limitation on the method of applying to the surface, and known methods such as an electrostatic coating method, a dip coating method, a spray coating method, a roll coating method, a doctor blade method, a gravure coating method, a die coating method, and a screen printing method can be used. .
【００９３】第４の具体例では、以下の組成の材料を混
合、分散して樹脂ワニス４０３を作成する。In the fourth specific example, a resin varnish 403 is prepared by mixing and dispersing materials having the following compositions.
【００９４】 エチルセルロース（商品名エトセルＳＴＤ１００：ダウケミカル社製） １００重量部 紫外線吸収剤（ＪＦ−７９ 城北化学工業製） １重量部 トルエン １００重量部 メタノール ８００重量部 多孔質絶縁基材４０１の両面に樹脂ワニス４０３を塗布
することでマスクフィルム４０２を形成する。樹脂ワニ
ス４０３の塗布は、ダイノズル４０４を用いたダイコー
ト法により行う。このようにして形成したのち乾燥させ
たマスクフィルム４０２の厚さを１０μｍにする。な
お、この具体例の紫外線吸収剤（ＪＦ−７９ 城北化学
工業製）は、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ
−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾ
トリアゾールを主成分として構成されている。Ethylcellulose (trade name: Ethocel STD100: manufactured by Dow Chemical Co.) 100 parts by weight UV absorber (JF-79 manufactured by Johoku Chemical Co., Ltd.) 1 part by weight Toluene 100 parts by weight Methanol 800 parts by weight On both sides of porous insulating substrate 401 The mask film 402 is formed by applying the resin varnish 403. The application of the resin varnish 403 is performed by a die coating method using a die nozzle 404. The thickness of the mask film 402 formed and dried after this is set to 10 μm. The ultraviolet absorber (JF-79 Johoku Chemical Co., Ltd.) of this specific example is 2- (2'-hydroxy-3'-tert).
-Butyl-5'-methylphenyl) -5-chlorobenzotriazole as a main component.
【００９５】次に図４Ｂに示すように、両面にマスクフ
ィルム４０２を設けた多孔質絶縁基材４０１に貫通孔４
０５を形成する。貫通孔４０５はレーザー加工法により
形成する。Next, as shown in FIG. 4B, through holes 4 are formed in a porous insulating base material 401 having mask films 402 provided on both sides.
05 is formed. The through holes 405 are formed by a laser processing method.
【００９６】この具体例では、微細な加工を行うため
に、上述した第１の具体例と同様に、紫外線領域以下で
ある波長３５１ｎｍを有するレーザー光を照射する３倍
高調波ＹＡＧ固体レーザーを用いる。これにより、直径
１００μｍの貫通孔４０５を形成する。In this embodiment, a third harmonic YAG solid-state laser irradiating a laser beam having a wavelength of 351 nm which is equal to or less than the ultraviolet region is used in order to perform fine processing, as in the first embodiment. . As a result, a through hole 405 having a diameter of 100 μm is formed.
【００９７】次に図４Ｃに示すように、貫通孔４０５に
導電ペースト４０６を充填する。この具体例では、スク
リーン印刷機により、導電ペースト４０６をマスクフィ
ルム４０２上から印刷することで充填する。この際、印
刷面と反対側より和紙等の多孔質シート（図示省略）を
介して真空吸着することにより、貫通孔４０５内の導電
性ペースト３０６中の樹脂成分を吸い取る。これによ
り、導体成分の割合を増加させてさらに緻密に充填す
る。Next, as shown in FIG. 4C, the conductive paste 406 is filled in the through holes 405. In this specific example, the conductive paste 406 is filled by printing from the mask film 402 using a screen printing machine. At this time, the resin component in the conductive paste 306 in the through hole 405 is sucked by vacuum suction from a side opposite to the printing surface via a porous sheet (not shown) such as Japanese paper. As a result, the ratio of the conductor component is increased to more densely fill.
【００９８】このような工程を実施するに際して、マス
クフィルム４０２は印刷マスクの役割と多孔質絶縁基材
４０１表面の汚染防止の役割とを果たす。In performing such a process, the mask film 402 plays a role of a print mask and a role of preventing contamination of the surface of the porous insulating substrate 401.
【００９９】次に図４Ｄに示すように、マスクフィルム
４０２を多孔質絶縁基材４０１の両面より剥離する。こ
の時、孔径は１００μｍなので第１の具体例で説明し
た”ペースト取られ”れ現象はあまり生じない。またこ
のとき、マスクフィルム４０２を剥離した後の多孔質絶
縁基材４０１の寸法変化は、６０ｍｍの基準間隔で１０
μｍ以内であった。Next, as shown in FIG. 4D, the mask film 402 is peeled off from both sides of the porous insulating substrate 401. At this time, since the pore diameter is 100 μm, the phenomenon of “paste removal” described in the first specific example does not occur much. At this time, the dimensional change of the porous insulating substrate 401 after the mask film 402 is peeled off is 10 mm at a reference interval of 60 mm.
It was within μm.
【０１００】ラミネート法によって、マスクフィルム２
０２を多孔質絶縁基材２０１の両面に形成した第２の具
体例では、多孔質絶縁基材２０１の寸法変化は、６０ｍ
ｍの基準間隔で３０〜５０μｍであったのに対して、樹
脂ワニス４０３を塗布して乾燥してなるマスクフィルム
４０２を形成するこの具体例では、ラミネート法のよう
な残留歪の影響がほとんどなく、寸法精度が大幅に改善
される。The mask film 2 was formed by the laminating method.
In the second specific example in which No. 02 is formed on both surfaces of the porous insulating base material 201, the dimensional change of the porous insulating base material 201 is 60 m
In this specific example in which the resin film 403 is applied and dried to form the mask film 402, the influence of the residual strain unlike the laminating method is almost negligible. Dimensional accuracy is greatly improved.
【０１０１】次に図４Ｅに示すように、銅箔４０７を多
孔質絶縁基材４０１の両面に重ね合わせる。そして、重
ね合わせた両者を加熱加圧する。加熱加圧は例えば真空
プレスにより行う。Next, as shown in FIG. 4E, a copper foil 407 is overlaid on both surfaces of the porous insulating base material 401. Then, the superposed two are heated and pressed. The heating and pressurization is performed by, for example, a vacuum press.
【０１０２】この加熱加圧により、図４Ｆに示すよう
に、導電ペースト４０６は圧縮され、導電ペースト４０
６内の樹脂成分は多孔質絶縁基材４０１に流れ出して導
電ペースト４０６中の導体成分が緻密化される。これに
より、多孔質絶縁基材４０１表裏の銅箔４０７どうしが
導電性ペースト４０６を介して電気的に接続される。そ
の後、多孔質絶縁基材４０１と導電ペースト４０６とは
硬化する。By this heating and pressing, as shown in FIG. 4F, the conductive paste 406 is compressed, and the conductive paste 40 is compressed.
The resin component in 6 flows out to the porous insulating base material 401, and the conductive component in the conductive paste 406 is densified. Thus, the copper foils 407 on the front and back of the porous insulating base 401 are electrically connected to each other via the conductive paste 406. Thereafter, the porous insulating substrate 401 and the conductive paste 406 are cured.
【０１０３】次に図４Ｇに示すように、銅箔４０７をフ
ォトリソエッチング法により所望の配線形状にパターニ
ングする。この具体例では、銅箔４０７には厚さ１８μ
ｍのものを用いる。これにより両面に配線を有する回路
基板が完成する。Next, as shown in FIG. 4G, the copper foil 407 is patterned into a desired wiring shape by photolithographic etching. In this specific example, the copper foil 407 has a thickness of 18 μm.
m. Thus, a circuit board having wiring on both sides is completed.
【０１０４】また、この具体例では、図４Ａ〜図４Ｇの
工程により作製した製造物を、図４Ｅにおける片側の銅
箔４０７として扱い、図４Ｅ〜図４Ｇを繰り返すことに
より多層配線板を形成することができる。In this specific example, the product manufactured by the steps shown in FIGS. 4A to 4G is treated as one side copper foil 407 in FIG. 4E, and a multilayer wiring board is formed by repeating FIGS. 4E to 4G. be able to.
【０１０５】第５の好ましい具体例 レーザー加工で穿孔すると離型性マスクフィルムの表面
には、レーザーの熱でアラミドプリプレグ基材や離型性
マスクフィルム等が溶融して飛散したごみが付着してい
る。この状態のまま導電ペーストをスキージで印刷する
と容易に貫通孔に前記ごみが巻き込まれる。実際に不良
ビアホールを解析した結果、ビアホール接続部内の導電
ペースト中にフィルム成分が検出された。これは、穿孔
方法をドリル加工など他の方法に代えても同様である。 Fifth Preferred Embodiment When perforation is performed by laser processing, the aramid prepreg base material, the releasable mask film, etc. are melted by the heat of the laser and the scattered dust adheres to the surface of the releasable mask film. I have. When the conductive paste is printed with a squeegee in this state, the dust is easily caught in the through holes. As a result of actually analyzing the defective via hole, a film component was detected in the conductive paste in the via hole connection part. This is the same even when the drilling method is replaced with another method such as drilling.
【０１０６】そこで、この具体例では、離型性マスクフ
ィルムを複数枚積層する。そして、貫通孔形成後に、表
層側のマスクフィルムだけを剥離することで、上記した
ごみや、貫通孔形成工程までの工程中においてマスクフ
ィルム表面に付着したごみを、貫通孔形成後に表層側の
マスクフィルムを剥離することで除く。Therefore, in this specific example, a plurality of release mask films are laminated. Then, after the through-hole is formed, only the surface-side mask film is peeled off, so that the above-described dust and dust attached to the mask film surface during the steps up to the through-hole forming step can be removed. Removed by peeling the film.
【０１０７】以下、この具体例の回路基板の製造方法を
説明する。なお、この具体例は、離型性マスクフィルム
の構成以外は、基本的には第２の具体例と同様であるの
で、第２の具体例と同一ないし同様の構成については、
同一の符号を付し、それらの構成についての説明は省略
する。図５は、この具体例の製造方法において特徴とな
る工程を示す断面図である。Hereinafter, a method of manufacturing the circuit board of this specific example will be described. Note that this specific example is basically the same as the second specific example, except for the configuration of the releasable mask film.
The same reference numerals are given and the description of those components is omitted. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a characteristic step in the manufacturing method of this specific example.
【０１０８】まず、図５Ａに示すように、多孔質絶縁基
材２０１の両面に、片面に離型層が形成された積層マス
クフィルム２０２’を、ラミネート法により貼り付け
る。積層マスクフィルム２０２’は、２枚の離型性マス
クフィルム２０２Ａ、２０２Ｂを、接着剤を介して重ね
合わて構成される。First, as shown in FIG. 5A, a laminated mask film 202 ′ having a release layer formed on one side is attached to both sides of a porous insulating substrate 201 by a laminating method. The laminated mask film 202 'is configured by laminating two release mask films 202A and 202B via an adhesive.
【０１０９】図５ＡのＡ部の拡大図を図５Ａ−１に示
す。この図に図示したように、積層マスクフィルム２０
２’は、外側から順に、マスクフィルム２０２Ａ、離型
層５０１、接着剤層５０２、マスクフィルム２０２Ｂ、
および離型層５０１を積層することで構成される。マス
クフィルム２０２Ａ、２０２Ｂとしては、紫外線領域以
下である４００ｎｍ以下の波長のレーザー光に対する光
吸収性を有するポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等
のフィルムを用いる。FIG. 5A-1 is an enlarged view of a portion A in FIG. 5A. As shown in FIG.
2 ′ is a mask film 202A, a release layer 501, an adhesive layer 502, a mask film 202B,
And a release layer 501. As the mask films 202A and 202B, a film such as polyethylene naphthalate (PEN) having light absorbency with respect to laser light having a wavelength of 400 nm or less, which is equal to or less than an ultraviolet region, is used.
【０１１０】次に、図５Ｂに示すように、多孔質絶縁基
材２０１にレーザー加工法により貫通穴６を加工する。
この具体例では、微細な加工を行うために、上述した第
１の具体例と同様に、紫外線領域以下である波長３５１
ｎｍのレーザー光を照射する３倍高調波ＹＡＧ固体レー
ザーを用いる。Next, as shown in FIG. 5B, through holes 6 are formed in the porous insulating base material 201 by a laser processing method.
In this specific example, in order to perform fine processing, the wavelength 351 which is equal to or less than the ultraviolet region is used similarly to the first specific example.
A 3rd harmonic YAG solid-state laser irradiating a laser beam of nm is used.
【０１１１】さらに、図５Ｃに示すように、積層マスク
フィルム２０２’を構成するマスクフィルム２０２Ａ、
２０２Ｂのうち、外側に位置するマスクフィルム２０２
Ａを剥離する。Further, as shown in FIG. 5C, mask films 202A,
202B, the mask film 202 located on the outer side
A is peeled off.
【０１１２】次に、図５Ｄに示すように、貫通穴２０３
に導電ペースト２０４を充填する。充填方法としては、
例えばスクリーン印刷機を用いて直接多孔質絶縁基材２
０１の上から印刷することで充填する。Next, as shown in FIG.
Is filled with a conductive paste 204. As a filling method,
For example, using a screen printing machine to directly form a porous insulating substrate 2
01 is filled by printing from above.
【０１１３】次に、図５Ｅに示すように、残存するマス
クフィルム２０２Ｂを多孔質絶縁基材２０１から剥離す
る。これにより、導電ペースト２０４を充填した多孔質
絶縁基材２０１を得る。Next, as shown in FIG. 5E, the remaining mask film 202B is peeled off from the porous insulating substrate 201. Thus, a porous insulating substrate 201 filled with the conductive paste 204 is obtained.
【０１１４】それ以降の製造工程は、第２の具体例にお
いて、図２Ｅ〜図２Ｇを参照して説明したのと同様であ
るので、その説明は省略する。The subsequent manufacturing steps are the same as those described with reference to FIGS. 2E to 2G in the second specific example, and thus description thereof will be omitted.
【０１１５】この具体例では、少なくとも導電ペースト
２０４を充填する側の多孔質絶縁基材２０１の表面に、
複数層の離型性マスクフィルム２０２Ａ、２０２Ｂから
なる積層マスクフィルム２０２’を積層しておき、貫通
孔２０３の加工を行った後に表層のマスクフィルム２０
２Ａを剥離している。これにより、貫通孔２０３の加工
時に発生するゴミが導電ペースト２０４内に混入するの
を防止している。もちろん、この具体例のように、多孔
質絶縁基材２０１の両面に積層マスクフィルム２０２’
を生成しておけば、より一層ゴミの混入を防止できる。In this specific example, at least the surface of the porous insulating base material 201 on the side where the conductive paste 204 is filled,
A laminated mask film 202 ′ composed of a plurality of layers of releasable mask films 202 A and 202 B is laminated, and after processing of the through-hole 203, the surface mask film 20 ′ is formed.
2A is peeled off. This prevents dust generated during processing of the through hole 203 from being mixed into the conductive paste 204. Of course, as in this specific example, the laminated mask film 202 ′
Is generated, dust can be further prevented from being mixed.
【０１１６】なお、この具体例では、多孔質絶縁基材２
０１の両面それぞれに、積層マスクフィルム２０２’を
積層したうえで、貫通孔２０３を加工し、さらに多孔質
絶縁基材２０１の両面において、その表層の離型性マス
クフィルム２０２Ａを剥離している。しかしながら、導
電ペースト２０４を充填するフィルム面側においてその
表層側の離型性マスクフィルム２０２Ａだけを剥離する
にとどめ、この段階では、他方のフィルム面においては
その表層の離型性マスクフィルム２０２Ａを剥離しない
で残しておくこともできる。In this example, the porous insulating substrate 2
After laminating the mask film 202 ′ on both sides of the porous insulating substrate 201, the through-hole 203 is processed, and the releasable mask film 202 A of the surface layer is peeled off on both sides of the porous insulating substrate 201. However, only the releasable mask film 202A on the surface layer side is peeled off on the film surface side where the conductive paste 204 is filled, and at this stage, the releasable mask film 202A on the surface layer is peeled off on the other film surface. You can leave it untouched.
【０１１７】あるいは、導電ペースト２０４を充填する
フィルム面側には積層マスクフィルム２０２’を積層
し、他方のフィルム面側には単層の離型性マスクフィル
ム２０２を積層してもよい。Alternatively, a laminated mask film 202 'may be laminated on the film surface side to be filled with the conductive paste 204, and a single-layer releasable mask film 202 may be laminated on the other film surface side.
【０１１８】なお、積層マスクフィルム２０２’を用い
るこの具体例の製造方法は、この他、第１の具体例、第
３の具体例、第４の具体例においても同様に実施できる
のはいうまでもない。この場合、予め積層化した積層マ
スクフィルムを基材にラミネートする方法や単層のマス
クフィルムを基材にラミネートした後に、このマスクフ
ィルム付き基材に対してもう一枚のマスクフィルムを塗
布等により順次張り合わせる方法が考えられる。It is needless to say that the manufacturing method of this specific example using the laminated mask film 202 'can be similarly applied to the first specific example, the third specific example, and the fourth specific example. Nor. In this case, after laminating the laminated mask film preliminarily laminated on the substrate or laminating the single-layer mask film on the substrate, another mask film is applied to the substrate with the mask film by coating or the like. A method of sequentially attaching them is conceivable.
【０１１９】また、この具体例では、離型性マスクフィ
ルム２０２Ａ、２０２Ｂが２枚積層された積層マスクフ
ィルム２０２’を用いたが、離型性マスクフィルムが３
枚以上積層された積層マスクフィルムを用いることもで
きる。例えば、離型性マスクフィルムが接着剤層を介し
て３枚積層された積層マスクフィルムを多孔質絶縁基材
２０１に積層する。その後、貫通孔２０３を形成して、
最外層の離型性マスクフィルムを１枚のみ剥離したうえ
で、導電ペースト２０４を充填する。そして、ペースト
充填後に残りの２枚の離型性マスクフィルムを順次剥離
する。このようにすれば、貫通孔２０３に充填されて多
孔質絶縁基材２０１の表面から突出して残る導電ペース
ト２０４の残存量（突出量）が多くなり、その状態で銅
箔２０５を積層して加圧すれば導電ペースト２０４の圧
縮量が増大する。In this specific example, the laminated mask film 202 'in which two release mask films 202A and 202B are laminated is used.
A laminated mask film in which two or more sheets are laminated can also be used. For example, a laminated mask film in which three release mask films are laminated via an adhesive layer is laminated on the porous insulating substrate 201. After that, a through hole 203 is formed,
After peeling off only one outermost release mask film, the conductive paste 204 is filled. Then, after filling the paste, the remaining two releasable mask films are sequentially peeled off. By doing so, the remaining amount (projection amount) of the conductive paste 204 that fills the through-holes 203 and protrudes from the surface of the porous insulating base material 201 increases, and in this state, the copper foil 205 is laminated and added. Pressing increases the amount of compression of the conductive paste 204.
【０１２０】導電ペースト２０４の圧縮量が増大する
と、接続抵抗値を小さくかつ安定させることができる。
たとえば、最外層の離型性マスクフィルムを剥離した後
に、厚さ９μｍの離型性マスクフィルムが２枚積層され
たものと、同じく、厚さ１８μｍの離型性マスクフィル
ムが１枚積層されたものとを比較する。As the amount of compression of the conductive paste 204 increases, the connection resistance can be reduced and stabilized.
For example, after peeling off the outermost release mask film, two release mask films each having a thickness of 9 μm were laminated, and similarly, one release mask film having a thickness of 18 μm was laminated. Compare with things.
【０１２１】一般に、導電ペーストを貫通孔に充填した
後離型性マスクフィルムを剥離すると、前述した”ペー
スト取られ現象”により、貫通孔内の導電ペーストの一
部は離型性マスクフィルムの孔内壁面に付着して持ち去
られてしまう。このとき、持ち去られる導電ペーストの
量は、剥離される離型性マスクフィルムの穴の内壁面と
の接触面積が増加すると飛躍的に増大する。In general, when the releasable mask film is peeled after filling the conductive paste in the through-hole, a part of the conductive paste in the through-hole is partially removed due to the above-mentioned “paste removal phenomenon”. It adheres to the inner wall and is taken away. At this time, the amount of the conductive paste to be removed increases dramatically when the contact area of the peelable releasable mask film with the inner wall surface of the hole increases.
【０１２２】従って、全体としては同一厚さの離型性マ
スクフィルムであっても、２層といった積層構造であっ
て、複数回に分けて離型性マスクフィルムを剥離する
と、離型性マスクフィルムに持ち去られる導電ペースト
の合計量を少なくすることができる。Therefore, even if the release mask film has the same thickness as a whole, it has a laminated structure of two layers. The total amount of the conductive paste carried away can be reduced.
【０１２３】もちろん、離型性マスクフィルムの積層数
が増加すれば工程数やコストが増加するから、必要とさ
れる品質とコストや工程管理などを考慮して最適な積層
数を決定するのがよい。Needless to say, if the number of layers of the release mask film increases, the number of steps and costs increase. Therefore, it is necessary to determine the optimum number of layers in consideration of required quality, cost, process control, and the like. Good.
【０１２４】この具体例で説明した工程に従って両面に
配線を有する回路基板を作成した。また、比較例とし
て、単層の離型性マスクフィルムを用いて同様の工程に
従って両面に配線を有する回路基板を得た。A circuit board having wirings on both sides was prepared according to the steps described in this specific example. In addition, as a comparative example, a circuit board having wirings on both sides was obtained according to the same process using a single-layer release mask film.
【０１２５】試作条件は以下の通りである。多孔質絶縁
基材２０１として、アラミド不織布にエポキシ樹脂を含
浸したプリプレグ基材を用いた。離型性マスクフィルム
２０２’として、この実施例では片面に離型層が形成さ
れた厚さ１６μｍのＰＥＮフィルムからなる離型性マス
クフィルム２０２Ａ、２０２Ｂを、接着剤層５０２を介
して２枚積層した積層マスクフィルム２０２’を用い
た。The conditions for trial production are as follows. As the porous insulating substrate 201, a prepreg substrate obtained by impregnating an aramid nonwoven fabric with an epoxy resin was used. In this embodiment, two release mask films 202A and 202B each composed of a 16 μm-thick PEN film having a release layer formed on one surface are laminated as an adhesive release film 202 ′ via an adhesive layer 502. The laminated mask film 202 ′ thus obtained was used.
【０１２６】比較例では、片面に離型層が形成された厚
さ１６μｍのＰＥＮフィルム１層のみからなる単層の離
型性マスクフィルムを用いた。貫通孔２０３は、レーザ
ー加工法により径２００μｍに形成した。充填する導電
ペースト２０５として銅ペーストを使用した。In the comparative example, a single-layer releasable mask film consisting of only one 16 μm-thick PEN film having a release layer formed on one side was used. The through hole 203 was formed to have a diameter of 200 μm by a laser processing method. Copper paste was used as the conductive paste 205 to be filled.
【０１２７】貫通孔２０３の穴加工のピッチを、０．４
ｍｍ、０．８ｍｍ、１．２ｍｍ、１．６ｍｍの４種類に
変えて回路基板を製作した。The pitch of the hole processing of the through hole 203 is set to 0.4
The circuit board was manufactured by changing four types of mm, 0.8 mm, 1.2 mm, and 1.6 mm.
【０１２８】評価方法は、ビアホール接続部を５００個
直列に接続したときの初期抵抗値（５００個のビアホー
ル接続部の接続抵抗と線抵抗の和）を測定し、その値と
バラツキ具合とで判断した。The evaluation method is to measure an initial resistance value (sum of connection resistance and wire resistance of 500 via-hole connection portions) when 500 via-hole connection portions are connected in series, and determine the value and the degree of variation. did.
【０１２９】測定結果を図６に示す。点線で示した単層
の離型性マスクフィルムを用いた場合（比較例）は、貫
通孔の加工ビアピッチが狭くなる程、抵抗値が高くな
り、また抵抗値のバラツキが大きい。一方、実線で示し
た片面に積層離型性マスクフィルム２０２’を積層した
場合（この実施例）は、貫通孔２０３の加工ピッチに関
係なく抵抗値が一定でバラツキも小さく良好な結果が得
られた。FIG. 6 shows the measurement results. In the case of using a single-layer releasable mask film indicated by a dotted line (Comparative Example), as the processed via pitch of the through-hole becomes narrower, the resistance value becomes higher, and the variation of the resistance value becomes larger. On the other hand, when the laminating release mask film 202 ′ is laminated on one surface indicated by the solid line (this embodiment), a good result is obtained with a constant resistance value and small variation regardless of the processing pitch of the through holes 203. Was.
【０１３０】この具体例によれば、貫通孔加工時に発生
するごみや工程中に付着したごみが、導電ペースト２０
５を貫通孔２０３に充填する際に一緒に混入するのを防
止できる。その結果、初期抵抗値が低く、接続信頼性が
高いビアホール接続を有する回路基板が得られる。しか
も、表層の離型性マスクフィルム２０２Ａを剥離する
際、少なくとも１枚以上の離型性マスクフィルム２０２
Ｂを基材側に残しておくので、導電ペースト２０５の充
填の際に離型性マスクフィルム２０２Ｂが印刷マスクと
して機能して基材表面が導電ペースト２０５で汚染され
ることがない。According to this specific example, dust generated at the time of processing a through-hole and dust adhered during the process are reduced by the conductive paste 20.
5 can be prevented from being mixed together when filling the through-hole 203. As a result, a circuit board having a via-hole connection with low initial resistance and high connection reliability is obtained. Moreover, at the time of peeling off the surface release mask film 202A, at least one or more release mask films 202
Since B is left on the base material side, the releasable mask film 202B functions as a print mask when the conductive paste 205 is filled, so that the base material surface is not contaminated with the conductive paste 205.
【０１３１】第６の好ましい具体例 この具体例の回路基板の製造方法を説明する。なお、こ
の具体例は、離型性マスクフィルムの構成以外は、基本
的には第２の具体例と同様であるので、第２の具体例と
同一ないし同様の構成については、同一の符号を付し、
それらの構成についての説明は省略する。図７Ａ〜図７
Ｅ、図８Ａ〜図８Ｃは、この具体例の製造方法の各工程
を示す断面図である。 Sixth Preferred Embodiment A method of manufacturing the circuit board of this embodiment will be described. Note that this specific example is basically the same as the second specific example, except for the configuration of the release mask film. Therefore, the same reference numerals as those in the second specific example denote the same reference numerals. Attached
A description of those components will be omitted. 7A to 7
E and FIGS. 8A to 8C are cross-sectional views showing each step of the manufacturing method of this specific example.
【０１３２】先ず図７Ａに示すように、圧縮性を有する
多孔質絶縁基材２０１の一方の面だけに離型性マスクフ
ィルム２０２を形成する。First, as shown in FIG. 7A, a releasable mask film 202 is formed only on one surface of a porous insulating substrate 201 having compressibility.
【０１３３】多孔質絶縁基材２０１は、第２の具体例と
同様のものを用いる。すなわち、芳香族ポリアミド繊維
を用いた不織布にエポキシ樹脂を含浸させたものを多孔
質絶縁基材２０１として用いる。多孔質絶縁基材２０１
の厚さは１２０μｍとする。As the porous insulating substrate 201, the same one as in the second specific example is used. That is, a material obtained by impregnating a nonwoven fabric using an aromatic polyamide fiber with an epoxy resin is used as the porous insulating substrate 201. Porous insulating substrate 201
Has a thickness of 120 μm.
【０１３４】マスクフィルム２０２は第２の具体例と同
様のものを用いる。すなわち、紫外線領域以下である４
００ｎｍ以下の波長のレーザー光を吸収するポリエチレ
ンナフタレート（ＰＥＮ）を例とする各種のフィルムを
マスクフィルムとして用いる。また、必要に応じてマス
クフィルム２０２にはシリコーン系の離型層を設ける。
マスクフィルム２０２を、多孔質絶縁基材２０１に貼り
付ける方法も第２の具体例と同様に行う。As the mask film 202, the same one as in the second specific example is used. That is, it is 4 or less in the ultraviolet region.
Various films such as polyethylene naphthalate (PEN) that absorb laser light having a wavelength of 00 nm or less are used as mask films. Further, a silicone release layer is provided on the mask film 202 as necessary.
The method of attaching the mask film 202 to the porous insulating substrate 201 is performed in the same manner as in the second specific example.
【０１３５】次に図７Ｂに示すように、配線層７０１を
備えた支持基材７０２をフィルム２０１の他方の面（マ
スクフィルム２０２未形成面）に重ね合わせる。そし
て、重ね合わせた両者を加熱加圧する。加熱加圧は例え
ば真空プレスにより行う。Next, as shown in FIG. 7B, a supporting substrate 702 provided with a wiring layer 701 is overlaid on the other surface of the film 201 (the surface on which the mask film 202 is not formed). Then, the superposed two are heated and pressed. The heating and pressurization is performed by, for example, a vacuum press.
【０１３６】次に図７Ｃに示すように、マスクフィルム
２０２を設けた多孔質絶縁基材２０１にレーザー加工法
によって有底孔７０３を形成する。この際、上述した第
２の具体例と同様に、波長３５１ｎｍのレーザ光を照射
する３倍高調波ＹＡＧ固体レーザーを用いて有底孔７０
３を形成する。有底孔７０３は、マスクフィルム２０２
形成面から多孔質絶縁基材２０１内部に向けてほぼ多孔
質絶縁基材２０２の厚み分の深さにわたって形成する。
その際、有底孔７０３は、配線層７０１に対して位置を
合わせて形成する。これにより、有底孔７０３は、マス
クフィルム２０２と孔質基材２０１と貫通したうえで、
その底部に配線層７０１が露出した形態に形成される。Next, as shown in FIG. 7C, a bottomed hole 703 is formed in the porous insulating substrate 201 provided with the mask film 202 by a laser processing method. At this time, similarly to the second specific example described above, the bottomed hole 70 is formed by using a third harmonic YAG solid-state laser that irradiates a laser beam having a wavelength of 351 nm.
Form 3 The bottomed hole 703 is in the mask film 202.
The porous insulating substrate 201 is formed so as to extend from the forming surface toward the inside of the porous insulating substrate 201 to a depth substantially corresponding to the thickness of the porous insulating substrate 202.
At this time, the bottomed hole 703 is formed in alignment with the wiring layer 701. Thereby, the bottomed hole 703 penetrates through the mask film 202 and the porous substrate 201,
The wiring layer 701 is formed to be exposed at the bottom.
【０１３７】多孔質絶縁基材２０１は、紫外線領域の波
長のレーザー光を吸収する特性があり、マスクフィルム
２０２も、上述のように４００ｎｍ以下の波長のレーザ
ー光を吸収する特性がある。そのため、有底孔７０３
は、波長３５１ｎｍの３倍高調波ＹＡＧ固体レーザーを
用いて形成することができる。この具体例では、第２の
具体例と同様、レーザー光を用いてφ１００μｍの有底
孔７０３を形成する。The porous insulating substrate 201 has a property of absorbing laser light having a wavelength in the ultraviolet region, and the mask film 202 has a property of absorbing laser light having a wavelength of 400 nm or less as described above. Therefore, the bottomed hole 703
Can be formed using a third harmonic YAG solid-state laser with a wavelength of 35 1 nm. In this specific example, similarly to the second specific example, a bottomed hole 703 having a diameter of 100 μm is formed using a laser beam.
【０１３８】次に図７Ｄに示すように、有底孔７０３に
導電ペースト２０４を充填する。この具体例では、スク
リーン印刷機により、導電ペースト２０４をマスクフィ
ルム２０２上から直接的に印刷する。Next, as shown in FIG. 7D, the bottomed hole 703 is filled with the conductive paste 204. In this specific example, the conductive paste 204 is printed directly on the mask film 202 by a screen printer.
【０１３９】このような工程を実施するに際して、マス
クフィルム２０２は、印刷マスクの役割と多孔質絶縁基
材２０１表面の汚染防止の役割とを果たす。In performing such steps, the mask film 202 plays a role of a print mask and a role of preventing contamination of the surface of the porous insulating base material 201.
【０１４０】次に図７Ｅに示すように、マスクフィルム
２０２と支持基材７０２とを多孔質絶縁基材２０１より
剥離する。この時、有底孔７０３の孔径は１００μｍな
ので第１の具体例で説明した”ペースト取られ現象”は
あまり生じない。Next, as shown in FIG. 7E, the mask film 202 and the supporting substrate 702 are separated from the porous insulating substrate 201. At this time, since the hole diameter of the bottomed hole 703 is 100 μm, the “paste removal phenomenon” described in the first specific example does not occur much.
【０１４１】次に図８Ａに示すように、銅箔７０４を多
孔質絶縁基材２０１の一方の面（マスクフィルム剥離
面）に重ね合わせる。そして、重ね合わせた両者を加熱
加圧する。加熱加圧は例えば真空プレスにより行う。Next, as shown in FIG. 8A, a copper foil 704 is overlaid on one surface (mask film peeling surface) of the porous insulating substrate 201. Then, the superposed two are heated and pressed. The heating and pressurization is performed by, for example, a vacuum press.
【０１４２】この加熱加圧により、図８Ｂに示すよう
に、有底孔７０３内の導電ペースト２０４は圧縮され、
導電ペースト２０４内の樹脂成分は多孔質絶縁基材２０
１に流れ出る。これにより、導電ペースト２０４中の導
体成分は緻密化され、多孔質絶縁基材２０１表裏の銅箔
７０４と配線層７０１とは、導電ペースト２０４を介し
て電気的に接続される。その後、多孔質絶縁基材２０１
と導電ペースト２０４とは硬化する。By this heating and pressing, as shown in FIG. 8B, the conductive paste 204 in the bottomed hole 703 is compressed,
The resin component in the conductive paste 204 is the porous insulating substrate 20
Runs into one. Thereby, the conductor component in the conductive paste 204 is densified, and the copper foil 704 on the front and back of the porous insulating base material 201 and the wiring layer 701 are electrically connected via the conductive paste 204. Then, the porous insulating substrate 201
And the conductive paste 204 are cured.
【０１４３】次に図８Ｃに示すように、銅箔７０４をフ
ォトリソエッチング法により所望の配線形状にパターニ
ングする。このようにして両面に配線を有する回路基板
が完成する。Next, as shown in FIG. 8C, the copper foil 704 is patterned into a desired wiring shape by photolithography. Thus, a circuit board having wiring on both sides is completed.
【０１４４】支持基材７０２の除去は、アルミ箔と銅箔
の選択エッチングにより、アルミ箔を溶解除去すること
により実施する。この方法以外にも支持基材７０２と配
線層７０１との間に発泡剥離シートを設け、加熱により
支持基材７０２を剥離する方法もある。この場合、支持
基材７０２はアルミ箔に限定されず、銅、ステンレス等
の金属箔、金属板を使用することができる。The removal of the supporting substrate 702 is performed by dissolving and removing the aluminum foil by selective etching of the aluminum foil and the copper foil. In addition to this method, there is a method in which a foamed release sheet is provided between the support base 702 and the wiring layer 701, and the support base 702 is separated by heating. In this case, the support base material 702 is not limited to an aluminum foil, but may be a metal foil such as copper or stainless steel, or a metal plate.
【０１４５】また、この具体例では、図７Ａ〜図７Ｅお
よび図８Ａ〜図８Ｃの工程により作製した製造物を、図
７Ｂにおける配線層付き支持基材７０２として扱い、図
７Ｂ〜図７Ｅおよび図８Ａ〜図８Ｃの工程を繰り返すこ
とにより多層配線板を形成することができる。Further, in this specific example, the product manufactured by the steps shown in FIGS. 7A to 7E and FIGS. 8A to 8C is treated as the supporting substrate 702 with a wiring layer in FIG. 7B. 8A to 8C can be repeated to form a multilayer wiring board.
【０１４６】この具体例では、配線層７０１上に積層配
置した多孔質絶縁基材２０１に対して、配線層７０１に
向けて有底孔７０３を形成するため、配線層７０１と有
底孔７０３との位置合わせ精度、延いては配線層７０１
と導電ペースト２０４との位置合わせ精度は高いものと
なる。In this specific example, since the bottomed hole 703 is formed toward the wiring layer 701 in the porous insulating base material 201 laminated and arranged on the wiring layer 701, the wiring layer 701 and the bottomed hole 703 are formed. Alignment accuracy, and thus the wiring layer 701
And the conductive paste 204 has a high positioning accuracy.
【０１４７】次に、各具体例において離型性フィルムを
選定するにあたって規定している紫外線領域以下のレー
ザー光の吸収性について説明する。図９〜図１２は、３
倍高調波ＹＡＧ固体レーザーで照射される波長３５１ｎ
ｍのレーザ光に対する各試料の光吸収性を示すグラフで
あり、図９はポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）の光
吸収性を示し、図１０はポリエチレテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）の吸収性を示し、図１１はエチルセルローズに紫
外線吸収剤（ＪＦ−７７：城北化学工業製：添加量１重
量部）を添加した試料の光吸収性を示し、図１２はエチ
ルセルローズ単体の光吸収性を示している。これらの図
において、横軸は波長を示し、縦軸は光透過率をそれぞ
れ示している。Next, the laser light absorption below the ultraviolet range, which is specified in selecting a release film in each specific example, will be described. 9 to 12 show 3
Wavelength 351n irradiated by double harmonic YAG solid-state laser
FIG. 9 is a graph showing the light absorptivity of each sample with respect to the laser light of m, FIG. 9 shows the light absorptivity of polyethylene naphthalate (PEN), and FIG.
FIG. 11 shows the light absorption of a sample obtained by adding an ultraviolet absorber (JF-77: manufactured by Johoku Chemical: 1 part by weight) to ethyl cellulose, and FIG. 12 shows ethyl cellulose alone. Shows the light absorbency of. In these figures, the horizontal axis indicates the wavelength, and the vertical axis indicates the light transmittance.
【０１４８】これらの図から明らかなように、ポリエチ
レテレフタレート（ＰＥＴ）では、８０％という光透過
性を有して十分なる光吸収性を示さないのに対して、ポ
リエチレンナフタレート（ＰＥＮ）では優れた光吸収性
を示している。また、エチルセルローズ単体では光吸収
性を示さないのに対して、紫外線吸収剤を添加したエチ
ルセルローズでは、本発明の効果を十分得ることができ
る良好な光吸収性を示している。As is clear from these figures, polyethylene terephthalate (PET) has a light transmittance of 80% and does not show sufficient light absorption, whereas polyethylene naphthalate (PEN) is excellent. Light absorption. Ethyl cellulose alone does not exhibit light absorption, whereas ethyl cellulose to which an ultraviolet absorber is added exhibits good light absorption that can sufficiently obtain the effects of the present invention.
【０１４９】また、これらの図から明らかなように、本
発明の効果を発揮するうえで離型性マスクフィルムは、
紫外線領域以下のレーザー光に対して少なくとも４０％
以下の光透過率を有することが好ましい。Further, as is apparent from these figures, in order to exhibit the effects of the present invention, the releasable mask film was
At least 40% for laser light below the ultraviolet range
It preferably has the following light transmittance.
【０１５０】上述した各具体例では、ＹＡＧ固体レーザ
ーを用いて孔加工を行ったけれども、紫外線領域以下の
波長のレーザー光であれば、ＹＡＧ固体レーザーに限ら
ず、エキシマレーザーやその他のレーザーを使用しても
よい。In each of the specific examples described above, the hole processing was performed using a YAG solid laser. However, as long as the laser light has a wavelength equal to or shorter than the ultraviolet region, not only the YAG solid laser but also an excimer laser or other laser is used. May be.
【０１５１】上述した各具体例では、導電ペーストによ
るインターステシャルビアホール接続した回路基板の製
造方法に適用して説明したけれども、本発明の離型性フ
ィルムは、他の回路基板の製造方法に適用することもで
きるものである。In each of the specific examples described above, the present invention is applied to the method of manufacturing a circuit board connected to an interstitial via hole using a conductive paste. However, the release film of the present invention is applied to a method of manufacturing another circuit board. You can do it.
【０１５２】上述した各具体例では、マスクフィルム
を、基材の両面に形成したけれども、片面だけに形成し
てもよい。In each of the above embodiments, the mask film is formed on both sides of the substrate, but may be formed on only one side.
【０１５３】[0153]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
紫外線領域以下の波長のレーザー光を吸収する特性を有
する離型性マスクフィルムを用いている。これにより、
比較的波長が短く、スポットを絞り易い紫外線領域以下
の波長のレーザーによって孔加工を行うことができる。
したがって、微細な孔加工が行えることになって微細な
ビアを有する高密度の回路基板を実現できる。As described above, according to the present invention,
A releasable mask film having a property of absorbing laser light having a wavelength equal to or less than the ultraviolet region is used. This allows
Hole processing can be performed with a laser having a wavelength shorter than the ultraviolet region, which has a relatively short wavelength and makes it easy to narrow the spot.
Therefore, fine hole processing can be performed, and a high-density circuit board having fine vias can be realized.
【０１５４】また、離型性マスクフィルムを、基材の少
なくとも片面に、樹脂ワニスを塗布、乾燥させて形成す
るので、基材に離型性マスクフィルムをラミネート法よ
って形成する場合に比べて、離型性フィルム剥離時の基
材の寸法変化を小さくでき、これによって、寸法精度の
高い高密度の回路基板を実現できる。Further, since the releasable mask film is formed by applying and drying a resin varnish on at least one surface of the base material, the releasable mask film is formed in comparison with the case where the releasable mask film is formed on the base material by a laminating method. The dimensional change of the substrate at the time of release of the release film can be reduced, thereby realizing a high-density circuit board with high dimensional accuracy.
【図１】 本発明の第１の好ましい具体例における回路
基板の製造法を示す工程断面図である。FIG. 1 is a process sectional view showing a method for manufacturing a circuit board according to a first preferred embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の第２の好ましい具体例における回路
基板の製造法を示す工程断面図である。FIG. 2 is a process sectional view showing a method of manufacturing a circuit board according to a second preferred embodiment of the present invention.
【図３】 本発明の第３の好ましい具体例における回路
基板の製造法を示す工程断面図である。FIG. 3 is a process sectional view showing a method for manufacturing a circuit board according to a third preferred embodiment of the present invention.
【図４】 本発明の第４の好ましい具体例における回路
基板の製造法を示す工程断面図；FIG. 4 is a process sectional view showing a method of manufacturing a circuit board according to a fourth preferred embodiment of the present invention;
【図５】 本発明の第５の好ましい具体例における回路
基板の製造法を示す工程断面図である。FIG. 5 is a process sectional view showing a method of manufacturing a circuit board according to a fifth preferred embodiment of the present invention.
【図６】 第５の具体例で作製した回路基板において、
ビアピッチを変えたとのきの抵抗値を測定した結果を示
す図である。FIG. 6 shows a circuit board manufactured in the fifth specific example.
FIG. 9 is a diagram showing a result of measuring a resistance value when a via pitch is changed.
【図７】 本発明の第６の好ましい具体例における回路
基板の製造法の前半工程を示す工程断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing a first half of a method of manufacturing a circuit board according to a sixth preferred embodiment of the present invention.
【図８】 本発明の第６の好ましい具体例における回路
基板の製造法の後半工程を示す工程断面図である。FIG. 8 is a process sectional view showing a latter half of a method of manufacturing a circuit board in a sixth preferred embodiment of the present invention.
【図９】 ポエチレンナフタレート（ＰＥＮ）の光吸収
性を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing the light absorption of polyethylene naphthalate (PEN).
【図１０】 ポリエチレテレフタレート（ＰＥＴ）の光
吸収性を示す図である。FIG. 10 is a view showing the light absorbency of polyethylene terephthalate (PET).
【図１１】 紫外線吸収剤を添加したエチルセルローズ
の光吸収性を示す図である。FIG. 11 is a view showing the light absorbency of ethyl cellulose to which an ultraviolet absorber is added.
【図１２】エチルセルローズ単体の光吸収性を示す図で
ある。FIG. 12 is a view showing the light absorbency of ethyl cellulose alone.
１０１ 電気絶縁性フィルム １０２ 接着剤
層 １０３ 離型性マスクフィルム ２０２’積層マ
スクフィルム ２０２Ａ、２０２Ｂ 離型性マスクフィルム １０４ 貫通孔 １０５ 導電ペ
ースト １０６ 支持基材 １０７ 配線層 １０８ 銅箔 ２０１ 多孔質
基材 ２０２ 離型性マスクフィルム ２０３ 貫通孔 ２０４ 導電ペースト ２０５ 銅箔 ３０１ 電気絶縁性フィルム ３０２ 接着剤
層 ３０３ 離型性マスクフィルム ３０４ 樹脂ワ
ニス ３０５ ダイノズル３０５ ３０６ 貫通孔 ３０７ 導電ペースト ３０８ 支持基
材 ３０９ 配線層 ３１０ 銅箔 ４０１ 多孔質基材 ４０２ 離型性
マスクフィルム ４０３ 樹脂ワニス ４０４ ダイノ
ズル ４０５ 貫通孔 ４０６ 導電ペ
ースト ４０７ 銅箔 ７０１ 配線層 ７０２ 支持基材 ７０３ 有底孔 ７０４ 銅箔REFERENCE SIGNS LIST 101 electric insulating film 102 adhesive layer 103 releasable mask film 202 ′ laminated mask film 202 A, 202 B releasable mask film 104 through hole 105 conductive paste 106 support base material 107 wiring layer 108 copper foil 201 porous base material 202 Releasable mask film 203 Through hole 204 Conductive paste 205 Copper foil 301 Electrical insulating film 302 Adhesive layer 303 Releasable mask film 304 Resin varnish 305 Die nozzle 305 306 Through hole 307 Conductive paste 308 Support base material 309 Wiring layer 310 Copper Foil 401 porous base material 402 releasable mask film 403 resin varnish 404 die nozzle 405 through hole 406 conductive paste 407 copper foil 701 wiring layer 702 support base material 703 bottomed hole 704 copper foil
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 5/00 Ｃ０８Ｋ 5/00 Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｃ０８Ｌ 101/00 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｎ 3/40 3/40 Ｋ // Ｃ０８Ｌ 1:00 Ｃ０８Ｌ 1:00 (72)発明者 安藤 大蔵 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 福田 丁丈 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 仲谷 安広 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中村 禎志 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4F071 AA09 AA45 AA54 AA60 AC07 AC12 AE05 AF29 AF58 AH13 BA01 BA02 BB02 BB06 BC01 4F100 AJ06B AK41B AK46B AK49B AK53 AL05B AT00A BA02 BA07 CA07B CB00 DG15 DJ00A EH46 EJ17 EJ42 EJ82 GB43 JL00 JL00B JL11A JL14 JL14B JN30 JN30A JN30B YY00A YY00B 4J002 AB011 AB021 CF081 CL001 CM041 EE036 EU166 FD056 GJ00 5E317 AA24 BB03 BB11 CC25 CD23 CD32 GG14 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C08K 5/00 C08K 5/00 C08L 101/00 C08L 101/00 H05K 3/00 H05K 3/00 N 3 / 40 3/40 K // C08L 1:00 C08L 1:00 (72) Inventor Okura 1006 Odakadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 1006 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Yasuhiro Nakaya 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Pref. 1006 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. F term (reference) 4F071 AA09 AA45 AA54 AA60 AC07 AC12 AE05 AF29 AF58 AH13 BA01 BA02 BB02 BB06 BC01 4F100 AJ06B AK41B AK46B AK49B AK53 AL05B AT00A BA02 BA0 7 CA07B CB00 DG15 DJ00A EH46 EJ17 EJ42 EJ82 GB43 JL00 JL00B JL11A JL14 JL14B JN30 JN30A JN30B YY00A YY00B 4J002 AB011 AB021 CF081 CL001 CM041 EE036 EU166 FD056 GJ24BB03 CD03 A0323
Claims (26)
とともにレーザー光で孔加工された後に、前記基材から
除去することが可能な剥離性と、 紫外線領域以下の波長領域のレーザー光を吸収する光吸
収性と、 を有する離型性フィルム。The present invention relates to a laser having an exfoliation property capable of being removed from the substrate after being formed on the surface of the substrate by a laser beam together with the substrate after being formed with a laser beam; A light-absorbing film that absorbs light.
て、 前記紫外線領域以下の波長とは、４００ｎｍ以下の波長
である、 離型性フィルム。2. The release film according to claim 1, wherein the wavelength below the ultraviolet range is a wavelength below 400 nm.
て、 前記光吸収性を、光透過率４０％以下、という条件によ
って規定する、 離型性フィルム。3. The release film according to claim 1, wherein the light absorbency is defined by a condition that a light transmittance is 40% or less.
て、 この離型性フィルムは、前記孔加工によって前記基材に
形成された加工孔に導電体を充填する際の保護マスクと
して用いられるものである、 離型性フィルム。4. The releasable film according to claim 1, wherein the releasable film is used as a protective mask when filling a hole formed in the substrate by the hole processing with a conductor. Release film.
て、 この離型性フィルムは、紫外線吸収剤を含むものであ
る、 離型性フィルム。5. The release film according to claim 1, wherein the release film contains an ultraviolet absorbent.
て、 この離型性フィルムは、セルロース誘導体を主成分とす
るものである、 離型性フィルム。6. The release film according to claim 1, wherein the release film is mainly composed of a cellulose derivative.
て、 前記セルロース誘導体は、ニトロセルロース、アセチル
セルロース、セルロースアセテート、セルロースプロピ
オネート、エチルセルロースである、 離型性フィルム。7. The release film according to claim 6, wherein the cellulose derivative is nitrocellulose, acetylcellulose, cellulose acetate, cellulose propionate, or ethylcellulose.
て、 この離型性フィルムは、ポリエチレンナフタレート（Ｐ
ＥＮ）、ポリアミド、 またはリイミドを主成分とするものである、 離型性フィルム。8. The release film according to claim 1, wherein the release film is made of polyethylene naphthalate (P).
EN), a release film comprising polyamide or polyimide as a main component.
行われる基材と、 基材表面に設けられて前記レーザー光による孔加工の後
に前記基材から除去される離型性フィルムと、 を備え、 前記離型性フィルムは、紫外線領域以下の波長領域のレ
ーザー光を吸収する光吸収性を有する、 フィルム付き基材。9. A base material whose surface is drilled by a laser beam, and a release film provided on the substrate surface and removed from the substrate after the hole drilling by the laser beam. The substrate with a film, wherein the release film has a light absorbing property of absorbing a laser beam in a wavelength region equal to or less than an ultraviolet region.
って、 前記紫外線領域以下の波長とは、４００ｎｍ以下であ
る、 フィルム付き基材。10. The substrate with a film according to claim 9, wherein the wavelength below the ultraviolet region is 400 nm or less.
って、 前記光吸収性を、光透過率４０％以下、という条件によ
って規定する、 フィルム付き基材。11. The substrate with a film according to claim 9, wherein the light absorption is defined by a condition that a light transmittance is 40% or less.
って、 前記基材は、紫外線領域以下の波長のレーザー光に対す
る光吸収性と、接着性とを有するフィルム基材である、 フィルム付き基材。12. The base material with a film according to claim 9, wherein the base material is a film base material having a light absorbing property to a laser beam having a wavelength equal to or less than an ultraviolet region and an adhesive property. Base material.
って、 前記基材は、紫外線領域以下の波長のレーザー光に対す
る光吸収性と、圧縮性とを有する多孔質基材である、 フィルム付き基材。13. The base material with a film according to claim 9, wherein the base material is a porous base material having light absorbency for laser light having a wavelength equal to or less than an ultraviolet region and compressibility. With substrate.
って、 前記離型性フィルムは、紫外線吸収剤を含むものであ
る、 フィルム付き基材。14. The substrate with a film according to claim 9, wherein the release film contains an ultraviolet absorber.
って、 前記離型性フィルムは、セルロース誘導体を主成分とす
るものである、 フィルム付き基材。15. The substrate with a film according to claim 9, wherein the release film is mainly composed of a cellulose derivative.
あって、 前記セルロース誘導体は、ニトロセルロース、アセチル
セルロース、セルロースアセテート、セルロースプロピ
オネート、エチルセルロースである、 フィルム付き基材。16. The substrate with a film according to claim 15, wherein the cellulose derivative is nitrocellulose, acetylcellulose, cellulose acetate, cellulose propionate, or ethylcellulose.
って、 前記離型性フィルムは、ポリエチレンナフタレート（Ｐ
ＥＮ）、ポリアミド、またはポリイミドを主成分とする
ものである、 フィルム付き基材。17. The substrate with a film according to claim 9, wherein the release film is made of polyethylene naphthalate (P).
EN), a base material with a film, which is mainly composed of polyamide or polyimide.
って、 前記離型性フィルムを、複数枚積層して前記基材上に設
ける、 フィルム付き基材。18. The substrate with a film according to claim 9, wherein a plurality of the release films are laminated and provided on the substrate.
もに紫外線領域以下の波長領域のレーザー光に対して吸
収性を有する樹脂ワニスを、基材の表面に塗布させて乾
燥させることで、 前記基材の表面に、前記基材とともにレーザー光で孔加
工された後に前記基材から除去することが可能な剥離性
と、紫外線領域以下の波長領域のレーザー光を吸収する
光吸収性とを有する離型性フィルムを形成する、 離型性フィルムの形成方法。19. The method according to claim 19, further comprising applying a resin varnish exhibiting releasability after drying and having absorptivity to laser light in a wavelength region equal to or shorter than an ultraviolet region on the surface of the substrate and drying the substrate. On the surface of the mold, a mold release having a peeling property capable of being removed from the base material after being hole-formed with the base material together with the laser light, and a light absorbing property of absorbing laser light in a wavelength region equal to or less than an ultraviolet region. A method of forming a release film, which forms a release film.
成方法であって、 前記樹脂ワニスは、前記基材を浸食しない溶剤を含むも
のである、 離型性フィルムの形成方法。20. The method for forming a release film according to claim 19, wherein the resin varnish contains a solvent that does not erode the base material.
光を吸収する離型性マスクフィルムを、紫外線領域以下
の波長領域のレーザー光を吸収する絶縁基材の表面に設
ける工程と、 紫外線領域以下の波長を有するレーザー光により、前記
絶縁基材にそのフィルム配置面から孔を形成する工程
と、 前記加工孔に導電体を充填する工程と、 前記絶縁基材から前記離型性マスクフィルムを剥離する
工程と、 支持体により支持された導体パターン、または金属箔を
前記絶縁基材の表面に重ねて加熱加圧することで、前記
導電体と前記導体パターンとを、または前記導電体と前
記金属箔とを、電気的に接続する工程と、 を含む回路基板の製造方法。21. A step of providing a releasable mask film that absorbs laser light in a wavelength region below the ultraviolet region on the surface of an insulating substrate that absorbs laser light in a wavelength region below the ultraviolet region. A step of forming a hole in the insulating base from the film arrangement surface thereof by a laser beam having a wavelength, a step of filling the processed hole with a conductor, and peeling the releasable mask film from the insulating base. And a conductor pattern supported by a support, or a metal foil is superimposed on the surface of the insulating base material and heated and pressed to form the conductor and the conductor pattern, or the conductor and the metal foil. And a step of electrically connecting the circuit board.
であって、 前記絶縁基材として、圧縮性を有する多孔質基材を用い
る、 回路基板の製造方法。22. The method for manufacturing a circuit board according to claim 21, wherein a compressible porous base material is used as the insulating base material.
であって、 前記絶縁基材として、表面に接着剤層を有するフィルム
基材を用いる、 回路基板の製造方法。23. The method for manufacturing a circuit board according to claim 21, wherein a film base having an adhesive layer on a surface is used as the insulating base.
であって、 前記離型性マスクフィルムを、前記絶縁基材に設ける工
程は、 前記絶縁基材の表面に、樹脂ワニスを塗布する工程と、 塗布した前記樹脂ワニスを乾燥させる工程とを含む、 回路基板の製造方法。24. The method for manufacturing a circuit board according to claim 21, wherein the step of providing the releasable mask film on the insulating base is a step of applying a resin varnish to a surface of the insulating base. And a step of drying the applied resin varnish.
であって、 前記離型性フィルムを前記絶縁基材の表面に設ける工程
において、前記離型性フィルムとしてこのフィルムを複
数枚積層したものを用いたうえで、 前記絶縁基材に孔加工する工程の後に、表層側の前記離
型性フィルムだけを選択的に剥離する工程を、更に含
み、 前記加工孔に導電体を充填する工程を、表層側の離型性
フィルムを剥離した後に行う、 回路基板の製造方法。25. The method for manufacturing a circuit board according to claim 21, wherein in the step of providing the release film on a surface of the insulating base material, a plurality of the films are laminated as the release film. After the step of forming a hole in the insulating base material, the method further includes a step of selectively peeling off only the release film on the surface layer side, a step of filling the processed hole with a conductor. A method of manufacturing a circuit board, which is performed after the release film on the surface layer is peeled off.
であって、 表層側の離型性マスクフィルムを剥離する工程におい
て、前記離型性マスクフィルムを少なくとも２枚以上前
記絶縁基材に残存させる、回路基板の製造方法。26. The method for manufacturing a circuit board according to claim 25, wherein in the step of peeling off the surface-side releasable mask film, at least two or more of the releasable mask films remain on the insulating base material. A method of manufacturing a circuit board.
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